特許 7585061 歪みセンサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-08

(45)【発行日】2024-11-18

(54)【発明の名称】歪みセンサ

(51)【国際特許分類】

   G01B 7/16 20060101AFI20241111BHJP

【ＦＩ】

G01B7/16 R

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2021011811

(22)【出願日】2021-01-28

(65)【公開番号】P2022115282

(43)【公開日】2022-08-09

【審査請求日】2023-12-08

(73)【特許権者】

【識別番号】000114215

【氏名又は名称】ミネベアミツミ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】小野 位

(72)【発明者】

【氏名】北爪 誠

(72)【発明者】

【氏名】小野 彩

【審査官】信田 昌男

(56)【参考文献】

【文献】特開平８－３５８０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１１４４４３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｂ ７／１６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

フィルム基板と、
前記フィルム基板の上面に形成された歪み検出素子と、
平面視、前記歪み検出素子と離間して前記歪み検出素子の周辺を囲うシールド膜と、を有する、歪みセンサ。

【請求項2】

前記シールド膜は、前記歪み検出素子と同一の材料で形成されている、請求項１に記載の歪みセンサ。

【請求項3】

前記シールド膜は、前記歪み検出素子よりもインピーダンスの低い材料で形成されている、請求項１に記載の歪みセンサ。

【請求項4】

前記シールド膜は、
第１金属膜と
前記第１金属膜の上面に形成された、前記第１金属膜よりもインピーダンスの低い材料で形成された第２金属膜と、を有する、請求項１に記載の歪みセンサ。

【請求項5】

前記歪み検出素子は、Ｃｒを含む金属膜であり、
前記シールド膜は、Ｃｕを含む金属膜を有する、請求項１、３、又は４に記載の歪みセンサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、歪みセンサに関する。

【背景技術】

【0002】

可撓性を有する基材上に抵抗体を備え、測定対象物に貼り付けて、測定対象物の特性を検出する歪みセンサが知られている。例えば、絶縁性の材料によって形成されたベース部と、このベース部の一面側に設けられた抵抗体からなるパターン部とを備えた受感部と、絶縁体層と、この絶縁体層の一面側に設けられるとともに、受感部におけるベース部の他面側と対向して配設される導電体で形成されたシールド層とを備えた薄膜状の中間部材とを備えた、歪みセンサが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１４－８５２５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載の歪みセンサは、外乱ノイズの影響を低減できるものの、構造が複雑であるため製造工程が増加すると共に、歪みセンサ全体が厚くなる。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、厚さの増加を抑えつつ外乱ノイズの影響を低減可能な歪みセンサを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本歪みセンサ（１）は、フィルム基板（１０）と、前記フィルム基板（１０）の上面（１０ａ）に形成された歪み検出素子（２０）と、平面視、前記歪み検出素子（２０）と離間して前記歪み検出素子（２０）の周辺を囲うシールド膜（３０）と、を有する。

【0007】

なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。

【発明の効果】

【0008】

開示の技術によれば、厚さの増加を抑えつつ外乱ノイズの影響を低減可能な歪みセンサを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る歪みセンサを例示する平面図である。

【図2】第１実施形態に係る歪みセンサを例示する断面図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る歪みセンサを例示する断面図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る歪みセンサの使用例を示す図である。

【図5】第１実施形態に係る歪みセンサの接続例を示す図である。

【図6】比較例に係る歪みセンサを例示する断面図である。

【図7】比較例に係る歪みセンサの接続例を示す図である。

【図8】比較例に係る歪みセンサの出力電圧の測定例を示す図である。

【図9】第１実施形態に係る歪みセンサの出力電圧の測定例を示す図である。

【図10】第１実施形態の変形例１に係る歪みセンサを例示する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0011】

〈第１実施形態〉
［歪みセンサの構造］
図１は、第１実施形態に係る歪みセンサを例示する平面図である。図２は、第１実施形態に係る歪みセンサを例示する断面図であり、図１のＡ－Ａ線に沿う断面を示している。図３は、第１実施形態に係る歪みセンサを例示する断面図であり、図１のＢ－Ｂ線に沿う断面を示している。図１～図３を参照すると、歪みセンサ１は、フィルム基板１０と、歪み検出素子２０と、シールド膜３０と、端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃと、カバー膜５０とを有している。なお、図１では、便宜上、カバー膜５０の外縁のみを破線で示している。

【0012】

本実施形態では、便宜上、歪みセンサ１において、フィルム基板１０の歪み検出素子２０が設けられている側を上側又は一方の側、歪み検出素子２０が設けられていない側を下側又は他方の側とする。又、各部位の歪み検出素子２０が設けられている側の面を一方の面又は上面、歪み検出素子２０が設けられていない側の面を他方の面又は下面とする。但し、歪みセンサ１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置できる。又、平面視とは対象物をフィルム基板１０の上面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をフィルム基板１０の上面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0013】

フィルム基板１０は、歪み検出素子２０等を形成するためのベース層となる部材であり、可撓性を有する。フィルム基板１０の膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、２５μｍ～５０μｍ程度とすることができる。平面視でのフィルム基板１０の縦の長さ及び横の長さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、それぞれ１ｍｍ～５ｍｍ程度とすることができる。

【0014】

フィルム基板１０は、例えば、ＰＩ（ポリイミド）樹脂等の絶縁樹脂から形成されている。フィルム基板１０は、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂から形成されてもよい。

【0015】

歪み検出素子２０は、フィルム基板１０の上面１０ａに所定のパターンで形成された薄膜であり、歪みを受けて抵抗値変化を生じる受感部である。歪み検出素子２０は、フィルム基板１０の上面１０ａに直接形成されてもよいし、フィルム基板１０の上面１０ａに他の層を介して形成されてもよい。なお、図１では、便宜上、歪み検出素子２０を梨地模様で示している。

【0016】

歪み検出素子２０は、例えば、複数の細長状部が長手方向を同一方向（図１のＡ－Ａ線の方向）に向けて所定間隔で配置され、隣接する細長状部の端部が互い違いに連結されて、全体としてジグザグに折り返す構造である。複数の細長状部の長手方向がグリッド方向となり、グリッド方向と垂直な方向がグリッド幅方向となる。

【0017】

歪み検出素子２０は、例えば、Ｃｒ及びＣｒＮを含む導電性の金属膜である。歪み検出素子２０の膜厚は、例えば、１００ｎｍ～５００ｎｍ程度とすることができる。歪み検出素子２０の幅は、例えば、５０μｍ～３００μｍ程度とすることができる。

【0018】

シールド膜３０は、フィルム基板１０の上面１０ａに所定のパターンで形成された導電性の金属膜である。シールド膜３０は、フィルム基板１０の上面１０ａに直接形成されてもよいし、フィルム基板１０の上面１０ａに他の層を介して形成されてもよい。シールド膜３０は、平面視、歪み検出素子２０と離間して歪み検出素子２０の周辺を囲うように配置されている。シールド膜３０は、歪み検出素子２０とは電気的に接続されていない。なお、図１では、便宜上、シールド膜３０を、歪み検出素子２０とは異なる梨地模様で示している。

【0019】

シールド膜３０は、例えば、歪み検出素子２０と同一の材料で形成されている。つまり、歪み検出素子２０がＣｒ及びＣｒＮを含む導電性の金属膜であれば、シールド膜３０もＣｒ及びＣｒＮを含む導電性の金属膜であり、厚さも歪み検出素子２０と同一となる。この場合、シールド膜３０を歪み検出素子２０と同一工程で形成することにより、製造工程を簡略化できる。

【0020】

シールド膜３０は、端子４０Ｃを介してＧＮＤに接続されることでシールド効果を生じて外乱ノイズを吸収し、歪み検出素子２０に重畳される外乱ノイズを低減できる。シールド膜３０は、歪み検出素子２０よりもインピーダンスの低い材料で形成されてもよい。例えば、歪み検出素子２０がＣｒ及びＣｒＮを含む導電性の金属膜であれば、シールド膜３０をＮｉ、Ａｌ、Ｃｕ等を含む導電性の金属膜とすることができる。シールド膜３０を歪み検出素子２０よりもインピーダンスの低い材料で形成することにより、歪み検出素子２０に重畳される外乱ノイズを低減する効果を向上できる。

【0021】

シールド膜３０と歪み検出素子２０との間隔ｄは、加工精度の観点から５μｍ以上であることが好ましい。また、間隔ｄが５μｍ未満であると、シールド膜３０と歪み検出素子２０との間の線間容量が大きくなり、容量結合短絡によりシールド膜３０が吸収したノイズを歪み検出素子２０に伝搬し易くなるため好ましくない。また、シールド膜３０と歪み検出素子２０との間隔ｄは、シールド膜３０が外乱ノイズを吸収して十分なシールド効果を得る観点から、２０μｍ以下であることが好ましい。シールド膜３０と歪み検出素子２０との間隔ｄが１０μｍ以下であると、さらに大きなシールド効果を得られる点でより好ましい。

【0022】

端子４０Ａ及び４０Ｂは、歪み検出素子２０の両端部から延在しており、平面視において、歪み検出素子２０よりも拡幅して略矩形状に形成されている。端子４０Ａ及び４０Ｂは、歪みにより生じる歪み検出素子２０の抵抗値の変化を外部に出力するための一対の電極であり、例えば、外部接続用のリード線等（例えば、撚線）が接合される。

【0023】

端子４０Ａ及び４０Ｂは、例えば、複数の金属膜が積層された積層構造である。具体的には、図１及び図２の例では、端子４０Ａは、歪み検出素子２０の両端部から延在する金属膜４１と、金属膜４１の上面に形成された金属膜４５とを有している。なお、金属膜４１は、歪み検出素子２０とは便宜上別符号としているが、歪み検出素子２０と同一工程において同一材料により一体に形成される。

【0024】

金属膜４５は、例えば、金属膜４１よりもはんだ付け性が良好な金属から形成できる。金属膜４２の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、又はＮｉ合金である。金属膜４２の厚さは、例えば、４μｍ以上３０μｍ以下である。

【0025】

金属膜４５の上面に、金属膜４５よりもさらにはんだ濡れ性の良好な材料を積層してもよい。例えば、金属膜４２の材料がＣｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、又はＮｉ合金であれば、積層する金属膜の材料としてＡｕ（金）を用いることができる。Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、又はＮｉ合金の表面をＡｕで被覆することにより、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、又はＮｉ合金の酸化及び腐食を防止できると共に、良好なはんだ濡れ性を得ることができる。

【0026】

端子４０Ｃは、シールド膜３０と電気的に接続されている。端子４０Ｃは、シールド膜３０を歪みセンサ１の外部にあるＧＮＤに接続するための電極であり、例えば、外部接続用のリード線（例えば、撚線）等が接合される。図１では、端子４０Ｃは、平面視で、端子４０Ａと端子４０Ｂに挟まれた位置に配置されているが、端子４０Ｃは任意の位置に配置してかまわない。また、シールド膜３０と電気的に接続された端子は、複数個配置されてもかまわない。

【0027】

端子４０Ｃは、例えば、複数の金属膜が積層された積層構造である。具体的には、図１及び図３の例では、端子４０Ｃは、シールド膜３０から延在する金属膜４２と、金属膜４２の上面に形成された金属膜４５とを有している。なお、金属膜４２は、シールド膜３０とは便宜上別符号としているが、シールド膜３０と同一工程において同一材料により一体に形成される。言い換えれば、金属膜４５の下方に位置するシールド膜３０を、便宜上金属膜４２と称している。金属膜４５については、端子４０Ａ及び４０Ｂで説明した通りである。

【0028】

カバー膜５０は、歪み検出素子２０及びシールド膜３０を被覆し、端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃの各々の上面の少なくとも一部を露出するように設けられている保護膜である。カバー膜５０の開口部５０Ａから端子４０Ａの上面の少なくとも一部が露出し、カバー膜５０の開口部５０Ｂから端子４０Ｂの上面の少なくとも一部が露出し、カバー膜５０の開口部５０Ｃから端子４０Ｃの上面の少なくとも一部が露出している。

【0029】

カバー膜５０は、例えば、ＰＩ樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＰＳ樹脂、複合樹脂（例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂）等の絶縁樹脂（有機膜）から形成できる。カバー膜５０は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）、ガラス膜、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）等の無機膜から形成してもよい。

【0030】

カバー膜５０を設けることで、歪み検出素子２０及びシールド膜３０に機械的な損傷等が生じることを防止できる。又、カバー膜５０を設けることで、歪み検出素子２０及びシールド膜３０を湿気等から保護できる。

【0031】

［歪みセンサの製造方法］
ここでは、歪み検出素子２０及びシールド膜３０を同一の材料で形成する例を示す。歪みセンサ１を製造するためには、まず、フィルム基板１０を準備し、フィルム基板１０の上面１０ａの全体に金属膜（便宜上、金属膜Ａとする）を形成する。金属膜Ａは、最終的にパターニングされて歪み検出素子２０及びシールド膜３０（金属膜４１及び４２も含む）となる膜である。従って、金属膜Ａの材料や厚さは、前述の歪み検出素子２０及びシールド膜３０の材料や厚さと同様である。金属膜Ａは、例えば、スパッタリング法により成膜できる。

【0032】

次に、フォトリソグラフィによって金属膜Ａをパターニングし、図１に示す平面形状の歪み検出素子２０及びシールド膜３０（金属膜４１及び４２も含む）を形成する。具体的には、金属膜Ａ上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、歪み検出素子２０及びシールド膜３０（金属膜４１及び４２も含む）をパターニングする。パターニングが終了後、レジストを剥離する。

【0033】

次に、パターニングされた歪み検出素子２０及びシールド膜３０（金属膜４１及び４２も含む）を被覆するように、フィルム基板１０の上面１０ａの全体にレジストを塗布する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、レジストをパターニングし、端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃとなる部分を露出するように開口部を形成する。そして、電解めっき法や無電解めっき法等により、各開口部内に金属膜４５を成膜して端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃを形成する。端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃを形成後、レジストを剥離する。

【0034】

次に、パターニングされた歪み検出素子２０及びシールド膜３０（端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃも含む）を被覆するように、フィルム基板１０の上面１０ａの全体にカバー膜５０を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、開口部５０Ａ、５０Ｂ、及び５０Ｃを形成する。開口部５０Ａから端子４０Ａの上面の少なくとも一部が露出し、カバー膜５０の開口部５０Ｂから端子４０Ｂの上面の少なくとも一部が露出し、カバー膜５０の開口部５０Ｃから端子４０Ｃの上面の少なくとも一部が露出する。以上の工程により、歪みセンサ１が完成する。

【0035】

［歪みセンサの使用例］
図４は、第１実施形態に係る歪みセンサの使用例を示す図である。図４の例では、歪みセンサ１は、接着層１１０を介して起歪体１２０と接着されている。具体的には、歪みセンサ１のフィルム基板１０の下面が、接着層１１０を介して起歪体１２０の上面と接着されている。

【0036】

接着層１１０は、歪みセンサ１と起歪体１２０とを接着する機能を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、変性ウレタン樹脂等を用いることができる。

【0037】

起歪体１２０は、例えば、Ｆｅ、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、Ａｌ等の金属やＰＥＥＫ等の樹脂から形成され、印加される力に応じて変形する（歪みを生じる）物体である。歪みセンサ１は、起歪体１２０に生じる歪みを歪み検出素子２０の抵抗値変化として検出することができる。

【0038】

カバー膜５０から露出する端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃの各々の上面は、接合材１３０を介して接続部材１４０と電気的に接続されている。接合材１３０は、例えば、はんだや導電性ペーストである。接続部材１４０は、例えば、リード線やフレキシブルプリント配線板等である。なお、歪みセンサ１に接合材１３０及び接続部材１４０を取り付けた状態で、市場に流通させてもよい。

【0039】

図５は、第１実施形態に係る歪みセンサの接続例を示す図である。図５の例では、歪みセンサ１は、接続部材１４０を介して、歪みセンサ１の外部に配置された測定部２００に接続されている。

【0040】

測定部２００は、ブリッジ回路を有している。ブリッジ回路は、３辺が固定抵抗Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３で構成され、他の１辺が接続部材１４０並びに端子４０Ａ及び４０Ｂを介して歪み検出素子２０に接続されている。又、ブリッジ回路の一対の対角点間には、直流電圧ＶＤＤが印加されている。ブリッジ回路のＧＮＤは、接続部材１４０及び端子４０Ｃを介してシールド膜３０に接続されている。

【0041】

この構成により、ブリッジ回路の他の一対の対角点間は、歪み検出素子２０のひずみに応じたアナログの電圧Ｖ１及びＶ２が出力される。シールド膜３０は、ブリッジ回路のＧＮＤに接続されることでシールド効果を生じて外乱ノイズを吸収し、歪み検出素子２０に重畳される外乱ノイズを低減できる。そのため、ノイズの少ない電圧Ｖ１及びＶ２が得られる。

【0042】

図６は、比較例に係る歪みセンサを例示する断面図であり、図１のＡ－Ａ線に相当する断面を示している。図６に示す歪みセンサ１Ｘは、シールド膜３０及び端子４０Ｃを有していない点が、歪みセンサ１と相違する。

【0043】

図６において、歪みセンサ１Ｘは、図４と同様に、接着層１１０を介して起歪体１２０と接着されている。また、図６に示す歪みセンサ１Ｘは、図４と同様に、カバー膜５０から露出する端子４０Ａ及び４０Ｂの各々の上面が、接合材１３０を介して接続部材１４０と電気的に接続されている。また、図７に示すように、歪みセンサ１Ｘは、接続部材１４０を介して、歪みセンサ１Ｘの外部に配置された測定部２００に接続されている。

【0044】

図８は、比較例に係る歪みセンサの出力電圧の測定例を示す図である。ここで、歪みセンサ１Ｘの出力電圧とは、図７のＶ１とＶ２との間の電圧を増幅したものである。一方、図９は、第１実施形態に係る歪みセンサの出力電圧の測定例を示す図である。ここで、歪みセンサ１の出力電圧とは、図５のＶ１とＶ２との間の電圧を増幅したものである。図８と図９とは、同一の条件（同一の環境）で測定されている。図８のＸ軸（測定時間）、Ｙ軸（出力電圧）のスケールは、図９のＸ軸（測定時間）、Ｙ軸（出力電圧）のスケールと合わせている。図８と図９とを比較するとわかるように、歪みセンサ１では、比較例に係る歪みセンサ１Ｘよりも出力電圧に重畳される外乱ノイズが大幅に低減されている。

【0045】

このように、平面視で歪み検出素子２０と離間して歪み検出素子２０の周辺を囲うシールド膜３０を設け、シールド膜３０をブリッジ回路のＧＮＤに接続することで、シールド膜３０が外乱ノイズを吸収し、歪み検出素子２０に重畳される外乱ノイズを低減できる。その結果、Ｓ／Ｎ比が改善されてノイズの少ない出力電圧が得られるため、歪みセンサ１の検出感度が向上する。

【0046】

また、歪み検出素子２０が外乱ノイズの影響を受けにくいため、歪みセンサ１の検出感度が安定する。また、歪み検出素子２０が外乱ノイズの影響を受けにくいため、端子４０Ａ及び４０Ｂとブリッジ回路との距離を増長することができ、歪みセンサ１及び／又はブリッジ回路の配置の自由度が向上する。

【0047】

また、歪みセンサ１では、シールド膜３０を歪み検出素子２０と同様にフィルム基板１０の上面１０ａに形成するため、歪みセンサ１の厚さの増加を抑えることができる。すなわち、歪みセンサ１は、厚さの増加を抑えつつ外乱ノイズの影響を低減可能である。

【0048】

〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１では、シールド膜が積層構造である例を示す。なお、第１実施形態の変形例１において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0049】

図１０は、第１実施形態の変形例１に係る歪みセンサを例示する断面図であり、図１のＡ－Ａ線に相当する断面を示している。図１０に示すように、歪みセンサ１Ａは、シールド膜３０がシールド膜３０Ａに置換された点が、歪みセンサ１（図２等参照）と相違する。

【0050】

シールド膜３０Ａは、金属膜３１と、金属膜３１の上面に形成された金属膜３５とを有している。金属膜３１は、便宜上別符号としているが、歪みセンサ１のシールド膜３０と同一の層である。金属膜３５は、金属膜３１よりもインピーダンスの低い材料で形成されている。金属膜３５は、例えば、金属膜４５と同一工程において同一材料により一体に形成できる。例えば、金属膜３１はＣｒを含む金属膜であり、金属膜３５はＣｕを含む金属膜である。

【0051】

シールド膜３０Ａは、例えば、次のようにして形成する。第１実施形態における端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃとなる部分を露出するように開口部を形成する工程で、金属膜３１を露出する第２開口部も同時に形成する。そして、電解めっき法や無電解めっき法等により、各開口部内に金属膜４５を成膜して端子４０Ａ、４０Ｂ、及び４０Ｃを形成する際に、同時に第２開口部内に露出する金属膜３１上に金属膜３５を成膜してシールド膜３０Ａを形成する。

【0052】

このように、シールド膜３０Ａを２層構造とし、金属膜３５を金属膜３１よりもインピーダンスの低い材料で形成することで、シールド膜３０Ａの外乱ノイズの吸収性を向上させることができる。例えば、歪み検出素子２０がＣｒ及びＣｒＮを含む導電性の金属膜である場合、比較的インピーダンスが高い。そこで、金属膜３１上に、金属膜３１よりもインピーダンスの低いＣｕ等により形成された金属膜３５を積層することで、シールド膜３０Ａのインピーダンスが低下し、シールド膜３０Ａの外乱ノイズの吸収性が向上する。

【0053】

また、金属膜３５を金属膜４５と同一工程において同一材料により一体に形成することで、新たな工程を追加することなく、外乱ノイズの吸収性に優れたシールド膜３０Ａを形成できる。

【0054】

以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0055】

１，１Ａ 歪みセンサ、１０ フィルム基板、１０ａ 上面、２０ 歪み検出素子、３０，３０Ａ シールド膜、３１，３５，４１，４２，４５ 金属膜、４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ 端子、５０ カバー膜、５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ 開口部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】