(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-08
(45)【発行日】2024-11-18
(54)【発明の名称】蛍光体基板の製造方法及び発光基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/50 20100101AFI20241111BHJP
H01L 33/60 20100101ALI20241111BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20241111BHJP
【ＦＩ】
H01L33/50
H01L33/60
H01L33/62
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2022544555
(86)(22)【出願日】2021-08-20
(86)【国際出願番号】 JP2021030642
(87)【国際公開番号】W WO2022045017
(87)【国際公開日】2022-03-03
【審査請求日】2023-05-26
(31)【優先権主張番号】P 2020144298
(32)【優先日】2020-08-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000003296
【氏名又は名称】デンカ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100110928
【弁理士】
【氏名又は名称】速水 進治
(72)【発明者】
【氏名】小西 正宏
【審査官】佐藤 美紗子
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０２０／１３７７６４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特表２０１４－５２０３８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／１８３６９３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１３－１５９００４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１５３７２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１２６９１１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３３／５０、３３／６２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも１つの発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法であって、絶縁基板の一面に、前記少なくとも１つの発光素子に接合される回路パターン層を形成する回路パターン層形成工程と、
前記絶縁基板の一面側に、前記少なくとも１つの発光素子の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層を形成する蛍光体層形成工程と、
前記絶縁基板と前記蛍光体層との間に、前記蛍光体を含まない層であって前記蛍光体層を支持する支持層を形成する支持層形成工程と、
を含み、
前記蛍光体層形成工程は、前記支持層に前記蛍光体層を積層させ、
前記支持層は前記回路パターン層と前記蛍光体層の間にも形成され、
前記支持層は絶縁層であり、
前記蛍光体層形成工程では、前記蛍光体層の厚みが前記支持層の厚みよりも薄くなるように、前記支持層に前記蛍光体層を積層させ、
前記支持層形成工程では、
前記絶縁基板の一面に白色顔料を含まない基層を形成し、次いで前記蛍光体層に隣接し前記白色顔料を含む隣接層を前記基層に積層させ、
かつ、前記回路パターン層のうち前記少なくとも１つの発光素子に接合される部分以外の部分に前記隣接層を形成し、
前記支持層として、前記回路パターン層の上には前記基層は設けられず前記隣接層が設けられ、前記回路パターン層以外の部分には、前記基層が設けられその上に前記隣接層が設けられる、
蛍光体基板の製造方法。
【請求項2】
前記支持層形成工程は、前記隣接層の厚みを前記基層の厚みよりも薄く形成する、請求項１に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項3】
前記蛍光体は、複数の蛍光体粒子で構成され、前記白色顔料は、複数の白色粒子で構成され、
前記複数の蛍光体粒子における、レーザー回折散乱法により測定される体積基準のメジアン径（Ｄ５０）であるＤ１５０と、前記複数の白色粒子における、レーザー回折散乱法により測定される体積基準のメジアン径（Ｄ５０）であるＤ２５０とは、下記の（式２）の関係を有する、
請求項１または２に記載の蛍光体基板の製造方法。
（式２）０．８≦Ｄ２５０／Ｄ１５０≦１．２
【請求項4】
前記支持層形成工程と前記蛍光体層形成工程とは、前記支持層に積層させる前記蛍光体層の外表面が前記回路パターン層の外表面よりも前記絶縁基板の厚み方向の外側に位置するように、それぞれ、前記支持層と前記蛍光体層とを形成する、請求項１～３のいずれか１項に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項5】
前記少なくとも１つの発光素子は、複数の発光素子である、請求項１～４のいずれか１項に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか１項に記載の蛍光体基板の製造方法と、前記回路パターン層に前記少なくとも１つの発光素子を接合する接合工程と、
を含む、
発光基板の製造方法。
【請求項7】
前記接合工程は、前記蛍光体層形成工程の後に行う、請求項６に記載の発光基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、蛍光体基板の製造方法及び発光基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、発光素子（ＬＥＤ素子）が搭載された基板を備えるＬＥＤ照明器具が開示されている。このＬＥＤ照明器具は、基板の表面に反射材を設けて、発光効率を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】中国特許公開１０６１６３１１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に開示されている構成の場合、反射材を利用してＬＥＤ照明器具が発光する光を発光素子が発光する光と異なる発光色の光に調整することができず、またグレア対策が不十分であった。
【0005】
本発明は、発光素子が搭載された場合に発光素子が発光する光のグレアを低減することができる蛍光体基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の第１態様の蛍光体基板の製造方法は、少なくとも１つの発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法であって、絶縁基板の一面に、前記少なくとも１つの発光素子に接合される回路パターン層を形成する回路パターン層形成工程と、前記絶縁基板の一面側に、前記少なくとも１つの発光素子の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層を形成する蛍光体層形成工程と、前記絶縁基板と前記蛍光体層との間に、前記蛍光体を含まない層であって前記蛍光体層を支持する支持層を形成する支持層形成工程と、を含み、蛍光体層形成工程は、前記支持層に前記蛍光体層を積層させる。
【0007】
本発明の第２態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記蛍光体層形成工程では、前記蛍光体層の厚みが前記支持層の厚みよりも薄くなるように、前記支持層に前記蛍光体層を積層させる。
【0008】
本発明の第３態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記支持層形成工程は、前記支持層として、白色顔料を含む単層構造の層を形成する。
【0009】
本発明の第４態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記支持層形成工程は、さらに、前記回路パターン層における前記少なくとも１つの発光素子に接合される部分以外の部分にも前記支持層を形成する。
【0010】
本発明の第５態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記支持層形成工程は、前記絶縁基板の一面に白色顔料を含まない基層を形成し、次いで前記蛍光体層に隣接し前記白色顔料を含む隣接層を前記基層に積層させる。
【0011】
本発明の第６態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記支持層形成工程は、前記隣接層の厚みを前記基層の厚みよりも薄く形成する。
【0012】
本発明の第７態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記支持層形成工程は、さらに、前記回路パターン層における前記少なくとも１つの発光素子に接合される部分以外の部分にも前記隣接層を形成する。
【0013】
本発明の第８態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記蛍光体は、複数の蛍光体粒子で構成され、前記白色顔料は、複数の白色粒子で構成され、前記複数の蛍光体粒子における、レーザー回折散乱法により測定される体積基準のメジアン径（Ｄ５０）であるＤ１５０と、前記複数の白色粒子における、レーザー回折散乱法により測定される体積基準のメジアン径（Ｄ５０）であるＤ２５０とは、下記の（式２）の関係を有する。
（式２）０．８≦Ｄ２５０／Ｄ１５０≦１．２
（式２）０．８≦Ｄ２５０／Ｄ１５０≦１．２
【0014】
本発明の第９態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記支持層形成工程と前記蛍光体層形成工程とは、前記支持層に積層させる前記蛍光体層の外表面が前記回路パターン層の外表面よりも前記絶縁基板の厚み方向の外側に位置するように、それぞれ、前記支持層と前記蛍光体層とを形成する。
【0015】
本発明の第１０態様の蛍光体基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法であって、前記少なくとも１つの発光素子は、複数の発光素子である。
【0016】
本発明の第１態様の発光基板の製造方法は、前記蛍光体基板の製造方法と、前記回路パターン層に前記少なくとも１つの発光素子を接合する接合工程と、を含む。
【0017】
本発明の第２態様の発光基板の製造方法は、前記発光基板の製造方法において、前記接合工程は、前記蛍光体層形成工程の後に行う。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1A】第１実施形態の発光基板の平面図である。
【図1B】第１実施形態の発光基板の底面図である。
【図2A】第１実施形態の蛍光体基板（蛍光体層及び支持層を省略）の平面図である。
【図2B】第１実施形態の蛍光体基板の平面図である。
【図3A】第１実施形態の発光基板の製造方法における第１工程の説明図である。
【図3B】第１実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の説明図である。
【図3C】第１実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。
【図3D】第１実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。
【図3E】第１実施形態の発光基板の製造方法における第５工程の説明図である。
【図4】第１実施形態の発光基板の発光動作を説明するための図である。
【図5】比較形態の発光基板の発光動作を説明するための図である。
【図6】第２実施形態の発光基板の部分断面図である。
【図7A】第２実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の説明図である。
【図7B】第２実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。
【図7C】第２実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。
【図7D】第２実施形態の発光基板の製造方法における第５工程の説明図である。
【図8】第３実施形態の発光基板の部分断面図である。
【図9A】第３実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の前半の説明図である。
【図9B】第３実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の後半の説明図である。
【図9C】第３実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。
【図9D】第３実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。
【図9E】第３実施形態の発光基板の製造方法における第５工程の説明図である。
【図10】第４実施形態の発光基板の部分断面図である。
【図11A】第４実施形態の発光基板の製造方法における第１工程の後半の説明図である。
【図11B】第４実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の説明図である。
【図11C】第４実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。
【図11D】第４実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。
【図11E】第４実施形態の発光基板の製造方法における第５工程の説明図である。
【図12】第５実施形態の発光基板の部分断面図である。
【図13A】第５実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の前半の説明図である。
【図13B】第５実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の後半の説明図である。
【図13C】第５実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。
【図13D】第５実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。
【図13E】第５実施形態の発光基板の製造方法における第５工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
≪概要≫
本発明の一例である第１～第５実施形態についてこれらの記載順で説明する。次いで、これらの実施形態の変形例について説明する。なお、以下の説明において参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
本発明の一例である第１～第５実施形態についてこれらの記載順で説明する。次いで、これらの実施形態の変形例について説明する。なお、以下の説明において参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【0020】
≪第１実施形態≫
以下、第１実施形態について図１Ａ～図５を参照しながら説明する。まず、本実施形態の発光基板１０の構成及び機能について図１Ａ～図１Ｃを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図３Ａ～図３Ｅを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の発光動作について図４を参照しながら説明する。次いで、本実施形態の効果について図４、図５等を参照しながら説明する。
なお、本実施形態の蛍光体基板３０は、本実施形態の発光基板１０の構成要素であることから、本実施形態の発光基板１０の構成及び機能の説明の中で説明する。
以下、第１実施形態について図１Ａ～図５を参照しながら説明する。まず、本実施形態の発光基板１０の構成及び機能について図１Ａ～図１Ｃを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図３Ａ～図３Ｅを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の発光動作について図４を参照しながら説明する。次いで、本実施形態の効果について図４、図５等を参照しながら説明する。
なお、本実施形態の蛍光体基板３０は、本実施形態の発光基板１０の構成要素であることから、本実施形態の発光基板１０の構成及び機能の説明の中で説明する。
【0021】
＜第１実施形態の発光基板の構成及び機能＞
図１Ａは本実施形態の発光基板１０の平面図（表面３１Ａ側から見た図）、図１Ｂは本実施形態の発光基板１０の底面図（裏面３３Ａ側から見た図）である。図１Ｃは、図１Ａの１Ｃ－１Ｃ切断線により切断した発光基板１０の部分断面図である。
本実施形態の発光基板１０は、表面３１Ａ側及び裏面３３Ａ側から見て、一例として矩形である。また、本実施形態の発光基板１０は、複数の発光素子２０と、蛍光体基板３０と、コネクタ、ドライバＩＣ等の電子部品（図示省略）とを備えている。すなわち、本実施形態の発光基板１０は、蛍光体基板３０に、複数の発光素子２０及び上記電子部品が搭載されたものである。
本実施形態の発光基板１０は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電されると、発光する機能を有する。そのため、本実施形態の発光基板１０は、例えば照明装置（図示省略）等における主要な光学部品として利用されるようになっている。
図１Ａは本実施形態の発光基板１０の平面図（表面３１Ａ側から見た図）、図１Ｂは本実施形態の発光基板１０の底面図（裏面３３Ａ側から見た図）である。図１Ｃは、図１Ａの１Ｃ－１Ｃ切断線により切断した発光基板１０の部分断面図である。
本実施形態の発光基板１０は、表面３１Ａ側及び裏面３３Ａ側から見て、一例として矩形である。また、本実施形態の発光基板１０は、複数の発光素子２０と、蛍光体基板３０と、コネクタ、ドライバＩＣ等の電子部品（図示省略）とを備えている。すなわち、本実施形態の発光基板１０は、蛍光体基板３０に、複数の発光素子２０及び上記電子部品が搭載されたものである。
本実施形態の発光基板１０は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電されると、発光する機能を有する。そのため、本実施形態の発光基板１０は、例えば照明装置（図示省略）等における主要な光学部品として利用されるようになっている。
【0022】
なお、以降の説明の中で詳細に説明するが、本実施形態の蛍光体基板３０及び発光基板１０の基本的な構成は、それぞれ、以下のとおりである。
【0023】
・本実施形態の蛍光体基板の基本的な構成
本実施形態の蛍光体基板３０は、少なくとも１つの発光素子２０が搭載される蛍光体基板３０であって、絶縁層３２（絶縁基板の一例）と、絶縁層３２の表面３１（一面の一例）に配置され、少なくとも１つの発光素子２０に接合される回路パターン層３４と、絶縁層３２の表面３１側に配置され、少なくとも１つの発光素子２０の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層３６と、絶縁層３２と蛍光体層３６との間に配置され、かつ、前記蛍光体を含まない層であって、蛍光体層３６を支持する支持層３５と、を備える。
本実施形態の蛍光体基板３０は、少なくとも１つの発光素子２０が搭載される蛍光体基板３０であって、絶縁層３２（絶縁基板の一例）と、絶縁層３２の表面３１（一面の一例）に配置され、少なくとも１つの発光素子２０に接合される回路パターン層３４と、絶縁層３２の表面３１側に配置され、少なくとも１つの発光素子２０の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層３６と、絶縁層３２と蛍光体層３６との間に配置され、かつ、前記蛍光体を含まない層であって、蛍光体層３６を支持する支持層３５と、を備える。
【0024】
・本実施形態の発光基板の基本的な構成
また、本実施形態の発光基板１０は、前述の基本的な構成を有する蛍光体基板３０と、少なくとも１つの発光素子２０と、を備える。
また、本実施形態の発光基板１０は、前述の基本的な構成を有する蛍光体基板３０と、少なくとも１つの発光素子２０と、を備える。
【0025】
〔複数の発光素子〕
複数の発光素子２０は、それぞれ、一例として、フリップチップＬＥＤ２２（以下、ＬＥＤ２２という。）が組み込まれたＣＳＰ（Chip Scale Package）である（図１Ｃ参照）。複数の発光素子２０は、図１Ａに示されるように、蛍光体基板３０の表面３１Ａ側の全体に亘って規則的に並べられた状態で、蛍光体基板３０に搭載されている。各発光素子２０が発光する光の相関色温度は、一例として３，０１８Ｋである。なお、本実施形態では、ヒートシンク（図示省略）や冷却ファン（図示省略）を用いることで、複数の発光素子２０の発光動作時に、蛍光体基板３０を一例として常温から５０℃～１００℃に収まるように放熱（冷却）するように構成されている。
また、ＬＥＤ２２のジャンクションレベルＪＬは、蛍光体層３６の表面のレベルより高い位置に設定されている。
ここで、本明細書で数値範囲に使用する「～」の意味について補足すると、例えば「５０℃～１００℃」は「５０℃以上１００℃以下」を意味する。すなわち、本明細書で数値範囲に使用する「～」は、「『～』の前の記載部分以上『～』の後の記載部分以下」を意味する。
複数の発光素子２０は、それぞれ、一例として、フリップチップＬＥＤ２２（以下、ＬＥＤ２２という。）が組み込まれたＣＳＰ（Chip Scale Package）である（図１Ｃ参照）。複数の発光素子２０は、図１Ａに示されるように、蛍光体基板３０の表面３１Ａ側の全体に亘って規則的に並べられた状態で、蛍光体基板３０に搭載されている。各発光素子２０が発光する光の相関色温度は、一例として３，０１８Ｋである。なお、本実施形態では、ヒートシンク（図示省略）や冷却ファン（図示省略）を用いることで、複数の発光素子２０の発光動作時に、蛍光体基板３０を一例として常温から５０℃～１００℃に収まるように放熱（冷却）するように構成されている。
また、ＬＥＤ２２のジャンクションレベルＪＬは、蛍光体層３６の表面のレベルより高い位置に設定されている。
ここで、本明細書で数値範囲に使用する「～」の意味について補足すると、例えば「５０℃～１００℃」は「５０℃以上１００℃以下」を意味する。すなわち、本明細書で数値範囲に使用する「～」は、「『～』の前の記載部分以上『～』の後の記載部分以下」を意味する。
【0026】
〔蛍光体基板〕
図２Ａは、本実施形態の蛍光体基板３０の図であって、支持層３５及び蛍光体層３６を省略して図示した平面図（表面３１Ａ側から見た図）である。図２Ｂは、本実施形態の蛍光体基板３０の平面図（表面３１Ａ側から見た図）である。なお、本実施形態の蛍光体基板３０の底面図は、発光基板１０を裏面３３Ａ側から見た図と同じである。また、本実施形態の蛍光体基板３０の部分断面図は、図１Ｃの部分断面図から発光素子２０を除いた場合の図と同じである。すなわち、本実施形態の蛍光体基板３０は、表面３１Ａ側及び裏面３３Ａ側から見て、一例として矩形である。
なお、図２Ａには、後述する複数の電極対３４Ａと、複数の電極対３４Ａ以外の部分である配線部分３４Ｂとの範囲が図示されているが、実際のところ、両者は同じ平面（外表面）に形成されているため、図２Ａのように支持層３５及び蛍光体層３６を除いた図において、両者の境界は存在しない。しかしながら、図２Ａは、両者の位置関係を明確化するために、便宜的に、複数の電極対３４Ａ及び配線部分３４Ｂの符号を入れた図としている。
図２Ａは、本実施形態の蛍光体基板３０の図であって、支持層３５及び蛍光体層３６を省略して図示した平面図（表面３１Ａ側から見た図）である。図２Ｂは、本実施形態の蛍光体基板３０の平面図（表面３１Ａ側から見た図）である。なお、本実施形態の蛍光体基板３０の底面図は、発光基板１０を裏面３３Ａ側から見た図と同じである。また、本実施形態の蛍光体基板３０の部分断面図は、図１Ｃの部分断面図から発光素子２０を除いた場合の図と同じである。すなわち、本実施形態の蛍光体基板３０は、表面３１Ａ側及び裏面３３Ａ側から見て、一例として矩形である。
なお、図２Ａには、後述する複数の電極対３４Ａと、複数の電極対３４Ａ以外の部分である配線部分３４Ｂとの範囲が図示されているが、実際のところ、両者は同じ平面（外表面）に形成されているため、図２Ａのように支持層３５及び蛍光体層３６を除いた図において、両者の境界は存在しない。しかしながら、図２Ａは、両者の位置関係を明確化するために、便宜的に、複数の電極対３４Ａ及び配線部分３４Ｂの符号を入れた図としている。
【0027】
本実施形態の蛍光体基板３０は、絶縁層３２と、回路パターン層３４と、支持層３５と、蛍光体層３６と、裏面パターン層３８とを備えている（図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ及び図２Ｂ参照）。図２Ａでは支持層３５及び蛍光体層３６が省略されているが、蛍光体層３６は、図２Ｂに示されるように、一例として、絶縁層３２の表面３１側に配置されている。具体的には、蛍光体層３６は、図１Ｃに示されるように、一例として、支持層３５の絶縁層３２と反対側の面と、回路パターン層３４の後述する複数の電極対３４Ａ以外の部分とを覆うように配置されている。また、支持層３５は、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分であって、絶縁層３２と蛍光体層３６との間に配置されている（図１Ｃ及び図３Ｅ参照）。
【0028】
また、蛍光体基板３０には、図１Ｂ及び図２Ａに示されるように、四つ角付近の４箇所及び中央付近の２箇所の合計６箇所に貫通孔３９が形成されている。６箇所の貫通孔３９は、蛍光体基板３０及び発光基板１０の製造時に位置決め孔として利用されるようになっている。また、６箇所の貫通孔３９は、（発光）灯具筐体への熱引き効果確保（基板反り及び浮き防止）のための取り付け用のネジ穴として利用されるようになっている。なお、本実施形態の蛍光体基板３０は、後述するように、絶縁板の両面に銅箔層が設けられた両面板（以下、マザーボードＭＢという。図３Ａ参照）をエッチング等の加工をして製造される。このマザーボードＭＢの一例としては、利昌工業株式会社製のＣＳ－３３０５Ａが挙げられる。
【0029】
〈絶縁層〉
以下、本実施形態の絶縁層３２の主な特徴について説明する。
形状は、前述のとおり、一例として表面３１側及び裏面３３側から見て矩形である。
材質は、一例としてビスマレイミド樹脂及びガラスクロスを含む絶縁材である。
厚みは、一例として１００μｍである。
縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、５０℃～１００℃の範囲において１０ｐｐｍ／℃以下である。また、別の見方をすると、縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、６ｐｐｍ／Ｋである。この値は、本実施形態の発光素子２０の場合とほぼ同等（９０％～１１０％、すなわち±１０％以内）である。
ガラス転移温度は、一例として、３００℃よりも高い。
貯蔵弾性率は、一例として、１００℃～３００℃の範囲において、１．０×１０１０Ｐａよりも大きく１．０×１０１１Ｐａよりも小さい。
縦方向及び横方向の曲げ弾性率は、一例として、それぞれ、常態において３５ＧＰａ及び３４ＧＰａである。
縦方向及び横方向の熱間曲げ弾性率は、一例として、２５０℃において１９ＧＰａである。
吸水率は、一例として、２３℃の温度環境で２４時間放置した場合に０．１３％である。
比誘電率は、一例として、１ＭＨｚ常態において４．６である。
誘電正接は、一例として、１ＭＨｚ常態において、０．０１０である。
以下、本実施形態の絶縁層３２の主な特徴について説明する。
形状は、前述のとおり、一例として表面３１側及び裏面３３側から見て矩形である。
材質は、一例としてビスマレイミド樹脂及びガラスクロスを含む絶縁材である。
厚みは、一例として１００μｍである。
縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、５０℃～１００℃の範囲において１０ｐｐｍ／℃以下である。また、別の見方をすると、縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、６ｐｐｍ／Ｋである。この値は、本実施形態の発光素子２０の場合とほぼ同等（９０％～１１０％、すなわち±１０％以内）である。
ガラス転移温度は、一例として、３００℃よりも高い。
貯蔵弾性率は、一例として、１００℃～３００℃の範囲において、１．０×１０１０Ｐａよりも大きく１．０×１０１１Ｐａよりも小さい。
縦方向及び横方向の曲げ弾性率は、一例として、それぞれ、常態において３５ＧＰａ及び３４ＧＰａである。
縦方向及び横方向の熱間曲げ弾性率は、一例として、２５０℃において１９ＧＰａである。
吸水率は、一例として、２３℃の温度環境で２４時間放置した場合に０．１３％である。
比誘電率は、一例として、１ＭＨｚ常態において４．６である。
誘電正接は、一例として、１ＭＨｚ常態において、０．０１０である。
【0030】
〈回路パターン層〉
本実施形態の回路パターン層３４は、絶縁層３２の表面３１に設けられた金属層であって、一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）であり、コネクタ（図示省略）に接合される端子３７と導通している。そして、回路パターン層３４は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電された電力を、発光基板１０を構成している状態において複数の発光素子２０に供給するようになっている。そのため、回路パターン層３４の一部は、複数の発光素子２０がそれぞれ接合される複数の電極対３４Ａとなっている。すなわち、回路パターン層３４は、絶縁層３２の表面３１に配置され、各発光素子２０に接続されている。また、別の見方をすると、回路パターン層３４は、絶縁層３２の表面３１に配置され、各電極対３４Ａの外表面である接合面３４Ａ１で各発光素子２０に接続されている。
本実施形態の回路パターン層３４は、絶縁層３２の表面３１に設けられた金属層であって、一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）であり、コネクタ（図示省略）に接合される端子３７と導通している。そして、回路パターン層３４は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電された電力を、発光基板１０を構成している状態において複数の発光素子２０に供給するようになっている。そのため、回路パターン層３４の一部は、複数の発光素子２０がそれぞれ接合される複数の電極対３４Ａとなっている。すなわち、回路パターン層３４は、絶縁層３２の表面３１に配置され、各発光素子２０に接続されている。また、別の見方をすると、回路パターン層３４は、絶縁層３２の表面３１に配置され、各電極対３４Ａの外表面である接合面３４Ａ１で各発光素子２０に接続されている。
【0031】
また、前述のとおり、複数の発光素子２０は絶縁層３２の表面３１側の全体に亘って規則的に並べられていることから（図１Ａ参照）、複数の電極対３４Ａも表面３１側の全体に亘って規則的に並べられている（図２Ａ参照）。ここで、本明細書では、回路パターン層３４における複数の電極対３４Ａ以外の部分を、配線部分３４Ｂという。また、配線部分３４Ｂの外表面を非接合面３４Ｂ１（回路パターン層３４の外表面における接合面３４Ａ１以外の部分）という。非接合面３４Ｂ１は、回路パターン層３４におけるすべての発光素子２０に接合される部分以外の部分である。
なお、表面３１側から見て、絶縁層３２の表面３１に対して回路パターン層３４が占める割合（回路パターン層３４の専有面積）は、一例として、絶縁層３２の表面３１の６０％以上である（図２Ａ参照）。また、本実施形態では、回路パターン層３４の厚みは一例として１７５μｍである。ただし、各図では、回路パターン層３４の厚み、絶縁層３２の厚み、蛍光体層３６の厚み等の関係が寸法どおりとなっていない。
なお、表面３１側から見て、絶縁層３２の表面３１に対して回路パターン層３４が占める割合（回路パターン層３４の専有面積）は、一例として、絶縁層３２の表面３１の６０％以上である（図２Ａ参照）。また、本実施形態では、回路パターン層３４の厚みは一例として１７５μｍである。ただし、各図では、回路パターン層３４の厚み、絶縁層３２の厚み、蛍光体層３６の厚み等の関係が寸法どおりとなっていない。
【0032】
〈支持層〉
本実施形態の支持層３５は、前述のとおり、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分に配置されて、蛍光体層３６の一部を支持している（図１Ｃ及び図３Ｅ参照）。ここで、支持層３５が支持している蛍光体層３６の一部とは、蛍光体層３６のうち回路パターン層３４の外表面に配置されている部分以外の部分のことを意味する。なお、図１Ｃ、図３Ｅ等に示されるように、支持層３５の厚みは、一例として、回路パターン層３４の厚みと同じに設定されているが、これに限らず薄く設定されてもよいし、逆に厚く設定されてもよい。
本実施形態の支持層３５は、前述のとおり、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分に配置されて、蛍光体層３６の一部を支持している（図１Ｃ及び図３Ｅ参照）。ここで、支持層３５が支持している蛍光体層３６の一部とは、蛍光体層３６のうち回路パターン層３４の外表面に配置されている部分以外の部分のことを意味する。なお、図１Ｃ、図３Ｅ等に示されるように、支持層３５の厚みは、一例として、回路パターン層３４の厚みと同じに設定されているが、これに限らず薄く設定されてもよいし、逆に厚く設定されてもよい。
【0033】
本実施形態の支持層３５は、後述する蛍光体層３６と異なり蛍光体（複数の蛍光体粒子の集合体）を含まずに、一例として、白色顔料（複数の白色粒子の集合体）とバインダーとを含み、複数の白色粒子が当該バインダーに分散された絶縁層である。また、本実施形態の支持層３５は、一例として、単層構造である。ここで、複数の白色粒子は、一例として酸化チタンであるが、酸化カルシウムその他の白色粒子でもよい。また、バインダーは、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等のバインダーであって、ソルダーレジストに含まれるバインダーと同等の絶縁性を有するものであればよい。
なお、前述のとおり、支持層３５は、絶縁層３２と蛍光体層３６との間に配置されている（図１Ｃ、図３Ｅ等参照）。また、支持層３５が白色顔料を含むことの技術的意義については、後述する第１実施形態の効果の説明の中で説明する。
なお、前述のとおり、支持層３５は、絶縁層３２と蛍光体層３６との間に配置されている（図１Ｃ、図３Ｅ等参照）。また、支持層３５が白色顔料を含むことの技術的意義については、後述する第１実施形態の効果の説明の中で説明する。
【0034】
〈蛍光体層〉
本実施形態の蛍光体層３６は、図２Ｂ及び図３Ｅに示されるように、一例として、支持層３５の絶縁層３２と反対側の面（図示で上側の面）、及び、回路パターン層３４における非接合面３４Ｂ１に配置されている。別の見方をすると、蛍光体層３６は、支持層３５及び回路パターン層３４の電極対３４Ａを残して、絶縁層３２の表面３１側を覆うように配置されている。本実施形態では、表面３１側から見て、絶縁層３２の表面３１に対して蛍光体層３６が占める割合は、一例として、絶縁層３２の表面３１の面積に対して８０％以上となっている。
なお、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向の外側の面（外表面）は、回路パターン層３４における絶縁層３２の厚み方向の外側の面（外表面）よりも当該厚み方向の外側に位置している（図１Ｃ及び図３Ｅ参照）。また、蛍光体層３６における、支持層３５に配置されている部分の外表面及び回路パターン層３４に配置されている部分の外表面は、一例として、同じ高さ、すなわち絶縁層３２の厚み方向の同じ位置に位置している（図３Ｅ参照）。
本実施形態の蛍光体層３６は、図２Ｂ及び図３Ｅに示されるように、一例として、支持層３５の絶縁層３２と反対側の面（図示で上側の面）、及び、回路パターン層３４における非接合面３４Ｂ１に配置されている。別の見方をすると、蛍光体層３６は、支持層３５及び回路パターン層３４の電極対３４Ａを残して、絶縁層３２の表面３１側を覆うように配置されている。本実施形態では、表面３１側から見て、絶縁層３２の表面３１に対して蛍光体層３６が占める割合は、一例として、絶縁層３２の表面３１の面積に対して８０％以上となっている。
なお、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向の外側の面（外表面）は、回路パターン層３４における絶縁層３２の厚み方向の外側の面（外表面）よりも当該厚み方向の外側に位置している（図１Ｃ及び図３Ｅ参照）。また、蛍光体層３６における、支持層３５に配置されている部分の外表面及び回路パターン層３４に配置されている部分の外表面は、一例として、同じ高さ、すなわち絶縁層３２の厚み方向の同じ位置に位置している（図３Ｅ参照）。
【0035】
本実施形態の蛍光体層３６は、一例として、後述する蛍光体（複数の蛍光体粒子の集合体）とバインダーとを含み、複数の蛍光体粒子が当該バインダーに分散された絶縁層である。蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、各発光素子２０の発光を励起光として励起する性質を有する。具体的には、本実施形態の蛍光体は、発光素子２０の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある性質を有する。なお、当該バインダーは、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等のバインダーであって、ソルダーレジストに含まれるバインダーと同等の絶縁性を有するものであればよい。
【0036】
ここで、本明細書では、蛍光体層３６に含まれる複数の蛍光体粒子における、レーザー回折散乱法により測定される体積基準のメジアン径（Ｄ５０）をＤ１５０と表記する。また、前述の支持層３５に含まれる複数の白色粒子における、レーザー回折散乱法により測定される体積基準のメジアン径（Ｄ５０）をＤ２５０と表記する。そうすると、本実施形態の蛍光体基板３０では、Ｄ１５０とＤ２５０とは、一例として、下記の（式１）の関係を有する。
（式１）０．８≦Ｄ２５０／Ｄ１５０≦１．２
すなわち、本実施形態では、白色顔料を構成する複数の白色粒子のメジアン径（Ｄ５０）が蛍光体を構成する複数の蛍光体粒子のメジアン径（Ｄ５０）に対して８０％以上１２０％以下の範囲となるように設定されている。
（式１）０．８≦Ｄ２５０／Ｄ１５０≦１．２
すなわち、本実施形態では、白色顔料を構成する複数の白色粒子のメジアン径（Ｄ５０）が蛍光体を構成する複数の蛍光体粒子のメジアン径（Ｄ５０）に対して８０％以上１２０％以下の範囲となるように設定されている。
【0037】
（蛍光体の具体例）
ここで、本実施形態の蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、一例として、Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体及びＥｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも１種の蛍光体である。なお、前述の蛍光体は、本実施形態での一例であり、ＹＡＧ、ＬｕＡＧ、ＢＯＳその他の可視光励起の蛍光体のように、前述の蛍光体以外の蛍光体であってもよい。
ここで、本実施形態の蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、一例として、Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体及びＥｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも１種の蛍光体である。なお、前述の蛍光体は、本実施形態での一例であり、ＹＡＧ、ＬｕＡＧ、ＢＯＳその他の可視光励起の蛍光体のように、前述の蛍光体以外の蛍光体であってもよい。
【0038】
Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体は、一般式：ＭｘＥｕｙＳｉ１２－（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６－ｎで表される。上記一般式中、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ及びランタニド元素（ただし、ＬａとＣｅを除く）からなる群から選ばれる、少なくともＣａを含む１種以上の元素であり、Ｍの価数をａとしたとき、ａｘ＋２ｙ＝ｍであり、ｘが０＜ｘ≦１．５であり、０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５である。
【0039】
Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体は、一般式：Ｓｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ（ｚ＝０．００５～１）で表されるβ型サイアロンに発光中心として二価のユーロピウム（Ｅｕ２＋）を固溶した蛍光体である。
【0040】
また、窒化物蛍光体として、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体、Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体等が挙げられる。
【0041】
Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体は、例えば、式ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋で表され、Ｅｕ２＋を付活剤とし、アルカリ土類ケイ窒化物からなる結晶を母体とする赤色蛍光体をいう。なお、本明細書におけるＥｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体の定義では、Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体が除かれる。
【0042】
Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体は、例えば、式（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋で表され、Ｅｕ２＋を付活剤とし、アルカリ土類ケイ窒化物からなる結晶を母体とする赤色蛍光体をいう。
【0043】
〈裏面パターン層〉
本実施形態の裏面パターン層３８は、絶縁層３２の裏面３３に設けられた金属層であって、一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）である。
裏面パターン層３８は、図１Ｂに示されるように、絶縁層３２の長手方向に沿って直線状に並べられた複数の矩形部分の列が、短手方向に沿って複数列並べられた層となっている。なお、隣り合う２つの列同士は、長手方向おいて位相をずらしたような状態で配置されている。また、裏面パターン層３８は、一例として、独立フローティング層である。
なお、裏面パターン層３８は、一例として、絶縁層３２の厚み方向から見て表面３１に配置されている回路パターン層３４の８０％以上の領域と重なっている。
本実施形態の裏面パターン層３８は、絶縁層３２の裏面３３に設けられた金属層であって、一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）である。
裏面パターン層３８は、図１Ｂに示されるように、絶縁層３２の長手方向に沿って直線状に並べられた複数の矩形部分の列が、短手方向に沿って複数列並べられた層となっている。なお、隣り合う２つの列同士は、長手方向おいて位相をずらしたような状態で配置されている。また、裏面パターン層３８は、一例として、独立フローティング層である。
なお、裏面パターン層３８は、一例として、絶縁層３２の厚み方向から見て表面３１に配置されている回路パターン層３４の８０％以上の領域と重なっている。
【0044】
以上が、本実施形態の発光基板１０及び蛍光体基板３０の構成についての説明である。
【0045】
＜第１実施形態の発光基板の製造方法＞
次に、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図３Ａ～図３Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０の製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
次に、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図３Ａ～図３Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０の製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
【0046】
なお、以降の説明の中で詳細に説明するが、本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法及び発光基板１０の製造方法の基本的な構成は、それぞれ、以下のとおりである。
【0047】
・蛍光体基板の製造方法の基本的な構成
本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法は、絶縁層３２（絶縁基板の一例）の表面３１（一面の一例）に、少なくとも１つの発光素子２０に接合される回路パターン層３４を形成する第１工程（回路パターン層形成工程）と、絶縁層３２の表面３１側に、少なくとも１つの発光素子２０の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層３６を形成する第３工程（蛍光体層形成工程）と、絶縁層３２と蛍光体層３６との間に、前記蛍光体を含まない層であって蛍光体層３６を支持する支持層３５を形成する第２工程（支持層形成工程）と、を含み、蛍光体層形成工程は、支持層３５に蛍光体層３６を積層させる。
本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法は、絶縁層３２（絶縁基板の一例）の表面３１（一面の一例）に、少なくとも１つの発光素子２０に接合される回路パターン層３４を形成する第１工程（回路パターン層形成工程）と、絶縁層３２の表面３１側に、少なくとも１つの発光素子２０の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層３６を形成する第３工程（蛍光体層形成工程）と、絶縁層３２と蛍光体層３６との間に、前記蛍光体を含まない層であって蛍光体層３６を支持する支持層３５を形成する第２工程（支持層形成工程）と、を含み、蛍光体層形成工程は、支持層３５に蛍光体層３６を積層させる。
【0048】
・発光基板の製造方法の基本的な構成
本実施形態の発光基板１０の製造方法は、前述の本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法と、回路パターン層３４に少なくとも１つの発光素子２０を接合する第５工程（接合工程）と、を含む。
本実施形態の発光基板１０の製造方法は、前述の本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法と、回路パターン層３４に少なくとも１つの発光素子２０を接合する第５工程（接合工程）と、を含む。
【0049】
〔第１工程〕
図３Ａは、第１工程の開始時及び終了時を示す図である。第１工程（回路パターン層形成工程の一例）は、マザーボードＭＢ（すなわち絶縁層３２）の表面３１側に回路パターン層３４を、裏面３３側に裏面パターン層３８を形成する工程である。本工程は、例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより行われる。
図３Ａは、第１工程の開始時及び終了時を示す図である。第１工程（回路パターン層形成工程の一例）は、マザーボードＭＢ（すなわち絶縁層３２）の表面３１側に回路パターン層３４を、裏面３３側に裏面パターン層３８を形成する工程である。本工程は、例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより行われる。
【0050】
〔第２工程〕
図３Ｂは、第２工程の開始時及び終了時を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、蛍光体を含まない層であって第３工程で形成される蛍光体層３６を支持する支持層３５を形成する工程である。本工程では、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分に白色塗料（図示省略）を塗布して、支持層３５を形成する。ここで、白色塗料とは支持層３５を構成する白色顔料（複数の白色粒子の集合体）及びバインダーに溶剤を加えた塗料であり、塗布された白色塗料の層は硬化後に支持層３５となる。その結果、本工程が終了すると、支持層３５として、白色顔料を含む単層構造の層が形成される。また、本工程では、硬化後の白色塗料の層の厚み、すなわち、支持層３５の厚みが回路パターン層３４の厚みよりも薄くなるように、白色塗料が塗布される。
なお、本工程により形成される支持層３５は、絶縁層３２の厚み方向に白色塗料を１回で塗布しても、複数回塗布して形成してもよい。
図３Ｂは、第２工程の開始時及び終了時を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、蛍光体を含まない層であって第３工程で形成される蛍光体層３６を支持する支持層３５を形成する工程である。本工程では、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分に白色塗料（図示省略）を塗布して、支持層３５を形成する。ここで、白色塗料とは支持層３５を構成する白色顔料（複数の白色粒子の集合体）及びバインダーに溶剤を加えた塗料であり、塗布された白色塗料の層は硬化後に支持層３５となる。その結果、本工程が終了すると、支持層３５として、白色顔料を含む単層構造の層が形成される。また、本工程では、硬化後の白色塗料の層の厚み、すなわち、支持層３５の厚みが回路パターン層３４の厚みよりも薄くなるように、白色塗料が塗布される。
なお、本工程により形成される支持層３５は、絶縁層３２の厚み方向に白色塗料を１回で塗布しても、複数回塗布して形成してもよい。
【0051】
〔第３工程〕
図３Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。具体的には、本工程では、第２工程で形成した支持層３５の外表面及び回路パターン層３４の外表面に蛍光体塗料を塗布する。すなわち、本工程では、支持層３５に蛍光体層３６の一部を積層させる。また、本工程では、蛍光体層３６が支持層３５の外表面及び回路パターン層３４の外表面に形成されるが、蛍光体層３６は、一例として、その外表面が平坦となるように形成される。また、本工程では、蛍光体層３６における支持層３５の外表面に配置される部分の厚みが支持層３５の厚みよりも薄くなるように、蛍光体層３６が形成される。
図３Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。具体的には、本工程では、第２工程で形成した支持層３５の外表面及び回路パターン層３４の外表面に蛍光体塗料を塗布する。すなわち、本工程では、支持層３５に蛍光体層３６の一部を積層させる。また、本工程では、蛍光体層３６が支持層３５の外表面及び回路パターン層３４の外表面に形成されるが、蛍光体層３６は、一例として、その外表面が平坦となるように形成される。また、本工程では、蛍光体層３６における支持層３５の外表面に配置される部分の厚みが支持層３５の厚みよりも薄くなるように、蛍光体層３６が形成される。
【0052】
〔第４工程〕
図３Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。ここで、蛍光体塗料のバインダーが例えば熱硬化性樹脂である場合は、加熱により蛍光体塗料を硬化させた後に２次元レーザー加工装置（図示省略）を用いて蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分に選択的にレーザー光を照射する。その結果、蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分がアブレーションされて、各接合面３４Ａ１が露出する。
以上の結果、本実施形態の蛍光体基板３０が製造される。
なお、本工程は、上記の方法の他に、例えば、以下の方法により行ってもよい。蛍光体塗料のバインダーが例えばＵＶ硬化性樹脂（感光性樹脂）である場合、各接合面３４Ａ１と重なる部分（塗料開口部）にマスクパターンをかけて、ＵＶ光を露光し、当該マスクパターン以外をＵＶ硬化させ、非露光部（未硬化部）を樹脂除去液により取り除くことで、各接合面３４Ａ１を露出させる。その後、一般的には、熱をかけてアフターキュアを行う（写真現像法）。また、第３工程及び第４工程に換えて、予め開口部が設定されたスクリーンマスク（図示省略）を用いたスクリーン印刷により蛍光体層３６を形成してもよい（スクリーン印刷法）。この場合、スクリーンマスクにおける接合面３４Ａ１に重なる部分の蛍光体塗料開口部を根詰まりさせておけばよい。
本工程が終了すると、蛍光体基板３０が製造される。
図３Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。ここで、蛍光体塗料のバインダーが例えば熱硬化性樹脂である場合は、加熱により蛍光体塗料を硬化させた後に２次元レーザー加工装置（図示省略）を用いて蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分に選択的にレーザー光を照射する。その結果、蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分がアブレーションされて、各接合面３４Ａ１が露出する。
以上の結果、本実施形態の蛍光体基板３０が製造される。
なお、本工程は、上記の方法の他に、例えば、以下の方法により行ってもよい。蛍光体塗料のバインダーが例えばＵＶ硬化性樹脂（感光性樹脂）である場合、各接合面３４Ａ１と重なる部分（塗料開口部）にマスクパターンをかけて、ＵＶ光を露光し、当該マスクパターン以外をＵＶ硬化させ、非露光部（未硬化部）を樹脂除去液により取り除くことで、各接合面３４Ａ１を露出させる。その後、一般的には、熱をかけてアフターキュアを行う（写真現像法）。また、第３工程及び第４工程に換えて、予め開口部が設定されたスクリーンマスク（図示省略）を用いたスクリーン印刷により蛍光体層３６を形成してもよい（スクリーン印刷法）。この場合、スクリーンマスクにおける接合面３４Ａ１に重なる部分の蛍光体塗料開口部を根詰まりさせておけばよい。
本工程が終了すると、蛍光体基板３０が製造される。
【0053】
〔第５工程〕
図３Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程である。本工程は、蛍光体基板３０の蛍光体層３６が凹状に取り除かれて露出した各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し、各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０の各電極を位置合わせした状態ではんだペーストを溶かす。その後、はんだペーストＳＰが冷却され固化すると、各電極対３４Ａ（各接合面３４Ａ１）に各発光素子２０が接合される。なお、本工程は、一例として、リフロー工程により行われる。
本工程が終了すると、発光基板１０が製造される。
図３Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程である。本工程は、蛍光体基板３０の蛍光体層３６が凹状に取り除かれて露出した各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し、各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０の各電極を位置合わせした状態ではんだペーストを溶かす。その後、はんだペーストＳＰが冷却され固化すると、各電極対３４Ａ（各接合面３４Ａ１）に各発光素子２０が接合される。なお、本工程は、一例として、リフロー工程により行われる。
本工程が終了すると、発光基板１０が製造される。
【0054】
以上が、本実施形態の発光基板１０の製造方法についての説明である。
【0055】
【0056】
まず、複数の発光素子２０を作動させる作動スイッチ（図示省略）がオンになると、コネクタ（図示省略）を介して外部電源（図示省略）から回路パターン層３４への給電が開始され、複数の発光素子２０は光Ｌを放射状に発散出射し、その光Ｌの一部は蛍光体基板３０の表面３１Ａに到達する。より具体的には、発光素子２０のＬＥＤ２２における発光は、ＬＥＤ２２のジャンクションレベルＪＬ（すなわちＰＮ接合面）でなされる（図１Ｃ参照）。
以下、出射された光Ｌの進行方向に分けて光Ｌの挙動について説明する。
以下、出射された光Ｌの進行方向に分けて光Ｌの挙動について説明する。
【0057】
各発光素子２０から出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射することなく外部に出射される。この場合、光Ｌの波長は、各発光素子２０から出射された際の光Ｌの波長と同じままである。
【0058】
また、各発光素子２０から出射された光Ｌの一部分の中のＬＥＤ２２自身の光は、蛍光体層３６に入射する。ここで、前述の「光Ｌの一部分の中のＬＥＤ２２自身の光」とは、出射された光Ｌのうち各発光素子２０（ＣＳＰ自身）の蛍光体により色変換されていない光、すなわち、ＬＥＤ２２自身の光（一例として青色（波長が４７０ｎｍ近傍）の光）を意味する。そして、ＬＥＤ２２自身の光Ｌが蛍光体層３６に分散されている蛍光体に衝突すると、蛍光体が励起して励起光を発する。ここで、蛍光体が励起する理由は、蛍光体層３６に分散されている蛍光体が青色の光に励起ピークを持つ蛍光体（可視光励起蛍光体）を使用しているためである。これに伴い、光Ｌのエネルギーの一部は蛍光体の励起に使われることで、光Ｌはエネルギーの一部を失う。その結果、光Ｌの波長が変換される（波長変換がなされる）。例えば、蛍光体層３６の蛍光体の種類によっては（例えば、蛍光体に赤色系ＣＡＳＮを用いた場合には）光Ｌの波長が長くなる（例えば６５０ｎｍ等）。
【0059】
また、蛍光体層３６での励起光はそのまま蛍光体層３６から出射するものもあるが、一部の励起光は下側の回路パターン層３４に向かい、また、一部の励起光は下側の支持層３５に向かう。そして、回路パターン層３４に向かった励起光は、回路パターン層３４での反射により外部に出射する。以上のように、蛍光体による励起光の波長が６００ｎｍ以上の場合、回路パターン層３４がＣｕでも反射効果が望める。なお、蛍光体層３６の蛍光体の種類によっては光Ｌの波長が前述の例と異なるが、いずれの場合であっても光Ｌの波長変換がなされる。例えば、励起光の波長が６００ｎｍ未満の場合、回路パターン層３４又はその表面を例えばＡｇ（鍍金）とすれば反射効果が望める。これに対して、支持層３５に向かった励起光は、支持層３５の白色顔料による反射により外部に出射する。この場合、可視光の全波長領域における反射効果を高めることができる。
【0060】
以上のとおり、各発光素子２０が出射した光Ｌ（各発光素子２０が放射状に出射した光Ｌ）は、それぞれ、上記のような複数の光路を経由して上記励起光とともに外部に照射される。そのため、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子２０（ＣＳＰ）におけるＬＥＤ２２を封止した（又は覆う）蛍光体の発光波長とが異なる場合、本実施形態の発光基板１０は、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの束を、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの波長と異なる波長の光Ｌを含む光Ｌの束として上記励起光とともに照射する。例えば、本実施形態の発光基板１０は、発光素子２０が出射した光（波長）と蛍光体層３６より出射された光（波長）との合成光を照射する。
【0061】
これに対して、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子２０（ＣＳＰ）におけるＬＥＤ２２を封止した（又は覆う）蛍光体の発光波長とが同じ場合（同じ相関色温度の場合）、本実施形態の発光基板１０は、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの束を、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの波長と同じ波長の光Ｌを含む光Ｌの束として上記励起光とともに照射する。
【0062】
以上が、本実施形態の発光基板１０の発光動作についての説明である。
【0063】
＜第１実施形態の効果＞
次に、本実施形態の効果について図面を参照しながら説明する。
次に、本実施形態の効果について図面を参照しながら説明する。
【0064】
〔第１の効果〕
第１の効果については、本実施形態を以下に説明する比較形態（図５参照）と比較して説明する。ここで、比較形態の説明において、本実施形態と同じ構成要素等を用いる場合は、その構成要素等に本実施形態の場合と同じ名称、符号等を用いることとする。図５は、比較形態の発光基板１０ａの発光動作を説明するための図である。比較形態の発光基板１０ａ（複数の発光素子２０を搭載する基板３０ａ）は、蛍光体層３６を備えていない点以外は、本実施形態の発光基板１０（蛍光体基板３０）と同じ構成とされている。
第１の効果については、本実施形態を以下に説明する比較形態（図５参照）と比較して説明する。ここで、比較形態の説明において、本実施形態と同じ構成要素等を用いる場合は、その構成要素等に本実施形態の場合と同じ名称、符号等を用いることとする。図５は、比較形態の発光基板１０ａの発光動作を説明するための図である。比較形態の発光基板１０ａ（複数の発光素子２０を搭載する基板３０ａ）は、蛍光体層３６を備えていない点以外は、本実施形態の発光基板１０（蛍光体基板３０）と同じ構成とされている。
【0065】
比較形態の発光基板１０ａの場合、各発光素子２０から出射され、基板３０ａの表面３１Ａに入射した光Ｌは、波長が変換されることなく反射又は散乱する。そのため、比較形態の基板３０ａの場合、発光素子２０が搭載された場合に発光素子２０が発光する光と異なる発光色の光に調整することができない。すなわち、比較形態の発光基板１０ａの場合、発光素子２０が発光する光と異なる発光色の光に調整することができない。
【0066】
これに対して、本実施形態の場合、絶縁層３２の厚み方向から見て、絶縁層３２の表面３１であって、各発光素子２０との各接合面３４Ａ１の周囲には蛍光体層３６が配置されている。そのため、各発光素子２０から放射状に出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射して、蛍光体層３６により波長変換されて、外部に照射される。この場合、各発光素子２０から放射状に出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射して、蛍光体層３６に含まれる蛍光体を励起させ、励起光を発生させる。
【0067】
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０によれば、発光素子２０が搭載された場合に、蛍光体基板３０から発光される光Ｌを発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光に調整することができる。これに伴い、本実施形態の発光基板１０によれば、蛍光体基板３０から発光される光Ｌを発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光Ｌに調整することができる。別の見方をすると、本実施形態の発光基板１０によれば、発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光Ｌを外部に照射することができる。
【0068】
〔第２の効果〕
第２の効果については、本実施形態を比較形態（図５参照）と比較して説明する。比較形態の場合、図５に示されるように、各発光素子２０の配置間隔に起因して外部に照射される光Ｌに斑が発生する。ここで、光Ｌの斑が大きいほど、グレアが大きいという。
これに対して、本実施形態の蛍光体基板３０の表面３１Ａ側は、図２Ｂに示されるように、各接合面３４Ａ１以外の部分に蛍光体層３６が全体的に設けられている。そのため、本実施形態の発光基板１０では、各接合面３４Ａ１の周囲（各発光素子２０の周囲）からも励起光が発光される。
したがって、本実施形態によれば、比較形態に比べて、グレアを小さくすることができる。
なお、本効果は、蛍光体層３６が絶縁層３２の全面に亘って設けられている場合、具体的には、表面３１側から見て、絶縁層３２の表面３１に対して蛍光体層３６が占める割合が表面３１の８０％以上である場合により効果的となる。
第２の効果については、本実施形態を比較形態（図５参照）と比較して説明する。比較形態の場合、図５に示されるように、各発光素子２０の配置間隔に起因して外部に照射される光Ｌに斑が発生する。ここで、光Ｌの斑が大きいほど、グレアが大きいという。
これに対して、本実施形態の蛍光体基板３０の表面３１Ａ側は、図２Ｂに示されるように、各接合面３４Ａ１以外の部分に蛍光体層３６が全体的に設けられている。そのため、本実施形態の発光基板１０では、各接合面３４Ａ１の周囲（各発光素子２０の周囲）からも励起光が発光される。
したがって、本実施形態によれば、比較形態に比べて、グレアを小さくすることができる。
なお、本効果は、蛍光体層３６が絶縁層３２の全面に亘って設けられている場合、具体的には、表面３１側から見て、絶縁層３２の表面３１に対して蛍光体層３６が占める割合が表面３１の８０％以上である場合により効果的となる。
【0069】
〔第３の効果〕
本実施形態の場合、蛍光体層３６の一部が支持層３５に支持されている（図１Ｃ及び図３Ｅ参照）。ここで、支持層３５を構成する白色顔料は蛍光体層３６を構成する蛍光体よりも安価であることから、支持層３５を形成するための白色塗料は蛍光体塗料よりも安価である。
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０は、支持層３５が蛍光体層３６で形成されている場合に比べて、安価である。これに伴い、本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法は、支持層３５が蛍光体層３６で形成されている蛍光体基板の製造方法に比べて、蛍光体基板３０の製造コストが安価である。
なお、本実施形態の発光基板１０の場合、複数のＬＥＤ２２の発光時の発熱及び励起する蛍光体層３６の発熱の影響を考慮し、例えば、回路パターン層３４の厚みを通常の回路基板よりも厚く（一例として１７５μｍ）設定している。そのうえで、本実施形態の場合、蛍光体層３６の外表面を回路パターン層３４の外表面よりも絶縁層３２の厚み方向の外側に設定している。本効果は、本実施形態のような以上の構成の場合に顕著となる。
本実施形態の場合、蛍光体層３６の一部が支持層３５に支持されている（図１Ｃ及び図３Ｅ参照）。ここで、支持層３５を構成する白色顔料は蛍光体層３６を構成する蛍光体よりも安価であることから、支持層３５を形成するための白色塗料は蛍光体塗料よりも安価である。
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０は、支持層３５が蛍光体層３６で形成されている場合に比べて、安価である。これに伴い、本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法は、支持層３５が蛍光体層３６で形成されている蛍光体基板の製造方法に比べて、蛍光体基板３０の製造コストが安価である。
なお、本実施形態の発光基板１０の場合、複数のＬＥＤ２２の発光時の発熱及び励起する蛍光体層３６の発熱の影響を考慮し、例えば、回路パターン層３４の厚みを通常の回路基板よりも厚く（一例として１７５μｍ）設定している。そのうえで、本実施形態の場合、蛍光体層３６の外表面を回路パターン層３４の外表面よりも絶縁層３２の厚み方向の外側に設定している。本効果は、本実施形態のような以上の構成の場合に顕著となる。
【0070】
〔第４の効果〕
また、本実施形態の場合、前述のとおり、蛍光体層３６の厚みは支持層３５の厚みよりも薄い。
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０は、蛍光体層３６の厚みが支持層３５の厚み以下の場合に比べて、安価である。これに伴い、本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法は、蛍光体層３６の厚みが支持層３５の厚み以下の蛍光体基板の製造方法に比べて、蛍光体基板３０の製造コストが安価である。
また、本実施形態の場合、前述のとおり、蛍光体層３６の厚みは支持層３５の厚みよりも薄い。
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０は、蛍光体層３６の厚みが支持層３５の厚み以下の場合に比べて、安価である。これに伴い、本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法は、蛍光体層３６の厚みが支持層３５の厚み以下の蛍光体基板の製造方法に比べて、蛍光体基板３０の製造コストが安価である。
【0071】
〔第５の効果〕
本実施形態の場合、前述のとおり、支持層３５は白色顔料を含む。そのため、本実施形態によれば、可視光とされる励起光の全波長領域の反射効果を高めることができる。
本実施形態の場合、前述のとおり、支持層３５は白色顔料を含む。そのため、本実施形態によれば、可視光とされる励起光の全波長領域の反射効果を高めることができる。
【0072】
〔第６の効果〕
本実施形態の場合、Ｄ１５０とＤ２５０とは、下記の（式１）の関係を有する。
（式１）０．８≦Ｄ２５０／Ｄ１５０≦１．２
以上の構成により、各層の微粒子（複数の蛍光体粒子及び複数の白色粒子）のメジアン径の差が比較的小さく設定されている。
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０は、支持層３５と蛍光体層３６との熱膨張係数（ＣＴＥ）の差が小さくなる結果、それらの界面に生じる応力が低減されている。
本実施形態の場合、Ｄ１５０とＤ２５０とは、下記の（式１）の関係を有する。
（式１）０．８≦Ｄ２５０／Ｄ１５０≦１．２
以上の構成により、各層の微粒子（複数の蛍光体粒子及び複数の白色粒子）のメジアン径の差が比較的小さく設定されている。
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０は、支持層３５と蛍光体層３６との熱膨張係数（ＣＴＥ）の差が小さくなる結果、それらの界面に生じる応力が低減されている。
【0073】
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
また、以上が、第１実施形態についての説明である。
また、以上が、第１実施形態についての説明である。
【0074】
【0075】
＜第２実施形態の構成＞
本実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）は、第１実施形態の蛍光体基板３０（図１Ｃ参照）に対して、支持層３５が回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１にも配置されている点で異なる。なお、支持層３５は、絶縁層３２の表面３１の一部及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１に形成されているが、その外表面は平坦となっている。
本実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）は、第１実施形態の蛍光体基板３０（図１Ｃ参照）に対して、支持層３５が回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１にも配置されている点で異なる。なお、支持層３５は、絶縁層３２の表面３１の一部及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１に形成されているが、その外表面は平坦となっている。
【0076】
＜第２実施形態の蛍光体基板の製造方法＞
次に、本実施形態の蛍光体基板３０Ａの製造方法について、図７Ａ～図７Ｄを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０Ａの製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
次に、本実施形態の蛍光体基板３０Ａの製造方法について、図７Ａ～図７Ｄを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０Ａの製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
【0077】
〔第１工程〕
本工程は、第１実施形態の場合と同じである（図３Ａを援用）。
本工程は、第１実施形態の場合と同じである（図３Ａを援用）。
【0078】
〔第２工程〕
図７Ａは、第２工程の開始時及び終了時を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、蛍光体を含まない層であって第３工程で形成される蛍光体層３６を支持する支持層３５を形成する工程である。本工程では、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分及び回路パターン層３４の外表面全域に白色塗料（図示省略、第１実施形態の場合と同じ）を塗布し、外表面が全域で平坦となるように支持層３５を形成する。本工程が終了すると、支持層３５として、白色顔料を含む単層構造の層が形成される。
図７Ａは、第２工程の開始時及び終了時を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、蛍光体を含まない層であって第３工程で形成される蛍光体層３６を支持する支持層３５を形成する工程である。本工程では、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分及び回路パターン層３４の外表面全域に白色塗料（図示省略、第１実施形態の場合と同じ）を塗布し、外表面が全域で平坦となるように支持層３５を形成する。本工程が終了すると、支持層３５として、白色顔料を含む単層構造の層が形成される。
【0079】
〔第３工程〕
図７Ｂは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。具体的には、本工程では、第２工程で形成した支持層３５の外表面に蛍光体塗料を塗布する。
図７Ｂは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。具体的には、本工程では、第２工程で形成した支持層３５の外表面に蛍光体塗料を塗布する。
【0080】
〔第４工程〕
図７Ｃは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部及び支持層３５の一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。接合面３４Ａ１を露出する工程は、第１実施形態と同様の工程において、レーザー光照射により除去方法や、写真印刷法、スクリーン印刷法などの手法を適宜選択して行う。本工程が終了すると、蛍光体基板３０Ａが製造される。
図７Ｃは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部及び支持層３５の一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。接合面３４Ａ１を露出する工程は、第１実施形態と同様の工程において、レーザー光照射により除去方法や、写真印刷法、スクリーン印刷法などの手法を適宜選択して行う。本工程が終了すると、蛍光体基板３０Ａが製造される。
【0081】
〔第５工程〕
図７Ｄは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程である。この工程は、第１実施形態の図３Ｅで説明した工程と同様にして、リフロー処理によって、各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０を搭載し接合する。本工程が終了すると、発光基板１０Ａが製造される。
図７Ｄは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程である。この工程は、第１実施形態の図３Ｅで説明した工程と同様にして、リフロー処理によって、各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０を搭載し接合する。本工程が終了すると、発光基板１０Ａが製造される。
【0082】
以上が、本実施形態の発光基板１０Ａの製造方法についての説明である。
【0083】
＜第２実施形態の発光基板の発光動作＞
次に、本実施形態の発光基板１０Ａの発光動作について説明する。本実施形態の発光基板１０Ａの発光動作は、基本的に第１実施形態の場合と同様である。しかしながら、本実施形態の発光基板１０Ａは、第１実施形態の場合と異なり、回路パターン層３４における非接合面３４Ｂ１が支持層３５で被覆されている。そのため、蛍光体層３６での励起光のうち回路パターン層３４に向かった励起光は、支持層３５により反射される。
次に、本実施形態の発光基板１０Ａの発光動作について説明する。本実施形態の発光基板１０Ａの発光動作は、基本的に第１実施形態の場合と同様である。しかしながら、本実施形態の発光基板１０Ａは、第１実施形態の場合と異なり、回路パターン層３４における非接合面３４Ｂ１が支持層３５で被覆されている。そのため、蛍光体層３６での励起光のうち回路パターン層３４に向かった励起光は、支持層３５により反射される。
【0084】
以上が、本実施形態の発光基板１０Ａの発光動作についての説明である。
【0085】
＜第２実施形態の効果＞
本実施形態の場合、第１実施形態の場合と異なり、蛍光体層３６の全領域が白色顔料を含む支持層３５により支持されている。そのため、本実施形態によれば、蛍光体層３６の全領域において、可視光とされる励起光の全波長領域の反射効果を高めることができる。
本実施形態のその他の効果は、第１実施形態の場合と同様である。
本実施形態の場合、第１実施形態の場合と異なり、蛍光体層３６の全領域が白色顔料を含む支持層３５により支持されている。そのため、本実施形態によれば、蛍光体層３６の全領域において、可視光とされる励起光の全波長領域の反射効果を高めることができる。
本実施形態のその他の効果は、第１実施形態の場合と同様である。
【0086】
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
また、以上が、第２実施形態についての説明である。
また、以上が、第２実施形態についての説明である。
【0087】
【0088】
＜第３実施形態の構成＞
本実施形態の蛍光体基板３０Ｂ（図８参照）は、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）に対して、支持層３５Ｂが多層構造である点で異なる。具体的には、本実施形態の支持層３５Ｂは、第１層３５Ｂ１（基層の一例）と、第２層３５Ｂ２（隣接層の一例）とで構成されている。第１層３５Ｂ１は、絶縁層３２の表面３１における回路パターン層３４が形成されている部分以外の部分に配置されている。そして、第１層３５Ｂ１の厚みは、回路パターン層３４の厚みよりも薄い。第２層３５Ｂ２は、第１層３５Ｂ１及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１に配置されている。ここで、第１層３５Ｂ１は、白色顔料を含まない層であり、一例として第１実施形態及び第２実施形態の支持層３５から白色顔料を除いた層である。また、第２層３５Ｂ２は、その一部が第１層３５Ｂ１と蛍光体層３６との間に配置され、残りの一部が回路パターン層３４と蛍光体層３６との間に配置されている。すなわち、第２層３５Ｂ２は、蛍光体層３６に隣接する層である。第２層３５Ｂ２は、白色顔料を含む層であり、一例として第１実施形態及び第２実施形態の支持層３５と同じ材質である。第２層３５Ｂ２の厚みは、一例として第１層３５Ｂ１の厚みよりも薄い。以上の構成より、第１層３５Ｂ１は、絶縁層３２と第２層３５Ｂ２との間に配置されている。また、本実施形態の支持層３５Ｂの厚みは、一例として蛍光体層３６の厚みよりも薄い。
本実施形態の蛍光体基板３０Ｂ（図８参照）は、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）に対して、支持層３５Ｂが多層構造である点で異なる。具体的には、本実施形態の支持層３５Ｂは、第１層３５Ｂ１（基層の一例）と、第２層３５Ｂ２（隣接層の一例）とで構成されている。第１層３５Ｂ１は、絶縁層３２の表面３１における回路パターン層３４が形成されている部分以外の部分に配置されている。そして、第１層３５Ｂ１の厚みは、回路パターン層３４の厚みよりも薄い。第２層３５Ｂ２は、第１層３５Ｂ１及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１に配置されている。ここで、第１層３５Ｂ１は、白色顔料を含まない層であり、一例として第１実施形態及び第２実施形態の支持層３５から白色顔料を除いた層である。また、第２層３５Ｂ２は、その一部が第１層３５Ｂ１と蛍光体層３６との間に配置され、残りの一部が回路パターン層３４と蛍光体層３６との間に配置されている。すなわち、第２層３５Ｂ２は、蛍光体層３６に隣接する層である。第２層３５Ｂ２は、白色顔料を含む層であり、一例として第１実施形態及び第２実施形態の支持層３５と同じ材質である。第２層３５Ｂ２の厚みは、一例として第１層３５Ｂ１の厚みよりも薄い。以上の構成より、第１層３５Ｂ１は、絶縁層３２と第２層３５Ｂ２との間に配置されている。また、本実施形態の支持層３５Ｂの厚みは、一例として蛍光体層３６の厚みよりも薄い。
【0089】
＜第３実施形態の蛍光体基板の製造方法＞
次に、本実施形態の蛍光体基板３０Ｂの製造方法について、図９Ａ～図９Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０Ｂの製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
次に、本実施形態の蛍光体基板３０Ｂの製造方法について、図９Ａ～図９Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０Ｂの製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
【0090】
〔第１工程〕
本工程は、第１実施形態の場合と同じである（図３Ａを援用）。
本工程は、第１実施形態の場合と同じである（図３Ａを援用）。
【0091】
〔第２工程〕
図９Ａは第２工程の開始時及び前半の終了時を示す図であり、図９Ｂは第２工程の前半の終了時（後半の開始時）及び後半の終了時（終了時）を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、支持層３５Ｂ（第１層３５Ｂ１及び第２層３５Ｂ２）を形成する工程である。すなわち、本工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２に、蛍光体を含まない層であって第３工程で形成される蛍光体層３６を支持する支持層３５Ｂを形成する工程である。本工程は、図９Ａに示される前半の工程と、図９Ｂに示される後半の工程とに分けられる。
図９Ａは第２工程の開始時及び前半の終了時を示す図であり、図９Ｂは第２工程の前半の終了時（後半の開始時）及び後半の終了時（終了時）を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、支持層３５Ｂ（第１層３５Ｂ１及び第２層３５Ｂ２）を形成する工程である。すなわち、本工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２に、蛍光体を含まない層であって第３工程で形成される蛍光体層３６を支持する支持層３５Ｂを形成する工程である。本工程は、図９Ａに示される前半の工程と、図９Ｂに示される後半の工程とに分けられる。
【0092】
前半の工程では、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分に第１層３５Ｂ１の元となる塗料（図示省略）を塗布し、第１層３５Ｂ１を形成する（図９Ａ参照）。
次いで、後半の工程では、前半の工程で形成した第１層３５Ｂ１及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１の外表面全域に第２層３５Ｂ２の元となる白色塗料（図示省略、第１実施形態の場合と同じ）を塗布し、外表面が全域で平坦な第２層３５Ｂ２を形成する（図９Ｂ参照）。
そして、本工程が終了すると、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分に、多層構造である支持層３５Ｂ（第１層３５Ｂ１及び第２層３５Ｂ２）が形成される。
次いで、後半の工程では、前半の工程で形成した第１層３５Ｂ１及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１の外表面全域に第２層３５Ｂ２の元となる白色塗料（図示省略、第１実施形態の場合と同じ）を塗布し、外表面が全域で平坦な第２層３５Ｂ２を形成する（図９Ｂ参照）。
そして、本工程が終了すると、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分に、多層構造である支持層３５Ｂ（第１層３５Ｂ１及び第２層３５Ｂ２）が形成される。
【0093】
〔第３工程〕
図９Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。具体的には、本工程では、第２工程で形成した支持層３５Ｂの外表面（第２層３５Ｂ２の外表面）に蛍光体塗料（図示省略）を塗布する。
図９Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。具体的には、本工程では、第２工程で形成した支持層３５Ｂの外表面（第２層３５Ｂ２の外表面）に蛍光体塗料（図示省略）を塗布する。
【0094】
〔第４工程〕
図９Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部及び支持層３５Ｂの一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。接合面３４Ａ１を露出させる工程は、第１、第２実施形態と同様の工程において、レーザー光照射により除去方法や、写真印刷法、スクリーン印刷法などの手法を適宜選択して行う。本工程が終了すると、蛍光体基板３０Ｂが製造される。
図９Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部及び支持層３５Ｂの一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。接合面３４Ａ１を露出させる工程は、第１、第２実施形態と同様の工程において、レーザー光照射により除去方法や、写真印刷法、スクリーン印刷法などの手法を適宜選択して行う。本工程が終了すると、蛍光体基板３０Ｂが製造される。
【0095】
〔第５工程〕
図９Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０Ｂに複数の発光素子２０を搭載する工程である。この工程は、第１及び第２実施形態の図３Ｅ、図７Ｄで説明した工程と同様にして、リフロー処理によって、各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０を搭載し接合する。
本工程が終了すると、発光基板１０Ｂが製造される。
図９Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０Ｂに複数の発光素子２０を搭載する工程である。この工程は、第１及び第２実施形態の図３Ｅ、図７Ｄで説明した工程と同様にして、リフロー処理によって、各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０を搭載し接合する。
本工程が終了すると、発光基板１０Ｂが製造される。
【0096】
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｂの製造方法についての説明である。
【0097】
＜第３実施形態の発光基板の発光動作＞
本実施形態の発光基板１０Ｂの発光動作は、基本的に第２実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｂの発光動作についての説明である。
本実施形態の発光基板１０Ｂの発光動作は、基本的に第２実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｂの発光動作についての説明である。
【0098】
＜第３実施形態の効果＞
本実施形態の蛍光体基板３０Ｂは、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）と同様に、蛍光体層３６の全領域が白色顔料を含む支持層３５Ｂにより支持されている。具体的には、蛍光体層３６は支持層３５Ｂを構成する第２層３５Ｂ２上に配置されている。そのため、本実施形態によれば、蛍光体層３６の全領域において、可視光とされる励起光の全波長領域の反射効果を高めることができる。
また、本実施形態の蛍光体基板３０Ｂは、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）と異なり、支持層３５Ｂの下側の部分が白色顔料を含まない第１層３５Ｂ１で構成されている。そのため、本実施形態の蛍光体基板３０Ｂは、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａに比べて、安価である。
本実施形態のその他の効果は、第１実施形態及び第２実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
本実施形態の蛍光体基板３０Ｂは、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）と同様に、蛍光体層３６の全領域が白色顔料を含む支持層３５Ｂにより支持されている。具体的には、蛍光体層３６は支持層３５Ｂを構成する第２層３５Ｂ２上に配置されている。そのため、本実施形態によれば、蛍光体層３６の全領域において、可視光とされる励起光の全波長領域の反射効果を高めることができる。
また、本実施形態の蛍光体基板３０Ｂは、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）と異なり、支持層３５Ｂの下側の部分が白色顔料を含まない第１層３５Ｂ１で構成されている。そのため、本実施形態の蛍光体基板３０Ｂは、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａに比べて、安価である。
本実施形態のその他の効果は、第１実施形態及び第２実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
【0099】
以上が、第３実施形態についての説明である。
【0100】
【0101】
＜第４実施形態の構成＞
本実施形態の蛍光体基板３０Ｃ（図１０参照）は、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）と異なり、回路パターン層３４の接合面３４Ａ１が非接合面３４Ａ２よりも絶縁層３２の厚み方向外側に位置している。別言すると、本実施形態の場合、第２実施形態の場合と異なり、各電極対２４Ａが配線部分３４Ｂよりも絶縁層３２の厚み方向外側に突出している。
本実施形態の蛍光体基板３０Ｃ（図１０参照）は、第２実施形態の蛍光体基板３０Ａ（図６参照）と異なり、回路パターン層３４の接合面３４Ａ１が非接合面３４Ａ２よりも絶縁層３２の厚み方向外側に位置している。別言すると、本実施形態の場合、第２実施形態の場合と異なり、各電極対２４Ａが配線部分３４Ｂよりも絶縁層３２の厚み方向外側に突出している。
【0102】
＜第４実施形態の蛍光体基板の製造方法＞
次に、本実施形態の蛍光体基板３０Ｃの製造方法について、図１１Ａ～図１１Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０Ｃの製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
次に、本実施形態の蛍光体基板３０Ｃの製造方法について、図１１Ａ～図１１Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０Ｃの製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
【0103】
〔第１工程〕
図１１Ａは、第１工程の開始時及び終了時を示す図である。第１工程は、マザーボードＭＢの表面３１側に回路パターン層３４を、裏面３３側に裏面パターン層３８を形成する工程である。
なお、本工程で回路パターン層３４を形成する場合、まずマザーボードＭＢの表面３１側に厚み方向から見て回路パターン層３４と同じ形状のパターンを例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより形成する。次いで、当該パターンの一部（配線部分３４Ｂに相当する部分）を例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングによりハーフハッチ（厚み方向の途中までエッチング）する。
図１１Ａは、第１工程の開始時及び終了時を示す図である。第１工程は、マザーボードＭＢの表面３１側に回路パターン層３４を、裏面３３側に裏面パターン層３８を形成する工程である。
なお、本工程で回路パターン層３４を形成する場合、まずマザーボードＭＢの表面３１側に厚み方向から見て回路パターン層３４と同じ形状のパターンを例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより形成する。次いで、当該パターンの一部（配線部分３４Ｂに相当する部分）を例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングによりハーフハッチ（厚み方向の途中までエッチング）する。
【0104】
〔第２工程〕
図１１Ｂは、第２工程の開始時及び前半の終了時を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、支持層３５Ｃを形成する工程である。本工程では、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１の外表面全域に白色塗料（図示省略、第１実施形態の場合と同じ）を塗布し支持層３５Ｃを形成する。この場合、本工程では、すべての電極対３４Ａが支持層３５Ｃの外表面よりも突出した状態で、支持層３５Ｃの外表面が全域で平坦となるようにする。本工程が終了すると、支持層３５Ｃとして、白色顔料を含む単層構造の層が形成される。
図１１Ｂは、第２工程の開始時及び前半の終了時を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、支持層３５Ｃを形成する工程である。本工程では、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１の外表面全域に白色塗料（図示省略、第１実施形態の場合と同じ）を塗布し支持層３５Ｃを形成する。この場合、本工程では、すべての電極対３４Ａが支持層３５Ｃの外表面よりも突出した状態で、支持層３５Ｃの外表面が全域で平坦となるようにする。本工程が終了すると、支持層３５Ｃとして、白色顔料を含む単層構造の層が形成される。
【0105】
〔第３工程〕
図１１Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。具体的には、本工程では、第２工程で形成した支持層３５Ｃの外表面に蛍光体塗料（図示省略）を塗布する。この場合、本工程では、すべての電極対３４Ａが蛍光体層３６に被覆されるように蛍光体層３６を形成する。
図１１Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。具体的には、本工程では、第２工程で形成した支持層３５Ｃの外表面に蛍光体塗料（図示省略）を塗布する。この場合、本工程では、すべての電極対３４Ａが蛍光体層３６に被覆されるように蛍光体層３６を形成する。
【0106】
〔第４工程〕
図１１Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。接合面３４Ａ１を露出させる工程は、第１～第３実施形態と同様の工程において、レーザー光照射により除去方法や、写真印刷法、スクリーン印刷法などの手法を適宜選択して行う
本工程が終了すると、蛍光体基板３０Ｃが製造される。
図１１Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。接合面３４Ａ１を露出させる工程は、第１～第３実施形態と同様の工程において、レーザー光照射により除去方法や、写真印刷法、スクリーン印刷法などの手法を適宜選択して行う
本工程が終了すると、蛍光体基板３０Ｃが製造される。
【0107】
〔第５工程〕
図１１Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０Ｃに複数の発光素子２０を搭載する工程である。この工程は、第１～第３実施形態の図３Ｅ、図７Ｄ、図９Ｅで説明した工程と同様にして、リフロー処理によって、各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０を搭載し接合する。本工程が終了すると、発光基板１０Ｃが製造される。
図１１Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０Ｃに複数の発光素子２０を搭載する工程である。この工程は、第１～第３実施形態の図３Ｅ、図７Ｄ、図９Ｅで説明した工程と同様にして、リフロー処理によって、各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０を搭載し接合する。本工程が終了すると、発光基板１０Ｃが製造される。
【0108】
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｃの製造方法についての説明である。
【0109】
＜第４実施形態の発光基板の発光動作＞
本実施形態の発光基板１０Ｃの発光動作は、基本的に第２実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｃの発光動作についての説明である。
本実施形態の発光基板１０Ｃの発光動作は、基本的に第２実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｃの発光動作についての説明である。
【0110】
＜第４実施形態の効果＞
本実施形態の効果は、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
本実施形態の効果は、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
【0111】
以上が、第４実施形態についての説明である。
【0112】
【0113】
＜第５実施形態の構成＞
本実施形態の蛍光体基板３０Ｄ（図１２参照）は、第４実施形態の蛍光体基板３０Ｃ（図１０参照）と異なり、支持層３５Ｄが多層構造である点で異なる。具体的には、本実施形態の支持層３５Ｄは、第１層３５Ｄ１（基層の一例）と、第２層３５Ｄ２（隣接層の一例）とで構成されている。第１層３５Ｄ１は、絶縁層３２の表面３１における回路パターン層３４が形成されている部分以外の部分に配置されている。そして、第１層３５Ｄ１の厚みは、回路パターン層３４の厚みよりも薄い。第２層３５Ｄ２は、第１層３５Ｄ１及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１に配置されている。ここで、第１層３５Ｄ１は、白色顔料を含まない層であり、一例として、第３実施形態の第１層３５Ｂ１と同じ層である。また、第２層３５Ｄ２は、その一部が第１層３５Ｄ１と蛍光体層３６との間に配置され、残りの一部が回路パターン層３４と蛍光体層３６との間に配置されている。すなわち、第２層３５Ｄ２は、蛍光体層３６に隣接する層である。第２層３５Ｄ２は、白色顔料を含む層であり、一例として第３実施形態の第２層３５Ｂ２と同じ材質である。第２層３５Ｄ２の厚みは、一例として第１層３５Ｄ１の厚みよりも薄い。以上の構成より、第１層３５Ｄ１は、絶縁層３２と第２層３５Ｄ２との間に配置されている。また、本実施形態の支持層３５Ｄの厚みは、一例として蛍光体層３６の厚みよりも薄い。
本実施形態の蛍光体基板３０Ｄ（図１２参照）は、第４実施形態の蛍光体基板３０Ｃ（図１０参照）と異なり、支持層３５Ｄが多層構造である点で異なる。具体的には、本実施形態の支持層３５Ｄは、第１層３５Ｄ１（基層の一例）と、第２層３５Ｄ２（隣接層の一例）とで構成されている。第１層３５Ｄ１は、絶縁層３２の表面３１における回路パターン層３４が形成されている部分以外の部分に配置されている。そして、第１層３５Ｄ１の厚みは、回路パターン層３４の厚みよりも薄い。第２層３５Ｄ２は、第１層３５Ｄ１及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１に配置されている。ここで、第１層３５Ｄ１は、白色顔料を含まない層であり、一例として、第３実施形態の第１層３５Ｂ１と同じ層である。また、第２層３５Ｄ２は、その一部が第１層３５Ｄ１と蛍光体層３６との間に配置され、残りの一部が回路パターン層３４と蛍光体層３６との間に配置されている。すなわち、第２層３５Ｄ２は、蛍光体層３６に隣接する層である。第２層３５Ｄ２は、白色顔料を含む層であり、一例として第３実施形態の第２層３５Ｂ２と同じ材質である。第２層３５Ｄ２の厚みは、一例として第１層３５Ｄ１の厚みよりも薄い。以上の構成より、第１層３５Ｄ１は、絶縁層３２と第２層３５Ｄ２との間に配置されている。また、本実施形態の支持層３５Ｄの厚みは、一例として蛍光体層３６の厚みよりも薄い。
【0114】
＜第５実施形態の蛍光体基板の製造方法＞
次に、本実施形態の蛍光体基板３０Ｄの製造方法について、図１３Ａ～図１３Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０Ｄの製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
次に、本実施形態の蛍光体基板３０Ｄの製造方法について、図１３Ａ～図１３Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０Ｄの製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
【0115】
〔第１工程〕
本工程は、第４実施形態の場合と同じである（図１１Ａを援用）。
本工程は、第４実施形態の場合と同じである（図１１Ａを援用）。
【0116】
〔第２工程〕
図１３Ａは第２工程の開始時及び前半の終了時を示す図であり、図１３Ｂは第２工程の前半の終了時（後半の開始時）及び後半の終了時（終了時）を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、支持層３５Ｄを形成する工程である。すなわち、本工程は、絶縁層３２に、蛍光体を含まない層であって第３工程で形成される蛍光体層３６を支持する支持層３５Ｄを形成する工程である。本工程は、図１３Ａに示される前半の工程と、図１３Ｂに示される後半の工程とに分けられる。
図１３Ａは第２工程の開始時及び前半の終了時を示す図であり、図１３Ｂは第２工程の前半の終了時（後半の開始時）及び後半の終了時（終了時）を示す図である。第２工程（支持層形成工程の一例）は、絶縁層３２と第３工程で形成される蛍光体層３６との間に、支持層３５Ｄを形成する工程である。すなわち、本工程は、絶縁層３２に、蛍光体を含まない層であって第３工程で形成される蛍光体層３６を支持する支持層３５Ｄを形成する工程である。本工程は、図１３Ａに示される前半の工程と、図１３Ｂに示される後半の工程とに分けられる。
【0117】
前半の工程では、絶縁層３２の表面３１における、回路パターン層３４が配置されている部分以外の部分に第１層３５Ｄ１の元となる塗料（図示省略）を塗布し、第１層３５Ｄ１を形成する（図１３Ａ参照）。
次いで、後半の工程では、前半の工程で形成した第１層３５Ｄ１及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１の外表面全域に第２層３５Ｄ２の元となる白色塗料（図示省略、第１実施形態の場合と同じ）を塗布し、第２層３５Ｄ２を形成する（図１３Ｂ照）。この場合、本工程では、すべての電極対３４Ａが第１層３５Ｄ１の外表面よりも絶縁層３２の外表面から突出した状態で、支持層３５Ｄの外表面が全域で平坦となるようにする。本工程が終了すると、多層構造の支持層３５Ｄが形成される。
次いで、後半の工程では、前半の工程で形成した第１層３５Ｄ１及び回路パターン層３４の非接合面３４Ｂ１の外表面全域に第２層３５Ｄ２の元となる白色塗料（図示省略、第１実施形態の場合と同じ）を塗布し、第２層３５Ｄ２を形成する（図１３Ｂ照）。この場合、本工程では、すべての電極対３４Ａが第１層３５Ｄ１の外表面よりも絶縁層３２の外表面から突出した状態で、支持層３５Ｄの外表面が全域で平坦となるようにする。本工程が終了すると、多層構造の支持層３５Ｄが形成される。
【0118】
〔第３工程〕
図１３Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。本工程は、基本的に第４実施形態の場合と同じように行われる。
図１３Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程（蛍光体層形成工程の一例）は、絶縁層３２の表面３１側に、蛍光体塗料（図示省略）を塗布して、蛍光体層３６を形成する工程である。本工程は、基本的に第４実施形態の場合と同じように行われる。
【0119】
〔第４工程〕
図１３Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。接合面３４Ａ１を露出させる工程は、第１～第４実施形態と同様の工程において、レーザー光照射により除去方法や、写真印刷法、スクリーン印刷法などの手法を適宜選択して行う。
本工程が終了すると、蛍光体基板３０Ｄが製造される。
図１３Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体層３６の一部を除去して、回路パターン層３４のすべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。接合面３４Ａ１を露出させる工程は、第１～第４実施形態と同様の工程において、レーザー光照射により除去方法や、写真印刷法、スクリーン印刷法などの手法を適宜選択して行う。
本工程が終了すると、蛍光体基板３０Ｄが製造される。
【0120】
〔第５工程〕
図１３Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０Ｄに複数の発光素子２０を搭載する工程である。この工程は、第１～第４実施形態の図３Ｅ、図７Ｄ、図９Ｅ、図１１Ｅで説明した工程と同様にして、リフロー処理によって、各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０を搭載し接合する。
本工程が終了すると、発光基板１０Ｄが製造される。
図１３Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程（接合工程の一例）は、蛍光体基板３０Ｄに複数の発光素子２０を搭載する工程である。この工程は、第１～第４実施形態の図３Ｅ、図７Ｄ、図９Ｅ、図１１Ｅで説明した工程と同様にして、リフロー処理によって、各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０を搭載し接合する。
本工程が終了すると、発光基板１０Ｄが製造される。
【0121】
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｄの製造方法についての説明である。
【0122】
＜第５実施形態の発光基板の発光動作＞
本実施形態の発光基板１０Ｄの発光動作は、基本的に第２実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｄの発光動作についての説明である。
本実施形態の発光基板１０Ｄの発光動作は、基本的に第２実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の発光基板１０Ｄの発光動作についての説明である。
【0123】
＜第５実施形態の効果＞
本実施形態の蛍光体基板３０Ｄは、第４実施形態の蛍光体基板３０Ｃ（図１０参照）と異なり、支持層３５Ｄの下側の部分が白色顔料を含まない第１層３５Ｄ１で構成されている。そのため、本実施形態の蛍光体基板３０Ｄは、第４実施形態の蛍光体基板３０Ｃに比べて、安価である。
本実施形態のその他の効果は、第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態及び第４実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
本実施形態の蛍光体基板３０Ｄは、第４実施形態の蛍光体基板３０Ｃ（図１０参照）と異なり、支持層３５Ｄの下側の部分が白色顔料を含まない第１層３５Ｄ１で構成されている。そのため、本実施形態の蛍光体基板３０Ｄは、第４実施形態の蛍光体基板３０Ｃに比べて、安価である。
本実施形態のその他の効果は、第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態及び第４実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
【0124】
以上が、第５実施形態についての説明である。
【0125】
以上のとおり、本発明について前述の各実施形態を例として説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような形態（変形例）も含まれる。
【0126】
例えば、各実施形態の説明では、発光素子２０の一例をＣＳＰであるとした。しかしながら、発光素子２０の一例はＣＳＰ以外でもよい。例えば、単にフリップチップを搭載したものでもよい。また、ＣＯＢデバイスの基板自身に応用することもできる。
【0127】
また、各実施形態の説明では、蛍光体基板３０には複数の発光素子２０が搭載され、発光基板１０は複数の発光素子２０を備えているとした。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、発光素子２０が１つであっても第１の効果を奏することは明らかである。しかたがって、蛍光体基板３０に搭載される発光素子２０の数は少なくとも１つであればよい。また、発光基板１０に搭載されている発光素子２０は少なくとも１つであればよい。
【0128】
また、各実施形態の説明では、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面は、回路パターン層３４よりも当該厚み方向外側に位置しているとした（図１Ｃ、図３Ｄ等参照）。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面が回路パターン層３４の接合面３４Ａ１と当該厚み方向において同じ又は接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向内側の位置としてもよい。
【0129】
また、各実施形態の説明では、蛍光体基板３０の裏面３３側に裏面パターン層３８が備えられているとした（図１Ｂ参照）。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体基板３０の裏面３３側に裏面パターン層３８が備えられていなくてもよい。
【0130】
また、本実施形態の説明では、蛍光体層３６は、絶縁層３２及び回路パターン層３４の表面３１側における、複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されているとした（図２Ｂ参照）。しかしながら、蛍光体層３６は、蛍光体基板３０の表面３１側における複数の電極対３４Ａ以外の部分の全域に亘って配置されていなくてもよい。
【0131】
また、各実施形態の説明では、蛍光体基板３０及び発光基板１０を製造するに当たり、利昌工業株式会社製のＣＳ－３３０５ＡをマザーボードＭＢとして用いると説明した。しかしながら、これは一例であり、異なるマザーボードＭＢを用いてもよい。例えば、利昌工業株式会社製のＣＳ－３３０５Ａの絶縁層厚、銅箔厚等の標準仕様にこだわるものではなく、特に銅箔圧は更に厚いものを用いてもよい。
【0132】
なお、各実施形態の発光基板１０（その変形例も含む）は、他の構成要素と組み合せて、照明装置に応用することができる。この場合における他の構成要素は、発光基板１０の発光素子２０を発光させるための電力を供給する電源等である。
【0133】
また、第３実施形態では、支持層３５Ｂは、第１層３５Ｂ１及び第２層３５Ｂ２で構成される２層構造を多層構造として説明した。しかしながら、支持層３５Ｂが白色顔料を含む層を含んでいれば、多層構造である支持層３５Ｂは３層構造以上の構造であってもよい。この点については、第５実施形態の場合も同じである。
【0134】
この出願は、２０２０年８月２８日に出願された日本出願特願２０２０－１４４２９８号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【符号の説明】
【0135】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ 発光基板
２０ 発光素子
２２ ＬＥＤ
３０、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ 蛍光体基板
３２ 絶縁層（絶縁基板の一例）
３４ 回路パターン層
３４Ａ 電極対
３４Ａ１ 接合面
３４Ａ２ 非接合面
３４Ｂ 配線部分
３４Ｂ１ 非接合面
３５、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ 支持層
３５Ｂ１、３０Ｄ１ 第１層
３５Ｂ２、３０Ｄ２ 第２層
３６ 蛍光体層
３７ 端子
３８ 裏面パターン層
３９ 貫通孔
Ｌ 光
ＭＢ マザーボード
ＳＰ はんだペースト
２０ 発光素子
２２ ＬＥＤ
３０、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ 蛍光体基板
３２ 絶縁層（絶縁基板の一例）
３４ 回路パターン層
３４Ａ 電極対
３４Ａ１ 接合面
３４Ａ２ 非接合面
３４Ｂ 配線部分
３４Ｂ１ 非接合面
３５、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ 支持層
３５Ｂ１、３０Ｄ１ 第１層
３５Ｂ２、３０Ｄ２ 第２層
３６ 蛍光体層
３７ 端子
３８ 裏面パターン層
３９ 貫通孔
Ｌ 光
ＭＢ マザーボード
ＳＰ はんだペースト
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図9E】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図11C】
【図11D】
【図11E】
【図12】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図13D】
【図13E】