特許 7585116 通信衛星用のセラミック配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-08

(45)【発行日】2024-11-18

(54)【発明の名称】通信衛星用のセラミック配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/16 20060101AFI20241111BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20241111BHJP

【ＦＩ】

H05K1/16 C

H05K1/03 610D

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2021054793

(22)【出願日】2021-03-29

(65)【公開番号】P2022152136

(43)【公開日】2022-10-12

【審査請求日】2023-08-28

(73)【特許権者】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100160691

【弁理士】

【氏名又は名称】田邊 淳也

(74)【代理人】

【識別番号】100157277

【弁理士】

【氏名又は名称】板倉 幸恵

(74)【代理人】

【識別番号】100182718

【弁理士】

【氏名又は名称】木崎 誠司

(72)【発明者】

【氏名】敷根 延隆

(72)【発明者】

【氏名】清家 晃

(72)【発明者】

【氏名】菊地 真史

(72)【発明者】

【氏名】加藤 達哉

【審査官】中島 昭浩

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１３／０８８９５７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－１２６６４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３１０６１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－１０３１７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６２－２５２９０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－０７３９０３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／００ － ３／４６

Ｈ０１Ｌ ２１／００ － ２５／１６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１ガラスを含むセラミック基板に、導電性材料と第２ガラスとを含む抵抗体が形成された通信衛星用のセラミック配線基板において、
前記抵抗体は前記セラミック基板に内蔵されており、
前記セラミック基板中の前記第１ガラスの組成と、前記抵抗体中の前記第２ガラスの組成とが異なり、
前記第１ガラスは、結晶化ガラスであり、
前記第２ガラスは、結晶化ガラスであり、
前記第２ガラスの結晶化温度は、前記第１ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とする、通信衛星用のセラミック配線基板。

【請求項2】

請求項１に記載の通信衛星用のセラミック配線基板において、
前記セラミック基板はＬＴＣＣ基板であることを特徴とする、通信衛星用のセラミック配線基板。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の通信衛星用のセラミック配線基板において、
前記抵抗体は、
主成分として、前記導電性材料としてのＲｕＯ₂と、前記第２ガラスとを含み、
１０μｍの長さ当たりのシート抵抗が１０Ω／ｓｑ以上１００Ω／ｓｑ以下であり、
前記第２ガラスに対する前記ＲｕＯ₂の体積比が２５％以上５０％以下であることを特徴とする、通信衛星用のセラミック配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、通信衛星用のセラミック配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

配線基板のうち、人工衛星に搭載される機器等に使用される配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、エポキシ・コンポジット材により形成された配線基板の表層に、抵抗チップが配置された構造が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平７－２３５７４８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

人工衛星に搭載される配線基板は、地上よりも環境の厳しい宇宙空間で使用されるため、より高い耐熱性および強度を有することが好ましい。この点、特許文献１に記載された配線基板の耐熱性および強度については向上の余地があった。

【0005】

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、衛星用途での使用環境に適した配線基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。第１ガラスを含むセラミック基板に、導電性材料と第２ガラスとを含む抵抗体が形成された通信衛星用のセラミック配線基板において、前記抵抗体は前記セラミック基板に内蔵されており、前記セラミック基板中の前記第１ガラスの組成と、前記抵抗体中の前記第２ガラスの組成とが異なり、前記第１ガラスは、結晶化ガラスであり、前記第２ガラスは、結晶化ガラスであり、前記第２ガラスの結晶化温度は、前記第１ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とする、通信衛星用のセラミック配線基板。そのほか、本発明は、以下の形態としても実現可能である。

【0007】

（１）本発明の一形態によれば、第１ガラスを含むセラミック基板に、導電性材料と第２ガラスとを含む抵抗体が形成された通信衛星用のセラミック配線基板が提供される。このセラミック配線基板は、前記抵抗体は前記セラミック基板に内蔵されており、前記セラミック基板中の前記第１ガラスの組成と、前記抵抗体中の前記第２ガラスの組成とが異なり、前記第１ガラスは、結晶化ガラスである。

【0008】

この構成によれば、セラミック基板は、結晶化ガラスである第１ガラスを含むため、結晶化ガラスではないセラミック基板よりも高強度であり、急激な温度変化に対する耐性を有する。この結果、本構成によれば、使用条件の厳しい環境での耐性を有し、衛星用途での使用環境に適したセラミック配線基板を提供できる。

【0009】

（２）上記態様の通信衛星用のセラミック配線基板において、前記セラミック基板はＬＴＣＣ基板であってもよい。
この構成によれば、セラミック基板は、耐熱性と耐湿性とを有するＬＴＣＣ基板である。そのため、本構成のセラミック配線基板は、衛星用途での使用環境により一層適している。

【0010】

（３）上記態様の通信衛星用のセラミック配線基板において、前記抵抗体は、主成分として、前記導電性材料としてのＲｕＯ₂と、前記第２ガラスとを含み、１０μｍの長さ当たりのシート抵抗が１０Ω／ｓｑ以上１００Ω／ｓｑ以下であり、前記第２ガラスに対する前記ＲｕＯ₂の体積比が２５％以上５０％以下であってもよい。
この構成によれば、抵抗体は、１０μｍ当たりのシート抵抗Ｒｓが１０（Ω／ｓｑ）以上１００（Ω／ｓｑ）以下）を有するため、使用条件の厳しい環境で使用された場合であっても、安定した特性を示すことができる。この結果、本構成によれば、衛星用途での使用環境により一層適したセラミック配線基板を提供できる。

【0011】

（４）上記態様の通信衛星用のセラミック配線基板において、前記第２ガラスは結晶化ガラスであり、前記第２ガラスの結晶化温度は、前記第１ガラスの軟化点よりも低くてもよい。
この構成によれば、第２ガラスの結晶化温度が第１ガラスの軟化点よりも低いため、セラミック配線基板の製造時に、セラミック基板に含まれる第１ガラスが軟化点に達して軟化し始める前に、抵抗体に含まれる第２ガラスが結晶化温度に達して結晶化する。これにより、セラミック配線基板を長時間焼成しても、セラミック基板に含まれる第１ガラスと、抵抗体に含まれる第２ガラスとが混ざり合わない。その結果、この構成によれば、抵抗体の特性を悪化させずに維持することができる。

【0012】

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、通信衛星用のセラミック配線基板、抵抗体材料内蔵配線基板、配線基板、セラミック配線基板の製造方法、およびこれらを備えるシステム等の形態で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の実施形態のセラミック配線基板を備える複合積層焼結体の概略断面図である。

【図2】セラミック配線基板を備える複合積層焼結体の製造方法のフローチャートである。

【図3】一次積層体の概略断面図である。

【図4】貫通穴にビアペーストが充填された第１グリーンシートの概略断面図である。

【図5】積層される前の複合シート積層体の概略断面図である。

【図6】実施例および比較例のセラミック配線基板の評価についての説明図である。

【図7】抵抗体のシート抵抗についての説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

＜実施形態＞
・セラミック配線基板の構成：
図１は、本発明の実施形態のセラミック配線基板１０を備える複合積層焼結体１００の概略断面図である。複合積層焼結体１００は、複数のセラミックを主成分とする層が厚さ方向に積層された焼結体である。本実施形態では、セラミック配線基板１０が備える内側セラミック基板１，２が結晶化ガラスを含むため、セラミック配線基板１０は、使用条件の厳しい環境での耐性を有し、衛星用途での使用環境に適している。

【0015】

図１に示されるように、本実施形態の複合積層焼結体１００は、１層のセラミック配線基板１０と、セラミック配線基板１０の両面に積層された外側セラミック基板２０，３０と、を備えている。本実施形態のセラミック配線基板１０は、ガラスを含む低温焼成積層セラミックス基板（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）である。なお、特にセラミック基板において、ガラス成分を６０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下含んでいるものをＬＴＣＣ基板とする。セラミック配線基板１０は、セラミックとガラスとを含む内側セラミック基板（セラミック基板）１，２に、導電性材料の粉末であるＲｕＯ₂とガラスとを含む抵抗体３が形成された基板である。なお、以降では、内側セラミック基板１，２に含まれるガラスを第１ガラスＧＬ１と呼び、抵抗体３に含まれるガラスを第２ガラスＧＬ２と呼ぶ。

【0016】

図１に示されるように、セラミック配線基板１０は、厚さ方向（Ｚ軸方向）に積層された内側セラミック基板１，２と、２つの内側セラミック基板１，２間に形成されている内層電極４と、一部の内層電極４に接するように形成されている抵抗体３と、セラミック基板２内に形成されているビア５と、を備えている。本実施形態の内側セラミック基板１，２は、第１ガラスＧＬ１としてのＳｉＯ₂，ＣａＯ，ＢａＯ，ＭｇＯなどを含むホウケイ酸系ガラスと、セラミックとしてのＡｌ₂Ｏ₃（アルミナ）と、により形成されている。

【0017】

内側セラミック基板１，２は、結晶化しており、ディオプサイドを含んでいる。換言すると、第１ガラスＧＬ１は、結晶化ガラスである。本実施形態の第１ガラスＧＬ１の軟化点Ｔｓは、摂氏８６３度（℃）である。第１ガラスＧＬ１の軟化点Ｔｓは、第１ガラスＧＬ１に含まれるＳｉＯ₂などの割合により制御される。

【0018】

内層電極４は、Ａｇと、ホウケイ酸系ガラスと、により形成されている。本実施形態の抵抗体３は、図１に示されるように、内側セラミック基板２に内蔵されている。抵抗体３は、主成分として、導電性材料としてのＲｕＯ₂と、第２ガラスＧＬ２としてのホウケイ酸系ガラスとを含んでいる。本実施形態の第２ガラスＧＬ２は、結晶化しており、ディオプサイドを含んでいる。本実施形態の第２ガラスＧＬ２の結晶化温度Ｔｃは、７９０℃であり、第１ガラスＧＬ１の軟化点Ｔｓよりも低い。なお、本実施形態では、第１ガラスＧＬ１に含まれるＳｉＯ₂などの割合と、第２ガラスＧＬ２に含まれるＳｉＯ₂などの割合とが異なる。すなわち、第１ガラスＧＬ１の組成と、第２ガラスＧＬ２の組成とは異なる。なお、組成とは化学組成のことを指す。

【0019】

ビア５は、Ａｇにより形成されている。ビア５は、内側セラミック基板２を厚さ方向に貫通するように形成されている。そのため、ビア５は、外側セラミック基板３０において内側セラミック基板２に対向する面に形成された配線パターンと、内側セラミック基板２内の内層電極４とを電気的に接続している。

【0020】

図１に示されるように、外側セラミック基板２０，３０は、セラミック配線基板１０の内側セラミック基板１，２の外側の各面に積層されている。外側セラミック基板２０，３０は、セラミックであるＡｌ₂Ｏ₃（アルミナ）を主成分として形成されている。

【0021】

・セラミック配線基板を備える複合積層焼結体の製造方法：
図２は、セラミック配線基板１０を備える複合積層焼結体１００の製造方法のフローチャートである。図２に示される複合積層焼結体１００の製造フローでは、初めに、内側セラミック基板１，２、外側セラミック基板２０，３０、内層電極４、抵抗体３、およびビア５の各材料が準備される（ステップＳ１）。

【0022】

焼結前の内側セラミック基板１，２の第１グリーンシートの材料として、平均粒径が２．０μｍのＳｉＯ₂，ＣａＯ，ＢａＯ，ＭｇＯなどを含むホウケイ酸ガラス粉末と、平均粒径が３．０μｍのＡｌ₂Ｏ₃（アルミナ）とが準備される。焼結前の外側セラミック基板２０，３０の第２グリーンシートの材料として、平均粒径が２．０μｍのＡｌ₂Ｏ₃（アルミナ）が準備される。焼結前の内層電極４，５の電極ペーストの材料として、平均粒径が２．０μｍのＡｇ粉末と、平均粒径が２．０μｍのガラス粉末とが準備される。焼結前の抵抗体３の抵抗体ペーストの材料として、ＲｕＯ₂粉末と、ガラス粉末とが準備される。ビア５の材料として、Ａｇ粉末を含むビアペーストＰ５が準備される。なお、各材料として準備されるガラス粉末は焼結後の各部材の組成を制御するために、ガラス粉末に含まれる分量や成分の割合が適宜選択される。

【0023】

次に、準備された各部材の材料に、バインダーおよび溶剤が加えられて撹拌されたスラリーとペースト材が作製される（ステップＳ２）。第１グリーンシートのスラリーは、ホウケイ酸ガラス粉末とアルミナ粉末とを質量比３：２で混合された総量８００ｇに、バインダー成分としてのアクリル系バインダーを８０ｇと、溶剤としてのＭＥＫ（メチルエチルケトン）およびトルエンと、可塑剤としてのＤＯＰ（ジ・オクチル・フタレート）と、を混合して作製される。この混合物がアルミナ製のポットに投入されて５時間混合されると、セラミックススラリーが得られる。なお、混合物に加えられる溶剤および可塑剤の量は、スラリー粘度およびシート強度を持たせるために必要な量が選択される。

【0024】

第２グリーンシートのスラリーは、アルミナ粉末１０００ｇに、アクリル系バインダーを１２０ｇと、溶剤としてのＭＥＫおよびトルエンと、可塑剤としてのＤＯＰと、を混合して作製される。この混合物がアルミナ製のポットに投入されて３時間混合されると、スラリーが得られる。

【0025】

電極ペーストは、Ａｇ粉末とガラス粉末とが体積比８０：２０で混合された混合粉末に、ワニス成分としてのエチルセルロース樹脂とターピネオール溶剤とが加えられて作製される。この混合物が３本ロールミルにより混練されると、電極ペーストが作製される。

【0026】

抵抗体ペーストは、ＲｕＯ₂粉末とガラス粉末とを体積比３０：７０で混合された混合粉末に、ワニス成分としてのエチルセルロース樹脂とターピネオール溶剤と加えられて作製される。この混合物が３本ロールミルにより混練されると、抵抗体ペーストが作製される。

【0027】

次に、作製された第１グリーンシートおよび第２グリーンシートの元となるスラリーが、成膜される（ステップＳ３）。第１グリーンシートの元となるスラリーは、ドクターブレード法により、厚み０．２０ｍｍに成膜される。第２グリーンシートの元となるスラリーは、ドクターブレード法により、厚み０．５０ｍｍに成膜される。

【0028】

成膜後に、所定の寸法にカットされた第１グリーンシートおよび第２グリーンシートが作製される（ステップＳ４）。作製された第１グリーンシートの表面に、接続用の内部導体用電極パターンとしての電極ペーストが印刷により形成される（ステップＳ５）。電極ペーストが印刷された第１グリーンシートは乾燥させられた後に、第１グリーンシートの所定位置に抵抗体ペーストが印刷により形成され（ステップＳ６）、一次積層体１１が作製される。

【0029】

図３は、一次積層体１１の概略断面図である。図３に示されるように、第１グリーンシート（グリーンシート）ＳＨ１の表面に、電極ペーストＰ４が印刷された後、抵抗体ペーストＰ３が印刷されている。本実施形態の抵抗体ペーストＰ３は、１．０ｍｍ×１．２ｍｍの印刷パターンにより、内部導体用電極パターンと重なるように印刷される。

【0030】

電極ペーストＰ４および抵抗体ペーストＰ３が印刷された第１グリーンシートＳＨ１とは別の第１グリーンシートに対して、マイコンパンチングにより厚さ方向に貫通するφ１．０ｍｍの貫通穴が形成される（図２のステップＳ７）。形成された貫通穴Ｈ１にＡｇ粉末を含有するビアペースト５Ｐが充填される（ステップＳ８）。

【0031】

図４は、貫通穴Ｈ１にビアペーストＰ５が充填された第１グリーンシート（グリーンシート）ＳＨ２の概略断面図である。図４には、貫通穴Ｈ１にビアペーストＰ５が形成された第１グリーンシートＳＨ２に加えて、後で第１グリーンシートＳＨ２に積層される一次積層体１１も示されている。ビアペーストＰ５の焼成後のビア５は、一次積層体１１と第１グリーンシートＳＨ２とが積層された場合に、２つの第１グリーンシートＳＨ１，ＳＨ２間に形成される内層電極４を電気的に接続する。

【0032】

一次積層体１１と、ビアペーストＰ５が充填された第１グリーンシートＳＨ２とが積層された多層体の両側に第２グリーンシートが積層されて、図１に示されるような複合シート積層体１００の焼成前の積層体が作製される（図２のステップＳ９）。

【0033】

図５は、積層される前の複合シート積層体の概略断面図である。図５に示されるように、一次積層体１１と、一次積層体１１の上側に配置された第１グリーンシートＳＨ２と、第１グリーンシートＳＨ２の上側に配置された第２グリーンシートＳＨ３０と、一次積層体１１の下側に配置された第２グリーンシートＳＨ２０と、が積層されることにより、複合シート積層体が作製される。

【0034】

作製された複合シート積層体が９００℃にて６０分間焼成されて（図２のステップＳ１０）、複合積層焼結体１００が生成される。焼成工程では、第１グリーンシートＳＨ１，ＳＨ２、抵抗体ペーストＰ３、およびビアペースト５Ｐは同時焼成されている。複合積層焼結体１００が生成されると、複合積層焼結体１００の製造フローが終了する。

【0035】

・セラミック配線基板の評価：
図６は、実施例および比較例のセラミック配線基板の評価についての説明図である。図６には、実施例のセラミック配線基板と、比較例のセラミック配線基板とのＥＳＤ（Electro-Statics Discharge）特性値（％）の評価結果が示されている。図６に示されるように、実施例と比較例とでは、抵抗体３に含まれる第２ガラスＧＬ２および第２ガラスＧＬ２の結晶化温度Ｔｃが異なる。本実施形態のＥＳＤ評価では、ＥＳＤ特性値が－２％以上＋２％以下の範囲で良好な抵抗体特性であるとして判定した。ＥＳＤ特性の測定には、ノイズ研究所製のＴＧ－８１５Ｄの装置を用いた。測定では、２ｋＶの電圧を５パルス印加し、電圧の印加前後抵抗値を測定し、測定値の変化率をＥＳＤ特性値とした。なお、図６に示される抵抗体３の第２ガラスＧＬ２は、第２ガラスＧＬ２に含まれる元素である。

【0036】

実施例のサンプルは、第２ガラスＧＬ２の結晶化温度Ｔｃが第１ガラスＧＬ１の軟化点Ｔｓよりも小さくなるように作製されている。実施例は、上記実施形態のセラミック配線基板１０のサンプルである。比較例のサンプルは、第２ガラスＧＬ２の結晶化温度Ｔｃが第１ガラスＧＬ１の軟化点Ｔｓ以上になるように作製されている。

【0037】

図６に示されるように、実施例の第２ガラスＧＬ２を含むセラミック配線基板１０のＥＳＤ特性の測定値は、焼成時間が１時間および３時間のいずれの場合でも、－２以上＋２以下の範囲に収まっており、良好な抵抗体特性を有している。一方で、比較例の第２ガラスＧＬ２を含むセラミック配線基板のＥＳＤ特性の測定値は、焼成時間が１時間の場合に－２よりも小さく、良好な抵抗体特性を有してはいない。

【0038】

また、実施例のセラミック配線基板１０に対して冷熱サイクル試験の評価を行った。冷熱サイクル試験では、－６５℃から１５０℃までの温度変化のサイクルを１０００回繰り返し、試験前後のセラミック配線基板１０の抵抗値の変化が確認される。本実施形態では、冷熱サイクル試験後のセラミック配線基板１０の抵抗値変化率が１０％以下で良好な抵抗体特性であると判定した。冷熱サイクル試験の結果、実施例の冷熱サイクル試験後の抵抗値変化率は１．９５％であり、実施例のセラミック配線基板１０は、良好な抵抗体特性を有していると言える。

【0039】

図７は、抵抗体３のシート抵抗Ｒｓについての説明図である。図７には、第２ガラスＧＬ２に対するＲｕＯ₂の体積比に応じて変化する、抵抗体３の１０μｍ当たりのシート抵抗Ｒｓ（（Ω／ｓｑ）または（Ω／□））が示されている。図７に示されるように、抵抗体３のシート抵抗Ｒｓは、第２ガラスＧＬ２に含まれるＲｕＯ₂の体積が増加するほど低下する。本実施形態では、抵抗体３の１０μｍ当たりのシート抵抗Ｒｓが１０（Ω／ｓｑ）以上１００（Ω／ｓｑ）以下、かつ、第２ガラスＧＬ２に対するＲｕＯ₂の体積比が２５％以上５０％以下となるように、第２ガラスＧＬ２およびＲｕＯ₂の体積が制御されている。

【0040】

以上説明したように、本実施形態のセラミック配線基板１０では、本実施形態の抵抗体３は、内側セラミック基板２に内蔵されている。内側セラミック基板１，２に含まれる第１ガラスＧＬ１の組成と、抵抗体３に含まれる第２ガラスＧＬ２の組成とが異なる。また、第１ガラスＧＬ１は、結晶化ガラスである。そのため、本実施形態の内側セラミック基板１，２は、結晶化ガラスではないセラミック基板よりも高強度であり、急激な温度変化に対する耐性を有する。これにより、セラミック配線基板１０は、使用条件の厳しい環境での耐性を有し、衛星用途での使用環境に適している。さらに、抵抗体３を内側セラミック基板２に内蔵することで、上記環境変化による抵抗体３の抵抗特性の影響を効果的に抑制することが可能である。

【0041】

また、本実施形態の内側セラミック基板１，２は、ガラスを含む低温焼成積層セラミックス基板（ＬＴＣＣ）である。そのため、本実施形態のセラミック配線基板１０は、耐熱性と耐湿性とに優れており、衛星用途での使用環境により一層適している。

【0042】

また、本実施形態のセラミック配線基板１０の抵抗体３は、主成分として、導電性材料としてのＲｕＯ₂と、第２ガラスＧＬ２としてのホウケイ酸系ガラスとを含んでいる。また、抵抗体３の１０μｍ当たりのシート抵抗Ｒｓが１０（Ω／ｓｑ）以上１００（Ω／ｓｑ）以下であり、かつ、第２ガラスＧＬ２に対するの体積比が２５％以上５０％以下である。すなわち、本実施形態では、抵抗体３は、１０μｍ当たりのシート抵抗Ｒｓが１０（Ω／ｓｑ）以上１００（Ω／ｓｑ）以下）を有するため、使用条件の厳しい環境で使用された場合であっても、安定した特性を示すことができる。この結果、衛星用途での使用環境により一層適したセラミック配線基板１０を提供できる。

【0043】

また、本実施形態の第２ガラスＧＬ２は、結晶化ガラスである。第２ガラスＧＬ２の結晶化温度Ｔｃは、第１ガラスＧＬ１の軟化点Ｔｓよりも低い。そのため、本実施形態のセラミック配線基板１０の製造時に、内側セラミック基板１，２に含まれる第１ガラスＧＬ１が軟化点Ｔｓに達して軟化し始める前に、抵抗体３に含まれる第２ガラスＧＬ２が結晶化温度Ｔｃに達して結晶化する。これにより、セラミック配線基板１０を長時間焼成しても、内側セラミック基板１，２に含まれる第１ガラスＧＬ１と、抵抗体３に含まれる第２ガラスＧＬ２とが混ざり合わない。その結果、本実施形態では、抵抗体３の特性を悪化させずに維持することができる。

【0044】

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

【0045】

上記実施形態および実施例１～３は、衛星用途のセラミック配線基板１０の一例であり、セラミック配線基板１０が備える構成および成分等については種々変形可能である。例えば、セラミック配線基板１０は、第１ガラスＧＬ１が結晶化ガラスである範囲で、実施例とは異なるガラス成分を有していてもよい。内側セラミック基板１，２は、ＬＴＣＣ基板以外の基板であってもよい。抵抗体３の第２ガラスＧＬ２は、結晶化ガラスでなくてもよい。

【0046】

他の実施形態の複合積層焼結体１００は、複数のセラミック配線基板が積層されていてもよい。例えば、上記実施形態の複数のセラミック配線基板１０が積層された積層体の両面を、第２グリーンシートＳＨ２０，ＳＨ３０で挟み込んだ複合積層焼結体であってもよい。抵抗体３が含む導電性材料は、ＲｕＯ₂以外であってもよく、周知の導電性を有する材料を採用できる。抵抗体３の１０μｍ当たりのシート抵抗Ｒｓは、１０（Ω／ｓｑ）未満であってもよいし、１００（Ω／ｓｑ）を超えていてもよい。また、第２ガラスＧＬ２に対するＲｕＯ₂の体積比は、２５％未満であってもよいし、５０％を超えていてもよい。第２ガラスＧＬ２の結晶化温度Ｔｃは、必ずしも第１ガラスＧＬ１の軟化点Ｔｓよりも低くなくてもよく、第１ガラスＧＬ１の軟化点Ｔｓ以上であってもよい。

【0047】

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

【符号の説明】

【0048】

１，２…内側セラミック基板（セラミック基板）
３…抵抗体
４…内層電極
５…ビア
１０…セラミック配線基板
１１…一次積層体
２０…外側セラミック基板
１００…複合積層焼結体
ＧＬ１…第１ガラス
ＧＬ２…第２ガラス
Ｈ１…貫通穴
Ｒｓ…シート抵抗
Ｐ３…抵抗体ペースト
Ｐ４…電極ペースト
Ｐ５…ビアペースト
ＳＨ１，ＳＨ２…第１グリーンシート（グリーンシート）
ＳＨ２０，ＳＨ３０…第２グリーンシート
Ｔｃ…第２ガラスの結晶化温度
Ｔｓ…第１ガラスの軟化点

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】