(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-01
(45)【発行日】2024-11-12
(54)【発明の名称】光走査装置及び画像形成装置
(51)【国際特許分類】
G02B 26/12 20060101AFI20241105BHJP
G02B 26/10 20060101ALI20241105BHJP
B41J 2/47 20060101ALI20241105BHJP
G03G 15/04 20060101ALI20241105BHJP
H04N 1/113 20060101ALI20241105BHJP
【ＦＩ】
G02B26/12
G02B26/10 E
B41J2/47 101D
G03G15/04 111
H04N1/113
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2021049648
(22)【出願日】2021-03-24
(65)【公開番号】P2021165834
(43)【公開日】2021-10-14
【審査請求日】2024-03-14
(31)【優先権主張番号】P 2020066473
(32)【優先日】2020-04-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000001007
【氏名又は名称】キヤノン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100101498
【弁理士】
【氏名又は名称】越智 隆夫
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100136799
【弁理士】
【氏名又は名称】本田 亜希
(72)【発明者】
【氏名】谷田部 透
【審査官】堀部 修平
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－９０６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－９０５９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平９－３３８４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－１５８４１５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１５６９７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１２／０１０５５７０（ＵＳ，Ａ１）
【文献】MIL-HDBK-141, MILITARY STANDARDIZATION HANDBOOK: OPTICAL DESIGN，2062年10月05日，8-15，http://everyspec.com/MIL-HDBK/MIL-HDBK-0099-0199/MIL-HDBK-141_24399/
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｂ ２６／１０ －２６／１２
Ｂ４１Ｊ ２／４７
Ｇ０３Ｇ １５／０４ －１５／０４３
Ｈ０４Ｎ １／１１３
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の光源からの光束を偏向して第１の被走査面を主走査方向に走査する第１の偏向器と、第１及び第２の結像光学素子を含み、前記第１の偏向器によって偏向された光束を前記第１の被走査面に導光する第１の結像光学系とを備え、
前記第１及び第２の結像光学素子の夫々の入射面及び出射面について、光軸との交点を原点、光軸に平行な軸をｘ軸、主走査断面内において光軸に垂直な軸をｙ軸、副走査断面内において光軸に垂直な軸をｚ軸、非球面係数をＭｍｎ、光軸を含む副走査断面内における曲率半径をｒ、変化係数をＥｉとし、前記第１及び第２の結像光学素子の夫々の入射面及び出射面の副走査断面内での形状を以下の式で表したとき、
【数1】
【数2】
前記第２の結像光学素子の入射面及び出射面において、Ｍ０１は互いに同符号であることを特徴とする光走査装置。
【請求項2】
前記第１の結像光学素子の入射面及び出射面の少なくとも一方と前記第２の結像光学素子の入射面とのそれぞれにおいて【数3】
Ｔ１×Ｔ２≧０
なる条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項3】
前記第１の結像光学素子の入射面及び出射面の少なくとも一方において、Ｍ０１は０であることを特徴とする請求項１または２に記載の光走査装置。
【請求項4】
前記第１の結像光学系からの光束を透過させる透過部材を備え、該透過部材の光学面の副走査断面内での光軸上における法線は、前記第２の結像光学素子の入射面及び出射面の副走査断面内での光軸上における法線と同一の方向に傾斜していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の光走査装置。
【請求項5】
副走査断面内において前記第１の偏向器の第１の偏向面に対して前記第１の光源からの光束を垂直入射させる第１の入射光学系を備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の光走査装置。
【請求項6】
副走査断面内において前記第１の偏向器の第２の偏向面に対して第２の光源からの光束を垂直入射させる第２の入射光学系と、前記第２の偏向面によって偏向された光束を第２の被走査面に導光する第２の結像光学系とを備え、
前記第１の偏向器は、前記第２の光源からの光束を偏向して前記第２の被走査面を主走査方向に走査することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の光走査装置。
【請求項7】
第３及び第４の光源からの光束を偏向して第３及び第４の被走査面を主走査方向に走査する第２の偏向器と、副走査断面内において前記第２の偏向器の第１及び第２の偏向面に対して前記第３及び第４の光源からの光束を垂直入射させる第３及び第４の入射光学系と、
前記第２の偏向器の前記第１及び第２の偏向面によって偏向された光束を前記第３及び第４の被走査面に導光する第３及び第４の結像光学系と、
を備えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の光走査装置。
【請求項8】
複数の発光点を含む前記第１の光源からの複数の光束の副走査方向における光束径を規制する副走査絞りを有し、前記第１の偏向器の第１の偏向面に対して前記複数の光束を入射させる第１の入射光学系を備え、前記第１の結像光学素子の入射面及び出射面において、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではなく、
前記第１の入射光学系の副走査断面内における横倍率をβｓ、前記第１の光源から前記副走査絞りまでの光軸上における距離をＬｓ、前記第１の偏向器の軸上偏向点から前記第１の被走査面までの距離をＴｃとしたとき、
Ｌｓ≦Ｔｃ／（βｓ）２
なる条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項9】
前記第１の結像光学素子は、前記第１の結像光学系の中で主走査断面内における正の屈折力が最も大きい光学面を有することを特徴とする請求項８に記載の光走査装置。
【請求項10】
前記第１の結像光学素子は、前記第１の結像光学系の中で副走査断面内における正の屈折力が最も小さい光学面を有することを特徴とする請求項８または９に記載の光走査装置。
【請求項11】
前記第１の入射光学系は、副走査断面内において前記第１の偏向器に対して前記複数の光束を斜入射させることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか一項に記載の光走査装置。
【請求項12】
前記第１の偏向器の前記第１の偏向面に対して複数の発光点を含む第２の光源からの複数の光束を斜入射させる第２の入射光学系と、前記第１の偏向面によって偏向された前記第２の光源からの複数の光束を第２の被走査面に導光する第２の結像光学系と、
を備え、
前記第１の偏向器は、前記第２の光源からの複数の光束を偏向して前記第２の被走査面を主走査方向に走査することを特徴とする請求項１１に記載の光走査装置。
【請求項13】
前記第２の結像光学系は、前記第１の結像光学素子を含むことを特徴とする請求項１２に記載の光走査装置。
【請求項14】
前記第１及び第２の光源からの複数の光束は、前記第１の結像光学素子の第１及び第２の入射面から入射した後、第１及び第２の出射面から出射し、前記第１及び第２の入射面それぞれにおいて
【数4】
Ｔｉ１×Ｔｉ２≦０
なる条件を満たすことを特徴とする請求項１３に記載の光走査装置。
【請求項15】
光軸に垂直な断面内において、前記第１の光源の複数の発光点の配列方向が主走査方向に対してなす角度をγａ、前記第２の光源の複数の発光点の配列方向が主走査方向に対してなす角度をγｂとしたとき、γａ／γｂ＜０
なる条件を満たすことを特徴とする請求項１２乃至１４の何れか一項に記載の光走査装置。
【請求項16】
請求項１乃至１５の何れか一項に記載の光走査装置と、該光走査装置により前記第１の被走査面に形成される静電潜像をトナー像として現像する現像器と、現像された前記トナー像を被転写材に転写する転写器と、転写された前記トナー像を前記被転写材に定着させる定着器とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項17】
請求項１乃至１６の何れか一項に記載の光走査装置と、外部機器から出力された信号を画像データに変換して前記光走査装置に入力するプリンタコントローラとを備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光走査装置に関し、レーザビームプリンタ（ＬＢＰ）やデジタル複写機、マルチファンクションプリンタ（ＭＦＰ）等の画像形成装置に好適なものである。
【背景技術】
【0002】
従来、光走査装置において結像光学素子の光学面によって反射された反射光が不要光（ゴースト）として被走査面に入射することで画質が低下してしまったり、反射光が不要光（戻り光）として偏向器を介して光源に戻ることで光源の出力が不安定化してしまったりすることが知られている。
特許文献１は、そのような不要光の発生を抑制するために、子線が光軸に対してチルトした光学面（子線チルト面）を有する結像光学素子を用いた光走査装置を開示している。
特許文献１は、そのような不要光の発生を抑制するために、子線が光軸に対してチルトした光学面（子線チルト面）を有する結像光学素子を用いた光走査装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００４－１５７２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１では、副走査断面内で偏向器に対して光束を斜入射させる構成（副走査斜入射系）において子線チルト面に起因して生じる走査線湾曲を補正するための非球面を設けている。
しかしながら、副走査断面内で偏向器に対して光束を垂直入射させる構成においては、特許文献１のように非球面を一面設けるだけでは、子線チルト面に起因する光学性能の低下を十分に補正することが難しい。
また、特許文献１に係る非球面の副走査断面における定義式は３次の非球面係数を含んでいるため、結像光学素子上における光線振れによる光学性能に対する敏感度が高くなってしまう。
そこで本発明は、不要光の発生を抑制しつつ、十分な光学性能を確保することができる光走査装置を提供することを目的とする。
しかしながら、副走査断面内で偏向器に対して光束を垂直入射させる構成においては、特許文献１のように非球面を一面設けるだけでは、子線チルト面に起因する光学性能の低下を十分に補正することが難しい。
また、特許文献１に係る非球面の副走査断面における定義式は３次の非球面係数を含んでいるため、結像光学素子上における光線振れによる光学性能に対する敏感度が高くなってしまう。
そこで本発明は、不要光の発生を抑制しつつ、十分な光学性能を確保することができる光走査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明に係る光走査装置は、第１の光源からの光束を偏向して第１の被走査面を主走査方向に走査する第１の偏向器と、第１及び第２の結像光学素子を含み、第１の偏向器によって偏向された光束を第１の被走査面に導光する第１の結像光学系とを備え、第１及び第２の結像光学素子の夫々の入射面及び出射面について、光軸との交点を原点、光軸に平行な軸をｘ軸、主走査断面内において光軸に垂直な軸をｙ軸、副走査断面内において光軸に垂直な軸をｚ軸、非球面係数をＭｍｎ、光軸を含む副走査断面内における曲率半径をｒ、変化係数をＥｉとし、第１及び第２の結像光学素子の夫々の入射面及び出射面の副走査断面内での形状を以下の式で表したとき、
第１の結像光学素子の入射面及び出射面の少なくとも一方と第２の結像光学素子の入射面及び出射面とにおいて、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではなく、
第２の結像光学素子の入射面及び出射面において、Ｍ０１は互いに同符号であることを特徴とする。
【数1】
【数2】
第２の結像光学素子の入射面及び出射面において、Ｍ０１は互いに同符号であることを特徴とする。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、不要光の発生を抑制しつつ、十分な光学性能を確保することができる光走査装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第一実施形態に係る光走査装置の主走査断面内展開図及び副走査断面図。
【図2】第一実施形態に係る光走査装置の結像光学素子による反射の様子を示した図。
【図3】従来の光走査装置及び第一実施形態に係る光走査装置における結像光学素子の副走査断面図。
【図4】従来の光走査装置における結像光学素子の光学面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示した図。
【図5】従来の光走査装置における各光学性能の像高依存性を示した図。
【図6】第一実施形態に係る光走査装置における結像光学素子の光学面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示した図。
【図7】第一実施形態に係る光走査装置における各光学性能の像高依存性を示した図。
【図8】第二実施形態に係る光走査装置の主走査断面内展開図、副走査断面図及び副走査断面内展開図。
【図9】第二実施形態に係る光走査装置における結像光学素子の光学面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示した図。
【図10】第二実施形態に係る光走査装置における各光学性能の像高依存性を示した図。
【図11】第三実施形態に係る光走査装置の主走査断面内展開図及び副走査断面内展開図。
【図12】第三実施形態に係る光走査装置における光源の発光点の配置を示した図。
【図13】従来の光走査装置において主走査ジッターが発生する様子を示した図。
【図14】第三実施形態に係る光走査装置及び比較例の光走査装置における主走査ジッター量の像高依存性を示した図。
【図15】第四実施形態に係る光走査装置の主走査断面内展開図、副走査断面内展開図及び副走査断面図。
【図16】第四実施形態に係る光走査装置における光源の発光点の配置を示した図。
【図17】第四実施形態に係る光走査装置における結像光学素子のレンズ形状を示した図。
【図18】第四実施形態に係る光走査装置における結像光学素子の光学面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示した図。
【図19】第四実施形態に係る光走査装置における主走査ジッター量の像高依存性を示した図。
【図20】実施形態に係るカラー画像形成装置の要部副走査断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本実施形態に係る光走査装置について図面に基づいて説明する。なお、以下に示す図面は、本実施形態を容易に理解できるようにするために、実際とは異なる縮尺で描かれている場合がある。
【0009】
従来、光走査装置はレーザービームプリンタ（ＬＢＰ）やデジタル複写機等に広く利用されている。
光走査装置では、画像信号に応じてレーザー等の光源から光変調されて出射した光束を、例えば回転多面鏡（ポリゴンミラー）よりなる偏向器によって周期的に偏向させている。
そして、偏向された光束を、ｆθ特性を有する結像光学系によって感光体（像担持体）の感光面（被走査面）上にスポット状に集光することで、感光面上を光走査して画像記録を行っている。
光走査装置では、画像信号に応じてレーザー等の光源から光変調されて出射した光束を、例えば回転多面鏡（ポリゴンミラー）よりなる偏向器によって周期的に偏向させている。
そして、偏向された光束を、ｆθ特性を有する結像光学系によって感光体（像担持体）の感光面（被走査面）上にスポット状に集光することで、感光面上を光走査して画像記録を行っている。
【0010】
そして、レーザービームプリンタ、デジタル複写機やマルチファンクションプリンタ等の画像形成装置では、小型化や高画質化が望まれている。
また、画像形成装置の高画質化を図る上で、光走査装置の結像光学系に設けられた結像光学素子の光学面からの反射光が画質を劣化させる一つの要因となり得ることも知られている。
また、画像形成装置の高画質化を図る上で、光走査装置の結像光学系に設けられた結像光学素子の光学面からの反射光が画質を劣化させる一つの要因となり得ることも知られている。
【0011】
具体的には、結像光学素子の光学面からの反射光が偏向器に再入射した後、光源に戻ることで光源の出力が不安定化する戻り光が発生する可能性がある。
また、結像光学系に設けられた結像光学素子の光学面からの反射光が偏向器に再入射した後、再度結像光学系に入射し、被走査面に到達するゴーストも発生する可能性がある。
さらに、結像光学系に設けられた結像光学素子の光学面からの反射光が対向側に配置された別の結像光学系の光路に侵入し、対向側の被走査面に到達するゴーストも発生する可能性がある。
さらに、小型化を図ると光学素子同士が近接して配置されるため、そのような戻り光やゴーストがより発生しやすくなる。
また、結像光学系に設けられた結像光学素子の光学面からの反射光が偏向器に再入射した後、再度結像光学系に入射し、被走査面に到達するゴーストも発生する可能性がある。
さらに、結像光学系に設けられた結像光学素子の光学面からの反射光が対向側に配置された別の結像光学系の光路に侵入し、対向側の被走査面に到達するゴーストも発生する可能性がある。
さらに、小型化を図ると光学素子同士が近接して配置されるため、そのような戻り光やゴーストがより発生しやすくなる。
【0012】
そこで、そのような戻り光やゴーストを低減するために、結像光学素子の光学面をチルトさせることで結像光学素子からの反射光の光路への侵入を抑制する構成が知られている。
しかしながら、そのように結像光学素子の光学面をチルトさせると、それに伴って光学性能が低下する可能性があり、その場合低下した光学性能を補正するための構成も必要となってくる。
本実施形態に係る光走査装置は、戻り光やゴーストの発生を抑制しつつ十分な光学性能を確保することで、高画質化を達成することができる光走査装置及びそれを用いた画像形成装置を得ることを目的としている。
しかしながら、そのように結像光学素子の光学面をチルトさせると、それに伴って光学性能が低下する可能性があり、その場合低下した光学性能を補正するための構成も必要となってくる。
本実施形態に係る光走査装置は、戻り光やゴーストの発生を抑制しつつ十分な光学性能を確保することで、高画質化を達成することができる光走査装置及びそれを用いた画像形成装置を得ることを目的としている。
【0013】
［第一実施形態］
図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第一実施形態に係る光走査装置１００の主走査断面内展開図及び結像光学系の副走査断面図を示している。
なお以下の説明において、主走査方向とは、偏向器（回転多面鏡）の回転軸及び結像光学系の光軸に垂直な方向（偏向器により被走査面が光走査される方向）であり、副走査方向とは、偏向器の回転軸に平行な方向である。
また主走査断面とは、副走査方向に垂直な断面（主走査方向及び結像光学系の光軸に平行な断面）であり、副走査断面とは、主走査方向に垂直な断面（副走査方向及び結像光学系の光軸に平行な断面）である。
図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第一実施形態に係る光走査装置１００の主走査断面内展開図及び結像光学系の副走査断面図を示している。
なお以下の説明において、主走査方向とは、偏向器（回転多面鏡）の回転軸及び結像光学系の光軸に垂直な方向（偏向器により被走査面が光走査される方向）であり、副走査方向とは、偏向器の回転軸に平行な方向である。
また主走査断面とは、副走査方向に垂直な断面（主走査方向及び結像光学系の光軸に平行な断面）であり、副走査断面とは、主走査方向に垂直な断面（副走査方向及び結像光学系の光軸に平行な断面）である。
【0014】
図１（ａ）及び（ｂ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００は、光源１ａ、１ｂ、１ｃ及び１ｄ（第１、第２、第３及び第４の光源）、アナモフィックレンズ２ａ、２ｂ、２ｃ及び２ｄ、及び副走査絞り３１ａ、３１ｂ、３１ｃ及び３１ｄを備えている。
また本実施形態に係る光走査装置１００は、主走査絞り３２ａ、３２ｂ、３２ｃ及び３２ｄ、偏向器４１及び４２、及び第１の結像光学素子７１ａ、７１ｂ、７１ｃ及び７１ｄを備えている。
また本実施形態に係る光走査装置１００は、第２の結像光学素子７２ａ、７２ｂ、７２ｃ及び７２ｄ、及び折り返しミラー７ａ、７ｂ、７ｃ及び７ｄを備えている。
また本実施形態に係る光走査装置１００は、主走査絞り３２ａ、３２ｂ、３２ｃ及び３２ｄ、偏向器４１及び４２、及び第１の結像光学素子７１ａ、７１ｂ、７１ｃ及び７１ｄを備えている。
また本実施形態に係る光走査装置１００は、第２の結像光学素子７２ａ、７２ｂ、７２ｃ及び７２ｄ、及び折り返しミラー７ａ、７ｂ、７ｃ及び７ｄを備えている。
【0015】
光源１ａ乃至１ｄは、例えば発光点を有する半導体レーザーである。
アナモフィックレンズ２ａ乃至２ｄは、主走査断面内と副走査断面内とで互いに異なる正のパワー（屈折力）を有する。そして、入射した光束を主走査断面内において略平行光束に変換すると共に、副走査方向に集光する。なおここで、略平行光束とは、弱発散光束、弱収束光束及び平行光束を含むものとする。
アナモフィックレンズ２ａ乃至２ｄは、主走査断面内と副走査断面内とで互いに異なる正のパワー（屈折力）を有する。そして、入射した光束を主走査断面内において略平行光束に変換すると共に、副走査方向に集光する。なおここで、略平行光束とは、弱発散光束、弱収束光束及び平行光束を含むものとする。
【0016】
副走査絞り３１ａ乃至３１ｄは、入射した光束の副走査方向における形状（副走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
主走査絞り３２ａ乃至３２ｄは、入射した光束の主走査方向における形状（主走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
従って、副走査絞り３１ａ乃至３１ｄ及び主走査絞り３２ａ乃至３２ｄによって入射した光束が所望の形状に形成される。
主走査絞り３２ａ乃至３２ｄは、入射した光束の主走査方向における形状（主走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
従って、副走査絞り３１ａ乃至３１ｄ及び主走査絞り３２ａ乃至３２ｄによって入射した光束が所望の形状に形成される。
【0017】
偏向器４１及び４２は、偏向手段としての回転多面鏡（ポリゴンミラー）であり、図中矢印Ａ方向に一定速度で回転している。なお、本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器４１及び４２は、各々独立に回転可能であるように副走査方向に整列して配置されている。
第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄは、例えば入射した光束を被走査面９ａ乃至９ｄに導光（集光）する結像レンズである。
折り返しミラー７ａ乃至７ｄは、入射した光束を被走査面９ａ乃至９ｄに向けて折り返す（反射する）。
第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄは、例えば入射した光束を被走査面９ａ乃至９ｄに導光（集光）する結像レンズである。
折り返しミラー７ａ乃至７ｄは、入射した光束を被走査面９ａ乃至９ｄに向けて折り返す（反射する）。
【0018】
本実施形態に係る光走査装置１００では、副走査絞り３１ａ、アナモフィックレンズ２ａ及び主走査絞り３２ａによって、第１の入射光学系７５ａが構成される。
また、副走査絞り３１ｂ、アナモフィックレンズ２ｂ及び主走査絞り３２ｂによって、第２の入射光学系７５ｂが構成される。
また、副走査絞り３１ｃ、アナモフィックレンズ２ｃ及び主走査絞り３２ｃによって、第３の入射光学系７５ｃが構成される。
また、副走査絞り３１ｄ、アナモフィックレンズ２ｄ及び主走査絞り３２ｄによって、第４の入射光学系７５ｄが構成される。
また、副走査絞り３１ｂ、アナモフィックレンズ２ｂ及び主走査絞り３２ｂによって、第２の入射光学系７５ｂが構成される。
また、副走査絞り３１ｃ、アナモフィックレンズ２ｃ及び主走査絞り３２ｃによって、第３の入射光学系７５ｃが構成される。
また、副走査絞り３１ｄ、アナモフィックレンズ２ｄ及び主走査絞り３２ｄによって、第４の入射光学系７５ｄが構成される。
【0019】
また、本実施形態に係る光走査装置１００では、第１の結像光学素子７１ａ及び第２の結像光学素子７２ａによって第１の結像光学系８５ａが構成され、第１の結像光学素子７１ｂ及び第２の結像光学素子７２ｂによって第２の結像光学系８５ｂが構成される。
また、第１の結像光学素子７１ｃ及び第２の結像光学素子７２ｃによって第３の結像光学系８５ｃが構成され、第１の結像光学素子７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ｄによって第４の結像光学系８５ｄが構成される。
また、第１の結像光学素子７１ｃ及び第２の結像光学素子７２ｃによって第３の結像光学系８５ｃが構成され、第１の結像光学素子７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ｄによって第４の結像光学系８５ｄが構成される。
【0020】
図１（ａ）及び（ｂ）に示されているように、光源１ａ乃至１ｄそれぞれから出射した光束Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄは、副走査絞り３１ａ乃至３１ｄによって副走査方向における形状が規制される。
そして、副走査絞り３１ａ乃至３１ｄを通過した光束Ｒａ乃至Ｒｄはそれぞれ、アナモフィックレンズ２ａ乃至２ｄによって主走査断面内において略平行光束に変換されると共に、副走査方向に集光される。
そして、副走査絞り３１ａ乃至３１ｄを通過した光束Ｒａ乃至Ｒｄはそれぞれ、アナモフィックレンズ２ａ乃至２ｄによって主走査断面内において略平行光束に変換されると共に、副走査方向に集光される。
【0021】
次に、アナモフィックレンズ２ａ乃至２ｄを通過した光束Ｒａ乃至Ｒｄはそれぞれ、主走査絞り３２ａ乃至３２ｄによって主走査方向における形状が規制される。
そして、主走査絞り３２ａ及び３２ｂを通過した光束Ｒａ及びＲｂはそれぞれ、偏向器４１（第１の偏向器）の第１の偏向面４１ａ及び第２の偏向面４１ｂに垂直に入射する。
また、主走査絞り３２ｃ及び３２ｄを通過した光束Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ、偏向器４２（第２の偏向器）の第１の偏向面４２ａ及び第２の偏向面４２ｂに垂直に入射する。
そして、主走査絞り３２ａ及び３２ｂを通過した光束Ｒａ及びＲｂはそれぞれ、偏向器４１（第１の偏向器）の第１の偏向面４１ａ及び第２の偏向面４１ｂに垂直に入射する。
また、主走査絞り３２ｃ及び３２ｄを通過した光束Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ、偏向器４２（第２の偏向器）の第１の偏向面４２ａ及び第２の偏向面４２ｂに垂直に入射する。
【0022】
すなわち、第１乃至第４の入射光学系７５ａ及び７５ｄはそれぞれ、その光軸が偏向器４１及び４２の回転軸に垂直な主走査断面に平行になるように配置されている。
そして、光源１ａ乃至１ｄから射出された光束Ｒａ乃至Ｒｄはそれぞれ、第１乃至第４の入射光学系７５ａ及び７５ｄを介して、主走査断面内において偏向器４１及び４２の偏向面（偏向反射面）４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂに入射する。
これにより、光束Ｒａ乃至Ｒｄはそれぞれ、副走査断面内においてのみ集光され、偏向面４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂ近傍において主走査方向に長い線像として結像される。
そして、光源１ａ乃至１ｄから射出された光束Ｒａ乃至Ｒｄはそれぞれ、第１乃至第４の入射光学系７５ａ及び７５ｄを介して、主走査断面内において偏向器４１及び４２の偏向面（偏向反射面）４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂに入射する。
これにより、光束Ｒａ乃至Ｒｄはそれぞれ、副走査断面内においてのみ集光され、偏向面４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂ近傍において主走査方向に長い線像として結像される。
【0023】
そして、偏向器４１の第１の偏向面４１ａによって反射偏向された光束Ｒａは、第１の結像光学素子７１ａ、折り返しミラー７ａ及び第２の結像光学素子７２ａを介して、被走査面９ａ（第１の被走査面）上に集光（光スポットとして結像）される。
また、偏向器４１の第２の偏向面４１ｂによって反射偏向された光束Ｒｂは、第１の結像光学素子７１ｂ、折り返しミラー７ｂ及び第２の結像光学素子７２ｂを介して、被走査面９ｂ（第２の被走査面）上に集光（光スポットとして結像）される。
また、偏向器４２の第１の偏向面４２ａによって反射偏向された光束Ｒｃは、第１の結像光学素子７１ｃ、折り返しミラー７ｃ及び第２の結像光学素子７２ｃを介して、被走査面９ｃ（第３の被走査面）上に集光（光スポットとして結像）される。
また、偏向器４２の第２の偏向面４２ｂによって反射偏向された光束Ｒｄは、第１の結像光学素子７１ｄ、折り返しミラー７ｄ及び第２の結像光学素子７２ｄを介して、被走査面９ｄ（第４の被走査面）上に集光（光スポットとして結像）される。
また、偏向器４１の第２の偏向面４１ｂによって反射偏向された光束Ｒｂは、第１の結像光学素子７１ｂ、折り返しミラー７ｂ及び第２の結像光学素子７２ｂを介して、被走査面９ｂ（第２の被走査面）上に集光（光スポットとして結像）される。
また、偏向器４２の第１の偏向面４２ａによって反射偏向された光束Ｒｃは、第１の結像光学素子７１ｃ、折り返しミラー７ｃ及び第２の結像光学素子７２ｃを介して、被走査面９ｃ（第３の被走査面）上に集光（光スポットとして結像）される。
また、偏向器４２の第２の偏向面４２ｂによって反射偏向された光束Ｒｄは、第１の結像光学素子７１ｄ、折り返しミラー７ｄ及び第２の結像光学素子７２ｄを介して、被走査面９ｄ（第４の被走査面）上に集光（光スポットとして結像）される。
【0024】
そして、偏向器４１及び４２が図中矢印Ａ方向に回転し、被走査面９ａ乃至９ｄ上を光スポットがそれぞれ矢印Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄ方向に走査することで静電潜像が形成される。
なお、被走査面９ａ乃至９ｄとしては、例えば感光ドラム面などが挙げられる。
なお、被走査面９ａ乃至９ｄとしては、例えば感光ドラム面などが挙げられる。
【0025】
なお、本実施形態に係る光走査装置１００において用いられているアナモフィックレンズ２ａ乃至２ｄの代わりに、入射した光束を略平行光束に変換するコリメータレンズと、副走査方向に集光するシリンダーレンズとを用いても構わない。
【0026】
次に、本実施形態に係る光走査装置１００の第１乃至第４の入射光学系７５ａ乃至７５ｄ及び第１乃至第４の結像光学系８５ａ乃至８５ｄの諸特性を以下の表１に示す。
なお表１において、「Ｅ±ｘ」は「１０±ｘ」を示しており、また特に表記していない係数については全て０である。
なお表１において、「Ｅ±ｘ」は「１０±ｘ」を示しており、また特に表記していない係数については全て０である。
【0027】
【表1】
【0028】
ここで、各レンズ面と光軸との交点（レンズ面頂点）を原点とし、光軸に平行な軸をｘ軸、主走査断面内において光軸に垂直な軸をｙ軸、副走査断面内において光軸に垂直な軸をｚ軸とする。
このとき、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の主走査断面内における非球面形状（母線形状）は、以下の式（１）で表される。
ここで、Ｒは曲率半径、ｋｙは離心率、Ｂｉ（ｉ＝１，２，３，・・・，１６）は非球面係数である。
このとき、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の主走査断面内における非球面形状（母線形状）は、以下の式（１）で表される。
【数3】
【0029】
また、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の副走査断面内における非球面形状（子線形状）は、以下の式（２）で表される。
ここで、Ｍｍｎ（ｍ＝０～１６及びｎ＝１～８）は非球面係数である。
【数4】
【0030】
また、副走査断面内における曲率半径ｒ’は、レンズ面のｙ座標に従って以下の式（３）で表されるように連続的に変化する。
【数5】
【0031】
ここで、ｒは光軸を含む副走査断面内における曲率半径、Ｅｉ（ｉ＝１～１６）は変化係数である。
【0032】
また、式（２）における以下の係数
は、ｎ次の子線における非球面係数と称することができる。
【数6】
【0033】
特に、１次の子線における非球面係数は、
と表され、これを副走査断面内におけるチルト角（子線チルト角）と称することができる。
また、光軸上ではｙ＝０であるため、光軸を含む副走査断面内におけるチルト角はＭ０１で表される。
【数7】
また、光軸上ではｙ＝０であるため、光軸を含む副走査断面内におけるチルト角はＭ０１で表される。
【0034】
表１に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００では、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄの出射面、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面、及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの出射面が、ｚの１次の非球面を有している。
すなわち、各光学面は、子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化する子線チルト変化面となっている。
換言すると、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄの出射面、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面、及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの出射面では、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではない。
すなわち、各光学面は、子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化する子線チルト変化面となっている。
換言すると、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄの出射面、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面、及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの出射面では、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではない。
【0035】
また表１に示されているように、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面においては、Ｍ０１が０ではない。
すなわち、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面は、光軸上においても子線チルト角を有する。
そのため、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面においては、形状定義の原点と面頂点（最も光軸方向に突出した点）とが互いに一致していない。
すなわち、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面は、光軸上においても子線チルト角を有する。
そのため、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面においては、形状定義の原点と面頂点（最も光軸方向に突出した点）とが互いに一致していない。
【0036】
また、本実施形態に係る光走査装置１００では、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄは互いに同一形状であり、第１の結像光学素子７１ｂ及び７１ｄはそれぞれ、第１の結像光学素子７１ａ及び７１ｃに対して副走査方向に反転して配置されている。
同様に、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄは互いに同一形状であり、第２の結像光学素子７２ｂ及び７２ｄはそれぞれ、第２の結像光学素子７２ａ及び７２ｃに対して副走査方向に反転して配置されている。
また、本実施形態に係る光走査装置１００では、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄは、プラスチックモールドレンズで形成されている。
同様に、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄは互いに同一形状であり、第２の結像光学素子７２ｂ及び７２ｄはそれぞれ、第２の結像光学素子７２ａ及び７２ｃに対して副走査方向に反転して配置されている。
また、本実施形態に係る光走査装置１００では、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄは、プラスチックモールドレンズで形成されている。
【0037】
次に、本実施形態に係る光走査装置１００における効果について説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）に示されているように、本実施形態の光走査装置１００では、第１及び第３の結像光学系８５ａ及び８５ｃと第２及び第４の結像光学系８５ｂ及び８５ｄとが、偏向器４１及び４２を挟んで互いに両側に配置されている。
そして、偏向器４１及び４２の互いに異なる偏向面４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂによって光束Ｒａ乃至Ｒｄが偏向されることで、複数の被走査面９ａ乃至９ｄが走査される。
図１（ａ）及び（ｂ）に示されているように、本実施形態の光走査装置１００では、第１及び第３の結像光学系８５ａ及び８５ｃと第２及び第４の結像光学系８５ｂ及び８５ｄとが、偏向器４１及び４２を挟んで互いに両側に配置されている。
そして、偏向器４１及び４２の互いに異なる偏向面４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂによって光束Ｒａ乃至Ｒｄが偏向されることで、複数の被走査面９ａ乃至９ｄが走査される。
【0038】
そのような両側走査系においては、一方の結像光学系に設けられた結像光学素子の光学面によって反射された反射光が、他方の結像光学系に入射してしまう可能性がある。
それにより、本来走査されるべきでない被走査面、すなわち一方の側に設けられた結像光学素子によって反射された反射光が他方の側における被走査面に到達してしまうゴーストが発生する。
それにより、本来走査されるべきでない被走査面、すなわち一方の側に設けられた結像光学素子によって反射された反射光が他方の側における被走査面に到達してしまうゴーストが発生する。
【0039】
さらに、結像光学素子の光学面によって反射された反射光が偏向器４１及び４２に再入射した後、光源に戻ることで、光源の出力が不安定になる戻り光も発生する可能性がある。
加えて、結像光学素子の光学面によって反射された反射光が偏向器４１及び４２に再入射した後に再び偏向され、その結像光学素子を介して被走査面へ到達するゴーストが発生する可能性がある。
従って、本実施形態に係る光走査装置１００において用いられているような両側走査系では、上記に示したようなゴーストや戻り光によって画像不良が引き起こされてしまう虞がある。
加えて、結像光学素子の光学面によって反射された反射光が偏向器４１及び４２に再入射した後に再び偏向され、その結像光学素子を介して被走査面へ到達するゴーストが発生する可能性がある。
従って、本実施形態に係る光走査装置１００において用いられているような両側走査系では、上記に示したようなゴーストや戻り光によって画像不良が引き起こされてしまう虞がある。
【0040】
そこで、本実施形態に係る光走査装置１００では、光学面からの反射光が特に問題となる第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄにおいて、各光学面（すなわち、入射面及び出射面）を光軸上において子線チルト角を有するように設計している。
これにより、図２（ａ）及び（ｂ）それぞれに示されているように、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面によって反射された反射光が、偏向器４１及び４２の副走査方向上方又は下方を通過するようになる。
従って、本実施形態に係る光走査装置１００では、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面によって反射された反射光が、偏向器４１及び４２や偏向器４１及び４２を挟んで他方の側に配置された結像光学系へ入射することを抑制することができる。
これにより、図２（ａ）及び（ｂ）それぞれに示されているように、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面によって反射された反射光が、偏向器４１及び４２の副走査方向上方又は下方を通過するようになる。
従って、本実施形態に係る光走査装置１００では、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面によって反射された反射光が、偏向器４１及び４２や偏向器４１及び４２を挟んで他方の側に配置された結像光学系へ入射することを抑制することができる。
【0041】
図３（ａ）は、斜入射系を用いた従来の光走査装置における第２の結像光学素子の副走査断面図を示している。
また図３（ｂ）は、垂直入射系を用いた本実施形態に係る光走査装置１００における第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの副走査断面図を示している。
また図３（ｂ）は、垂直入射系を用いた本実施形態に係る光走査装置１００における第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの副走査断面図を示している。
【0042】
図３（ａ）に示されているように、斜入射系を用いた従来の光走査装置における第２の結像光学素子は、入射面の子線チルト角Ｔ１ａと出射面の子線チルト角Ｔ２ａとが通常互いに異符号、もしくは互いの差が大きくなるように設計されている。これにより、走査線湾曲及び４５度アス（４５度方向の非点収差）を補正している。
【0043】
一方、垂直入射系を用いた本実施形態に係る光走査装置１００においてそのような構成を用いようとすると、光軸上におけるサジタルコマ収差が大きくなるため、光学性能の観点で好ましくない。
そこで本実施形態に係る光走査装置１００では、図３（ｂ）に示されているように、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄそれぞれの入射面及び出射面の光軸を含む副走査断面内におけるチルト角Ｔ１ｂ及びＴ２ｂを互いに同一の方向に設定している。
換言すると、本実施形態に係る光走査装置１００では、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄそれぞれの入射面及び出射面において、Ｍ０１は互いに同符号である。
そこで本実施形態に係る光走査装置１００では、図３（ｂ）に示されているように、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄそれぞれの入射面及び出射面の光軸を含む副走査断面内におけるチルト角Ｔ１ｂ及びＴ２ｂを互いに同一の方向に設定している。
換言すると、本実施形態に係る光走査装置１００では、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄそれぞれの入射面及び出射面において、Ｍ０１は互いに同符号である。
【0044】
図４（ａ）は、比較例の光走査装置における第１の結像光学素子の入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また図４（ｂ）は、比較例の光走査装置における第２の結像光学素子の入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また図４（ｂ）は、比較例の光走査装置における第２の結像光学素子の入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
【0045】
また、図５（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、比較例の光走査装置における光学性能である照射位置、サジタルコマ収差及び４５度アスの像高依存性を示している。
なお、比較例の光走査装置の諸特性は以下の表２に示されている。比較例の光走査装置では、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面のみが子線チルト変化面となるように子線チルト角を設定している。
なお、比較例の光走査装置の諸特性は以下の表２に示されている。比較例の光走査装置では、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面のみが子線チルト変化面となるように子線チルト角を設定している。
【0046】
【表2】
【0047】
図４（ｂ）に示されているように、比較例の光走査装置において、走査線湾曲及び４５度アスを補正するように第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面における子線チルト角を設定すると、最軸外像高近傍において両面の子線チルト角が大きくなる。
それにより、図５（ｂ）に示されているように、最軸外像高近傍においてサジタルコマ収差が悪化してしまう。
それにより、図５（ｂ）に示されているように、最軸外像高近傍においてサジタルコマ収差が悪化してしまう。
【0048】
図６（ａ）は、本実施形態に係る光走査装置１００における第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄの入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また図６（ｂ）は、本実施形態に係る光走査装置１００における第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また、図７（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、本実施形態に係る光走査装置１００における光学性能である照射位置、サジタルコマ収差及び４５度アスの像高依存性を示している。
また図６（ｂ）は、本実施形態に係る光走査装置１００における第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また、図７（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、本実施形態に係る光走査装置１００における光学性能である照射位置、サジタルコマ収差及び４５度アスの像高依存性を示している。
【0049】
図６（ａ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００では、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面に加えて、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄの出射面においても子線チルト変化面となるように子線チルト角を設定している。
また、図６（ａ）及び（ｂ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００では、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄの出射面の子線チルト角と第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面の子線チルト角とを互いに同一の方向に設定している。
また、図６（ａ）及び（ｂ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００では、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄの出射面の子線チルト角と第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面の子線チルト角とを互いに同一の方向に設定している。
【0050】
換言すると、本実施形態に係る光走査装置１００では、第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄの出射面の子線チルト角と第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面の子線チルト角とをそれぞれ、Ｔ１及びＴ２としたとき、各ｙ座標において以下の式（４）を満たしている。
【数8】
【0051】
これにより、本実施形態に係る光走査装置１００では、図７（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示されているように各光学性能、すなわち照射位置、サジタルコマ収差及び４５度アスを良好に補正することができる。
【0052】
従って、本実施形態に係る光走査装置１００では上記に示した構成を採ることにより、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄによって反射された反射光によるゴーストや戻り光の発生を抑制しつつ、光学性能を良好に補正することができる。
【0053】
以上のように、本実施形態に係る光走査装置１００によれば、ゴーストや戻り光の低減と光学性能の補正とを両立することができ、画像形成装置に用いた際に良好な画像を容易に形成することができる。
【0054】
［第二実施形態］
図８（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、第二実施形態に係る光走査装置２００の主走査断面内展開図、副走査断面図及び副走査断面内展開図を示している。
なお、第二実施形態に係る光走査装置２００は、防塵ガラス８ａ乃至８ｄが設けられていること以外は第一実施形態に係る光走査装置１００と同一の構成であるため、同一の部材には同一の付番を付して、説明を省略する。
図８（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、第二実施形態に係る光走査装置２００の主走査断面内展開図、副走査断面図及び副走査断面内展開図を示している。
なお、第二実施形態に係る光走査装置２００は、防塵ガラス８ａ乃至８ｄが設けられていること以外は第一実施形態に係る光走査装置１００と同一の構成であるため、同一の部材には同一の付番を付して、説明を省略する。
【0055】
本実施形態に係る光走査装置２００の第１乃至第４の入射光学系７５ａ乃至７５ｄ及び第１乃至第４の結像光学系８５ａ乃至８５ｄの諸特性が以下の表３に示されている。
なお、第二実施形態に係る光走査装置２００に設けられた第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の非球面形状は、第一実施形態に係る光走査装置１００と同様に、上記の式（１）乃至（３）によって表される。
なお、第二実施形態に係る光走査装置２００に設けられた第１の結像光学素子７１ａ乃至７１ｄ及び第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の非球面形状は、第一実施形態に係る光走査装置１００と同様に、上記の式（１）乃至（３）によって表される。
【0056】
【表3】
【0057】
図８（ａ）乃至（ｃ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置２００では、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄと被走査面９ａ乃至９ｄとの間にそれぞれ、塵やトナー等の進入を抑制するためのパワーを有さない防塵ガラス８ａ、８ｂ、８ｃ及び８ｄ（透過部材）が設けられている。
また表３に示されているように、防塵ガラス８ａ乃至８ｄはそれぞれ、第１乃至第４の結像光学系８５ａ乃至８５ｄの光軸に対して９．６度だけ傾斜して配置されている。
これにより、図８（ｃ）に示されているように、防塵ガラス８ａ乃至８ｄはそれぞれ、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの光軸上における子線チルトの方向と同一の方向に傾斜している。
換言すると、防塵ガラス８ａ乃至８ｄそれぞれの光学面の副走査断面内での光軸上における法線は、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の副走査断面内での光軸上における法線と同一の方向に傾斜している。
また表３に示されているように、防塵ガラス８ａ乃至８ｄはそれぞれ、第１乃至第４の結像光学系８５ａ乃至８５ｄの光軸に対して９．６度だけ傾斜して配置されている。
これにより、図８（ｃ）に示されているように、防塵ガラス８ａ乃至８ｄはそれぞれ、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの光軸上における子線チルトの方向と同一の方向に傾斜している。
換言すると、防塵ガラス８ａ乃至８ｄそれぞれの光学面の副走査断面内での光軸上における法線は、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の副走査断面内での光軸上における法線と同一の方向に傾斜している。
【0058】
図９（ａ）は、本実施形態に係る光走査装置２００における第１の結像光学素子の入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また図９（ｂ）は、本実施形態に係る光走査装置２００における第２の結像光学素子の入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また、図１０（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、本実施形態に係る光走査装置２００における光学性能である照射位置、サジタルコマ収差及び４５度アスの像高依存性を示している。
また図９（ｂ）は、本実施形態に係る光走査装置２００における第２の結像光学素子の入射面及び出射面の子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また、図１０（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、本実施形態に係る光走査装置２００における光学性能である照射位置、サジタルコマ収差及び４５度アスの像高依存性を示している。
【0059】
図９（ｂ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置２００における第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の最軸外像高近傍における子線チルト角は、第一実施形態に係る光走査装置１００と比べて低減できていることがわかる。
また、図１０（ａ）乃至（ｃ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置２００においても各光学性能、すなわち照射位置、サジタルコマ収差及び４５度アスを良好に補正することができている。
また、図１０（ａ）乃至（ｃ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置２００においても各光学性能、すなわち照射位置、サジタルコマ収差及び４５度アスを良好に補正することができている。
【0060】
上記のように、本実施形態に係る光走査装置２００では、防塵ガラス８ａ乃至８ｄを設けている。また、防塵ガラス８ａ乃至８ｄはそれぞれ、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの光軸上における子線チルトの方向と同一の方向に傾斜するように、光路に対して９．６度だけ傾斜して配置している。
これにより、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の最軸外像高近傍における子線チルト角を低減しつつ、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄによって反射された反射光によるゴーストや戻り光の発生を抑制すると共に、光学性能を良好に補正することができる。
これにより、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄの入射面及び出射面の最軸外像高近傍における子線チルト角を低減しつつ、第２の結像光学素子７２ａ乃至７２ｄによって反射された反射光によるゴーストや戻り光の発生を抑制すると共に、光学性能を良好に補正することができる。
【0061】
以上のように、本実施形態に係る光走査装置２００によれば、ゴーストや戻り光の低減と光学性能の補正とを両立することができ、画像形成装置に用いた際に良好な画像を容易に形成することができる。
【0062】
［第三実施形態］
結像光学素子の光学面が子線チルト変化面で形成されている第一及び第二実施形態のような光走査装置において、複数の発光点を有するマルチビーム光源を用いる場合を考える。
このとき、複数の発光点は互いに副走査方向に離間して配置されているため、複数の発光点から出射した各光束の主光線が結像光学素子に入射する位置は、副走査方向において互いに離間してしまう。
結像光学素子の光学面が子線チルト変化面で形成されている第一及び第二実施形態のような光走査装置において、複数の発光点を有するマルチビーム光源を用いる場合を考える。
このとき、複数の発光点は互いに副走査方向に離間して配置されているため、複数の発光点から出射した各光束の主光線が結像光学素子に入射する位置は、副走査方向において互いに離間してしまう。
【0063】
そのため、各光束に対する主走査断面内における倍率が互いに異なることとなる。それにより、導光される被走査面上の軸上像高における集光点と最軸外像高における集光点との間隔が各光束で互いに異なることとなり、主走査ジッターが発生する。
そこで以下では、そのような主走査ジッターを抑制することをできる光走査装置を提供することを目的としている。
そこで以下では、そのような主走査ジッターを抑制することをできる光走査装置を提供することを目的としている。
【0064】
図１１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、第三実施形態に係る光走査装置３００の主走査断面内展開図、入射光学系７５の副走査断面内展開図及び結像光学系８５の副走査断面内展開図を示している。
【0065】
図１１（ａ）乃至（ｃ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置３００は、光源１、アナモフィックレンズ２、副走査絞り３１、主走査絞り３２、偏向器６、第１の結像光学素子７１、第２の結像光学素子７２及び防塵ガラス８を備えている。
【0066】
光源１は、複数の発光点を有しており、例えば半導体レーザーを用いることができる。なお、本実施形態に係る光走査装置３００では、以下に示すように光源１は四つの発光点を有している。
アナモフィックレンズ２は、主走査断面内と副走査断面内とで互いに異なる正のパワー（屈折力）を有するレンズであり、入射した光束を主走査断面内において略平行光束に変換すると共に、副走査断面内において集光する。なおここで、略平行光束とは、弱発散光束、弱収束光束及び平行光束を含むものとする。
アナモフィックレンズ２は、主走査断面内と副走査断面内とで互いに異なる正のパワー（屈折力）を有するレンズであり、入射した光束を主走査断面内において略平行光束に変換すると共に、副走査断面内において集光する。なおここで、略平行光束とは、弱発散光束、弱収束光束及び平行光束を含むものとする。
【0067】
副走査絞り３１は、入射した光束の副走査方向における形状（副走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
主走査絞り３２は、入射した光束の主走査方向における形状（主走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
従って、副走査絞り３１及び主走査絞り３２によって入射した光束が所望の形状に形成される。
主走査絞り３２は、入射した光束の主走査方向における形状（主走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
従って、副走査絞り３１及び主走査絞り３２によって入射した光束が所望の形状に形成される。
【0068】
偏向器６は、偏向手段としての回転多面鏡（ポリゴンミラー）であり、図中矢印Ａ方向に一定速度で回転している。
第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２は、例えば入射した光束を被走査面９に導光（集光）する結像レンズである。
防塵ガラス８は、光走査装置３００への塵やトナー等の進入を抑制するためのパワーを有さない平板ガラスである。
第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２は、例えば入射した光束を被走査面９に導光（集光）する結像レンズである。
防塵ガラス８は、光走査装置３００への塵やトナー等の進入を抑制するためのパワーを有さない平板ガラスである。
【0069】
本実施形態に係る光走査装置３００では、副走査絞り３１、アナモフィックレンズ２及び主走査絞り３２によって、入射光学系７５が構成される。
また、本実施形態に係る光走査装置３００では、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２によって結像光学系８５が構成される。
また、本実施形態に係る光走査装置３００では、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２によって結像光学系８５が構成される。
【0070】
図１１（ａ）及び（ｂ）に示されているように、光源１から出射した光束Ｒは、副走査絞り３１によって副走査方向における形状が規制される。
そして、副走査絞り３１を通過した光束Ｒは、アナモフィックレンズ２によって主走査断面内において略平行光束に変換されると共に、副走査方向に集光される。
そして、副走査絞り３１を通過した光束Ｒは、アナモフィックレンズ２によって主走査断面内において略平行光束に変換されると共に、副走査方向に集光される。
【0071】
次に、アナモフィックレンズ２を通過した光束Ｒは、主走査絞り３２によって主走査方向における形状が規制される。
そして、主走査絞り３２を通過した光束Ｒは、偏向器６の偏向面（偏向反射面）６ａに垂直に入射する。
そして、主走査絞り３２を通過した光束Ｒは、偏向器６の偏向面（偏向反射面）６ａに垂直に入射する。
【0072】
すなわち、入射光学系７５は、その光軸が偏向器６の回転軸に垂直な主走査断面に平行になるように配置されている。
そして、光源１から射出された光束Ｒは、入射光学系７５を介して、主走査断面内において偏向器６の偏向面６ａに入射する。
これにより、光束Ｒは、副走査断面内においてのみ集光され、偏向面６ａ近傍において主走査方向に長い線像として結像される。
そして、光源１から射出された光束Ｒは、入射光学系７５を介して、主走査断面内において偏向器６の偏向面６ａに入射する。
これにより、光束Ｒは、副走査断面内においてのみ集光され、偏向面６ａ近傍において主走査方向に長い線像として結像される。
【0073】
そして、偏向器６の偏向面６ａによって反射偏向された光束Ｒは、第１の結像光学素子７１、第２の結像光学素子７２及び防塵ガラス８を介して、被走査面９上に集光（光スポットとして結像）される。
【0074】
そして、偏向器６が図中矢印Ａ方向に回転し、被走査面９上を光スポットが矢印Ｂ方向に走査することで静電潜像が形成される。
なお、被走査面９としては、例えば感光ドラム面などが挙げられる。
なお、被走査面９としては、例えば感光ドラム面などが挙げられる。
【0075】
なお、本実施形態に係る光走査装置３００において用いているアナモフィックレンズ２の代わりに、入射した光束を略平行光束に変換するコリメータレンズと、副走査方向に集光するシリンダーレンズとを用いても構わない。
また、本実施形態に係る光走査装置３００では、アナモフィックレンズ２、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２は、プラスチックモールドレンズで形成されている。
また、本実施形態に係る光走査装置３００では、結像光学系８５が二枚の結像光学素子で構成されているが、これに限らず、三枚以上の結像光学素子で構成しても同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態に係る光走査装置３００では、アナモフィックレンズ２、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２は、プラスチックモールドレンズで形成されている。
また、本実施形態に係る光走査装置３００では、結像光学系８５が二枚の結像光学素子で構成されているが、これに限らず、三枚以上の結像光学素子で構成しても同様の効果を得ることができる。
【0076】
図１２は、本実施形態に係る光走査装置３００の光源１における発光点ＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３及びＬＤ４の配置を示している。
【0077】
図１２に示されているように、発光点ＬＤ１乃至ＬＤ４の隣接する発光点同士は、主走査断面内及び副走査断面内それぞれにおいて互いに等間隔で離間して配置されている。
そして、発光点ＬＤ１乃至ＬＤ４は、主走査方向及び副走査方向を含む、光軸方向に垂直な断面内において、主走査方向に対して角度γをなす方向に沿って３０μｍ間隔で一次元配列されている。
そして、発光点ＬＤ１乃至ＬＤ４は、主走査方向及び副走査方向を含む、光軸方向に垂直な断面内において、主走査方向に対して角度γをなす方向に沿って３０μｍ間隔で一次元配列されている。
【0078】
ここで、本実施形態に係る光走査装置３００では、副走査方向の解像度や入射光学系７５及び結像光学系８５の製造誤差等に応じて、被走査面９上に結像される各光スポットの副走査方向における間隔が所望の大きさになるように、光軸回りの回転角度、すなわち角度γを変更することができる構成となっている。
【0079】
次に、本実施形態に係る光走査装置３００の入射光学系７５及び結像光学系８５の諸特性が以下の表４に示されている。
【0080】
【表4】
【0081】
本実施形態に係る光走査装置３００では、アナモフィックレンズ２の入射面に回折面を形成することで、環境変動によるスポット径の変動を抑制している。
ここで、アナモフィックレンズ２の入射面に形成されている回折面の位相係数は、以下の式（５）で表される。
ここで、アナモフィックレンズ２の入射面に形成されている回折面の位相係数は、以下の式（５）で表される。
【数9】
【0082】
ここで、ｍは回折次数、Ｃｉjは位相係数である。なお、本実施形態に係る光走査装置３００では、回折次数ｍが１、すなわち１次の回折光を用いることで、製造上有利に、具体的には昇温時における屈折率の変動と波長の変動とを互いに相殺させている。
【0083】
また、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面の非球面形状は、第一実施形態に係る光走査装置１００と同様に、上記の式（１）乃至（３）によって表される。
【0084】
また表４に示されているように、本実施形態に係る光走査装置３００では、第１の結像光学素子７１の入射面、第１の結像光学素子７１の出射面、第２の結像光学素子７２の入射面及び第２の結像光学素子７２の出射面が、ｚの１次の非球面を有している。
すなわち、各光学面は、子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化する子線チルト変化面となっている。
換言すると、第１の結像光学素子７１の入射面、第１の結像光学素子７１の出射面、第２の結像光学素子７２の入射面及び第２の結像光学素子７２の出射面では、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではない。
すなわち、各光学面は、子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化する子線チルト変化面となっている。
換言すると、第１の結像光学素子７１の入射面、第１の結像光学素子７１の出射面、第２の結像光学素子７２の入射面及び第２の結像光学素子７２の出射面では、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではない。
【0085】
また表４に示されているように、第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面においては、Ｍ０１が０ではない。
すなわち、第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面は、光軸上においても子線チルト角を有する。
そのため、第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面においては、形状定義の原点と面頂点（最も光軸方向に突出した点）とが互いに一致していない。
すなわち、第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面は、光軸上においても子線チルト角を有する。
そのため、第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面においては、形状定義の原点と面頂点（最も光軸方向に突出した点）とが互いに一致していない。
【0086】
次に、従来の光走査装置において主走査ジッターが発生する要因について説明する。
【0087】
図１３（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来の光走査装置における光源１から出射した複数の光束の軌跡を示した副走査断面内展開図及び主走査断面内展開図を示している。
なお、ここで示す従来の光走査装置は、諸特性が異なること以外は本実施形態に係る光走査装置３００と同一の構成であるため、同一の部材には同一の付番を付して、説明を省略する。
また、図１３（ａ）及び（ｂ）では、光源１の四つの発光点のうち互いに最も離間した発光点ＬＤ１及びＬＤ４それぞれから出射した光束Ｒ１及びＲ４の軌跡のみを示している。
なお、ここで示す従来の光走査装置は、諸特性が異なること以外は本実施形態に係る光走査装置３００と同一の構成であるため、同一の部材には同一の付番を付して、説明を省略する。
また、図１３（ａ）及び（ｂ）では、光源１の四つの発光点のうち互いに最も離間した発光点ＬＤ１及びＬＤ４それぞれから出射した光束Ｒ１及びＲ４の軌跡のみを示している。
【0088】
図１３（ａ）に示されているように、発光点ＬＤ１及びＬＤ４それぞれから出射した光束Ｒ１及びＲ４は、結像光学系８５に含まれる第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２それぞれにおいて互いに異なる高さを通過する。
このとき、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面はそれぞれ、副走査断面内における曲率半径ｒ’及び子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化している。
このとき、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面はそれぞれ、副走査断面内における曲率半径ｒ’及び子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化している。
【0089】
そのため、各光束が第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面に互いに異なる高さで入射すると、各光束に対する主走査断面内における倍率が互いに異なることとなる。
その結果、図１３（ｂ）に示されているように、被走査面９上の軸上像高における集光点（すなわち、光スポット）と最軸外像高における集光点との間隔が各光束で互いに異なることとなり、主走査ジッター量ΔＹが発生する。
その結果、図１３（ｂ）に示されているように、被走査面９上の軸上像高における集光点（すなわち、光スポット）と最軸外像高における集光点との間隔が各光束で互いに異なることとなり、主走査ジッター量ΔＹが発生する。
【0090】
そこで、本実施形態に係る光走査装置３００では、以下に示すような構成を採ることにより、主走査ジッター量ΔＹを低減している。
まず、入射光学系７５の副走査断面内における横倍率をβｓ、光源１から副走査絞り３１までの光軸上における距離をＬｓとする。
また、被走査面９上の軸上像高に到達する光束（以下、軸上光束と称する。）を偏向器６が偏向する際の偏向面６ａ上における偏向点Ｃ０（以下、軸上偏向点と称する。）から被走査面９までの距離をＴｃとする。
まず、入射光学系７５の副走査断面内における横倍率をβｓ、光源１から副走査絞り３１までの光軸上における距離をＬｓとする。
また、被走査面９上の軸上像高に到達する光束（以下、軸上光束と称する。）を偏向器６が偏向する際の偏向面６ａ上における偏向点Ｃ０（以下、軸上偏向点と称する。）から被走査面９までの距離をＴｃとする。
【0091】
このとき、本実施形態に係る光走査装置３００では、以下の式（６）を満たすように副走査絞り３１を配置する。これにより、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面に入射した際の各光束の副走査方向における離間量を低減することができる。
【数10】
【0092】
本実施形態に係る光走査装置３００では、βｓ＝２．２４、Ｌｓ＝１４．４、Ｔｃ＝１５３．８５であり、式（６）を満足していることがわかる。
【0093】
また、本実施形態に係る光走査装置３００では、偏向器６に最も近い第１の結像光学素子７１の入射面及び出射面は、子線チルト変化面となっている。
なおここで、「偏向器６に最も近い結像光学素子」とは、光学的に最も近い、すなわち偏向器６から被走査面９までの光路上において偏向器６に最も近い位置に配置された結像光学素子を意味している。
なおここで、「偏向器６に最も近い結像光学素子」とは、光学的に最も近い、すなわち偏向器６から被走査面９までの光路上において偏向器６に最も近い位置に配置された結像光学素子を意味している。
【0094】
また、第１の結像光学素子７１の出射面の主走査断面内における屈折力は、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２の入射面及び出射面のうち最も大きくなっており、第１の結像光学素子７１は主走査断面内における倍率の補正を行うのに適している。
本実施形態に係る光走査装置３００では、上述のような構成を採ることで、第２の結像光学素子７２上での各光束の副走査方向における入射位置の違いに応じて発生する主走査断面内の倍率ずれを低減することができる。
本実施形態に係る光走査装置３００では、上述のような構成を採ることで、第２の結像光学素子７２上での各光束の副走査方向における入射位置の違いに応じて発生する主走査断面内の倍率ずれを低減することができる。
【0095】
図１４は、本実施形態に係る光走査装置３００及び比較例の光走査装置それぞれにおける主走査ジッター量ΔＹの像高依存性を示している。
なお、比較例の光走査装置の諸特性は以下の表５に示されており、比較例の光走査装置では、第１の結像光学素子７１の出射面、第２の結像光学素子７２の入射面及び第２の結像光学素子７２の出射面のみが子線チルト変化面となっている。
なお、比較例の光走査装置の諸特性は以下の表５に示されており、比較例の光走査装置では、第１の結像光学素子７１の出射面、第２の結像光学素子７２の入射面及び第２の結像光学素子７２の出射面のみが子線チルト変化面となっている。
【0096】
【表5】
【0097】
図１４に示されているように、本実施形態に係る光走査装置３００では、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２上での各光束の副走査方向における入射位置の違いに応じて発生する主走査ジッター量ΔＹを低減できていることがわかる。
【0098】
以上のように、本実施形態に係る光走査装置３００では、ゴーストや戻り光の低減と主走査ジッターを含む光学性能の補正とを両立することができ、画像形成装置に用いた際に良好な画像を容易に形成することができる。
【0099】
［第四実施形態］
図１５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第四実施形態に係る光走査装置４００の主走査断面内展開図及び入射光学系の副走査断面内展開図を示している。
また、図１５（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ、第四実施形態に係る光走査装置４００の結像光学系の副走査断面内展開図及び副走査断面図を示している。
図１５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第四実施形態に係る光走査装置４００の主走査断面内展開図及び入射光学系の副走査断面内展開図を示している。
また、図１５（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ、第四実施形態に係る光走査装置４００の結像光学系の副走査断面内展開図及び副走査断面図を示している。
【0100】
図１５（ａ）乃至（ｄ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００は、光源１ａ及び１ｂ、コリメータレンズ３ａ及び３ｂ、シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂ、及び副走査絞り３１ａ及び３１ｂを備えている。
また、本実施形態に係る光走査装置４００は、主走査絞り３２ａ及び３２ｂ、偏向器６、第１の結像光学素子７１、第２の結像光学素子７２ａ及び７２ｂ、折り返しミラー８１ａ、８１ｂ及び８２ａ、及び防塵ガラス８ａ及び８ｂを備えている。
また、本実施形態に係る光走査装置４００は、主走査絞り３２ａ及び３２ｂ、偏向器６、第１の結像光学素子７１、第２の結像光学素子７２ａ及び７２ｂ、折り返しミラー８１ａ、８１ｂ及び８２ａ、及び防塵ガラス８ａ及び８ｂを備えている。
【0101】
光源１ａ及び１ｂは、複数の発光点を有しており、例えば半導体レーザーを用いることができる。なお、本実施形態に係る光走査装置４００では、以下に示すように光源１ａ及び１ｂはそれぞれ、四つの発光点を有している。
コリメータレンズ３ａ及び３ｂは、入射した光束を主走査断面内において略平行光束に変換する。なお、ここで、略平行光束とは、弱発散光束、弱収束光束及び平行光束を含むものとする。
シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂは、副走査断面内において有限のパワー（屈折力）を有しており、入射した光束を副走査断面内において集光する。
コリメータレンズ３ａ及び３ｂは、入射した光束を主走査断面内において略平行光束に変換する。なお、ここで、略平行光束とは、弱発散光束、弱収束光束及び平行光束を含むものとする。
シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂは、副走査断面内において有限のパワー（屈折力）を有しており、入射した光束を副走査断面内において集光する。
【0102】
副走査絞り３１ａ及び３１ｂは、入射した光束の副走査方向における形状（副走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
主走査絞り３２ａ及び３２ｂは、入射した光束の主走査方向における形状（主走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
主走査絞り３２ａ及び３２ｂは、入射した光束の主走査方向における形状（主走査方向における光束の幅、光束径）を規制する。
【0103】
偏向器６は、偏向手段としての回転多面鏡（ポリゴンミラー）であり、図中矢印Ａ方向に一定速度で回転している。
第１の結像光学素子７１ａ及び第２の結像光学素子７２ａは、例えば入射した光束を被走査面９ａに導光（集光）する結像レンズである。同様に、第１の結像光学素子７１ｂ及び第２の結像光学素子７２ｂは、例えば入射した光束を被走査面９ｂに導光（集光）する結像レンズである。
折り返しミラー８１ａ、８１ｂ及び８２ａは、入射した光束を被走査面９ａ及び９ｂに向けて折り返す（反射する）。
防塵ガラス８ａ及び８ｂは、光走査装置４００への塵やトナー等の進入を抑制するためのパワーを有さない平板ガラスである。
第１の結像光学素子７１ａ及び第２の結像光学素子７２ａは、例えば入射した光束を被走査面９ａに導光（集光）する結像レンズである。同様に、第１の結像光学素子７１ｂ及び第２の結像光学素子７２ｂは、例えば入射した光束を被走査面９ｂに導光（集光）する結像レンズである。
折り返しミラー８１ａ、８１ｂ及び８２ａは、入射した光束を被走査面９ａ及び９ｂに向けて折り返す（反射する）。
防塵ガラス８ａ及び８ｂは、光走査装置４００への塵やトナー等の進入を抑制するためのパワーを有さない平板ガラスである。
【0104】
本実施形態に係る光走査装置４００では、副走査絞り３１ａ、コリメータレンズ３ａ、シリンドリカルレンズ４ａ及び主走査絞り３２ａによって、第１の入射光学系７５ａが構成される。
また、副走査絞り３１ｂ、コリメータレンズ３ｂ、シリンドリカルレンズ４ｂ及び主走査絞り３２ｂによって、第２の入射光学系７５ｂが構成される。
また、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２ａによって第１の結像光学系８５ａが構成される。
また、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２ｂによって第２の結像光学系８５ｂが構成される。
また、副走査絞り３１ｂ、コリメータレンズ３ｂ、シリンドリカルレンズ４ｂ及び主走査絞り３２ｂによって、第２の入射光学系７５ｂが構成される。
また、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２ａによって第１の結像光学系８５ａが構成される。
また、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２ｂによって第２の結像光学系８５ｂが構成される。
【0105】
図１５（ａ）及び（ｂ）に示されているように、光源１ａ及び１ｂそれぞれから出射した光束Ｒａ及びＲｂは、副走査絞り３１ａ及び３１ｂによって副走査方向における形状が規制される。
そして、副走査絞り３１ａ及び３１ｂそれぞれを通過した光束Ｒａ及びＲｂは、コリメータレンズ３ａ及び３ｂによって主走査断面内において略平行光束に変換される。
そして、コリメータレンズ３ａ及び３ｂそれぞれを通過した光束Ｒａ及びＲｂは、シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂによって、副走査断面内において集光される。
そして、副走査絞り３１ａ及び３１ｂそれぞれを通過した光束Ｒａ及びＲｂは、コリメータレンズ３ａ及び３ｂによって主走査断面内において略平行光束に変換される。
そして、コリメータレンズ３ａ及び３ｂそれぞれを通過した光束Ｒａ及びＲｂは、シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂによって、副走査断面内において集光される。
【0106】
次に、シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂそれぞれを通過した光束Ｒａ及びＲｂは、主走査絞り３２ａ及び３２ｂによって主走査方向における形状が規制される。
そして、主走査絞り３２ａを通過した光束Ｒａは、偏向器６の偏向面（偏向反射面）６ａに副走査方向上側から斜入射し、主走査絞り３２ｂを通過した光束Ｒｂは、偏向器６の偏向面（偏向反射面）６ａに副走査方向下側から斜入射する。
そして、主走査絞り３２ａを通過した光束Ｒａは、偏向器６の偏向面（偏向反射面）６ａに副走査方向上側から斜入射し、主走査絞り３２ｂを通過した光束Ｒｂは、偏向器６の偏向面（偏向反射面）６ａに副走査方向下側から斜入射する。
【0107】
すなわち、本実施形態に係る光走査装置４００では、第１及び第２の入射光学系７５ａ及び７５ｂはそれぞれ、その光軸が副走査断面内において偏向器６の回転軸に垂直な主走査断面に対して角度をなすように配置されている。
そして、光源１ａ及び１ｂそれぞれから射出された光束Ｒａ及びＲｂは、第１及び第２の入射光学系７５ａ及び７５ｂを介して、副走査断面内において偏向器６の偏向面６ａに斜入射する。
これにより、光束Ｒａ及びＲｂはそれぞれ、副走査断面内においてのみ集光され、偏向面６ａ近傍において主走査方向に長い線像として結像される。
なお、本実施形態に係る光走査装置４００では、第１及び第２の入射光学系７５ａ及び７５ｂの光軸が副走査断面内において主走査断面に対してなす角度はそれぞれ、＋３．０°及び－３．０°となっている。
そして、光源１ａ及び１ｂそれぞれから射出された光束Ｒａ及びＲｂは、第１及び第２の入射光学系７５ａ及び７５ｂを介して、副走査断面内において偏向器６の偏向面６ａに斜入射する。
これにより、光束Ｒａ及びＲｂはそれぞれ、副走査断面内においてのみ集光され、偏向面６ａ近傍において主走査方向に長い線像として結像される。
なお、本実施形態に係る光走査装置４００では、第１及び第２の入射光学系７５ａ及び７５ｂの光軸が副走査断面内において主走査断面に対してなす角度はそれぞれ、＋３．０°及び－３．０°となっている。
【0108】
そして、偏向器６の偏向面６ａによって反射偏向された光束Ｒａは、第１の結像光学素子７１、折り返しミラー８１ａ及び８２ａ、第２の結像光学素子７２ａ及び防塵ガラス８ａを介して、被走査面９ａ上に集光（光スポットとして結像）される。
同様に、偏向器６の偏向面６ａによって反射偏向された光束Ｒｂは、第１の結像光学素子７１、第２の結像光学素子７２ｂ、折り返しミラー８１ｂ及び防塵ガラス８ｂを介して、被走査面９ｂ上に集光（光スポットとして結像）される。
同様に、偏向器６の偏向面６ａによって反射偏向された光束Ｒｂは、第１の結像光学素子７１、第２の結像光学素子７２ｂ、折り返しミラー８１ｂ及び防塵ガラス８ｂを介して、被走査面９ｂ上に集光（光スポットとして結像）される。
【0109】
そして、偏向器６が図中矢印Ａ方向に回転し、被走査面９ａ及び９ｂ上を光スポットが矢印Ｂ方向に走査することで静電潜像が形成される。
なお、被走査面９ａ及び９ｂとしては、例えば感光ドラム面などが挙げられる。
なお、被走査面９ａ及び９ｂとしては、例えば感光ドラム面などが挙げられる。
【0110】
図１６（ａ）は、本実施形態に係る光走査装置４００の光源１ａ（第１の光源）における発光点ＬＤ１ａ、ＬＤ２ａ、ＬＤ３ａ及びＬＤ４ａの配置を示している。
また、図１６（ｂ）は、本実施形態に係る光走査装置４００の光源１ｂ（第２の光源）における発光点ＬＤ１ｂ、ＬＤ２ｂ、ＬＤ３ｂ及びＬＤ４ｂの配置を示している。
また、図１６（ｂ）は、本実施形態に係る光走査装置４００の光源１ｂ（第２の光源）における発光点ＬＤ１ｂ、ＬＤ２ｂ、ＬＤ３ｂ及びＬＤ４ｂの配置を示している。
【0111】
図１６（ａ）に示されているように、発光点ＬＤ１ａ乃至ＬＤ４ａの隣接する発光点同士は、主走査断面内及び副走査断面内それぞれにおいて互いに等間隔で離間して配置されている。
同様に、図１６（ｂ）に示されているように、発光点ＬＤ１ｂ乃至ＬＤ４ｂの隣接する発光点同士は、主走査断面内及び副走査断面内それぞれにおいて互いに等間隔で離間して配置されている。
同様に、図１６（ｂ）に示されているように、発光点ＬＤ１ｂ乃至ＬＤ４ｂの隣接する発光点同士は、主走査断面内及び副走査断面内それぞれにおいて互いに等間隔で離間して配置されている。
【0112】
そして、発光点ＬＤ１ａ乃至ＬＤ４ａは、主走査方向及び副走査方向を含む、光軸方向に垂直な断面内において、主走査方向に対して角度γａをなす方向に沿って３０μｍ間隔で一次元配列されている。
また、発光点ＬＤ１ｂ乃至ＬＤ４ｂは、主走査方向及び副走査方向を含む、光軸方向に垂直な断面内において、主走査方向に対して角度γｂをなす方向に沿って３０μｍ間隔で一次元配列されている。
ここで、本実施形態に係る光走査装置４００では、角度γａ及びγｂは互いに異符号となる。
また、発光点ＬＤ１ｂ乃至ＬＤ４ｂは、主走査方向及び副走査方向を含む、光軸方向に垂直な断面内において、主走査方向に対して角度γｂをなす方向に沿って３０μｍ間隔で一次元配列されている。
ここで、本実施形態に係る光走査装置４００では、角度γａ及びγｂは互いに異符号となる。
【0113】
図１７は、本実施形態に係る光走査装置４００における第１の結像光学素子７１のレンズ形状を示している。
【0114】
図１７に示されているように、第１の結像光学素子７１の入射側には、光束Ｒｂが入射する第１の入射面７１１ｂと光束Ｒａが入射する第２の入射面７１１ａとが副走査方向に並んで配置されている。
また、第１の結像光学素子７１の出射側には、光束Ｒｂが出射する第１の出射面７１２ｂと光束Ｒａが出射する第２の出射面７１２ａとが副走査方向に並んで配置されている。
すなわち、本実施形態に係る光走査装置４００では、第１の結像光学素子７１は、光束Ｒａ及びＲｂがそれぞれ副走査方向下側及び上側を通過する多段レンズとして形成されている。
また、第１の結像光学素子７１の出射側には、光束Ｒｂが出射する第１の出射面７１２ｂと光束Ｒａが出射する第２の出射面７１２ａとが副走査方向に並んで配置されている。
すなわち、本実施形態に係る光走査装置４００では、第１の結像光学素子７１は、光束Ｒａ及びＲｂがそれぞれ副走査方向下側及び上側を通過する多段レンズとして形成されている。
【0115】
次に、本実施形態に係る光走査装置４００の第１及び第２の入射光学系７５ａ及び７５ｂと第１及び第２の結像光学系８５ａ及び８５ｂとの諸特性が以下の表６に示されている。
なお、特に表記していない係数については全て０である。
なお、特に表記していない係数については全て０である。
【0116】
【表6】
【0117】
本実施形態に係る光走査装置４００では、シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂそれぞれの出射面に回折面を形成することで、環境変動によるスポット径の変動を抑制している。
そして、シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂそれぞれの出射面に形成されている回折面の位相係数は、上記の式（５）で表される。
そして、シリンドリカルレンズ４ａ及び４ｂそれぞれの出射面に形成されている回折面の位相係数は、上記の式（５）で表される。
【0118】
また、第１の結像光学素子７１と第２の結像光学素子７２ａ及び７２ｂとの入射面及び出射面の非球面形状は、第一実施形態に係る光走査装置１００と同様に、上記の式（１）乃至（３）によって表される。
【0119】
また、本実施形態に係る光走査装置４００では、第三実施形態に係る光走査装置３００と同様に、主走査ジッター量ΔＹを低減するために、上記の式（６）を満たすように副走査絞り３１ａ及び３１ｂを配置している。
なお、本実施形態に係る光走査装置４００では、βｓ＝３．１、Ｌｓ＝９．９、Ｔｃ＝２４０であり、式（６）を満足していることがわかる。
これにより、第１の結像光学素子７１と第２の結像光学素子７２ａ及び７２ｂとの入射面及び出射面に入射した際の各光束の副走査方向における離間量を低減することができる。
なお、本実施形態に係る光走査装置４００では、βｓ＝３．１、Ｌｓ＝９．９、Ｔｃ＝２４０であり、式（６）を満足していることがわかる。
これにより、第１の結像光学素子７１と第２の結像光学素子７２ａ及び７２ｂとの入射面及び出射面に入射した際の各光束の副走査方向における離間量を低減することができる。
【0120】
また表６に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００では、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ、第１の出射面７１２ｂ、第２の入射面７１１ａ及び第２の出射面７１２ａが、ｚの１次の非球面を有している。
すなわち、各光学面は、子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化する子線チルト変化面となっている。
換言すると、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ、第１の出射面７１２ｂ、第２の入射面７１１ａ及び第２の出射面７１２ａでは、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではない。
すなわち、各光学面は、子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化する子線チルト変化面となっている。
換言すると、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ、第１の出射面７１２ｂ、第２の入射面７１１ａ及び第２の出射面７１２ａでは、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではない。
【0121】
同様に、第２の結像光学素子７２ａの入射面及び出射面、及び第２の結像光学素子７２ｂの入射面及び出射面が、ｚの１次の非球面を有している。
すなわち、各光学面は、子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化する子線チルト変化面となっている。
換言すると、第２の結像光学素子７２ａの入射面及び出射面、及び第２の結像光学素子７２ｂの入射面及び出射面では、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではない。
すなわち、各光学面は、子線チルト角が主走査方向の位置ｙに応じて変化する子線チルト変化面となっている。
換言すると、第２の結像光学素子７２ａの入射面及び出射面、及び第２の結像光学素子７２ｂの入射面及び出射面では、ｍが０ではないＭｍｎの少なくとも一つが０ではない。
【0122】
また表６に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００では、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ、第１の出射面７１２ｂ、第２の入射面７１１ａ及び第２の出射面７１２ａにおいては、Ｍ０１が０ではない。
すなわち、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ、第１の出射面７１２ｂ、第２の入射面７１１ａ及び第２の出射面７１２ａは、光軸上においても子線チルト角を有する。
そのため、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ、第１の出射面７１２ｂ、第２の入射面７１１ａ及び第２の出射面７１２ａにおいては、形状定義の原点と面頂点（最も光軸方向に突出した点）とが互いに一致していない。
すなわち、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ、第１の出射面７１２ｂ、第２の入射面７１１ａ及び第２の出射面７１２ａは、光軸上においても子線チルト角を有する。
そのため、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ、第１の出射面７１２ｂ、第２の入射面７１１ａ及び第２の出射面７１２ａにおいては、形状定義の原点と面頂点（最も光軸方向に突出した点）とが互いに一致していない。
【0123】
同様に、第２の結像光学素子７２ａの入射面及び出射面、及び第２の結像光学素子７２ｂの入射面及び出射面においては、Ｍ０１が０ではない。
すなわち、第２の結像光学素子７２ａの入射面及び出射面、及び第２の結像光学素子７２ｂの入射面及び出射面は、光軸上においても子線チルト角を有する。
そのため、第２の結像光学素子７２ａの入射面及び出射面、及び第２の結像光学素子７２ｂの入射面及び出射面においては、形状定義の原点と面頂点（最も光軸方向に突出した点）とが互いに一致していない。
すなわち、第２の結像光学素子７２ａの入射面及び出射面、及び第２の結像光学素子７２ｂの入射面及び出射面は、光軸上においても子線チルト角を有する。
そのため、第２の結像光学素子７２ａの入射面及び出射面、及び第２の結像光学素子７２ｂの入射面及び出射面においては、形状定義の原点と面頂点（最も光軸方向に突出した点）とが互いに一致していない。
【0124】
図１８（ａ）は、本実施形態に係る光走査装置４００における第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ及び第２の入射面７１１ａの子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また図１８（ｂ）は、本実施形態に係る光走査装置４００における第１の結像光学素子７１の第１の出射面７１２ｂ及び第２の出射面７１２ａの子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
また図１８（ｂ）は、本実施形態に係る光走査装置４００における第１の結像光学素子７１の第１の出射面７１２ｂ及び第２の出射面７１２ａの子線チルト角の主走査方向位置依存性を示している。
【0125】
図１８（ａ）に示されているように、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂ及び第２の入射面７１１ａそれぞれの形状は互いに異なっている。
また、図１８（ｂ）に示されているように、第１の結像光学素子７１の第１の出射面７１２ｂ及び第２の出射面７１２ａそれぞれの形状は互いに異なっている。
また、図１８（ｂ）に示されているように、第１の結像光学素子７１の第１の出射面７１２ｂ及び第２の出射面７１２ａそれぞれの形状は互いに異なっている。
【0126】
ここで、第１の結像光学素子７１の第１の入射面７１１ｂの子線チルト角をＴｉ１、第１の結像光学素子７１の第２の入射面７１１ａの子線チルト角をＴｉ２とする。
このとき、本実施形態に係る光走査装置４００は、主走査方向位置ｙの各々において以下の式（７）を満たしている。
このとき、本実施形態に係る光走査装置４００は、主走査方向位置ｙの各々において以下の式（７）を満たしている。
【数11】
【0127】
本実施形態に係る光走査装置４００は、式（７）を満たすことで、光束Ｒｂが折り返しミラー８１ａに入射しないように、折り返しミラー８１ａの位置における光束Ｒｂの折り返しミラー８１ａに対する副走査方向における離間量を十分に確保することができる。
これにより、本実施形態に係る光走査装置４００において光学素子の配置に伴う干渉を抑制することができる。
これにより、本実施形態に係る光走査装置４００において光学素子の配置に伴う干渉を抑制することができる。
【0128】
また、本実施形態に係る光走査装置４００では、光軸に垂直な断面内において光源１ａの発光点ＬＤ１ａ乃至ＬＤ４ａの配列方向及び光源１ｂの発光点ＬＤ１ｂ乃至ＬＤ４ｂの配列方向それぞれが主走査方向に対してなす角度γａ及びγｂが以下の式（８）を満たしている。
【数12】
【0129】
本実施形態に係る光走査装置４００は、式（８）を満たすことで、被走査面９ａ及び９ｂそれぞれで発生する主走査ジッター量ΔＹの間の差を低減することができる。
【0130】
図１９は、本実施形態に係る光走査装置４００における主走査ジッター量ΔＹの像高依存性を示している。
【0131】
図１９に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００においても、第１の結像光学素子７１及び第２の結像光学素子７２上での各光束の副走査方向における入射位置の違いに応じて発生する主走査ジッター量ΔＹを低減できていることがわかる。
【0132】
このように、本実施形態に係る光走査装置４００では、上記に示したような構成を採ることにより、主走査ジッターを低減することによって高画質化を達成することができる。
また、光学素子の配置に伴う干渉を抑制することによって、コンパクト化を達成することができる。
また、光学素子の配置に伴う干渉を抑制することによって、コンパクト化を達成することができる。
【0133】
以上のように、本実施形態に係る光走査装置４００によれば、斜入射系を用いた際にもゴーストや戻り光の低減と主走査ジッターを含む光学性能の補正とを両立することができ、画像形成装置に用いた際に良好な画像を容易に形成することができる。
【0134】
［画像形成装置］
図２０は、第一実施形態に係る光走査装置３１１を備えるカラー画像形成装置３６０の要部模式的断面図を示している。
図２０は、第一実施形態に係る光走査装置３１１を備えるカラー画像形成装置３６０の要部模式的断面図を示している。
【0135】
カラー画像形成装置３６０は、光走査装置３１１によって像担持体である感光ドラム面上に画像情報を記録するタンデムタイプのカラー画像形成装置である。
カラー画像形成装置３６０は、第一実施形態に係る光走査装置３１１、各々像担持体としての感光ドラム３４１、３４２、３４３及び３４４、現像器３２１、３２２、３２３及び３２４、搬送ベルト３５１、プリンタコントローラ３５３及び定着器３５４を備えている。
カラー画像形成装置３６０は、第一実施形態に係る光走査装置３１１、各々像担持体としての感光ドラム３４１、３４２、３４３及び３４４、現像器３２１、３２２、３２３及び３２４、搬送ベルト３５１、プリンタコントローラ３５３及び定着器３５４を備えている。
【0136】
カラー画像形成装置３６０には、パーソナルコンピューター等の外部機器３５２からＲ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）の各色信号が入力する。
そして、これらの色信号は、装置内のプリンタコントローラ３５３によって、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）、Ｋ（ブラック）の画像データ（ドットデータ）に変換される。
そして、これらの色信号は、装置内のプリンタコントローラ３５３によって、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）、Ｋ（ブラック）の画像データ（ドットデータ）に変換される。
【0137】
そして、取得された各画像データは光走査装置３１１に入力され、光走査装置３１１から各画像データに応じて変調された光ビーム３３１、３３２、３３３及び３３４が出射される。
そして、これらの光ビームによって感光ドラム３４１、３４２、３４３及び３４４それぞれの感光面が主走査方向に走査される。
そして、これらの光ビームによって感光ドラム３４１、３４２、３４３及び３４４それぞれの感光面が主走査方向に走査される。
【0138】
そして、光走査装置３１１により各々の画像データに基づいて射出された光ビーム３３１、３３２、３３３及び３３４によって各々対応する感光ドラム３４１、３４２、３４３及び３４４の感光面上に各色の潜像が形成される。
その後、各色の潜像が現像器３２１、３２２、３２３及び３２４によって各色トナー像に現像される。
そして、搬送ベルト３５１によって搬送される記録材（被転写材）に現像された各色トナー像が不図示の転写器によって多重転写され、転写されたトナー像が定着器３５４によって定着され、１枚のフルカラー画像が形成される。
その後、各色の潜像が現像器３２１、３２２、３２３及び３２４によって各色トナー像に現像される。
そして、搬送ベルト３５１によって搬送される記録材（被転写材）に現像された各色トナー像が不図示の転写器によって多重転写され、転写されたトナー像が定着器３５４によって定着され、１枚のフルカラー画像が形成される。
【0139】
本実施形態に係るカラー画像形成装置３６０は、光走査装置３１１によって各々がＣ、Ｍ、Ｙ、Ｋの各色に対応した感光ドラム３４１、３４２、３４３及び３４４の感光面上に、各々並行して画像信号（画像情報）を記録し、カラー画像を高速に印字するものである。
すなわち、本実施形態に係るカラー画像形成装置３６０は、上述の如く光走査装置３１１により各々の画像データに基づいた光ビームを用いて各色の潜像を各々対応する感光ドラム面上に形成している。その後、記録材に多重転写して１枚のフルカラー画像を形成している。
すなわち、本実施形態に係るカラー画像形成装置３６０は、上述の如く光走査装置３１１により各々の画像データに基づいた光ビームを用いて各色の潜像を各々対応する感光ドラム面上に形成している。その後、記録材に多重転写して１枚のフルカラー画像を形成している。
【0140】
なお、本実施形態に係るカラー画像形成装置３６０では、第一実施形態に係る光走査装置３１１の代わりに、第二実施形態に係る光走査装置を用いてもよく、四つの第三実施形態に係る光走査装置又は二つの第四実施形態に係る光走査装置を用いても構わない。
また、外部機器３５２としては、例えばＣＣＤセンサを備えたカラー画像読取装置を用いることができる。この場合には、このカラー画像読取装置とカラー画像形成装置３６０とで、カラーデジタル複写機が構成される。
また、外部機器３５２としては、例えばＣＣＤセンサを備えたカラー画像読取装置を用いることができる。この場合には、このカラー画像読取装置とカラー画像形成装置３６０とで、カラーデジタル複写機が構成される。
【0141】
以上、好ましい実施形態について説明したが、これらの実施形態に限定されず、要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【0142】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 光源（第１の光源）
４１、４２ 偏向器（第１の偏向器）
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ 被走査面（第１の被走査面）
７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ 第１の結像光学素子
７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ 第２の結像光学素子
８５ａ、８５ｂ、８５ｃ、８５ｄ 結像光学系（第１の結像光学系）
１００ 光走査装置
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ 光束
４１、４２ 偏向器（第１の偏向器）
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ 被走査面（第１の被走査面）
７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ 第１の結像光学素子
７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ 第２の結像光学素子
８５ａ、８５ｂ、８５ｃ、８５ｄ 結像光学系（第１の結像光学系）
１００ 光走査装置
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ 光束
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】