(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-01
(45)【発行日】2024-11-12
(54)【発明の名称】レーザーダイオード装置及び光電送受信システム
(51)【国際特許分類】
H01S 5/024 20060101AFI20241105BHJP
H01S 5/042 20060101ALI20241105BHJP
【ＦＩ】
H01S5/024
H01S5/042 610
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2023177567
(22)【出願日】2023-10-13
【審査請求日】2023-10-13
(31)【優先権主張番号】112119209
(32)【優先日】2023-05-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW
(73)【特許権者】
【識別番号】504429600
【氏名又は名称】緯創資通股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＷＩＳＴＲＯＮ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】林黄譽
(72)【発明者】
【氏名】李衡
(72)【発明者】
【氏名】潘虹君
【審査官】村井 友和
(56)【参考文献】
【文献】特開２００１－２３０５０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０２２４８１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－００４０６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－０９５７３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１３５９１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－０８８４９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第６８１８９４６（ＪＰ，Ｂ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｓ ５／００－５／５０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられ、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、
前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記凸ブロックは柱状凸ブロックであり、前記柱状凸ブロックの前記レーザーダイオードに近い一方の側は第１の直径を有し、
前記柱状凸ブロックは、前記レーザーダイオードから前記第２の基板へ延伸する高さを有し、前記第１の直径と前記柱状凸ブロックの前記高さの比は０．８５～１．１である
ことを特徴とするレーザーダイオード装置。
【請求項2】
第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、第２の連接層と、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられ、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを備え、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記第２の連接層は、前記第２の基板の本体の前記レーザーダイオードに近い側に位置し、前記レーザーダイオードおよび前記第２の電極に電気的に接続され、
前記凸ブロックは前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記凸ブロックは第２の基板凸部であり、前記第２の基板凸部は、前記第２の基板から延伸して、前記レーザーダイオードが前記第２の連接層を介して前記第２の基板凸部に接続することを可能にする
ことを特徴とするレーザーダイオード装置。
【請求項3】
第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は、前記第１の基板に対応するように設けられ、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に位置し、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さよりも高く、
前記凸ブロックは導電性接着剤であり、前記導電性接着剤は前記レーザーダイオードの前記第２の基板に近い一方の側に位置し、且つ、前記導電性接着剤の材料は銀、錫又はそれらの合金である
ことを特徴とするレーザーダイオード装置。
【請求項4】
第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は、前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に位置し、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを有し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さよりも高く、
前記第１の基板、前記レーザーダイオード、及び前記第２の基板の間には収容スペースを有し、
前記収容スペースには充填材料が充填され、前記充填材料は絶縁体と複数の導電性粒子を含み、
前記複数の導電性粒子は前記絶縁体に分布し、且つ一部分の前記複数の導電性粒子は前記凸ブロックと前記第２の基板の間に位置する
ことを特徴とするレーザーダイオード装置。
【請求項5】
光ファイバと、レンズと、レーザーダイオード装置と、レーザーダイオード駆動器を備えた光電送受信システムにおいて、前記レンズは前記光ファイバの近くに設けられ、
前記レーザーダイオード装置は、第１の基板と、レーザーダイオードと、第２の基板と、凸ブロックを備え、
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板に位置し、前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた一方の側に位置し、
前記第２の基板は、前記レーザーダイオードに対応し、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記凸ブロックは前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオード駆動器は、前記レーザーダイオード装置に電気的に接続され、且つ、前記レーザーダイオード駆動器は駆動信号を前記レーザーダイオード装置に送信して、前記レーザーダイオード装置の前記レーザーダイオードが前記レンズから光又は光信号を受信することを可能にするか、或いは前記レーザーダイオード装置の前記レーザーダイオードが光又は光信号を前記レンズと前記光ファイバに送信することを可能にする
ことを特徴とする光電送受信システム。
【請求項6】
前記凸ブロックは柱状凸ブロックであり、前記柱状凸ブロックの前記レーザーダイオードに近い一方の側は第１の直径を有し、前記柱状凸ブロックは前記レーザーダイオードから前記第２の基板へ延伸する前記高さを有し、前記第１の直径と前記柱状凸ブロックの前記高さの比は０．８５～１．１であることを特徴とする請求項５に記載の光電送受信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はレーザーダイオード装置及び光電送受信システムに関し、特に、ウエーブガイドを備えたレーザーダイオード装置及び光電送受信システムに関する。
【背景技術】
【0002】
通信速度の向上に伴い、高速な光通信の製品に使用できるレーザーダイオードとその発光効率の需要も高まっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
しかし、このような高速な光通信に利用されるレーザーダイオードは、低速な光通信用の製品に使用される従来のレーザーダイオードと比較して出力が比較的高いので、発生する熱量も増加する傾向にある。また、所定の要件の下では、一部のレーザーダイオードは比較的低温な状態で駆動しなければならない場合がある。
【課題を解決するための手段】
【0004】
上述の問題に鑑みて、本発明は以下の構成を備える。即ち、
第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられ、前記レーザーダイオードの前記第１の基板の一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、
前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記凸ブロックは柱状凸ブロックであり、前記柱状凸ブロックの前記レーザーダイオードに近い一方の側は第１の直径を有し、
前記柱状凸ブロックは、前記レーザーダイオードから前記第２の基板へ延伸する高さを有し、前記第１の直径と前記柱状凸ブロックの前記高さの比は０．８５～１．１である。
第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられ、前記レーザーダイオードの前記第１の基板の一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、
前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記凸ブロックは柱状凸ブロックであり、前記柱状凸ブロックの前記レーザーダイオードに近い一方の側は第１の直径を有し、
前記柱状凸ブロックは、前記レーザーダイオードから前記第２の基板へ延伸する高さを有し、前記第１の直径と前記柱状凸ブロックの前記高さの比は０．８５～１．１である。
【0005】
また、第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられ、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを備え、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記凸ブロックは第２の基板凸部であり、前記第２の基板凸部は前記第２の基板から延伸し、前記レーザーダイオードと前記第２の電極に電気的に接続され、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続される。
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられ、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを備え、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記凸ブロックは第２の基板凸部であり、前記第２の基板凸部は前記第２の基板から延伸し、前記レーザーダイオードと前記第２の電極に電気的に接続され、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続される。
【0006】
また、第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は、前記第１の基板に対応するように設けられ、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に位置し、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さよりも高く、
前記凸ブロックは導電性接着剤であり、前記導電性接着剤は前記レーザーダイオードの前記第２の基板に近い一方の側に位置し、且つ、前記導電性接着剤の材料は銀、錫又はそれらの合金である。
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は、前記第１の基板に対応するように設けられ、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に位置し、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さよりも高く、
前記凸ブロックは導電性接着剤であり、前記導電性接着剤は前記レーザーダイオードの前記第２の基板に近い一方の側に位置し、且つ、前記導電性接着剤の材料は銀、錫又はそれらの合金である。
【0007】
また、第１の基板と、第２の基板と、レーザーダイオードと、凸ブロックを備えたレーザーダイオード装置において、
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は、前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に位置し、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを有し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さよりも高く、
前記第１の基板、前記レーザーダイオード、及び前記第２の基板の間には収容スペースを有し、
前記収容スペースには充填材料が充填され、前記充填材料は絶縁体と複数の導電性粒子を含み、
前記複数の導電性粒子は前記絶縁体に分布し、且つ一部分の前記複数の導電性粒子は前記凸ブロックと前記第２の基板の間に位置する
ことを特徴とするレーザーダイオード装置。
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記第２の基板は、前記第１の基板に対応するように設置され、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板と前記第２の基板の間に位置し、前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオードはウエーブガイドを有し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた側に位置し、
前記凸ブロックは、前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さよりも高く、
前記第１の基板、前記レーザーダイオード、及び前記第２の基板の間には収容スペースを有し、
前記収容スペースには充填材料が充填され、前記充填材料は絶縁体と複数の導電性粒子を含み、
前記複数の導電性粒子は前記絶縁体に分布し、且つ一部分の前記複数の導電性粒子は前記凸ブロックと前記第２の基板の間に位置する
ことを特徴とするレーザーダイオード装置。
【0008】
また、光ファイバと、レンズと、レーザーダイオード装置と、レーザーダイオード駆動器を備えた光電送受信システムにおいて、
前記レンズは前記光ファイバの近くに設けられ、
前記レーザーダイオード装置は、第１の基板と、レーザーダイオードと、第２の基板と、凸ブロックを備え、
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板に位置し、前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた一方の側に位置し、
前記第２の基板は、前記レーザーダイオードに対応し、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記凸ブロックは前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオード駆動器は、前記レーザーダイオード装置に電気的に接続され、且つ、前記レーザーダイオード駆動器は駆動信号を前記レーザーダイオード装置に送信し、前記レーザーダイオード装置の前記レーザーダイオードは光源によって前記レンズと前記光ファイバに通信可能に連接される
ことを特徴とする光電送受信システム。
前記レンズは前記光ファイバの近くに設けられ、
前記レーザーダイオード装置は、第１の基板と、レーザーダイオードと、第２の基板と、凸ブロックを備え、
前記第１の基板は第１の電極を含み、
前記レーザーダイオードは、前記第１の基板に位置し、前記レーザーダイオードはウエーブガイドを具備し、前記ウエーブガイドは前記レーザーダイオードの前記第１の基板から離れた一方の側に位置し、
前記第２の基板は、前記レーザーダイオードに対応し、前記第２の基板は第２の電極を含み、
前記凸ブロックは前記ウエーブガイドに対応し、前記凸ブロックの高さは実質上前記ウエーブガイドの高さより高く、
前記レーザーダイオードの前記第１の基板に近い一方の側は前記第１の電極に電気的に接続され、前記凸ブロックの一端は前記第２の電極に電気的に接続され、
前記レーザーダイオード駆動器は、前記レーザーダイオード装置に電気的に接続され、且つ、前記レーザーダイオード駆動器は駆動信号を前記レーザーダイオード装置に送信し、前記レーザーダイオード装置の前記レーザーダイオードは光源によって前記レンズと前記光ファイバに通信可能に連接される
ことを特徴とする光電送受信システム。
【0009】
また、前記凸ブロックは柱状凸ブロックであり、前記柱状凸ブロックの前記レーザーダイオードに近い一方の側は第１の直径を有し、前記柱状凸ブロックは前記レーザーダイオードから前記第２の基板へ延伸する前記高さを有し、前記第１の直径と前記柱状凸ブロックの前記高さの比は０．８５～１．１である
ことを特徴とする請求項５に記載の光電送受信システム。
ことを特徴とする請求項５に記載の光電送受信システム。
【0010】
前記凸ブロックは柱状凸ブロックであり、柱状凸ブロックのレーザーダイオードの一方の側は第１の直径を有し、柱状凸ブロックの第２の基板に近い一方の側は第２の直径を有し、且つ、第１の直径と第２の直径の比は０．９－１．１である。
【発明の効果】
【0011】
光電送受信システム及びそのレーザーダイオード装置は、従来の直列抵抗よりも低い全体抵抗を提供し、より少ない熱エネルギーが生成されるだけで足り、レーザーダイオードの表面の放熱効率を効果的に改善することができる。
【0012】
さらに、貫通孔の高さはウエーブガイドの高さよりも大幅に高く、光電送受信システムとそのレーザーダイオード装置は、第２の基板のカバーおよび／または第２の基板の熱膨張によるウエーブガイドの圧迫によりウエーブガイドの損傷を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1A】本発明の実施形態に基づいたキャップレスレーザーダイオード装置の斜視図である。
【図2A】本発明の実施形態に基づいたキャップされたレーザーダイオード装置を第１の角度からみた斜視図である。
【図5】本発明の実施形態に基づいたキャップレスのレーザーダイオード装置とキャップされた（且つ柱状凸ブロックを具備する）レーザーダイオード装置のシミュレートした表面温度曲線図である。
【図6A】本実施形態に基づいたキャップ（且つ１つ又は複数の柱状凸ブロックを具備する）されたレーザーダイオード装置のシミュレーションした表面の温度分布図である。
【図12】本実施形態に基づいた光電送受信システムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ及び図２Ｂを同時に参照して説明する。ここで、図１Ａは本発明の実施形態に基づいたキャップレスレーザーダイオード装置の斜視図である。また、図１Ｂは図１Ａのキャップレスレーザーダイオード装置のＡ－Ａ’断面図である。更に、図２Ａは本発明の実施形態に基づいたキャップされたレーザーダイオード装置を第１の角度からみた斜視図である。また、図２Ｂは図２Ａのキャップされたレーザーダイオード装置を第２の角度からみた斜視図である。
【0015】
【0016】
両者の差異は次のとおりである。図１Ａと図１Ｂは、キャップ付き（要はキャップがされた）レーザーダイオード装置１ｂにおける、第１の基板１１とレーザーダイオード１０のみを示す。図２Ａと２Ｂは更に、第２の基板１２と凸ブロック１４を示す（これは、本明細書では「キャップ」と呼ばれるレーザーダイオード装置１ｂである。なお、凸ブロック１４は図３Ａで確認できるが、詳しくは後述する）。
【0017】
本実施形態において、キャップされたレーザーダイオード装置１ｂは更に側板１３（後述する）を備える。なお、本明細書において「レーザーダイオード装置１ｂ」というときは、特に「キャップレス、キャップ無し」等と明記しない限り、「キャップされたレーザーダイオード装置１ｂ」を指すものとする。
【0018】
【0019】
第１の基板１１は、第１の電極１１６（図２Ｂに示す、ワイヤボンドのボール（ｂａｌｌ ｏｆ ｗｉｒｅ ｂｏｎｄ）等）を含む。第２の基板１２は、第１の基板１１に対応するように配置され、第２の電極１２８（図２Ａ及び図２Ｂに示す、ボール型はんだ接合部等）を含む。
【0020】
【0021】
レーザーダイオード１０はウエーブガイド１０２を有し、ウエーブガイド１０２はレーザーダイオード１０上（例えば、レーザーダイオード１０の第１の基板１１とは反対側）に位置している。ウエーブガイド１０２は、例えば、後述する可視光又はその電磁波の少なくとも何れかを導波する（導く）光導波路である。
【0022】
凸ブロック１４は、ウエーブガイド１０２に対応して（例えば、ウエーブガイド１０２に隣接して、レーザーダイオード１０の第１の基板１１とは反対側に）配置されている。凸ブロック１４の一端は、後述する第２の電極１２８に電気的に接続されている。
【0023】
【0024】
凸ブロック１４は、例えば、レーザーダイオード１０の生成された表面熱エネルギー（例えば、ウエーブガイド１０２の片側付近の表面熱エネルギー）を外部から奪うように、熱伝導性材料（導電性材料を兼ねていても良い）で形成される。これにより、レーザーダイオード１０の表面温度を速やかに低下させることができる。
【0025】
同時に、凸ブロック１４を使用して第２の電極１２８を電気的に接続し、第２の電極１２８からレーザーダイオード１０に電流が流れるように誘導してレーザーダイオード１０を駆動することができる。
【0026】
また、凸ブロック１４の高さＨ１をウエーブガイド１０２の高さＨ２よりも実質的に高く設定することにより、ウエーブガイド１０２と第２の基板１２が直接接触してしまうことによるウエーブガイド１０２の損傷も防止できる。
【0027】
このため、レーザーダイオード装置１ｂは、第２の基板１２のカバーによるウエーブガイド１０２の損傷（および／または第２の基板１２の熱膨張によるウエーブガイド１０２への押し出込み）を効果的に回避することができ、それによってその発光の効率に好影響を与えることができる。また、レーザーダイオード１０の表面の放熱性能も効果的に向上する。
【0028】
本実施形態では、レーザーダイオード１０は、ウエーブガイド１０２の構造を有する任意のレーザーダイオードであり、例えば、以下のものには限られないが、分布フィードバック （Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ，ＤＦＢ）レーザー、電界吸収変調レーザー （Ｅｌｅｃｔｒｏ－ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ Ｌａｓｅｒ， ＥＭＬ）、ＦＰレーザー （Ｆａｂｒｙ－Ｐｅｒｏｔ Ｌａｓｅｒ）、分散 （又は分布）ブラッグ反射器 （ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ， ＤＢＲ）、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ， ＱＤ）レーザー、又はそれらの組み合わせである。
【0029】
即ち、レーザーダイオード１０は、分布フィードバックレーザー、電界吸収変調レーザー、ＦＰレーザー、分散 （又は分布）ブラッグ反射器、及び量子ドットレーザーから選択される少なくとも１つの組み合わせである。
【0030】
したがって、レーザーダイオード１０は、上記のうちの１つ又は２つ或いは２つ以上の組み合わせも含む。したがって、高出力で尚且つ速い変調速度を有するレーザーダイオード１０を組み合わせることで、レーザーダイオード装置１ｂは、高速な光通信の用途に適することができ、たとえば、中長距離向けの高速なブロードバンド通信伝送にも適する。
【0031】
【0032】
図１Ｂと図３Ａにおいて、レーザーダイオード１０は、レーザーダイオードチップ１００を有し、レーザーダイオードチップ１００の対向する２つの端部（例えば、図３（ａ）における＋Ｚ方向の一端と－Ｚ方向の一端）は、それぞれ相反する導電型の２つの端部である。
【0033】
例えば、レーザーダイオードチップ１００の第１の基板１１に近い一端はｎ型層であり、レーザーダイオードチップ１００の第１の基板１１から遠い一端はｐ型層であり、ｎ型層とｐ型層の間にはｐｎ接合層（ｐ－ｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）又は活性層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）と呼ばれる）が存在する。
【0034】
順電流がレーザーダイオードチップ１００に注入されると、ｐ－ｎ接合層内の電子正孔が再結合し、対応するエネルギーの光子を生成する。
【0035】
上記のｎ型層、ｐ型層、及びｐ－ｎ接合層の材料は、適合し、正常に動作する材料の任意の組み合わせとすることができ、本明細書では限定されない。
【0036】
図３Ａでは、レーザーダイオード１０の第１の基板１１に近い側（例えばｎ型層）は第１の電極１１６に電気的に接続されている。レーザーダイオード１０の第１の基板１１から遠い側（例えばｐ型層）は、第２の電極１２８に電気的に接続される。
【0037】
したがって、第１の電極１１６（又は第２の電極１２８）からレーザーダイオードチップ１００に順方向の電流を流すことによって、ｐｎ接合層は対応するエネルギー光子を生成することができる。
【0038】
第１の電極１１６と第２の電極１２８の材料は適合し且つ正常に機能する材料の任意の組み合わせとすることができ、本明細書では限定されない。第１の電極１１６と第２の電極１２８の数、形状、及び位置は、種々の要件に基づいて調整し構成することができるが、これらは本明細書では限定されない。
【0039】
例えば、図２Ａと図２Ｂを参照すると、第１の電極１１６と第２の電極１２８は、いずれも＋Ｘ方向に沿って配置された２つの電極を含み、そして、第１の電極１１６のいずれか１つと、対応する第２の電極１２８とを同一のＹＺ平面上に配置することができる。
【0040】
本実施形態によれば、第１の基板１１は、第１の基板本体１１０と、第１の連接層１１４と、第１の電極１１６を備えており（図３Ａ参照）、レーザーダイオード１０は、第１の連接層１１４を介して第１の電極１１６に電気的に接続されている。
【0041】
【0042】
第１の連接層１１４の第１の端部はレーザーダイオード１０に電気的に接続される。第１の連接層１１４の第２の端部は第１の電極１１６に電気的に接続される。
【0043】
このため、第１の電極１１６がｎ型電極のとき、第１の連接層１１４はレーザーダイオード１０の電流を可能な限りレーザーダイオード１０から奪うために使用することができる。
【0044】
例えば、第１の連接層１１４が図３Ａの＋Ｙ方向に沿って延伸し、レーザーダイオード１０の電流を第２の基板１２の外部（例えば図３Ａの収容スペースＶの外部、詳しくは後述する）の第１の電極１１６に流し、その逆も同様である。
【0045】
第１の基板本体１１０の材料は、ガラス、プラスチック、ゴム、セラミック、或いはこれらの組み合わせ、例えばセラミック放熱材料（但し、これらに限定されない）とすることができる。具体的には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族半導体材料等である。
【0046】
第１の連接層１１４の材料は、金、スズ、又は金－スズ合金等であるが、これらに限定されず、様々な導電性材料とすることができる。第１の電極１１６の材料は、（これらに限定されないが）金属又は合金等の様々な導電性材料とすることができる。
【0047】
第２の基板１２の外側に位置する第１の電極１１６を電気的に接続することにより、第２の基板１２の内側に位置するレーザーダイオード１０に迅速に電気的に接続することができる。
【0048】
また、第２の基板１２上に第の１電極１１６と電気的に接続可能な導電チャネル（スルーホール、貫通孔等）を別途設ける必要がなくなるので、製造工程に必要となる時間とコストが削減される。
【0049】
本実施形態では、第１の基板１１は、第１のトップ板１１２を更に含む。第１のトップ板１１２は、レーザーダイオード１０と第１の基板本体１１０との間に位置し、第１の連接層１１４に電気的に接続される。
【0050】
例えば、図３Ａでは、第１のトップ板１１２は、第１の連接層１１４と第１の基板本体１１０との間に位置する。
【0051】
例えば、図３Ａでは、第１のトップ板１１２は、第１の連接層１１４と第１の基板本体１１０との間に位置する。あるいは、例えば、第１のトップ板１１２は、第１の連接層１１４とレーザーダイオード１０との間に位置する。このため、レーザーダイオード１０は、第１のトップ板１１２を介して第１の連接層１１４に電気的に接続することができる。なお、第１のトップ板１１２の材料は、金、スズ、又は金－スズ合金等（ただし、これらに限定されない）の様々な導電性材料とすることができる。
【0052】
本実施形態によれば、第２の基板１２は、第２の基板本体１２０、第２の連接層１２２、貫通孔（スルーホール）１２４、及び第２の電極１２８を含む。レーザーダイオード１０は、第２の連接層１２２を介して第２の電極１２８に電気的に接続されている。
【0053】
【0054】
貫通孔１２４は、第２の基板本体１２０の内部を貫通するよう位置しており、そして、貫通孔１２４は、第２の基板本体１２０の両側（貫通孔１２４のＺ方向における両端）に位置する第２の接続層１２２と第２の電極１２８に電気的に接続される。
【0055】
例えば、第２の接続層１２２の第１端は、レーザーダイオード１０（例えば、レーザーダイオード１０は、後述する凸ブロック１４を介して電気的に接続される）に電気的に接続される。
【0056】
第２の連接層１２２の他端は貫通孔１２４の一端に電気的に接続され、貫通孔１２４の他端は第２の電極１２８に電気的に接続される。このため、第２の電極１２８がｐ型電極である場合、第２の連接層１２２を利用して、可能な限り遠くに分散した電流をレーザーダイオード１０に流すことができる。
【0057】
例えば、第２の連接層１２２の延伸方向（例えば、図３Ａの＋Ｙ方向）は、第１の連接層１１４の延伸方向（例えば、図３Ａの－Ｙ方向）と実質的に異なり、第２の基板１２の外側（例えば、後述する図３Ａの収容空間Ｖの外側、詳しくは後述する）に位置する第２の電極１２８からレーザーダイオード１０に電流を流し、その逆も同様である。
【0058】
第２の基板本体１２０の材料は、金属、合金、プラスチック、ゴム、セラミック、又はそれらの組み合わせ、例えばセラミック放熱材料（但し、これらに限定されない）とすることができる。
【0059】
具体的には、ＡｌＮ、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、アルミニウム、銅、鉄、ステンレス等が挙げられる。第２の連接層１２２の材料は、金、スズ、又は金－スズ合金等（但し、これらに限定されない）の様々な導電性材料とすることができる。
【0060】
第２の電極１２８の材料は、金属又は合金等の様々な導電性材料とすることができる。これにより、第２の基板１２の外側に位置する第２の電極１２８を電気的に接続することにより、第２の基板１２の内側に位置するレーザーダイオード１０を迅速に電気的に接続することができる。
【0061】
本実施形態では、貫通孔１２４は、タングステン等の金属又は合金等の充填材料を有するが、これらに限定されない。
【0062】
これにより、貫通孔１２４は、第２の基板本体１２０の両側（貫通孔１２４の両端）に位置する第２の接続層１２２と第２の電極１２８とを電気的に接続することができる。
【0063】
上述の貫通孔１２４の数、形状、及び位置は、様々なニーズに応じて調整することができ、本願の明細書では特に限定されない。例えば、貫通孔１２４は、２つのグループ（すなわち「対」）で配置することができ、例えば、少なくとも１つのグループ（すなわち、２個）の貫通孔１２４が図２Ｂに示す＋Ｘ方向に沿って配置されることができる。
【0064】
本実施形態では、貫通孔１２４の位置は、第２の電極１２８の配置に基づいて調整することができ、例えば、貫通孔１２４は、対応する第２の電極１２８の真下ではなく、第２の電極１２８の近くに配置しても良い。
【0065】
したがって、第２の基板本体１２０に任意の形状で任意の位置で配置可能な貫通孔１２４を介して、レーザーダイオード１０は、より高密度でより複雑な配線を提供することができだけでなく、レーザーダイオード１０の放熱性能をより効果的に向上させることができる。
【0066】
本実施形態では、第２の基板１２は、第２のトップ板１２３を更に含み、第２のトップ板１２３は、第２の連接層１２２のレーザーダイオード１０から離れた側に位置し、第２の連接層１２２に電気的に接続される。
【0067】
このため、第２の連接層１２２は、第２のトップ板１２３を介して第２の電極１２８に電気的に接続することができる。例えば、図３Ａでは、第２のトップ板１２３は、第２の連接層１２２と第２の電極１２８との間に位置する。あるいは、例えば、第２のトップ板１２３は、第２の連接層１２２とレーザーダイオード１０との間に位置する。
【0068】
例えば、第２のトップ板１２３は、第２の連接層１２２のレーザーダイオード１０に近い側に位置し、第２の連接層１２２に電気的に接続される。したがって、レーザーダイオード１０は、第２のトップ板１２３を介して第２の連接層１２２に電気的に接続することができる。
【0069】
第２のトップ板１２３の材料は、金、錫、又は金錫合金等（ただしこれらに限定されない）の様々な導電性材料とすることができる。
【0070】
本実施形態によれば、第２の基板１２は、第３のトップ板１２６を更に含む。第３のトップ板１２６は、貫通孔１２４と第２の電極１２８との間に位置し、貫通孔１２４に電気的に接続され、貫通孔１２４と第２の電極１２８とを電気的に接続する。
【0071】
例えば、図３Ａにおいて、第３のトップ板１２６は、第２の基板本体１２０と第２の電極１２８との間に位置する。第３のトップ板１２６の材料は、金、スズ、又は金－スズ合金等（但しこれらには限定されない）の様々な導電性材料とすることができる。
【0072】
引き続き図３Ａを参照して説明する。本実施形態によれば、レーザーダイオード装置１ｂは、１つ又は複数の側板１３を更に含む。側板１３は、第１の基板１１と第２の基板１２との間に位置し、第１の基板１１、レーザーダイオード１０、第２の基板１２、及び当該側板１３との間に収容スペースＶを画成する。
【0073】
図３Ａにおいて、レーザーダイオード装置１ｂは、レーザーダイオード１０のＹ方向における両側にそれぞれ配置された２つの側板１３も含む。そして、各側板１３は側板本体１３０と、側板連接層１３２とを含む。
【0074】
各側板本体１３０は、第１の基板１１と第２の基板１２との間に位置し、各側板１３の一端は、それぞれ側板連接層１３２を介して第１の基板１１に接続（例えば溶接又は接着）されており、各側板１３の他端はそれぞれ第２の基板１２に接続されている。
【0075】
図３Ａに示す第２の基板１２のＺ方向の両側における側板本体１３０とこれに対応する側板連接層１３２との積層の高さは、レーザーダイオード１０とそれに対応する凸ブロック１４のＺ方向の積層の高さと実質的に同じである。
【0076】
側板本体１３０の材料は、ガラス、金属、合金、プラスチック、ゴム、セラミック、又はそれらの組み合わせ、例えば（限定されないが）セラミック放熱材料とすることができる。具体的には、例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、アルミニウム、銅、鉄、ステンレス等が挙げられる。
【0077】
側板接続層１３２の材料は、金、錫、又はそれらの合金等（但しこれらには限定されない）の様々な金属材料とすることができる。
【0078】
これにより、半導体レーザー装置１ｂは、側板１３を介して十分な高さの収容スペースＶを確保することができ、これによりウエーブガイド１０２と第２の基板１２とが直接接触してしまうことにより、ウエーブガイド１０２が損傷したり、第２の基板１２の熱膨張によりウエーブガイド１０２が圧迫されたりすることを防止できる。
【0079】
なお、本実施形態では、側板１３と第２の基板１２が一体的に形成されるので、それによって両者の間の接合不良が回避される。
【0080】
第１の基板１１と第２の基板１２が、レーザーダイオード１０の相対する両端（即ち第１の基板１１に近い一端と第２の基板１２に近い一端）に２つの放熱経路（Ｄｏｕｂｌｅ ｈｅａｔ ｆｌｏｗ，ＤＨＦ）を形成することで、レーザーダイオード１０の両端の接合素子（図示せず）に更に電気的に接続される（全体の抵抗が低い）並列回路に相当するものが形成される。
【0081】
これに対して、従来のレーザー装置（例えば図１Ａのキャップレスのレーザーダイオード装置１ａ）は、例えば第１の基板１１のみを有し、第２の基板１２と第２の連接層１２２のカバーを有していなかったため、前記接合素子はレーザーダイオード１０の上部に直接電気的に接続され、単一の放熱経路（Ｓｉｎｇｌｅ ｈｅａｔ ｆｌｏｗ， ＳＨＦ）のみを有するものであったので、従来のレーザーダイオード１０の相対する両端は直列回路と同等の比較的全体の抵抗値が高いレーザーダイオードを形成する。
【0082】
したがって、従来のキャップレスのレーザーダイオード装置１ａと比較して、レーザーダイオード装置１ｂは、全体の抵抗値が低く、発生する熱エネルギーが小さいという優れた効果を奏する。
【0083】
本実施形態によれば、レーザーダイオード１０は、凸ブロック１４を介して第２の電極１２８に電気的に接続される。
【0084】
例えば、図３Ａにおいて、凸ブロック１４の一端（例えば、凸ブロック１４のレーザーダイオード１０に近い一端）は、レーザーダイオード１０に電気的に接続されており、凸ブロック１４の他端（例えば、凸ブロック１４のレーザーダイオード１０とは反対側の端）は、第２の接続層１２２に電気的に接続されるとともに、貫通孔１２４を介して第２の電極１２８に電気的に接続される。
【0085】
図３Ａでは、凸ブロック１４は、ウエーブガイド１０２に隣接するように（接近するように）レーザーダイオード１０上に配置されている。
【0086】
例えば、図３Ａの＋Ｙ方向における凸ブロック１４とウエーブガイド１０２との間の距離は、少なくとも４μｍであってもよい。凸ブロック１４とレーザーダイオードチップ１００の端との間の距離は、ウエーブガイド１０２及び／又はレーザーダイオードチップ１００の動作を妨げないように、少なくとも５μｍであっても良い。
【0087】
ウエーブガイド１０２の材料は、例えば（以下の物には限定されないが）、ポリマー材料等のフォトレジストとして使用できる任意の材料であり、具体的には、シリコン、二酸化シリコン、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、又はそれらの組み合わせ等である。ウエーブガイド１０２の形状は、例えば、長い導波路（例えば、矩形の導波路やリッジ（ｒｉｄｇｅ）導波路）或いはリブ導波路であるが、これに限定されない。
【0088】
【0089】
【0090】
ウエーブガイド１０２のレーザーダイオード１０に近い側とレーザーダイオード１０から遠い側は、＋Ｙ方向にそれぞれウエーブガイドの底部の幅ｄ２とウエーブガイドのトップ部の幅ｄ２’を有する。
【0091】
ウエーブガイド１０２のトップ部の幅ｄ２’はウエーブガイド１０２の底部の幅ｄ２と実質上同等であるか若しくは異なっていても良い。
【0092】
例えば、ウエーブガイドのトップ部の幅ｄ２’がウエーブガイドの底部の幅ｄ２より小さいか大きい場合、ウエーブガイド１０２はリッジ導波路であってもよい。ウエーブガイドのトップ部の幅ｄ２’がウエーブガイドの底部の幅ｄ２と実質的に等しい場合、ウエーブガイド１０２は矩形の導波管であってもよい。
【0093】
図３Ｂの上面図において、ウエーブガイド１０２は、＋Ｘ方向に沿ってレーザーダイオード１０（すなわち、レーザーダイオードチップ１００）まで延伸し、＋Ｘ方向に沿って延伸する長い形の導波路を形成することができる。
【0094】
凸ブロック１４は、これには限られないが、柱状凸ブロック１４０（図３Ａ、３Ｂを参照。なお、後述する。）、第２の基板凸部１４２（図１０を参照、後述する。）、導電性接着剤１４４（図１１を参照、後述する。）或いはこれらの組み合わせである。凸ブロック１４の材料は様々な熱伝導性のもの及び／又は熱伝導性材料とすることができる。
【0095】
本実施形態において、凸ブロック１４は柱状凸ブロック１４０である。柱状凸ブロック１４０の材料はこれには限られないが、金、銅、銀、錫又は金錫合金である。
【0096】
図３Ａと図４を参照すると、柱状凸ブロック１４０は、レーザーダイオード１０から第２の基板１２（例えば、図３Ａの＋Ｚ方向）まで延伸する高さＨ１を有し、且つ、柱状凸ブロック１４０の高さＨ１は実質的にウエーブガイド１０２の高さＨ２よりも高い。
【0097】
例えば、柱状凸ブロック１４０の高さＨ１は５０μｍ～６０μｍ程度であり、ウエーブガイド１０２の高さＨ２は、１μｍ～３μｍ程度（例えば２μｍ程度）である。
【0098】
柱状凸ブロック１４０のレーザーダイオード１０に近い側とレーザーダイオード１０から遠い側は、それぞれ、＋Ｙ方向に底部の幅（すなわち、第１の直径ｄ１）と上部の幅（すなわち、第２の直径ｄ１’）を有する。
【0099】
第１の直径ｄ１は、第２の直径ｄ１’と実質的に同じであっても異なっていても良い。例えば、第１の直径ｄ１と第２の直径ｄ１’との比は０．９～１．１であり、第１の直径ｄ１と第２の直径ｄ１’との関係は下記の式（１）の通りである。
【数1】
【0100】
図３ＢのＸ方向のように、柱状凸ブロック１４０は、Ｙ方向において実質的に同じ又は異なる幾何学的配置となる。
【0101】
例えば、図３Ｂでは、柱状凸ブロック１４０のレーザーダイオード１０に近い側とレーザーダイオード１０から遠い側も、それぞれＸ方向に底部の幅と上部の幅を有する。
【0102】
また、Ｘ方向の底部の幅と上部の幅は、Ｙ方向の底部の幅（すなわち、第１の直径ｄ１）と上部の幅（すなわち、第２の直径ｄ１’）とそれぞれ実質的に同じなので、円柱状の柱状凸ブロック１４０を形成することができる。
【0103】
円柱状の柱状凸ブロック１４０は、例えばワイヤボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄ）によりレーザーダイオード１０（すなわち、レーザーダイオードチップ１００）上に作製することができる。
【0104】
本実施形態において、円柱状の柱状凸ブロック１４０の第１の直径ｄ１は、柱状凸ブロック１４０の高さＨ１と実質的に同じであってもよく、又は異なっていてもよい。
【0105】
例えば、円柱状の柱状凸ブロック１４０の第１の直径ｄ１は、柱状凸ブロック１４０の高さＨ１に対する比が０．８５－１．１である。すなわち、第１の直径ｄ１と高さＨ１との関係は下記式（２）に従う。
【0106】
例えば、円柱状の柱状凸ブロック１４０の第１の直径ｄ１は５０μｍ～６０μｍ程度であり、高さＨ１は５０μｍ～６０μｍ程度である。
【0107】
他の例として、円柱状の柱状凸ブロック１４０の第１の直径ｄ１は、５０μｍ～６０μｍであっても良い。高さＨ１は約５８μｍであり、柱状凸ブロック１４０の第１の直径ｄ１の高さＨ１に対する比は、例えば、０．８６～１．０３とすることができる。
【数2】
【0108】
凸ブロック１４は１つ以上の柱状凸ブロック１４０であり、各柱状凸ブロック１４０はウエーブガイド１０２に近く、第２の基板１２に近いレーザーダイオード１０の側に分布している。
【0109】
すなわち、柱状凸ブロック１４０の数は１つ以上であっても良く、例えば、少なくとも１個、１～１８個、少なくとも３個、３～１８個、３～１５個、３～１２個、３～９個、又は３～６個であってもよい。
【0110】
本実施形態において、１個或いは複数の柱状凸ブロック１４０の底部の面積の総和（以下Ａ１と表す）のレーザーダイオード１０（即ちレーザーキャップ１００）の表面積（以下Ａ２と表す）に対する比は０．０２－０．３０である。
【0111】
柱状凸ブロック１４０の底部の面積の総和Ａ１とレーザーダイオード１０の表面積Ａ２の関係は下の式（３）に適合する。
【0112】
例えば、柱状凸ブロック１４０の第１の直径ｄ１は、５０μｍ～６０μｍであっても良く、３～１８個として構成されても良い。レーザーダイオード１０の長さと幅は、それぞれ１０００μｍと２００μｍとすることができる。
【0113】
このとき、柱状凸ブロック１４０の底部の面積の合計Ａ１とレーザーダイオード１０の表面積Ａ２との比は、例えば０．０２９４～０．２５４とすることができる。
【数3】
【0114】
図１Ａ、図２Ａ、及び図５を同時に参照して、キャップレスレーザーダイオード装置１ａとキャップされた（及び柱状凸ブロック１４０を有する）レーザーダイオード装置１ｂのシミュレートされた表面温度曲線を説明する。
【0115】
【0116】
カバーされた（３つの柱状凸ブロック１４０を有する）レーザーダイオード装置１ｂ（以下、カバーされたレーザーダイオード装置１ｂという）は図２Ａ（図２Ｂ）に示したレーザーダイオード装置１ｂの内容を参考にできる。
【0117】
キャップレスのレーザーダイオード装置１ａとキャップされたレーザーダイオード装置１ｂにそれぞれ４７７ｍＷの電力を印加し、キャップレスのレーザーダイオード装置１ａとキャップされたレーザーダイオード装置１ｂはそれぞれ熱源となり、熱が完全に放熱し、周囲の環境と熱的に同じ程度となるまで待機する。
【0118】
次に、キャップレスレーザー装置１ａとキャップされたレーザーダイオード装置１ｂの最高表面温度をシミュレーションにより求めると、図５に示すようにそれぞれ約７０℃、約５０℃となる。
【0119】
すなわち、キャップレスレーザーダイオード装置１ａと比較して、キャップされた（３つの柱状凸ブロック１４０を有する）レーザーダイオード装置１ｂは、２８．６％の冷却効果を有する。
【0120】
キャップ（第２の基板１２等）と柱状凸ブロック１４０の配置を通じて、レーザーダイオード装置１ｂは、レーザーダイオード１０の表面の放熱性能を効果的に向上させ、レーザーダイオード１０の表面温度を大幅に低下させることができる。
【0121】
【0122】
【0123】
【0124】
図６Ａには、レーザーダイオードチップ１００上にそれぞれ示されるウエーブガイド１０２と、異なる数の柱状凸ブロック１４０（以下、Ｎと示す）を有するレーザーダイオードチップ１００のシミュレーションされた表面温度分布が示されている。ここで、Ｎはそれぞれ０、３、６、９、１２、１５及び１８個である。
【0125】
図６Ａの表面温度分布の結果から、レーザーダイオードチップ１００が柱状凸ブロック１４０を備えて構成されていない場合（すなわち、Ｎ＝０）、レーザーダイオードチップ１００の表面温度は、ウエーブガイド１０２に隣接するかなりの範囲で４９．６℃より高く、残りの広い範囲の表面温度は約４７．６℃～４９．６℃であり、そして、レーザーダイオードチップ１００の四隅のみが、４５．６℃～４７．６℃の僅かに低い温度となる。
【0126】
すなわち、レーザーダイオードチップ１００に柱状凸ブロック１４０が設けられていない場合（すなわち、Ｎ＝０）、レーザーダイオード１０の表面温度とウエーブガイド１０２の温度との差は僅かに約７℃である。
【0127】
換言すると、柱状凸ブロック１４０のないレーザーダイオードチップ１００（すなわち、Ｎ＝０）は、レーザーダイオードチップ１００の表面温度を効果的に下げることが困難であり、放熱性能が著しく劣る。
【0128】
これに対し、レーザーダイオードチップ１００が更に柱状凸ブロック１４０を備えて構成される場合（Ｎ＝３、６、９、１２、１５、又は１８のいずれか）、レーザーダイオードチップ１００の表面温度は、ウエーブガイド１０２に隣接する非常に狭い範囲のみで４１．２℃より高く、それ以外の領域の表面温度は約３０．９℃～３６．１℃となっている。
【0129】
したがって、柱状凸ブロック１４０が設けられたレーザーダイオードチップ１００の表面全体の温度分布は明らかにより均一となり、レーザーダイオードチップ１００の全体的な表面温度を実際に大幅且つ効果的に低下させることができる。
【0130】
換言すると、レーザーダイオードチップ１００の表面温度とその分布は、少なくとも一定の範囲内（例えば、０＜Ｎ≦１８）においては、基本的に柱状凸ブロック１４０の数Ｎの影響を受けない。
【0131】
更に、柱状凸ブロック１４０だけで、レーザーダイオード１０の表面の放熱性能を効果的に向上させると同時に、レーザーダイオード１０の表面の熱エネルギーが特定の位置に蓄積することを防止することができる。
【0132】
また、図６Ａに対応する図６Ｂに示すレーザーダイオードチップ１００の最大表面温度の結果からも分かる。レーザーダイオードチップ１００が柱状凸ブロック１４０を備えていない場合（すなわち、Ｎ＝０）、レーザーダイオードチップ１００の最大表面温度は約５５℃である。
【0133】
また、レーザーダイオードチップ１００が更に凸ブロック１４０（Ｎ＝３、６、９、１２、１５、又は１８のいずれか）を備えて構成される場合、レーザーダイオードチップ１００の最高表面温度は約４０℃～４３℃である。
【0134】
このため、柱状凸ブロック１４０を備えたレーザーダイオードチップ１００の最大表面温度を大幅かつ効果的に下げることができる。
【0135】
換言すると、レーザーダイオードチップ１００の最高表面温度は、少なくとも一定の範囲内（例えば、０＜Ｎ≦１８）においては、基本的に柱状凸ブロック１４０の数Ｎの影響を受けない。
【0136】
また、柱状凸ブロック１４０のみを構成しさえすれば、レーザーダイオード１０の表面の放熱性能を効果的に向上させることができ、それによってレーザーダイオード１０の表面温度を大幅に低下させることができる。
【0137】
【0138】
例えば、図７において、第２の基板１２は、第２の連接層１２２と第２の電極１２８（第２の基板本体１２０、貫通孔１２４、第３のトップ板１２６は含まれない場合もある）を含み、第２の連接層１２２の両端はそれぞれ側板１３上に位置し、第２の電極１２８は側板１３上に位置する。レーザーダイオード１０は、第２の連接層１２２を介して第２の電極１２８に電気的に接続される。
【0139】
図７において、レーザーダイオード装置１ｂの側板１３は、レーザーダイオード１０の両側の２つの側板１３にそれぞれ位置しており、各側板１３は、側板本体１３０と１つ以上の側板インターポーザー（ｓｉｄｅｗａｌｌ ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ ｌａｙｅｒ）１３４を含む。
【0140】
各側板本体１３０は、第１の基板１１と第２の基板１２との間に位置し、各側板本体１３０の一端は側板インターポーザー１３４を介して第１の基板１１に接続されており、各側板本体１３０の他端は第２の基板１２に接続されている。
【0141】
１つ以上の側板インターポーザー１３４を積層することによって、各側板１３の高さを更に調整することができ、その結果、第２の基板１２の両側に位置する側板本体１３０と対応する側板インターポーザー１３４の上記の積層の高さは、レーザーダイオード１０とそれらに対応する凸ブロック１４のＺ方向の積層の高さと実質的に同じにできる。
【0142】
側板インターポーザー１３４と側板本体１３０の材料は、ガラス、金属、合金、プラスチック、ゴム、セラミック又はそれらの組み合わせ等の実質的に同じ又は互いに「適合する」様々な材料とすることができる。例えば、（これらに限定されないが）セラミック放熱材料、具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３ 、ＳｉＣ、アルミニウム、銅、鉄、又はステンレス鋼等である。
【0143】
前述の「適合する」とは、２つの材料の間に物理的及び／又は化学的特性に大きな違いがないこと、たとえば２つの材料の熱膨張係数が近似していることを意味する。
【0144】
このように、側板本体１３０と側板インターポーザー１３４との配置により、レーザーダイオード装置１ｂは、十分な高さの収容スペースＶを確保することができ、ウエーブガイド１０２と第２の基板１２との間が直接接触してウエーブガイド１０２の損傷を避けることができ、また、第２の基板１２の熱膨張によるウエーブガイド１０２の圧迫を防止することもできる。
【0145】
図７において、レーザーダイオード１０は、１つ以上のチップインターポーザー（ｃｈｉｐ ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ ｌａｙｅｒ）１０４を更に含み、チップインターポーザー１０４は、レーザーダイオードチップ１００と第１の基板１１との間に位置する。
【0146】
１つ又は複数のチップインターポーザー１０４を積層することによって、収容スペースＶ内のレーザーダイオードチップ１００と凸ブロック１４の高さを更に調整することができ、その結果、第２の基板１２の両側の側板本体１３０は、図７に示すように、Ｚ方向の積層高さが、レーザーダイオード１０とそれに対応する凸ブロック１４のＺ方向に積層した高さと実質的に同じとなる。
【0147】
ここで、チップインターポーザー１０４の材料は、ガラス、金属、合金、プラスチック、ゴム、セラミック、又はセラミック放熱材料等（ただしこれ等には限定されない）或いはそれらの組み合わせとすることができる。具体的には、例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、アルミニウム、銅、鉄、ステンレス等が挙げられる。
【0148】
これにより、チップインターポーザー１０４の配置により、レーザーダイオード装置１ｂは、十分な高さの収容スペースＶを確保することができ、凸ブロック１４と第２の基板１２（すなわち、第２の基板本体１２０）との電気的接続をより良好にすることができる。
【0149】
【0150】
例えば、図８において、第２の基板１２は、第２の基板本体１２０、第２の連接層１２２、第２の電極１２８を含む（貫通孔１２４と第３トップ板１２６は含まなくても良い）、第２の連接層１２２の両端はそれぞれ側板１３上に位置し、第２の基板本体１２０は第２の連接層１２２上に位置する。
【0151】
例えば、第２の連接続層１２２は、図８に示すように－Ｙ方向に沿って延伸して第２の連接層１２２の一部を露出させ、第２の電極１２８は露出した第２の連接続層１２２上に位置する。
【0152】
レーザーダイオード１０は、第２の連接層１２２を介して第２の電極１２８に電気的に接続されることで、第２の基板１２の外部（例えば図８の収容スペースＶの外部）に位置する第２の電極１２８から電流をレーザーダイオード１０に流し、その逆も同様である。
【0153】
図８において、レーザーダイオード装置１ｂの側板１３は、レーザーダイオード１０の両側の２つの側板１３にそれぞれ位置しており、各側板１３は、側板本体１３０と１つ以上の側板インターポーザー１３４を含む。
【0154】
各側板本体１３０は、第１の基板１１と第２の基板１２との間に位置し、各側板本体１３０の一端は、側板インターポーザー１３４を介して第１の基板１１に接続されており、各側板本体１３０の他端は、第２の基板１２に接続されている。
【0155】
側板本体１３０と側板インターポーザー１３４の構成の実施形態については上記の実施形態を参照すれば足りるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【0156】
図９を参照して説明する。図９は本実施形態に基づいたキャップされた図３Ａのレーザーダイオード装置のＣ－Ｃ’断面図である。図９のレーザーダイオード装置１ｂの配置は上述の実施形態を参照すれば足りるので、ここでは改めて述べない。
【0157】
主な違いは、図９では、収容スペースＶの一部又は全部が充填材１５を有することである。例えば、充填材１５は、少なくとも収容スペースＶ内の凸ブロック１４（例えば柱状凸ブロック１４０）と第２の基板１２との間に充填される。
【0158】
充填材料１５は、絶縁体１５０と複数の導電性粒子１５２とを含み、導電性粒子１５２は絶縁体１５０中に分散されており、導電性粒子１５２の一部は、凸ブロック１４と第２の基板１２との間に位置している。充填材料１５は各種の異方性（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）導電性材料とすることができる。
【0159】
例えば、これには限られないが、異方性導電ペースト（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐａｓｔｅ， ＡＣＰ）又は異方性導電フィルム（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ， ＡＣＦ）であっても良い。
【0160】
凸ブロック１４と第２の基板１２との間の導電性粒子１５２に圧力が加えられると、凸ブロック１４と第２の基板１２との間は、圧力を受けた導電性粒子１５２が融着により互いに導通し、それによって少なくとも１つの導電性チャネルを形成するので、凸ブロック１４と第２の基板１２とを導電性チャネルを介して電気的に接続することができる。
【0161】
同時に、圧力を受けていない他の導電性粒子１５２の間には絶縁体１５０が依然として充填されているため、それらは互いに導通しない。したがって、凸ブロック１４と第２の基板１２との間に導電性チャネルが形成されても、充填材料１５が充填された収容スペースＶが短絡することはない。
【0162】
これにより、凸ブロック１４と充填材料１５を介して、凸ブロック１４と第２の基板１２との間の電気的接続が更に向上し、レーザーダイオード１０の表面の熱エネルギーをより効果的に下げることができる。
【0163】
なお、充填材料１５の絶縁体１５０はアンダーフィル（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）として使用することもでき、これにより、レーザーダイオード１０への水分の侵入をさらに防止することができ、レーザーダイオード１０の寿命を延ばすことができる。
【0164】
【0165】
図１０のレーザーダイオード装置１ｂの構成の実施形態については上述したものを参照すれば足りるので、ここでは詳細に説明しない。主な相違点は、図１０では、凸ブロック１４が第２の基板突凸部１４２であることである。
【0166】
第２の基板凸部１４２は、第２の基板１２（すなわち、第２の基板本体１２０）から延伸し、第２の電極１２８とレーザーダイオード１０とを電気的に接続する。
【0167】
第２の基板凸部１４２の第２の基板１２に近い側（即ち第２の基板本体１２０）と第２の基板１２から遠い側（すなわち、第２の基板本体１２０）はそれぞれトップ部の幅と底部の幅を有する。
【0168】
第２の基板凸部１４２のトップ部の幅は、第２の基板凸部１４２の底部の幅と実質的に同じであっても良く、異なっていても良い。たとえば、図１０では、第２の基板凸部１４２のトップ部の幅は第２の基板凸部１４２の底部の幅より広く、トップ部の幅が広く底部の幅が狭い逆稜（逆リッジ）形状の第２の基板凸部１４２を形成する。
【0169】
上述の形状による逆稜形状の第２の基板凸部１４２は、第２の基板と第２の基板凸部１４２の作成に有利である。
【0170】
例えば、第２の基板凸部１４２と第２の基板本体１２０とを一体的に形成することができ、複雑なプロセスを軽減することで、両者の結合不良を回避することもでき、より安定した品質の第２の基板１２と第２の基板凸部１４２を提供できる。
【0171】
第２の基板突部１４２の材料は、第２の基板本体１２０の材料と実質的に同じ又は適合すれば足り、例えば、金属、合金、プラスチック、ゴム、セラミック、又はセラミック放熱材料等（但し、これらに限定されない）或いはそれらの組み合わせであっても良い。
【0172】
具体的には、例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、アルミニウム、銅、鉄、ステンレス等が挙げられる。前述の「適合する」とは、２つの材料間に物理的および／または化学的特性に大きな違いがないことを言い、例えば２つの材料の熱膨張係数が近似している場合が挙げられる。
【0173】
本実施形態では、第２の基板１２は、第２の連接層１２２を更に含み、第２の連接層１２２は、第２の基板凸部１４２とレーザーダイオード１０との間に位置して、レーザーダイオード１０と第２の電極１２８とを電気的に接続する（すなわち、第２の基板本体１２０と第２の基板突出部１４２）。第２の連接層１２２の構成に関する実施形態については上述した実施形態から類推できるので、ここでは詳細に説明しない。
【0174】
図１１を参照して説明する。ここで、図１１は本実施形態に基づいたキャップされた図３Ａのレーザーダイオード装置１ｂのＣ－Ｃ’断面図である。なお、図１１のレーザーダイオード装置１ｂの実施形態については上述の説明から分かるので、ここでは詳細に説明しない。
【0175】
主な相違点としては、図１１では、凸ブロック１４が導電性接着剤１４４であることである。導電性接着剤１４４は、レーザーダイオード１０の第２の基板１２に近い側に配置され、レーザーダイオード１０と第２の基板１２（すなわち、第２の電極１２８）とを電気的に接続する。
【0176】
導電性接着剤１４４の材料は、例えば、銀、錫、銅、金、カーボン、又はそれらの合金であるが、これらに限定されない。代わりとしては、例えば、銀ペースト、銅ペースト、金ペースト、カーボンペースト、又はそれらの組み合わせ、或いははんだボールを形成することができる。
【0177】
導電性接着剤１４４は、製造工程中は流動（流体）状態であるため、流体状態の導電性接着剤１４４は、レーザーダイオードチップ１００上に直接配置されることに加えて、同時にウエーブガイド１０２上にも直接配置される。
【0178】
さらに、硬化した導電性接着剤１４４は、レーザーダイオードチップ１００とウエーブガイド１０２に実質的に一致する外観形状を有し、良好な電気的接続を有することに加えて、硬化後はレーザーダイオードチップ１００とウエーブガイド１０２に損傷を与えたり押し出したりすることがない。
【0179】
導電性接着剤１４４を介して、レーザーダイオード１０と第２の基板１２（すなわち、第２の電極１２８）とをより広い面積で電気的に接続することができるため、全体の抵抗をより効果的に低減することができ、それによって発生する熱エネルギーを速やかに低減できる。
【0180】
更に、製造プロセスにおける導電性接着剤１４４の流動特性により、ウエーブガイド１０２を意図的に避ける必要がなく、導電性接着剤１４４は、レーザーダイオードチップ１００上に直接配置することができ、従来の製造プロセスに必要な時間とコストを大幅に削減することができる。
【0181】
【0182】
また、光ファイバ２４は、光源（又は光信号）を伝送するために用いられる。例えば、光源（又は光信号）を送信し又は受信するために使用される。レンズ２２は、光源（又は光信号）を送受信するために光ファイバ２４の近くに配置される。
【0183】
レーザーダイオード装置１ｂの構成の実施形態については上述の実施形態から類推できるため、ここでは詳細な説明を省略する。レーザーダイオード１０は、光源を介してレンズ２２と光ファイバ２４と通信するように構成することができる。
【0184】
例えば、レーザーダイオード１０は、レンズ２２から光源（又は光信号）を受信するか、或いは、光源（又は光信号）をレンズ２２と光ファイバ２４に送信するために使用される。例えば、光ファイバ２４が光源（又は光信号）を伝送するように構成されている場合、レンズ２２は、光ファイバ２４から光源（又は光信号）を受信するように構成され、光源（又は光信号）をレーザーダイオード装置１ｂに送信する。
【0185】
或いは、例えば、光ファイバ２４が光源（又は光信号）を受信するように構成されている場合、レンズ２２は、レーザーダイオード装置１ｂからの光源（又は光信号）を受け取るように構成されており、光源（又は光信号）を光ファイバ２４に送信する。
【0186】
本実施形態では、光源は、レーザーダイオード１０を介して通信可能に接続される。すなわち、光ファイバ２４から光源を受信し、又は、光源を光ファイバ２４に送信することの少なくとも何れかを行う。
【0187】
光電送受信システム２は、発光サブアセンブリ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ， ＯＳＡ）、光受信サブアセンブリ（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ， ＴＯＳＡ）、又は光受信サブアセンブリ（Ｒｅｃｅｉｖｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ，ＲＯＳＡ）等の高速信号伝送のための光サブアセンブリ又はこれらの組み合わせである。
【0188】
図１２において、本実施形態によれば、高速信号伝送のための光サブアセンブリ（ＯＳＡ）としての光電送受信システム２は、電気サブアセンブリ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ，ＥＳＡ）と組み合わせることができる。電気サブアセンブリ（ＥＳＡ）によって駆動され、高速信号伝送に使用できる光伝送モジュールを形成する。
【0189】
電気サブアセンブリ（ＥＳＡ）は、例えば、レーザーダイオード駆動器２０とすることができる。例えば、図１２では、光電送受信システム２は、レーザーダイオード駆動器２０を更に含む。
【0190】
レーザーダイオード駆動器２０は、レーザーダイオード装置１ｂに電気的に接続されており、レーザーダイオード駆動器２０は、駆動信号（差動電圧信号や電流駆動信号等）をレーザーダイオード装置１ｂに送信し、レーザーダイオード装置１ｂのレーザーダイオード１０は、光によってレンズ２２と光ファイバ２４と通信することができる。
【0191】
例えば、レーザーダイオード装置１ｂのレーザーダイオード１０は、レンズ２２から光源（又は光信号）を受信したり、レンズ２２と光ファイバ２４に光源（又は光信号）を送信したりするために使用される。したがって、放熱性能が優れたレーザーダイオード装置１ｂにより、光電送受信システム２は、従来の放熱性能が悪いという欠点に制限されることなく、より幅広く、より多様な用途に使用できるようになる。
【0192】
上 記に基づいて、本実施形態では、凸ブロック、第１の電極、及び第２の電極の構成によって、凸ブロックの両端に位置するレーザーダイオード（及び第１の電極）と第２の電極とを電気的に接続して、２つの放熱経路を形成し、並列回路と同様の全体抵抗を形成することができる。
【0193】
したがって、光電送受信システム及びそのレーザーダイオード装置は、以前の直列抵抗よりも低い全体抵抗を提供し、より少ない熱エネルギーを生成することができ、レーザーダイオードの表面の放熱効率を効果的に改善することができる。
【0194】
さらに、貫通孔の高さはウエーブガイドの高さよりも大幅に高く、光電送受信システムとそのレーザーダイオード装置は、第２の基板のカバーおよび／または第２の基板の熱膨張によるウエーブガイドの圧迫によりウエーブガイドの損傷を回避することができる。
【0195】
以上、本発明を上記の実施形態により説明したが、本発明の実施形態はこれらに限定されるものではなく、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者なら若干の変更や修正が可能であるため、本発明の技術的の範囲は、特許請求の範囲によって定められる。
【符号の説明】
【0196】
１ａ キャップレスレーザーダイオード装置
１ｂ レーザーダイオード装置
１０ レーザーダイオード
１００ レーザーダイオードチップ
１０２ ウエーブガイド
１０４ チップインターポーザー
１１ 第１の基板
１１０ 第１の基板本体
１１２ 第１のトップ板
１１４ 第１の連接層
１１６ 第１の電極
１２ 第２の基板
１２０ 第２の基板本体
１２２ 第２の連接層
１２３ 第２のトップ板
１２４ 貫通孔
１２６ 第３のトップ板
１２８ 第２の電極
１３ 側板
１３０ 側板本体
１３２ 側板連接層
１３４ 側板インターポーザー
１４ 凸ブロック
１４０ 柱状凸ブロック
１４２ 第２の基板凸部
１４４ 導電性接着剤
１５ 充填材料
１５０ 絶縁体
１５２ 導電性粒子
２ 光電送受信システム
２０ レーザーダイオード駆動器
２２ レンズ
２４ 光ファイバ
Ａ１ 柱状凸ブロックの底部面積の総和
Ａ２ レーザーダイオードの表面積
Ｈ１ 凸ブロックの高さ
Ｈ２ ウエーブガイドの高さ
Ｎ 柱状凸ブロックの数
Ｖ 収容スペース
Ｘ 座標のＸ方向
Ｙ 座標のＹ方向
Ｚ 座標のＺ方向
Ａ－Ａ’ 断面線
Ｂ－Ｂ’ 断面線
Ｃ－Ｃ’ 断面線
ｄ１ 第１の直径
ｄ１’ 第２の直径
ｄ２ ウエーブガイドの底部の幅
ｄ２’ ウエーブガイドのトップ部の幅
１ｂ レーザーダイオード装置
１０ レーザーダイオード
１００ レーザーダイオードチップ
１０２ ウエーブガイド
１０４ チップインターポーザー
１１ 第１の基板
１１０ 第１の基板本体
１１２ 第１のトップ板
１１４ 第１の連接層
１１６ 第１の電極
１２ 第２の基板
１２０ 第２の基板本体
１２２ 第２の連接層
１２３ 第２のトップ板
１２４ 貫通孔
１２６ 第３のトップ板
１２８ 第２の電極
１３ 側板
１３０ 側板本体
１３２ 側板連接層
１３４ 側板インターポーザー
１４ 凸ブロック
１４０ 柱状凸ブロック
１４２ 第２の基板凸部
１４４ 導電性接着剤
１５ 充填材料
１５０ 絶縁体
１５２ 導電性粒子
２ 光電送受信システム
２０ レーザーダイオード駆動器
２２ レンズ
２４ 光ファイバ
Ａ１ 柱状凸ブロックの底部面積の総和
Ａ２ レーザーダイオードの表面積
Ｈ１ 凸ブロックの高さ
Ｈ２ ウエーブガイドの高さ
Ｎ 柱状凸ブロックの数
Ｖ 収容スペース
Ｘ 座標のＸ方向
Ｙ 座標のＹ方向
Ｚ 座標のＺ方向
Ａ－Ａ’ 断面線
Ｂ－Ｂ’ 断面線
Ｃ－Ｃ’ 断面線
ｄ１ 第１の直径
ｄ１’ 第２の直径
ｄ２ ウエーブガイドの底部の幅
ｄ２’ ウエーブガイドのトップ部の幅
【要約】
【課題】放熱効果が高いレーザーダイオード装置及び光電送受信システムを提供する。
【解決手段】凸ブロックは、ウエーブガイドに対応し、凸ブロックの一端は第２の電極に電気的に接続され、凸ブロックの高さは実質上ウエーブガイドの高さより高く、凸ブロックは柱状凸ブロックであり、柱状凸ブロックのレーザーダイオードに近い一方の側は第１の直径を有し、柱状凸ブロックは、レーザーダイオードから第２の基板へ延伸する高さを有し、第１の直径と前記柱状凸ブロックの前記高さの比は０．８５～１．１である。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】凸ブロックは、ウエーブガイドに対応し、凸ブロックの一端は第２の電極に電気的に接続され、凸ブロックの高さは実質上ウエーブガイドの高さより高く、凸ブロックは柱状凸ブロックであり、柱状凸ブロックのレーザーダイオードに近い一方の側は第１の直径を有し、柱状凸ブロックは、レーザーダイオードから第２の基板へ延伸する高さを有し、第１の直径と前記柱状凸ブロックの前記高さの比は０．８５～１．１である。
【選択図】図３Ａ
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
