(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-11
(45)【発行日】2024-11-19
(54)【発明の名称】保持装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20241112BHJP
【FI】
H01L21/68 N
(21)【出願番号】P 2020169660
(22)【出願日】2020-10-07
【審査請求日】2023-08-17
(73)【特許権者】
【識別番号】000004547
【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001036
【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】駒津 貴久
(72)【発明者】
【氏名】吉田 英二
【審査官】久宗 義明
(56)【参考文献】
【文献】特開2015-222748(JP,A)
【文献】特開平08-334546(JP,A)
【文献】国際公開第2006/049085(WO,A1)
【文献】特開2013-229464(JP,A)
【文献】米国特許出願公開第2015/0340261(US,A1)
【文献】国際公開第2010/082420(WO,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01L 21/683
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材と、
前記板状部材の内部に配置された内部電極部と、前記板状部材の前記第2の表面側に露出している外部接続部と、を備える電極と、
前記外部接続部を介して前記内部電極部に通電可能なプローブと、を備える、保持装置であって、
前記外部接続部と前記プローブの端部とは繊維状電極によって電気的に接続されている、保持装置。
【請求項2】
前記繊維状電極は、前記第1の方向において前記外部接続部と前記プローブの端部との間に挟持されており、前記外部接続部に接合されていない、請求項1に記載の保持装置。
【請求項3】
前記板状部材の前記第2の表面には、前記第1の表面側に凹んだ形態の凹部が設けられており、
前記繊維状電極は、圧縮状態で前記凹部内に配置されている、請求項1または請求項2に記載の保持装置。
【請求項4】
前記外部接続部は、複数の前記内部電極部のグランド側にそれぞれ電気的に接続されたコモン電極に接続されている、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、対象物を保持する保持装置に関する。
【背景技術】
【0002】
対象物(例えば、半導体ウェハ)を保持しつつ所定の温度(例えば、400~800℃程度)に加熱する加熱装置(「サセプタ」とも呼ばれる)が知られている。加熱装置は、例えば、成膜装置(CVD成膜装置、スパッタリング成膜装置等)やエッチング装置(プラズマエッチング装置等)といった半導体製造装置の一部として使用される。
【0003】
一般に、加熱装置は、所定の方向に略直交する表面(以下「保持面」という)と、保持面とは反対側の表面(以下「裏面」という)と、を有するセラミックス部材を備える。セラミックス部材の内部には、例えばタングステン(W)やモリブデン(Mo)等の抵抗発熱体から構成されたヒータ電極が配置されている。ヒータ電極には、少なくとも一部分がセラミックス部材の裏面に露出した導電性の接続部材(「電極パッド」とも呼ばれる)が電気的に接続されている。接続部材には、ろう材により形成された接合部により、金属製の給電部材が接合されている。給電部材および接続部材を介してヒータ電極に電圧が印加されると、ヒータ電極が発熱し、セラミックス部材の保持面上に保持された対象物が加熱される。このような加熱装置として、例えば、特開2015-159232号公報(下記特許文献1)に記載の試料保持具が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記の試料保持具は、先端が尖った外部端子接続用ピンと、外部端子接続用ピンの先端が押し当てられる第2電極と、を備えている。第2電極の表面は必ずしも平坦ではなく、僅かにうねりを持っている。うねりの発生原因は、例えば第2電極自身の厚みのばらつきによるものや、基体の内部に積層されたビアの突き上げによって第2電極が部分的に応力を受けることによるものなどである。このため、外部端子接続用ピンの先端と第2電極の表面とが点接触となることで接触面積が少なくなり、高抵抗となり、外部端子接続用ピンと第2電極の双方に焦げ付きが発生するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の保持装置は、第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材と、前記板状部材の内部に配置された内部電極部と、前記板状部材の前記第2の表面側に露出している外部接続部と、を備える電極と、前記外部接続部を介して前記内部電極部に通電可能なプローブと、を備える、保持装置であって、前記外部接続部と前記プローブの端部とは繊維状電極によって電気的に接続されている、保持装置である。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、外部接続部とプローブの双方に焦げ付きが発生することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【
図1】
図1は、実施形態における加熱装置を概略的に示した斜視図である。
【
図2】
図2は、加熱装置の内部構成を示した断面図である。
【
図3】
図3は、
図2の繊維状電極付近を拡大して示した断面図である。
【
図4】
図4は、変形例における繊維状電極付近を拡大して示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
[本開示の実施形態の説明]
(1)本開示の保持装置は、第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材と、前記板状部材の内部に配置された内部電極部と、前記板状部材の前記第2の表面側に露出している外部接続部と、を備える電極と、前記外部接続部を介して前記内部電極部に通電可能なプローブと、を備える、保持装置であって、前記外部接続部と前記プローブの端部とは繊維状電極によって電気的に接続されている、保持装置である。
【0010】
外部接続部とプローブの端部とが繊維状電極によって電気的に接続されているため、外部接続部とプローブの端部とが点接触となることを回避できる。したがって、外部接続部とプローブの双方に焦げ付きが発生することを抑制できる。
【0011】
(2)前記繊維状電極は、前記第1の方向において前記外部接続部と前記プローブの端部との間に挟持されており、前記外部接続部に接合されていないことが好ましい。
繊維状電極が外部接続部に接合されると、両者が点接触する可能性があり、高抵抗となって、繊維状電極と外部接続部の双方に焦げ付きが発生するおそれがある。そこで、上記のように繊維状電極が外部接続部に接合されていないようにすることで点接触を防ぐとともに、焦げ付きの発生を防ぐことができる。
【0012】
(3)前記板状部材の前記第2の表面には、前記第1の表面側に凹んだ形態の凹部が設けられており、前記繊維状電極は、圧縮状態で前記凹部内に配置されていることが好ましい。
繊維状電極を圧縮状態で凹部内に配置できるため、繊維状電極の位置決めが容易になるとともに、プローブの端部を繊維状電極に押し当てる際に、繊維状電極が凹部内から落下しないように手で押さえておく必要がない。
【0013】
(4)前記外部接続部は、複数の前記内部電極部のグランド側にそれぞれ電気的に接続されたコモン電極に接続されていることが好ましい。
電流が集まるコモン電極側において外部接続部とプローブの双方に焦げ付きが発生することを抑制できる。
【0014】
[本開示の実施形態の詳細]
本開示の保持装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0015】
<加熱装置>
本開示の保持装置は、対象物(例えば、半導体ウェハW)を保持しつつ所定の処理温度(例えば、400~800℃)に加熱する加熱装置100であり、サセプタとも呼ばれる。加熱装置100は、例えば、成膜装置(CVD成膜装置、スパッタリング成膜装置等)やエッチング装置(プラズマエッチング装置等)といった半導体製造装置の一部として使用される。加熱装置100は、
図1に示すように、保持体10と、柱状支持体20と、を備える。加熱装置100が請求項の「保持装置」に対応する。なお、本明細書に開示される技術は、加熱装置以外に、静電チャック、保持装置等に適用可能である。
【0016】
<保持体>
保持体10は、
図2に示すように、上下方向に略直交する保持面S1と、保持面S1とは反対側の裏面S2と、を有する略円板状の部材である。保持体10は、例えば、窒化アルミニウム(AlN)やアルミナ(Al
2O
3)を主成分とするセラミックス等の絶縁部材により形成されている。なお、ここでいう主成分とは、含有割合(重量割合)の最も多い成分を意味する。保持体10の直径は、例えば100mm以上、500mm以下程度である。保持体10が請求項の「板状部材」に対応し、上下方向が請求項の「第1の方向」に対応し、保持面S1が請求項の「第1の表面」に対応し、裏面S2が請求項の「第2の表面」に対応する。
【0017】
保持体10の内部には、電極40が埋設されている。電極40は、抵抗発熱体50と、各ビア52A、52Bと、コモン電極55と、メタライズ導体60と、を備える。
【0018】
抵抗発熱体50は、保持体10を加熱するヒータ電極であり、例えば、タングステンやモリブデン等の導電性材料により形成されている。抵抗発熱体50は、上方から見て、略同心円状に延びる線状のパターンを構成している。抵抗発熱体50の線状パターンの両端部は、ビアパッドを介して第1ビア52Aの上端部に接続されている。抵抗発熱体50が請求項の「内部電極部」に対応する。
【0019】
複数の抵抗発熱体50の下方には、コモン電極55が設けられている。コモン電極55は、複数の抵抗発熱体50の第1ビア52Aの下端部(グランド側)にそれぞれ電気的に接続されている。コモン電極55は、第2ビア52Bを介して導電性のメタライズ導体60に接続されている。メタライズ導体60は、保持体10の中心部近傍に配置されている。
【0020】
保持体10の裏面S2には、複数の端子穴12が形成されている。各端子穴12は、保持面S1側に凹んだ形態とされている。各端子穴12の上端部には、端子側電極62が設けられている。
【0021】
端子側電極62は、メタライズ導体60の一部分(後述する内側部IP)が保持体10の裏面S2側に露出した部分である。抵抗発熱体50とメタライズ導体60は、各ビア52A、52B、およびコモン電極55などを介して電気的に接続された状態となっている。端子穴12が請求項の「凹部」に対応し、端子側電極62が請求項の「外部接続部」に対応する。
【0022】
<メタライズ導体>
メタライズ導体60は、金属材料とセラミックス材料とを含むように形成されている。メタライズ導体60に含まれる金属材料は、例えば、タングステンやモリブデン等である。また、メタライズ導体60に含まれるセラミックス材料は、例えば、窒化アルミニウムやアルミナである。なお、メタライズ導体60に含まれるセラミックス材料は、保持体10の主成分であるセラミックス材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するセラミックス材料であることが好ましい。
【0023】
また、メタライズ導体60は、例えば上方から見て、略円形の略平板状部材である。ただし、メタライズ導体60は、外周部分が全周にわたって斜め上方に屈曲したような形状となっている。すなわち、メタライズ導体60は、そのように屈曲して保持体10の内部に位置する外周部OPと、外周部OP以外の部分である略平板状の内側部IPと、から構成されている。
【0024】
図3に示すように、メタライズ導体60の内、外周部OPに相当する領域は保持体10を構成するセラミックス材料等の絶縁部材13によって覆われているが、内側部IPに相当する領域は保持体10の裏面S2側に露出している。内側部IPの下面が端子側電極62である。メタライズ導体60の内側部IPの直径は、例えば3mm以上、12mm以下程度であり、メタライズ導体60の厚さは、例えば0.005mm以上、0.15mm以下程度である。また、外周部OPを覆う絶縁部材13の最大厚さ(最大かぶり厚)は、例えば0.005mm以上、0.1mm以下程度である。絶縁部材13の材料は保持体10の材料と同じである。絶縁部材13が保持体10と同じ材料で構成されているから、絶縁部材13と保持体10を一体に形成できる。
【0025】
<柱状支持体>
図2に示すように、柱状支持体20は、上下方向に延びる略円柱状部材である。柱状支持体20は、保持体10と同様に、例えば窒化アルミニウムやアルミナを主成分とするセラミックス等の絶縁部材により形成されている。柱状支持体20の外径は、例えば30mm以上、90mm以下程度であり、柱状支持体20の高さ(上下方向における長さ)は、例えば100mm以上、300mm以下程度である。
【0026】
保持体10と柱状支持体20は、保持体10の裏面S2と柱状支持体20の上面S5とが上下方向に対向するように配置されている。柱状支持体20は、保持体10の裏面S2の中心部付近に、公知の接合材料により形成された接合部30を介して接合されている。
【0027】
柱状支持体20には、保持体10の裏面S2側に開口する貫通孔22が形成されている。貫通孔22は、上下方向に延出し、その延出方向にわたって略一定の内径を有する断面略円形の孔である。貫通孔22には、複数の電極端子24が収容されている。電極端子24は、上方から見て、略円形の柱状部材であり、ニッケル(Ni)等の導電性材料により形成されている。電極端子24の直径は、例えば2mm以上、6mm以下程度である。電極端子24の上端部は、先細り状の端部26とされている。電極端子24が請求項の「プローブ」に対応する。
【0028】
<繊維状電極>
端子穴12の内部には、繊維状電極70が圧縮状態で収容されている。繊維状電極70は、銅などの金属によって構成され、直径約0.1mmの芯線が絡まり合ったものである。繊維状電極70には、電極端子24の端部26が下方から突き刺さっている。電極端子24は、スプリングなどの付勢部材によって繊維状電極70に向けて押し当てられている。繊維状電極70は、端子側電極62に接合(ろう付け)されておらず、上下方向において端子側電極62と電極端子24の端部26との間に挟持されている。
【0029】
繊維状電極70は柔軟性があるため、端子側電極62の表面に100μm前後の凹凸部があったとしても、凹凸部の形状に合わせて点接触もしくは線接触できるため、端子側電極62に対する接触面積を十分に確保できる。同様に、電極端子24の端部26の表面に凹凸部があったとしても、凹凸部の形状に合わせて点接触もしくは線接触できるため、電極端子24の端部26に対する接触面積を十分に確保できる。
【0030】
<実施例>
加熱装置100についてヒートサイクル試験前後における抵抗値測定を行った。
測定条件:真空中で450℃の温度雰囲気下、印加電流20.1Aで実施した。
【表1】
【0031】
ワーク単体は、繊維状電極70なしでヒートサイクル試験前に上記測定条件で測定した抵抗値を示す。
試験前は、ヒートサイクル試験前に上記測定条件で測定した抵抗値を示す。
試験後は、ヒートサイクル試験後に上記測定条件で測定した抵抗値を示す。
【0032】
測定結果:端子側電極62と電極端子24の端部26とに焦げは発生せず、繊維状電極70を使用したことによる抵抗値上昇は確認できなかった。試験後の抵抗値上昇はワーク温度が上がったためであり、問題なしと判断できる。
【0033】
このように本実施形態では電極端子24の端部26を端子側電極62に対してろう付けによって接続していないから、ヒートサイクル試験による接続部(ろう付け部)の劣化が発生せず、抵抗値の上昇や断線などを回避できる。
【0034】
以上のように本実施形態の加熱装置100は、上下方向に略直交する保持面S1と、保持面S1とは反対側の裏面S2と、を有する保持体10と、保持体10の内部に配置された抵抗発熱体50と、保持体10の裏面S2側に露出している端子側電極62と、を備える電極40と、端子側電極62を介して抵抗発熱体50に通電可能な電極端子24と、を備える、加熱装置100であって、端子側電極62と電極端子24の端部26とは繊維状電極70によって電気的に接続されている、加熱装置100である。
【0035】
端子側電極62と電極端子24の端部26とが繊維状電極70によって電気的に接続されているため、端子側電極62と電極端子24の端部26とが点接触となることを回避できる。したがって、端子側電極62と電極端子24の双方に焦げ付きが発生することを抑制できる。
【0036】
繊維状電極70は、上下方向において端子側電極62と電極端子24の端部26との間に挟持されており、端子側電極62に接合されていないことが好ましい。
繊維状電極70が端子側電極62に接合されると、両者が点接触する可能性があり、高抵抗となって、繊維状電極70と端子側電極62の双方に焦げ付きが発生するおそれがある。そこで、上記のように繊維状電極70が端子側電極62に接合されていないようにすることで点接触を防ぐとともに、焦げ付きの発生を防ぐことができる。
【0037】
保持体10の裏面S2には、保持面S1側に凹んだ形態の端子穴12が設けられており、繊維状電極70は、圧縮状態で端子穴12内に配置されていることが好ましい。
繊維状電極70を圧縮状態で端子穴12内に配置できるため、繊維状電極70の位置決めが容易になるとともに、電極端子24の端部26を繊維状電極70に押し当てる際に、繊維状電極70が端子穴12内から落下しないように手で押さえておく必要がない。
【0038】
端子側電極62は、複数の抵抗発熱体50のグランド側にそれぞれ電気的に接続されたコモン電極55に接続されていることが好ましい。
電流が集まるコモン電極55側において端子側電極62と電極端子24の双方に焦げ付きが発生することを抑制できる。
【0039】
[本開示の変形例の詳細]
次に、変形例における加熱装置200を
図4を用いて説明する。変形例の加熱装置200は、実施形態の加熱装置100の電極40の構成を一部変更したものである。変形例の保持体210の内部には、電極240が埋設されている。電極240は、抵抗発熱体50からなる。電極240は、保持体10の内部に配置された内部発熱部と、保持体10の裏面側に露出している外部発熱部とを備える。外部発熱部の一部は端子穴12の内部に露出しており、この露出した部分が端子側電極256とされている。繊維状電極70は、端子側電極256に接合(ろう付け)されておらず、上下方向において端子側電極256と電極端子24の端部26との間に挟持されている。
【0040】
<他の実施形態>
(1)上記実施形態では電極端子24の端部26が先細り状となっているが、丸形状やフラット形状でもよい。
【0041】
(2)上記実施形態では繊維状電極70が端子側電極62にろう付けされていないが、繊維状電極70を端子側電極62に超音波溶接や抵抗溶接によって接合してもよい。
【0042】
(3)上記実施形態では繊維状電極70が圧縮状態で端子穴12内に配置されているが、繊維状電極70を圧縮しないで端子穴12に配置してもよい。
【0043】
(4)上記実施形態では端子側電極62がコモン電極55に接続されているが、複数の抵抗発熱体50のグランド側が端子側電極にそれぞれ電気的に接続されているものでもよい。
【符号の説明】
【0044】
10:保持体(板状部材) 12:端子穴(凹部) 13:絶縁部材
20:柱状支持体 22:貫通孔 24:電極端子(プローブ) 26:端部
30:接合部
40:電極
50:抵抗発熱体(内部電極部) 52A:第1ビア 52B:第2ビア 55:コモン電極
60:メタライズ導体 62:端子側電極(外部接続部)
70:繊維状電極
100:加熱装置(保持装置)
200:加熱装置(保持装置) 210:保持体 240:電極 256:端子側電極(外部接続部)
IP:内側部 S1:保持面(第1の表面) S2:裏面(第2の表面) S5:上面 W:半導体ウェハ