(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-11
(45)【発行日】2024-11-19
(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 50/822 20230101AFI20241112BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20241112BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20241112BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241112BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20241112BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20241112BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241112BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241112BHJP
H10K 102/20 20230101ALN20241112BHJP
【ＦＩ】
H10K50/822
H10K59/10
H10K59/121
H10K59/122
H10K50/82
H10K71/16 164
H10K71/16 166
G09F9/30 365
G09F9/30 348Z
G09F9/00 338
H10K102:20
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2020089199
(22)【出願日】2020-05-21
(65)【公開番号】P2021009837
(43)【公開日】2021-01-28
【審査請求日】2023-05-12
(31)【優先権主張番号】10-2019-0078338
(32)【優先日】2019-06-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】キム ジェイク
(72)【発明者】
【氏名】キム ジェシク
(72)【発明者】
【氏名】リ ヨンファ
(72)【発明者】
【氏名】リ ジュング
(72)【発明者】
【氏名】チョン ジヨン
【審査官】小久保 州洋
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－２５８１４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－２９８０８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－０２６２５５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ５０／１０ － １０２／２０
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板と、ディスプレイ部と、を含み、前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、
前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記補助層と離隔して配置されると共に、前記表示領域にのみ対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第１材料は、前記補助層の表面に配置され、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
前記補助層は、第１領域、及び前記第１領域と前記第１基板との間に介在された第２領域
を含み、
前記第１領域での前記第１材料の濃度が前記第２領域での前記第１材料の濃度と同じ状態であり、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである表示装置。
【請求項2】
前記透過領域には、前記第２電極が存在していない請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１領域は、最大第１材料濃度を有する位置を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記補助層は、第３領域をさらに含み、前記第３領域は、前記第２領域と前記第１基板との間に介在され、
前記第２領域での前記第１材料の濃度と前記第３領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なる請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ２より大きく３０ｍＪ／ｍ２以下である請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１材料の分子量は、１５００以下である請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）、またはそれらの任意の組み合わせを含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第３材料の分子量は、１５００以下である請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
第１基板と、ディスプレイ部を含み、前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域及び前記補助層が配置された前記透過領域の一部に対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第１材料は、前記補助層の表面に配置され、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
前記補助層は、第１領域、及び前記第１領域と前記第１基板との間に介在された第２領域を含み、
前記第１領域での前記第１材料の濃度が前記第２領域での前記第１材料の濃度と同じ状態であり、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである表示装置。
【請求項10】
前記表示領域に対応して前記第２電極の第１部分が配置され、前記透過領域に対応して前記第２電極の第２部分が配置され、
前記第１部分の厚さＴ１と前記第２部分の厚さＴ２は、下記数式２を満足する
Ｔ１＞Ｔ２ ＜数式２＞
請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
Ｔ２は、０ｎｍより大きく１ｎｍ以下である請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記第１領域は、最大第１材料濃度を有する位置を含む請求項９に記載の表示装置。
【請求項13】
前記補助層は、第３領域をさらに含み、前記第３領域は、前記第２領域と前記第１基板との間に介在され、
前記第２領域での前記第１材料の濃度と前記第３領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なる請求項９に記載の表示装置。
【請求項14】
ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ２より大きく３０ｍＪ／ｍ２以下である請求項９に記載の表示装置。
【請求項15】
前記第１材料の分子量は、１５００以下である請求項９に記載の表示装置。
【請求項16】
前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）、またはそれらの任意の組み合わせを含む請求項９に記載の表示装置。
【請求項17】
前記第３材料の分子量は、１５００以下である請求項９に記載の表示装置。
【請求項18】
第１基板を提供する段階と、前記第１基板上に表示領域と透過領域とを含むディスプレイ部を提供する段階と、を含み、
前記ディスプレイ部を提供する段階は、
前記表示領域及び前記透過領域上に第１材料を提供し、前記透過領域上にのみ第３材料を提供した後、前記表示領域上の前記第１材料を除去することで、前記透過領域に対応して配置された補助層を提供する段階と、第２電極を提供する段階と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
前記補助層は、第１領域、及び前記第１領域と前記第１基板との間に介在された第２領域を含み、
プラズマ処理によって、前記第１領域での前記第１材料の濃度が前記第２領域での前記第１材料の濃度より高い状態から、前記第１領域での前記第１材料の濃度が前記第２領域での前記第１材料の濃度と同じ状態となり、
前記第１材料は、前記補助層の表面に配置され、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである表示装置の製造方法。
【請求項19】
前記第３材料は、ファインメタルマスクを用いて蒸着することで提供される請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記第２電極は、オープンマスクを用いて前記第２材料を蒸着することで提供される請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置、具体的に透過領域を有する表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、表示装置は、その用途が多様化されている。また、表示装置の厚さが薄くなり、重さが軽く、その使用の範囲が広範囲になっている。
【0003】
一例として、表示装置に対して透過性または透明性を具現しようとする研究が継続されている。具体的に、装置内部の薄膜トランジスタや表示パネルを透明な形態にすることで、透明表示装置として形成しようとする試みがある。
【0004】
透明表示装置を具現するために、基板、電極、絶縁膜、キャッピング膜のような多様な材料の組成、配置、厚さなど多様な変数を最適化することが必要である。例えば、有機発光表示装置の場合、互いに異なる物質を含む多数の導電膜及び絶縁膜が積層され、それにより、光学的特性が低下して、所望の透過性または透明性を獲得することが容易ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】韓国公開特許第１０－２０１２－００４４８７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
前記課題を解決するための外光の透過率が高い表示装置及びその製造方法であって、本発明の実施例は、透過領域に実質的に共通電極が形成されていない表示装置を提供することができる。
【0007】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した技術的課題に限定されず、言及されていない他の技術的課題は、本発明の記載から当該分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一実施例による表示装置は、第１基板と、ディスプレイ部と、を含み、
前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域にのみ対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
前記補助層は、第１領域、及び前記第１領域と前記第１基板との間に介在された第２領域を含み、
前記第１領域での前記第１材料の濃度と前記第２領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なり、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域にのみ対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
前記補助層は、第１領域、及び前記第１領域と前記第１基板との間に介在された第２領域を含み、
前記第１領域での前記第１材料の濃度と前記第２領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なり、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
【0009】
前記実施例において、前記透過領域には、第２電極が存在していなくてもよい。
【0010】
前記実施例において、前記第１領域は、前記第１材料の最大濃度位置を含んでもよい。
【0011】
前記実施例において、前記補助層は、第３領域をさらに含み、
前記第３領域は、前記第２領域と前記第１基板との間に介在され、
前記第２領域での前記第１材料の濃度と前記第３領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なってもよい。
前記第３領域は、前記第２領域と前記第１基板との間に介在され、
前記第２領域での前記第１材料の濃度と前記第３領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なってもよい。
【0012】
前記実施例において、ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ２超過ないし３０ｍＪ／ｍ２以下であってもよい。
【0013】
前記実施例において、前記第１材料の分子量は、１５００以下であってもよい。
【0014】
前記実施例において、前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）、またはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【0015】
前記実施例において、前記第３材料の分子量は、１５００以下であってもよい。
【0016】
本発明の他の実施例による表示装置は、第１基板と、ディスプレイ部を含み、
前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域及び前記透過領域に対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
前記補助層は、第１領域、及び前記第１領域と前記第１基板との間に介在された第２領域を含み、
前記第１領域での前記第１材料の濃度と前記第２領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なり、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域及び前記透過領域に対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
前記補助層は、第１領域、及び前記第１領域と前記第１基板との間に介在された第２領域を含み、
前記第１領域での前記第１材料の濃度と前記第２領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なり、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
【0017】
前記実施例において、前記表示領域に対応して前記第２電極の第１部分が配置され、
前記透過領域に対応して前記第２電極の第２部分が配置され、
前記第１部分の厚さＴ１と前記第２部分の厚さＴ２は、下記数式２を満足する。
Ｔ１＞Ｔ２ <数式２>
前記透過領域に対応して前記第２電極の第２部分が配置され、
前記第１部分の厚さＴ１と前記第２部分の厚さＴ２は、下記数式２を満足する。
Ｔ１＞Ｔ２ <数式２>
【0018】
前記実施例において、Ｔ２は、０ｎｍより大きく１ｎｍ以下であってもよい。
【0019】
前記実施例において、前記第１領域は、前記第１材料の最大濃度位置を含んでもよい。
【0020】
前記実施例において、前記補助層は、第３領域をさらに含み、
前記第３領域は、前記第２領域と前記第１基板との間に介在され、
前記第２領域での前記第１材料の濃度と前記第３領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なってもよい。
前記第３領域は、前記第２領域と前記第１基板との間に介在され、
前記第２領域での前記第１材料の濃度と前記第３領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なってもよい。
【0021】
前記実施例において、ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ２より大きく３０ｍＪ／ｍ２以下である。
【0022】
前記実施例において、前記第１材料の分子量は、１５００以下であってもよい。
【0023】
前記実施例において、前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）、またはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【0024】
前記実施例において、前記第３材料の分子量は、１５００以下であってもよい。
【0025】
本発明の一実施例による表示装置の製造方法は、第１基板を提供する段階と、
前記第１基板上に表示領域と透過領域とを含むディスプレイ部を提供する段階と、を含み、
前記ディスプレイ部を提供する段階は、
前記表示領域及び前記透過領域上に第１材料を提供し、前記透過領域上にのみ第３材料を提供した後、前記表示領域上の前記第１材料を除去することで、前記透過領域に対応して配置された補助層を提供する段階と、第２電極を提供する段階と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
前記第１基板上に表示領域と透過領域とを含むディスプレイ部を提供する段階と、を含み、
前記ディスプレイ部を提供する段階は、
前記表示領域及び前記透過領域上に第１材料を提供し、前記透過領域上にのみ第３材料を提供した後、前記表示領域上の前記第１材料を除去することで、前記透過領域に対応して配置された補助層を提供する段階と、第２電極を提供する段階と、を含み、
前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
【0026】
前記実施例において、前記第３材料は、ファインメタルマスクを用いて蒸着することで提供されてもよい。
【0027】
前記実施例において、前記第２電極は、オープンマスクを用いて前記第２材料を蒸着することで提供されてもよい。
【発明の効果】
【0028】
本発明の多様な実施例によれば、透過領域に実質的に共通電極が形成されず、相対的に高い透過率を有する表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【0029】
しかし、前述した効果は、例示的なものであって、実施例による効果は、後述する内容を通じて詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】本発明の一実施例による表示装置を概略的に示す構造図である。
【図2】本発明の一実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。
【図3】本発明の一実施例による表示装置を概略的に示す平面図である。
【図6】本発明の他の実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。
【図7】本発明の他の実施例による表示装置を概略的に示す平面図である。
【図9】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図10】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図11】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図12】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図13】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図14】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図15】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図16】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図17】本発明の一実施例による電子機器の構成を概略的に示すブロック図である。
【図18A】本発明の一実施例による電子機器を概略的に示す斜視図である。
【図18B】本発明の一実施例による電子機器を概略的に示す斜視図である。
【図19】実施例１、比較例１及び２の波長による透過率グラフを示す図面である。
【図20】実施例２、比較例３及び４の波長による透過率グラフを示す図面である。
【図21】実施例２及び比較例３のＸ線光電子分析法（ＸＰＳ）による深みによる元素分析結果を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
本発明は、多様な変更を加えることができ、様々な実施例を有することができる。以下において、複数の実施例を図面に例示し、詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、そして、それらを達成する装置または方法は、図面と共に詳細に説明されている実施例を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下においてされている実施例に限定されるものではなく、多様な形態で具現可能である。
【0032】
以下において、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明する。図面を参照して説明するとき、同一または対応する構成要素は、同じ符号を付し、それについての重複する説明は、省略する。
【0033】
以下の実施例において、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的として用いられる。
【0034】
以下の実施例において、単数表現は、文脈上、明白に異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。
【0035】
以下の実施例において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載の特徴、または構成要素が存在することを意味するものであり、１つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
【0036】
以下の実施例において、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分上に、または、上にあるというとき、他の部分の直上にある場合だけではなく、間に他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【0037】
図面では、説明の便宜上、構成要素の大きさが誇張または縮小される場合がある。例えば、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に示されているので、本発明が必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
【0038】
ある実施例が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なって行われてもよい。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時に行われてもよく、説明される順序とは逆順に進められてもよい。
【0039】
以下の実施例において、膜、領域、構成要素などが接続されたとするとき、膜、領域、構成要素が直接的に接続される場合だけではなく、膜、領域、構成要素の間に他の膜、領域、構成要素が介在し、間接的に接続される場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に接続されるとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に接続される場合だけではなく、間に他の膜、領域、構成要素などが介在し、間接的に電気的接続される場合も含む。
【0040】
図１は、本発明の一実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。
【0041】
図１を参照すれば、本発明の一実施例による表示装置１は、第１基板１０、及びディスプレイ部２０を含む。ディスプレイ部２０は、画像が具現される表示領域１００と、外光が透過される透過領域２００を含む。表示装置１において、外光は、第１基板１０及びディスプレイ部２０を透過して入射される。
【0042】
ディスプレイ部２０は、表示領域１００を通じて画像が具現され、透過領域１００を通じて外光が透過される。ユーザＵは、透過領域２００を通じて外部のイメージを見ることができる。すなわち、表示装置１は、表示領域１００の透過率と透過領域２００の透過率が互いに異なるディスプレイとして具現される。
【0043】
一実施例として、画像が具現される側に位置したユーザＵが第１基板１０の外側のイメージを観察することができる前面発光型表示装置を例として説明するが、本発明の表示装置は、それに限定されない。他の実施例として、本発明の表示装置は、ディスプレイ部２０から第１基板１０の方向に具現される背面発光型でもよい。
【0044】
透過領域１００に薄膜トランジスタ、キャパシタなどを配置せず、透過領域１００での外光透過率を高め、結果として、表示装置の外光透過率を高め、透過イメージが薄膜トランジスタ、キャパシタなどによって干渉されて歪曲が発生することを防止する。
【0045】
表示装置１は、第１基板１０に対向された第２基板をさらに含む。この際、ディスプレイ部２０は、第１基板１０と第２基板との間に設けられる。
【0046】
第２基板は、透明なガラスまたはプラスチック基板によって形成され、ディスプレイ部２０からの画像が具現されるようにし、ディスプレイ部２０での外気及び水分の浸透を遮断する。第１基板１０及び第２基板は、その縁部が密封剤によって接続され、第１基板１０及び第２基板間の空間が密封される。空間には、吸湿剤や充填剤などが位置する。または、第１基板１０及びディスプレイ部２０上に薄膜の第２基板を形成することで、密封される。その場合、第１基板１０及び第２基板がいずれもフレキシブルに備えられる。
【0047】
以下では、本発明の一実施例による表示装置１として、有機発光表示装置を例として説明するが、本発明の表示装置は、それに限定されない。他の実施例として、無機ＥＬ表示装置（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ）、量子ドット発光表示装置（ｑｕａｎｔｕｍｄｏｔ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ）のように多様な方式の表示装置が用いられる。
【0048】
図２及び３は、本発明の一実施例による表示装置１Ａを概略的に示す断面図及び平面図である。具体的に、図３は、互いに隣接した第１画素ＰＸ１、例えば、第１赤色画素Ｐｒ、第１緑色画素Ｐｇ、及び第１青色画素Ｐｂを示す平面図であり、図２は、図３のＡ－Ａ’に係わる断面図である。
【0049】
図２を参照すれば、ディスプレイ部２０は、画像が具現される表示領域１００とそれと隣接して外光が透過される透過領域２００を含む。ここで、外光は、第１画素ＰＸ１の発光素子ＥＬ１が放出する光と区別される外光である。外光は、周辺光または他の電子素子が放出する光でもある。
【0050】
前記透過領域２００には、不透明な物質を含む素子は配置されず、実質的に透明な補助層、絶縁膜などのみ配置され、表示装置１Ａ外部のイメージをそのまま透過させうる。
【0051】
透過領域２００は、第１外光６１及び第２外光６２が透過される。第１外光６１は、ディスプレイ部２０の外側から第１基板１０の外側方向に透過される外光である。第２外光６２は、第１基板１０の外側からディスプレイ部２０の外側に透過される外光である。素子及び配線が透過領域２００を迂回して配置されることで、透過領域２００には素子及び配線が配置されない。透過領域２００には、少なくとも第４絶縁膜１５が備えられない。透過領域２００に配置された絶縁膜１４は、透明絶縁物質を含む。
【0052】
表示領域１００は、発光領域１０２及び回路領域１０１を含む。表示領域１００には、第１画素ＰＸ１が配置される。発光領域１０２には、第１画素ＰＸ１の発光素子ＥＬ１が配置される。回路領域１０１には、発光素子ＥＬ１と電気的に接続され、薄膜トランジスタＴＲ１を含む第１画素ＰＸ１の画素回路が配置される。回路領域１０１と発光領域１０２は、重畳せず、よって発光素子ＥＬ１と画素回路は、重畳しないように互いに隣接して配置される。回路領域１０１には、図示されたように、１つの薄膜トランジスタＴＲ１が配置されることに限定されず、多数の薄膜トランジスタ及びキャパシタがさらに含まれ、それらと接続された走査線、データ線及び電源線などの配線がさらに備えられる。
【0053】
薄膜トランジスタＴＲ１は、バッファ膜１１上の半導体層１１１、ゲート電極１１２、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４を含む。半導体層１１１とゲート電極１１２との間の第１絶縁膜１２がゲート絶縁膜として機能し、ゲート電極１１２とソース電極１１３及びドレイン電極１１４との間の第２絶縁膜１３が層間絶縁膜として機能することができる。
【0054】
発光素子ＥＬ１は、薄膜トランジスタＴＲ１を覆う第３絶縁膜１４上の第１電極１１６、第１電極１１６に対向する第２電極１３０、第１電極１１６と第２電極１３０との間の中間層１１７を含む。
【0055】
第１電極１１６の縁部は、第４絶縁膜１５によって覆われ、第１電極１１６の中央部は露出される。第４絶縁膜１５は、表示領域１００を覆うように備えられるが、必ずしも表示領域１００全体を覆うように備えられるものではなく、少なくとも一部、特に第１電極１１６の縁部だけ覆うことができれば、十分である。
【0056】
第４絶縁膜１５を通じて露出された透過領域２００に対応する第３絶縁膜１４上には補助層１１８が備えられる。すなわち、補助層１１８は、中間層１１７と重畳しなく配置される。
【0057】
補助層１１８の厚さは、１ｎｍ以上２,０００ｎｍ以下でもよい。具体的に、補助層１１８の厚さは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよいが、それに限定されるものではない。前記範囲を満足すれば、後述するように、第２電極がパターニングされる効果を十分に得つつも、透過領域２００の透過率が相対的に高く確保される。
【0058】
補助層１１８は、第１材料及び第３材料を含む。
【0059】
中間層１１７上に第２電極１３０が備えられる。第２電極１３０は、表示領域１００にのみ対応して配置され、透過領域２００には配置されない。
【0060】
第２電極１３０は、第２材料を含む。
【0061】
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
ＳＴ２－ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ２ ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
【0062】
前記第１材料を乾式工程及び／または湿式工程を用いて全面（すなわち、表示領域１００と透過領域２００とをいずれも含む）に設けることで、第１層を形成する。具体的に、乾式工程の場合、オープンマスクを用いて全面に蒸着する方式で行われ、湿式工程の場合、全面にコーティングする方式で行われる。
【0063】
次いで、ファインメタルマスクを用いて透過領域２００にのみ対応するように前記第３材料を蒸着させることで第２層を形成する。
【0064】
その後、表示領域１００に対応して配置された前記第１材料を除去することができる。具体的に、全面にプラズマ処理、例えば、プラズマ熱処理を行うことで、表面に露出された前記第１材料を除去することで、補助層１１８を形成することができる。前記第３材料を透過領域２００に対応するように蒸着したので、プラズマ処理を行っても透過領域２００は、前記第１材料と前記第３材料が除去されない状態で残る。前記工程を行う間、前記第１材料が前記第１層から前記第２層の方向に拡散されるので、前記第１層と前記第２層との界面が消える。同時に、補助層１１８の一面、具体的に、第１基板１０からさらに遠い面に前記第１材料の濃度が高くなる。
【0065】
次いで、オープンマスクを用いて表示領域１００及び透過領域２００をいずれも第２材料を蒸着させる。この際、前記第１材料及び前記第２材料の表面エネルギーが互いに異なって制御されることで、第１材料が配置された領域には実質的に第２材料が配置されないように制御される。すなわち、前記第２材料は、中間層１１７上には、相対的によく蒸着されるが、第１材料を含む補助層１１８上には、相対的によく蒸着されない。したがって、第１材料を含む補助層１１８が透過領域２００に対応して配置されることで、第２材料を含む第２電極１３０は、透過領域２００には実質的に提供されず、表示領域１００にのみ対応して配置される。
【0066】
図２及び３から分かるように、第２電極１３０が配置されてはならない領域に対して補助層１１８を配置し、第２電極１３０が配置されねばならない領域に対しては補助層１１８を配置しない。それにより、第２材料を蒸着するときには、オープンマスクを用いて全画素の表示領域１００及び透過領域２００にいずれも前記第２材料を蒸着しても、前記金属は露出された中間層１１７の表面にのみ実質的に蒸着され、補助層１１８の表面には実質的に蒸着されないので、第２電極１３０がパターニングされる効果が得られる。
【0067】
透過領域２００の透過率を高めるため、第２電極１３０が透過領域２００に実質的に配置されてはならない。表示領域１００にのみ配置された第２電極１３０を形成するため、ファインメタルマスクを使用する場合、蒸着温度が高いので、長期間使用時、ファインメタルマスクが変形する。これにより、シャドー現象などの問題が起こるなどの工程的に非常に不安定な要素を生じる。しかし、本発明の実施例による表示装置１は、前述したように自動的に第２電極１３０のパターニング効果が得られるため、工程上、有利でもある。
【0068】
また、透過領域２００には、第２電極１３０が実質的に配置されないので、透過領域２００の透過率が向上する。すなわち、前記第２電極は、表示領域１００にのみ対応して配置され、透過領域２００には、第２電極１３０が存在しておらず、透過領域２００の透過率が向上する。
【0069】
一実施例において、補助層１１８は、第１領域及び第２領域を含む。前記第２領域は、前記第１領域と第１基板１０との間に介在される。すなわち、第１基板１０からディスプレイ部２０に向かう方向に沿って、前記第２領域及び前記第１領域が順次に配置される。
【0070】
前記第１領域での前記第１材料の濃度と、前記第２領域での前記第１材料の濃度と互いに異なる。具体的には、前記第１領域での前記第１材料の濃度が、前記第２領域での前記第１材料の濃度よりもさらに高い。さらに具体的には、前記第１領域は、前記第１材料の最大濃度位置を含む。
【0071】
他の実施例において、補助層１１８は、第３領域をさらに含む。前記第３領域は、前記第２領域と第１基板１０との間に設けられる。すなわち、第１基板１０からディスプレイ部２０に向かう方向に沿って、前記第３領域、前記第２領域及び前記第１領域が順次に配置される。
【0072】
前記第２領域での前記第１材料の濃度と前記第３領域での前記第１材料の濃度とが互いに異なる。具体的には、前記第２領域での前記第１材料の濃度が、前記第１領域での前記第１材料の濃度、及び前記第３領域での前記第１材料の濃度それぞれよりさらに低い。さらに具体的に、前記第１材料の濃度は、補助層１１８の一面から前記一面に対向する他面に沿って漸進的に低くなっていて、再び漸進的に高くなるが、それに限定されるものではない。
【0073】
第１材料を提供して第１層を形成した後、前記第１層上に第３材料を提供して第２層を形成することで、補助層１１８が形成される。補助層１１８が形成された直後には、前記第１層及び前記第２層の界面が存在してもよい。しかし、経時的に前記第１材料が前記第１層から前記第２層の方向に拡散されるので、前記第１層と前記第２層との界面が消える、または、見え難くなる。最終的に、補助層１１８は、前記第１材料及び前記第２材料が均一であるか、不均一に混合された様相を示す。これにより、前述したように、第１材料の濃度プロファイルを示す。
【0074】
一実施例において、ＳＴ２－ＳＴ１は、３０ｍＪ／ｍ２以上であり、具体的に、５０ｍＪ／ｍ２以上でもある。前記範囲を満足すれば、第１材料上に第２材料が実質的に蒸着されない。
【0075】
具体的に、ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ２より大きく３０ｍＪ／ｍ２以下である。前記範囲を満足すれば、第１材料上に第２材料が実質的に蒸着されない。具体的に、ＳＴ１は、２０ｍＪ／ｍ２以下でもあるが、それに限定されるものではない。
【0076】
一実施例において、前記第１材料は、有機化合物からなる。具体的に、前記第１材料は、フッ素含有有機化合物からなる。さらに具体的に、前記第１材料は、フッ素含量が相対的に高い有機化合物でもある。
【0077】
例えば、前記第１材料は、２０ａｔ％以上のフッ素を含む。前記範囲を満足すれば、第１材料上に第２材料が実質的に蒸着されないほどに前記第１材料の表面エネルギーが低くなる。前記第１材料のフッ素含量は、前記第１材料をＸ線光電子分光法（Ｘ－ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＸＰＳ）を用いて分析することで得られる。具体的に、前記第１材料は、５０ａｔ％以上のフッ素を含むことができるが、それに限定されるものではない。
【0078】
例えば、前記第１材料は、前述したように、有機化合物からなり、前記第１材料は、フッ素含有シラン化合物、フッ素系高分子化合物またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0079】
前記フッ素含有シラン化合物は、卜リクロロ（1Ｈ，1Ｈ，2Ｈ，2Ｈ－パーフルオロデシル）シラン｛Ｔｒｉｃｈｌｏｒｏ（1Ｈ，1Ｈ，2Ｈ，2Ｈ－ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｄｅｃｙｌ）ｓｉｌａｎｅ｝、卜リクロロ（1Ｈ，1Ｈ，2Ｈ，2Ｈ－パーフルオロ－ｎ－オクチル）シラン｛Ｔｒｉｃｈｌｏｒｏ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ－ｎ－ｏｃｔｙｌ）ｓｉｌａｎｅ｝、トリエトキシ－１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロデシルシラン（Ｔｒｉｅｔｈｏｘｙ－１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｄｅｃｙｌｓｉｌａｎｅ）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシルトリエトキシシラン（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチルトリエトキシシラン（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－ｎ－ｏｃｔｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｄｅｃｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロ－ｎ－オクチル）シラン｛Ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ－ｎ－ｏｃｔｙｌ）ｓｉｌａｎｅ｝、１，１，１－トリフルオロ－３－（トリメトキシシリル）プロパン｛１，１，１－Ｔｒｉｆｌｕｏｒｏ－３－（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐａｎｅ｝、（トリエチルシリル）トリフルオロメタン｛（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ｝、トリエトキシ［５，５，６，６，７，７，７－ヘプタフルオロ－４，４－ビス（トリフルオロメチル）ヘプチル］シラン）］｝｛Ｔｒｉｅｔｈｏｘｙ［５，５，６，６，７，７，７－ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏ－４,４－ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ］ｈｅｐｔｙｌ）ｓｉｌａｎｅ)、卜リクロロ（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン｛Ｔｒｉｃｈｌｏｒｏ（３，３，３－ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ）ｓｉｌａｎｅ｝、ジメトキシ（メチル）（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン｛Ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ（ｍｅｔｈｙｌ）（３，３，３－ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ）ｓｉｌａｎｅ｝、及びジクロロ（メチル）（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン｛Ｄｉｃｈｌｏｒｏ（ｍｅｔｈｙｌ）（３，３，３－ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ）ｓｉｌａｎｅ｝を含むが、それらに限定されるものではない。
【0080】
前記フッ素系高分子化合物は、ポリヘキサフルオロプロピレンオキサイド（ｐｏｌｙ（ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ））、ポリテトラフルオロ－ｃｏ－ヘキサフルオロプロピレン（ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ－ｃｏ－ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ポリデカフルオロオクチルアクリレート（ｐｏｌｙ（ｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｏｃｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ））、ポリテトラフルオロ－３－（ヘプタフルオロプロポキシ）プロピルアクリレート（ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ－３－（ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｏｘｙ）ｐｒｏｐｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリテトラフルオロ－３－（ヘプタフルオロエトキシ）プロピルアクリレート（ｐｏｌｙ（ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ－３－（ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｏｘｙ）ｐｒｏｐｙｌ（ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ－３－（ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｏｘｙ）ｐｒｏｐｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリテトラフルオロエチレン（ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｈｔｙｌｅｎｅ））、テトラフルオロエチレンヘキサフルオロプロピレンフッ化ビニリデン（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ポリウンデカフルオロアクリレート（ｐｏｌｙ（ｕｎｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌａｃｒｙｌａｔｅ））、ポリノナフルオロペンチルアクリレート（ｐｏｌｙ（ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ））、ポリテトラフルオロ－３－（トリフルオロメトキシ）プロピルアクリレートｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ－３－（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｏｘｙ）ｐｒｏｐｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリペンタフルオロビニルプロピオネート（ｐｏｌｙ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｖｉｎｙｌ ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）、ポリヘプタフルオロブチルアクリレート（ｐｏｌｙ（ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ））、ポリトリフルオロビニルアセテート（ｐｏｌｙ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｖｉｎｙｌ ａｃｅｔａｔｅ））、ポリ１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロイソプロピルアクリレート（ｐｏｌｙ（１，１，１，３，３，３－ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリオクタフルオロペンチルアクリレート（ｐｏｌｙ（ｏｃｔａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ））、ポリメチル３，３，３－トリフルオロプロピルシロキサン（ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌ３，３，３－ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリ２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロブチルメタアクリレート（ｐｏｌｙ（２，２，３，３，４，４，４－ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ)、ポリペンタフルオロプロピルアクリレート（ｐｏｌｙ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリ２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピルアクリレート（ｐｏｌｙ（２，２，３，３，３－ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ））、ポリ２－ヘプタフルオロブトキシエチルアクリレート（ｐｏｌｙ（２－ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｂｕｔｏｘｙ）ｅｔｈｙｌａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ｐｏｌｙ（ｃｈｌｏｒｏｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ））及びポリ１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロイソプロピルメタアクリレート（ｐｏｌｙ（１，１，１，３，３，３－ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ｍｅｔｈａａｃｒｙｌａｔｅ）を含むが、それらに限定されるものではない。
【0081】
さらに具体的に、前記第１材料の分子量は、１５００以下でもよいが、それに限定されるものではない。
【0082】
ＳＴ２及びＳＴ１の差が大きいほど、第１材料上に第２材料が実質的に蒸着されないようにすることができるが、そのためにＳＴ２は３０ｍＪ／ｍ２より大きくてもよい。または、ＳＴ２は、１００ｍＪ／ｍ２以上でもよいが、それに限定されるものではない。
【0083】
一実施例において、前記第２材料は、無機化合物からなる。具体的に、前記第２材料は、金属含有無機化合物からなる。
【0084】
例えば、前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）またはそれらの任意の組み合わせを含む。具体的に、前記第２材料は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌまたはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0085】
一実施例において、前記第３材料は、分子量が１５００以下であり、前記第３材料は、有機化合物からなる。
【0086】
例えば、前記第３材料は、中間層１１７に含まれる多様な機能層の形成に使用する有機化合物のうち、選択されるが、それに限定されるものではない。
具体的に、前記第３材料は、正孔輸送層または正孔注入層に一般的に用いられる化合物を含むことができ、例えば、芳香族アミン化合物、伝導性高分子化合物を含む。
具体的に、前記第３材料は、正孔輸送層または正孔注入層に一般的に用いられる化合物を含むことができ、例えば、芳香族アミン化合物、伝導性高分子化合物を含む。
【0087】
さらに具体的に、前記第３材料は、Ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、ＴＤＡＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、β－ＮＰＢ、ＴＰＤ、Ｓｐｉｒｏ－ＴＰＤ、Ｓｐｉｒｏ－ＮＰＢ、メチル化された－ＮＰＢ、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－ｔｒｉｓ（Ｎ－ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ（４，４’，４”-トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン））、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸））、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３，４－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４－ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）（ポリ（３,４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート））、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ／ＰＦＩ（ポリ（３,４－エチレンジオキシチオフェン／ポリ（４－スチレンスルホネート）／パーフルオロアイオノマー）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ （Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ （ポリアニリン／カンファースルホン酸））、ＰＡＮＩ／ＰＳＳ （Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｐｏｌｙ（４－ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）（ポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルホネート））及びそれらの任意の組み合わせを含むことができるが、それに限定されるものではない。
【0088】
【0089】
第１画素ＰＸ１は、例えば、第１赤色画素Ｐｒ、第１緑色画素Ｐｇ、及び第１青色画素Ｐｂでもよい。しかし、本発明は、それに制限されず、結合によって白色光を具現することができるならば、如何なる色の組み合わせも可能である。
【0090】
【0091】
補助層１１８は、前述したように透過領域２００にのみ配置される。一方、第２電極１０３は、図２と異なって、表示領域１００及び透過領域２００にいずれも対応して配置される。
【0092】
第２材料をオープンマスクとして蒸着すれば、図５から分かるように、中間層１１７上には、表示領域１００に対応して第２電極１３０の第１部分１３０ａが配置され、補助層１１８上には、透過領域２００に対応して第２電極１３０の第２部分１３０ｂが配置される。第１部分１３０ａの厚さＴ１と第２部分１３０ｂの厚さＴ２は、下記数式２を満足する。
Ｔ１＞Ｔ２ ＜数式２＞
Ｔ１＞Ｔ２ ＜数式２＞
【0093】
前記数式２を満足するので、第２部分１３０ｂによる透過率低下を減らすことができる。
【0094】
ここで、Ｔ１は、全ての第１部分での第２電極の厚さの平均値を意味し、Ｔ２は、全ての第２部分での第２電極の厚さの平均値を意味する。ここで、第２材料がオープンマスクとして蒸着される領域は、全ての第１部分と全ての第２部分との和からなる。
【0095】
但し、前述した内容が、第２電極が透過領域２００の一部に固まって（ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｉｏｎ）成膜される場合を排除するものではなく、第２電極が透過領域２００にアイランド形状に成膜されもする。
【0096】
具体的に、Ｔ２は、０ｎｍより大きく１ｎｍ以下である。さらに具体的に、Ｔ２は、０ｎｍより大きく０．１ｎｍ以下である。前記範囲を満足すれば、透過領域２００には、実質的に第２電極１３０が配置されない。
【0097】
【0098】
図６及び図７は、本発明の他の実施例による表示装置２Ａを概略的に示す断面図及び平面図である。具体的に、図７は、互いに隣接した第１画素ＰＸ１、例えば、第１赤色画素Ｐｒ、第１緑色画素Ｐｇ、及び第１青色画素Ｐｂを示す平面図であり、図６は、図７のＡ－Ａ’に係わる断面図である。
【0099】
【0100】
また、複数の第１画素ＰＸ１、例えば、第１赤色画素Ｐｒ、第１緑色画素Ｐｇ、及び第１青色画素Ｐｂの隣接した透過領域２００は、互いに接続されて共通の透過領域２００を形成することができる。その場合、図２及び３の実施例よりも、透過領域２００の面積が広くなる。これにより、表示装置２Ａの透過率を高めることができる。
【0101】
【0102】
【0103】
補助層１１８は、前述したように透過領域２００にのみ配置される。一方、第２電極１０３は、図６と異なって、表示領域１００及び透過領域２００にいずれも対応して配置される。
【0104】
第２材料をオープンマスクとして蒸着すれば、中間層１１７上には、表示領域１００に対応して第２電極１３０の第１部分１３０ａが配置され、補助層１１８上には、透過領域２００に対応して第２電極１３０の第２部分１３０ｂが配置される。第１部分１３０ａの厚さは、第１厚さＴ１で表示され、第２部分１３０ｂの厚さは、第２厚さＴ２で表示され、第２厚さＴ２と第１厚さＴ１は、下記数式２を満足し、
Ｔ１＞Ｔ２ ＜数式２＞
前記数式２において、
Ｔ１は、前記表示領域の第２電極の厚さであり、
Ｔ２は、前記透過領域の第２電極の厚さである。
Ｔ１＞Ｔ２ ＜数式２＞
前記数式２において、
Ｔ１は、前記表示領域の第２電極の厚さであり、
Ｔ２は、前記透過領域の第２電極の厚さである。
【0105】
前記数式２を満足するので、第２部分１３０ｂによる透過率の低下を抑制することができる。
【0106】
具体的に、Ｔ２は、０ｎｍ大きく１ｎｍ以下である。さらに具体的に、Ｔ２は、０ｎｍより大きく０．１ｎｍ以下である。前記範囲を満足すれば、透過領域２００には、実質的に第２電極１３０が配置されない。
【0107】
【0108】
【0109】
図９ないし図１６を参照すれば、本発明の一実施例による表示装置１Ａの製造方法は、第１基板を提供する段階と、前記第１基板上に表示領域と透過領域とを含むディスプレイ部を提供する段階と、を含み、前記ディスプレイ部を提供する段階は、前記表示領域及び前記透過領域上に第１材料を提供し、前記透過領域上にのみ第３材料を提供した後、前記表示領域上の前記第１材料を除去することで、前記透過領域に対応して配置された補助層を提供する段階と、第２電極を提供する段階と、を含み、前記補助層は、第１材料及び第３材料を含み、前記第２電極は、第２材料を含み、第１材料及び第２材料についての説明は、前述したところを参照する。
【0110】
以下、図面を参照して、本発明の一実施例による表示装置１Ａの製造方法を具体的に説明する。
【0111】
図９を参照すれば、第１基板１０上にバッファ膜１１が提供され、バッファ膜１１上に薄膜トランジスタＴＲ１を含む画素回路が提供される。
【0112】
第１基板１０は、ガラス材、セラミック材、金属材、プラスチック材、または、フレキシブルまたはベンダブル特性を有する物質を含む。
【0113】
バッファ膜１１は、第１基板１０を介した不純元素の浸透を遮断し、表面を平坦化する機能を行い、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）及び／またはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）のような無機物によって単層または複数層に形成される。バッファ膜１１は省略されてもよい。
【0114】
バッファ膜１１上には、表示装置１Ａに第１画素ＰＸ１の半導体層１１１が提供される。半導体層１１１は、多様な物質を含む。例えば、半導体層１１１は、非晶質シリコンまたは結晶質シリコンのような無機半導体物質を含む。他の例として、半導体層１１１は、酸化物半導体を含むか、有機半導体物質を含む。
【0115】
半導体層１１１を覆うように第１絶縁膜１２がバッファ膜１１上に提供され、第１絶縁膜１２上に第１画素ＰＸ１のゲート電極１１２が提供される。
【0116】
第１絶縁膜１２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴのうち、選択された１つ以上の絶縁膜が単層または複数層で形成される。第１絶縁膜１２は、無機絶縁膜でもある。
【0117】
ゲート電極１１２は、多様な導電性物質で形成する。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち、選択された１つ以上の物質で単層または多層に形成される。例えば、ゲート電極１１２は、Ｍｏ／Ａｌ／ＭｏまたはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層で構成される。
ゲート電極１１２を覆うように第１絶縁膜１２上に第２絶縁膜１３が提供され、第２絶縁膜１３上に第１画素ＰＸ１のソース電極１１３とドレイン電極１１４とが提供され、それぞれ半導体層１１１とコンタクトホールを通じて電気的に接続される。
ゲート電極１１２を覆うように第１絶縁膜１２上に第２絶縁膜１３が提供され、第２絶縁膜１３上に第１画素ＰＸ１のソース電極１１３とドレイン電極１１４とが提供され、それぞれ半導体層１１１とコンタクトホールを通じて電気的に接続される。
【0118】
第２絶縁膜１３は、無機絶縁膜でもある。第２絶縁膜１３は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴのうち、選択された１つ以上の絶縁膜が単層または複数層で形成される。他の実施例において、第２絶縁膜１３は、有機絶縁膜でもある。
【0119】
ソース電極１１３とドレイン電極１１４は、多様な導電性物質で形成する。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち、選択された１つ以上の物質で単層または多層で形成される。例えば、ソース電極１１３とドレイン電極１１４は、２層以上で構成される。
薄膜トランジスタＴＲ１の構造は、必ずしも図示されたところに限定されるものではなく、多様な形態の薄膜トランジスタの構造が適用可能であるということは言うまでもない。
薄膜トランジスタＴＲ１の構造は、必ずしも図示されたところに限定されるものではなく、多様な形態の薄膜トランジスタの構造が適用可能であるということは言うまでもない。
【0120】
第１画素ＰＸ１の薄膜トランジスタＴＲ１を覆うように第３絶縁膜１４が提供される。
【0121】
第３絶縁膜１４は、上面が平坦化された単層または複数層の有機絶縁膜で形成される。第３絶縁膜１４は、一般汎用ポリマー（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノール基を有するポリマー誘導体、アクリル系ポリマー、イミド系ポリマー、アリールエーテル系ポリマー、アミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ｐ－キシレン系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー及びそれらのブレンドなどを含む。例えば、第３絶縁膜１４は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂などを含む。
【0122】
一般的に、第３絶縁膜１４に含まれる化合物の表面エネルギーは、１００ｍＪ／ｍ２以上である。したがって、補助層１１８を透過領域２００に形成しない状態で、第３絶縁膜１４上に直ちに第２材料をオープンマスクを用いて表示領域１００及び透過領域２００にいずれも蒸着すれば、第３絶縁膜１４に含まれる化合物の表面エネルギーと前記第２材料の表面エネルギーとが同一であるか、類似しているので、第２電極１３０がパターニングされる効果が全く得られない。
【0123】
第３絶縁膜１４上には、第１画素ＰＸ１の薄膜トランジスタＴＲ１と電気的に接続された発光素子ＥＬ１の第１電極１１６が提供される。第１電極１１６は、表示領域１００に対応して提供される。
【0124】
発光素子ＥＬ１が前面発光素子である場合、第１電極１１６は、反射電極で形成される。反射電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びそれらの化合物などを含む反射層と、反射層上に形成された透明または半透明電極層を含む。発光素子ＥＬ１が背面発光素子である場合、第１電極１１６は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたは、Ｉｎ２Ｏ３などの透明物質を含み、透明または半透明電極で構成される。
【0125】
図９に図示されたように、バッファ膜１１、第１絶縁膜１２、第２絶縁膜１３及び第３絶縁膜１４はそれぞれ表示領域１００及び透過領域２００をいずれも覆うように提供される。しかし、本発明の実施例は、これに限定されず、バッファ膜１１、第１絶縁膜１２、第２絶縁膜１３及び第３絶縁膜１４のうち、少なくとも１つは、透過領域２００に対応する位置に開口部（図示せず）を備えることで、透過領域２００の外光透過効率をさらに増加させることができる。
【0126】
外光は、透過領域２００を透過してユーザに認識される。したがって、透過領域２００には、透明な絶縁膜などのみ配置され、透過領域２００に配置された膜の境界面で発生する反射を最小化することで、透過領域２００の透過率を高めることができる。
【0127】
前記界面反射は、互いに接する膜間の屈折率差が大きいほど大きくなる。一実施例によれば、バッファ膜１１、第１絶縁膜１２、第２絶縁膜１３及び第３絶縁膜１４がいずれも実質的に同じ屈折率を有する単一膜でもある。透過領域２００に配置されたバッファ膜１１、第１絶縁膜１２、第２絶縁膜１３及び第３絶縁膜１４の屈折率をいずれも同一に構成することで、膜間で発生する界面反射を最小化して透過領域２００の透過率を高めることができる。
【0128】
図１０を参照すれば、第３絶縁膜１４上に第１電極１１６の縁部を覆う第４絶縁膜１５が提供される。第４絶縁膜１５は、前記無機絶縁膜または有機絶縁膜で単層または複数層で形成される。
【0129】
第４絶縁膜１５は、表示装置１Ａの表示領域１００を覆うように備えられるが、必ずしも表示領域１００全体を覆うように備えられるものではなく、少なくとも一部、特に、第１画素ＰＸ１の第１電極１１６の縁部を覆うだけで、十分である。
【0130】
第４絶縁膜１５は、第１画素ＰＸ１の第１電極１１６の少なくとも一部を露出する第１開口１５ａと、透過領域２００に対応位置の第２開口１５ｂを備えることができる。第４絶縁膜１５が透過領域２００には位置しないことで、透過領域２００の外光透過効率がさらに増加する。
【0131】
図１１を参照すれば、第１基板１０の全面（すなわち、第４絶縁膜１５、第１画素ＰＸ１の第１開口１５ａを通じて露出された第１電極１１６、第２開口１５ｂを通じて露出された第３絶縁膜１４）に第１材料を含む第１層１１８ａが提供される。
【0132】
一実施例において、前記第１材料は、乾式工程、例えば、オープンマスクを用いて全面に蒸着されることで提供される。
他の実施例において、前記第１材料は湿式工程を用いて全面にコーティングされる。
他の実施例において、前記第１材料は湿式工程を用いて全面にコーティングされる。
【0133】
図１２を参照すれば、第２開口１５ｂを通じて露出された第１層１１８ａ上に第３材料を含む第２層１１８ｂが提供される。
【0134】
一実施例において、前記第３材料は、表示装置１Ａの透過領域２００に対応する開口部Ｍ１１を有するマスク、例えば、ファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ;ＦＭＭ）を用いて透過領域２００にのみ提供される。具体的に、前記第３材料は、ＦＭＭを用いて蒸着される。
【0135】
図１３を参照すれば、表示領域１００に対応して配置された第１層１１８ａを除去することで、補助層１１８を形成することができる。
【0136】
一実施例において、前記第１層１１８ａは、全面にプラズマ処理、例えば、プラズマ熱処理を行うことで除去される。第１層１１８ａが除去されることにより、補助層１１８が完成される。前記第３材料を透過領域２００に対応するように蒸着したので、プラズマ処理を行っても、透過領域２００は、前記第１材料と前記第３材料が除去されない状態で残る。前記工程を行う間、前記第１材料が前記第１層から前記第２層の方向に拡散されるので、前記第１層と前記第２層との界面が消える。同時に、補助層１１８の一面、具体的に、第１基板１０からさらに遠い面に前記第１材料の濃度が高くなる。これにより、第２層１１８ｂを除去する工程なしに、直ちに第２電極を形成しても、第１材料と第２材料の表面エネルギー差によるパターニングが可能である。
【0137】
図１４を参照すれば、第１画素ＰＸ１の第１開口１５ａを通じて露出された第１電極１１６上に中間層１１７が提供される。
【0138】
中間層１１７は、光を放出する発光層を備え、その他に正孔注入層（ＨＩＬ:ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ:ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ:ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（ＥＩＬ:ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）のうち、少なくとも１つの機能層をさらに含む。しかし、本実施例は、それに限定されず、第１電極１１６上には、多様な機能層がさらに配置される。
【0139】
発光層は、赤色発光層、緑色発光層または青色発光層である。または、発光層は白色光を放出するように赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が積層された多層構造を有するか、赤色発光物質、緑色発光物質及び青色発光物質を含む単一層構造を有する。
【0140】
一実施例において、中間層１１７は、表示装置１Ａの発光領域１０２に対応する開口部Ｍ２１を有するマスク、例えば、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を使用して発光領域１０２にのみ提供される。
【0141】
他の実施例において、中間層１１７のうち、発光層は、表示装置１Ａの発光領域１０２に対応する開口部Ｍ２１を有するＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を使用して発光領域１０２にのみ提供され、その他の機能層は、オープンマスクを使用して第１基板１０の全面に提供される。
【0142】
本発明の実施例において、表示装置１Ａの透過領域２００には、少なくとも発光層が提供されない。
【0143】
図１５を参照すれば、一実施例において、中間層１１７上、または中間層１１７及び補助層１１８上に第２電極１３０が提供される。
【0144】
第２電極１３０は、オープンマスクを用いて前記第２材料を蒸着することで提供される。この際、補助層１１８の第１材料と第２電極１３０の第２材料の表面エネルギーが互いに異なって制御されることで、第１材料が提供された透過領域２００には、実質的に第２材料が提供されない。すなわち、前記第２材料は、中間層１１７上にはよく蒸着されるが、第１材料を含む補助層１１８上には蒸着され難い。したがって、第１材料を含む補助層１１８が透過領域２００に対応して配置されることで、第２材料を含む第２電極１３０は、透過領域２００には実質的に提供されず、表示領域１００にのみ対応して配置される。
図１６を参照すれば、第１基板１０上部にさらに第２基板をアライメントした後、第１基板１０と第２基板を結合する。
図１６を参照すれば、第１基板１０上部にさらに第２基板をアライメントした後、第１基板１０と第２基板を結合する。
【0145】
第２基板は、ガラス材、セラミック材、金属材、プラスチック材、またはフレキシブルまたはベンダブル特性を有する物質を含む。
【0146】
第２基板の第１基板１０に対向する面には、ブラックマットリックスＢＭとカラーフィルターＣＦが配置される。カラーフィルターＣＦは、表示装置１Ａの発光領域１０２に対応するように配置される。ブラックマットリックスＢＭは、表示装置１Ａの発光領域１０２と透過領域２００とを除いた領域に対応するように配置される。すなわち、表示装置１Ａの透過領域２００には、ブラックマットリックス（ＢＭ）が配置されない。
【0147】
図示されていないが、第２基板を第１基板１０に結合する前、第２電極１３０上部に保護層がさらに配置される。保護層は、無機膜及び／または有機膜の単層または複数層でもある。
【0148】
また、図示されていないが、第２基板の上部には、多様な機能層がさらに備えられる。例えば、機能層は、第２基板の上面での反射を最小化する反射防止層、ユーザの手痕（例えば、指紋痕）のような汚染を防止する汚染防止層でもある。
【0149】
他の実施例において、上述した第２基板の代わりに、薄膜封止層が第１基板１０上部に配置される。薄膜封止層は、少なくとも１つの無機物からなる無機封止層及び少なくとも１つの有機物からなる有機封止層を含む。一部実施例において、薄膜封止層は、第１無機封止層／有機封止層／第２無機封止層が積層された構造で備えられる。
【0150】
補助層１１８が形成された後、第２電極１３０が形成されるだけで、工程上の多様な変形が可能である。
【0151】
表示装置１は、携帯電話、ビデオフォン、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、スマートパッド、スマートウォッチ、タブレットＰＣ、ノート型パソコン、コンピュータモニタ、テレビ、デジタル放送用端末機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ Ｐｌａｙｅｒ）、ヘッドマウントディスプレイ装置（ｈｅａｄ ｍｏｕｎｔｅｄ ｄｉｓｐｌａｙ、ＨＭＤ）、車両用ナビゲーションのような電子機器１０００として具現される。
【0152】
【0153】
図１７を参照すれば、電子機器１０００は、プロセッサ１０１０、メモリ装置１０２０、ストレージ装置１０３０、入出力装置１０４０、パワーサプライ１０５０及び表示装置１０６０を含む。この際、表示装置１０６０は、図１の表示装置１に相応することができる。電子機器１０００は、ビデオカード、サウンドカード、メモリカード、ＵＳＢ装置などと通信するか、または他のシステムと通信することができる多くのポート（ｐｏｒｔ）をさらに含んでもよい。
【0154】
一実施例において、図１８Ａに図示されたように、電子機器１０００は、テレビとして具現される。他の実施例において、図１８Ｂに図示されたように、電子機器１０００は、スマートフォンとして具現される。但し、それらは、例示的なものであって、電子機器１０００がそれらに限定されるものではない。
次いで、図１９を参照して、第１層１１８ａの有無による第２電極１３０の形成有無を説明する。
次いで、図１９を参照して、第１層１１８ａの有無による第２電極１３０の形成有無を説明する。
【0155】
比較例１で表示されたグラフは、サンプル１の透過率グラフである。サンプル１は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板である。比較例２で表示されたグラフは、サンプル２の透過率グラフである。サンプル２は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上にＡｇＭｇ（重量比＝１０：１）を蒸着することで、９ｎｍ厚さのＡｇＭｇ薄膜を形成した基板である。実施例１で表示されたグラフは、サンプル３の透過率グラフである。サンプル３は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上に１０ｎｍ厚さで第１材料を含む第１層を形成した後、９ｎｍ厚さのＡｇＭｇを蒸着することで製造された基板である。比較例１の透過率グラフに近いほど、第２電極が形成されていないことを意味する。
【0156】
図１９を参照すれば、実施例のグラフが比較例２のグラフに比べて比較例１のグラフに顕著に近いことを確認することができる。これにより、補助層を形成することで、第２電極が実質的に形成されていないことを確認することができる。
【0157】
次いで、図２０を参照して、第３材料を含む第２層１１８ｂの有無による第２電極１３０の形成有無を説明する。
【0158】
比較例３で表示されたグラフは、サンプル４の透過率グラフである。サンプル４は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上に第３材料を含む第２層を１５２ｎｍ厚さで形成した基板である。比較例４で表示されたグラフは、サンプル５の透過率グラフである。サンプル５は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上に１０ｎｍ厚さで第１材料を含む第１層を形成した後、第３材料を含む第２層を１５２ｎｍ厚さで形成した基板である。実施例２に表示されたグラフは、サンプル６の透過率グラフである。サンプル６は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上に１０ｎｍ厚さで第１材料を含む第１層を形成した後、第３材料を含む第２層を１５２ｎｍ厚さで形成し、ＡｇＭｇ（重量比＝１０：１）を蒸着することで９ｎｍ厚さのＡｇＭｇ薄膜を形成した基板である。比較例４の透過率グラフに近いほど第２電極が形成されていないことを意味する。
【0159】
図２０を参照すれば、実施例２のグラフが比較例４のグラフとほぼ類似していることを確認することができる。これにより、第２層を除去する別途の工程なしにも、補助層上に第２電極が実質的に形成されていないことを確認することができる。
【0160】
次いで、図２１を参照して、補助層１１８内での第１材料の分布を説明する。
【0161】
（ａ）は、サンプル４のＸＰＳ結果であり、（ｂ）は、サンプル６のＸＰＳ結果である。（ａ）と（ｂ）とを対比すれば、フッ素の濃度が補助層１１８の一面、具体的に有機基板からさらに遠い一面側で高いことを確認することができる。前記フッ素は、第１材料から起因したものである。（ｂ）から、ガラス基板上に、まず第１材料として第１層１１８ａを形成し、次いで、第３材料として第２層１１８ｂを形成したが、第１材料が拡散されてガラス基板からさらに遠い補助層１１８の一面に第１材料の濃度が高くなったことが予想できる。第１材料が補助層１１８の表面に十分に高濃度で存在するので、第２電極がパターニングされていることを確認することができる。
【0162】
このように、本発明は、図面に図示された実施例に基づいて説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当該分野で通常の知識を有する者であれば、多様な変更及び実施例の変更が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【符号の説明】
【0163】
１ 表示装置
１０ 第１基板
１１ バッファ膜
１２ 第１絶縁膜
１３ 第２絶縁膜
１４ 第３絶縁膜
１５ 第４絶縁膜
２０ ディスプレイ部
１Ａ 表示装置
６１ 第１外光
６２ 第２外光
１００ 表示領域
１０１ 回路領域
１０２ 発光領域
１１１ 半導体層
１１２ ゲート電極
１１３ ソース電極
１１４ ドレイン電極
１１６ 第１電極
１１７ 中間層
１１８ 補助層
１３０ 第２電極
２００ 透過領域
ＴＲ１ 薄膜トランジスタ
ＰＸ１ 第１画素
ＥＬ１ 発光素子
１０ 第１基板
１１ バッファ膜
１２ 第１絶縁膜
１３ 第２絶縁膜
１４ 第３絶縁膜
１５ 第４絶縁膜
２０ ディスプレイ部
１Ａ 表示装置
６１ 第１外光
６２ 第２外光
１００ 表示領域
１０１ 回路領域
１０２ 発光領域
１１１ 半導体層
１１２ ゲート電極
１１３ ソース電極
１１４ ドレイン電極
１１６ 第１電極
１１７ 中間層
１１８ 補助層
１３０ 第２電極
２００ 透過領域
ＴＲ１ 薄膜トランジスタ
ＰＸ１ 第１画素
ＥＬ１ 発光素子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18A】
【図18B】
【図19】
【図20】
【図21】
