特許7581196複合基板、複合基板の製造方法、回路基板の製造方法、複数の回路基板の集合体の製造方法及び複数の回路基板の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-01
(45)【発行日】2024-11-12
(54)【発明の名称】複合基板、複合基板の製造方法、回路基板の製造方法、複数の回路基板の集合体の製造方法及び複数の回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20241105BHJP
H05K 3/00 20060101ALI20241105BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 G
H05K3/00 X
H05K3/00 P
H05K1/02 R
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2021522819
(86)(22)【出願日】2020-05-27
(86)【国際出願番号】 JP2020020944
(87)【国際公開番号】W WO2020241697
(87)【国際公開日】2020-12-03
【審査請求日】2023-02-06
(31)【優先権主張番号】P 2019102590
(32)【優先日】2019-05-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000003296
【氏名又は名称】デンカ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100110928
【弁理士】
【氏名又は名称】速水 進治
(72)【発明者】
【氏名】湯浅 晃正
(72)【発明者】
【氏名】中村 貴裕
(72)【発明者】
【氏名】西村 浩二
【審査官】鹿野 博司
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１４／０５４６０９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００８－２１１１５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１３７３９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１６６０４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－０９６０３５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－１６８４８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０００５９５６（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ １／０２
Ｈ０５Ｋ ３／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミック基板と、前記セラミック基板の表面側に接合されている第１金属層と、
前記セラミック基板における裏面側に接合されている第２金属層と、
を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方には、前記セラミック基板の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されており、
前記孔が形成されている場合、前記セラミック基板のうち前記孔と重なる部分には、孔が形成されておらず、
前記切り欠きが形成されている場合、当該切り欠きは、前記第１金属層及び前記第２金属層のうち当該切り欠きを有する金属層の周縁の一部に設けられている、複合基板。
【請求項2】
セラミック基板と、前記セラミック基板の表面側に接合されている第１金属層と、
前記セラミック基板における裏面側に接合されている第２金属層と、
を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方には、前記セラミック基板の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠きが形成されており、
前記セラミック基板は、その厚み方向から見て、矩形であり、
前記少なくとも１つの切り欠きは、前記セラミック基板の４つの角部のうちの少なくとも１つの角部を露出させるように、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に形成されている、複合基板。
【請求項3】
前記第１金属層及び前記第２金属層の両方には、それぞれ、前記少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されており、前記両方に形成されている前記少なくとも１つの切り欠き又は孔は、互いに位置、大きさ及び形状のいずれか１つ以上が異なっている、
請求項１又は２に記載の複合基板。
【請求項4】
前記少なくとも１つの切り欠き又は孔は、アライメントマークとしての機能を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の複合基板。
【請求項5】
前記第１金属層及び前記第２金属層の一方には、電子部品が実装される回路パターンが形成される、請求項１～４のいずれか１項に記載の複合基板。
【請求項6】
前記第１金属層及び前記第２金属層の他方は、放熱層として機能する、請求項５に記載の複合基板。
【請求項7】
セラミック基板と、前記セラミック基板の表面側に接合されている第１金属層と、
前記セラミック基板における裏面側に接合されている第２金属層と、
を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方には、前記セラミック基板の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されており、
前記セラミック基板の表面及び裏面の一方には、少なくとも１本のスクライブラインが形成されており、
前記少なくとも１つの切り欠き又は孔は、前記セラミック基板の厚み方向から見て、その内側に前記少なくとも１本のスクライブラインの一部が位置するように、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方に形成されている、複合基板。
【請求項8】
前記第１金属層及び前記第２金属層の一方における前記少なくとも１本のスクライブラインにより区画されている複数の領域には、それぞれ、電子部品が実装される回路パターンが形成される、請求項７に記載の複合基板。
【請求項9】
前記第１金属層及び前記第２金属層の他方における前記少なくとも１本のスクライブラインにより区画されている複数の領域は、それぞれ放熱層として機能する、請求項８に記載の複合基板。
【請求項10】
セラミック基板の表面側及び裏面側に、それぞれ第１金属層及び第２金属層が接合されている複合基板の製造方法であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に、前記セラミック基板の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔を形成する切り欠き形成工程と、
前記第１金属層及び前記第２金属層を、それぞれ前記セラミック基板の表面側及び裏面側に接合する接合工程と、
を含み、
前記孔が形成されている場合、前記セラミック基板のうち前記孔と重なる部分には、孔が形成されておらず、
前記切り欠きが形成されている場合、当該切り欠きは、前記第１金属層及び前記第２金属層のうち当該切り欠きを有する金属層の周縁の一部に設けられている、複合基板の製造方法。
【請求項11】
セラミック基板の表面側及び裏面側に、それぞれ第１金属層及び第２金属層が接合されている複合基板の製造方法であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に、それぞれ、前記セラミック基板の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠きを形成する切り欠き形成工程と、
前記第１金属層及び前記第２金属層を、それぞれ前記セラミック基板の表面側及び裏面側に接合する接合工程と、
を含み、
前記セラミック基板は、その厚み方向から見て、矩形であり、
前記少なくとも１つの切り欠きは、前記セラミック基板の４つの角部のうちの少なくとも１つの角部を露出させるように、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に形成される、複合基板の製造方法。
【請求項12】
前記切り欠き形成工程では、互いに、位置、大きさ及び形状のいずれか１つ以上が異なる前記少なくとも１つ以上の切り欠き又は孔を前記両方に形成する、請求項１１に記載の複合基板の製造方法。
【請求項13】
セラミック基板の表面側及び裏面側に、それぞれ第１金属層及び第２金属層が接合されている複合基板の製造方法であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方に、それぞれ、前記セラミック基板の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔を形成する切り欠き形成工程と、
前記第１金属層及び前記第２金属層を、それぞれ前記セラミック基板の表面側及び裏面側に接合する接合工程と、
を含み、
前記セラミック基板の表面及び裏面の一方には、少なくとも１本のスクライブラインが形成されており、
前記少なくとも１つの切り欠き又は孔は、前記セラミック基板の厚み方向から見て、その内側に前記少なくとも１本のスクライブラインの一部が位置するように、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方に形成される、複合基板の製造方法。
【請求項14】
請求項１０～１３のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法と、前記接合工程の後に行う工程であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に形成された前記少なくとも１つの切り欠き又は孔から前記セラミック基板の表面及び裏面の識別をして、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方に電子部品が実装される回路パターンを形成するパターン形成工程と、
を含む、
回路基板の製造方法。
【請求項15】
前記接合工程の前に行われる工程であって、前記セラミック基板の表面又は裏面に少なくとも１本のスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程、を含む、
請求項１０～１２のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。
【請求項16】
請求項１３又は１５に記載の複合基板の製造方法と、前記接合工程の後に行う工程であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に形成された前記少なくとも１つの切り欠き又は孔から前記セラミック基板の表面及び裏面の識別をして、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方における前記少なくとも１本のスクライブラインにより区画されている複数の領域に、それぞれ回路パターンを形成するパターン形成工程と、
を含む、
複数の回路基板の集合体の製造方法。
【請求項17】
請求項１６に記載の複数の回路基板の集合体の製造方法と、前記少なくとも１本のスクライブラインに沿って前記セラミック基板を切断して、前記複数の回路基板の集合体を分割する分割工程と
を含む、
複数の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複合基板、複合基板の製造方法、回路基板の製造方法、複数の回路基板の集合体の製造方法及び複数の回路基板の製造方法
に関する。
に関する。
【背景技術】
【0002】
セラミック基板をベース基材とし、その一方の面に回路パターンが形成されている回路基板が知られている。このような回路基板は、高熱伝導率、高絶縁性の観点において優れていることから、例えばパワーモジュール用に利用されている。
【0003】
ここで、特許文献１には、表面にスクライブラインが形成されているセラミック基板の両面に金属層を接合して複合基板とし、表面の金属層をエッチングにより回路パターンに加工してから、スクライブラインに沿って複合基板を分割し複数の回路基板を製造する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２００７－３２４３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、セラミック基板と、前記セラミック基板の表面側に接合されている第１金属層と、裏面側に接合されている第２金属層とを備える複合基板において、その表裏を容易に識別できる複合基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の第１態様の複合基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板の表面側に接合されている第１金属層と、前記セラミック基板における裏面側に接合されている第２金属層と、を備え、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方には、前記セラミック基板の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されている。
ここで、「表面及び裏面の識別を可能にする」とは、当該複合基板を取り扱う者等が、当該複合基板の表面と裏面とを目視で識別できることを意味する。
そして、表面及び裏面の識別を可能にする態様としては、以下のものが挙げられる。
（第１態様）第１金属層及び第２金属層の一方に少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されている態様。
（第２態様）第１金属層及び第２金属層の両方に少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されているが、第１金属層に形成されているものと第２金属層に形成されているものとは形状、位置、数量又は大きさの点で相違する態様。
（第３態様）第１金属層及び第２金属層の両方に少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されており、かつ、第１金属層に形成されているものと第２金属層に形成されているものとは形状、位置、数量及び大きさの点で同一又は略同一であるが、切り欠き又は孔内の色彩、素材又は模様により相違する態様。
ここで、「表面及び裏面の識別を可能にする」とは、当該複合基板を取り扱う者等が、当該複合基板の表面と裏面とを目視で識別できることを意味する。
そして、表面及び裏面の識別を可能にする態様としては、以下のものが挙げられる。
（第１態様）第１金属層及び第２金属層の一方に少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されている態様。
（第２態様）第１金属層及び第２金属層の両方に少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されているが、第１金属層に形成されているものと第２金属層に形成されているものとは形状、位置、数量又は大きさの点で相違する態様。
（第３態様）第１金属層及び第２金属層の両方に少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されており、かつ、第１金属層に形成されているものと第２金属層に形成されているものとは形状、位置、数量及び大きさの点で同一又は略同一であるが、切り欠き又は孔内の色彩、素材又は模様により相違する態様。
【0007】
本発明の第２態様の複合基板は、前記複合基板において、前記セラミック基板は、その厚み方向から見て、矩形であり、前記少なくとも１つの切り欠きは、前記セラミック基板の４つの角部のうちの少なくとも１つの角部を露出させるように、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に形成されている。
【0008】
本発明の第３態様の複合基板は、前記複合基板において、前記第１金属層及び前記第２金属層の両方には、それぞれ、前記少なくとも１つの切り欠き又は孔が形成されており、前記両方に形成されている前記少なくとも１つ切り欠き又は孔は、互いに位置、大きさ及び形状のいずれか１つ以上が異なっている。
【0009】
本発明の第４態様の複合基板は、前記複合基板において、前記少なくとも１つの切り欠き又は孔は、アライメントマークとしての機能を有する。
【0010】
本発明の第５態様の複合基板は、前記複合基板において、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方には、電子部品が実装される回路パターンが形成される。
【0011】
本発明の第６態様の複合基板は、前記複合基板において、前記第１金属層及び前記第２金属層の他方は、放熱層として機能する。
【0012】
本発明の第７態様の複合基板は、前記複合基板において、前記セラミック基板の表面及び裏面の一方には、少なくとも１本のスクライブラインが形成されている。
【0013】
本発明の第８態様の複合基板は、前記複合基板において、前記少なくとも１つの切り欠き又は孔は、前記厚み方向から見て、その内側に前記少なくとも１本のスクライブラインの一部が位置するように、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方に形成されている。
【0014】
本発明の第９態様の複合基板は、前記複合基板において、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方における前記少なくとも１本のスクライブラインにより区画されている複数の領域には、それぞれ、電子部品が実装される回路パターンが形成される。
【0015】
本発明の第１０態様の複合基板は、前記複合基板において、前記第１金属層及び前記第２金属層の他方における前記少なくとも１本のスクライブラインにより区画されている複数の領域は、それぞれ放熱層として機能する。
【0016】
本発明の第１態様の複合基板の製造方法は、セラミック基板の表面側及び裏面側に、それぞれ第１金属層及び第２金属層が接合されている複合基板の製造方法であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方に、前記セラミック基板の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔を形成する切り欠き形成工程と、前記第１金属層及び前記第２金属層を、それぞれ前記セラミック基板の表面側及び裏面側に接合する接合工程と、を含む。
【0017】
本発明の第２態様の複合基板の製造方法は、セラミック基板の表面側及び裏面側に、それぞれ第１金属層及び第２金属層が接合されている複合基板の製造方法であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の両方に、それぞれ、前記セラミック基板の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔を形成する切り欠き形成工程と、前記第１金属層及び前記第２金属層を、それぞれ前記セラミック基板の表面側及び裏面側に接合する接合工程と、
を含む。
を含む。
【0018】
本発明の第３態様の複合基板の製造方法は、前記複合基板の製造方法において、前記切り欠き形成工程では、互いに、位置、大きさ及び形状のいずれか１つ以上が異なる前記少なくとも１つ以上の切り欠き又は孔を前記両方に形成する。
【0019】
本発明の回路基板の製造方法は、前記複合基板の製造方法と、前記接合工程の後に行う工程であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に形成された前記少なくとも１つの切り欠き又は孔から前記セラミック基板の表面及び裏面の識別をして、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方に電子部品が実装される回路パターンを形成するパターン形成工程と、を含む。
【0020】
本発明の第４態様の複合基板の製造方法は、前記複合基板の製造方法と、前記接合工程の前に行われる工程であって、前記セラミック基板の表面又は裏面に少なくとも１本のスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程、を含む。
【0021】
本発明の第５態様の複合基板の製造方法は、前記複合基板の製造方法と、前記切り欠き形成工程では、前記接合工程の際に前記厚み方向で前記少なくとも１つの切り欠き又は孔の内側に前記少なくとも１本のスクライブラインの一部が位置するように、前記少なくとも１つの切り欠き又は孔を前記第１金属層及び前記第２金属層の一方に形成する。
【0022】
本発明の複数の回路基板の集合体の製造方法は、前記複合基板の製造方法と、前記接合工程の後に行う工程であって、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方又は両方に形成された前記少なくとも１つの切り欠き又は孔から前記セラミック基板の表面及び裏面の識別をして、前記第１金属層及び前記第２金属層の一方における前記少なくとも１本のスクライブラインにより区画されている複数の領域に、それぞれ回路パターンを形成するパターン形成工程と、を含む。
【0023】
本発明の複数の回路基板の製造方法は、前記複数の回路基板の集合体の製造方法と、前記少なくとも１本のスクライブラインに沿って前記セラミック基板を切断して、前記複数の回路基板の集合体を分割する分割工程と、を含む。
【発明の効果】
【0024】
本発明の複合基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板の表面側に接合されている第１金属層と、裏面側に接合されている第２金属層とを備える複合基板において、その表裏を容易に識別できる。
【0025】
また、本発明の複合基板の製造方法によれば、表裏を容易に識別できる複合基板を製造することができる。これに伴い、本発明の回路基板の製造方法、複数の回路基板の集合体の製造方法及び複数の回路基板の製造方法によれば、それぞれの製造不良が発生しない又は発生し難い。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本実施形態の複数の実装基板の製造方法を示すフロー図である。
【図2A】本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、グリーンシート形成工程のフロー図である。
【図2B】本実施形態のグリーンシート形成工程に含まれる、成型工程を説明するための図であって、ドクターブレード成形装置を用いてスラリーから帯状グリーンシートを作製している状態を説明するための概略図である。
【図2C】本実施形態のグリーンシート形成工程に含まれる、切断工程を説明するための図であって、切断装置を用いて帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを作製している状態を説明するための概略図（側面図）である。
【図3】本実施形態のセラミック基板の製造方法により製造された重ねられた状態の複数のセラミック基板の概略図である。
【図4】本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、スクライブライン形成工程を説明するための図である。
【図5A】本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、金属層形成工程のフロー図である。
【図5B】本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、金属層形成工程を説明するための図である。
【図6】本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、レジスト印刷工程を説明するための図である。
【図7】本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、エッチング工程を説明するための図である。
【図8】本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、分割工程を説明するための図である。
【図9】第１変形例の金属層形成工程を説明するための図である。
【図10】第２変形例の金属層形成工程を説明するための図である。
【図11】第３変形例の金属層形成工程を説明するための図である。
【図12】第４変形例の金属層形成工程を説明するための図である。
【図14】第６変形例の金属層形成工程を説明するための図である。
【図15A】第７変形例の金属層形成工程を説明するための図である。
【図16】第８変形例の金属層形成工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
≪概要≫
以下、本実施形態について図面を参照しながら説明する。具体的には、本実施形態の複数の実装基板（図示省略）の製造方法について、図１等を参照しながら、図１に示す各工程順に説明する。各工程後に製造される、セラミック基板４０（図３参照）、マザーボード６０（複合基板の一例、図５Ｂ及び図５Ｃ参照）、集合基板６０Ｂ（複合基板の他の一例、図７及び図８参照）及び回路基板６０Ｃ（図８参照）については、それぞれの製造時に相当する各工程の説明の中で説明する。
次いで、本実施形態の効果について説明する。
次いで、本実施形態の変形例について例えば図９～図１２を参照しながら説明する。
なお、以下の説明で参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
以下、本実施形態について図面を参照しながら説明する。具体的には、本実施形態の複数の実装基板（図示省略）の製造方法について、図１等を参照しながら、図１に示す各工程順に説明する。各工程後に製造される、セラミック基板４０（図３参照）、マザーボード６０（複合基板の一例、図５Ｂ及び図５Ｃ参照）、集合基板６０Ｂ（複合基板の他の一例、図７及び図８参照）及び回路基板６０Ｃ（図８参照）については、それぞれの製造時に相当する各工程の説明の中で説明する。
次いで、本実施形態の効果について説明する。
次いで、本実施形態の変形例について例えば図９～図１２を参照しながら説明する。
なお、以下の説明で参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【0028】
≪本実施形態の複数の実装基板の製造方法≫
本実施形態の複数の実装基板の製造方法Ｓ１００（以下、本実施形態の製造方法Ｓ１００という。）は、図１に示すように、グリーンシート形成工程Ｓ１０と、焼結工程Ｓ２０と、スクライブライン形成工程Ｓ３０（以下、ＳＬ形成工程Ｓ３０という。）と、金属層形成工程Ｓ４０と、レジスト印刷工程Ｓ５０と、エッチング工程Ｓ６０と、表面処理工程Ｓ７０と、分割工程Ｓ８０と、実装工程Ｓ９０とを含み、これらの各工程の記載順で行なわれる。
本実施形態の複数の実装基板の製造方法Ｓ１００（以下、本実施形態の製造方法Ｓ１００という。）は、図１に示すように、グリーンシート形成工程Ｓ１０と、焼結工程Ｓ２０と、スクライブライン形成工程Ｓ３０（以下、ＳＬ形成工程Ｓ３０という。）と、金属層形成工程Ｓ４０と、レジスト印刷工程Ｓ５０と、エッチング工程Ｓ６０と、表面処理工程Ｓ７０と、分割工程Ｓ８０と、実装工程Ｓ９０とを含み、これらの各工程の記載順で行なわれる。
【0029】
また、本実施形態の製造方法Ｓ１００における各工程の終了時と、その時点での製造物との関係は、以下のとおりである。
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
終了時の各工程 その時点での製造物
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
焼結工程Ｓ２０ セラミック基板４０（図３参照）
ＳＬ形成工程Ｓ３０ ＳＬ付きセラミック基板４０Ａ（図４参照）
金属層形成工程Ｓ４０ マザーボード６０（図５Ｂ及び図５Ｃ参照）
エッチング工程Ｓ６０ 集合基板６０Ｂ（図７参照）
分割工程Ｓ８０ 複数の回路基板６０Ｃ（図８参照）
実装工程Ｓ９０ 複数の実装基板
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
本明細書では、マザーボード６０は複合基板の一例であり、集合基板６０Ｂは集合体の一例である。
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
終了時の各工程 その時点での製造物
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焼結工程Ｓ２０ セラミック基板４０（図３参照）
ＳＬ形成工程Ｓ３０ ＳＬ付きセラミック基板４０Ａ（図４参照）
金属層形成工程Ｓ４０ マザーボード６０（図５Ｂ及び図５Ｃ参照）
エッチング工程Ｓ６０ 集合基板６０Ｂ（図７参照）
分割工程Ｓ８０ 複数の回路基板６０Ｃ（図８参照）
実装工程Ｓ９０ 複数の実装基板
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
本明細書では、マザーボード６０は複合基板の一例であり、集合基板６０Ｂは集合体の一例である。
【0030】
また、本実施形態の説明には、以下の発明についての実施形態が含まれる。具体的は、以下のとおりである。
（複合基板に関する発明）
本実施形態のマザーボード６０（複合基板の一例）は、セラミック基板４０と、セラミック基板４０の表面側に接合されている第１金属層５０Ａと、セラミック基板４０における裏面側に接合されている第２金属層５０Ｂと、を備え、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方には、セラミック基板４０の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠きＮＴ１又は孔ＨＬ２が形成されている（図５Ｂ、図５Ｃ、図１１～図１２、図１３等参照）。
ここで、本明細書における「切り欠き」とは、形成されている対象物（具体的には、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方）の周縁で開口しつつ一部を除去したような部分を意味する。そして、ここでいう「切り欠き」には、対象物の厚み方向の部分の全部を除去した形態（図５Ｂの符号ＮＴ１、図１０の符号ＮＴ２、図１６の符号ＮＴ４等参照）と、対象物の厚み方向の部分の一部を除去した形態（図１３の符号ＮＴ３参照）とが含まれる。この場合、「切り欠き」は窪みとみなすこともできる。これに対して、本明細書における「孔」とは、形成されている対象物（具体的には、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方）の周縁で開口せずにその表面又は裏面からその厚み方向に除去したような部分を意味する（図１４の符号ＨＬ１、図１５Ａ及び図１５Ｂの符号ＨＬ１、ＨＬ２等参照）。そして、ここでいう「孔」には、形成される対象物を貫通する貫通孔（図１４の符号ＨＬ１並びに図１５Ａ及び図１５Ｂの符号ＨＬ１参照）と、形成される対象物を貫通しない非貫通孔（凹み）（図１５Ａ及び図１５Ｂの符号ＨＬ２参照）とが含まれる。この非貫通孔は、窪みや溝とみなすこともできる。
（複合基板の製造方法に関する発明）
本実施形態のマザーボード６０（複合基板の一例）の製造方法は、セラミック基板４０の表面側及び裏面側に、それぞれ第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂが接合されているマザーボード６０の製造方法であって、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方に、セラミック基板４０の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔を形成する切り欠き形成工程と、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを、それぞれセラミック基板４０の表面側及び裏面側に接合する接合工程と、を含む（図５Ａ、図５Ｂ等参照）。
（回路基板の製造方法に関する発明）
本実施形態の回路基板６０Ｃの製造方法は、本実施形態のマザーボード６０（複合基板の一例）の製造方法と、接合工程Ｓ４２の後に行う工程であって、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方に形成された少なくとも１つの切り欠きＮＴ１又は孔ＨＬ１からセラミック基板４０の表面及び裏面の識別をして、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方に電子部品（図示省略）が実装される回路パターンＣＰを形成するエッチング工程Ｓ６０（回路パターン形成工程の一例）と、を含む（図１、図７等参照）。
（複数の回路基板の集合体の製造方法に関する発明）
本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの集合基板６０Ｂ（集合体の一例）の製造方法は、本実施形態のマザーボード６０（複合基板の一例）の製造方法と、接合工程Ｓ４２の後に行う工程であって、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方に形成された少なくとも１つの切り欠きＮＴ１又は孔ＨＬ１からセラミック基板４０の表面及び裏面の識別をして、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方における少なくとも１本のスクライブラインＳＬにより区画されている複数の領域に、それぞれ回路パターンＣＰを形成するエッチング工程Ｓ６０（回路パターン形成工程の一例）と、を含む（図１、図７等参照）。そして、本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの製造方法は、本実施形態の製造方法Ｓ１００のうちグリーンシート形成工程Ｓ１０から分割工程Ｓ８０までの工程に相当する（図１参照）。
（複数の回路基板の製造方法に関する発明）
本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの製造方法は、
本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの集合基板６０Ｂ（集合体の一例）の製造方法と、少なくとも１本のスクライブラインＳＬに沿ってセラミック基板４０（又はＳＬ付きセラミック基板４０Ａ）を切断して、集合基板６０Ｂを分割する分割工程とを含む。
以下、各工程について説明する。
（複合基板に関する発明）
本実施形態のマザーボード６０（複合基板の一例）は、セラミック基板４０と、セラミック基板４０の表面側に接合されている第１金属層５０Ａと、セラミック基板４０における裏面側に接合されている第２金属層５０Ｂと、を備え、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方には、セラミック基板４０の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠きＮＴ１又は孔ＨＬ２が形成されている（図５Ｂ、図５Ｃ、図１１～図１２、図１３等参照）。
ここで、本明細書における「切り欠き」とは、形成されている対象物（具体的には、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方）の周縁で開口しつつ一部を除去したような部分を意味する。そして、ここでいう「切り欠き」には、対象物の厚み方向の部分の全部を除去した形態（図５Ｂの符号ＮＴ１、図１０の符号ＮＴ２、図１６の符号ＮＴ４等参照）と、対象物の厚み方向の部分の一部を除去した形態（図１３の符号ＮＴ３参照）とが含まれる。この場合、「切り欠き」は窪みとみなすこともできる。これに対して、本明細書における「孔」とは、形成されている対象物（具体的には、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方）の周縁で開口せずにその表面又は裏面からその厚み方向に除去したような部分を意味する（図１４の符号ＨＬ１、図１５Ａ及び図１５Ｂの符号ＨＬ１、ＨＬ２等参照）。そして、ここでいう「孔」には、形成される対象物を貫通する貫通孔（図１４の符号ＨＬ１並びに図１５Ａ及び図１５Ｂの符号ＨＬ１参照）と、形成される対象物を貫通しない非貫通孔（凹み）（図１５Ａ及び図１５Ｂの符号ＨＬ２参照）とが含まれる。この非貫通孔は、窪みや溝とみなすこともできる。
（複合基板の製造方法に関する発明）
本実施形態のマザーボード６０（複合基板の一例）の製造方法は、セラミック基板４０の表面側及び裏面側に、それぞれ第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂが接合されているマザーボード６０の製造方法であって、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方に、セラミック基板４０の表面及び裏面の識別を可能にする少なくとも１つの切り欠き又は孔を形成する切り欠き形成工程と、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを、それぞれセラミック基板４０の表面側及び裏面側に接合する接合工程と、を含む（図５Ａ、図５Ｂ等参照）。
（回路基板の製造方法に関する発明）
本実施形態の回路基板６０Ｃの製造方法は、本実施形態のマザーボード６０（複合基板の一例）の製造方法と、接合工程Ｓ４２の後に行う工程であって、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方に形成された少なくとも１つの切り欠きＮＴ１又は孔ＨＬ１からセラミック基板４０の表面及び裏面の識別をして、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方に電子部品（図示省略）が実装される回路パターンＣＰを形成するエッチング工程Ｓ６０（回路パターン形成工程の一例）と、を含む（図１、図７等参照）。
（複数の回路基板の集合体の製造方法に関する発明）
本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの集合基板６０Ｂ（集合体の一例）の製造方法は、本実施形態のマザーボード６０（複合基板の一例）の製造方法と、接合工程Ｓ４２の後に行う工程であって、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方に形成された少なくとも１つの切り欠きＮＴ１又は孔ＨＬ１からセラミック基板４０の表面及び裏面の識別をして、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方における少なくとも１本のスクライブラインＳＬにより区画されている複数の領域に、それぞれ回路パターンＣＰを形成するエッチング工程Ｓ６０（回路パターン形成工程の一例）と、を含む（図１、図７等参照）。そして、本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの製造方法は、本実施形態の製造方法Ｓ１００のうちグリーンシート形成工程Ｓ１０から分割工程Ｓ８０までの工程に相当する（図１参照）。
（複数の回路基板の製造方法に関する発明）
本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの製造方法は、
本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの集合基板６０Ｂ（集合体の一例）の製造方法と、少なくとも１本のスクライブラインＳＬに沿ってセラミック基板４０（又はＳＬ付きセラミック基板４０Ａ）を切断して、集合基板６０Ｂを分割する分割工程とを含む。
以下、各工程について説明する。
【0031】
＜グリーンシート形成工程及び焼結工程＞
本実施形態における、グリーンシート形成工程Ｓ１０及び焼結工程Ｓ２０を組み合せて、これらの記載順で行う工程は、セラミック基板４０の製造方法に相当する。
以下、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法について、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄ並びに図３を参照しながら説明する。
本実施形態における、グリーンシート形成工程Ｓ１０及び焼結工程Ｓ２０を組み合せて、これらの記載順で行う工程は、セラミック基板４０の製造方法に相当する。
以下、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法について、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄ並びに図３を参照しながら説明する。
【0032】
ここで、セラミック基板４０は、一例として、電気自動車、鉄道車両その他産業機器に搭載されるパワーモジュール用の回路基板が備えるセラミック基板である。セラミック基板４０は、一例として、後述する枚葉グリーンシート３０（図２Ｃ参照）を積層した状態で焼結して得られる（図３参照）。また、枚葉グリーンシート３０は、帯状グリーンシート２０（図２Ｂ及び図２Ｃ参照）を切断して得られる。すなわち、セラミック基板４０と枚葉グリーンシート３０との関係は、完成品と中間品（完成品になる前の工程で製造された物）との関係、又は、第１中間品と第２中間品（第１中間品になる前の工程で製造された物）との関係を有する。そのため、本実施形態の枚葉グリーンシート３０は、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法の中間段階までの工程で製造される。
なお、本実施形態のセラミック基板４０は、一例として、矩形の板である（図４参照）。
なお、本実施形態のセラミック基板４０は、一例として、矩形の板である（図４参照）。
【0033】
＜グリーンシート形成工程＞
以下、グリーンシート形成工程Ｓ１０について、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄを参照しながら説明する。本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１０は、図２Ａのフロー図に示すように、スラリー作製工程Ｓ１１と、成形工程Ｓ１２と、切断工程Ｓ１３と、積層工程Ｓ１４と、脱脂工程Ｓ１５と、焼結工程Ｓ２０とを含み、これらの記載順で行われる。
以下、グリーンシート形成工程Ｓ１０について、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄを参照しながら説明する。本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１０は、図２Ａのフロー図に示すように、スラリー作製工程Ｓ１１と、成形工程Ｓ１２と、切断工程Ｓ１３と、積層工程Ｓ１４と、脱脂工程Ｓ１５と、焼結工程Ｓ２０とを含み、これらの記載順で行われる。
【0034】
〔スラリー作製工程〕
本工程は、後述する原料粉末と有機溶剤とを混合して、スラリー１０を作成する工程である。本工程で作製されたスラリー１０（図２Ｂ参照）は、次の工程（成型工程）で帯状グリーンシート２０に成形される。
本工程は、後述する原料粉末と有機溶剤とを混合して、スラリー１０を作成する工程である。本工程で作製されたスラリー１０（図２Ｂ参照）は、次の工程（成型工程）で帯状グリーンシート２０に成形される。
【0035】
スラリー１０の原料粉末は、後述する主成分と焼結助剤とを含有する粉末である。主成分は一例として８０重量％～９８．３質量％の窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）であり、焼結助剤は一例として１重量％～１０質量％（酸化物換算）の少なくとも１種の希土類元素及び０．７重量％～１０質量％（酸化物換算）のマグネシウム（Ｍｇ）である。窒化珪素の粉末のα化率は、セラミック基板４０の密度、曲げ強度及び熱伝導率を考慮すると、好ましくは２０％～１００％である。
ここで、本明細書で使用する「～」の意味について補足すると、例えば「２０％～１００％」は「２０％以上１００％以下」を意味する。そして、本明細書で使用する「～」は、「『～』の前の記載部分以上『～』の後の記載部分以下」を意味する。
ここで、本明細書で使用する「～」の意味について補足すると、例えば「２０％～１００％」は「２０％以上１００％以下」を意味する。そして、本明細書で使用する「～」は、「『～』の前の記載部分以上『～』の後の記載部分以下」を意味する。
【0036】
窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の原料粉末における割合を一例として８０重量％～９８．３質量％とする理由は、得られるセラミック基板４０の曲げ強度及び熱伝導率が低すぎないこと、焼結助剤の不足によるセラミック基板４０の緻密性を担保すること等による。
【0037】
以下、説明の簡略化のために、窒化珪素の原料粉末をＳｉ３Ｎ４粉末（別名は窒化珪素粉末、セラミック粉末の一例）、Ｍｇの原料粉末をＭｇＯ粉末、希土類元素原料の粉末をＹ２Ｏ３粉末と表記する。ただし、窒化珪素の原料粉末及び焼結助剤の原料粉末は、それぞれ、Ｓｉ３Ｎ４粉末並びにＭｇＯ粉末及びＹ２Ｏ３粉末でなくてもよい。
【0038】
そして、前述のように配合されたＳｉ３Ｎ４粉末、ＭｇＯ粉末及びＹ２Ｏ３粉末と、可塑剤、有機バインダー及び有機溶剤とを混合して、スラリー１０が作製される。そのため、本工程で作製されるスラリー１０は、セラミック粉末を含む。
【0039】
以上が、スラリー作製工程Ｓ１１についての説明である。
【0040】
〔成形工程〕
次に、成形工程Ｓ１２について説明する。本工程は、図２Ｂに示すように、スラリー１０から帯状グリーンシート２０を製造する工程である。
次に、成形工程Ｓ１２について説明する。本工程は、図２Ｂに示すように、スラリー１０から帯状グリーンシート２０を製造する工程である。
【0041】
本工程は、一例として、図２Ｂに示すドクターブレード成形装置１００を用いて行われる。ここで、ドクターブレード成形装置１００は、ベルト搬送機構１１０と、成形ユニット１２０と、加熱ユニット１３０とを備えている。ベルト搬送機構１１０は、上流側のローラ１１２Ａ、下流側のローラ１１２Ｂ及びベルト１１４を有し、下流側のローラ１１２を駆動させて、ベルト１１４を上流側のローラ１１２から下流側のローラ１１２に（Ｘ方向に沿って）移動させる。成形ユニット１２０は、ベルト１１４の上側（ベルト１１４よりもＺ方向側）に配置され、ベルト１１４に対向している。成形ユニット１２０は、スラリー１０を収容する収容部１２２とドクターブレード１２４とを有する。
【0042】
そして、成形ユニット１２０は、図２Ｂに示すように、自重及び移動するベルト１１４との付着力により収容部１２２から持ち出されるスラリー１０を、ドクターブレード１２４により規制して定められた膜厚を有するシート状にする。加熱ユニット１３０は、定められた膜厚にされたベルト１１４上のスラリー１０に温風ＷＣを吹き付けてスラリー１０をシートにする（有機溶剤を気化させる）。その結果、成形工程では、スラリー１０から定められた幅（図中Ｙ方向が幅方向に相当）の帯状グリーンシート２０が作製される。すなわち、成型工程では、スラリー１０をドクターブレード成形により帯状にして、一例としてＳｉ３Ｎ４（セラミック）を含んで構成される帯状グリーンシート２０を得る。
【0043】
なお、本工程は、一例として、スラリー作製工程Ｓ１１で作製されたスラリー１０の脱泡をし、かつ、スラリー１０を増粘させた後に行われる。また、本工程で作製される帯状グリーンシート２０の膜厚は、最終的に製造されるセラミック基板４０の膜厚を考慮して設定される。これに伴い、スラリー１０を定められた膜厚に規制するためのドクターブレード１２４の規制条件（ベルト１１４との離間距離等）も最終的に製造されるセラミック基板４０の膜厚を考慮して設定される。
【0044】
以上が、成形工程Ｓ１２についての説明である。
【0045】
〔切断工程〕
次に、切断工程Ｓ１３について説明する。本工程は、図２Ｃに示すように、帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を製造する工程である。
次に、切断工程Ｓ１３について説明する。本工程は、図２Ｃに示すように、帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を製造する工程である。
【0046】
本工程は、一例として、図２Ｃに示す切断装置２００を用いて行われる。ここで、切断装置２００は、シート搬送機構２１０と、切断部２２０とを備えている。
シート搬送機構２１０は、支持部２１２と、第１搬送部２１４と、第２搬送部２１６とを有する。支持部２１２は、成形工程Ｓ１２で作製された帯状グリーンシート２０が外周面に巻き付けられているローラ１１２Ｂ（図２Ｂ及び図２Ｃ参照）を回転可能に支持する。第１搬送部２１４は、支持部２１２から搬送された帯状グリーンシート２０の姿勢を整えて帯状グリーンシート２０をＸ方向に沿って（帯状グリーンシート２０の長手方向に沿って）切断部２２０に搬送する。第２搬送部２１６は、切断部２２０で帯状グリーンシート２０が切断されて作製された枚葉グリーンシート３０を更に下流に（Ｘ方向に）搬送する。
また、切断部２２０は、筐体２２２と、照射部２２４と、移動機構２２６とを有している。照射部２２４は、一例として、レーザー光ＬＢを照射する。移動機構２２６は、照射部２２４を帯状グリーンシート２０の短手方向（図中Ｙ方向）の一端から他端に亘って走査させる。照射部２２４及び移動機構２２６は、筐体２２２に取り付けられている。
シート搬送機構２１０は、支持部２１２と、第１搬送部２１４と、第２搬送部２１６とを有する。支持部２１２は、成形工程Ｓ１２で作製された帯状グリーンシート２０が外周面に巻き付けられているローラ１１２Ｂ（図２Ｂ及び図２Ｃ参照）を回転可能に支持する。第１搬送部２１４は、支持部２１２から搬送された帯状グリーンシート２０の姿勢を整えて帯状グリーンシート２０をＸ方向に沿って（帯状グリーンシート２０の長手方向に沿って）切断部２２０に搬送する。第２搬送部２１６は、切断部２２０で帯状グリーンシート２０が切断されて作製された枚葉グリーンシート３０を更に下流に（Ｘ方向に）搬送する。
また、切断部２２０は、筐体２２２と、照射部２２４と、移動機構２２６とを有している。照射部２２４は、一例として、レーザー光ＬＢを照射する。移動機構２２６は、照射部２２４を帯状グリーンシート２０の短手方向（図中Ｙ方向）の一端から他端に亘って走査させる。照射部２２４及び移動機構２２６は、筐体２２２に取り付けられている。
【0047】
そして、本実施形態の切断装置２００は、シート搬送機構２１０により帯状グリーンシート２０を枚葉グリーンシート３０の長さ分搬送して帯状グリーンシート２０を停止させ、切断部２２０により帯状グリーンシート２０を切断する。この場合、切断部２２０は、移動機構２２６により照射部２２４をＹ方向に沿って帯状グリーンシート２０の短手方向の一端側から他端側に亘って移動させながら、照射部２２４にレーザー光ＬＢを照射させる（図２参照）。また、移動機構２２６により走査される照射部２２４は、レーザー光ＬＢを間欠的に照射する。ここで、「間欠的に」とは、一定期間照射することと一定期間照射しないこととを繰り返すことを意味する。そのため、移動機構２２６は、照射部２２４が移動と停止とを繰り返すようにして、照射部２２４を走査させる（図２Ｄ参照）。
以上のようにして、本工程では、帯状グリーンシート２０にレーザー光ＬＢを照射することで帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を得る。なお、レーザー光ＬＢは、帯状グリーンシート２０を切断することができれば、炭酸ガスレーザー光、赤外線レーザー光、紫外線レーザー光その他のレーザー光でもよい。また、本工程の説明では、一例として図２Ｃに示す切断装置２００を用いて帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を製造するとしたが、帯状グリーンシート２０から枚葉グリーンシート３０を製造することができれば、他の方法を用いてもよい。例えば、プレス加工装置（図示省略）を用いて、プレスにより帯状グリーンシート２０を打ち抜いて枚葉グリーンシート３０を製造してもよい。
以上のようにして、本工程では、帯状グリーンシート２０にレーザー光ＬＢを照射することで帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を得る。なお、レーザー光ＬＢは、帯状グリーンシート２０を切断することができれば、炭酸ガスレーザー光、赤外線レーザー光、紫外線レーザー光その他のレーザー光でもよい。また、本工程の説明では、一例として図２Ｃに示す切断装置２００を用いて帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を製造するとしたが、帯状グリーンシート２０から枚葉グリーンシート３０を製造することができれば、他の方法を用いてもよい。例えば、プレス加工装置（図示省略）を用いて、プレスにより帯状グリーンシート２０を打ち抜いて枚葉グリーンシート３０を製造してもよい。
【0048】
以上が、切断工程Ｓ１３についての説明である。
【0049】
〔積層工程〕
次に、積層工程Ｓ１４について説明する。本工程は、図３に示すように、複数の枚葉グリーンシート３０をその厚み方向に重ねる工程である。本工程は、後の工程（焼結工程Ｓ２０）で効率的に枚葉グリーンシート３０を焼結させるために行われる工程である。
次に、積層工程Ｓ１４について説明する。本工程は、図３に示すように、複数の枚葉グリーンシート３０をその厚み方向に重ねる工程である。本工程は、後の工程（焼結工程Ｓ２０）で効率的に枚葉グリーンシート３０を焼結させるために行われる工程である。
【0050】
本工程では、図３に示すように、複数の枚葉グリーンシート３０を、後述する非反応性粉末層（図示省略）を介して積層する。ここで、枚葉グリーンシート３０を重なる枚数が少ないと、後の焼結工程Ｓ１６において焼結炉（図示省略）で一度に処理できる枚数が少なくなる（生産効率が低くなる）。これに対して、枚葉グリーンシート３０を重ねる枚数が多いと、次の工程（脱脂工程Ｓ１５）において枚葉グリーンシート３０に含まれるバインダーが分解し難くなる。以上の理由により、本工程において枚葉グリーンシート３０を重ねる枚数は８枚～１００枚、好ましくは３０枚～７０枚である。
【0051】
また、本実施形態の非反応性粉末層は、一例として、膜厚が約１μｍ～２０μｍの窒化硼素粉末層（ＢＮ粉末層）である。ＢＮ粉末層は、次の工程（焼結工程Ｓ１６）後にセラミック基板４０を容易に分離させる機能を有する。ＢＮ粉末層は、ＢＮ粉末のスラリーとして、各枚葉グリーンシート３０の一面に、例えばスプレー、ブラシ塗布、ロールコーター、スクリーン印刷等によって塗布される。なお、ＢＮ粉末は８５％以上の純度で、好ましくは平均粒径が１μｍ～２０μｍである。
【0052】
以上が、積層工程Ｓ１４についての説明である。
【0053】
〔脱脂工程〕
次に、脱脂工程Ｓ１５について説明する。本工程は、枚葉グリーンシート３０に含まれるバインダー及び可塑剤を、次の工程（焼結工程Ｓ１６）の前に脱脂するための工程である。
本工程では、一例として、積層工程Ｓ１４で重ねた複数の枚葉グリーンシート３０（図３参照）を４５０℃～７５０℃の温度環境下で、０．５時間～２０時間保持する。その結果、複数の枚葉グリーンシート３０に含まれるバインダー及び可塑剤が脱脂される。
次に、脱脂工程Ｓ１５について説明する。本工程は、枚葉グリーンシート３０に含まれるバインダー及び可塑剤を、次の工程（焼結工程Ｓ１６）の前に脱脂するための工程である。
本工程では、一例として、積層工程Ｓ１４で重ねた複数の枚葉グリーンシート３０（図３参照）を４５０℃～７５０℃の温度環境下で、０．５時間～２０時間保持する。その結果、複数の枚葉グリーンシート３０に含まれるバインダー及び可塑剤が脱脂される。
【0054】
以上が、脱脂工程Ｓ１５についての説明である。また、以上が、本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１０についての説明である。
【0055】
＜焼結工程＞
次に、焼結工程Ｓ１６について、図３を参照しながら説明する。本工程は、積層工程Ｓ１４で重ねられて、脱脂工程Ｓ１５でバインダー及び可塑剤が脱脂された複数の枚葉グリーンシート３０（以下、図３の複数の枚葉グリーンシート３０という。）を、焼結装置（図示省略）を用いて焼結させる工程である。本工程が終了すると、複数のセラミック基板４０が重ねられた状態で製造される。
次に、焼結工程Ｓ１６について、図３を参照しながら説明する。本工程は、積層工程Ｓ１４で重ねられて、脱脂工程Ｓ１５でバインダー及び可塑剤が脱脂された複数の枚葉グリーンシート３０（以下、図３の複数の枚葉グリーンシート３０という。）を、焼結装置（図示省略）を用いて焼結させる工程である。本工程が終了すると、複数のセラミック基板４０が重ねられた状態で製造される。
【0056】
以上が、焼結工程Ｓ２０についての説明である。また、以上が、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法についての説明である。
【0057】
セラミック基板４０の種類に特に制限はなく、例えば、炭化物、酸化物及び窒化物等が挙げられる。具体的には、炭化ケイ素、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等が挙げられ、より好ましくは、窒化ケイ素、窒化アルミニウムである。
【0058】
＜スクライブライン形成工程＞
次に、ＳＬ形成工程Ｓ３０について、図４を参照しながら説明する。本工程は、セラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２のうちの一方の面（本実施形態では一例として表面４０Ａ１）に、少なくとも１本（本実施形態では一例として３本）のスクライブラインＳＬを形成する工程である。本工程が終了すると、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａが製造される（図４参照）。
本工程では、図４に示すように、セラミック基板４０の表面４０Ａ１に、照射部（図示省略）から照射したレーザー光により一例として幅方向中央に１本、長さ方向を三等分する２本の合計３本の直線部分を形成し、表面４０Ａ１の全領域を６等分された領域に区画する。ここで、各スクライブラインＳＬは、一例として、直線状に並ぶ複数の凹みにより構成されている（図５Ｃ参照）。そのため、本工程で使用される照射部（一例として、炭酸ガスレーザー光源、ＹＡＧレーザー光源等）は、例えば、レーザー光を間欠的に照射可能となっている。
なお、各スクライブラインＳＬは、後の工程である分割工程Ｓ８０（図１参照）において、セラミック基板４０を複数枚（本実施形態では６枚）に分割する際の切断線として用いられる。
次に、ＳＬ形成工程Ｓ３０について、図４を参照しながら説明する。本工程は、セラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２のうちの一方の面（本実施形態では一例として表面４０Ａ１）に、少なくとも１本（本実施形態では一例として３本）のスクライブラインＳＬを形成する工程である。本工程が終了すると、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａが製造される（図４参照）。
本工程では、図４に示すように、セラミック基板４０の表面４０Ａ１に、照射部（図示省略）から照射したレーザー光により一例として幅方向中央に１本、長さ方向を三等分する２本の合計３本の直線部分を形成し、表面４０Ａ１の全領域を６等分された領域に区画する。ここで、各スクライブラインＳＬは、一例として、直線状に並ぶ複数の凹みにより構成されている（図５Ｃ参照）。そのため、本工程で使用される照射部（一例として、炭酸ガスレーザー光源、ＹＡＧレーザー光源等）は、例えば、レーザー光を間欠的に照射可能となっている。
なお、各スクライブラインＳＬは、後の工程である分割工程Ｓ８０（図１参照）において、セラミック基板４０を複数枚（本実施形態では６枚）に分割する際の切断線として用いられる。
【0059】
以上が、ＳＬ形成工程Ｓ３０についての説明である。
【0060】
＜金属層形成工程＞
次に、金属層形成工程Ｓ４０について、図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃを参照しながら説明する。本工程は、図５Ａのフロー図に示すように、切り欠き形成工程Ｓ４１と、接合工程Ｓ４２とを含み、これらの記載順で行われる。
次に、金属層形成工程Ｓ４０について、図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃを参照しながら説明する。本工程は、図５Ａのフロー図に示すように、切り欠き形成工程Ｓ４１と、接合工程Ｓ４２とを含み、これらの記載順で行われる。
【0061】
〔切り欠き形成工程〕
切り欠き形成工程Ｓ４１は、その厚み方向から見て矩形で、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａの表面４０Ａ１側に接合される第１金属層５０Ａに、切り欠きＮＴ１を形成する工程である（図５Ｂ参照）。例えば、本工程は、図２Ｃに示す切断装置２００のような装置を用いて帯状の金属層（図示省略）を裁断して矩形である枚葉の金属層を製造する際に、当該装置に取り付けられているプレスユニット（図示省略）により当該枚葉の金属層に切り欠きＮＴ１を形成して第１金属層５０Ａを製造すればよい。これに対して、本工程では、その厚み方向から見て矩形で、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａの裏面４０Ａ２側に接合される第２金属層５０Ｂには、切り欠きを形成しない。
切り欠き形成工程Ｓ４１は、その厚み方向から見て矩形で、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａの表面４０Ａ１側に接合される第１金属層５０Ａに、切り欠きＮＴ１を形成する工程である（図５Ｂ参照）。例えば、本工程は、図２Ｃに示す切断装置２００のような装置を用いて帯状の金属層（図示省略）を裁断して矩形である枚葉の金属層を製造する際に、当該装置に取り付けられているプレスユニット（図示省略）により当該枚葉の金属層に切り欠きＮＴ１を形成して第１金属層５０Ａを製造すればよい。これに対して、本工程では、その厚み方向から見て矩形で、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａの裏面４０Ａ２側に接合される第２金属層５０Ｂには、切り欠きを形成しない。
【0062】
なお、前述の第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂは後述する接合工程Ｓ４２でＳＬ付きセラミック基板４０Ａに接合されて層を構成することから、本明細書では、接合工程Ｓ４２でＳＬ付きセラミック基板４０Ａに接合される前に板状である第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂをこのままの名称とする。また、それぞれの厚み方向から見た、第２金属層５０Ｂと、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａとは、外周の形状及び大きさが同等である。そして、第１金属層５０Ａと、第２金属層５０Ｂとは、第１金属層５０Ａに切り欠きＮＴ１が形成されている点以外は、それぞれ、厚み、形状、大きさ及び材質が同等である。
【0063】
第一金属層５０Ａ及び第二金属層５０Ｂの種類に特に制限はなく、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等が挙げられる。
【0064】
〔接合工程〕
接合工程Ｓ４２は、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを、それぞれ、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａの表面４０Ａ１側及び裏面４０Ａ２側に接合する工程である。この場合、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂは、それぞれ、ろう材（図示省略）を介して、表面４０Ａ１側及び裏面４０Ａ２側に接合される。具体的には、セラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２に、ロールコーター法、スクリーン印刷法、転写法等の方法によりペースト状の活性金属ろう材を均一に塗布し、さらに、均一に塗布したペースト状の活性金属ろう材を介してセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２にそれぞれ第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを活性金属法にて接合する。ここで、本工程では、ペースト状のろう材を均一に塗布する点で、スクリーン印刷法が好ましい。また、この場合、ペースト状の活性金属ろう材の粘度を５Ｐａ・ｓ～２０Ｐａ・ｓに制御することが好ましい。ペースト状の活性金属ろう材中の有機溶剤量は５質量％～２５質量％、バインダー量は２質量％～１５質量％の範囲で配合することにより優れたペースト状の活性金属ろう材を得ることができる。接合の加熱温度は、例えば７００℃～９００℃であってよい。加熱炉内の雰囲気は、窒素等の不活性ガスであってよい。接合体の加熱は、大気圧未満の減圧下で行ってもよいし、真空下で行ってもよい。加熱炉は、複数の接合体を連続的に供給しながら加熱する連続式のものであってもよいし、一つ又は複数の接合体をバッチ式で加熱するものであってもよい。接合体の加熱は、接合体を積層方向に押圧しながら行ってもよい。
なお、本実施形態の場合、第１金属層５０ＡがＳＬ付きセラミック基板４０Ａにろう材を介して接合されると、切り欠きＮＴ１の内側にスクライブラインＳＬの一部が位置する（図５Ｂ参照）。すなわち、本実施形態の切り欠き形成工程Ｓ４１は、接合工程Ｓ４２の際にＳＬ付きセラミック基板４０Ａの厚み方向から見て切り欠きＮＴ１の内側にスクライブラインＳＬの一部が位置するように、切り欠きＮＴ１を第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方である第１金属層５０Ａに形成する工程である。
接合工程Ｓ４２は、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを、それぞれ、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａの表面４０Ａ１側及び裏面４０Ａ２側に接合する工程である。この場合、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂは、それぞれ、ろう材（図示省略）を介して、表面４０Ａ１側及び裏面４０Ａ２側に接合される。具体的には、セラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２に、ロールコーター法、スクリーン印刷法、転写法等の方法によりペースト状の活性金属ろう材を均一に塗布し、さらに、均一に塗布したペースト状の活性金属ろう材を介してセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２にそれぞれ第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを活性金属法にて接合する。ここで、本工程では、ペースト状のろう材を均一に塗布する点で、スクリーン印刷法が好ましい。また、この場合、ペースト状の活性金属ろう材の粘度を５Ｐａ・ｓ～２０Ｐａ・ｓに制御することが好ましい。ペースト状の活性金属ろう材中の有機溶剤量は５質量％～２５質量％、バインダー量は２質量％～１５質量％の範囲で配合することにより優れたペースト状の活性金属ろう材を得ることができる。接合の加熱温度は、例えば７００℃～９００℃であってよい。加熱炉内の雰囲気は、窒素等の不活性ガスであってよい。接合体の加熱は、大気圧未満の減圧下で行ってもよいし、真空下で行ってもよい。加熱炉は、複数の接合体を連続的に供給しながら加熱する連続式のものであってもよいし、一つ又は複数の接合体をバッチ式で加熱するものであってもよい。接合体の加熱は、接合体を積層方向に押圧しながら行ってもよい。
なお、本実施形態の場合、第１金属層５０ＡがＳＬ付きセラミック基板４０Ａにろう材を介して接合されると、切り欠きＮＴ１の内側にスクライブラインＳＬの一部が位置する（図５Ｂ参照）。すなわち、本実施形態の切り欠き形成工程Ｓ４１は、接合工程Ｓ４２の際にＳＬ付きセラミック基板４０Ａの厚み方向から見て切り欠きＮＴ１の内側にスクライブラインＳＬの一部が位置するように、切り欠きＮＴ１を第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方である第１金属層５０Ａに形成する工程である。
【0065】
以上のとおり、切り欠き形成工程Ｓ４１、接合工程Ｓ４２の順で本工程が行われ、本工程が終了すると、マザーボード６０が製造される（図５Ｂ及び図５Ｃ参照）。
なお、切り欠き形成工程Ｓ４１で形成される切り欠きＮＴ１の形状は図５Ｂでは矩形であるが、切り欠きＮＴ１の形状は接合工程Ｓ４２の終了時にスクライブラインＳＬの一部が切り欠きＮＴ１の内側に位置すれば矩形でなくてもよい。例えば、円弧状、三角状その他の形状であってもよい。
なお、切り欠き形成工程Ｓ４１で形成される切り欠きＮＴ１の形状は図５Ｂでは矩形であるが、切り欠きＮＴ１の形状は接合工程Ｓ４２の終了時にスクライブラインＳＬの一部が切り欠きＮＴ１の内側に位置すれば矩形でなくてもよい。例えば、円弧状、三角状その他の形状であってもよい。
【0066】
以上が、金属層形成工程Ｓ４０についての説明である。
【0067】
（マザーボードに関する説明）
次に、金属層形成工程Ｓ４０の終了時に製造された本実施形態のマザーボード６０について図５Ｂ及び図５Ｃを参照しながら説明する。
前述のとおり、本実施形態のマザーボード６０は、セラミック基板４０と、セラミック基板４０の表面側に接合されている第１金属層５０Ａと、セラミック基板４０における裏面側に接合されている第２金属層５０Ｂとを備え、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方（本実施形態では第１金属層５０Ａ）には、セラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にする切り欠きＮＴ１が形成されている。
また、本実施形態のマザーボード６０が備えるセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の一方（本実施形態では表面４０Ａ１）には、スクライブラインＳＬが形成されている。すなわち、本実施形態のマザーボード６０が備えるセラミック基板４０は、表面４０Ａ１にスクライブラインＳＬが形成されている、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａである。そして、切り欠きＮＴ１は、マザーボード６０の厚み方向から見て、その内側にスクライブラインＳＬの一部が位置するように、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方（本実施形態では第１金属層５０Ａ）に形成されている（図５Ｂ参照）。
次に、金属層形成工程Ｓ４０の終了時に製造された本実施形態のマザーボード６０について図５Ｂ及び図５Ｃを参照しながら説明する。
前述のとおり、本実施形態のマザーボード６０は、セラミック基板４０と、セラミック基板４０の表面側に接合されている第１金属層５０Ａと、セラミック基板４０における裏面側に接合されている第２金属層５０Ｂとを備え、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方（本実施形態では第１金属層５０Ａ）には、セラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にする切り欠きＮＴ１が形成されている。
また、本実施形態のマザーボード６０が備えるセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の一方（本実施形態では表面４０Ａ１）には、スクライブラインＳＬが形成されている。すなわち、本実施形態のマザーボード６０が備えるセラミック基板４０は、表面４０Ａ１にスクライブラインＳＬが形成されている、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａである。そして、切り欠きＮＴ１は、マザーボード６０の厚み方向から見て、その内側にスクライブラインＳＬの一部が位置するように、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方（本実施形態では第１金属層５０Ａ）に形成されている（図５Ｂ参照）。
【0068】
そして、本実施形態の場合、切り欠きＮＴ１は第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂのうちの一方にしか形成されていない（前述の第１態様の一例）。そのため、切り欠きＮＴが形成されている側の面が表面であるという前提に基づけば、本実施形態の切り欠きＮＴ１はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。
また、本実施形態の場合、切り欠きＮＴ１は、その内側にスクライブラインＳＬの一部が位置するように、第１金属層５０Ａに形成されている。そのため、セラミック基板４０におけるスクライブラインＳＬが形成されている面が表面であるという前提に基づけば、本実施形態の切り欠きＮＴ１はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。
また、本実施形態の場合、切り欠きＮＴ１は、その内側にスクライブラインＳＬの一部が位置するように、第１金属層５０Ａに形成されている。そのため、セラミック基板４０におけるスクライブラインＳＬが形成されている面が表面であるという前提に基づけば、本実施形態の切り欠きＮＴ１はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。
【0069】
＜レジスト印刷工程＞
次に、レジスト印刷工程Ｓ５０について、図６を参照しながら説明する。本工程は、マザーボード６０の第１金属層５０Ａに感光性を有するレジスト膜ＰＲＦを被覆し、第１金属層５０Ａにおける３本のスクライブラインＳＬにより区画されている６つの領域に、後述する各回路パターンＣＰに相当するレジストパターンＰＲＰを形成する工程である。具体的には、本工程では、一例として露光装置（図示省略）を用いて、レジスト膜ＰＲＦにレジストパターンＰＲＰを印刷する（レジストパターンＰＲＰを硬化させ、レジスト膜ＰＲＦにおけるレジストパターンＰＲＰ以外の部分を未硬化のままとする）。その結果、ＰＲＰ付きマザーボード６０Ａが製造される。
なお、第１金属層５０Ａに切り欠きＮＴ１が形成されているため、本工程の作業者は、切り欠き付きマザーボード６０Ａの第１金属層５０Ａを容易に識別することができる。また、第１金属層５０Ａにおける切り欠きＮＴ１が形成されている部分には、レジストパターンＰＲＰ（回路パターンＣＰ）を形成しない。
次に、レジスト印刷工程Ｓ５０について、図６を参照しながら説明する。本工程は、マザーボード６０の第１金属層５０Ａに感光性を有するレジスト膜ＰＲＦを被覆し、第１金属層５０Ａにおける３本のスクライブラインＳＬにより区画されている６つの領域に、後述する各回路パターンＣＰに相当するレジストパターンＰＲＰを形成する工程である。具体的には、本工程では、一例として露光装置（図示省略）を用いて、レジスト膜ＰＲＦにレジストパターンＰＲＰを印刷する（レジストパターンＰＲＰを硬化させ、レジスト膜ＰＲＦにおけるレジストパターンＰＲＰ以外の部分を未硬化のままとする）。その結果、ＰＲＰ付きマザーボード６０Ａが製造される。
なお、第１金属層５０Ａに切り欠きＮＴ１が形成されているため、本工程の作業者は、切り欠き付きマザーボード６０Ａの第１金属層５０Ａを容易に識別することができる。また、第１金属層５０Ａにおける切り欠きＮＴ１が形成されている部分には、レジストパターンＰＲＰ（回路パターンＣＰ）を形成しない。
【0070】
以上が、レジスト印刷工程Ｓ５０についての説明である。
【0071】
＜エッチング工程＞
次に、エッチング工程Ｓ６０（回路パターン形成工程の一例）について、図７を参照しながら説明する。本工程は、ＰＲＰ付きマザーボード６０Ａのレジスト膜ＰＲＦにおける未硬化のレジスト膜ＰＲＦを除去し、第１金属層５０Ａが露出した部分をエッチングし、次いで残ったレジストパターンＰＲＰを除去して、回路パターンＣＰを形成する工程である。その結果、本工程前のＰＲＰ付きマザーボード６０Ａは、３本のスクライブラインＳＬに区画されている６つの領域にそれぞれ回路パターンＣＰが形成された集合基板６０Ｂとなる。また、集合基板６０Ｂが形成されると、ＳＬ形成工程Ｓ３０で形成された３本のスクライブラインＳＬのすべての部分は、第１金属層５０Ａのエッチングに伴って露出された状態となる。これに伴い、第１金属層５０Ａにおける切り欠きＮＴ１が形成されている部分は消滅する。すなわち、集合基板６０Ｂにおいて機能することがない切り欠きＮＴ１は、本工程で消滅される。
そして、本工程で形成される各回路パターンＣＰには、後述する実装工程Ｓ９０で、それぞれ、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品（図示省略）が実装される。すなわち、本工程は、接合工程Ｓ４２の後に行う工程であって、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方（本実施形態の場合は、第１金属層５０Ａ）に形成された切り欠きＮＴ１からセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別をして、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方（本実施形態の場合は第１金属層５０Ａ）に電子部品（図示）が実装される回路パターンＣＰを形成する工程である。
また、本工程後に、本実施形態のマザーボード６０（図５Ｂ及び図５Ｃ参照）の第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方（本実施形態では第１金属層５０Ａ）における、少なくとも１本のスクライブラインＳＬ（本実施形態では３本）により区画されている複数（本実施形態では６つ）の領域には、それぞれ、電子部品（図示省略）が実装される回路パターンＣＰが形成されることになる。
なお、前述の説明では、エッチング工程Ｓ６０を回路パターン形成工程の一例としているが、レジスト印刷工程Ｓ５０とエッチング工程Ｓ６０との組み合せを回路パターン形成工程の一例と捉えてもよい。
次に、エッチング工程Ｓ６０（回路パターン形成工程の一例）について、図７を参照しながら説明する。本工程は、ＰＲＰ付きマザーボード６０Ａのレジスト膜ＰＲＦにおける未硬化のレジスト膜ＰＲＦを除去し、第１金属層５０Ａが露出した部分をエッチングし、次いで残ったレジストパターンＰＲＰを除去して、回路パターンＣＰを形成する工程である。その結果、本工程前のＰＲＰ付きマザーボード６０Ａは、３本のスクライブラインＳＬに区画されている６つの領域にそれぞれ回路パターンＣＰが形成された集合基板６０Ｂとなる。また、集合基板６０Ｂが形成されると、ＳＬ形成工程Ｓ３０で形成された３本のスクライブラインＳＬのすべての部分は、第１金属層５０Ａのエッチングに伴って露出された状態となる。これに伴い、第１金属層５０Ａにおける切り欠きＮＴ１が形成されている部分は消滅する。すなわち、集合基板６０Ｂにおいて機能することがない切り欠きＮＴ１は、本工程で消滅される。
そして、本工程で形成される各回路パターンＣＰには、後述する実装工程Ｓ９０で、それぞれ、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品（図示省略）が実装される。すなわち、本工程は、接合工程Ｓ４２の後に行う工程であって、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方又は両方（本実施形態の場合は、第１金属層５０Ａ）に形成された切り欠きＮＴ１からセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別をして、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方（本実施形態の場合は第１金属層５０Ａ）に電子部品（図示）が実装される回路パターンＣＰを形成する工程である。
また、本工程後に、本実施形態のマザーボード６０（図５Ｂ及び図５Ｃ参照）の第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方（本実施形態では第１金属層５０Ａ）における、少なくとも１本のスクライブラインＳＬ（本実施形態では３本）により区画されている複数（本実施形態では６つ）の領域には、それぞれ、電子部品（図示省略）が実装される回路パターンＣＰが形成されることになる。
なお、前述の説明では、エッチング工程Ｓ６０を回路パターン形成工程の一例としているが、レジスト印刷工程Ｓ５０とエッチング工程Ｓ６０との組み合せを回路パターン形成工程の一例と捉えてもよい。
【0072】
以上が、エッチング工程Ｓ６０についての説明である。
【0073】
＜表面処理工程＞
次に、表面処理工程Ｓ７０について説明する。本工程は、エッチングされた集合基板の金属層の表面に残っているレジストを除去し、金属層の錆を防止する防錆処理や無電解めっき法によりＮｉ－ＰめっきやＡｇめっき処理をする。集合基板の回路パターンに半田のはみだしを防止する目的でソルダーレジストを印刷する。集合基板６０Ｂの複数の（本実施形態では６個の）回路パターンＣＰが形成されている側の面における、電子部品が接合される接合部分以外の部分をソルダーレジスト等の保護層（図示省略）で被覆して、当該接合部分以外の部分の表面処理を行う工程である。また、本工程は、電子部品が接合される接合部分に例えば電解めっき法によりめっき処理をして、当該接合部分の表面処理を行う。ここで、前述の説明では、エッチング工程Ｓ６０の終了時の製造物を集合基板６０Ｂとしたが、表面処理工程Ｓ７０の終了時の製造物、すなわち、集合基板６０Ｂを保護層で被覆した基板を集合基板と捉えてもよい。
次に、表面処理工程Ｓ７０について説明する。本工程は、エッチングされた集合基板の金属層の表面に残っているレジストを除去し、金属層の錆を防止する防錆処理や無電解めっき法によりＮｉ－ＰめっきやＡｇめっき処理をする。集合基板の回路パターンに半田のはみだしを防止する目的でソルダーレジストを印刷する。集合基板６０Ｂの複数の（本実施形態では６個の）回路パターンＣＰが形成されている側の面における、電子部品が接合される接合部分以外の部分をソルダーレジスト等の保護層（図示省略）で被覆して、当該接合部分以外の部分の表面処理を行う工程である。また、本工程は、電子部品が接合される接合部分に例えば電解めっき法によりめっき処理をして、当該接合部分の表面処理を行う。ここで、前述の説明では、エッチング工程Ｓ６０の終了時の製造物を集合基板６０Ｂとしたが、表面処理工程Ｓ７０の終了時の製造物、すなわち、集合基板６０Ｂを保護層で被覆した基板を集合基板と捉えてもよい。
【0074】
以上が、表面処理工程Ｓ７０についての説明である。
【0075】
＜分割工程＞
次に、分割工程Ｓ８０について、図８を参照しながら説明する。本工程は、集合基板６０Ｂ（又はＳＬ付きセラミック基板４０Ａ）を複数本（本実施形態では一例として３本）のスクライブラインＳＬに沿って切断して、集合基板６０Ｂを複数枚（本実施形態では一例として６枚）の回路基板６０Ｃに分割する工程である。すなわち、本工程は、少なくとも１本のスクライブラインＳＬ（本実施形態では一例として３本）に沿ってセラミック基板４０を切断して、複数の回路基板６０Ｂの集合基板６０Ｃを分割する工程である。
次に、分割工程Ｓ８０について、図８を参照しながら説明する。本工程は、集合基板６０Ｂ（又はＳＬ付きセラミック基板４０Ａ）を複数本（本実施形態では一例として３本）のスクライブラインＳＬに沿って切断して、集合基板６０Ｂを複数枚（本実施形態では一例として６枚）の回路基板６０Ｃに分割する工程である。すなわち、本工程は、少なくとも１本のスクライブラインＳＬ（本実施形態では一例として３本）に沿ってセラミック基板４０を切断して、複数の回路基板６０Ｂの集合基板６０Ｃを分割する工程である。
【0076】
本工程が終了すると、複数枚の回路基板６０Ｃが製造される。なお、本実施形態の場合、第１金属層５０Ａは、これまでの工程により、各回路基板６０Ｃの回路パターンＣＰとなる。これに対して、第２金属層５０Ｂにおける、３本のスクライブラインＳＬにより区画された領域は、これまでの工程により、各回路基板６０Ｃにおける回路パターンＣＰが形成されている側と反対側の金属層となる。そして、当該金属層は、後述する実装工程Ｓ９０により製造される実装基板（図示省略）の使用時において、回路パターンＣＰに実装される電子部品が発生させる熱を放熱するための放熱層として機能する。そして、本工程後に、本実施形態のマザーボード６０（図５Ｂ及び図５Ｃ参照）の第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの他方（本実施形態では第２金属層５０Ｂ）における、少なくとも１本のスクライブラインＳＬ（本実施形態では３本）により区画されている複数（本実施形態では６つ）の領域には、それぞれ放熱層として機能することになる。
【0077】
以上が、分割工程Ｓ８０についての説明である。
【0078】
＜実装工程＞
次に、実装工程について説明する。本工程は、各回路基板６０Ｃ（図８参照）に電子部品（図示省略）を実装する工程である。本工程は、実装装置（図示省略）を用いて、各回路基板６０Ｃの回路パターンＣＰ（図８参照）における電子部品が接合される接合部分にはんだ（図示省略）を付着させて、当該接合部分に電子部品の接合端子を接合させる。
次に、実装工程について説明する。本工程は、各回路基板６０Ｃ（図８参照）に電子部品（図示省略）を実装する工程である。本工程は、実装装置（図示省略）を用いて、各回路基板６０Ｃの回路パターンＣＰ（図８参照）における電子部品が接合される接合部分にはんだ（図示省略）を付着させて、当該接合部分に電子部品の接合端子を接合させる。
【0079】
本工程が終了すると、複数の実装基板が製造される。なお、前述の説明では、本工程は分割工程Ｓ８０の後の工程としたが、本工程の後に分割工程Ｓ８０を行うようにしてもよい。すなわち、本実施形態の製造方法Ｓ１００は、表面処理工程Ｓ７０の後、実装工程Ｓ９０、分割工程Ｓ８０の順で行ってもよい。
【0080】
以上が、実装工程Ｓ９０についての説明である。なお、複数の実装基板の製造後には、例えば、検査装置（図示省略）を用いて、回路パターンＣＰの検査、電子部品の動作の検査等が行われる。
以上が、本実施形態の製造方法Ｓ１００についての説明である。
以上が、本実施形態の製造方法Ｓ１００についての説明である。
【0081】
≪本実施形態の効果≫
次に、本実施形態の効果について説明する。
次に、本実施形態の効果について説明する。
【0082】
本実施形態では、マザーボード６０における第１金属層５０Ａに切り欠きＮＴ１が形成されている。
したがって、本実施形態のマザーボード６０は、レジスト印刷工程Ｓ５０において、マザーボード６０の表裏を容易に識別できる。これに伴い、本実施形態の金属層形成工程Ｓ４０（本実施形態のマザーボード６０の製造方法）によれば、表裏を容易に識別できるマザーボード６０を製造することができる。また、本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの製造方法（図１のＳ１０～Ｓ８０）及び本実施形態の製造方法Ｓ１００によれば、製造不良が発生しない又は発生し難い。
したがって、本実施形態のマザーボード６０は、レジスト印刷工程Ｓ５０において、マザーボード６０の表裏を容易に識別できる。これに伴い、本実施形態の金属層形成工程Ｓ４０（本実施形態のマザーボード６０の製造方法）によれば、表裏を容易に識別できるマザーボード６０を製造することができる。また、本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの製造方法（図１のＳ１０～Ｓ８０）及び本実施形態の製造方法Ｓ１００によれば、製造不良が発生しない又は発生し難い。
【0083】
また、本実施形態の場合、マザーボード６０の表裏を識別するための手段は、例えば、第１金属層５０Ａに付されたマーク（例えば印刷された模様等）ではない。識別するための手段が前述のマークである場合、本実施形態の製造方法のいずれかの工程時にマークが擦れる等により無くなる虞がある。
これに対して、本実施形態の場合、マザーボード６０の表裏を識別するための手段である切り欠きＮＴ１は、擦れる等により無くなることがない。
したがって、本実施形態は、マザーボード６０の表裏を識別するための手段が第１金属層５０Ａに付されたマークである場合に比べて、マザーボード６０の表裏を確実に識別できる。
これに対して、本実施形態の場合、マザーボード６０の表裏を識別するための手段である切り欠きＮＴ１は、擦れる等により無くなることがない。
したがって、本実施形態は、マザーボード６０の表裏を識別するための手段が第１金属層５０Ａに付されたマークである場合に比べて、マザーボード６０の表裏を確実に識別できる。
【0084】
また、前述のとおり、本実施形態の切り欠きＮＴ１は、第１金属層５０Ａの製造時に形成することが可能である。具体的には、図２Ｃに示す切断装置２００のような装置を用いて帯状の金属層（図示省略）を裁断して矩形である枚葉の金属層を製造する際に、当該装置に取り付けられているプレスユニット（図示省略）により当該枚葉の金属層に切り欠きＮＴ１を形成して第１金属層５０Ａを製造すればよい。
したがって、本実施形態によれば、簡単に又は低コストで、マザーボード６０の表裏を識別するための手段である切り欠きＮＴ１を形成することができる。
したがって、本実施形態によれば、簡単に又は低コストで、マザーボード６０の表裏を識別するための手段である切り欠きＮＴ１を形成することができる。
【0085】
また、本実施形態の切り欠きＮＴ１は、第１金属層５０Ａにおける回路パターンＣＰが形成される部分以外の部分に形成される（図７参照）。そのため、第１金属層５０Ａにおける切り欠きＮＴ１が形成されている部分は、エッチング工程Ｓ６０で消滅される。
したがって、本実施形態によれば、製造される複数の回路基板６０Ｃ及び複数の実装基板に切り欠きＮＴ１の影響が残らない。
したがって、本実施形態によれば、製造される複数の回路基板６０Ｃ及び複数の実装基板に切り欠きＮＴ１の影響が残らない。
【0086】
また、本実施形態では、第１金属層５０Ａは、切り欠きＮＴ１の内側にスクライブラインＳＬの一部が位置するように、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａに接合される（図５Ｂ参照）。
したがって、本実施形態の場合、レジスト印刷工程Ｓ５０において直接スクライブラインＳＬを視認してマザーボード６０の表裏の識別することができる。
したがって、本実施形態の場合、レジスト印刷工程Ｓ５０において直接スクライブラインＳＬを視認してマザーボード６０の表裏の識別することができる。
【0087】
以上が、本実施形態の効果についての説明である。また、以上が、本実施形態についての説明である。
【0088】
≪変形例≫
以上のとおり、本発明の一例について前述の実施形態（図１～図８参照）を参照しながら説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような形態（変形例）も含まれる。
以上のとおり、本発明の一例について前述の実施形態（図１～図８参照）を参照しながら説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような形態（変形例）も含まれる。
【0089】
例えば、本実施形態の説明では、セラミック粉末の一例を窒化珪素として説明した。しかしながら、セラミック粉末の一例は他のセラミック粉末でもよい。例えば、窒化アルミニウムでもよい。
【0090】
また、本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１０に含まれる成形工程Ｓ１２（図２Ａ参照）の説明では、ドクターブレード成形を用いて行うとした。しかしながら、スラリー１０を帯状グリーンシート２０に成形することができれば、成形工程Ｓ１２は他の方法により行われてもよい。例えば、成形工程Ｓ１２は、押出成形によって行われてもよい。
【0091】
また、本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１０に含まれる切断工程Ｓ１３（図２Ａ参照）の説明では、照射部２２４を帯状グリーンシート２０の短手方向の一端側から他端側に亘って移動させながら、帯状グリーンシート２０を切断するとした。しかしながら、結果として帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を得ることができれば、帯状グリーンシート２０の切断箇所が本実施形態の場合のように帯状グリーンシート２０の短手方向の一端側から他端側に亘る直線部分でなくてもよい。例えば、帯状グリーンシート２０に枚葉グリーンシート３０の形をした穴を開けることで帯状グリーンシート２０から枚葉グリーンシート３０を分離する（又はくり抜く）ように、帯状グリーンシート２０を切断してもよい。すなわち、帯状グリーンシート２０を切断して得られる枚葉グリーンシート３０は、その全端面の少なくとも一部が切断面であればよい。
【0092】
また、本実施形態では、スクライブラインＳＬは、直線状に並ぶ複数の凹みであるとして説明した（図５Ｃ参照）。しかしながら、その機能を発揮することができれば、スクライブラインＳＬは、例えば、連続的な溝、長さ、幅等が異なる複数の凹み等であってもよい。
【0093】
また、本実施形態では、複数本のスクライブラインＳＬは、３本のスクライブラインＳＬであるとして説明した（図４参照）。しかしながら、複数本のスクライブラインＳＬは、少なくとも１本以上のスクライブラインＳＬであればよい。
【0094】
また、本実施形態では、複数本のスクライブラインＳＬはマザーボード６０を６等分するとして説明した（図４参照）。しかしながら、複数本のスクライブラインＳＬはマザーボード６０を等分しなくてもよい。
【0095】
また、本実施形態では、第１金属層５０Ａと、第２金属層５０Ｂとは、第１金属層５０Ａに切り欠きＮＴ１が形成されている点以外は、それぞれ、厚み、形状、大きさ及び材質が同等であるとして説明した。しかしながら、第１金属層５０Ａと、第２金属層５０Ｂとは、それぞれの厚みが異なっていてもよい。
【0096】
また、本実施形態では、切り欠きＮＴ１が形成されている第１金属層５０Ａに回路パターンＣＰが形成されると説明した（図６及び図７参照）。しかしながら、回路パターンＣＰは、切り欠きＮＴ１が形成されていない第２金属層５０Ｂに形成してもよい。すなわち、セラミック基板４０（マザーボード６０）の表面及び裏面の識別を可能にする切り欠きＮＴ１は、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの一方に形成されていればよい。
【0097】
また、本実施形態では、切り欠きＮＴ１が第１金属層５０Ａの一箇所に形成されているとして説明した（図５Ｂ参照）。しかしながら、第１金属層５０Ａには複数の切り欠きＮＴ１が形成されていてもよい。すなわち、セラミック基板４０（マザーボード６０）の表面及び裏面の識別を可能する、少なくとも１つの切り欠きＮＴ１が形成されていればよい。
【0098】
また、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂにそれぞれ少なくとも１つ以上の切り欠きＮＴ１を形成し、かつ、それぞれの層に形成されている切り欠きＮＴ１の数量を異なる数量にしてもよい。例えば、第１金属層５０Ａには２つの切り欠きＮＴ１を形成し、第２金属層５０Ｂには１つの切り欠きＮＴ１を形成する（前述の第２態様の一例）。この場合、マザーボード６０の表面側に２つの切り欠きが形成されている前提に基づけば、第１金属層５０Ａに形成される２つの切り欠きＮＴ１及び第２金属層５０Ｂに形成される１つの切り欠きＮＴ１はセラミック基板４０（マザーボード６０）の表面及び裏面の識別を可能する。
【0099】
また、本実施形態では、金属層形成工程Ｓ４０で第１金属層５０Ａに切り欠きＮＴ１を形成し、エッチング工程Ｓ６０で第１金属層５０Ａに回路パターンＣＰを形成し、分割工程Ｓ８０で複数の回路基板６０Ｃが製造されると第２金属層５０Ｂは複数の放熱層になることを説明した。しかしながら、第２金属層５０Ｂに切り欠きＮＴ１を形成し、第２金属層５０Ｂに回路パターンＣＰを形成してもよい。
【0100】
また、本実施形態では、切り欠きＮＴ１が形成された第１金属層５０Ａをセラミック基板４０に接合するとして説明した（図５Ａのフロー図参照）。しかしながら、図９に示す金属層形成工程の変形例（第１変形例）のように、第１金属層５０Ａをセラミック基板４０に接合した後に、第１金属層５０Ａに切り欠きＮＴ１を形成してもよい。すなわち、レジスト印刷工程Ｓ５０の前に、マザーボード６０の表面及び裏面の識別を可能とする切り欠きＮＴ１が形成されていればよい。
【0101】
また、本実施形態では、切り欠きＮＴ１は、第１金属層５０ＡにおけるスクライブラインＳＬの一部に重なる位置に形成されているとして説明した（図５Ｂ参照）。しかしながら、図１０に示す金属層形成工程の変形例（第２変形例）のように、切り欠きＮＴ２は第１金属層５０ＡにおけるスクライブラインＳＬの一部に重なる位置以外の位置に形成されていてもよい。例えば、本変形例のように、切り欠きＮＴ２は第１金属層５０Ａの４つの角部のうちの少なくとも１つにそれぞれ形成されていてもよい。なお、本変形例の場合と異なり、４つの切り欠きＮＴ２は、４つの角部のうちの少なくとも１つの角部に形成されていてもよい。また、本変形例の場合、切り欠きＮＴ２を例えばアライメントマークとして利用してもよい。
【0102】
また、図１０に示す第２変形例の場合、一例として、切り欠きＮＴ２は第２金属層５０Ｂの４つの角部にも形成されている。本変形例の場合、例えば、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２と、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２とは、互いに、大きさが異なるようになっていればよい（前述の第２態様の一例）。本変形例によれば、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２の大きさと、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２の大きさとの違いを認識してマザーボード６０の表面及び裏面の識別を可能にする。
【0103】
また、図１０に示す第２変形例の場合、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの両方の各４つの角部にそれぞれ切り欠きＮＴ２が形成される。すなわち、第２変形例の場合、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂの両方における厚み方向から見て同じ部分に切り欠きＮＴ２が形成されている。ここで、第２変形例の説明では、例えば、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２と、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２とは、互いに、大きさが異なるようになっていればよいとした。
しかしながら、図１１に示す第３変形例のように、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２の形状（一例として矩形状）と、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２の形状（一例として三角形状）とが、互いに異なる形状としてもよい（前述の第２態様の一例）。第３変形例によれば、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２の形状と、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２の形状との違いを認識してマザーボード６０の表面及び裏面の識別を可能にする。
第３変形例の場合、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２と、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２とは、それぞれ、セラミック基板４０の厚み方向から見て同じ位置に形成されている。しかしながら、矩形状の切り欠きＮＴ２が形成されている側がセラミック基板４０の表面である又は三角形状の切り欠きＮＴ２が形成されている側が裏面という前提に基づけば、第３変形例の切り欠きＮＴ２はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。
しかしながら、図１１に示す第３変形例のように、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２の形状（一例として矩形状）と、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２の形状（一例として三角形状）とが、互いに異なる形状としてもよい（前述の第２態様の一例）。第３変形例によれば、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２の形状と、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２の形状との違いを認識してマザーボード６０の表面及び裏面の識別を可能にする。
第３変形例の場合、第１金属層５０Ａの切り欠きＮＴ２と、第２金属層５０Ｂの切り欠きＮＴ２とは、それぞれ、セラミック基板４０の厚み方向から見て同じ位置に形成されている。しかしながら、矩形状の切り欠きＮＴ２が形成されている側がセラミック基板４０の表面である又は三角形状の切り欠きＮＴ２が形成されている側が裏面という前提に基づけば、第３変形例の切り欠きＮＴ２はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。
【0104】
また、本実施形態の金属層形成工程Ｓ４０の前にＳＬ形成工程Ｓ３０が行われるとして説明した（図１及び図４参照）。しかしながら、図１２に示す金属層形成工程の変形例（第４変形例）の場合のように、ＳＬ形成工程Ｓ３０を行うことなくスクライブラインＳＬが形成されていないマザーボード６０に第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを接合するようにしてもよい。この場合、第１金属層５０Ａ及び５０Ｂの一方又は両方に少なくとも１つの切り欠きＮＴ１が形成されていればよい。第４変形例の場合、表面処理工程Ｓ７０の後に分割工程Ｓ８０を行うことなく実装工程Ｓ９０を行うようにすれば（図１参照）、１枚のマザーボード６０から１枚の実装基板が製造される。
【0105】
また、本実施形態の切り欠きＮＴ１は、図５Ｂ、図５Ｃ等に示すように、第１金属層５０Ａの厚み方向の部分の全部を除去した形態とした。しかしながら、本実施形態の切り欠きＮＴ１を、図１３に示す第５変形例の切り欠きＮＴ３のように、セラミック基板４０の厚み方向の部分の一部を除去した形態としてもよい（前述の第１態様の一例）。
【0106】
また、本実施形態の切り欠きＮＴ１は、図５Ｂ、図５Ｃ等に示すように、第１金属層５０Ａの厚み方向の部分の全部を除去した形態とした。しかしながら、本実施形態の切り欠きＮＴ１を、図１４に示す第６変形例の孔ＨＬ１のように、セラミック基板４０の周縁で開口せずその厚み方向に貫通した形態（貫通孔）としてもよい（前述の第１態様の一例）。第６変形例の場合、孔ＨＬ１が形成されている側がセラミック基板４０の表面であるという前提に基づけば、第５変形例の孔ＨＬ１はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。
なお、第６変形例における、孔ＨＬ１の形状は第１金属層５０Ａの厚み方向から見て円形であるが、孔ＨＬ１の厚み方向から見た形状は円形でなくてもよい。
また、孔ＨＬ１及び後述する孔ＨＬ２は、本実施形態の切り欠きＮＴ１の形成方法と同様に、プレスユニット（図示省略）により枚葉の金属層に孔ＨＬ１又は孔ＨＬ２を形成して第１金属層５０Ａ又は第２金属層５０Ｂを製造すればよい。
なお、第６変形例における、孔ＨＬ１の形状は第１金属層５０Ａの厚み方向から見て円形であるが、孔ＨＬ１の厚み方向から見た形状は円形でなくてもよい。
また、孔ＨＬ１及び後述する孔ＨＬ２は、本実施形態の切り欠きＮＴ１の形成方法と同様に、プレスユニット（図示省略）により枚葉の金属層に孔ＨＬ１又は孔ＨＬ２を形成して第１金属層５０Ａ又は第２金属層５０Ｂを製造すればよい。
【0107】
また、図１５Ａ及び図１５Ｂに示す第７変形例のように、第１金属層５０Ａと第２金属層５０Ｂとがマザーボード６０を構成している状態で、それぞれに厚み方向から見て同じ位置に、同じ大きさ、同じ形状の孔ＨＬ１、ＨＬ２が形成されていてもよい（前述の第３態様の一例）。ただし、第７変形例の場合、第１金属層５０Ａに形成されている孔ＨＬ１を貫通孔とし、第２金属層５０Ｂに形成されている孔ＨＬ２を非貫通孔とする。そして、第７変形例の場合、孔ＨＬ１（貫通孔）が形成されている側がセラミック基板４０の表面であり、かつ、孔ＨＬ２（非貫通孔）が形成されている側が裏面であるという前提に基づけば、第７変形例の孔ＨＬ１及び孔ＨＬ２の一方又は両方はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。また、この場合、孔ＨＬ１（貫通孔）が形成されている側である孔ＨＬ１、ＨＬ２内の色彩、素材又は模様と、孔ＨＬ２（非貫通孔）が形成されている側であるＨＬ２内の色彩、素材又は模様とは、孔ＨＬ１内がセラミック基板４０の色彩、素材であり、孔ＨＬ２内が金属の色彩、金属素材であることにより相違する。
なお、第７変形例における、孔ＨＬ１、ＨＬ２は、それぞれ厚み方向から見て円形であるが、互いに厚み方向から見て同じ大きさ、同じ形状であれば、円形でなくてもよい。
なお、第７変形例における、孔ＨＬ１、ＨＬ２は、それぞれ厚み方向から見て円形であるが、互いに厚み方向から見て同じ大きさ、同じ形状であれば、円形でなくてもよい。
【0108】
図１６に示す第８変形例では、第１金属層５０Ａと第２金属層５０Ｂとがマザーボード６０を構成している状態で、それぞれに厚み方向から見て同じ位置に、同じ大きさ、同じ形状の複数の切り欠きＮＬ４が形成されている（前述の第３態様の一例）。この場合であっても、セラミック基板４０における複数の切り欠きＮＴ４からセラミック基板４０の表面４０Ａ１と裏４０Ａ２との識別を可能とする特徴が視認できれば、複数の切り欠きＮＴ４はセラミック基板４０の表面４０Ａ１と裏４０Ａ２との識別を可能とする切り欠きといえる。
そして、第８変形例の場合、複数の切り欠きＮＴ４の一部からセラミック基板４０の表面４０Ａ１に形成されているスクライブラインＳＬ（模様の一例）が視認可能なため、スクライブラインＳＬが上記特徴に相当する。
以上より、切り欠きＮＴ１内にスクライブラインＳＬが形成されている側がセラミック基板４０の表面であるという前提に基づけば、第８変形例の第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂのそれぞれに形成されている複数の切り欠きＮＴ４はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。
なお、第８変形例では、各金属層にそれぞれ複数の切り欠きＮＴ４が形成されているとしたが、各金属層にはそれぞれ１つの切り欠きＮＴ４のみが形成されていてもよい。また第８変形例の切り欠きＮＴ４を例えば第６変形例の孔ＨＬ１（貫通孔）としてもよい。
そして、第８変形例の場合、複数の切り欠きＮＴ４の一部からセラミック基板４０の表面４０Ａ１に形成されているスクライブラインＳＬ（模様の一例）が視認可能なため、スクライブラインＳＬが上記特徴に相当する。
以上より、切り欠きＮＴ１内にスクライブラインＳＬが形成されている側がセラミック基板４０の表面であるという前提に基づけば、第８変形例の第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂのそれぞれに形成されている複数の切り欠きＮＴ４はセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２の識別を可能にするという機能を有する。
なお、第８変形例では、各金属層にそれぞれ複数の切り欠きＮＴ４が形成されているとしたが、各金属層にはそれぞれ１つの切り欠きＮＴ４のみが形成されていてもよい。また第８変形例の切り欠きＮＴ４を例えば第６変形例の孔ＨＬ１（貫通孔）としてもよい。
【0109】
以上のとおり、前述の実施形態（図１～図８参照）と、複数の変形例（例えば図９～図１６参照）とについてそれぞれ別々に説明したが、本発明の技術的範囲に属する形態としては、これらの１つに対して他の形態の一部の技術的要素を組み合せた形態としてもよい。例えば、第２変形例のマザーボード６０（図１０参照）の第１金属層５０Ａの４つの切り欠きＮＴ２を前述の実施形態の切り欠きＮＴ１（図５Ｂ参照）としてもよい。
【0110】
この出願は、２０１９年５月３１日に出願された日本出願特願２０１９－１０２５９０号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【符号の説明】
【0111】
１０ スラリー
２０ 帯状グリーンシート
３０ 枚葉グリーンシート
４０ セラミック基板
４０Ａ ＳＬ付きセラミック基板
４０Ａ１ 表面
４０Ａ２ 裏面
５０Ａ 第１金属層
５０Ｂ 第２金属層
６０ マザーボード（複合基板の一例）
６０Ａ ＰＲＰ付きマザーボード
６０Ｂ 集合基板（集合体の一例）
６０Ｃ 回路基板
１００ ドクターブレード成形装置
１１０ ベルト搬送機構
１１２ ローラ
１１２Ａ ローラ
１１２Ｂ ローラ
１１４ ベルト
１２０ 成形ユニット
１２２ 収容部
１２４ ドクターブレード
１３０ 加熱ユニット
２００ 切断装置
２１０ シート搬送機構
２１２ 支持部
２１４ 第１搬送部
２１６ 第２搬送部
２２０ 切断部
２２２ 筐体
２２４ 照射部
２２６ 移動機構
ＣＰ 回路パターン
ＨＬ１ 孔（貫通孔）
ＨＬ２ 孔（非貫通孔）
ＬＢ レーザー光
ＮＴ１ 切り欠き
ＮＴ２ 切り欠き
ＮＴ３ 切り欠き
ＮＴ４ 切り欠き
ＰＲＦ レジスト膜
ＰＲＰ レジストパターン
Ｓ１０ グリーンシート形成工程
Ｓ１１ スラリー作製工程
Ｓ１２ 成形工程
Ｓ１３ 切断工程
Ｓ１４ 積層工程
Ｓ１５ 脱脂工程
Ｓ１６ 焼結工程
Ｓ２０ 焼結工程
Ｓ３０ ＳＬ形成工程（スクライブライン形成工程）
Ｓ４０ 金属層形成工程
Ｓ４１ 切り欠き形成工程
Ｓ４２ 接合工程
Ｓ５０ レジスト印刷工程
Ｓ６０ エッチング工程
Ｓ７０ 表面処理工程
Ｓ８０ 分割工程
Ｓ９０ 実装工程
Ｓ１００ 実装基板の製造方法
ＳＬ スクライブライン
ＷＣ 温風
２０ 帯状グリーンシート
３０ 枚葉グリーンシート
４０ セラミック基板
４０Ａ ＳＬ付きセラミック基板
４０Ａ１ 表面
４０Ａ２ 裏面
５０Ａ 第１金属層
５０Ｂ 第２金属層
６０ マザーボード（複合基板の一例）
６０Ａ ＰＲＰ付きマザーボード
６０Ｂ 集合基板（集合体の一例）
６０Ｃ 回路基板
１００ ドクターブレード成形装置
１１０ ベルト搬送機構
１１２ ローラ
１１２Ａ ローラ
１１２Ｂ ローラ
１１４ ベルト
１２０ 成形ユニット
１２２ 収容部
１２４ ドクターブレード
１３０ 加熱ユニット
２００ 切断装置
２１０ シート搬送機構
２１２ 支持部
２１４ 第１搬送部
２１６ 第２搬送部
２２０ 切断部
２２２ 筐体
２２４ 照射部
２２６ 移動機構
ＣＰ 回路パターン
ＨＬ１ 孔（貫通孔）
ＨＬ２ 孔（非貫通孔）
ＬＢ レーザー光
ＮＴ１ 切り欠き
ＮＴ２ 切り欠き
ＮＴ３ 切り欠き
ＮＴ４ 切り欠き
ＰＲＦ レジスト膜
ＰＲＰ レジストパターン
Ｓ１０ グリーンシート形成工程
Ｓ１１ スラリー作製工程
Ｓ１２ 成形工程
Ｓ１３ 切断工程
Ｓ１４ 積層工程
Ｓ１５ 脱脂工程
Ｓ１６ 焼結工程
Ｓ２０ 焼結工程
Ｓ３０ ＳＬ形成工程（スクライブライン形成工程）
Ｓ４０ 金属層形成工程
Ｓ４１ 切り欠き形成工程
Ｓ４２ 接合工程
Ｓ５０ レジスト印刷工程
Ｓ６０ エッチング工程
Ｓ７０ 表面処理工程
Ｓ８０ 分割工程
Ｓ９０ 実装工程
Ｓ１００ 実装基板の製造方法
ＳＬ スクライブライン
ＷＣ 温風
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15A】
【図15B】
【図16】