7585109 表示装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-08

(45)【発行日】2024-11-18

(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20241111BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241111BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20241111BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

G09F9/30 360

G09F9/30 349D

G09F9/00 338

【請求項の数】 14

(21)【出願番号】P 2021043955

(22)【出願日】2021-03-17

(65)【公開番号】P2022143453

(43)【公開日】2022-10-03

【審査請求日】2024-02-19

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】武政 健一

【審査官】佐藤 美紗子

(56)【参考文献】

【文献】韓国公開特許第１０－２０２０－０１３１９１０（ＫＲ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／０２６６９２（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００

Ｈ０１Ｌ ３３／４８－３３／６４

Ｈ０５Ｋ ３／３２－３／３４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁基板の上に設けられた駆動回路と、
前記駆動回路と電気的に接続された接続電極と、
前記接続電極を介して前記駆動回路と電気的に接続されたＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子と重畳するとともに傾斜面を有する光反射層と、
を含み、
前記傾斜面は、前記ＬＥＤ素子を透過して前記傾斜面に入射した光を前記接続電極に向けて反射する、表示装置。

【請求項2】

前記光反射層は、１．０μｍ以上１．５μｍ以下の波長における光の反射率が９０％以上である、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記光反射層は、金、銀、銅、又はアルミニウムを含む金属層を有する、請求項１又は２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記光反射層は、第１金属層、及び前記第１金属層を覆う第２金属層を有し、
前記第２金属層は、金、銀、銅、又はアルミニウムを含む金属層である、請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記光反射層と離隔した位置に他の光反射層をさらに有し、
平面視において、前記光反射層と前記他の光反射層との間に前記接続電極が位置する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項6】

前記光反射層を覆う絶縁層をさらに有し、
前記接続電極は、前記絶縁層の上に設けられる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項7】

平面視において、前記接続電極は、前記光反射層の一部と重畳する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項8】

絶縁基板上にＬＥＤ素子を駆動する駆動回路を形成し、
前記駆動回路の上に、前記駆動回路と電気的に接続された接続電極、及び傾斜面を有する光反射層を形成し、
前記接続電極と前記ＬＥＤ素子の端子電極とが接するように前記ＬＥＤ素子を配置し、
前記ＬＥＤ素子の半導体層を通してレーザー光を前記光反射層に照射することにより、前記接続電極と前記端子電極とを接合することを含む、
表示装置の製造方法。

【請求項9】

前記レーザー光は、前記傾斜面で反射して前記接続電極に入射する、請求項８に記載の表示装置の製造方法。

【請求項10】

前記光反射層は、１．０μｍ以上１．５μｍ以下の波長における光の反射率が９０％以上の金属材料を用いて形成される、請求項８又は９に記載の表示装置の製造方法。

【請求項11】

前記光反射層は、金、銀、銅、又はアルミニウムを含む金属材料を用いて形成される、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記光反射層を形成することは、第１金属層を形成した後、めっき処理により前記第１金属層の表面に金、銀、銅、又はアルミニウムを含む第２金属層を形成することを含む、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記光反射層を覆う絶縁層を形成することをさらに含み、
前記接続電極は、前記絶縁層の上に形成される、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。

【請求項14】

前記レーザー光は、ＹＡＧレーザー、又はＹＶＯ₄レーザーから発する近赤外光である、請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一実施形態は、表示装置及びその製造方法に関する。特にＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子を実装した表示装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、次世代の表示装置として、各画素に微小なＬＥＤ素子を実装したＬＥＤディスプレイの開発が進められている。通常、ＬＥＤディスプレイは、画素アレイを構成する回路基板上に、複数のＬＥＤ素子を実装した構造を有している。回路基板は、各画素に対応する位置に、ＬＥＤを発光させるための駆動回路を有する。これらの駆動回路は、それぞれ各ＬＥＤ素子と電気的に接続される。

【0003】

前述の駆動回路とＬＥＤ素子とは、接続電極を介して電気的に接続される。具体的には、駆動回路側に設けられた電極パッドとＬＥＤ素子側に設けられた電極パッドとが互いに電気的に接続される。例えば、特許文献１には、ＬＥＤ素子と回路基板とを接着層を用いて接合する技術が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００３１９７４号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上述の従来技術は、接着層を介在させてＬＥＤ素子と回路基板とを接着するため、強い振動によりＬＥＤ素子が脱離することが懸念される。また、上述の従来技術によって製造された最終製品は、回路基板とＬＥＤ素子との間に接着層が残存する。接着層は、回路基板の全面に設けられているため、回路を構成する半導体素子が接着層を構成する有機物等に含まれるアルカリ成分により汚染され、動作不良を起こすおそれがある。

【0006】

本発明の課題の一つは、簡易な方法により、ＬＥＤ素子を回路基板に強固に接合することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施形態における表示装置は、絶縁基板の上に設けられた駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された接続電極と、前記接続電極を介して前記駆動回路と電気的に接続されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子と重畳するとともに傾斜面を有する光反射層と、を含む。

【0008】

本発明の一実施形態における表示装置の製造方法は、絶縁基板上にＬＥＤ素子を駆動する駆動回路を形成し、前記駆動回路の上に、前記駆動回路と電気的に接続された接続電極、及び傾斜面を有する光反射層を形成し、前記接続電極と前記ＬＥＤ素子の端子電極とが接するように前記ＬＥＤ素子を配置し、前記ＬＥＤ素子の半導体層を通してレーザー光を前記光反射層に照射することにより、前記接続電極と前記端子電極とを接合することを含む。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の第１実施形態の表示装置における概略の構成を示す平面図である。

【図2】本発明の第１実施形態の表示装置における回路構成を示すブロック図である。

【図3】本発明の第１実施形態の表示装置における画素回路の構成を示す回路図である。

【図4】本発明の第１実施形態の表示装置における画素の構成を示す断面図である。

【図5】本発明の第１実施形態の画素におけるＬＥＤ素子の近傍を拡大した平面図である。

【図6】本発明の第１実施形態の画素におけるＬＥＤ素子の近傍を模式的に示す断面図である。

【図7】本発明の第１実施形態の表示装置における製造方法を示すフローチャート図である。

【図8】本発明の第１実施形態の表示装置における製造方法を示す断面図である。

【図9】本発明の第１実施形態の表示装置における製造方法を示す断面図である。

【図10】本発明の第１実施形態の表示装置における製造方法を示す断面図である。

【図11】本発明の第１実施形態の表示装置における製造方法を示す断面図である。

【図12】本発明の第１実施形態の表示装置における製造方法を示す断面図である。

【図13】本発明の第１実施形態の表示装置における製造方法を示す断面図である。

【図14】本発明の第１実施形態の画素におけるＬＥＤ素子の近傍を拡大した平面図である。

【図15】比較例の画素におけるＬＥＤ素子の近傍を拡大した断面図である。

【図16】本発明の第１実施形態の変形例１における画素の構成を示す断面図である。

【図17】本発明の第１実施形態の変形例２における画素の構成を示す断面図である。

【図18】本発明の第１実施形態の変形例３における画素の構成を示す断面図である。

【図19】本発明の第１実施形態の変形例４における画素の構成を示す断面図である。

【図20】本発明の第１実施形態の変形例５における画素の構成を示す断面図である。

【図21】本発明の第１実施形態の変形例６における画素の構成を示す断面図である。

【図22】本発明の第２実施形態の表示装置における画素の構成を示す断面図である。

【図23】本発明の第２実施形態の変形例における画素の構成を示す断面図である。

【図24】本発明の第３実施形態の表示装置における画素の構成を示す断面図である。

【図25】本発明の第４実施形態の変形例における画素の構成を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができる。本発明は、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかしながら、図面は、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

【0011】

本発明の実施形態を説明する際、基板からＬＥＤ素子に向かう方向を「上」とし、その逆の方向を「下」とする。ただし、「上に」又は「下に」という表現は、単に、各要素の上限関係を説明しているにすぎない。例えば、基板の上にＬＥＤ素子が配置されるという表現は、基板とＬＥＤ素子との間に他の部材が介在する場合も含む。さらに、「上に」又は「下に」という表現は、平面視において各要素が重畳する場合だけでなく、重畳しない場合をも含む。また、「直上」又は「直下」という表現は、平面視において各要素が重畳する場合を指す。

【0012】

本明細書および特許請求の範囲において、ある一つの膜に対してエッチング等の加工処理を施すことにより形成された複数の要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）は、それぞれ異なる機能又は役割を有する要素として記載されることがある。これら複数の要素は、同一の層構造及び同一の材料で構成されたものであり、同一層にある要素として記載される。また、互いに異なるプロセスにより形成された複数の要素が、同一の他の要素の上に、当該他の要素に接して設けられた場合、これら複数の要素も、同一層にある要素として記載される。

【0013】

本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ、Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ、Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示が無い限り、αはＡ～Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

【0014】

本発明の実施形態を説明する際、既に説明した要素と同様の機能を備えた要素については、同一の符号又は同一の符号にアルファベット等の記号を付して、説明を省略することがある。例えば、ある符号を付した要素が図面中に複数存在する場合、それぞれ「ａ」、「ｂ」等を符号に付して区別する場合がある。他方、それぞれの要素を区別する必要がない場合は、その要素を示す符号のみを用いて説明する。同様に、ある要素について、ＲＧＢの各色に区別して説明する必要がある場合は、その要素を示す符号の後に、Ｒ、Ｇ又はＢの記号を付して区別する場合がある。他方、その要素について、ＲＧＢの各色に区別して説明する必要がない場合は、その要素を示す符号のみを用いて説明する。

【0015】

＜第１実施形態＞
［表示装置の構成］
図１～図４を用いて、本発明の一実施形態の表示装置１０の構成について説明する。

【0016】

図１は、本発明の第１実施形態の表示装置１０における概略の構成を示す平面図である。図１に示すように、表示装置１０は、回路基板１００、フレキシブルプリント回路基板１６０（ＦＰＣ１６０）、及びＩＣ素子１７０を有する。表示装置１０は表示領域１１２、周辺領域１１４、及び端子領域１１６に区分される。

【0017】

表示領域１１２は、ＬＥＤ素子２００を含む複数の画素１１０が行方向（Ｄ１方向）及び列方向（Ｄ２方向）に配置された領域である。具体的には、本実施形態では、ＬＥＤ素子２００Ｒを含む画素１１０Ｒ、ＬＥＤ素子２００Ｇを含む画素１１０Ｇ、及びＬＥＤ素子２００Ｂを含む画素１１０Ｂが配置される。表示領域１１２は、映像信号に応じた画像を表示する領域として機能する。

【0018】

周辺領域１１４は、表示領域１１２の周囲の領域である。周辺領域１１４には、各画素１１０に設けられた画素回路（図２に示す画素回路１２０Ｒ、１２０Ｇ及び１２０Ｂ）を制御するためのドライバ回路（図２に示すデータドライバ回路１３０及びゲートドライバ回路１４０）が設けられた領域である。

【0019】

端子領域１１６は、前述のドライバ回路に接続された複数の配線が集約された領域である。フレキシブルプリント回路基板１６０は、端子領域１１６において複数の配線に電気的に接続される。外部装置（図示せず）から出力された映像信号（データ信号）又は制御信号は、フレキシブルプリント回路基板１６０に設けられた配線（図示せず）を介して、ＩＣ素子１７０に入力される。ＩＣ素子１７０は、映像信号に対して各種の信号処理を行ったり表示制御に必要な制御信号を生成したりする。ＩＣ素子１７０から出力された映像信号及び制御信号は、フレキシブルプリント回路基板１６０を介して、表示装置１０に入力される。

【0020】

［表示装置の回路構成］
図２は、本発明の第１実施形態の表示装置１０における回路構成を示すブロック図である。図２に示すように、表示領域１１２には、各画素１１０に対応して、画素回路１２０が設けられている。本実施形態では、画素１１０Ｒ、画素１１０Ｇ及び画素１１０Ｂに対応して、それぞれ画素回路１２０Ｒ、画素回路１２０Ｇ及び画素回路１２０Ｂが設けられている。すなわち、表示領域１１２には、複数の画素回路１２０が、行方向（Ｄ１方向）及び列方向（Ｄ２方向）に配置されている。

【0021】

図３は、本発明の第１実施形態の表示装置１０における画素回路１２０の構成を示す回路図である。画素回路１２０は、データ線１２１、ゲート線１２２、アノード電源線１２３及びカソード電源線１２４に囲まれた領域に配置される。本実施形態の画素回路１２０は、選択トランジスタ１２６、駆動トランジスタ１２７、保持容量１２８及びＬＥＤ１２９を含む。ＬＥＤ１２９は、図１に示したＬＥＤ素子２００に対応する。画素回路１２０のうち、ＬＥＤ１２９以外の回路要素は、回路基板１００に設けられた駆動回路１２５（図４参照）に相当する。つまり、回路基板１００に対してＬＥＤ素子２００を実装した状態で画素回路１２０が完成する。

【0022】

図３に示すように、選択トランジスタ１２６のソース電極、ゲート電極及びドレイン電極は、それぞれデータ線１２１、ゲート線１２２及び駆動トランジスタ１２７のゲート電極に接続される。駆動トランジスタ１２７のソース電極、ゲート電極及びドレイン電極は、それぞれアノード電源線１２３、選択トランジスタ１２６のドレイン電極及びＬＥＤ１２９に接続される。駆動トランジスタ１２７のゲート電極とドレイン電極との間には保持容量１２８が接続される。すなわち、保持容量１２８は、選択トランジスタ１２６のドレイン電極に接続される。ＬＥＤ１２９は、アノード及びカソードが、それぞれ駆動トランジスタ１２７のドレイン電極及びカソード電源線１２４に接続される。

【0023】

データ線１２１には、ＬＥＤ１２９の発光強度を決める階調信号が供給される。ゲート線１２２には、階調信号を書き込む選択トランジスタ１２６を選択するためのゲート信号が供給される。選択トランジスタ１２６がＯＮ状態になると、階調信号が保持容量１２８に蓄積される。その後、駆動トランジスタ１２７がＯＮ状態になると、階調信号に応じた駆動電流が駆動トランジスタ１２７を流れる。駆動トランジスタ１２７から出力された駆動電流がＬＥＤ１２９に入力されると、ＬＥＤ１２９が階調信号に応じた発光強度で発光する。

【0024】

再び図２を参照すると、表示領域１１２に対して列方向（Ｄ２方向）に隣接する位置には、データドライバ回路１３０が配置される。また、表示領域１１２に対して行方向（Ｄ１方向）に隣接する位置には、ゲートドライバ回路１４０が配置される。本実施形態では、表示領域１１２を両側に、２つのゲートドライバ回路１４０を設けているが、いずれか一方のみであってもよい。

【0025】

データドライバ回路１３０及びゲートドライバ回路１４０は、いずれも周辺領域１１４に配置されている。ただし、データドライバ回路１３０を配置する領域は周辺領域１１４に限られない。例えば、データドライバ回路１３０は、フレキシブルプリント回路基板１６０に配置されていてもよい。

【0026】

図３に示したデータ線１２１は、データドライバ回路１３０から列方向に延在し、各画素回路１２０における選択トランジスタ１２６のソース電極に接続される。ゲート線１２２は、ゲートドライバ回路１４０から方向に延在し、各画素回路１２０における選択トランジスタ１２６のゲート電極に接続される。

【0027】

端子領域１１６には、端子部１５０が配置されている。端子部１５０は、接続配線１５１を介してデータドライバ回路１３０と接続される。同様に、端子部１５０は、接続配線１５２を介してゲートドライバ回路１４０と接続される。さらに、端子部１５０は、フレキシブルプリント回路基板１６０と接続される。

【0028】

［画素の断面構造］
図４は、本発明の第１実施形態の表示装置１０における画素１１０の構成を示す断面図である。画素１１０は、絶縁基板１１の上に設けられた駆動トランジスタ１２７を有する。絶縁基板１１としては、ガラス基板、樹脂基板、セラミックス基板又は金属基板の上に絶縁層を設けた基板を用いることができる。絶縁基板１１として樹脂基板を用いた場合、表示装置１０に可撓性を付与することができる。

【0029】

駆動トランジスタ１２７は、半導体層１２、ゲート絶縁層１３及びゲート電極１４を含む。半導体層１２には、絶縁層１５を介してソース電極１６及びドレイン電極１７が接続される。図示は省略するが、ゲート電極１４は、図３に示した選択トランジスタ１２６のドレイン電極に接続される。

【0030】

ソース電極１６及びドレイン電極１７と同一の層には、配線１８が設けられている。配線１８は、図３に示したアノード電源線１２３として機能する。そのため、ソース電極１６及び配線１８は、平坦化層１９の上に設けられた接続配線２０によって電気的に接続される。平坦化層１９は、ポリイミド、アクリル等の樹脂材料を用いた透明な樹脂層である。接続配線２０は、ＩＴＯなどの金属酸化物材料を用いた透明導電層である。ただし、この例に限らず、接続配線２０として、その他の金属材料を用いることもできる。

【0031】

接続配線２０の上には、窒化シリコン等で構成された絶縁層２１が設けられる。絶縁層２１の上には、アノード電極２２及びカソード電極２３が設けられる。アノード電極２２及びカソード電極２３は、金属材料で構成される。アノード電極２２は、平坦化層１９及び絶縁層２１に設けられた開口を介してドレイン電極１７に接続される。アノード電極２２及びカソード電極２３が形成された時点で、駆動回路１２５が完成する。図４では図示を省略するが、駆動トランジスタ１２７以外にも、選択トランジスタ１２６及び保持容量１２８が形成されている。

【0032】

アノード電極２２及びカソード電極２３のそれぞれは、平坦化層として機能する絶縁層２４を介して実装パッド２５ａ及び２５ｂに接続される。実装パッド２５ａは、駆動トランジスタ１２７とＬＥＤ素子２００とを電気的に接続する中間層として機能する。実装パッド２５ｂは、ＬＥＤ素子２００とカソード電極２３とを電気的に接続する中間層として機能する。

【0033】

本実施形態では、実装パッド２５と同一層に、光反射層２６を形成する。光反射層２６は、上方から照射されたレーザー光を斜めの方向に向けて反射するための層として機能する。後述するように、ＬＥＤ素子２００の半導体層２０２を透過したレーザー光は、光反射層２６により接続電極１０３ａ及び１０３ｂに向けて反射される。光反射層２６により反射されたレーザー光は、接続電極１０３と端子電極２０３とを溶融接合する際に利用される。

【0034】

光反射層２６は、ＬＥＤ素子２００の半導体層２０２を透過する光の波長において、相対的に高い反射率を示す材料で構成されることが望ましい。本実施形態では、半導体層２０２として、近赤外光を透過する窒化ガリウムを含む半導体材料を用いるため、レーザー光として、ＹＡＧレーザー、又はＹＶＯ₄レーザーから発する光（波長：約１０６４ｎｍ）を用いる。そのため、光反射層２６は、１．０μｍ以上１．５μｍ以下の波長における光の反射率が９０％以上（好ましくは、９５％以上）であることが望ましい。このような材料としては、金、銀、銅、又はアルミニウムを含む金属材料（合金材料を含む）を用いることができる。これらの材料を用いた金属層は、単層で用いてもよいし、２種類以上の金属層を積層してもよい。

【0035】

本実施形態では、実装パッド２５と光反射層２６を異なるプロセスで形成する。具体的には、実装パッド２５は、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、又はアルミニウムを含む金属材料を用いて構成される。これに対し、本実施形態の光反射層２６は、金、銀、銅、又はアルミニウムを含む金属材料を用いて構成される。ここでは、光反射層２６を構成する材料として、銅を用いた例を示す。

【0036】

図４に示すように、光反射層２６は、ＬＥＤ素子２００の半導体層２０２の直下に配置される。具体的には、光反射層２６は、接続電極１０３ａと接続電極１０３ｂとの間に配置される。このとき、平面視において、光反射層２６の一部は、接続電極１０３ａと接続電極１０３ｂとに重畳することが望ましい。光反射層２６の一部と接続電極１０３とを重畳させることにより、光反射層２６の下方（すなわち、駆動回路１２５）に到達するレーザー光の量を抑制することができる。ただし、この例に限らず、光反射層２６は、接続電極１０３と重畳していなくてもよい。

【0037】

また、図４に示すように、本実施形態の光反射層２６は、傾斜面２６ａを有する。傾斜面２６ａは、絶縁層２４に接する下面２６ｂを基準としたとき、下面２６ｂに対して所定の勾配を有する面である。傾斜面２６ａの勾配は、ＬＥＤ素子２００を透過して傾斜面２６ａに入射したレーザー光が、接続電極１０３に向けて反射されるように設定される。

【0038】

図５は、本発明の第１実施形態の画素１１０におけるＬＥＤ素子２００の近傍を拡大した平面図である。図６は、本発明の第１実施形態の画素１１０におけるＬＥＤ素子２００の近傍を模式的に示す断面図である。図５及び図６において、図４と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略する。

【0039】

図５に示すように、光反射層２６は、ＬＥＤ素子２００の直下の領域のうち、接続電極１０３ａと接続電極１０３ｂとの間の領域（以下、「反射領域」と呼ぶ）を覆うように配置される。本実施形態では、平面視における光反射層２６のサイズ（厳密には、光反射層２６の下面２６ｂのサイズ）を反射領域のサイズよりも大きくした例を示している。ただし、この例に限らず、平面視における光反射層２６のサイズは、反射領域のサイズと同一であってもよいし、反射領域のサイズより小さくてもよい。

【0040】

図６には、後述するレーザー照射を行った場合におけるレーザー光４０の光路を模式的に示している。図示は省略するが、レーザー光４０は、光反射層２６の直上に配置されたＬＥＤ素子２００の半導体層２０２を透過して光反射層２６に入射する。図６に示すように、レーザー光４０は、光反射層２６の傾斜面２６ａで反射され、接続電極１０３に向かう。

【0041】

図６において、傾斜面２６ａの勾配（θ）は、例えば、光反射層２６の膜厚（Ｔｒ）、光反射層２６の幅（Ｗｒ）、絶縁層２７の膜厚（Ｔｉ）、接続電極１０３の間の距離（Ｄｅ）、接続電極１０３の幅（Ｗｅ）などを考慮して決定される。ここで、光反射層２６の幅（Ｗｒ）は、図６に示すように、接続電極１０３ａ及び接続電極１０３ｂに対向する傾斜面２６ａが断面に現れるように光反射層２６を切断した断面図における、下面２６ｂの長さに対応する。

【0042】

本実施形態では、レーザー光４０の少なくとも一部が接続電極１０３に入射するように、光反射層２６の傾斜面２６ａが設定されていればよい。例えば、光反射層２６の幅（Ｗｒ）が１０μｍであり、かつ、絶縁層２７の膜厚（Ｔｉ）が４μｍ又は５μｍである場合、光反射層２６の膜厚（Ｔｒ）は３μｍ以上４μｍ以下の範囲に収まり、傾斜面２６ａの勾配は３０度以上４０度以下の範囲に収まる。ただし、これらの数値範囲は一例に過ぎず、前述の各パラメータを調整することにより、接続電極１０３へのレーザー光４０の入射量は、適宜調整することが可能である。

【0043】

図４に説明を戻すと、実装パッド２５及び光反射層２６の上には、絶縁層２７が設けられる。絶縁層２７は、接続電極１０３と光反射層２６とを絶縁分離する役割を有する。絶縁層２７は、光反射層２６に照射されるレーザー光（特に、赤外光）を透過させる必要があるため、赤外光の透過率の高い材料が望ましい。本実施形態では、絶縁層２７として、酸化アルミニウム（サファイアも含む）、窒化シリコン、又は酸化シリコンで構成される無機絶縁材料を用いる。

【0044】

絶縁層２７は、実装パッド２５及び光反射層２６に起因する凹凸を緩和する役平坦化層として機能してもよい。この場合、絶縁層２７は、実装パッド２５及び光反射層２６の膜厚に比べて十分に厚い膜厚を有することが好ましい。

【0045】

絶縁層２７の上には、接続電極１０３ａ及び接続電極１０３ｂが設けられる。接続電極１０３ａ及び１０３ｂは、それぞれ絶縁層２７に設けられた開口部を介して実装パッド２５ａ及び２５ｂに接続される。本実施形態では、接続電極１０３として、錫（Ｓｎ）で構成される電極を配置する。

【0046】

接続電極１０３ａ及び１０３ｂの上には、ＬＥＤ素子２００が配置される。ＬＥＤ素子２００は、半導体層２０２、端子電極２０３ａ及び端子電極２０３ｂを含む。半導体層２０２は、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層を含む光電変換層として機能する。本実施形態では、窒化ガリウムを含む半導体材料を用いて半導体層２０２を構成しているが、この例に限られるものではない。

【0047】

本実施形態では、図３に示すように、ＬＥＤ素子２００のアノードが、駆動トランジスタ１２７に接続される。したがって、端子電極２０３ａは、半導体層２０２のうちｐ型半導体層に接続されるとともに、接続電極１０３ａに接続される。また、端子電極２０３ｂは、半導体層２０２のうちｎ型半導体層に接続されるとともに、接続電極１０３ｂに接続される。

【0048】

本実施形態において、端子電極２０３は、金（Ａｕ）で構成される電極である。後述するように、接続電極１０３と端子電極２０３とはレーザー光照射による溶融接合により接合される。そのため、接続電極１０３と端子電極２０３との間には、図示しない合金層（錫と金とを含む共晶合金）が存在する。

【0049】

ＬＥＤ素子２００は、図３に示した回路図において、ＬＥＤ１２９に相当する。具体的には、ＬＥＤ素子２００の端子電極２０３ａは、駆動トランジスタ１２７のドレイン電極１７に接続されたアノード電極２２に接続される。ＬＥＤ素子２００の端子電極２０３ｂは、カソード電極２３に接続される。カソード電極２３は、図３に示したカソード電源線１２４と電気的に接続される。

【0050】

以上の構造を有する本実施形態の表示装置１０は、ＬＥＤ素子２００が赤外光照射による溶融接合により強固に実装されているため、衝撃等に対する耐性が高いという利点を有する。

【0051】

［表示装置の製造方法］
図７は、本発明の第１実施形態の表示装置１０における製造方法を示すフローチャート図である。図８～図１３は、本発明の第１実施形態の表示装置１０における製造方法を示す断面図である。以下、図７を用いて表示装置１０の製造方法について説明する。その際、図８～図１３を用いて各製造プロセスにおける断面構造について説明する。

【0052】

まず、図７のステップＳ１１において、絶縁基板１１の上にＬＥＤ素子２００を駆動する駆動回路１２５を形成する。図８は、図７のステップＳ１１に対応する断面構造を示している。絶縁基板１１としては、例えば、ガラス基板、樹脂基板、セラミックス基板又は金属基板を用いることができる。図８では図示を省略しているが、本実施形態の駆動回路１２５は、駆動トランジスタ１２７のほか、選択トランジスタ１２６及び保持容量１２８を含む。ただし、駆動回路１２５の構成は、この例に限らず、必要に応じて他の回路要素を含んでもよい。

【0053】

駆動回路１２５は、通常の薄膜形成技術を用いて形成することができるため、駆動回路１２５の具体的な製造プロセスについての説明は省略する。絶縁基板１１の上に駆動回路１２５を形成したら、絶縁層２４を形成して駆動回路１２５に起因する起伏を平坦化する。

【0054】

次に、図７のステップＳ１２において、駆動回路１２５の上（具体的には、駆動回路１２５を覆う絶縁層２４の上）に、光反射層２６を形成する。図９は、図７のステップＳ１２に対応する断面構造を示している。本実施形態では、銅を含む金属層をスパッタ法または無電解めっき法により形成し、フォトリソグラフィによりパターニングを施して光反射層２６を形成する。光反射層２６の傾斜面２６ａは、銅を含む金属層をエッチングする際に、レジストマスクの後退を利用して形成すればよい。

【0055】

光反射層２６を形成した後、絶縁層２４の上には、さらに実装パッド２５ａ及び実装パッド２５ｂが形成される。図示は省略するが、実装パッド２５ａ及び２５ｂは、図４に示したように、それぞれアノード電極２２及びカソード電極２３に接続されている。そのため、実装パッド２５を形成するに先立って、絶縁層２４には図示しない開口部が形成される。本実施形態では、実装パッド２５の構成材料としてタンタルを含む金属材料を用いるが、この例に限られるものではない。実装パッド２５は、例えば、スパッタ法により形成することができる。

【0056】

次に、図７のステップＳ１３において、光反射層２６及び実装パッド２５を覆う絶縁層２７を形成する。図１０は、図７のステップＳ１３に対応する断面構造を示している。絶縁層２７は、後に形成される接続電極１０３と、光反射層２６とを絶縁分離するための層である。本実施形態では、絶縁層２７として、酸化シリコンで構成される絶縁層を用いる。

【0057】

次に、図７のステップＳ１４において、絶縁層２７の上に駆動回路１２５と電気的に接続された接続電極１０３ａ及び接続電極１０３ｂを形成する。図１１は、図７のステップＳ１４に対応する断面構造を示している。本実施形態では、接続電極１０３の構成材料として錫（Ｓｎ）を用いる。ただし、この例に限らず、後述するＬＥＤ素子２００の端子電極２０３との間で共晶合金を形成し得る他の金属材料を用いてもよい。例えば、接続電極１０３及び端子電極２０３は、共に錫（Ｓｎ）で構成されていてもよい。接続電極１０３の厚さは、０．２μｍ以上５μｍ以下（好ましくは、１μｍ以上３μｍ以下）の範囲内で決めればよい。

【0058】

接続電極１０３は、実装パッド２５の位置に合わせて形成される。具体的には、図７のステップＳ１３で絶縁層２７を形成した後、実装パッド２５ａ及び２５ｂに対応する位置において、絶縁層２７に、それぞれ開口部２８ａ及び開口部２８ｂを形成する。その後、絶縁層２７の上に、実装パッド２５と電気的に接続する接続電極１０３を形成する。このとき、接続電極１０３ａ及び１０３ｂのそれぞれは、平面視において光反射層２６の一部と重畳する。このような構造とした場合、後述するレーザー光の照射の際、光反射層２６の下方へ到達するレーザー光の光量を低減することができる。

【0059】

次に、図７のステップＳ１５において、接続電極１０３とＬＥＤ素子２００の端子電極２０３とが接するようにＬＥＤ素子２００を配置する。図１２は、図７のステップＳ１５に対応する断面構造を示している。このとき、端子電極２０３ａは、接続電極１０３ａの上に位置し、端子電極２０３ｂは、接続電極１０３ｂの上に位置する。なお、図１２では、１つのＬＥＤ素子２００のみ図示しているが、実際には、各画素にＬＥＤ素子２００が配置されている。すなわち、駆動回路１２５が形成された回路基板の上には、複数のＬＥＤ素子２００が配置される。

【0060】

複数のＬＥＤ素子２００は、一括して接続電極１０３に対して位置合わせを行うことができる。例えば、サファイア基板等の半導体基板の上に、複数のＬＥＤ素子２００を画素ピッチに合わせて形成しておく。その後、複数のＬＥＤ素子２００と、各画素に設けられた複数の端子電極２０３とを一括して位置合わせすればよい。

【0061】

図１２に示すように、本実施形態では、駆動回路１２５に対向する面に２つの端子電極２０３ａ及び２０３ｂを有するフリップ素子型のＬＥＤ素子２００を実装する例について説明する。ただし、ＬＥＤ素子２００の形態は、この例に限られるものではない。例えば、ＬＥＤ素子２００は、駆動回路１２５に近い側にアノード電極（もしくはカソード電極）を有し、駆動回路１２５から遠い側にカソード電極（もしくはアノード電極）を有する構造であってもよい。すなわち、ＬＥＤ素子２００は、アノード電極とカソード電極との間に発光層を挟んだ構造を有するフェイスアップ型のＬＥＤ素子であってもよい。ＬＥＤ素子２００としてフェイスアップ型のＬＥＤ素子を用いる場合、接続電極１０３は、各画素に１つ設けられていればよい。

【0062】

図１２に示すＬＥＤ素子２００は、半導体基板（図示せず）の上に成長させた窒化ガリウムを含む半導体材料で構成された半導体層２０２を有する。本実施形態では、半導体基板としてサファイア基板を用いる。ただし、半導体基板を構成する材料とＬＥＤ素子２００の半導体層２０２を構成する材料との組み合わせは、ＬＥＤ素子２００の発光色に応じて適宜決定すればよい。

【0063】

次に、図７のステップＳ１６において、ＬＥＤ素子２００の半導体層２０２を介してレーザー光４０を光反射層２６に照射することにより、接続電極１０３と端子電極２０３とを接合する。図１３は、図７のステップＳ１６に対応する断面構造を示している。本実施形態では、レーザー光４０として、ＹＡＧレーザー、又はＹＶＯ₄レーザーから発する近赤外光（波長：約１０６４ｎｍ）を用いる。

【0064】

図１３に示すように、外部の光源から発したレーザー光４０は、ＬＥＤ素子２００の半導体層２０２を透過して、光反射層２６に照射される。本実施形態では、半導体層２０２が窒化ガリウム系の半導体材料であるため、近赤外光を透過させる。他方、光反射層２６は、近赤外光に対する反射率が９５％以上である銅を含む金属材料を用いているため、傾斜面２６ａにおいてレーザー光４０が反射される。

【0065】

本実施形態では、レーザー光４０として、近赤外光を用いる例を示したが、この例に限られるものではない。レーザー光４０は、ＬＥＤ素子２００の半導体層２０２を構成する半導体材料等に応じて、適切な波長のレーザー光を選択することが可能である。例えば、レーザー光４０は、近赤外光よりも波長が長い赤外光であってもよい。また、レーザー光４０は、近赤外光よりも波長が短い可視光（例えばグリーンレーザー光）であってもよい。いずれのレーザー光を用いる場合であっても、使用するレーザー光４０の波長に合わせて、効率よくレーザー光４０を反射できるように光反射層２６の材料を選択することが望ましい。

【0066】

光反射層２６で反射されたレーザー光４０は、絶縁層２７を介して接続電極１０３に入射する。接続電極１０３に入射したレーザー光４０は、接続電極１０３に吸収されて熱に変換される。接続電極１０３で生じた熱は、さらにＬＥＤ素子２００の端子電極２０３にも伝達される。したがって、光反射層２６で反射されたレーザー光４０により、接続電極１０３と端子電極２０３との界面に十分な熱が加わり、接続電極１０３と端子電極２０３とが溶融接合される。

【0067】

図示は省略するが、接続電極１０３と端子電極２０３との間には合金層（錫と金とを含む共晶合金）が形成される。本実施形態では、接続電極１０３と端子電極２０３との間に共晶合金で構成された合金層が形成されることにより、接続電極１０３と端子電極２０３とが強固に接合される。

【0068】

以上説明したとおり、本実施形態では、レーザー光を照射することにより、駆動回路１２５に接続された接続電極１０３とＬＥＤ素子２００の端子電極２０３とを溶融接合する。その際、ＬＥＤ素子２００の直下に配置された光反射層２６がレーザー光４０の光路を変更する部材として機能する。すなわち、半導体層２０２を透過して光反射層２６に照射されたレーザー光４０は、光反射層２６によって光路が変更され、絶縁層２７を介して接続電極１０３に入射する。

【0069】

図１４は、第１実施形態の画素１１０におけるＬＥＤ素子２００の近傍を拡大した平面図である。図１４に示すように、本実施形態では、半導体層２０２の直下の光反射層２６に当たるようにレーザー光４０を照射すれば済むため、レーザー光４０のスポット径を小さく設定することが可能である。つまり、本実施形態によれば、レーザー光４０のスポット径を小さくすることにより、レーザー光４０のエネルギー密度を上げることができ、効率よくレーザー光照射を行うことができる。また、光反射層２６で受けた光エネルギーを反射して効率よく接続電極１０３を加熱できるため、光エネルギーの損失を抑制することができる。

【0070】

これに対し、光反射層２６を設けない比較例では、レーザー光４０の光エネルギーの損失が本実施形態に比べて大きい。例えば、図１５は、比較例の画素におけるＬＥＤ素子２００の近傍を拡大した断面図である。図１５に示すように、半導体層２０２の直下にはレーザー光（図示せず）を反射する層がないため、照射されたレーザー光は、そのまま駆動回路１２５に到達する。この場合、駆動回路１２５に到達したレーザー光によって駆動トランジスタ１２７の半導体層１２に悪影響を及ぼすおそれがある。

【0071】

また、レーザー光のスポット径を大きくしてＬＥＤ素子２００の全体が入るようにレーザー光を照射した場合、金（Ａｕ）で構成された端子電極２０３の表面でレーザー光が反射されてしまう。この場合、図１５において一点鎖線で示す領域３０ａ又は領域３０ｂが若干加熱されるにとどまり、接続電極１０３と端子電極２０３との接合部まで効率よく熱を伝えることが難しい。

【0072】

［画素構造の変形例］
第１実施形態では、断面が略三角形の形状の光反射層２６を配置した画素構造について説明したが、画素構造の態様は、この例に限られるものではない。画素構造を他の態様とした変形例について以下に説明する。

【0073】

（変形例１）
図１６は、本発明の第１実施形態の変形例１における画素１１０ａの構成を示す断面図である。図１６に示す例では、光反射層５１として、断面が略台形の形状の金属層を用いる。光反射層５１は、図４に示した例に比べて、膜厚を抑えつつ傾斜面５１ａの勾配を大きくすることができるという利点を有する。

【0074】

（変形例２）
図１７は、本発明の第１実施形態の変形例２における画素１１０ｂの構成を示す断面図である。図１７に示す例では、断面が略三角形の形状の光反射層５２を複数並べて配置する。図１７では、２つの光反射層５２を並べて配置した例を示しているが、光反射層５２は、２つ以上設けられてもよい。光反射層５２は、図４に示した例に比べて、膜厚を抑えつつ傾斜面５２ａの勾配を大きくすることができるという利点を有する。

【0075】

（変形例３）
図１８は、本発明の第１実施形態の変形例３における画素１１０ｃの構成を示す断面図である。図１８に示す例では、断面が略直角三角形の形状の光反射層５３を複数並べて配置する。具体的には、図１８では、２つの光反射層５３が互いに離隔して配置されている。図１８では、２つの光反射層５３を配置した例を示しているが、光反射層５３は、２つ以上設けられてもよい。光反射層５３は、図４に示した例に比べて、膜厚を抑えつつ傾斜面５３ａの勾配を大きくすることができるという利点を有する。

【0076】

（変形例４）
図１９は、本発明の第１実施形態の変形例４における画素１１０ｄの構成を示す断面図である。図１９に示す例では、光反射層５４として、互いに異なる勾配を有する２つの傾斜面５４ａ及び傾斜面５４ｂを有する金属層を用いる。具体的には、図１９では、傾斜面５４ａの勾配（θ１）に比べて、傾斜面５４ｂの勾配（θ２）が大きい。この場合、接続電極１０３ａに入射するレーザー光４０の光量と接続電極１０３ｂに入射するレーザー光４０の光量とを異ならせることができる。

【0077】

（変形例５）
図２０は、本発明の第１実施形態の変形例５における画素１１０ｅの構成を示す断面図である。図２０に示す例では、光反射層５５に加えて、光反射層５５’を配置した構造を示している。具体的には、図２０では、光反射層５５をＬＥＤ素子２００の直下に配置するとともに、光反射層５５と離隔した位置に複数の光反射層５５’を配置する。このとき、平面視において、光反射層５５と光反射層５５’との間に接続電極１０３が位置する。なお、本実施形態では、説明の便宜上、実装パッド２５の図示を省略している。

【0078】

図２０に示す例では、ＬＥＤ素子２００を透過したレーザー光４０が光反射層５５の傾斜面５５ａによって反射され、接続電極１０３に入射する。さらに、ＬＥＤ素子２００の周囲に漏れたレーザー光４０（すなわち、ＬＥＤ素子２００に当たらずに絶縁層２７に入射したレーザー光４０）は、光反射層５５’の傾斜面５５ａ’によって反射され、接続電極１０３に入射する。

【0079】

このように、本変形例では、レーザー光４０の照射範囲がＬＥＤ素子２００よりも大きい場合に、ＬＥＤ素子２００に当たらなかったレーザー光をも接続電極１０３に向けて反射させることができる。これにより、レーザー光４０のエネルギー損失を抑制することができるとともに、駆動回路１２５へのレーザー光４０の影響を低減することができる。

【0080】

なお、本実施形態では、光反射層５５’として略直角三角形の形状の金属層を用いる例を示したが、この例に限らず、光反射層５５と光反射層５５’の形状を同一形状としてもよい。

【0081】

（変形例６）
図２１は、本発明の第１実施形態の変形例６における画素１１０ｆの構成を示す断面図である。図２１に示す例では、絶縁層２７の膜厚が光反射層５６の膜厚に比べて薄くなっている。すなわち、光反射層５６は、上方の一部が絶縁層２７から露出した構造となっている。なお、本実施形態では、説明の便宜上、実装パッド２５の図示を省略している。

【0082】

本変形例の場合、光反射層５６の膜厚にかかわらず絶縁層２７の膜厚を設定することができるため、図４に示した例に比べて、絶縁層２７の膜厚を抑えつつ、光反射層５６の傾斜面５６ａの勾配を大きくすることができるという利点を有する。

【0083】

（変形例７）
上述した第１実施形態（変形例１～６を含む）では、断面が多角形である例について説明したが、この例に限られるものではない。例えば、光反射層の傾斜面は、湾曲面であってもよい。このとき、湾曲面は、凹面であっても凸面であってもよい。

【0084】

＜第２実施形態＞
本実施形態では、第１実施形態とは異なる画素構造を有する表示装置について説明する。本実施形態では、第１実施形態と相違する部分について説明する。本実施形態の説明に用いる図面について、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0085】

図２２は、本発明の第２実施形態の表示装置における画素１１０ｇの構成を示す断面図である。図２２に示す例は、図４に示した画素１１０と類似するが、接続電極１０３と同一層に光反射層５７が設けられている。具体的には、光反射層５７は、接続電極１０３ａと接続電極１０３ｂとの間に、両者と短絡しないように配置される。

【0086】

図２３は、本発明の第２実施形態の表示装置における画素１１０ｈの構成を示す断面図である。図２３に示す例は、図２０に示した画素１１０ｅと類似するが、接続電極１０３と同一層に光反射層５８及び光反射層５８’が設けられている。具体的には、光反射層５８は、接続電極１０３ａと接続電極１０３ｂとの間に、両者と短絡しないように配置される。また、光反射層５８’は、光反射層５８と離隔した位置に配置される。このとき、平面視において、光反射層５８と光反射層５８’との間に接続電極１０３が位置する。

【0087】

本実施形態では、光反射層５７、光反射層５８及び光反射層５８’として銅を含む合金材料を用いるが、第１実施形態で説明した他の金属材料を用いてもよい。本実施形態では、錫（Ｓｎ）を用いて接続電極１０３を形成するため、接続電極１０３とは別のプロセスにより光反射層５７、光反射層５８及び光反射層５８’を形成する。

【0088】

本実施形態では、実装パッド２５を覆うように絶縁層２７を設けた例を示したが、この例に限らず、絶縁層２７を省略してもよい。すなわち、実装パッド２５の上に直接的に接続電極１０３を設けてもよい。この場合、平坦化層としての絶縁層２７を省略することができるため、回路基板の厚さを薄くすることができる。

【0089】

＜第３実施形態＞
本実施形態では、第１実施形態とは異なる画素構造を有する表示装置について説明する。本実施形態では、第１実施形態と相違する部分について説明する。本実施形態の説明に用いる図面について、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0090】

図２４は、本発明の第３実施形態の表示装置における画素１１０ｊの構成を示す断面図である。図２４に示す例は、図４に示した画素１１０と類似するが、実装パッド２５及び光反射層５９が同一の金属材料で構成されている。具体的には、実装パッド２５及び光反射層５９は、銅を含む金属材料（例えば、銅合金）で構成されている。

【0091】

本実施形態では、伝導性に優れた銅を含む金属材料を用いるため、光反射層５９の赤外光（レーザー光）に対する反射率を９０％以上に維持しつつ、実装パッド２５の抵抗を下げることができる。また、実装パッド２５と光反射層５９とを同一の金属材料で形成することができるため、製造プロセスを簡略化することができる。また、この場合、実装パッド２５の表面も赤外光に対して高い反射率を示すため、赤外光の照射エリアをＬＥＤ素子２００より広げた場合であっても、駆動回路１２５への赤外光の入射を抑制することができる。

【0092】

＜第４実施形態＞
本実施形態では、第１実施形態とは異なる画素構造を有する表示装置について説明する。本実施形態では、第１実施形態と相違する部分について説明する。本実施形態の説明に用いる図面について、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0093】

図２５は、本発明の第４実施形態の表示装置における画素１１０ｋの構成を示す断面図である。図２５に示す例は、図４に示した画素１１０と類似するが、光反射層６０が、互いに異なる２種類の金属層を積層した構造を有する。具体的には、光反射層６０は、金属層６０ｂと、金属層６０ｂを覆う金属層６０ｃとを有する。すなわち、光反射層６０は、金属層６０ｂの表面を、金属層６０ｃでコーティングした構造を有する。つまり、光反射層６０の傾斜面６０ａは、金属層６０ｃで構成される。

【0094】

本実施形態において、金属層６０ｂは、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、又はアルミニウムを含む金属材料を用いて構成される。したがって、光反射層６０の本体は、金属層６０ｂで構成される。他方、金属層６０ｃは、金、銀、銅、又はアルミニウムを含む金属材料を用いて構成される。したがって、反射面として機能する傾斜面６０ａは、金属層６０ｃで構成される。光反射層６０の傾斜面６０ａは、金属層６０ｂに設けられた傾斜面に由来する。

【0095】

本実施形態の画素構造を形成する一例について説明すると、まず、絶縁層２４の上にタンタルを含む金属層を形成した後、フォトリソグラフィを用いたパターニングにより金属層６０ｂを形成する。この時点において、金属層６０ｂは、傾斜面を有する。その後、例えば電解めっき法により、金属層６０ｂの表面に、金を含む金属層６０ｃを形成する。したがって、金属層６０ｂの傾斜面は、金属層６０ｃに覆われる。このようなプロセスを経ることにより、光反射層６０の傾斜面６０ａは、金を含む金属材料で構成される反射面として機能する。

【0096】

本実施形態によれば、光反射層６０の本体である金属層６０ｂを安価な金属材料で形成することができる。そのため、金属層６０ｃは、反射面として機能し得る程度の膜厚で形成すれば足りる。したがって、金属層６０ｃとして高価な金を含む金属材料を用いても、表示装置の製造コストを抑えることが可能である。

【0097】

また、実装パッド２５ａ及び２５ｂについても同様のプロセスにより、光反射層６０と同一層に形成することができる。すなわち、実装パッド２５ａは、金属層２５ａｂと金属層２５ａｃとの積層構造で構成される。また、実装パッド２５ｂは、金属層２５ｂｂと金属層２５ｂｃとの積層構造で構成される。この場合、実装パッド２５の表面も赤外光に対して高い反射率を示すため、赤外光の照射エリアをＬＥＤ素子２００よりも広げた場合であっても、駆動回路１２５への赤外光の入射を抑制することができる。

【0098】

本発明の実施形態として上述した各実施形態（変形例を含む）は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0099】

また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0100】

１０…表示装置、１１…絶縁基板、１２…半導体層、１３…ゲート絶縁層、１４…ゲート電極、１５…絶縁層、１６…ソース電極、１７…ドレイン電極、１８…配線、１９…平坦化層、２０…接続配線、２１…絶縁層、２２…アノード電極、２３…カソード電極、２４…絶縁層、２５ａ、２５ｂ…実装パッド、２６…光反射層、２６ａ…傾斜面、２６ｂ…下面、２７…絶縁層、２８ａ、２８ｂ…開口部、３０ａ、３０ｂ…領域、４０…レーザー光、５１～６０…光反射層、６０ｂ、６０ｃ…金属層、１００…回路基板、１２５…駆動回路、１０３ａ、１０３ｂ…接続電極、１１０、１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ…画素、１１２…表示領域、１１４…周辺領域、１１６…端子領域、１２０、１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂ…画素回路、１２１…データ線、１２２…ゲート線、１２３…アノード電源線、１２４…カソード電源線、１２６…選択トランジスタ、１２７…駆動トランジスタ、１２８…保持容量、１２９…ＬＥＤ、１３０…データドライバ回路、１４０…ゲートドライバ回路、１５０…端子部、１５１、１５２…接続配線、１６０…フレキシブルプリント回路基板、１７０…ＩＣ素子、２００、２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂ…ＬＥＤ素子、２０２…半導体層、２０３ａ、２０３ｂ…端子電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】