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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-28
(45)【発行日】2024-11-06
(54)【発明の名称】二価白金錯体
(51)【国際特許分類】
C07F 15/00 20060101AFI20241029BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20241029BHJP
C07D 401/14 20060101ALI20241029BHJP
【ＦＩ】
C07F15/00 F CSP
C09K11/06 660
C07D401/14
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2023535593
(86)(22)【出願日】2021-10-24
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-12-20
(86)【国際出願番号】 CN2021125931
(87)【国際公開番号】W WO2022134822
(87)【国際公開日】2022-06-30
【審査請求日】2023-06-09
(31)【優先権主張番号】202011618074.3
(32)【優先日】2020-12-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202011516978.5
(32)【優先日】2020-12-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】515177907
【氏名又は名称】広東阿格蕾雅光電材料有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】100146374
【弁理士】
【氏名又は名称】有馬 百子
(72)【発明者】
【氏名】呉 信▲尉▼
(72)【発明者】
【氏名】李 慧楊
(72)【発明者】
【氏名】沈 文淵
(72)【発明者】
【氏名】檀 笑風
(72)【発明者】
【氏名】戴 雷
(72)【発明者】
【氏名】蔡 麗菲
【審査官】▲来▼田 優来
(56)【参考文献】
【文献】特表２０２１－５３５９４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－００２７２２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０７Ｆ
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（Ｉ）で示される構造を有する二価白金錯体であって
残りのサイト及びＡ０は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、１～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アルキル基、３～２０個の環炭素原子を有する置換若しくは非置換シクロアルキル基、１～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換ヘテロアルキル基、７～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アラルキル基、１～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アルコキシ基、６～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アリ－ルオキシ基、２～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アルケニル基、６～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アリ－ル基、３～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換ヘテロアリ－ル基、３～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アルキルシリル基、６～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アリ－ルシリル基、０～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アミノ基、アシル基、カルボン酸、エステル基、シアノ基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基のうちから選択されるか、または、隣接する位置にあるＲ１～Ｒ２４が、互いに共有結合により環に接続され、
Ａｒは、１～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アルキル基、３～２０個の環炭素原子を有する置換若しくは非置換シクロアルキル基、１～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換ヘテロアルキル基、７～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アラルキル基、１～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アルコキシ基、６～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アリ－ルオキシ基、２～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アルケニル基、６～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アリ－ル基、３～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換ヘテロアリ－ル基、３～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アルキルシリル基、及び６～２０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アリ－ルシリル基のうちから選択され、
前記ヘテロアルキル基またはヘテロアリ－ル基中のヘテロ原子は、Ｎ、Ｓ、またはＯであり、
前記置換は、重水素、ハロゲン、アミノ、ニトロ、シアノまたはＣ１～Ｃ４アルキルによる置換である、
ことを特徴とする二価白金錯体。
【請求項2】
Ｒ１～Ｒ２４におけるＲ１～Ｒ６のうちの一つのサイトは、Ｒ７～Ｒ１０のうちの一つのサイトにＣ－Ｃ結合で接続し、残りのサイト及びＡ０は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、１～１０個のＣ原子を含むアルコキシ基、シアノ基、スチリル基、アリ－ルオキシ基、ジアリ－ルアミン基、１～１０個のＣ原子を含む飽和アルキル基、２～８個のＣ原子を含む不飽和アルキル基、５～２０個のＣ原子を含む置換若しくは非置換のアリ－ル基、及び５～２０個のＣ原子を含む置換若しくは非置換のヘテロアリ－ル基のうちから選択されるか、または、隣接する位置に存在するＲ１～Ｒ２４が、互いに共有結合により環に接続される、ことを特徴とする請求項１に記載の二価白金錯体。
【請求項3】
Ａｒは、６～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換ニ環式アリ－ル誘導体またはニ環式ヘテロアリ－ル誘導体、及び３～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換多環式アリ－ル誘導体または多環式ヘテロアリ－ル誘導体から選択される、ことを特徴とする請求項２に記載の二価白金錯体。
【請求項4】
Ｒ１～Ｒ２４におけるＲ１～Ｒ６の一つのサイトは、Ｒ７～Ｒ１０の一つのサイトにＣ－Ｃ結合で接続し、残りのサイトにおいて、Ｒ１７、及びＲ１９はＣ１－Ｃ４基であり、その他が何れも水素であり、且つ、Ａ０は、水素である、ことを特徴とする請求項３に記載の二価白金錯体。
【請求項5】
Ａｒは、５～３０個の炭素原子を有する置換若しくは非置換アリ－ル基、ヘテロアリ－ル基、及びベンゾヘテロアリ－ル基のうちから選択される、ことを特徴とする請求項４に記載の二価白金錯体。
【請求項6】
Ｒ１７、及びＲ１９はイソブチル基であり、Ａｒは、置換若しくは非置換フェニル基、５員若しくは６員ヘテロアリ－ル基、及びベンゾヘテロアリ－ル基のうちから選択され、前記ヘテロアリ－ル基中のヘテロ原子は、Ｎ、又はＯであり、前記置換は、重水素、ハロゲンまたはＣ１～Ｃ４アルキル基による置換である、ことを特徴とする請求項５に記載の二価白金錯体。
【請求項7】
以下のいずれかの構造を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の二価白金錯体。
【請求項8】
以下の式（ＩＩ）で示される構造を有する請求項１～７の何れか１項に記載の二価白金錯体の前駆体であって、
ことを特徴とする二価白金錯体の前駆体。
【請求項9】
ＯＬＥＤにおける発光層の燐光ド－パント材料としての、請求項１～７の何れか１項に記載の二価白金錯体の使用。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＯＬＥＤ材料の分野に関し、特に、カルバゾ－ル含有の二価白金錯体に関するものである。
【背景技術】
【0002】
有機発光ダイオ－ド（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）は、自発光、広い視野角、ほぼ無限に高いコントラスト、低い消費電力、極めて速い反応速度、及び潜在的な可撓性、折畳み可能性などの利点を有し、近２０年間で広く注目・研究される。１９７９年に中国系アメリカ人としてのトウ青雲（Ｃｈｉｎｇ Ｗ．Ｔａｎｇ）教授によって研究室で発見されてから、有機金属錯体がその強いスピン軌道結合（ＳＯＣ）によりシリ－ズ交差（ＩＳＣ）及び長寿命の燐光減衰を達成できることは、さらに、１９９８年にＳ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔらによって発見された。研究によると、燐光材料は、発光中に一重項及び三重項励起子のエネルギ－を十分に利用して錯体の発光効率を向上させることにより、ＯＬＥＤにおいて理論的に１００％に達する内部量子効率を達成できる。特に、Ｉｒ（Ｉ）錯体は、多く研究され、現在業界で広く用いられる発光材料である。しかしながら、希土類金属Ｉｒは高価であり、かつ汚染が厳しく、大量生産におけるそれらの使用が阻害される。したがって、安価な金属錯体の開発が望ましい。金属白金錯体は、その平面性による優れた材料安定性、高い構造修飾可能性、及びイリジウムよりも安価である金属価格のため、近年、科学研究業界から多く注目され、工業化プロセスも成熟してゆく。それでも、工業界では、簡単的、高効率的、及び寿命の長い発光材料が切実に必要とする。ＯＮＣＮ四座配位子の白金錯体分子は、合成ステップが簡単であり、多くの修飾可能なサイトを有し、改善の余地が極めて大きい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明は、従来技術に存在する上記問題に対して、燐光材料の重原子効果を向上させることにより発光中に一重項及び三重項励起子に対するエネルギ－の利用率を向上させることができる官能基含有のＯＮＣＮ四座配位子の白金錯体の発光材料を提供する。官能基は、相違サイトの接続により材料の熱安定性を改善し、該種類の材料のさらなる工業化の可能性を提供する。
この白金錯体は、有機発光ダイオ－ドに使用される場合に、優れた熱安定性、光電性能、及び素子寿命が表される。
この白金錯体は、有機発光ダイオ－ドに使用される場合に、優れた熱安定性、光電性能、及び素子寿命が表される。
【課題を解決するための手段】
【0004】
このような二価白金錯体は、構造式が式（Ｉ）に示され、
【0005】
Ｒ１～Ｒ２４におけるＲ１～Ｒ６の一つのサイトは、Ｒ７～Ｒ１０の一つのサイトにＣ－Ｃ結合で接続され、残りのサイト及びＡ０は、個別的に、水素、重水素、ハロゲン、１～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アルキル、３～２０個の環炭素原子を有する置換または非置換シクロアルキル、１～２０個の炭素原子を有する置換または非置換ヘテロアルキル、７～３０個の炭素原子を有する置換または非置換アラルキル、１～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アルコキシ、６～３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリ－ルオキシ、２～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アルケニル、６～３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリ－ル、３～２０個の炭素原子を有する置換または非置換ヘテロアリ－ル、３～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アルキルシリル、６～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アリ－ルシリル、０～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アミノ、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、シアノ、チオ、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノから選択され、あるいは、隣接するＲ１～Ｒ２４は、互いに共有結合により環に接続され、
【0006】
Ａｒは、１～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アルキル、３～２０個の環炭素原子を有する置換または非置換シクロアルキル、１～２０個の炭素原子を有する置換または非置換ヘテロアルキル、７～３０個の炭素原子を有する置換または非置換アラルキル、１～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アルコキシ、６～３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリ－ルオキシ、２～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アルケニル、６～３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリ－ル、３～２０個の炭素原子を有する置換または非置換ヘテロアリ－ル、３～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アルキルシリル、６～２０個の炭素原子を有する置換または非置換アリ－ルシリルから選択され、
前記ヘテロアルキルまたはヘテロアリ－ルにおけるヘテロ原子は、Ｎ、Ｓ、Ｏであり、
前記置換とは、重水素、ハロゲン、アミノ、ニトロ、シアノまたはＣ１～Ｃ４アルキルにより置換えられることを意味する。
前記ヘテロアルキルまたはヘテロアリ－ルにおけるヘテロ原子は、Ｎ、Ｓ、Ｏであり、
前記置換とは、重水素、ハロゲン、アミノ、ニトロ、シアノまたはＣ１～Ｃ４アルキルにより置換えられることを意味する。
【0007】
好ましくは、Ｒ１～Ｒ２４におけるＲ１～Ｒ６の一つのサイトは、Ｒ７～Ｒ１０の一つのサイトにＣ－Ｃ結合で接続され、残りのサイト及びＡ０は、個別的に、水素、重水素、ハロゲン、１～１０個のＣ原子を含むアルコキシ、シアノ、スチリル、アリ－ルオキシ、ジアリ－ルアミン、１～１０個のＣ原子を含む飽和アルキル、２～８個のＣ原子を含む不飽和アルキル、５～２０個のＣ原子を含む置換または非置換のアリ－ル、５～２０個のＣ原子を含む置換または非置換のヘテロアリ－ル、あるいは、隣接するＲ１～Ｒ２４は、互いに共有結合により環に接続される。
【0008】
Ａｒは、６～３０個の炭素原子を有する置換または非置換ニ環式アリ－ル誘導体またはニ環式ヘテロアリ－ル誘導体、３～３０個の炭素原子を有する置換または非置換多環式アリ－ル誘導体または多環式ヘテロアリ－ル誘導体から選択される。
さらに好ましくは、
さらに好ましくは、
【0009】
Ｒ１～Ｒ６の一つのサイトは、Ｒ７～Ｒ１０の一つのサイトにＣ－Ｃ結合で接続され、Ｒ１～Ｒ２４の残りのサイトにおいては、Ｒ１７、Ｒ１９がＣ１－Ｃ４基であり、その他が何れも水素であり、且つ、Ａ０は、水素である。
Ａｒは、５～３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリ－ル、ヘテロアリ－ル、及びベンゾヘテロアリ－ルから選択される。
Ａｒは、５～３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリ－ル、ヘテロアリ－ル、及びベンゾヘテロアリ－ルから選択される。
【0010】
好ましくは、Ｒ１７、Ｒ１９はイソブチルであり、Ａｒは、置換または非置換フェニル、５員または６員ヘテロアリ－ル、ベンゾヘテロアリ－ルから選択され、前記ヘテロアリ－ルにおけるヘテロ原子は、Ｎ、Ｏであり、前記置換とは、重水素、ハロゲンまたはＣ１～Ｃ４アルキルにより置換えられることを意味する。
【0011】
本発明に係る白金金属錯体は、以下のように挙げられるが、挙げられる構造に限定されない。
【0012】
【0013】
上記錯体の前駆体は、構造が下式（ＩＩ）に示され、
ただし、Ｒ１～Ｒ２４、Ａ０、Ａｒは上記の通りである。
発光層の燐光ド－パント材料としての本発明に係る二価白金錯体のＯＬＥＤにおける使用。
本発明は、構造設計により、材料の安定性、素子効率、及び使用寿命を向上させる。
このような化合物は、合成ステップが簡単であり、成熟した工程を容易に備える。
このような構造は、多くの修飾可能なサイトを有し、含まれるカルバゾ－ル基の立体障害の増加により、分子間の凝集作用を効果的に低減することができる。
このような化合物は、官能基が相違サイトで接続されることにより、分子の空間配置、色純度、及び発光効率を向上させることができる。
発光層の燐光ド－パント材料としての本発明に係る二価白金錯体のＯＬＥＤにおける使用。
本発明は、構造設計により、材料の安定性、素子効率、及び使用寿命を向上させる。
このような化合物は、合成ステップが簡単であり、成熟した工程を容易に備える。
このような構造は、多くの修飾可能なサイトを有し、含まれるカルバゾ－ル基の立体障害の増加により、分子間の凝集作用を効果的に低減することができる。
このような化合物は、官能基が相違サイトで接続されることにより、分子の空間配置、色純度、及び発光効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【0014】
本発明に係る二価白金錯体は、明るい緑色の発射波長を有し、ＯＬＥＤ有機エレクトロルミネッセンス材料の分野に適用されることができる。本発明は、構造設計により、燐光材料の重原子効果を向上させ、スピン結合を強化し、Ｔ１－Ｓ０の効率的な変換を達成することができ、その結果、効率的な発光効率が得られる。また、ＯＮＣＮ四座配位子の白金錯体分子は、合成ステップが簡単であり、配位が容易であるなどの利点を有し、また、多くの修飾可能なサイトを有し、ＰＬ発光波長及び熱安定性の調整が可能である。含まれるカルバゾ－ル基の立体障害の増加によっては、分子間の凝集作用を効果的に低減して励起錯体の形成を回避し、色純度及び発光効率をさらに向上させることができる。
本発明に係る有機金属錯体は、蛍光量子効率が高く、熱安定性が優れ、消光定数が低く、発光効率の高い緑色ＯＬＥＤ素子を製造することができる。
本発明に係る有機金属錯体は、蛍光量子効率が高く、熱安定性が優れ、消光定数が低く、発光効率の高い緑色ＯＬＥＤ素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、図面及び実施例を参照しながら本発明をさらに限定する。
以下に用いられる原材料は、何れも市販品である。
実施例１：
構造１の化合物の合成（１ａ、ＣＮ１１０８７２３２５Ａを参照し、１ｄが注文品である。）
中間体１ｃの合成
以下に用いられる原材料は、何れも市販品である。
実施例１：
構造１の化合物の合成（１ａ、ＣＮ１１０８７２３２５Ａを参照し、１ｄが注文品である。）
中間体１ｃの合成
【0017】
２Ｌの三口フラスコを取り、１ａ（６０．０ｇ、１０１ｍｍｏｌ）、１ｂ（３０．０ｇ、２０２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５．９０ｇ、５ｍｍｏｌ）、ＮａＯＨ（８．２ｍｇ、２０２ｍｍｏｌ）及びジオキサン／水（１．２Ｌ／２４０ｍｌ）を投入し、窒素保護で、５５℃で１２ｈ攪拌・反応させる。反応終了後、まず、回転により大部の溶媒を分離させ、水を投入し、ＤＣＭで２回抽出し、シリカゲルと混合して回転により乾燥させてから、カラムに装入し、（Ｈｅｘ：ＥＡ＝１０：１）で洗浄する。５８ｇの白色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0018】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．６９（ｓ，１Ｈ），８．６１（ｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１Ｈ），８．２３（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１２－８．０１（ｍ，３Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，１Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，１Ｈ），７．６２（ｓ，１Ｈ），７．５５（ｓ，３Ｈ），７．４７－７．３９（ｍ，１Ｈ），７．３０－７．２６（ｍ，１Ｈ），７．１６（ｓ，１Ｈ），７．０６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），１．４１（ｓ，１８Ｈ）．
中間体１ｅの合成
中間体１ｅの合成
【0019】
２５０ｍｌの一口フラスコを取り、１ｃ（８．０ｇ、１９．９ｍｍｏｌ）、１ｄ（６．１４ｇ、２１．４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ１３２（０．３０３ｇ、０．４２ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（５．９ｇ、４２．７ｍｍｏｌ）、及びＴＨＦ／水（８０ｍｌ／１６ｍｌ）を投入し、窒素保護で、７０℃で１２ｈ反応させる。反応終了後、まず、大部の溶媒を回転により分離させ、水を投入し、ＥＡで２回抽出し、シリカゲルと混合して回転により乾燥させてからカラムに装入し、（Ｈｅｘ：ＥＡ＝６：１）で洗浄する。９．７ｇの白色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0020】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．７６（ｄ，Ｊ＝４．１Ｈｚ，２Ｈ），８．３４－８．２３（ｍ，２Ｈ），８．２０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１３（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１０－８．０１（ｍ，３Ｈ），７．９６（ｓ，１Ｈ），７．７３－７．５５（ｍ，１０Ｈ），７．５５－７．３８（ｍ，５Ｈ），７．３４（ｔ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．１５（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．０７（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ）．
中間体１ｆの合成
中間体１ｆの合成
【0021】
５００ｍｌの一口フラスコを取り、１ｅ（８．５ｇ、１１．０６ｍｍｏｌ）、ピリジン塩酸塩（９０ｇ）、及び９ｍＬのｏ－ジクロロベンゼンを投入し、窒素保護で、２００℃で６ｈ反応させる。反応終了後、ジクロロメタンで２回抽出し、シリカゲルと混合し、回転により乾燥させてからカラムに装入し、（Ｈｅｘ：ＥＡ＝６：１）で洗浄する。得られた粗生成物は、メタノ－ルでスラリ－を作る。８．３ｇの淡黄色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0022】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．７４（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，１Ｈ），８．６４（ｓ，１Ｈ），８．２５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），８．１７（ｄｄ，Ｊ＝１２．１，８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．０７（ｔ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，３Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝１．１Ｈｚ，１Ｈ），７．７３－７．６４（ｍ，３Ｈ），７．６４－７．５７（ｍ，５Ｈ），７．５６－７．５０（ｍ，３Ｈ），７．５０－７．３９（ｍ，３Ｈ），７．３９－７．２８（ｍ，２Ｈ），７．１２－７．０４（ｍ，１Ｈ），６．９７（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），１．４３（ｓ，１８Ｈ）．
最終生成物構造１に示す化合物の合成
最終生成物構造１に示す化合物の合成
【0023】
５００ｍｌの一口フラスコを取り、１ｆ（２．０ｇ、２．６５ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＰｔＣｌ４（１．３２ｇ、３．１８ｍｍｏｌ）、ＴＢＡＢ（８５ｍｇ、０．２６５ｍｍｏｌ）、及び酢酸（２００ｍＬ）を投入し、窒素保護で、１３０℃で４８ｈ反応させる。反応終了後、過剰の脱イオン水を投入して固体を沈殿させ、吸引濾過し、ジクロロメタンで固体を溶解し、シリカゲルと混合して回転により乾燥させてからカラムに装入し、（ＤＣＭ）で洗浄する。１．６ｇの黄色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0024】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．８９（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，１Ｈ），８．２１－８．０１（ｍ，３Ｈ），７．８８（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．７４－７．４７（ｍ，１２Ｈ），７．４７－７．３４（ｍ，３Ｈ），７．３４－７．２８（ｍ，３Ｈ），７．２４（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），６．５２（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ），１．４５（ｓ，１８Ｈ）．
実施例２：構造２６の化合物の合成（２６ａが注文品である。）
中間体２６ｂの合成
実施例２：構造２６の化合物の合成（２６ａが注文品である。）
【0025】
２５０ｍｌの一口フラスコを取り、１ｃ（８．０ｇ、１９．９ｍｍｏｌ）、２６ａ（８．５ｇ、２１．４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ１３２（０．３０３ｇ、０．４２ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（５．９ｇ、４２．７ｍｍｏｌ）、及びＴＨＦ／水（８０ｍｌ／１６ｍｌ）を投入し、窒素保護で、７０℃で１２ｈ反応させる。反応終了後、まず、大部の溶媒を回転により分離させ、水を投入し、ＥＡで２回抽出し、シリカゲルと混合して回転により乾燥させてからカラムに装入し、（Ｈｅｘ：ＥＡ＝６：１）で洗浄する。１１．０８ｇの白色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0026】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ８．６７（ｄ，Ｊ＝４．５Ｈｚ，１Ｈ），８．２２－８．１７（ｍ，３Ｈ），８．１７－８．０８（ｍ，３Ｈ），７．９５－７．８６（ｍ，４Ｈ），７．７２（ｄｄ，Ｊ＝６．８，２．４Ｈｚ，１Ｈ），７．６９－７．５９（ｍ，２Ｈ），７．５３－７．２７（ｍ，１０Ｈ），７．１５（ｄｄｄ，Ｊ＝８．７，７．５，１．２Ｈｚ，１Ｈ），６．９０（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．９０（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，３６Ｈ）．
中間体２６ｃの合成
中間体２６ｃの合成
【0027】
５００ｍｌの一口フラスコを取り、２６ｂ（９．７４ｇ、１１．０６ｍｍｏｌ）、ピリジン塩酸塩（９０ｇ）、及び９ｍＬのｏ－ジクロロベンゼンを投入し、窒素保護で、２００℃で６ｈ反応させる。反応終了後、ジクロロメタンで２回抽出し、シリカゲルと混合して回転により乾燥させてからカラムに装入し、（Ｈｅｘ：ＥＡ＝６：１）で洗浄する。得られた粗生成物は、メタノ－ルでスラリ－を作る。８．３ｇの淡黄色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0028】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ９．１８－９．１１（ｍ，１Ｈ），８．２６－８．０９（ｍ，５Ｈ），７．９４（ｄｄ，Ｊ＝８．２，１．２Ｈｚ，１Ｈ），７．７４（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ），７．６８－７．６２（ｍ，３Ｈ），７．６０－７．５２（ｍ，２Ｈ），７．５１－７．４４（ｍ，３Ｈ），７．４０－７．２６（ｍ，９Ｈ），７．１７（ｄ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，２Ｈ），７．０９（ｄｄｄ，Ｊ＝８．４，７．５，１．２Ｈｚ，１Ｈ），１．３６（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，３８Ｈ）．
最終生成物構造２６に示す化合物の合成
最終生成物構造２６に示す化合物の合成
【0029】
５００ｍｌの一口フラスコを取り、２６ｃ（２．３ｇ、２．６５ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＰｔＣｌ４（１．３２ｇ、３．１８ｍｍｏｌ）、ＴＢＡＢ（８５ｍｇ、０．２６５ｍｍｏｌ）、及び酢酸（２００ｍＬ）を投入し、窒素保護で、１３０℃で４８ｈ反応させる。反応終了後、過剰の脱イオン水を投入して固体を沈殿させ、吸引濾過し、ジクロロメタンで固体を溶解し、シリカゲルと混合して回転により乾燥させてからカラムに装入し、（ＤＣＭ）で洗浄する。１．８ｇの黄色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0030】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．８９（ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，１Ｈ），８．２１－８．０１（ｍ，３Ｈ），７．８８（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．７４－７．４７（ｍ，１２Ｈ），７．４７－７．３４（ｍ，３Ｈ），７．３４－７．２８（ｍ，３Ｈ），７．２４（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），６．５２（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ），１．４５（ｓ，１８Ｈ）．
【0031】
実施例３：構造３６の化合物の合成（３６ａが注文品である。）
中間体３６ｃの合成
【0032】
乾燥した５００ｍｌの二首フラスコにおける３６ａ（１４．７ｇ、５０ｍｍｏｌ）に、３６ｂ（１１．８ｇ、５０ｍｍｏｌ）、トルエン（１２０ｍＬ）、エタノ－ル（６０ｍＬ）、及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸カリウム溶液（６０ｍＬ）を投入し、まず、５～１０分間超音波処理し、また、窒素を５分間急速に攪拌し、触媒テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．８ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を急速に投入し、大量の窒素を１０分間輸送する。１００℃までに加熱し、１２時間攪拌し、処理時に、まず抽出し、回転乾燥し、石油エ－テル及びジクロロメタンでカラムクロマトグラフィ－を行い、１４．５ｇの収率が９０％である白い固体生成物が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0033】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ９．５４（ｓ，１Ｈ），８．３７（ｄｄ，Ｊ＝４．０，２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．１７－８．１０（ｍ，２Ｈ），７．９４（ｄｄ，Ｊ＝７．５，２．２Ｈｚ，１Ｈ），７．５６（ｓ，１Ｈ），７．５５－７．４８（ｍ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ，Ｊ＝７．５，３．９Ｈｚ，１Ｈ），７．３４（ｔｄ，Ｊ＝７．４，１．３Ｈｚ，１Ｈ），７．２８－７．１９（ｍ，１Ｈ）．
中間体３６ｄの合成
中間体３６ｄの合成
【0034】
乾燥した５００ｍｌの二首フラスコにおける３６ｃ（１４．５ｇ、５０ｍｍｏｌ）に、１ａ（２８．７ｇ、５０ｍｍｏｌ）、トルエン（１２０ｍＬ）、エタノ－ル（６０ｍＬ）、及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸カリウム溶液（６０ｍＬ）を投入し、まず、５～１０分間超音波処理し、また、窒素を５分間急速に攪拌し、触媒テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．８ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を急速に投入し、大量の窒素を１０分間輸送する。１００℃までに加熱し、１２時間攪拌し、処理時に、まず抽出し、回転乾燥し、石油エ－テル及びジクロロメタンでカラムクロマトグラフィ－を行い、１０．２ｇの収率が７８％である白い固体生成物が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0035】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ９．５４（ｓ，１Ｈ），８．７１（ｄｄ，Ｊ＝４．１，２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．１９（ｔ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，１Ｈ），８．１７－８．０８（ｍ，２Ｈ），８．０２（ｄｄ，Ｊ＝１．９，０．７Ｈｚ，１Ｈ），７．９６－７．８７（ｍ，４Ｈ），７．８０（ｄｄｄ，Ｊ＝８．５，１．９，１．２Ｈｚ，１Ｈ），７．６７（ｔ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ），７．５４－７．４８（ｍ，２Ｈ），７．４７－７．３２（ｍ，７Ｈ），７．２４（ｄｄｄ，Ｊ＝７．９，７．３，１．６Ｈｚ，１Ｈ），７．１５（ｄｄｄ，Ｊ＝８．７，７．５，１．２Ｈｚ，１Ｈ），６．９０（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．９０（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．
中間体３６ｆの合成
中間体３６ｆの合成
【0036】
２５０ｍｌの三口フラスコに、３６ｄ（５．０ｇ、１．０ｅｑ）、３６ｅ（５．７ｇ、３．０ｅｑ）、Ｃｕ（２３０ｍｇ、０．５ｅｑ）、ＣｕＩ（６８８ｍｇ、０．５ｅｑ）、１，１０－フェナントロリン（１．３０ｇ、１．０ｅｑ）、及び炭酸セシウム（７．０６ｇ、３．０ｅｑ）を投入し、１００ｍｌの無水キシレンを反応溶媒とし、窒素保護で、１６０℃のオイルバス温度で３ｄ反応させた後、室温まで冷却し、反応溶液に対して、ＥＡを溶離液として無機塩類を直接に濾去した後、シリカゲルと混合してカラムクロマトグラフィ－（クロマトグラフィ－溶液ｈｅｘ：ＥＡ＝８：１）を行い、３．９ｇの黄色蛍光生成物スポットが集めて得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ８．７１（ｄｄ，Ｊ＝４．１，２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．２４（ｄｄ，Ｊ＝１．９，０．７Ｈｚ，１Ｈ），８．２２－８．０８（ｍ，５Ｈ），８．０２（ｄｄｔ，Ｊ＝８．９，１．３，０．５Ｈｚ，１Ｈ），７．９７－７．８５（ｍ，５Ｈ），７．８４－７．７７（ｍ，２Ｈ），７．７１－７．６２（ｍ，４Ｈ），７．５９－７．５３（ｍ，１Ｈ），７．５３－７．２７（ｍ，１３Ｈ），７．１５（ｄｄｄ，Ｊ＝８．７，７．５，１．２Ｈｚ，１Ｈ），６．９０（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．９０（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．
中間体３６ｇの合成
中間体３６ｇの合成
【0037】
１００ｍｌの一口フラスコに、３６ｆ（３．１５ｇ）、ピリジン塩酸塩（３０．０ｇ）、及びｏ－ジクロロベンゼン（３．０ｍｌ）を投入し、窒素保護で、２００℃のオイルバス温度で８ｈ反応させた後に室温まで冷却する。大量の水で溶解してＤＣＭで３回抽出し、有機相を回転乾燥し、シリカゲルと混合し、カラムクロマトグラフィ－（クロマトグラフィ－溶液ｈｅｘ：ＥＡ＝１０：１）を行い、２．８ｇの淡黄色の生成物が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ８．７１（ｄｄ，Ｊ＝４．１，２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．２４（ｄｄ，Ｊ＝１．９，０．７Ｈｚ，１Ｈ），８．２１－８．０８（ｍ，５Ｈ），８．０６－７．９７（ｍ，２Ｈ），７．９７－７．７７（ｍ，６Ｈ），７．７１－７．６２（ｍ，４Ｈ），７．５９－７．５３（ｍ，１Ｈ），７．５３－７．４４（ｍ，５Ｈ），７．４４－７．２０（ｍ，８Ｈ），７．０３－６．９４（ｍ，２Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．
最終生成物構造３６に示す化合物の合成
最終生成物構造３６に示す化合物の合成
【0038】
２５０ｍｌの一口フラスコを取り、３６ｇ（１０５ｍｇ、０．１２４ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＰｔＣｌ４（７０ｍｇ、０．１６７ｍｍｏｌ）、１８－クラウン６エ－テル（６ｍｇ、０．０１２ｍｍｏｌ）、及び酢酸（５ｍＬ）を投入し、窒素保護で、１３０℃で４８ｈ反応させる。反応終了後、過剰の脱イオン水を投入して固体を沈殿させ、吸引濾過し、ジクロロメタンで固体を溶解し、回転により溶媒を分離させ、シリカゲルと混合してからカラムに装入し、（Ｈｅｘ：ＤＣＭ：ＥＡ＝２０：２０：１）で洗浄する。カラムを通過させた後、製品をジクロロメタン：ｎ－ヘキサン＝１：４で再結晶させる。８５ｍｇの赤色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ８．８４（ｄｄ，Ｊ＝５．４，２．３Ｈｚ，１Ｈ），８．２１（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１７－７．９９（ｍ，５Ｈ），７．９４（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．２Ｈｚ，１Ｈ），７．８１（ｔ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ），７．７６－７．６２（ｍ，６Ｈ），７．５８－７．４３（ｍ，１２Ｈ），７．４２－７．２６（ｍ，８Ｈ），７．２５－７．１５（ｍ，２Ｈ），７．０９（ｄｄｄ，Ｊ＝８．５，７．５，１．２Ｈｚ，１Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．
【0039】
実施例４：構造５３の化合物の合成（５３ａが注文品である。）
中間体５３ｃの合成：
【0040】
乾燥した５００ｍｌの二首フラスコにおける５３ａ（１４．７ｇ、５０ｍｍｏｌ）に、５３ｂ（１１．８ｇ、５０ｍｍｏｌ）、トルエン（１２０ｍＬ）、エタノ－ル（６０ｍＬ）、及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸カリウム溶液（６０ｍＬ）を投入し、まず、５～１０分間超音波処理し、また、窒素を５分間急速に攪拌し、触媒テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．８ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を急速に投入し、大量の窒素を１０分間輸送する。１００℃までに加熱し、１２時間攪拌し、処理時に、まず抽出し、回転により溶媒を分離させ、石油エ－テル及びジクロロメタンでカラムクロマトグラフィ－を行い、１４．５ｇの収率が９０％である白い固体生成物が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0041】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ９．７２（ｓ，１Ｈ），８．３７（ｄｄ，Ｊ＝４．０，２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．１９－８．１３（ｍ，１Ｈ），８．１３－８．０６（ｍ，１Ｈ），７．９１（ｄｄ，Ｊ＝７．４，２．３Ｈｚ，１Ｈ），７．８３（ｄ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，１Ｈ），７．７１（ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．０Ｈｚ，１Ｈ），７．５５－７．４２（ｍ，２Ｈ），７．３４（ｔｄ，Ｊ＝７．４，１．３Ｈｚ，１Ｈ），７．２４（ｄｄｄ，Ｊ＝７．９，７．３，１．６Ｈｚ，１Ｈ）．
中間体５３ｄの合成
中間体５３ｄの合成
【0042】
乾燥した５００ｍｌの二首フラスコにおける５３ｃ（１４．５ｇ、５０ｍｍｏｌ）に、１ａ（２８．７ｇ、５０ｍｍｏｌ）、トルエン（１２０ｍＬ）、エタノ－ル（６０ｍＬ）、及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸カリウム溶液（６０ｍＬ）を投入し、まず、５～１０分間超音波処理し、また、窒素を５分間急速に攪拌し、触媒テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．８ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を急速に投入し、大量の窒素を１０分間輸送する。１００℃までに加熱し、１２時間攪拌し、処理時に、まず抽出し、回転により溶媒を分離させ、石油エ－テル及びジクロロメタンでカラムクロマトグラフィ－を行い、１０．２ｇの収率が７８％である白い固体生成物が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、
【0043】
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ９．７２（ｓ，１Ｈ），８．７１（ｄｄ，Ｊ＝４．１，２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．２２－８．０６（ｍ，５Ｈ），７．９７－７．８６（ｍ，５Ｈ），７．８４－７．７４（ｍ，２Ｈ），７．７１－７．６０（ｍ，２Ｈ），７．５５－７．４７（ｍ，２Ｈ），７．４５－７．３０（ｍ，６Ｈ），７．２４（ｄｄｄ，Ｊ＝７．９，７．３，１．６Ｈｚ，１Ｈ），７．１５（ｄｄｄ，Ｊ＝８．７，７．５，１．２Ｈｚ，１Ｈ），６．９０（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．９０（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．
中間体５３ｆの合成
中間体５３ｆの合成
【0044】
２５０ｍｌの三口フラスコに、５３ｄ（５．０ｇ、１．０ｅｑ）、５３ｅ（７．０ｇ、３．０ｅｑ）、Ｃｕ（２３０ｍｇ、０．５ｅｑ）、ＣｕＩ（６８８ｍｇ、０．５ｅｑ）、１，１０－フェナントロリン（１．３０ｇ、１．０ｅｑ）、及び炭酸セシウム（７．０６ｇ、３．０ｅｑ）を投入し、１００ｍｌの無水キシレンを反応溶媒とし、窒素保護で、１６０℃のオイルバス温度で３ｄ反応させた後、室温まで冷却し、反応溶液に対して、ＥＡを溶離液として無機塩類を直接に濾去した後、シリカゲルと混合してカラムクロマトグラフィ－（クロマトグラフィ－溶液ｈｅｘ：ＥＡ＝８：１）を行い、４．１ｇの黄色蛍光生成物スポットが集めて得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ８．７１（ｄｄ，Ｊ＝４．１，２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．４０－８．２８（ｍ，５Ｈ），８．２８－８．１６（ｍ，３Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ），７．９７－７．８５（ｍ，５Ｈ），７．８５－７．７７（ｍ，４Ｈ），７．６７（ｔ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ），７．５７－７．３５（ｍ，１４Ｈ），７．３１（ｄｄｄ，Ｊ＝７．９，７．２，１．６Ｈｚ，１Ｈ），７．１５（ｄｄｄ，Ｊ＝８．７，７．５，１．２Ｈｚ，１Ｈ），６．９０（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．９０（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．
中間体５３ｇの合成
中間体５３ｇの合成
【0045】
１００ｍｌの一口フラスコに、５３ｆ（３．４０ｇ）、ピリジン塩酸塩（３０．０ｇ）、及びｏ－ジクロロベンゼン（３．０ｍｌ）を投入し、窒素保護で、２００℃のオイルバス温度で８ｈ反応させた後に室温まで冷却する。大量の水で溶解してＤＣＭで３回抽出し、有機相を回転により溶媒を分離させ、シリカゲルと混合し、カラムクロマトグラフィ－（クロマトグラフィ－溶液ｈｅｘ：ＥＡ＝１０：１）を行い、２．９ｇの淡黄色の生成物が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ８．７１（ｄｄ，Ｊ＝４．１，２．２Ｈｚ，１Ｈ），８．４０－８．２８（ｍ，５Ｈ），８．２８－８．１６（ｍ，４Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ），７．９９（ｄｄ，Ｊ＝８．７，１．２Ｈｚ，１Ｈ），７．９６－７．７３（ｍ，８Ｈ），７．６７（ｔ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ），７．５６－７．３７（ｍ，１３Ｈ），７．３６－７．２０（ｍ，２Ｈ），７．０３－６．９４（ｍ，２Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．
最終生成物構造５３に示す化合物の合成
最終生成物構造５３に示す化合物の合成
【0046】
２５０ｍｌの一口フラスコを取り、５３ｇ（１１５ｍｇ、０．１２４ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＰｔＣｌ４（７０ｍｇ、０．１６７ｍｍｏｌ）、１８－クラウン６エ－テル（６ｍｇ、０．０１２ｍｍｏｌ）、及び酢酸（５ｍＬ）を投入し、窒素保護で、１３０℃で４８ｈ反応させる。反応終了後、過剰の脱イオン水を投入して固体を沈殿させ、吸引濾過し、ジクロロメタンで固体を溶解し、回転乾燥し、シリカゲルと混合してカラム（Ｈｅｘ：ＤＣＭ：ＥＡ＝２０：２０：１）を通過させる。カラムを通過させた後、製品をジクロロメタン：ｎ－ヘキサン＝１：４で再結晶させる。８５ｍｇの赤色固体が得られる。水素スペクトルデ－タは以下の通りであり、１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ）δ８．８４（ｄｄ，Ｊ＝６．０，１．８Ｈｚ，１Ｈ），８．４０－８．２８（ｍ，５Ｈ），８．２８－８．１８（ｍ，２Ｈ），８．１５－８．１０（ｍ，１Ｈ），８．０４－７．９９（ｍ，１Ｈ），７．９４（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．２Ｈｚ，１Ｈ），７．８０－７．６１（ｍ，７Ｈ），７．５９－７．４２（ｍ，１３Ｈ），７．３９－７．２６（ｍ，５Ｈ），７．２５－７．１５（ｍ，２Ｈ），７．０９（ｄｄｄ，Ｊ＝８．５，７．５，１．２Ｈｚ，１Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．
【0047】
化合物の発光特性：
【0048】
以下は、本発明に係る化合物の使用例である。
素子の作製方法：
まず、透明導電性ＩＴＯガラス基板１０（その上にアノ－ド２０が付かられる。）を、洗剤溶液、脱イオン水、エタノ－ル、アセトン、及び脱イオン水で順に洗浄し、そして、酸素プラズマで３００秒間処理する。
次に、厚さが３ｎｍであるＨＡＴＣＮを空穴注入層３０としてＩＴＯ上に蒸着する。
次に、化合物ＴＡＰＣを蒸着して厚さが５０ｎｍである空穴輸送層４０を形成する。
次に、厚さが７ｎｍであるゲスト錯体（９％）とホストＴＣＴＡ（９１％）を発光層６０として空穴輸送層上に蒸着する。
次に、厚さが３ｎｍであるゲスト錯体（９％）とホストＴＣＴＡ（９１％）を発光層６０として空穴輸送層上に蒸着する。
次に、厚さが５０ｎｍであるＴｍＰｙＰｂを空穴阻止層７０として発光層上に蒸着する。
最後に、電子注入層８０として０．８ｎｍのＬｉＦを蒸着し、素子のカソ－ド８０として１００ｎｍのＡｌを蒸着する。
素子の構造は、図１に示される。
素子で用いられる化合物の構造式は以下の通りである。
素子の作製方法：
まず、透明導電性ＩＴＯガラス基板１０（その上にアノ－ド２０が付かられる。）を、洗剤溶液、脱イオン水、エタノ－ル、アセトン、及び脱イオン水で順に洗浄し、そして、酸素プラズマで３００秒間処理する。
次に、厚さが３ｎｍであるＨＡＴＣＮを空穴注入層３０としてＩＴＯ上に蒸着する。
次に、化合物ＴＡＰＣを蒸着して厚さが５０ｎｍである空穴輸送層４０を形成する。
次に、厚さが７ｎｍであるゲスト錯体（９％）とホストＴＣＴＡ（９１％）を発光層６０として空穴輸送層上に蒸着する。
次に、厚さが３ｎｍであるゲスト錯体（９％）とホストＴＣＴＡ（９１％）を発光層６０として空穴輸送層上に蒸着する。
次に、厚さが５０ｎｍであるＴｍＰｙＰｂを空穴阻止層７０として発光層上に蒸着する。
最後に、電子注入層８０として０．８ｎｍのＬｉＦを蒸着し、素子のカソ－ド８０として１００ｎｍのＡｌを蒸着する。
素子の構造は、図１に示される。
素子で用いられる化合物の構造式は以下の通りである。
【0049】
素子の結果：
２０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度での比較例１及び比較例２における有機エレクトロルミネッセンス素子の素子性能は、表１に挙げられる。
２０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度での比較例１及び比較例２における有機エレクトロルミネッセンス素子の素子性能は、表１に挙げられる。
【0050】
表１
【0051】
本発明に係る有機金属錯体は、高い量子効率を維持するとともに素子の駆動電圧をわずかに低下させ、発光効率を向上させる。しかし、比較例のＬＴ９５と比べると、実施例に係る素子の寿命が質的に明らかに向上される。この一連の素子のデ－タから分かるように、このような二価白金錯体を燐光発光配位子材料とすると、発光効率が高いＯＬＥＤ素子を製造でき、且つ、非常に長い寿命を達成できる。
【0052】
上記の様々な実施形態は例示に過ぎず、本発明の保護範囲を限定するわけではない。本発明における複数の材料及び構造は、その精神から逸脱せずに他の材料及び構造により置換えられてもよい。当業者が創造的な労力付かせずに本発明の思想に基づいて多く修正や変更できることは、理解すべきである。したがって、当業者が従来技術に基づく分析、推論または部分的研究により得る技術方案は、いずれも本願に限定された保護範囲内にある。
【図1】
