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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-08
(45)【発行日】2024-11-18
(54)【発明の名称】保護フィルム及びその貼着方法並びに半導体部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241111BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 622L
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021509617
(86)(22)【出願日】2020-03-26
(86)【国際出願番号】 JP2020013846
(87)【国際公開番号】W WO2020196794
(87)【国際公開日】2020-10-01
【審査請求日】2023-02-20
(31)【優先権主張番号】P 2019061828
(32)【優先日】2019-03-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000220099
【氏名又は名称】アールエム東セロ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100151127
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 勝雅
(74)【代理人】
【識別番号】100094190
【弁理士】
【氏名又は名称】小島 清路
(72)【発明者】
【氏名】野上 昌男
(72)【発明者】
【氏名】森本 哲光
【審査官】湯川 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１２－０５９９２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０４８２９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１９９４０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２３９５６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２４３３０９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－１２３３８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－０６６６８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／０２１６４４（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
Ｈ０１Ｌ ２１／６８３
Ｃ０９Ｊ ７／２９
Ｃ０９Ｊ ７／３８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体ウエハの主面を覆うように保護フィルムを配する配置工程と、前記保護フィルムを前記主面に押し付けて貼着する貼着工程と、を備える保護フィルム貼着方法であって、前記主面は、バンプが配された第１領域と、該主面の周縁の少なくとも一部を含んで、バンプが配されていない領域である第２領域と、を有し、
前記貼着工程は、前記保護フィルムをその厚さ方向へ圧縮する圧縮工程を含み、
前記圧縮工程は、前記保護フィルムを前記主面へ押し付けるための押圧部材と、前記第２領域の外周縁に沿って設置される支持部材とを使用して行われ、
前記配置工程は、前記保護フィルムの縁部が、前記支持部材よりも内周側に位置するように前記保護フィルムを配する工程であり、
前記圧縮工程は、前記押圧部材と前記主面との間で挟むことよる前記保護フィルムの前記第２領域の外周方向への膨出を、前記支持部材の内周面で塞き止め、前記縁部を前記押圧部材と前記支持部材の内周面と前記主面とで圧縮する工程であることを特徴とする保護フィルムの貼着方法。
【請求項2】
前記保護フィルムは、流動性又は可塑性を発現できる層を有する請求項１に記載の保護フィルムの貼着方法。
【請求項3】
前記圧縮工程は、前記保護フィルムを加熱して、前記流動性又は前記可塑性を発現させた状態で行われる請求項２に記載の保護フィルムの貼着方法。
【請求項4】
前記バンプの平均高さをＨ１とし、前記保護フィルムの平均厚さをＨ２とした場合に、０．５≦Ｈ２／Ｈ１である請求項１に記載の保護フィルムの貼着方法。
【請求項5】
請求項１から請求項４のうちの何れか一項に記載の保護フィルムの貼着方法を含むことを特徴とする半導体部品の製造方法。
【請求項6】
請求項１から請求項４のうちの何れか一項に記載の保護フィルムの貼着方法に利用されることを特徴とする保護フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウエハから半導体部品を製造する際、半導体ウエハの主面に貼着する保護フィルム及びその貼着方法、並びに、その保護フィルムの貼着方法を含む半導体部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体ウエハは、回路等が形成された表面を主面、この主面と反対側の面を裏面とした場合、半導体部品の製造時に、バックグラインド工程で裏面が研削されて、所望の厚さとされる。このバックグラインド工程は、半導体ウエハの主面に保護フィルムを貼着し、保護フィルムを介して主面をチャックテーブルに吸着固定等して実施される。
保護フィルムは、通常、基層と、粘着材層とを有している。この保護フィルムの一般的な貼着方法として、粘着材層が主面と接触するように保護フィルムを半導体ウエハの主面上に配置した後、貼付ローラ等を使用して基層に所定の力を加え、粘着材層を主面に押し付ける方法が採用されている。
近年、多くの半導体ウエハは、半導体部品の高密度化への要請から、主面にバンプやマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）が設けられて、主面が凹凸状になっている。このような凹凸状の主面に上述の一般的な保護フィルムの貼着方法を採用する場合、主面に押し付けられた保護フィルムの表面は、主面の凹凸に倣って凹凸状になってしまい、諸々の不具合が発生してしまう。そこで、保護フィルムとして、凹凸吸収性樹脂層や段差吸収層等を設け、凹凸追従性を向上させることにより、凹凸が表面に生じ難くなるように工夫されている（特許文献１参照）。
保護フィルムは、通常、基層と、粘着材層とを有している。この保護フィルムの一般的な貼着方法として、粘着材層が主面と接触するように保護フィルムを半導体ウエハの主面上に配置した後、貼付ローラ等を使用して基層に所定の力を加え、粘着材層を主面に押し付ける方法が採用されている。
近年、多くの半導体ウエハは、半導体部品の高密度化への要請から、主面にバンプやマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）が設けられて、主面が凹凸状になっている。このような凹凸状の主面に上述の一般的な保護フィルムの貼着方法を採用する場合、主面に押し付けられた保護フィルムの表面は、主面の凹凸に倣って凹凸状になってしまい、諸々の不具合が発生してしまう。そこで、保護フィルムとして、凹凸吸収性樹脂層や段差吸収層等を設け、凹凸追従性を向上させることにより、凹凸が表面に生じ難くなるように工夫されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０００－１７２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述の半導体ウエハにおいて、バンプ等は、必ずしも主面の全領域に設けられているとは限らない。つまり、半導体ウエハの中には、バンプ等が設けられた凹凸の領域と、バンプ等が設けられていない平坦な領域と、の両方の領域を主面に有するものが存在する。
例えば、半導体ウエハとして、シリアル番号や製造番号を刻印等する目的で、主面の周縁部にバンプが配されていない領域を故意に設けたものが存在する（図１（ａ）の「符号１３Ｂ」を参照）。
そして、上記の半導体ウエハの主面には、凹凸の領域と、平坦な領域との間に、凹凸の領域を高とし、平坦な領域を低とする段差が生じてしまう。
例えば、半導体ウエハとして、シリアル番号や製造番号を刻印等する目的で、主面の周縁部にバンプが配されていない領域を故意に設けたものが存在する（図１（ａ）の「符号１３Ｂ」を参照）。
そして、上記の半導体ウエハの主面には、凹凸の領域と、平坦な領域との間に、凹凸の領域を高とし、平坦な領域を低とする段差が生じてしまう。
【0005】
図８は、上記の段差を主面１０Ａに有する半導体ウエハ１０に、保護フィルム２０を一般的な貼着方法で貼着した場合の説明図である。
保護フィルム２０は、凹凸吸収層２３により、第１領域１２でバンプ１１による凹凸を吸収するには十分以上の樹脂体積量（以下、「肉量」ともいう）を有しているが、第１領域１２と第２領域１３との間の段差を埋めるには肉量が足りず、段差を埋めきれないことがある。
特に、上述のシリアル番号や製造番号を刻印等する目的で主面１０Ａに設けられた第２領域１３は、サイズ（主面１０Ａに占める面積）も大きく、このサイズの第２領域１３全体で段差を埋めるには、保護フィルム２０の肉量が顕著に足りない。
また、図８中に矢印で示したように、保護フィルム２０の肉部（凹凸吸収層２３）は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａの周縁よりも更に外側へ逃げるように流動するが、一般的な貼着方法は、こうした肉部の流動を規制する手段を有していない。
保護フィルム２０は、凹凸吸収層２３により、第１領域１２でバンプ１１による凹凸を吸収するには十分以上の樹脂体積量（以下、「肉量」ともいう）を有しているが、第１領域１２と第２領域１３との間の段差を埋めるには肉量が足りず、段差を埋めきれないことがある。
特に、上述のシリアル番号や製造番号を刻印等する目的で主面１０Ａに設けられた第２領域１３は、サイズ（主面１０Ａに占める面積）も大きく、このサイズの第２領域１３全体で段差を埋めるには、保護フィルム２０の肉量が顕著に足りない。
また、図８中に矢印で示したように、保護フィルム２０の肉部（凹凸吸収層２３）は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａの周縁よりも更に外側へ逃げるように流動するが、一般的な貼着方法は、こうした肉部の流動を規制する手段を有していない。
【0006】
従って、第２領域１３で段差を埋めるのに保護フィルム２０の肉量が足りないことから、保護フィルム２０の表面には、段差に倣ったへこみやくぼみ等の欠陥２４が形成されてしまう。
前述したバックグラインド工程で主面を吸着固定する際、欠陥２４の部分で保護フィルム２０は、チャックテーブルから浮き上がった状態になり、真空が破れやすくなるため、バックグラインド工程でバキュームエラー、すなわち半導体ウエハのチャックテーブルへの吸着不良を発生させる可能性がある。
また、バキュームエラーを発生させない場合でも、欠陥２４の部分で保護フィルム２０は、チャックテーブルから浮き上がった状態になり、バックグラインド工程の実施時に裏面側から加わる外力を十分に支えることができない。このため、バックグラインド工程実施後の半導体ウエハにクラックや割れ、あるいは目に見えないマイクロクラックが発生する可能性がある。
前述したバックグラインド工程で主面を吸着固定する際、欠陥２４の部分で保護フィルム２０は、チャックテーブルから浮き上がった状態になり、真空が破れやすくなるため、バックグラインド工程でバキュームエラー、すなわち半導体ウエハのチャックテーブルへの吸着不良を発生させる可能性がある。
また、バキュームエラーを発生させない場合でも、欠陥２４の部分で保護フィルム２０は、チャックテーブルから浮き上がった状態になり、バックグラインド工程の実施時に裏面側から加わる外力を十分に支えることができない。このため、バックグラインド工程実施後の半導体ウエハにクラックや割れ、あるいは目に見えないマイクロクラックが発生する可能性がある。
【0007】
上述の通り、半導体ウエハの主面に生じた段差は、凹凸吸収性樹脂層等が設けられた保護フィルムを使用して尚、一般的な保護フィルムの貼着方法では埋めることができない。このため、保護フィルムの表面には、段差に倣ったへこみやくぼみ等が形成されてしまい、バックグラインド工程でバキュームエラーやクラックが発生する等のような不具合が発生してしまうという問題があった。
【0008】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハの主面の段差に起因する不具合の発生を抑制することができる保護フィルム及びその貼着方法並びに半導体部品の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の問題点を解決する手段として、本発明は以下の通りである。
［１］第１発明の保護フィルムの貼着方法は、半導体ウエハの主面を覆うように保護フィルムを配する配置工程と、前記保護フィルムを前記主面に押し付けて貼着する貼着工程と、を備える保護フィルム貼着方法であって、
前記主面は、バンプが配された第１領域と、該主面の周縁の少なくとも一部を含む領域であるとともに、バンプが配されていない領域である第２領域と、を有し、
前記貼着工程は、前記保護フィルムをその厚さ方向へ圧縮する圧縮工程を含み、
前記圧縮工程は、前記保護フィルムを前記主面へ押し付けるための押圧部材と、前記第２領域の外周縁に沿って設置される支持部材とを使用して行われることを要旨とする。
［１］第１発明の保護フィルムの貼着方法は、半導体ウエハの主面を覆うように保護フィルムを配する配置工程と、前記保護フィルムを前記主面に押し付けて貼着する貼着工程と、を備える保護フィルム貼着方法であって、
前記主面は、バンプが配された第１領域と、該主面の周縁の少なくとも一部を含む領域であるとともに、バンプが配されていない領域である第２領域と、を有し、
前記貼着工程は、前記保護フィルムをその厚さ方向へ圧縮する圧縮工程を含み、
前記圧縮工程は、前記保護フィルムを前記主面へ押し付けるための押圧部材と、前記第２領域の外周縁に沿って設置される支持部材とを使用して行われることを要旨とする。
【0010】
［２］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記配置工程は、前記保護フィルムの縁部が、前記第２領域の前記周縁から外側へはみ出すように前記保護フィルムを配する工程であり、
前記圧縮工程は、前記支持部材に前記縁部を支持させて、前記支持部材と前記押圧部材との間で前記縁部を挟むことにより、前記縁部を圧縮する工程であるものとすることができる。
［３］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記支持部材において、前記保護フィルムの前記縁部を支持する支持面は、前記主面に対して平行であるか、又は、前記主面側を向くように傾斜されたものとすることができる。
［４］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記半導体ウエハの前記主面と前記押圧部材の押圧面とのクリアランスをＣ１とし、前記支持部材の前記支持面と前記押圧部材の前記押圧面とのクリアランスをＣ２とした場合に、Ｃ１＞Ｃ２であるものとすることができる。
［５］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記配置工程は、前記保護フィルムの縁部が、前記支持部材よりも内周側に位置するように前記保護フィルムを配する工程であり、前記圧縮工程は、前記押圧部材と前記主面との間で挟むことよる前記保護フィルムの前記第２領域の外周方向への膨出を、前記支持部材の内周面で塞き止め、前記縁部を前記押圧部材と前記支持部材の内周面と前記主面とで圧縮する工程であるものとすることができる。
前記圧縮工程は、前記支持部材に前記縁部を支持させて、前記支持部材と前記押圧部材との間で前記縁部を挟むことにより、前記縁部を圧縮する工程であるものとすることができる。
［３］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記支持部材において、前記保護フィルムの前記縁部を支持する支持面は、前記主面に対して平行であるか、又は、前記主面側を向くように傾斜されたものとすることができる。
［４］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記半導体ウエハの前記主面と前記押圧部材の押圧面とのクリアランスをＣ１とし、前記支持部材の前記支持面と前記押圧部材の前記押圧面とのクリアランスをＣ２とした場合に、Ｃ１＞Ｃ２であるものとすることができる。
［５］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記配置工程は、前記保護フィルムの縁部が、前記支持部材よりも内周側に位置するように前記保護フィルムを配する工程であり、前記圧縮工程は、前記押圧部材と前記主面との間で挟むことよる前記保護フィルムの前記第２領域の外周方向への膨出を、前記支持部材の内周面で塞き止め、前記縁部を前記押圧部材と前記支持部材の内周面と前記主面とで圧縮する工程であるものとすることができる。
【0011】
［６］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記保護フィルムは、流動性又は可塑性を発現できる層を有することができる。
［７］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記圧縮工程は、前記保護フィルムを加熱して、前記流動性又は前記可塑性を発現させた状態で行うことができる。
［８］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記バンプの平均高さをＨ１とし、前記保護フィルムの平均厚さをＨ２とした場合に、０．５≦Ｈ２／Ｈ１であるものとすることができる。
［９］第２発明の半導体部品の製造方法は、第１発明の保護フィルムの貼着方法を含むことを要旨とする。
［１０］第３発明の保護フィルムは、第１発明の保護フィルムの貼着方法に利用されることを要旨とする。
［７］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記圧縮工程は、前記保護フィルムを加熱して、前記流動性又は前記可塑性を発現させた状態で行うことができる。
［８］第１発明の保護フィルムの貼着方法では、前記バンプの平均高さをＨ１とし、前記保護フィルムの平均厚さをＨ２とした場合に、０．５≦Ｈ２／Ｈ１であるものとすることができる。
［９］第２発明の半導体部品の製造方法は、第１発明の保護フィルムの貼着方法を含むことを要旨とする。
［１０］第３発明の保護フィルムは、第１発明の保護フィルムの貼着方法に利用されることを要旨とする。
【0012】
［１１］第４発明の保護フィルム貼着方法は、保護フィルムを加工して加工済みフィルムを得る加工工程と、
半導体ウエハの主面を覆うように前記加工済みフィルムを配する配置工程と、
前記加工済みフィルムを前記主面に押し付けて貼着する貼着工程と、を備える保護フィルム貼着方法であって、
前記主面は、バンプが配された第１領域と、該主面の周縁の少なくとも一部を含んで、バンプが配されていない領域である第２領域と、を有し、
前記加工工程は、前記保護フィルムに厚さの異なる部位を形成して前記加工済みフィルムを得る工程であり、
前記配置工程は、前記加工済みフィルムの前記厚さの異なる部位のうちの厚さが相対的に厚い領域を、前記第２領域に対応させて配置する工程であることを要旨とする。
［１２］第４発明の保護フィルムの貼着方法では、前記保護フィルムは、流動性又は可塑性を発現できる層を有することができる。
［１３］第４発明の保護フィルムの貼着方法では、前記加工工程は、前記保護フィルムを加熱して、前記流動性又は前記可塑性を発現させた状態で行うことができる。
［１４］第４発明の保護フィルムの貼着方法では、前記バンプの平均高さをＨ１とし、前記保護フィルムの平均厚さをＨ２とした場合に、０．５≦Ｈ２／Ｈ１であるものとすることができる。
［１５］第５発明の半導体部品の製造方法は、第４発明の保護フィルムの貼着方法を含むことを要旨とする。
［１６］第６発明の保護フィルムは、第４発明の保護フィルムの貼着方法に利用されることを要旨とする。
半導体ウエハの主面を覆うように前記加工済みフィルムを配する配置工程と、
前記加工済みフィルムを前記主面に押し付けて貼着する貼着工程と、を備える保護フィルム貼着方法であって、
前記主面は、バンプが配された第１領域と、該主面の周縁の少なくとも一部を含んで、バンプが配されていない領域である第２領域と、を有し、
前記加工工程は、前記保護フィルムに厚さの異なる部位を形成して前記加工済みフィルムを得る工程であり、
前記配置工程は、前記加工済みフィルムの前記厚さの異なる部位のうちの厚さが相対的に厚い領域を、前記第２領域に対応させて配置する工程であることを要旨とする。
［１２］第４発明の保護フィルムの貼着方法では、前記保護フィルムは、流動性又は可塑性を発現できる層を有することができる。
［１３］第４発明の保護フィルムの貼着方法では、前記加工工程は、前記保護フィルムを加熱して、前記流動性又は前記可塑性を発現させた状態で行うことができる。
［１４］第４発明の保護フィルムの貼着方法では、前記バンプの平均高さをＨ１とし、前記保護フィルムの平均厚さをＨ２とした場合に、０．５≦Ｈ２／Ｈ１であるものとすることができる。
［１５］第５発明の半導体部品の製造方法は、第４発明の保護フィルムの貼着方法を含むことを要旨とする。
［１６］第６発明の保護フィルムは、第４発明の保護フィルムの貼着方法に利用されることを要旨とする。
【発明の効果】
【0013】
第１発明及び第４発明の保護フィルムの貼着方法によれば、半導体ウエハの主面にバンプの有無による段差が存在する場合、この段差を抑制又は解消するように保護フィルムを貼着することができる。その結果、保護フィルムの表面を略平坦にすることができ、半導体ウエハの主面の段差に起因する不具合の発生を抑制することができる。
【0014】
第２発明及び第５発明の半導体部品の製造方法によれば、半導体ウエハの主面の段差に起因する不具合の発生を抑制することができる。その結果、効率良く半導体部品の製造を行うことができる。
第３発明及び第６発明の保護フィルムによれば、半導体ウエハの主面の段差に起因する不具合の発生を抑制することができる。その結果、効率良く半導体部品の製造を行うことができる。
第３発明及び第６発明の保護フィルムによれば、半導体ウエハの主面の段差に起因する不具合の発生を抑制することができる。その結果、効率良く半導体部品の製造を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図2】本発明に係る保護フィルムを説明する拡大側断面図である。
【図3】第１発明の貼着方法に係る貼着装置を説明する（ａ）は平面図、（ｂ）は拡大側断面図である。
【図4】第１発明の貼着方法に係る配置工程を説明する（ａ）は平面図、（ｂ）は拡大側断面図である。
【図5】第１発明の貼着方法に係る貼着工程を説明する拡大側断面図である。
【図6】第１発明の貼着方法に係る圧縮工程を説明する拡大側断面図である。
【図7】第１発明の貼着方法に係る保護フィルムが貼着された半導体ウエハを説明する拡大側断面図である。
【図8】通常の貼着方法に係る保護フィルムが貼着された半導体ウエハを説明する拡大側断面図である。
【図9】第１発明の貼着方法に係る支持部材の変更例を説明する拡大側断面図である。
【図10】実施例において保護フィルム表面の凹凸を測定した結果を説明するグラフである。
【図12】第１発明の貼着方法に係り、（ａ）、（ｂ）は、押圧部材に対する半導体ウエハのクリアランスＣ１と支持部材のクリアランスＣ２との関係を説明する拡大側断面図である。
【図13】第１発明の貼着方法に係り、（ａ）は配置工程を説明する拡大側断面図であり、（ｂ）は圧縮工程を説明する拡大側断面図である。
【図14】第４発明の貼着方法に係る加工工程を説明する（ａ）は側断面図、（ｂ）は拡大側断面図である。
【図15】第４発明の貼着方法に係る配置工程を説明する拡大側断面図である。
【図16】第４発明の貼着方法に係る貼着工程を説明する拡大側断面図である。
【図17】第４発明の貼着方法に係る加工工程の別例を説明する（ａ）、（ｂ）は、拡大側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明を、図面を参照しながら説明する。ここで示す事項は例示的なもの及び本発明の実施形態を例示的に説明するためのものであり、本発明の原理と概念的な特徴とを最も有効に且つ難なく理解できる説明であると思われるものを提供する目的で述べたものである。この点で、本発明の根本的な理解のために必要で、ある程度以上に本発明の構造的な詳細を示すことを意図してはおらず、図面と合わせた説明によって本発明の幾つかの形態が実際にどのように具現化されるかを当業者に明らかにするものである。
【0017】
［１］貼着方法（第１の実施形態）
本貼着方法は、第１発明に係る第１の実施形態であり、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを保護する保護フィルム２０の貼着方法である。
この貼着方法は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように保護フィルム２０を配する配置工程Ｓ１（図４（ｂ）参照）と、保護フィルム２０を主面１０Ａに押し付けて貼着する貼着工程Ｓ２（図５参照）と、を備える。
半導体ウエハ１０の主面１０Ａは、バンプ１１が配された第１領域１２と、主面１０Ａの周縁の少なくとも一部を含む領域であるとともに、バンプ１１が配されていない領域である第２領域１３と、を有する（図１（ａ），（ｂ）参照）。
そして、貼着工程Ｓ２は、保護フィルム２０をその厚さ方向へ圧縮する圧縮工程Ｓ３を含む（図６参照）。この圧縮工程Ｓ３は、保護フィルム２０を主面１０Ａへ押し付けるための押圧部材３２と、第２領域１３の外周縁に沿って設置される支持部材３３とを使用して行われる。
本貼着方法は、第１発明に係る第１の実施形態であり、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを保護する保護フィルム２０の貼着方法である。
この貼着方法は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように保護フィルム２０を配する配置工程Ｓ１（図４（ｂ）参照）と、保護フィルム２０を主面１０Ａに押し付けて貼着する貼着工程Ｓ２（図５参照）と、を備える。
半導体ウエハ１０の主面１０Ａは、バンプ１１が配された第１領域１２と、主面１０Ａの周縁の少なくとも一部を含む領域であるとともに、バンプ１１が配されていない領域である第２領域１３と、を有する（図１（ａ），（ｂ）参照）。
そして、貼着工程Ｓ２は、保護フィルム２０をその厚さ方向へ圧縮する圧縮工程Ｓ３を含む（図６参照）。この圧縮工程Ｓ３は、保護フィルム２０を主面１０Ａへ押し付けるための押圧部材３２と、第２領域１３の外周縁に沿って設置される支持部材３３とを使用して行われる。
【0018】
本貼着方法によって保護フィルム２０が貼着された半導体ウエハ１０が、バックグラインド工程で所望の薄さとされ、個片化されて、諸々の加工を施されることにより、半導体ウエハ１０から半導体部品が製造される。
すなわち、本貼着方法（第１の実施形態）は、第２発明に係る半導体部品の製造方法に含まれるものである。
すなわち、本貼着方法（第１の実施形態）は、第２発明に係る半導体部品の製造方法に含まれるものである。
【0019】
本貼着方法に供される半導体ウエハ１０は、表裏両面の何れか一方にバンプ１１を有するものであり、この半導体ウエハ１０でバンプ１１を有する側の全面を主面１０Ａとする（図１（ｂ）参照）。
本貼着方法は、配置工程Ｓ１、貼着工程Ｓ２及び圧縮工程Ｓ３を実行可能な貼着装置３０（図３参照）を使用して実施することができる。
上記の押圧部材３２及び支持部材３３は、貼着装置３０に設けることができる。
本貼着方法は、配置工程Ｓ１、貼着工程Ｓ２及び圧縮工程Ｓ３を実行可能な貼着装置３０（図３参照）を使用して実施することができる。
上記の押圧部材３２及び支持部材３３は、貼着装置３０に設けることができる。
【0020】
本貼着方法において、貼着工程Ｓ２は、保護フィルム２０をその厚さ方向へ圧縮する圧縮工程Ｓ３を含む。この圧縮工程Ｓ３は、保護フィルム２０を主面１０Ａへ押し付けるための押圧部材３２と、主面１０Ａの第２領域１３の外周縁に沿って設置される支持部材３３とを使用して行われる。
圧縮工程Ｓ３において、厚さ方向へ圧縮された保護フィルム２０は、流動性又は可塑性を発現する層（凹凸吸収層２３）が段差や凹凸に応じて適宜流動し、段差や凹凸を埋めるような肉部の片寄りを発生させる。
また、押圧部材３２及び支持部材３３を使用して圧縮工程Ｓ３を行う場合、主面１０Ａの周縁よりも更に外側へ向かおうとする保護フィルム２０の肉部の流動が規制される。
そして、上記のように保護フィルム２０の肉部の流動が規制されることで、主面１０Ａの第２領域１３上に保護フィルム２０の肉部（凹凸吸収層２３）が厚く片寄ることで、主面１０Ａの段差が埋まり、保護フィルム２０の表面は平坦となる。
圧縮工程Ｓ３において、厚さ方向へ圧縮された保護フィルム２０は、流動性又は可塑性を発現する層（凹凸吸収層２３）が段差や凹凸に応じて適宜流動し、段差や凹凸を埋めるような肉部の片寄りを発生させる。
また、押圧部材３２及び支持部材３３を使用して圧縮工程Ｓ３を行う場合、主面１０Ａの周縁よりも更に外側へ向かおうとする保護フィルム２０の肉部の流動が規制される。
そして、上記のように保護フィルム２０の肉部の流動が規制されることで、主面１０Ａの第２領域１３上に保護フィルム２０の肉部（凹凸吸収層２３）が厚く片寄ることで、主面１０Ａの段差が埋まり、保護フィルム２０の表面は平坦となる。
【0021】
［２］半導体ウエハ
本貼着方法に係る半導体ウエハ１０は、材料、形状について特に限定されないが、通常は珪素（シリコン）を材料に用いて円板状に形成されている。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、この半導体ウエハ１０は、主面１０Ａに複数のバンプ１１を有している。
ここで、主面１０Ａは、バンプ１１を有する半導体ウエハ１０におけるバンプ１１が設けられた側の全面である。この主面１０Ａには、半導体ウエハ１０の表面と、バンプ１１の表面と、が含まれる。また、この半導体ウエハ１０において、主面１０Ａの反対側の面は、裏面とする。
本貼着方法に係る半導体ウエハ１０は、材料、形状について特に限定されないが、通常は珪素（シリコン）を材料に用いて円板状に形成されている。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、この半導体ウエハ１０は、主面１０Ａに複数のバンプ１１を有している。
ここで、主面１０Ａは、バンプ１１を有する半導体ウエハ１０におけるバンプ１１が設けられた側の全面である。この主面１０Ａには、半導体ウエハ１０の表面と、バンプ１１の表面と、が含まれる。また、この半導体ウエハ１０において、主面１０Ａの反対側の面は、裏面とする。
【0022】
この主面１０Ａは、バンプ１１が配された第１領域１２と、バンプ１１が配されていない第２領域１３と、を有する。
このうち第２領域１３は、周縁領域１３Ａと、ブランク領域１３Ｂと、を有する。
上記のうち、周縁領域１３Ａは、半導体ウエハ１０の周縁をなす領域である（即ち、主面１０Ａの周縁をなす領域である）。一般に、半導体ウエハ１０は、その周縁の欠けや割れを防ぐ目的で、該周縁に面取り部１４が設けられており（図１（ｂ）及び図１１（ｂ）参照）、この面取り部１４を含む領域が周縁領域１３Ａである。このため、面取り部１４を含む周縁領域１３Ａは、バンプが配されていない。
一方、ブランク領域１３Ｂは、バンプを配することが可能であるが、実際にはバンプが配されていない領域である。具体的に、ブランク領域１３Ｂは、第２領域１３から周縁領域１３Ａを除いた領域である。
このうち第２領域１３は、周縁領域１３Ａと、ブランク領域１３Ｂと、を有する。
上記のうち、周縁領域１３Ａは、半導体ウエハ１０の周縁をなす領域である（即ち、主面１０Ａの周縁をなす領域である）。一般に、半導体ウエハ１０は、その周縁の欠けや割れを防ぐ目的で、該周縁に面取り部１４が設けられており（図１（ｂ）及び図１１（ｂ）参照）、この面取り部１４を含む領域が周縁領域１３Ａである。このため、面取り部１４を含む周縁領域１３Ａは、バンプが配されていない。
一方、ブランク領域１３Ｂは、バンプを配することが可能であるが、実際にはバンプが配されていない領域である。具体的に、ブランク領域１３Ｂは、第２領域１３から周縁領域１３Ａを除いた領域である。
【0023】
上述の各領域の形状（平面形状）は限定されないが、例えば、第１領域１２は、主面１０Ａの略中央部分において、図１（ａ）に例示されるように、平面視で略円形状に設けることができる。また、第１領域１２は、主面１０Ａの略中央部分において、図１１（ａ）に例示されるように、平面視で多角形状に設けることができる。
なお、第１領域１２及び第２領域１３を分かり易くするため、これら領域の境界線を図１（ａ）及び図１１（ａ）中に二点鎖線で示す。
なお、第１領域１２及び第２領域１３を分かり易くするため、これら領域の境界線を図１（ａ）及び図１１（ａ）中に二点鎖線で示す。
【0024】
また、第２領域１３は、例えば、図１（ａ）及び図１１（ａ）に例示されるように、第１領域１２を囲んだ形状に設けることができる。
更に、第２領域１３を構成する周縁領域１３Ａの形状は、例えば、第１領域１２を内側に囲い込むように、平面視で略円環状にすることができる（図１及び図１１参照）。
更に、第２領域１３を構成する周縁領域１３Ａの形状は、例えば、第１領域１２を内側に囲い込むように、平面視で略円環状にすることができる（図１及び図１１参照）。
【0025】
ブランク領域１３Ｂの形状（平面形状）は、図１（ａ）に例示されるように、弓型にすることができる。即ち、主面１０Ａの左側部で周縁領域１３Ａが該主面１０Ａの中心へ向かい弓状に拡張されて設けられたブランク領域１３Ｂとすることができる。このようなブランク領域１３Ｂは、半導体ウエハ１０のシリアル番号や製造番号等の各種情報を表示（例えば、刻印等）する目的で利用できる。従って、図１（ａ）の弓型のブランク領域１３Ｂは、識別領域ということもできる。
また、ブランク領域１３Ｂの形状（平面形状）は、図１１（ａ）に例示されるように、第１領域１２の周囲を前後左右の四方から取り囲む形状にすることができる。より具体的に、ブランク領域１３Ｂの形状は、４つの円弧形状が連なった形状にすることができる。このようなブランク領域１３Ｂは、例えば、製品化の際にエラーが生じやすい等の理由から、バンプ１１が配されない領域として利用できる。
更に、図１１（ａ）のブランク領域１３Ｂは、半導体ウエハ１０から切り出すチップのサイズが大きい場合に形成される領域ということもできる。即ち、チップのサイズが小さい場合、第１領域１２は、図１（ａ）の平面視で略円形状になる。一方、チップのサイズが大きい場合、第１領域１２は、図１１（ａ）の平面視で略多角形状になる。そして、第１領域１２が平面視で略多角形状になると、この第１領域１２の周囲を取り囲むように、図１１（ａ）のブランク領域１３Ｂが形成される。図１１（ａ）のブランク領域１３Ｂが形成される場合、チップのサイズは、例えば、１００ｍｍ２以上である。
なお、以降の文中では、このブランク領域１３Ｂの表面を、「ブランク領域表面１０１Ａ」と記載する。
また、ブランク領域１３Ｂの形状（平面形状）は、図１１（ａ）に例示されるように、第１領域１２の周囲を前後左右の四方から取り囲む形状にすることができる。より具体的に、ブランク領域１３Ｂの形状は、４つの円弧形状が連なった形状にすることができる。このようなブランク領域１３Ｂは、例えば、製品化の際にエラーが生じやすい等の理由から、バンプ１１が配されない領域として利用できる。
更に、図１１（ａ）のブランク領域１３Ｂは、半導体ウエハ１０から切り出すチップのサイズが大きい場合に形成される領域ということもできる。即ち、チップのサイズが小さい場合、第１領域１２は、図１（ａ）の平面視で略円形状になる。一方、チップのサイズが大きい場合、第１領域１２は、図１１（ａ）の平面視で略多角形状になる。そして、第１領域１２が平面視で略多角形状になると、この第１領域１２の周囲を取り囲むように、図１１（ａ）のブランク領域１３Ｂが形成される。図１１（ａ）のブランク領域１３Ｂが形成される場合、チップのサイズは、例えば、１００ｍｍ２以上である。
なお、以降の文中では、このブランク領域１３Ｂの表面を、「ブランク領域表面１０１Ａ」と記載する。
【0026】
主面１０Ａ上におけるバンプ１１の平均高さＨ１は、特に限定されず、めっきバンプ、ボールバンプ、印刷バンプ等といったバンプ１１の種類に応じて任意に設定することができる。通常、主面１０Ａ上におけるバンプ１１の平均高さＨ１は、好ましくは３５０μｍ未満、より好ましくは５～２５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０～１５０μｍの範囲とされる。
主面１０Ａの全面積に対する第２領域１３の面積の比率は、特に限定されず、ブランク領域１３Ｂのサイズ次第で任意に設定することができるが、好ましくは３０％未満、より好ましくは２３％以下、さらに好ましくは１５％以下である。
主面１０Ａの全面積に対する周縁領域１３Ａの面積の比率は、特に限定されないが、好ましくは１０％以下、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは５％以下である。
また、主面１０Ａの全面積に対するブランク領域１３Ｂの面積の比率は、特に限定されず、任意に設定することができるが、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下である。
主面１０Ａの全面積に対する第２領域１３の面積の比率は、特に限定されず、ブランク領域１３Ｂのサイズ次第で任意に設定することができるが、好ましくは３０％未満、より好ましくは２３％以下、さらに好ましくは１５％以下である。
主面１０Ａの全面積に対する周縁領域１３Ａの面積の比率は、特に限定されないが、好ましくは１０％以下、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは５％以下である。
また、主面１０Ａの全面積に対するブランク領域１３Ｂの面積の比率は、特に限定されず、任意に設定することができるが、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下である。
【0027】
第２領域１３において、周縁領域１３Ａとブランク領域１３Ｂは、何れもが第１領域１２との間に段差を有しており、この段差に倣ったへこみやくぼみ等が保護フィルム２０の表面に形成されることで、バキュームエラーの発生やクラック、割れの発生等といった不具合を発生させる可能性を有する。
周縁領域１３Ａとブランク領域１３Ｂとを比較した場合、ブランク領域１３Ｂは、周縁領域１３Ａに比べて主面１０Ａの全面積に対する面積の比率が大きいため、周縁領域１３Ａよりも大きなへこみやくぼみ等が保護フィルム２０の表面に形成されやすく、上記の不具合を発生させる可能性が高い。
そこで、これ以降の記載において、第２領域１３は、特に断りのない限りブランク領域１３Ｂを挙げて説明する。
周縁領域１３Ａとブランク領域１３Ｂとを比較した場合、ブランク領域１３Ｂは、周縁領域１３Ａに比べて主面１０Ａの全面積に対する面積の比率が大きいため、周縁領域１３Ａよりも大きなへこみやくぼみ等が保護フィルム２０の表面に形成されやすく、上記の不具合を発生させる可能性が高い。
そこで、これ以降の記載において、第２領域１３は、特に断りのない限りブランク領域１３Ｂを挙げて説明する。
【0028】
［３］保護フィルム
本貼着方法で使用される保護フィルム２０は、半導体部品の製造方法に用いられるフィルムであり、より具体的には半導体部品の製造方法において、半導体ウエハを所望の薄さにするバックグラインド工程に用いられるフィルムである。
すなわち、本保護フィルムは、第３発明に係る保護フィルムである。
本貼着方法で使用される保護フィルム２０は、半導体部品の製造方法に用いられるフィルムであり、より具体的には半導体部品の製造方法において、半導体ウエハを所望の薄さにするバックグラインド工程に用いられるフィルムである。
すなわち、本保護フィルムは、第３発明に係る保護フィルムである。
【0029】
図２に示すように、保護フィルム２０は、基層２１と、粘着材層２２と、を有する構成とすることができる。
保護フィルム２０は、バンプ１１による凹凸と第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差とを解消するという観点から、流動性又は可塑性を発現できる層を有することが好ましい。本実施形態の保護フィルム２０は、基層２１と粘着材層２２との間に、流動性又は可塑性を発現できる層として凹凸吸収層２３を有している。
保護フィルム２０は、バンプ１１による凹凸と第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差とを解消するという観点から、流動性又は可塑性を発現できる層を有することが好ましい。本実施形態の保護フィルム２０は、基層２１と粘着材層２２との間に、流動性又は可塑性を発現できる層として凹凸吸収層２３を有している。
【0030】
保護フィルム２０の平均厚さＨ２は、バンプ１１による凹凸と第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差とを好適に解消するという観点から、上記バンプ１１の平均高さＨ１との間で、０．５≦Ｈ２／Ｈ１の関係式を満たすことが好ましい。
Ｈ２／Ｈ１の上限について、保護フィルム２０が、その肉量で以て、バンプ１１による凹凸と第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差とを吸収して好適に解消するという観点では、特に制限されない。保護フィルム２０の平均厚さＨ２が増すことによる材料のロスを抑制し、更に保護フィルム２０の成形性を好適に維持するという観点では、Ｈ２／Ｈ１は、通常は１０以下（Ｈ２／Ｈ１≦１０）、好ましくは５以下（Ｈ２／Ｈ１≦５）、より好ましくは４以下（Ｈ２／Ｈ１≦４）である。
Ｈ２／Ｈ１の上限について、保護フィルム２０が、その肉量で以て、バンプ１１による凹凸と第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差とを吸収して好適に解消するという観点では、特に制限されない。保護フィルム２０の平均厚さＨ２が増すことによる材料のロスを抑制し、更に保護フィルム２０の成形性を好適に維持するという観点では、Ｈ２／Ｈ１は、通常は１０以下（Ｈ２／Ｈ１≦１０）、好ましくは５以下（Ｈ２／Ｈ１≦５）、より好ましくは４以下（Ｈ２／Ｈ１≦４）である。
【0031】
具体的に、保護フィルム２０の平均厚さＨ２は、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上、さらに好ましくは２００μｍ以上である。
尚、平均高さＨ１は、全バンプ数のうち、無作為に選択された１／１０個のバンプの実測高さの平均値であるものとする。また、平均厚さＨ２は、互いに２ｃｍ以上離れるように選択された１０ヶ所のフィルムの実測厚さの平均値であるものとする。
尚、平均高さＨ１は、全バンプ数のうち、無作為に選択された１／１０個のバンプの実測高さの平均値であるものとする。また、平均厚さＨ２は、互いに２ｃｍ以上離れるように選択された１０ヶ所のフィルムの実測厚さの平均値であるものとする。
【0032】
以下、保護フィルムの各層について説明する。
（１）基層
基層２１は、保護フィルム２０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性を向上させることを目的として設けられる層である。
基層２１に使用される材料は、バックグラインド工程で半導体ウエハの研削時に加わる外力に耐え得る機械的強度を有するのであれば、特に限定されない。
通常、基層２１の材料には、合成樹脂のフィルムが使用される。
（１）基層
基層２１は、保護フィルム２０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性を向上させることを目的として設けられる層である。
基層２１に使用される材料は、バックグラインド工程で半導体ウエハの研削時に加わる外力に耐え得る機械的強度を有するのであれば、特に限定されない。
通常、基層２１の材料には、合成樹脂のフィルムが使用される。
【0033】
上述の合成樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４－メチル－１－ペンテン）、ポリ（１－ブテン）等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；ナイロン－６、ナイロン－６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリエーテルイミド；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンエーテル等から選択される１種または２種以上の熱可塑性樹脂を挙げることができる。
これら合成樹脂の中でも、バックグラインド工程で半導体ウエハを好適に保護するという観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される１種または２種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、エチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される１種または２種以上がより好ましい。
また、合成樹脂中には添加剤として、可塑剤、軟化剤（鉱油等）、充填剤（炭酸塩、硫酸塩、チタン酸塩、珪酸塩、酸化物（酸化チタン、酸化マグネシウム）、シリカ、タルク、マイカ、クレー、繊維フィラー等）、酸化防止剤、光安定化剤、帯電防止剤、滑剤、着色剤等を添加することができる。これら添加剤は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
これら合成樹脂の中でも、バックグラインド工程で半導体ウエハを好適に保護するという観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される１種または２種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、エチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される１種または２種以上がより好ましい。
また、合成樹脂中には添加剤として、可塑剤、軟化剤（鉱油等）、充填剤（炭酸塩、硫酸塩、チタン酸塩、珪酸塩、酸化物（酸化チタン、酸化マグネシウム）、シリカ、タルク、マイカ、クレー、繊維フィラー等）、酸化防止剤、光安定化剤、帯電防止剤、滑剤、着色剤等を添加することができる。これら添加剤は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【0034】
上述のフィルムは、延伸の有無を問わず、無延伸フィルム、一軸延伸フィルムや二軸延伸フィルム等の延伸フィルムの何れも使用することができるが、機械的強度の向上という観点から、延伸フィルムが好ましい。
また、フィルムは、単層フィルム、複数の層を有する多層フィルムの何れも使用することができる。
また、フィルムは、単層フィルム、複数の層を有する多層フィルムの何れも使用することができる。
【0035】
基層２１には、凹凸吸収層２３等との接着性の向上という観点から、表面処理されたフィルムを使用することが好ましい。表面処理の具体例として、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を挙げることができる。
基層２１の厚さは、特に限定されないが、良好な特性を得るという観点から、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍ、さらに好ましくは３０～１００μｍである。
基層２１の厚さは、特に限定されないが、良好な特性を得るという観点から、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍ、さらに好ましくは３０～１００μｍである。
【0036】
（２）粘着材層
粘着材層２２は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに、保護フィルム２０を貼着して固定することを目的として設けられる層である。
粘着材層２２の材料は、特に限定されないが、少なくとも粘着主剤を含むものが使用される。この粘着主剤としては、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等を例示することができる。
また、粘着材層２２の材料は、粘着主剤以外に、架橋剤を含むことができる。
粘着材層２２は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに、保護フィルム２０を貼着して固定することを目的として設けられる層である。
粘着材層２２の材料は、特に限定されないが、少なくとも粘着主剤を含むものが使用される。この粘着主剤としては、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等を例示することができる。
また、粘着材層２２の材料は、粘着主剤以外に、架橋剤を含むことができる。
【0037】
粘着材層２２の材料には、エネルギー線によって硬化できるエネルギー線硬化型粘着材、エネルギー線によって硬化されないエネルギー線非硬化型粘着材の何れも使用することができる。これらの中でもエネルギー線硬化型粘着材は、エネルギー線照射により硬化して粘着力を低下させることで主面１０Ａから保護フィルム２０を糊残りなく剥離することができるという観点から、粘着材層２２の材料として好ましい。
エネルギー線硬化型粘着材について、エネルギー線の種類は、特に限定されず、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
また、エネルギー線硬化型粘着材は、粘着主剤の他に、分子内に炭素－炭素二重結合を有する化合物と、エネルギー線に反応して硬化性化合物の重合を開始させることができる光重合開始剤と、を含むことができる。硬化性化合物は、分子中に炭素－炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー、ポリマーが好ましい。
エネルギー線硬化型粘着材について、エネルギー線の種類は、特に限定されず、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
また、エネルギー線硬化型粘着材は、粘着主剤の他に、分子内に炭素－炭素二重結合を有する化合物と、エネルギー線に反応して硬化性化合物の重合を開始させることができる光重合開始剤と、を含むことができる。硬化性化合物は、分子中に炭素－炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー、ポリマーが好ましい。
【0038】
粘着材層２２の粘着力は、特に限定されないが、半導体ウエハとの良好な接着性を確保しつつ、剥離時に半導体ウエハへの糊残りを抑制できるという観点から、シリコンウエハの表面に貼着して６０分間放置した後、シリコンウエハの表面から剥離するときの、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が（温度２３℃、相対湿度５０％の環境下にて測定）０．１～１０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。粘着力は、より好ましくは０．２～９Ｎ／２５ｍｍ、さらに好ましくは０．３～８Ｎ／２５ｍｍである。
粘着材層２２の厚さは、特に限定されないが、好適な接着力を発揮しつつ糊残りなく剥離できるという観点から、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは２～４５μｍ、さらに好ましくは３～４０μｍである。
粘着材層２２の厚さは、特に限定されないが、好適な接着力を発揮しつつ糊残りなく剥離できるという観点から、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは２～４５μｍ、さらに好ましくは３～４０μｍである。
【0039】
（３）凹凸吸収層
凹凸吸収層２３は、流動性又は可塑性の発現によって奏される凹凸吸収性により、主面１０Ａ上に配されたバンプ１１による凹凸形状を吸収して、及び、第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差を埋めて、保護フィルム２０の表面を平滑にすることを目的として設けられる層である。
凹凸吸収層２３の材料は、流動性又は可塑性の発現による凹凸吸収性を有するものであれば、特に限定されないが、通常、熱可塑性樹脂が使用される。
凹凸吸収層２３は、流動性又は可塑性の発現によって奏される凹凸吸収性により、主面１０Ａ上に配されたバンプ１１による凹凸形状を吸収して、及び、第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差を埋めて、保護フィルム２０の表面を平滑にすることを目的として設けられる層である。
凹凸吸収層２３の材料は、流動性又は可塑性の発現による凹凸吸収性を有するものであれば、特に限定されないが、通常、熱可塑性樹脂が使用される。
【0040】
熱可塑性樹脂の具体例として、オレフィン系樹脂、エチレン・極性モノマー共重合体、ＡＢＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂等が挙げられる。これらの中でも、凹凸吸収性が良好であるという観点から、オレフィン系樹脂およびエチレン・極性モノマー共重合体から選択される少なくとも１種が好ましい。
【0041】
オレフィン系樹脂としては、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンおよび炭素数３～１２のα－オレフィンとを含むエチレン・α－オレフィン共重合体、プロピレンおよび炭素数４～１２のα－オレフィンとを含むプロピレン・α－オレフィン共重合体、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・環状オレフィン共重合体等を例示することができる。
【0042】
エチレン・極性モノマー共重合体としては、エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸プロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ブチル共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸エステル共重合体；エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等のエチレン・ビニルエステル共重合体等を例示することができる。
また、上記した熱可塑性樹脂は、単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
また、上記した熱可塑性樹脂は、単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【0043】
凹凸吸収層２３の密度は、特に限定されないが、凹凸吸収性に係る柔軟性と、バックグラインド工程での耐久性に係る剛性とのバランス（剛柔性）の観点から、好ましくは８００～９９０ｋｇ／ｍ３、より好ましくは８３０～９８０ｋｇ／ｍ３、さらに好ましくは８５０～９７０ｋｇ／ｍ３である。
凹凸吸収層２３の厚さは、バンプ１１による凹凸形状と第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差とに対する凹凸吸収性を発揮できる厚さであれば、特に限定されないが、凹凸吸収性を好適に発揮できるという観点から、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上、さらに好ましくは１７０μｍ以上である。
凹凸吸収層２３の厚さは、バンプ１１による凹凸形状と第１領域１２及び第２領域１３の高低差による段差とに対する凹凸吸収性を発揮できる厚さであれば、特に限定されないが、凹凸吸収性を好適に発揮できるという観点から、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上、さらに好ましくは１７０μｍ以上である。
【0044】
凹凸吸収層２３の６０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（６０）は、保護フィルム２０の貼り付け時に、加温によって凹凸吸収層２３が好適な凹凸吸収性を発現できるという観点から、０．０５×１０６～１．０×１０６Ｐａが好ましく、より好ましくは０．０７５×１０６～０．５×１０６Ｐａである。
凹凸吸収層２３の２５℃における貯蔵弾性率Ｇ’（２５）は、保護フィルム２０の貼り付け後に、凹凸吸収層２３がその形状を保持でき、主面１０Ａに対する好適な密着性を維持できるという観点から、４．０×１０６～７.０×１０６Ｐａが好ましく、より好ましくは４．５×１０６～６．５×１０６Ｐａである。
凹凸吸収層２３の２５℃における貯蔵弾性率Ｇ’（２５）は、保護フィルム２０の貼り付け後に、凹凸吸収層２３がその形状を保持でき、主面１０Ａに対する好適な密着性を維持できるという観点から、４．０×１０６～７.０×１０６Ｐａが好ましく、より好ましくは４．５×１０６～６．５×１０６Ｐａである。
【0045】
凹凸吸収層２３の貯蔵弾性率Ｇ’（２５）と貯蔵弾性率Ｇ’（６０）との弾性率比Ｇ’（６０）／Ｇ’（２５）は、良好な凹凸吸収性を発現できるとともに、主面１０Ａに対する良好な密着性を維持できるという観点から、Ｇ’（６０）／Ｇ’（２５）＜０．１が好ましく、より好ましくはＧ’（６０）／Ｇ’（２５）≦０．０８、さらに好ましくはＧ’（６０）／Ｇ’（２５）≦０．０５である。
尚、貯蔵弾性率Ｇ’は、動的粘弾性測定装置（例えば、レオメトリックス社製、形式「ＲＭＳ－８００」）を用いて、測定周波数１Ｈｚ、歪み０．１～３％の条件下、Ｇ’（２５）は２５℃で、貯蔵弾性率Ｇ’（６０）は６０℃で測定される。
尚、貯蔵弾性率Ｇ’は、動的粘弾性測定装置（例えば、レオメトリックス社製、形式「ＲＭＳ－８００」）を用いて、測定周波数１Ｈｚ、歪み０．１～３％の条件下、Ｇ’（２５）は２５℃で、貯蔵弾性率Ｇ’（６０）は６０℃で測定される。
【0046】
（４）その他の層
保護フィルム２０は、上述の基層２１、粘着材層２２及び凹凸吸収層２３を有する構成に限らず、基層２１と凹凸吸収層２３との間、あるいは凹凸吸収層２３と粘着材層２２との間に他の層を有する構成とすることができる。
他の層としては、粘着材層２２との界面強度を向上する界面強度向上層、粘着材層２２の粘着面への低分子量成分の移行を抑制する移行防止層、保護フィルム２０の帯電を防止する帯電防止層等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
保護フィルム２０は、上述の基層２１、粘着材層２２及び凹凸吸収層２３を有する構成に限らず、基層２１と凹凸吸収層２３との間、あるいは凹凸吸収層２３と粘着材層２２との間に他の層を有する構成とすることができる。
他の層としては、粘着材層２２との界面強度を向上する界面強度向上層、粘着材層２２の粘着面への低分子量成分の移行を抑制する移行防止層、保護フィルム２０の帯電を防止する帯電防止層等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【0047】
［４］貼着装置
貼着装置３０は、配置工程Ｓ１、貼着工程Ｓ２及び圧縮工程Ｓ３を実行可能な構成であれば、特に限定されない。
貼着装置３０として、以下に示すような構成を例示することができる。
図３（ａ），（ｂ）に示すように、貼着装置３０は、チャックテーブル３１と、チャックテーブル３１の上方位置に配された押圧部材３２と、チャックテーブル３１横に配された支持部材３３と、を有している。
チャックテーブル３１は、その表面に載置された半導体ウエハ１０を支持固定するためのものである。
押圧部材３２は、チャックテーブル３１に支持固定された半導体ウエハ１０の主面１０Ａへ、保護フィルム２０を押し付けるためのものである。
支持部材３３は、チャックテーブル３１に支持固定された半導体ウエハ１０の第２領域１３の外周縁に沿って設置され、保護フィルム２０の縁部を支持するためのものである。
貼着装置３０は、配置工程Ｓ１、貼着工程Ｓ２及び圧縮工程Ｓ３を実行可能な構成であれば、特に限定されない。
貼着装置３０として、以下に示すような構成を例示することができる。
図３（ａ），（ｂ）に示すように、貼着装置３０は、チャックテーブル３１と、チャックテーブル３１の上方位置に配された押圧部材３２と、チャックテーブル３１横に配された支持部材３３と、を有している。
チャックテーブル３１は、その表面に載置された半導体ウエハ１０を支持固定するためのものである。
押圧部材３２は、チャックテーブル３１に支持固定された半導体ウエハ１０の主面１０Ａへ、保護フィルム２０を押し付けるためのものである。
支持部材３３は、チャックテーブル３１に支持固定された半導体ウエハ１０の第２領域１３の外周縁に沿って設置され、保護フィルム２０の縁部を支持するためのものである。
【0048】
貼着装置３０は、保護フィルム２０の凹凸吸収層２３に流動性又は可塑性を好適に発現させるという観点から、保護フィルム２０を加熱するための加熱機構を有する構成とすることができる。この加熱機構として、温風ヒーター等を例示することができる。
貼着装置３０は、配置工程Ｓ１を好適に実行できるという観点から、装置内に保護フィルム２０を供給する供給機構を有する構成とすることができる。この供給機構として、フィルム供給ローラ、フィルム供給アーム等を例示することができる。
貼着装置３０は、配置工程Ｓ１を好適に実行できるという観点から、装置内に保護フィルム２０を供給する供給機構を有する構成とすることができる。この供給機構として、フィルム供給ローラ、フィルム供給アーム等を例示することができる。
【0049】
以下、貼着装置が有する各部材について説明する。
（１）チャックテーブル
チャックテーブル３１は、半導体ウエハ１０を支持固定することができるものであれば、種類、構成等について特に限定されない。
チャックテーブル３１は、半導体ウエハ１０を好適に固定することができるとともに、半導体ウエハ１０の汚損や傷付きを防止することができるという観点から、真空吸着テーブルとすることが好ましい。
（１）チャックテーブル
チャックテーブル３１は、半導体ウエハ１０を支持固定することができるものであれば、種類、構成等について特に限定されない。
チャックテーブル３１は、半導体ウエハ１０を好適に固定することができるとともに、半導体ウエハ１０の汚損や傷付きを防止することができるという観点から、真空吸着テーブルとすることが好ましい。
【0050】
（２）押圧部材
押圧部材３２は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａへ保護フィルム２０を押し付けることができるものであれば、形状、構成等について特に限定されない。
図３（ａ），（ｂ）に示した押圧部材３２は、円盤状に形成され、チャックテーブル３１に支持固定された半導体ウエハ１０の上方位置に配されて、この半導体ウエハ１０に対して接近又は離間できるように構成されている。
押圧部材３２は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａへ保護フィルム２０を押し付けることができるものであれば、形状、構成等について特に限定されない。
図３（ａ），（ｂ）に示した押圧部材３２は、円盤状に形成され、チャックテーブル３１に支持固定された半導体ウエハ１０の上方位置に配されて、この半導体ウエハ１０に対して接近又は離間できるように構成されている。
【0051】
押圧部材３２は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに貼着された保護フィルム２０の表面を平坦にするという観点から、保護フィルム２０を押し付ける押圧面３２Ａが平坦面であることが好ましい。
押圧面３２Ａの硬さは、保護フィルム２０を押し付ける際の変形を抑制して押圧面３２Ａが平坦面であることを維持するという観点から、モース硬度で、好ましくは２．５～８．５、より好ましくは３～７、さらに好ましくは４～６である。
押圧面３２Ａの材料は、特に限定されないが、上記モース硬度を満たすという観点から、鉄、銅、アルミニウム、スチール鋼、ステンレス鋼、アルミニウム合金等の金属、ガラス、セラミックス等の無機材料を使用することができる。
押圧部材３２は、例えば押圧面３２Ａのみを上記無機材料で形成し、押圧面３２Ａ以外の部分は合成樹脂で形成する等の構成とすることができる。
押圧面３２Ａの硬さは、保護フィルム２０を押し付ける際の変形を抑制して押圧面３２Ａが平坦面であることを維持するという観点から、モース硬度で、好ましくは２．５～８．５、より好ましくは３～７、さらに好ましくは４～６である。
押圧面３２Ａの材料は、特に限定されないが、上記モース硬度を満たすという観点から、鉄、銅、アルミニウム、スチール鋼、ステンレス鋼、アルミニウム合金等の金属、ガラス、セラミックス等の無機材料を使用することができる。
押圧部材３２は、例えば押圧面３２Ａのみを上記無機材料で形成し、押圧面３２Ａ以外の部分は合成樹脂で形成する等の構成とすることができる。
【0052】
押圧部材３２を半導体ウエハ１０に接近又は離間させる構成等は、特に限定されない。
例えば、押圧部材３２は、貼着装置３０に一端縁が回動自在に取り付けてられ、跳ね下ろした場合は半導体ウエハ１０に接近し、跳ね上げた場合は半導体ウエハ１０から離間するように構成することができる。
また、押圧部材３２は、半導体ウエハ１０の厚さ方向に伸びるように貼着装置３０に設けられたレール等に昇降自在に取り付けられ、下降した場合は半導体ウエハ１０に接近し、上昇した場合は半導体ウエハ１０から離間するように構成することができる。
また、押圧部材３２はチャックテーブル３１の上方位置に固定されており、チャックテーブル３１を昇降自在に構成して、チャックテーブル３１が上昇した場合は押圧部材３２に半導体ウエハ１０が接近し、チャックテーブル３１が下降した場合は押圧部材３２から半導体ウエハ１０が離間するように構成することができる。
例えば、押圧部材３２は、貼着装置３０に一端縁が回動自在に取り付けてられ、跳ね下ろした場合は半導体ウエハ１０に接近し、跳ね上げた場合は半導体ウエハ１０から離間するように構成することができる。
また、押圧部材３２は、半導体ウエハ１０の厚さ方向に伸びるように貼着装置３０に設けられたレール等に昇降自在に取り付けられ、下降した場合は半導体ウエハ１０に接近し、上昇した場合は半導体ウエハ１０から離間するように構成することができる。
また、押圧部材３２はチャックテーブル３１の上方位置に固定されており、チャックテーブル３１を昇降自在に構成して、チャックテーブル３１が上昇した場合は押圧部材３２に半導体ウエハ１０が接近し、チャックテーブル３１が下降した場合は押圧部材３２から半導体ウエハ１０が離間するように構成することができる。
【0053】
（３）支持部材
支持部材３３は、圧縮工程Ｓ３で保護フィルム２０を圧縮できるのであれば、構成等について特に限定されない。
支持部材３３の形状は、半導体ウエハ１０の第２領域１３の外周縁に沿って設置することができるとともに、圧縮工程Ｓ３を好適に実行できるのであれば、特に限定されない。このような形状として、平面視で円環状、扇状、弧状等が例示できる。
支持部材３３の材料は、押圧部材３２とともに保護フィルム２０を挟んで圧縮することができるのであれば、特に限定されない。このような材料として、押圧部材３２で挙げた金属等の無機材料の他に、エンジニアリングプラスチックやスーパーエンジニアリングプラスチック等の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等が例示できる。
支持部材３３は、圧縮工程Ｓ３で保護フィルム２０を圧縮できるのであれば、構成等について特に限定されない。
支持部材３３の形状は、半導体ウエハ１０の第２領域１３の外周縁に沿って設置することができるとともに、圧縮工程Ｓ３を好適に実行できるのであれば、特に限定されない。このような形状として、平面視で円環状、扇状、弧状等が例示できる。
支持部材３３の材料は、押圧部材３２とともに保護フィルム２０を挟んで圧縮することができるのであれば、特に限定されない。このような材料として、押圧部材３２で挙げた金属等の無機材料の他に、エンジニアリングプラスチックやスーパーエンジニアリングプラスチック等の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等が例示できる。
【0054】
図３（ａ），（ｂ）に示した支持部材３３は、半導体ウエハ１０の全体を内側に囲い込むことができるように、平面視で円環状に形成されている。
なお、支持部材３３の形状を平面視で扇状、弧状等とした場合には、第２領域１３の中でも特にブランク領域１３Ｂの外周縁に沿って支持部材３３を設置することが好ましい。
なお、支持部材３３の形状を平面視で扇状、弧状等とした場合には、第２領域１３の中でも特にブランク領域１３Ｂの外周縁に沿って支持部材３３を設置することが好ましい。
【0055】
図６に示すように、支持部材３３は、平面視で一定以上の幅Ｗ１を要することにより、保護フィルム２０による作用、つまり押圧部材３２と支持部材３３とで挟まれた部分でブランク領域１３Ｂの段差を埋める作用を発揮させることができる。
段差を埋めるために要する体積は、バンプ１１の高さ、半導体ウエハ１０の主面１０Ａ上に占めるブランク領域１３Ｂの面積、保護フィルム２０の厚み等の条件に応じて適宜調節される。
このため、支持部材３３の平面視での幅Ｗ１は、特に限定されないが、押圧部材３２との間で保護フィルム２０を確実に挟んで圧縮することができるという観点から、一般的に、好ましくは１～２０ｍｍ、より好ましくは２～１５ｍｍ、さらに好ましくは３～１０ｍｍである。
段差を埋めるために要する体積は、バンプ１１の高さ、半導体ウエハ１０の主面１０Ａ上に占めるブランク領域１３Ｂの面積、保護フィルム２０の厚み等の条件に応じて適宜調節される。
このため、支持部材３３の平面視での幅Ｗ１は、特に限定されないが、押圧部材３２との間で保護フィルム２０を確実に挟んで圧縮することができるという観点から、一般的に、好ましくは１～２０ｍｍ、より好ましくは２～１５ｍｍ、さらに好ましくは３～１０ｍｍである。
【0056】
支持部材３３において保護フィルム２０の縁部を支持する支持面３３Ａは、圧縮工程Ｓ３で圧縮された保護フィルム２０の縁部の肉（例えば、凹凸吸収層２３）を、半導体ウエハ１０の主面１０Ａの第２領域１３へ、特にブランク領域１３Ｂのブランク領域表面１０１Ａ上へ好適に移動させるという観点から、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに対して平行とされている。
あるいは、図９に示すように、支持部材３３の支持面３３Ａは、圧縮工程Ｓ３で圧縮された保護フィルム２０の縁部の肉（例えば、凹凸吸収層２３）を、ブランク領域表面１０１Ａ上へより好適に移動させるという観点から、半導体ウエハ１０の主面１０Ａ側を向くように傾斜させてもよい。
あるいは、図９に示すように、支持部材３３の支持面３３Ａは、圧縮工程Ｓ３で圧縮された保護フィルム２０の縁部の肉（例えば、凹凸吸収層２３）を、ブランク領域表面１０１Ａ上へより好適に移動させるという観点から、半導体ウエハ１０の主面１０Ａ側を向くように傾斜させてもよい。
【0057】
図３（ａ），（ｂ）に示した貼着装置３０は、圧縮工程Ｓ３を好適に実行できるという観点から、半導体ウエハ１０の主面１０Ａと押圧部材３２とのクリアランスをＣ１とし、支持部材３３と押圧部材３２とのクリアランスをＣ２とした場合、Ｃ１＞Ｃ２とされている。このＣ１＞Ｃ２の場合、支持部材３３の支持面３３Ａは、半導体ウエハ１０の主面１０Ａでブランク領域表面１０１Ａよりも高い位置に配される。
なお、上記のクリアランスＣ１とクリアランスＣ２は、Ｃ１＝Ｃ２、あるいはＣ１＜Ｃ２とすることもできる。Ｃ１＝Ｃ２の場合、支持部材３３の支持面３３Ａは、半導体ウエハ１０の第２領域１３の表面と同じ高さに配され、Ｃ１＜Ｃ２の場合、支持部材３３の支持面３３Ａは、半導体ウエハ１０の第２領域１３の表面よりも低い位置に配される。
なお、上記のクリアランスＣ１とクリアランスＣ２は、Ｃ１＝Ｃ２、あるいはＣ１＜Ｃ２とすることもできる。Ｃ１＝Ｃ２の場合、支持部材３３の支持面３３Ａは、半導体ウエハ１０の第２領域１３の表面と同じ高さに配され、Ｃ１＜Ｃ２の場合、支持部材３３の支持面３３Ａは、半導体ウエハ１０の第２領域１３の表面よりも低い位置に配される。
【0058】
より具体的には、半導体ウエハ１０の厚さ方向における、ブランク領域表面１０１Ａの位置をＰ１、支持部材３３の支持面３３Ａの位置をＰ２、これらＰ１とＰ２との間の距離をｄ１（μｍ）、とした場合において、Ｃ１及びＣ２がＣ１＞Ｃ２を満たす場合（図１２（ａ）参照）、５０≦ｄ１（μｍ）≦２０００とすることが好ましく、１００≦ｄ１（μｍ）≦１０００とすることがより好ましい。
また、同様に、半導体ウエハ１０の厚さ方向における、ブランク領域表面１０１Ａの位置をＰ１、支持部材３３の支持面３３Ａの位置をＰ２、これらＰ１とＰ２との間の距離をｄ２（μｍ）、とした場合において、Ｃ１及びＣ２がＣ１＜Ｃ２を満たす場合（図１２（ｂ）参照）、０＜ｄ２（μｍ）＜４００とすることが好ましく、１０≦ｄ２（μｍ）≦３００とすることがより好ましく、５０≦ｄ２（μｍ）≦２００とすることがより好ましい。
また、同様に、半導体ウエハ１０の厚さ方向における、ブランク領域表面１０１Ａの位置をＰ１、支持部材３３の支持面３３Ａの位置をＰ２、これらＰ１とＰ２との間の距離をｄ２（μｍ）、とした場合において、Ｃ１及びＣ２がＣ１＜Ｃ２を満たす場合（図１２（ｂ）参照）、０＜ｄ２（μｍ）＜４００とすることが好ましく、１０≦ｄ２（μｍ）≦３００とすることがより好ましく、５０≦ｄ２（μｍ）≦２００とすることがより好ましい。
【0059】
［５］配置工程
配置工程Ｓ１は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０から押圧部材３２（図示略）を離間させた状態とし、半導体ウエハ１０の主面１０Ａ上に保護フィルム２０を供給する工程である。
この配置工程Ｓ１において、供給された保護フィルム２０は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように配される（図４（ｂ）及び図５参照）。
配置工程Ｓ１は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０から押圧部材３２（図示略）を離間させた状態とし、半導体ウエハ１０の主面１０Ａ上に保護フィルム２０を供給する工程である。
この配置工程Ｓ１において、供給された保護フィルム２０は、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように配される（図４（ｂ）及び図５参照）。
【0060】
供給される保護フィルム２０の形状は、特に限定されず、平面視で円形状、正方形状、長方形状、帯状の何れも使用することができる。
保護フィルム２０の供給方式は、特に限定されず、保護フィルム２０を１枚ずつ供給するバッチ式と、保護フィルム２０を連続して供給する連続式との何れも使用することができる。
図４（ａ），（ｂ）に示す配置工程Ｓ１では、供給される保護フィルム２０の形状は、主面１０Ａに応じた平面視円形状であり、保護フィルム２０の供給方式は、バッチ式である。
保護フィルム２０の供給方式は、特に限定されず、保護フィルム２０を１枚ずつ供給するバッチ式と、保護フィルム２０を連続して供給する連続式との何れも使用することができる。
図４（ａ），（ｂ）に示す配置工程Ｓ１では、供給される保護フィルム２０の形状は、主面１０Ａに応じた平面視円形状であり、保護フィルム２０の供給方式は、バッチ式である。
【0061】
配置工程Ｓ１では、第２領域１３全体にわたって段差を十分に埋められるだけの肉量を充足する、主面１０Ａの周縁よりも更に外側への肉部の流動を好適に規制する、という２つの観点から、保護フィルム２０の縁部（周縁部）が、第２領域１３の周縁から外側へはみ出すように、保護フィルム２０を配する。
保護フィルム２０の縁部のはみ出し量は、特に限定されない。このはみ出し量は、圧縮工程Ｓ３を確実に行うという観点から、はみ出した縁部を支持部材３３の支持面３３Ａに載せることができる量とすることが好ましい。
保護フィルム２０の縁部のはみ出し量は、特に限定されない。このはみ出し量は、圧縮工程Ｓ３を確実に行うという観点から、はみ出した縁部を支持部材３３の支持面３３Ａに載せることができる量とすることが好ましい。
【0062】
図６に示すように、保護フィルム２０による作用、つまり押圧部材３２と支持部材３３とで挟まれた部分でブランク領域１３Ｂの段差を埋める作用を発揮させるため、保護フィルム２０の縁部のはみ出し量は、平面視で一定以上の幅Ｗ２を有するようにして、支持部材３３の支持面３３Ａに載せることが好ましい。
段差を埋めるために要する体積は、バンプ１１の高さ、半導体ウエハ１０の主面１０Ａ上に占めるブランク領域１３Ｂの面積、保護フィルム２０の厚み等の条件に応じて適宜調節される。
このため、保護フィルム２０の縁部のはみ出し量について、その平面視での幅Ｗ２は、特に限定されないが、保護フィルム２０の余剰分として廃棄等される量を減らすという観点から、一般的に、支持面３３Ａの周縁から更に外側へはみ出さない量とすることがより好ましい。
具体的に、保護フィルム２０の縁部のはみ出し量は、保護フィルム２０上で主面１０Ａの周縁に相応する位置と、保護フィルム２０の外周縁との間の長さを上記平面視での幅Ｗ２とした場合に、該幅Ｗ２が、好ましくは０．５～１０ｍｍ、より好ましくは１～８ｍｍ、さらに好ましくは１．５～６ｍｍである。
段差を埋めるために要する体積は、バンプ１１の高さ、半導体ウエハ１０の主面１０Ａ上に占めるブランク領域１３Ｂの面積、保護フィルム２０の厚み等の条件に応じて適宜調節される。
このため、保護フィルム２０の縁部のはみ出し量について、その平面視での幅Ｗ２は、特に限定されないが、保護フィルム２０の余剰分として廃棄等される量を減らすという観点から、一般的に、支持面３３Ａの周縁から更に外側へはみ出さない量とすることがより好ましい。
具体的に、保護フィルム２０の縁部のはみ出し量は、保護フィルム２０上で主面１０Ａの周縁に相応する位置と、保護フィルム２０の外周縁との間の長さを上記平面視での幅Ｗ２とした場合に、該幅Ｗ２が、好ましくは０．５～１０ｍｍ、より好ましくは１～８ｍｍ、さらに好ましくは１．５～６ｍｍである。
【0063】
［６］貼着工程
貼着工程Ｓ２は、図５に示すように、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに押圧部材３２を接近させ、この押圧部材３２で保護フィルム２０を主面１０Ａに押し付けて貼着する工程である。
貼着工程Ｓ２は、保護フィルム２０をその厚さ方向へ圧縮する圧縮工程Ｓ３を含む。
貼着工程Ｓ２における圧縮工程Ｓ３の実行タイミングは、特に限定されず、例えば圧縮工程Ｓ３の開始時が貼着工程Ｓ２の開始後、圧縮工程Ｓ３の終了時と貼着工程Ｓ２の終了時とが略同時、圧縮工程Ｓ３の終了時が貼着工程Ｓ２の終了前などとすることができる。
貼着工程Ｓ２は、図５に示すように、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに押圧部材３２を接近させ、この押圧部材３２で保護フィルム２０を主面１０Ａに押し付けて貼着する工程である。
貼着工程Ｓ２は、保護フィルム２０をその厚さ方向へ圧縮する圧縮工程Ｓ３を含む。
貼着工程Ｓ２における圧縮工程Ｓ３の実行タイミングは、特に限定されず、例えば圧縮工程Ｓ３の開始時が貼着工程Ｓ２の開始後、圧縮工程Ｓ３の終了時と貼着工程Ｓ２の終了時とが略同時、圧縮工程Ｓ３の終了時が貼着工程Ｓ２の終了前などとすることができる。
【0064】
また、貼着工程Ｓ２では、貼着装置３０の加熱機構を使用して保護フィルム２０を加熱することにより、圧縮工程Ｓ３において保護フィルム２０の肉部（凹凸吸収層２３）を好適に変形させることができる。
保護フィルム２０の加熱温度は、上述した凹凸吸収層２３の貯蔵弾性率Ｇ’に応じて、この凹凸吸収層２３を好適に変形させることが可能な温度に設定すればよく、特に限定されない。
具体的に、保護フィルム２０の加熱温度は、上述した凹凸吸収層２３の貯蔵弾性率Ｇ’の範囲であれば、好ましくは５０～２００℃、より好ましくは６０～１００℃、さらに好ましくは７０～９０℃である。
保護フィルム２０の加熱温度は、上述した凹凸吸収層２３の貯蔵弾性率Ｇ’に応じて、この凹凸吸収層２３を好適に変形させることが可能な温度に設定すればよく、特に限定されない。
具体的に、保護フィルム２０の加熱温度は、上述した凹凸吸収層２３の貯蔵弾性率Ｇ’の範囲であれば、好ましくは５０～２００℃、より好ましくは６０～１００℃、さらに好ましくは７０～９０℃である。
【0065】
（１）圧縮工程
圧縮工程Ｓ３は、図６に示すように、保護フィルム２０の縁部を支持部材３３に支持させて、この縁部を、支持部材３３と押圧部材３２との間で挟むことにより圧縮する。
保護フィルム２０の縁部を圧縮する際の圧縮力は、押圧部材３２による加圧力で設定することができる。具体的な加圧力は、保護フィルム２０の縁部を好適に圧縮することができるとともに、半導体ウエハ１０のひび割れ、クラックの発生を防止するという観点から、好ましくは０．３～２ＭＰａ、より好ましくは０．４～１．５ＭＰａ、さらに好ましくは０．５～１ＭＰａである。
圧縮工程Ｓ３は、図６に示すように、保護フィルム２０の縁部を支持部材３３に支持させて、この縁部を、支持部材３３と押圧部材３２との間で挟むことにより圧縮する。
保護フィルム２０の縁部を圧縮する際の圧縮力は、押圧部材３２による加圧力で設定することができる。具体的な加圧力は、保護フィルム２０の縁部を好適に圧縮することができるとともに、半導体ウエハ１０のひび割れ、クラックの発生を防止するという観点から、好ましくは０．３～２ＭＰａ、より好ましくは０．４～１．５ＭＰａ、さらに好ましくは０．５～１ＭＰａである。
【0066】
圧縮工程Ｓ３において、主面１０Ａの第１領域１２上では、押圧部材３２とバンプ１１との間に挟まれて厚さ方向へ潰れた保護フィルム２０の肉部（凹凸吸収層２３）が、バンプ１１の凹凸に倣って変形し、この凹凸を埋める。
そして、厚さ方向へ潰れた保護フィルム２０の肉部の一部は、図６中に右側の矢印で示したように、第２領域１３のブランク領域１３Ｂ上へ流動して、ブランク領域表面１０１Ａ上における保護フィルム２０の肉量を増やす。
そして、厚さ方向へ潰れた保護フィルム２０の肉部の一部は、図６中に右側の矢印で示したように、第２領域１３のブランク領域１３Ｂ上へ流動して、ブランク領域表面１０１Ａ上における保護フィルム２０の肉量を増やす。
【0067】
一方、支持部材３３と押圧部材３２との間で挟まれて厚さ方向へ圧縮された保護フィルム２０の縁部は、図６中に左側の矢印で示したように、肉部（凹凸吸収層２３）がブランク領域表面１０１Ａ上へ絞り出されるように流動されることで、ブランク領域表面１０１Ａ上における保護フィルム２０の肉量を増やす。
また、厚さ方向へ圧縮された保護フィルム２０の縁部は、支持部材３３及び押圧部材３２がブランク領域表面１０１Ａ上からの肉部の流動を規制することにより、第２領域１３の周縁から更に外側へ肉部が逃がされることを防ぐ。
また、厚さ方向へ圧縮された保護フィルム２０の縁部は、支持部材３３及び押圧部材３２がブランク領域表面１０１Ａ上からの肉部の流動を規制することにより、第２領域１３の周縁から更に外側へ肉部が逃がされることを防ぐ。
【0068】
従って、ブランク領域表面１０１Ａ上における保護フィルム２０には、第１領域１２上と圧縮された縁部とから肉部が流入することで、第２領域１３全体にわたって段差を埋められるだけの十分な肉量が充足される。このように、肉量が充足されたブランク領域表面１０１Ａ上の保護フィルム２０は、肉厚を増すことにより、第２領域１３全体にわたって段差を埋める。
また、保護フィルム２０の表面は、押圧部材３２によって押圧された状態であるため、肉部の流動に影響されることなく、押圧面３２Ａに倣って平坦面とされる。
また、保護フィルム２０の表面は、押圧部材３２によって押圧された状態であるため、肉部の流動に影響されることなく、押圧面３２Ａに倣って平坦面とされる。
【0069】
圧縮工程Ｓ３の後、主面１０Ａに保護フィルム２０が貼着された半導体ウエハ１０は、貼着装置３０から取り出されて、圧縮された保護フィルム２０の縁部等といった余剰部分が切除される。
余剰部分が切除された半導体ウエハ１０は、図７に示すように、保護フィルム２０の肉部がブランク領域表面１０１Ａ上に厚く片寄ることで段差が埋められている。
また、上述の記載では第２領域１３としてブランク領域１３Ｂを挙げて説明を行ったが、このブランク領域１３Ｂと同様にして、周縁領域１３Ａでも保護フィルム２０の肉部が第２領域１３上に厚く片寄ることで段差が埋められている。
そして、半導体ウエハ１０に貼着された保護フィルム２０の表面は、半導体ウエハ１０の段差に倣った欠陥が形成されることなく、全体で一様な平坦面となる。
余剰部分が切除された半導体ウエハ１０は、図７に示すように、保護フィルム２０の肉部がブランク領域表面１０１Ａ上に厚く片寄ることで段差が埋められている。
また、上述の記載では第２領域１３としてブランク領域１３Ｂを挙げて説明を行ったが、このブランク領域１３Ｂと同様にして、周縁領域１３Ａでも保護フィルム２０の肉部が第２領域１３上に厚く片寄ることで段差が埋められている。
そして、半導体ウエハ１０に貼着された保護フィルム２０の表面は、半導体ウエハ１０の段差に倣った欠陥が形成されることなく、全体で一様な平坦面となる。
【0070】
なお、上述した本貼着方法は、図１（ａ），（ｂ）に示したような主に識別領域として利用されるブランク領域１３Ｂを例に挙げて説明したが、図１１（ａ），（ｂ）に示したようなブランク領域１３Ｂでも、同様の効果を得ることができる。
すなわち、本貼着方法は、対象となる半導体ウエハ１０が、バンプが配されていない領域である第２領域１３に、平坦状のブランク領域表面１０１Ａを有するブランク領域１３Ｂが存在する場合、特に有用である。
すなわち、本貼着方法は、対象となる半導体ウエハ１０が、バンプが配されていない領域である第２領域１３に、平坦状のブランク領域表面１０１Ａを有するブランク領域１３Ｂが存在する場合、特に有用である。
【0071】
［７］貼着方法（第２の実施形態）
本貼着方法は、第１発明に係る第２の実施形態である。
本貼着方法（第２の実施形態）は、第１の実施形態と同様に、第２発明に係る半導体部品の製造方法に含まれるものである。
本貼着方法に供される半導体ウエハ１０及び保護フィルム２０は、上記［２］半導体ウエハ及び上記［３］保護フィルムに記載した通りであり、説明を省略する。
本貼着方法は、第１発明に係る第２の実施形態である。
本貼着方法（第２の実施形態）は、第１の実施形態と同様に、第２発明に係る半導体部品の製造方法に含まれるものである。
本貼着方法に供される半導体ウエハ１０及び保護フィルム２０は、上記［２］半導体ウエハ及び上記［３］保護フィルムに記載した通りであり、説明を省略する。
【0072】
第２の実施形態の貼着方法は、上述した第１の実施形態と配置工程及び圧縮工程が異なる。以下、本貼着方法の配置工程及び圧縮工程について説明する。
（１）配置工程
上述した配置工程Ｓ１は、図１３（ａ）に示すように、保護フィルム２０の縁部（周縁部）が、支持部材３３よりも内周側に位置するように、保護フィルム２０を配する工程とすることができる。この配置工程Ｓ１において、保護フィルム２０の縁部は、支持部材３３の支持面３３Ａに載せられていない。
この配置工程Ｓ１では、後述する圧縮工程Ｓ３で発生する保護フィルム２０の第２領域１３の外周方向への膨出を支持部材３３の内周面で塞き止めるため、保護フィルム２０の縁部と支持部材３３の内周面との間の平面視での距離を、可能な限り短くすることが望ましい。
具体的に、保護フィルム２０の縁部と支持部材３３の内周面との間の平面視での距離は、好ましくは１ｍｍ未満、より好ましくは０．５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．３ｍｍ以下である。そして、最も好ましくは、保護フィルム２０の縁部と支持部材３３の内周面との間の平面視での距離が０ｍｍ、つまりは保護フィルム２０の縁部が支持部材３３の内周面に接触する状態である。
（１）配置工程
上述した配置工程Ｓ１は、図１３（ａ）に示すように、保護フィルム２０の縁部（周縁部）が、支持部材３３よりも内周側に位置するように、保護フィルム２０を配する工程とすることができる。この配置工程Ｓ１において、保護フィルム２０の縁部は、支持部材３３の支持面３３Ａに載せられていない。
この配置工程Ｓ１では、後述する圧縮工程Ｓ３で発生する保護フィルム２０の第２領域１３の外周方向への膨出を支持部材３３の内周面で塞き止めるため、保護フィルム２０の縁部と支持部材３３の内周面との間の平面視での距離を、可能な限り短くすることが望ましい。
具体的に、保護フィルム２０の縁部と支持部材３３の内周面との間の平面視での距離は、好ましくは１ｍｍ未満、より好ましくは０．５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．３ｍｍ以下である。そして、最も好ましくは、保護フィルム２０の縁部と支持部材３３の内周面との間の平面視での距離が０ｍｍ、つまりは保護フィルム２０の縁部が支持部材３３の内周面に接触する状態である。
【0073】
（２）圧縮工程
上記配置工程Ｓ１の後の圧縮工程Ｓ３では、押圧部材３２と主面１０Ａとの間で挟まれた保護フィルム２０が、その縁部（周縁部）から肉部（凹凸吸収層２３）を第２領域１３の外周方向へ膨出させようとする。この肉部（凹凸吸収層２３）の膨出は、図１３（ｂ）中に左側の矢印で示したように、支持部材３３の内周面で塞き止められる。
保護フィルム２０の縁部は、支持部材３３の内周面で塞き止められた肉部（凹凸吸収層２３）がブランク領域表面１０１Ａ上に留まるとともに、第１領域１２からブランク領域表面１０１Ａ上へ肉部が流入することにより、第２領域１３全体にわたって段差を埋めることが可能な肉量を充足される。
ブランク領域表面１０１Ａ上の保護フィルム２０の縁部は、肉量が充足されることによって肉厚を増している。このため、圧縮工程Ｓ３は、押圧部材３２の押圧面３２Ａと、支持部材３３の内周面と、半導体ウエハ１０の主面１０Ａとによって、保護フィルム２０の縁部を圧縮する工程となる。そして、第２領域１３は、圧縮された保護フィルム２０の縁部によって、その全体にわたって段差を埋められる。
上記配置工程Ｓ１の後の圧縮工程Ｓ３では、押圧部材３２と主面１０Ａとの間で挟まれた保護フィルム２０が、その縁部（周縁部）から肉部（凹凸吸収層２３）を第２領域１３の外周方向へ膨出させようとする。この肉部（凹凸吸収層２３）の膨出は、図１３（ｂ）中に左側の矢印で示したように、支持部材３３の内周面で塞き止められる。
保護フィルム２０の縁部は、支持部材３３の内周面で塞き止められた肉部（凹凸吸収層２３）がブランク領域表面１０１Ａ上に留まるとともに、第１領域１２からブランク領域表面１０１Ａ上へ肉部が流入することにより、第２領域１３全体にわたって段差を埋めることが可能な肉量を充足される。
ブランク領域表面１０１Ａ上の保護フィルム２０の縁部は、肉量が充足されることによって肉厚を増している。このため、圧縮工程Ｓ３は、押圧部材３２の押圧面３２Ａと、支持部材３３の内周面と、半導体ウエハ１０の主面１０Ａとによって、保護フィルム２０の縁部を圧縮する工程となる。そして、第２領域１３は、圧縮された保護フィルム２０の縁部によって、その全体にわたって段差を埋められる。
【0074】
本貼着方法によって保護フィルム２０が貼着された半導体ウエハ１０が、バックグラインド工程で所望の薄さとされ、個片化されて、諸々の加工を施されることにより、半導体ウエハ１０から半導体部品が製造される。すなわち、本貼着方法は、半導体部品の製造方法に含まれるものである。
【0075】
なお、本願の貼着方法について、第１の実施形態と第２の実施形態とを比較した場合、第１の実施形態では支持部材３３と押圧部材３２との間で保護フィルム２０の縁部を圧縮して押し潰すのに対し、第２の実施形態では支持部材３３と押圧部材３２との間で保護フィルム２０の縁部を圧縮せずに、支持部材３３の内周面で保護フィルム２０の膨出を塞き止めている点で差異がある。この差異による効果は、保護フィルム２０が、流動性又は可塑性を発現できる層、つまり凹凸吸収層２３を有する場合、より顕著に生じ得る。
【0076】
すなわち、保護フィルム２０が流動性又は可塑性を発現できる層（凹凸吸収層２３）を有する場合であって、第１の実施形態の貼着方法を実施した場合には、縁部を構成する当該層（凹凸吸収層２３）を流動させて主面１０Ａの第２領域１３へ押し出すことにより、第１領域１２から押し出された分だけでなく、第２領域１３の外側の縁部から押し出された分までをも使用して、肉量を補充することができる。簡潔に言い換えると、第１の実施形態の貼着方法は、保護フィルム２０の凹凸吸収層２３を、第２領域１３を取り囲む周縁部のうち内周縁部及び外周縁部の両方から、この第２領域１３へ押し出すことで、段差を埋めている。
【0077】
これに対し、保護フィルム２０が流動性又は可塑性を発現できる層（凹凸吸収層２３）を有する場合であって、第２の実施形態の貼着方法を実施した場合には、縁部を構成する当該層（凹凸吸収層２３）を流動させて主面１０Ａの第２領域１３へ押し出すことが出来ず、第１領域１２から押し出された分だけで肉量を補充する必要がある。簡潔に言い換えると、第２の実施形態の貼着方法は、保護フィルム２０の凹凸吸収層２３を、第２領域１３を取り囲む周縁部のうち内周縁部のみから、この第２領域１３へ押し出すことで、段差を埋めている。
【0078】
従って、保護フィルム２０が流動性又は可塑性を発現できる層（凹凸吸収層２３）を有する場合、第１の実施形態は、第２領域１３の段差を埋めるために、この第２領域１３よりも外側の縁部を構成する当該層（凹凸吸収層２３）を利用できる点において、より大きなブランク領域１３Ｂを有する半導体ウエハ１０にも対応可能であり、第２の実施形態よりも有利といえる。
【0079】
［８］貼着方法（第３の実施形態）
本貼着方法は、第４発明に係る第３の実施形態である。
本貼着方法（第３の実施形態）に供される半導体ウエハ１０は、上述の各実施形態の貼着方法に供されるものと同じであり、その詳細については、上記［２］半導体ウエハに記載した通りであるため、説明を省略する。
本貼着方法（第３の実施形態）に供される保護フィルム２０は、上述の各実施形態の貼着方法に供されるものと同じであり、その詳細については、上記［３］保護フィルムに記載した通りであるため、説明を省略する。すなわち、保護フィルム２０は、第６発明に係る保護フィルムでもある。
本貼着方法は、第４発明に係る第３の実施形態である。
本貼着方法（第３の実施形態）に供される半導体ウエハ１０は、上述の各実施形態の貼着方法に供されるものと同じであり、その詳細については、上記［２］半導体ウエハに記載した通りであるため、説明を省略する。
本貼着方法（第３の実施形態）に供される保護フィルム２０は、上述の各実施形態の貼着方法に供されるものと同じであり、その詳細については、上記［３］保護フィルムに記載した通りであるため、説明を省略する。すなわち、保護フィルム２０は、第６発明に係る保護フィルムでもある。
【0080】
本貼着方法（第３の実施形態）は、保護フィルム２０を加工して加工済みフィルム２０Ａを得る加工工程Ｓ１１（図１４（ａ），（ｂ）参照）と、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように加工済みフィルム２０Ａを配する配置工程Ｓ１２（図１５参照）と、加工済みフィルム２０Ａを主面１０Ａに押し付けて貼着する貼着工程Ｓ１３（図１６参照）とを備える。
加工工程Ｓ１１は、保護フィルム２０に厚さの異なる部位を形成して、加工済みフィルム２０Ａを得る工程である。
そして、配置工程Ｓ１２は、加工済みフィルム２０Ａの厚さの異なる部位のうちの厚さが相対的に厚い領域２０１を、第２領域１３に対応させて配置する工程である。
加工工程Ｓ１１は、保護フィルム２０に厚さの異なる部位を形成して、加工済みフィルム２０Ａを得る工程である。
そして、配置工程Ｓ１２は、加工済みフィルム２０Ａの厚さの異なる部位のうちの厚さが相対的に厚い領域２０１を、第２領域１３に対応させて配置する工程である。
【0081】
本貼着方法によって保護フィルム２０が貼着された半導体ウエハ１０が、バックグラインド工程で所望の薄さとされ、個片化されて、諸々の加工を施されることにより、半導体ウエハ１０から半導体部品が製造される。
すなわち、本貼着方法（第３の実施形態）は、第５発明に係る半導体部品の製造方法に含まれるものである。
すなわち、本貼着方法（第３の実施形態）は、第５発明に係る半導体部品の製造方法に含まれるものである。
【0082】
本貼着方法において、加工工程Ｓ１１は、これを実行可能な加工装置４０（図１４（ａ），（ｂ）参照）を使用して実施することができる。
加工工程Ｓ１１において、保護フィルム２０は、流動性又は可塑性を発現する層（凹凸吸収層２３）で肉部の片寄りを発生させることで、厚さの異なる部位が形成されるように加工されて、加工済みフィルム２０Ａとされる。
加工工程Ｓ１１において、保護フィルム２０は、流動性又は可塑性を発現する層（凹凸吸収層２３）で肉部の片寄りを発生させることで、厚さの異なる部位が形成されるように加工されて、加工済みフィルム２０Ａとされる。
【0083】
本貼着方法において、配置工程Ｓ１２及び貼着工程Ｓ１３は、これらを実行可能な貼着装置３０（図１５、図１６参照）を使用して実施することができる。
配置工程Ｓ１２において、加工済みフィルム２０Ａは、厚さの異なる部位のうち、厚さが相対的に厚い領域２０１が、ブランク領域表面１０１Ａ上に位置するようにして、主面１０Ａ上に配置される。
貼着工程Ｓ１３において、加工済みフィルム２０Ａは、押圧部材３２によって主面１０Ａに押し付けられるとともに、主面１０Ａのブランク領域表面１０１Ａ上に配された厚さが相対的に厚い領域２０１に肉部（凹凸吸収層２３）が厚く片寄ることで、主面１０Ａの段差が埋まり、保護フィルム２０（加工済みフィルム２０Ａ）の表面は平坦となる。
なお、本貼着方法の配置工程Ｓ１２及び貼着工程Ｓ１３で使用される貼着装置３０は、上述した第１及び第２の実施形態の貼着方法で使用した貼着装置３０とほぼ同様のチャックテーブル３１、押圧部材３２、支持部材３３等を有するものを使用することができる。この貼着装置３０の詳細については、上記［４］貼着装置に記載した通りであるため、説明を省略する。
配置工程Ｓ１２において、加工済みフィルム２０Ａは、厚さの異なる部位のうち、厚さが相対的に厚い領域２０１が、ブランク領域表面１０１Ａ上に位置するようにして、主面１０Ａ上に配置される。
貼着工程Ｓ１３において、加工済みフィルム２０Ａは、押圧部材３２によって主面１０Ａに押し付けられるとともに、主面１０Ａのブランク領域表面１０１Ａ上に配された厚さが相対的に厚い領域２０１に肉部（凹凸吸収層２３）が厚く片寄ることで、主面１０Ａの段差が埋まり、保護フィルム２０（加工済みフィルム２０Ａ）の表面は平坦となる。
なお、本貼着方法の配置工程Ｓ１２及び貼着工程Ｓ１３で使用される貼着装置３０は、上述した第１及び第２の実施形態の貼着方法で使用した貼着装置３０とほぼ同様のチャックテーブル３１、押圧部材３２、支持部材３３等を有するものを使用することができる。この貼着装置３０の詳細については、上記［４］貼着装置に記載した通りであるため、説明を省略する。
【0084】
［９］加工装置
加工装置４０は、加工工程Ｓ１１実行可能な構成であれば、特に限定されない。
加工装置４０として、以下に示すような構成を例示することができる。
図１４（ａ），（ｂ）に示すように、加工装置４０は、保護フィルム２０を挟んで互いに対向するように配置された第１ローラ４１と第２ローラ４２とを有している。
第１ローラ４１は、保護フィルム２０の基層２１に接触するように、保護フィルム２０の上方に回転自在に支持されている。
第２ローラ４２は、保護フィルム２０の粘着材層２２に接触するように、保護フィルム２０の下方に回転自在に支持されている。
第２ローラ４２の周面には、複数の凸部４３が凸設されている。
第１ローラ４１、第２ローラ４２及び凸部４３は、保護フィルム２０を加工することができるものであれば、材質、駆動方式、構成等について特に限定されない。
加工装置４０は、加工工程Ｓ１１実行可能な構成であれば、特に限定されない。
加工装置４０として、以下に示すような構成を例示することができる。
図１４（ａ），（ｂ）に示すように、加工装置４０は、保護フィルム２０を挟んで互いに対向するように配置された第１ローラ４１と第２ローラ４２とを有している。
第１ローラ４１は、保護フィルム２０の基層２１に接触するように、保護フィルム２０の上方に回転自在に支持されている。
第２ローラ４２は、保護フィルム２０の粘着材層２２に接触するように、保護フィルム２０の下方に回転自在に支持されている。
第２ローラ４２の周面には、複数の凸部４３が凸設されている。
第１ローラ４１、第２ローラ４２及び凸部４３は、保護フィルム２０を加工することができるものであれば、材質、駆動方式、構成等について特に限定されない。
【0085】
［１０］加工工程
加工工程Ｓ１１は、図１４（ａ）に示すように、加工装置４０の第１ローラ４１と第２ローラ４２との間に保護フィルム２０を供給し、この保護フィルム２０を第１ローラ４１と第２ローラ４２との間から図１４（ａ）中に矢印で示す進行方向へと送り出す工程である。
加工工程Ｓ１１において、第１ローラ４１と第２ローラ４２との間から送り出された保護フィルム２０は、厚さの異なる部位が形成された加工済みフィルム２０Ａとされる。
加工工程Ｓ１１は、図１４（ａ）に示すように、加工装置４０の第１ローラ４１と第２ローラ４２との間に保護フィルム２０を供給し、この保護フィルム２０を第１ローラ４１と第２ローラ４２との間から図１４（ａ）中に矢印で示す進行方向へと送り出す工程である。
加工工程Ｓ１１において、第１ローラ４１と第２ローラ４２との間から送り出された保護フィルム２０は、厚さの異なる部位が形成された加工済みフィルム２０Ａとされる。
【0086】
加工装置４０に供給される保護フィルム２０の形状は、特に限定されず、平面視で円形状、正方形状、長方形状、帯状の何れも使用することができる。
保護フィルム２０の供給方式は、特に限定されず、保護フィルム２０を１枚ずつ供給するバッチ式と、保護フィルム２０を連続して供給する連続式との何れも使用することができる。
図１４（ａ），（ｂ）に示す加工工程Ｓ１１では、供給される保護フィルム２０の形状は、主面１０Ａに応じた平面視円形状であり、保護フィルム２０の供給方式は、バッチ式である。
保護フィルム２０の供給方式は、特に限定されず、保護フィルム２０を１枚ずつ供給するバッチ式と、保護フィルム２０を連続して供給する連続式との何れも使用することができる。
図１４（ａ），（ｂ）に示す加工工程Ｓ１１では、供給される保護フィルム２０の形状は、主面１０Ａに応じた平面視円形状であり、保護フィルム２０の供給方式は、バッチ式である。
【0087】
加工装置４０において、保護フィルム２０は、第１ローラ４１と第２ローラ４２との間に挟まれて進行方向に送り出される際、第１ローラ４１及び第２ローラ４２をそれぞれ回転させる。
第２ローラ４２は、その周面に凸部４３が凸設されており、図１４（ｂ）に示すように、回転に伴って保護フィルム２０に凸部４３を接触させる。
保護フィルム２０の凸部４３が接触された部位は、この凸部４３と第１ローラ４１との間で厚さ方向へ押し潰される。
第２ローラ４２は、その周面に凸部４３が凸設されており、図１４（ｂ）に示すように、回転に伴って保護フィルム２０に凸部４３を接触させる。
保護フィルム２０の凸部４３が接触された部位は、この凸部４３と第１ローラ４１との間で厚さ方向へ押し潰される。
【0088】
保護フィルム２０の押し潰された部位の肉部（凹凸吸収層２３）は、図１４（ｂ）中に矢印で示したように、押し潰された部位と隣接する部位へ流動して片寄ることで、その隣接する部位の肉量を増やす。
そして、保護フィルム２０には、押し潰された部位が薄く、その押し潰された部位と隣接する部位が厚くなるように、厚さの異なる部位が形成されて、加工済みフィルム２０Ａが得られる。
この加工済みフィルム２０Ａは、厚さの異なる部位のうち、厚さが相対的に厚い領域２０１を有しており、配置工程Ｓ１２では、この厚さが相対的に厚い領域２０１が利用される。
そして、保護フィルム２０には、押し潰された部位が薄く、その押し潰された部位と隣接する部位が厚くなるように、厚さの異なる部位が形成されて、加工済みフィルム２０Ａが得られる。
この加工済みフィルム２０Ａは、厚さの異なる部位のうち、厚さが相対的に厚い領域２０１を有しており、配置工程Ｓ１２では、この厚さが相対的に厚い領域２０１が利用される。
【0089】
［１１］配置工程
配置工程Ｓ１２は、図１５に示すように、チャックテーブル３１に固定された半導体ウエハ１０から押圧部材３２を離間させた状態としたうえで、上記加工工程Ｓ１１で得られた加工済みフィルム２０Ａを半導体ウエハ１０の主面１０Ａ上に供給する工程である。
この配置工程Ｓ１２において、供給された加工済みフィルム２０Ａは、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように配置される。
また、半導体ウエハ１０の横には、第２領域１３の外周縁に沿って支持部材３３が設置される。
このとき、加工済みフィルム２０Ａは、厚さが相対的に厚い領域２０１を第２領域１３に対応させることで、その厚さが相対的に厚い領域２０１がブランク領域表面１０１Ａの上方に位置するように配置される。
配置工程Ｓ１２は、図１５に示すように、チャックテーブル３１に固定された半導体ウエハ１０から押圧部材３２を離間させた状態としたうえで、上記加工工程Ｓ１１で得られた加工済みフィルム２０Ａを半導体ウエハ１０の主面１０Ａ上に供給する工程である。
この配置工程Ｓ１２において、供給された加工済みフィルム２０Ａは、半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように配置される。
また、半導体ウエハ１０の横には、第２領域１３の外周縁に沿って支持部材３３が設置される。
このとき、加工済みフィルム２０Ａは、厚さが相対的に厚い領域２０１を第２領域１３に対応させることで、その厚さが相対的に厚い領域２０１がブランク領域表面１０１Ａの上方に位置するように配置される。
【0090】
［１２］貼着工程
貼着工程Ｓ１３は、図１６に示すように、保護フィルム２０の縁部を支持部材３３に支持させた状態として、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに押圧部材３２を接近させ、この押圧部材３２で保護フィルム２０を主面１０Ａに押し付けて貼着する工程である。
貼着工程Ｓ１３において、主面１０Ａの第１領域１２上では、押圧部材３２とバンプ１１との間に挟まれて厚さ方向へ潰れた加工済みフィルム２０Ａの肉部（凹凸吸収層２３）が、バンプ１１の凹凸に倣って変形し、この凹凸を埋める。
圧縮行程Ｓ３では、保護フィルム２０の縁部が支持部材３３及び押圧部材３２の間に挟まれることにより、ブランク領域表面１０１Ａ上から保護フィルム２０の縁部への肉部の流動が規制されており、第２領域１３の周縁から更に外側へ肉部が逃がされることを防いでいる。
そして、厚さ方向へ潰れた加工済みフィルム２０Ａの肉部の一部は、図１６中に矢印で示したように、第２領域１３のブランク領域１３Ｂ上へ流動し、ブランク領域表面１０１Ａ上における加工済みフィルム２０Ａの肉量を増やす。
貼着工程Ｓ１３は、図１６に示すように、保護フィルム２０の縁部を支持部材３３に支持させた状態として、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに押圧部材３２を接近させ、この押圧部材３２で保護フィルム２０を主面１０Ａに押し付けて貼着する工程である。
貼着工程Ｓ１３において、主面１０Ａの第１領域１２上では、押圧部材３２とバンプ１１との間に挟まれて厚さ方向へ潰れた加工済みフィルム２０Ａの肉部（凹凸吸収層２３）が、バンプ１１の凹凸に倣って変形し、この凹凸を埋める。
圧縮行程Ｓ３では、保護フィルム２０の縁部が支持部材３３及び押圧部材３２の間に挟まれることにより、ブランク領域表面１０１Ａ上から保護フィルム２０の縁部への肉部の流動が規制されており、第２領域１３の周縁から更に外側へ肉部が逃がされることを防いでいる。
そして、厚さ方向へ潰れた加工済みフィルム２０Ａの肉部の一部は、図１６中に矢印で示したように、第２領域１３のブランク領域１３Ｂ上へ流動し、ブランク領域表面１０１Ａ上における加工済みフィルム２０Ａの肉量を増やす。
【0091】
加工済みフィルム２０Ａにおいて、ブランク領域表面１０１Ａ上には、厚さが相対的に厚い領域２０１が配置工程Ｓ１２で配置されていたことから（図１５参照）、貼着工程Ｓ１３で第１領域１２上からの流動分が加わることで、ブランク領域表面１０１Ａ上における加工済みフィルム２０Ａの肉量がさらに増す（図１６参照）。
また、加工済みフィルム２０Ａにおいて、厚さが相対的に厚い領域２０１と隣接する部位は、上述した加工工程Ｓ１１で押し潰されて薄くなっているため、この押し潰されて薄くなっている部位を介して第２領域１３の周縁から更に外側へ肉部が逃がされることを抑制することができる。
さらに、貼着工程Ｓ１３では、加工工程Ｓ１１で押し潰されて薄くなっている部位を、支持部材３３及び押圧部材３２の間に挟むことにより、第２領域１３の周縁から更に外側へ肉部が逃がされることを防止することができる。
また、加工済みフィルム２０Ａにおいて、厚さが相対的に厚い領域２０１と隣接する部位は、上述した加工工程Ｓ１１で押し潰されて薄くなっているため、この押し潰されて薄くなっている部位を介して第２領域１３の周縁から更に外側へ肉部が逃がされることを抑制することができる。
さらに、貼着工程Ｓ１３では、加工工程Ｓ１１で押し潰されて薄くなっている部位を、支持部材３３及び押圧部材３２の間に挟むことにより、第２領域１３の周縁から更に外側へ肉部が逃がされることを防止することができる。
【0092】
従って、加工済みフィルム２０Ａは、厚さが相対的に厚い領域２０１を第２領域１３に対応させるとともに、第１領域１２上から肉部が流入することで、第２領域１３全体にわたって段差を埋められるだけの十分な肉量を充足される。
そして、肉量が充足されたブランク領域表面１０１Ａ上の加工済みフィルム２０Ａは、肉厚を増すことにより、第２領域１３全体にわたって段差を埋める。
また、加工済みフィルム２０Ａの表面は、押圧部材３２によって押圧された状態であるため、肉部の流動に影響されることなく、押圧面３２Ａに倣って平坦面とされる。
上述の記載では第２領域１３としてブランク領域１３Ｂを挙げて説明を行ったが、このブランク領域１３Ｂと同様にして、周縁領域１３Ａでも加工済みフィルム２０Ａの肉部が第２領域１３上に厚く片寄ることで段差が埋められている。
さらに、ブランク領域１３Ｂは、図１（ａ），（ｂ）に示したような主に識別領域として利用されるものに限らず、図１１（ａ），（ｂ）に示したようなブランク領域１３Ｂでも同様の効果を得ることができる。
すなわち、本貼着方法は、対象となる半導体ウエハ１０が、バンプが配されていない領域である第２領域１３に、平坦状のブランク領域表面１０１Ａを有するブランク領域１３Ｂが存在する場合、特に有用である。
そして、半導体ウエハ１０に貼着された保護フィルム２０の表面は、半導体ウエハ１０の段差に倣った欠陥が形成されることなく、全体で一様な平坦面となる。
そして、肉量が充足されたブランク領域表面１０１Ａ上の加工済みフィルム２０Ａは、肉厚を増すことにより、第２領域１３全体にわたって段差を埋める。
また、加工済みフィルム２０Ａの表面は、押圧部材３２によって押圧された状態であるため、肉部の流動に影響されることなく、押圧面３２Ａに倣って平坦面とされる。
上述の記載では第２領域１３としてブランク領域１３Ｂを挙げて説明を行ったが、このブランク領域１３Ｂと同様にして、周縁領域１３Ａでも加工済みフィルム２０Ａの肉部が第２領域１３上に厚く片寄ることで段差が埋められている。
さらに、ブランク領域１３Ｂは、図１（ａ），（ｂ）に示したような主に識別領域として利用されるものに限らず、図１１（ａ），（ｂ）に示したようなブランク領域１３Ｂでも同様の効果を得ることができる。
すなわち、本貼着方法は、対象となる半導体ウエハ１０が、バンプが配されていない領域である第２領域１３に、平坦状のブランク領域表面１０１Ａを有するブランク領域１３Ｂが存在する場合、特に有用である。
そして、半導体ウエハ１０に貼着された保護フィルム２０の表面は、半導体ウエハ１０の段差に倣った欠陥が形成されることなく、全体で一様な平坦面となる。
【0093】
［１３］加工工程（第４の実施形態）
本加工工程を含む貼着方法は、第４発明に係る第４の実施形態である。この貼着方法（第４の実施形態）は、加工装置４０と、該加工装置４０を使用した加工工程Ｓ１１の他は、上述の第３の実施形態と同様であり、加工装置４０及び加工工程Ｓ１１以外の詳細な説明を省略する。
なお、本加工工程を含む貼着方法（第４の実施形態）は、第３の実施形態と同様に、第５発明に係る半導体部品の製造方法に含まれるものである。
また、本加工工程を含む貼着方法（第４の実施形態）に供される半導体ウエハ１０及び保護フィルム２０は、第３の実施形態を含む上述の各実施形態の貼着方法に供されるものと同じであり、その詳細について説明を省略する。
本加工工程を含む貼着方法は、第４発明に係る第４の実施形態である。この貼着方法（第４の実施形態）は、加工装置４０と、該加工装置４０を使用した加工工程Ｓ１１の他は、上述の第３の実施形態と同様であり、加工装置４０及び加工工程Ｓ１１以外の詳細な説明を省略する。
なお、本加工工程を含む貼着方法（第４の実施形態）は、第３の実施形態と同様に、第５発明に係る半導体部品の製造方法に含まれるものである。
また、本加工工程を含む貼着方法（第４の実施形態）に供される半導体ウエハ１０及び保護フィルム２０は、第３の実施形態を含む上述の各実施形態の貼着方法に供されるものと同じであり、その詳細について説明を省略する。
【0094】
本加工工程Ｓ１１において、加工装置４０は、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、チャックテーブル３１に支持固定された半導体ウエハ１０の第２領域１３の外周縁に沿うように、半導体ウエハ１０の横に立設された支持柱４５と、この支持柱４５との間に保護フィルム２０を挟んで上下方向で対向するように配置された押圧体４６とを有している。
支持柱４５は、半導体ウエハ１０の上方位置に保護フィルム２０が配されるように、この保護フィルム２０の縁部を支持しているとともに、下降することで半導体ウエハ１０の主面１０Ａに保護フィルム２０を接近させるように構成されている。
押圧体４６は、盤状に形成されており、下降して支持柱４５に接近するように構成されている。
そして、支持柱４５に支持された保護フィルム２０は、押圧体４６が下降する際、支持柱４５と押圧体４６との間に挟まれることにより、押し潰されて加工される。
上述の支持柱４５、押圧体４６は、保護フィルム２０を加工することができるものであれば、材質、駆動方式等について特に限定されない。
支持柱４５は、半導体ウエハ１０の上方位置に保護フィルム２０が配されるように、この保護フィルム２０の縁部を支持しているとともに、下降することで半導体ウエハ１０の主面１０Ａに保護フィルム２０を接近させるように構成されている。
押圧体４６は、盤状に形成されており、下降して支持柱４５に接近するように構成されている。
そして、支持柱４５に支持された保護フィルム２０は、押圧体４６が下降する際、支持柱４５と押圧体４６との間に挟まれることにより、押し潰されて加工される。
上述の支持柱４５、押圧体４６は、保護フィルム２０を加工することができるものであれば、材質、駆動方式等について特に限定されない。
【0095】
上述の加工装置４０を使用した加工工程Ｓ１１について説明する。
図１７（ａ）に示すように、加工工程Ｓ１１において、保護フィルム２０は、支持柱４５と押圧体４６との間で厚さ方向へ押し潰される。
保護フィルム２０の押し潰された部位の肉部（凹凸吸収層２３）は、図１７（ｂ）に示すように、押し潰された部位と隣接する部位へ流動して片寄ることで、その隣接する部位の肉量を増やす。
そして、保護フィルム２０には、押し潰された部位が薄く、その押し潰された部位と隣接する部位が厚くなるように、厚さの異なる部位が形成されて、加工済みフィルム２０Ａが得られる。
加工済みフィルム２０Ａは、厚さの異なる部位のうち、厚さが相対的に厚い領域２０１を有しており、この厚さが相対的に厚い領域２０１の位置は、支持柱４５が半導体ウエハ１０の第２領域１３の外周縁に沿うように設けられていることから、第２領域１３と対応している。
よって、この加工工程Ｓ１１は、図１７（ｂ）中に矢印で示したように、支持柱４５を下降させて、加工済みフィルム２０Ａの厚さが相対的に厚い領域２０１をブランク領域表面１０１Ａの上方に配置することで、配置工程Ｓ１２を含めて実行することができる。
図１７（ａ）に示すように、加工工程Ｓ１１において、保護フィルム２０は、支持柱４５と押圧体４６との間で厚さ方向へ押し潰される。
保護フィルム２０の押し潰された部位の肉部（凹凸吸収層２３）は、図１７（ｂ）に示すように、押し潰された部位と隣接する部位へ流動して片寄ることで、その隣接する部位の肉量を増やす。
そして、保護フィルム２０には、押し潰された部位が薄く、その押し潰された部位と隣接する部位が厚くなるように、厚さの異なる部位が形成されて、加工済みフィルム２０Ａが得られる。
加工済みフィルム２０Ａは、厚さの異なる部位のうち、厚さが相対的に厚い領域２０１を有しており、この厚さが相対的に厚い領域２０１の位置は、支持柱４５が半導体ウエハ１０の第２領域１３の外周縁に沿うように設けられていることから、第２領域１３と対応している。
よって、この加工工程Ｓ１１は、図１７（ｂ）中に矢印で示したように、支持柱４５を下降させて、加工済みフィルム２０Ａの厚さが相対的に厚い領域２０１をブランク領域表面１０１Ａの上方に配置することで、配置工程Ｓ１２を含めて実行することができる。
【実施例】
【0096】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
［１］保護フィルム
保護フィルム２０として、１２インチ用リングフレームに貼付したものを使用した。
保護フィルム２０の構成、基層２１、粘着材層２２、凹凸吸収層２３は、以下の通りである。
基層２１ 材質：ポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ：７５μｍ。
粘着材層２２ 材質：ＵＶ硬化型アクリル系粘着剤、厚さ：１０μｍ。
凹凸吸収層２３ 材質：熱可塑性エチレン・α－オレフィン共重合体（密度：０．８６１ｇ／ｃｍ３、Ｇ’（２５）：５．１５ＭＰａ、Ｇ’（６０）：０．１４ＭＰａ、メルトフローレート（１９０℃）：２．９ｇ／１０分）、厚さ：５１０μｍ。
［１］保護フィルム
保護フィルム２０として、１２インチ用リングフレームに貼付したものを使用した。
保護フィルム２０の構成、基層２１、粘着材層２２、凹凸吸収層２３は、以下の通りである。
基層２１ 材質：ポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ：７５μｍ。
粘着材層２２ 材質：ＵＶ硬化型アクリル系粘着剤、厚さ：１０μｍ。
凹凸吸収層２３ 材質：熱可塑性エチレン・α－オレフィン共重合体（密度：０．８６１ｇ／ｃｍ３、Ｇ’（２５）：５．１５ＭＰａ、Ｇ’（６０）：０．１４ＭＰａ、メルトフローレート（１９０℃）：２．９ｇ／１０分）、厚さ：５１０μｍ。
【0097】
［２］半導体ウエハ
バンプ１１が設けられた半導体ウエハ１０として、以下の諸元のものを用いた。
直径：３００ｍｍ。
厚さ：８１０μｍ。
材質：珪素（シリコン）。
バンプ１１の平均高さ：２００μｍ。
バンプ１１のピッチ：４００μｍ。
非バンプ領域（周縁領域１３Ａ）：外周から３ｍｍ。
非バンプ領域（識別領域としてのブランク領域１３Ｂ）：図１（ａ）中のＬ１の長さが９０ｍｍ、図１（ａ）中のＬ２の長さが７ｍｍ。
バンプ１１が設けられた半導体ウエハ１０として、以下の諸元のものを用いた。
直径：３００ｍｍ。
厚さ：８１０μｍ。
材質：珪素（シリコン）。
バンプ１１の平均高さ：２００μｍ。
バンプ１１のピッチ：４００μｍ。
非バンプ領域（周縁領域１３Ａ）：外周から３ｍｍ。
非バンプ領域（識別領域としてのブランク領域１３Ｂ）：図１（ａ）中のＬ１の長さが９０ｍｍ、図１（ａ）中のＬ２の長さが７ｍｍ。
【0098】
［３］保護フィルムの貼着
〈実施例１〉
真空ラミネーター装置（タカトリ社製の品番「ＴＰＬ－０６１２Ｗ」）を用意し、チャックテーブル３１上に平面視で円環状に形成された支持部材３３（厚さ：１ｍｍ、幅Ｗ１：５ｍｍ）を載置し、押圧部材３２の押圧面３２Ａを鉄製とした。
支持部材３３の内側に半導体ウエハ１０をセットした後、配置工程Ｓ１で保護フィルム２０をバッチ式で供給し、この保護フィルム２０を半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように配置した。
その後、保護フィルム２０の加熱温度を８０℃に設定するとともに、押圧部材３２による加圧力を０．７ＭＰａに設定し、貼着工程Ｓ２、圧縮工程Ｓ３の順番で各工程を実行して、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに保護フィルム２０を貼着した。
そして、保護フィルム２０の周縁部において、半導体ウエハ１０の外周縁からはみ出した余剰部分を切除し、実施例１の試料を得た。
〈比較例１〉
ロール貼付装置（日東精機社製の品番「ＤＲ－３０００II」）を使用し、支持部材３３を使用しなかった他は、実施例１と同様にして、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに保護フィルム２０を貼着し、保護フィルム２０の周縁部の余剰部分を切除して、比較例１の試料を得た。
〈比較例２〉
押圧面３２Ａをシリコーンゴム製とし、支持部材３３を使用しなかった他は、実施例１と同様にして、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに保護フィルム２０を貼着し、保護フィルム２０の周縁部の余剰部分を切除して、比較例２の試料を得た。
〈実施例１〉
真空ラミネーター装置（タカトリ社製の品番「ＴＰＬ－０６１２Ｗ」）を用意し、チャックテーブル３１上に平面視で円環状に形成された支持部材３３（厚さ：１ｍｍ、幅Ｗ１：５ｍｍ）を載置し、押圧部材３２の押圧面３２Ａを鉄製とした。
支持部材３３の内側に半導体ウエハ１０をセットした後、配置工程Ｓ１で保護フィルム２０をバッチ式で供給し、この保護フィルム２０を半導体ウエハ１０の主面１０Ａを覆うように配置した。
その後、保護フィルム２０の加熱温度を８０℃に設定するとともに、押圧部材３２による加圧力を０．７ＭＰａに設定し、貼着工程Ｓ２、圧縮工程Ｓ３の順番で各工程を実行して、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに保護フィルム２０を貼着した。
そして、保護フィルム２０の周縁部において、半導体ウエハ１０の外周縁からはみ出した余剰部分を切除し、実施例１の試料を得た。
〈比較例１〉
ロール貼付装置（日東精機社製の品番「ＤＲ－３０００II」）を使用し、支持部材３３を使用しなかった他は、実施例１と同様にして、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに保護フィルム２０を貼着し、保護フィルム２０の周縁部の余剰部分を切除して、比較例１の試料を得た。
〈比較例２〉
押圧面３２Ａをシリコーンゴム製とし、支持部材３３を使用しなかった他は、実施例１と同様にして、半導体ウエハ１０の主面１０Ａに保護フィルム２０を貼着し、保護フィルム２０の周縁部の余剰部分を切除して、比較例２の試料を得た。
【0099】
［４］保護フィルム表面の凹凸の測定
半導体ウエハの周縁の端部において、図１０の下部の説明図で示した位置を、水平位置０ｍｍと垂直位置０μｍとして、所定の水平位置における保護フィルム表面の垂直位置を測定した。その結果を図１０の上部にグラフで示す。
なお、図１０の下部の説明図は、上部のグラフに対して、水平位置については対応するように描かれており、垂直位置については誇張して描かれている。
半導体ウエハの周縁の端部において、図１０の下部の説明図で示した位置を、水平位置０ｍｍと垂直位置０μｍとして、所定の水平位置における保護フィルム表面の垂直位置を測定した。その結果を図１０の上部にグラフで示す。
なお、図１０の下部の説明図は、上部のグラフに対して、水平位置については対応するように描かれており、垂直位置については誇張して描かれている。
【0100】
保護フィルム表面の垂直位置を測定した結果、図１０のグラフから、以下のことが分かった。
実施例１は、何れの水平位置においても垂直位置の高低差がほぼ無く、保護フィルム表面が平坦であった。
比較例１は、水平位置が４ｍｍの辺り、つまり第２領域で垂直位置が低くなり、水平位置が７～８ｍｍの範囲、つまり第１領域で垂直位置が高くなる。この結果から、比較例１では、第２領域と第１領域との間に生じた段差に応じるように、第２領域内で保護フィルム表面にへこみが形成されていることが分かった。
比較例２は、水平位置が５ｍｍ以下の範囲、つまり第２領域内で垂直位置が高くなっていく傾向を示す一方で、水平位置が７ｍｍ以上の範囲、つまり第１領域内では垂直位置が低くなっていく傾向を示す。この結果から、比較例２では、第２領域と第１領域との間に生じた段差の影響が及ぶことで、第２領域で保護フィルムが山なりに撓み、第１領域内で保護フィルム表面にへこみが形成されていることが分かった。
実施例１は、何れの水平位置においても垂直位置の高低差がほぼ無く、保護フィルム表面が平坦であった。
比較例１は、水平位置が４ｍｍの辺り、つまり第２領域で垂直位置が低くなり、水平位置が７～８ｍｍの範囲、つまり第１領域で垂直位置が高くなる。この結果から、比較例１では、第２領域と第１領域との間に生じた段差に応じるように、第２領域内で保護フィルム表面にへこみが形成されていることが分かった。
比較例２は、水平位置が５ｍｍ以下の範囲、つまり第２領域内で垂直位置が高くなっていく傾向を示す一方で、水平位置が７ｍｍ以上の範囲、つまり第１領域内では垂直位置が低くなっていく傾向を示す。この結果から、比較例２では、第２領域と第１領域との間に生じた段差の影響が及ぶことで、第２領域で保護フィルムが山なりに撓み、第１領域内で保護フィルム表面にへこみが形成されていることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【0101】
本発明の保護フィルムの貼着方法は、半導体部品製造の用途において広く用いられる。特に、バックグラインド工程が施される半導体ウエハにおいて、保護フィルム表面を好適に平坦化できる特性を有するため、生産性に優れた部品製造を行うために好適に利用される。
【符号の説明】
【0102】
１０；半導体ウエハ、
１０Ａ；主面、
１１；バンプ、
１２；第１領域、
１３；第２領域、１３Ａ；周縁領域、１３Ｂ；ブランク領域、
１４；面取り部、
２０；保護フィルム、
２０Ａ；加工済みフィルム、
２１；基層、
２２；粘着材層、
２３；凹凸吸収層、
３０；貼着装置、
３１；チャックテーブル、
３２；押圧部材、３２Ａ；押圧面、
３３；支持部材、３３Ａ；支持面、
４０；加工装置、
４１；第１ローラ、
４２；第２ローラ、
４３；凸部、
４５；支持柱、
４６；押圧体、
１０Ａ；主面、
１１；バンプ、
１２；第１領域、
１３；第２領域、１３Ａ；周縁領域、１３Ｂ；ブランク領域、
１４；面取り部、
２０；保護フィルム、
２０Ａ；加工済みフィルム、
２１；基層、
２２；粘着材層、
２３；凹凸吸収層、
３０；貼着装置、
３１；チャックテーブル、
３２；押圧部材、３２Ａ；押圧面、
３３；支持部材、３３Ａ；支持面、
４０；加工装置、
４１；第１ローラ、
４２；第２ローラ、
４３；凸部、
４５；支持柱、
４６；押圧体、
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】