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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-01
(45)【発行日】2024-11-12
(54)【発明の名称】発光装置及び発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20241105BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2021072385
(22)【出願日】2021-04-22
(65)【公開番号】P2022166937
(43)【公開日】2022-11-04
【審査請求日】2024-03-05
(73)【特許権者】
【識別番号】000002303
【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001025
【氏名又は名称】弁理士法人レクスト国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】小田原 正樹
【審査官】村井 友和
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１２－１６９３２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－２１２３５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－０７３７３４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１８１９２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１７７１８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１０３５３０（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３３／４８－３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
長方形の１の長辺の一端の頂点を含む第１の領域及び他端の頂点を含む第２の領域を切り欠いた平面形状を有しかつ第１の主面から第２の主面までを貫通する第１の貫通孔及び第２の貫通孔を有する平板状の樹脂基板と、前記第１の貫通孔を充填する電極部分と、前記第２の主面側において前記電極部分から前記樹脂基板の前記第１の領域に面した側面を経て前記第１の主面まで延在しかつ前記第１の主面及び前記第２の主面において前記樹脂基板の前記長方形の他の長辺に沿った領域を露出する配線部分と、を有する金属からなる第１の配線電極と、
前記第２の貫通孔を充填する電極部分と、前記第２の主面側において前記電極部分から前記樹脂基板の前記第２の領域に面した側面を経て前記第１の主面まで延在しかつ前記第１の主面及び前記第２の主面において前記樹脂基板の前記長方形の他の長辺に沿った領域を露出する配線部分と、を有する金属からなる第２の配線電極と、
前記樹脂基板の前記第１の主面側において前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の前記電極部分に搭載された発光素子と、
前記樹脂基板の前記第１の主面を覆い、前記第１の主面上において前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々の前記配線部分を覆いかつ前記発光素子を囲む枠体を形成し、かつ前記樹脂基板の前記第２の主面の前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極から露出している領域を覆っている光反射性の樹脂体と、を備え、
前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極は、前記第１の主面上における厚みよりも前記第２の主面上における厚みの方が大きいことを特徴とする発光装置。
【請求項2】
前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々の前記第２の主面上における厚みは、前記樹脂基板の厚さ及び前記第１の主面上における厚みの合計厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々は、前記第２の主面において、各々の前記電極部分から、前記樹脂基板の前記長方形の１の長辺に沿った領域まで延在していることを特徴とする請求項１又は２に記記載の発光装置。
【請求項4】
前記樹脂体は、前記樹脂基板、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極よりも熱膨張係数が高いことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項5】
前記樹脂基板は、ガラス繊維を含むエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極は、銅からなり、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々の電極部分の前記樹脂基板から露出した各々の面には、ニッケル及び金が順に積層された金属層を有することを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々の前記配線部分は、前記樹脂基板の前記第１の主面上の当該第１の主面と平行な面がレジストを介して前記樹脂体で被覆されていることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項8】
発光装置の製造方法であって、第１の主面に格子状の分割ラインによって長方形の形状に画定された複数の素子載置領域を有する樹脂基板を準備する樹脂基板準備工程と、
第１の銅箔を前記樹脂基板の前記第１の主面上に貼り付けかつ、前記第１の銅箔よりも厚みの大きい第２の銅箔を前記樹脂基板の前記第１の主面の反対の第２の主面に貼り付ける銅箔貼り付け工程と、
前記長方形の１の長辺の一端の頂点を含む第１の領域及び他端の頂点を含む第２の領域を切り欠く切欠き部を形成しかつ、前記素子載置領域のうちの２の領域を前記第１の銅箔から前記第２の主面までを貫通させて第１の貫通孔及び第２の貫通孔を形成する基板形状形成工程と、
銅からなる金属層を、前記切欠き部、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔を充填するようにかつ前記第１の銅箔の上面及び前記第２の銅箔の下面を覆うように形成する銅めっき工程と、
前記第１の主面及び前記第２の主面において、前記第１の銅箔、前記第２の銅箔及び前記金属層を第１の配線電極及び第２の配線電極の形状にパターン形成する配線電極形成工程と、
光反射性の樹脂体を前記第１の主面上において前記複数の素子載置領域を夫々囲む枠体を形成し、かつ前記第２の主面の前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極から露出している領域を覆うように形成する樹脂体形成工程と、
発光素子を前記第１の主面側において前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々の上面上に載架する素子接合工程と、を含み、
前記配線電極形成工程において、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極を前記第２の主面の側において前記長方形の他の長辺に沿った領域を露出するように形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項9】
前記樹脂体形成工程で形成した前記樹脂体によって形成された前記枠体により画定されかつ夫々が前記発光素子を収容するキャビティ内に封止樹脂を充填して、前記素子接合工程で設けた前記発光素子を覆う封止樹脂充填工程と、
前記封止樹脂充填工程の後、前記分割ラインに沿ってダイシングを行い複数の発光装置の各々を個片化するダイシング工程と、を含むことを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）等の発光素子を光源として用いた小型の発光装置として、平板状の搭載基板と、当該搭載基板上に配された発光素子と、当該発光素子を覆うように配された封止樹脂からなる発光装置が知られている。
【0003】
また、上記の発光装置の一方の側面に外部電極が形成され、当該一方の側面を実装面とした側面発光型（以下、サイドビュー型とも称する）の発光装置が知られている。
【0004】
例えば、特許文献１には、ガラスエポキシ系絶縁基材、金属薄板及び銅箔からなる長方形の上面形状を有する平板状の製造用基板上に発光ダイオード素子を配し、また、当該製造用基板上に透光性樹脂からなる封止樹脂部で発光ダイオード素子を覆うように形成された側面発光型の表面実装型発光ダイオードが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００３－１８８４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献１に開示された側面発光型の表面実装型発光ダイオードにおいては、製造用基板と封止樹脂部との熱膨張率係数の差により、発光素子の実装基板への実装時のはんだ接合による高温時と常温時との間で製造用基板の反り量が変化する場合がある。この製造用基板の反り量の変化により、はんだのクラック又は搭載した発光ダイオード素子のクラック等の問題が発生する可能性がある。
【0007】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、製造時における加熱処理等における高温時及び常温時の間で搭載基板の反り量の変化を低減させることで製造歩留まりを向上させることが可能な発光装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係る発光装置は、長方形の１の長辺の一端の頂点を含む第１の領域及び他端の頂点を含む第２の領域を切り欠いた平面形状を有しかつ第１の主面から第２の主面までを貫通する第１の貫通孔及び第２の貫通孔を有する平板状の樹脂基板と、前記第１の貫通孔を充填する電極部分と、前記第２の主面側において前記電極部分から前記樹脂基板の前記第１の領域に面した側面を経て前記第１の主面まで延在しかつ前記第１の主面及び前記第２の主面において前記樹脂基板の前記長方形の他の長辺に沿った領域を露出する配線部分と、を有する金属からなる第１の配線電極と、前記第２の貫通孔を充填する電極部分と、前記第２の主面側において前記電極部分から前記樹脂基板の前記第２の領域に面した側面を経て前記第１の主面まで延在しかつ前記第１の主面及び前記第２の主面において前記樹脂基板の前記長方形の他の長辺に沿った領域を露出する配線部分と、を有する金属から第２の配線電極と、前記樹脂基板の前記第１の主面側において前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の前記電極部分に搭載された発光素子と、前記樹脂基板の前記第１の主面を覆い、前記第１の主面上において前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々の前記配線部分を覆いかつ前記発光素子を囲む枠体を形成し、かつ前記樹脂基板の前記第２の主面の前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極から露出している領域を覆っている光反射性の樹脂体と、を備え、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極は、前記第１の主面上における厚みよりも前記第２の主面上における厚みの方が大きいことを特徴としている。
【0009】
また、本発明に係る発光装置の製造方法は、第１の主面に格子状の分割ラインによって長方形の形状に画定された複数の素子載置領域を有する樹脂基板を準備する樹脂基板準備工程と、第１の銅箔を前記樹脂基板の前記第１の主面上に貼り付けかつ、前記第１の銅箔よりも厚みの大きい第２の銅箔を前記樹脂基板の前記第１の主面の反対の第２の主面に貼り付ける銅箔貼り付け工程と、前記長方形の１の長辺の一端の頂点を含む第１の領域及び他端の頂点を含む第２の領域を切り欠く切欠き部を形成しかつ、前記素子載置領域のうちの２の領域を前記第１の銅箔から前記第２の主面までを貫通させて第１の貫通孔及び第２の貫通孔を形成する基板形状形成工程と、銅からなる金属層を、前記切欠き部、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔を充填するようにかつ前記第１の銅箔の上面及び前記第２の銅箔の下面を覆うように形成する銅めっき工程と、前記第１の主面及び前記第２の主面において、前記第１の銅箔、前記第２の銅箔及び前記金属層を第１の配線電極及び第２の配線電極の形状にパターン形成する配線電極形成工程と、光反射性の樹脂体を前記第１の主面上において前記素子載置領域を囲む枠体を形成し、かつ前記第２の主面の前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極から露出している領域を覆うように形成する樹脂体形成工程と、発光素子を前記第１の主面側において前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々の上面上に載架する素子接合工程と、を含むことを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施例に係る発光装置の斜視図である。
【図2】本発明の実施例に係る発光装置の樹脂基板の斜視図である。
【図3】本発明の実施例に係る発光装置の樹脂基板及び配線電極の斜視図である。
【図4】本発明の実施例に係る発光装置の樹脂基板及び配線電極の上面図である。
【図5】本発明の実施例に係る発光装置の上面図である。
【図6】本発明の実施例に係る発光装置の断面図である。
【図7】本発明の実施例に係る発光装置の断面図である。
【図8】本発明の実施例に係る発光装置の製造フローを示す図である。
【図9】本発明の実施例に係る発光装置の製造フローを示す図である。
【図10】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図11】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図12】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図13】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける上面図である。
【図14】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図15】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図16】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける上面図である。
【図17】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける上面図である。
【図18】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける上面図である。
【図19】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図20】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図21】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図22】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図23】本発明の変形例に係る発光装置の上面図である。
【図24】本発明の変形例に係る樹脂基板及び配線電極の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例】
【0011】
図１～図７を用いて、本発明の実施例について詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。尚、以下の説明において、「材料１／材料２」との記載は、材料１の上に材料２が積層された積層構造を示す。また、「材料１－材料２」との記載は、材料１及び２による合金を示す。
【0012】
図１は、発光装置１００の斜視図を示している。また、図２は、樹脂基板１０の斜視図を示している。また、図３は、樹脂基板１０、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の斜視図を示している。また、図４は、樹脂基板１０、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の上面図を示している。また、図５は、発光装置１００の上面図を示している。また、図６は、図５の発光装置１００のＡ－Ａ線における断面図を示している。また、図７は、図５の発光装置１００のＢ－Ｂ線における断面図を示している。
【0013】
発光装置１００は、樹脂基板１０と、樹脂基板１０に形成された第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０と、樹脂基板１０上にキャビティを有するように形成された樹脂体５０と、樹脂基板１０上に配された発光素子６０と、発光素子６０を覆うように樹脂体５０のキャビティ内に充填された封止樹脂７０と、を有する。なお、図５においては、樹脂体５０のキャビティ内の構造を示すために封止樹脂７０の図示を省略している。
【0014】
樹脂基板１０は、例えば、絶縁性を有する基材からなる第１の主面としての上面１０Ｓ１及び第２の主面としての下面１０Ｓ２を有する平板形状の基板である。樹脂基板１０は、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂をしみ込ませ熱硬化処理を施したガラスエポキシからなる板状の絶縁性基板である。
【0015】
また、樹脂基板１０は、図２に示すように、互いに離間しかつ上面１０Ｓ１から下面１０Ｓ２までを貫通する第１の貫通孔１１及び第２の貫通孔１２を有する。
【0016】
また、樹脂基板１０は、図２に示すように、長方形１０Ｒの上面形状から一方の長辺である第１の長辺１０Ｅの一端の頂点を含む第１の領域ＮＴ１が切り欠かれた切欠き部１３を有する。また、また、樹脂基板１０は、図２に示すように、長方形１０Ｒの上面形状から第１の長辺１０Ｅの他端の頂点を含む第２の領域ＮＴ２が切り欠かれた切欠き部１４を有する。
【0017】
言い換えれば、発光装置１００は、長方形１０Ｒの１の長辺である第１の長辺１０Ｅの一端の頂点を含む第１の領域ＮＴ１及び他端の頂点を含む第２の領域ＮＴ２を切り欠いた切欠き部１３及び１４が形成された平面形状を有しかつ上面１０Ｓ１から下面１０Ｓ２までを貫通する第１の貫通孔１１及び第２の貫通孔１２を有する平板状の樹脂基板１０を有する。
【0018】
樹脂基板１０は、第１の長辺１０Ｅの両端部に切欠き部１３、１４を有するが、第１の長辺１０Ｅと対向する第２の長辺の端部には切欠き部は形成されておらず、第２の長辺の端部は、隣接する短辺と共に直角に形成されている。
【0019】
また、樹脂基板１０は、長方形１０Ｒの短辺の各々において、当該短辺の側面及び切欠き部１３並びに１４の各々と接するように上面１０Ｓ１から下面１０Ｓ２までを貫通する半円又は半長円状の第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６を有する。なお、図４において、二点鎖線で画定された領域は、樹脂基板１０に貫通孔が形成された領域及び切り欠かれた領域を示している。すなわち、二点鎖線で画定された領域がそれぞれ第１の貫通孔１１、第２の貫通孔１２、切欠き部１３及び切欠き部１４の各々の端部、すなわち、樹脂基板１０の端部を示している。
【0020】
樹脂基板１０は、互いに離間して形成された一対の配線電極である第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０を有する。また、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々は、樹脂基板１０の第１の貫通孔１１及び第２の貫通孔１２を充填する電極部分としての第１の電極部２１及び第２の電極部３１を有する。また、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々は、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２側において、第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の部分から切欠き部１３及び１４の各々の側面を経て上面１０Ｓ１まで延在する配線部分としての第１の配線部２２及び第２の配線部３２を有する。
【0021】
言い換えれば、発光装置１００は、第１の貫通孔１１を充填する第１の電極部２１と、下面１０Ｓ２側において第１の電極部２１から樹脂基板１０の切欠き部１３に面した側面を経て上面１０Ｓ１まで延在する配線部分である第１の配線部２２と、を有する金属からなる第１の配線電極２０を有する。また、発光装置１００は、第２の貫通孔１２を充填する第２の電極部３１と、下面１０Ｓ２側において第２の電極部３１から樹脂基板１０の切欠き部１４に面した側面を経て上面１０Ｓ１まで延在する第２の配線部３２と、を有する金属から第２の配線電極３０を有する。また、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０は、銅からなる。
【0022】
なお、図４において、第１の貫通孔１１及び第２の貫通孔１２の各々を囲むように実線で画定された領域は、それぞれ樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の側に形成された第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の上面視における端部を示している。また、図４において、一点鎖線にて示された第１の配線部２２及び第２の配線部３２は、それぞれ樹脂基板１０の下面１０Ｓ２の側に形成された第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々の上面視における端部を示している。また、図４において、破線にて示された第１の配線部２２及び第２の配線部３２は、それぞれ樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の側に形成された第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々の上面視における端部を示している。
【0023】
第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々は、例えば、銅からなる金属電極である。第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々は、例えば、後述の製造方法によって、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１及び下面１０Ｓ２に形成された銅箔と、当該銅箔の露出面にめっきによって形成された銅からなる。
【0024】
第１の電極部２１は、図３、図４及び図６に示すように、樹脂基板１０の第１の貫通孔１１を充填するように形成されている。また、第２の電極部３１は、樹脂基板１０の第２の貫通孔１２を充填するように形成されている。また、第１の電極部２１及び第２の電極部３１は、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１よりも上方に突出するように形成されている。また、第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の上面は、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１から略同一の高さとなるように形成されている。
【0025】
第１の電極部２１および第２の電極部３１上に素子接合層を介して発光素子が搭載され、第１の電極部２１および第２の電極部３１と発光素子の電極とは電気的に接続される。
【0026】
第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々は、図４、図６及び図７に示すように、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２において、第１の貫通孔１１及び第２の貫通孔１２内の各々に形成された第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々を覆うように形成されている。
【0027】
また、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々は、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２において、第１の電極部２１及び第２の電極部３１から、各々が第１の長辺１０Ｅに沿った側面まで延在するように形成されている。
【0028】
また、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々は、樹脂基板１０の切欠き部１３及び１４の各々を充填しかつ当該切欠き部１３及び１４を経て上面１０Ｓ１まで延在するように形成されている。また、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々の上面は、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１からの高さが第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の上面と略同一の高さとなるように形成されている。
【0029】
第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々は、図２及び図３に示すように、樹脂基板１０の長方形１０Ｒの短辺において、第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６の各々の側面に沿った領域に形成されている。また、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々は、樹脂基板１０の長方形１０Ｒの短辺において、第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６の各々が形成されている領域から第１の長辺１０Ｅに沿った領域まで形成されている。また、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々は、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２において、第１の長辺１０Ｅと対向する第２の長辺に沿った領域を露出するように形成されている。言い換えれば、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０は、上面１０Ｓ１及び下面１０Ｓ２において樹脂基板１０の長方形１０Ｒの第２の長辺に沿った領域を露出する。
【0030】
第１の配線部２２及び第２の配線部３２は、発光装置１００の実装面に露出して端子電極面を構成している。また、第１の配線部２２及び第２の配線部３２は、発光装置１００の実装面に隣接する側面にも露出し、垂直な角部を形成している。この垂直な角部は、後述する方法にて金属バリなく構成されるため、発光装置１００の実装精度を高めることができる。
【0031】
また、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々は、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１に形成された部分において、樹脂基板１０の長方形１０Ｒの側面に沿った側面及び第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６の各々の側面に沿った側面を除いた各々の面において、レジストＲＥで覆われている。言い換えれば、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々の第１及び第２の配線部２２及び３２は、上面１０Ｓ１において、樹脂基板１０の側面に沿った側面を除く各々の面がレジストＲＥで被覆されている。
【0032】
従って、第１の配線部２２と第２の配線部３２における、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１上の上面１０Ｓ１と平行な面は、レジストＲＥを介して樹脂体５０で被覆されている。
【0033】
なお、本実施例においては、レジストＲＥは、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々の樹脂基板１０の上面１０Ｓ１形成された部分の上面及び側面を覆いかつ樹脂基板１０の上面１０Ｓ１へ至る領域に形成されている。
【0034】
なお、レジストＲＥは、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１において、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の端部から約１００μｍ以上の領域まで形成されている。すなわち、図４に示すように、樹脂基板１０上のレジストＲＥは、破線で示された第１の配線部２２及び第２の配線部の各々の上面視における端部から樹脂基板１０の上面１０Ｓ１へ至る領域に形成されている。
【0035】
また、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々は、樹脂基板１０の長方形１０Ｒの側面に沿った側面、第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６の各々の側面に沿った側面及びレジストＲＥに覆われている各々の面を除いた各々の面において、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の面から順に図示しないニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）からなる金属膜が形成されている。つまり、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）からなる金属膜は、第１の配線部２２、第２の配線部３２における、後述するダイシングによる切断面、レジストＲＥに覆われた領域、および、第３の貫通孔１５と第４の貫通孔の内壁面に沿う側面領域には形成されていない。なお、ダイシングによる切断面には、任意に金（Ａｕ）からなる金属膜を形成することができる。言い換えれば、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々の第１及び第２の電極部２１及び３１の樹脂基板１０から露出した各々の面には、ニッケル及び金が順に積層された金属層を有する。つまり、第１の電極部２１及び第２の電極部３１における、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１よりも上方に突出した部分の上面および側面には、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）からなる金属膜が形成されている。
【0036】
第１の配線部２２および第２の配線部３２における樹脂基板１０の上面１０Ｓ１上の部分には、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）からなる金属膜は形成されておらず、銅箔および銅めっき膜から構成されている。つまり、レジストＲＥは、銅めっき膜上に形成されている。
【0037】
金属膜として形成されているＮｉ／Ａｕの金属膜、特に最表面のＡｕは、レジストＲＥ及び後述の樹脂体５０等の樹脂材料との密着性が低い。そのため、銅箔および銅めっきから構成された面にレジストＲＥを形成すること、および、レジストＲＥと樹脂体５０とが接することにより、樹脂体５０と第１の配線部２２及び第２の配線部３２との剥離を抑制することが可能となる。また、第１の配線部２２、第２の配線部３２における、第３の貫通孔１５と第４の貫通孔の内壁面に沿う側面領域は、銅箔および銅めっきで構成され、樹脂体５０と直接に接しているため、樹脂体と第１の配線部２２及び第２の配線部３２との剥離を抑制することが可能となる。
【0038】
樹脂体５０は、図１及び図５～図７に示すように、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１において、上面に凹状キャビティを有するように形成されている。また、樹脂体５０は、第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６を充填しかつ、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２において第１の配線部２２及び第２の配線部３２が形成されている領域を除く全ての領域を覆うように形成されている。樹脂体５０は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の光散乱性を有する粒子と当該粒子が分散されたシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂材料からなる白色樹脂である。
【0039】
樹脂体５０は、基板１０の上面１０Ｓ１において、レジストＲＥを覆うように形成されている。また、樹脂体５０は、凹状のキャビティの底面において、第１の電極部２１及び第２の電極部３１の上面を露出するように形成されている。また、樹脂体５０は、基板１０の下面１０Ｓ２において、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の下面と基板１０の長方形１０Ｒの側面に沿った側面を露出するように形成されている。樹脂体５０は、基板１０の下面１０Ｓ２において、樹脂体５０の底面と、第１の配線部２２および第２の配線部３２の下面とが同一平面上となる厚みで、第１の配線部２２と第２の配線部３２の間を埋めるように形成されている。
【0040】
すなわち、樹脂体５０は、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１において、後述の発光素子６０を囲む枠体を形成している。言い換えれば、発光装置１００は、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１を覆い、上面１０Ｓ１上において第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々の第１及び第２の配線部２２及び３２を覆いかつ発光素子６０を囲む枠体を形成し、かつ樹脂基板１０の下面１０Ｓ２の第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０から露出している領域を覆っている光反射性の樹脂体５０を有する。
【0041】
樹脂体５０は、樹脂基板１０を挟むように形成され、特に、樹脂基板１０の第１の長辺１０Ｅに対向する第２の長辺を連続して挟むように形成されている。そして、樹脂体５０は、樹脂基板１０の第２の長辺と隣接する短辺と形成される角部を挟むように形成されている。
【0042】
樹脂体５０は、切欠き部１３、１４に隣接された第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６を充填して形成される。従って、樹脂体５０は、第１の配線部２２および第２の配線部３２のそれぞれ第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６に露出した内側面に接するように形成されている。
【0043】
樹脂体５０の側面は、後述する発光装置１００の個片化工程により形成された切断面であり、図１に示すように、樹脂基板１０の側面、レジストＲＥの側面、第１の配線部２２、第２の配線部３２と同一面に形成されて、発光装置１００の側面を構成している。
【0044】
本実施例においては、樹脂基板１０の第１の長辺１０Ｅに沿った側面に露出した第１の配線部２２及び第２の配線部３２が、発光装置１００が実装基板に実装される際の端子電極面として機能する。すなわち、発光装置１００は、樹脂基板１０の第１の長辺１０Ｅに沿った側面が実装面として機能するサイドビュー型の発光装置である。
【0045】
また、樹脂体５０は、キャビティ内において、樹脂基板１０の長方形１０Ｒの短辺の側に形成された内側面の各々が傾斜を有するように形成されている。当該傾斜を有する内側面は、後述の発光素子６０及び封止樹脂７０から放射される光を発光装置１００の上面方向（キャビティ開口方向）に向けて導光及び集光させる。
【0046】
発光素子６０は、図６に示すように、第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々に素子接合層６１を介して載架されている。発光素子６０は、例えば、サファイア等の透光性の成長基板上の一方の主面に窒化ガリウム系の半導体層が形成された青色の光を放射する半導体発光素子である。半導体層は、例えば、成長基板の側からｎ型の窒化ガリウム層（ｎ－ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）系の量子井戸型の発光層、ｐ型の窒化ガリウム層（ｐ－ＧａＮ）の順に形成されている。また、発光素子６０の半導体層が形成されている面には、ｎ－ＧａＮ層及びｐ－ＧａＮ層の各々に電気的に接続された電極が設けられており、ｎ－ＧａＮ層に設けられた電極が発光素子６０のカソード電極として機能し、ｐ－ＧａＮに設けられた電極がアノード電極として機能する。発光素子６０は、半導体層を下面として第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の上面上に亘って載置される。すなわち、発光素子６０の電極が形成されている面と第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の上面が素子接合層６１を介して接合されている。言い換えれば、発光装置１００は、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１側において第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の第１及び第２の電極部２１及び３１に搭載された発光素子６０を有する。
【0047】
また、発光素子６０は、半導体層から放射する光が成長基板を透光して上方に放射するフリップチップの態様で第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の上面に接合されている。すなわち、発光素子６０は、下面の側に発光層を含む半導体層が形成され、上面の側から光が放射される光取り出し面として機能する。なお、本実施例においては、発光素子６０がフリップチップの態様の発光素子である場合について説明するが、発光素子６０の態様はこれに限定されない。具体的には、導電性の支持基板を有し、当該支持基板の上面上に発光層を含む半導体層と電極パッドが形成された発光素子を搭載してもよい。その場合、第１の電極部２１又は第２の電極部３１の一方に発光素子を載置し、当該発光素子の電極パッドと第１の電極部２１又は第２の電極部３１の他方とを導電性のワイヤで接続する。
【0048】
素子接合層６１は、例えば、同一の材料の導電性の接着剤である。素子接合層６１は、例えば、金（Ａｕ）－錫（Ｓｎ）の合金粒子が混合されたペーストを原材料とする。第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の上面上にペーストを塗布し、当該ペースト上に発光素子６０の各々電極が接するように載置し加熱する。これにより、ペーストに含まれるＡｕ－Ｓｎ粒子が溶融し、第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の表面のＡｕ層と共晶反応を起こし、発光素子６０の各々の電極と第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々とが共晶接合される。なお、素子接合層６１の材料は、Ａｕ－Ｓｎペーストに限らず、はんだペーストや銀ペースト等の材料を用いてもよい。
【0049】
封止樹脂７０は、樹脂体５０のキャビティ内に充填され、発光素子６０を覆うように形成された樹脂層である。封止樹脂７０は、波長変換材料、光散乱材等を含むものであってもよい。本実施例において、封止樹脂７０は、例えば、透光性のシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂材料に発光素子６０の各々からの放出光に対して波長変換を行う蛍光体粒子を分散させた波長変換体である。蛍光体粒子は、例えば、セリウム（Ｃｅ）をドープしたイットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ：Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）を主材料とする蛍光体である。本実施例においては、封止樹脂７０は、発光素子６０が放射する青色の光の一部の波長変換を行い、白色の光を放射する波長変換体である。
【0050】
本実施例において、発光装置１００は、平板状の樹脂基板１０に複数の発光装置１００がマトリクス状に形成され、ダイシングで分割することにより製造される。すなわち、発光装置１００における樹脂基板１０の上面１０Ｓ１に垂直な方向の側面の各々は、ダイシングによる切断面である。樹脂基板１０の長方形１０Ｒの各々の辺に沿った領域に形成されている第１の配線電極２０、第２の配線電極３０及びレジストＲＥの各々は、当該領域に対応する発光装置１００の側面に露出している。また、発光装置１００の側面に露出している第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の切断面は、ダイシングの後Ａｕの金属層がめっきによって形成される。
【0051】
樹脂基板１０は、ガラス繊維にエポキシ樹脂をしみ込ませ熱硬化処理を施したガラスエポキシからなる板状の基板であり、熱膨張係数が約１０～２０ｐｐｍ／Ｋである。また、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々は、銅を主材料とする金属であり、熱膨張係数が約１６．８ｐｐｍ／Ｋである。樹脂基板１０は、ガラス繊維を含むことにより、樹脂基板１０と第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０との熱膨張係数を近くすることができる。一方、樹脂体５０は、シリコーン樹脂を主材料とした樹脂であり、熱膨張係数が約２００～３００ｐｐｍ／Ｋである。言い換えれば、樹脂体５０は、樹脂基板１０、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０よりも熱膨張係数が高い。
【0052】
樹脂基板１０、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０と、樹脂体５０との熱膨張係数の差により、これらが加熱処理時と常温時との間で反りの挙動が変動する場合がある。例えば、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０上に発光素子６０を共晶接合する際の加熱処理後に冷却された際に、樹脂体５０が樹脂基板１０及び各々の配線電極よりも大きく収縮する。これにより、樹脂基板１０、第１の配線電極２０、第２の配線電極３０と及び樹脂体５０が上方に凹状の反り挙動を示す。また、当該反りは、基板１０の長辺方向に沿った方向において顕著に表れる。また、当該凹状の反りによって、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０上に載架された発光素子６０にクラックが発生する等、製造上の不具合が発生する可能性がある。
【0053】
本実施例においては、図４に示すように、基板１０の下面１０Ｓ２において、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々を、基板１０の長方形１０Ｒの第１の長辺１０Ｅと対向する第２の長辺に沿った領域を露出するように形成している。
【0054】
本実施例においては、基板１０の下面１０Ｓ２において、基板１０の長方形１０Ｒの第２の長辺に沿った領域に両端に亘って樹脂体５０が形成されるように第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々を配している。すなわち、基板１０の下面１０Ｓ２において、発光装置１００の実装面と対向する第２の長辺の方向に沿った方向の両端に亘って樹脂体５０形成することができる。
【0055】
仮に、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々が基板１０の長方形１０Ｒの第１の長辺１０Ｅと対向する第２の長辺に沿った領域まで形成されている場合、基板１０の下面１０Ｓ２の側に配された樹脂体５０は、発光装置１００の長辺の方向に沿った方向に途切れて形成される。この場合、基板１０の上面１０Ｓ１に配された樹脂体５０の加熱処理後の収縮時の応力が基板１０の下面の樹脂体５０の途切れた領域に集中し、反りが発生する可能性がある。
【0056】
本実施例においては、樹脂体５０を基板１０の下面１０Ｓ２において長辺の方向に沿った方向に両端に亘って形成することにより、基板１０の上面１０Ｓ１に配された樹脂体５０の加熱処理後の収縮時の応力の集中を抑制することが可能となる。
【0057】
また、本実施例においては、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の基板１０の下面の側の厚さを、基板１０の上面１０Ｓ１の側の厚さよりも大きくするように形成する。さらに好適には、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の基板１０の下面の側の厚さを、基板１０の上面１０Ｓ１の側の厚さと樹脂基板１０の厚さとの合計よりも大きくするように形成する。言い換えれば、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０は、上面１０Ｓ１上における厚みよりも下面１０Ｓ２上における厚みの方が大きい。また、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々の下面１０Ｓ２上における厚みは、樹脂基板１０の厚さ及び上面１０Ｓ１上における厚みの合計厚さよりも大きい。
【0058】
第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々を上記のような厚みで形成することにより、基板１０の上面１０Ｓ１の側に配される樹脂体５０と、基板１０の下面１０Ｓ２の側に配される樹脂体５０とを近しい体積量とすることができる。
【0059】
発光装置１００は、基板１０の上面１０Ｓ１及び下面１０Ｓ２に配される樹脂体５０の体積量を近しくすることにより、上面１０Ｓ１の側及び下面１０Ｓ２の側にかかる樹脂体５０の加熱後の収縮時の応力のバランスを均一化することが可能となる。
【0060】
以上の構成を有することにより、発光装置１００は、製造時における加熱処理等における高温時及び常温時の間で搭載基板の反り量の変化を低減させることが可能となる。
【0061】
樹脂基板１０は、例えば、約１００μｍの厚さで形成されている。また、樹脂基板１０は、各々の切欠き部１３並びに１４及び各々の貫通孔形成前の長方形１０Ｒの上面形状において、長辺の寸法が約１．７ｍｍ、短辺の寸法が約０．４ｍｍで形成されている。
【0062】
第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０は、上述の通り、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１及び下面１０Ｓ２に形成された銅箔と、当該銅箔の露出面にめっきによって形成された銅からなる。
【0063】
具体的には、樹脂基板１０は、下面１０Ｓ２に第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々の形成領域に亘って約１５０μｍの厚さを有する銅箔が貼り付けられている。樹脂基板１０の下面１０Ｓ２に貼り付けられた銅箔は、第１の配線部２２及び第２の配線部３２の各々の形成領域の各々の貫通孔及び切欠きを覆うように貼り付けられている。
【0064】
また、樹脂基板１０は、上面１０Ｓ１に第１の電極部２１並びに第２の電極部３１の形成領域、及び第１の配線部２２並びに第２の配線部３２の形成領域に約２０μｍの厚さを有する銅箔が貼り付けられている。樹脂基板１０の上面１０Ｓ１に貼り付けられた銅箔は、第１の電極部２１及び第２の電極部３１の各々の形成領域の各々の貫通孔及び切欠きを除いた領域に貼り付けられている。
【0065】
また、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２に貼り付けられた銅箔及び上面１０Ｓ１に貼り付けられた銅箔の露出面に積層されかつ、各々の貫通孔１１並びに１２及び切欠き部１３並びに１４を充填するように銅めっきが施される。さらに、樹脂基板１０の下面および銅めっき上にＮｉ／Ａｕの金属層が施される。銅めっき／Ｎｉめっき／Ａｕめっきは、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２に貼り付けられた銅箔の下面及び上面１０Ｓ１に貼り付けられた銅箔の上面上に約３０μｍの厚さで積層される。
【0066】
すなわち、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の側に形成された各々の電極部２１並びに３１及び各々の配線部２２並びに３２は、上面１０Ｓ１から約５０μｍの厚さで形成されている。また、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２の側に形成された各々の配線部２２及び３２は、下面１０Ｓ２から約１８０μｍの厚さで形成されている。
【0067】
つまり、第１の配線電極２０および第２の配線電極３０の下面１０Ｓ２上における厚みは、１８０μｍであり、第１の配線電極２０および第２の配線電極３０の上面１０Ｓ１上における厚みである５０μｍに対して大きな厚みで形成されている。また、第１の配線電極２０および第２の配線電極３０の下面１０Ｓ２上における厚みは、１８０μｍであり、樹脂基板１０の厚みである１００μｍより大きく、樹脂基板１０と上面１０Ｓ１上における第１の配線電極２０および第２の配線電極３０の厚みの合計厚さである１５０μｍより大きな厚みで形成されている。
【0068】
樹脂体５０は、基板１０の上面１０Ｓ１に形成された各々の電極部２１及び３１の各々の上面から約３００μｍの厚さで形成されている。また、樹脂体５０は、上面に形成されたキャビティの開口の寸法が、長辺の寸法が約１．５ｍｍ、短辺の寸法が約０．３ｍｍで形成されている。すなわち、樹脂体５０の樹脂基板１０の長辺の方向に沿った方向のキャビティ内壁は、約５０μｍの厚さで形成されている。樹脂体５０の樹脂基板１０の長辺の方向に沿った方向のキャビティ内壁の厚さを小さくすることにより、樹脂基板１０の長辺方向にかかる反り、特に、基板１０の長手方向の反り量の変化を小さくすることが可能となる。
【0069】
【0070】
図８及び図９は、本発明の実施例に係る発光装置１００の製造フローを示す図である。図１０～図１２、図１４～図１５及び図１９～図２２は、図８又は図９に示す製造手順の各ステップにおける発光装置１００の断面図を示す。なお、図１０～図１２、図１４～図１５及び図１９～図２２においては、図５の発光装置１００のＡ－Ａ線に沿った断面図を示している。また、図１３、図１６～図１８は、図８又は図９に示す製造手順の各ステップにおける発光装置１００の上面図を示す。
【0071】
まず、平板上の樹脂基板１０を用意する樹脂基板準備工程を行う（ステップＳ１１、樹脂基板準備工程）。
【0072】
次に、図１０に示すように、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の側に第１の銅箔Ｆ１、下面１０Ｓ２の側に第２の銅箔Ｆ２を貼り付ける銅箔貼り付け工程を行う（ステップＳ１２、銅箔貼り付け工程）。樹脂基板１０、第１の銅箔Ｆ１及び第２の銅箔Ｆ２は、下方から第２の銅箔Ｆ２、樹脂基板１０、第１の銅箔Ｆ１の順で重ね合わされた後、約１８０℃で加熱しつつ上下方向からプレスすることにより圧着される。第１の銅箔Ｆ１は約１８μｍの厚さを有する銅箔であり、第２の銅箔Ｆ２は約１５０μｍの厚さを有する銅箔である。
【0073】
また、上述の通り、樹脂基板１０には複数の発光装置１００がマトリクス状に製造される。発光装置１００は、樹脂基板１０のカットラインＣＬで画定された長方形１０Ｒの領域の各々にマトリクス状に製造される。なお、樹脂基板１０に形成される複数の発光装置１００は、発光装置１００の長辺の方向に沿った方向において連続的に形成され、短辺の方向に沿った方向においては、廃棄領域を介して連続的に形成される。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、上面１０Ｓ１に格子状の分割ラインによって長方形１０Ｒの形状に画定された複数の素子載置領域を有する樹脂基板１０を準備する樹脂基板準備工程と、第１の銅箔Ｆ１を樹脂基板１０の上面１０Ｓ１上に貼り付けかつ、第１の銅箔Ｆ１よりも厚みの大きい第２の銅箔Ｆ２を樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の反対の下面１０Ｓ２に貼り付ける銅箔貼り付け工程と、を含む。
【0074】
次に、第１の銅箔Ｆ１の上方から樹脂基板１０の第１並びに第２の貫通孔１１並びに１２、及び切欠き部１３並びに１４が形成される領域の第１の銅箔Ｆ１を開口するようにパターン形成する（ステップＳ１３、第１パターン形成工程）。第１の銅箔Ｆ１の開口部分には、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１が露出する。本ステップにおいては、例えば、第１の銅箔Ｆ１の上面にマスクを施し、上方からエッチングを行って第１の銅箔Ｆ１を開口する。
【0075】
次に、図１２に示すように、第１の銅箔Ｆ１の開口部分の樹脂基板１０を第２の銅箔Ｆ２の上面まで貫通するように除去して第１並びに第２の貫通孔１１並びに１２、及び切欠き部１３並びに１４を形成する（ステップＳ１４、第１貫通孔形成工程）。本ステップにおいては、第１の銅箔Ｆ１の開口部分に上方からレーザを照射し、当該開口部分の樹脂基板１０を第２の銅箔Ｆ２の上面まで貫通するように除去する。
【0076】
また、図１３に示すように、本ステップにおいては、樹脂基板１０のカットラインＣＬで画定された長方形１０Ｒの領域内に第１の貫通孔１１及び第２の貫通孔１２を形成する。また、本ステップにおいては、樹脂基板１０の長辺方向に互いに隣接する基板１０の各々の第１の長辺１０Ｅの各々の端部を含む領域に一括的に切欠き部１３及び１４を形成する。すなわち、切欠き部１３又は１４として形成される樹脂基板１０の開口部は、カットラインＣＬを挟んで一方が切欠き部１３となり、他方が切欠き部１４となる。また、本ステップにおいては、切欠き部１３又は１４として形成される樹脂基板１０の開口部を、短辺方向に隣接する廃棄領域まで延在するように形成する。
【0077】
なお、樹脂基板１０に照射するレーザは、例えば、イットリウムアルミニウムガーネット（Yttrium Aluminum Garnet：ＹＡＧ）等のレーザ光である。レーザを樹脂基板１０の露出部分に照射し、樹脂基板１０であるガラスエポキシを蒸発させて第１並びに第２の貫通孔１１並びに１２、及び切欠き部１３並びに１４を形成する。なお、第１の銅箔Ｆ１及びＦ２は、当該レーザで除去されない。なお、ガラスエポキシを蒸発させるレーザ種はＹＡＧに限定されない。具体的には、用いるレーザ種は、ガラスエポキシのエポキシ樹脂及びガラス繊維の結合を分解可能で、第１の銅箔Ｆ１及びＦ２の金属結合を破壊しない照射エネルギを有するレーザであればよい。
【0078】
上記のステップＳ１３及びステップＳ１４は、樹脂基板１０の形状を形成する基板形状形成工程として処理される。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、長方形１０Ｒの第１の長辺１０Ｅの一端の頂点を含む第１の領域ＮＴ１及び他端の頂点を含む第２の領域ＮＴ２を切り欠く切欠き部１３及び１４を形成しかつ、素子載置領域のうちの２の領域を第１の銅箔Ｆ１から下面１０Ｓ２までを貫通させて第１の貫通孔１１及び第２の貫通孔１２を形成する基板形状形成工程を含む。
【0079】
次に、図１４に示すように、第１並びに第２の貫通孔１１並びに１２、及び切欠き部１３並びに１４を充填しかつ、第１の銅箔Ｆ１の上面及び第２の銅箔Ｆ２の下面の各々を覆うように銅めっき層を形成する銅めっき工程を行う（ステップＳ１５、第１めっき工程）。本ステップにおいては、第１の銅箔Ｆ１及び銅めっき層からなる部分を金属部Ｍ１とし、第２の銅箔Ｆ２及び銅めっき層からなる部分を金属部Ｍ２とする。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、銅からなる金属層を、切欠き部１３及び１４、第１の貫通孔１１及び第２の貫通孔１２を充填するようにかつ第１の銅箔Ｆ１の上面及び第２の銅箔Ｆ２の下面を覆うように形成する銅めっき工程を含む。
【0080】
本ステップにおいては、第１の銅箔Ｆ１の上面及び第２の銅箔Ｆ２の下面に形成される銅めっき層を約１２μｍの厚さで形成する。また、本ステップにて用いられる銅めっきは、樹脂基板１０の開口部を充填しかつ、金属部Ｍ１の上面が平坦となるようにめっきが施されるフィルドめっきである。
【0081】
次に、図１５に示すように、金属部Ｍ１及びＭ２を第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の形状にパターン形成する配線電極形成工程を行う（ステップＳ１６、第２パターン形成工程）。樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の側においては、例えば、第１の銅箔Ｆ１の上面に第１並びに第２の電極部２１並びに３１、及び第１の配線部２２並びに第２の配線部３２の樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の部分の形状がパターニングされたマスクを施す。また、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２の側においては、例えば、第２の銅箔Ｆ２の下面に第１の配線部２２並びに第２の配線部３２の樹脂基板１０の下面１０Ｓ２の部分の形状がパターニングされたマスクを施す。その後、上方及び下方からエッチングを施し、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１及び下面１０Ｓ２に第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０をパターニングする。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、上面１０Ｓ１及び下面１０Ｓ２において、第１の銅箔Ｆ１並びに銅めっき層からなる金属部Ｍ１、第２の銅箔Ｆ２並びに銅めっき層からなる金属部Ｍ２を第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の形状にパターン形成する配線電極形成工程を含む。
【0082】
また、図１６に示すように、本ステップにおいては、樹脂基板１０の長辺方向に互いに隣接する基板１０の各々の第１及び第２の配線部２２及び３２を一括的に形成する。すなわち、樹脂基板１０に形成される第１及び第２の配線部２２及び３２は、カットラインＣＬを挟んで一方が第１の配線部２２となり、他方が第２の配線部３２となる。また、本ステップにおいては第１及び第２の配線部２２及び３２の各々を、樹脂基板１０の第１の長辺１０Ｅに相当するカットラインＣＬの側に隣接する廃棄領域まで延在するように形成する。また、上述の通り、第１の配線部２２及び第２の配線部３２を樹脂基板１０の第１の長辺１０Ｅに対向する第２の長辺に対応するカットラインＣＬに沿った領域において、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２を露出させるように形成する。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、配線電極形成工程において、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０を下面１０Ｓ２の側において長方形１０Ｒの第１の長辺に対向する第２の長辺に沿った領域を露出するように形成する。
【0083】
次に、図１７に示すように、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の側に形成されている第１及び第２の配線部２２及び３２の各々を覆うようにレジストＲＥを形成する（ステップＳ１７、レジスト形成工程）。本ステップにおいては、レジストＲＥを樹脂基板１０の上面１０Ｓ１において、第１及び第２の配線部２２及び３２の端部から約１００μｍ以上の領域まで形成する。
【0084】
次に、レジストＲＥで覆われた面を除いた第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の表面を覆うようにＮｉ／Ａｕの金属層をめっきによって形成する（ステップＳ１８、第２めっき工程）。本実施例においては、電界めっきを用いてＮｉ／Ａｕの金属層を形成する。従って、樹脂基板１０の露出面及びレジストＲＥの表面にはＮｉ／Ａｕの金属層は形成されない。
【0085】
次に、図１８に示すように、樹脂基板１０のカットラインＣＬで画定された長方形１０Ｒの領域の短辺の各々にレジスト膜、第１並びに第２の配線部２２並びに３２及び樹脂基板１０の各々を貫通する第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６を形成する（ステップＳ１９、第２貫通孔形成工程）。本ステップにおいては、円又は長円形状からなる貫通孔を樹脂基板１０のカットラインＣＬで画定された長方形１０Ｒの領域の短辺の各々に形成する。また、本実施例においては、当該貫通孔をドリル等で形成する。なお、樹脂基板１０に形成される貫通孔は、カットラインＣＬを挟んで一方が第３の貫通孔１５となり、他方が第４の貫通孔１６となる。
【0086】
このように、第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６を形成する工程（ステップＳ１９）を、Ｎｉ／Ａｕの金属層をめっきにより形成する工程の後に行うことで、第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６の内壁に沿う形状に、第１の配線部２２および第２の配線部３２の側面を形成することができる。また、この第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６の内壁に沿うように形成された第１の配線部２２および第２の配線部３２の側面を、銅箔、銅めっきおよびレジストＲＥから構成された側面として形成することができ、樹脂体５０との密着性の高い側面として形成することができる。
【0087】
次に、図１９に示すように、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１及び下面１０Ｓ２に樹脂体５０を形成する樹脂体形成工程を行う（ステップＳ２０、樹脂枠体形成工程）。本ステップにおいては、樹脂基板１０を射出成型装置の金型にセットし、トランスファモールド方式で樹脂体５０の原料となる樹脂を流し込んで樹脂体５０を成型する。この際、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２の側には、平面状の金型の下型がセットされ、当該下型と第１及び第２の配線部２２及び３２の下面とが接するようにセットされる。また、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１の側には、樹脂体５０のキャビティ内面の形状と同様の形状の凸部を有する金型の上型がセットされ、当該上型の下面と第１及び第２の電極部２１及び３１の上面とが接するようにセットされる。
【0088】
この状態の金型内に樹脂体５０の原料樹脂を流し込み、当該金型内に原料樹脂を充填させ、これを加熱して原料樹脂を硬化させて樹脂体５０を形成する。原料樹脂は、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１又は下面１０Ｓ２の一方の面の側から流し込まれ、第３の貫通孔１５及び第４の貫通孔１６を介して他方の面の側に流れ込み、金型内に充填される。また、金型の下型と第１及び第２の配線部２２及び３２の下面とが接しかつ金型の上型の下面と第１及び第２の電極部２１及び３１の上面とが接するように充填されるため、第１並びに第２の電極部２１並びに３１の上面、及び第１並びに第２の配線部２２並びに３２の下面は樹脂体５０から露出する。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、光反射性の樹脂体５０を上面１０Ｓ１上において素子載置領域を囲む枠体を形成し、かつ下面１０Ｓ２の第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０から露出している領域を覆うように形成する樹脂体形成工程を含む。
【0089】
また、樹脂体５０のキャビティの底面は、第１並びに第２の電極部２１並びに３１の上面以下の高さで形成されることが好ましい。樹脂体５０のキャビティの底面を第１並びに第２の電極部２１並びに３１の上面以下の高さで形成することにより、素子接合工程時に発光素子６０の載置位置ずれ等を防止することができる。
【0090】
次に、図２０に示すように、第１及び第２の電極部２１及び３１の各々の上面上に発光素子６０を載架し接合する素子接合工程を行う（ステップＳ２１、素子接合工程）。本ステップにおいては、まず、第１及び第２の電極部２１及び３１の各々の上面上にディスペンサを用いて素子接合層６１の原料であるＡｕ－Ｓｎの合金粒子が混合されたペーストを塗布する。その後、各々のペースト上に発光素子６０のカソード及びアノードの電極面が接するように載置する。この状態の樹脂基板１０を約２８０℃で加熱してＡｕ－Ｓｎ粒子を溶融させて第１及び第２の電極部２１及び３１の各々の上面上に形成された金属層のＡｕ層と共晶反応させ、発光素子６０の各々の電極と各々の電極部２１及び３１とを共晶接合させる。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、発光素子６０を上面１０Ｓ１の側において第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０の各々の第１及び第２の電極部２１及び３１の各々の上面上に載架する素子接合工程を含む。
【0091】
次に、図２１に示すように、封止樹脂７０を樹脂体５０の各々のキャビティ内に充填する（ステップＳ２２、封止樹脂充填工程）。本ステップにおいては、ディスペンサを用いて当該キャビティ内に発光素子６０を覆うように充填し、これを封止する。これにより、樹脂基板１０に複数の発光装置１００がマトリクス状に形成される。
【0092】
次に、図２２に示すように、カットラインＣＬに沿ってダイシングを行い複数の発光装置１００の各々を個片化する（ステップＳ２３、ダイシング工程）。本ステップにおいては、まず、発光装置１００の長辺の方向に対してダイシングを行う。次に、短辺の方向においては、第１及び第２の配線部２２及び３２が形成されている樹脂基板１０の第１の長辺１０Ｅの側から当該第１の長辺に対向する第２の長辺の側へ向けてダイシングを行う。これにより、発光装置１００の側面に露出する第１及び第２の配線部２２及び３２の露出面のダイシング時の金属バリを抑制することが可能となる。
【0093】
金属バリは、ダイシング時の発熱によって金属部が熱膨張することによって発生しやすくなる。また、ダイシング方向において、当該金属部、空気等の空間の順となるような、金属部がダイシング方向に垂直な方向の端部に配されると、金属部がダイシング方向に熱膨張し、金属バリが発生しやすくなる。
【0094】
本実施例においては、上記のように、発光装置１００の長辺方向にダイシングを行った後に、発光装置１００の第１及び第２の配線部２２及び３２が配されている第１の長辺１０Ｅの側から短辺方向にダイシングを行う。すなわち、第１及び第２の配線部２２及び３２の熱膨張する空間のない方向にダイシングを行うことによって、金属バリの発生を抑制することが可能となる。
【0095】
次に、個片化した発光装置１００の第１及び第２の配線部２２及び３２の露出面にＡｕめっきを施す（ステップＳ２４、第３めっき工程）。なお、ステップＳ２４によるＡｕによるめっきは、任意に施すことができる。
【0096】
上記の処理を行うことにより、発光装置１００を製造する。
【0097】
本実施例によれば、第１の配線電極２０及び第２の配線電極３０において、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２に形成された部分の厚さを樹脂基板１０と上面１０Ｓ１の形成された部分との厚さの合計よりも大きくする。また、樹脂基板１０の下面１０Ｓ２の側において、樹脂体５０を発光装置１００の長辺に沿った方向に発光装置１００の両端に亘って形成する。また、樹脂基板１０の上面１０Ｓ１において、樹脂基板１０の長辺の方向に沿った方向の樹脂体５０のキャビティの内壁の厚さを小さくする。
【0098】
これらにより、発光装置１００は、基板１０の上面１０Ｓ１の側に配される樹脂体５０と、基板１０の下面１０Ｓ２の側に配される樹脂体５０とを近しい体積量とすることができる。また、発光装置１００は、樹脂体５０を基板１０の下面１０Ｓ２において長辺の方向に沿った方向に両端に亘って形成することにより、基板１０の上面１０Ｓ１に配された樹脂体５０の加熱処理後の収縮時の応力の集中を抑制することができる。従って、発光装置１００は、製造時における加熱処理等における高温時及び常温時の間で搭載基板の反り量の変化を低減させることで製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【0099】
本実施例においては、発光装置１００の光取り出し面上に１のキャビティを有し、当該キャビティ内に１の発光素子６０を搭載する場合について説明した。しかし、発光装置１００が有するキャビティ及び搭載される発光素子６０の数量はこれに限定されない。
【0100】
図２３は、本実施例の変形例に係る発光装置１００Ａの上面図である。また、図２４は、本実施例の変形例に係る発光装置１００Ａの樹脂基板１０Ａ及びこれに形成される配線電極の各々の上面図である。なお、図２３においては、樹脂体５０Ａのキャビティ内の構造を示すために封止樹脂７０の図示を省略している。
【0101】
発光装置１００Ａは、実施例の発光装置１００と基本的に同様の構成である。本実施例においては、発光装置１００Ａは、樹脂体５０Ａの上面上に２のキャビティが形成され、各々のキャビティ内に発光素子６０がそれぞれ搭載される点について実施例と異なる。
【0102】
発光装置１００Ａの樹脂基板１０Ａは、図２４に示すように、長方形１０Ｒの上面形状から一方の長辺である第１の長辺１０ＡＥの中央の領域が切り欠かれた切欠き部１７を有する。
【0103】
また、樹脂基板１０Ａは、樹脂基板１０Ａの上面の中央の領域に切欠き部１７と接するように上面から下面までを貫通する円又は長円状の第５の貫通孔１８を有する。
【0104】
また、樹脂基板１０Ａは、切欠き部１７と切欠き部１３との間の領域及び切欠き部１７と切欠き部１４との間の領域の各々に互いに離間しかつ上面から下面までを貫通する一対の貫通孔である第１の貫通孔１１Ａ並びに第２の貫通孔１２Ａ及び第１の貫通孔１１Ｂ並びに１２Ｂを有する。
【0105】
また、樹脂基板１０Ａには、各々の貫通孔１１Ａ、１１Ｂ、１２Ａ及び１２Ｂを充填しかつ樹脂基板１０Ａの上面の領域まで形成された第１の電極部２１Ａ並びに２１Ｂ及び第２の電極部３１Ａ並びに３１Ｂが形成されている。また、樹脂基板１０Ａの下面において、第１の電極部２１Ａの部分から切欠き部１３の側面を経て上面まで延在する第１の配線部２２Ａからなる第１の配線電極２０Ａを有する。また、樹脂基板１０Ａの下面において、第２の電極部３１Ｂの部分から切欠き部１４の側面を経て上面まで延在する第２の配線部３２Ａからなる第２の配線電極３０Ａを有する。また、また、樹脂基板１０Ａの下面において、第２の電極部３１Ａの部分及び第１の電極部２１Ｂの部分の各々からら切欠き部１７の側面を経て上面まで延在する第３の配線部３３からなる第３の配線電極８０を有する。すなわち、第２の電極部３１Ａ及び第１の電極部２１Ｂは、第３の配線部３３を介して電気的に接続されている。また、本変形例の樹脂基板１０Ａは、実施例の樹脂基板１０及び各々の配線電極が長辺に沿った方向に連結された形状となっている。
【0106】
発光素子６０は、第１の電極部２１Ａ並びに第２の電極部３１Ａ、及び第１の電極部２１Ｂ並びに第２の電極部３１Ｂの各々に載架されている。すなわち、第１の電極部２１Ａ並びに第２の電極部３１Ａ、及び第１の電極部２１Ｂ並びに第２の電極部３１Ｂの各々に載架されている発光素子６０の各々は、互いに一方の電極が電気的に接続されている。
【0107】
この時、発光素子６０の各々は、カソード電極同士又はアノード電極同士が互いに電気的に接続されるように配置されてもよいし、一方の発光素子６０のアノード電極と他方の発光素子６０のカソード電極が互いに電気的に接続されてもよい。具体的には、発光素子６０の各々のカソード電極同士又はアノード電極同士が互いに電気的に接続される場合、第３の配線電極８０を接地電位として第１の配線電極２０Ａ及び第２の配線電極３０Ａの各々に電圧を印加することにより、発光素子６０を並列接続にて駆動させることが可能となる。また、一方の発光素子６０のアノード電極と他方の発光素子６０のカソード電極が互いに電気的に接続する場合、第３の配線電極８０を中間電位として第１の配線電極２０Ａ及び第２の配線電極３０Ａの間に電圧を印加することにより、発光素子６０を直列接続にて駆動させることが可能となる。
【0108】
なお、本変形例においては、発光装置１００Ａが２のキャビティを有し、２の発光素子６０を搭載する場合について説明したが、３以上のキャビティ及び発光素子６０を搭載するようにしてもよい。また、キャビティ内に複数の発光素子６０を搭載するようにしてもよい。
【0109】
また、本変形例の発光装置１００Ａにおいても、実施例と同様に、第１、第２及び第３の配線電極２０Ａ、３０Ａ及び８０において、樹脂基板１０Ａの下面に形成された部分の厚さを樹脂基板１０と上面の形成された部分との厚さの合計よりも大きくする。また、樹脂基板１０Ａの下面の側において、樹脂体５０Ａを発光装置１００Ａの長辺に沿った方向に発光装置１００Ａの両端に亘って形成する。
【0110】
従って、本変形例の発光装置１００Ａにおいても、製造時における加熱処理等における高温時及び常温時の間で搭載基板の反り量の変化を低減させることで製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【符号の説明】
【0111】
１００ 発光装置
１０ 樹脂基板
１１ 第１の貫通孔
１２ 第２の貫通孔
１３、１４、１７ 切欠き部
１５ 第３の貫通孔
１６ 第４の貫通孔
１７ 第５の貫通孔
２０ 第１の配線電極
２１ 第１の電極部
２２ 第１の配線部
３０ 第２の配線電極
３１ 第２の電極部
３２ 第２の配線部
５０ 樹脂体
６０ 発光素子
６１ 素子接合層
７０ 封止樹脂
８０ 第３の配線電極
１０ 樹脂基板
１１ 第１の貫通孔
１２ 第２の貫通孔
１３、１４、１７ 切欠き部
１５ 第３の貫通孔
１６ 第４の貫通孔
１７ 第５の貫通孔
２０ 第１の配線電極
２１ 第１の電極部
２２ 第１の配線部
３０ 第２の配線電極
３１ 第２の電極部
３２ 第２の配線部
５０ 樹脂体
６０ 発光素子
６１ 素子接合層
７０ 封止樹脂
８０ 第３の配線電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】