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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-11
(45)【発行日】2024-11-19
(54)【発明の名称】光学フィルタ及びその製造方法、並びに殺菌装置
(51)【国際特許分類】
G02B 5/28 20060101AFI20241112BHJP
G02B 5/26 20060101ALI20241112BHJP
【ＦＩ】
G02B5/28
G02B5/26
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2022543984
(86)(22)【出願日】2021-08-19
(86)【国際出願番号】 JP2021030344
(87)【国際公開番号】W WO2022039216
(87)【国際公開日】2022-02-24
【審査請求日】2024-04-03
(31)【優先権主張番号】P 2020139174
(32)【優先日】2020-08-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2020205684
(32)【優先日】2020-12-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021100430
(32)【優先日】2021-06-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000232243
【氏名又は名称】日本電気硝子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001232
【氏名又は名称】弁理士法人大阪フロント特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】今村 努
(72)【発明者】
【氏名】佐原 啓一
(72)【発明者】
【氏名】中室 友良
(72)【発明者】
【氏名】伊村 正明
【審査官】渡邊 吉喜
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－０６８８８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－１３９９４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０２－１９２１８９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｂ ５／２８
Ｇ０２Ｂ ５／２６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
透明基材と、前記透明基材上に設けられており、酸化ハフニウムを含む、誘電体多層膜と、
を備え、
入射角０°において波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値が、５０％以上であり、
入射角０°において波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値が、５％以下であり、
前記誘電体多層膜が、立方晶系酸化ハフニウム結晶を含む、光学フィルタ。
【請求項2】
Ｘ線回折測定において、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークが、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークよりも大きい、請求項１に記載の光学フィルタ。
【請求項3】
前記誘電体多層膜が、相対的に屈折率が高い高屈折率膜と、相対的に屈折率が低い低屈折率膜とを有し、前記高屈折率膜が、前記酸化ハフニウムを含む膜である、請求項１又は２に記載の光学フィルタ。
【請求項4】
前記低屈折率膜が、酸化ケイ素を含む膜である、請求項３に記載の光学フィルタ。
【請求項5】
前記誘電体多層膜の最外層が、前記酸化ハフニウムを含む膜である、請求項１～４のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項6】
前記最外層の厚みが、１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下である、請求項５に記載の光学フィルタ。
【請求項7】
入射角３０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ３０と、入射角０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ０との比（Ｔ３０／Ｔ０）が、０．５以上である、請求項１～６のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項8】
前記誘電体多層膜が、相対的に屈折率が高い高屈折率膜と、相対的に屈折率が低い低屈折率膜とを有し、前記高屈折率膜の総厚みｔＨと、前記低屈折率膜の総厚みｔＬとの比（ｔＨ／ｔＬ）が、０．２以上である、請求項１～７のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項9】
前記高屈折率膜の総厚みｔＨと、前記低屈折率膜の総厚みｔＬとの比（ｔＨ／ｔＬ）が、０．５以上である、請求項８に記載の光学フィルタ。
【請求項10】
入射角０°において、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの分光透過率の最小値が、５０％以上であり、
波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値が、１０％以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項11】
入射角４０°において、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値が、２０％以下である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項12】
透明基材と、前記透明基材上に設けられており、酸化ハフニウムを含む、誘電体多層膜と、を備え、入射角０°において波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値が、５０％以上であり、入射角０°において波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値が、５％以下である、光学フィルタの製造方法であって、スパッタリング法により、透明基材上に酸化ハフニウムを含む誘電体多層膜を成膜し、膜付き透明基材を得る工程と、
前記膜付き透明基材を５００℃以上の温度で加熱処理する工程と、
を備える、光学フィルタの製造方法。
【請求項13】
前記膜付き透明基材における加熱処理の温度が、８００℃以下である、請求項１２に記載の光学フィルタの製造方法。
【請求項14】
処理対象微生物を不活化処理するための殺菌装置であって、放出光の波長が、波長１９０ｎｍ～２３０ｎｍの波長域に存在する、光源と、
請求項１～１１のいずれか１項に記載の光学フィルタと、
を備える、殺菌装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、特定の波長域の光を選択的に透過させることのできる光学フィルタ及び該光学フィルタの製造方法、並びに該光学フィルタを用いた殺菌装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、特定の波長域の光を選択的に透過させることのできる光学フィルタが、種々の用途で広く用いられている。このような光学フィルタとしては、誘電体膜を用いたバンドパスフィルタが知られている。
【0003】
例えば、下記の特許文献１には、波長２５０ｎｍ以下の特定の紫外光に対して透過率が最大となるように形成されたバンドパスフィルタが開示されている。特許文献１のバンドパスフィルタでは、誘電体膜からなるキャビティ層の上下が金属薄膜により被覆されている。特許文献１では、上記金属薄膜が、バンドパスフィルタにおける可視域の波長の光の透過率が１０％以下となる膜厚であることが記載されている。また、上記キャビティ層が、誘電体膜からなる層であり、誘電体としては、二酸化ケイ素、フッ化ランタン、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム等が用いられることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１３－０６８８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、皮膚等についた細菌やウイルスの殺菌処理などの紫外線による殺菌処理においては、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの紫外線を発光するエキシマランプなどが用いられている。しかしながら、エキシマランプにおいては、人体に有害な波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍの紫外線もわずかに発光するという問題がある。
【0006】
特許文献１のようなバンドパスフィルタを用いた場合においても、このような波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過を十分に抑制することが困難であった。特に、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過を抑制しようとすると、一方で波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線を十分に透過させ難くなることから、人体に有害な紫外線の透過の抑制と、殺菌処理に有用な紫外線の高効率な透過とを高いレベルで両立することが難しいという問題がある。
【0007】
本発明の目的は、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過を抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線を効果的に透過させることができる、光学フィルタ及び該光学フィルタの製造方法、並びに該光学フィルタを用いた殺菌装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係る光学フィルタは、透明基材と、前記透明基材上に設けられており、酸化ハフニウムを含む、誘電体多層膜と、を備え、入射角０°において波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値が、５０％以上であり、入射角０°において波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値が、５％以下であることを特徴としている。
【0009】
本発明においては、前記誘電体多層膜が、立方晶系酸化ハフニウム結晶を含むことが好ましい。
【0010】
本発明においては、Ｘ線回折測定において、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークが、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークよりも大きいことが好ましい。
【0011】
本発明においては、前記誘電体多層膜が、相対的に屈折率が高い高屈折率膜と、相対的に屈折率が低い低屈折率膜とを有し、前記高屈折率膜が、前記酸化ハフニウムを含む膜であることが好ましい。前記低屈折率膜が、酸化ケイ素を含む膜であることがより好ましい。
【0012】
本発明においては、前記誘電体多層膜の最外層が、前記酸化ハフニウムを含む膜であることが好ましい。前記最外層の厚みが、１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0013】
本発明においては、入射角３０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ３０と、入射角０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ０との比（Ｔ３０／Ｔ０）が、０．５以上であることが好ましい。
【0014】
本発明においては、前記誘電体多層膜が、相対的に屈折率が高い高屈折率膜と、相対的に屈折率が低い低屈折率膜とを有し、前記高屈折率膜の総厚みｔＨと、前記低屈折率膜の総厚みｔＬとの比（ｔＨ／ｔＬ）が、０．２以上であることが好ましい。前記高屈折率膜の総厚みｔＨと、前記低屈折率膜の総厚みｔＬとの比（ｔＨ／ｔＬ）が、０．５以上であることがより好ましい。
【0015】
本発明においては、入射角０°において、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの分光透過率の最小値が、５０％以上であり、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値が、１０％以下であることが好ましい。
【0016】
本発明においては、入射角４０°において、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値が、２０％以下であることが好ましい。
【0017】
本発明に係る光学フィルタの製造方法は、本発明に従って構成される光学フィルタの製造方法であって、スパッタリング法により、透明基材上に酸化ハフニウムを含む誘電体多層膜を成膜し、膜付き透明基材を得る工程と、前記膜付き透明基材を５００℃以上の温度で加熱処理する工程と、を備えることを特徴としている。
【0018】
本発明においては、前記膜付き透明基材における加熱処理の温度が、８００℃以下であることが好ましい。
【0019】
本発明に係る殺菌装置は、処理対象微生物を不活化処理するための殺菌装置であって、放出光の波長が、波長１９０ｎｍ～２３０ｎｍの波長域に存在する、光源と、本発明に従って構成される光学フィルタとを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【0020】
本発明によれば、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過を抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線を効果的に透過させることができる、光学フィルタ及び該光学フィルタの製造方法、並びに該光学フィルタを用いた殺菌装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
【0023】
［第１の実施形態］
（光学フィルタ）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光学フィルタを示す模式的断面図である。図１に示すように、光学フィルタ１は、透明基材２と、誘電体多層膜３とを備える。透明基材２上に、誘電体多層膜３が設けられている。
（光学フィルタ）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光学フィルタを示す模式的断面図である。図１に示すように、光学フィルタ１は、透明基材２と、誘電体多層膜３とを備える。透明基材２上に、誘電体多層膜３が設けられている。
【0024】
本実施形態において、透明基材２は、矩形板状の形状を有する。もっとも、透明基材２は、例えば、円板状等の形状を有していてもよく、その形状は特に限定されない。
【0025】
透明基材２の厚みは、特に限定されず、光透過率などに応じて適宜設定することができる。透明基材２の厚みは、例えば、０．１ｍｍ～３０ｍｍ程度とすることができる。
【0026】
透明基材２は、光学フィルタ１の使用波長域で透明な基材であることが好ましい。より具体的には、透明基材２は、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外波長域の平均光透過率が８０％以上であることが好ましい。
【0027】
透明基材２の材料としては、特に限定されず、例えば、ガラス、樹脂等が挙げられる。ガラスとしては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。石英ガラスは、合成石英ガラスであってもよく、溶融石英ガラスであってもよい。ホウケイ酸ガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２ ５５％～７５％、Ａｌ２Ｏ３ １％～１０％、Ｂ２Ｏ３ １０％～３０％、ＣａＯ ０％～５％、ＢａＯ ０％～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ １．０％～１５％を含有することが好ましく、さらには、ＴｉＯ２ ０％～０．００１％、Ｆｅ２Ｏ３ ０％～０．００１％、Ｆ ０．５％～２．０％を含有することがより好ましい。
【0028】
透明基材２は、対向している第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する。透明基材２の第１の主面２ａ上には、フィルタ部としての誘電体多層膜３が設けられている。
【0029】
誘電体多層膜３は、相対的に屈折率が高い高屈折率膜４と相対的に屈折率が低い低屈折率膜５とを有する、多層膜である。本実施形態では、透明基材２の第１の主面２ａ上に、高屈折率膜４及び低屈折率膜５がこの順に交互に積層されることにより、多層膜が構成されている。
【0030】
高屈折率膜４は、酸化ハフニウムにより構成されており、酸化ハフニウムを主成分とする膜である。なお、本明細書において、主成分とする膜とは、膜中にその材料が５０質量％以上含まれている膜のことをいうものとする。当然ながら、その材料を１００質量％含む膜であってもよい。
【0031】
本実施形態において、低屈折率膜５は、酸化ケイ素により構成されており、酸化ケイ素を主成分とする膜である。もっとも、低屈折率膜５は、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、又は窒化ケイ素等を主成分とする膜であってもよい。これらの低屈折率膜５の材料は、１種を単独で用いてもよく、複数種を併用してもよい。
【0032】
高屈折率膜４の１層当たりの厚みは、特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは６０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
【0033】
低屈折率膜５の１層当たりの厚みは、特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは６０ｎｍ以下である。
【0034】
誘電体多層膜３全体の厚みとしては、特に限定されないが、好ましくは１０００ｎｍ以上、より好ましくは１５００ｎｍ以上、好ましくは３０００ｎｍ以下、より好ましくは２０００ｎｍ以下である。
【0035】
また、誘電体多層膜３を構成する膜の層数は、好ましくは２０層以上、より好ましくは３０層以上、好ましくは１００層以下、より好ましくは８０層以下である。
【0036】
本実施形態の光学フィルタ１は、このような誘電体多層膜３を備えることにより、光の干渉で特定の波長域の光を選択的に透過させるように設計されたバンドパスフィルタである。具体的には、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値が５０％以上となり、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値が５％以下となるように設計されたバンドパスフィルタである。
【0037】
なお、本明細書において、分光透過率は、例えば、分光透過率計（日立ハイテクサイエンス社製、品番「ＵＨ４１５０」）を用いて光学フィルタ１全体の分光透過率を測定することにより求めることができる。測定条件としては、例えば、光学フィルタ１の主面１ａ側から測定し、入射角度を０°とし、測定波長を１９０ｎｍ～４００ｎｍとして測定することができる。
【0038】
このように、本実施形態の光学フィルタ１の特徴は、透明基材２上に酸化ハフニウムを含む、誘電体多層膜３が設けられており、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値が５０％以上であり、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値が５％以下であることにある。なお、この場合、後述する入射角θは、０°であるものとする。
【0039】
これにより、光学フィルタ１では、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過を抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線を効果的に透過させることができる。
【0040】
このように、光学フィルタ１では、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過を抑制できるので、人体に有害な紫外線の透過を抑制することができる。また、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性に優れるので、皮膚の殺菌処理などの殺菌処理に有用な紫外線を効果的に透過させることができる。
【0041】
従って、本実施形態の光学フィルタ１によれば、例えば、エキシマランプ等の紫外線照射装置を用いた場合に、人体に有害な紫外線の透過を抑制しつつ、殺菌処理に有用な紫外線を効果的に透過させることができる。
【0042】
本発明においては、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値が、好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上である。この場合、皮膚の殺菌処理などの殺菌処理に有用な紫外線をより一層効果的に透過させることができる。なお、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値の上限値は、特に限定されないが、例えば、９５％とすることができる。なお、この場合、後述する入射角θは、０°であるものとする。
【0043】
本発明においては、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値が、好ましくは３％以下、より好ましくは２．５％以下、さらに好ましくは１％以下である。この場合、人体に有害な紫外線の透過をより一層効果的に抑制させることができる。なお、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．２％とすることができる。なお、この場合、後述する入射角θは、０°であるものとする。
【0044】
本実施形態の光学フィルタ１では、入射角３０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ３０と、入射角０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ０との比（Ｔ３０／Ｔ０）が、０．５以上であることが好ましい。なお、入射角は、光学フィルタ１の主面１ａに沿う方向に直交する誘電体多層膜３の積層方向（厚み方向）を法線方向としたときに、法線方向に対して傾斜した角度を意味するものとする（例えば、図１のθ）。従って、法線方向に沿う方向が、入射角０°となる。
【0045】
この場合、分光透過率は、例えば、分光透過率計（日立ハイテクサイエンス社製、品番「ＵＨ４１５０」）を用いて光学フィルタ１全体の分光透過率を測定することにより求めることができる。測定条件としては、例えば、光学フィルタ１の主面１ａ側から測定し、測定波長を１９０ｎｍ～４００ｎｍとして測定することができる。
【0046】
本実施形態の光学フィルタ１では、入射角３０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ３０と、入射角０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ０との比（Ｔ３０／Ｔ０）が上記下限値以上であるので、光源からの放出光の入射角を大きくした場合においても、殺菌処理に有用な紫外線をより一層効率よく透過させることができる。そのため、光源からの放出光の有効照射面積をより一層大きくすることができる。
【0047】
本発明において、入射角３０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ３０と、入射角０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ０との比（Ｔ３０／Ｔ０）は、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．７以上、さらに好ましくは０．８以上、特に好ましくは０．９以上であり、好ましくは１．０以下である。比（Ｔ３０／Ｔ０）が上記範囲内である場合、光源からの放出光の入射角を大きくした場合においても、殺菌処理に有用な紫外線をより一層効率よく透過させることができる。
【0048】
本発明において、入射角０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ０は、好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上である。この場合、殺菌処理に有用な紫外線をより一層効率よく透過させることができる。なお、入射角０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ０の上限値は、高いほど好ましいが、例えば、９５％とすることができる。
【0049】
入射角３０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ３０は、好ましくは４０％以上、より好ましくは５０％以上、さらに好ましくは６０％以上、特に好ましくは７０％以上である。この場合、光源からの放出光の有効照射面積をより一層大きくすることができる。なお、入射角３０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ３０の上限値は、高いほど好ましいが、例えば、９３％とすることができる。
【0050】
また、入射角４０°における波長２２２ｎｍの分光透過率は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上、さらに好ましくは２０％以上、特に好ましくは３０％以上である。この場合、光源からの放出光の有効照射面積をより一層大きくすることができる。なお、入射角４０°における波長２２２ｎｍの分光透過率の上限値は、高いほど好ましいが、例えば、５５％とすることができる。
【0051】
本発明においては、入射角０°において、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの分光透過率の最小値が、５０％以上であり、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値が、１０％以下であることが好ましい。この場合、殺菌処理に有用な紫外線の高効率な透過と、人体に有害な紫外線の透過の抑制とをより一層高いレベルで両立することができる。
【0052】
入射角０°における波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは４％以下、特に好ましくは３％以下、最も好ましくは２％以下である。この場合、人体に有害な紫外線の透過をより一層抑制することができる。なお、入射角０°における波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値の下限値は、低いほど好ましいが、例えば、０．０１％とすることができる。
【0053】
入射角３０°における波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値は、好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下、特に好ましくは４％以下、最も好ましくは３％以下である。この場合、光源からの放出光の有効照射面積をより一層大きくすることができる。なお、入射角３０°における波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値の下限値は、低いほど好ましいが、例えば、０．０１％とすることができる。
【0054】
また、入射角４０°における波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下、特に好ましくは７％以下、最も好ましくは５％以下である。この場合、光源からの放出光の有効照射面積をより一層大きくすることができる。なお、入射角４０°における波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値の下限値は、低いほど好ましいが、例えば、０．０１％とすることができる。
【0055】
なお、各入射角における波長２２２ｎｍの分光透過率や、各入射角における波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率は、例えば、誘電体多層膜３の膜構成により調整することができる。
【0056】
本発明において、高屈折率膜４の総厚みｔＨは、好ましくは２５０ｎｍ以上、より好ましくは３００ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上、特に好ましくは５００ｎｍ以上であり、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、さらに好ましくは７００ｎｍ以下、特に好ましくは６００ｎｍ以下である。高屈折率膜４の総厚みｔＨが、上記下限値以上である場合、入射角を大きくした場合においても、波長２２２ｎｍにおける高い分光透過率をより効果的に維持することができる。また、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値をより一層小さくすることができる。一方、高屈折率膜４の総厚みｔＨが、上記上限値以下である場合、波長２２２ｎｍの分光透過率をより一層大きくすることができる。
【0057】
なお、高屈折率膜４の１層当たりの厚みは、特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは６０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
【0058】
本発明において、低屈折率膜５の総厚みｔＬは、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは６００ｎｍ以上、さらに好ましくは７００ｎｍ以上、特に好ましくは８００ｎｍ以上であり、好ましくは２０００ｎｍ以下、より好ましくは１７００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５００ｎｍ以下、特に好ましくは１４００ｎｍ以下である。低屈折率膜５の総厚みｔＬが、上記下限値以上である場合、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値をより一層小さくすることができる。一方、低屈折率膜５の総厚みｔＬが、上記上限値以下である場合、波長２２２ｎｍの分光透過率をより一層大きくすることができる。
【0059】
なお、低屈折率膜５の１層当たりの厚みは、特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは６０ｎｍ以下である。
【0060】
本発明において、高屈折率膜４の総厚みｔＨと、低屈折率膜５の総厚みｔＬとの比（ｔＨ／ｔＬ）が、好ましくは０．２以上、より好ましくは０．３以上、さらに好ましくは０．４以上、特に好ましくは０．５以上、最も好ましくは０．６以上であり、好ましくは１以下、より好ましくは０．９以下、さらに好ましくは０．８以下、特に好ましくは０．７５以下である。比（ｔＨ／ｔＬ）が、上記下限値以上である場合、入射角を大きくした場合においても、波長２２２ｎｍにおける高い分光透過率をより一層効果的に維持することができる。また、比（ｔＨ／ｔＬ）が、上記上限値以下である場合、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値をより一層小さくすることができる。
【0061】
誘電体多層膜３の総厚みとしては、特に限定されないが、好ましくは８００ｎｍ以上、より好ましくは１０００ｎｍ以上、さらに好ましくは１１００ｎｍ以上、特に好ましくは１２００ｎｍ以上であり、好ましくは２５００ｎｍ以下、より好ましくは２２００ｎｍ以下、さらに好ましくは２０００ｎｍ以下、特に好ましくは１９００ｎｍ以下である。誘電体多層膜３の総厚みが上記下限値以上である場合、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値をより一層小さくすることができる。一方、誘電体多層膜３の総厚みが上記上限値以下である場合、波長２２２ｎｍの分光透過率をより一層大きくすることができる。
【0062】
また、誘電体多層膜３を構成する膜の層数は、好ましくは２０層以上、より好ましくは２５層以上、さらに好ましくは３０層以上、特に好ましくは３５層以上であり、好ましくは１００層以下、より好ましくは８０層以下、さらに好ましくは６０層以下、特に好ましくは４５層以下である。誘電体多層膜３を構成する膜の層数が上記下限値以上である場合、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値をより一層小さくすることができる。また、誘電体多層膜３を構成する膜の層数が上記上限値以下である場合、波長２２２ｎｍの分光透過率をより一層大きくすることができる。
【0063】
本発明においては、誘電体多層膜３が、酸化ハフニウム結晶を含む。より具体的には、誘電体多層膜３を構成する高屈折率膜４が、酸化ハフニウム結晶を含んでいることが好ましく、立方晶系酸化ハフニウム結晶を含んでいることがより好ましい。この場合、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層高めることができる。
【0064】
なお、本明細書において、立方晶系酸化ハフニウム結晶を含んでいるか否かは、Ｘ線回折測定において、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークが観察されるか否かにより確認することができる。
【0065】
また、本明細書において、Ｘ線回折測定は、広角Ｘ線回折法によって測定することができる。Ｘ線回折装置としては、例えば、株式会社リガク社製、品番「ＳｍａｒｔＬａｂ」を用いることができる。また、線源としては、ＣｕＫα線を用いることができる。なお、Ｘ線回折測定においても、光学フィルタ１全体を第１の主面２ａ側から測定に供するものとする。
【0066】
本発明においては、Ｘ線回折測定において、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークが、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークよりも大きいことが好ましい。この場合、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層高めることができる。
【0067】
本発明においては、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークのピーク面積強度Ｉｃと、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークのピーク面積強度Ｉｍとの比Ｉｃ／Ｉｍが、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．３以上、さらにより好ましくは１以上、さらに好ましくは２以上、特に好ましくは２．５以上、最も好ましくは３以上である。比Ｉｃ／Ｉｍが上記下限値以上である場合、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層高めることができる。なお、比Ｉｃ／Ｉｍの上限値は、特に限定されないが、例えば、１００００とすることができる。
【0068】
なお、本発明においては、透明基材２の第２の主面２ｂ上に、反射防止膜が設けられていてもよい。この場合、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層高めることができる。
【0069】
反射防止膜としては、特に限定されず、例えば、相対的に屈折率が高い高屈折率膜と相対的に屈折率が低い低屈折率膜とを有する、多層膜を用いることができる。多層膜は、高屈折率膜及び低屈折率膜がこの順に交互に設けられることにより構成されていてもよい。上記高屈折率膜としては、例えば、酸化ハフニウムを主成分とする膜を用いることができる。上記低屈折率膜としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化スズ、又は窒化ケイ素等を主成分とする膜が挙げられる。また、上記多層膜を構成する膜の層数は、例えば、４層以上、１００層以下とすることができる。
【0070】
なお、本発明の効果を阻害しない限りにおいて、透明基材２の第２の主面２ｂ上には、反射防止膜以外の膜が積層されていてもよい。また、本発明の効果を阻害しない限りにおいて、透明基材２の第１の主面２ａ上にも、誘電体多層膜３以外の膜が設けられていてもよい。この場合、透明基材２と、誘電体多層膜３との間に膜が設けられていてもよいし、誘電体多層膜３の上に膜が設けられていてもよい。
【0071】
以下、光学フィルタ１の製造方法の一例について詳細に説明する。
【0072】
（光学フィルタの製造方法）
膜付き透明基材形成工程；
まず、透明基材２を用意する。次に、透明基材２の第１の主面２ａ上に誘電体多層膜３を形成する。誘電体多層膜３は、透明基材２の第１の主面２ａ上に、高屈折率膜４及び低屈折率膜５をこの順に交互に積層することにより形成することができる。高屈折率膜４及び低屈折率膜５は、それぞれ、スパッタリング法により形成することができる。
膜付き透明基材形成工程；
まず、透明基材２を用意する。次に、透明基材２の第１の主面２ａ上に誘電体多層膜３を形成する。誘電体多層膜３は、透明基材２の第１の主面２ａ上に、高屈折率膜４及び低屈折率膜５をこの順に交互に積層することにより形成することができる。高屈折率膜４及び低屈折率膜５は、それぞれ、スパッタリング法により形成することができる。
【0073】
高屈折率膜４を成膜するときの基板の温度は、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２７０℃以下である。この場合、得られる光学フィルタ１において、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍの光をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの範囲の紫外線をより一層効果的に透過させることができる。なお、高屈折率膜４を成膜するときの基板の温度の下限値は、例えば、２０℃とすることができる。
【0074】
高屈折率膜４の成膜は、例えば、高屈折率膜４を構成する材料のターゲットを用い、キャリアガスとしてのアルゴンガスなどの不活性ガスの流量を５０ｓｃｃｍ～５００ｓｃｃｍとし、印加電力を０．５ｋＷ～４０ｋＷとして行うことができる。
【0075】
低屈折率膜５の成膜は、例えば、低屈折率膜５を構成する材料のターゲットを用い、キャリアガスとしてのアルゴンガスなどの不活性ガスの流量を５０ｓｃｃｍ～５００ｓｃｃｍとし、印加電力を０．５ｋＷ～４０ｋＷとして行うことができる。
【0076】
熱処理工程；
次に、得られた膜付き透明基材を例えば４５０℃以上の温度で加熱処理する。それによって、光学フィルタ１を得ることができる。特に、膜付き透明基材を４５０℃以上の温度で加熱する場合、立方晶系酸化ハフニウム結晶の含有量を相対的により大きくすることができる。そのため、得られる光学フィルタ１において、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層高めることができる。
次に、得られた膜付き透明基材を例えば４５０℃以上の温度で加熱処理する。それによって、光学フィルタ１を得ることができる。特に、膜付き透明基材を４５０℃以上の温度で加熱する場合、立方晶系酸化ハフニウム結晶の含有量を相対的により大きくすることができる。そのため、得られる光学フィルタ１において、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層高めることができる。
【0077】
膜付き透明基材における加熱処理の温度は、好ましくは５００℃以上、より好ましくは５５０℃以上、好ましくは８００℃以下、より好ましくは７５０℃以下である。加熱処理の温度が上記範囲内にある場合、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層高めることができる。
【0078】
膜付き透明基材における加熱処理の時間は、特に限定されないが、例えば、１０分以上、１２０分以下とすることができる。
【0079】
なお、本発明においては、加熱処理前の膜付き透明基材のＸ線回折測定において、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークの強度が小さいことが好ましい。単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークの強度が、微結晶レベルであることが好ましく、ピーク強度の高さはアモルファスのハローのピーク強度の高さの３倍以内であることがより好ましい。この場合、加熱処理によって、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークのピーク面積強度Ｉｃと、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークのピーク面積強度Ｉｍとの比Ｉｃ／Ｉｍをより一層大きくすることができる。そのため、得られる光学フィルタ１において、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層高めることができる。
【0080】
本発明において、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過率及び波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過率は、例えば、誘電体多層膜３を構成する膜の総数、膜厚、及び材料や、膜付き透明基材の加熱処理温度により調整することができる。特に、膜付き透明基材の加熱処理温度により、得られる光学フィルタ１において、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線の透過性をより一層効果的に高めることができる。
【0081】
また、各入射角における波長２２２ｎｍの分光透過率及び波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率についても、例えば、誘電体多層膜３を構成する膜の総数、膜厚、及び材料に加え、膜付き透明基材の加熱処理温度によっても調整することができる。特に、膜付き透明基材の加熱処理温度により、得られる光学フィルタ１において、波長２２２ｎｍの分光透過率をより一層大きくしつつ、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値をより一層小さくすることができる。
【0082】
［第２の実施形態］
図４は、本発明の第２の実施形態に係る光学フィルタを示す模式的断面図である。図４に示すように、光学フィルタ２１では、誘電体多層膜２３の最外層２６が、酸化ハフニウムにより構成されている、高屈折率膜４である。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
図４は、本発明の第２の実施形態に係る光学フィルタを示す模式的断面図である。図４に示すように、光学フィルタ２１では、誘電体多層膜２３の最外層２６が、酸化ハフニウムにより構成されている、高屈折率膜４である。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
【0083】
光学フィルタ２１においても、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値が５０％以上であり、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値が５％以下である。そのため、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過を抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線を効果的に透過させることができる。
【0084】
ところで、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの範囲の紫外線を発光するエキシマランプ等を用いた場合、照射される光により装置部材が劣化し、酸性のガスが発生する場合がある。このガスにより光学フィルタの膜が浸食され、それによって光学特性が変化し、要求特性を満たせない場合がある。
【0085】
これに対して、光学フィルタ２１のように、最外層２６が酸化ハフニウムにより構成されている場合、酸性のガスによる浸食をより一層抑制することができ、光学特性の変化をより一層抑制することができる。
【0086】
また、最外層２６の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは２ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以下である。最外層２６の厚みが上記下限値以上である場合、酸性のガスによる浸食をより一層抑制することができ、光学特性の変化をより一層抑制することができる。一方、最外層２６の厚みが上記上限値以下である場合、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける紫外線の透過をより一層抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける紫外線をより一層効果的に透過させることができる。
【0087】
［殺菌装置］
図７は、本発明の一実施形態に係る殺菌装置を示す模式図である。図７に示すように、殺菌装置３１は、筐体３２と、光源３３と、光学フィルタ１とを備える。筐体３２の内部には、放出光の波長が、波長１９０ｎｍ～２３０ｎｍの波長域に存在する、光源３３が配置されている。光源３３及び光学フィルタ１は、対向するように設けられている。このとき、誘電体多層膜３は、光源３３側に設けられていることが好ましい。殺菌装置３１では、光源３３から発せられた放出光が、光学フィルタ１を介して、殺菌対象物３４に照射される。
図７は、本発明の一実施形態に係る殺菌装置を示す模式図である。図７に示すように、殺菌装置３１は、筐体３２と、光源３３と、光学フィルタ１とを備える。筐体３２の内部には、放出光の波長が、波長１９０ｎｍ～２３０ｎｍの波長域に存在する、光源３３が配置されている。光源３３及び光学フィルタ１は、対向するように設けられている。このとき、誘電体多層膜３は、光源３３側に設けられていることが好ましい。殺菌装置３１では、光源３３から発せられた放出光が、光学フィルタ１を介して、殺菌対象物３４に照射される。
【0088】
光源３３としては、例えば、エキシマランプを用いることができる。エキシマランプとしては、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの範囲の紫外線を発光するエキシマランプを用いることが好ましい。このようなエキシマランプとしては、例えば、ＫｒＣｌエキシマランプを用いることができる。エキシマランプは、ＫｒＢｒエキシマランプであってもよい。
【0089】
本実施形態の殺菌装置３１では、上述した光学フィルタ１を用いているので、殺菌処理に有用な紫外線を効率よく透過させることができる。そのため、殺菌対象物３４に効率良く紫外線殺菌を施すことができる。なお、紫外線殺菌では、細菌などの殺菌対象生物の細胞内におけるＤＮＡに紫外線を作用させて選択的に不活化させることができる。また、紫外線殺菌では、ウイルスに紫外線を作用させて選択的に不活化させることもできる。なかでも、殺菌装置３１は、処理対象微生物を不活化処理するために用いられることがより好ましい。
【0090】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【0091】
（製造例１）
まず、透明基材として合成石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用意した。次に、用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用い、ハフニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、ＨｆＯ２膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、ＨｆＯ２膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層された、合計３８層の膜を有する誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。
まず、透明基材として合成石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用意した。次に、用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用い、ハフニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、ＨｆＯ２膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、ＨｆＯ２膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層された、合計３８層の膜を有する誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。
【0092】
（製造例２）
成膜の間、基板温度を２７０℃としたこと以外は、製造例１と同様にして膜付き透明基材を得た。
成膜の間、基板温度を２７０℃としたこと以外は、製造例１と同様にして膜付き透明基材を得た。
【0093】
（製造例３）
透明基材として溶融石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用いたこと及び各層の膜厚を下記の表１に示すように成膜したこと以外は、製造例１と同様にして膜付き透明基材を得た。
透明基材として溶融石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用いたこと及び各層の膜厚を下記の表１に示すように成膜したこと以外は、製造例１と同様にして膜付き透明基材を得た。
【0094】
（製造例４）
透明基材としてホウケイ酸ガラス基板（日本電気硝子社製、品番「ＢＵ－４１」）を用いたこと及び各層の膜厚を下記の表１に示すように成膜したこと以外は、製造例１と同様にして膜付き透明基材を得た。
透明基材としてホウケイ酸ガラス基板（日本電気硝子社製、品番「ＢＵ－４１」）を用いたこと及び各層の膜厚を下記の表１に示すように成膜したこと以外は、製造例１と同様にして膜付き透明基材を得た。
【0095】
製造例１～４で作製した膜付き透明基材における各層の厚みは、下記の表１に示す通りである。
【0096】
【表1】
【0097】
（製造例５）
まず、透明基材として合成石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用意した。次に、用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用い、ハフニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、ＨｆＯ２膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、ＨｆＯ２膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層され、最外層がＨｆＯ２膜となるように、合計３９層の膜を有する誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。
まず、透明基材として合成石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用意した。次に、用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用い、ハフニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、ＨｆＯ２膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、ＨｆＯ２膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層され、最外層がＨｆＯ２膜となるように、合計３９層の膜を有する誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。
【0098】
製造例５で作製した膜付き透明基材における各層の厚みは、下記の表２に示す通りである。
【0099】
【表2】
【0100】
（製造例６）
透明基材として溶融石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用いたこと及び各層の膜厚を上記の表１に示すように成膜したこと以外は、製造例１と同様にして膜付き透明基材を得た。
透明基材として溶融石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用いたこと及び各層の膜厚を上記の表１に示すように成膜したこと以外は、製造例１と同様にして膜付き透明基材を得た。
【0101】
（実施例１～１７及び比較例１～４）
実施例１では、製造例１で得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下、５００℃の温度で６０分間加熱処理することにより、光学フィルタを得た。実施例２～１７においても同様に、各製造例で得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下で、下記の表３に示す温度及び時間で加熱処理することにより、光学フィルタを得た。また、下記の表３に示すように、比較例１～４では、各製造例で得られた膜付き透明基材の加熱処理を行わずに、そのまま光学フィルタとして用いた。
実施例１では、製造例１で得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下、５００℃の温度で６０分間加熱処理することにより、光学フィルタを得た。実施例２～１７においても同様に、各製造例で得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下で、下記の表３に示す温度及び時間で加熱処理することにより、光学フィルタを得た。また、下記の表３に示すように、比較例１～４では、各製造例で得られた膜付き透明基材の加熱処理を行わずに、そのまま光学フィルタとして用いた。
【0102】
［評価］
（Ｘ線回折測定）
実施例１～７，９～１７及び比較例１～４の光学フィルタについて、広角Ｘ線回折法によりＸ線回折測定を行った。Ｘ線回折装置としては、株式会社リガク社製、品番「ＳｍａｒｔＬａｂ」を用いた。線源としてはＣｕＫα線（波長１．５４１８Å）を用い、スキャン軸：２θ／ω、測定範囲：１０°～６５°、走査速度：２°／分、管電流：２００ｍＡ、管電圧：４５ｋＶの条件で測定を行った。得られた光学フィルタにおけるＸ線回折スペクトルの一例を図２に示す。
（Ｘ線回折測定）
実施例１～７，９～１７及び比較例１～４の光学フィルタについて、広角Ｘ線回折法によりＸ線回折測定を行った。Ｘ線回折装置としては、株式会社リガク社製、品番「ＳｍａｒｔＬａｂ」を用いた。線源としてはＣｕＫα線（波長１．５４１８Å）を用い、スキャン軸：２θ／ω、測定範囲：１０°～６５°、走査速度：２°／分、管電流：２００ｍＡ、管電圧：４５ｋＶの条件で測定を行った。得られた光学フィルタにおけるＸ線回折スペクトルの一例を図２に示す。
【0103】
図２は、実施例２及び比較例１で得られた光学フィルタのＸ線回折スペクトルを示す図である。図２に示すように、実施例２のＸ線回折スペクトルでは、２θ＝３０．７°付近に立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークが観察され、２θ＝２８．４°付近に単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークが観察された。一方、比較例１では、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークが観察されなかった。
【0104】
同様にして、実施例１，３～７，９～１７及び比較例２～４の光学フィルタについても、Ｘ線回折測定を行い、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークのピーク面積強度Ｉｃと、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークのピーク面積強度Ｉｍと、比Ｉｃ／Ｉｍとを求めた。結果を下記の表３に示す。
【0105】
（分光透過率）
実施例１～１７及び比較例１～４の光学フィルタについて、分光透過率計（日立ハイテクサイエンス社製、品番「ＵＨ４１５０」）を用いて、分光透過率を測定した。具体的には、入射角度（入射角）を０°とし、測定波長を１９０ｎｍ～４００ｎｍとした。得られた光学フィルタにおける透過スペクトルの一例を図３に示した。
実施例１～１７及び比較例１～４の光学フィルタについて、分光透過率計（日立ハイテクサイエンス社製、品番「ＵＨ４１５０」）を用いて、分光透過率を測定した。具体的には、入射角度（入射角）を０°とし、測定波長を１９０ｎｍ～４００ｎｍとした。得られた光学フィルタにおける透過スペクトルの一例を図３に示した。
【0106】
図３は、実施例２及び比較例１で得られた光学フィルタの透過スペクトルを示す図である。図３に示すように、実施例２では、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値が高められていることを確認することができる。他方、比較例１では、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける分光透過率の最小値を十分に高めることができなかった。また、実施例２及び比較例１では、いずれも２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値が低められていることがわかる。
【0107】
同様にして、実施例１，３～１７及び比較例２～４の光学フィルタについても、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍ及び波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率を測定した。なお、上述のように入射角は０°とした。
【0108】
結果を下記の表３に示す。
【0109】
【表3】
【0110】
表３から明らかなように、実施例１～１７の光学フィルタでは、波長域２４０ｎｍ～３２０ｎｍの紫外線の透過を抑制しつつ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの紫外線を効果的に透過させることができた。他方、比較例１～４の光学フィルタでは、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍの紫外線を十分に透過させることができなかった。
【0111】
【0112】
図５は、実施例５で得られた光学フィルタのフッ酸浸漬前後における透過スペクトルを示す図である。図６は、実施例８で得られた光学フィルタのフッ酸浸漬前後における透過スペクトルを示す図である。なお、図５及び図６では、フッ酸への浸漬時間は２４０秒とした。
【0113】
【0114】
また、下記の表４に、実施例５及び実施例８で得られた光学フィルタについて、各浸漬時間における浸食量と波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける透過率変化の関係を示す。
【0115】
【表4】
【0116】
表４より、最外層がＨｆＯ２膜である実施例８では、最外層がＳｉＯ２膜である実施例５と比較して、浸食量を低減することができ、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける透過率変化を抑制できていることがわかる。
【0117】
（実施例１８）
まず、透明基材として合成石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用意した。次に、用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、ハフニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、ＨｆＯ２膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、ＨｆＯ２膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層された、合計３８層の膜を有する誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。次に、膜付き透明基材を、大気雰囲気下、５００℃の温度で６０分間加熱処理することにより、光学フィルタを得た。
まず、透明基材として合成石英ガラス基板（ＵＳＴＲＯＮ社製）を用意した。次に、用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、ハフニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、ＨｆＯ２膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、ＨｆＯ２膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層された、合計３８層の膜を有する誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。次に、膜付き透明基材を、大気雰囲気下、５００℃の温度で６０分間加熱処理することにより、光学フィルタを得た。
【0118】
（実施例１９）
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと以外は、実施例１８と同様にして光学フィルタを作製した。
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと以外は、実施例１８と同様にして光学フィルタを作製した。
【0119】
（実施例２０）
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下、５５０℃の温度で６０分間加熱処理したこと以外は、実施例１８と同様にして光学フィルタを作製した。
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下、５５０℃の温度で６０分間加熱処理したこと以外は、実施例１８と同様にして光学フィルタを作製した。
【0120】
（実施例２１）
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下、６００℃の温度で６０分間加熱処理したこと以外は、実施例１８と同様にして光学フィルタを作製した。
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下、６００℃の温度で６０分間加熱処理したこと以外は、実施例１８と同様にして光学フィルタを作製した。
【0121】
（実施例２２）
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下、４５０℃の温度で６０分間加熱処理したこと以外は、実施例１８と同様にして光学フィルタを作製した。
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び得られた膜付き透明基材を、大気雰囲気下、４５０℃の温度で６０分間加熱処理したこと以外は、実施例１８と同様にして光学フィルタを作製した。
【0122】
（実施例２３）
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した時のターゲット印加電力（成膜電力）を３．５ｋＷとしたこと以外は、実施例２２と同様にして光学フィルタを作製した。
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した時のターゲット印加電力（成膜電力）を３．５ｋＷとしたこと以外は、実施例２２と同様にして光学フィルタを作製した。
【0123】
（実施例２４）
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した時のターゲット印加電力（成膜電力）を３ｋＷとしたこと以外は、実施例２２と同様にして光学フィルタを作製した。
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと、及び酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した時のターゲット印加電力（成膜電力）を３ｋＷとしたこと以外は、実施例２２と同様にして光学フィルタを作製した。
【0124】
（実施例２５）
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと以外は、実施例２３と同様にして光学フィルタを得た。
膜付き透明基材を作製するに際し、各層の厚み及び膜の積層数を下記の表５に示すように変更したこと以外は、実施例２３と同様にして光学フィルタを得た。
【0125】
【表5】
【0126】
（比較例５）
実施例１８と同様にして用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、アルミニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガスの流量を１００ｃｃｍとし、酸素ガスの流量を２０ｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、Ａｌ２Ｏ３膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、Ａｌ２Ｏ３膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層された、合計２３０層の膜を有し、総厚みが１０μｍの誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材（光学フィルタ）を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。
実施例１８と同様にして用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、アルミニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガスの流量を１００ｃｃｍとし、酸素ガスの流量を２０ｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、Ａｌ２Ｏ３膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、Ａｌ２Ｏ３膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層された、合計２３０層の膜を有し、総厚みが１０μｍの誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材（光学フィルタ）を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。
【0127】
（比較例６）
実施例１８と同様にして用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、ハフニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を３ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、ＨｆＯ２膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、ＨｆＯ２膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層された、合計３３層の膜を有し、総厚みが１７００ｎｍの誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。次に、膜付き透明基材を、大気雰囲気下、４２５℃の温度で６０分間加熱処理することにより、光学フィルタを得た。
実施例１８と同様にして用意した透明基材の一方側主面上に、スパッタリングにより誘電体多層膜を成膜した。具体的には、まず、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、ハフニウムのターゲットをスパッタリングし、透明基材の一方側主面上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量をそれぞれ１００ｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を３ｋＷとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用い、シリコンのターゲットをスパッタリングし、ＨｆＯ２膜の上に酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガス及び酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとした。この操作を繰り返すことにより、透明基材の一方側主面上に、ＨｆＯ２膜とＳｉＯ２膜とが、１層ずつ交互に積層された、合計３３層の膜を有し、総厚みが１７００ｎｍの誘電体多層膜を形成し、膜付き透明基材を得た。なお、成膜の間、基板温度は、室温（２０℃）とした。次に、膜付き透明基材を、大気雰囲気下、４２５℃の温度で６０分間加熱処理することにより、光学フィルタを得た。
【0128】
［評価］
（Ｘ線回折測定）
実施例１８～２５及び比較例５～６の光学フィルタについて、広角Ｘ線回折法によりＸ線回折測定を行った。Ｘ線回折装置としては、株式会社リガク製、品番「ＳｍａｒｔＬａｂ」を用いた。線源としてはＣｕＫα線（波長１．５４１８Å）を用い、スキャン軸：２θ／ω、測定範囲：１０°～６５°、走査速度：２°／分、管電流：２００ｍＡ、管電圧：４５ｋＶの条件で測定を行った。
（Ｘ線回折測定）
実施例１８～２５及び比較例５～６の光学フィルタについて、広角Ｘ線回折法によりＸ線回折測定を行った。Ｘ線回折装置としては、株式会社リガク製、品番「ＳｍａｒｔＬａｂ」を用いた。線源としてはＣｕＫα線（波長１．５４１８Å）を用い、スキャン軸：２θ／ω、測定範囲：１０°～６５°、走査速度：２°／分、管電流：２００ｍＡ、管電圧：４５ｋＶの条件で測定を行った。
【0129】
得られたＸ線回折スペクトルにおいて、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークが、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークよりも大きいものを〇とし、小さいものを×として評価した。
【0130】
また、得られたＸ線回折スペクトルを用いて、立方晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（１ １ １）結晶面による回折ピークのピーク面積強度Ｉｃと、単斜晶系酸化ハフニウム結晶に由来する（－１ １ １）結晶面による回折ピークのピーク面積強度Ｉｍと、比Ｉｃ／Ｉｍとを求めた。
【0131】
（分光透過率）
実施例１８～２５及び比較例５～６の光学フィルタについて、分光透過率計（日立ハイテクサイエンス社製、品番「ＵＨ４１５０」）を用いて、分光透過率を測定した。具体的には、入射角（ＡＯＩ）を０°、２５°、３０°、４０°、又は５０°とし、測定波長を１９０ｎｍ～４００ｎｍとした。得られた光学フィルタにおける透過スペクトルの一例を図８に示した。
実施例１８～２５及び比較例５～６の光学フィルタについて、分光透過率計（日立ハイテクサイエンス社製、品番「ＵＨ４１５０」）を用いて、分光透過率を測定した。具体的には、入射角（ＡＯＩ）を０°、２５°、３０°、４０°、又は５０°とし、測定波長を１９０ｎｍ～４００ｎｍとした。得られた光学フィルタにおける透過スペクトルの一例を図８に示した。
【0132】
図８は、実施例１８で得られた光学フィルタの各入射角における透過スペクトルを示す図である。図８に示すように、実施例１８では、入射角を大きくした場合においても、波長２２２ｎｍにおける高い分光透過率をより効果的に維持することができ、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値をより一層小さくできていることがわかる。
【0133】
同様にして、実施例１８～２５及び比較例５～６の光学フィルタについても、各入射角における波長２２２ｎｍの分光透過率及び波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率（最大透過率）を測定した。
【0134】
結果を下記の表６に示す。なお、下記の表６においては、入射角３０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ３０と、入射角０°における波長２２２ｎｍの分光透過率Ｔ０との比（Ｔ３０／Ｔ０）を併せて示している。下記の表６においては、波長２２０ｎｍ～２２５ｎｍにおける最小透過率も併せて示している。高屈折率膜の総厚みｔＨ（ＨｆＯ２厚み）と、低屈折率膜の総厚みｔＬ（ＳｉＯ２厚み）、膜厚比（ｔＨ／ｔＬ）を併せて示している。
【0135】
【表6】
【0136】
表６から明らかなように、実施例１８～２５の光学フィルタでは、比較例５～６と比較して、入射角を大きくした場合においても、波長２２２ｎｍにおける高い分光透過率をより効果的に維持することができ、波長２３７ｎｍ～２８０ｎｍの分光透過率の最大値をより一層小さくできていることがわかる。
【0137】
なお、実施例１８～２５の光学フィルタでは、実施例１と同様の方法により、波長２４０ｎｍ～３２０ｎｍにおける分光透過率の最大値を測定したところ、５％以下であった。また、比較例５及び比較例６では、それぞれ１７．８％、２１．５％であった。
【符号の説明】
【0138】
１，２１…光学フィルタ
１ａ…主面
２…透明基材
２ａ…第１の主面
２ｂ…第２の主面
３，２３…誘電体多層膜
４…高屈折率膜
５…低屈折率膜
２６…最外層
３１…殺菌装置
３２…筐体
３３…光源
３４…殺菌対象物
１ａ…主面
２…透明基材
２ａ…第１の主面
２ｂ…第２の主面
３，２３…誘電体多層膜
４…高屈折率膜
５…低屈折率膜
２６…最外層
３１…殺菌装置
３２…筐体
３３…光源
３４…殺菌対象物
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】