特許 7580566 検出装置及び光フィルタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-31

(45)【発行日】2024-11-11

(54)【発明の名称】検出装置及び光フィルタ

(51)【国際特許分類】

   H01L 27/146 20060101AFI20241101BHJP

【ＦＩ】

H01L27/146 D

H01L27/146 C

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2023502244

(86)(22)【出願日】2022-02-04

(86)【国際出願番号】 JP2022004392

(87)【国際公開番号】W WO2022181292

(87)【国際公開日】2022-09-01

【審査請求日】2023-06-05

(31)【優先権主張番号】P 2021029149

(32)【優先日】2021-02-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】長澤 順子

(72)【発明者】

【氏名】田畠 茂

(72)【発明者】

【氏名】山本 哲也

【審査官】黒田 久美子

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－０１０７０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０３８１４７０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－０５６４８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２０５３１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０３０１１８７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－０１５１７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０２２６７５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２７／１４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

検出領域を有する基板と、
前記検出領域に設けられた複数のフォトダイオードと、
複数の前記フォトダイオードを覆って設けられた第１透光性樹脂層と、
前記第１透光性樹脂層の上に設けられ、複数の前記フォトダイオードのそれぞれに重畳する領域に開口が設けられた遮光層と、
前記遮光層を覆って設けられた第２透光性樹脂層と、
前記第２透光性樹脂層の上に設けられ、複数の前記フォトダイオードのそれぞれに重畳して設けられた複数のレンズと、
複数の前記フォトダイオードと前記第１透光性樹脂層との間に設けられ、赤外線を遮光するＩＲカットフィルタ層と、を有し、
前記基板の周縁側で、前記第２透光性樹脂層は、前記遮光層の周縁側の端部を覆って設けられ、
前記ＩＲカットフィルタ層の上に、前記第１透光性樹脂層、前記遮光層、前記第２透光性樹脂層及び複数の前記レンズが積層され、
前記第１透光性樹脂層は、前記ＩＲカットフィルタ層の周縁側の端部を覆って設けられる
検出装置。

【請求項2】

前記第２透光性樹脂層は、前記遮光層の周縁側の端部及び前記第１透光性樹脂層の周縁側の端部を覆って設けられる
請求項１に記載の検出装置。

【請求項3】

前記第１透光性樹脂層の周縁側の端部及び前記第２透光性樹脂層の周縁側の端部は、傾斜して形成される
請求項１又は請求項２に記載の検出装置。

【請求項4】

前記第１透光性樹脂層の周縁側の端部及び前記第２透光性樹脂層の周縁側の端部には、それぞれ複数の段差が形成される
請求項１又は請求項２に記載の検出装置。

【請求項5】

前記第２透光性樹脂層の複数の前記段差は、前記第２透光性樹脂層の周縁側の端部から、少なくとも第１上面、第１側面、第２上面及び第２側面が繋がって形成され、
前記段差の高さは、前記段差の幅よりも小さい
請求項４に記載の検出装置。

【請求項6】

複数の前記フォトダイオードと前記第１透光性樹脂層との間に設けられた有機保護膜を有し、
前記有機保護膜は、前記検出領域から前記基板の周縁側の端部まで連続して形成され、
前記第１透光性樹脂層の周縁側の端部は、前記有機保護膜の上に設けられる
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の検出装置。

【請求項7】

前記ＩＲカットフィルタ層の膜厚は、前記遮光層の膜厚よりも厚く形成される
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。

【請求項8】

前記遮光層の膜厚は、前記ＩＲカットフィルタ層の膜厚よりも厚く形成される
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。

【請求項9】

前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記第１透光性樹脂層の周縁側の隅部及び前記第２透光性樹脂層の周縁側の隅部の少なくとも一方には、面取り部が形成される
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の検出装置。

【請求項10】

前記基板の周縁側の端部から前記検出領域に向かって、前記第１透光性樹脂層の周縁側の端部、前記第２透光性樹脂層の周縁側の端部、前記遮光層の周縁側の端部の順に配置される
請求項１に記載の検出装置。

【請求項11】

検出領域を有する基板と、前記検出領域に設けられた複数のフォトダイオードと、を有する検出装置に設けられる光フィルタであって、
第１透光性樹脂層と、
前記第１透光性樹脂層の上に設けられ、複数の開口が設けられた遮光層と、
前記遮光層を覆って設けられた第２透光性樹脂層と、
前記第２透光性樹脂層の上に設けられた複数のレンズと、
複数の前記フォトダイオードと前記第１透光性樹脂層との間に設けられ、赤外線を遮光するＩＲカットフィルタ層と、を有し、
前記第１透光性樹脂層の周縁側で、前記第２透光性樹脂層は、前記遮光層の周縁側の端部を覆って設けられ、
前記ＩＲカットフィルタ層の上に、前記第１透光性樹脂層、前記遮光層、前記第２透光性樹脂層及び複数の前記レンズが積層され、
前記第１透光性樹脂層は、前記ＩＲカットフィルタ層の周縁側の端部を覆って設けられる
光フィルタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、検出装置及び光フィルタに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、複数のレンズを配列したレンズアレイと、複数の光センサを配列した光センサアレイと、レンズアレイと光センサアレイとの間に設けられたピンホールアレイとを有する表示パネルについて記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】米国特許出願公開第２０１９／００８０１３８号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

光センサアレイの上にピンホールアレイ及びレンズアレイが積層された検出装置では、例えば、遮光層やレンズが透光性樹脂層の上に形成される際に、透光性樹脂層の周縁側の端部に形成される段差の影響で、遮光層に形成されるピンホールやレンズの形状ばらつきが生じる可能性がある。ピンホールやレンズの形状のばらつきが生じると、レンズを透過してセンサに集光される光の状態が異なる。このため、検出精度が低下する可能性がある。

【0005】

本発明は、光学素子の形状ばらつきを抑制することが可能な検出装置及び光フィルタを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一態様の検出装置は、検出領域を有する基板と、前記検出領域に設けられた複数のフォトダイオードと、複数の前記フォトダイオードを覆って設けられた第１透光性樹脂層と、前記第１透光性樹脂層の上に設けられ、複数の前記フォトダイオードのそれぞれに重畳する領域に開口が設けられた遮光層と、前記遮光層を覆って設けられた第２透光性樹脂層と、前記第２透光性樹脂層の上に設けられ、複数の前記フォトダイオードのそれぞれに重畳して設けられた複数のレンズと、を有し、前記基板の周縁側で、前記第２透光性樹脂層は、前記遮光層の周縁側の端部を覆って設けられる。

【0007】

本発明の一態様の光フィルタは、検出領域を有する基板と、前記検出領域に設けられた複数のフォトダイオードと、を有する検出装置に設けられる光フィルタであって、第１透光性樹脂層と、前記第１透光性樹脂層の上に設けられ、複数の開口が設けられた遮光層と、前記遮光層を覆って設けられた第２透光性樹脂層と、前記第２透光性樹脂層の上に設けられた複数のレンズと、を有し、前記第１透光性樹脂層の周縁側で、前記第２透光性樹脂層は、前記遮光層の周縁側の端部を覆って設けられる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1A】図１Ａは、実施形態に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。

【図1B】図１Ｂは、変形例１に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。

【図1C】図１Ｃは、変形例２に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。

【図1D】図１Ｄは、変形例３に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る検出装置を示す平面図である。

【図3】図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ’断面図である。

【図4】図４は、実施形態に係る光フィルタを示す平面図である。

【図5】図５は、光フィルタを示す断面図である。

【図6】図６は、表示パネルに貼り合わされたアレイ基板の構成を模式的に示す断面図である。

【図7】図７は、周辺領域のアレイ基板及び光フィルタを模式的に示す平面図である。

【図8】図８は、周辺領域の光フィルタを示す断面図である。

【図9】図９は、検出素子を示す平面図である。

【図10】図１０は、図９のＸ－Ｘ’断面図である。

【図11】図１１は、変形例４に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。

【図12】図１２は、変形例５に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。

【図13】図１３は、変形例６に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。

【図14】図１４は、変形例７に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。

【図15】図１５は、変形例８に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。

【図16】図１６は、変形例９に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。

【図17】図１７は、変形例１０に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す平面図である。

【図18】図１８は、変形例１１に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す平面図である。

【図19】図１９は、変形例１２に係る、マザー基板を模式的に示す平面図である。

【図20】図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ’断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

【0011】

図１Ａは、実施形態に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。図１Ｂは、変形例１に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。図１Ｃは、変形例２に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。図１Ｄは、変形例３に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。

【0012】

図１Ａに示すように、照明装置付き検出機器１２０は、検出装置１と、照明装置１２１と、を有する。検出装置１は、アレイ基板２と、光フィルタ７と、接着層１２５と、カバー部材１２２と、を有する。つまり、アレイ基板２の表面に垂直な方向において、アレイ基板２、光フィルタ７、接着層１２５、カバー部材１２２の順に積層されている。なお、後述するように検出装置１のカバー部材１２２を照明装置１２１に置き換えることもできる。接着層１２５は、光フィルタ７とカバー部材１２２とを接着させるものであればよく、検出領域ＡＡに相当する領域に接着層１２５は無い構造であっても構わない。検出領域ＡＡに接着層１２５が無い場合、検出領域ＡＡの外側の周辺領域ＧＡに相当する領域で接着層１２５がカバー部材１２２と光フィルタ７とを接着させている構造となる。また、検出領域ＡＡに設けられる接着層１２５は、単に光フィルタ７の保護層と言い換えてもよい。

【0013】

図１Ａに示すように、照明装置１２１は、例えば、カバー部材１２２を検出装置１の検出領域ＡＡに対応する位置に設けられた導光板として用い、カバー部材１２２の一方端又は両端に並ぶ複数の光源１２３を有する、いわゆるサイドライト型のフロントライトであってもよい。つまり、カバー部材１２２は、光を照射する光照射面１２１ａを有し、照明装置１２１の一構成要素となっている。この照明装置１２１によれば、カバー部材１２２の光照射面１２１ａから検出対象である指Ｆｇに向けて光Ｌ１を照射する。光源として、例えば、所定の色の光を発する発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が用いられる。

【0014】

また、図１Ｂに示すように、照明装置１２１は、検出装置１の検出領域ＡＡ内に設けられた光源（例えば、ＬＥＤ）を有するものであってもよく、光源を備えた照明装置１２１はカバー部材１２２としても機能する。

【0015】

また、照明装置１２１は、図１Ｂの例に限らず、図１Ｃに示すように、カバー部材１２２の側方や上方に設けられていてもよく、指Ｆｇの側方や上方から指Ｆｇに光Ｌ１を照射してもよい。

【0016】

さらには、図１Ｄに示すように、照明装置１２１は、検出装置１の検出領域に設けられた光源（例えば、ＬＥＤ）を有する、いわゆる直下型のバックライトであってもよい。

【0017】

照明装置１２１から照射された光Ｌ１は、検出対象である指Ｆｇにより光Ｌ２として反射される。検出装置１は、指Ｆｇで反射された光Ｌ２を検出することで、指Ｆｇの表面の凹凸（例えば、指紋）を検出する。さらに、検出装置１は、指紋の検出に加え、指Ｆｇの内部で反射した光Ｌ２を検出することで、生体に関する情報を検出してもよい。生体に関する情報は、例えば、静脈等の血管像や脈拍、脈波等である。照明装置１２１からの光Ｌ１の色は、検出対象に応じて異ならせてもよい。

【0018】

カバー部材１２２は、アレイ基板２及び光フィルタ７を保護するための部材であり、アレイ基板２及び光フィルタ７を覆っている。上述のように、照明装置１２１がカバー部材１２２を兼ねる構造でもよい。図１Ｃ及び図１Ｄに示すカバー部材１２２が照明装置１２１と分離されている構造においては、カバー部材１２２は、例えばガラス基板である。なお、カバー部材１２２はガラス基板に限定されず、樹脂基板等であってもよい。また、カバー部材１２２が設けられていなくてもよい。この場合、アレイ基板２及び光フィルタ７の表面に絶縁膜等の保護層が設けられ、指Ｆｇは検出装置１の保護層に接する。

【0019】

照明装置付き検出機器１２０は、図１Ｂに示すように、照明装置１２１に換えて表示パネルが設けられていてもよい。表示パネルは、例えば、有機ＥＬディスプレイパネル（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）や無機ＥＬディスプレイ（マイクロＬＥＤ、ミニＬＥＤ）であってもよい。或いは、表示パネルは、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示パネル（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）や、表示素子として電気泳動素子を用いた電気泳動型表示パネル（ＥＰＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ）であってもよい。この場合であっても、表示パネルから照射された表示光（光Ｌ１）が指Ｆｇで反射された光Ｌ２に基づいて、指Ｆｇの指紋や生体に関する情報を検出することができる。

【0020】

図２は、実施形態に係る検出装置を示す平面図である。なお、図２以下で示す、第１方向Ｄｘは、基板２１と平行な面内の一方向である。第２方向Ｄｙは、基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向であり、基板２１の法線方向である。また、「平面視」とは、第３方向Ｄｚから見た場合の位置関係をいう。

【0021】

図２に示すように、検出装置１は、アレイ基板２（基板２１）と、センサ部１０と、走査線駆動回路１５と、信号線選択回路１６と、検出回路４８と、制御回路１０２と、電源回路１０３と、を有する。

【0022】

基板２１には、配線基板１１０を介して制御基板１０１が電気的に接続される。配線基板１１０は、例えば、フレキシブルプリント基板やリジット基板である。配線基板１１０には、検出回路４８が設けられている。制御基板１０１には、制御回路１０２及び電源回路１０３が設けられている。制御回路１０２は、例えばＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）である。制御回路１０２は、センサ部１０、走査線駆動回路１５及び信号線選択回路１６に制御信号を供給し、センサ部１０の動作を制御する。電源回路１０３は、電源電位ＶＤＤや基準電位ＶＣＯＭ（図４参照）等の電圧信号をセンサ部１０、走査線駆動回路１５及び信号線選択回路１６に供給する。なお、本実施形態においては、検出回路４８が配線基板１１０に配置される場合を例示したがこれに限られない。検出回路４８は、基板２１の上に配置されてもよい。

【0023】

基板２１は、検出領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡは、基板２１と平行な面方向に延在している。検出領域ＡＡ内には、センサ部１０の各素子（検出素子３）が設けられている。周辺領域ＧＡは、検出領域ＡＡの外側の領域であり、光センサとして機能する各素子（検出素子３）が設けられない領域である。すなわち、周辺領域ＧＡは、検出領域ＡＡの外周と基板２１の端部との間の領域である。周辺領域ＧＡ内には、走査線駆動回路１５及び信号線選択回路１６が設けられる。走査線駆動回路１５は、周辺領域ＧＡのうち第２方向Ｄｙに沿って延在する領域に設けられる。信号線選択回路１６は、周辺領域ＧＡのうち第１方向Ｄｘに沿って延在する領域に設けられ、センサ部１０と検出回路４８との間に設けられる。

【0024】

センサ部１０の複数の検出素子３は、それぞれ、センサ素子としてフォトダイオード３０を有する光センサである。フォトダイオード３０は、光電変換素子であり、それぞれに照射される光に応じた電気信号を出力する。より具体的には、フォトダイオード３０は、ＰＩＮ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトダイオードである。また、フォトダイオード３０はＯＰＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）であってもよい。検出素子３は、検出領域ＡＡにマトリクス状に配列される。複数の検出素子３が有するフォトダイオード３０は、走査線駆動回路１５から供給されるゲート駆動信号に従って検出を行う。複数のフォトダイオード３０は、それぞれに照射される光に応じた電気信号を、検出信号として信号線選択回路１６に出力する。検出装置１は、複数のフォトダイオード３０からの検出信号に基づいて生体に関する情報を検出する。

【0025】

図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ’断面図である。図３は、アレイ基板２、フォトダイオード３０及び光フィルタ７の積層構成を模式的に示している。

【0026】

図３に示すように、光フィルタ７は、複数のフォトダイオード３０（部分フォトダイオード３０Ｓ）の上に設けられる。光フィルタ７は、第１遮光層７１と、第２遮光層７２と、第１透光性樹脂層７４と、第２透光性樹脂層７５と、レンズ７８と、を有する。なお、図３に示す光フィルタ７は、あくまで模式的に示したものであり、光フィルタ７の詳細な積層構成については後述する。光フィルタ７は、指Ｆｇ等の被検出体で反射された光Ｌ２のうち、第３方向Ｄｚに進行する成分をフォトダイオード３０に向けて透過させ、斜め方向に進行する成分を遮蔽する光学素子である。光フィルタ７は、コリメートアパーチャ、あるいは、コリメータとも呼ばれる。

【0027】

光フィルタ７は、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡに亘って設けられる。光フィルタ７は、上面に複数のレンズ７８を有する。複数のレンズ７８は、検出領域ＡＡに設けられ、複数のフォトダイオード３０（部分フォトダイオード３０Ｓ）のそれぞれに重畳して設けられる。指Ｆｇ等の被検出体で反射された光Ｌ２は、複数のレンズ７８のそれぞれで集光され、複数のレンズ７８のそれぞれに対応する複数のフォトダイオード３０（部分フォトダイオード３０Ｓ）に照射される。

【0028】

なお、複数のレンズ７８は、周辺領域ＧＡには設けられていないが、周辺領域ＧＡに光学素子として機能しないダミーレンズが設けられていてもよい。ダミーレンズは、検出領域ＡＡの複数のフォトダイオード３０（部分フォトダイオード３０Ｓ）と非重畳に設けられる。複数のダミーレンズは、複数のレンズ７８と同様の構成で形成され、複数のダミーレンズを設けることで、検出領域ＡＡの複数のレンズ７８の形状安定性を向上させることができる。

【0029】

次に、検出素子３及び光フィルタ７の詳細な構成について説明する。図４は、実施形態に係る光フィルタを示す平面図である。

【0030】

図４に示すように、光フィルタ７は、マトリクス状に配列された複数の検出素子３（フォトダイオード３０）を覆って設けられる。光フィルタ７は、複数の検出素子３を覆う第１透光性樹脂層７４及び第２透光性樹脂層７５と、複数の検出素子３のそれぞれに設けられた複数のレンズ７８を有する。さらに、光フィルタ７は、隣り合うレンズ７８の間に設けられた複数の突出部ＰＳを有する。

【0031】

１つの検出素子３に対して複数のレンズ７８が配置される。図４に示す例では、１つの検出素子３に、レンズ７８－１、７８－２、・・・、７８－８の８個のレンズ７８が設けられる。複数のレンズ７８－１、７８－２、・・・、７８－８は、三角格子状に配置される。また、後述するように、１つの検出素子３は、複数の検出領域（部分フォトダイオード３０Ｓ）を有し、１つの検出素子３における複数の検出領域それぞれにレンズ７８が対応する構造となる。

【0032】

ただし、１つの検出素子３に配置される複数のレンズ７８の数は、複数の検出領域の数に合わせ、７個以下でもよいし、９個以上でもよい。複数のレンズ７８の配置も、フォトダイオード３０の構成に応じて適宜変更できる。

【0033】

突出部ＰＳは、平面視でレンズ７８と同じ円形状で形成された柱状の部材である。突出部ＰＳは、光フィルタ７の上にカバー部材１２２等を貼り合わせる際のスペーサとして用いられる。あるいは、突出部ＰＳは、検出装置１の製造工程において、アレイ基板２を他の基板と重ね合わせる際のスペーサとして用いられる。１つの突出部ＰＳは、６個のレンズ７８に囲まれて設けられる。より具体的には、突出部ＰＳは、第２方向Ｄｙでレンズ７８－４とレンズ７８－５との間に配置される。突出部ＰＳは、第１方向Ｄｘでレンズ７８－１、７８－３とレンズ７８－６、７８－８との間に配置される。突出部ＰＳは、複数のレンズ７８と三角格子状に配置され、複数のレンズ７８の間のスペースに効率よく配置される。

【0034】

また、突出部ＰＳは、第２方向Ｄｙに隣り合う検出素子３の境界部分（例えば検出素子３－１、３－２の各境界部分）に設けられる。言い換えると、突出部ＰＳは、平面視で、第２方向Ｄｙに隣り合うフォトダイオード３０の間に設けられる。突出部ＰＳの数は、レンズ７８の数よりも少ない。また、突出部ＰＳは、フォトダイオード３０の部分フォトダイオード３０Ｓと非重畳に設けられる。

【0035】

ただし、突出部ＰＳの配置や数は適宜変更することができる。例えば、突出部ＰＳは、第１方向Ｄｘに隣り合う検出素子３の境界部分に設けられていてもよい。突出部ＰＳは、各検出素子３に設けられているが、突出部ＰＳが設けられない検出素子３があってもよい。また、突出部ＰＳは、レンズ７８と異なる形状、大きさであってもよい。

【0036】

図５は、光フィルタを示す断面図である。図５は、図４のＶ－Ｖ’断面図である。なお、図５では、アレイ基板２の構成を簡略化して示しており、フォトダイオード３０（部分フォトダイオード３０Ｓ－１）と、フォトダイオード３０を覆う保護膜２９（有機保護膜）と、を模式的に示している。

【0037】

図５に示すように、光フィルタ７は、第１遮光層７１と、第２遮光層７２と、フィルタ層７３（ＩＲカットフィルタ層）と、第１透光性樹脂層７４と、第２透光性樹脂層７５と、レンズ７８と、を有する。本実施形態では、保護膜２９の上に、第１遮光層７１、フィルタ層７３、第１透光性樹脂層７４、第２遮光層７２、第２透光性樹脂層７５、レンズ７８の順に積層されている。突出部ＰＳは、光フィルタ７と一体に形成され、レンズ７８と同層に第２透光性樹脂層７５の上に設けられる。

【0038】

レンズ７８は、１つのフォトダイオード３０の部分フォトダイオード３０Ｓ－１に重畳する領域に設けられる。レンズ７８は、凸レンズである。レンズ７８の光軸ＣＬは、第３方向Ｄｚと平行方向に設けられ、部分フォトダイオード３０Ｓ－１と交差する。レンズ７８は、第２透光性樹脂層７５の上に直接接して設けられる。言い換えると、第２透光性樹脂層７５は、第２遮光層７２とレンズ７８との間に設けられる。また、本実施形態では、隣接するレンズ７８の間では、第２透光性樹脂層７５の上に遮光層等が設けられていない。

【0039】

第１遮光層７１は、アレイ基板２の保護膜２９の上に直接、接して設けられる。言い換えると、第１遮光層７１は、第３方向Ｄｚでフォトダイオード３０とレンズ７８との間に設けられる。また、第１遮光層７１には、フォトダイオード３０に重畳する領域に第１開口ＯＰ１が設けられる。第１開口ＯＰ１は、光軸ＣＬと重なる領域に形成される。

【0040】

第１遮光層７１は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で形成されている。これにより、第１遮光層７１は、第１開口ＯＰ１を透過する光Ｌ２以外の、斜め方向に進行する光Ｌ２の成分を反射することができる。また、第１遮光層７１が金属材料で形成されているので、第１開口ＯＰ１の第１方向Ｄｘでの幅Ｗ１（直径）を精度よく形成することができる。したがって、フォトダイオード３０の配置ピッチや面積が小さい場合でも、フォトダイオード３０に対応させて第１開口ＯＰ１を設けることができる。

【0041】

さらに第１遮光層７１は、後述する樹脂材料で形成される第２遮光層７２と異なり金属材料により形成されるものであるため、第２遮光層７２よりも薄く形成することができ、第２遮光層７２に形成される第２開口ＯＰ２よりも小さな第１開口ＯＰ１を形成することができる。第１遮光層７１の厚さは、第２遮光層７２の厚さの１０分の１以下である。第１遮光層７１は第２遮光層７２の厚さに比べ極めて薄く形成されることになる。一例として、第１遮光層７１の厚さは、０．０５５μｍ以上であり、例えば０．０６５μｍであり、第２遮光層の厚さＴＨ５（図５参照）は例えば１μｍである。第１遮光層７１は第２遮光層７２の厚さＴＨ５に比べ極めて薄く形成されることになる。

【0042】

フィルタ層７３は、第１遮光層７１の上に直接、接して設けられ、第３方向Ｄｚで、第１遮光層７１と第１透光性樹脂層７４との間に設けられる。フィルタ層７３は、所定の波長帯域の光を遮光するフィルタである。フィルタ層７３は、例えば、緑色に着色された樹脂材料で形成され、赤外線を遮光するＩＲカットフィルタである。これにより、光フィルタ７は、光Ｌ２のうち、例えば指紋検出に必要な波長帯域の成分をフォトダイオード３０に入射させて、検出感度を向上させることができる。

【0043】

第１透光性樹脂層７４は、フィルタ層７３の上に直接、接して設けられ、第３方向Ｄｚで、第１遮光層７１と第２遮光層７２との間に設けられる。第１透光性樹脂層７４及び第２透光性樹脂層７５は、例えば透光性のアクリル系樹脂で形成される。

【0044】

第２遮光層７２は、第１透光性樹脂層７４の上に直接、接して設けられる。第２遮光層７２には、フォトダイオード３０及び第１開口ＯＰ１に重畳する領域に第２開口ＯＰ２が設けられる。第２開口ＯＰ２は、光軸ＣＬと重なる領域に形成される。より好ましくは、第２開口ＯＰ２の中心及び第１開口ＯＰ１の中心は、光軸ＣＬと重なって設けられる。

【0045】

第２遮光層７２は、例えば黒色に着色された樹脂材料で形成される。これにより、第２遮光層７２は、第２開口ＯＰ２を透過する光Ｌ２以外の、斜め方向に進行する光Ｌ２の成分を吸収する光吸収層として機能する。また、第２遮光層７２は、第１遮光層７１で反射された光を吸収する。これにより、第２遮光層７２が金属材料で形成された構成に比べて、第１遮光層７１で反射された光が、複数回反射を繰り返して迷光として第１透光性樹脂層７４を進行し、他のフォトダイオード３０に入射することを抑制できる。また、第２遮光層７２は、隣接するレンズ７８の間から入射した外光を吸収することができる。これにより、第２遮光層７２が金属材料で形成された構成に比べて、第２遮光層７２での反射光を抑制できる。ただし、第２遮光層７２は、黒色に着色された樹脂材料により形成される例に限らず、表面に黒色化処理された金属材料により形成されるものであってもよい。

【0046】

第２透光性樹脂層７５は、第２遮光層７２の上に直接、接して設けられ、第３方向Ｄｚで、第２遮光層７２とレンズ７８との間に設けられる。

【0047】

第２透光性樹脂層７５は、第１透光性樹脂層７４と同じ材料が用いられ、第２透光性樹脂層７５の屈折率は、第１透光性樹脂層７４の屈折率と実質的に等しい。これにより、第２開口ＯＰ２での、第１透光性樹脂層７４と第２透光性樹脂層７５との界面での光Ｌ２の反射を抑制することができる。ただしこれに限定されず、第１透光性樹脂層７４と第２透光性樹脂層７５とは異なる材料で形成されていてもよく、第１透光性樹脂層７４の屈折率と第２透光性樹脂層７５の屈折率とが異なっていてもよい。

【0048】

本実施形態では、レンズ７８の第１方向Ｄｘでの幅Ｗ３（径）、第２開口ＯＰ２の第１方向Ｄｘでの幅Ｗ２（径）、第１開口ＯＰ１の第１方向Ｄｘでの幅Ｗ１（径）の順に小さくなっている。また、第１開口ＯＰ１の第１方向Ｄｘでの幅Ｗ１は、フォトダイオード３０の部分フォトダイオード３０Ｓ－１の第１方向Ｄｘでの幅よりも小さい。幅Ｗ１は、２μｍ以上、１０μｍ以下、例えば３．５μｍ程度である。幅Ｗ２は、３μｍ以上、２０μｍ以下、例えば１０．０μｍ程度である。幅Ｗ３は、１０μｍ以上、５０μｍ以下、例えば２１．９μｍ程度である。

【0049】

また、図５に示す第２透光性樹脂層７５の厚さＴＨ２は、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１とほぼ同じか、あるいは第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１よりも薄く形成される。第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１及び第２透光性樹脂層７５の厚さＴＨ２は、フィルタ層７３の厚さＴＨ４よりも厚く形成される。また、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１及び第２透光性樹脂層７５の厚さＴＨ２は、アレイ基板２の保護膜２９の厚さＴＨ３よりも厚い。厚さＴＨ１及び厚さＴＨ２は、３μｍ以上、３０μｍ以下、例えば厚さＴＨ１は１８μｍ程度である。厚さＴＨ２は、例えば１６．５μｍ程度である。厚さＴＨ３は、１μｍ以上、１０μｍ以下、例えば４．５μｍ以上である。また、一例としてのフィルタ層７３の厚さＴＨ４は、１μｍ以上、５μｍ以下、例えば１．３５μｍである。

【0050】

このような構成により、指Ｆｇ等の被検出体で反射された光Ｌ２のうち、第３方向Ｄｚに進行する光Ｌ２－１は、レンズ７８で集光され、第２開口ＯＰ２及び第１開口ＯＰ１を透過して、フォトダイオード３０に入射する。また、第３方向Ｄｚに対して角度θ１だけ傾斜した光Ｌ２－２についても、第２開口ＯＰ２及び第１開口ＯＰ１を透過して、フォトダイオード３０に入射する。

【0051】

突出部ＰＳは、第１開口ＯＰ１が設けられていない第１遮光層７１及び第２開口ＯＰ２が設けられていない第２遮光層７２と重畳する位置に設けられる。突出部ＰＳは、第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２と非重畳であり、突出部ＰＳを通過した光Ｌ２は、第１遮光層７１及び第２遮光層７２で遮られる。検出装置１は、突出部ＰＳを設けた構成であっても、検出精度の低下を抑制することができる。

【0052】

突出部ＰＳの第１方向Ｄｘでの幅Ｗ４（径）は、レンズ７８の第１方向Ｄｘでの幅Ｗ３（径）と等しい。第３方向Ｄｚで、突出部ＰＳの高さＨＬ２は、レンズ７８の高さＨＬ１よりも高い。第３方向Ｄｚで、突出部ＰＳの頂部は、レンズ７８の頂部よりも高い位置に設けられている。突出部ＰＳは、樹脂材料で形成され、フォトリソグラフィ法により柱状にパターニングされる。図５では、突出部ＰＳの上面は平坦に形成されている。ただし、図５はあくまで模式的に示したものであり、突出部ＰＳの上面は、レンズ７８と同様に曲面を有していてもよい。

【0053】

図６は、表示パネルに貼り合わされたアレイ基板の構成を模式的に示す断面図である。図６に示すように、突出部ＰＳが表示パネル１２６の下面に当接するように、基板２１と表示パネル１２６とが貼り合わされる。これにより、検出装置１は、レンズ７８が表示パネル１２６に接触して損傷することを抑制することができる。

【0054】

なお、図５に示した光フィルタ７の各層の膜厚、第１開口ＯＰ１の幅Ｗ１及び第２開口ＯＰ２の幅Ｗ２については光フィルタ７に求められる特性に合わせて適宜変更可能である。また、図６に示す表示パネル１２６に換えて、カバー部材１２２等の他の部材が積層されてもよい。

【0055】

次にアレイ基板２の周縁側での光フィルタ７の詳細な構成について説明する。図７は、周辺領域のアレイ基板及び光フィルタを模式的に示す平面図である。図８は、周辺領域の光フィルタを示す断面図である。図７及び図８に示すように、アレイ基板２の周縁側で、第１遮光層７１、フィルタ層７３、第１透光性樹脂層７４、第２遮光層７２、第２透光性樹脂層７５の順に積層される。アレイ基板２の周縁側で、第２透光性樹脂層７５は、第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅを覆って設けられる。また、アレイ基板２の周縁側で、第１透光性樹脂層７４は、フィルタ層７３の周縁側の端部７３ｅを覆って設けられる。

【0056】

第１方向Ｄｘで、第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅは、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅよりも検出領域ＡＡ側（アレイ基板２の周縁側の端部から離れる方向）に位置する。また、第１方向Ｄｘで、第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅは、フィルタ層７３の周縁側の端部７３ｅ（及び第１遮光層７１の周縁側の端部）よりも検出領域ＡＡ側に位置する。

【0057】

図７及び図８に示す例では、第１方向Ｄｘで、アレイ基板２の周縁側から検出領域ＡＡ側に向かって、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ、フィルタ層７３の周縁側の端部７３ｅ、第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅ、第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅの順に配置される。

【0058】

このように、光フィルタ７は、アレイ基板２の周縁側で、各端部７２ｅ、７３ｅ、７４ｅ、７５ｅの位置がずれるように第２遮光層７２、フィルタ層７３、第１透光性樹脂層７４、第２透光性樹脂層７５が積層される。これにより、アレイ基板２の周縁側で、各端部７２ｅ、７３ｅ、７４ｅ、７５ｅが一致して各層が形成された場合に比べて、急峻な段差が形成されず、全体として、アレイ基板２の周縁側での段差形状がなだらかに形成される。

【0059】

すなわち、各端部７２ｅ、７３ｅ、７４ｅ、７５ｅが一致して各層が形成された場合に比べて、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅでの形状ばらつきが抑制される。この結果、第２遮光層７２及び複数のレンズ７８を塗布形成する際に、端部７４ｅ及び端部７５ｅの形状ばらつきに起因する、第２遮光層７２（第２開口ＯＰ２）及び複数のレンズ７８の形状の不均一が生じることを抑制することができる。したがって、検出装置１は、レンズ７８及び第２開口ＯＰ２を透過してフォトダイオード３０（部分フォトダイオード３０Ｓ）に集光される光Ｌ２のばらつきを抑制することができ、検出精度の低下を抑制することができる。

【0060】

また、光フィルタ７は、アレイ基板２と一体に形成されている。すなわち、光フィルタ７の第１遮光層７１は、保護膜２９の上に直接、接して設けられており、第１遮光層７１と保護膜２９との間に粘着層等の部材が設けられていない。光フィルタ７は、アレイ基板２上に直接、成膜され、パターニング等の工程が施されて形成されるので、光フィルタ７を別体でアレイ基板２に貼り合わせた場合に比べて、光フィルタ７の第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２及びレンズ７８と、フォトダイオード３０との位置精度を向上させることができる。ただし、これに限定されず、光フィルタ７は、接着層を介してアレイ基板２の保護膜２９上に貼り合わされた、いわゆる外付けの光フィルタであってもよい。

【0061】

また、光フィルタ７は、第１遮光層７１及び第２遮光層７２を有する構成に限定されず、１層の遮光層で形成されていてもよい。フィルタ層７３は、第１遮光層７１と第１透光性樹脂層７４との間に設けられているが、フィルタ層７３の位置はこれに限定されない。フィルタ層７３の位置は、光フィルタ７に要求される特性や製造プロセスに応じて適宜変更することができる。

【0062】

なお、図８では、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ、フィルタ層７３の周縁側の端部７３ｅ、第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅ、第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅの形状を、あくまで模式的に示している。つまり、各端部７２ｅ、７３ｅ、７４ｅ、７５ｅ（側面）は、第３方向Ｄｚに延在する構成に限定されず、それぞれ傾斜して形成されていてもよい。

【0063】

図９は、検出素子を示す平面図である。なお、図９では、図面を見やすくするために、検出素子３が有する複数のトランジスタ及び走査線、信号線等の各種配線を省略して示す。１つの検出素子３は、例えば、複数の走査線と、複数の信号線とで囲まれた領域で規定される。

【0064】

図９に示すように、フォトダイオード３０は、複数の部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、・・・、３０Ｓ－８を有する。部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、・・・、３０Ｓ－８は、三角格子状に配置される。部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、・・・、３０Ｓ－８のそれぞれに重畳して、図４に示すレンズ７８－１、７８－２、・・・、７８－８、第１遮光層７１の第１開口ＯＰ１及び第２遮光層７２の第２開口ＯＰ２が設けられる。

【0065】

より具体的には、部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３は、第２方向Ｄｙに配列される。部分フォトダイオード３０Ｓ－４、３０Ｓ－５は、第２方向Ｄｙに配列され、部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３で構成される素子列と第１方向Ｄｘに隣り合う。部分フォトダイオード３０Ｓ－６、３０Ｓ－７、３０Ｓ－８は、第２方向Ｄｙに配列され、部分フォトダイオード３０Ｓ－４、３０Ｓ－５で構成される素子列と第１方向Ｄｘに隣り合う。隣接する素子列間で、部分フォトダイオード３０Ｓの第２方向Ｄｙでの位置が、互い違いに配置される。

【0066】

部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、・・・、３０Ｓ－８には、それぞれ、レンズ７８－１、７８－２、・・・、７８－８から光Ｌ２が入射する。部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、・・・、３０Ｓ－８は、電気的に接続され、１つのフォトダイオード３０として機能する。つまり、部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、・・・、３０Ｓ－８のそれぞれが出力する信号が統合されて、フォトダイオード３０から１つの検出信号が出力される。なお以下の説明では、部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、・・・、３０Ｓ－８を区別して説明する必要が無い場合には、単に部分フォトダイオード３０Ｓと表す。

【0067】

部分フォトダイオード３０Ｓは、それぞれｉ型半導体層３１、ｎ型半導体層３２及びｐ型半導体層３３を含む。ｉ型半導体層３１及びｎ型半導体層３２は、例えば、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）である。ｐ型半導体層３３は、例えば、ポリシリコン（ｐ－Ｓｉ）である。なお、半導体層の材料は、これに限定されず、ポリシリコン、微結晶シリコン等であってもよい。

【0068】

ｎ型半導体層３２は、ａ－Ｓｉに不純物がドープされてｎ＋領域を形成する。ｐ型半導体層３３は、ｐ－Ｓｉに不純物がドープされてｐ＋領域を形成する。ｉ型半導体層３１は、例えば、ノンドープの真性半導体であり、ｎ型半導体層３２及びｐ型半導体層３３よりも低い導電性を有する。

【0069】

また、図９では、ｐ型半導体層３３とｉ型半導体層３１（ｎ型半導体層３２）とが接続された実効的なセンサ領域３７を一点鎖線で示している。第１遮光層７１の第１開口ＯＰ１は、センサ領域３７と重畳して設けられる。

【0070】

部分フォトダイオード３０Ｓは、平面視で、それぞれ異なる形状を有する。部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３は、それぞれ、多角形状で形成される。また、部分フォトダイオード３０Ｓ－４、３０Ｓ－５、３０Ｓ－６、３０Ｓ－７、３０Ｓ－８は、それぞれ、円形状又は半円形状で形成される。

【0071】

第２方向Ｄｙに配列された部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３のｎ型半導体層３２は、連結部ＣＮ１－１、ＣＮ１－２により電気的に接続される。部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３のｐ型半導体層３３は、連結部ＣＮ２－１、ＣＮ２－２により電気的に接続される。

【0072】

また、部分フォトダイオード３０Ｓ－４、３０Ｓ－５、３０Ｓ－６、３０Ｓ－７、３０Ｓ－８のｎ型半導体層３２（ｉ型半導体層３１）は、基部ＢＡ１により電気的に接続される。部分フォトダイオード３０Ｓ－４、３０Ｓ－５、３０Ｓ－６、３０Ｓ－７、３０Ｓ－８のｐ型半導体層３３は、基部ＢＡ２により電気的に接続される。基部ＢＡ１、基部ＢＡ２は、略五角形状に形成され、頂点の位置に部分フォトダイオード３０Ｓ－４、３０Ｓ－５、３０Ｓ－６、３０Ｓ－７、３０Ｓ－８が設けられる。基部ＢＡ２と、部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３のｐ型半導体層３３とは、連結部ＣＮ２－３により電気的に接続される。これにより、１つのフォトダイオード３０を構成する複数の部分フォトダイオード３０Ｓが電気的に接続される。

【0073】

下部導電層３５は、部分フォトダイオード３０Ｓのそれぞれと重なる領域に設けられる。下部導電層３５は、いずれも平面視で円形状である。つまり、下部導電層３５は、部分フォトダイオード３０Ｓと異なる形状であってもよい。例えば、部分フォトダイオード３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３は、平面視で多角形状であり、円形状の下部導電層３５の上に形成される。部分フォトダイオード３０Ｓ－４、３０Ｓ－５、３０Ｓ－６、３０Ｓ－７、３０Ｓ－８は、平面視で、下部導電層３５よりも小さい径を有する円形状又は半円形状であり、円形状の下部導電層３５の上に形成される。下部導電層３５には、ｐ型半導体層３３と同じ基準電位ＶＣＯＭが供給され、下部導電層３５とｐ型半導体層３３との間の寄生容量を抑制することができる。

【0074】

上部導電層３４は、複数の部分フォトダイオード３０Ｓのｎ型半導体層３２を電気的に接続する。上部導電層３４は、アレイ基板２の各トランジスタ（図示は省略する）と電気的に接続される。上部導電層３４は、どのように設けられていてもよく、例えば、部分フォトダイオード３０Ｓの一部を覆っていてもよいし、部分フォトダイオード３０Ｓの全体を覆って設けられていてもよい。

【0075】

本実施形態では、複数のレンズ７８及び複数の第１開口ＯＰ１ごとに部分フォトダイオード３０Ｓが設けられている。これにより、フォトダイオード３０が、平面視で検出素子３の全体を覆うように四角形状等のベタ膜で形成された構成に比べて、複数のレンズ７８及び複数の第１開口ＯＰ１に重畳しない領域での半導体層や配線層を削減できるので、フォトダイオード３０の寄生容量を抑制することができる。

【0076】

なお、図９に示すフォトダイオード３０の平面構造は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。１つのフォトダイオード３０が有する部分フォトダイオード３０Ｓの数は、７個以下でもよいし、９個以上でもよい。部分フォトダイオード３０Ｓの配置は、三角格子状に限定されず、例えば、マトリクス状に配置されていてもよい。また、光フィルタ７が有する複数のレンズ７８、第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２の配置も、部分フォトダイオード３０Ｓの構成に応じて適宜変更できる。

【0077】

図１０は、図９のＸ－Ｘ’断面図である。なお、図１０では、部分フォトダイオード３０Ｓ－１の断面構成とともに、検出素子３が有するトランジスタＭｒｓｔの断面構成を示している。

【0078】

基板２１は絶縁基板であり、例えば、石英、無アルカリガラス等のガラス基板、又はポリイミド等の樹脂基板が用いられる。ゲート電極６４は、基板２１の上に設けられる。絶縁膜２２、２３は、ゲート電極６４を覆って基板２１の上に設けられる。絶縁膜２２、２３及び絶縁膜２４、２５、２６は、無機絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）等である。

【0079】

半導体層６１は、絶縁膜２３の上に設けられる。半導体層６１は、例えば、ポリシリコンが用いられる。ただし、半導体層６１は、これに限定されず、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）等であってもよい。トランジスタＭｒｓｔは、ゲート電極６４が半導体層６１の下側に設けられたボトムゲート構造であるが、ゲート電極６４が半導体層６１の上側に設けられたトップゲート構造でもよく、ゲート電極６４が半導体層６１の上側及び下側に設けられたデュアルゲート構造でもよい。

【0080】

半導体層６１は、チャネル領域６１ａと、高濃度不純物領域６１ｂ、６１ｃと、低濃度不純物領域６１ｄ、６１ｅと、を含む。チャネル領域６１ａは、例えば、ノンドープの真性半導体又は低不純物領域であり、高濃度不純物領域６１ｂ、６１ｃ及び低濃度不純物領域６１ｄ、６１ｅよりも低い導電性を有する。チャネル領域６１ａは、ゲート電極６４と重なる領域に設けられる。

【0081】

絶縁膜２４、２５は、半導体層６１を覆って絶縁膜２３の上に設けられる。ソース電極６２及びドレイン電極６３は、絶縁膜２５の上に設けられる。ソース電極６２は、コンタクトホールＨ５を介して半導体層６１の高濃度不純物領域６１ｂと接続される。また、ドレイン電極６３は、コンタクトホールＨ３を介して、半導体層６１の高濃度不純物領域６１ｃに接続される。ソース電極６２及びドレイン電極６３は、例えば、チタンとアルミニウムとの積層構造であるＴｉＡｌＴｉ又はＴｉＡｌの積層膜で構成されている。

【0082】

ゲート線ＧＬｓｆは、ソースフォロワトランジスタＭｓｆのゲートに接続される配線である。ゲート線ＧＬｓｆは、ゲート電極６４と同層に設けられる。ドレイン電極６３（接続配線ＳＬｃｎ）は、絶縁膜２２から絶縁膜２５を貫通するコンタクトホールを介してゲート線ＧＬｓｆに接続される。

【0083】

次に、フォトダイオード３０の断面構成について説明する。図１０では、部分フォトダイオード３０Ｓ－１について説明するが、部分フォトダイオード３０Ｓ－１についての説明は、他の部分フォトダイオード３０Ｓ－２、・・・、３０Ｓ－８にも適用できる。図１０に示すように、下部導電層３５は、ゲート電極６４及びゲート線ＧＬｓｆと同層に基板２１の上に設けられる。絶縁膜２２及び絶縁膜２３は、下部導電層３５の上に設けられる。フォトダイオード３０は、絶縁膜２３の上に設けられ、下部導電層３５は、基板２１と、ｐ型半導体層３３との間に設けられる。下部導電層３５が、ゲート電極６４と同じ材料で形成されることで遮光層として機能し、下部導電層３５は、フォトダイオード３０への基板２１側からの光の侵入を抑制できる。

【0084】

第３方向Ｄｚで、ｉ型半導体層３１は、ｐ型半導体層３３とｎ型半導体層３２との間に設けられる。本実施形態では、絶縁膜２３の上に、ｐ型半導体層３３、ｉ型半導体層３１及びｎ型半導体層３２の順に積層されている。図９に示した実効的なセンサ領域３７は、ｉ型半導体層３１とｐ型半導体層３３とが接続された領域である。

【0085】

具体的には、ｐ型半導体層３３は、半導体層６１と同層に、絶縁膜２３の上に設けられる。絶縁膜２４、２５、及び、２６は、ｐ型半導体層３３を覆って設けられる。絶縁膜２４及び絶縁膜２５は、ｐ型半導体層３３と重なる位置にコンタクトホールＨ１３が設けられる。絶縁膜２６は、トランジスタＭｒｓｔを含む複数のトランジスタを覆って絶縁膜２５の上に設けられる。絶縁膜２６は、コンタクトホールＨ１３の内壁を構成する絶縁膜２４及び絶縁膜２５の側面を覆う。また、絶縁膜２６には、ｐ型半導体層３３と重なる位置にコンタクトホールＨ１４が設けられる。

【0086】

ｉ型半導体層３１は、絶縁膜２６の上に設けられ、絶縁膜２４から絶縁膜２６を貫通するコンタクトホールＨ１４を介してｐ型半導体層３３と接続される。ｎ型半導体層３２は、ｉ型半導体層３１の上に設けられる。

【0087】

絶縁膜２７は、フォトダイオード３０を覆って絶縁膜２６の上に設けられる。絶縁膜２７は、フォトダイオード３０及び絶縁膜２６に直接、接して設けられる。絶縁膜２７は、感光性アクリル等の有機材料からなる。絶縁膜２７は、絶縁膜２６よりも厚い。絶縁膜２７は、無機絶縁材料に比べ、段差のカバレッジ性が良好であり、ｉ型半導体層３１及びｎ型半導体層３２の側面を覆って設けられる。

【0088】

上部導電層３４は、絶縁膜２７の上に設けられる。上部導電層３４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電材料である。上部導電層３４は、絶縁膜２７の表面に倣って設けられ、絶縁膜２７に設けられたコンタクトホールＨ１を介してｎ型半導体層３２と接続される。また、上部導電層３４は、絶縁膜２７に設けられたコンタクトホールＨ２を介してトランジスタＭｒｓｔのドレイン電極６３及びゲート線ＧＬｓｆと電気的に接続される。

【0089】

絶縁膜２８は、上部導電層３４を覆って絶縁膜２７の上に設けられる。絶縁膜２８は、無機絶縁膜である。絶縁膜２８は、フォトダイオード３０への水分の侵入を抑制する保護層として設けられる。重畳導電層３６は、絶縁膜２８の上に設けられる。重畳導電層３６は、例えばＩＴＯ等の透光性を有する導電材料である。なお、重畳導電層３６は、なくてもよい。

【0090】

保護膜２９は、重畳導電層３６を覆って絶縁膜２８の上に設けられる。保護膜２９は、有機保護膜である。保護膜２９は、検出装置１の表面を平坦化するように形成される。

【0091】

本実施形態では、フォトダイオード３０のｐ型半導体層３３及び下部導電層３５が、各トランジスタと同層に設けられるので、フォトダイオード３０を各トランジスタと異なる層に形成した場合に比べて製造工程を簡略化できる。

【0092】

なお、図１０に示すフォトダイオード３０の断面構成は、あくまで一例である。これに限定されず、例えば、フォトダイオード３０は、各トランジスタと異なる層に設けられていてもよく、絶縁膜２６の上にｐ型半導体層３３、ｉ型半導体層３１及びｎ型半導体層３２の順に積層されて設けられてもよい。

【0093】

以上説明したように、本実施形態の検出装置１は、検出領域ＡＡを有する基板２１（アレイ基板２）と、検出領域ＡＡに設けられた複数のフォトダイオード３０と、複数のフォトダイオード３０を覆って設けられた第１透光性樹脂層７４と、第１透光性樹脂層７４の上に設けられ、複数のフォトダイオード３０のそれぞれに重畳する領域に第２開口ＯＰ２が設けられた第２遮光層７２と、第２遮光層７２を覆って設けられた第２透光性樹脂層７５と、第２透光性樹脂層７５の上に設けられ、複数のフォトダイオード３０のそれぞれに重畳して設けられた複数のレンズ７８と、を有する。基板２１（アレイ基板２）の周縁側で、第２透光性樹脂層７５は、第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅを覆って設けられる。

【0094】

これによれば、光フィルタ７は、アレイ基板２の周縁側で、少なくとも第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅと、第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅとの位置がずれるように第２遮光層７２、第１透光性樹脂層７４、第２透光性樹脂層７５が積層される。これにより、アレイ基板２の周縁側で、各端部７２ｅ、７５ｅが一致して各層が形成された場合に比べて、急峻な段差が形成されず、全体として、アレイ基板２の周縁側での段差形状がなだらかに形成される。

【0095】

すなわち、各端部７２ｅ、７５ｅが一致して各層が形成された場合に比べて、少なくとも第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅでの形状ばらつきが抑制される。この結果、第２遮光層７２及び複数のレンズ７８を塗布形成する際に、端部７５ｅの形状ばらつきに起因する、光学素子（第２遮光層７２（第２開口ＯＰ２）及び複数のレンズ７８）の形状の不均一が生じることを抑制することができる。

【0096】

図１１は、変形例４に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0097】

図１１に示すように、変形例４に係る検出装置１Ａ及び光フィルタ７Ａでは、第１遮光層７１の周縁側の端部、フィルタ層７３の周縁側の端部７３ｅ、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅが重なって形成される。第２透光性樹脂層７５は、第１遮光層７１の周縁側の端部、第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅ、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及びフィルタ層７３の周縁側の端部７３ｅを覆って設けられる。第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅは、アレイ基板２の上に接する。

【0098】

第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅには、段差７５ｓが形成される。段差７５ｓは、アレイ基板２の表面と、第１遮光層７１、フィルタ層７３、第１透光性樹脂層７４及び第２遮光層７２とで形成される段差が転写して形成される。

【0099】

アレイ基板２の周縁側で、各端部７２ｅ、７３ｅ、７４ｅ、７５ｅが一致して各層が形成された場合に比べて、アレイ基板２の周縁側で第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅの段差形状がなだらかに形成される。これにより、複数のレンズ７８を塗布形成する際に、端部７５ｅの形状ばらつきに起因する複数のレンズ７８の形状の不均一が生じることを抑制することができる。

【0100】

図１２は、変形例５に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。図１２に示すように、変形例５に係る検出装置１Ｂ及び光フィルタ７Ｂでは、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅは、傾斜して形成される。より詳細には、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅは、なだらかな曲線形状を有して形成される。

【0101】

第２遮光層７２は、第１透光性樹脂層７４の平坦な領域に設けられる。第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅは、フィルタ層７３の周縁側の端部７３ｅ及び第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅよりも検出領域ＡＡ側に位置する。

【0102】

第２透光性樹脂層７５は、フィルタ層７３の周縁側の端部７３ｅ、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２遮光層７２の周縁側の端部７２ｅを覆って設けられる。複数のレンズ７８は、第２透光性樹脂層７５の平坦な領域に設けられる。

【0103】

変形例５に係る第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅは、例えば、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いて形成することができる。あるいは、形状の異なる複数の透光性樹脂層を繰り返し塗布形成することで、端部７４ｅ、７５ｅを傾斜して形成することもできる。

【0104】

図１３は、変形例６に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。図１３に示すように、変形例６に係る検出装置１Ｃ及び光フィルタ７Ｃでは、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅには、それぞれ複数の段差７４ｓ、７５ｓが形成される。第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅは、それぞれ階段状に形成される。

【0105】

具体的には、第２透光性樹脂層７５の複数の段差７５ｓは、第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅから、少なくとも第１上面７５ａ、第１側面７５ｂ、第２上面７５ｃ及び第２側面７５ｄが繋がって形成される。段差７５ｓの高さ（例えば、第３方向Ｄｚでの第１上面７５ａと第２上面７５ｃとの距離）は、段差７５ｓの幅（例えば、第１方向Ｄｘでの第１側面７５ｂと第２側面７５ｄとの距離）よりも小さい。一例として、段差７５ｓの高さは５μｍ程度であり、段差７５ｓの幅は４０μｍ程度である。また、第２透光性樹脂層７５の複数の段差７５ｓについて説明したが、複数の段差７５ｓについての説明は、第１透光性樹脂層７４の複数の段差７４ｓにも適用できる。これにより、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅが、なだらかに形成される。

【0106】

変形例５（図１２）と同様に、第２遮光層７２は、第１透光性樹脂層７４の、段差７４ｓが形成されない平坦な領域に設けられる。また、複数のレンズ７８は、第２透光性樹脂層７５の段差７５ｓが形成されない平坦な領域に設けられる。

【0107】

変形例６に係る第１透光性樹脂層７４の複数の段差７４ｓ及び第２透光性樹脂層７５の複数の段差７５ｓは、例えば、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いて形成することができる。あるいは、形状の異なる複数の透光性樹脂層を繰り返し塗布形成することで、段差７４ｓ、７５ｓを形成することもできる。

【0108】

なお、図１３はあくまで模式的に示しており、各段差７４ｓ、７５ｓは、それぞれの上面がなだらかに傾斜してもよく、あるいは曲線状に形成されていてもよい。

【0109】

図１４は、変形例７に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。図１４に示すように、変形例７に係る検出装置１Ｄ及び光フィルタ７Ｄでは、複数のフォトダイオード３０と第１透光性樹脂層７４との間に設けられた保護膜２９（図５参照）が、検出領域ＡＡからアレイ基板２の周縁側の端部まで連続して形成される。アレイ基板２の周縁側で、保護膜２９の上に、第１遮光層７１、フィルタ層７３、第１透光性樹脂層７４、第２遮光層７２及び第２透光性樹脂層７５が積層される。第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅは、保護膜２９の上に設けられる。

【0110】

変形例７では、保護膜２９（有機保護膜）が設けられているので、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いて段差７４ｓ、７５ｓを形成する際に、現像液が第１透光性樹脂層７４及びフィルタ層７３の下に侵入することを抑制することができる。したがって、第１透光性樹脂層７４及びフィルタ層７３の剥離を抑制することができる。

【0111】

なお、変形例７では、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の端部７５ｅに、それぞれ複数の段差７４ｓ、７５ｓが形成される構成について説明した。ただし、これに限定されず、変形例７は、上述した実施形態及び変形例４、変形例５にも適用することができる。

【0112】

図１５は、変形例８に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。図１５に示すように、変形例８に係る検出装置１Ｅ及び光フィルタ７Ｅでは、上述した実施形態及び変形例４から変形例７に比べて、フィルタ層７３の厚さＴＨ４が厚く形成される。

【0113】

フィルタ層７３の厚さＴＨ４は、第２遮光層７２の厚さＴＨ５よりも厚く形成される。また、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１とフィルタ層７３の厚さＴＨ４との合計の厚さを確保するように、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１が薄く形成される。第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１とフィルタ層７３の厚さＴＨ４との合計の膜厚（ＴＨ１＋ＴＨ４）に対するフィルタ層７３の厚さＴＨ４の比率は、５０％以下程度である。

【0114】

変形例８では、フィルタ層７３の厚さＴＨ４を厚くすることで、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１とフィルタ層７３の厚さＴＨ４との合計の膜厚（すなわち、光フィルタ７Ｅの光学特性で規定される、第３方向Ｄｚでの第１遮光層７１と第２遮光層７２との距離）を確保しつつ、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１を薄くすることができる。したがって、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅの段差を小さくすることができる。このため、第１透光性樹脂層７４の上に形成される第２遮光層７２の第２開口ＯＰ２の形状安定性を向上させることができる。

【0115】

図１６は、変形例９に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す断面図である。図１６に示すように、変形例９に係る検出装置１Ｆ及び光フィルタ７Ｆでは、上述した実施形態及び変形例４から変形例８に比べて、第２遮光層７２の厚さＴＨ５が厚く形成される。

【0116】

第２遮光層７２の厚さＴＨ５は、フィルタ層７３の厚さＴＨ４よりも厚く形成される。また、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１と第２遮光層７２の厚さＴＨ５との合計の厚さを確保するように、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１が薄く形成される。第２遮光層７２の厚さＴＨ５を厚く形成した場合であっても、第２透光性樹脂層７５の厚さＴＨ２（すなわち第３方向Ｄｚでのレンズ７８と第２遮光層７２との距離）が確保される。

【0117】

第２遮光層７２の厚さＴＨ５を厚く形成した分、第１透光性樹脂層７４の厚さＴＨ１を薄くできるので、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅの段差を小さくすることができる。このため、第１透光性樹脂層７４の上に形成される第２遮光層７２の第２開口ＯＰ２の形状安定性を向上させることができる。また、第２遮光層７２の厚さＴＨ５が厚く形成されるので、第２遮光層７２の膜厚ばらつきを相対的に小さくすることができる。

【0118】

図１７は、変形例１０に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す平面図である。図１７に示すように、変形例１０に係る検出装置１Ｇ及び光フィルタ７Ｇでは、平面視で、第１透光性樹脂層７４の周縁側の隅部及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の隅部には、面取り部ＮＴが形成される。面取り部ＮＴは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差する斜め方向に延在し、第１方向Ｄｘに延びる端部７４ｅ、７５ｅと第２方向Ｄｙに延びる端部７４ｅ、７５ｅとを接続する。

【0119】

図１８は、変形例１１に係る、周辺領域の光フィルタを模式的に示す平面図である。図１８に示すように、変形例１１に係る検出装置１Ｈ及び光フィルタ７Ｈでは、平面視で、第１透光性樹脂層７４の周縁側の隅部及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の隅部には、面取り部ＲＣが形成される。面取り部ＲＣは、曲線状に形成され、第１方向Ｄｘに延びる端部７４ｅ、７５ｅと第２方向Ｄｙに延びる端部７４ｅ、７５ｅとをなめらかに接続する。

【0120】

変形例１０、１１では、第１方向Ｄｘに延びる端部７４ｅ、７５ｅと第２方向Ｄｙに延びる端部７４ｅ、７５ｅとが直角に接続されて隅部が形成された場合に比べて、面取り部ＮＴ、ＲＣを設けることにより、第１透光性樹脂層７４の周縁側の隅部及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の隅部での、段差の形状のばらつきを抑制することができる。

【0121】

なお、図１７、図１８では、第１透光性樹脂層７４の周縁側の隅部及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の隅部の両方に、面取り部ＮＴ又は面取り部ＲＣが形成される構成を示したがこれに限定されない。第１透光性樹脂層７４の周縁側の隅部及び第２透光性樹脂層７５の周縁側の隅部の少なくとも一方に面取り部ＮＴ又は面取り部ＲＣが形成されてもよい。また、第２遮光層７２及びフィルタ層７３にも面取り部ＮＴ又は面取り部ＲＣが形成されている。ただし、第２遮光層７２及びフィルタ層７３には面取り部ＮＴ又は面取り部ＲＣが形成されていなくてもよい。

【0122】

変形例１０又は変形例１１の構成は、上述した実施形態及び変形例１から変形例９の構成と組み合わせることができる。

【0123】

図１９は、変形例１２に係る、マザー基板を模式的に示す平面図である。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ’断面図である。図１９に示すように、マザー基板１０５は、複数のセンサ領域１０６を有する。複数のセンサ領域１０６は、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列される。複数のセンサ領域１０６は、分割ライン１０８、１０９に沿って個片に分割された場合に、それぞれ検出装置１（アレイ基板２）として形成される予定の領域である。つまり、マザー基板１０５は、基板２１から光フィルタ７及び突出部ＰＳ（図５参照）までの積層構造が形成され、複数のトランジスタ、各種配線及びフォトダイオード３０を含む。

【0124】

図２０に示すように、第１方向Ｄｘで隣り合う複数のセンサ領域１０６において、第１遮光層７１、第２遮光層７２及びフィルタ層７３は、センサ領域１０６ごとに設けられ、分割ライン１０８と重なる領域には形成されない。

【0125】

第１透光性樹脂層７４は、第１方向Ｄｘで隣り合う複数のセンサ領域１０６に亘って設けられ、分割ライン１０８と重なる領域に溝部７４ｇが形成される。第２透光性樹脂層７５は、複数のセンサ領域１０６ごとに設けられ、溝部７４ｇの内壁を覆う。第２透光性樹脂層７５は、少なくとも分割ライン１０８と重なる領域に形成されない。本変形例では、溝部７４ｇが設けられているので、分割ライン１０８でのマザー基板１０５の良好な切断性を確保することができる。また、分割ライン１０８で切断することで形成される、第１透光性樹脂層７４の周縁側の端部７４ｅ（例えば図１５参照）の段差を小さくすることができる。

【0126】

なお、図２０では、分割ライン１０８と交差する断面図（第２方向Ｄｙから見た断面図）を示したが、分割ライン１０９と交差する断面でも同様の構成である。すなわち、溝部７４ｇは、分割ライン１０８、１０９に沿って格子状に設けられる。

【0127】

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

【符号の説明】

【0128】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ 検出装置
２ アレイ基板
３ 検出素子
７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ、７Ｆ、７Ｇ、７Ｈ 光フィルタ
１０ センサ部
２１ 基板
２９ 保護膜
３０ フォトダイオード
３０Ｓ、３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３、３０Ｓ－４、３０Ｓ－５、３０Ｓ－６、３０Ｓ－７、３０Ｓ－８ 部分フォトダイオード
７１ 第１遮光層
７２ 第２遮光層
７３ フィルタ層
７４ 第１透光性樹脂層
７５ 第２透光性樹脂層
７８、７８－１、７８－２、７８－６、７８－８ レンズ
ＡＡ 検出領域
ＧＡ 周辺領域
ＯＰ１ 第１開口
ＯＰ２ 第２開口

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】