(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-01
(45)【発行日】2024-11-12
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 29/786 20060101AFI20241105BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20241105BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20241105BHJP
H10K 59/12 20230101ALI20241105BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 618B
H01L29/78 618E
G02F1/1368
H05B33/14 Z
H10K59/12
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2023196483
(22)【出願日】2023-11-20
(62)【分割の表示】P 2022016832の分割
【原出願日】2013-10-23
(65)【公開番号】P2024022597
(43)【公開日】2024-02-16
【審査請求日】2023-12-13
(31)【優先権主張番号】P 2012234616
(32)【優先日】2012-10-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】肥塚 純一
(72)【発明者】
【氏名】島 行徳
(72)【発明者】
【氏名】徳永 肇
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 俊成
(72)【発明者】
【氏名】村山 佳右
(72)【発明者】
【氏名】松林 大介
【審査官】市川 武宜
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１２－１３４４７５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第４９８２６２０（ＪＰ，Ｂ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２９／７８６
Ｇ０２Ｆ １／１３６８
Ｈ０５Ｂ ３３／１４
Ｈ１０Ｋ ５９／１２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ゲート電極としての機能を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上の第１の酸化シリコン膜と、
前記第１の酸化シリコン膜上の多層膜と、
前記多層膜上の第２の酸化シリコン膜と、
前記第２の酸化シリコン膜上の第２の窒化シリコン膜と、を有し、
前記多層膜は、酸化物半導体膜と酸化物膜とを有し、
前記第２の酸化シリコン膜は、前記多層膜の上面に接する領域と、前記多層膜の側面に接する領域と、前記第１の酸化シリコン膜の上面に接する領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムと、亜鉛と、ガリウムとを有し、
前記酸化物膜は、インジウムと、亜鉛と、ガリウムとを有し、
前記酸化物膜のインジウムに対するガリウムの原子数比は、前記酸化物半導体膜のインジウムに対するガリウムの原子数比よりも大きく、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸配向した結晶を有し、
前記酸化物膜は、結晶を有する、半導体装置。
【請求項2】
ゲート電極としての機能を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上の第１の酸化シリコン膜と、
前記第１の酸化シリコン膜上の多層膜と、
前記多層膜上に位置する領域を有し、且つソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第２の導電層と、
前記多層膜上及び前記第２の導電層上の第２の酸化シリコン膜と、
前記第２の酸化シリコン膜上の第２の窒化シリコン膜と、を有し、
前記多層膜は、酸化物半導体膜と酸化物膜とを有し、
前記第２の酸化シリコン膜は、前記多層膜の上面に接する領域と、前記多層膜の側面に接する領域と、前記第２の導電層の上面に接する領域と、前記第２の導電層の側面に接する領域と、前記第１の酸化シリコン膜の上面に接する領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムと、亜鉛と、ガリウムとを有し、
前記酸化物膜は、インジウムと、亜鉛と、ガリウムとを有し、
前記酸化物膜のインジウムに対するガリウムの原子数比は、前記酸化物半導体膜のインジウムに対するガリウムの原子数比よりも大きく、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸配向した結晶を有し、
前記酸化物膜は、結晶を有し、
前記第２の導電層は、積層構造を有し、
前記積層構造は、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンを含む層を有する、半導体装置。
【請求項3】
ゲート電極としての機能を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上の第１の酸化シリコン膜と、
前記第１の酸化シリコン膜上の多層膜と、
前記多層膜上に位置する領域を有し、且つソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第２の導電層と、
前記多層膜上及び前記第２の導電層上の第２の酸化シリコン膜と、
前記第２の酸化シリコン膜上の第２の窒化シリコン膜と、を有し、
前記多層膜は、酸化物半導体膜と酸化物膜とを有し、
前記第２の酸化シリコン膜は、前記多層膜の上面に接する領域と、前記多層膜の側面に接する領域と、前記第２の導電層の上面に接する領域と、前記第２の導電層の側面に接する領域と、前記第１の酸化シリコン膜の上面に接する領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムと、亜鉛と、ガリウムとを有し、
前記酸化物膜は、インジウムと、亜鉛と、ガリウムとを有し、
前記酸化物膜のインジウムに対するガリウムの原子数比は、前記酸化物半導体膜のインジウムに対するガリウムの原子数比よりも大きく、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸配向した結晶を有し、
前記酸化物膜は、結晶を有し、
前記第２の導電層は、積層構造を有し、
前記積層構造は、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンを含む層を有し、
断面視において、前記第２の導電層の端部は、テーパー角を有する、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、トランジスタを有する半導体装置及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置や発光表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイの多くに用いら
れているトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリ
コン又は多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリコ
ン半導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）などにも利用されている。
れているトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリ
コン又は多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリコ
ン半導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）などにも利用されている。
【0003】
近年、シリコン半導体に代わって、半導体特性を示す金属酸化物をトランジスタに用い
る技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を酸化物
半導体とよぶことにする。
る技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を酸化物
半導体とよぶことにする。
【0004】
例えば、酸化物半導体として、酸化亜鉛、又はＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いたトラ
ンジスタを作製し、該トランジスタを表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技
術が開示されている（特許文献１及び特許文献２参照）。
ンジスタを作製し、該トランジスタを表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技
術が開示されている（特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００７－１２３８６１号公報
【文献】特開２００７－９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損量
が多いことは、トランジスタの電気特性の不良に繋がると共に、経時変化やストレス試験
（例えば、ＢＴ（Ｂｉａｓ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）において、トラン
ジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧（Ｖｔｈ）の変動量が増大することの原因と
なる。
が多いことは、トランジスタの電気特性の不良に繋がると共に、経時変化やストレス試験
（例えば、ＢＴ（Ｂｉａｓ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）において、トラン
ジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧（Ｖｔｈ）の変動量が増大することの原因と
なる。
【0007】
そこで、本発明の一態様は、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、酸化物半導
体膜の欠陥を低減することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、酸化物半導体膜
を用いた半導体装置において、電気特性を向上させることを課題の一とする。また、本発
明の一態様は、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、信頼性を向上させることを
課題の一とする。
体膜の欠陥を低減することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、酸化物半導体膜
を用いた半導体装置において、電気特性を向上させることを課題の一とする。また、本発
明の一態様は、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、信頼性を向上させることを
課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様は、基板上に形成されるゲート電極、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜、
ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる多層膜、及び多層膜に接する一対の電極を有す
るトランジスタと、該トランジスタを覆う酸化物絶縁膜とを備える半導体装置であって、
多層膜は、酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を有し、該酸化物絶縁膜
は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜であり、トランジ
スタは、バイアス温度ストレス試験によってしきい値電圧が変動しない、又はプラス方向
若しくはマイナス方向に変動する特性を有し、マイナス方向若しくはプラス方向への変動
量が１．０Ｖ以下、好ましくは０．５Ｖ以下であることを特徴とする。
ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる多層膜、及び多層膜に接する一対の電極を有す
るトランジスタと、該トランジスタを覆う酸化物絶縁膜とを備える半導体装置であって、
多層膜は、酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を有し、該酸化物絶縁膜
は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜であり、トランジ
スタは、バイアス温度ストレス試験によってしきい値電圧が変動しない、又はプラス方向
若しくはマイナス方向に変動する特性を有し、マイナス方向若しくはプラス方向への変動
量が１．０Ｖ以下、好ましくは０．５Ｖ以下であることを特徴とする。
【0009】
なお、酸化物半導体膜は、Ｉｎ若しくはＧａを含むことが好ましい。
【0010】
また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギー準位が、酸化物半
導体膜の伝導帯の下端のエネルギー準位よりも真空準位に近い。さらには、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜の伝導帯の下端
のエネルギー準位との差は０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下であることが好ましい。なお、真
空準位と伝導帯下端のエネルギー差を電子親和力ともいうため、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜の電子親和力が、酸化物半導体膜の電子親和力より小さく、その差が０．０５ｅ
Ｖ以上２ｅＶ以下であることが好ましい。
導体膜の伝導帯の下端のエネルギー準位よりも真空準位に近い。さらには、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜の伝導帯の下端
のエネルギー準位との差は０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下であることが好ましい。なお、真
空準位と伝導帯下端のエネルギー差を電子親和力ともいうため、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜の電子親和力が、酸化物半導体膜の電子親和力より小さく、その差が０．０５ｅ
Ｖ以上２ｅＶ以下であることが好ましい。
【0011】
また、酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜が、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物
膜（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、又はＨｆ）であり、酸化物半
導体膜と比較して、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜に含まれる前記Ｍの原子数比が大き
いことが好ましい。
膜（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、又はＨｆ）であり、酸化物半
導体膜と比較して、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜に含まれる前記Ｍの原子数比が大き
いことが好ましい。
【0012】
また、多層膜は、エネルギーが１．５ｅＶ以上２．３ｅＶ以下の範囲において、一定光
電流測定法（ＣＰＭ：Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ）で
導出される吸収係数は、１×１０－３／ｃｍ未満であることが好ましい。
電流測定法（ＣＰＭ：Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ）で
導出される吸収係数は、１×１０－３／ｃｍ未満であることが好ましい。
【0013】
また、酸化物半導体膜とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜との間におけるシリコン濃度
が、２×１０１８原子／ｃｍ３未満であることが好ましい。
が、２×１０１８原子／ｃｍ３未満であることが好ましい。
【0014】
また、本発明の一態様は、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に、
酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を有する多層膜を形成し、多層膜に
接する一対の電極を形成し、多層膜及び一対の電極上に、酸化物絶縁膜を形成する半導体
装置の作製方法である。該酸化物絶縁膜は、真空排気された処理室内に載置された基板を
１８０℃以上２６０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力
を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２
以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給することによって形成する。
酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を有する多層膜を形成し、多層膜に
接する一対の電極を形成し、多層膜及び一対の電極上に、酸化物絶縁膜を形成する半導体
装置の作製方法である。該酸化物絶縁膜は、真空排気された処理室内に載置された基板を
１８０℃以上２６０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力
を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２
以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給することによって形成する。
【発明の効果】
【0015】
本発明の一態様により、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、酸化物半導体膜
の欠陥を低減することができる。また、本発明の一態様により、酸化物半導体膜を用いた
半導体装置において、電気特性を向上させることができる。また、本発明の一態様により
、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、信頼性を向上させることができる。
の欠陥を低減することができる。また、本発明の一態様により、酸化物半導体膜を用いた
半導体装置において、電気特性を向上させることができる。また、本発明の一態様により
、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図、並びにＶｇ－Ｉｄ特性を説明する図である。
【図2】トランジスタのバンド構造を説明する図である。
【図3】トランジスタの作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図4】トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図5】トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図6】トランジスタのバンド構造を説明する図である。
【図7】トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図8】トランジスタの作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図9】トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図10】トランジスタの作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図11】トランジスタの一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図12】トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図13】半導体装置の一形態を説明する上面図である。
【図14】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図15】本発明の一態様である半導体装置を用いた電子機器を説明する図である。
【図16】本発明の一態様である半導体装置を用いた電子機器を説明する図である。
【図17】トランジスタのＶｇ－Ｉｄ特性を示す図である。
【図18】光ＢＴストレス試験後のトランジスタのしきい値電圧の変動量を示す図である。
【図19】酸化物半導体膜の酸素欠損に由来するｇ値のスピン密度を示す図である。
【図20】トランジスタに含まれる多層膜のＣＰＭ測定結果を示す図である。
【図21】トランジスタに含まれる多層膜のＴｏＦ－ＳＩＭＳの結果を示す図である。
【図22】トランジスタに含まれる酸化物絶縁膜のＴＤＳ測定結果を示す図である。
【図23】酸化物絶縁膜のダングリングボンドに由来するｇ値のスピン密度を示す図である。
【図24】表示装置の画素部の構成例を示す上面図である。
【図25】表示装置の画素部の構成例を示す断面図である。
【図26】表示装置の共通電極の接続構造の一例を示す図、及び表示装置の配線の接続構造の一例を示す図である。
【図27】表示装置の画素部の構成例を示す断面図である。
【図28】半導体装置の一形態を説明する上面図である。
【図29】半導体装置の一形態を説明する上面図及び断面図である。
【図30】タッチセンサの構成例を示す分解斜視図及び上面図である。
【図31】タッチセンサの構成例を示す断面図及び回路図である。
【図32】トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図33】液晶表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図34】液晶表示装置の駆動方法の一例を説明するタイミングチャートである。
【図35】ＨＡＸＰＥＳ測定よって得られた価電子帯スペクトルを示す図である。
【図36】バンド構造の計算に用いた構造を説明する図である。
【図37】バンド構造の計算結果を説明する図である。
【図38】酸化物半導体膜の模式図と、酸化物半導体膜におけるバンド構造を説明する図である。
【図39】バンド構造の計算結果を説明する図である。
【図40】チャネル長の変化に対するエネルギー障壁の高さの変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。また
、以下に説明する実施の形態及び実施例において、同一部分又は同様の機能を有する部分
には、同一の符号又は同一のハッチパターンを異なる図面間で共通して用い、その繰り返
しの説明は省略する。
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。また
、以下に説明する実施の形態及び実施例において、同一部分又は同様の機能を有する部分
には、同一の符号又は同一のハッチパターンを異なる図面間で共通して用い、その繰り返
しの説明は省略する。
【0018】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、又は領域は、明
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
【0019】
また、本明細書にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるた
めに付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を
「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
めに付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を
「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
【0020】
また、「ソース」や「ドレイン」の機能は、回路動作において電流の方向が変化する場
合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレ
イン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレ
イン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【0021】
また、電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場
の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。た
だし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差
のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多
い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし
、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。た
だし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差
のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多
い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし
、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
【0022】
本明細書において、フォトリソグラフィ工程を行った後にエッチング工程を行う場合は
、フォトリソグラフィ工程で形成したマスクは除去するものとする。
、フォトリソグラフィ工程で形成したマスクは除去するものとする。
【0023】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置及びその作製方法について図面を
参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置及びその作製方法について図面を
参照して説明する。
【0024】
酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、トランジスタの電気特性の不良に繋が
る欠陥の一例として酸素欠損がある。例えば、膜中に酸素欠損が含まれている酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナス方向に変動しやすく、ノーマリー
オン特性となりやすい。これは、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損に起因して電荷が生
じ、低抵抗化するためである。トランジスタがノーマリーオン特性を有すると、動作時に
動作不良が発生しやすくなる、又は非動作時の消費電力が高くなるなどの、様々な問題が
生じる。また、経時変化やストレス試験により、トランジスタの電気特性、代表的にはし
きい値電圧の変動量が増大するという問題がある。
る欠陥の一例として酸素欠損がある。例えば、膜中に酸素欠損が含まれている酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナス方向に変動しやすく、ノーマリー
オン特性となりやすい。これは、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損に起因して電荷が生
じ、低抵抗化するためである。トランジスタがノーマリーオン特性を有すると、動作時に
動作不良が発生しやすくなる、又は非動作時の消費電力が高くなるなどの、様々な問題が
生じる。また、経時変化やストレス試験により、トランジスタの電気特性、代表的にはし
きい値電圧の変動量が増大するという問題がある。
【0025】
酸素欠損の発生原因の一つとして、トランジスタの作製工程に生じるダメージがある。
例えば、酸化物半導体膜上にプラズマＣＶＤ法により絶縁膜などを形成する際、その形成
条件によって、当該酸化物半導体膜にダメージが入ることがある。
例えば、酸化物半導体膜上にプラズマＣＶＤ法により絶縁膜などを形成する際、その形成
条件によって、当該酸化物半導体膜にダメージが入ることがある。
【0026】
また、酸素欠損に限らず、絶縁膜の構成元素であるシリコンや炭素等の不純物も、トラ
ンジスタの電気特性の不良の原因となる。このため、該不純物が、酸化物半導体膜に混入
することにより、当該酸化物半導体膜が低抵抗化してしまい、経時変化やストレス試験に
より、トランジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧の変動量が増大するという問題
がある。
ンジスタの電気特性の不良の原因となる。このため、該不純物が、酸化物半導体膜に混入
することにより、当該酸化物半導体膜が低抵抗化してしまい、経時変化やストレス試験に
より、トランジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧の変動量が増大するという問題
がある。
【0027】
そこで、本実施の形態では、酸化物半導体膜を有するトランジスタを備える半導体装置
において、チャネル領域を有する酸化物半導体膜中の酸素欠損、及び酸化物半導体膜の不
純物濃度を低減することを課題とする。
において、チャネル領域を有する酸化物半導体膜中の酸素欠損、及び酸化物半導体膜の不
純物濃度を低減することを課題とする。
【0028】
図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）に、半導体装置が有するトランジスタ５０の上面図及び断面
図を示す。図１（Ａ）はトランジスタ５０の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の
一点鎖線Ａ－Ｂ間の断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）の一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面
図である。なお、図１（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、酸化物
絶縁膜２４、窒化物絶縁膜２５などを省略している。
図を示す。図１（Ａ）はトランジスタ５０の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の
一点鎖線Ａ－Ｂ間の断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）の一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面
図である。なお、図１（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、酸化物
絶縁膜２４、窒化物絶縁膜２５などを省略している。
【0029】
図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すトランジスタ５０は、基板１１上に設けられるゲート
電極１５を有する。また、基板１１及びゲート電極１５上に、ゲート絶縁膜１７が形成さ
れ、ゲート絶縁膜１７を介して、ゲート電極１５と重なる多層膜２０と、多層膜２０に接
する一対の電極２１、２２とを有する。また、ゲート絶縁膜１７、多層膜２０、及び一対
の電極２１、２２上には、酸化物絶縁膜２４、及び窒化物絶縁膜２５で構成される保護膜
２６が形成される。
電極１５を有する。また、基板１１及びゲート電極１５上に、ゲート絶縁膜１７が形成さ
れ、ゲート絶縁膜１７を介して、ゲート電極１５と重なる多層膜２０と、多層膜２０に接
する一対の電極２１、２２とを有する。また、ゲート絶縁膜１７、多層膜２０、及び一対
の電極２１、２２上には、酸化物絶縁膜２４、及び窒化物絶縁膜２５で構成される保護膜
２６が形成される。
【0030】
本実施の形態に示すトランジスタ５０において、多層膜２０は、酸化物半導体膜１８、
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を有する。また、酸化物半導体膜１８の一部がチャ
ネル領域として機能する。また、多層膜２０に接するように酸化物絶縁膜２４が形成され
ている。即ち、酸化物半導体膜１８と酸化物絶縁膜２４との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜１９が設けられている。
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を有する。また、酸化物半導体膜１８の一部がチャ
ネル領域として機能する。また、多層膜２０に接するように酸化物絶縁膜２４が形成され
ている。即ち、酸化物半導体膜１８と酸化物絶縁膜２４との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜１９が設けられている。
【0031】
酸化物半導体膜１８は、代表的には、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｍ
－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、又はＨｆ）がある
。
－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、又はＨｆ）がある
。
【0032】
なお、酸化物半導体膜１８がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物であるとき、ＩｎとＭの原子数比率
は、好ましくは、Ｉｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに
好ましくは、Ｉｎが３４ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。
は、好ましくは、Ｉｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに
好ましくは、Ｉｎが３４ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。
【0033】
酸化物半導体膜１８は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上
、より好ましくは３ｅＶ以上である。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導
体を用いることで、トランジスタ５０のオフ電流を低減することができる。
、より好ましくは３ｅＶ以上である。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導
体を用いることで、トランジスタ５０のオフ電流を低減することができる。
【0034】
酸化物半導体膜１８の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。
０ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。
【0035】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９は、代表的には、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ
酸化物、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ又
はＨｆ）であり、且つ酸化物半導体膜１８よりも伝導帯の下端のエネルギーが真空準位に
近く、代表的には、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の伝導帯の下端のエネルギーと
、酸化物半導体膜１８の伝導帯の下端のエネルギーとの差が、０．０５ｅＶ以上、０．０
７ｅＶ以上、０．１ｅＶ以上、又は０．１５ｅＶ以上、且つ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０
．５ｅＶ以下、又は０．４ｅＶ以下である。即ち、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９
の電子親和力と、酸化物半導体膜１８の電子親和力との差が、０．０５ｅＶ以上、０．０
７ｅＶ以上、０．１ｅＶ以上、または０．１５ｅＶ以上、且つ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、
０．５ｅＶ以下、または０．４ｅＶ以下である。
酸化物、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ又
はＨｆ）であり、且つ酸化物半導体膜１８よりも伝導帯の下端のエネルギーが真空準位に
近く、代表的には、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の伝導帯の下端のエネルギーと
、酸化物半導体膜１８の伝導帯の下端のエネルギーとの差が、０．０５ｅＶ以上、０．０
７ｅＶ以上、０．１ｅＶ以上、又は０．１５ｅＶ以上、且つ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０
．５ｅＶ以下、又は０．４ｅＶ以下である。即ち、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９
の電子親和力と、酸化物半導体膜１８の電子親和力との差が、０．０５ｅＶ以上、０．０
７ｅＶ以上、０．１ｅＶ以上、または０．１５ｅＶ以上、且つ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、
０．５ｅＶ以下、または０．４ｅＶ以下である。
【0036】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物であるとき、ＩｎとＭの
原子数比率は、好ましくは、Ｉｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％以
上、さらに好ましくは、Ｉｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上と
する。
原子数比率は、好ましくは、Ｉｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％以
上、さらに好ましくは、Ｉｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上と
する。
【0037】
また、酸化物半導体膜１８、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９がＩｎ－Ｍ－Ｚ
ｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ又はＨｆ）の場合、酸化
物半導体膜１８と比較して、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９に含まれるＭ（Ａｌ、
Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、又はＨｆ）の原子数比が大きく、代表的には
、酸化物半導体膜１８に含まれる上記原子と比較して、１．５倍以上、好ましくは２倍以
上、さらに好ましくは３倍以上高い原子数比である。
ｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ又はＨｆ）の場合、酸化
物半導体膜１８と比較して、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９に含まれるＭ（Ａｌ、
Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、又はＨｆ）の原子数比が大きく、代表的には
、酸化物半導体膜１８に含まれる上記原子と比較して、１．５倍以上、好ましくは２倍以
上、さらに好ましくは３倍以上高い原子数比である。
【0038】
また、酸化物半導体膜１８、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９がＩｎ－Ｍ－Ｚ
ｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ又はＨｆ）の場合、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜１９をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１［原子数比］、酸
化物半導体膜１８をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２［原子数比］とすると、ｙ１／ｘ
１がｙ２／ｘ２よりも大きく、好ましくは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも１．５倍以上
である。さらに好ましくは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも２倍以上大きく、より好まし
くは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも３倍以上大きい。このとき、酸化物半導体膜におい
て、ｙ２がｘ２以上であると、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気
特性を付与できるため好ましい。ただし、ｙ２がｘ２の３倍以上になると、当該酸化物半
導体膜を用いたトランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、ｙ２はｘ２以上ｘ
２の３倍未満であると好ましい。
ｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ又はＨｆ）の場合、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜１９をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１［原子数比］、酸
化物半導体膜１８をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２［原子数比］とすると、ｙ１／ｘ
１がｙ２／ｘ２よりも大きく、好ましくは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも１．５倍以上
である。さらに好ましくは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも２倍以上大きく、より好まし
くは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも３倍以上大きい。このとき、酸化物半導体膜におい
て、ｙ２がｘ２以上であると、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気
特性を付与できるため好ましい。ただし、ｙ２がｘ２の３倍以上になると、当該酸化物半
導体膜を用いたトランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、ｙ２はｘ２以上ｘ
２の３倍未満であると好ましい。
【0039】
例えば、酸化物半導体膜１８としてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１又は３：１：２の原
子数比のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を用いることができる。また、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜１９としてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２、１：６：４、又は１：９：６の原子
数比のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を用いることができる。なお、酸化物半導体膜１８、及び
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の原子数比はそれぞれ、誤差として上記の原子数比
のプラスマイナス２０％の変動を含む。
子数比のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を用いることができる。また、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜１９としてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２、１：６：４、又は１：９：６の原子
数比のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を用いることができる。なお、酸化物半導体膜１８、及び
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の原子数比はそれぞれ、誤差として上記の原子数比
のプラスマイナス２０％の変動を含む。
【0040】
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効
果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とす
るトランジスタの半導体特性を得るために、酸化物半導体膜１８のキャリア密度や不純物
濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとするこ
とが好ましい。
果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とす
るトランジスタの半導体特性を得るために、酸化物半導体膜１８のキャリア密度や不純物
濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとするこ
とが好ましい。
【0041】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９は、後に形成する酸化物絶縁膜２４を形成する際
の、酸化物半導体膜１８へのダメージ緩和膜としても機能する。
の、酸化物半導体膜１８へのダメージ緩和膜としても機能する。
【0042】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましく
は３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。
は３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。
【0043】
酸化物半導体膜１８において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると
、酸化物半導体膜１８において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、酸化物
半導体膜１８におけるシリコンや炭素の濃度、又はＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９
と、酸化物半導体膜１８との界面近傍のシリコンや炭素の濃度を、２×１０１８原子／ｃ
ｍ３以下、好ましくは２×１０１７原子／ｃｍ３以下とする。
、酸化物半導体膜１８において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、酸化物
半導体膜１８におけるシリコンや炭素の濃度、又はＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９
と、酸化物半導体膜１８との界面近傍のシリコンや炭素の濃度を、２×１０１８原子／ｃ
ｍ３以下、好ましくは２×１０１７原子／ｃｍ３以下とする。
【0044】
また、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の結晶構造はそれ
ぞれ、非晶質構造、単結晶構造、多結晶構造、微結晶構造、結晶粒が非晶質領域に分散さ
れた混合構造又は後述するＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であってもよい。なお、微結
晶構造とは、各結晶粒の面方位がランダムである。また、微結晶構造若しくは混合構造に
含まれる結晶粒の粒径は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ
以下、好ましくは２ｎｍ以上４ｎｍ以下である。また、少なくとも酸化物半導体膜１８の
結晶構造をＣＡＡＣ－ＯＳとすることで、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動量
をさらに低減することが可能である。
ぞれ、非晶質構造、単結晶構造、多結晶構造、微結晶構造、結晶粒が非晶質領域に分散さ
れた混合構造又は後述するＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であってもよい。なお、微結
晶構造とは、各結晶粒の面方位がランダムである。また、微結晶構造若しくは混合構造に
含まれる結晶粒の粒径は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ
以下、好ましくは２ｎｍ以上４ｎｍ以下である。また、少なくとも酸化物半導体膜１８の
結晶構造をＣＡＡＣ－ＯＳとすることで、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動量
をさらに低減することが可能である。
【0045】
また、本実施の形態に示すトランジスタ５０において、多層膜２０に接するように酸化
物絶縁膜２４が形成されている。
物絶縁膜２４が形成されている。
【0046】
多層膜２０に接するように酸化物絶縁膜２４が形成されている。酸化物絶縁膜２４は、
化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜とする。化学量論的組
成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離す
る。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、ＴＤＳ法分析
にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８原子／ｃｍ３以上、好まし
くは３．０×１０２０原子／ｃｍ３以上である酸化物絶縁膜である。
化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜とする。化学量論的組
成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離す
る。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、ＴＤＳ法分析
にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８原子／ｃｍ３以上、好まし
くは３．０×１０２０原子／ｃｍ３以上である酸化物絶縁膜である。
【0047】
酸化物絶縁膜２４としては、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ
以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることができる。
以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることができる。
【0048】
また、酸化物絶縁膜２４は、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定
により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン
密度が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、更には１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ
３以下であることが好ましい。
により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン
密度が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、更には１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ
３以下であることが好ましい。
【0049】
【0050】
図２（Ａ）に示すバンド構造において、例えば、酸化物半導体膜１８としてエネルギー
ギャップが３．１５ｅＶであるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成膜に用いたスパッタリングタ
ーゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）を用い、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜１９としてエネルギーギャップが３．５ｅＶであるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成
膜に用いたスパッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２）を用
いる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータを用いて測定することができる
。
ギャップが３．１５ｅＶであるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成膜に用いたスパッタリングタ
ーゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）を用い、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜１９としてエネルギーギャップが３．５ｅＶであるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成
膜に用いたスパッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２）を用
いる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータを用いて測定することができる
。
【0051】
酸化物半導体膜１８、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の真空準位と価電子帯
上端のエネルギー差（イオン化ポテンシャルともいう。）は、それぞれ７．９ｅＶ、及び
８．０ｅＶである。なお、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光
分析（ＵＰＳ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ）装置（ＰＨＩ社 ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ）を用いて測定できる。
上端のエネルギー差（イオン化ポテンシャルともいう。）は、それぞれ７．９ｅＶ、及び
８．０ｅＶである。なお、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光
分析（ＵＰＳ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ）装置（ＰＨＩ社 ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ）を用いて測定できる。
【0052】
酸化物半導体膜１８、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の真空準位と伝導帯下
端のエネルギー差（電子親和力ともいう。）は、それぞれ４．７ｅＶ、及び４．５ｅＶで
ある。
端のエネルギー差（電子親和力ともいう。）は、それぞれ４．７ｅＶ、及び４．５ｅＶで
ある。
【0053】
また、酸化物半導体膜１８の伝導帯の下端をＥｃ＿１８とし、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜１９の伝導帯の下端をＥｃ＿１９とする。また、ゲート絶縁膜１７の伝導帯の下
端をＥｃ＿１７とし、酸化物絶縁膜２４の伝導帯の下端をＥｃ＿２４とする。
酸化物膜１９の伝導帯の下端をＥｃ＿１９とする。また、ゲート絶縁膜１７の伝導帯の下
端をＥｃ＿１７とし、酸化物絶縁膜２４の伝導帯の下端をＥｃ＿２４とする。
【0054】
図２（Ａ）に示すように、多層膜２０において、酸化物半導体膜１８とＩｎ若しくはＧ
ａを含む酸化物膜１９との界面近傍における伝導帯の下端が連続的に変化している。即ち
、酸化物半導体膜１８とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９との界面近傍における障壁
が無くなだらかに変化している。酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜１９の間で酸素が相互的に移動することでこのような形状となる。また、多層膜２０に
おいて、酸化物半導体膜１８における伝導帯の下端のエネルギーが最も低く、当該領域が
チャネル領域となる。
ａを含む酸化物膜１９との界面近傍における伝導帯の下端が連続的に変化している。即ち
、酸化物半導体膜１８とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９との界面近傍における障壁
が無くなだらかに変化している。酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜１９の間で酸素が相互的に移動することでこのような形状となる。また、多層膜２０に
おいて、酸化物半導体膜１８における伝導帯の下端のエネルギーが最も低く、当該領域が
チャネル領域となる。
【0055】
ここで、トランジスタにおいて、キャリアである電子の流れる様子について、図２（Ｂ
）及び図２（Ｃ）を用いて説明する。なお、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）において、酸化物
半導体膜１８を流れる電子量を破線矢印の大きさで表す。
）及び図２（Ｃ）を用いて説明する。なお、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）において、酸化物
半導体膜１８を流れる電子量を破線矢印の大きさで表す。
【0056】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と酸化物絶縁膜２４との界面近傍においては、不
純物及び欠陥によりトラップ準位２７が形成される。このため、例えば、図２（Ｂ）に示
すように、トランジスタのチャネル領域が酸化物半導体膜１８の単層である場合、酸化物
半導体膜１８において、キャリアである電子はゲート絶縁膜１７側において主に流れるが
、酸化物絶縁膜２４側においても少量流れる。この結果、酸化物半導体膜１８に流れる電
子の一部がトラップ準位２７に捕獲されてしまう。
純物及び欠陥によりトラップ準位２７が形成される。このため、例えば、図２（Ｂ）に示
すように、トランジスタのチャネル領域が酸化物半導体膜１８の単層である場合、酸化物
半導体膜１８において、キャリアである電子はゲート絶縁膜１７側において主に流れるが
、酸化物絶縁膜２４側においても少量流れる。この結果、酸化物半導体膜１８に流れる電
子の一部がトラップ準位２７に捕獲されてしまう。
【0057】
一方、本実施の形態に示すトランジスタ５０は、図２（Ｃ）に示すように、酸化物半導
体膜１８と酸化物絶縁膜２４との間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９が設けられて
いるため、酸化物半導体膜１８とトラップ準位２７との間に隔たりがある。この結果、酸
化物半導体膜１８を流れる電子がトラップ準位２７に捕獲されにくい。トラップ準位に電
子が捕獲されると、該電子がマイナスの固定電荷となってしまう。この結果、トランジス
タのしきい値電圧が変動してしまう。しかしながら、酸化物半導体膜１８とトラップ準位
２７との間に隔たりがあるため、トラップ準位２７における電子の捕獲を低減することが
可能であり、しきい値電圧の変動を低減することができる。
体膜１８と酸化物絶縁膜２４との間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９が設けられて
いるため、酸化物半導体膜１８とトラップ準位２７との間に隔たりがある。この結果、酸
化物半導体膜１８を流れる電子がトラップ準位２７に捕獲されにくい。トラップ準位に電
子が捕獲されると、該電子がマイナスの固定電荷となってしまう。この結果、トランジス
タのしきい値電圧が変動してしまう。しかしながら、酸化物半導体膜１８とトラップ準位
２７との間に隔たりがあるため、トラップ準位２７における電子の捕獲を低減することが
可能であり、しきい値電圧の変動を低減することができる。
【0058】
なお、酸化物半導体膜１８とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９との界面近傍におけ
る伝導帯の下端のエネルギー差ΔＥ１が小さいと、酸化物半導体膜１８を流れるキャリア
がＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の伝導帯の下端を乗り越え、トラップ準位２７に
捕獲されてしまう。このため、酸化物半導体膜１８の伝導帯の下端Ｅｃ＿１８とＩｎ若し
くはＧａを含む酸化物膜１９の伝導帯の下端Ｅｃ＿１９とのエネルギー差ΔＥ１を、０．
１ｅＶ以上、好ましくは０．１５ｅＶ以上とすることが好ましい。
る伝導帯の下端のエネルギー差ΔＥ１が小さいと、酸化物半導体膜１８を流れるキャリア
がＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の伝導帯の下端を乗り越え、トラップ準位２７に
捕獲されてしまう。このため、酸化物半導体膜１８の伝導帯の下端Ｅｃ＿１８とＩｎ若し
くはＧａを含む酸化物膜１９の伝導帯の下端Ｅｃ＿１９とのエネルギー差ΔＥ１を、０．
１ｅＶ以上、好ましくは０．１５ｅＶ以上とすることが好ましい。
【0059】
また、多層膜２０のバックチャネル（多層膜２０において、ゲート電極１５と対向する
面と反対側の面）側に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁
膜２４（図１（Ｂ）参照。）が設けられている。このため、化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素を多層膜２０に含まれる酸化物
半導体膜１８に移動させることが可能であり、当該酸化物半導体膜１８の酸素欠損を低減
することができる。
面と反対側の面）側に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁
膜２４（図１（Ｂ）参照。）が設けられている。このため、化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素を多層膜２０に含まれる酸化物
半導体膜１８に移動させることが可能であり、当該酸化物半導体膜１８の酸素欠損を低減
することができる。
【0060】
以上のことから、酸化物半導体膜１８、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を有
する多層膜２０と、且つ多層膜２０上に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素
を含む酸化物絶縁膜２４を有することで、多層膜２０における酸素欠損を低減することが
可能である。また、酸化物半導体膜１８と酸化物絶縁膜２４の間にＩｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜１９を設けることで、酸化物半導体膜１８、又はＩｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜１９と酸化物半導体膜１８との界面近傍におけるシリコンや炭素の濃度を低減するこ
とが可能である。
する多層膜２０と、且つ多層膜２０上に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素
を含む酸化物絶縁膜２４を有することで、多層膜２０における酸素欠損を低減することが
可能である。また、酸化物半導体膜１８と酸化物絶縁膜２４の間にＩｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜１９を設けることで、酸化物半導体膜１８、又はＩｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜１９と酸化物半導体膜１８との界面近傍におけるシリコンや炭素の濃度を低減するこ
とが可能である。
【0061】
これらの結果、多層膜２０において、一定光電流測定法で導出される吸収係数は、１×
１０－３／ｃｍ未満、好ましくは１×１０－４／ｃｍ未満となる。吸収係数は、酸素欠損
及び不純物の混入に由来する局在準位に応じたエネルギー（波長により換算）と正の相関
があるため、多層膜２０における局在準位密度が極めて低い。
１０－３／ｃｍ未満、好ましくは１×１０－４／ｃｍ未満となる。吸収係数は、酸素欠損
及び不純物の混入に由来する局在準位に応じたエネルギー（波長により換算）と正の相関
があるため、多層膜２０における局在準位密度が極めて低い。
【0062】
なお、ＣＰＭ測定によって得られた吸収係数のカーブからバンドの裾に起因するアーバ
ックテールと呼ばれる吸収係数分を除くことにより、局在準位による吸収係数を以下の式
から算出することができる。なお、アーバックテールとは、ＣＰＭ測定によって得られた
吸収係数のカーブにおいて一定の傾きを有する領域をいい、当該傾きをアーバックエネル
ギーという。
ックテールと呼ばれる吸収係数分を除くことにより、局在準位による吸収係数を以下の式
から算出することができる。なお、アーバックテールとは、ＣＰＭ測定によって得られた
吸収係数のカーブにおいて一定の傾きを有する領域をいい、当該傾きをアーバックエネル
ギーという。
【0063】
【数1】
【0064】
ここで、α（Ｅ）は、各エネルギーにおける吸収係数を表し、αｕは、アーバックテー
ルによる吸収係数を表す。
ルによる吸収係数を表す。
【0065】
このような構造を有するトランジスタ５０は酸化物半導体膜１８を含む多層膜２０にお
いて欠陥が極めて少ないため、トランジスタの電気特性を向上させることが可能である。
また、ストレス試験の一例であるＢＴストレス試験及び光ＢＴストレス試験によってしき
い値電圧が変動しない、又はプラス方向若しくはマイナス方向への変動量が１．０Ｖ以下
、好ましくは０．５Ｖ以下であり、信頼性が高い。
いて欠陥が極めて少ないため、トランジスタの電気特性を向上させることが可能である。
また、ストレス試験の一例であるＢＴストレス試験及び光ＢＴストレス試験によってしき
い値電圧が変動しない、又はプラス方向若しくはマイナス方向への変動量が１．０Ｖ以下
、好ましくは０．５Ｖ以下であり、信頼性が高い。
【0066】
ここで、ＢＴストレス試験及び光ＢＴストレス試験におけるしきい値電圧の変動量が少
ないトランジスタの電気特性を、図１（Ｄ）を用いて説明する。
ないトランジスタの電気特性を、図１（Ｄ）を用いて説明する。
【0067】
ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタ
の特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス
試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な
指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼
性が高いトランジスタであるといえる。
の特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス
試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な
指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼
性が高いトランジスタであるといえる。
【0068】
次に、具体的なＢＴストレス試験方法について説明する。はじめに、トランジスタの初
期特性を測定する。次に、トランジスタが形成されている基板の温度（基板温度）を一定
に維持し、トランジスタのソース及びドレインとして機能する一対の電極を同電位とし、
ソース及びドレインとして機能する一対の電極とは異なる電位をゲート電極に一定時間印
加する。基板温度は、試験目的に応じて適宜設定すればよい。次に、基板の温度を初期特
性を測定したときと同様の温度とし、トランジスタの電気特性を測定する。この結果、初
期特性におけるしきい値電圧、及びＢＴストレス試験後のしきい値電圧の差を、しきい値
電圧の変動量として得ることができる。
期特性を測定する。次に、トランジスタが形成されている基板の温度（基板温度）を一定
に維持し、トランジスタのソース及びドレインとして機能する一対の電極を同電位とし、
ソース及びドレインとして機能する一対の電極とは異なる電位をゲート電極に一定時間印
加する。基板温度は、試験目的に応じて適宜設定すればよい。次に、基板の温度を初期特
性を測定したときと同様の温度とし、トランジスタの電気特性を測定する。この結果、初
期特性におけるしきい値電圧、及びＢＴストレス試験後のしきい値電圧の差を、しきい値
電圧の変動量として得ることができる。
【0069】
なお、ゲート電極に印加する電位がソース及びドレインの電位よりも高い場合をプラス
ＢＴストレス試験といい、ゲート電極に印加する電位がソース及びドレインの電位よりも
低い場合をマイナスＢＴストレス試験という。また、光を照射しながらＢＴストレス試験
を行うことを光ＢＴストレス試験という。光が照射され、且つゲート電極に印加する電位
がソース及びドレインの電位よりも高い場合を光プラスＢＴストレス試験といい、光が照
射され、且つゲート電極に印加する電位がソース及びドレインの電位よりも低い場合を光
マイナスＢＴストレス試験という。
ＢＴストレス試験といい、ゲート電極に印加する電位がソース及びドレインの電位よりも
低い場合をマイナスＢＴストレス試験という。また、光を照射しながらＢＴストレス試験
を行うことを光ＢＴストレス試験という。光が照射され、且つゲート電極に印加する電位
がソース及びドレインの電位よりも高い場合を光プラスＢＴストレス試験といい、光が照
射され、且つゲート電極に印加する電位がソース及びドレインの電位よりも低い場合を光
マイナスＢＴストレス試験という。
【0070】
ＢＴストレス試験の試験強度は、基板温度、ゲート絶縁膜に加えられる電界強度、及び
電界印加時間により決定することができる。ゲート絶縁膜に加えられる電界強度は、ゲー
トと、ソース及びドレインとの電位差をゲート絶縁膜の厚さで除して決定される。例えば
、厚さが１００ｎｍのゲート絶縁膜に印加する電界強度を３ＭＶ／ｃｍとしたい場合は、
ゲートと、ソース及びドレインとの電位差を３０Ｖとすればよい。
電界印加時間により決定することができる。ゲート絶縁膜に加えられる電界強度は、ゲー
トと、ソース及びドレインとの電位差をゲート絶縁膜の厚さで除して決定される。例えば
、厚さが１００ｎｍのゲート絶縁膜に印加する電界強度を３ＭＶ／ｃｍとしたい場合は、
ゲートと、ソース及びドレインとの電位差を３０Ｖとすればよい。
【0071】
図１（Ｄ）はトランジスタの電気特性を示す図であり、横軸がゲート電圧（Ｖｇ）、縦
軸がドレイン電流（Ｉｄ）である。トランジスタの初期特性が破線４１であり、ＢＴスト
レス試験後の電気特性が実線４３である。本実施の形態に示すトランジスタは、破線４１
及び実線４３におけるしきい値電圧の変動量が０Ｖ、又はプラス方向若しくはマイナス方
向への変動量が１．０Ｖ以下、好ましくは０．５Ｖ以下である。このため、本実施の形態
に示すトランジスタは、ＢＴストレス試験後のしきい値電圧の変動が少ない。この結果、
本実施の形態に示すトランジスタ５０は、信頼性が高いことが分かる。
軸がドレイン電流（Ｉｄ）である。トランジスタの初期特性が破線４１であり、ＢＴスト
レス試験後の電気特性が実線４３である。本実施の形態に示すトランジスタは、破線４１
及び実線４３におけるしきい値電圧の変動量が０Ｖ、又はプラス方向若しくはマイナス方
向への変動量が１．０Ｖ以下、好ましくは０．５Ｖ以下である。このため、本実施の形態
に示すトランジスタは、ＢＴストレス試験後のしきい値電圧の変動が少ない。この結果、
本実施の形態に示すトランジスタ５０は、信頼性が高いことが分かる。
【0072】
なお、酸化物半導体膜を有するトランジスタはｎチャネル型トランジスタであるため、
本明細書において、ゲート電圧が０Ｖの場合、ドレイン電流が流れていないとみなすこと
ができるトランジスタを、ノーマリーオフ特性を有するトランジスタと定義する。また、
ゲート電圧が０Ｖの場合、ドレイン電流が流れているとみなすことができるトランジスタ
を、ノーマリーオン特性を有するトランジスタと定義する。
本明細書において、ゲート電圧が０Ｖの場合、ドレイン電流が流れていないとみなすこと
ができるトランジスタを、ノーマリーオフ特性を有するトランジスタと定義する。また、
ゲート電圧が０Ｖの場合、ドレイン電流が流れているとみなすことができるトランジスタ
を、ノーマリーオン特性を有するトランジスタと定義する。
【0073】
また、本明細書において、しきい値電圧（Ｖｔｈ）は、ゲート電圧（Ｖｇ［Ｖ］）を横
軸、ドレイン電流の平方根（Ｉｄ１／２［Ａ］）を縦軸としてプロットした曲線（図示せ
ず）において、最大傾きであるＩｄ１／２の接線を外挿したときの、接線とＶｇ軸との交
点のゲート電圧で定義する。
軸、ドレイン電流の平方根（Ｉｄ１／２［Ａ］）を縦軸としてプロットした曲線（図示せ
ず）において、最大傾きであるＩｄ１／２の接線を外挿したときの、接線とＶｇ軸との交
点のゲート電圧で定義する。
【0074】
以下に、トランジスタ５０の他の構成の詳細について説明する。
【0075】
基板１１の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の
耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板等を、基板１１として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなどの単
結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯ
Ｉ基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを
、基板１１として用いてもよい。
耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板等を、基板１１として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなどの単
結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯ
Ｉ基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを
、基板１１として用いてもよい。
【0076】
また、基板１１として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタ５０を
形成してもよい。又は、基板１１とトランジスタ５０の間に剥離層を設けてもよい。剥離
層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板１１より分離し、他の
基板に転載するのに用いることができる。その際、トランジスタ５０は耐熱性の劣る基板
や可撓性の基板にも転載できる。
形成してもよい。又は、基板１１とトランジスタ５０の間に剥離層を設けてもよい。剥離
層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板１１より分離し、他の
基板に転載するのに用いることができる。その際、トランジスタ５０は耐熱性の劣る基板
や可撓性の基板にも転載できる。
【0077】
ゲート電極１５は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タン
グステンから選ばれた金属元素、又は上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金
属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニ
ウムのいずれか一又は複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート電極１
５は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミ
ニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上
にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、
窒化タンタル膜又は窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン
膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三
層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン
、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の一又は複数を組み合わせた合金膜
、もしくは窒化膜を用いてもよい。
グステンから選ばれた金属元素、又は上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金
属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニ
ウムのいずれか一又は複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート電極１
５は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミ
ニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上
にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、
窒化タンタル膜又は窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン
膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三
層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン
、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の一又は複数を組み合わせた合金膜
、もしくは窒化膜を用いてもよい。
【0078】
また、ゲート電極１５は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加
したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、
上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加
したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、
上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【0079】
また、ゲート電極１５とゲート絶縁膜１７との間に、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸窒化物半導
体膜、Ｉｎ－Ｓｎ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ－Ｇａ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ－Ｚｎ系酸
窒化物半導体膜、Ｓｎ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ系酸窒化物半導体膜、金属窒化膜（Ｉｎ
Ｎ、ＺｎＮ等）等を設けてもよい。これらの膜は５ｅＶ以上、好ましくは５．５ｅＶ以上
の仕事関数を有し、酸化物半導体の電子親和力よりも大きい値であるため、酸化物半導体
を用いたトランジスタのしきい値電圧をプラスにシフトすることができ、所謂ノーマリー
オフ特性のスイッチング素子を実現できる。例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸窒化物半導体
膜を用いる場合、少なくとも酸化物半導体膜１８より高い窒素濃度、具体的には７原子％
以上のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸窒化物半導体膜を用いる。
体膜、Ｉｎ－Ｓｎ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ－Ｇａ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ－Ｚｎ系酸
窒化物半導体膜、Ｓｎ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ系酸窒化物半導体膜、金属窒化膜（Ｉｎ
Ｎ、ＺｎＮ等）等を設けてもよい。これらの膜は５ｅＶ以上、好ましくは５．５ｅＶ以上
の仕事関数を有し、酸化物半導体の電子親和力よりも大きい値であるため、酸化物半導体
を用いたトランジスタのしきい値電圧をプラスにシフトすることができ、所謂ノーマリー
オフ特性のスイッチング素子を実現できる。例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸窒化物半導体
膜を用いる場合、少なくとも酸化物半導体膜１８より高い窒素濃度、具体的には７原子％
以上のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸窒化物半導体膜を用いる。
【0080】
ゲート絶縁膜１７は、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム又はＧａ－Ｚｎ系金属酸
化物、窒化シリコンなどを用いればよく、積層又は単層で設ける。また、図３２に示すよ
うに、ゲート絶縁膜１７をゲート絶縁膜１７ａ及びゲート絶縁膜１７ｂの積層構造とし、
多層膜２０に接するゲート絶縁膜１７ｂとして、加熱により酸素が脱離する酸化絶縁物を
用いてもよい。ゲート絶縁膜１７ｂに加熱により酸素が脱離する膜を用いることで、酸化
物半導体膜１８及びゲート絶縁膜１７の界面における界面準位密度を低くすることが可能
であり、電気特性の劣化の少ないトランジスタを得ることができる。また、ゲート絶縁膜
１７ａとして、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する絶縁膜を設けることで、酸
化物半導体膜１８からの酸素の外部への拡散と、外部から酸化物半導体膜１８への水素、
水等の侵入を防ぐことができる。酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する絶縁膜と
しては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、
酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等があ
る。
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム又はＧａ－Ｚｎ系金属酸
化物、窒化シリコンなどを用いればよく、積層又は単層で設ける。また、図３２に示すよ
うに、ゲート絶縁膜１７をゲート絶縁膜１７ａ及びゲート絶縁膜１７ｂの積層構造とし、
多層膜２０に接するゲート絶縁膜１７ｂとして、加熱により酸素が脱離する酸化絶縁物を
用いてもよい。ゲート絶縁膜１７ｂに加熱により酸素が脱離する膜を用いることで、酸化
物半導体膜１８及びゲート絶縁膜１７の界面における界面準位密度を低くすることが可能
であり、電気特性の劣化の少ないトランジスタを得ることができる。また、ゲート絶縁膜
１７ａとして、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する絶縁膜を設けることで、酸
化物半導体膜１８からの酸素の外部への拡散と、外部から酸化物半導体膜１８への水素、
水等の侵入を防ぐことができる。酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する絶縁膜と
しては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、
酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等があ
る。
【0081】
また、ゲート絶縁膜１７として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加
されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアル
ミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ－
ｋ材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。
されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアル
ミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ－
ｋ材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。
【0082】
ゲート絶縁膜１７の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上
３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とするとよい。
３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とするとよい。
【0083】
一対の電極２１、２２は、導電材料として、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル
、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンから
なる単体金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例え
ば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する
二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミ
ニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン膜
又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜
又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモリ
ブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその
上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジ
ウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。
、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンから
なる単体金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例え
ば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する
二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミ
ニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン膜
又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜
又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモリ
ブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその
上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジ
ウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。
【0084】
また、酸化物絶縁膜２４上に、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する窒化物絶
縁膜２５を設けることで、多層膜２０からの酸素の外部への拡散と、外部から多層膜２０
への水素、水等の侵入を防ぐことができる。窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化
酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。なお、酸素、水素、
水等のブロッキング効果を有する窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキ
ング効果を有する酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸素、水素、水等のブロッキング効果を
有する酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム
、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化
窒化ハフニウム等がある。
縁膜２５を設けることで、多層膜２０からの酸素の外部への拡散と、外部から多層膜２０
への水素、水等の侵入を防ぐことができる。窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化
酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。なお、酸素、水素、
水等のブロッキング効果を有する窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキ
ング効果を有する酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸素、水素、水等のブロッキング効果を
有する酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム
、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化
窒化ハフニウム等がある。
【0085】
【0086】
図３（Ａ）に示すように、基板１１上にゲート電極１５を形成し、ゲート電極１５上に
ゲート絶縁膜１７を形成する。
ゲート絶縁膜１７を形成する。
【0087】
ここでは、基板１１としてガラス基板を用いる。
【0088】
ゲート電極１５の形成方法を以下に示す。はじめに、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸
着法等により導電膜を形成し、導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりマスクを形成す
る。次に、該マスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、ゲート電極１５を形成する
。この後、マスクを除去する。
着法等により導電膜を形成し、導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりマスクを形成す
る。次に、該マスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、ゲート電極１５を形成する
。この後、マスクを除去する。
【0089】
なお、ゲート電極１５は、上記形成方法の代わりに、電解メッキ法、印刷法、インクジ
ェット法等で形成してもよい。
ェット法等で形成してもよい。
【0090】
ここでは、厚さ１００ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法により形成する。次に
、フォトリソグラフィ工程によりマスクを形成し、当該マスクを用いてタングステン膜を
ドライエッチングして、ゲート電極１５を形成する。
、フォトリソグラフィ工程によりマスクを形成し、当該マスクを用いてタングステン膜を
ドライエッチングして、ゲート電極１５を形成する。
【0091】
ゲート絶縁膜１７は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で形成する。
【0092】
ゲート絶縁膜１７として酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン
膜を形成する場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用い
ることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、ト
リシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、
二酸化窒素等がある。
膜を形成する場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用い
ることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、ト
リシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、
二酸化窒素等がある。
【0093】
また、ゲート絶縁膜１７として窒化シリコン膜を形成する場合、２段階の形成方法を用
いることが好ましい。はじめに、シラン、窒素、及びアンモニアの混合ガスを原料ガスと
して用いたプラズマＣＶＤ法により、欠陥の少ない第１の窒化シリコン膜を形成する。次
に、原料ガスを、シラン及び窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が少なく、且つ水素
をブロッキングすることが可能な第２の窒化シリコン膜を成膜する。このような形成方法
により、ゲート絶縁膜１７として、欠陥が少なく、且つ水素ブロッキング性を有する窒化
シリコン膜を形成することができる。
いることが好ましい。はじめに、シラン、窒素、及びアンモニアの混合ガスを原料ガスと
して用いたプラズマＣＶＤ法により、欠陥の少ない第１の窒化シリコン膜を形成する。次
に、原料ガスを、シラン及び窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が少なく、且つ水素
をブロッキングすることが可能な第２の窒化シリコン膜を成膜する。このような形成方法
により、ゲート絶縁膜１７として、欠陥が少なく、且つ水素ブロッキング性を有する窒化
シリコン膜を形成することができる。
【0094】
また、ゲート絶縁膜１７として酸化ガリウム膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａ
ｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い
て形成することができる。
ｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い
て形成することができる。
【0095】
次に、図３（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１７上に酸化物半導体膜１８及びＩｎ若
しくはＧａを含む酸化物膜１９を形成する。
しくはＧａを含む酸化物膜１９を形成する。
【0096】
酸化物半導体膜１８、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９の形成方法について、
以下に説明する。ゲート絶縁膜１７上に、酸化物半導体膜１８となる酸化物半導体膜、及
びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を連続的
に形成する。次に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜上にフォトリソグラフィ工程により
マスクを形成した後、該マスクを用いて酸化物半導体膜、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜のそれぞれ一部をエッチングすることで、図３（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜
１７上であって、ゲート電極１５の一部と重なるように素子分離された酸化物半導体膜１
８、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を有する多層膜２０を形成する。この後、
マスクを除去する。
以下に説明する。ゲート絶縁膜１７上に、酸化物半導体膜１８となる酸化物半導体膜、及
びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を連続的
に形成する。次に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜上にフォトリソグラフィ工程により
マスクを形成した後、該マスクを用いて酸化物半導体膜、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜のそれぞれ一部をエッチングすることで、図３（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜
１７上であって、ゲート電極１５の一部と重なるように素子分離された酸化物半導体膜１
８、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を有する多層膜２０を形成する。この後、
マスクを除去する。
【0097】
酸化物半導体膜１８となる酸化物半導体膜、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９
となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜は、スパッタリング法、塗布法、パルスレーザー
蒸着法、レーザーアブレーション法等を用いて形成することができる。
となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜は、スパッタリング法、塗布法、パルスレーザー
蒸着法、レーザーアブレーション法等を用いて形成することができる。
【0098】
スパッタリング法で該酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を形成する
場合、プラズマを発生させるための電源装置は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置、ＤＣ電源
装置等を適宜用いることができる。
場合、プラズマを発生させるための電源装置は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置、ＤＣ電源
装置等を適宜用いることができる。
【0099】
スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、希ガス及び酸素の
混合ガスを適宜用いる。なお、希ガス及び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素の
ガス比を高めることが好ましい。
混合ガスを適宜用いる。なお、希ガス及び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素の
ガス比を高めることが好ましい。
【0100】
また、ターゲットは、形成する酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜の
組成にあわせて、適宜選択すればよい。
組成にあわせて、適宜選択すればよい。
【0101】
なお、酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を形成する際に、例えば、
スパッタリング法を用いる場合、基板温度を１５０℃以上５００℃以下、好ましくは１５
０℃以上４５０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上３５０℃以下として、加熱しなが
ら酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を形成することで、後述するＣＡ
ＡＣ－ＯＳ膜を形成することができる。
スパッタリング法を用いる場合、基板温度を１５０℃以上５００℃以下、好ましくは１５
０℃以上４５０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上３５０℃以下として、加熱しなが
ら酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を形成することで、後述するＣＡ
ＡＣ－ＯＳ膜を形成することができる。
【0102】
酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜は、各膜を単に積層するのではな
く連続接合（ここでは特に伝導帯の下端のエネルギーが各膜の間で連続的に変化する構造
）が形成されるように作製する。すなわち、各膜の界面において、トラップ中心や再結合
中心のような欠陥準位、あるいはキャリアの流れを阻害するバリアを形成するような不純
物が存在しないような積層構造とする。仮に、積層された酸化物半導体膜及びＩｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜の間に不純物が混在していると、エネルギーバンドの連続性が失わ
れ、界面でキャリアがトラップされ、あるいは再結合して、消滅してしまう。
く連続接合（ここでは特に伝導帯の下端のエネルギーが各膜の間で連続的に変化する構造
）が形成されるように作製する。すなわち、各膜の界面において、トラップ中心や再結合
中心のような欠陥準位、あるいはキャリアの流れを阻害するバリアを形成するような不純
物が存在しないような積層構造とする。仮に、積層された酸化物半導体膜及びＩｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜の間に不純物が混在していると、エネルギーバンドの連続性が失わ
れ、界面でキャリアがトラップされ、あるいは再結合して、消滅してしまう。
【0103】
連続接合を形成するためには、ロードロック室を備えたマルチチャンバー方式の成膜装
置（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層するこ
とが必要となる。スパッタリング装置における各チャンバーは、酸化物半導体膜にとって
不純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポン
プを用いて高真空排気（１×１０－４Ｐａ～５×１０－７Ｐａ程度まで）することが好ま
しい。又は、ターボ分子ポンプとコールドトラップを組み合わせて排気系からチャンバー
内に気体が逆流しないようにしておくことが好ましい。
置（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層するこ
とが必要となる。スパッタリング装置における各チャンバーは、酸化物半導体膜にとって
不純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポン
プを用いて高真空排気（１×１０－４Ｐａ～５×１０－７Ｐａ程度まで）することが好ま
しい。又は、ターボ分子ポンプとコールドトラップを組み合わせて排気系からチャンバー
内に気体が逆流しないようにしておくことが好ましい。
【0104】
高純度真性である酸化物半導体膜を得るためには、チャンバー内を高真空排気するのみ
ならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアル
ゴンガスは、露点が－４０℃以下、好ましくは－８０℃以下、より好ましくは－１００℃
以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれること
を可能な限り防ぐことができる。
ならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアル
ゴンガスは、露点が－４０℃以下、好ましくは－８０℃以下、より好ましくは－１００℃
以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれること
を可能な限り防ぐことができる。
【0105】
ここでは、スパッタリング法により、酸化物半導体膜として厚さ３５ｎｍのＩｎ－Ｇａ
－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ
＝１：１：１）を形成した後、スパッタリング法により、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜として厚さ２０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリングターゲ
ットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２）を形成する。次に、Ｉｎ若しくはＧａ
を含む酸化物膜上にマスクを形成し、酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜のそれぞれ一部を選択的にエッチングすることで、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜１９を有する多層膜２０を形成する。
－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ
＝１：１：１）を形成した後、スパッタリング法により、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜として厚さ２０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリングターゲ
ットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２）を形成する。次に、Ｉｎ若しくはＧａ
を含む酸化物膜上にマスクを形成し、酸化物半導体膜及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜のそれぞれ一部を選択的にエッチングすることで、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜１９を有する多層膜２０を形成する。
【0106】
こののち、加熱処理を行ってもよい。
【0107】
次に、図３（Ｃ）に示すように、一対の電極２１、２２を形成する。
【0108】
一対の電極２１、２２の形成方法を以下に示す。はじめに、スパッタリング法、ＣＶＤ
法、蒸着法等で導電膜を形成する。次に、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりマ
スクを形成する。次に、該マスクを用いて導電膜をエッチングして、一対の電極２１、２
２を形成する。この後、マスクを除去する。
法、蒸着法等で導電膜を形成する。次に、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりマ
スクを形成する。次に、該マスクを用いて導電膜をエッチングして、一対の電極２１、２
２を形成する。この後、マスクを除去する。
【0109】
ここでは、厚さ５０ｎｍのタングステン膜、厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜、及び厚
さ１００ｎｍのチタン膜を順にスパッタリング法により積層する。次に、チタン膜上にフ
ォトリソグラフィ工程によりマスクを形成し、当該マスクを用いてタングステン膜、アル
ミニウム膜、及びチタン膜をドライエッチングして、一対の電極２１、２２を形成する。
さ１００ｎｍのチタン膜を順にスパッタリング法により積層する。次に、チタン膜上にフ
ォトリソグラフィ工程によりマスクを形成し、当該マスクを用いてタングステン膜、アル
ミニウム膜、及びチタン膜をドライエッチングして、一対の電極２１、２２を形成する。
【0110】
次に、図３（Ｄ）に示すように、多層膜２０及び一対の電極２１、２２上に酸化物絶縁
膜２４を形成する。
膜２４を形成する。
【0111】
なお、一対の電極２１、２２を形成した後、大気に曝すことなく、連続的に酸化物絶縁
膜２４を形成することが好ましい。一対の電極２１、２２を形成した後、大気開放せず、
原料ガスの流量、圧力、高周波電力及び基板温度の一以上を調整して、酸化物絶縁膜２４
を連続的に形成することで、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と酸化物絶縁膜２４と
の界面において、大気成分由来の不純物濃度を低減することができると共に、酸化物絶縁
膜２４に含まれる酸素を酸化物半導体膜１８に移動させることが可能であり、酸化物半導
体膜１８の酸素欠損量を低減することができる。
膜２４を形成することが好ましい。一対の電極２１、２２を形成した後、大気開放せず、
原料ガスの流量、圧力、高周波電力及び基板温度の一以上を調整して、酸化物絶縁膜２４
を連続的に形成することで、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と酸化物絶縁膜２４と
の界面において、大気成分由来の不純物濃度を低減することができると共に、酸化物絶縁
膜２４に含まれる酸素を酸化物半導体膜１８に移動させることが可能であり、酸化物半導
体膜１８の酸素欠損量を低減することができる。
【0112】
酸化物絶縁膜２４としては、プラズマＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置され
た基板を１８０℃以上２６０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上２４０℃以下に保持
し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下
、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室内に設けられる電極に０
．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは０．２５Ｗ／ｃｍ２以上
０．３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜又は酸化窒
化シリコン膜を形成する。
た基板を１８０℃以上２６０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上２４０℃以下に保持
し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下
、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室内に設けられる電極に０
．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは０．２５Ｗ／ｃｍ２以上
０．３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜又は酸化窒
化シリコン膜を形成する。
【0113】
酸化物絶縁膜２４の原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用
いることができる。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、ト
リシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、
二酸化窒素等がある。
いることができる。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、ト
リシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、
二酸化窒素等がある。
【0114】
酸化物絶縁膜２４の成膜条件として、上記圧力の処理室において上記電力密度の高周波
電力を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカルが増加
し、原料ガスの酸化が進むため、酸化物絶縁膜２４中における酸素含有量が化学量論比よ
りも多くなる。しかしながら、基板温度が、上記温度であると、シリコンと酸素の結合力
が弱いため、加熱により酸素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜を形成すること
ができる。また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９が酸化物半導体膜１８の保護膜と
なる。これらの結果、酸化物半導体膜１８へのダメージを低減しつつ、電力密度の高い高
周波電力を用いて酸化物絶縁膜２４を形成することができる。
電力を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカルが増加
し、原料ガスの酸化が進むため、酸化物絶縁膜２４中における酸素含有量が化学量論比よ
りも多くなる。しかしながら、基板温度が、上記温度であると、シリコンと酸素の結合力
が弱いため、加熱により酸素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜を形成すること
ができる。また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９が酸化物半導体膜１８の保護膜と
なる。これらの結果、酸化物半導体膜１８へのダメージを低減しつつ、電力密度の高い高
周波電力を用いて酸化物絶縁膜２４を形成することができる。
【0115】
なお、酸化物絶縁膜２４の成膜条件において、酸化性気体に対するシリコンを含む堆積
性気体の流量を増加することで、酸化物絶縁膜２４の欠陥量を低減することが可能である
。代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．０
０１に現れる信号のスピン密度が６×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、好ましくは３×
１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１．５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下
である欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を形成することができる。この結果、トランジスタの
信頼性を高めることができる。
性気体の流量を増加することで、酸化物絶縁膜２４の欠陥量を低減することが可能である
。代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．０
０１に現れる信号のスピン密度が６×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、好ましくは３×
１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１．５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下
である欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を形成することができる。この結果、トランジスタの
信頼性を高めることができる。
【0116】
ここでは、酸化物絶縁膜２４として、流量１６０ｓｃｃｍのシラン及び流量４０００ｓ
ｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を２００Ｐａ、基板温度を２２０℃
とし、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて１５００Ｗの高周波電力を平行平板電極に
供給したプラズマＣＶＤ法により、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。な
お、プラズマＣＶＤ装置は電極面積が６０００ｃｍ２である平行平板型のプラズマＣＶＤ
装置であり、供給した電力を単位面積あたりの電力（電力密度）に換算すると０．２５Ｗ
／ｃｍ２である。
ｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を２００Ｐａ、基板温度を２２０℃
とし、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて１５００Ｗの高周波電力を平行平板電極に
供給したプラズマＣＶＤ法により、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。な
お、プラズマＣＶＤ装置は電極面積が６０００ｃｍ２である平行平板型のプラズマＣＶＤ
装置であり、供給した電力を単位面積あたりの電力（電力密度）に換算すると０．２５Ｗ
／ｃｍ２である。
【0117】
次に、加熱処理を行う。該加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上基板歪み点未
満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、更に好ましくは３００℃以上４５０℃以下と
する。
満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、更に好ましくは３００℃以上４５０℃以下と
する。
【0118】
該加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ装置等を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いること
で、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱
処理時間を短縮することができる。
で、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱
処理時間を短縮することができる。
【0119】
加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐ
ｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、又は希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の
雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、又は希ガスに水素、水等が
含まれないことが好ましい。
ｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、又は希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の
雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、又は希ガスに水素、水等が
含まれないことが好ましい。
【0120】
当該加熱処理により、酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜１８に
移動させ、酸化物半導体膜１８に含まれる酸素欠損量を低減することができる。また、酸
化物絶縁膜２４に水、水素等が含まれる場合、水、水素等をブロッキングする機能を有す
る窒化物絶縁膜２５を後に形成し、加熱処理を行うと、酸化物絶縁膜２４に含まれる水、
水素等が、酸化物半導体膜１８に移動し、酸化物半導体膜１８に欠陥が生じてしまう。し
かしながら、当該加熱により、酸化物絶縁膜２４に含まれる水、水素等を脱離させること
が可能であり、トランジスタ５０の電気特性のばらつきを低減すると共に、しきい値電圧
の変動を抑制することができる。なお、加熱しながら酸化物絶縁膜２４を、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜１９上に形成することで、酸化物半導体膜１８に酸素を移動させ、酸
化物半導体膜１８に含まれる酸素欠損を低減することが可能であるため、当該加熱処理を
行わなくともよい。
移動させ、酸化物半導体膜１８に含まれる酸素欠損量を低減することができる。また、酸
化物絶縁膜２４に水、水素等が含まれる場合、水、水素等をブロッキングする機能を有す
る窒化物絶縁膜２５を後に形成し、加熱処理を行うと、酸化物絶縁膜２４に含まれる水、
水素等が、酸化物半導体膜１８に移動し、酸化物半導体膜１８に欠陥が生じてしまう。し
かしながら、当該加熱により、酸化物絶縁膜２４に含まれる水、水素等を脱離させること
が可能であり、トランジスタ５０の電気特性のばらつきを低減すると共に、しきい値電圧
の変動を抑制することができる。なお、加熱しながら酸化物絶縁膜２４を、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜１９上に形成することで、酸化物半導体膜１８に酸素を移動させ、酸
化物半導体膜１８に含まれる酸素欠損を低減することが可能であるため、当該加熱処理を
行わなくともよい。
【0121】
ここでは、窒素及び酸素雰囲気で、３５０℃、１時間の加熱処理を行う。
【0122】
また、一対の電極２１、２２を形成する際、導電膜のエッチングによって、多層膜２０
はダメージを受け、多層膜２０のバックチャネル側に酸素欠損が生じる。しかし、酸化物
絶縁膜２４に化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を適用す
ることで、加熱処理によって当該バックチャネル側に生じた酸素欠損を修復することがで
きる。これにより、多層膜２０に含まれる欠陥を低減することができるため、トランジス
タ５０の信頼性を向上させることができる。
はダメージを受け、多層膜２０のバックチャネル側に酸素欠損が生じる。しかし、酸化物
絶縁膜２４に化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を適用す
ることで、加熱処理によって当該バックチャネル側に生じた酸素欠損を修復することがで
きる。これにより、多層膜２０に含まれる欠陥を低減することができるため、トランジス
タ５０の信頼性を向上させることができる。
【0123】
次に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により、窒化物絶縁膜２５を形成する。
【0124】
なお、窒化物絶縁膜２５をプラズマＣＶＤ法で形成する場合、プラズマＣＶＤ装置の真
空排気された処理室内に載置された基板を３００℃以上４００℃以下、さらに好ましくは
３２０℃以上３７０℃以下とすることで、緻密な窒化物絶縁膜を形成できるため好ましい
。
空排気された処理室内に載置された基板を３００℃以上４００℃以下、さらに好ましくは
３２０℃以上３７０℃以下とすることで、緻密な窒化物絶縁膜を形成できるため好ましい
。
【0125】
窒化物絶縁膜２５としてプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成する場合、シリ
コンを含む堆積性気体、窒素、及びアンモニアを原料ガスとして用いることが好ましい。
原料ガスとして、窒素と比較して少量のアンモニアを用いることで、プラズマ中でアンモ
ニアが解離し、活性種が発生する。当該活性種が、シリコンを含む堆積性気体に含まれる
シリコン及び水素の結合、及び窒素の三重結合を切断する。この結果、シリコン及び窒素
の結合が促進され、シリコン及び水素の結合が少なく、欠陥が少なく、緻密な窒化シリコ
ン膜を形成することができる。一方、原料ガスにおいて、窒素に対するアンモニアの量が
多いと、シリコンを含む堆積性気体及び窒素それぞれの分解が進まず、シリコン及び水素
結合が残存してしまい、欠陥が増大した、且つ粗な窒化シリコン膜が形成されてしまう。
これらのため、原料ガスにおいて、アンモニアに対する窒素の流量比を５以上５０以下、
好ましくは１０以上５０以下とすることが好ましい。
コンを含む堆積性気体、窒素、及びアンモニアを原料ガスとして用いることが好ましい。
原料ガスとして、窒素と比較して少量のアンモニアを用いることで、プラズマ中でアンモ
ニアが解離し、活性種が発生する。当該活性種が、シリコンを含む堆積性気体に含まれる
シリコン及び水素の結合、及び窒素の三重結合を切断する。この結果、シリコン及び窒素
の結合が促進され、シリコン及び水素の結合が少なく、欠陥が少なく、緻密な窒化シリコ
ン膜を形成することができる。一方、原料ガスにおいて、窒素に対するアンモニアの量が
多いと、シリコンを含む堆積性気体及び窒素それぞれの分解が進まず、シリコン及び水素
結合が残存してしまい、欠陥が増大した、且つ粗な窒化シリコン膜が形成されてしまう。
これらのため、原料ガスにおいて、アンモニアに対する窒素の流量比を５以上５０以下、
好ましくは１０以上５０以下とすることが好ましい。
【0126】
ここでは、プラズマＣＶＤ装置の処理室に、流量５０ｓｃｃｍのシラン、流量５０００
ｓｃｃｍの窒素、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモニアを原料ガスとし、処理室の圧力を
１００Ｐａ、基板温度を３５０℃とし、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて１０００
Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により、厚さ５０ｎｍの窒化
シリコン膜を形成する。なお、プラズマＣＶＤ装置は電極面積が６０００ｃｍ２である平
行平板型のプラズマＣＶＤ装置であり、供給した電力を単位面積あたりの電力（電力密度
）に換算すると１．７×１０－１Ｗ／ｃｍ２である。
ｓｃｃｍの窒素、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモニアを原料ガスとし、処理室の圧力を
１００Ｐａ、基板温度を３５０℃とし、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて１０００
Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により、厚さ５０ｎｍの窒化
シリコン膜を形成する。なお、プラズマＣＶＤ装置は電極面積が６０００ｃｍ２である平
行平板型のプラズマＣＶＤ装置であり、供給した電力を単位面積あたりの電力（電力密度
）に換算すると１．７×１０－１Ｗ／ｃｍ２である。
【0127】
以上の工程により、酸化物絶縁膜２４及び窒化物絶縁膜２５で構成される保護膜２６を
形成することができる。
形成することができる。
【0128】
次に、加熱処理を行ってもよい。該加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上基板
歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、更に好ましくは３００℃以上４５０
℃以下とする。
歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、更に好ましくは３００℃以上４５０
℃以下とする。
【0129】
以上の工程により、トランジスタ５０を作製することができる。
【0130】
チャネル領域として機能する酸化物半導体膜に重畳して、化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を形成することで、当該酸化物絶縁膜の酸素を酸化
物半導体膜に移動させることができる。この結果、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損量
を低減することができる。
よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を形成することで、当該酸化物絶縁膜の酸素を酸化
物半導体膜に移動させることができる。この結果、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損量
を低減することができる。
【0131】
そして、酸化物半導体膜上にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を形成することで、化学
量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を形成する際に、当該酸化
物半導体膜にダメージが入ることをさらに抑制できる。加えて、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜を形成することで、当該酸化物半導体膜上に形成する絶縁膜、例えば酸化物絶縁
膜の構成元素が、当該酸化物半導体膜に混入することを抑制できる。
量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を形成する際に、当該酸化
物半導体膜にダメージが入ることをさらに抑制できる。加えて、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜を形成することで、当該酸化物半導体膜上に形成する絶縁膜、例えば酸化物絶縁
膜の構成元素が、当該酸化物半導体膜に混入することを抑制できる。
【0132】
上記より、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、欠陥量が低減された半導体装
置を得ることができる。また、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において電気特性が向
上した半導体装置を得ることができる。
置を得ることができる。また、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において電気特性が向
上した半導体装置を得ることができる。
【0133】
＜変形例１＞
本実施の形態に示すトランジスタ５０において、必要に応じて、基板１１及びゲート電
極１５の間に下地絶縁膜を設けてもよい。下地絶縁膜の材料としては、酸化シリコン、酸
化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸
化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等がある。なお、下地絶縁膜
の材料として、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化
アルミニウム等を用いることで、基板１１から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水
素等の多層膜２０への拡散を抑制することができる。
本実施の形態に示すトランジスタ５０において、必要に応じて、基板１１及びゲート電
極１５の間に下地絶縁膜を設けてもよい。下地絶縁膜の材料としては、酸化シリコン、酸
化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸
化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等がある。なお、下地絶縁膜
の材料として、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化
アルミニウム等を用いることで、基板１１から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水
素等の多層膜２０への拡散を抑制することができる。
【0134】
下地絶縁膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成することができる。
【0135】
＜変形例２＞
本実施の形態に示すトランジスタ５０に設けられる酸化物半導体膜１８において、不純
物濃度が低く、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜を用いることで、さらに優れた電気特
性を有するトランジスタを作製することができ好ましい。ここでは、不純物濃度が低く、
欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない）ことを高純度真性または実質的に高純度真性と
よぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、キャリア発生源が少
ないため、キャリア密度を低くすることができる場合がある。従って、当該酸化物半導体
をチャネル領域に用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノー
マリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真
性である酸化物半導体は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる。従っ
て、当該酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく
、信頼性の高いトランジスタとなる。なお、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電
荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある
。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタ
は、電気特性が不安定となる場合がある。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、
又はアルカリ土類金属等がある。
本実施の形態に示すトランジスタ５０に設けられる酸化物半導体膜１８において、不純
物濃度が低く、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜を用いることで、さらに優れた電気特
性を有するトランジスタを作製することができ好ましい。ここでは、不純物濃度が低く、
欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない）ことを高純度真性または実質的に高純度真性と
よぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、キャリア発生源が少
ないため、キャリア密度を低くすることができる場合がある。従って、当該酸化物半導体
をチャネル領域に用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノー
マリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真
性である酸化物半導体は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる。従っ
て、当該酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく
、信頼性の高いトランジスタとなる。なお、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電
荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある
。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタ
は、電気特性が不安定となる場合がある。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、
又はアルカリ土類金属等がある。
【0136】
酸化物半導体に含まれる水素は金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸
素が脱離した格子（又は酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。当該酸素欠損に水
素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属
原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。従っ
て、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となり
やすい。
素が脱離した格子（又は酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。当該酸素欠損に水
素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属
原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。従っ
て、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となり
やすい。
【0137】
そこで、酸化物半導体膜１８は水素ができる限り低減されていることが好ましい。具体
的には、酸化物半導体膜１８において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄ
ａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度を、５
×１０１８原子／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１８原子／ｃｍ３以下、より好ましく
は５×１０１７原子／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１６原子／ｃｍ３以下とす
る。
的には、酸化物半導体膜１８において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄ
ａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度を、５
×１０１８原子／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１８原子／ｃｍ３以下、より好ましく
は５×１０１７原子／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１６原子／ｃｍ３以下とす
る。
【0138】
酸化物半導体膜１８の水素濃度を低減する方法としては、図３（Ｂ）において酸化物半
導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を有する多層膜２０を形成した後、
加熱処理を行うことで、酸化物半導体膜１８の水素濃度を低減することができる。該加熱
処理の温度は、代表的には、１５０℃以上基板歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５
０℃以下、更に好ましくは３００℃以上４５０℃以下とする。
導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を有する多層膜２０を形成した後、
加熱処理を行うことで、酸化物半導体膜１８の水素濃度を低減することができる。該加熱
処理の温度は、代表的には、１５０℃以上基板歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５
０℃以下、更に好ましくは３００℃以上４５０℃以下とする。
【0139】
また、酸化物半導体膜１８は、二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属又は
アルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８原子／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６原
子／ｃｍ３以下にする。アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合する
とキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある
。このため、酸化物半導体膜１８のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を低減する
ことが好ましい。
アルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８原子／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６原
子／ｃｍ３以下にする。アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合する
とキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある
。このため、酸化物半導体膜１８のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を低減する
ことが好ましい。
【0140】
ゲート絶縁膜１７の一部に窒化物絶縁膜を設けることで、酸化物半導体膜１８のアルカ
リ金属又はアルカリ土類金属の濃度を低減することができる。
リ金属又はアルカリ土類金属の濃度を低減することができる。
【0141】
また、酸化物半導体膜１８に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キャ
リア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を用い
たトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、当該酸化物半導体膜におい
て、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、窒素濃度は、５×１０１
８原子／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
リア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を用い
たトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、当該酸化物半導体膜におい
て、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、窒素濃度は、５×１０１
８原子／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
【0142】
このように、不純物（水素、窒素、アルカリ金属、又はアルカリ土類金属等）をできる
限り低減させ、高純度化させた酸化物半導体膜１８を有することで、トランジスタがノー
マリーオン特性となることを抑制でき、トランジスタのオフ電流を極めて低減することが
できる。従って、良好な電気特性を有する半導体装置を作製できる。また、信頼性を向上
させた半導体装置を作製することができる。
限り低減させ、高純度化させた酸化物半導体膜１８を有することで、トランジスタがノー
マリーオン特性となることを抑制でき、トランジスタのオフ電流を極めて低減することが
できる。従って、良好な電気特性を有する半導体装置を作製できる。また、信頼性を向上
させた半導体装置を作製することができる。
【0143】
なお、高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタのオフ電流が低いことは、
いろいろな実験により証明できる。例えば、チャネル幅が１×１０６μｍでチャネル長Ｌ
が１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１
Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下
、すなわち１×１０－１３Ａ以下という特性を得ることができる。この場合、オフ電流を
トランジスタのチャネル幅で除した数値は、１００ｚＡ／μｍ以下であることが分かる。
また、容量素子とトランジスタとを接続して、容量素子に流入又は容量素子から流出する
電荷を当該トランジスタで制御する回路を用いて、オフ電流の測定を行った。当該測定で
は、上記トランジスタに高純度化された酸化物半導体膜の一部をチャネル領域に用い、容
量素子の単位時間あたりの電荷量の推移から当該トランジスタのオフ電流を測定した。そ
の結果、トランジスタのソース電極とドレイン電極間の電圧が３Ｖの場合に、数十ｙＡ／
μｍという、さらに低いオフ電流が得られることが分かった。従って、高純度化された酸
化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ電流が著しく小さい。
いろいろな実験により証明できる。例えば、チャネル幅が１×１０６μｍでチャネル長Ｌ
が１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１
Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下
、すなわち１×１０－１３Ａ以下という特性を得ることができる。この場合、オフ電流を
トランジスタのチャネル幅で除した数値は、１００ｚＡ／μｍ以下であることが分かる。
また、容量素子とトランジスタとを接続して、容量素子に流入又は容量素子から流出する
電荷を当該トランジスタで制御する回路を用いて、オフ電流の測定を行った。当該測定で
は、上記トランジスタに高純度化された酸化物半導体膜の一部をチャネル領域に用い、容
量素子の単位時間あたりの電荷量の推移から当該トランジスタのオフ電流を測定した。そ
の結果、トランジスタのソース電極とドレイン電極間の電圧が３Ｖの場合に、数十ｙＡ／
μｍという、さらに低いオフ電流が得られることが分かった。従って、高純度化された酸
化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ電流が著しく小さい。
【0144】
＜変形例３＞
本実施の形態に示すトランジスタ５０に設けられる一対の電極２１、２２として、タン
グステン、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、クロム、またはタンタル単体若しく
は合金等の酸素と結合しやすい導電材料を用いることが好ましい。この結果、多層膜２０
に含まれる酸素と一対の電極２１、２２に含まれる導電材料とが結合し、多層膜２０にお
いて、酸素欠損領域が形成される。また、多層膜２０に一対の電極２１、２２を形成する
導電材料の構成元素の一部が混入する場合もある。これらの結果、多層膜２０において、
一対の電極２１，２２と接する領域近傍に、低抵抗領域が形成される。図４は、図１（Ｂ
）のトランジスタ５０の多層膜２０の拡大断面図である。図４（Ａ）に示すように、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜１９において、低抵抗領域２８ａ、２９ａの大部分が形成さ
れる場合がある。または、図４（Ｂ）に示すように、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜１９において、低抵抗領域２８ｂ、２９ｂが形成される場合がある
。または、図４（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜１９において、ゲート絶縁膜１７に接するように低抵抗領域２８ｃ、２９ｃが形成
される場合がある。当該低抵抗領域２８ａ～２８ｃ、２９ａ～２９ｃは、導電性が高いた
め、多層膜２０と一対の電極２１、２２との接触抵抗を低減することが可能であり、トラ
ンジスタのオン電流を増大させることが可能である。
本実施の形態に示すトランジスタ５０に設けられる一対の電極２１、２２として、タン
グステン、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、クロム、またはタンタル単体若しく
は合金等の酸素と結合しやすい導電材料を用いることが好ましい。この結果、多層膜２０
に含まれる酸素と一対の電極２１、２２に含まれる導電材料とが結合し、多層膜２０にお
いて、酸素欠損領域が形成される。また、多層膜２０に一対の電極２１、２２を形成する
導電材料の構成元素の一部が混入する場合もある。これらの結果、多層膜２０において、
一対の電極２１，２２と接する領域近傍に、低抵抗領域が形成される。図４は、図１（Ｂ
）のトランジスタ５０の多層膜２０の拡大断面図である。図４（Ａ）に示すように、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜１９において、低抵抗領域２８ａ、２９ａの大部分が形成さ
れる場合がある。または、図４（Ｂ）に示すように、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜１９において、低抵抗領域２８ｂ、２９ｂが形成される場合がある
。または、図４（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜１９において、ゲート絶縁膜１７に接するように低抵抗領域２８ｃ、２９ｃが形成
される場合がある。当該低抵抗領域２８ａ～２８ｃ、２９ａ～２９ｃは、導電性が高いた
め、多層膜２０と一対の電極２１、２２との接触抵抗を低減することが可能であり、トラ
ンジスタのオン電流を増大させることが可能である。
【0145】
＜変形例４＞
本実施の形態に示すトランジスタ５０の作製方法において、一対の電極２１、２２を形
成した後、エッチング残渣を除去するため、洗浄処理をしてもよい。この洗浄処理を行う
ことで、一対の電極２１、２２の間に流れるリーク電流の発生を抑制することができる。
当該洗浄処理は、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉ
ｄｅ）溶液などのアルカリ性の溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸などの酸性の溶液を用
いて行うことができる。
本実施の形態に示すトランジスタ５０の作製方法において、一対の電極２１、２２を形
成した後、エッチング残渣を除去するため、洗浄処理をしてもよい。この洗浄処理を行う
ことで、一対の電極２１、２２の間に流れるリーク電流の発生を抑制することができる。
当該洗浄処理は、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉ
ｄｅ）溶液などのアルカリ性の溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸などの酸性の溶液を用
いて行うことができる。
【0146】
＜変形例５＞
本実施の形態に示すトランジスタ５０の作製方法において、一対の電極２１、２２を形
成した後、多層膜２０を酸素雰囲気で発生させたプラズマに曝し、酸化物半導体膜１８及
びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９に酸素を供給してもよい。酸素雰囲気としては、
酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素等の雰囲気がある。さらに、当該プラズマ処理
において、基板１１側にバイアスを印加しない状態で発生したプラズマに多層膜２０を曝
すことが好ましい。この結果、多層膜２０にダメージを与えず、且つ酸素を供給すること
が可能であり、多層膜２０に含まれる酸素欠損量を低減することができる。また、エッチ
ング処理により多層膜２０の表面に残存する不純物、例えば、フッ素、塩素等のハロゲン
等を除去することができる。
本実施の形態に示すトランジスタ５０の作製方法において、一対の電極２１、２２を形
成した後、多層膜２０を酸素雰囲気で発生させたプラズマに曝し、酸化物半導体膜１８及
びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９に酸素を供給してもよい。酸素雰囲気としては、
酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素等の雰囲気がある。さらに、当該プラズマ処理
において、基板１１側にバイアスを印加しない状態で発生したプラズマに多層膜２０を曝
すことが好ましい。この結果、多層膜２０にダメージを与えず、且つ酸素を供給すること
が可能であり、多層膜２０に含まれる酸素欠損量を低減することができる。また、エッチ
ング処理により多層膜２０の表面に残存する不純物、例えば、フッ素、塩素等のハロゲン
等を除去することができる。
【0147】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0148】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１と比較して、酸化物半導体膜の欠陥量をさらに低減す
ることが可能なトランジスタを有する半導体装置について図面を参照して説明する。本実
施の形態で説明するトランジスタは、実施の形態１と比較して、ゲート絶縁膜及び酸化物
半導体膜の間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を有する点が異なる。
本実施の形態では、実施の形態１と比較して、酸化物半導体膜の欠陥量をさらに低減す
ることが可能なトランジスタを有する半導体装置について図面を参照して説明する。本実
施の形態で説明するトランジスタは、実施の形態１と比較して、ゲート絶縁膜及び酸化物
半導体膜の間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を有する点が異なる。
【0149】
図５に、半導体装置が有するトランジスタ６０の上面図及び断面図を示す。図５（Ａ）
はトランジスタ６０の上面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の一点鎖線Ａ－Ｂ間の断
面図であり、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）の一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図である。なお、図５
（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、酸化物絶縁膜２３、酸化物絶
縁膜２４、窒化物絶縁膜２５などを省略している。
はトランジスタ６０の上面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の一点鎖線Ａ－Ｂ間の断
面図であり、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）の一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図である。なお、図５
（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、酸化物絶縁膜２３、酸化物絶
縁膜２４、窒化物絶縁膜２５などを省略している。
【0150】
図５に示すトランジスタ６０は、基板１１上に設けられるゲート電極１５を有する。ま
た、基板１１及びゲート電極１５上に、ゲート絶縁膜１７が形成され、ゲート絶縁膜１７
を介して、ゲート電極１５と重なる多層膜３４と、多層膜３４に接する一対の電極２１、
２２とを有する。また、ゲート絶縁膜１７、多層膜３４、及び一対の電極２１、２２上に
は、酸化物絶縁膜２４、及び窒化物絶縁膜２５で構成される保護膜２６が形成される。
た、基板１１及びゲート電極１５上に、ゲート絶縁膜１７が形成され、ゲート絶縁膜１７
を介して、ゲート電極１５と重なる多層膜３４と、多層膜３４に接する一対の電極２１、
２２とを有する。また、ゲート絶縁膜１７、多層膜３４、及び一対の電極２１、２２上に
は、酸化物絶縁膜２４、及び窒化物絶縁膜２５で構成される保護膜２６が形成される。
【0151】
本実施の形態に示すトランジスタ６０において、多層膜３４は、Ｉｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３を有す
る。また、酸化物半導体膜３２の一部がチャネル領域として機能する。
む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３を有す
る。また、酸化物半導体膜３２の一部がチャネル領域として機能する。
【0152】
また、ゲート絶縁膜１７とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１が接する。即ち、ゲー
ト絶縁膜１７と酸化物半導体膜３２との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１が設
けられている。
ト絶縁膜１７と酸化物半導体膜３２との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１が設
けられている。
【0153】
また、酸化物絶縁膜２４とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が接する。即ち、酸化
物半導体膜３２と酸化物絶縁膜２４との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が設
けられている。
物半導体膜３２と酸化物絶縁膜２４との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が設
けられている。
【0154】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３は、実
施の形態１に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と同様の材料及び形成方法を適宜
用いることができる。
施の形態１に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と同様の材料及び形成方法を適宜
用いることができる。
【0155】
酸化物半導体膜３２は、実施の形態１に示す酸化物半導体膜１８と同様の材料及び形成
方法を適宜用いることができる。
方法を適宜用いることができる。
【0156】
なお、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物であるとき、Ｉｎ
とＭの原子数比率は、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ
％以上、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上
とする。酸化物半導体膜３２及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ
酸化物であるときは、実施の形態１に示すＩｎとＭの原子数比率とすることが好ましい。
とＭの原子数比率は、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ
％以上、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上
とする。酸化物半導体膜３２及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ
酸化物であるときは、実施の形態１に示すＩｎとＭの原子数比率とすることが好ましい。
【0157】
ここでは、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１として、スパッタリング法により、厚
さ３０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリングターゲットの原子
数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：４）を形成する。また、酸化物半導体膜３２として厚
さ１０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリングターゲットの原子
数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）を形成する。また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜３３として厚さ１０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリング
ターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２）を形成する。
さ３０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリングターゲットの原子
数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：４）を形成する。また、酸化物半導体膜３２として厚
さ１０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリングターゲットの原子
数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）を形成する。また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜３３として厚さ１０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜（成膜に用いたスパッタリング
ターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２）を形成する。
【0158】
【0159】
図６（Ａ）に示すバンド構造において、例えば、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１
としてエネルギーギャップが３．８ｅＶであるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成膜に用いたス
パッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：４）を用いる。酸化物
半導体膜３２としてエネルギーギャップが３．２ｅＶであるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成
膜に用いたスパッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）を用
いる。Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３としてエネルギーギャップが３．５ｅＶであ
るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成膜に用いたスパッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：
Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２）を用いる。
としてエネルギーギャップが３．８ｅＶであるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成膜に用いたス
パッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：４）を用いる。酸化物
半導体膜３２としてエネルギーギャップが３．２ｅＶであるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成
膜に用いたスパッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）を用
いる。Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３としてエネルギーギャップが３．５ｅＶであ
るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（成膜に用いたスパッタリングターゲットの原子数比はＩｎ：
Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２）を用いる。
【0160】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを
含む酸化物膜３３の真空準位と価電子帯上端のエネルギー差（イオン化ポテンシャルとも
いう。）は、それぞれ７．８ｅＶ、７．９ｅＶ、及び８．０ｅＶである。
含む酸化物膜３３の真空準位と価電子帯上端のエネルギー差（イオン化ポテンシャルとも
いう。）は、それぞれ７．８ｅＶ、７．９ｅＶ、及び８．０ｅＶである。
【0161】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを
含む酸化物膜３３の真空準位と伝導帯下端のエネルギー差（電子親和力ともいう。）は、
それぞれ４．０ｅＶ、４．７ｅＶ、及び４．５ｅＶである。
含む酸化物膜３３の真空準位と伝導帯下端のエネルギー差（電子親和力ともいう。）は、
それぞれ４．０ｅＶ、４．７ｅＶ、及び４．５ｅＶである。
【0162】
また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１の伝導帯の下端をＥｃ＿３１とし、酸化物
半導体膜３２の伝導帯の下端をＥｃ＿３２とし、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３の
伝導帯の下端をＥｃ＿３３とする。また、ゲート絶縁膜１７の伝導帯の下端をＥｃ＿１７
とし、酸化物絶縁膜２４の伝導帯の下端をＥｃ＿２４とする。
半導体膜３２の伝導帯の下端をＥｃ＿３２とし、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３の
伝導帯の下端をＥｃ＿３３とする。また、ゲート絶縁膜１７の伝導帯の下端をＥｃ＿１７
とし、酸化物絶縁膜２４の伝導帯の下端をＥｃ＿２４とする。
【0163】
図６（Ａ）に示すように、多層膜３４において、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１
と酸化物半導体膜３２との界面近傍における伝導帯の下端、及び酸化物半導体膜３２とＩ
ｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍における伝導帯の下端が連続的に変化し
ている。即ち、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１と酸化物半導体膜３２との界面近傍
、及び酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍における
障壁が無く、なだらかに変化している。このような伝導帯の下端を有する構造を、Ｕ字型
の井戸（Ｕ Ｓｈａｐｅ Ｗｅｌｌ）構造とも呼べる。Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜
３１と酸化物半導体膜３２との間、及び酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜３３との間で酸素が相互的に移動することでこのような形状となる。また、多層膜
３４において、酸化物半導体膜３２における伝導帯の下端Ｅｃ＿３２のエネルギーが最も
低く、当該領域がチャネル領域となる。
と酸化物半導体膜３２との界面近傍における伝導帯の下端、及び酸化物半導体膜３２とＩ
ｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍における伝導帯の下端が連続的に変化し
ている。即ち、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１と酸化物半導体膜３２との界面近傍
、及び酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍における
障壁が無く、なだらかに変化している。このような伝導帯の下端を有する構造を、Ｕ字型
の井戸（Ｕ Ｓｈａｐｅ Ｗｅｌｌ）構造とも呼べる。Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜
３１と酸化物半導体膜３２との間、及び酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜３３との間で酸素が相互的に移動することでこのような形状となる。また、多層膜
３４において、酸化物半導体膜３２における伝導帯の下端Ｅｃ＿３２のエネルギーが最も
低く、当該領域がチャネル領域となる。
【0164】
【0165】
ゲート絶縁膜１７とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１との界面近傍において、不純
物及び欠陥によりトラップ準位３６が形成される。また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜３３と酸化物絶縁膜２４との界面近傍において、同様にトラップ準位３７が形成される
。本実施の形態に示すトランジスタ６０においては、図６（Ｂ）に示すように、ゲート絶
縁膜１７と酸化物半導体膜３２との間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１が設けられ
ており、酸化物半導体膜３２とトラップ準位３６との間には隔たりがある。また、酸化物
半導体膜３２と酸化物絶縁膜２４との間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が設けら
れており、酸化物半導体膜３２とトラップ準位３７との間には隔たりがある。
物及び欠陥によりトラップ準位３６が形成される。また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜３３と酸化物絶縁膜２４との界面近傍において、同様にトラップ準位３７が形成される
。本実施の形態に示すトランジスタ６０においては、図６（Ｂ）に示すように、ゲート絶
縁膜１７と酸化物半導体膜３２との間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１が設けられ
ており、酸化物半導体膜３２とトラップ準位３６との間には隔たりがある。また、酸化物
半導体膜３２と酸化物絶縁膜２４との間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が設けら
れており、酸化物半導体膜３２とトラップ準位３７との間には隔たりがある。
【0166】
これらの結果、酸化物半導体膜３２を流れる電子がトラップ準位３６、３７に捕獲され
にくく、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動度
を高めることができる。また、トラップ準位３６、３７に電子が捕獲されると、該電子が
マイナスの固定電荷となってしまう。この結果、トランジスタのしきい値電圧が変動して
しまう。しかしながら、酸化物半導体膜３２とトラップ準位３６、３７との間それぞれに
隔たりがあるため、トラップ準位３６、３７における電子の捕獲を低減することが可能で
あり、しきい値電圧の変動を低減することができる。
にくく、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動度
を高めることができる。また、トラップ準位３６、３７に電子が捕獲されると、該電子が
マイナスの固定電荷となってしまう。この結果、トランジスタのしきい値電圧が変動して
しまう。しかしながら、酸化物半導体膜３２とトラップ準位３６、３７との間それぞれに
隔たりがあるため、トラップ準位３６、３７における電子の捕獲を低減することが可能で
あり、しきい値電圧の変動を低減することができる。
【0167】
なお、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１と酸化物半導体膜３２との界面近傍におけ
る伝導帯の下端のエネルギー差ΔＥ２、及び酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜３３との伝導帯の下端の界面近傍におけるエネルギー差ΔＥ３がそれぞれ小さ
いと、酸化物半導体膜３２を流れるキャリアが、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１の
伝導帯の下端、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３の伝導帯の下端それぞれを乗り
越え、トラップ準位３６、３７に捕獲されてしまう。このため、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜３１と酸化物半導体膜３２との伝導帯の下端のエネルギー差ΔＥ２、及び酸化物
半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との伝導帯の下端のエネルギー差Δ
Ｅ３をそれぞれ、０．１ｅＶ以上、好ましくは０．１５ｅＶ以上とすることが好ましい。
る伝導帯の下端のエネルギー差ΔＥ２、及び酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜３３との伝導帯の下端の界面近傍におけるエネルギー差ΔＥ３がそれぞれ小さ
いと、酸化物半導体膜３２を流れるキャリアが、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１の
伝導帯の下端、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３の伝導帯の下端それぞれを乗り
越え、トラップ準位３６、３７に捕獲されてしまう。このため、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜３１と酸化物半導体膜３２との伝導帯の下端のエネルギー差ΔＥ２、及び酸化物
半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との伝導帯の下端のエネルギー差Δ
Ｅ３をそれぞれ、０．１ｅＶ以上、好ましくは０．１５ｅＶ以上とすることが好ましい。
【0168】
なお、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１と酸化物半導体膜３２との界面近傍におけ
るエネルギー差ΔＥ２と比較して、酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜３３との界面近傍におけるエネルギー差ΔＥ３を小さくすることで、酸化物半導体膜３
２と、一対の電極２１，２２との間の抵抗を低減できると共に、トラップ準位３６におけ
る電子の捕獲量を低減できるため、トランジスタのオン電流をより増大させると共に、電
界効果移動度をより高めることができる。
るエネルギー差ΔＥ２と比較して、酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜３３との界面近傍におけるエネルギー差ΔＥ３を小さくすることで、酸化物半導体膜３
２と、一対の電極２１，２２との間の抵抗を低減できると共に、トラップ準位３６におけ
る電子の捕獲量を低減できるため、トランジスタのオン電流をより増大させると共に、電
界効果移動度をより高めることができる。
【0169】
なお、ここでは、エネルギー差ΔＥ２よりエネルギー差ΔＥ３の方が小さいが、トラン
ジスタの電気特性にあわせて、エネルギー差ΔＥ２及びエネルギー差ΔＥ３が同じ、又は
エネルギー差ΔＥ２よりエネルギー差ΔＥ３が大きくなるように、Ｉｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３の構成
元素及び組成を適宜選択することができる。
ジスタの電気特性にあわせて、エネルギー差ΔＥ２及びエネルギー差ΔＥ３が同じ、又は
エネルギー差ΔＥ２よりエネルギー差ΔＥ３が大きくなるように、Ｉｎ若しくはＧａを含
む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３の構成
元素及び組成を適宜選択することができる。
【0170】
また、多層膜３４のバックチャネル（多層膜３４において、ゲート電極１５と対向する
面と反対側の面）側に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁
膜２４（図５参照。）が設けられている。このため、化学量論的組成を満たす酸素よりも
多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素を、多層膜３４に含まれる酸化物半導
体膜３２に移動させることで、当該酸化物半導体膜３２の酸素欠損を低減することができ
る。
面と反対側の面）側に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁
膜２４（図５参照。）が設けられている。このため、化学量論的組成を満たす酸素よりも
多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素を、多層膜３４に含まれる酸化物半導
体膜３２に移動させることで、当該酸化物半導体膜３２の酸素欠損を低減することができ
る。
【0171】
また、一対の電極２１、２２を形成するエッチングによって、多層膜３４はダメージを
受け、多層膜３４のバックチャネル側に酸素欠損が生じるが、化学量論的組成を満たす酸
素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素によって、当該酸素欠損を修
復することができる。これにより、トランジスタ６０の信頼性を向上させることができる
。
受け、多層膜３４のバックチャネル側に酸素欠損が生じるが、化学量論的組成を満たす酸
素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素によって、当該酸素欠損を修
復することができる。これにより、トランジスタ６０の信頼性を向上させることができる
。
【0172】
以上のことから、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、及びＩ
ｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３を有する多層膜３４と、且つ多層膜３４上に、化学量
論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４とを有することで、多層
膜３４における酸素欠損を低減することが可能である。また、ゲート絶縁膜１７と酸化物
半導体膜３２との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１が設けられており、酸化物
半導体膜３２と酸化物絶縁膜２４との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が設け
られているため、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１と酸化物半導体膜３２との界面近
傍におけるシリコンや炭素の濃度、酸化物半導体膜３２におけるシリコンや炭素の濃度、
又はＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３と酸化物半導体膜３２との界面近傍におけるシ
リコンや炭素の濃度を低減することが可能である。これらの結果、多層膜３４において、
一定光電流測定法で導出される吸収係数は、１×１０－３／ｃｍ未満、好ましくは１×１
０－４／ｃｍ未満となり、局在準位密度が極めて低い。
ｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３を有する多層膜３４と、且つ多層膜３４上に、化学量
論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４とを有することで、多層
膜３４における酸素欠損を低減することが可能である。また、ゲート絶縁膜１７と酸化物
半導体膜３２との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１が設けられており、酸化物
半導体膜３２と酸化物絶縁膜２４との間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が設け
られているため、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１と酸化物半導体膜３２との界面近
傍におけるシリコンや炭素の濃度、酸化物半導体膜３２におけるシリコンや炭素の濃度、
又はＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３と酸化物半導体膜３２との界面近傍におけるシ
リコンや炭素の濃度を低減することが可能である。これらの結果、多層膜３４において、
一定光電流測定法で導出される吸収係数は、１×１０－３／ｃｍ未満、好ましくは１×１
０－４／ｃｍ未満となり、局在準位密度が極めて低い。
【0173】
このような構造を有するトランジスタ６０は、酸化物半導体膜３２を含む多層膜３４に
おいて欠陥が極めて少ないため、トランジスタの電気特性を向上させることが可能であり
、代表的には、オン電流の増大及び電界効果移動度の向上が可能である。また、ストレス
試験の一例であるＢＴストレス試験及び光ＢＴストレス試験によってしきい値電圧が変動
しない、又はプラス方向若しくはマイナス方向への変動量が１．０Ｖ以下、好ましくは０
．５Ｖ以下であり、信頼性が高い。
おいて欠陥が極めて少ないため、トランジスタの電気特性を向上させることが可能であり
、代表的には、オン電流の増大及び電界効果移動度の向上が可能である。また、ストレス
試験の一例であるＢＴストレス試験及び光ＢＴストレス試験によってしきい値電圧が変動
しない、又はプラス方向若しくはマイナス方向への変動量が１．０Ｖ以下、好ましくは０
．５Ｖ以下であり、信頼性が高い。
【0174】
＜変形例１＞
本実施の形態に示す図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）に示す多層膜３４の代わりに、図５（Ｄ
）及び図５（Ｅ）に示すように、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化物半導体膜
３２、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３５
を有する多層膜３４ａを用いることができる。なお、図５（Ｄ）は、図５（Ｂ）に示す多
層膜３４の近傍の拡大図に相当し、図５（Ｅ）は、図５（Ｃ）に示す多層膜３４近傍の拡
大図に相当する。
本実施の形態に示す図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）に示す多層膜３４の代わりに、図５（Ｄ
）及び図５（Ｅ）に示すように、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化物半導体膜
３２、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３５
を有する多層膜３４ａを用いることができる。なお、図５（Ｄ）は、図５（Ｂ）に示す多
層膜３４の近傍の拡大図に相当し、図５（Ｅ）は、図５（Ｃ）に示す多層膜３４近傍の拡
大図に相当する。
【0175】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３５は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化
物半導体膜３２、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３それぞれの側面に設けられる。即
ち、酸化物半導体膜３２がＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜で囲まれている。
物半導体膜３２、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３それぞれの側面に設けられる。即
ち、酸化物半導体膜３２がＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜で囲まれている。
【0176】
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３５は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、３３
と同様の金属酸化物で形成される。即ち、酸化物半導体膜３２と比較して、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜３５のバンドギャップが大きいため、多層膜３４ａとゲート絶縁膜１
７の界面近傍のトラップ準位、または多層膜３４ａと酸化物絶縁膜２３との界面近傍のト
ラップ準位における電子の捕獲を低減することが可能である。この結果、トランジスタの
信頼性が向上する。
と同様の金属酸化物で形成される。即ち、酸化物半導体膜３２と比較して、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜３５のバンドギャップが大きいため、多層膜３４ａとゲート絶縁膜１
７の界面近傍のトラップ準位、または多層膜３４ａと酸化物絶縁膜２３との界面近傍のト
ラップ準位における電子の捕獲を低減することが可能である。この結果、トランジスタの
信頼性が向上する。
【0177】
なお、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３５は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１
、酸化物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３を形成するドライエッ
チング工程において発生する反応生成物が、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化
物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３の側面に付着することで、形
成される。ドライエッチングの条件は、例えば、エッチングガスとして三塩化ホウ素ガス
および塩素ガスを用い、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐ
ｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）電力および基板バイアス電力を印加して行えばよい。
、酸化物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３を形成するドライエッ
チング工程において発生する反応生成物が、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化
物半導体膜３２、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３の側面に付着することで、形
成される。ドライエッチングの条件は、例えば、エッチングガスとして三塩化ホウ素ガス
および塩素ガスを用い、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐ
ｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）電力および基板バイアス電力を印加して行えばよい。
【0178】
また、トランジスタ６０において、ゲート絶縁膜１７及び酸化物絶縁膜２４に、化学量
論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物
絶縁膜を用いる場合、チャネル幅方向の断面構造（図５（Ｅ）を参照。）は、Ｉｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜３１、３３、３５によって覆われた酸化物半導体膜３２を、さらに
、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離す
る酸化物絶縁膜で覆う構造である。
論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物
絶縁膜を用いる場合、チャネル幅方向の断面構造（図５（Ｅ）を参照。）は、Ｉｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜３１、３３、３５によって覆われた酸化物半導体膜３２を、さらに
、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離す
る酸化物絶縁膜で覆う構造である。
【0179】
当該断面構造を有することで、酸化物半導体膜３２の側面を流れるリーク電流を低減す
ることができ、オフ電流の増大を抑制することができると共にストレス試験によるしきい
値電圧の変動量を低減することができ、信頼性を高めることできる。また、ゲート絶縁膜
１７及び酸化物絶縁膜２４から酸化物半導体膜３２に効率的に酸素を移動させることが可
能となり、酸化物半導体膜３２の酸素欠損の含有量を低減させることができる。
ることができ、オフ電流の増大を抑制することができると共にストレス試験によるしきい
値電圧の変動量を低減することができ、信頼性を高めることできる。また、ゲート絶縁膜
１７及び酸化物絶縁膜２４から酸化物半導体膜３２に効率的に酸素を移動させることが可
能となり、酸化物半導体膜３２の酸素欠損の含有量を低減させることができる。
【0180】
＜変形例２＞
本実施の形態に示すトランジスタ６０において、多層膜３４及び一対の電極２１、２２
の積層構造は適宜変更することができる。例えば、変形例として図７に示すようなトラン
ジスタ６５とすることができる。
本実施の形態に示すトランジスタ６０において、多層膜３４及び一対の電極２１、２２
の積層構造は適宜変更することができる。例えば、変形例として図７に示すようなトラン
ジスタ６５とすることができる。
【0181】
トランジスタ６５の上面図を図７（Ａ）に示す。図７（Ａ）において、一点鎖線Ａ－Ｂ
間の断面図を図７（Ｂ）に示し、一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図を図７（Ｃ）に示す。なお、
図７（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、保護膜２６などを省略している。
間の断面図を図７（Ｂ）に示し、一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図を図７（Ｃ）に示す。なお、
図７（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２、保護膜２６などを省略している。
【0182】
トランジスタ６５は、トランジスタ６０と比較して、一対の電極２１、２２の一部が酸
化物半導体膜３２及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３で囲まれている点で異なる。
具体的には、トランジスタ６５は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１上に酸化物半導
体膜３２が設けられており、酸化物半導体膜３２上に一対の電極２１、２２が設けられて
おり、酸化物半導体膜３２及び一対の電極２１、２２に接してＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜３３が設けられている。なお、トランジスタ６５において、その他の構成要素の積
層構造はトランジスタ６０の積層構造と同じである。
化物半導体膜３２及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３で囲まれている点で異なる。
具体的には、トランジスタ６５は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１上に酸化物半導
体膜３２が設けられており、酸化物半導体膜３２上に一対の電極２１、２２が設けられて
おり、酸化物半導体膜３２及び一対の電極２１、２２に接してＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜３３が設けられている。なお、トランジスタ６５において、その他の構成要素の積
層構造はトランジスタ６０の積層構造と同じである。
【0183】
トランジスタ６５は、一対の電極２１、２２が酸化物半導体膜３２と接していることか
ら、トランジスタ６０と比較して、多層膜３４と一対の電極２１、２２との接触抵抗が低
く、トランジスタ６０よりもオン電流が向上したトランジスタである。
ら、トランジスタ６０と比較して、多層膜３４と一対の電極２１、２２との接触抵抗が低
く、トランジスタ６０よりもオン電流が向上したトランジスタである。
【0184】
また、トランジスタ６５は、一対の電極２１、２２が酸化物半導体膜３２と接している
ことから、多層膜３４と一対の電極２１、２２との接触抵抗を増大させずに、Ｉｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜３３を厚くすることができる。このようにすることで、保護膜２６
を形成する際のプラズマダメージ又は保護膜２６の構成元素が混入するなどで生じるトラ
ップ準位が、酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍に
形成されることを抑制できる。つまり、トランジスタ６５はオン電流の向上としきい値電
圧の変動の低減を両立することができる。
ことから、多層膜３４と一対の電極２１、２２との接触抵抗を増大させずに、Ｉｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜３３を厚くすることができる。このようにすることで、保護膜２６
を形成する際のプラズマダメージ又は保護膜２６の構成元素が混入するなどで生じるトラ
ップ準位が、酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍に
形成されることを抑制できる。つまり、トランジスタ６５はオン電流の向上としきい値電
圧の変動の低減を両立することができる。
【0185】
【0186】
次に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜４
４、及び酸化物半導体膜３２となる酸化物半導体膜４５を連続的に形成し、その後、一対
の電極２１、２２を形成する（図８（Ｂ）を参照。）。当該Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜４４は、実施の形態１に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と同様の材料及び
形成方法を適宜用いることができる。当該酸化物半導体膜４５は、実施の形態１に示す酸
化物半導体膜１８と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。また、一対の電
極２１、２２は、図３（Ｃ）と同様にして形成することができる。なお、一対の電極２１
、２２は、当該酸化物半導体膜４５上に形成される。
４、及び酸化物半導体膜３２となる酸化物半導体膜４５を連続的に形成し、その後、一対
の電極２１、２２を形成する（図８（Ｂ）を参照。）。当該Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜４４は、実施の形態１に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と同様の材料及び
形成方法を適宜用いることができる。当該酸化物半導体膜４５は、実施の形態１に示す酸
化物半導体膜１８と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。また、一対の電
極２１、２２は、図３（Ｃ）と同様にして形成することができる。なお、一対の電極２１
、２２は、当該酸化物半導体膜４５上に形成される。
【0187】
次に、酸化物半導体膜３２となる酸化物半導体膜４５及び一対の電極２１、２２を覆う
ようにして、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜を形成する。当該Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜は実施の形態１に示すＩｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜１９と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。
ようにして、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜を形成する。当該Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜は実施の形態１に示すＩｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜１９と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。
【0188】
その後、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜
４４、酸化物半導体膜３２となる酸化物半導体膜４５、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜３３となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜のそれぞれ一部をエッチングして、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜３３を有する多層膜３４を形成する（図８（Ｃ）を参照。）。なお、当該エッチング
は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜上にフ
ォトリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、該マスクを用いることで実施できる。
４４、酸化物半導体膜３２となる酸化物半導体膜４５、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜３３となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜のそれぞれ一部をエッチングして、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜３１、酸化物半導体膜３２及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜３３を有する多層膜３４を形成する（図８（Ｃ）を参照。）。なお、当該エッチング
は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜上にフ
ォトリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、該マスクを用いることで実施できる。
【0189】
次に、ゲート絶縁膜１７、多層膜３４及び一対の電極２１、２２を覆うようにして、保
護膜２６を形成する。保護膜２６は、実施の形態１と同様にして形成することができる（
図８（Ｄ）を参照）。また、トランジスタ６５の作製方法において、実施の形態１を適宜
参照して加熱処理を行うことができる。
護膜２６を形成する。保護膜２６は、実施の形態１と同様にして形成することができる（
図８（Ｄ）を参照）。また、トランジスタ６５の作製方法において、実施の形態１を適宜
参照して加熱処理を行うことができる。
【0190】
また、一対の電極２１、２２を形成するエッチングによって、酸化物半導体膜３２とな
る酸化物半導体膜に酸素欠損などの欠陥が生じ、キャリア密度が増大する場合があるため
、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を形成す
る前に、当該酸化物半導体膜を酸素雰囲気で発生させたプラズマに曝し、当該酸化物半導
体膜に酸素を供給することが好ましい。このようにすることで、トランジスタ６５におい
て、酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍にトラップ
準位が形成されることを抑制でき、しきい値電圧の変動を低減することができる。又は、
トランジスタ６５において、多層膜３４のうち、酸化物半導体膜３２の側面近傍を流れる
リーク電流を低減することができ、オフ電流の増大を抑制することができる。
る酸化物半導体膜に酸素欠損などの欠陥が生じ、キャリア密度が増大する場合があるため
、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜を形成す
る前に、当該酸化物半導体膜を酸素雰囲気で発生させたプラズマに曝し、当該酸化物半導
体膜に酸素を供給することが好ましい。このようにすることで、トランジスタ６５におい
て、酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍にトラップ
準位が形成されることを抑制でき、しきい値電圧の変動を低減することができる。又は、
トランジスタ６５において、多層膜３４のうち、酸化物半導体膜３２の側面近傍を流れる
リーク電流を低減することができ、オフ電流の増大を抑制することができる。
【0191】
また、一対の電極２１、２２を形成するエッチングによって、多層膜３４はダメージを
受け、多層膜３４のバックチャネル側に酸素欠損が生じるが、化学量論的組成を満たす酸
素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素によって、当該酸素欠損を修
復することができる。これにより、トランジスタ６５の信頼性を向上させることができる
。
受け、多層膜３４のバックチャネル側に酸素欠損が生じるが、化学量論的組成を満たす酸
素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素によって、当該酸素欠損を修
復することができる。これにより、トランジスタ６５の信頼性を向上させることができる
。
【0192】
＜変形例３＞
本実施の形態に示すトランジスタ６０において、多層膜３４及び一対の電極２１、２２
の積層構造は適宜変更することができる。例えば、変形例として図９に示すようなトラン
ジスタ６６とすることができる。
本実施の形態に示すトランジスタ６０において、多層膜３４及び一対の電極２１、２２
の積層構造は適宜変更することができる。例えば、変形例として図９に示すようなトラン
ジスタ６６とすることができる。
【0193】
トランジスタ６６の上面図を図９（Ａ）に示す。図９（Ａ）において、一点鎖線Ａ－Ｂ
間の断面図を図９（Ｂ）に示し、一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図を図９（Ｃ）に示す。なお、
図９（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、保護膜２６などを省略し
ている。
間の断面図を図９（Ｂ）に示し、一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図を図９（Ｃ）に示す。なお、
図９（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、保護膜２６などを省略し
ている。
【0194】
トランジスタ６６は、トランジスタ６０と比較して、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜
３３がゲート絶縁膜１７、一対の電極２１、２２、及び酸化物半導体膜３２上に形成され
ている点で異なる。具体的には、トランジスタ６６は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜
３１上に酸化物半導体膜３２が設けられており、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及
び酸化物半導体膜３２を覆うように一対の電極２１、２２が設けられており、Ｉｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２並びに一対の電極２１、２２を覆うよ
うにＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が設けられている。なお、トランジスタ６６に
おいて、その他の構成要素の積層構造はトランジスタ６０の積層構造と同じである。
３３がゲート絶縁膜１７、一対の電極２１、２２、及び酸化物半導体膜３２上に形成され
ている点で異なる。具体的には、トランジスタ６６は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜
３１上に酸化物半導体膜３２が設けられており、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及
び酸化物半導体膜３２を覆うように一対の電極２１、２２が設けられており、Ｉｎ若しく
はＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２並びに一対の電極２１、２２を覆うよ
うにＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３が設けられている。なお、トランジスタ６６に
おいて、その他の構成要素の積層構造はトランジスタ６０の積層構造と同じである。
【0195】
トランジスタ６６は、トランジスタ６０と比較して、一対の電極２１、２２の酸化物半
導体膜３２と接している面積が広いことから、多層膜３４と一対の電極２１、２２との接
触抵抗が低く、トランジスタ６０よりもオン電流が向上したトランジスタである。
導体膜３２と接している面積が広いことから、多層膜３４と一対の電極２１、２２との接
触抵抗が低く、トランジスタ６０よりもオン電流が向上したトランジスタである。
【0196】
また、トランジスタ６６は、一対の電極２１、２２が酸化物半導体膜３２と大面積にお
いて接していることから、多層膜３４と一対の電極２１、２２との接触抵抗を増大させず
に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３を厚くすることができる。このようにすること
で、保護膜２６を形成する際のプラズマダメージ又は保護膜２６の構成元素が混入するな
どで生じるトラップ準位が、酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３
との界面近傍に形成されることを抑制できる。つまり、トランジスタ６６はオン電流の向
上としきい値電圧の変動の低減を両立することができる。
いて接していることから、多層膜３４と一対の電極２１、２２との接触抵抗を増大させず
に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３を厚くすることができる。このようにすること
で、保護膜２６を形成する際のプラズマダメージ又は保護膜２６の構成元素が混入するな
どで生じるトラップ準位が、酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３
との界面近傍に形成されることを抑制できる。つまり、トランジスタ６６はオン電流の向
上としきい値電圧の変動の低減を両立することができる。
【0197】
【0198】
次に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１となるＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜、
及び酸化物半導体膜３２となる酸化物半導体膜を連続的に形成し、当該酸化物半導体膜上
にフォトリソグラフィ工程によってマスクを設け、当該マスクを用いてエッチングしてＩ
ｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２を形成する。その後、Ｉｎ若
しくはＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２の端部を覆うようにして一対の電
極２１、２２を形成する（図１０（Ｂ）を参照。）。なお、当該Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜は、実施の形態１に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と同様の材料及び
形成方法を適宜用いることができる。当該酸化物半導体膜は、実施の形態１に示す酸化物
半導体膜１８と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。また、一対の電極２
１、２２は、図３（Ｃ）と同様にして形成することができる。
及び酸化物半導体膜３２となる酸化物半導体膜を連続的に形成し、当該酸化物半導体膜上
にフォトリソグラフィ工程によってマスクを設け、当該マスクを用いてエッチングしてＩ
ｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２を形成する。その後、Ｉｎ若
しくはＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２の端部を覆うようにして一対の電
極２１、２２を形成する（図１０（Ｂ）を参照。）。なお、当該Ｉｎ若しくはＧａを含む
酸化物膜は、実施の形態１に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９と同様の材料及び
形成方法を適宜用いることができる。当該酸化物半導体膜は、実施の形態１に示す酸化物
半導体膜１８と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。また、一対の電極２
１、２２は、図３（Ｃ）と同様にして形成することができる。
【0199】
次に、酸化物半導体膜３２及び一対の電極２１、２２を覆うようにして、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜３３を形成し、多層膜３４を形成する（図１０（Ｃ）を参照。）。当
該Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜は実施の形態１に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜１９と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。なお、図７（Ｂ）のように
、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３は、フォトリソグラフィ工程などで形成したマス
クを用いたエッチングなどで加工してもよいし、成膜したままの状態としてもよい。
Ｇａを含む酸化物膜３３を形成し、多層膜３４を形成する（図１０（Ｃ）を参照。）。当
該Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜は実施の形態１に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜１９と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。なお、図７（Ｂ）のように
、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３は、フォトリソグラフィ工程などで形成したマス
クを用いたエッチングなどで加工してもよいし、成膜したままの状態としてもよい。
【0200】
次に、ゲート絶縁膜１７、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３上に保護膜２６を形成
する。保護膜２６は、実施の形態１と同様にして形成することができる（図１０（Ｄ）を
参照）。また、トランジスタ６６の作製方法において、実施の形態１を適宜参照して加熱
処理を行うことができる。
する。保護膜２６は、実施の形態１と同様にして形成することができる（図１０（Ｄ）を
参照）。また、トランジスタ６６の作製方法において、実施の形態１を適宜参照して加熱
処理を行うことができる。
【0201】
また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２を形成するエッチ
ングによって、酸化物半導体膜３２の側面に酸素欠損などの欠陥が生じ、キャリア密度が
増大する場合がある。そして、一対の電極２１、２２を形成するエッチングによって、酸
化物半導体膜３２の表面に酸素欠損などの欠陥が生じ、キャリア密度が増大する場合があ
る。それゆえ、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２を形成した
後、及び一対の電極２１、２２を形成した後の一方又は双方において、酸化物半導体膜３
２を酸素雰囲気で発生させたプラズマに曝し、酸化物半導体膜３２に酸素を供給すること
が好ましい。
ングによって、酸化物半導体膜３２の側面に酸素欠損などの欠陥が生じ、キャリア密度が
増大する場合がある。そして、一対の電極２１、２２を形成するエッチングによって、酸
化物半導体膜３２の表面に酸素欠損などの欠陥が生じ、キャリア密度が増大する場合があ
る。それゆえ、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２を形成した
後、及び一対の電極２１、２２を形成した後の一方又は双方において、酸化物半導体膜３
２を酸素雰囲気で発生させたプラズマに曝し、酸化物半導体膜３２に酸素を供給すること
が好ましい。
【0202】
また、一対の電極２１、２２を形成するエッチングによって、多層膜３４はダメージを
受け、多層膜３４のバックチャネル側に酸素欠損が生じるが、化学量論的組成を満たす酸
素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素によって、当該酸素欠損を修
復することができる。これにより、トランジスタ６６の信頼性を向上させることができる
。
受け、多層膜３４のバックチャネル側に酸素欠損が生じるが、化学量論的組成を満たす酸
素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜２４に含まれる酸素によって、当該酸素欠損を修
復することができる。これにより、トランジスタ６６の信頼性を向上させることができる
。
【0203】
このようにすることで、トランジスタ６６において、酸化物半導体膜３２の側面、及び
酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍にトラップ準位
が形成されることを抑制でき、しきい値電圧の変動を低減することができる。
酸化物半導体膜３２とＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３との界面近傍にトラップ準位
が形成されることを抑制でき、しきい値電圧の変動を低減することができる。
【0204】
また、トランジスタ６６は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３がＩｎ若しくはＧａ
を含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２の側面（チャネル長方向の側面）を覆うよう
にして設けられている（図９（Ｃ）を参照。）。それゆえ、酸化物半導体膜３２の側面を
流れるリーク電流を低減することができ、オフ電流の増大を抑制することができる。
を含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２の側面（チャネル長方向の側面）を覆うよう
にして設けられている（図９（Ｃ）を参照。）。それゆえ、酸化物半導体膜３２の側面を
流れるリーク電流を低減することができ、オフ電流の増大を抑制することができる。
【0205】
また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及び酸化物半導体膜３２を形成する際（図
９（Ｂ）を参照。）、酸化物半導体膜３２が形成された後、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜３１を形成するエッチング工程において、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及び
酸化物半導体膜３２の側面に反応生成物が付着し、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜（図
５（Ｄ）に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３５に相当）が形成される場合がある。
この場合、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３は、酸化物半導体膜３２の側面を覆うＩ
ｎ若しくはＧａを含む酸化物膜をさらに覆うようにして形成される。
９（Ｂ）を参照。）、酸化物半導体膜３２が形成された後、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化
物膜３１を形成するエッチング工程において、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及び
酸化物半導体膜３２の側面に反応生成物が付着し、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜（図
５（Ｄ）に示すＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３５に相当）が形成される場合がある。
この場合、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３３は、酸化物半導体膜３２の側面を覆うＩ
ｎ若しくはＧａを含む酸化物膜をさらに覆うようにして形成される。
【0206】
＜変形例４＞
本実施の形態に示すトランジスタ６０において、多層膜３４及び一対の電極２１、２２
の積層構造は適宜変更することができる。例えば、変形例として図１１に示すようなトラ
ンジスタ６７とすることができる。
本実施の形態に示すトランジスタ６０において、多層膜３４及び一対の電極２１、２２
の積層構造は適宜変更することができる。例えば、変形例として図１１に示すようなトラ
ンジスタ６７とすることができる。
【0207】
トランジスタ６７の上面図を図１１（Ａ）に示す。図１１（Ａ）において、一点鎖線Ａ
－Ｂ間の断面図を図１１（Ｂ）に示し、一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図を図１１（Ｃ）に示す
。なお、図１１（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、保護膜２６な
どを省略している。
－Ｂ間の断面図を図１１（Ｂ）に示し、一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図を図１１（Ｃ）に示す
。なお、図１１（Ａ）では、明瞭化のため、基板１１、ゲート絶縁膜１７、保護膜２６な
どを省略している。
【0208】
トランジスタ６７は、図９（Ｂ）に示すトランジスタ６６において、Ｉｎ若しくはＧａ
を含む酸化物膜３３が、一対の電極２１、２２を覆うようにして設けられると共に、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜３３の端部が一対の電極２１、２２上に位置する。なお、ト
ランジスタ６７において、その他の構成要素の積層構造はトランジスタ６６の積層構造と
同じである。
を含む酸化物膜３３が、一対の電極２１、２２を覆うようにして設けられると共に、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜３３の端部が一対の電極２１、２２上に位置する。なお、ト
ランジスタ６７において、その他の構成要素の積層構造はトランジスタ６６の積層構造と
同じである。
【0209】
トランジスタ６７は、図１１（Ｃ）に示すように、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３
３が、チャネル幅方向と交差する側面において、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及
び酸化物半導体膜３２の側面を覆うようにして設けられている。それゆえ、酸化物半導体
膜３２の側面を流れるリーク電流を低減することができ、オフ電流の増大を抑制すること
ができる。
３が、チャネル幅方向と交差する側面において、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜３１及
び酸化物半導体膜３２の側面を覆うようにして設けられている。それゆえ、酸化物半導体
膜３２の側面を流れるリーク電流を低減することができ、オフ電流の増大を抑制すること
ができる。
【0210】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１及び実施の形態２と異なる構造のトランジスタについ
て、図１２を用いて説明する。本実施の形態に示すトランジスタ７０は、酸化物半導体膜
を介して対向する複数のゲート電極を有することを特徴とする。
本実施の形態では、実施の形態１及び実施の形態２と異なる構造のトランジスタについ
て、図１２を用いて説明する。本実施の形態に示すトランジスタ７０は、酸化物半導体膜
を介して対向する複数のゲート電極を有することを特徴とする。
【0211】
図１２に示すトランジスタ７０は、基板１１上に設けられるゲート電極１５を有する。
また、基板１１及びゲート電極１５上に、ゲート絶縁膜１７が形成され、ゲート絶縁膜１
７を介して、ゲート電極１５と重なる多層膜２０と、多層膜２０に接する一対の電極２１
、２２と、を有する。なお、多層膜２０は、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを
含む酸化物膜１９を有する。また、ゲート絶縁膜１７、多層膜２０、及び一対の電極２１
、２２上には、酸化物絶縁膜２４、及び窒化物絶縁膜２５で構成される保護膜２６が形成
される。また、保護膜２６を介して多層膜２０と重畳するゲート電極６１を有する。
また、基板１１及びゲート電極１５上に、ゲート絶縁膜１７が形成され、ゲート絶縁膜１
７を介して、ゲート電極１５と重なる多層膜２０と、多層膜２０に接する一対の電極２１
、２２と、を有する。なお、多層膜２０は、酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを
含む酸化物膜１９を有する。また、ゲート絶縁膜１７、多層膜２０、及び一対の電極２１
、２２上には、酸化物絶縁膜２４、及び窒化物絶縁膜２５で構成される保護膜２６が形成
される。また、保護膜２６を介して多層膜２０と重畳するゲート電極６１を有する。
【0212】
ゲート電極６１は、実施の形態１に示すゲート電極１５と同様に形成することができる
。
。
【0213】
本実施の形態に示すトランジスタ７０は、多層膜２０を介して対向するゲート電極１５
及びゲート電極６１を有する。ゲート電極１５とゲート電極６１に異なる電位を印加する
ことで、トランジスタ７０のしきい値電圧を制御することができる。
及びゲート電極６１を有する。ゲート電極１５とゲート電極６１に異なる電位を印加する
ことで、トランジスタ７０のしきい値電圧を制御することができる。
【0214】
また、酸素欠損量が低減された酸化物半導体膜１８を有する多層膜２０を有することで
、トランジスタの電気特性を向上させることが可能である。また、しきい値電圧の変動量
が少なく、信頼性の高いトランジスタとなる。
、トランジスタの電気特性を向上させることが可能である。また、しきい値電圧の変動量
が少なく、信頼性の高いトランジスタとなる。
【0215】
上記実施の形態で開示された酸化物半導体膜はスパッタ法により形成することができる
が、他の方法、例えば、熱ＣＶＤ法により形成してもよい。熱ＣＶＤ法の例としてＭＯＣ
ＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を使っても良
い。
が、他の方法、例えば、熱ＣＶＤ法により形成してもよい。熱ＣＶＤ法の例としてＭＯＣ
ＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を使っても良
い。
【0216】
熱ＣＶＤ法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生
成されることが無いという利点を有する。
成されることが無いという利点を有する。
【0217】
熱ＣＶＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、原料ガスと酸化剤を同時にチ
ャンバー内に送り、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を
行ってもよい。
ャンバー内に送り、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を
行ってもよい。
【0218】
また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが
順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい
。例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以
上の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の
原料ガスと同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、
第２の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスは
キャリアガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入しても
よい。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した
後、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の単
原子層を成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の単原子層が第１の
単原子層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さに
なるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜
の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚
調節が可能であり、微細なＦＥＴを作製する場合に適している。
順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい
。例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以
上の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の
原料ガスと同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、
第２の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスは
キャリアガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入しても
よい。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した
後、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の単
原子層を成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の単原子層が第１の
単原子層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さに
なるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜
の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚
調節が可能であり、微細なＦＥＴを作製する場合に適している。
【0219】
ＭＯＣＶＤ法やＡＬＤ法などの熱ＣＶＤ法で、これまでに記載した実施形態に開示され
た酸化物半導体膜を形成することができ、例えば、ＭＯＣＶＤＶ法で、ＩｎＧａＺｎＯＸ
（Ｘ＞０）膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、及びジ
エチル亜鉛を用いる。なお、トリメチルインジウムの化学式は、（ＣＨ３）３Ｉｎである
。また、トリメチルガリウムの化学式は、（ＣＨ３）３Ｇａである。また、ジエチル亜鉛
の化学式は、（ＣＨ３）２Ｚｎである。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメ
チルガリウムに代えてトリエチルガリウム（化学式（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ）を用いることも
でき、ジエチル亜鉛に代えてジメチル亜鉛（化学式（Ｃ２Ｈ５）２Ｚｎ）を用いることも
できる。
た酸化物半導体膜を形成することができ、例えば、ＭＯＣＶＤＶ法で、ＩｎＧａＺｎＯＸ
（Ｘ＞０）膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、及びジ
エチル亜鉛を用いる。なお、トリメチルインジウムの化学式は、（ＣＨ３）３Ｉｎである
。また、トリメチルガリウムの化学式は、（ＣＨ３）３Ｇａである。また、ジエチル亜鉛
の化学式は、（ＣＨ３）２Ｚｎである。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメ
チルガリウムに代えてトリエチルガリウム（化学式（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ）を用いることも
でき、ジエチル亜鉛に代えてジメチル亜鉛（化学式（Ｃ２Ｈ５）２Ｚｎ）を用いることも
できる。
【0220】
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化物半導体膜、例えばＩｎＧａＺｎＯＸ（
Ｘ＞０）膜を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入し
てＩｎＯ２層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを同時に導入してＧａ
Ｏ層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２とＯ３ガスを同時に導入してＺｎＯ層を形成
する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを混ぜてＩｎＧ
ａＯ２層やＩｎＺｎＯ２層、ＧａＩｎＯ層、ＺｎＩｎＯ層、ＧａＺｎＯ層などの混合化合
物層を形成しても良い。なお、Ｏ３ガスに変えてＡｒ等の不活性ガスでバブリングして得
られたＨ２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また
、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｇａ
（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｉｎ（ＣＨ
３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２
ガスを用いても良い。
Ｘ＞０）膜を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入し
てＩｎＯ２層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを同時に導入してＧａ
Ｏ層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２とＯ３ガスを同時に導入してＺｎＯ層を形成
する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを混ぜてＩｎＧ
ａＯ２層やＩｎＺｎＯ２層、ＧａＩｎＯ層、ＺｎＩｎＯ層、ＧａＺｎＯ層などの混合化合
物層を形成しても良い。なお、Ｏ３ガスに変えてＡｒ等の不活性ガスでバブリングして得
られたＨ２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また
、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｇａ
（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｉｎ（ＣＨ
３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２
ガスを用いても良い。
【0221】
また、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0222】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置に含まれているトランジスタ
において、酸化物半導体膜に適用可能な一態様について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置に含まれているトランジスタ
において、酸化物半導体膜に適用可能な一態様について説明する。
【0223】
酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体、単結晶酸化物半導体、及び多結晶酸化物半導
体とすることができる。また、酸化物半導体膜は、結晶部分を有する酸化物半導体（ＣＡ
ＡＣ－ＯＳ）で構成されていてもよい。
体とすることができる。また、酸化物半導体膜は、結晶部分を有する酸化物半導体（ＣＡ
ＡＣ－ＯＳ）で構成されていてもよい。
【0224】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つであり、ほとんどの
結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ－
ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０ｎｍ未満、５ｎｍ未満又は３ｎｍ未満の立方体内
に収まる大きさの場合も含まれる。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも欠
陥準位密度が低いという特徴がある。以下、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜について詳細な説明を行う
。
結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ－
ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０ｎｍ未満、５ｎｍ未満又は３ｎｍ未満の立方体内
に収まる大きさの場合も含まれる。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも欠
陥準位密度が低いという特徴がある。以下、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜について詳細な説明を行う
。
【0225】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち
結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
ｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち
結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【0226】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を、試料面と概略平行な方向からＴＥＭによって観察（断面ＴＥＭ観
察）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原
子の各層は、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）又は上面の凹凸
を反映した形状であり、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面又は上面と平行に配列する。
察）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原
子の各層は、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）又は上面の凹凸
を反映した形状であり、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面又は上面と平行に配列する。
【0227】
一方、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を、試料面と概略垂直な方向からＴＥＭによって観察（平面Ｔ
ＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状又は六角形状に配列しているこ
とを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られな
い。
ＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状又は六角形状に配列しているこ
とを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られな
い。
【0228】
断面ＴＥＭ観察および平面ＴＥＭ観察より、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の結晶部は配向性を有し
ていることがわかる。
ていることがわかる。
【0229】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）
装置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳ
膜のｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピーク
が現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属され
ることから、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面又は上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
装置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳ
膜のｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピーク
が現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属され
ることから、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面又は上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
【0230】
一方、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜に対し、ｃ軸に概略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ－ｐ
ｌａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピーク
は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸
化物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）
として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面
に帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の場合は、２θを
５６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
ｌａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピーク
は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸
化物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）
として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面
に帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の場合は、２θを
５６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
【0231】
以上のことから、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜では、異なる結晶部間ではａ軸およびｂ軸の配向は
不規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面又は上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に配
列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。
不規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面又は上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に配
列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。
【0232】
なお、結晶部は、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を成膜した際、又は加熱処理などの結晶化処理を行
った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面又は
上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の形状
をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面又
は上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面又は
上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の形状
をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面又
は上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
【0233】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜中の結晶化度が均一でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ
膜の結晶部が、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上
面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡ
ＡＣ－ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部
分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
膜の結晶部が、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上
面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡ
ＡＣ－ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部
分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
【0234】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳ膜のｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ
法による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現
れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向
性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、２θが３１°近傍
にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
法による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現
れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向
性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、２θが３１°近傍
にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
【0235】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の形成方法としては、三つ挙げられる。
【0236】
第１の方法は、成膜温度を１５０℃以上５００℃以下、好ましくは１５０℃以上４５０
℃以下、さらに好ましくは２００℃以上３５０℃以下として、酸化物半導体膜を成膜する
ことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトル又は表面の
法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
℃以下、さらに好ましくは２００℃以上３５０℃以下として、酸化物半導体膜を成膜する
ことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトル又は表面の
法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
【0237】
第２の方法は、酸化物半導体膜を薄い厚さで成膜した後、２００℃以上７００℃以下の
熱処理を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクト
ル又は表面の法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
熱処理を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクト
ル又は表面の法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
【0238】
第３の方法は、一層目の酸化物半導体膜を薄い厚さで成膜した後、２００℃以上７００
℃以下の熱処理を行い、さらに二層目の酸化物半導体膜の成膜を行うことで、酸化物半導
体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトル又は表面の法線ベクトルに平行
な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
℃以下の熱処理を行い、さらに二層目の酸化物半導体膜の成膜を行うことで、酸化物半導
体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトル又は表面の法線ベクトルに平行
な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
【0239】
酸化物半導体膜にＣＡＡＣ－ＯＳを適用したトランジスタは、可視光や紫外光の照射に
よる電気特性の変動が小さい。よって、酸化物半導体膜にＣＡＡＣ－ＯＳを適用したトラ
ンジスタは、良好な信頼性を有する。
よる電気特性の変動が小さい。よって、酸化物半導体膜にＣＡＡＣ－ＯＳを適用したトラ
ンジスタは、良好な信頼性を有する。
【0240】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、多結晶である酸化物半導体スパッタリング用ターゲットを用
い、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。当該スパッタリング用ターゲッ
トにイオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がａ－ｂ面か
ら劈開し、ａ－ｂ面に平行な面を有する平板状又はペレット状のスパッタリング粒子とし
て剥離することがある。この場合、当該平板状又はペレット状のスパッタリング粒子が、
結晶状態を維持したまま被形成面に到達することで、ＣＡＡＣ－ＯＳを成膜することがで
きる。
い、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。当該スパッタリング用ターゲッ
トにイオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がａ－ｂ面か
ら劈開し、ａ－ｂ面に平行な面を有する平板状又はペレット状のスパッタリング粒子とし
て剥離することがある。この場合、当該平板状又はペレット状のスパッタリング粒子が、
結晶状態を維持したまま被形成面に到達することで、ＣＡＡＣ－ＯＳを成膜することがで
きる。
【0241】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳを成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【0242】
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制で
きる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素及び窒素など）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
－８０℃以下、好ましくは－１００℃以下である成膜ガスを用いる。
きる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素及び窒素など）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
－８０℃以下、好ましくは－１００℃以下である成膜ガスを用いる。
【0243】
また、成膜時の被成膜面の加熱温度（例えば基板加熱温度）を高めることで、被形成面
に到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、被形成面の温
度を１００℃以上７４０℃以下、好ましくは１５０℃以上５００℃以下として成膜する。
成膜時の被形成面の温度を高めることで、平板状又はペレット状のスパッタリング粒子が
被成膜面に到達した場合、当該被形成面上でマイグレーションが起こり、スパッタリング
粒子の平らな面が被形成面に付着する。
に到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、被形成面の温
度を１００℃以上７４０℃以下、好ましくは１５０℃以上５００℃以下として成膜する。
成膜時の被形成面の温度を高めることで、平板状又はペレット状のスパッタリング粒子が
被成膜面に到達した場合、当該被形成面上でマイグレーションが起こり、スパッタリング
粒子の平らな面が被形成面に付着する。
【0244】
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメー
ジを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００
体積％とする。
ジを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００
体積％とする。
【0245】
スパッタリング用ターゲットの一例として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系化合物ターゲットにつ
いて以下に示す。
いて以下に示す。
【0246】
ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末、及びＺｎＯＺ粉末を所定のｍｏｌ数で混合し、加圧処理
後、１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるＩｎ－Ｇ
ａ－Ｚｎ系金属酸化物ターゲットとする。なお、当該加圧処理は、冷却（又は放冷）しな
がら行ってもよいし、加熱しながら行ってもよい。なお、Ｘ、Ｙ及びＺは任意の正数であ
る。ここで、所定のｍｏｌ数比は、例えば、ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末及びＺｎＯＺ粉
末が、２：２：１、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３、３：１：２、１
：３：２、１：６：４、又は１：９：６である。なお、粉末の種類、及びその混合するｍ
ｏｌ数比は、作製するスパッタリング用ターゲットによって適宜変更すればよい。
後、１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるＩｎ－Ｇ
ａ－Ｚｎ系金属酸化物ターゲットとする。なお、当該加圧処理は、冷却（又は放冷）しな
がら行ってもよいし、加熱しながら行ってもよい。なお、Ｘ、Ｙ及びＺは任意の正数であ
る。ここで、所定のｍｏｌ数比は、例えば、ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末及びＺｎＯＺ粉
末が、２：２：１、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３、３：１：２、１
：３：２、１：６：４、又は１：９：６である。なお、粉末の種類、及びその混合するｍ
ｏｌ数比は、作製するスパッタリング用ターゲットによって適宜変更すればよい。
【0247】
なお、本実施の形態に示す構成などは、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて
用いることができる。
用いることができる。
【0248】
（実施の形態５）
上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置（表
示装置ともいう。）を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部
又は全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することがで
きる。本実施の形態では、上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いた表示装置
の例について、図１３及び図１４を用いて説明する。なお、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ
）は、図１３（Ｂ）中でＭ－Ｎの一点鎖線で示した部位の断面構成を示す断面図である。
上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置（表
示装置ともいう。）を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部
又は全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することがで
きる。本実施の形態では、上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いた表示装置
の例について、図１３及び図１４を用いて説明する。なお、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ
）は、図１３（Ｂ）中でＭ－Ｎの一点鎖線で示した部位の断面構成を示す断面図である。
【0249】
図１３（Ａ）において、第１の基板９０１上に設けられた画素部９０２を囲むようにし
て、シール材９０５が設けられ、第２の基板９０６によって封止されている。図１３（Ａ
）においては、第１の基板９０１上のシール材９０５によって囲まれている領域とは異な
る領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半導体で形成された信号線駆
動回路９０３、及び走査線駆動回路９０４が実装されている。また、信号線駆動回路９０
３、走査線駆動回路９０４、又は画素部９０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ
（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）９１８から供給されている。
て、シール材９０５が設けられ、第２の基板９０６によって封止されている。図１３（Ａ
）においては、第１の基板９０１上のシール材９０５によって囲まれている領域とは異な
る領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半導体で形成された信号線駆
動回路９０３、及び走査線駆動回路９０４が実装されている。また、信号線駆動回路９０
３、走査線駆動回路９０４、又は画素部９０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ
（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）９１８から供給されている。
【0250】
図１３（Ｂ）及び図１３（Ｃ）において、第１の基板９０１上に設けられた画素部９０
２と、走査線駆動回路９０４とを囲むようにして、シール材９０５が設けられている。ま
た画素部９０２と、走査線駆動回路９０４の上に第２の基板９０６が設けられている。よ
って画素部９０２と、走査線駆動回路９０４とは、第１の基板９０１とシール材９０５と
第２の基板９０６とによって、表示素子と共に封止されている。図１３（Ｂ）及び図１３
（Ｃ）においては、第１の基板９０１上のシール材９０５によって囲まれている領域とは
異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半導体で形成された信号
線駆動回路９０３が実装されている。図１３（Ｂ）及び図１３（Ｃ）においては、信号線
駆動回路９０３、走査線駆動回路９０４、又は画素部９０２に与えられる各種信号及び電
位は、ＦＰＣ９１８から供給されている。
２と、走査線駆動回路９０４とを囲むようにして、シール材９０５が設けられている。ま
た画素部９０２と、走査線駆動回路９０４の上に第２の基板９０６が設けられている。よ
って画素部９０２と、走査線駆動回路９０４とは、第１の基板９０１とシール材９０５と
第２の基板９０６とによって、表示素子と共に封止されている。図１３（Ｂ）及び図１３
（Ｃ）においては、第１の基板９０１上のシール材９０５によって囲まれている領域とは
異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半導体で形成された信号
線駆動回路９０３が実装されている。図１３（Ｂ）及び図１３（Ｃ）においては、信号線
駆動回路９０３、走査線駆動回路９０４、又は画素部９０２に与えられる各種信号及び電
位は、ＦＰＣ９１８から供給されている。
【0251】
また、図１３（Ｂ）及び図１３（Ｃ）においては、信号線駆動回路９０３を別途形成し
、第１の基板９０１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線
駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の
一部のみを別途形成して実装しても良い。
、第１の基板９０１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線
駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の
一部のみを別途形成して実装しても良い。
【0252】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ（Ｃ
ｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方法、又はワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法などを用いることができる。図１３（Ａ
）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路９０３、走査線駆動回路９０４を実装する例であ
り、図１３（Ｂ）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路９０３を実装する例であり、図１
３（Ｃ）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路９０３を実装する例である。
ｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方法、又はワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法などを用いることができる。図１３（Ａ
）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路９０３、走査線駆動回路９０４を実装する例であ
り、図１３（Ｂ）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路９０３を実装する例であり、図１
３（Ｃ）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路９０３を実装する例である。
【0253】
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントロー
ラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
ラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
【0254】
なお、本明細書における表示装置とは、画像表示デバイスまたは光源（照明装置含む。
）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰが取り付けられたモジュール
、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は表示素子にＣＯＧ方式によ
りＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰが取り付けられたモジュール
、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は表示素子にＣＯＧ方式によ
りＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【0255】
また、第１の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有
しており、上記実施の形態で示したトランジスタを適用することができる。
しており、上記実施の形態で示したトランジスタを適用することができる。
【0256】
表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう。）、発光素
子（発光表示素子ともいう。）を用いることができる。発光素子は、電流又は電圧によっ
て輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、有機ＥＬ素子等が含まれる。また、電子インクなど
、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。図１４（
Ａ）に、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示し、図１４（Ｂ）に、表
示素子として発光素子を用いた発光表示装置の例を示す。
子（発光表示素子ともいう。）を用いることができる。発光素子は、電流又は電圧によっ
て輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、有機ＥＬ素子等が含まれる。また、電子インクなど
、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。図１４（
Ａ）に、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示し、図１４（Ｂ）に、表
示素子として発光素子を用いた発光表示装置の例を示す。
【0257】
図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）で示すように、表示装置は接続端子電極９１５及び端子
電極９１６を有しており、接続端子電極９１５及び端子電極９１６はＦＰＣ９１８が有す
る端子と異方性導電剤９１９を介して、電気的に接続されている。
電極９１６を有しており、接続端子電極９１５及び端子電極９１６はＦＰＣ９１８が有す
る端子と異方性導電剤９１９を介して、電気的に接続されている。
【0258】
接続端子電極９１５は、第１の電極９３０と同じ導電膜から形成され、端子電極９１６
は、トランジスタ９１０、９１１の一対の電極と同じ導電膜で形成されている。
は、トランジスタ９１０、９１１の一対の電極と同じ導電膜で形成されている。
【0259】
また、第１の基板９０１上に設けられた画素部９０２と、走査線駆動回路９０４は、ト
ランジスタを複数有しており、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）では、画素部９０２に含ま
れるトランジスタ９１０と、走査線駆動回路９０４に含まれるトランジスタ９１１とを例
示している。図１４（Ａ）では、トランジスタ９１０及びトランジスタ９１１上には、絶
縁膜９２４が設けられ、図１４（Ｂ）では、絶縁膜９２４の上にさらに平坦化膜９２１が
設けられている。なお、トランジスタ９１０及びトランジスタ９１１において酸化物半導
体膜を有する多層膜９２６は、実施の形態１に示す酸化物半導体膜を有する多層膜２０、
又は実施の形態２に示す酸化物半導体膜を有する多層膜３４を適宜用いることができる。
絶縁膜９２４は、実施の形態１に示す保護膜２６を適宜用いることができる。絶縁膜９２
３は下地膜として機能する絶縁膜である。
ランジスタを複数有しており、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）では、画素部９０２に含ま
れるトランジスタ９１０と、走査線駆動回路９０４に含まれるトランジスタ９１１とを例
示している。図１４（Ａ）では、トランジスタ９１０及びトランジスタ９１１上には、絶
縁膜９２４が設けられ、図１４（Ｂ）では、絶縁膜９２４の上にさらに平坦化膜９２１が
設けられている。なお、トランジスタ９１０及びトランジスタ９１１において酸化物半導
体膜を有する多層膜９２６は、実施の形態１に示す酸化物半導体膜を有する多層膜２０、
又は実施の形態２に示す酸化物半導体膜を有する多層膜３４を適宜用いることができる。
絶縁膜９２４は、実施の形態１に示す保護膜２６を適宜用いることができる。絶縁膜９２
３は下地膜として機能する絶縁膜である。
【0260】
本実施の形態では、トランジスタ９１０、トランジスタ９１１として、上記実施の形態
で示したトランジスタを適宜適用することができる。トランジスタ９１０及びトランジス
タ９１１として、実施の形態１乃至実施の形態３のいずれか一に示すトランジスタを用い
ることで、高画質な表示装置を作製することができる。
で示したトランジスタを適宜適用することができる。トランジスタ９１０及びトランジス
タ９１１として、実施の形態１乃至実施の形態３のいずれか一に示すトランジスタを用い
ることで、高画質な表示装置を作製することができる。
【0261】
また、図１４（Ｂ）では、平坦化膜９２１上において、駆動回路用のトランジスタ９１
１の多層膜９２６のチャネル領域と重なる位置に導電膜９１７が設けられている例を示し
ている。本実施の形態では、導電膜９１７を第１の電極９３０と同じ導電膜で形成する。
導電膜９１７を多層膜９２６のチャネル領域と重なる位置に設けることによって、ＢＴス
トレス試験前後におけるトランジスタ９１１のしきい値電圧の変動量をさらに低減するこ
とができる。また、導電膜９１７の電位は、トランジスタ９１１のゲート電極と同じでも
よいし、異なっていても良く、導電膜を第２のゲート電極として機能させることもできる
。また、導電膜９１７の電位は、ＧＮＤ、０Ｖ、フローティング状態、又は駆動回路の最
低電位（Ｖｓｓ、例えばソース電極の電位を基準とする場合、ソース電極の電位）と同電
位若しくはそれと同等電位であってもよい。
１の多層膜９２６のチャネル領域と重なる位置に導電膜９１７が設けられている例を示し
ている。本実施の形態では、導電膜９１７を第１の電極９３０と同じ導電膜で形成する。
導電膜９１７を多層膜９２６のチャネル領域と重なる位置に設けることによって、ＢＴス
トレス試験前後におけるトランジスタ９１１のしきい値電圧の変動量をさらに低減するこ
とができる。また、導電膜９１７の電位は、トランジスタ９１１のゲート電極と同じでも
よいし、異なっていても良く、導電膜を第２のゲート電極として機能させることもできる
。また、導電膜９１７の電位は、ＧＮＤ、０Ｖ、フローティング状態、又は駆動回路の最
低電位（Ｖｓｓ、例えばソース電極の電位を基準とする場合、ソース電極の電位）と同電
位若しくはそれと同等電位であってもよい。
【0262】
また、導電膜９１７は外部の電場を遮蔽する機能も有する。すなわち外部の電場が内部
（トランジスタを含む回路部）に作用しないようにする機能（特に静電気に対する静電遮
蔽機能）も有する。導電膜９１７の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によ
りトランジスタの電気的な特性が変動することを防止することができる。導電膜９１７は
、上記実施の形態で示した、いずれのトランジスタにも適用可能である。
（トランジスタを含む回路部）に作用しないようにする機能（特に静電気に対する静電遮
蔽機能）も有する。導電膜９１７の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によ
りトランジスタの電気的な特性が変動することを防止することができる。導電膜９１７は
、上記実施の形態で示した、いずれのトランジスタにも適用可能である。
【0263】
画素部９０２に設けられたトランジスタ９１０は表示素子と電気的に接続し、表示パネ
ルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。
ルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。
【0264】
図１４（Ａ）において、表示素子である液晶素子９１３は、第１の電極９３０、第２の
電極９３１、及び液晶層９０８を含む。なお、液晶層９０８を挟持するように配向膜とし
て機能する絶縁膜９３２、絶縁膜９３３が設けられている。また、第２の電極９３１は第
２の基板９０６側に設けられ、第１の電極９３０と第２の電極９３１とは液晶層９０８を
介して重なる構成となっている。
電極９３１、及び液晶層９０８を含む。なお、液晶層９０８を挟持するように配向膜とし
て機能する絶縁膜９３２、絶縁膜９３３が設けられている。また、第２の電極９３１は第
２の基板９０６側に設けられ、第１の電極９３０と第２の電極９３１とは液晶層９０８を
介して重なる構成となっている。
【0265】
またスペーサ９３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサ
であり、第１の電極９３０と第２の電極９３１との間隔（セルギャップ）を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
であり、第１の電極９３０と第２の電極９３１との間隔（セルギャップ）を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
【0266】
表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子
液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これ
らの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カ
イラルネマチック相、等方相等を示す。
液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これ
らの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カ
イラルネマチック相、等方相等を示す。
【0267】
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つ
であり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する
直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改
善するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶
とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性で
あるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよい
のでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防
止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よ
って液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
であり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する
直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改
善するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶
とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性で
あるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよい
のでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防
止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よ
って液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
【0268】
第１の基板９０１及び第２の基板９０６はシール材９２５によって固定されている。シ
ール材９２５は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂などの有機樹脂を用いることができる。
ール材９２５は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂などの有機樹脂を用いることができる。
【0269】
また、上記実施の形態で用いる酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、スイッチング
特性が優れている。また、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能で
ある。よって、表示機能を有する半導体装置の画素部に上記トランジスタを用いることで
、高画質な画像を提供することができる。また、同一基板上に駆動回路部又は画素部を作
り分けて作製することが可能となるため、半導体装置の部品点数を削減することができる
。
特性が優れている。また、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能で
ある。よって、表示機能を有する半導体装置の画素部に上記トランジスタを用いることで
、高画質な画像を提供することができる。また、同一基板上に駆動回路部又は画素部を作
り分けて作製することが可能となるため、半導体装置の部品点数を削減することができる
。
【0270】
液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリ
ーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸
化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対し
て１／３以下、好ましくは１／５以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分で
あるため、画素における開口率を高めることができる。
ーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸
化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対し
て１／３以下、好ましくは１／５以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分で
あるため、画素における開口率を高めることができる。
【0271】
また、表示装置において、ブラックマトリクス（遮光膜）、偏光部材、位相差部材、反
射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差
基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを
用いてもよい。
射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差
基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを
用いてもよい。
【0272】
また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用い
ることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒ
は赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す。）の三色に限定されない。例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白を表
す。）、又はＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。
なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明
の一態様はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に
適用することもできる。
ることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒ
は赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す。）の三色に限定されない。例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白を表
す。）、又はＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。
なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明
の一態様はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に
適用することもできる。
【0273】
図１４（Ｂ）において、表示素子である発光素子９６３は、画素部９０２に設けられた
トランジスタ９１０と電気的に接続している。なお、発光素子９６３の構成は、第１の電
極９３０、発光層９６１、第２の電極９３１の積層構造であるが、示した構成に限定され
ない。発光素子９６３から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子９６３の構成は適
宜変えることができる。
トランジスタ９１０と電気的に接続している。なお、発光素子９６３の構成は、第１の電
極９３０、発光層９６１、第２の電極９３１の積層構造であるが、示した構成に限定され
ない。発光素子９６３から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子９６３の構成は適
宜変えることができる。
【0274】
隔壁９６０は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂
材料を用い、第１の電極９３０上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を
持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
材料を用い、第１の電極９３０上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を
持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【0275】
発光層９６１は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成され
ていてもどちらでも良い。
ていてもどちらでも良い。
【0276】
発光素子９６３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極９
３１及び隔壁９６０上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜
、窒化酸化アルミニウム膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。また、第１の基板９０
１、第２の基板９０６、及びシール材９３６によって封止された空間には充填材９６４が
設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少
ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッ
ケージング（封入）することが好ましい。
３１及び隔壁９６０上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜
、窒化酸化アルミニウム膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。また、第１の基板９０
１、第２の基板９０６、及びシール材９３６によって封止された空間には充填材９６４が
設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少
ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッ
ケージング（封入）することが好ましい。
【0277】
シール材９３６は熱硬化樹脂、光硬化樹脂などの有機樹脂や、低融点ガラスを含むフリ
ットガラスなどを用いることができる。フリットガラスは、水や酸素などの不純物に対し
てバリア性が高いため好ましい。また、シール材９３６としてフリットガラスを用いる場
合、図１４（Ｂ）に示すように、絶縁膜９２４上にフリットガラスを設けることで密着性
を高めることができるため好ましい。
ットガラスなどを用いることができる。フリットガラスは、水や酸素などの不純物に対し
てバリア性が高いため好ましい。また、シール材９３６としてフリットガラスを用いる場
合、図１４（Ｂ）に示すように、絶縁膜９２４上にフリットガラスを設けることで密着性
を高めることができるため好ましい。
【0278】
充填材９６４としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂又は
熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル樹脂、ポリ
イミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）又はＥＶＡ（エ
チレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよ
い。
熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル樹脂、ポリ
イミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）又はＥＶＡ（エ
チレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよ
い。
【0279】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）
、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けても
よい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸によ
り反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けても
よい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸によ
り反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【0280】
表示素子に電圧を印加する第１の電極及び第２の電極（画素電極、共通電極、対向電極
などともいう）においては、取り出す光の方向、電極が設けられる場所、及び電極のパタ
ーン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
などともいう）においては、取り出す光の方向、電極が設けられる場所、及び電極のパタ
ーン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
【0281】
第１の電極９３０、第２の電極９３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、
酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸
化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導
電性材料を用いることができる。
酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸
化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導
電性材料を用いることができる。
【0282】
また、第１の電極９３０、第２の電極９３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ
）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、
タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔ
ｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はそ
の合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、
タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔ
ｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はそ
の合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【0283】
また、第１の電極９３０及び第２の電極９３１として、導電性高分子（導電性ポリマー
ともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、
いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン又はそ
の誘導体、ポリピロール又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体、若しくはアニ
リン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体若しくはその誘導体などが
あげられる。
ともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、
いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン又はそ
の誘導体、ポリピロール又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体、若しくはアニ
リン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体若しくはその誘導体などが
あげられる。
【0284】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回
路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【0285】
以上のように上記実施の形態で示したトランジスタを適用することで、表示機能を有す
る信頼性のよい半導体装置を提供することができる。
る信頼性のよい半導体装置を提供することができる。
【0286】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0287】
（実施の形態６）
本実施の形態では、タッチセンサ（接触検出装置）を設けた表示装置（タッチパネルと
もいう。）について、以下に説明する。
本実施の形態では、タッチセンサ（接触検出装置）を設けた表示装置（タッチパネルと
もいう。）について、以下に説明する。
【0288】
図２４は、表示装置９００の画素部の構成例を示す上面図である。図２５は図２４の一
点鎖線ＯＰ間の断面図である。なお、図２４において、明瞭化のため、構成要素の一部を
省略している。また、本実施の形態では、実施の形態５で用いた符号を適宜用いて説明す
る。
点鎖線ＯＰ間の断面図である。なお、図２４において、明瞭化のため、構成要素の一部を
省略している。また、本実施の形態では、実施の形態５で用いた符号を適宜用いて説明す
る。
【0289】
当該画素部は、少なくとも、トランジスタ９１０と、ゲート電極９７２を含む走査線と
、一対の電極９７４、９７５の一方の電極９７４を含む信号線と、画素電極として機能す
る第１の電極９３０と、共通電極として機能する第２の電極９３１と、スペーサ９３５と
を有する（図２４を参照。）。
、一対の電極９７４、９７５の一方の電極９７４を含む信号線と、画素電極として機能す
る第１の電極９３０と、共通電極として機能する第２の電極９３１と、スペーサ９３５と
を有する（図２４を参照。）。
【0290】
トランジスタ９１０は、ゲート電極９７２と、ゲート絶縁膜９７６と、多層膜９２６と
、一対の電極９７４、９７５と、絶縁膜９２４とを有する。ゲート電極９７２は、第１の
基板９０１上の下地膜として機能する絶縁膜９２３上に設けられている。ゲート絶縁膜９
７６は、ゲート電極９７２上に設けられており、多層膜９２６は、ゲート電極９７２と重
畳してゲート絶縁膜９７６上に設けられており、一対の電極９７４、９７５は、多層膜９
２６上に設けられており、絶縁膜９２４は、多層膜９２６及び一対の電極９７４、９７５
上に設けられている（図２５を参照。）。
、一対の電極９７４、９７５と、絶縁膜９２４とを有する。ゲート電極９７２は、第１の
基板９０１上の下地膜として機能する絶縁膜９２３上に設けられている。ゲート絶縁膜９
７６は、ゲート電極９７２上に設けられており、多層膜９２６は、ゲート電極９７２と重
畳してゲート絶縁膜９７６上に設けられており、一対の電極９７４、９７５は、多層膜９
２６上に設けられており、絶縁膜９２４は、多層膜９２６及び一対の電極９７４、９７５
上に設けられている（図２５を参照。）。
【0291】
また、絶縁膜９２４上には有機樹脂膜９４５が設けられている。有機樹脂膜９４５上に
は第２の電極９３１が設けられている。有機樹脂膜９４５及び第２の電極９３１上には絶
縁膜９３７が設けられている。絶縁膜９２４、絶縁膜９３７、有機樹脂膜９４５には電極
９７５に達する開口が設けられており、当該開口及び絶縁膜９３７上には第１の電極９３
０が設けられている（図２５を参照。）。つまり、第１の電極９３０は一対の電極９７４
、９７５の一方と電気的に接続されている。
は第２の電極９３１が設けられている。有機樹脂膜９４５及び第２の電極９３１上には絶
縁膜９３７が設けられている。絶縁膜９２４、絶縁膜９３７、有機樹脂膜９４５には電極
９７５に達する開口が設けられており、当該開口及び絶縁膜９３７上には第１の電極９３
０が設けられている（図２５を参照。）。つまり、第１の電極９３０は一対の電極９７４
、９７５の一方と電気的に接続されている。
【0292】
また、絶縁膜９３７及び第１の電極９３０上には配向膜として機能する絶縁膜９３２が
設けられている。第２の基板９０６の第１の基板９０１と対向する面には配向膜として機
能する絶縁膜９３３が設けられており、絶縁膜９３２及び絶縁膜９３３の間には液晶層９
０８が設けられている。なお、以上の構成要素に加えて適宜光学部材を設けてもよい。例
えば、第１の基板９０１及び第２の基板９０６の外側には偏光板を設けることができる。
設けられている。第２の基板９０６の第１の基板９０１と対向する面には配向膜として機
能する絶縁膜９３３が設けられており、絶縁膜９３２及び絶縁膜９３３の間には液晶層９
０８が設けられている。なお、以上の構成要素に加えて適宜光学部材を設けてもよい。例
えば、第１の基板９０１及び第２の基板９０６の外側には偏光板を設けることができる。
【0293】
また、表示装置９００は、タッチセンサとして静電容量式のセンサを備えている。第２
の基板９０６の外側に電極９４１が設けられている。なお、第２の基板９０６の外側に設
ける偏光板は、電極９４１と第２の基板９０６との間に設ける。
の基板９０６の外側に電極９４１が設けられている。なお、第２の基板９０６の外側に設
ける偏光板は、電極９４１と第２の基板９０６との間に設ける。
【0294】
第１の基板９０１側の第２の電極９３１は、画素の共通電極及びタッチセンサの容量素
子の一方の電極として機能する。電極９４１は、タッチセンサの容量素子の他方の電極と
して機能する。また、表示装置９００の画素部はＦＦＳモードの画素構造を採用している
ことから、第２の基板９０６側に導電膜が形成されていないので、第２の基板９０６の帯
電防止用の導電体として電極９４１が機能する。
子の一方の電極として機能する。電極９４１は、タッチセンサの容量素子の他方の電極と
して機能する。また、表示装置９００の画素部はＦＦＳモードの画素構造を採用している
ことから、第２の基板９０６側に導電膜が形成されていないので、第２の基板９０６の帯
電防止用の導電体として電極９４１が機能する。
【0295】
トランジスタ９１０は、実施の形態１に記載したトランジスタ５０と同様の材料及び同
様の作製方法で形成できる。つまり、ゲート電極９７２、ゲート絶縁膜９７６、多層膜９
２６、一対の電極９７４、９７５及び絶縁膜９２４のそれぞれは、実施の形態１に記載し
たトランジスタ５０のゲート電極１５、ゲート絶縁膜１７、多層膜２０、一対の電極２１
、２２、保護膜２６のそれぞれと同様の材料及び方法を用いることで形成できる。
様の作製方法で形成できる。つまり、ゲート電極９７２、ゲート絶縁膜９７６、多層膜９
２６、一対の電極９７４、９７５及び絶縁膜９２４のそれぞれは、実施の形態１に記載し
たトランジスタ５０のゲート電極１５、ゲート絶縁膜１７、多層膜２０、一対の電極２１
、２２、保護膜２６のそれぞれと同様の材料及び方法を用いることで形成できる。
【0296】
また、トランジスタ９１０の作製工程を利用して表示装置９００の信号線駆動回路及び
走査線駆動回路の一方又は双方を作製することができる。例えば、信号線駆動回路及び走
査線駆動回路の一方又は双方に含まれるトランジスタ及びダイオード、並びにＦＰＣなど
と接続される端子部に設けられる引き回し配線を作製することができる。
走査線駆動回路の一方又は双方を作製することができる。例えば、信号線駆動回路及び走
査線駆動回路の一方又は双方に含まれるトランジスタ及びダイオード、並びにＦＰＣなど
と接続される端子部に設けられる引き回し配線を作製することができる。
【0297】
有機樹脂膜９４５は、実施の形態５で説明した平坦化膜９２１又は隔壁９６０に適用で
きる材料及び作製方法を用いて形成することができる。絶縁膜９３７は、トランジスタ９
１０に含まれる絶縁膜（ゲート絶縁膜９７６又は絶縁膜９２４など）に適用できる材料及
び作製方法を用いて形成することができる。
きる材料及び作製方法を用いて形成することができる。絶縁膜９３７は、トランジスタ９
１０に含まれる絶縁膜（ゲート絶縁膜９７６又は絶縁膜９２４など）に適用できる材料及
び作製方法を用いて形成することができる。
【0298】
また、一対の電極９７４、９７５のうち一方の電極である電極９７５と、第１の電極９
３０とは、絶縁膜９２４、絶縁膜９３７及び有機樹脂膜９４５に設けられた開口で接して
いる。当該開口は、フォトリソグラフィ工程などによってレジストマスクを形成し、当該
レジストマスクを用いてエッチングすることによって形成できる。具体的には、絶縁膜９
２４及び有機樹脂膜９４５の一部をエッチングする工程と、絶縁膜９３７の一部をエッチ
ングする工程によって形成される。
３０とは、絶縁膜９２４、絶縁膜９３７及び有機樹脂膜９４５に設けられた開口で接して
いる。当該開口は、フォトリソグラフィ工程などによってレジストマスクを形成し、当該
レジストマスクを用いてエッチングすることによって形成できる。具体的には、絶縁膜９
２４及び有機樹脂膜９４５の一部をエッチングする工程と、絶縁膜９３７の一部をエッチ
ングする工程によって形成される。
【0299】
図２６（Ａ）に、一対の電極９７４、９７５と電気的に接続される配線９７７と、第２
の電極９３１とが接続されている接続構造の一例の断面図を示す。配線９７７及び第２の
電極９３１は絶縁膜９２４及び有機樹脂膜９４５に設けられた開口で接している。このよ
うにすることで、配線９７７に電位を供給することで第２の電極９３１に電位を供給する
ことができる。なお、配線９７７は、一対の電極９７４、９７５の作製工程を利用して形
成することができる。
の電極９３１とが接続されている接続構造の一例の断面図を示す。配線９７７及び第２の
電極９３１は絶縁膜９２４及び有機樹脂膜９４５に設けられた開口で接している。このよ
うにすることで、配線９７７に電位を供給することで第２の電極９３１に電位を供給する
ことができる。なお、配線９７７は、一対の電極９７４、９７５の作製工程を利用して形
成することができる。
【0300】
また、図２６（Ｂ）に、ＦＰＣなどと接続される端子部における配線の接続構造の一例
の断面図を示す。電極９７９は、絶縁膜９２４及び有機樹脂膜９４５に設けられた開口で
配線９７７と接しており、ゲート絶縁膜９７６、絶縁膜９２４及び有機樹脂膜９４５に設
けられた開口で配線９７８と接している。このようにすることで、配線９７８に電位を供
給することで配線９７７に電位を供給することができる。なお、配線９７８はゲート電極
９７２の作製工程を利用して形成することができる。
の断面図を示す。電極９７９は、絶縁膜９２４及び有機樹脂膜９４５に設けられた開口で
配線９７７と接しており、ゲート絶縁膜９７６、絶縁膜９２４及び有機樹脂膜９４５に設
けられた開口で配線９７８と接している。このようにすることで、配線９７８に電位を供
給することで配線９７７に電位を供給することができる。なお、配線９７８はゲート電極
９７２の作製工程を利用して形成することができる。
【0301】
図２６（Ｂ）のように電極９７９により、配線９７７と配線９７８とを接続するように
することで、配線９７７と配線９７８とが直接接する接続部を作製する場合よりも、フォ
トマスクを１枚少なくすることができる。それは、配線９７７と配線９７８とが直接接す
るような接続構造とするには、一対の電極９７４、９７５を形成する前に、ゲート絶縁膜
９７６にコンタクトホールを形成するためのフォトマスクが必要であるが、図２６（Ｂ）
の接続構造には、当該フォトマスクが不要であるからである。
することで、配線９７７と配線９７８とが直接接する接続部を作製する場合よりも、フォ
トマスクを１枚少なくすることができる。それは、配線９７７と配線９７８とが直接接す
るような接続構造とするには、一対の電極９７４、９７５を形成する前に、ゲート絶縁膜
９７６にコンタクトホールを形成するためのフォトマスクが必要であるが、図２６（Ｂ）
の接続構造には、当該フォトマスクが不要であるからである。
【0302】
また、図２５に示すトランジスタ９１０の代わりに、多階調マスクを用いて図２７に示
すトランジスタ９１２を作製することで、フォトマスク枚数を削減することが可能である
。多階調マスクとは、多段階の光量で露光を行うことが可能なマスクであり、代表的には
、露光領域、半露光領域、及び未露光領域の３段階の光量で露光を行う。多階調マスクを
用いることで、一度の露光及び現像工程によって、複数（代表的には二種類）の厚さを有
するレジストマスクを形成することができる。そのため、多階調マスクを用いることで、
フォトマスクの枚数を削減することができる。具体的には、多層膜９２７及び一対の電極
９２８、９２９の形成工程において、多階調マスクを用いることで、フォトマスクを１枚
削減することができる。なお、多階調マスクを用いることで、一対の電極９２８、９２９
の端部の外側に多層膜９２７の端部が位置する。
すトランジスタ９１２を作製することで、フォトマスク枚数を削減することが可能である
。多階調マスクとは、多段階の光量で露光を行うことが可能なマスクであり、代表的には
、露光領域、半露光領域、及び未露光領域の３段階の光量で露光を行う。多階調マスクを
用いることで、一度の露光及び現像工程によって、複数（代表的には二種類）の厚さを有
するレジストマスクを形成することができる。そのため、多階調マスクを用いることで、
フォトマスクの枚数を削減することができる。具体的には、多層膜９２７及び一対の電極
９２８、９２９の形成工程において、多階調マスクを用いることで、フォトマスクを１枚
削減することができる。なお、多階調マスクを用いることで、一対の電極９２８、９２９
の端部の外側に多層膜９２７の端部が位置する。
【0303】
図２８は、表示装置９００の第２の電極９３１、及び電極９４１の構成例を示す平面図
である。図２８に示すように、第２の電極９３１及び電極９４１はストライプ状の形状を
有し、第２の電極９３１と電極９４１は平面において直交するように配置されている。各
第２の電極９３１は、引き回し配線９５１により、基板９０１に取り付けられたＦＰＣ９
５４に接続され、各電極９４１は、引き回し配線９５２により基板９０６に取り付けられ
たＦＰＣ９５５に接続されている。
である。図２８に示すように、第２の電極９３１及び電極９４１はストライプ状の形状を
有し、第２の電極９３１と電極９４１は平面において直交するように配置されている。各
第２の電極９３１は、引き回し配線９５１により、基板９０１に取り付けられたＦＰＣ９
５４に接続され、各電極９４１は、引き回し配線９５２により基板９０６に取り付けられ
たＦＰＣ９５５に接続されている。
【0304】
図２９（Ａ）は、図２８の一点鎖線Ｑ－Ｒによる断面図であり、図２９（Ｂ）は、図２
８の領域９５３における平面図である。図２９（Ａ）に示すように、第２の電極９３１は
、複数の画素に共通に設けられており、第１の電極９３０は画素ごとに設けられており、
トランジスタ９１０に接続されている。第２の電極９３１と電極９４１が交差している領
域にタッチセンサの静電容量素子が形成される。静電容量素子は、第２の電極９３１と、
電極９４１と、第２の電極９３１及び電極９４１の間に設けられる誘電体とで構成される
。第２の電極９３１は、静電容量素子に電位を供給するための電極である。電極９４１は
、容量素子を流れる電流を取り出すための電極である。
８の領域９５３における平面図である。図２９（Ａ）に示すように、第２の電極９３１は
、複数の画素に共通に設けられており、第１の電極９３０は画素ごとに設けられており、
トランジスタ９１０に接続されている。第２の電極９３１と電極９４１が交差している領
域にタッチセンサの静電容量素子が形成される。静電容量素子は、第２の電極９３１と、
電極９４１と、第２の電極９３１及び電極９４１の間に設けられる誘電体とで構成される
。第２の電極９３１は、静電容量素子に電位を供給するための電極である。電極９４１は
、容量素子を流れる電流を取り出すための電極である。
【0305】
表示装置９００の動作は、画素に映像信号を入力する表示動作と、接触を検出するセン
シング動作に大別できる。表示動作時は、第２の電極９３１の電位はローレベルに固定さ
れている。センシング期間には、各第２の電極９３１にパルス信号が順次印加され、その
電位がハイレベルとされる。このとき、指が表示装置９００に接触していると、指の接触
により形成された容量がタッチセンサの静電容量素子に付加されるため、容量素子を流れ
る電流が変化し、電極９４１の電位が変化する。電極９４１を順次走査して、電極９４１
の電位の変化を検出することで、指の接触位置が検出される。
シング動作に大別できる。表示動作時は、第２の電極９３１の電位はローレベルに固定さ
れている。センシング期間には、各第２の電極９３１にパルス信号が順次印加され、その
電位がハイレベルとされる。このとき、指が表示装置９００に接触していると、指の接触
により形成された容量がタッチセンサの静電容量素子に付加されるため、容量素子を流れ
る電流が変化し、電極９４１の電位が変化する。電極９４１を順次走査して、電極９４１
の電位の変化を検出することで、指の接触位置が検出される。
【0306】
上述したように、液晶素子を有する表示装置において、表示装置９００の静電容量を構
成する電極として、ＦＦＳモードの液晶表示装置に元々設けられていた帯電防止用の導電
体と、画素の共通電極を用いることができるため、軽量、薄型で、かつ高表示品位のタッ
チパネルを提供することが可能である。
成する電極として、ＦＦＳモードの液晶表示装置に元々設けられていた帯電防止用の導電
体と、画素の共通電極を用いることができるため、軽量、薄型で、かつ高表示品位のタッ
チパネルを提供することが可能である。
【0307】
なお、ここでは、第２の電極９３１が第１の電極９３０の下側（第１の基板９０１側）
に設けられている例を示したが、第２の電極９３１を第１の電極９３０の上側に設けるこ
ともできる。
に設けられている例を示したが、第２の電極９３１を第１の電極９３０の上側に設けるこ
ともできる。
【0308】
なお、表示装置の構造は、本実施の形態で示した表示装置９００以外の構造を用いても
よい。例えば、静電容量を形成しタッチパネル基板を液晶表示装置又は発光表示装置の第
１の基板９０１又は第２の基板９０６側に取り付ける外付け方式のタッチパネルとするこ
ともできる。また、第１の基板９０１又は第２の基板９０６の外側に取り付ける帯電防止
用の導電膜を用いて、表面容量（ｓｕｒｆａｃｅ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ）型のタッチセ
ンサを構成することもできる。以下、図３０及び図３１を用いて、外付け型のタッチパネ
ルに適用されるタッチセンサの構成例を説明する。
よい。例えば、静電容量を形成しタッチパネル基板を液晶表示装置又は発光表示装置の第
１の基板９０１又は第２の基板９０６側に取り付ける外付け方式のタッチパネルとするこ
ともできる。また、第１の基板９０１又は第２の基板９０６の外側に取り付ける帯電防止
用の導電膜を用いて、表面容量（ｓｕｒｆａｃｅ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ）型のタッチセ
ンサを構成することもできる。以下、図３０及び図３１を用いて、外付け型のタッチパネ
ルに適用されるタッチセンサの構成例を説明する。
【0309】
図３０（Ａ）は、タッチセンサの構成例を示す分解斜視図であり、図３０（Ｂ）は、タ
ッチセンサの電極９８１の構成例を示す平面図であり、図３０（Ｃ）は、タッチセンサの
電極９８２の構成例を示す平面図である。
ッチセンサの電極９８１の構成例を示す平面図であり、図３０（Ｃ）は、タッチセンサの
電極９８２の構成例を示す平面図である。
【0310】
【0311】
電極９８１及び電極９８２はそれぞれ、複数の四辺形状の導電膜が接続された構造を有
している。複数の電極９８１及び複数の電極９８２は、導電膜の四辺形状の部分の位置が
重ならないように、配置されている。電極９８１と電極９８２の交差する部分には、電極
９８１と電極９８２が接触しないように間に絶縁膜が設けられている。
している。複数の電極９８１及び複数の電極９８２は、導電膜の四辺形状の部分の位置が
重ならないように、配置されている。電極９８１と電極９８２の交差する部分には、電極
９８１と電極９８２が接触しないように間に絶縁膜が設けられている。
【0312】
図３１（Ａ）は、電極９８１及び電極９８２それぞれの接続構造の一例を説明する断面
図であり、電極９８１と９８２が交差する部分の断面図を一例として示す。図３１（Ｂ）
は、電極９８１と電極９８２との交差部分の等価回路図である。図３１（Ｂ）に示すよう
に、電極９８１と電極９８２の交差する部分には、容量９８３が形成される。
図であり、電極９８１と９８２が交差する部分の断面図を一例として示す。図３１（Ｂ）
は、電極９８１と電極９８２との交差部分の等価回路図である。図３１（Ｂ）に示すよう
に、電極９８１と電極９８２の交差する部分には、容量９８３が形成される。
【0313】
図３１（Ａ）に示すように、センサ部９８９において、電極９８１は、１層目の導電膜
９８１ａ及び導電膜９８１ｂ、並びに絶縁膜９８５上の２層目の導電膜９８１ｃにより構
成される。導電膜９８１ａと導電膜９８１ｂとは、導電膜９８１ｃにより接続されている
。電極９８２は、１層目の導電膜により形成される。電極９８１、電極９８２、及び電極
９８４、並びに絶縁膜９８５を覆って絶縁膜９９１が形成されている。絶縁膜９８５及び
絶縁膜９９１として、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を形成すればよい
。なお、基板９８６と電極９８１及び電極９８４の間に下地絶縁膜を形成してもよい。下
地絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を形成することがで
きる。
９８１ａ及び導電膜９８１ｂ、並びに絶縁膜９８５上の２層目の導電膜９８１ｃにより構
成される。導電膜９８１ａと導電膜９８１ｂとは、導電膜９８１ｃにより接続されている
。電極９８２は、１層目の導電膜により形成される。電極９８１、電極９８２、及び電極
９８４、並びに絶縁膜９８５を覆って絶縁膜９９１が形成されている。絶縁膜９８５及び
絶縁膜９９１として、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を形成すればよい
。なお、基板９８６と電極９８１及び電極９８４の間に下地絶縁膜を形成してもよい。下
地絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を形成することがで
きる。
【0314】
電極９８１及び電極９８２は、可視光に対して透光性を有する導電材料で形成される。
例えば、透光性を有する導電材料として、酸化シリコンを含む酸化インジウムスズ、酸化
インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等がある
。
例えば、透光性を有する導電材料として、酸化シリコンを含む酸化インジウムスズ、酸化
インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等がある
。
【0315】
導電膜９８１ａは、端子部９９０において電極９８４に接続されている。電極９８４は
、ＦＰＣとの接続用端子を構成する。電極９８２も、電極９８１と同様に他の電極９８４
に接続される。電極９８４は、例えばタングステン膜から形成することができる。
、ＦＰＣとの接続用端子を構成する。電極９８２も、電極９８１と同様に他の電極９８４
に接続される。電極９８４は、例えばタングステン膜から形成することができる。
【0316】
電極９８４とＦＰＣとを電気的に接続するために、電極９８４上の絶縁膜９８５及び絶
縁膜９９１には開口が形成されている。絶縁膜９９１上には、基板９８７が接着剤又は接
着フィルム等により貼り付けられている。接着剤又は接着フィルムにより基板９８６を表
示装置の第１の基板９０１又は第２の基板９０６に取り付けることで、タッチパネルが構
成される。
縁膜９９１には開口が形成されている。絶縁膜９９１上には、基板９８７が接着剤又は接
着フィルム等により貼り付けられている。接着剤又は接着フィルムにより基板９８６を表
示装置の第１の基板９０１又は第２の基板９０６に取り付けることで、タッチパネルが構
成される。
【0317】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0318】
（実施の形態７）
本実施の形態では、表示装置の消費電力を低減するための駆動方法について説明する。
本実施の形態の駆動方法により、画素に酸化物半導体トランジスタを適用した表示装置の
更なる低消費電力化を図ることができる。以下、図３３及び図３４を用いて、表示装置の
一例である液晶表示装置の低消費電力化について説明する。
本実施の形態では、表示装置の消費電力を低減するための駆動方法について説明する。
本実施の形態の駆動方法により、画素に酸化物半導体トランジスタを適用した表示装置の
更なる低消費電力化を図ることができる。以下、図３３及び図３４を用いて、表示装置の
一例である液晶表示装置の低消費電力化について説明する。
【0319】
図３３は、本実施の形態の液晶表示装置の構成例を示すブロック図である。図３３に示
すように、液晶表示装置５００は、表示モジュールとして液晶パネル５０１を有し、更に
、制御回路５１０及びカウンタ回路を有する。
すように、液晶表示装置５００は、表示モジュールとして液晶パネル５０１を有し、更に
、制御回路５１０及びカウンタ回路を有する。
【0320】
液晶表示装置５００には、デジタルデータである画像信号（Ｖｉｄｅｏ）、及び液晶パ
ネル５０１の画面の書き換えを制御するための同期信号（ＳＹＮＣ）が入力される。同期
信号としては、例えば水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、及び
基準クロック信号（ＣＬＫ）等がある。
ネル５０１の画面の書き換えを制御するための同期信号（ＳＹＮＣ）が入力される。同期
信号としては、例えば水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、及び
基準クロック信号（ＣＬＫ）等がある。
【0321】
液晶パネル５０１は、表示部５３０、走査線駆動回路５４０、及びデータ線駆動回路５
５０を有する。表示部５３０は、複数の画素５３１を有する。同じ行の画素５３１は、共
通の走査線５４１により走査線駆動回路５４０に接続され、同じ列の画素５３１は共通の
データ線５５１によりデータ線駆動回路５５０に接続されている。
５０を有する。表示部５３０は、複数の画素５３１を有する。同じ行の画素５３１は、共
通の走査線５４１により走査線駆動回路５４０に接続され、同じ列の画素５３１は共通の
データ線５５１によりデータ線駆動回路５５０に接続されている。
【0322】
液晶パネル５０１には、コモン電圧（以下、Ｖｃｏｍと呼ぶ。）、並びに電源電圧とし
て高電源電圧（ＶＤＤ）及び低電源電圧（ＶＳＳ）が供給される。コモン電圧（Ｖｃｏｍ
）は、表示部５３０の各画素５３１に供給される。
て高電源電圧（ＶＤＤ）及び低電源電圧（ＶＳＳ）が供給される。コモン電圧（Ｖｃｏｍ
）は、表示部５３０の各画素５３１に供給される。
【0323】
データ線駆動回路５５０は、入力された画像信号を処理し、データ信号を生成し、デー
タ線５５１にデータ信号を出力する。走査線駆動回路５４０は、データ信号が書き込まれ
る画素５３１を選択する走査信号を走査線５４１に出力する。
タ線５５１にデータ信号を出力する。走査線駆動回路５４０は、データ信号が書き込まれ
る画素５３１を選択する走査信号を走査線５４１に出力する。
【0324】
画素５３１は、走査信号により、データ線５５１との電気的接続が制御されるスイッチ
ング素子を有する。スイッチング素子がオンとなると、データ線５５１から画素５３１に
データ信号が書き込まれる。
ング素子を有する。スイッチング素子がオンとなると、データ線５５１から画素５３１に
データ信号が書き込まれる。
【0325】
Ｖｃｏｍが印加される電極が共通電極に相当する。
【0326】
制御回路５１０は、液晶表示装置５００全体を制御する回路であり、液晶表示装置５０
０を構成する回路の制御信号を生成する回路を備える。
０を構成する回路の制御信号を生成する回路を備える。
【0327】
制御回路５１０は、同期信号（ＳＹＮＣ）から、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆
動回路５５０の制御信号を生成する制御信号生成回路を有する。走査線駆動回路５４０の
制御信号として、スタートパルス（ＧＳＰ）、クロック信号（ＧＣＬＫ）等があり、デー
タ線駆動回路５５０の制御信号として、スタートパルス（ＳＳＰ）、クロック信号（ＳＣ
ＬＫ）等がある。例えば、制御回路５１０は、クロック信号（ＧＣＬＫ、ＳＣＬＫ）とし
て、周期が同じで位相がシフトされた複数のクロック信号を生成する。
動回路５５０の制御信号を生成する制御信号生成回路を有する。走査線駆動回路５４０の
制御信号として、スタートパルス（ＧＳＰ）、クロック信号（ＧＣＬＫ）等があり、デー
タ線駆動回路５５０の制御信号として、スタートパルス（ＳＳＰ）、クロック信号（ＳＣ
ＬＫ）等がある。例えば、制御回路５１０は、クロック信号（ＧＣＬＫ、ＳＣＬＫ）とし
て、周期が同じで位相がシフトされた複数のクロック信号を生成する。
【0328】
また、制御回路５１０は、液晶表示装置５００外部から入力される画像信号（Ｖｉｄｅ
ｏ）のデータ線駆動回路５５０への出力を制御する。
ｏ）のデータ線駆動回路５５０への出力を制御する。
【0329】
データ線駆動回路５５０は、デジタル／アナログ変換回路（以下、Ｄ－Ａ変換回路５５
２と呼ぶ。）を有する。Ｄ－Ａ変換回路５５２は、画像信号をアナログ変換し、データ信
号を生成する。
２と呼ぶ。）を有する。Ｄ－Ａ変換回路５５２は、画像信号をアナログ変換し、データ信
号を生成する。
【0330】
なお、液晶表示装置５００に入力される画像信号がアナログ信号である場合は、制御回
路５１０でデジタル信号に変換し、液晶パネル５０１へ出力する。
路５１０でデジタル信号に変換し、液晶パネル５０１へ出力する。
【0331】
画像信号は、フレーム毎の画像データでなる。制御回路５１０は、画像信号を画像処理
し、その処理で得られた情報を元に、データ線駆動回路５５０への画像信号の出力を制御
する機能を有する。そのため、制御回路５１０は、フレーム毎の画像データから動きを検
出する動き検出部５１１を備える。動き検出部５１１おいて、動きが無いと判定されると
、制御回路５１０はデータ線駆動回路５５０への画像信号の出力を停止し、また動きが有
ると判定すると画像信号の出力を再開する。
し、その処理で得られた情報を元に、データ線駆動回路５５０への画像信号の出力を制御
する機能を有する。そのため、制御回路５１０は、フレーム毎の画像データから動きを検
出する動き検出部５１１を備える。動き検出部５１１おいて、動きが無いと判定されると
、制御回路５１０はデータ線駆動回路５５０への画像信号の出力を停止し、また動きが有
ると判定すると画像信号の出力を再開する。
【0332】
動き検出部５１１で行う動き検出のための画像処理としては、特段の制約は無い。例え
ば、動き検出方法としては、例えば、連続する２つフレーム間の画像データから差分デー
タを得る方法がある。得られた差分データから動きの有無を判断することができる。また
、動きベクトルを検出する方法等もある。
ば、動き検出方法としては、例えば、連続する２つフレーム間の画像データから差分デー
タを得る方法がある。得られた差分データから動きの有無を判断することができる。また
、動きベクトルを検出する方法等もある。
【0333】
また、液晶表示装置５００は、入力された画像信号を補正する画像信号補正回路を設け
ることができる。例えば、画像信号の階調に対応する電圧よりも高い電圧が画素５３１に
書き込まれるように、画像信号を補正する。このような補正を行うことで液晶素子の応答
時間を短くすることができる。このように画像信号を補正処理して制御回路５１０を駆動
する方法は、オーバードライブ駆動と呼ばれている。また、画像信号のフレーム周波数の
整数倍で液晶表示装置５００を駆動する倍速駆動を行う場合には、制御回路５１０で２つ
のフレーム間を補間する画像データを作成する、或いは２つのフレーム間で黒表示を行う
ための画像データを生成すればよい。
ることができる。例えば、画像信号の階調に対応する電圧よりも高い電圧が画素５３１に
書き込まれるように、画像信号を補正する。このような補正を行うことで液晶素子の応答
時間を短くすることができる。このように画像信号を補正処理して制御回路５１０を駆動
する方法は、オーバードライブ駆動と呼ばれている。また、画像信号のフレーム周波数の
整数倍で液晶表示装置５００を駆動する倍速駆動を行う場合には、制御回路５１０で２つ
のフレーム間を補間する画像データを作成する、或いは２つのフレーム間で黒表示を行う
ための画像データを生成すればよい。
【0334】
以下、図３４に示すタイミングチャートを用いて、動画像のように動きのある画像と、
静止画のように動きの無い画像を表示するための液晶表示装置５００の動作を説明する。
図３４には、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、及びデータ線駆動回路５５０からデータ線５
５１に出力されるデータ信号（Ｖｄａｔａ）の信号波形を示す。
静止画のように動きの無い画像を表示するための液晶表示装置５００の動作を説明する。
図３４には、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、及びデータ線駆動回路５５０からデータ線５
５１に出力されるデータ信号（Ｖｄａｔａ）の信号波形を示す。
【0335】
図３４は、３ｍフレーム期間の液晶表示装置５００のタイミングチャートである。ここ
では、はじめのｋフレーム期間及び終わりのｊフレーム期間の画像データには動きがあり
、その他のフレーム期間の画像データには動きが無いとする。なお、ｋ、ｊはそれぞれ１
以上ｍ－２以下の整数である。
では、はじめのｋフレーム期間及び終わりのｊフレーム期間の画像データには動きがあり
、その他のフレーム期間の画像データには動きが無いとする。なお、ｋ、ｊはそれぞれ１
以上ｍ－２以下の整数である。
【0336】
最初のｋフレーム期間は、動き検出部５１１において、各フレームの画像データに動き
があると判定される。制御回路５１０では、動き検出部５１１の判定結果に基づき、デー
タ信号（Ｖｄａｔａ）をデータ線５５１に出力する。
があると判定される。制御回路５１０では、動き検出部５１１の判定結果に基づき、デー
タ信号（Ｖｄａｔａ）をデータ線５５１に出力する。
【0337】
そして、動き検出部５１１では、動き検出のための画像処理を行い、第ｋ＋１フレーム
の画像データに動きが無いと判定すると、制御回路５１０では、動き検出部５１１の判定
結果に基づき、第ｋ＋１フレーム期間に、データ線駆動回路５５０への画像信号（Ｖｉｄ
ｅｏ）の出力を停止する。よって、データ線駆動回路５５０からデータ線５５１へのデー
タ信号（Ｖｄａｔａ）の出力が停止される。さらに、表示部５３０の書換えを停止するた
め、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０への制御信号（スタートパルス信
号、クロック信号等）の供給を停止する。そして、制御回路５１０では、動き検出部５１
１で、画像データに動きがあるとの判定結果が得られるまで、データ線駆動回路５５０へ
の画像信号の出力、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０への制御信号の出
力を停止し、表示部５３０の書換えを停止する。
の画像データに動きが無いと判定すると、制御回路５１０では、動き検出部５１１の判定
結果に基づき、第ｋ＋１フレーム期間に、データ線駆動回路５５０への画像信号（Ｖｉｄ
ｅｏ）の出力を停止する。よって、データ線駆動回路５５０からデータ線５５１へのデー
タ信号（Ｖｄａｔａ）の出力が停止される。さらに、表示部５３０の書換えを停止するた
め、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０への制御信号（スタートパルス信
号、クロック信号等）の供給を停止する。そして、制御回路５１０では、動き検出部５１
１で、画像データに動きがあるとの判定結果が得られるまで、データ線駆動回路５５０へ
の画像信号の出力、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０への制御信号の出
力を停止し、表示部５３０の書換えを停止する。
【0338】
なお、本明細書において、液晶パネルに信号を「供給しない」とは、当該信号を供給す
る配線へ回路を動作させるための所定の電圧とは異なる電圧を印加すること、又は当該配
線を電気的に浮遊状態にすることを指すこととする。
る配線へ回路を動作させるための所定の電圧とは異なる電圧を印加すること、又は当該配
線を電気的に浮遊状態にすることを指すこととする。
【0339】
表示部５３０の書換えを停止すると、液晶素子に同じ方向の電界が印加され続けること
になり、液晶素子の液晶が劣化するおそれがある。このような問題が顕在化する場合は、
動き検出部５１１の判定結果に関わらず、所定のタイミングで、制御回路５１０から走査
線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０へ信号を供給し、極性を反転させたデータ
信号をデータ線５５１に書き込み、液晶素子に印加される電界の向きを反転させるとよい
。
になり、液晶素子の液晶が劣化するおそれがある。このような問題が顕在化する場合は、
動き検出部５１１の判定結果に関わらず、所定のタイミングで、制御回路５１０から走査
線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０へ信号を供給し、極性を反転させたデータ
信号をデータ線５５１に書き込み、液晶素子に印加される電界の向きを反転させるとよい
。
【0340】
なお、データ線５５１に入力されるデータ信号の極性はＶｃｏｍを基準に決定される。
その極性は、データ信号の電圧がＶｃｏｍより高い場合は正の極性であり、低い場合は負
の極性である。
その極性は、データ信号の電圧がＶｃｏｍより高い場合は正の極性であり、低い場合は負
の極性である。
【0341】
具体的には、図３４に示すように、第ｍ＋１フレーム期間になると、制御回路５１０は
、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０へ制御信号を出力し、データ線駆動
回路５５０へ画像信号Ｖｉｄｅｏを出力する。データ線駆動回路５５０は、第ｋフレーム
期間においてデータ線５５１に出力されたデータ信号（Ｖｄａｔａ）に対して極性が反転
したデータ信号（Ｖｄａｔａ）をデータ線５５１に出力する。よって、画像データに動き
が検出されない期間である第ｍ＋１フレーム期間、及び第２ｍ＋１フレーム期間に、極性
が反転されたデータ信号（Ｖｄａｔａ）がデータ線５５１に書き込まれる。画像データに
変化が無い期間は、表示部５３０の書換えが間欠的に行われるため、書換えによる電力消
費を削減しつつ、液晶素子の劣化を防止することができる。
、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０へ制御信号を出力し、データ線駆動
回路５５０へ画像信号Ｖｉｄｅｏを出力する。データ線駆動回路５５０は、第ｋフレーム
期間においてデータ線５５１に出力されたデータ信号（Ｖｄａｔａ）に対して極性が反転
したデータ信号（Ｖｄａｔａ）をデータ線５５１に出力する。よって、画像データに動き
が検出されない期間である第ｍ＋１フレーム期間、及び第２ｍ＋１フレーム期間に、極性
が反転されたデータ信号（Ｖｄａｔａ）がデータ線５５１に書き込まれる。画像データに
変化が無い期間は、表示部５３０の書換えが間欠的に行われるため、書換えによる電力消
費を削減しつつ、液晶素子の劣化を防止することができる。
【0342】
そして、動き検出部５１１において、第２ｍ＋１フレーム以降の画像データに動きがあ
ると判定すると、制御回路５１０は、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０
を制御し、表示部５３０の書換えを行う。
ると判定すると、制御回路５１０は、走査線駆動回路５４０及びデータ線駆動回路５５０
を制御し、表示部５３０の書換えを行う。
【0343】
以上述べたように、図３４の駆動方法によると、画像データ（Ｖｉｄｅｏ）の動きの有
無に関わらず、データ信号（Ｖｄａｔａ）は、ｍフレーム期間毎に極性が反転される。他
方、表示部５３０の書換えについては、動きを含む画像の表示期間は、１フレーム毎に表
示部５３０が書き換えられ、動きがない画像の表示期間は、ｍフレーム毎に表示部５３０
が書き換えられることになる。その結果、表示部の書換えに伴う電力消費を削減すること
ができる。よって、駆動周波数及び画素数の増加による電力消費の増加の抑えることがで
きる。
無に関わらず、データ信号（Ｖｄａｔａ）は、ｍフレーム期間毎に極性が反転される。他
方、表示部５３０の書換えについては、動きを含む画像の表示期間は、１フレーム毎に表
示部５３０が書き換えられ、動きがない画像の表示期間は、ｍフレーム毎に表示部５３０
が書き換えられることになる。その結果、表示部の書換えに伴う電力消費を削減すること
ができる。よって、駆動周波数及び画素数の増加による電力消費の増加の抑えることがで
きる。
【0344】
上述したように、液晶表示装置５００では、動画を表示するモードと、静止画を表示す
るモードで、液晶表示装置の駆動方法を異ならせることで、液晶の劣化を抑制して表示品
位を維持しつつ、省電力な液晶表示装置を提供することが可能になる。
るモードで、液晶表示装置の駆動方法を異ならせることで、液晶の劣化を抑制して表示品
位を維持しつつ、省電力な液晶表示装置を提供することが可能になる。
【0345】
また、静止画を表示する場合、１フレーム毎に画素を書換えると、人の目は画素の書換
えをちらつきとして感じることがあり、それが疲れ目の原因となる。本実施の形態の液晶
表示装置は、静止画の表示期間では画素の書換え頻度が少ないので、疲れ目の軽減に有効
である。
えをちらつきとして感じることがあり、それが疲れ目の原因となる。本実施の形態の液晶
表示装置は、静止画の表示期間では画素の書換え頻度が少ないので、疲れ目の軽減に有効
である。
【0346】
従って、酸化物半導体トランジスタでバックプレーンを形成した液晶パネルを用いるこ
とで、携帯用電子機器に非常に適した、高精細、低消費電力の中小型液晶表示装置を提供
することが可能である。
とで、携帯用電子機器に非常に適した、高精細、低消費電力の中小型液晶表示装置を提供
することが可能である。
【0347】
なお、液晶の劣化を防ぐため、データ信号の極性反転の間隔（ここでは、ｍフレーム期
間）は２秒以下とし、好ましくは１秒以下とするとよい。
間）は２秒以下とし、好ましくは１秒以下とするとよい。
【0348】
また、画像データの動き検出を制御回路５１０の動き検出部５１１で行ったが、動き検
出は動き検出部５１１のみで行う必要は無い。動きの有無のデータを液晶表示装置５００
の外部から制御回路５１０へ入力するようにしてもよい。
出は動き検出部５１１のみで行う必要は無い。動きの有無のデータを液晶表示装置５００
の外部から制御回路５１０へ入力するようにしてもよい。
【0349】
また、画像データに動きが無いと判定する条件は連続する２つのフレーム間の画像デー
タによるものではなく、判定に必要なフレーム数は、液晶表示装置５００の使用形態によ
り、適宜決定することができる。例えば、連続するｍフレームの画像データに動きが無い
場合に、表示部５３０の書換えを停止させてもよい。
タによるものではなく、判定に必要なフレーム数は、液晶表示装置５００の使用形態によ
り、適宜決定することができる。例えば、連続するｍフレームの画像データに動きが無い
場合に、表示部５３０の書換えを停止させてもよい。
【0350】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0351】
（実施の形態８）
本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む。）に適用す
ることができる。電子機器としては、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信
機ともいう。）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ
、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置
、遊技機（パチンコ機、スロットマシン等）、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機
器の一例を図１５に示す。
本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む。）に適用す
ることができる。電子機器としては、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信
機ともいう。）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ
、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置
、遊技機（パチンコ機、スロットマシン等）、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機
器の一例を図１５に示す。
【0352】
図１５（Ａ）は、表示部を有するテーブル９０００を示している。テーブル９０００は
、筐体９００１に表示部９００３が組み込まれており、表示部９００３により映像を表示
することが可能である。なお、４本の脚部９００２により筐体９００１を支持した構成を
示している。また、電力供給のための電源コード９００５を筐体９００１に有している。
、筐体９００１に表示部９００３が組み込まれており、表示部９００３により映像を表示
することが可能である。なお、４本の脚部９００２により筐体９００１を支持した構成を
示している。また、電力供給のための電源コード９００５を筐体９００１に有している。
【0353】
上記実施の形態のいずれかに示す半導体装置は、表示部９００３に用いることが可能で
ある。それゆえ、表示部９００３の表示品位を高くすることができる。
ある。それゆえ、表示部９００３の表示品位を高くすることができる。
【0354】
表示部９００３は、タッチ入力機能を有しており、テーブル９０００の表示部９００３
に表示された表示ボタン９００４を指などで触れることで、画面操作や、情報を入力する
ことができ、また他の家電製品との通信を可能とする、又は制御を可能とすることで、画
面操作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。例えば、イメージ
センサ機能を有する半導体装置を用いれば、表示部９００３にタッチ入力機能を持たせる
ことができる。
に表示された表示ボタン９００４を指などで触れることで、画面操作や、情報を入力する
ことができ、また他の家電製品との通信を可能とする、又は制御を可能とすることで、画
面操作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。例えば、イメージ
センサ機能を有する半導体装置を用いれば、表示部９００３にタッチ入力機能を持たせる
ことができる。
【0355】
また、筐体９００１に設けられたヒンジによって、表示部９００３の画面を床に対して
垂直に立てることもでき、テレビジョン装置としても利用できる。狭い部屋においては、
大きな画面のテレビジョン装置は設置すると自由な空間が狭くなってしまうが、テーブル
に表示部が内蔵されていれば、部屋の空間を有効に利用することができる。
垂直に立てることもでき、テレビジョン装置としても利用できる。狭い部屋においては、
大きな画面のテレビジョン装置は設置すると自由な空間が狭くなってしまうが、テーブル
に表示部が内蔵されていれば、部屋の空間を有効に利用することができる。
【0356】
図１５（Ｂ）は、テレビジョン装置９１００を示している。テレビジョン装置９１００
は、筐体９１０１に表示部９１０３が組み込まれており、表示部９１０３により映像を表
示することが可能である。なお、ここではスタンド９１０５により筐体９１０１を支持し
た構成を示している。
は、筐体９１０１に表示部９１０３が組み込まれており、表示部９１０３により映像を表
示することが可能である。なお、ここではスタンド９１０５により筐体９１０１を支持し
た構成を示している。
【0357】
テレビジョン装置９１００の操作は、筐体９１０１が備える操作スイッチや、別体のリ
モコン操作機９１１０により行うことができる。リモコン操作機９１１０が備える操作キ
ー９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０３に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機９１１０に、当該リモコン操作
機９１１０から出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成としてもよい。
モコン操作機９１１０により行うことができる。リモコン操作機９１１０が備える操作キ
ー９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０３に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機９１１０に、当該リモコン操作
機９１１０から出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成としてもよい。
【0358】
図１５（Ｂ）に示すテレビジョン装置９１００は、受信機やモデムなどを備えている。
テレビジョン装置９１００は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、
さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方
向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の
情報通信を行うことも可能である。
テレビジョン装置９１００は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、
さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方
向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の
情報通信を行うことも可能である。
【0359】
上記実施の形態のいずれかに示す半導体装置は、表示部９１０３、９１０７に用いるこ
とが可能である。それゆえ、テレビジョン装置の表示品位を向上させることができる。
とが可能である。それゆえ、テレビジョン装置の表示品位を向上させることができる。
【0360】
【0361】
上記実施の形態のいずれかに示す半導体装置は、表示部９２０３に用いることが可能で
ある。それゆえ、コンピュータ９２００の表示品位を向上させることができる。
ある。それゆえ、コンピュータ９２００の表示品位を向上させることができる。
【0362】
表示部９２０３は、タッチ入力機能を有しており、コンピュータ９２００の表示部９２
０３に表示された表示ボタンを指などで触れることで、画面操作や、情報を入力すること
ができ、また他の家電製品との通信を可能とする、又は制御を可能とすることで、画面操
作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。
０３に表示された表示ボタンを指などで触れることで、画面操作や、情報を入力すること
ができ、また他の家電製品との通信を可能とする、又は制御を可能とすることで、画面操
作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。
【0363】
図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図１６（Ａ
）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示
部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モ
ード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。
）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示
部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モ
ード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。
【0364】
上記実施の形態のいずれかに示す半導体装置は、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂ
に用いることが可能である。それゆえ、タブレット端末の表示品位を向上させることがで
きる。
に用いることが可能である。それゆえ、タブレット端末の表示品位を向上させることがで
きる。
【0365】
表示部９６３１ａは、一部をタッチパネルの領域９６３２ａとすることができ、表示さ
れた操作キー９６３８にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６
３１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領
域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６
３１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９
６３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表
示画面として用いることができる。
れた操作キー９６３８にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６
３１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領
域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６
３１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９
６３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表
示画面として用いることができる。
【0366】
また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一
部をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボー
ド表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれること
で表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。
部をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボー
ド表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれること
で表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。
【0367】
また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時に
タッチ入力することもできる。
タッチ入力することもできる。
【0368】
また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示又は横表示などの表示の向きを
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を
内蔵させてもよい。
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を
内蔵させてもよい。
【0369】
また、図１６（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示
しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表
示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネ
ルとしてもよい。
しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表
示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネ
ルとしてもよい。
【0370】
図１６（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、太陽電池９
６３３、充放電制御回路９６３４を有する。なお、図１６（Ｂ）では充放電制御回路９６
３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成につい
て示している。
６３３、充放電制御回路９６３４を有する。なお、図１６（Ｂ）では充放電制御回路９６
３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成につい
て示している。
【0371】
なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態
にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
【0372】
また、この他にも図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻な
どを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ
入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻な
どを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ
入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。
【0373】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル
、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の片面又は両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的に
行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー９６３５としては、リチウ
ムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の片面又は両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的に
行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー９６３５としては、リチウ
ムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【0374】
また、図１６（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図１６（
Ｃ）にブロック図を示し説明する。図１６（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９
６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３
、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３
６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図１６（Ｂ）に示す充放電制御
回路９６３４に対応する箇所となる。
Ｃ）にブロック図を示し説明する。図１６（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９
６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３
、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３
６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図１６（Ｂ）に示す充放電制御
回路９６３４に対応する箇所となる。
【0375】
まず、外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明す
る。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤ
ＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に
太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ
９６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部
９６３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオン
にしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
る。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤ
ＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に
太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ
９６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部
９６３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオン
にしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
【0376】
なお、太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず
、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段による
バッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を
送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う
構成としてもよい。
、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段による
バッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を
送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う
構成としてもよい。
【0377】
なお、本実施の形態に示す構成などは、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて
用いることができる。
用いることができる。
【実施例1】
【0378】
本実施例では、トランジスタのＶｇ－Ｉｄ特性、及び光ＢＴストレス試験の測定結果に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0379】
はじめに、試料１に含まれるトランジスタの作製工程について説明する。本実施例では
図３を参照して説明する。
図３を参照して説明する。
【0380】
まず、図３（Ａ）に示すように、基板１１としてガラス基板を用い、基板１１上にゲー
ト電極１５を形成した。
ト電極１５を形成した。
【0381】
スパッタリング法で厚さ１００ｎｍのタングステン膜を形成し、フォトリソグラフィ工
程により該タングステン膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて該タングステン膜の一
部をエッチングし、ゲート電極１５を形成した。
程により該タングステン膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて該タングステン膜の一
部をエッチングし、ゲート電極１５を形成した。
【0382】
次に、ゲート電極１５上にゲート絶縁膜１７を形成した。
【0383】
ゲート絶縁膜として、厚さ５０ｎｍの第１の窒化シリコン膜、厚さ３００ｎｍの第２の
窒化シリコン膜、厚さ５０ｎｍの第３の窒化シリコン膜、及び厚さ５０ｎｍの酸化窒化シ
リコン膜を積層して形成した。
窒化シリコン膜、厚さ５０ｎｍの第３の窒化シリコン膜、及び厚さ５０ｎｍの酸化窒化シ
リコン膜を積層して形成した。
【0384】
第１の窒化シリコン膜は、流量２００ｓｃｃｍのシラン、流量２０００ｓｃｃｍの窒素
、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモニアを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の処理室に
供給し、処理室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて
２０００Ｗの電力を供給して形成した。
、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモニアを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の処理室に
供給し、処理室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて
２０００Ｗの電力を供給して形成した。
【0385】
次に、第１の窒化シリコン膜の原料ガスの条件において、アンモニアの流量を２０００
ｓｃｃｍに変更して、第２の窒化シリコン膜を形成した。
ｓｃｃｍに変更して、第２の窒化シリコン膜を形成した。
【0386】
次に、流量２００ｓｃｃｍのシラン及び流量５０００ｓｃｃｍの窒素を原料ガスとして
プラズマＣＶＤ装置の処理室に供給し、処理室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１
２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、第３の窒化シリコン膜を形
成した。
プラズマＣＶＤ装置の処理室に供給し、処理室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１
２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、第３の窒化シリコン膜を形
成した。
【0387】
次に、流量２０ｓｃｃｍのシラン、流量３０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスと
してプラズマＣＶＤ装置の処理室に供給し、処理室内の圧力を４０Ｐａに制御し、２７．
１２ＭＨｚの高周波電源を用いて１００Ｗの電力を供給して、酸化窒化シリコン膜を形成
した。
してプラズマＣＶＤ装置の処理室に供給し、処理室内の圧力を４０Ｐａに制御し、２７．
１２ＭＨｚの高周波電源を用いて１００Ｗの電力を供給して、酸化窒化シリコン膜を形成
した。
【0388】
なお、第１の窒化シリコン膜乃至第３の窒化シリコン膜及び酸化窒化シリコン膜の成膜
工程において、基板温度を３５０℃とした。
工程において、基板温度を３５０℃とした。
【0389】
次に、ゲート絶縁膜１７を介してゲート電極１５に重なる多層膜２０を形成した。
【0390】
ここでは、ゲート絶縁膜１７上に酸化物半導体膜１８として厚さ３５ｎｍの第１のＩｎ
－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜をスパッタリング法で形成した後、酸化物半導体膜１８上にＩｎ若
しくはＧａを含む酸化物膜１９として厚さ２０ｎｍの第２のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜を
形成した。次に、フォトリソグラフィ工程によりＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９上
にマスクを形成し、該マスクを用いて酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜１９の一部をエッチングした。その後、エッチングされた酸化物半導体膜１８及び
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９に加熱処理を行い、多層膜２０を形成した。
－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜をスパッタリング法で形成した後、酸化物半導体膜１８上にＩｎ若
しくはＧａを含む酸化物膜１９として厚さ２０ｎｍの第２のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜を
形成した。次に、フォトリソグラフィ工程によりＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９上
にマスクを形成し、該マスクを用いて酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜１９の一部をエッチングした。その後、エッチングされた酸化物半導体膜１８及び
Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９に加熱処理を行い、多層膜２０を形成した。
【0391】
第１のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜は、スパッタリングターゲットをＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝
１：１：１（原子数比）のターゲットとし、流量５０ｓｃｃｍのアルゴン及び流量５０ｓ
ｃｃｍの酸素スパッタリングガスとしてスパッタリング装置の処理室内に供給し、処理室
内の圧力を０．６Ｐａに制御し、５ｋＷの直流電力を供給して形成した。なお、第１のＩ
ｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜を形成する際の基板温度を１７０℃とした。
１：１：１（原子数比）のターゲットとし、流量５０ｓｃｃｍのアルゴン及び流量５０ｓ
ｃｃｍの酸素スパッタリングガスとしてスパッタリング装置の処理室内に供給し、処理室
内の圧力を０．６Ｐａに制御し、５ｋＷの直流電力を供給して形成した。なお、第１のＩ
ｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜を形成する際の基板温度を１７０℃とした。
【0392】
第２のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜は、スパッタリングターゲットをＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝
１：３：２（原子数比）のターゲットとし、スパッタリングガスとして流量９０ｓｃｃｍ
のＡｒと流量１０ｓｃｃｍの酸素をスパッタリング装置の処理室内に供給し、処理室内の
圧力を０．３Ｐａに制御し、５ｋＷの直流電力を供給して形成した。なお、第２のＩｎ－
Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜を形成する際の基板温度を２５℃とした。
１：３：２（原子数比）のターゲットとし、スパッタリングガスとして流量９０ｓｃｃｍ
のＡｒと流量１０ｓｃｃｍの酸素をスパッタリング装置の処理室内に供給し、処理室内の
圧力を０．３Ｐａに制御し、５ｋＷの直流電力を供給して形成した。なお、第２のＩｎ－
Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜を形成する際の基板温度を２５℃とした。
【0393】
加熱処理は、窒素雰囲気で、４５０℃、１時間の加熱処理を行った後、窒素及び酸素雰
囲気で、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。
囲気で、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【0394】
ここまでの工程で得られた構成は図３（Ｂ）を参照できる。
【0395】
次に、ゲート絶縁膜１７の一部をエッチングしてゲート電極を露出した後（図示しない
。）、図３（Ｃ）に示すように、多層膜２０に接する一対の電極２１、２２を形成した。
。）、図３（Ｃ）に示すように、多層膜２０に接する一対の電極２１、２２を形成した。
【0396】
ここでは、ゲート絶縁膜１７及び多層膜２０上に導電膜を形成した。該導電膜として、
厚さ５０ｎｍのタングステン膜上に厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜を形成し、該アルミ
ニウム膜上に厚さ１００ｎｍのチタン膜を形成した。次に、フォトリソグラフィ工程によ
り該導電膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて該導電膜の一部をエッチングし、一対
の電極２１、２２を形成した。
厚さ５０ｎｍのタングステン膜上に厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜を形成し、該アルミ
ニウム膜上に厚さ１００ｎｍのチタン膜を形成した。次に、フォトリソグラフィ工程によ
り該導電膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて該導電膜の一部をエッチングし、一対
の電極２１、２２を形成した。
【0397】
次に、減圧された処理室に基板を移動し、２２０℃で加熱した後、一酸化二窒素が充填
された処理室に基板を移動させた。次に、処理室に設けられる上部電極に２７．１２ＭＨ
ｚの高周波電源を用いて１５０Ｗの高周波電力を供給して、一酸化二窒素の分解により発
生した酸素プラズマに多層膜２０を曝した。
された処理室に基板を移動させた。次に、処理室に設けられる上部電極に２７．１２ＭＨ
ｚの高周波電源を用いて１５０Ｗの高周波電力を供給して、一酸化二窒素の分解により発
生した酸素プラズマに多層膜２０を曝した。
【0398】
【0399】
まず、上記プラズマ処理の後、大気に曝すことなく、連続的に酸化物絶縁膜２４を形成
した。酸化物絶縁膜２４として厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。
した。酸化物絶縁膜２４として厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。
【0400】
酸化物絶縁膜２４は、流量１６０ｓｃｃｍのシラン及び流量４０００ｓｃｃｍの一酸化
二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を２００Ｐａ、基板温度を２２０℃とし、１５００
Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により形成した。当該条件に
より、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱
離する酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を２００Ｐａ、基板温度を２２０℃とし、１５００
Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により形成した。当該条件に
より、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱
離する酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
【0401】
次に、加熱処理を行い、酸化物絶縁膜２４から水、窒素、水素等を脱離させた。ここで
は、窒素及び酸素雰囲気で、３５０℃、１時間の加熱処理を行った。
は、窒素及び酸素雰囲気で、３５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【0402】
次に、減圧された処理室に基板を移動し、３５０℃で加熱した後、酸化物絶縁膜２４上
に窒化物絶縁膜２５を形成した。ここでは、窒化物絶縁膜２５として、厚さ１００ｎｍの
窒化シリコン膜を形成した。
に窒化物絶縁膜２５を形成した。ここでは、窒化物絶縁膜２５として、厚さ１００ｎｍの
窒化シリコン膜を形成した。
【0403】
窒化物絶縁膜２５は、流量５０ｓｃｃｍのシラン、流量５０００ｓｃｃｍの窒素、及び
流量１００ｓｃｃｍのアンモニアを原料ガスとし、処理室の圧力を１００Ｐａ、基板温度
を３５０℃とし、１０００Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法に
より形成した。
流量１００ｓｃｃｍのアンモニアを原料ガスとし、処理室の圧力を１００Ｐａ、基板温度
を３５０℃とし、１０００Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法に
より形成した。
【0404】
次に、図示しないが、酸化物絶縁膜２４及び窒化物絶縁膜２５の一部をエッチングして
、一対の電極２１、２２の一部を露出する開口部を形成した。
、一対の電極２１、２２の一部を露出する開口部を形成した。
【0405】
次に、窒化物絶縁膜２５上に平坦化膜を形成した（図示しない）。ここでは、組成物を
窒化物絶縁膜２５上に塗布した後、露光及び現像を行って、一対の電極の一部を露出する
開口部を有する平坦化膜を形成した。なお、平坦化膜として厚さ１．５μｍのアクリル樹
脂を形成した。こののち、加熱処理を行った。当該加熱処理は、温度を２５０℃とし、窒
素を含む雰囲気で１時間行った。
窒化物絶縁膜２５上に塗布した後、露光及び現像を行って、一対の電極の一部を露出する
開口部を有する平坦化膜を形成した。なお、平坦化膜として厚さ１．５μｍのアクリル樹
脂を形成した。こののち、加熱処理を行った。当該加熱処理は、温度を２５０℃とし、窒
素を含む雰囲気で１時間行った。
【0406】
次に、一対の電極の一部に接続する導電膜を形成した（図示しない）。ここでは、スパ
ッタリング法により厚さ１００ｎｍの酸化シリコンを含むＩＴＯを形成した。この後、窒
素雰囲気で、２５０℃、１時間の加熱処理を行った。
ッタリング法により厚さ１００ｎｍの酸化シリコンを含むＩＴＯを形成した。この後、窒
素雰囲気で、２５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【0407】
以上の工程により、トランジスタを有する試料１を作製した。
【0408】
また、試料１のトランジスタにおいて、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を形成し
ないトランジスタを有する試料を試料２として作製した。なお、一対の電極２１、２２を
形成した後、８５％のリン酸を１００倍に希釈したリン酸水溶液で酸化物半導体膜１８の
表面に洗浄処理を行った。
ないトランジスタを有する試料を試料２として作製した。なお、一対の電極２１、２２を
形成した後、８５％のリン酸を１００倍に希釈したリン酸水溶液で酸化物半導体膜１８の
表面に洗浄処理を行った。
【0409】
次に、試料１及び試料２に含まれるトランジスタの初期特性としてＶｇ－Ｉｄ特性を測
定した。ここでは、基板温度を２５℃とし、ソース－ドレイン間の電位差（以下、ドレイ
ン電圧という。）を１Ｖ、または１０Ｖとし、ソース－ゲート電極間の電位差（以下、ゲ
ート電圧という。）を－２０Ｖ～＋１５Ｖまで変化させたときのソース－ドレイン間に流
れる電流（以下、ドレイン電流という。）の変化特性、すなわちＶｇ－Ｉｄ特性を測定し
た。
定した。ここでは、基板温度を２５℃とし、ソース－ドレイン間の電位差（以下、ドレイ
ン電圧という。）を１Ｖ、または１０Ｖとし、ソース－ゲート電極間の電位差（以下、ゲ
ート電圧という。）を－２０Ｖ～＋１５Ｖまで変化させたときのソース－ドレイン間に流
れる電流（以下、ドレイン電流という。）の変化特性、すなわちＶｇ－Ｉｄ特性を測定し
た。
【0410】
図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）にそれぞれの試料に含まれるトランジスタのＶｇ－Ｉｄ
特性を示す。図１７において、横軸はゲート電圧Ｖｇ、縦軸はドレイン電流Ｉｄを表す。
また、実線はそれぞれ、ドレイン電圧Ｖｄが１Ｖ、１０ＶのときのＶｇ－Ｉｄ特性であり
、破線はドレイン電圧Ｖｄを１０Ｖとしたときのゲート電圧に対する電界効果移動度を表
す。なお、当該電界効果移動度は各試料の飽和領域における結果である。
特性を示す。図１７において、横軸はゲート電圧Ｖｇ、縦軸はドレイン電流Ｉｄを表す。
また、実線はそれぞれ、ドレイン電圧Ｖｄが１Ｖ、１０ＶのときのＶｇ－Ｉｄ特性であり
、破線はドレイン電圧Ｖｄを１０Ｖとしたときのゲート電圧に対する電界効果移動度を表
す。なお、当該電界効果移動度は各試料の飽和領域における結果である。
【0411】
なお、各トランジスタは、チャネル長（Ｌ）が６μｍ、チャネル幅（Ｗ）が５０μｍで
ある。また、各試料において、基板内に同じ構造のトランジスタを２０個作製した。
ある。また、各試料において、基板内に同じ構造のトランジスタを２０個作製した。
【0412】
図１７（Ｂ）より、試料２に含まれるトランジスタのＶｇ－Ｉｄ特性において、ドレイ
ン電圧Ｖｄが１Ｖでのオン電流が流れ始めるゲート電圧（立ち上がりゲート電圧ともいう
（Ｖｇ）。）と、１０Ｖのオン電流の立ち上がりゲート電圧が異なっている。また、試料
２に含まれる各トランジスタ間のＶｇ－Ｉｄ特性のばらつきも大きい。一方、図１７（Ａ
）より、試料１に含まれるトランジスタのＶｇ－Ｉｄ特性は、ドレイン電圧Ｖｄが１Ｖ、
１０Ｖのオン電流の立ち上がりゲート電圧（Ｖｇ）が略同一である。そして、試料１に含
まれる各トランジスタ間のＶｇ－Ｉｄ特性のばらつきが小さい。このことから、酸化物半
導体膜１８と酸化物絶縁膜２４とが直接接しない構造とすること、具体的には、酸化物半
導体膜１８及び酸化物絶縁膜２４の間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を設けるこ
とで、トランジスタの初期特性が向上することがわかる。
ン電圧Ｖｄが１Ｖでのオン電流が流れ始めるゲート電圧（立ち上がりゲート電圧ともいう
（Ｖｇ）。）と、１０Ｖのオン電流の立ち上がりゲート電圧が異なっている。また、試料
２に含まれる各トランジスタ間のＶｇ－Ｉｄ特性のばらつきも大きい。一方、図１７（Ａ
）より、試料１に含まれるトランジスタのＶｇ－Ｉｄ特性は、ドレイン電圧Ｖｄが１Ｖ、
１０Ｖのオン電流の立ち上がりゲート電圧（Ｖｇ）が略同一である。そして、試料１に含
まれる各トランジスタ間のＶｇ－Ｉｄ特性のばらつきが小さい。このことから、酸化物半
導体膜１８と酸化物絶縁膜２４とが直接接しない構造とすること、具体的には、酸化物半
導体膜１８及び酸化物絶縁膜２４の間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を設けるこ
とで、トランジスタの初期特性が向上することがわかる。
【0413】
次に、試料１及び試料２のＢＴストレス試験及び光ＢＴストレス試験を行った。ここで
は、ＢＴストレス試験として、基板温度を８０℃、ゲート絶縁膜に印加する電界強度を０
．６６ＭＶ／ｃｍ、印加時間を２０００秒とし、ゲート電極に所定の電圧を印加するＢＴ
ストレス試験を行った。なお、ＢＴストレス試験は露点温度が１２℃の大気雰囲気で行っ
た。
は、ＢＴストレス試験として、基板温度を８０℃、ゲート絶縁膜に印加する電界強度を０
．６６ＭＶ／ｃｍ、印加時間を２０００秒とし、ゲート電極に所定の電圧を印加するＢＴ
ストレス試験を行った。なお、ＢＴストレス試験は露点温度が１２℃の大気雰囲気で行っ
た。
【0414】
また、上記ＢＴストレス試験と同様の条件を用い、３０００ｌｘの白色ＬＥＤ光をトラ
ンジスタに照射しながらゲート電極に所定の電圧を印加する光ＢＴストレス試験を行った
。なお、光ＢＴストレス試験は露点温度が－３０℃の乾燥空気雰囲気で行った。
ンジスタに照射しながらゲート電極に所定の電圧を印加する光ＢＴストレス試験を行った
。なお、光ＢＴストレス試験は露点温度が－３０℃の乾燥空気雰囲気で行った。
【0415】
ここで、ＢＴストレス試験の測定方法について説明する。はじめに、上記のようにトラ
ンジスタのＶｇ－Ｉｄ特性の初期特性を測定した。
ンジスタのＶｇ－Ｉｄ特性の初期特性を測定した。
【0416】
次に、基板温度を８０℃まで上昇させた後、トランジスタのソース及びドレインの電位
を０Ｖとした。続いて、ゲート絶縁膜へ印加される電界強度が０．６６ＭＶ／ｃｍとなる
ようにゲート電極に電圧を印加し、２０００秒保持した。
を０Ｖとした。続いて、ゲート絶縁膜へ印加される電界強度が０．６６ＭＶ／ｃｍとなる
ようにゲート電極に電圧を印加し、２０００秒保持した。
【0417】
なお、マイナスＢＴストレス試験（Ｄａｒｋ －ＧＢＴ）では、ゲート電極に－３０Ｖ
を印加した。また、プラスＢＴストレス試験（Ｄａｒｋ ＋ＧＢＴ）では、ゲート電極に
３０Ｖを印加した。また、光マイナスＢＴストレス試験（Ｐｈｏｔｏ －ＧＢＴ）では、
３０００ｌｘの白色ＬＥＤ光を照射しつつ、ゲート電極に－３０Ｖを印加した。また、光
プラスＢＴストレス試験（Ｐｈｏｔｏ ＋ＧＢＴ）では、３０００ｌｘの白色ＬＥＤ光を
照射しつつ、ゲート電極に３０Ｖを印加した。
を印加した。また、プラスＢＴストレス試験（Ｄａｒｋ ＋ＧＢＴ）では、ゲート電極に
３０Ｖを印加した。また、光マイナスＢＴストレス試験（Ｐｈｏｔｏ －ＧＢＴ）では、
３０００ｌｘの白色ＬＥＤ光を照射しつつ、ゲート電極に－３０Ｖを印加した。また、光
プラスＢＴストレス試験（Ｐｈｏｔｏ ＋ＧＢＴ）では、３０００ｌｘの白色ＬＥＤ光を
照射しつつ、ゲート電極に３０Ｖを印加した。
【0418】
次に、ゲート電極、ソース及びドレインに電圧を印加したまま、基板温度を２５℃まで
下げた。基板温度が２５℃になった後、ゲート電極、ソース及びドレインへの電圧の印加
を終了させた。
下げた。基板温度が２５℃になった後、ゲート電極、ソース及びドレインへの電圧の印加
を終了させた。
【0419】
また、試料１及び試料２に含まれるトランジスタの初期特性のしきい値電圧とＢＴスト
レス試験後のしきい値電圧の差（即ち、しきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ））を図１８に
示す。図１８において、プラスＢＴストレス試験（Ｄａｒｋ ＋ＧＢＴ）、マイナスＢＴ
ストレス試験（Ｄａｒｋ －ＧＢＴ）、光プラスＢＴストレス試験（Ｐｈｏｔｏ ＋ＧＢ
Ｔ）、光マイナスＢＴストレス試験（Ｐｈｏｔｏ －ＧＢＴ）それぞれのしきい値電圧の
変動量ΔＶｔｈを示す。
レス試験後のしきい値電圧の差（即ち、しきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ））を図１８に
示す。図１８において、プラスＢＴストレス試験（Ｄａｒｋ ＋ＧＢＴ）、マイナスＢＴ
ストレス試験（Ｄａｒｋ －ＧＢＴ）、光プラスＢＴストレス試験（Ｐｈｏｔｏ ＋ＧＢ
Ｔ）、光マイナスＢＴストレス試験（Ｐｈｏｔｏ －ＧＢＴ）それぞれのしきい値電圧の
変動量ΔＶｔｈを示す。
【0420】
なお、本明細書において、しきい値電圧（Ｖｔｈ）は、ゲート電圧（Ｖｇ［Ｖ］）を横
軸、ドレイン電流の平方根（Ｉｄ１／２［Ａ］）を縦軸としてプロットした曲線（図示せ
ず）において、最大傾きであるＩｄ１／２の接線を外挿したときの、接線とＶｇ軸との交
点のゲート電圧で定義する。
軸、ドレイン電流の平方根（Ｉｄ１／２［Ａ］）を縦軸としてプロットした曲線（図示せ
ず）において、最大傾きであるＩｄ１／２の接線を外挿したときの、接線とＶｇ軸との交
点のゲート電圧で定義する。
【0421】
また、図１８より、試料１に含まれるトランジスタのしきい値電圧の変動量の絶対値は
、試料２に含まれるトランジスタのしきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ）の絶対値に比べて
減少していることがわかる。特に、プラスＢＴストレス試験（Ｄａｒｋ ＋ＧＢＴ）によ
るしきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ）は顕著に減少している。このことから、酸化物半導
体膜１８と酸化物絶縁膜２４の間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を設けること
で、トランジスタの信頼性が向上することがわかる。
、試料２に含まれるトランジスタのしきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ）の絶対値に比べて
減少していることがわかる。特に、プラスＢＴストレス試験（Ｄａｒｋ ＋ＧＢＴ）によ
るしきい値電圧の変動量（ΔＶｔｈ）は顕著に減少している。このことから、酸化物半導
体膜１８と酸化物絶縁膜２４の間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を設けること
で、トランジスタの信頼性が向上することがわかる。
【0422】
以上より、酸化物半導体膜１８と酸化物絶縁膜２４の間に、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸
化物膜１９を設けることで、トランジスタの電気特性を向上させることができる。具体的
には、初期特性を向上させつつ、信頼性も向上させることができる。また、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜１９は、チャネル領域である酸化物半導体膜１８に酸化物絶縁膜２４
に含まれる元素（例えば、窒素など）が混入することを抑制すると言うことができる。又
は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９は、電力密度が高いプラズマＣＶＤ法で酸化物
絶縁膜２４を形成する際にチャネル領域である酸化物半導体膜１８がプラズマダメージを
受けることを抑制すると言うことができる。
化物膜１９を設けることで、トランジスタの電気特性を向上させることができる。具体的
には、初期特性を向上させつつ、信頼性も向上させることができる。また、Ｉｎ若しくは
Ｇａを含む酸化物膜１９は、チャネル領域である酸化物半導体膜１８に酸化物絶縁膜２４
に含まれる元素（例えば、窒素など）が混入することを抑制すると言うことができる。又
は、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９は、電力密度が高いプラズマＣＶＤ法で酸化物
絶縁膜２４を形成する際にチャネル領域である酸化物半導体膜１８がプラズマダメージを
受けることを抑制すると言うことができる。
【実施例2】
【0423】
本実施例では、実施例１の試料１及び試料２に含まれるトランジスタの酸化物半導体膜
１８に含まれる酸素欠損の量について説明する。本実施例では、実施例１の試料１及び試
料２に含まれるトランジスタの積層構造と同じ構造の試料を作製し、酸化物半導体膜１８
に含まれる酸素欠損の量を評価するためにＥＳＲ（電子スピン共鳴）法分析を行った。
１８に含まれる酸素欠損の量について説明する。本実施例では、実施例１の試料１及び試
料２に含まれるトランジスタの積層構造と同じ構造の試料を作製し、酸化物半導体膜１８
に含まれる酸素欠損の量を評価するためにＥＳＲ（電子スピン共鳴）法分析を行った。
【0424】
まず、測定した試料について説明する。試料３は、石英上に酸化物半導体膜１８を３５
ｎｍ形成し、酸化物半導体膜１８上にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を２０ｎｍ形
成し、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９上に酸化物絶縁膜２４を４００ｎｍ形成した
。
ｎｍ形成し、酸化物半導体膜１８上にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を２０ｎｍ形
成し、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９上に酸化物絶縁膜２４を４００ｎｍ形成した
。
【0425】
試料３の酸化物半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９、並びに酸化物
絶縁膜２４は、実施例１の試料１と同様の条件で形成した。
絶縁膜２４は、実施例１の試料１と同様の条件で形成した。
【0426】
試料４は、酸化物半導体膜１８を３５ｎｍ形成し、酸化物半導体膜１８上に酸化物絶縁
膜２４を４００ｎｍ形成した。
膜２４を４００ｎｍ形成した。
【0427】
試料４の酸化物半導体膜１８及び酸化物絶縁膜２４は、実施例１の試料２と同様の条件
で形成した。
で形成した。
【0428】
次に、試料３及び試料４についてＥＳＲ法分析を行った。ＥＳＲ測定は、所定の温度で
、マイクロ波の吸収の起こる磁場の値（Ｈ０）から、式ｇ＝ｈν／βＨ０を用いてｇ値と
いうパラメータが得られる。なお、νはマイクロ波の周波数である。ｈはプランク定数で
あり、βはボーア磁子であり、どちらも定数である。ＥＳＲ法分析において、マイクロ波
電力（９．０６ＧＨｚ）は２０ｍＷ、磁場の向きは試料３及び試料４の膜表面と平行とし
、測定温度を室温とした。
、マイクロ波の吸収の起こる磁場の値（Ｈ０）から、式ｇ＝ｈν／βＨ０を用いてｇ値と
いうパラメータが得られる。なお、νはマイクロ波の周波数である。ｈはプランク定数で
あり、βはボーア磁子であり、どちらも定数である。ＥＳＲ法分析において、マイクロ波
電力（９．０６ＧＨｚ）は２０ｍＷ、磁場の向きは試料３及び試料４の膜表面と平行とし
、測定温度を室温とした。
【0429】
図１９にＥＳＲ分析結果を示す。図１９について、横軸は試料名を示し、縦軸は酸化物
半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９に含まれる酸素欠損密度に由来す
るｇ値＝１．９３のスピン密度を示している。
半導体膜１８及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９に含まれる酸素欠損密度に由来す
るｇ値＝１．９３のスピン密度を示している。
【0430】
図１９より、試料３及び試料４を比較すると、試料３のほうがスピン密度は小さい。つ
まり、酸化物半導体膜１８と酸化物絶縁膜２４との間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜
１９を設けることで、酸化物絶縁膜２４を形成する際のプラズマダメージによって酸素欠
損が酸化物半導体膜１８に生成されることを抑制できるといえる。
まり、酸化物半導体膜１８と酸化物絶縁膜２４との間にＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜
１９を設けることで、酸化物絶縁膜２４を形成する際のプラズマダメージによって酸素欠
損が酸化物半導体膜１８に生成されることを抑制できるといえる。
【0431】
また、図示していないが、試料３においてＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を５０
ｎｍ設けることで、上記スピン密度は検出下限以下となった。本実施例において、スピン
密度の検出下限は１．０ｅ＋１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３である。従って、酸素欠損を低減す
るという観点からＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を５０ｎｍ設けることで酸化物絶
縁膜２４を形成する際のプラズマダメージを大きく低減できる。
ｎｍ設けることで、上記スピン密度は検出下限以下となった。本実施例において、スピン
密度の検出下限は１．０ｅ＋１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３である。従って、酸素欠損を低減す
るという観点からＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を５０ｎｍ設けることで酸化物絶
縁膜２４を形成する際のプラズマダメージを大きく低減できる。
【0432】
以上より、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜１９を設けることで、電力密度が高いプラ
ズマＣＶＤ法で酸化物絶縁膜２４を形成する場合でも電気特性の良好なトランジスタ、及
び該トランジスタを有する半導体装置を作製することができる。
ズマＣＶＤ法で酸化物絶縁膜２４を形成する場合でも電気特性の良好なトランジスタ、及
び該トランジスタを有する半導体装置を作製することができる。
【実施例3】
【0433】
本実施例では、本発明の一態様であるトランジスタに含まれる多層膜の局在準位につい
て説明する。ここでは、当該多層膜をＣＰＭ測定で評価した結果について説明する。
て説明する。ここでは、当該多層膜をＣＰＭ測定で評価した結果について説明する。
【0434】
まず、ＣＰＭ測定した試料について説明する。
【0435】
ガラス基板上に厚さ３０ｎｍのＩｎ若しくはＧａを含む第１の酸化物膜を形成し、第１
のＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜上に厚さ１００ｎｍの酸化物半導体膜を形成し、酸化
物半導体膜上に厚さ３０ｎｍのＩｎ若しくはＧａを含む第２の酸化物膜を形成することで
多層膜を形成した。
のＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜上に厚さ１００ｎｍの酸化物半導体膜を形成し、酸化
物半導体膜上に厚さ３０ｎｍのＩｎ若しくはＧａを含む第２の酸化物膜を形成することで
多層膜を形成した。
【0436】
本実施例において、Ｉｎ若しくはＧａを含む第１の酸化物膜、及びＩｎ若しくはＧａを
含む第２の酸化物膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２［原子
数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物膜である。な
お、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、圧力を
０．４Ｐａとし、基板温度を２００℃とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加することで形成し
た。
含む第２の酸化物膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２［原子
数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物膜である。な
お、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、圧力を
０．４Ｐａとし、基板温度を２００℃とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加することで形成し
た。
【0437】
また、酸化物半導体膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［
原子数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物半導体膜
である。なお、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用
い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を２００℃とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加するこ
とで形成した。
原子数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物半導体膜
である。なお、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用
い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を２００℃とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加するこ
とで形成した。
【0438】
以上のようにして作製した試料を試料５とする。
【0439】
次に、試料５についてＣＰＭ測定を行った。具体的には、試料５の多層膜に接して設け
た第１の電極及び第２の電極間に電圧を印加した状態で光電流値が一定となるように端子
間の試料面に照射する光量を調整し、所望の波長の範囲において照射光量から吸収係数を
導出した。
た第１の電極及び第２の電極間に電圧を印加した状態で光電流値が一定となるように端子
間の試料面に照射する光量を調整し、所望の波長の範囲において照射光量から吸収係数を
導出した。
【0440】
図２０に、分光光度計によって測定した吸収係数（太点線）と、ＣＰＭ測定で導出した
吸収係数（太実線）とを、多層膜に含まれる各層のエネルギーギャップ以上のエネルギー
範囲において、フィッティングした結果を示す。なお、ＣＰＭ測定によって得られた吸収
係数のカーブにおいて、アーバックテール（細点線）の傾きであるアーバックエネルギー
は７８．７ｍｅＶであった。図２０（Ａ）の破線丸で囲んだエネルギー範囲においてＣＰ
Ｍ測定で導出した吸収係数からアーバックテール（細点線）の吸収係数分を差し引き、当
該エネルギー範囲における吸収係数の積分値を導出した（図２０（Ｂ）参照。）。その結
果、本試料の吸収係数は、２．０２×１０－４ｃｍ－１であることがわかった。
吸収係数（太実線）とを、多層膜に含まれる各層のエネルギーギャップ以上のエネルギー
範囲において、フィッティングした結果を示す。なお、ＣＰＭ測定によって得られた吸収
係数のカーブにおいて、アーバックテール（細点線）の傾きであるアーバックエネルギー
は７８．７ｍｅＶであった。図２０（Ａ）の破線丸で囲んだエネルギー範囲においてＣＰ
Ｍ測定で導出した吸収係数からアーバックテール（細点線）の吸収係数分を差し引き、当
該エネルギー範囲における吸収係数の積分値を導出した（図２０（Ｂ）参照。）。その結
果、本試料の吸収係数は、２．０２×１０－４ｃｍ－１であることがわかった。
【0441】
以上より、試料５の多層膜の局在準位は、不純物や欠陥に起因する準位と考察できる。
従って、多層膜は、不純物や欠陥に起因する準位密度が極めて低いことがわかった。即ち
、多層膜を用いたトランジスタは安定した電気特性を有することがわかる。
従って、多層膜は、不純物や欠陥に起因する準位密度が極めて低いことがわかった。即ち
、多層膜を用いたトランジスタは安定した電気特性を有することがわかる。
【実施例4】
【0442】
本実施例では、本発明の一態様であるトランジスタに含まれる多層膜のシリコン濃度に
ついて説明する。ここでは、当該多層膜をＳＩＭＳ測定で評価した結果について説明する
。
ついて説明する。ここでは、当該多層膜をＳＩＭＳ測定で評価した結果について説明する
。
【0443】
まず、ＳＩＭＳ測定した試料について説明する。
【0444】
シリコンウエハＳｉ上に厚さ１０ｎｍのＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８１を形成し
、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８１上に厚さ１０ｎｍの酸化物半導体膜８２を形成し
、酸化物半導体膜８２上に厚さ１０ｎｍのＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８３を形成す
ることで多層膜を形成した。
、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８１上に厚さ１０ｎｍの酸化物半導体膜８２を形成し
、酸化物半導体膜８２上に厚さ１０ｎｍのＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８３を形成す
ることで多層膜を形成した。
【0445】
本実施例において、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８１は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物
（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２［原子数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリ
ング法にて形成した酸化物膜である。なお、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ
、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を２００℃とし、ＤＣ
電力を０．５ｋＷ印加することで形成した。
（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２［原子数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリ
ング法にて形成した酸化物膜である。なお、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ
、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を２００℃とし、ＤＣ
電力を０．５ｋＷ印加することで形成した。
【0446】
また、酸化物半導体膜８２は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：
１［原子数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物半導
体膜である。なお、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃ
ｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を３００℃とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加す
ることで形成した。
１［原子数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物半導
体膜である。なお、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃ
ｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を３００℃とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加す
ることで形成した。
【0447】
また、Ｉｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８３は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ
：Ｚｎ＝１：３：２［原子数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて形
成した酸化物膜である。なお、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを
１５ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を２００℃とし、ＤＣ電力を０．５
ｋＷ印加することで形成した。
：Ｚｎ＝１：３：２［原子数比］）であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて形
成した酸化物膜である。なお、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを
１５ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を２００℃とし、ＤＣ電力を０．５
ｋＷ印加することで形成した。
【0448】
多層膜を形成した後、加熱処理を行わない試料と、４５０℃にて２時間の加熱処理を行
った試料を準備した。加熱処理を行わない試料を試料６とし、加熱処理を行った試料を試
料７とした。
った試料を準備した。加熱処理を行わない試料を試料６とし、加熱処理を行った試料を試
料７とした。
【0449】
試料６及び試料７について、飛行時間二次イオン質量分析（ＴｏＦ－ＳＩＭＳ：Ｔｉｍ
ｅ－ｏｆ－ｆｌｉｇｈｔ ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅ
ｔｒｙ）を行い、深さ方向のＳｉ濃度［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］を測定した。図２１（Ａ）
に、試料６における多層膜の深さ方向のＳｉＯ３の二次イオン強度から換算したＳｉ濃度
［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］を示し、図２１（Ｂ）に試料７における多層膜の深さ方向のＳｉ
Ｏ３の二次イオン強度から換算したＳｉ濃度［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］を示す。
ｅ－ｏｆ－ｆｌｉｇｈｔ ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅ
ｔｒｙ）を行い、深さ方向のＳｉ濃度［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］を測定した。図２１（Ａ）
に、試料６における多層膜の深さ方向のＳｉＯ３の二次イオン強度から換算したＳｉ濃度
［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］を示し、図２１（Ｂ）に試料７における多層膜の深さ方向のＳｉ
Ｏ３の二次イオン強度から換算したＳｉ濃度［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］を示す。
【0450】
図２１（Ａ）及び図２１（Ｂ）より、シリコンウエハとＩｎ若しくはＧａを含む酸化物
膜８１との界面、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８３の上面において、Ｓｉ濃度が
高くなることがわかった。また、酸化物半導体膜８２のＳｉ濃度がＴｏＦ－ＳＩＭＳの検
出下限である１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度であることがわかった。これは、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜８１及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８３が設けられる
ことにより、シリコンウエハや表面汚染などに起因したシリコンが酸化物半導体膜８２に
まで影響することがなくなるためであると考察できる。
膜８１との界面、及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８３の上面において、Ｓｉ濃度が
高くなることがわかった。また、酸化物半導体膜８２のＳｉ濃度がＴｏＦ－ＳＩＭＳの検
出下限である１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度であることがわかった。これは、Ｉｎ
若しくはＧａを含む酸化物膜８１及びＩｎ若しくはＧａを含む酸化物膜８３が設けられる
ことにより、シリコンウエハや表面汚染などに起因したシリコンが酸化物半導体膜８２に
まで影響することがなくなるためであると考察できる。
【0451】
【0452】
以上より、本実施例に示すような多層膜を用いることで、安定した電気特性を有するト
ランジスタを作製することができる。
ランジスタを作製することができる。
【0453】
（参考例１）
ここでは、上記実施例で説明したトランジスタの酸化物絶縁膜２４として、化学量論的
組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化窒化シ
リコン膜について説明する。
ここでは、上記実施例で説明したトランジスタの酸化物絶縁膜２４として、化学量論的
組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化窒化シ
リコン膜について説明する。
【0454】
化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離す
ることを評価するために、ＴＤＳ測定を行って酸素の脱ガス量を測定した。
ることを評価するために、ＴＤＳ測定を行って酸素の脱ガス量を測定した。
【0455】
まず、測定をしたサンプル構造について説明する。参考試料１は、シリコンウエハ上に
以下の条件で厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。当該条件は、流量１６０
ｓｃｃｍのシラン及び流量４０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧
力を２００Ｐａ、基板温度を２２０℃とし、１５００Ｗの高周波電力を平行平板電極に供
給したプラズマＣＶＤ法により形成した。
以下の条件で厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。当該条件は、流量１６０
ｓｃｃｍのシラン及び流量４０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧
力を２００Ｐａ、基板温度を２２０℃とし、１５００Ｗの高周波電力を平行平板電極に供
給したプラズマＣＶＤ法により形成した。
【0456】
参考試料２は、シリコンウエハ上に以下の条件で厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコンを
成膜した参考試料である。当該条件は、参考試料１の条件において、シランを流量２００
ｓｃｃｍに変更した条件であり、その他の条件は参考試料１と同じである。
成膜した参考試料である。当該条件は、参考試料１の条件において、シランを流量２００
ｓｃｃｍに変更した条件であり、その他の条件は参考試料１と同じである。
【0457】
参考試料１及び参考試料２のＴＤＳ測定の結果を図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に示す
。図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）において、参考試料１及び参考試料２ともに、酸素の質
量数に相当するＭ／ｚ＝３２のピークが観察された。従って、参考試料１及び参考試料２
の酸化窒化シリコン膜は、加熱によって膜中に含まれている酸素の一部が脱離するといえ
る。
。図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）において、参考試料１及び参考試料２ともに、酸素の質
量数に相当するＭ／ｚ＝３２のピークが観察された。従って、参考試料１及び参考試料２
の酸化窒化シリコン膜は、加熱によって膜中に含まれている酸素の一部が脱離するといえ
る。
【0458】
なお、加熱されることで脱離する酸素の量は、酸素分子に換算した値（単位面積あたり
）を用いて評価できる。参考試料１は３．２×１０１４分子／ｃｍ２であった。参考試料
２は１．９×１０１４分子／ｃｍ２であった。なお、参考試料１の脱離する酸素の量を酸
素原子に換算した値（単位体積あたり）は１．６×１０１９原子／ｃｍ３であり、参考試
料２の脱離する酸素の量を酸素原子に換算した値（単位体積あたり）は９．５×１０１８
原子／ｃｍ３であった。
）を用いて評価できる。参考試料１は３．２×１０１４分子／ｃｍ２であった。参考試料
２は１．９×１０１４分子／ｃｍ２であった。なお、参考試料１の脱離する酸素の量を酸
素原子に換算した値（単位体積あたり）は１．６×１０１９原子／ｃｍ３であり、参考試
料２の脱離する酸素の量を酸素原子に換算した値（単位体積あたり）は９．５×１０１８
原子／ｃｍ３であった。
【0459】
以上より、参考試料１及び参考試料２の条件で形成した酸化窒化シリコン膜を酸化物半
導体膜と重畳する領域に設けた後、加熱処理を行うことで、酸化物半導体膜中の酸素欠損
を修復することができ、電気特性が良好なトランジスタを作製できる。
導体膜と重畳する領域に設けた後、加熱処理を行うことで、酸化物半導体膜中の酸素欠損
を修復することができ、電気特性が良好なトランジスタを作製できる。
【0460】
（参考例２）
参考例１の参考試料１及び参考試料２で用いた酸化物絶縁膜の欠陥密度について説明す
る。ここでは、当該酸化物絶縁膜の欠陥量について、ＥＳＲ（電子スピン共鳴）法分析結
果を用いて説明する。
参考例１の参考試料１及び参考試料２で用いた酸化物絶縁膜の欠陥密度について説明す
る。ここでは、当該酸化物絶縁膜の欠陥量について、ＥＳＲ（電子スピン共鳴）法分析結
果を用いて説明する。
【0461】
まず、評価した試料の構造について説明する。
【0462】
参考試料３及び参考試料４は、石英基板上に形成された厚さ１００ｎｍの酸化物半導体
膜と、酸化物半導体膜上に形成された厚さ４００ｎｍの酸化物絶縁膜とを有する。
膜と、酸化物半導体膜上に形成された厚さ４００ｎｍの酸化物絶縁膜とを有する。
【0463】
参考試料３及び参考試料４の酸化物半導体膜は、スパッタリングターゲットをＩｎ：Ｇ
ａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子数比）のターゲットとし、流量５０ｓｃｃｍのアルゴン及び
流量５０ｓｃｃｍの酸素スパッタリングガスとしてスパッタリング装置の処理室内に供給
し、処理室内の圧力を０．６Ｐａに制御し、５ｋＷの直流電力を供給して形成した。なお
、酸化物半導体膜を形成する際の基板温度を１７０℃とした。
ａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子数比）のターゲットとし、流量５０ｓｃｃｍのアルゴン及び
流量５０ｓｃｃｍの酸素スパッタリングガスとしてスパッタリング装置の処理室内に供給
し、処理室内の圧力を０．６Ｐａに制御し、５ｋＷの直流電力を供給して形成した。なお
、酸化物半導体膜を形成する際の基板温度を１７０℃とした。
【0464】
次に、窒素雰囲気で、４５０℃、１時間の加熱処理を行った後、窒素及び酸素雰囲気で
、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。
、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【0465】
次に、酸化物半導体膜上に酸化物絶縁膜を形成した。当該酸化物絶縁膜を、参考試料１
の酸化窒化シリコン膜と同様の条件を用いて形成した試料を、参考試料３とする。
の酸化窒化シリコン膜と同様の条件を用いて形成した試料を、参考試料３とする。
【0466】
酸化物半導体膜上に形成された酸化物絶縁膜を、参考試料２の酸化窒化シリコン膜と同
様の条件を用いて形成した試料を、参考試料４とする。
様の条件を用いて形成した試料を、参考試料４とする。
【0467】
次に、参考試料３及び参考試料４についてＥＳＲ法分析を行った。ここでは、下記の条
件でＥＳＲ法分析を行った。測定温度を－１７０℃とし、９．１ＧＨｚの高周波電力（マ
イクロ波パワー）を１ｍＷとし、磁場の向きは作製した試料の膜表面と平行とした。
件でＥＳＲ法分析を行った。測定温度を－１７０℃とし、９．１ＧＨｚの高周波電力（マ
イクロ波パワー）を１ｍＷとし、磁場の向きは作製した試料の膜表面と平行とした。
【0468】
シリコンのダングリングボンドに由来するｇ（ｇ値）＝２．００１に現れる信号のスピ
ン密度を図２３に示す。
ン密度を図２３に示す。
【0469】
スピン密度は、参考試料３と比較して参考試料４の方が低減しているとわかる。即ち、
酸化物絶縁膜の成膜条件において、シラン流量を２００ｓｃｃｍ、一酸化二窒素の流量を
４０００ｓｃｃｍとすることで、欠陥の少ない酸化窒化シリコン膜、代表的には、ＥＳＲ
法分析により、ｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が６×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃ
ｍ３未満、好ましくは３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１．５×１０１
７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下の酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
酸化物絶縁膜の成膜条件において、シラン流量を２００ｓｃｃｍ、一酸化二窒素の流量を
４０００ｓｃｃｍとすることで、欠陥の少ない酸化窒化シリコン膜、代表的には、ＥＳＲ
法分析により、ｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が６×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃ
ｍ３未満、好ましくは３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１．５×１０１
７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下の酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
【0470】
以上より、上記条件によって酸化物絶縁膜を形成することでシランの流量を多くするこ
とによって、形成した酸化物絶縁膜中の欠陥密度を低減することができる。
とによって、形成した酸化物絶縁膜中の欠陥密度を低減することができる。
【0471】
（参考例３）
ここでは、酸化物半導体膜のエネルギーギャップ内に生成される欠陥準位の定量化につ
いて説明する。本参考例では、高輝度硬Ｘ線を用いた光電子分光法であるＨＡＸＰＥＳ（
Ｈａｒｄ Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によ
る測定結果について説明する。
ここでは、酸化物半導体膜のエネルギーギャップ内に生成される欠陥準位の定量化につ
いて説明する。本参考例では、高輝度硬Ｘ線を用いた光電子分光法であるＨＡＸＰＥＳ（
Ｈａｒｄ Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によ
る測定結果について説明する。
【0472】
ＨＡＸＰＥＳ測定を行った試料について説明する。
【0473】
シリコンウエハ上に厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、当該酸化窒化シリ
コン膜上に厚さ１００ｎｍの酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜上に厚さ５ｎ
ｍの酸化シリコン膜を形成した試料（試料８）を作製した。
コン膜上に厚さ１００ｎｍの酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜上に厚さ５ｎ
ｍの酸化シリコン膜を形成した試料（試料８）を作製した。
【0474】
試料８において、酸化窒化シリコン膜は、流量１ｓｃｃｍのシラン及び流量８００ｓｃ
ｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を４０Ｐａ、基板温度を４００℃とし
、１５０Ｗの高周波電力（６０ＭＨｚ）を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法によ
り形成した。
ｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を４０Ｐａ、基板温度を４００℃とし
、１５０Ｗの高周波電力（６０ＭＨｚ）を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法によ
り形成した。
【0475】
試料８において、酸化物半導体膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１
：１：１［原子数比］）であるターゲットを用いて、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０
ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を３００℃と
し、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加する、スパッタリング法で形成した。
：１：１［原子数比］）であるターゲットを用いて、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０
ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を３００℃と
し、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加する、スパッタリング法で形成した。
【0476】
試料８において、酸化シリコン膜は、シリコンを含むターゲットを用いて、成膜ガスと
して酸素ガスを５０ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を１００℃とし、Ｄ
Ｃ電力を１．５ｋＷ印加する、スパッタリング法で形成した。なお、当該酸化シリコン膜
は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離
する酸化シリコン膜である。
して酸素ガスを５０ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を１００℃とし、Ｄ
Ｃ電力を１．５ｋＷ印加する、スパッタリング法で形成した。なお、当該酸化シリコン膜
は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離
する酸化シリコン膜である。
【0477】
また、シリコンウエハ上に厚さ１００ｎｍの酸化物半導体膜を形成した試料（試料９）
を作製した。また、シリコンウエハ上に厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、
当該酸化窒化シリコン膜上に厚さ１００ｎｍの酸化物半導体膜を形成した試料（試料１０
）を作製した。
を作製した。また、シリコンウエハ上に厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、
当該酸化窒化シリコン膜上に厚さ１００ｎｍの酸化物半導体膜を形成した試料（試料１０
）を作製した。
【0478】
試料９及び試料１０において、酸化物半導体膜及び酸化窒化シリコン膜は、試料８と同
様の方法で作製した。また、試料８乃至試料１０において、各試料とも酸化物半導体膜を
形成した後に、窒素及び酸素雰囲気下で４５０℃の加熱処理を行った。また、試料８につ
いては、さらに酸化シリコン膜を形成した後に酸素雰囲気下で３００℃の加熱処理を行っ
た。
様の方法で作製した。また、試料８乃至試料１０において、各試料とも酸化物半導体膜を
形成した後に、窒素及び酸素雰囲気下で４５０℃の加熱処理を行った。また、試料８につ
いては、さらに酸化シリコン膜を形成した後に酸素雰囲気下で３００℃の加熱処理を行っ
た。
【0479】
次に、試料８乃至試料１０においてＨＡＸＰＥＳ測定を行った。ＨＡＸＰＥＳ測定は、
励起Ｘ線として硬Ｘ線（６～８ｋｅＶ程度）を用いた光電子分光法である。
励起Ｘ線として硬Ｘ線（６～８ｋｅＶ程度）を用いた光電子分光法である。
【0480】
図３５に、各試料についてのＨＡＸＰＥＳ測定によって得られた価電子帯スペクトルを
示す。図３５において、横軸は結合エネルギー（Ｂｉｎｄｉｎｇ Ｅｎｅｒｇｙ）を示し
、縦軸はスペクトル強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を示している。横軸の０ｅＶの位置は酸
化物半導体膜の伝導帯とみなすことができ、横軸の値が３ｅＶ付近の位置は酸化物半導体
膜の価電子帯と見なすことができる。つまり、横軸の０ｅＶの位置から３ｅＶ付近の位置
を酸化物半導体膜のエネルギーギャップとみなすことができる。
示す。図３５において、横軸は結合エネルギー（Ｂｉｎｄｉｎｇ Ｅｎｅｒｇｙ）を示し
、縦軸はスペクトル強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を示している。横軸の０ｅＶの位置は酸
化物半導体膜の伝導帯とみなすことができ、横軸の値が３ｅＶ付近の位置は酸化物半導体
膜の価電子帯と見なすことができる。つまり、横軸の０ｅＶの位置から３ｅＶ付近の位置
を酸化物半導体膜のエネルギーギャップとみなすことができる。
【0481】
また、価電子帯スペクトルの強度は、酸化物半導体膜のエネルギーギャップ内に生成さ
れる欠陥準位に起因する。例えば、欠陥準位が存在すると価電子帯スペクトルの強度は高
くなる。
れる欠陥準位に起因する。例えば、欠陥準位が存在すると価電子帯スペクトルの強度は高
くなる。
【0482】
また、ＨＡＸＰＥＳ測定の原理を踏まえると、ＨＡＸＰＥＳ測定で検出される信号は、
試料の表面近くの欠陥を反映していると考えることができる。図３５の試料９及び試料１
０の結果から、酸化物半導体膜のエネルギーギャップ内に生成される欠陥準位は、酸化物
半導体膜の表面近傍に存在する欠陥に対応するものであると考察できる。
試料の表面近くの欠陥を反映していると考えることができる。図３５の試料９及び試料１
０の結果から、酸化物半導体膜のエネルギーギャップ内に生成される欠陥準位は、酸化物
半導体膜の表面近傍に存在する欠陥に対応するものであると考察できる。
【0483】
図３５の横軸０ｅＶ～３ｅＶの範囲において、試料８のスペクトルは、試料９及び試料
１０のスペクトルよりも強度が低いことが確認できた。従って、試料８のように、加熱に
より酸素の一部が脱離する酸化シリコン膜を酸化物半導体膜に接して設け、加熱処理をす
ることによって、酸化物半導体膜の表面近傍（酸化物半導体膜と酸化シリコン膜との界面
近傍）に存在する欠陥を修復できることが確認できた。そして、上記欠陥準位は酸化物半
導体膜に含まれる酸素欠損に対応するものであると考察できる。つまり、加熱により酸素
の一部が脱離する酸化シリコン膜を酸化物半導体膜に接して設け、加熱処理をすることに
よって、酸化物半導体膜の表面近傍の酸素欠損を修復できるといえる。
１０のスペクトルよりも強度が低いことが確認できた。従って、試料８のように、加熱に
より酸素の一部が脱離する酸化シリコン膜を酸化物半導体膜に接して設け、加熱処理をす
ることによって、酸化物半導体膜の表面近傍（酸化物半導体膜と酸化シリコン膜との界面
近傍）に存在する欠陥を修復できることが確認できた。そして、上記欠陥準位は酸化物半
導体膜に含まれる酸素欠損に対応するものであると考察できる。つまり、加熱により酸素
の一部が脱離する酸化シリコン膜を酸化物半導体膜に接して設け、加熱処理をすることに
よって、酸化物半導体膜の表面近傍の酸素欠損を修復できるといえる。
【0484】
ここでは、酸化物半導体膜上に設けた酸化シリコン膜をスパッタリング法で形成してい
るが、当該酸化シリコン膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加
熱により酸素の一部が脱離する酸化シリコン膜であれば、プラズマＣＶＤ法で形成した酸
化シリコン膜であっても酸化物半導体膜の表面近傍に存在する欠陥を修復できると考察で
きる。従って、実施の形態１など、本明細書に記載した方法で形成した酸化シリコン膜で
あれば、酸化物半導体膜の表面近傍に存在する欠陥を修復できると考察できる。
るが、当該酸化シリコン膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加
熱により酸素の一部が脱離する酸化シリコン膜であれば、プラズマＣＶＤ法で形成した酸
化シリコン膜であっても酸化物半導体膜の表面近傍に存在する欠陥を修復できると考察で
きる。従って、実施の形態１など、本明細書に記載した方法で形成した酸化シリコン膜で
あれば、酸化物半導体膜の表面近傍に存在する欠陥を修復できると考察できる。
【0485】
（参考例４）
ここでは、酸化物半導体を用いたトランジスタのソース及びドレイン間のエネルギー障
壁について説明する。
ここでは、酸化物半導体を用いたトランジスタのソース及びドレイン間のエネルギー障
壁について説明する。
【0486】
チャネル領域となる酸化物半導体膜として真性または実質的に真性の酸化物半導体膜を
用いた場合、当該酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体膜のエネ
ルギーギャップの半分程度の障壁が、ソース電極及びドレイン電極である一対の電極と酸
化物半導体膜との間で形成されると考えられる。ところが、実際には、酸化物半導体膜を
用いたトランジスタは、Ｖｇ－Ｉｄ特性において、ゲート電圧が０Ｖ付近からドレイン電
流が流れ始めるため、このような考えに問題があると示唆される。
用いた場合、当該酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体膜のエネ
ルギーギャップの半分程度の障壁が、ソース電極及びドレイン電極である一対の電極と酸
化物半導体膜との間で形成されると考えられる。ところが、実際には、酸化物半導体膜を
用いたトランジスタは、Ｖｇ－Ｉｄ特性において、ゲート電圧が０Ｖ付近からドレイン電
流が流れ始めるため、このような考えに問題があると示唆される。
【0487】
そこで、図３６（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜ＧＩと、ゲート絶縁膜ＧＩ上の酸化
物半導体膜ＯＳと、酸化物半導体膜ＯＳ上に設けられたソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ
とを有する構造のトランジスタを仮定し、該トランジスタのチャネル長（Ｌ）を変更した
場合の一点鎖線Ｈ１－Ｈ２におけるバンド構造を計算により導出した。なお、図３６（Ａ
）では、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと接する酸化物半導体膜ＯＳの領域にｎ型化さ
れた低抵抗領域ｎを設けている。つまり、当該酸化物半導体膜ＯＳには低抵抗領域ｎと、
真性または実質的に真性な領域ｉとが含まれる。なお、当該計算において、酸化物半導体
膜ＯＳは厚さ３５ｎｍ、ゲート絶縁膜ＧＩは厚さ４００ｎｍであるとして計算した。
物半導体膜ＯＳと、酸化物半導体膜ＯＳ上に設けられたソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ
とを有する構造のトランジスタを仮定し、該トランジスタのチャネル長（Ｌ）を変更した
場合の一点鎖線Ｈ１－Ｈ２におけるバンド構造を計算により導出した。なお、図３６（Ａ
）では、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと接する酸化物半導体膜ＯＳの領域にｎ型化さ
れた低抵抗領域ｎを設けている。つまり、当該酸化物半導体膜ＯＳには低抵抗領域ｎと、
真性または実質的に真性な領域ｉとが含まれる。なお、当該計算において、酸化物半導体
膜ＯＳは厚さ３５ｎｍ、ゲート絶縁膜ＧＩは厚さ４００ｎｍであるとして計算した。
【0488】
ポアソン方程式を解くことによりバンドの曲がり幅を見積もると、バンドの曲がり幅は
、デバイの遮蔽長λＤで特徴付けられる長さであることがわかった。なお、デバイの遮蔽
長λＤは下式で表すことができ、下式においてｋＢはボルツマン定数である。
、デバイの遮蔽長λＤで特徴付けられる長さであることがわかった。なお、デバイの遮蔽
長λＤは下式で表すことができ、下式においてｋＢはボルツマン定数である。
【0489】
【数2】
【0490】
上式において、酸化物半導体膜ＯＳの真性キャリア密度ｎｉを６．６×１０－９ｃｍ－
３とし、酸化物半導体膜ＯＳの比誘電率εを１５とし、温度を３００Ｋとすると、デバイ
の遮蔽長λＤは、５．７×１０１０μｍと、非常に大きな値であることがわかった。従っ
て、チャネル長がデバイの遮蔽長λＤの２倍である１．１４×１０１１μｍよりも大きけ
れば低抵抗領域ｎと、真性または実質的に真性な領域ｉとのエネルギー障壁は、酸化物半
導体膜ＯＳのエネルギーギャップの半分となることがわかる。
３とし、酸化物半導体膜ＯＳの比誘電率εを１５とし、温度を３００Ｋとすると、デバイ
の遮蔽長λＤは、５．７×１０１０μｍと、非常に大きな値であることがわかった。従っ
て、チャネル長がデバイの遮蔽長λＤの２倍である１．１４×１０１１μｍよりも大きけ
れば低抵抗領域ｎと、真性または実質的に真性な領域ｉとのエネルギー障壁は、酸化物半
導体膜ＯＳのエネルギーギャップの半分となることがわかる。
【0491】
図３７は、チャネル長が０．０３μｍ、０．３μｍ、１μｍ、１０μｍ、１００μｍ及
び１×１０１２μｍのときのバンド構造の計算結果を示す。ただし、ソース電極及びドレ
イン電極の電位はＧＮＤ（０Ｖ）に固定されている。なお、図３７中の、ｎは低抵抗領域
を示し、ｉは低抵抗領域に挟まれた真性または実質的に真性な領域を示し、一点鎖線は酸
化物半導体膜のフェルミエネルギーを示し、破線は酸化物半導体膜のｍｉｄ ｇａｐを示
す。
び１×１０１２μｍのときのバンド構造の計算結果を示す。ただし、ソース電極及びドレ
イン電極の電位はＧＮＤ（０Ｖ）に固定されている。なお、図３７中の、ｎは低抵抗領域
を示し、ｉは低抵抗領域に挟まれた真性または実質的に真性な領域を示し、一点鎖線は酸
化物半導体膜のフェルミエネルギーを示し、破線は酸化物半導体膜のｍｉｄ ｇａｐを示
す。
【0492】
図３７より、チャネル長が十分大きい１×１０１２μｍの場合、低抵抗領域と真性また
は実質的に真性な領域の電子エネルギーの差が、酸化物半導体膜のエネルギーギャップの
半分となることがわかった。ところが、チャネル長を小さくしていくと、徐々に低抵抗領
域と真性または実質的に真性な領域の電子エネルギーの差が小さくなり、チャネル長が１
μｍ以下ではほとんどエネルギー障壁がないことがわかった。なお、低抵抗領域の電子エ
ネルギーはソース電極及びドレイン電極である一対の電極によって固定される。
は実質的に真性な領域の電子エネルギーの差が、酸化物半導体膜のエネルギーギャップの
半分となることがわかった。ところが、チャネル長を小さくしていくと、徐々に低抵抗領
域と真性または実質的に真性な領域の電子エネルギーの差が小さくなり、チャネル長が１
μｍ以下ではほとんどエネルギー障壁がないことがわかった。なお、低抵抗領域の電子エ
ネルギーはソース電極及びドレイン電極である一対の電極によって固定される。
【0493】
上述したように、チャネル長が小さいとき、低抵抗領域と、真性または実質的に真性な
領域とのエネルギー障壁は十分小さくなることがわかる。
領域とのエネルギー障壁は十分小さくなることがわかる。
【0494】
ここで、チャネル長が小さいとき、低抵抗領域と、真性または実質的に真性な領域との
エネルギー障壁は十分小さくなる理由について考察する。
エネルギー障壁は十分小さくなる理由について考察する。
【0495】
酸化物半導体膜の模式図と、酸化物半導体膜におけるバンド構造について、図３８を用
いて説明する。図３８（Ａ）に、真性または実質的に真性な領域６０１と、低抵抗領域６
０２、６０３とを有する酸化物半導体膜６００のチャネル長中央における伝導帯の下端Ｅ
ｃ＿０を示す。また、酸化物半導体膜６００のチャネル長をＬ＿０とする。図３８（Ａ）
において、Ｌ＿０＞２λＤである。
いて説明する。図３８（Ａ）に、真性または実質的に真性な領域６０１と、低抵抗領域６
０２、６０３とを有する酸化物半導体膜６００のチャネル長中央における伝導帯の下端Ｅ
ｃ＿０を示す。また、酸化物半導体膜６００のチャネル長をＬ＿０とする。図３８（Ａ）
において、Ｌ＿０＞２λＤである。
【0496】
図３８（Ｂ）は、図３８（Ａ）よりもチャネル長の小さい酸化物半導体膜、及びそのバ
ンド構造を示す。図３８（Ｂ）に、真性または実質的に真性な領域６１１と、低抵抗領域
６１２、６１３とを有する酸化物半導体膜６１０のチャネル長中央における伝導帯の下端
Ｅｃ＿１を示す。また、酸化物半導体膜６１０のチャネル長をＬ＿１とする。図３８（Ｂ
）において、チャネル長Ｌ＿１＜Ｌ＿０であり、Ｌ＿１＜２λＤである。
。
ンド構造を示す。図３８（Ｂ）に、真性または実質的に真性な領域６１１と、低抵抗領域
６１２、６１３とを有する酸化物半導体膜６１０のチャネル長中央における伝導帯の下端
Ｅｃ＿１を示す。また、酸化物半導体膜６１０のチャネル長をＬ＿１とする。図３８（Ｂ
）において、チャネル長Ｌ＿１＜Ｌ＿０であり、Ｌ＿１＜２λＤである。
。
【0497】
図３８（Ｃ）は、図３８（Ａ）及び図３８（Ｂ）に示す酸化物半導体膜よりもチャネル
長の小さい酸化物半導体膜、及びそのバンド構造を示す。図３８（Ｃ）に、真性または実
質的に真性な領域６２１と、低抵抗領域６２２、６２３とを有する酸化物半導体膜６２０
のチャネル長中央における伝導帯の下端Ｅｃ＿２を示す。また、酸化物半導体膜６２０の
チャネル長をＬ＿２とする。チャネル長Ｌ＿２＜Ｌ＿１であり、Ｌ＿２＜＜２λＤである
。
長の小さい酸化物半導体膜、及びそのバンド構造を示す。図３８（Ｃ）に、真性または実
質的に真性な領域６２１と、低抵抗領域６２２、６２３とを有する酸化物半導体膜６２０
のチャネル長中央における伝導帯の下端Ｅｃ＿２を示す。また、酸化物半導体膜６２０の
チャネル長をＬ＿２とする。チャネル長Ｌ＿２＜Ｌ＿１であり、Ｌ＿２＜＜２λＤである
。
【0498】
図３８（Ａ）において、フェルミ準位Ｅｆと伝導帯の下端Ｅｃ＿０のエネルギー差をエ
ネルギー障壁ΔＨ＿０と示し、図３８（Ｂ）において、フェルミ準位Ｅｆと伝導帯の下端
Ｅｃ＿１のエネルギー差をエネルギー障壁ΔＨ＿１と示し、図３８（Ｃ）において、フェ
ルミ準位Ｅｆと伝導帯の下端Ｅｃ＿２のエネルギー差をエネルギー障壁ΔＨ＿２と示す。
ネルギー障壁ΔＨ＿０と示し、図３８（Ｂ）において、フェルミ準位Ｅｆと伝導帯の下端
Ｅｃ＿１のエネルギー差をエネルギー障壁ΔＨ＿１と示し、図３８（Ｃ）において、フェ
ルミ準位Ｅｆと伝導帯の下端Ｅｃ＿２のエネルギー差をエネルギー障壁ΔＨ＿２と示す。
【0499】
酸化物半導体膜において、一対の電極と接する領域は低抵抗領域となる。このため、真
性または実質的に真性な領域と低抵抗領域との接合部が近づく程、伝導帯の下端のエネル
ギーが低下し、湾曲する。図３８（Ａ）に示すように、チャネル長Ｌ＿０が十分大きい場
合は、エネルギー障壁ΔＨ＿０は、Ｅｇ（バンドギャップ）／２に相当する。
性または実質的に真性な領域と低抵抗領域との接合部が近づく程、伝導帯の下端のエネル
ギーが低下し、湾曲する。図３８（Ａ）に示すように、チャネル長Ｌ＿０が十分大きい場
合は、エネルギー障壁ΔＨ＿０は、Ｅｇ（バンドギャップ）／２に相当する。
【0500】
一方、図３８（Ｂ）及び図３８（Ｃ）に示すように、チャネル長が小さくなると、伝導
帯の下端Ｅｃ＿１、Ｅｃ＿２の湾曲している部分が重なるため、エネルギー障壁ΔＨ＿１
、ΔＨ＿２が、Ｅｇ／２より低くなると考えられる。このように、チャネル長が小さくな
ることにより、真性または実質的に真性な領域における伝導帯の下端の低下が生じること
を、本明細書ではＣＢＬ効果（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｂａｎｄ Ｌｏｗｅｒｉｎｇ Ｅ
ｆｆｅｃｔ）という。
帯の下端Ｅｃ＿１、Ｅｃ＿２の湾曲している部分が重なるため、エネルギー障壁ΔＨ＿１
、ΔＨ＿２が、Ｅｇ／２より低くなると考えられる。このように、チャネル長が小さくな
ることにより、真性または実質的に真性な領域における伝導帯の下端の低下が生じること
を、本明細書ではＣＢＬ効果（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｂａｎｄ Ｌｏｗｅｒｉｎｇ Ｅ
ｆｆｅｃｔ）という。
【0501】
次に、図３６（Ａ）に示した構造においてゲート絶縁膜ＧＩの下にゲート電極ＧＥを設
けた、ボトムゲート構造のトランジスタを仮定し、該トランジスタのチャネル長（Ｌ）を
変更した場合の一点鎖線Ｈ１－Ｈ２におけるバンド構造を計算により導出した。当該計算
に用いたトランジスタの構造を図３６（Ｂ）に示す。なお、当該計算において、酸化物半
導体膜ＯＳは厚さ３５ｎｍ、ゲート絶縁膜ＧＩは厚さ４００ｎｍであるとして計算した。
けた、ボトムゲート構造のトランジスタを仮定し、該トランジスタのチャネル長（Ｌ）を
変更した場合の一点鎖線Ｈ１－Ｈ２におけるバンド構造を計算により導出した。当該計算
に用いたトランジスタの構造を図３６（Ｂ）に示す。なお、当該計算において、酸化物半
導体膜ＯＳは厚さ３５ｎｍ、ゲート絶縁膜ＧＩは厚さ４００ｎｍであるとして計算した。
【0502】
図３９は、当該構造のトランジスタにおいて、チャネル長を１μｍ、１０μｍ、５０μ
ｍ、１００μｍ、１×１０５μｍ及び１×１０１２μｍのときのバンド構造の計算結果を
示す。ただし、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極の電位はＧＮＤ（０Ｖ）に固
定されている。なお、図３９中の、ｎは低抵抗領域を示し、ｉは酸化物半導体膜において
、低抵抗領域に挟まれた真性または実質的に真性な領域を示し、一点鎖線は酸化物半導体
膜のフェルミエネルギーを示し、破線は酸化物半導体膜のｍｉｄ ｇａｐを示す。
ｍ、１００μｍ、１×１０５μｍ及び１×１０１２μｍのときのバンド構造の計算結果を
示す。ただし、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極の電位はＧＮＤ（０Ｖ）に固
定されている。なお、図３９中の、ｎは低抵抗領域を示し、ｉは酸化物半導体膜において
、低抵抗領域に挟まれた真性または実質的に真性な領域を示し、一点鎖線は酸化物半導体
膜のフェルミエネルギーを示し、破線は酸化物半導体膜のｍｉｄ ｇａｐを示す。
【0503】
図３９に示したバンド構造は、図３６（Ａ）に示した構造において行った計算と同様の
計算をして得られた結果である。しかし、図３６（Ｂ）の構造のようにゲート電極を設け
た場合、チャネル長（Ｌ）が１μｍよりも大きい場合でも、低抵抗領域と、真性または実
質的に真性な領域とのエネルギー障壁は、チャネル長（Ｌ）に依存せず、おおよそ一定の
値となることがわかる。
計算をして得られた結果である。しかし、図３６（Ｂ）の構造のようにゲート電極を設け
た場合、チャネル長（Ｌ）が１μｍよりも大きい場合でも、低抵抗領域と、真性または実
質的に真性な領域とのエネルギー障壁は、チャネル長（Ｌ）に依存せず、おおよそ一定の
値となることがわかる。
【0504】
【0505】
図４０より、ゲート電極を設けていない図３６（Ａ）の構造では、チャネル長が大きく
なるにつれて、エネルギー障壁の高さは単調に増加し、チャネル長が１×１０１２μｍの
ときには、酸化物半導体膜のエネルギーギャップの半分（１．６ｅＶ）となることがわか
る。一方、ゲート電極を設けた図３６（Ｂ）の構造では、チャネル長が１μｍよりも大き
い場合でも、エネルギー障壁の高さはチャネル長に依存しないことがわかる。
なるにつれて、エネルギー障壁の高さは単調に増加し、チャネル長が１×１０１２μｍの
ときには、酸化物半導体膜のエネルギーギャップの半分（１．６ｅＶ）となることがわか
る。一方、ゲート電極を設けた図３６（Ｂ）の構造では、チャネル長が１μｍよりも大き
い場合でも、エネルギー障壁の高さはチャネル長に依存しないことがわかる。
【0506】
上記より、真性または実質的に真性の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、ＣＢＬ
効果によって、エネルギー障壁が酸化物半導体膜のエネルギーギャップの半分の値よりも
低くなることから、Ｖｇ－Ｉｄ特性においてゲート電圧が０Ｖ付近からドレイン電流が流
れ始めると考察できる。また、ある程度のチャネル長（１μｍ）よりも大きいトランジス
タのエネルギー障壁は、チャネル長に依存せず一定の値となることから、真性または実質
的に真性の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、Ｖｇ－Ｉｄ特性においてゲート電圧
が０Ｖ付近からドレイン電流が流れ始めると考察できる。
効果によって、エネルギー障壁が酸化物半導体膜のエネルギーギャップの半分の値よりも
低くなることから、Ｖｇ－Ｉｄ特性においてゲート電圧が０Ｖ付近からドレイン電流が流
れ始めると考察できる。また、ある程度のチャネル長（１μｍ）よりも大きいトランジス
タのエネルギー障壁は、チャネル長に依存せず一定の値となることから、真性または実質
的に真性の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、Ｖｇ－Ｉｄ特性においてゲート電圧
が０Ｖ付近からドレイン電流が流れ始めると考察できる。
【0507】
本発明の一態様のトランジスタに含まれる多層膜は、真性または実質的に真性の酸化物
半導体膜を有するため、当該多層膜を有するトランジスタは、Ｖｇ－Ｉｄ特性においてゲ
ート電圧が０Ｖ付近からドレイン電流が流れ始めると考察できる。
半導体膜を有するため、当該多層膜を有するトランジスタは、Ｖｇ－Ｉｄ特性においてゲ
ート電圧が０Ｖ付近からドレイン電流が流れ始めると考察できる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】