特許7581373同じゲート・ソースドーピングを有する電界効果トランジスタ、セル構造及び製造方法

発明の名称　同じゲート・ソースドーピングを有する電界効果トランジスタ、セル構造及び製造方法

出願人　ピーエヌ ジャンクション セミコンダクター（ハンチョウ） カンパニー リミテッド　（識別番号 522411337）

　　　　特許公開件数ランキング 30460 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 24686 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7581373

公報発行日　2024年11月12

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7581373

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