特許 7584019 共振装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-07

(45)【発行日】2024-11-15

(54)【発明の名称】共振装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 3/007 20060101AFI20241108BHJP

   H03H 9/24 20060101ALI20241108BHJP

   H03H 3/013 20060101ALI20241108BHJP

【ＦＩ】

H03H3/007 M

H03H9/24 B

H03H3/013

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2022579330

(86)(22)【出願日】2021-09-27

(86)【国際出願番号】 JP2021035307

(87)【国際公開番号】W WO2022168363

(87)【国際公開日】2022-08-11

【審査請求日】2023-07-03

(31)【優先権主張番号】P 2021016700

(32)【優先日】2021-02-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100126480

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 睦

(72)【発明者】

【氏名】福光 政和

(72)【発明者】

【氏名】樋口 敬之

【審査官】石田 昌敏

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１８／２３５３３９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００６－１８６５６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１５２４７６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０３Ｈ ３／００７－３／０６

Ｈ０３Ｈ ９／００－ ９／７４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

それぞれが上部電極及び下部電極を有する複数の共振子を有する第１基板と、前記複数の共振子を間に挟んで前記第１基板とは反対側に設けられた第２基板と、を備える集合基板であって、前記複数の共振子のそれぞれの上部電極に電気的に接続された複数の第１電源端子と、前記複数の第１電源端子のうち少なくとも２つを電気的に接続する第１連結配線と、を有する集合基板を準備することと、
前記集合基板を複数の共振装置に分割することと、
を含み、
前記複数の第１電源端子は、前記第２基板の前記第１基板とは反対側に設けられた第１金属層と、前記第１金属層を覆う第２金属層とからなり、
前記第１連結配線は、前記第１金属層のうち前記第２金属層に覆われた領域から延出した部分からなり、
前記集合基板を複数の共振装置に分割することの前に、前記第１金属層のうち前記第２金属層に覆われた領域から延出した部分を除去することをさらに含む、
共振装置の製造方法。

【請求項2】

前記複数の共振子の周波数を調整することをさらに含み、
前記複数の共振子の周波数を調整することは、前記第１連結配線を通して前記複数の共振子に電圧を印加すること、又は、前記第１連結配線を通して前記複数の共振子の周波数を測定することを含む、
請求項１に記載の共振装置の製造方法。

【請求項3】

前記第１金属層は、前記第２金属層をメッキによって設けるためのシード膜を有する、
請求項１又は２に記載の共振装置の製造方法。

【請求項4】

前記第１金属層のうち前記第２金属層に覆われた領域から延出した部分を除去することは、前記第２金属層をマスクとして用いて前記第１金属層をエッチングすることを含む、
請求項１から３のいずれか１項に記載の共振装置の製造方法。

【請求項5】

前記第２基板は、半導体基板と、前記半導体基板と前記第１金属層との間に設けられた少なくとも１つの絶縁層とを有し、
前記少なくとも１つの絶縁層は、前記集合基板の分割ラインから離間した複数の中央領域と、前記分割ラインを横断する複数の連結領域とを有する、
請求項１から４のいずれか１項に記載の共振装置の製造方法。

【請求項6】

前記集合基板は、前記複数の共振子のそれぞれの上部電極に電気的に接続され且つ前記複数の第１電源端子とは絶縁された複数の第２電源端子と、前記複数の第２電源端子のうち少なくとも２つを電気的に接続する第２連結配線とをさらに備え、
前記複数の第２電源端子は、前記第１金属層と、前記第２金属層とからなり、
前記第２連結配線は、前記第１金属層のうち前記第２金属層に覆われた領域から延出した部分からなる、
請求項１から５のいずれか１項に記載の共振装置の製造方法。

【請求項7】

前記集合基板は、前記複数の共振子のそれぞれの下部電極に電気的に接続された複数の接地端子と、前記複数の接地端子のうち少なくとも２つを電気的に接続する第３連結配線とをさらに備え、
前記複数の接地端子は、前記第１金属層と、前記第２金属層とからなり、
前記第３連結配線は、前記第１金属層のうち前記第２金属層に覆われた領域から延出した部分からなる、
請求項１から６のいずれか１項に記載の共振装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、共振装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、例えばＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて製造されたデバイスが普及している。このデバイスは、例えば集合基板（ウエハ）に複数のデバイスを形成した後、ウエハを分割して各デバイスに個片化（チップ化）している。

【0003】

例えば特許文献１には、個片化した状態で、共振子に所定の駆動電圧を印加して共振周波数を調整する周波数調整工程を行う共振装置の製造方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】国際公開第２０１７／２１２６７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１に開示された方法で製造される共振装置では、周波数調整工程のために、各共振装置の端子にプローブを接続して駆動電圧を印加する必要があり、全ての共振装置に対して周波数調整を行うのに時間がかかっていた。

【0006】

周波数調整の時間を短縮し生産性を向上させる方法として、ウエハ上の各共振装置の端子を電気的に接続する連結配線を設け、各共振装置に分割する前に一括で周波数調整を行うことが考えられる。しかしながら、各共振装置の端子と連結配線とを別々に形成した場合、製造工程の増加により生産性が低下する。また、各共振装置の端子と連結配線とを一体的に形成した場合、各共振装置に分割する工程で分割ライン上の連結配線が変形する。このとき、変形した連結配線と共振装置の別の端子とがショートし、不良品の発生により生産性が低下する場合がある。

【0007】

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、生産性が向上した共振装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一側面に係る共振装置の製造方法は、
それぞれが上部電極及び下部電極を有する複数の共振子を有する第１基板と、第１基板の複数の共振子側に接合された第２基板と、を備える集合基板であって、複数の共振子のそれぞれの上部電極に電気的に接続された複数の第１電源端子と、複数の第１電源端子のうち少なくとも２つを電気的に接続する第１連結配線と、を有する集合基板を準備することと、
集合基板を複数の共振装置に分割することと、
を含み、
複数の第１電源端子は、第２基板の第１基板とは反対側に設けられた第１金属層と、第１金属層を覆う第２金属層とからなり、
第１連結配線は、第１金属層のうち第２金属層に覆われた領域から延出した部分からなり、
集合基板を複数の共振装置に分割することの前に、第１金属層のうち第２金属層に覆われた領域から延出した部分を除去することをさらに含む。

【0009】

本発明の他の側面に係る共振装置は、
上部電極及び下部電極を有する共振子を有する第１基板と、
第１基板の共振子側に接合された第２基板と、
を備え、
第２基板は、
半導体基板と、
半導体基板の第１基板とは反対側に設けられ、上部電極の一部に電気的に接続され且つ互いに絶縁された第１電源端子及び第２電源端子と、
半導体基板の第１基板とは反対側に設けられ、下部電極に電気的に接続された接地端子と、
半導体基板と第１電源端子との間、及び、半導体基板と第２電源端子との間に設けられた絶縁層と、
を有し、
第２基板の第１基板とは反対側を平面視したとき、絶縁層は、第２基板の外縁から離間する中央領域と、中央領域から延出し第２基板の外縁に到達する連結領域と、を有する。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、生産性が向上した共振装置及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】一実施形態における共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。

【図2】図１に示した共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。

【図3】図１に示した共振子の構造を概略的に示す平面図である。

【図4】図１に示した共振装置のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面の構造を概略的に示す断面図である。

【図5】図１に示した共振子及びその周辺の配線を概略的に示す平面図である。

【図6】図１に示した上蓋の構造を概略的に示す平面図である。

【図7】一実施形態における集合基板の外観を概略的に示す分解斜視図である。

【図8】図７に示した領域Ａを拡大した部分拡大図である。

【図9】図７に示した領域Ｂを拡大した部分拡大図である。

【図10】一実施形態における共振装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図11】上側基板と下側基板とを接合した直後の集合基板の構造を概略的に示す断面図である。

【図12】分割する直前の集合基板の構造を概略的に示す断面図である。

【図13】一実施形態における集合基板の構造を概略的に示す断面図である。

【図14】一実施形態における集合基板の構造を概略的に示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下に本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本発明の技術的範囲を当該実施形態に限定して解するべきではない。

【0013】

＜共振装置＞
まず、図１及び図２を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る共振装置１の概略構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態における共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。図２は、図１に示した共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。

【0014】

図１及び図２に示すように、共振装置１は、共振子１０と、共振子１０が振動する振動空間を形成する下蓋２０及び上蓋３０と、を備えている。すなわち、共振装置１は、下蓋２０と、共振子１０と、後述する接合部６０と、上蓋３０とが、この順で積層されて構成されている。なお、本実施形態のＭＥＭＳ基板５０（下蓋２０及び共振子１０）は本発明の「第１基板」の一例に相当し、本実施形態の上蓋３０は本発明の「第２基板」の一例に相当する。

【0015】

以下において、共振装置１の各構成について説明する。なお、以下の説明では、共振装置１のうち上蓋３０が設けられている側を上（又は表）、下蓋２０が設けられている側を下（又は裏）、として説明する。

【0016】

共振子１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳ振動子である。共振子１０と上蓋３０とは、接合部６０を介して接合されている。また、共振子１０と下蓋２０は、それぞれシリコン（Ｓｉ）基板（以下、「Ｓｉ基板」という）を用いて形成されており、Ｓｉ基板同士が互いに接合されている。なお、共振子１０及び下蓋２０は、ＳＯＩ基板を用いて形成されてもよい。

【0017】

上蓋３０はＸＹ平面に沿って平板状に広がっており、その下側に例えば平たい直方体形状の凹部３１が形成されている。凹部３１は、側壁３３に囲まれており、共振子１０が振動する空間である振動空間の一部を形成する。なお、上蓋３０は、凹部３１を有さずに平板状の形状であってもよい。また、上蓋３０の凹部３１の共振子１０側の面に、アウトガスを吸着するためのゲッター層が形成されていてもよい。

【0018】

上蓋３０の上面には、２つの電源端子ＳＴ１，ＳＴ２と、接地端子ＧＴと、ダミー端子ＤＴと、が設けられている。各電源端子ＳＴ１，ＳＴ２は、共振子１０に駆動信号（駆動電圧）を与えるためのものである。各電源端子ＳＴ１，ＳＴ２は、後述する共振子１０の上部電極１２５Ａ，１２５Ｂ，１２５Ｃ，１２５Ｄに電気的に接続される。接地端子ＧＴは、共振子１０に基準電位を与えるためのものである。接地端子ＧＴは、後述する共振子１０の下部電極１２９に電気的に接続される。これに対し、ダミー端子ＤＴは、共振子１０に電気的に接続されていない。なお、本実施形態の電源端子ＳＴ１は本発明の「第１電源端子」の一例に相当し、本実施形態の電源端子ＳＴ２は本発明の「第２電源端子」の一例に相当する。

【0019】

電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、接地端子ＧＴ及びダミー端子ＤＴは、金属層ＭＬ１と、金属層ＭＬ２とが、ＳｉウエハＬ３側からこの順で積層されて構成されている。金属層ＭＬ１は、貫通電極Ｖ１，Ｖ２に接続し、金属層ＭＬ２は金属層ＭＬ１を覆っている。金属層ＭＬ１は、メッキ用のシード膜であり、例えば、スパッタによって形成されたＣｕシードとＴｉバリアメタルとが、ＳｉウエハＬ３側からこの順で積層されて構成されている。金属層ＭＬ１は本発明の「第１金属層」の一例に相当し、金属層ＭＬ２は本発明の「第２金属層」の一例に相当する。

【0020】

下蓋２０は、ＸＹ平面に沿って設けられる矩形平板状の底板２２と、底板２２の周縁部からＺ軸方向、つまり、下蓋２０と共振子１０との積層方向、に延びる側壁２３と、を有している。下蓋２０には、共振子１０と対向する面において、底板２２の上面と側壁２３の内面とによって形成される凹部２１が形成されている。凹部２１は、共振子１０の振動空間の一部を形成する。なお、下蓋２０は、凹部２１を有さずに平板状の形状であってもよい。また、下蓋２０の凹部２１の共振子１０側の面に、アウトガスを吸着するためのゲッター層が形成されてもよい。

【0021】

次に、図３を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る共振装置１における共振子１０の概略構成について説明する。図３は、図１に示した共振子の構造を概略的に示す平面図である。

【0022】

図３に示すように、共振子１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳ振動子である。共振子１０は、図３の直交座標系におけるＸＹ平面に広がる上面及び下面を有し、ＸＹ面に対して面外屈曲振動する。なお、共振子１０は、面外屈曲振動モードを用いた共振子に限定されるものではない。共振装置１の共振子は、例えば、広がり振動モード、厚み縦振動モード、ラム波振動モード、面内屈曲振動モード、表面波振動モードを用いるものであってもよい。これらの振動子は、例えば、タイミングデバイス、ＲＦフィルタ、デュプレクサ、超音波トランスデューサー、ジャイロセンサ、加速度センサ等に応用される。また、アクチュエーター機能を持った圧電ミラー、圧電ジャイロ、圧力センサ機能を持った圧電マイクロフォン、超音波振動センサ等に用いられてもよい。さらに、静電ＭＥＭＳ素子、電磁駆動ＭＥＭＳ素子、ピエゾ抵抗ＭＥＭＳ素子に適用してもよい。

【0023】

共振子１０は、振動部１２０と、保持部１４０と、保持腕１１０と、を備える。共振子１０は、例えば、ＹＺ面と平行な仮想平面Ｐに対して面対称に形成されている。つまり、振動部１２０、保持部１４０及び保持腕１１０のそれぞれの形状は、仮想平面Ｐを対称面として略面対称である。

【0024】

振動部１２０は、保持部１４０の内側に設けられており、振動部１２０と保持部１４０との間には、所定の間隔で空間が形成されている。図３に示す例では、振動部１２０は、基部１３０と４本の振動腕１３５Ａ～１３５Ｄ（以下、まとめて「振動腕１３５」ともいう）と、を有している。なお、振動腕の数は、４つに限定されるものではなく、例えば３つ以上の任意の数に設定される。本実施形態において、各振動腕１３５Ａ～１３５Ｄと、基部１３０とは、一体に形成されている。

【0025】

基部１３０は、共振子１０の上面を平面視（以下、単に「平面視」という）したときに、Ｘ軸方向に延在する長辺１３１ａ、１３１ｂ、Ｙ軸方向に延在する短辺１３１ｃ、１３１ｄを有している。長辺１３１ａは、基部１３０の前端の面（以下、「前端面１３１Ａ」ともいう）の一つの辺であり、長辺１３１ｂは基部１３０の後端の面（以下、「後端面１３１Ｂ」ともいう）の一つの辺である。短辺１３１ｃは、基部１３０の一方の側端の面（以下、「左端面１３１Ｃ」ともいう）の一つの辺であり、短辺１３１ｄは、基部１３０の他方の側端の面（以下、「右端面１３１Ｄ」ともいう）の一つの辺である。基部１３０において、前端面１３１Ａと後端面１３１Ｂとは、互いに対向するように設けられ、左端面１３１Ｃと右端面１３１Ｄとは互いに対向するように設けられている。

【0026】

基部１３０は、前端面１３１Ａにおいて、振動腕１３５に接続され、後端面１３１Ｂにおいて、後述する保持腕１１０に接続されている。長辺１３１ａ，１３１ｂのそれぞれの中点は、仮想平面Ｐ上に位置している。なお、基部１３０は、図３に示す例では平面視において、略長方形の形状を有しているがこれに限定されるものではない。基部１３０は、仮想平面Ｐに対して略面対称に形成されていればよい。例えば、基部１３０は、長辺１３１ｂが１３１ａより短い台形であってもよいし、長辺１３１ａを直径とする半円の形状であってもよい。また、基部１３０の各面は平面に限定されるものではなく、湾曲した面であってもよい。

【0027】

基部１３０において、前端面１３１Ａから後端面１３１Ｂに向かう方向における、前端面１３１Ａと後端面１３１Ｂとの最長距離である基部長は３５μｍ程度である。また、基部長方向に直交する幅方向であって、基部１３０の側端同士の最長距離である基部幅は２６５μｍ程度である。

【0028】

振動腕１３５は、Ｙ軸方向に延び、それぞれ同一のサイズを有している。振動腕１３５は、それぞれが基部１３０と保持部１４０との間にＹ軸方向に平行に設けられ、一端は、基部１３０の前端面１３１Ａと接続されて固定端となっており、他端は開放端となっている。また、振動腕１３５は、それぞれ、Ｘ軸方向に所定の間隔で、並列して設けられている。なお、振動腕１３５は、例えばＸ軸方向の幅（以下、単に「幅」ともいう）が５０μｍ程度、Ｙ軸方向の長さ（以下、単に「長さ」ともいう）が４５０μｍ程度である。

【0029】

例えば、振動腕１３５の開放端からＹ軸方向に１５０μｍ程度の部位の幅が、振動腕１３５の他の部位の幅よりも広くなっている。この幅が広くなった部位は、錘部Ｇと呼ばれる。錘部Ｇは、例えば、振動腕１３５の他の部位よりも、Ｘ軸方向に沿って左右に１０μｍずつ突出し、例えば錘部Ｇの幅は７０μｍ程度である。錘部Ｇは、振動腕１３５と同一プロセスによって一体形成される。錘部Ｇが形成されることで、振動腕１３５における単位長さ当たりの重さが、固定端側よりも開放端側の方で重くなっている。従って、振動腕１３５のそれぞれが開放端側に錘部Ｇを有することで、各振動腕における上下方向の振動の振幅を大きくすることができる。

【0030】

振動部１２０の上面（上蓋３０に対向する面）には、その全面を覆うように後述の保護膜２３５が形成されている。また、振動腕１３５Ａ～１３５Ｄの開放端側の先端における保護膜２３５の上面には、それぞれ、周波数調整膜２３６が形成されている。周波数調整膜２３６は、例えば、錘部Ｇの上面側の略全面に設けられている。保護膜２３５及び周波数調整膜２３６を上面側からトリミングする除去加工によって、振動部１２０の共振周波数を調整することができる。

【0031】

保持部１４０は、ＸＹ平面に沿って振動部１２０の外側を囲むように、矩形の枠状に形成される。保持部１４０は、振動部１２０の＋Ｙ軸方向側に設けられた前枠体１４１ａと、振動部１２０の－Ｙ軸方向側に設けられた後枠体１４１ｂと、振動部１２０の－Ｘ軸方向側に設けられた左枠体１４１ｃと、振動部１２０の＋Ｘ軸方向側に設けられた右枠体１４１ｄと、を有している。なお、保持部１４０は、振動部１２０の周囲の少なくとも一部に設けられていればよく、枠状の形状に限定されるものではない。

【0032】

保持腕１１０は、保持部１４０の内側に設けられ、振動部１２０と保持部１４０とを接続する。保持腕１１０は、基部１３０が面外屈曲振動できるように、振動部１２０を保持している。保持腕１１０は、左保持腕１１０ａと、右保持腕１１０ｂとを有している。例えば、左保持腕１１０ａの一端は基部１３０の後端面１３１Ｂに接続し、左保持腕１１０ａの他端は保持部１４０の左枠体１４１ｃに接続している。右保持腕１１０ｂの一端は基部１３０の後端面１３１Ｂに接続し、右保持腕１１０ｂの他端は保持部１４０の右枠体１４１ｄに接続している。左保持腕１１０ａ及び右保持腕１１０ｂのそれぞれの基部１３０に接続する部分の幅は、基部１３０の幅よりも小さい。

【0033】

次に、図４を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る共振装置１の積層構造について説明する。図４は、図１に示した共振装置１のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面の構造を概略的に示す断面図である。

【0034】

図４に示すように、共振装置１は、下蓋２０上に共振子１０が接合され、さらに共振子１０と上蓋３０とが接合される。このように下蓋２０と上蓋３０との間に共振子１０が保持され、下蓋２０と上蓋３０と共振子１０の保持部１４０とによって、振動部１２０が振動する振動空間が形成される。

【0035】

下蓋２０は、シリコン（Ｓｉ）ウエハ（以下、「Ｓｉウエハ」という）Ｌ１によって、一体的に形成されている。Ｚ軸方向に規定される下蓋２０の厚みは、例えば１５０μｍ程度である。なお、ＳｉウエハＬ１は、縮退されていないシリコンを用いて形成されており、その抵抗率は、例えば１６ｍΩ・ｃｍ以上である。

【0036】

共振子１０における、保持部１４０、基部１３０、振動腕１３５、及び保持腕１１０は、同一プロセスで一体的に形成される。共振子１０は、基板の一例であるシリコン（Ｓｉ）基板（以下、「Ｓｉ基板」という）Ｆ２の上に、Ｓｉ基板Ｆ２の上面を覆うように下部電極１２９が形成されている。下部電極１２９の上には、下部電極１２９を覆うように圧電薄膜Ｆ３が形成されている。圧電薄膜Ｆ３の上には、４つの上部電極１２５Ａ，１２５Ｂ，１２５Ｃ，１２５Ｄ（以下、まとめて「上部電極１２５」ともいう）が積層されている。上部電極１２５の上には、上部電極１２５を覆うように保護膜２３５が積層されている。保護膜２３５の上には、互いに電気的に離間するように、導電層ＣＬ、上部配線ＵＷ１，ＵＷ２が設けられている。

【0037】

下部電極１２９は、Ｓｉ基板Ｆ２の上面において略全体に形成され、共振子１０の外縁まで延在している。これにより、個片化（チップ化）する前の、後述する集合基板１００の状態において、隣り合う共振装置１の下部電極１２９を互いに接続させることで、複数の共振装置１の下部電極１２９を導通することが可能となる。

【0038】

Ｓｉ基板Ｆ２は、例えば、厚さ６μｍ程度の縮退したｎ型シリコン（Ｓｉ）半導体から形成されていてもよい。縮退シリコン（Ｓｉ）は、ｎ型ドーパントとしてリン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等を含むことができる。Ｓｉ基板Ｆ２に用いられる縮退シリコン（Ｓｉ）の抵抗値は、例えば１６ｍΩ・ｃｍ未満であり、より好ましくは１．２ｍΩ・ｃｍ以下である。なお、Ｓｉ基板Ｆ２の上面及び下面の少なくとも一方に、温度特性補正層の一例として、酸化ケイ素（例えばＳｉＯ_２）層が形成されていてもよい。

【0039】

このように、Ｓｉ基板Ｆ２が、縮退シリコン（Ｓｉ）であることにより、例えば低抵抗値である縮退シリコン基板を用いることで、Ｓｉ基板Ｆ２自体が下部電極の役割を兼ねることが可能であり、下部電極１２９を省略することができる。この場合、集合基板１００の状態において、隣り合う共振装置１でＳｉ基板Ｆ２を共用することで、複数の共振装置１のＳｉ基板Ｆ２、つまり、下部電極を導通することが可能となる。

【0040】

また、下部電極１２９及び上部電極１２５は、厚さが、例えば０．１μｍ以上０．２μｍ以下程度であり、エッチング等によって所望の形状にパターニングされる。下部電極１２９及び上部電極１２５は、結晶構造が体心立方構造である金属が用いられる。具体的には、下部電極１２９及び上部電極１２５は、Ｍｏ（モリブデン）、タングステン（Ｗ）等を用いて形成される。

【0041】

圧電薄膜Ｆ３は、電気的エネルギーと機械的エネルギーとを相互に変換する圧電体の薄膜である。圧電薄膜Ｆ３は、結晶構造がウルツ鉱型六方晶構造を持つ材料を用いて形成されており、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化スカンジウムアルミニウム（ＳｃＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）等の窒化物や酸化物を主成分とすることができる。なお、窒化スカンジウムアルミニウムは、窒化アルミニウムにおけるアルミニウムの一部がスカンジウムに置換されたものであり、スカンジウムの代わりにマグネシウム（Ｍｇ）及びニオブ（Ｎｂ）やマグネシウム（Ｍｇ）及びジルコニウム（Ｚｒ）等の２元素で置換されていてもよい。また、圧電薄膜Ｆ３は、例えば１μｍの厚さを有するが、０．２μｍ以上２μｍ以下程度の厚さを有することも可能である。

【0042】

圧電薄膜Ｆ３は、下部電極１２９及び上部電極１２５によって圧電薄膜Ｆ３に印加される電界に応じて、ＸＹ平面の面内方向のうちＹ軸方向に伸縮する。この圧電薄膜Ｆ３の伸縮によって、振動腕１３５は、下蓋２０及び上蓋３０の内面に向かってその自由端を変位させ、面外の屈曲振動モードで振動する。

【0043】

本実施形態では、外側の振動腕１３５Ａ，１３５Ｄの上部電極１２５Ａ，１２５Ｄに印加される電界の位相と、内側の振動腕１３５Ｂ，１３５Ｃの上部電極１２５Ｂ，１２５Ｃに印加される電界の位相とが互いに逆位相になるように設定される。これにより、外側の振動腕１３５Ａ，１３５Ｄと内側の振動腕１３５Ｂ，１３５Ｃとが互いに逆方向に変位する。例えば、外側の振動腕１３５Ａ，１３５Ｄが上蓋３０の内面に向かって自由端を変位すると、内側の振動腕１３５Ｂ，１３５Ｃは下蓋２０の内面に向かって自由端を変位する。これにより、外側の振動腕１３５Ａと内側の振動腕１３５Ｂとの間をＹ軸方向に延びる回転軸を中心とした第１の回転モーメントが発生する。また、外側の振動腕１３５Ｄと内側の振動腕１３５Ｃとの間をＹ軸方向に延びる回転軸を中心とした、第１の回転モーメントとは逆向きの第２の回転モーメントが発生する。第１及び第２の回転モーメントは基部１３０にも作用し、基部１３０は、下蓋２０及び上蓋３０の内面に向かってその左端面１３１Ｃ及び右端面１３１Ｄを変位させ、面外の屈曲振動モードで振動する。

【0044】

保護膜２３５は、上部電極１２５の酸化を防ぐ。保護膜２３５は、エッチングによる質量低減の速度が周波数調整膜２３６より遅い材料によって形成されることが好ましい。質量低減速度は、エッチング速度、つまり、単位時間あたりに除去される厚みと密度との積により表される。保護膜２３５は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化スカンジウムアルミニウム（ＳｃＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）等の圧電膜の他、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁膜で形成される。保護膜２３５の厚さは、例えば０．２μｍ程度である。

【0045】

周波数調整膜２３６は、振動部１２０の略全面に形成された後、エッチング等の加工によって所定の領域のみに形成される。周波数調整膜２３６は、エッチングによる質量低減の速度が保護膜２３５より速い材料により形成される。具体的には、周波数調整膜２３６は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）等の金属を用いて形成される。

【0046】

なお、保護膜２３５と周波数調整膜２３６とは、質量低減速度の関係が前述の通りであれば、エッチング速度の大小関係は任意である。

【0047】

導電層ＣＬは、下部電極１２９に接触するように形成される。具体的には、導電層ＣＬと下部電極１２９との接続にあたり、下部電極１２９が露出するように、下部電極１２９上に積層された圧電薄膜Ｆ３及び保護膜２３５の一部が除去され、ビアが形成される。このビアの内部に下部電極１２９と同様の材料が充填され、下部電極１２９と導電層ＣＬとが接続される。

【0048】

上部配線ＵＷ１は、図示しない下部配線（後述する下部配線ＬＷ１）を介して、内側の振動腕１３５Ｂ，１３５Ｃの上部電極１２５Ｂ，１２５Ｃに電気的に接続している。上部配線ＵＷ２は、図示しない下部配線（後述する下部配線ＬＷ２１，ＬＷ２２）を介して、外側の振動腕１３５Ａ，１３５Ｄの上部電極１２５Ａ，１２５Ｄに電気的に接続している。上部配線ＵＷ１，ＵＷ２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）等の金属を用いて形成される。

【0049】

共振子１０と上蓋３０との間には、接合部６０が、ＸＹ平面に沿って略矩形の環状に形成される。接合部６０は、共振子１０の振動空間を封止するように、ＭＥＭＳ基板５０と上蓋３０とを接合する。これにより、振動空間は気密に封止され、真空状態が維持される。

【0050】

接合部６０は、導電性を有しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アルミニウム（Ａｌ）とゲルマニウム（Ｇｅ）とが共晶接合した合金等の金属を用いて形成される。なお、接合部６０は、金（Ａｕ）膜及び錫（Ｓｎ）膜等によって形成されてもよいし、金（Ａｕ）とシリコン（Ｓｉ）、金（Ａｕ）と金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）等の組合せで形成されてもよい。また、密着性を向上させるために、接合部６０は、積層された層間に、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）等が薄く挟まれていてもよい。

【0051】

接合部６０は、ＭＥＭＳ基板５０（下蓋２０及び共振子１０）の上面において、外縁から所定の距離、例えば２０μｍ程度を空けて配置されている。これにより、接合部６０が所定の距離を空けない場合に発生し得る分割不良に伴う突起（バリ）やダレ等の共振装置１の製品不良を抑制することができる。

【0052】

上蓋３０は、所定の厚みのＳｉウエハＬ３によって形成されている。ＳｉウエハＬ３は、本発明の「半導体基板」の一例に相当する。上蓋３０は、その周辺部（側壁３３）で、接合部６０によって共振子１０と接合されている。上蓋３０において、電源端子ＳＴ１，ＳＴ２及び接地端子ＧＴが設けられる上面、共振子１０に対向する下面、及び貫通電極Ｖ１，Ｖ２の側面は、酸化ケイ素膜Ｌ３１に覆われていることが好ましい。酸化ケイ素膜Ｌ３１は、例えばＳｉウエハＬ３の表面の酸化や、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、ＳｉウエハＬ３の表面に形成される。

【0053】

なお、上蓋３０の上面において、酸化ケイ素膜Ｌ３１はその全面を覆う必要はなく、少なくとも、ＳｉウエハＬ３と電源端子ＳＴ１との間、ＳｉウエハＬ３と電源端子ＳＴ２との間、ＳｉウエハＬ３と接地端子ＧＴとの間に設けられていればよい。上蓋３０の上面の酸化ケイ素膜Ｌ３１は、本発明の「絶縁層」の一例に相当する。

【0054】

貫通電極Ｖ１，Ｖ２は、上蓋３０に形成された貫通孔に導電性材料が充填されて形成される。充填される導電性材料は、例えば、不純物ドープされた多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、不純物ドープされた単結晶シリコン等である。貫通電極Ｖ１は、電源端子ＳＴ１と端子Ｔ１’とを電気的に接続する配線としての役割を果たし、貫通電極Ｖ２は、電源端子ＳＴ２と端子Ｔ２’とを電気的に接続する配線としての役割を果たす。

【0055】

上蓋３０の上面（共振子１０と対向する面と反対側の面）には、電源端子ＳＴ１，ＳＴ２と、接地端子ＧＴと、が形成されている。また、上蓋３０の下面（共振子１０と対向する面）には、端子Ｔ１’、Ｔ２’と、接地配線ＧＷと、が形成されている。電源端子ＳＴ１、貫通電極Ｖ１、及び端子Ｔ１’は、酸化ケイ素膜Ｌ３１によって、ＳｉウエハＬ３から電気的に絶縁されている。他方、上蓋３０と共振子１０とが接合する際に、端子Ｔ１’と上部配線ＵＷ１とが接続することによって、電源端子ＳＴ１は、上部配線ＵＷ１に電気的に接続される。前述したように、上部配線ＵＷ１は上部電極１２５Ｂ，１２５Ｃに電気的に接続するので、電源端子ＳＴ１は、共振子１０の上部電極１２５Ｂ，１２５Ｃに電気的に接続される。

【0056】

電源端子ＳＴ２は、貫通電極Ｖ２及び端子Ｔ２’を介して、上部配線ＵＷ２に電気的に接続されている。電源端子ＳＴ２、貫通電極Ｖ２、及び端子Ｔ２’は、酸化ケイ素膜Ｌ３１によって、ＳｉウエハＬ３から電気的に絶縁されている。他方、上蓋３０と共振子１０とが接合する際に、端子Ｔ２’と上部配線ＵＷ２とが接続することによって、電源端子ＳＴ２は、上部配線ＵＷ２に電気的に接続される。前述したように、上部配線ＵＷ２は上部電極１２５Ａ，１２５Ｄに電気的に接続するので、電源端子ＳＴ２は、共振子１０の上部電極１２５Ａ，１２５Ｄに電気的に接続される。

【0057】

接地端子ＧＴは、ＳｉウエハＬ３に接触するように形成される。具体的には、エッチング等の加工によって酸化ケイ素膜Ｌ３１の一部が除去され、露出したＳｉウエハＬ３の上に接地端子ＧＴが形成される。同様に、接地配線ＧＷは、ＳｉウエハＬ３に接触するように形成される。具体的には、エッチング等の加工によって酸化ケイ素膜Ｌ３１の一部が除去され、露出したＳｉウエハＬ３の上に接地配線ＧＷが形成される。

【0058】

接地端子ＧＴ及び接地配線ＧＷは、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属を用いて形成される。形成された金属にアニール処理（熱処理）を行うことによって、接地端子ＧＴ及び接地配線ＧＷは、ＳｉウエハＬ３に対してオーミック接触する。これにより、接地端子ＧＴと接地配線ＧＷとが、ＳｉウエハＬ３を介して電気的に接続される。

【0059】

上蓋３０と共振子１０とが接合する際に、接地配線ＧＷと導電層ＣＬとが接続することによって、接地端子ＧＴは、導電層ＣＬに電気的に接続される。前述したように、導電層ＣＬは下部電極１２９に電気的に接続するので、接地端子ＧＴは、共振子１０の下部電極１２９に電気的に接続される。

【0060】

このように、接地端子ＧＴが、接地配線ＧＷ及び導電層ＣＬを介して下部電極１２９に電気的に接続されることにより、接地端子ＧＴが共振子１０に基準電位を容易に与える（加える）ことができる。

【0061】

次に、図５を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る共振装置１における共振子１０とその周辺の配線について説明する。図５は、図１に示した共振子及びその周辺の配線を概略的に示す平面図である。

【0062】

図５に示すように、上部電極１２５Ａは振動腕１３５Ａに設けられ、上部電極１２５Ｂは振動腕１３５Ｂに設けられ、上部電極１２５Ｃは振動腕１３５Ｃに設けられ、上部電極１２５Ｄは振動腕１３５Ｄに設けられている。端子Ｔ１’は、上蓋３０の電源端子ＳＴ１に形成される貫通電極Ｖ１と、共振子１０の保護膜２３５上に形成される上部配線ＵＷ１と、を電気的に接続する。上部配線ＵＷ１は、保護膜２３５によって覆われた下部配線ＬＷ１に電気的に接続する。下部配線ＬＷ１は、引き回されて、振動腕１３５Ｂの上部電極１２５Ｂ及び振動腕１３５Ｃの上部電極１２５Ｃに電気的に接続している。

【0063】

端子Ｔ２’は、上蓋３０の電源端子ＳＴ２に形成される貫通電極Ｖ２と、共振子１０の保護膜２３５上に形成される上部配線ＵＷ２と、を電気的に接続する。上部配線ＵＷ２は、保護膜２３５によって覆われた下部配線ＬＷ２１、ＬＷ２２に電気的に接続する。下部配線ＬＷ２１は、引き回されて、振動腕１３５Ｄの上部電極１２５Ｄに電気的に接続している。下部配線ＬＷ２２は、引き回されて、振動腕１３５Ａの上部電極１２５Ａに電気的に接続している。

【0064】

図５から明らかなように、電源端子ＳＴ１と上部電極１２５Ｂ，１２５Ｃとを電気的に接続する上部配線ＵＷ１及び下部配線ＬＷ１は、電源端子ＳＴ２と上部電極１２５Ａ，１２５Ｄとを電気的に接続する上部配線ＵＷ２及び下部配線ＬＷ２１，ＬＷ２２とは、引き回される長さ（距離）が異なるため、面積が異なる。

【0065】

下部配線ＬＷ１は、ダミー配線ＤＷを含む。ダミー配線ＤＷは、電気的に接続されるものでなく、下部配線ＬＷ１の対称性を図りつつ、その面積を増やすものである。これにより、振動腕１３５の振動の対称性を保つことが可能となるとともに、上部配線ＵＷ１、下部配線ＬＷ１、上部配線ＵＷ２、及び下部配線ＬＷ２１，ＬＷ２２の面積によって発生する容量のアンバランスを、ダミー配線ＤＷの面積で調整することが可能となる。

【0066】

貫通電極Ｖ３は、貫通電極Ｖ１，Ｖ２と同様に、上蓋３０に形成された貫通孔に導電性材料が充填されて形成される。充填される導電性材料は、例えば、不純物ドープされた多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、不純物ドープされた単結晶シリコン等である。貫通電極Ｖ３は、上蓋３０の上面に形成される接地端子ＧＴと共振子１０の上に環状に形成された接合部６０とを電気的に接続する配線としての役割を果たす。このように、接地端子ＧＴが、下部電極１２９に接続されるとともに、接合部６０に電気的に接続されることにより、図４に示した積層構造において、接合部６０と下部電極１２９との間に発生し得る寄生容量を低減することができる。

【0067】

また、接合部６０は、連結部材６５を含んでいる。連結部材６５は、例えば接合部６０の角部に形成され、共振子１０の外縁まで延在している。これにより、後述する集合基板１００の状態において、対角に配置された共振装置１の連結部材６５を互いに接続させることで、連結部材６５を介して下部電極１２９同士を導通することが可能となる。

【0068】

なお、連結部材６５は、接合部６０の角部に形成される場合に限定されるものではない。例えば、平面視における略矩形の長辺又は短辺から突出して共振子１０の外縁まで延在していてもよい。また、接合部６０が含む連結部材６５は、１つである場合に限定されず、２以上の複数であってもよい。

【0069】

次に、図６を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る上蓋３０の上面側の構造について説明する。図６は、図１に示した上蓋の構造を概略的に示す平面図である。

【0070】

図６に示すように、電源端子ＳＴ１は、電源パッドＰＤ１と、電源配線ＳＬ１と、を含む。電源パッドＰＤ１は、上蓋３０の上面において、Ｘ軸正方向側、かつ、Ｙ軸正方向側の角部に配置されている。また、上蓋３０の上面を平面視（共振子の上面を平面視したときと同様であるため、以下、単に「平面視」という）したときに、切欠きＣＯ１を含む形状を有している。電源配線ＳＬ１は、一端部（図６おける右端部）が電源パッドＰＤ１に接続し、後述する接地パッドＰＤ３の近くまで延在している。また、電源配線ＳＬ１の他端部（図６おいて左端部）には、前述した貫通電極Ｖ１が形成される。

【0071】

電源端子ＳＴ２は、電源パッドＰＤ２を含む。電源パッドＰＤ２は、上蓋３０の上面において、Ｘ軸負方向側、かつ、Ｙ軸負方向側の角部に配置されている。また、平面視において、電源パッドＰＤ２は略矩形の形状を有している。さらに、電源パッドＰＤ２は、Ｘ軸正方向に突出する部分を有している。当該部分には、前述した貫通電極Ｖ２が形成される。

【0072】

接地端子ＧＴは、接地パッドＰＤ３と、接地配線ＧＬ３と、を含む。上蓋３０の上面において、接地パッドＰＤ３は、Ｘ軸正方向側、かつ、Ｙ軸負方向側の角部に配置されている。また、平面視において、接地パッドＰＤ３は略矩形の形状を有している。接地配線ＧＬ３は、一端部（図６おける下端部）が接地パッドＰＤ３に接続し、他端部（図６における上端部）に、前述した貫通電極Ｖ３が形成される。

【0073】

ダミー端子ＤＴは、共振子１０に電気的に接続されない端子である。ダミー端子ＤＴは、ダミーパッドＤＤのみを含む。上蓋３０の上面において、ダミーパッドＤＤは、Ｘ軸負方向側、かつ、Ｙ軸正方向側の角部に配置されている。平面視において、ダミーパッドＤＤは略矩形の形状を有している。

【0074】

図６から明らかなように、電源端子ＳＴ１が電源パッドＰＤ１及び電源配線ＳＬ１を含む一方、電源端子ＳＴ２は電源パッドＰＤ２のみを含むので、電源端子ＳＴ１と電源端子ＳＴ２とは、その面積が異なっている。より詳細には、電源端子ＳＴ１と接地端子ＧＴとの間に発生する容量と電源端子ＳＴ２と接地端子ＧＴとの間に発生する容量とが近似するように、電源端子ＳＴ１の面積と電源端子ＳＴ２の面積とが異なる。これにより、電源端子ＳＴ１と接地端子ＧＴとの間に発生する容量と電源端子ＳＴ２と接地端子ＧＴとの間に発生する容量との差の絶対値が低減する。従って、電源端子ＳＴ１と接地端子ＧＴとの間に発生する容量と電源端子ＳＴ２と接地端子ＧＴとの間に発生する容量とのアンバランスを抑制することができる。

【0075】

また、平面視において、電源端子ＳＴ２の電源パッドＰＤ２は、略矩形の形状を有しているのに対し、電源端子ＳＴ１の電源パッドＰＤ１は、切欠きＣＯ１を含む形状を有している。このように、電源端子ＳＴ１の形状と電源端子ＳＴ２の形状とが異なることにより、互いに面積の異なる電源端子ＳＴ１及び電源端子ＳＴ２を容易に実現できる。なお、電源パッドＰＤ２、接地パッドＰＤ３及びダミーパッドＤＤの少なくとも１つが切欠きを含む形状であってもよい。

【0076】

平面視において、本発明の「絶縁層」の一例である酸化ケイ素膜Ｌ３１は、上蓋３０の外縁から離間する中央領域ＣＲと、中央領域ＣＲから延出し上蓋３０の外縁に到達する連結領域ＬＲとを有している。中央領域ＣＲは、電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、接地端子ＧＴ及びダミー端子ＤＴの全面と重なっている。連結領域ＬＲは、電源端子ＳＴ１の電源パッドＰＤ１、電源端子ＳＴ２の電源パッドＰＤ２、接地端子ＧＴの接地パッドＰＤ３、及び、ダミー端子ＤＴのダミーパッドＤＤの間の領域の延長線上に設けられている。連結領域ＬＲの面積は、中央領域ＣＲの面積よりも小さい。連結領域ＬＲの延出方向と直交する方向の幅（以下、単に「幅」という）は、各パッドＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，ＤＤの幅よりも小さく、隣り合う端子の間の領域の幅よりも小さい。この連結領域ＬＲの幅は、後述する連結配線ＬＬ１，ＬＬ２の幅以上の大きさであればよく、小さければ小さいほど好ましい。なお、後述する集合基板１００の状態において、隣り合う共振装置１の連結領域ＬＲは連続している。

【0077】

本発明の「絶縁層」は、複数の絶縁膜からなる多層膜であってもよい。このような多層膜の場合、少なくとも１つの絶縁膜が上蓋３０の外縁から離間すればよく、その他の絶縁膜は上蓋３０の外縁まで延在してもよい。

【0078】

＜集合基板＞
次に、図７から図９を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る集合基板１００の概略構成について説明する。図７は、一実施形態における集合基板１００の外観を概略的に示す分解斜視図である。図８は、図７に示した領域Ａを拡大した部分拡大図である。図９は、図７に示した領域Ｂを拡大した部分拡大図である。なお、図８に示す分割ラインＬＮ１は、図９に示す分割ラインＬＮ１に対応し、図８に示す分割ラインＬＮ２は、図９に示す分割ラインＬＮ２に対応するものである。

【0079】

本実施形態の集合基板１００は、前述した共振装置１を製造するためのものである。図７に示すように、この集合基板１００は、上側基板１３と、下側基板１４とを備えている。上側基板１３及び下側基板１４は、それぞれ、平面視において円形の形状を有している。下側基板１４は、複数の共振子１０を含んでいる。上側基板１３は、下面が複数の共振子１０を間に挟んで下側基板１４と対向するように配置されている。なお、本実施形態の下側基板１４は、本発明の「第１基板」の一例に相当し、本実施形態の上側基板１３は、本発明の「第２基板」の一例に相当する。

【0080】

図８に示すように、上側基板１３の上面には、複数の電源端子ＳＴ１，ＳＴ２と、複数の接地端子ＧＴと、複数のダミー端子ＤＴとが形成されている。電源端子ＳＴ１、電源端子ＳＴ２、接地端子ＧＴ、及びダミー端子ＤＴの４つの端子の組は、上側基板１３の上面の全体にアレイ状に配置されている。具体的には、この組が行方向（図８におけるＹ軸に沿う方向）及び列方向（図８におけるＸ軸に沿う方向）に、それぞれ所定の間隔で、複数配置されている。

【0081】

また、上側基板１３の上面には、複数の連結配線ＬＬ１、ＬＬ２（以下、まとめて「連結配線ＬＬ」ともいう）が形成されている。各連結配線ＬＬ１は、電源端子ＳＴ１に電気的に接続され、列方向（図８におけるＸ軸に沿う方向）に延在している。また、各連結配線ＬＬ２は、連結配線ＬＬ１に電気的に接続され、行方向（図８におけるＹ軸に沿う方向）に延在している。複数の連結配線ＬＬは、金属層ＭＬ１のうち第２金属層ＭＬ２に覆われた領域から延出した部分によって形成されている。つまり、複数の電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、複数の接地端子ＧＴ、複数のダミー端子ＤＴ、及び、複数の連結配線ＬＬに亘り連続した金属層ＭＬ１が形成されており、金属層ＭＬ１のうち複数の電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、複数の接地端子ＧＴ、及び、複数のダミー端子ＤＴに相当する領域が金属層ＭＬ２に覆われている。

【0082】

図８に示す分割ラインＬＮ１，ＬＮ２（以下、まとめて「分割ラインＬＮ」ともいう）は、集合基板１００、つまり、上側基板１３及び下側基板１４を、切削等することで複数の共振装置１に分割するためのものであり、スクライブラインとも呼ばれる。分割ラインＬＮの幅は、例えば５μｍ以上２０μｍ以下である。

【0083】

上側基板１３の上面において、各連結配線ＬＬ１は、Ｙ軸に平行な分割ラインＬＮ２を超えて延在し、各連結配線ＬＬ２は、Ｘ軸に平行な分割ラインＬＮ１を超えて延在している。これにより、個片化（チップ化）する前の、集合基板１００の状態において、隣り合う共振装置１の連結配線ＬＬが互い接続するので、電源端子ＳＴ１及び連結配線ＬＬを介して複数の共振装置１の上部電極１２５Ｂ，１２５Ｃを導通することが可能となる。従って、電源端子ＳＴ１と接地端子ＧＴとに２本プローブを接触させることで複数の共振装置１を一括して通電することができ、周波数調整や導通検査等の通電を伴う作業を短時間かつ簡易に行うことができる。

【0084】

平面視したとき、分割ラインＬＮのうち連結配線ＬＬと重なる部分には、絶縁層の連結領域ＬＲが設けられているため、連結配線ＬＬとＳｉウエハＬ３とのショート不良の発生を抑制することができる。また、分割ラインＬＮのうち連結配線ＬＬと重なる部分の外側ではＳｉウエハＬ３が露出しているため、ＳｉウエハＬ３に比べて切断し難い絶縁層を避けて集合基板１００を分割することができる。したがって、ダイシング不良を抑制することができる。

【0085】

なお、図８では、上蓋３０の上面に連結配線ＬＬ１及び連結配線ＬＬ２の２種類が形成される例を示したが、これに限定されるものではない。連結配線は、例えば、１種類又は３種類以上設けられていてもよい。また、複数の電源端子ＳＴ２を互いに電気的に接続する連結配線が設けられてもよく、複数の接地端子ＧＴを互いに電気的に接続する連結配線が設けられてもよい。複数の電源端子ＳＴ２を連結する連結配線を設けたとすると、集合基板１００において通電を伴う作業をさらに短時間かつ簡易に行うことができる。また、複数の接地端子ＧＴを連結する連結配線を設けたとすると、連結部材６５を省略したとしても、集合基板１００において通電を伴う作業をさらに短時間かつ簡易に行うことができる。

【0086】

図９に示すように、下側基板１４の上面には、複数のデバイスＤＥと、複数の接合部６０とが形成されている。各デバイスＤＥは、前述した共振子１０のうちの主要部、例えば振動部１２０及び保持腕１１０に対応する。各接合部６０は、共振子１０の保持部１４０の領域に設けられる。また、各接合部６０は、矩形状の角部のそれぞれに、連結部材６５を含んでいる。デバイスＤＥ及び接合部６０の組は、下側基板１４の上面の全体にアレイ状に配置されている。具体的には、この組が行方向（図９におけるＹ軸に沿う方向）及び列方向（図９におけるＸ軸に沿う方向）に、それぞれ所定の間隔で、複数配置されている。

【0087】

各連結部材６５は、分割ラインＬＮを超えて延在している。すなわち、ある接合部の連結部材６５は、隣り合う複数の接合部６０のうち、互いに角部が対向する接合部６０の連結部材６５と連結する。この結果、複数の接合部６０は、連結部材６５によって、互いに電気的に接続される。

【0088】

＜ＭＥＭＳデバイスの製造方法＞
次に、図１０～図１２を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る共振装置１の製造方法について説明する。図１０は、一実施形態における共振装置１の製造方法Ｓ１００を示すフローチャートである。図１１は、上側基板１３と下側基板１４とを接合した直後の集合基板の構造を概略的に示す断面図である。図１２は、分割する直前の集合基板の構造を概略的に示す断面図である。

【0089】

図１０に示すように、まず、共振装置１の上蓋３０に対応する上側基板１３を準備する（Ｓ１１０）。

【0090】

上側基板１３は、Ｓｉ基板を用いて形成されている。具体的には、上側基板１３は、図４に示した所定の厚みのＳｉウエハＬ３によって形成されている。ＳｉウエハＬ３の上面、下面（共振子１０に対向する面）及び貫通電極Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の側面は、酸化ケイ素膜Ｌ３１に覆われている。酸化ケイ素膜Ｌ３１は、例えばＳｉウエハＬ３の表面の酸化や、化学気相蒸着（ＣＶＤ:Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、ＳｉウエハＬ３の表面に形成される。

【0091】

上側基板１３の上面には、複数の電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、複数の接地端子ＧＴ、複数のダミー端子ＤＴ、及び複数の連結配線ＬＬが形成されている。具体的には、酸化ケイ素膜Ｌ３１の中央領域ＣＲ上に、複数の電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、複数の接地端子ＧＴ、及び複数のダミー端子ＤＴが形成され、酸化ケイ素膜Ｌ３１の中央領域ＣＲから連結領域ＬＲに亘って複数の連結配線ＬＬが形成されている。

【0092】

複数の電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、複数の接地端子ＧＴ、及び、複数のダミー端子ＤＴを形成する工程では、まず、シード膜となる金属層ＭＬ１をスパッタによって形成する。具体的には、酸化ケイ素膜Ｌ３１の上にＣｕシードを形成し、Ｃｕシードの上にＴｉバリアメタルを形成する。次に、金属層ＭＬ１（シード膜）を電解メッキし、Ｎｉ－Ａｕメッキ膜からなる金属層ＭＬ２を形成する。金属層ＭＬ２は、複数の電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、複数の接地端子ＧＴ、及び、複数のダミー端子ＤＴとなる領域に形成される。次に、金属層ＭＬ２から露出した金属層ＭＬ１のうち、複数の連結配線ＬＬとして用いる部分以外をエッチングによって除去する。つまり、第２金属層（メッキ膜）に覆われた領域から延出した第１金属層（シード膜）によって複数の連結配線ＬＬを形成する。このように、複数の電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、複数の接地端子ＧＴ、及び複数のダミー端子ＤＴを形成する工程を利用して複数の連結配線ＬＬを形成することで、製造を短時間かつ簡易に行うことができる。

【0093】

図８に示したように、上側基板１３の上面において、各連結配線ＬＬ１は、Ｙ軸に平行な分割ラインＬＮ２を超えて延在し、各連結配線ＬＬ２は、Ｘ軸に平行な分割ラインＬＮ１を超えて延在している。これにより、個片化（チップ化）する前の、集合基板１００の状態において、隣り合う共振装置１の連結配線ＬＬが互い接続するので、電源端子ＳＴ１及び連結配線ＬＬを介して複数の共振装置１の上部電極１２５Ｂ，１２５Ｃを導通することが可能となる。酸化ケイ素膜Ｌ３１の連結領域ＬＲは、各連結配線ＬＬに沿って分割ラインＬＮを超えて延在し、各連結配線ＬＬとＳｉウエハＬ３とのショートを防止している。分割ラインＬＮ上における酸化ケイ素膜Ｌ３１の連結領域ＬＲの幅は、各連結配線ＬＬの幅と略同等であり、中央領域ＣＲは分割ラインＬＮから離間しているため、ＳｉウエハＬ３よりも切断しにくい酸化ケイ素膜Ｌ３１に起因したダイシング不良を抑制できる。

【0094】

図４に示した貫通電極Ｖ１，Ｖ２及び図５に示した貫通電極Ｖ３は、上側基板１３に形成された貫通孔に導電性材料が充填されて形成される。充填される導電性材料は、例えば、不純物ドープされた多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、不純物ドープされた単結晶シリコン等である。

【0095】

一方、上側基板１３の下面には、端子Ｔ１’、Ｔ２’、及び接地配線ＧＷが形成される。

【0096】

次に、共振装置１のＭＥＭＳ基板５０（共振子１０及び下蓋２０）に対応する下側基板１４を準備する（Ｓ１２０）。

【0097】

下側基板１４は、Ｓｉ基板同士が互いに接合されている。なお、下側基板１４は、ＳＯＩ基板を用いて形成されてもよい。下側基板１４は、図４に示したように、ＳｉウエハＬ１と、Ｓｉ基板Ｆ２と、を含む。

【0098】

Ｓｉ基板Ｆ２の上面には、下部電極１２９、圧電薄膜Ｆ３、上部電極１２５、保護膜２３５及び周波数調整膜２３６が積層される。保護膜２３５の上には、図９に示した分割ラインＬＮに沿って、かつ、分割ラインＬＮから所定の距離を空けて、接合部６０が形成される。

【0099】

また、圧電薄膜Ｆ３の上には、上部電極１２５に加えて、下部配線ＬＷ１，ＬＷ２１，ＬＷ２２とダミー配線ＤＷとが形成される。下部配線ＬＷ１，ＬＷ２１，ＬＷ２２及びダミー配線ＤＷの材料として上部電極１２５と同じ種類の金属を用いることで、製造プロセスを簡略化することができる。保護膜２３５の上には、接合部６０に加えて、導電層ＣＬと上部配線ＵＷ１，ＵＷ２とが形成される。上部配線ＵＷ１，ＵＷ２の材料として接合部６０と同じ種類の金属を用いることで、製造プロセスを簡略化することができる。

【0100】

本実施形態では、接合部６０及び上部配線ＵＷ１，ＵＷ２を下側基板１４の上面側に形成する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、接合部６０及び上部配線ＵＷ１，ＵＷ２の少なくとも一方を、上側基板１３の下面側に形成してもよい。また、接合部６０が複数の材料で構成される場合、接合部６０のうちの一部の材料、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）を上側基板１３の下面側に形成し、接合部６０のうちの残りの材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）を下側基板１４の上面側に形成してもよい。同様に、上部配線ＵＷ１，ＵＷ２が複数の材料で構成される場合、上部配線ＵＷ１，ＵＷ２のうちの一部の材料を上側基板１３の下面側に形成し、上部配線ＵＷ１，ＵＷ２のうちの残りの材料を下側基板１４の上面側に形成してもよい。

【0101】

また、本実施形態では、工程Ｓ１１０において上側基板１３を準備した後、工程Ｓ１２０において下側基板１４を準備する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、順序を入れ替え、下側基板１４を準備した後に上側基板１３を準備してもよいし、上側基板１３の準備と下側基板１４の準備とを平行して行ってもよい。

【0102】

次に、周波数調整膜２３６の表面を除去加工する（Ｓ１３０）。

【0103】

具体的には、下側基板１４に設けられた複数の共振子１０のそれぞれの周波数調整膜２３６をイオンミリングによってトリミング処理し、振動腕１３５の質量変化によって共振子１０の周波数を調整する。このとき、保護膜２３５の表面も一緒にトリミングしてもよい。本工程Ｓ１３０は、「封止前の周波数調整工程」又は「第１の周波数調整工程」の一例に相当する。

【0104】

次に、工程Ｓ１１０において準備した上側基板１３と、工程Ｓ１２０において準備した下側基板１４と、を接合する（Ｓ１４０）。

【0105】

具体的には、図１１に示すように、上側基板１３の下面と下側基板１４の上面とは、接合部６０によって共晶接合される。図４に示したように、端子Ｔ１’、Ｔ２’と上部配線ＵＷ１，ＵＷ２とが接触するように、上側基板１３及び下側基板１４の位置を合わせる。位置合わせをした後、ヒータ等によって上側基板１３及び下側基板１４が挟み込まれ、共晶接合のための加熱処理が行われる。共晶接合のための加熱処理における温度は、共焦点の温度以上、例えば４２４℃以上であり、加熱時間は、例えば１０分以上２０分以下程度である。加熱時に、上側基板１３及び下側基板１４は、例えば５ＭＰａ以上２５ＭＰａ以下程度の圧力で押圧される。このようにして、接合部６０は、上側基板１３の下面と下側基板１４の上面とを共晶接合する。工程Ｓ１１０から工程Ｓ１４０までの一連の工程は、本発明の「集合基板を準備すること」の一例に相当する。

【0106】

次に、振動腕１３５の先端部をキャビティ内壁に衝突させる（Ｓ１５０）。

【0107】

具体的には、連結配線ＬＬを通して複数の共振子１０に電界を印加し、複数の共振子１０を同時に励振させる。このとき、共振装置１として通常使用する際に印加する電界よりも強い電界を印加し、共振子１０の振幅を大きくする（以下、「過励振」ともいう）。過励振された複数の共振子１０のそれぞれの振動腕１３５は、それぞれの下蓋２０又は上蓋３０の内壁に衝突して、先端部が削られる。これにより、振動腕１３５の質量変化によって共振子１０の周波数を調整する。本工程Ｓ１５０は、「封止後の周波数調整工程」又は「第２の周波数調整工程」の一例に相当する。

【0108】

次に、連結配線ＬＬを除去する（Ｓ１６０）。

【0109】

具体的には、金属層ＭＬ２をマスクとして利用し、金属層ＭＬ１をエッチングする。これにより、図１２に示すように、金属層ＭＬ２から露出していた金属層ＭＬ１は除去され、電源端子ＳＴ１，ＳＴ２、接地端子ＧＴ、及びダミー端子ＤＴに相当する領域にのみ、金属層ＭＬ１と金属層ＭＬ２とが残存する。これによれば、集合基板１００を分割するとき、連結配線ＬＬの変形によるショート不良の発生を抑制できる。また、連結配線ＬＬを除去する工程でフォトレジストを設ける必要がないため、製造工程を簡略化できる。

【0110】

次に、集合基板１００を分割する（Ｓ１７０）。

【0111】

具体的には、分割ラインＬＮに沿って上側基板１３及び下側基板１４を分割する。上側基板１３及び下側基板１４の分割は、ダイシングソーを用いて上側基板１３及び下側基板１４を切削してダイシングを行ってもよいし、レーザを集光して基板内部に改質層を形成するステルスダイシング技術を用いてダイシングを行ってもよい。

【0112】

工程Ｓ１７０において上側基板１３及び下側基板１４を分割ラインＬＮに沿って分割することで、上側基板１３及び下側基板１４が、上蓋３０及びＭＥＭＳ基板５０（下蓋２０及び共振子１０）を備える共振装置１のそれぞれに個片化（チップ化）される。

【0113】

次に、前述した実施形態の変形例について説明する。なお、図１から図１２に示した構成と同一又は類似の構成について同一又は類似の符号を付し、その説明を適宜省略する。また、同様の構成による同様の作用効果については、逐次言及しない。

【0114】

（第１変形例）
図１３を参照しつつ、第１変形例に係る集合基板２００の構造について説明する。図１３は、一実施形態における集合基板の構造を概略的に示す断面図である。

【0115】

図１３に示すように、上側基板１３は、酸化ケイ素膜Ｌ３１と金属層ＭＬ１との間に、さらに有機絶縁膜Ｌ３２を備えている。酸化ケイ素膜Ｌ３１及び有機絶縁膜Ｌ３２は、合わせて本発明の「絶縁層」の一例に相当する。酸化ケイ素膜Ｌ３１は、分割ラインを超えて延在し、ＳｉウエハＬ３の上面の略全面に形成されている。有機絶縁膜Ｌ３２は、分割ラインＬＮを超えて延在する連結領域ＬＲと、分割ラインＬＮから離間する中央領域ＣＲと、を有している。絶縁層を２つの絶縁膜（酸化ケイ素膜Ｌ３１及び有機絶縁膜Ｌ３２）によって構成することで、電源端子ＳＴ１，ＳＴ２を貫通電極Ｖ１，Ｖ２から離れた位置に形成することが可能となる。したがって、設計の自由度が向上する。

【0116】

（第２変形例）
図１４を参照しつつ、第２変形例に係る集合基板３００の構造について説明する。図１４は、一実施形態における集合基板の構造を概略的に示す平面図である。

【0117】

図１４に示すように、集合基板３００の上側基板には、複数の電源端子ＳＴ１を電気的に接続する連結配線ＬＬａに加えて、複数の電源端子ＳＴ２を電気的に接続する連結配線ＬＬｂが形成されている。連結配線ＬＬａ，ＬＬｂは、第１金属膜ＭＬ１のうち第２金属膜ＭＬ２に覆われた領域から延出した部分によって形成されている。連結配線ＬＬａ，ＬＬｂは、集合基板３００を分割する前に、第２金属膜ＭＬ２をマスクとして用いたエッチングによって除去される。集合基板３００において、電源端子ＳＴ１及び連結配線ＬＬａを通して複数の共振子のそれぞれの上部電極１２５Ｂ，１２５Ｃを一括して導通することができ、電源端子ＳＴ２及び連結配線ＬＬｂを通して複数の共振子のそれぞれの上部電極１２５Ａ，１２５Ｄを一括して導通することができる。連結配線ＬＬａは本発明に係る「第１連結配線」の一例に相当し、連結配線ＬＬｂは本発明に係る「第２連結配線」の一例に相当する。なお、集合基板３００は、複数の接地端子ＧＴを電気的に接続する第３連結配線をさらに備えてもよい。このような第３連結配線は、連結配線ＬＬａ，ＬＬｂと同様に第１金属膜ＭＬ１によって形成され、集合基板３００を分割する前に、第２金属膜ＭＬ２をマスクとして用いたエッチングによって除去される。

【0118】

以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。本発明の一実施形態に係る共振装置の製造方法によれば、それぞれが上部電極及び下部電極を有する複数の共振子を有する第１基板と、第１基板の複数の共振子側に接合された第２基板と、を備える集合基板であって、複数の共振子のそれぞれの上部電極に電気的に接続された複数の第１電源端子と、複数の第１電源端子のうち少なくとも２つを電気的に接続する第１連結配線と、を有する集合基板を準備することと、集合基板を複数の共振装置に分割することと、を含み、複数の第１電源端子は、第２基板の第１基板とは反対側に設けられた第１金属層と、第１金属層を覆う第２金属層とからなり、第１連結配線は、第１金属層のうち第２金属層に覆われた領域から延出した部分からなり、集合基板を複数の共振装置に分割することの前に、第１金属層のうち第２金属層に覆われた領域から延出した部分を除去することをさらに含む。
これによれば、集合基板を分割するときには、分割ラインを超えて形成された第１連結配線が除去されているため、分割による第１連結配線の変形に起因したショート不良の発生を抑制することができる。また、第１連結配線を除去する前は、第１連結配線を通して複数の共振装置を一括して通電することができ、周波数調整や導通検査等の通電を伴う作業を短時間かつ簡易に行うことができる。

【0119】

前述した共振装置の製造方法において、複数の共振子の周波数を調整することをさらに含み、複数の共振子の周波数を調整することは、第１連結配線を通して複数の共振子に電圧を印加すること、又は、第１連結配線を通して複数の共振子の周波数を測定することを含んでもよい。

【0120】

前述した共振装置の製造方法において、第１金属層は、第２金属層をメッキによって設けるためのシード膜を有してもよい。

【0121】

前述した共振装置の製造方法において、第１金属層のうち第２金属層に覆われた領域から延出した部分を除去することは、第２金属層をマスクとして用いて第１金属層をエッチングすることを含んでもよい。
これによれば、第１連結配線を除去するエッチングのために、フォトレジスト等を設ける必要がなく、製造工程を簡略化することができる。

【0122】

前述した共振装置の製造方法において、第２基板は、半導体基板と、半導体基板と第１金属層との間に設けられた少なくとも１つの絶縁層とを有し、少なくとも１つの絶縁層は、集合基板の分割ラインから離間した複数の中央領域と、分割ラインを横断する複数の連結領域とを有してもよい。
これによれば、半導体基板よりも分割し難い絶縁層を分割する機会が減るため、ダイシング不良の発生を抑制することができる。

【0123】

前述した共振装置の製造方法において、集合基板は、複数の共振子のそれぞれの上部電極に電気的に接続され且つ複数の第１電源端子とは絶縁された複数の第２電源端子と、複数の第２電源端子のうち少なくとも２つを電気的に接続する第２連結配線とをさらに備え、複数の第２電源端子は、第１金属層と、第２金属層とからなり、第２連結配線は、第１金属層のうち第２金属層に覆われた領域から延出した部分からなってもよい。
これによれば、周波数調整や導通検査等の通電を伴う作業をさらに短時間かつ簡易に行うことができる。

【0124】

前述した共振装置の製造方法において、集合基板は、複数の共振子のそれぞれの下部電極に電気的に接続された複数の接地端子と、複数の接地端子のうち少なくとも２つを電気的に接続する第３連結配線とをさらに備え、複数の接地端子は、第１金属層と、第２金属層とからなり、第３連結配線は、第１金属層のうち第２金属層に覆われた領域から延出した部分からなってもよい。
これによれば、周波数調整や導通検査等の通電を伴う作業をさらに短時間かつ簡易に行うことができる。

【0125】

また、本発明の一実施形態に係る共振装置によれば、上部電極及び下部電極を有する共振子を有する第１基板と、第１基板の共振子側に接合された第２基板と、を備え、第２基板は、半導体基板と、半導体基板の第１基板とは反対側に設けられ、上部電極の一部に電気的に接続され且つ互いに絶縁された第１電源端子及び第２電源端子と、半導体基板の第１基板とは反対側に設けられ、下部電極に電気的に接続された接地端子と、半導体基板と第１電源端子との間、及び、半導体基板と第２電源端子との間に設けられた絶縁層と、を有し、第２基板の第１基板とは反対側を平面視したとき、絶縁層は、第２基板の外縁から離間する中央領域と、中央領域から延出し第２基板の外縁に到達する連結領域と、を有する。

【0126】

以上説明したように、本発明の一態様によれば、生産性が向上した共振装置及びその製造方法を提供することができる。

【0127】

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。すなわち、実施形態及び／又は変形例に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、実施形態及び／又は変形例が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、実施形態及び変形例は例示であり、異なる実施形態及び／又は変形例で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

【符号の説明】

【0128】

１…共振装置、
１０…共振子、
１３…上側基板、
１４…下側基板、
２０…下蓋、
３０…上蓋、
５０…ＭＥＭＳ基板、
６０…接合部、
６５…連結部材、
１００…集合基板、
１１０…保持腕、
１２０…振動部、
１２５，１２５Ａ，１２５Ｂ，１２５Ｃ，１２５Ｄ…上部電極、
１２９…下部電極、
１３０…基部、
１３５，１３５Ａ，１３５Ｂ，１３５Ｃ，１３５Ｄ…振動腕、
１４０…保持部、
２３５…保護膜、
２３６…周波数調整膜、
Ｆ２…Ｓｉ基板、
Ｆ３…圧電薄膜、
Ｌ１，Ｌ３…Ｓｉウエハ、
Ｌ３１…酸化ケイ素膜、
ＬＬ，ＬＬ１，ＬＬ２…連結配線、
ＬＮ，ＬＮ１、ＬＮ２…分割ライン、
ＳＴ１，ＳＴ２…電源端子、
ＧＴ…接地端子、
ＤＴ…ダミー端子。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】