特許 7580364 半導体装置および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-31

(45)【発行日】2024-11-11

(54)【発明の名称】半導体装置および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20241101BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20241101BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 A

H01L23/12 F

H01L21/52 C

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2021187610

(22)【出願日】2021-11-18

(65)【公開番号】P2023074611

(43)【公開日】2023-05-30

【審査請求日】2023-11-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000006013

【氏名又は名称】三菱電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】倉永 誠也

(72)【発明者】

【氏名】森下 幸紘

【審査官】豊島 洋介

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－０６０２１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１１９５６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／２２０８１９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－０６６０７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】実開昭５６－０８４３５６（ＪＰ，Ｕ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ２１／５２

Ｈ０１Ｌ２１／５８

Ｈ０１Ｌ２３／１２－２３／１５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、前記絶縁層の表面に設けられた回路パターンとを有する絶縁基板と、
前記回路パターンの表面の搭載部にはんだを介して接合された半導体素子と、を備え、
前記搭載部の外周縁の一辺に沿う領域のみに溝部が直線状に設けられた、半導体装置。

【請求項2】

絶縁層と、前記絶縁層の表面に設けられた回路パターンとを有する絶縁基板と、
前記回路パターンの表面の搭載部にはんだを介して接合された半導体素子と、を備え、
前記搭載部の四隅の１つとその周囲の領域のみに溝部が半球状に設けられた、半導体装置。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
（ａ）前記回路パターンの表面に前記溝部を設けた前記絶縁基板を準備する工程と、
（ｂ）前記搭載部に硬化前のはんだを配置する工程と、
（ｃ）前記硬化前のはんだの上に前記半導体素子を配置する工程と、
（ｄ）前記硬化前のはんだを加熱して溶融させた後、溶融したはんだを冷却して硬化させることで前記半導体素子を前記搭載部に接合する工程と、を備え、
前記工程（ｄ）において、前記溝部は、前記溶融したはんだが硬化する際にその一部が噴き出す箇所の周辺領域に設けられた、半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体素子を備える半導体装置では、樹脂またはセラミック等で構成された絶縁層の上面に回路パターンが形成された絶縁基板と金属等で構成されたベース板との接合、および回路パターンと半導体素子との接合に対して、はんだが用いられることが一般的である。

【0003】

回路パターンに配置された硬化前のはんだの上に半導体素子が配置され、硬化前のはんだを加熱して溶融させた後、溶融したはんだを冷却して硬化させることで回路パターンと半導体素子とを接合する。溶融したはんだが硬化する際にその一部が半導体素子の下側から噴き出した場合、半導体装置内の部材である、電気配線および半導体素子の表面にはんだが付着し課題となっていた。

【0004】

電気配線および半導体素子の表面にはんだが付着することを抑制するために、例えば、特許文献１，２には、半導体素子の下側から噴き出したはんだを溜めるための溝部を設けた構造が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００４－１１９５６８号公報

【文献】特開２００７－６０２２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、特許文献１，２に記載の構造では、溝部は半導体素子の周囲を囲むように全周に渡って設けられているため、回路パターンの加工費が高価になる。

【0007】

さらに、溝部が半導体素子の全周に渡って設けられている場合、溶融したはんだが凝固する際の最終凝固点が不明である。はんだの収縮による大きな応力が半導体素子の外縁部に発生した場合、はんだが溝部を超えて噴き出す可能性があるため、溝部の全周に渡って品質保証のための外観検査が必要となり検査費用が増加する。以上より、半導体装置の製造コストが増加するという問題があった。

【0008】

そこで、本開示は、半導体素子の下側から噴き出したはんだが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制し、かつ、半導体装置の製造コストが増加することを抑制可能な技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示に係る半導体装置は、絶縁層と、前記絶縁層の表面に設けられた回路パターンとを有する絶縁基板と、前記回路パターンの表面の搭載部にはんだを介して接合された半導体素子とを備え、前記搭載部の外周縁の一辺に沿う領域のみに溝部が直線状に設けられたものである。

【発明の効果】

【0010】

本開示によれば、半導体素子の下側から噴き出したはんだが溝部に流れ込むことで、はんだが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制できる。さらに、溝部を搭載部の全周に渡って設けた場合よりも、回路パターンの加工費を抑えることができると共に、溝部に限定して外観検査を行うことで、外観検査時間を短縮することができ、外観検査のための費用を抑えることができる。以上より、半導体装置の製造コストが増加することを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】実施の形態１に係る半導体装置の一部を取り出した部分断面図である。

【図2】実施の形態１に係る半導体装置が備える絶縁基板の上面図である。

【図3】実施の形態２に係る半導体装置の一部を取り出した部分断面図である。

【図4】実施の形態２に係る半導体装置が備える絶縁基板の上面図である。

【図5】実施の形態３に係る半導体装置の一部を取り出した部分断面図である。

【図6】実施の形態３に係る半導体装置が備える絶縁基板の上面図である。

【図7】実施の形態４に係る半導体装置の一部を取り出した部分断面図である。

【図8】実施の形態４に係る半導体装置が備える絶縁基板の上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜実施の形態１＞
＜半導体装置の構成＞
実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置の一部を取り出した部分断面図である。図２は、実施の形態１に係る半導体装置が備える絶縁基板４の上面図である。

【0013】

図１に示すように、半導体装置は、ベース板１と、絶縁基板４と、半導体素子６とを備える。ベース板１の材質は特に限定されないが、ベース板１は、銅または銅合金を主たる材料として構成されることが多い。また、ベース板１は、アルミニウムおよびアルミニウム合金などの金属材料、またはＡｌＳｉＣおよびＭｇＳｉＣなどの複合材料を主たる材料として構成されていてもよいし、これらの表面にニッケルおよび銅などのメッキが施されていてもよい。

【0014】

図１と図２に示すように、絶縁基板４は、ベース板１の上面にはんだ５ｂを介して接合される。絶縁基板４は、表面と裏面とを有する絶縁層２と、表面回路パターン３ａと、裏面回路パターン３ｂとを備える。絶縁層２、表面回路パターン３ａ、および裏面回路パターン３ｂは上面視で矩形状に形成される。

【0015】

絶縁層２の材質は特に限定されないが、絶縁層２は、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）などの無機セラミック材料を主たる材料として構成されていてもよいし、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ＰＰＳ（Polyphenylenesulfide）樹脂などの樹脂材料を主たる材料として構成されていてもよい。

【0016】

表面回路パターン３ａは、絶縁層２の表面に設けられる。裏面回路パターン３ｂは絶縁層２の裏面に設けられる。

【0017】

表面回路パターン３ａと裏面回路パターン３ｂの材質は特に限定されないが、表面回路パターン３ａと裏面回路パターン３ｂは、銅または銅合金を主たる材料として構成されることが多い。また、表面回路パターン３ａと裏面回路パターン３ｂは、アルミニウムおよびアルミニウム合金などの金属材料を主たる材料として構成されていてもよいし、これらの表面にニッケルおよび銅などのメッキが施されていてもよい。

【0018】

表面回路パターン３ａと裏面回路パターン３ｂは同じ材料を主たる材料として構成されていてもよいし、異なる材料を主たる材料として構成されていてもよい。また、裏面回路パターン３ｂは、ベース板１を兼ねていてもよい。その場合、ベース板１を兼ねた裏面回路パターン３ｂの上に絶縁層２が設けられ、その上に表面回路パターン３ａが設けられた構造となる。ここで、表面回路パターン３ａが、絶縁層２の表面に設けられた回路パターンに相当する。

【0019】

半導体素子６は、表面回路パターン３ａの表面の搭載部７にはんだ５ａを介して接合される。搭載部７は、表面回路パターン３ａの表面において、半導体素子６が接合される接合領域である。半導体素子６は、ケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、または窒化ガリウム（ＧａＮ）などを主たる材料として構成される。また、半導体素子６は、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＦｗＤｉ(Free Wheeling Diode)、または逆導通ＩＧＢＴ（ＲＣ-ＩＧＢＴ：Reverse Conducting IGBT）などの電力半導体素子である。

【0020】

はんだ５ａ，５ｂの材質は特に限定されないが、はんだ５ａ，５ｂはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金およびＳｎ－Ｓｂ合金などのはんだ合金を主たる材料として構成されていてもよい。また、はんだ５ａ，５ｂは、フラックスを含有していてもよいし、含有していなくてもよい。はんだ５ａ，５ｂの接合前の形態も特に限定されないが、板状（固体）であってもよいし、ペースト状であってもよい。はんだ５ａ，５ｂの厚みは、後述の溝部８以外の箇所で１００μｍ以上１５０μｍ以下程度が好ましい。

【0021】

図示しないが、半導体素子６と絶縁基板４の側面を囲むように、ベース板１の周囲上にはＰＰＳ樹脂などの熱可塑性を有する樹脂を主たる材料として構成されたケースが設けられ、その内側は、シリコンゲル材またはエポキシ樹脂により封止される。また、半導体素子６は１つに限定されることなく、複数の半導体素子６が搭載されていてもよい。その場合、複数の半導体素子６は金属ワイヤにより内部配線され電気的に接続される。

【0022】

表面回路パターン３ａの表面には、半導体素子６が搭載される箇所である搭載部７が設けられる。図示しないが、半導体素子６と搭載部７の上面視形状は共に矩形状であり、搭載部７の上面視輪郭は、半導体素子６の上面視輪郭よりも大きい。

【0023】

表面回路パターン３ａの表面における搭載部７の一部を含む領域には、溝部８が設けられる。溝部８は、搭載部７の外周縁の一辺を含む領域に直線状に設けられる。溝部８は、溶融したはんだ５ａが凝固する際に噴き出したはんだ５ａを溜める機能と、はんだ５ａの噴き出し箇所を溝部８の周辺領域に誘導する機能とを有する。後者の機能について簡単に説明すると、溝部８に満たされたはんだ５ａにより溝部８の熱容量が大きくなることで、はんだ５ａの最終凝固点が溝部８となる。これにより、はんだ５ａの噴き出し箇所を溝部８の周辺領域に誘導することができる。

【0024】

従来、はんだ５ａの噴き出し箇所が特定できず、搭載部７の全周に渡って外観検査を行う必要があったが、はんだ５ａの噴き出し箇所を溝部８の周辺領域に誘導することができるため、溝部８に限定して外観検査を行えばよい。これにより、外観検査時間を短縮することができ、外観検査のための費用を抑えることができる。

【0025】

溝部８の断面形状は曲面形状が好ましいが、Ｖ字状または凹状であっても問題はない。溝部８の深さは、表面回路パターン３ａの厚みよりも浅く、はんだ５ａの厚みが局所的に大きくなることを避けるため、２０μｍ以上３０μｍ以下程度で浅く形成することが好ましい。溝部８の幅は、５００μｍ以上１ｍｍ以下で形成することが好ましい。

【0026】

溝部８の形成方法は特に限定されないが、切削加工であってもよいし、金型プレス加工であってもよい。またはレーザー照射であってもよい。

【0027】

また、溝部８の形成箇所は、搭載部７の外周縁の一辺を含む領域であれば特に限定されないが、絶縁基板４と半導体素子６の組み合わせ、サイズ、およびはんだ５ａが溶融する際の温度プロファイル等の条件に応じて、はんだ５ａが噴き出す箇所が予測できる場合、その周辺領域に溝部８を形成することが好ましい。

【0028】

＜作用効果＞
実施の形態１に係る半導体装置の作用効果を説明するために、半導体装置の製造方法について簡単に説明する。

【0029】

先ず、表面回路パターン３ａの表面に溝部８を設けた絶縁基板４を準備する。上記のように、溝部８は、切削加工、金型プレス加工、またはレーザー照射により形成される。次に、搭載部７に硬化前のはんだ５ａを配置した後、硬化前のはんだ５ａの上に半導体素子６を配置する。

【0030】

次に、硬化前のはんだ５ａを加熱して溶融させた後、溶融したはんだ５ａを冷却して硬化させることで半導体素子６を搭載部７に接合する。このとき、溶融したはんだ５ａの一部は吹き出そうとするが、搭載部７の一部を含む領域に溝部８が設けられているため、溶融したはんだ５ａの一部は溝部８に流れ込み、この状態で硬化する。

【0031】

以上のように、実施の形態１に係る半導体装置は、絶縁層２と、絶縁層２の表面に設けられた表面回路パターン３ａとを有する絶縁基板４と、表面回路パターン３ａの表面の搭載部７にはんだ５ａを介して接合された半導体素子６とを備え、搭載部７の一部を含む領域に溝部８が設けられている。

【0032】

具体的には、溝部８は、搭載部７の外周縁の一辺を含む領域に直線状に設けられている。溝部８は、搭載部７の一部を含む領域である、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａが溝部８に流れ込むことで、はんだ５ａが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制できる。また、溝部８を搭載部７の全周に渡って設けた場合よりも、表面回路パターン３ａの加工費を抑えることができる。さらに、上記のように、はんだ５ａの噴き出し箇所を溝部８の周辺領域に誘導することができるため、溝部８に限定して外観検査を行うことで、外観検査時間を短縮することができ、外観検査のための費用を抑えることができる。以上より、半導体装置の製造コストが増加することを抑制できる。

【0033】

また、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法は、表面回路パターン３ａの表面に溝部８を設けた絶縁基板４を準備する工程（ａ）と、搭載部７に硬化前のはんだ５ａを配置する工程（ｂ）と、硬化前のはんだ５ａの上に半導体素子６を配置する工程（ｃ）と、硬化前のはんだ５ａを加熱して溶融させた後、溶融したはんだ５ａを冷却して硬化させることで半導体素子６を搭載部７に接合する工程（ｄ）とを備え、工程（ｄ）において、溝部８は、溶融したはんだ５ａが硬化する際にその一部が噴き出す箇所の周辺領域に設けられている。

【0034】

したがって、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａが溝部８に流れ込みやすくなるため、はんだ５ａが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制する効果をさらに向上させることができる。

【0035】

＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体装置について説明する。図３は、実施の形態２に係る半導体装置の一部を取り出した部分断面図である。図４は、実施の形態２に係る半導体装置が備える絶縁基板４の上面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

【0036】

図３と図４に示すように、実施の形態２では、溝部８は、搭載部７の中央部に半球状に設けられている。

【0037】

溝部８の深さは、表面回路パターン３ａの厚みよりも浅く、はんだ５ａの厚みが局所的に大きくなることを避けるため、２０μｍ以上３０μｍ以下程度で浅く形成することが好ましい。溝部８の直径は、４ｍｍ以上６ｍｍ以下で形成することが好ましいが、半導体素子６のサイズおよびはんだ５ａの量を考慮して、それよりも小さくしても大きくしてもよい。

【0038】

溝部８の形成方法は特に限定されないが、切削加工であってもよいし、金型プレス加工であってもよい。またはレーザー照射であってもよい。

【0039】

以上のように、実施の形態２に係る半導体装置では、溝部８は、搭載部７の中央部に半球状に設けられている。したがって、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａが溝部８に流れ込むことで、はんだ５ａが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制できる。さらに、溝部８を搭載部７の全周に渡って設けた場合よりも、表面回路パターン３ａの加工費を抑えることができると共に、外観検査のための費用を抑えることができる。以上より、半導体装置の製造コストが増加することを抑制できる。

【0040】

また、溝部８を半球状とすることで、実施の形態１の場合よりも、溶融したはんだ５ａが溝部８に流れ込みやすくなり、はんだ５ａの濡れ性が向上する。これにより、はんだ５ａ内にボイドが発生することを抑制できる。

【0041】

＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体装置について説明する。図５は、実施の形態３に係る半導体装置の一部を取り出した部分断面図である。図６は、実施の形態３に係る半導体装置が備える絶縁基板４の上面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

【0042】

図５と図６に示すように、実施の形態３では、溝部８は、搭載部７の四隅のいずれかを含む領域に半球状に設けられている。具体的には、溝部８は、搭載部７の四隅のいずれかの頂点が溝部８の中心に位置するように形成される。

【0043】

溝部８の深さは、表面回路パターン３ａの厚みよりも浅く、はんだ５ａの厚みが局所的に大きくなることを避けるため、２０μｍ以上３０μｍ以下程度で浅く形成することが好ましい。溝部８の直径は、他の部材のことも考慮して５００μｍ以上１ｍｍ以下で形成することが好ましい。

【0044】

また、溝部８の形成箇所は、搭載部７の四隅のいずれかを含む領域であれば特に限定されないが、絶縁基板４と半導体素子６の組み合わせ、サイズ、およびはんだ５ａが溶融する際の温度プロファイル等の条件に応じて、はんだ５ａが噴き出す箇所が予測できる場合、その周辺領域に溝部８を形成することが好ましい。

【0045】

溝部８の形成方法は特に限定されないが、切削加工であってもよいし、金型プレス加工であってもよい。またはレーザー照射であってもよい。

【0046】

以上のように、実施の形態３に係る半導体装置では、溝部８は、搭載部７の四隅のいずれかを含む領域に半球状に設けられている。したがって、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａが溝部８に流れ込むことで、はんだ５ａが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制できる。さらに、溝部８を搭載部７の全周に渡って設けた場合よりも、表面回路パターン３ａの加工費を抑えることができると共に、溝部８に限定して外観検査を行うことで、外観検査時間を短縮することができ、外観検査のための費用を抑えることができる。以上より、半導体装置の製造コストが増加することを抑制できる。

【0047】

また、溝部８は、溶融したはんだ５ａが硬化する際にその一部が噴き出す箇所の周辺領域に設けられている。したがって、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａが溝部８に流れ込みやすくなるため、はんだ５ａが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制する効果をさらに向上させることができる。

【0048】

また、搭載部７の四隅のいずれかの熱容量を大きくすることで、実施の形態１のように溝部８が直線状に形成された場合と比較して、搭載部７の四隅のいずれかに大きな熱応力が発生するため、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａを溝部８に誘導しやすくなる。

【0049】

また、実施の形態２のように溝部８が搭載部７の中央部に形成された場合と比較して、溝部８は搭載部７の外周側まで形成されているため、半導体素子６の実装時に発生するガスおよび溝部８において濡れ不足により発生するボイドを緩和することができる。

【0050】

また、溝部８が搭載部７の四隅全てに形成される場合と比較しても、溝部８の形成に要するコストも削減することができる。

【0051】

＜実施の形態４＞
次に、実施の形態４に係る半導体装置について説明する。図７は、実施の形態４に係る半導体装置の一部を取り出した部分断面図である。図８は、実施の形態４に係る半導体装置が備える絶縁基板４の上面図である。なお、実施の形態４において、実施の形態１～３で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

【0052】

図７と図８に示すように、実施の形態４では、溝部８は、搭載部７の四隅のいずれかよりも内周側に半球状に設けられている。具体的には、溝部８は、搭載部７の中央部よりも四隅のいずれかの近くに設けられる。

【0053】

溝部８の深さは、表面回路パターン３ａの厚みよりも浅く、はんだ５ａの厚みが局所的に大きくなることを避けるため、２０μｍ以上３０μｍ以下程度で浅く形成することが好ましい。溝部８の直径は４ｍｍ以上６ｍｍ以下で形成することが好ましいが、半導体素子６のサイズおよびはんだ５ａの量を考慮して、それよりも小さくしても大きくしてもよい。

【0054】

また、溝部８の形成箇所は、搭載部７の四隅のいずれかよりも内周側であれば特に限定されないが、絶縁基板４と半導体素子６の組み合わせ、サイズ、およびはんだ５ａが溶融する際の温度プロファイル等の条件に応じて、はんだ５ａが噴き出す箇所が予測できる場合、その周辺領域に溝部８を形成することが好ましい。

【0055】

以上のように、実施の形態４に係る半導体装置では、溝部８は、搭載部７の四隅のいずれかよりも内周側に半球状に設けられている。したがって、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａが溝部８に流れ込むことで、はんだ５ａが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制できる。さらに、溝部８を搭載部７の全周に渡って設けた場合よりも、表面回路パターン３ａの加工費を抑えることができると共に、外観検査のための費用を抑えることができる。以上より、半導体装置の製造コストが増加することを抑制できる。

【0056】

また、溝部８は、溶融したはんだ５ａが硬化する際にその一部が噴き出す箇所の周辺領域に設けられている。したがって、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａが溝部８に流れ込みやすくなるため、はんだ５ａが半導体装置内の他の部材に付着することを抑制する効果をさらに向上させることができる。

【0057】

また、実施の形態３と比較して、半導体素子６の直下に近い箇所に溝部８が形成されるため、熱膨張と収縮のコントロールに優れている。さらに、溝部８は搭載部７の外部からはみ出さないため、表面回路パターン３ａから搭載部７と溝部８とを除いた領域を小さくすることができる。これにより、半導体装置の小型化に対応可能である。

【0058】

また、搭載部７の四隅のいずれかの熱容量を大きくすることで、実施の形態１のように溝部８が直線状に形成された場合と比較して、搭載部７の四隅のいずれかにおいて大きな熱応力が発生するため、半導体素子６の下側から噴き出したはんだ５ａを溝部８に誘導しやすくなる。

【0059】

また、溝部８が搭載部７の四隅全てに形成される場合と比較しても、溝部８の形成に要するコストも削減することができる。

【0060】

なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

【符号の説明】

【0061】

２ 絶縁層、３ａ 表面回路パターン、４ 絶縁基板、６ 半導体素子、７ 搭載部、８ 溝部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】