発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

スパッタリング装置の第１から第３の態様によれば、吸引口がターゲットよりもプラズマ部の第２給気口の近くに設けられている。よって、反応性ガスがターゲットに向かって流れにくい。よって、ターゲットが反応性ガスと反応する可能性を低減させることができる。しかも、吸引口と第２給気口との間に基板保持部が介在しないので、吸引機構は、第２給気口から吐出された反応性ガスを吸引しやすい。よって、ターゲットに向かって流れる反応性ガスの量をさらに低減させることができる。また、反応性ガスが第２給気口から遠ざかるほど、吸引口への吸引によって反応性ガスの速度が低下し、反応性ガスはＵターンして吸引口に引き戻される。これにより、給気口からの反応性ガスの流出範囲を効果的に制限することができる。

スパッタリング装置の第４の態様によれば、第１囲み部材の内部に流入する反応性ガスの量を低減させることができる。

スパッタリング装置の第５および第６の態様によれば、複数の第２給気口は、基板の移動方向（周方向）に直交する方向（径方向）において互いに異なる位置に設けられるので、基板の主面に対してより均一に反応性ガスを供給できる。

スパッタリング装置の第７の態様によれば、反応性ガスが第２囲み部材の外側に流出しにくいので、ターゲットに向かって流れる反応性ガスの量をさらに低減させることができる。

スパッタリング装置の第８の態様によれば、反応性ガスを基板の主面に対してより均一に供給することができる。

スパッタリング装置の第９の態様によれば、ターゲットの主面近傍の空間をスパッタガスでパージすることができる。よって、反応性ガスがターゲットに到達しにくく、ターゲットが反応性ガスと反応する可能性をさらに低減させることができる。

スパッタリング装置の第１０の態様によれば、ターゲットにスパッタガスをより均一に供給することができる。

スパッタリング装置の第１１の態様によれば、スパッタ空間内の圧力をプラズマ空間内の圧力よりも高くすることができる。よって、ターゲットに向かって流れる反応性ガスの流量をさらに低減させることができる。

スパッタリング装置の第１２の態様によれば、基板の主面に対してより均一に薄膜を形成することができる。

スパッタリング装置の第１３の態様によれば、簡易な制御でスパッタリング装置を動作させることができる。

スパッタリング装置の第１４の態様によれば、基板が停止した状態で、基板の主面にスパッタ粒子を積層することができ、基板が停止した状態で、基板の主面にプラズマ粒子を作用させることができる。