特許 7580456 高周波回路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-31

(45)【発行日】2024-11-11

(54)【発明の名称】高周波回路

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20241101BHJP

   H05K 9/00 20060101ALI20241101BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 J

H05K1/02 C

H05K1/02 N

H05K1/02 P

H05K9/00 R

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2022521914

(86)(22)【出願日】2021-05-10

(86)【国際出願番号】 JP2021017770

(87)【国際公開番号】W WO2021230216

(87)【国際公開日】2021-11-18

【審査請求日】2023-11-21

(31)【優先権主張番号】P 2020084546

(32)【優先日】2020-05-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】500400216

【氏名又は名称】住友電工プリントサーキット株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100100147

【弁理士】

【氏名又は名称】山野 宏

(74)【代理人】

【識別番号】100116366

【弁理士】

【氏名又は名称】二島 英明

(72)【発明者】

【氏名】新田 耕司

(72)【発明者】

【氏名】上宮 崇文

(72)【発明者】

【氏名】山岸 傑

(72)【発明者】

【氏名】島田 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】上田 宏

(72)【発明者】

【氏名】木谷 聡志

【審査官】関 信之

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０２９６０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－２００９８２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１誘電体層と、
前記第１誘電体層上に設けられており、高周波信号の伝送路と前記伝送路の周囲に配置されたグランドパターンとを備える回路層と、
前記第１誘電体層との間に前記回路層が位置するように設けられた第２誘電体層と、
前記伝送路の周囲において、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層に設けられた電磁波シールドと、
を備え、
前記電磁波シールドは、
前記グランドパターンを貫通することなく前記第１誘電体層を貫通するよう形成された１以上の第１孔の内面に形成された第１グランド導電体と、
前記グランドパターンを貫通することなく前記第２誘電体層を貫通するよう形成された１以上の第２孔の内面に形成された第２グランド導電体と、を備え、
前記第１グランド導電体及び前記第２グランド導電体それぞれは、前記グランドパターンに電気的に接続されており、
前記第１孔及び前記第２孔は、平面視において、異なる位置に設けられている
高周波回路。

【請求項2】

前記１以上の第１孔は、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい１以上の第１長孔を含む
請求項１に記載の高周波回路。

【請求項3】

前記１以上の第２孔は、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい１以上の第２長孔を含む
請求項１又は請求項２に記載の高周波回路。

【請求項4】

前記１以上の第１孔は、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい１以上の第１長孔を含み、
前記１以上の第２孔は、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい１以上の第２長孔を含み、
前記第１長孔及び第２長孔それぞれは、
前記伝送路の幅方向一方側において前記伝送路の長手方向に沿って延びた第１孔部と、
前記伝送路の幅方向他方側において前記伝送路の長手方向に沿って延びた第２孔部と、
前記第１孔部と前記第２孔部とを接続する第３孔部と、を備える
請求項１に記載の高周波回路。

【請求項5】

前記第１孔及び前記第２孔それぞれは、前記回路層から離れるほど開口が大きくなる形状を有する
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の高周波回路。

【請求項6】

前記回路層との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられた第１導電体層と、
前記回路層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられた第２導電体層と、を更に備え、
前記第１孔は、前記第１導電体層を貫通するよう形成され、
前記第２孔は、前記第２導電体層を貫通するよう形成されている
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の高周波回路。

【請求項7】

前記第１導電体層は、前記第１グランド導電体に電気的に接続され、
前記第２導電体層は、前記第２グランド導電体に電気的に接続されている
請求項６に記載の高周波回路。

【請求項8】

前記第１導電体層及び前記第２導電体層の少なくとも一方の表面に貼付されたカバーフィルムを更に備える
請求項６又は請求項７に記載の高周波回路。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、高周波回路に関する。
本出願は、２０２０年０５月１３日付の日本国出願の特願２０２０－０８４５４６に基づく優先権を主張し、前記日本国出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、誘電体基板の表面グランド及び裏面グランドに電気的に接続された多数のシールドビアを備えた構造を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平８－２７４５１３号公報

【発明の概要】

【0004】

本開示のある側面は、高周波回路である。本開示の高周波回路は、第１誘電体層と、前記第１誘電体層上に設けられており、高周波信号の伝送路と前記伝送路の周囲に配置されたグランドパターンとを備える回路層と、前記第１誘電体層との間に前記回路層が位置するように設けられた第２誘電体層と、前記伝送路の周囲において、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層に設けられた電磁波シールドと、を備え、前記電磁波シールドは、前記グランドパターンを貫通することなく前記第１誘電体層を貫通するよう形成された１以上の第１孔の内面に形成された第１グランド導電体と、前記グランドパターンを貫通することなく前記第２誘電体層を貫通するよう形成された１以上の第２孔の内面に形成された第２グランド導電体と、を備え、前記第１グランド導電体及び前記第２グランド導電体それぞれは、前記グランドパターンに電気的に接続されている。

【図面の簡単な説明】

【0005】

【図1】図１は、実施形態に係る高周波回路の平面図である。

【図2】図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。

【図3】図３は、第１導電体層、回路層、及び第２導電体層の分解斜視図である。

【図4】図４は、実施形態に係る高周波回路の製造工程の前半を示す図である。

【図5】図５は、実施形態に係る高周波回路の製造工程の後半を示す図である。

【図6】図６は、めっき欠損部を発見するためのめっき仕上がり検査の説明図である。

【図7】図７は、比較例に係る高周波回路の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0006】

［本開示が解決しようとする課題］
シールドビアは、誘電体基板の厚さ方向に貫通する平面視円形のスルーホールを誘電体基板に多数形成し、スルーホール内に銅などの導電体を設けることによって形成される。シールドビアは、誘電体基板における電磁波の漏洩を防止する電磁波シールドとして用いられる。

【0007】

図７は、信号伝送路１０１を有する高周波回路１００において、信号伝送路１０１を囲むように多数のシールドビア１０２が形成された構造の例を示している。高周波の信号伝送路１０１からは、不要な電磁波が放射される。電磁波は、周辺の回路にとってノイズとなり、周辺の回路の特性を劣化させる。

【0008】

信号伝送路１０１の周辺に多数のシールドビア１０２が設けられていると、多数のシールドビア１０２が、電磁波シールドとして機能する。この電磁波シールドによって信号伝送路１０１から漏洩する電磁波を遮蔽することができる。

【0009】

シールドビア１０２を形成するには、高周波回路１００に孔を形成する必要がある。孔が、高周波回路１００を貫通していると、シールドビア１０２が存在する範囲の強度が低下する。この結果、孔の面積を大きくすると、シールドビア１０２によって囲まれた領域、即ち信号伝送路１０１が存在する領域と、シールドビア１０２の外側の領域と、が分離し易くなるおそれがある。

【0010】

したがって、電磁波の漏洩を防止しつつも、孔の形成による回路の強度低下を抑制することが望まれる。

【0011】

［本開示の効果］
本開示によれば、電磁波の漏洩を防止しつつも、孔の形成による回路の強度低下を抑制する。

【0012】

［１．本開示の実施形態の説明］

【0013】

（１）実施形態に係る高周波回路は、第１誘電体層と、前記第１誘電体層上に設けられており、高周波信号の伝送路と前記伝送路の周囲に配置されたグランドパターンとを備える回路層と、前記第１誘電体層との間に前記回路層が位置するように設けられた第２誘電体層と、前記伝送路の周囲において、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層に設けられた電磁波シールドと、を備える。高周波回路が電磁波シールドを備えることで、伝送路の両側に存在する第１誘電体層及び第２誘電体層を伝わる電磁波の漏洩を防止できる。前記電磁波シールドは、前記グランドパターンを貫通することなく前記第１誘電体層を貫通するよう形成された１以上の第１孔の内面に形成された第１グランド導電体と、前記グランドパターンを貫通することなく前記第２誘電体層を貫通するよう形成された１以上の第２孔の内面に形成された第２グランド導電体と、を備え、前記第１グランド導電体及び前記第２グランド導電体それぞれは、前記グランドパターンに電気的に接続されている。第１誘電体層及び第２誘電体層を貫通する第１孔及び第２孔が、伝送路の周囲にあるグランドパターンを貫通していないことで、高周波回路の強度低下を抑えることができる。したがって、実施形態に係る電磁波シールドによれば、電磁波の漏洩を防止しつつも、孔の形成による高周波回路の強度低下を抑制することができる。

【0014】

（２）前記１以上の第１孔は、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい１以上の第１長孔を含むことができる。長孔は面積が大きくなりやすいため、高周波回路の強度低下を招きやすい。しかし、第１孔は、グランドパターンを貫通していないため、高周波回路の強度低下を効果的に抑えることができる。

【0015】

（３）前記１以上の第２孔は、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい１以上の第２長孔を含むことができる。長孔は面積が大きくなりやすいため、高周波回路の強度低下を招きやすい。しかし、第２孔は、グランドパターンを貫通していないため、高周波回路の強度低下を効果的に抑えることができる。

【0016】

（４）前記１以上の第１孔は、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい１以上の第１長孔を含み、前記１以上の第２孔は、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい１以上の第２長孔を含むことができる。前記第１長孔及び第２長孔それぞれは、前記伝送路の幅方向一方側において前記伝送路の長手方向に沿って延びた第１孔部と、前記伝送路の幅方向他方側において前記伝送路の長手方向に沿って延びた第２孔部と、前記第１孔部と前記第２孔部とを接続する第３孔部と、を備えることができる。この場合、より少ない数の長孔で、伝送路を囲むことができる。

【0017】

（５）前記第１孔及び前記第２孔それぞれは、前記回路層から離れるほど開口が大きくなる形状を有することができる。この場合、第１孔内部及び第２孔内部に形成されるグランド導電体の仕上がり検査にとって好適な形状が得られる。つまり、仕上がり検査の際には、高周波回路の表裏それぞれから、上記の孔内部を、観察することができる。

【0018】

（６）前記回路層との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられた第１導電体層と、前記回路層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられた第２導電体層と、を更に備え、前記第１孔は、前記第１導電体層を貫通するよう形成され、前記第２孔は、前記第２導電体層を貫通するよう形成されているのが好ましい。この場合、伝送路から放射された電磁波が、第１誘電体層を通って回路厚さ方向に放射されることが、第１導電体層によって防止される。また、伝送路から放射された電磁波が、第２誘電体層を通って回路厚さ方向に放射されることが、第２導電体層によって防止される。

【0019】

（７）前記第１導電体層は、前記第１グランド導電体に電気的に接続され、前記第２導電体層は、前記第２グランド導電体に電気的に接続されているのが好ましい。この場合、第１導電体層及び第２導電体層をグランド電位にすることが容易である。

【0020】

（８）前記第１導電体層及び前記第２導電体層の少なくとも一方の表面に貼付されたカバーフィルムを更に備えるのが好ましい。この場合、第１孔及び第２孔が長孔であっても、これら長孔が形成された高周波回路の強度をカバーフィルムによって確保できる。

【0021】

［２．本開示の実施形態の詳細］

【0022】

以下、図面において同一符号は同一名称物を意味する。
図１から図６は、実施形態に係る高周波回路１０を示している。実施形態に係る高周波回路１０は、高周波信号伝送に用いられるフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）として構成されている。ＦＰＣは、薄く柔らかい絶縁体ベースフィルムに銅箔などの導体が貼り付けられた構造を持つ。なお、高周波回路１０は、ＦＰＣに限られず、リジット基板に形成された回路であってもよい。

【0023】

図２に示すように、実施形態に係る高周波回路１０は、第１誘電体層１１と回路層２１と第２誘電体層１２と電磁波シールド５０とを備える。更に、この高周波回路１０は、第１導電体層３１と第２導電体層３２とを備える。実施形態に係る高周波回路１０は、３層の導電体層を有する多層構造を持つ。なお、導電体層の数は、特に限定されず、２層、４層、５層、又はそれ以上であってもよい。図２において、３層の導電体層のうち中間に配置されている導電体層は、高周波の伝送路２１Ａを有する回路層２１である。回路層２１の厚さ方向の一方側である図２の下側には３層の導電体層のうちの一つである第１導電体層３１が配置されている。回路層２１の厚さ方向の他方側である図２の上側には３層の導電体層のうちの残り一つである第２導電体層３２が配置されている。

【0024】

図３に示すように、回路層２１は、伝送路２１Ａと、伝送路２１Ａの周囲に位置するグランドパターン２１Ｂと、を有する。伝送路２１Ａとグランドパターン２１Ｂとの間は、エッチングにより除去されており、伝送路２１Ａとグランドパターン２１Ｂとは絶縁されている。なお、図３において、伝送路２１Ａは、直線状に形成されているが、屈曲形成されていてもよい。

【0025】

図２に示すように回路層２１と第１導電体層３１との間には第１誘電体層１１が設けられている。すなわち、回路層２１は、第１誘電体層１１上に設けられている。換言すると、回路層２１は、第１誘電体層１１を介して、第１導電体層３１よりも上に設けられている。なお、回路層２１と第１誘電体層１１とは接着剤６０を介して接着されている。図３に示すように第１導電体層３１は、後述の電磁波シールド５０となる第１エッチング加工部３１Ｃを除き、ほぼ全面がグランドパターン３１Ｂによって構成されている。つまり、第１導電体層３１は、グランド層である。

【0026】

接着剤６０は、柔軟性や耐熱性に優れたものが好ましい。接着剤６０は、例えば、変性ポリフェニレンエーテル系、スチレン樹脂系、エポキシ樹脂系、ブチラール樹脂系、アクリル樹脂系等、各種樹脂系の接着剤である。

【0027】

接着剤６０の主成分は、熱硬化性樹脂が好ましい。接着剤６０の主成分とされる熱硬化性樹脂の硬化温度の下限は、１２０℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。接着剤６０の主成分とされる熱硬化性樹脂の硬化温度の上限は、２５０℃が好ましく、２３０℃がより好ましく、２００℃がさらに好ましい。接着剤６０の主成分とされる熱硬化性樹脂の硬化温度が上記下限よりも大きいと、接着剤６０の取り扱いが容易である。接着剤６０の主成分とされる熱硬化性樹脂の硬化温度が上記上限よりも小さいと、接着剤６０を硬化させる際に、接着剤６０により接着される層の熱変形を抑制することができる。上記熱変形の抑制によって高周波回路１０の寸法精度の低下を抑制することができる。

【0028】

接着剤６０の比誘電率の下限は、小さいほど好ましいが、絶縁性、機械的強度等の他の条件を満たすために、現実的には１．５が限界と考えられる。接着剤６０の比誘電率の上限は例えば３であり、２．８が好ましく、２．６がより好ましい。また、接着剤６０の比誘電率が上記上限よりも小さいと、高周波回路１０で高周波信号を伝送する場合に誘電損失を抑制することができる。

【0029】

図２に示すように回路層２１と第２導電体層３２との間には、第２誘電体層１２が設けられている。すなわち、第２誘電体層１２は、第１誘電体層１１との間に回路層２１が位置するように設けられている。図３に示すように第２導電体層３２は、高周波信号の伝送路３２Ａと、電磁波シールド５０となる第２エッチング加工部３２Ｃと、を除き、ほぼ全面がグランドパターン３２Ｂによって構成されている。つまり、第２導電体層３２は、グランド層である。

【0030】

図２に示すように、回路層２１の上下両側、即ち図２のＺ方向両側には、グランド層として機能する第１導電体層３１及び第２導電体層３２が設けられている。したがって、伝送路２１Ａから放射される電磁波のうち、高周波回路１０の厚さ方向両側、即ち図２のＺ方向両側に放射される電磁波は、第１導電体層３１及び第２導電体層３２によって遮蔽される。

【0031】

伝送路２１Ａから放射される電磁波には、図２のＸＹ平面に平行な方向に放射されるものものある。ＸＹ平面に平行な方向に放射される電磁波は、第１導電体層３１及び第２導電体層３２では遮蔽できず、第１誘電体層１１及び第２誘電体層１２を通って、高周波回路１０外へ漏洩するおそれがある。そこで、実施形態の高周波回路１０は、ＸＹ平面に平行な方向に放射される電磁波を遮蔽するための電磁波シールド５０を備える。なお、ＸＹ平面は、高周波回路１０の厚さ方向に垂直な平面である。Ｚ方向は、高周波回路１０の厚さ方向であり、上述の導電体層の多層構造における積層方向に相当する。

【0032】

実施形態に係る高周波回路１０では、Ｚ方向に放射される電磁波は第１導電体層３１及び第２導電体層３２によって遮蔽される。ＸＹ平面に平行な方向に放射される電磁波は電磁波シールド５０によって遮蔽される。したがって、伝送路２１Ａから放射される電磁波が、高周波回路１０外へ漏洩するのを効果的に防止できる。この結果、漏洩電磁波による、周辺の他の回路への影響を抑えることができる。

【0033】

電磁波シールド５０は、伝送路２１Ａの周囲において、第１誘電体層１１及び第２誘電体層１２を通る電磁波を遮蔽するシールド壁として機能するよう構成されている。図１に示すように、電磁波シールド５０は、平面視において、伝送路２１Ａを囲むように形成されている。

【0034】

図２に示すように電磁波シールド５０は、第１誘電体層１１，第２誘電体層１２を貫通した孔の内面にグランド導電体を備えて構成されている。グランド導電体は、伝送路２１Ａを囲むように存在するため、第１誘電体層１１，第２誘電体層１２を通る電磁波を遮蔽できる。ここでのグランド導電体は後述する導電体５３，５４である。なお、図１の下側では、伝送路２１Ａが電磁波シールド５０によって囲まれていない。これは、作図上、図１の下側において伝送路２１Ａの記載を省略したことに伴って、電磁波シールド５０の記載も省略されているだけである。したがって、実際には、電磁波シールド５０は、伝送路２１Ａを完全に囲むことができる。

【0035】

図７に示すように、従来のシールドビア１０２は、平面視円形であることが常識であった。このため、漏洩電磁波を遮蔽するには、信号伝送路１０１を囲むようにシールドビア１０２を、密に多数並べる必要があった。これに対して、図１に示すように実施形態においては、電磁波シールド５０を、円形ではなく、伝送路２１Ａを囲む向きに沿って長細い形状にすることで、少ない数で、漏洩電磁波を効果的に遮蔽することができる。

【0036】

図４及び図５は、実施形態に係る高周波回路１０の製造方法を示している。図４に示すステップＳ１１において、基板の一例として、両面銅付きのフッ素樹脂基板が準備される。両面銅付きのフッ素樹脂基板は、第２誘電体層１２を構成するフッ素樹脂基板と、回路層２１を構成する銅と、第２導電体層３２を構成する銅と、を備える。なお、基板の材料は、フッ素樹脂に限定されない。

【0037】

ステップＳ１２において、伝送路２１Ａ及び伝送路３２Ａの位置に、回路層２１、第２誘電体層１２、及び第２導電体層３２を貫通するスルーホール４１が形成される。

【0038】

ステップＳ１３において、スルーホール４１の内部が、めっき加工によって、導電体によって埋められる。これによって、伝送路２１Ａと伝送路３２Ａとを電気的に接続するビア４０が形成される。伝送路３２Ａは、例えば、伝送路２１Ａのための外部接続端子として機能する。なお、スルーホール４１の内部表面がめっき加工によって被覆され、残った空間が合成樹脂によって埋められてもよい。

【0039】

ステップＳ１４において、両面銅付きのフッ素樹脂基板の回路層２１及び第２導電体層３２に対してエッチング加工が施され、回路層２１の伝送路２１Ａと、第２導電体層３２の伝送路３２Ａと、が形成される。

【0040】

ステップＳ１５において、回路層２１側に、片面フッ素樹脂基板が貼り合わされる。片面フッ素樹脂基板は、第１誘電体層１１を構成するフッ素樹脂基板と、第１導電体層３１を構成する銅と、を備える。ステップＳ１５では、第１誘電体層１１と回路層２１とが向かい合うように、接着剤６０により貼り合わされる。接着剤６０は、例えば、ボンディングシートである。ボンディングシートは、基板の層間の接着に用いられる。ボンディングシートは、絶縁性と接着性とを備える。

【0041】

ステップＳ１５に続くステップＳ２１において、図５に示すように第１導電体層３１及び第２導電体層３２における、電磁波シールド５０が形成される箇所がエッチングにより除去される。以下では、第１導電体層３１において電磁波シールド５０が形成される箇所、即ちエッチングにより除去された部分を第１エッチング加工部３１Ｃという。第２導電体層３２において電磁波シールド５０が形成される箇所、即ちエッチングにより除去された部分を第２エッチング加工部３２Ｃという。

【0042】

図３に示すように、第１エッチング加工部３１Ｃ及び第２エッチング加工部３２Ｃは、伝送路２１Ａの周囲を囲むように形成される。第１エッチング加工部３１Ｃにおいては第１誘電体層１１が露出している。第２エッチング加工部３２Ｃにおいては第２誘電体層１２が露出している。

【0043】

ステップＳ２２において、レーザ加工によって、電磁波シールド５０用の第１孔５１，第２孔５２が第１誘電体層１１，第２誘電体層１２に形成される。レーザ加工は、基板両面側それぞれから行われる。すなわち、第１誘電体層１１における第１孔５１は、第１エッチング加工部３１Ｃによって露出した第１誘電体層１１へ、レーザを照射することで形成される。いわば第１孔５１は第１導電体層３１を貫通するよう形成される。第１誘電体層１１へ照射されるレーザは、伝送路２１Ａの周囲を囲む第１エッチング加工部３１Ｃに沿って走査される。この結果、第１誘電体層１１には、伝送路２１Ａの周囲を囲む第１孔５１が形成される。この第１孔５１は、平面視において、伝送路２１Ａを囲むように長細い長孔である。したがって、実施形態では、単一の第１孔５１によって、伝送路２１Ａの周囲を第１誘電体層１１側において囲むことができる。

【0044】

レーザ加工は、レーザ走査によって長細い孔を容易に形成できるため、実施形態に係る第１孔５１の形成に好適である。なお、第１誘電体層１１に形成される第１孔５１は、単一である必要はなく、複数に分かれていてもよい。

【0045】

第１孔５１は、回路層２１のグランドパターン２１Ｂを貫通することなく、第１誘電体層１１及び接着剤６０の層を貫通するよう形成されている。また、レーザ加工により形成される第１孔５１は、レーザ照射側である第１エッチング加工部３１Ｃに近いほど、開口が大きく、回路層２１に近づくほど開口が小さくなる。つまり、第１孔５１は、第１孔５１の深さ方向において、回路層２１側である奥側へ向けて先細りとなる形状、即ちテーパ形状になっている。換言すると、第１孔５１は、回路層２１から離れるほど開口が大きくなる。レーザは、第１エッチング加工部３１Ｃ側から照射されるため、第１エッチング加工部３１Ｃに近い側の第１誘電体層１１においてレーザのエネルギーが吸収される。第１エッチング加工部３１Ｃから遠い側に届くエネルギーが小さくなる。これを利用することで、テーパ形状を有する第１孔５１を形成できる。レーザ加工のためのレーザ出力は、グランドパターン２１Ｂを貫通することなく、テーパ形状が形成されるよう、適切な大きさに調整される。

【0046】

第２誘電体層１２における第２孔５２は、第２エッチング加工部３２Ｃによって露出した第２誘電体層１２へ、レーザを照射することで形成される。いわば第２孔５２は第２導電体層３２を貫通するよう形成される。第２誘電体層１２へ照射されるレーザは、伝送路２１Ａの周囲を囲む第２エッチング加工部３２Ｃに沿って走査される。この結果、第２誘電体層１２には、伝送路２１Ａの周囲を囲む第２孔５２が形成される。この第２孔５２は、平面視において、伝送路２１Ａを囲むように長細い長孔である。したがって、実施形態では、単一の第２孔５２によって、伝送路２１Ａの周囲を第２誘電体層１２側において囲むことができる。

【0047】

レーザ加工は、レーザ走査によって長細い孔を容易に形成できるため、実施形態に係る第２孔５２の形成に好適である。なお、第２誘電体層１２に形成される第２孔５２は、単一である必要はなく、複数に分かれていてもよい。

【0048】

図１に示すように、第２孔５２は、伝送路２１Ａの幅方向一方側において伝送路２１Ａの長手方向に沿って延びた第１孔部５２Ａと、伝送路２１Ａの幅方向他方側において伝送路２１Ａの長手方向に沿って延びた第２孔部５２Ｂと、を備える。第１孔部５２Ａと第２孔部５２Ｂとは伝送路２１Ａを挟む位置に設けられている。また、第２孔５２は、第１孔部５２Ａと第２孔部５２Ｂとを接続する第３孔部５２Ｃを備える。第３孔部５２Ｃは、第１孔部５２Ａと第２孔部５２Ｂの長手方向一端側において、第１孔部５２Ａと第２孔部５２Ｂとを接続し、全体として単一の第２孔５２を構成する。なお、第１孔部５２Ａと第２孔部５２Ｂの長手方向他端側において第１孔部５２Ａと第２孔部５２Ｂとを接続する孔部が存在していてもよい。伝送路２１Ａの幅方向は図１のＸ方向である。上記幅方向一方側は図１では左側である。上記幅方向他方側は図１では右側である。伝送路２１Ａの長手方向は、図１のＹ方向である。図１は第３孔部５２Ｃの平面形状が湾曲状である場合を例示するが、直線的な形状でもよい。

【0049】

第２孔５２は、伝送路２１Ａを囲む向きに沿った長手寸法Ｌと、長手寸法Ｌの方向に対して直交する方向の幅寸法Ｗと、を有する。第２孔５２は、長手寸法Ｌが幅寸法Ｗよりも大きい。長手寸法Ｌは、幅寸法Ｗの５倍よりも大きいのが好ましい。長手寸法Ｌは、幅寸法Ｗの１０倍よりも大きいのがより好ましく、幅寸法Ｗの１５倍よりも大きいのが更に好ましく、幅寸法Ｗの２０倍よりも大きいのが更に好ましい。

【0050】

実施形態において、第１孔５１は、平面視において、第２孔５２と同形状である。第１孔５１は、第２孔５２と同様に、伝送路２１Ａの幅方向一方側において伝送路２１Ａの長手方向に沿って延びた第１孔部と、伝送路２１Ａの幅方向他方側において伝送路２１Ａの長手方向に沿って延びた第２孔部と、を備える。また、第１孔５１は、第１孔部と第２孔部とを接続する第３孔部を備える。第２孔５２と同様に、第１孔部と第２孔部と第３孔部とで単一の第１孔５１が構成される。

【0051】

第１孔５１は、第２孔５２と同様に、伝送路２１Ａを囲む向きに沿った長手寸法Ｌと、長手寸法Ｌの方向に対して直交する方向の幅寸法Ｗと、を有する。第１孔５１は、長手寸法Ｌが幅寸法Ｗよりも大きい。長手寸法Ｌは、幅寸法Ｗの５倍よりも大きいのが好ましい。長手寸法Ｌは、幅寸法Ｗの１０倍よりも大きいのがより好ましく、幅寸法Ｗの１５倍よりも大きいのが更に好ましく、幅寸法Ｗの１５倍よりも大きいのが更に好ましい。

【0052】

第２孔５２は、回路層２１のグランドパターン２１Ｂを貫通することなく、第２誘電体層１２を貫通するよう形成されている。また、レーザ加工により形成される第２孔５２は、レーザ照射側である第２エッチング加工部３２Ｃに近いほど、開口が大きく、回路層２１に近づくほど開口が小さくなる。つまり、第２孔５２は、第２孔５２の深さ方向において、回路層２１側である奥側へ向けて先細りとなる形状、即ちテーパ形状になっている。換言すると、第２孔５２は、回路層２１から離れるほど開口が大きくなる。

【0053】

第１孔５１及び第２孔５２は、高周波回路１０の平面視において、同じ位置に設けられている。そのため、仮に、第１孔５１及び第２孔５２が、グランドパターン２１Ｂを貫通するように形成されている場合、第１孔５１及び第２孔５２は連通し、単一の孔になる。この場合、高周波回路１０において、第１孔５１及び第２孔５２によって囲まれた範囲内の部分、即ち伝送路２１Ａが存在する部分と、第１孔５１及び第２孔５２によって囲まれた範囲外の部分とが、切り離されることになる。なお、以下の説明では、第１孔５１，第２孔５２をまとめて孔５１，５２と示すことがある。

【0054】

実施形態では、第１誘電体層１１側の第１孔５１と第２誘電体層１２側の第２孔５２とが、グランドパターン２１Ｂによって区切られている。そのため、両孔５１，５２は非連通である。つまり、実施形態の高周波回路１０では、孔５１，５２は第１誘電体層１１、第２誘電体層１２を貫通しつつも、高周波回路１０の厚さ方向、即ちＺ方向においては部分的に繋がった部分が存在し、完全に貫通する孔は形成されない。したがって、伝送路２１Ａを囲む孔５１，５２を形成しても、伝送路２１Ａが存在する部分が切り離されるのを防止できる。

【0055】

なお、実施形態では、第１孔５１及び第２孔５２は、高周波回路１０の平面視において、同じ位置に設けられているが、第１孔５１及び第２孔５２は、高周波回路１０の平面視において、異なる位置に設けてもよい。例えば、第２孔５２は、伝送路２１Ａを囲む第１孔５１の内周側又は外周側において、伝送路２１Ａを囲むように形成されてもよい。この場合、第１孔５１が形成された部分には、回路層２１のグランドパターン２１Ｂ及び第２誘電体層１２が存在する。第２孔５２が形成された部分には、回路層２１のグランドパターン２１Ｂ及び第１誘電体層１１が存在する。この結果、第１孔５１又は第２孔５２が形成された部分において、高周波回路１０の厚さが局所的に小さくなるのを防止できる。また、この場合、第１孔５１の平面形状と第２孔５２の平面形状とが同じでもよいし異なってもよい。第１孔５１の長手寸法Ｌと第２孔５２の長手寸法Ｌとが同じでもよいし異なってもよい。第１孔５１の幅寸法Ｗと第２孔５２の幅寸法Ｗとが同じでもよいし異なってもよい。

【0056】

孔５１，５２形成のためのレーザ加工には、フッ素樹脂などの合成樹脂などの誘電体の孔あけ加工に適しているが、導電体である金属、即ち反射率の高い材料の孔あけ加工には適していないレーザを用いるのが好適である。そのようなレーザは、例えば、炭酸ガス（ＣＯ_２）レーザである。炭酸ガスレーザは、銅などの反射率の高い材料に照射されても、レーザが反射し、加工を施すのが困難である。したがって、炭酸ガスレーザを用いると、第１誘電体層１１を貫通する第１孔５１又は第２誘電体層１２を貫通する第２孔５２を形成しつつも、銅からなるグランドパターン２１Ｂの貫通を回避するのが容易である。

【0057】

実施形態においては、炭酸ガスレーザによるレーザ加工に適さない銅からなる第１導電体層３１及び第２導電体層３２に、第１エッチング加工部３１Ｃ及び第２エッチング加工部３２Ｃがレーザ加工の前に形成されている。そのため、第１誘電体層１１及び第２誘電体層１２のレーザ加工が可能になっている。

【0058】

なお、仮に、金属の加工にも適したレーザを孔５１，５２の形成に用いる場合、グランドパターン２１Ｂを貫通しないように、レーザ出力又はレーザ出力時間を適切に調整することが望まれる。

【0059】

ステップＳ２３において、めっき加工により、孔５１，５２及び第１エッチング加工部３１Ｃ，第２エッチング加工部３２Ｃの内面に導電体５３，５４が形成される。図２は導電体５３が第１孔５１の内面全体に接して設けられており、導電体５３が第１孔５１の内周形状に対応した外周形状を有する筒状の部分を備える場合を示す。同様に導電体５４も第２孔５２の内面全体に接して設けられており、導電体５４が第２孔５２の内周形状に対応した外周形状を有する筒状の部分を備える。導電体５３，５４は、孔５１，５２及び第１エッチング加工部３１Ｃ，第２エッチング加工部３２Ｃの内面の表面だけに形成されていてもよいし、孔５１，５２及び第１エッチング加工部３１Ｃ，第２エッチング加工部３２Ｃの内側を完全に充填するように形成されていてもよい。導電体５３，５４の内側は、合成樹脂などの誘電体によって埋められても良いし、導電ペーストなどの導電体で埋められてもよい。

【0060】

導電体５３は、回路層２１のグランドパターン２１Ｂと第１導電体層３１のグランドパターン３１Ｂとを電気的に接続する。したがって、導電体５３は、グランドパターン２１Ｂ，３１Ｂと同電位になるため、第１グランド導電体をなすグランド導電体となる。グランド導電体である導電体５３は、伝送路２１Ａの周囲を囲む第１孔５１内に設けられるため、伝送路２１Ａの周囲を囲む電磁波シールド５０として機能する。グランド導電体である導電体５３によって、第１誘電体層１１を通って放射される電磁波を遮蔽することができる。

【0061】

導電体５４は、回路層２１のグランドパターン２１Ｂと第２導電体層３２のグランドパターン３２Ｂとを電気的に接続する。したがって、導電体５４は、グランドパターン２１Ｂ，３２Ｂと同電位になるため、第２グランド導電体をなすグランド導電体となる。グランド導電体である導電体５４は、伝送路２１Ａの周囲を囲む第２孔５２内に設けられるため、伝送路２１Ａの周囲を囲む電磁波シールド５０として機能する。グランド導電体である導電体５４によって、第２誘電体層１２を通って放射される電磁波を遮蔽することができる。

【0062】

前述のように導電体５３，５４が形成される孔５１，５２は、テーパ形状である。そのため、導電体５３，５４を形成するめっきプロセスの際に生じるめっき不良を、発見するのが容易である。導電体５３，５４は、グランドパターン２１Ｂに接するように形成される必要がある。しかし、微細な孔５１，５２内部にめっき液が十分に入り込めず、孔５１，５２の奥側において導電体５３，５４の欠損部であるめっき欠損部９０が発生することがある（図６参照）。

【0063】

めっき仕上がり検査においては、顕微鏡等を用いて、孔５１，５２を観察して、めっき欠損部９０の発生の有無を確認することが望まれる。仮に、孔５１，５２がテーパ形状ではなく、ストレート形状であると、孔５１，５２の奥側にめっき欠損部９０が存在していても、孔５１，５２の手前側の導電体５３，５４によって、奥側のめっき欠損部９０が隠されて、めっき欠損部９０を発見するのは困難である。これに対して、図６に示すように、孔５１，５２がテーパ形状である場合、孔５１，５２の手前側からの観察によって、孔５１，５２の奥側にめっき欠損部９０が存在していれば、そのめっき欠損部９０を発見することができる。

【0064】

ステップＳ２４において、第１導電体層３１及び第２導電体層３２それぞれの表面に、接着剤８１，８２を介して、カバーフィルム７１，７２が貼り付けられる。カバーフィルム７１，７２は、例えばポリイミド製であり、第１導電体層３１及び第２導電体層３２を保護する。カバーフィルム７１，７２の貼り付けによって、孔５１，５２が形成された高周波回路１０の強度を確保することができる。

【0065】

なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0066】

１０ ：高周波回路
１１ ：第１誘電体層
１２ ：第２誘電体層
２１ ：回路層
２１Ａ ：伝送路
２１Ｂ ：グランドパターン
３１ ：第１導電体層
３１Ｂ ：グランドパターン
３１Ｃ ：第１エッチング加工部
３２ ：第２導電体層
３２Ａ ：伝送路
３２Ｂ ：グランドパターン
３２Ｃ ：第２エッチング加工部
４０ ：ビア
４１ ：スルーホール
５０ ：電磁波シールド
５１ ：第１孔
５２ ：第２孔
５２Ａ ：第１孔部
５２Ｂ ：第２孔部
５２Ｃ ：第３孔部
５３ ：導電体、第１グランド導電体
５４ ：導電体、第２グランド導電体
６０ ：接着剤
７１ ：カバーフィルム
７２ ：カバーフィルム
８１ ：接着剤
８２ ：接着剤
９０ ：めっき欠損部
１００ ：高周波回路
１０１ ：信号伝送路
１０２ ：シールドビア
Ｌ ：長手寸法
Ｗ ：幅寸法

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】