本開示のの特徴を詳細に理解することができるように、簡潔に上で要約した本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによってなされ得、それらのいくつかが添付の図面に例示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを例示し、したがって、その範囲を限定するものと見なされるべきではなく、本開示が他の同等に有効な実施形態を認め得ることに留意すべきである。
【図1】
SOT MTJデバイスを有するMAMR書込みヘッドを含む磁気媒体ドライブの特定の実施形態の概略図である。
【図2】
SOT MTJデバイスを有する読取り/書込みヘッドの特定の実施形態の部分断面側面図である。
【図3A】
様々な実施形態によるスピン軌道トルク(SOT)磁気トンネル接合(MTJ)デバイスを示す図である。
【図3B】
様々な実施形態によるスピン軌道トルク(SOT)磁気トンネル接合(MTJ)デバイスを示す図である。
【図4A】
様々な実施形態による、図3A及び図3BのSOT MTJデバイスとともに利用され得るTI変調層の例示的な多層構造を示す図である。
【図4B】
様々な実施形態による、図3A及び図3BのSOT MTJデバイスとともに利用され得るTI変調層の例示的な多層構造を示す図である。
【図5A】
TI変調層及びテクスチャリング層のTIラメラ層の例示的な積層構造を深さの関数として示す図である。
【図5B】
TI変調層及びテクスチャリング層のTIラメラ層の例示的な積層構造を深さの関数として示す図である。
【図5C】
TI変調層及びテクスチャリング層のTIラメラ層の例示的な積層構造を深さの関数として示す図である。
【図6A】
TI積層の溶融前後の結晶粒構造を修正する能力を示す図である。
【図6B】
TI積層の溶融前後の結晶粒構造を修正する能力を示す図である。
【図7】
参照文献、P.Buffat及びJ-P Borel,Phys Rev.A,Vol.13,Num.6,1976から取られた、Au粒子のナノ結晶の直径に対する、Kでの溶融温度を示すグラフであり、Auメルトのナノ結晶の融点がバルク溶融温度(Tm)よりも十分に低いことを示している。
【図8A】
3倍fcc(111)テクスチャリング層を利用して、BiSb(012)エピタキシ及び界面粗さを改善することを示すグラフである。
【図8B】
bcc(100)Cr、Ta、W、B2(100)NiAl、及びfcc(100)MgOの様々な4倍テクスチャリング層の利用を示すグラフであり、これらは、BiSb層においてBiSb(012)テクスチャを生成するために使用することができる。
【図8C】
bcc(100)Cr、Ta、W、B2(100)NiAl、及びfcc(100)MgOの様々な4倍テクスチャリング層の利用を示すグラフであり、これらは、BiSb層においてBiSb(012)テクスチャを生成するために使用することができる。
【図8D】
4重(100)テクスチャリング層を使用して高度にテクスチャリングされた(012)BiSb層を生成することを示すグラフである。
【図8E】
(100)テクスチャを有するMgO(100)膜を示す図8Dのグラフを引き延ばした図であり、MgO膜の粒径は小さいので、ピークは、面外2θXRDプロットにおいて42度付近で広く現れる。
【図9A】
マイクロ波アシスト磁気記録(MAMR)書込みヘッドにおいて使用するためのSOTデバイスの概略断面図である。
【図9B】
図9AのSOTデバイスを有するMAMR書込みヘッドの一部の特定の実施形態の概略MFS図である。
【図9C】
図9AのSOTデバイスを有するMAMR書込みヘッドの一部の特定の実施形態の概略MFS図である。
【図10】
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスとして用いられるSOT MTJの概略断面図である。
理解を容易にするために、図面に共通する同一の要素を示すために、可能な限り、同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示される要素は、特に断ることなく、他の実施形態に有益に利用され得ることが企図される。