ドライエッチングの被エッチング膜には、Ｓｉ、ｐｏｌｙ－Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、Ａｌ、Ｗ、ｃｕ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＮ等が挙げられる。反応エッチングガスとしては、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＬ２、Ｈｂｒ、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｈ２、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＢＣＬ３等のハロゲン元素の化合物ガスが主に使用される。プラズマエッチング装置による被エッチング膜は、Ｓｉおよびｐｏｌｙ－Ｓｉ膜用、絶縁膜用、メタル膜用の３種に大別される。被エッチング膜の種類によってプラズマエッチング装置の構成要素に大きな差はなく、エッチングガスが違うことと、エッチングチャンバ内部の材質、エッチングの終点検出方法が被エッチング材料に応じて最適に設定される。

課題を解決するため、本発明の一態様は、プラズマエッチング装置用の電極における基材を厚さ方向に貫通するよう設けられたガス導入孔を測定する方法であって、基材の一方面側からガス導入孔に向けて光を照射する照射工程と、ガス導入孔を介して基材の他方面側に透過した前記光の２次元画像を取得する２次元画像取得工程と、２次元画像の少なくとも境界部分での信号変化を演算する画像処理工程と、画像処理工程での２次元・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る