特許 7579981 共面導波伝送線及びその設計方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-30

(45)【発行日】2024-11-08

(54)【発明の名称】共面導波伝送線及びその設計方法

(51)【国際特許分類】

   H01P 3/00 20060101AFI20241031BHJP

   H01P 1/04 20060101ALI20241031BHJP

   H01P 5/08 20060101ALI20241031BHJP

【ＦＩ】

H01P3/00 100

H01P3/00 101

H01P1/04

H01P5/08 C

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2023536505

(86)(22)【出願日】2022-03-31

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-01

(86)【国際出願番号】 CN2022084437

(87)【国際公開番号】W WO2023123719

(87)【国際公開日】2023-07-06

【審査請求日】2023-06-15

(31)【優先権主張番号】202111682905.8

(32)【優先日】2021-12-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】521079271

【氏名又は名称】深▲せん▼▲飛▼▲驤▼科技股▲ふん▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110000291

【氏名又は名称】弁理士法人コスモス国際特許商標事務所

(72)【発明者】

【氏名】李 ▲書▼▲倫▼

(72)【発明者】

【氏名】郭 嘉▲帥▼

【審査官】白井 亮

(56)【参考文献】

【文献】特開２００７－１５８８５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１２３９５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０１５３１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１２０６５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１０８９６５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国実用新案第２１１５７８９３５（ＣＮ，Ｕ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｐ ３／００

Ｈ０１Ｐ １／０４

Ｈ０１Ｐ ５／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

共面導波伝送線であって、第１誘電体基板、ＲＦ信号を伝送するための中心導体ストリップ及び前記中心導体ストリップの対向する両側に間隔をあけて設置された２本の接地導体ストリップを含み、前記第１誘電体基板は対向して設置された第１表面及び第２表面を有し、前記中心導体ストリップ及び前記接地導体ストリップはいずれも前記第１表面に積層して固定され、前記中心導体ストリップは、外部ＳＭＡコネクターに接続するための第１セグメントと、前記第１セグメントの前記ＳＭＡコネクターから離れた端から延伸し外部チップに接続するための第２セグメントとを含み、前記第１セグメントの前記第２セグメントへの延伸方向に直交する方向の距離を幅とし、前記第１セグメントの幅は前記第２セグメントの幅よりも大きく、それにより前記第１セグメントと前記第２セグメントは階段構造になり、インピーダンス整合を実現する、前記共面導波伝送線において、
前記第１表面には前記第２表面に向かって凹んで形成された矩形の凹溝が設けられ、前記中心導体ストリップの一部は前記凹溝の前記第２表面から離れた側に積層して固定され、それにより前記凹溝は欠陥接地構造に形成され、ＲＦ信号の予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現することを特徴とする共面導波伝送線。

【請求項2】

前記第１セグメントは前記凹溝の前記第２表面から離れた側に積層して固定されることを特徴とする請求項１に記載の共面導波伝送線。

【請求項3】

前記凹溝の幅は前記第１セグメントの幅よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の共面導波伝送線。

【請求項4】

前記第１セグメントから前記第２セグメントへの延伸方向の距離を長さとし、前記凹溝の長さが前記第１セグメントの長さと同じであることを特徴とする請求項３に記載の共面導波伝送線。

【請求項5】

前記第２表面に積層して固定される金属接地層と、前記第１誘電体基板を貫通する複数の第１金属化貫通孔とをさらに含み、前記第１金属化貫通孔はそれぞれ前記接地導体ストリップ及び前記金属接地層に接続されることを特徴とする請求項１に記載の共面導波伝送線。

【請求項6】

複数の前記第１金属化貫通孔は前記中心導体ストリップの対向する両側に間隔をあけて設置されることを特徴とする請求項５に記載の共面導波伝送線。

【請求項7】

複数の前記第１金属化貫通孔は等ピッチで配列されることを特徴とする請求項６に記載の共面導波伝送線。

【請求項8】

前記金属接地層の前記第１誘電体基板から離れた側に積層して設けられる第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板を貫通して前記金属接地層に接続される第２金属化貫通孔とをさらに含み、前記第２金属化貫通孔は前記ＳＭＡコネクターのパッドにおける接地ピンに電気的に接続することに用いられることを特徴とする請求項５に記載の共面導波伝送線。

【請求項9】

前記第２金属化貫通孔は２つあり、各前記第２金属化貫通孔は対応する１つの前記第１金属化貫通孔に正対して設置されることを特徴とする請求項８に記載の共面導波伝送線。

【請求項10】

共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法であって、該方法は請求項１～９のいずれか１項に記載の共面導波伝送線に基づき、前記共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法は、
前記第１表面に前記凹溝を設置し、前記凹溝と前記中心導体ストリップの相対位置を調整するステップＳ１と、
前記凹溝の幅及び長さを調整し、ＲＦ信号の前記予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現するステップＳ２とを含む共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、伝送線の技術分野に関し、特に共面導波伝送線及び共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＷＩＦＩ ６（ＩＥＥＥ８０２．１１ａｘ）技術がますます広く応用されていることに伴い、ＷＩＦＩ ６の２．４ＧＨｚ及び５ＧＨｚ２つの帯域での伝送線の要件が高くなっており、伝送線は２つの帯域のインピーダンス整合（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ｍａｔｃｈｉｎｇ）を実現するために重要な特性指標となっている。インピーダンス整合は主に高周波伝送線に用いられ、これにより、すべての高周波のマイクロ波信号がいずれも負荷点に伝達できる目的を達成し、且つ信号が起点に返送されることがほとんどなく、エネルギー効率を向上させる。伝送線のインピーダンス整合の方法は常に１／４波長インピーダンス変換器による整合があり、階段形、三角形又は台形インピーダンス変換器、スタブアップロードによる整合（単一スタブアップロード及び二重スタブアップロードを含む）を用いてもよい。

【0003】

関連技術では、ＷＩＦＩ ６チップテストのテストボート（Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ Ｂｏａｒｄ、略称するＥＶＢ）での伝送線は一般的に共面導波（ｃｏｐｌａｎａｒ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ、ＣＰＷと略称される）伝送線構造を用いる。テストボートにおいて、伝送線の一端がＳＭＡコネクターに接続され、伝送線の他端がｗｉｆｉ６チップに接続される。図１～２を同時に参照し、図１は関連技術の共面導波伝送線の構造模式図であり、図２は図１のＡ部分の立体構造模式図である。具体的には、共面導波伝送線は、誘電体基板Ａ１、ＲＦ信号を伝送するための中心導体ストリップＡ２及び前記中心導体ストリップの対向する両側に間隔をあけて設置された２本の接地導体ストリップＡ３を含み、前記誘電体基板Ａ１は対向して設置された第１表面及び第２表面を有し、前記中心導体ストリップＡ２及び前記接地導体ストリップＡ３はいずれも前記第１表面に積層して固定され、前記中心導体ストリップは、外部ＳＭＡコネクターに接続するための第１セグメントＡ２１と、前記第１セグメントＡ２１の前記ＳＭＡコネクターから離れた端から延伸しｗｉｆｉ６チップに接続するための第２セグメントＡ２２とを含み、前記第１セグメントＡ２１の前記第２セグメントＡ２２への延伸方向に直交する方向の距離を幅とし、前記第１セグメントＡ２１の幅が前記第２セグメントＡ２２の幅よりも大きく、階段構造が形成されてインピーダンス整合を実現する。

【0004】

しかしながら、関連技術の共面導波伝送線のインピーダンス整合の実現方法は階段構造であり、ｗｉｆｉ６帯域範囲内に、関連技術の共面導波伝送線の反射係数のＳ１１の値が２．４ＧＨｚ～２．５ＧＨｚ及び５ＧＨｚ～６ＧＨｚ２つの帯域において約１５ｄＢ及び１０ｄＢであり、ｗｉｆｉ６チップテストにおけるＥＶＢの要件を満たさず、また、実物の加工の誤差及び実際の電磁損耗により、実際のテスト特性がさらに悪くなり、これはｗｉｆｉ６チップのテスト特性に大きな影響を及ぼす。

【0005】

従って、上記問題を解決するために、新たな伝送線及び方法を提供する必要がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

以上の従来技術の欠陥に対して、本発明はインピーダンス整合が良好で、伝送指標が良好な共面導波伝送線及び共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法を提案する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記技術的課題を解決するために、第１態様によれば、本発明の実施例は共面導波伝送線を提供し、第１誘電体基板、ＲＦ信号を伝送するための中心導体ストリップ及び前記中心導体ストリップの対向する両側に間隔をあけて設置された２本の接地導体ストリップを含み、前記第１誘電体基板は対向して設置された第１表面及び第２表面を有し、前記中心導体ストリップ及び前記接地導体ストリップはいずれも前記第１表面に積層して固定され、前記中心導体ストリップは、外部ＳＭＡコネクターに接続するための第１セグメントと、前記第１セグメントの前記ＳＭＡコネクターから離れた端から延伸し外部チップに接続するための第２セグメントとを含み、前記第１セグメントの前記第２セグメントへの延伸方向に直交する方向の距離を幅とし、前記第１セグメントの幅は前記第２セグメントの幅よりも大きく、それにより前記第１セグメントと前記第２セグメントは階段構造になり、インピーダンス整合を実現し、前記第１表面には前記第２表面に向かって凹んで形成された矩形の凹溝が設けられ、前記中心導体ストリップの一部は前記凹溝の前記第２表面から離れた側に積層して固定され、それにより前記凹溝は欠陥接地構造に形成され、ＲＦ信号の予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現する。

【0008】

好ましくは、前記第１セグメントは前記凹溝の前記第２表面から離れた側に積層して固定される。

【0009】

好ましくは、前記凹溝の幅は前記第１セグメントの幅よりも大きい。

【0010】

好ましくは、前記第１セグメントから前記第２セグメントへの延伸方向の距離を長さとし、前記凹溝の長さが前記第１セグメントの長さと同じである。

【0011】

好ましくは、前記共面導波伝送線は、前記第２表面に積層して固定される金属接地層と、前記第１誘電体基板を貫通する複数の第１金属化貫通孔とをさらに含み、前記第１金属化貫通孔はそれぞれ前記接地導体ストリップ及び前記金属接地層に接続される。

【0012】

好ましくは、複数の前記第１金属化貫通孔は前記中心導体ストリップの対向する両側に間隔をあけて設置される。

【0013】

好ましくは、複数の前記第１金属化貫通孔は等ピッチで配列される。

【0014】

好ましくは、前記共面導波伝送線は、前記金属接地層の前記第１誘電体基板から離れた側に積層して設けられる前記第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板を貫通して前記金属接地層に接続される第２金属化貫通孔とをさらに含み、前記第２金属化貫通孔は前記ＳＭＡコネクターのパッドにおける接地ピンに電気的に接続することに用いられる。

【0015】

好ましくは、前記第２金属化貫通孔は２つあり、各前記第２金属化貫通孔は対応する１つの前記第１金属化貫通孔に正対して設置される。

【0016】

第２態様によれば、本発明の実施例は共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法を提供し、該方法は本発明の実施例に係る上記共面導波伝送線に基づき、前記共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法は、
前記第１表面に前記凹溝を設置し、前記凹溝と前記中心導体ストリップの相対位置を調整するステップＳ１と、
前記凹溝の幅及び長さを調整し、ＲＦ信号の前記予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現するステップＳ２とを含む。

【発明の効果】

【0017】

関連技術に比べて、本発明の共面導波伝送線及び共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法は、第１誘電体基板の第１表面に矩形の凹溝を設置し、且つ前記中心導体ストリップの一部を前記凹溝に積層して固定することにより、前記凹溝は欠陥接地構造に形成され、ＲＦ信号のｗｉｆｉ６帯域内のインピーダンス整合を実現する。具体的には、前記凹溝の幅及び長さを調整することにより、ＲＦ信号の前記予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現する。より好ましくは、第２誘電体基板及び第２金属化貫通孔を設置し、第２金属化貫通孔を外部のＳＭＡコネクターのパッドにおける接地ピンに電気的に接続することにより、ＥＶＢボードとＳＭＡコネクターとの接触度を効果的に向上させ、それによりＥＶＢボードのテスト特性、特にｗｉｆｉ６チップの５ＧＨｚ～６ＧＨｚ帯域の高周波部分のテストの伝送指標を向上させる。

【0018】

以下、図面を参照しつつ本発明を詳細に説明する。以下の図面を参照しつつ詳細に説明することにより、本発明の上記または他の態様の内容がより明確で理解しやすくなる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】関連技術の共面導波伝送線の構造模式図である。

【図2】図１のＡ部分の立体構造模式図である。

【図3】本発明の実施例に係る共面導波伝送線の構造模式図である。

【図4】図３のＢ部分の拡大模式図である。

【図5】図３のＢ部分の立体構造模式図である。

【図6】関連技術の共面導波伝送線の反射係数の振幅と周波数の関係曲線である。

【図7】本発明の共面導波伝送線の反射係数の振幅と周波数の関係曲線である。

【図8】本発明の実施例に係る共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、図面を参照して本発明の具体的な実施形態を詳細に説明する。

【0021】

本明細書に記載された具体的な実施形態／実施例は、本発明の構想を説明するための本発明の特定の具体的な実施形態であり、いずれも説明的かつ例示的であり、本発明の実施形態及び本発明の範囲を制限しないものと解釈すべきである。本明細書に記載された実施例以外、当業者であれば、本願の特許請求の範囲及び明細書に開示された内容に基づいて明らかな他の技術的解決手段を採用することができ、これらの技術的解決手段は本明細書に記載された実施例に対していかなる明らかな置換及び修正を行う技術的解決手段を採用することを含み、いずれも本発明の保護範囲内にある。

【0022】

本発明の実施例は共面導波伝送線１００を提供する。

【0023】

図３～５を同時に参照し、図３は本発明の実施例に係る共面導波伝送線の構造模式図であり、図４は図３のＢ部分の拡大模式図であり、図５は図３のＢ部分の立体構造模式図である。

【0024】

前記共面導波伝送線１００は、第１誘電体基板１、第２誘電体基板２、中心導体ストリップ３、接地導体ストリップ４、金属接地層５、第１金属化貫通孔６及び第２金属化貫通孔７を含む。

【0025】

前記第１誘電体基板１は対向して設置された第１表面１１及び第２表面（図示せず）を有する。

【0026】

前記第２誘電体基板２は前記第１誘電体基板１の第２表面側に積層して設けられる。具体的には、前記第２誘電体基板２は前記金属接地層５の前記第１誘電体基板１から離れた側に積層して設けられる。前記第２誘電体基板２の厚さが前記第１誘電体基板１の厚さよりも大きい。

【0027】

前記中心導体ストリップ３はＲＦ信号を伝送することに用いられる。前記中心導体ストリップ３は前記第１表面１１に積層して固定される。

【0028】

具体的には、前記中心導体ストリップ３は、外部ＳＭＡコネクターに接続するための第１セグメント３１と、前記第１セグメント３１の前記ＳＭＡコネクターから離れた端から延伸し外部チップに接続するための第２セグメント３２とを含む。

【0029】

前記接地導体ストリップ４は前記第１表面１１に積層して固定される。前記接地導体ストリップ４は２つあり、前記中心導体ストリップ３の対向する両側に間隔をあけて設置される。

【0030】

前記第１セグメント３１の前記第２セグメント３２への延伸方向に直交する方向の距離を幅とする。前記第１セグメント３１の幅がＷ１である。前記第２セグメント３２の幅がＷ２である。前記第１セグメント３１の幅Ｗ１が前記第２セグメント３２の幅Ｗ２よりも大きく、それにより前記第１セグメント３１と前記第２セグメント３２は階段構造になり、インピーダンス整合を実現する。

【0031】

ＲＦ信号のｗｉｆｉ６帯域内のインピーダンス整合をより良好に実現するために、前記共面導波伝送線１００は凹溝１０により実現される。具体的には、前記第１表面１１には前記第２表面に向かって凹んで形成された矩形の凹溝１０が設けられる。前記中心導体ストリップ３の一部は前記凹溝１０の前記第２表面から離れた側に積層して固定され、前記第１セグメント３１は前記凹溝１０の前記第２表面から離れた側に積層して固定される。それにより前記凹溝１０は欠陥接地構造に形成され、ＲＦ信号の予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現する。予め設定された帯域はｗｉｆｉ６帯域である。具体的には、ｗｉｆｉ６帯域は１ＧＨｚ～７ＧＨｚの範囲である。

【0032】

本実施形態では、前記凹溝１０の幅をＳ２とする。前記凹溝１０の幅Ｓ２は前記第１セグメント３１の幅Ｗ１よりも大きい。つまり、前記第１表面１１から前記第２表面への方向における前記第１セグメント３１の正投影は完全に前記凹溝１０内にある。より好ましくは、前記第１セグメント３１が前記凹溝１０の中央に位置する。

【0033】

前記第１セグメント３１から前記第２セグメント３２への延伸方向の距離を長さとする。前記凹溝１０の長さがＬ１である。前記凹溝１０の長さが前記第１セグメント３１の長さと同じである。もちろん、これに限定されず、前記凹溝１０の長さＬ１を調整することで、インピーダンス整合に有利である。

【0034】

前記金属接地層５は前記第２表面に積層して固定される。前記金属接地層５は接地することに用いられる。

【0035】

前記第１金属化貫通孔６は前記第１誘電体基板１を貫通する。前記第１金属化貫通孔６はそれぞれ前記接地導体ストリップ４及び前記金属接地層５に接続される。

【0036】

前記第１金属化貫通孔６は複数ある。本実施形態では、複数の前記第１金属化貫通孔６は前記中心導体ストリップ３の対向する両側に間隔をあけて設置される。該構造は前記中心導体ストリップ３がＲＦ信号を伝送して信号干渉を防止することに有利である。

【0037】

より好ましくは、複数の前記第１金属化貫通孔６は等ピッチで配列される。該構造により、前記接地導体ストリップ４及び前記金属接地層５の接地効果が良好になり、電圧差が防止され、それにより前記中心導体ストリップ３がＲＦ信号を伝送して信号干渉を防止することに有利である。

【0038】

前記第２金属化貫通孔７は前記ＳＭＡコネクターのパッドにおける接地ピンに電気的に接続することに用いられる。前記第２金属化貫通孔７は前記第２誘電体基板２を貫通して前記金属接地層５に接続される。

【0039】

具体的には、前記第２金属化貫通孔７は２つある。各前記第２金属化貫通孔７は対応する１つの前記第１金属化貫通孔６に正対して設置される。前記第２金属化貫通孔７は前記金属接地層５を通じて前記第１金属化貫通孔６に接続され、すなわち前記ＳＭＡコネクターのパッドにおける接地ピンは順に第２金属化貫通孔７、前記金属接地層５、前記第１金属化貫通孔６を通じて前記接地導体ストリップ４に接続され、該構造はＥＶＢボードとＳＭＡコネクターとの接触度を効果的に向上させ、それによりＥＶＢボードのテスト特性、特にｗｉｆｉ６チップの５ＧＨｚ～６ＧＨｚ帯域の高周波部分のテストの伝送指標を向上させる。

【0040】

共面導波伝送線１００のインピーダンス整合が良好で伝送指標が良好である特性を有することを検証するために、関連技術の共面導波伝送線と本発明の共面導波伝送線１００の反射係数の振幅と周波数の関係曲線を比較して、以下のとおりである。

【0041】

図１～２に示される関連技術の共面導波伝送線構造を参照し、誘電体基板Ａ１は、誘電率ε＝４．４で高さが６．６ｍｉｌであるＤ＿ＦＲ４誘電体材料を用い、前記第１セグメントＡ２１の幅は１３．７７ｍｉｌであり、前記第１セグメントＡ２１と接地導体ストリップＡ３との隙間Ｓ１＝１９ｍｉｌである。前記第１セグメントＡ２１はチップのパッドに接続される伝送線であり、従って、前記第１セグメントＡ２１は細い高インピーダンス線であり、５０オームから高インピーダンスのインピーダンス整合を実現するために、関連技術の共面導波伝送線の整合方法は階段構造を用いる。

【0042】

図６を参照し、図６は関連技術の共面導波伝送線の反射係数の振幅と周波数の関係曲線である。

【0043】

Ｂ１は、ＣＰＷによりシミュレートされた反射係数の振幅と周波数の関係曲線であり、
Ｂ２は、凹溝１０の長さＬ１＝１０４ｍｉｌ、凹溝１０の幅をＳ２＝３４ｍｉｌに変更した場合の反射係数の振幅と周波数の関係曲線であり、
Ｂ３は、凹溝１０の長さＬ１＝１０４ｍｉｌ、凹溝１０の幅をＳ２＝３８ｍｉｌに変更した場合の反射係数の振幅と周波数の関係曲線であり、
Ｂ４は、凹溝１０の長さＬ１＝１１４ｍｉｌ、凹溝１０の幅をＳ２＝３４ｍｉｌに変更した場合の反射係数の振幅と周波数の関係曲線である。

【0044】

Ｂ１～Ｂ４の曲線比較から分かるように、該反射係数の振幅と周波数の関係曲線は２．４ＧＨｚ～２．５ＧＨｚ及び５ＧＨｚ～６ＧＨｚ２つの帯域において反射係数Ｓ１１の値が約１５ｄＢ及び１０ｄＢであり、チップテストＥＶＢの要件を満たさず、実物の加工の誤差及び実際の電磁損耗により、実際のテスト特性がさらに悪くなり、これはチップのテスト特性に大きな影響を及ぼす。

【0045】

本発明の共面導波伝送線１００において、第１誘電体基板１の厚さｈ１＝６．６ｍｉｌであり、第２誘電体基板２の厚さｈ２＝４０．５ｍｉｌであり、第１セグメント３１と接地導体ストリップ４との隙間Ｓ１＝１９ｍｉｌであり、第２セグメント３２と接地導体ストリップ４との隙間Ｓ３＝２０ｍｉｌであり、第１セグメント３１の幅Ｗ１＝１３．７７ｍｉｌであり、凹溝１０の幅Ｓ２＝３４ｍｉｌであり、凹溝１０の長さＬ１＝１１４ｍｉｌであり、第２金属化貫通孔７は正方形であり、第２金属化貫通孔７の幅Ｌ２＝１６ｍｉｌである。

【0046】

図７を参照し、図７は本発明の共面導波伝送線の反射係数の振幅と周波数の関係曲線である。

【0047】

Ｃ１は、ＥＶＢボードによるテストデータの反射係数の振幅と周波数の関係曲線であり、
Ｃ２は、ＣＰＷによりシミュレートされた反射係数の振幅と周波数の関係曲線であり、
Ｃ３は、凹溝１０の長さＬ１＝１１４ｍｉｌ、凹溝１０の幅をＳ２＝３４ｍｉｌに変更し、第２金属化貫通孔７の構造を改定した場合のテストデータの反射係数の振幅と周波数の関係曲線であり、
Ｃ４は、凹溝１０の長さＬ１＝１１４ｍｉｌ、凹溝１０の幅をＳ２＝３４ｍｉｌに変更した場合の反射係数の振幅と周波数の関係曲線であり、
Ｃ５は、凹溝１０の長さＬ１＝１１４ｍｉｌ、凹溝１０の幅をＳ２＝３４ｍｉｌに変更した場合のテストデータの反射係数の振幅と周波数の関係曲線である。

【0048】

Ｃ１～Ｃ５の曲線比較により図４から分かるように、
凹溝１０の長さＬ１＝１０４ｍｉｌが変化しないように維持する場合には、凹溝１０の幅Ｓ２を変更すると、幅が大きいほど反射係数の振幅（すなわちＳ１１の値）が良好になる。凹溝１０の幅Ｓ２が変化しないように維持する場合には、凹溝１０の長さＬ１が短いほど特性が悪くなる。

【0049】

凹溝１０の大きさを合理的に調節することにより２．４ＧＨｚ及び５ＧＨｚ帯域のインピーダンス整合を実現することができ、Ｓ１１の値は基本的に－２５ｄＢ以下に維持され、ひいては約－３０ｄＢに達し、チップのＥＶＢテストの環境要件を完全に満たす。

【0050】

また、測定データから分かるように、第２金属化貫通孔７構造を設置すると、低周波部分での特性は基本的に変化しないが、高周波部分で特性は一定程度で向上し、特にｗｉｆｉ６チップの５ＧＨｚ～６ＧＨｚ帯域のテスト効果が著しく、共面導波伝送線１００の伝送特性が良好である。

【0051】

本発明は共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法をさらに提供する。

【0052】

前記共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法は前記共面導波伝送線１００に基づくものである。

【0053】

図８を参照し、図８は本発明の実施例に係る共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法のフローチャートである。前記共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法は、
前記第１表面１１に前記凹溝１０を設置し、前記凹溝１０と前記中心導体ストリップ３の相対位置を調整するステップＳ１と、
前記凹溝１０の幅及び長さを調整し、ＲＦ信号の前記予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現するステップＳ２とを含む。

【0054】

関連技術に比べて、本発明の共面導波伝送線及び共面導波伝送線のインピーダンス整合の設計方法は、第１誘電体基板の第１表面に矩形の凹溝を設置し、前記中心導体ストリップの一部を前記凹溝に積層して固定することにより、前記凹溝は欠陥接地構造に形成され、ＲＦ信号の予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現する。具体的には、前記凹溝の幅及び長さを調整することにより、ＲＦ信号の前記予め設定された帯域内のインピーダンス整合を実現する。より好ましくは、第２誘電体基板及び第２金属化貫通孔を設置し、第２金属化貫通孔を外部のＳＭＡコネクターのパッドにおける接地ピンに電気的に接続することにより、ＥＶＢボードとＳＭＡコネクターとの接触度を効果的に向上させ、それによりＥＶＢボードのテスト特性、特にｗｉｆｉ６チップの５ＧＨｚ～６ＧＨｚ帯域の高周波部分のテストの伝送指標を向上させる。

【0055】

なお、以上、図面を参照して説明される各実施例は本発明の範囲を単に説明するために用いられ、本発明の範囲を限定するものではなく、当業者が理解できるように、本発明の趣旨及び範囲を逸脱せずに本発明に対して行われた変更や同等置換はすべて本発明の範囲に含まれるべきである。また、文脈が別段の指示をしない限り、単数形で出現する単語は複数形を含み、逆も同様である。また、特に断らない限り、いずれかの実施例の全部又は一部はいずれかの他の実施例の全部又は一部と組み合わせて使用することができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】