知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-18
(45)【発行日】2024-11-26
(54)【発明の名称】磁気シールド装置および磁気シールド方法
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20241119BHJP
H01F 1/16 20060101ALI20241119BHJP
G01R 33/02 20060101ALI20241119BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 H
H01F1/16
G01R33/02 W
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021046924
(22)【出願日】2021-03-22
(65)【公開番号】P2022146117
(43)【公開日】2022-10-05
【審査請求日】2023-10-19
(73)【特許権者】
【識別番号】595104574
【氏名又は名称】株式会社オータマ
(74)【代理人】
【識別番号】100100077
【弁理士】
【氏名又は名称】大場 充
(74)【代理人】
【識別番号】100136010
【弁理士】
【氏名又は名称】堀川 美夕紀
(74)【代理人】
【識別番号】100130030
【弁理士】
【氏名又は名称】大竹 夕香子
(74)【代理人】
【識別番号】100203046
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 聖子
(72)【発明者】
【氏名】小田原 峻也
(72)【発明者】
【氏名】▲榊▼原 満
【審査官】中島 亮
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－０６０２７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－０３３７９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－２２３６９７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ ９／００
Ｈ０１Ｆ １／１６
Ｇ０１Ｒ ３３／０２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
軟磁性材料から構成される磁気的なシールド体と、前記シールド体に巻き回される電磁コイルと、
前記電磁コイルに電流を供給する電源と、
前記電源から前記電磁コイルに供給される前記電流の電流値を設定するコントローラと、
外部磁界を検出する磁界センサと、を備え、
前記コントローラは、
前記電流が供給される前記電磁コイルによって発生する第１生成磁界が、前記外部磁界と同じ向きであって、かつ、前記シールド体の周囲に還流するように発生する第２生成磁界が前記外部磁界の強度を弱くするように、
前記シールド体が配置される環境において前記磁界センサから取得する前記外部磁界に基づいて前記電流値を設定する、
ことを特徴とする磁気シールド装置。
【請求項2】
前記コントローラは、前記第２生成磁界と前記外部磁界の強度が一致するように、前記電流値を設定する、
請求項１に記載の磁気シールド装置。
【請求項3】
前記シールド体は、板状、ブロック状、箱状および筒状のいずれか一種からなる、
請求項１または請求項２に記載の磁気シールド装置。
【請求項4】
外部磁界が印加される領域において、軟磁性材料から構成されるシールド体を用いて磁気シールドする方法であって、前記外部磁界が印加されることにより、前記シールド体が周囲に第２生成磁界を発生させるとともに、前記シールド体の内部に反磁界が発生しているのに対して、
前記第２生成磁界に加えて、前記シールド体の周囲に電流を流すことで前記シールド体の内部に第１生成磁界を発生させ、
前記シールド体の周囲に流す前記電流の電流値は、
前記電流が供給される電磁コイルが発生する前記第１生成磁界、前記外部磁界と同じ向きであって、かつ、前記シールド体の周囲に還流するように発生する前記第２生成磁界が前記外部磁界の強度を弱くするように前記外部磁界に基づいて設定されることを特徴とするパッシブ型の磁気シールド方法。
【請求項5】
前記第２生成磁界と前記外部磁界の強度が一致するように、前記電流値が設定される、請求項４に記載の磁気シールド方法。
【請求項6】
前記電流は、前記シールド体の周囲に巻き回される電磁コイルを介して供給される、
請求項４または請求項５に記載の磁気シールド方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、周囲に発生させる逆方向磁界を増幅する機能を有する、パッシブシールドに基づく磁気シールド装置に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気ノイズに敏感な装置は、外部から印加される磁界を低減するための磁気シールドを必要とする。磁気シールドは、軟磁性材料を用いるパッシブシールドと磁界発生装置を用いるアクティブシールドとの２つに区分される。
パッシブシールドは、用いる軟磁性材料の透磁率が大きいほど高いシールド効果を得ることができる。また、材料の投入量、例えば厚さを増やすことによっても高い磁気シールド効果を得ることができる。
アクティブシールドは、１つあるいは向かい合った１対のコイルに同じ向きの電流を流してその中心付近に一様な平行磁界を作り出し、外部磁界とは逆向きに磁界強度を合わせることで磁気シールド効果を発現させる。
パッシブシールドとアクティブシールドを併用して用いられることもできる。
パッシブシールドは、用いる軟磁性材料の透磁率が大きいほど高いシールド効果を得ることができる。また、材料の投入量、例えば厚さを増やすことによっても高い磁気シールド効果を得ることができる。
アクティブシールドは、１つあるいは向かい合った１対のコイルに同じ向きの電流を流してその中心付近に一様な平行磁界を作り出し、外部磁界とは逆向きに磁界強度を合わせることで磁気シールド効果を発現させる。
パッシブシールドとアクティブシールドを併用して用いられることもできる。
【0003】
パッシブシールドには、純鉄、電磁鋼板、パーマロイ（鉄－ニッケル合金）等の軟磁性材料が用いられている。磁気特性が調整されたこれらの材料は一般的に高価であるが、高い磁気シールド効果が必要な場合には、より透磁率の高い高価な軟磁性材料、例えば特許文献１に開示されるように非晶質金属材料を選ぶか、低い透磁率の材料を多く投入するか、あるいはこの両方で対応する必要がある。そのため、結果的に高コストな磁気シールドとなってしまう。また、投入量を増やすと重量が増加するめに、磁気シールドの支持構造の強度や、設置場所の床耐荷重の補強といった対策でさらなるコスト増を招くこともある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１８－１３３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、高価な材料を用いるのを避けるとともに、材料投入量の増加を避けことのできる磁気シールド装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の磁気シールド装置は、軟磁性材料から構成される磁気的なシールド体と、シールド体に巻き回される電磁コイルと、電磁コイルに電流を供給する電源と、電源から電磁コイルに供給される電流の電流値を設定するコントローラと、を備える。
本発明におけるコントローラは、シールド体が配置される環境における外部磁界に基づいて、電流値を設定する。
本発明におけるコントローラは、シールド体が配置される環境における外部磁界に基づいて、電流値を設定する。
【0007】
本発明に係る磁気シールド装置は、好ましくは、外部磁界を検出する磁界センサを備え、コントローラは、磁界センサから取得する外部磁界に基づいて、電流値を設定する。
【0008】
本発明に係るコントローラは、好ましくは、電流値は、電流が供給される電磁コイルが発生する第１生成磁界が、外部磁界と同じ向きであって、かつシールド体の周囲に還流するように発生する第２生成磁界が外部磁界の強度を弱くするように、電流値を設定する。
【0009】
本発明に係る磁気シールド装置において、好ましくは、コントローラは、第２生成磁界と外部磁界の強度が一致するように、電流値を設定する。
【0010】
本発明に係る磁気シールド装置において、好ましくは、シールド体は、板状、ブロック状、箱状および筒状のいずれか一種からなる。
【0011】
本発明は、外部磁界が印加される領域において、軟磁性材料から構成されるシールド体を用いて磁気シールドする方法を提供する。
この磁気シールドする方法は、外部磁界が印加されることにより、シールド体は周囲に第２生成磁界を発生させるとともに、シールド体の内部に反磁界が生じているのに対して、第２生成磁界に加えて、シールド体の周囲に電流を流すことでシールド体の内部に第１生成磁界を発生させる。
この磁気シールドする方法は、外部磁界が印加されることにより、シールド体は周囲に第２生成磁界を発生させるとともに、シールド体の内部に反磁界が生じているのに対して、第２生成磁界に加えて、シールド体の周囲に電流を流すことでシールド体の内部に第１生成磁界を発生させる。
【0012】
本発明の磁気シールド方法において、好ましくは、シールド体の周囲に流す電流の電流値は、外部磁界に基づいて設定される。
【0013】
本発明の磁気シールド方法において、好ましくは、電流が供給される電磁コイルが発生する第１生成磁界が、外部磁界と同じ向きであって、かつ、シールド体の周囲に還流するように発生する第２生成磁界が外部磁界の強度を弱くするように、電流値が設定される。
【0014】
本発明の磁気シールド方法において、好ましくは、第２生成磁界と外部磁界の強度が一致するように、電流値が設定される。
【0015】
本発明の磁気シールド方法において、好ましくは、電流は、シールド体の周囲に巻き回される電磁コイルを介して供給される。
【発明の効果】
【0016】
本発明によれば、高価な材料を用いるのを避けるとともに、材料投入量の増加を避けことのできる磁気シールド装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の実施形態に係る磁気シールド装置を示す斜視図である。
【図2】本実施形態に係る磁気シールド装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は側面図である。
【図3】本実施形態に係る磁気シールド装置の作用および効果を説明する図であり、（ａ）は電磁コイルを備えない場合の磁界の様子を示し、（ｂ）は電磁コイルに通電したときの磁界の様子を示す図である。
【図4】電磁コイルが１系統の場合において、（ａ）は本実施形態に係る磁気シールド装置により磁界が弱くなる領域の例を示し、（ｂ）は（ａ）の要旨を示す図である。
【図5】電磁コイルが２系統の場合において、（ａ）は本実施形態に係る磁気シールド装置により磁界が弱くなる領域の例を示し、（ｂ）は（ａ）の要旨を示す図である。
【図6】（ａ）は本実施形態に係る磁気シールド装置の位置Ｐにおいて測定された、供給電流と磁界強度の関係を示すグラフ、（ｂ）は本実施形態に係る磁気シールド装置の位置Ｑにおいて測定された、供給電流と磁界強度の関係を示すグラフである。
【図7】本実施形態に係る磁気シールド装置の他の形態例を示す平面図である。
【図8】本実施形態に係る磁気シールド装置の他の形態例を示し、（ａ）は線状のシールド体に適用される例、（ｂ）はブロック状のシールド体に適用される例を示す。
【図9】本実施形態に係る磁気シールド装置の他の形態例を示し、（ａ）および（ｂ）はともに、箱状のシールド体に適用される例を示す。
【図10】本実施形態に係る磁気シールド装置の他の形態例を示し、（ａ）および（ｂ）はともに筒状のシールド体に適用される例を示す。
【図11】本実施形態に係る磁気シールド装置の他の形態例を示し、（ａ）は２枚の板状のシールド体が平行に配置されるものに適用される例を示し、（ｂ－１）および（ｂ－２）はＬ字状のシールド体に適用される例を示し、（ｃ－１）および（ｃ－２）はコ字状のシールド体に適用される例を示す。
【図12】本実施形態に係る磁気シールド装置の他の形態例を示し、（ａ）は４角筒のシールド体と円筒のシールド体を組み合わせに適用される例を示し、（ｂ）は６角筒のシールド体と２枚の板状のシールド体の組み合わせに適用される例を示す。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の磁気シールド装置および磁気シールド方法の実施形態について説明する。
本実施形態に係る磁気シールド装置１は、図１および図２に示すように、シールド体１０Ａが偏平な板状の形態を有している。
磁気シールド装置１は、シールド体１０Ａと、シールド体１０Ａの周囲に巻き回される電磁コイル２０Ａと、シールド体１０Ａの周囲の磁界を検出する磁界センサ３０と、を備える。また、磁気シールド装置１は、磁界センサ３０で検出される磁界に応じて電磁コイル２０Ａに流す電流を調整するコントローラ４０と、コントローラ４０の指示に基づいて電磁コイル２０Ａに電流を供給する電源５０と、を備える。
以下、磁気シールド装置１の各要素について説明した後に、磁気シールド装置１の動作、作用・効果に言及する。さらにその後に、磁気シールド装置１に関して行った実験例を紹介する。
本実施形態に係る磁気シールド装置１は、図１および図２に示すように、シールド体１０Ａが偏平な板状の形態を有している。
磁気シールド装置１は、シールド体１０Ａと、シールド体１０Ａの周囲に巻き回される電磁コイル２０Ａと、シールド体１０Ａの周囲の磁界を検出する磁界センサ３０と、を備える。また、磁気シールド装置１は、磁界センサ３０で検出される磁界に応じて電磁コイル２０Ａに流す電流を調整するコントローラ４０と、コントローラ４０の指示に基づいて電磁コイル２０Ａに電流を供給する電源５０と、を備える。
以下、磁気シールド装置１の各要素について説明した後に、磁気シールド装置１の動作、作用・効果に言及する。さらにその後に、磁気シールド装置１に関して行った実験例を紹介する。
【0019】
［シールド体１０Ａ：図１，図２］
シールド体１０Ａは、パッシブシールドを担う部材であり、軟磁性材料、例えば純鉄、電磁鋼板、パーマロイ（鉄－ニッケル合金）、非晶質合金（Ｆｅ系またはＣｏ系）、ソフトフェライトなどを用いることができる。これら材料を単体としてシールド体１０Ａを構成しもよいが、同じ材料を積層してシールド体１０Ａを構成してもよいし、異なる材料を積層してシールド体１０Ａを構成してもよい。さらに、特許文献１に開示されるように、以上の軟磁性材料と非磁性金属材料とを例えば交互に積層してシールド体１０Ａを構成してもよい。この特許文献１の軟磁性材料としては非晶質合金が用いられ、非磁性金属材料としてはアルミニウムまたはアルミニウム合金、もしくは、マグネシウムまたはマグネシウム合金が用いられる。
シールド体１０Ａは、パッシブシールドを担う部材であり、軟磁性材料、例えば純鉄、電磁鋼板、パーマロイ（鉄－ニッケル合金）、非晶質合金（Ｆｅ系またはＣｏ系）、ソフトフェライトなどを用いることができる。これら材料を単体としてシールド体１０Ａを構成しもよいが、同じ材料を積層してシールド体１０Ａを構成してもよいし、異なる材料を積層してシールド体１０Ａを構成してもよい。さらに、特許文献１に開示されるように、以上の軟磁性材料と非磁性金属材料とを例えば交互に積層してシールド体１０Ａを構成してもよい。この特許文献１の軟磁性材料としては非晶質合金が用いられ、非磁性金属材料としてはアルミニウムまたはアルミニウム合金、もしくは、マグネシウムまたはマグネシウム合金が用いられる。
【0020】
シールド体１０Ａの寸法は任意であり、具体的な用途に応じて定められればよい。
また、板状のシールド体１０Ａの平面視した形状は矩形であるが、これも具体的な用途に応じて定められればよく、例えば平面視して五角形、六角形などの多角形、円形などの形状を採用できる。
また、板状のシールド体１０Ａの平面視した形状は矩形であるが、これも具体的な用途に応じて定められればよく、例えば平面視して五角形、六角形などの多角形、円形などの形状を採用できる。
【0021】
シールド体１０Ａは、その素材が表面に剥き出しで用いられてもよいが、塗膜、化粧壁などで表面が覆われていてもよい。
【0022】
［電磁コイル２０Ａ：図１，図２，図３］
電磁コイル２０Ａは、電源５０から供給される電流が流れることにより、シールド体１０Ａの内部に第１生成磁界Ｆ１（図３を参照）を発生させる。この第１生成磁界Ｆ１を発生させることにより、シールド体１０Ａの周囲に還流するように発生する第２生成磁界Ｆ２を増幅させ外部磁界Ｈｅを打ち消すような働きで軟磁性材料からなるシールド体１０Ａのシールド効果を増幅する。
電磁コイル２０Ａは、一例として、図１および図２に示すように、シールド体１０Ａの長手方向Ｌの中央に配置される。ここに配置される電磁コイル２０Ａは、シールド体１０Ａの幅方向Ｗの周囲に巻き回される。ここでは２回程度の巻き回しの例が示されているが、巻き回しの回数は任意であり、発生させる第１生成磁界Ｆ１の強度などに応じて定められればよい。また、ここでは１系統の電磁コイル２０Ａの例を示しているが、後述するように複数系統の電磁コイルを設けることもできるし、具体的な図示を省略するが、シールド体１０Ａの長手方向Ｌの全域に亘るようにソレノイド状の電磁コイル２０Ａとすることもできる。
また、電磁コイル２０Ａを構成する材料も任意であるが、一例として、銅、銅合金などの導電率の高い導電体からなる芯線と、芯線の周囲を覆う電気的な絶縁体からなる被覆と、を備える電線が用いられる。さらに、電磁コイル２０Ａを構成する電線、特に芯線の線径についても任意であり、発生させる第１生成磁界Ｆ１の強度などに応じて定められればよい。
電磁コイル２０Ａは、電源５０から供給される電流が流れることにより、シールド体１０Ａの内部に第１生成磁界Ｆ１（図３を参照）を発生させる。この第１生成磁界Ｆ１を発生させることにより、シールド体１０Ａの周囲に還流するように発生する第２生成磁界Ｆ２を増幅させ外部磁界Ｈｅを打ち消すような働きで軟磁性材料からなるシールド体１０Ａのシールド効果を増幅する。
電磁コイル２０Ａは、一例として、図１および図２に示すように、シールド体１０Ａの長手方向Ｌの中央に配置される。ここに配置される電磁コイル２０Ａは、シールド体１０Ａの幅方向Ｗの周囲に巻き回される。ここでは２回程度の巻き回しの例が示されているが、巻き回しの回数は任意であり、発生させる第１生成磁界Ｆ１の強度などに応じて定められればよい。また、ここでは１系統の電磁コイル２０Ａの例を示しているが、後述するように複数系統の電磁コイルを設けることもできるし、具体的な図示を省略するが、シールド体１０Ａの長手方向Ｌの全域に亘るようにソレノイド状の電磁コイル２０Ａとすることもできる。
また、電磁コイル２０Ａを構成する材料も任意であるが、一例として、銅、銅合金などの導電率の高い導電体からなる芯線と、芯線の周囲を覆う電気的な絶縁体からなる被覆と、を備える電線が用いられる。さらに、電磁コイル２０Ａを構成する電線、特に芯線の線径についても任意であり、発生させる第１生成磁界Ｆ１の強度などに応じて定められればよい。
【0023】
［磁界センサ３０：図１］
磁界センサ３０は、シールド体１０Ａおよび電磁コイル２０Ａが置かれる環境の外部磁界Ｈｅを検出する。検出するのは、外部磁界Ｈｅの磁界の向きＤ２と強度Ｈ２である。検出された外部磁界Ｈｅの磁界の向きＤ２と強度Ｈ２は、コントローラ４０に提供される。
磁界センサ３０は、外部磁界Ｈｅが一定の例えば地磁気の場合には、コントローラ４０で電流値Ｉをコントローラ４０で設定すれば、その後はその電流値Ｉを利用できる。したがって、その後、磁界センサ３０を用いなくてもよい。
適用される磁界センサ３０の種類は任意であり、典型的には、例えばフラックスゲートセンサ、ＭＩセンサ、サーチコイル、ホール素子および磁気抵抗素子のいずれかを用いたセンサが適用される。
磁界センサ３０は、シールド体１０Ａおよび電磁コイル２０Ａが置かれる環境の外部磁界Ｈｅを検出する。検出するのは、外部磁界Ｈｅの磁界の向きＤ２と強度Ｈ２である。検出された外部磁界Ｈｅの磁界の向きＤ２と強度Ｈ２は、コントローラ４０に提供される。
磁界センサ３０は、外部磁界Ｈｅが一定の例えば地磁気の場合には、コントローラ４０で電流値Ｉをコントローラ４０で設定すれば、その後はその電流値Ｉを利用できる。したがって、その後、磁界センサ３０を用いなくてもよい。
適用される磁界センサ３０の種類は任意であり、典型的には、例えばフラックスゲートセンサ、ＭＩセンサ、サーチコイル、ホール素子および磁気抵抗素子のいずれかを用いたセンサが適用される。
【0024】
［コントローラ４０：図１］
コントローラ４０は、磁界センサ３０から提供される外部磁界Ｈｅの向きＤ２と強度Ｈ２に対応する電流値Ｉを算出する。コントローラ４０は、算出された電流値Ｉに相当する電流が電磁コイル２０Ａに流れるように、電源５０を制御する。
外部磁界Ｈｅが一定の例えば地磁気の場合には、コントローラ４０は算出された電流値Ｉを記憶し、以後はその記憶された電流値Ｉを用いて電源５０を制御する。
コントローラ４０は、磁界センサ３０から提供される外部磁界Ｈｅの向きＤ２と強度Ｈ２に対応する電流値Ｉを算出する。コントローラ４０は、算出された電流値Ｉに相当する電流が電磁コイル２０Ａに流れるように、電源５０を制御する。
外部磁界Ｈｅが一定の例えば地磁気の場合には、コントローラ４０は算出された電流値Ｉを記憶し、以後はその記憶された電流値Ｉを用いて電源５０を制御する。
【0025】
［磁気シールド装置１の作用・効果：図３］
以上の構成要素を備える磁気シールド装置１の作用および効果を、図３を参照して説明する。
はじめに、電磁コイル２０Ａを備えていない図３（ａ）を参照して説明する。
シールド体１０Ａに外部磁界Ｈｅが印加されると、図３（ａ）に示すように、シールド体１０Ａは同じ向きに磁化する。この磁化は図３（ａ）において右向きの白抜矢印で示されている。この磁化の程度はシールド体１０Ａを構成する軟磁性材料の磁気特性（透磁率）とシールド体１０Ａの形状によって異なる。
以上の構成要素を備える磁気シールド装置１の作用および効果を、図３を参照して説明する。
はじめに、電磁コイル２０Ａを備えていない図３（ａ）を参照して説明する。
シールド体１０Ａに外部磁界Ｈｅが印加されると、図３（ａ）に示すように、シールド体１０Ａは同じ向きに磁化する。この磁化は図３（ａ）において右向きの白抜矢印で示されている。この磁化の程度はシールド体１０Ａを構成する軟磁性材料の磁気特性（透磁率）とシールド体１０Ａの形状によって異なる。
【0026】
この外部磁界Ｈｅによる磁化によりシールド体１０Ａはその左右の両端部のそれぞれにＮ極とＳ極の磁極を持つことになり、そのためシールド体１０Ａの内部に磁化に比例した図中の左向きの反磁界Ｈdが生じ、外部磁界Ｈｅによる磁化を減じさせる。これは自己減磁と称される。また、外部磁界Ｈｅの印加を受けて磁極を持ったシールド体１０Ａの周囲には、一方の磁極から出て他方の磁極に戻るような磁界分布Ｍｄが生じる。シールド体１０Ａの中央部においては磁界分布Ｍｄと外部磁界Ｈｅは向きが完全に逆となり磁気シールド効果を生じる。この磁気シールド効果は、シールド体１０Ａの両端部の磁極の強さに依存する。
【0027】
次に、電磁コイル２０Ａを備え、電磁コイル２０Ａに電流を流した時の図３（ｂ）について説明する。
電磁コイル２０Ａにより外部磁界Ｈｅと同じ向き、つまり反磁界Ｈdを打ち消す向きに磁界を印加すると、シールド体１０Ａの磁化Ｍが、図３（ａ）のときよりも強くなる。このときの磁化を第１生成磁界Ｆ１という。したがって、第１生成磁界Ｆ１によって周囲に生じる逆向きの磁界を強め、外部磁界Ｈｅを打ち消す効果、つまり磁気シールド効果が高くなる。この逆向きの強い磁界を第２生成磁界Ｆ２と称する。電磁コイル２０Ａに供給される電流値Ｉは、この反磁界Ｈdを打ち消して、シールド体１０Ａの磁化を強め、ある位置における外部磁界と逆向きでかつ同じ大きさの磁界、つまり第２生成磁界Ｆ２をシールド体１０Ａの周囲に還流するように作るように定められる。
電磁コイル２０Ａにより外部磁界Ｈｅと同じ向き、つまり反磁界Ｈdを打ち消す向きに磁界を印加すると、シールド体１０Ａの磁化Ｍが、図３（ａ）のときよりも強くなる。このときの磁化を第１生成磁界Ｆ１という。したがって、第１生成磁界Ｆ１によって周囲に生じる逆向きの磁界を強め、外部磁界Ｈｅを打ち消す効果、つまり磁気シールド効果が高くなる。この逆向きの強い磁界を第２生成磁界Ｆ２と称する。電磁コイル２０Ａに供給される電流値Ｉは、この反磁界Ｈdを打ち消して、シールド体１０Ａの磁化を強め、ある位置における外部磁界と逆向きでかつ同じ大きさの磁界、つまり第２生成磁界Ｆ２をシールド体１０Ａの周囲に還流するように作るように定められる。
【0028】
以上の磁界の制御方法は、アクティブシールドのように、外部磁界Ｈｅと逆向きの磁界を直接的に発生させる方法とは異なる。また、磁気シェイキングのようにパッシブシールドに一定周期の振動磁界を与えて磁壁の運動エネルギを上げて見かけ上の透磁率を増加させる方法とも異なる。
【0029】
＜シールド効果が生じる領域の例：図４，図５＞
次に、図４を参照して、磁気シールド装置１によりシールド効果が生じる領域について説明する。この結果は、電磁コイル２０Ａが１系統の磁気シールド装置１について行われたシミュレーションに基づいている。
次に、図４を参照して、磁気シールド装置１によりシールド効果が生じる領域について説明する。この結果は、電磁コイル２０Ａが１系統の磁気シールド装置１について行われたシミュレーションに基づいている。
【0030】
図４（ａ）に示すように、磁気シールド装置１のシールド体１０Ａに対して外部磁界Ｈｅが長手方向Ｌに生じているのに対して、電磁コイル２０Ａに電流を流すことにより、磁界（第２生成磁界Ｆ２）を生じさせる。そうすると、図４（ａ）に特に磁界を弱くするシールド効果領域ＳＡが生じる。シールド効果領域ＳＡは、シールド体１０Ａの表裏に配置される電磁コイル２０Ａに対応してシールド体１０Ａの表裏のそれぞれに生じる。シールド効果領域ＳＡは、長手方向Ｌについては、電磁コイル２０Ａとシールド体１０Ａとの位置関係によって決まり、たとえば電磁コイル２０Ａがシールド体１０Ａの中央に位置していれば、シールド効果領域ＳＡは中央となる。電磁コイル２０Ａがシールド体１０Ａの中央に位置していなければ、シールド効果領域ＳＡはシールド体１０Ａの中央から電磁コイル２０Ａの向きにずれる。また、鉛直方向Ｖについては、電磁コイル２０Ａを中心にしてシールド体１０Ａの反対側に生じる。このシールド効果領域ＳＡは、図４（ｂ）に示すように、シールド体１０Ａの周りを周回する。なお、図４（ｂ）に付される符号２０Ａの線は、電磁コイル２０Ａが配置される位置を示している。図５も同様である。
【0031】
電磁コイル２０Ａが１系統の磁気シールド装置１においては、電磁コイル２０Ａに供給する電流値Ｉの大小によって、シールド効果領域ＳＡは、電磁コイル２０Ａからの距離を制御できる。つまり、シールド効果領域ＳＡは、電流値Ｉが大きければ破線で示すように電磁コイル２０Ａから遠くに生じる、逆に、電流値Ｉが小さければ電磁コイル２０Ａから近くに生じる。電磁コイル２０Ａが１系統の磁気シールド装置１においては、このようにシールド効果領域ＳＡを電磁コイル２０Ａの近辺から遠方まで及ぼすことができる。
【0032】
次に、図５を参照して、電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ２が２系統の磁気シールド装置１について行われたシミュレーションに基づく結果を説明する。
電磁コイル２０Ａが２系統の場合のシールド効果領域ＳＡが生じる位置は以下の通りである。長手方向Ｌについては、電磁コイル２０Ａ１と電磁コイル２０Ａ２の間にシールド効果領域ＳＡが生じる。また、鉛直方向Ｖについては、電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ２の近傍に生ずる。
電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ２が２系統の場合には、図５（ｂ）に示すように、シールド効果領域ＳＡが長手方向Ｌの広い範囲に生じる。また、電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ２が２系統の場合にも、電磁コイル２０Ａに供給する電流値Ｉの大小によって、シールド効果領域ＳＡの鉛直方向Ｖの位置を制御できる。ただし、制御できる範囲は、電磁コイル２０Ａが一系統の場合に比べると狭い。
なお、図４（ｂ）と図５（ｂ）は、電磁コイルの系統数が異なるだけで、他の条件は供給する総電流値も含めて一致する。
電磁コイル２０Ａが２系統の場合のシールド効果領域ＳＡが生じる位置は以下の通りである。長手方向Ｌについては、電磁コイル２０Ａ１と電磁コイル２０Ａ２の間にシールド効果領域ＳＡが生じる。また、鉛直方向Ｖについては、電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ２の近傍に生ずる。
電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ２が２系統の場合には、図５（ｂ）に示すように、シールド効果領域ＳＡが長手方向Ｌの広い範囲に生じる。また、電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ２が２系統の場合にも、電磁コイル２０Ａに供給する電流値Ｉの大小によって、シールド効果領域ＳＡの鉛直方向Ｖの位置を制御できる。ただし、制御できる範囲は、電磁コイル２０Ａが一系統の場合に比べると狭い。
なお、図４（ｂ）と図５（ｂ）は、電磁コイルの系統数が異なるだけで、他の条件は供給する総電流値も含めて一致する。
【0033】
［実験例］
以下、本実施形態に基づいて行った実験例を説明する。
図１に示す磁気シールド装置１を用い、シールド体１０Ａをパーマロイ（ＪＩＳ ＰＣパーマロイ）で構成し、シールド体１０Ａの長手方向Ｌの中央に電磁コイル２０Ａを１２０回だけ巻き回した。
シールド体１０Ａの表面と平行方向に１０μＴ（マイクロテスラ）の外部磁界Ｈｅをシールド体１０Ａに加え、かつ、電磁コイル２０Ａに電量を供給してシールド体１０Ａの周囲における磁界強度ＨＰ，ＨＱの変化を計測した。
計測位置は、図１に示される位置Ｐおよび位置Ｑである。位置Ｐはシールド体１０Ａの表面であって幅方向Ｗおよび長手方向Ｌの中央から垂直に立ち上がる第１仮想線３の上に設けられる。位置Ｑは長手方向Ｌの中央から幅方向Ｗに延びる第２仮想線５の上に設けられる。第１仮想線３と第２仮想線５は直交する。
位置Ｐおよび位置Ｑを基準位置Ｏからそれぞれ以下に示す範囲で変化させ、かつ、電磁コイル２０Ａに供給する電流値Ｉも以下に示す範囲で変化させて、磁界強度ＨＰ，ＨＱを求めた。その結果を図３に示す。
位置Ｐおよび位置Ｑ（図１中のｈおよびｄ）：４０,６０,８０,１００,１２０ｍｍ
電流値Ｉ：０～２．４Ａ
以下、本実施形態に基づいて行った実験例を説明する。
図１に示す磁気シールド装置１を用い、シールド体１０Ａをパーマロイ（ＪＩＳ ＰＣパーマロイ）で構成し、シールド体１０Ａの長手方向Ｌの中央に電磁コイル２０Ａを１２０回だけ巻き回した。
シールド体１０Ａの表面と平行方向に１０μＴ（マイクロテスラ）の外部磁界Ｈｅをシールド体１０Ａに加え、かつ、電磁コイル２０Ａに電量を供給してシールド体１０Ａの周囲における磁界強度ＨＰ，ＨＱの変化を計測した。
計測位置は、図１に示される位置Ｐおよび位置Ｑである。位置Ｐはシールド体１０Ａの表面であって幅方向Ｗおよび長手方向Ｌの中央から垂直に立ち上がる第１仮想線３の上に設けられる。位置Ｑは長手方向Ｌの中央から幅方向Ｗに延びる第２仮想線５の上に設けられる。第１仮想線３と第２仮想線５は直交する。
位置Ｐおよび位置Ｑを基準位置Ｏからそれぞれ以下に示す範囲で変化させ、かつ、電磁コイル２０Ａに供給する電流値Ｉも以下に示す範囲で変化させて、磁界強度ＨＰ，ＨＱを求めた。その結果を図３に示す。
位置Ｐおよび位置Ｑ（図１中のｈおよびｄ）：４０,６０,８０,１００,１２０ｍｍ
電流値Ｉ：０～２．４Ａ
【0034】
位置Ｐの測定結果を示す図６（ａ）において、例えばｈ＝４０ｍｍの場合には、電流値Ｉが０（ゼロ）で磁界強度ＨＰはおよそ２．７Ａ／ｍであるが、電流値Ｉを増やしていくと磁界強度ＨＰが低くなる。そして、電流値Ｉが０．５ＡＴよりも少し小さい値において、磁界強度ＨＰをゼロにすることができる。電流値Ｉがこれを得ると、磁界強度ＨＰは高くなる。
以上の傾向は、ｈ＝６０,８０,１００,１２０ｍｍの何れにおいても現れる。もっとも、位置Ｐが電磁コイル２０Ａから遠くなり、ｈが大きくなるのにつれて、磁界強度ＨＰをゼロにするために供給する電流値Ｉは高くなる。
以上のことは、位置Ｑの測定結果を示す図６（ｂ）においても同様に認められる。
以上の傾向は、ｈ＝６０,８０,１００,１２０ｍｍの何れにおいても現れる。もっとも、位置Ｐが電磁コイル２０Ａから遠くなり、ｈが大きくなるのにつれて、磁界強度ＨＰをゼロにするために供給する電流値Ｉは高くなる。
以上のことは、位置Ｑの測定結果を示す図６（ｂ）においても同様に認められる。
【0035】
以上の図６（ａ），（ｂ）に示される結果は、さらに以下のことを示唆している。
ｈ＝４０，６０,８０,１００,１２０ｍｍの何れにおいても磁界強度ＨＰをゼロにすることができる。
したがって、電流値Ｉを変化させることで、磁界強度ＨＰをゼロにできるシールド体１０Ａからの距離を変化させることができる。例えば、電流値Ｉを大きくすると磁界強度ＨＰがゼロになる位置をシールド体１０Ａから遠くにずらすことができる。
また、ある位置で計測した磁場強度を基に電流値Ｉを制御し、計測した位置から離れた位置における磁気ノイズをゼロにすることができる。したがって、磁場強度を計測する磁界センサ３０の位置は任意でよい。
ｈ＝４０，６０,８０,１００,１２０ｍｍの何れにおいても磁界強度ＨＰをゼロにすることができる。
したがって、電流値Ｉを変化させることで、磁界強度ＨＰをゼロにできるシールド体１０Ａからの距離を変化させることができる。例えば、電流値Ｉを大きくすると磁界強度ＨＰがゼロになる位置をシールド体１０Ａから遠くにずらすことができる。
また、ある位置で計測した磁場強度を基に電流値Ｉを制御し、計測した位置から離れた位置における磁気ノイズをゼロにすることができる。したがって、磁場強度を計測する磁界センサ３０の位置は任意でよい。
【0036】
［他の形態］
以上では、一例として、長手方向Ｌの中央に一系統の電磁コイル２０Ａを配置する例を示したが、本発明における磁気シールド装置はこれに限らない。以下、本発明に適用されるシールド体および電磁コイルの他の形態を説明する。
＜電磁コイルが複数系統の例＞
例えば、図７（ａ）に示すように、２系統の電磁コイル２０Ａをシールド体１０Ａの長手方向Ｌの両端部に設けてもよい。この場合、二つの電磁コイル２０Ａ，２０Ａは、シールド体１０Ａの長手方向Ｌを２等分する中心線Ｃを基準にして対称の位置に巻き回されることが好ましい。そうすることにより、シールド体１０Ａの表面に対して、均等に磁化させることができる。
また、図７（ｂ）に示すように、３系統の電磁コイル２０Ａをシールド体１０Ａの長手方向Ｌの両端部および中央部に設けてもよい。この場合は、長手方向Ｌの中央部に設けられる電磁コイル２０Ａは中心線Ｃの上に設けられるとともに、長手方向Ｌの両端部に設けられる電磁コイル２０Ａ，２０Ａは、中心線Ｃを基準にして対称の位置に巻き回されることが好ましい。
以上では、一例として、長手方向Ｌの中央に一系統の電磁コイル２０Ａを配置する例を示したが、本発明における磁気シールド装置はこれに限らない。以下、本発明に適用されるシールド体および電磁コイルの他の形態を説明する。
＜電磁コイルが複数系統の例＞
例えば、図７（ａ）に示すように、２系統の電磁コイル２０Ａをシールド体１０Ａの長手方向Ｌの両端部に設けてもよい。この場合、二つの電磁コイル２０Ａ，２０Ａは、シールド体１０Ａの長手方向Ｌを２等分する中心線Ｃを基準にして対称の位置に巻き回されることが好ましい。そうすることにより、シールド体１０Ａの表面に対して、均等に磁化させることができる。
また、図７（ｂ）に示すように、３系統の電磁コイル２０Ａをシールド体１０Ａの長手方向Ｌの両端部および中央部に設けてもよい。この場合は、長手方向Ｌの中央部に設けられる電磁コイル２０Ａは中心線Ｃの上に設けられるとともに、長手方向Ｌの両端部に設けられる電磁コイル２０Ａ，２０Ａは、中心線Ｃを基準にして対称の位置に巻き回されることが好ましい。
【0037】
さらに、電磁コイル２０Ａを同一方向に巻き回して設けるだけでなく、電磁コイル２０Ａを異なる方向に巻き回して設けることもできる。図７（ｃ）は、一例として、２系統の電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ１と２系統の電磁コイル２０Ａ２，２０Ａ２とを交差するように設けることもできる。このように、異なる方向に複数系統の電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ２を設けることにより、複数方向の磁気ノイズに対応できる。つまり、電磁コイル２０Ａ１，２０Ａ１により生ずる第２生成磁界Ｆ２の向きと電磁コイル２０Ａ２，２０Ａ２により生ずる第２生成磁界Ｆの向きとは異なるため、それぞれで生ずるシールド効果領域ＳＡは直交し向きが異なる。
ここでは、異なる向きの２系統同士の組み合わせの形態が示されているが、異なる向きの１系統同士の組み合わせ、または、異なる向きの３系統以上同士の組み合わせであってもよい。
ここでは、異なる向きの２系統同士の組み合わせの形態が示されているが、異なる向きの１系統同士の組み合わせ、または、異なる向きの３系統以上同士の組み合わせであってもよい。
【0038】
＜シールド体が板状以外の中実体の例：図８＞
また、以上では、板状のシールド体１０Ａの例を示したが、本発明はこれに限らない。例えば、図８（ａ）に示すように、線状または棒状のシールド体１０Ｂに電磁コイル２０Ｂを巻き回してもよいし、図８（ｂ）に示すように、ブロック状のシールド体１０Ｃに電磁コイル２０Ｃを巻き回してもよい。
また、以上では、板状のシールド体１０Ａの例を示したが、本発明はこれに限らない。例えば、図８（ａ）に示すように、線状または棒状のシールド体１０Ｂに電磁コイル２０Ｂを巻き回してもよいし、図８（ｂ）に示すように、ブロック状のシールド体１０Ｃに電磁コイル２０Ｃを巻き回してもよい。
【0039】
＜シールド体が中空部分を有する例：図９，図１０＞
さらに、図９（ａ），（ｂ）に示すように、内部に空間を有する箱状のシールド体１０Ｄを対象にすることもできる。
図９（ａ）の形態は、シールド体１０Ｄを構成するシールド壁１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ、１１Ｄの外周に沿って電磁コイル２０Ｄを図中の反時計回りに這わせる。そして、シールド壁１１Ｄとシールド壁１１Ａの境界近傍のシールド壁１１Ｄにおいて、電磁コイル２０Ｄを貫通させ、シールド壁１１Ｄ，１１Ｃ，１１Ｂ，１１Ａの内周に沿って電磁コイル２０Ｄを図中の時計回りに這わせる。さらに、シールド壁１１Ｄを貫通させて、電磁コイル２０Ｄをシールド体１０Ｄの外側に引き出す。なお、電磁コイル２０Ｄが貫通する位置を符号ＴＨで示している。以下も同様である。
また、図９（ｂ）に示すようにシールド体１０Ｄを構成するシールド壁１１Ａ，１１Ｃのそれぞれの周囲に電磁コイル２０Ｄ，２０Ｄを巻き回してもよい。
さらに、図９（ａ），（ｂ）に示すように、内部に空間を有する箱状のシールド体１０Ｄを対象にすることもできる。
図９（ａ）の形態は、シールド体１０Ｄを構成するシールド壁１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ、１１Ｄの外周に沿って電磁コイル２０Ｄを図中の反時計回りに這わせる。そして、シールド壁１１Ｄとシールド壁１１Ａの境界近傍のシールド壁１１Ｄにおいて、電磁コイル２０Ｄを貫通させ、シールド壁１１Ｄ，１１Ｃ，１１Ｂ，１１Ａの内周に沿って電磁コイル２０Ｄを図中の時計回りに這わせる。さらに、シールド壁１１Ｄを貫通させて、電磁コイル２０Ｄをシールド体１０Ｄの外側に引き出す。なお、電磁コイル２０Ｄが貫通する位置を符号ＴＨで示している。以下も同様である。
また、図９（ｂ）に示すようにシールド体１０Ｄを構成するシールド壁１１Ａ，１１Ｃのそれぞれの周囲に電磁コイル２０Ｄ，２０Ｄを巻き回してもよい。
【0040】
図９のように内部に空間を有するシールド体１０Ｄの場合には、シールド体１０Ｄの内部にのみ磁界を発生させるように電磁コイル２０Ｄを設けており、当該空間に磁界を発生させるのを避ける。次に説明する図１０の形態も同様である。
【0041】
さらにまた、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、内部に空間を有する筒状のシールド体１０Ｅを対象にすることもできる。
図１０（ａ）の形態は、シールド体１０Ｅを構成する円弧状のシールド壁１１Ｅの外周に沿って電磁コイル２０Ｅをほぼ一周に渡って這わせるとともに、そこでシールド壁１１Ｅを貫通させる。シールド壁１１Ｅを貫通した電磁コイル２０Ｅは、そこからシールド壁１１Ｅの内周に沿って、ほぼ一周に渡って這わせられる。そして、電磁コイル２０Ｅをシールド壁１１Ｅの内周から外周に向けて電磁コイル２０Ｅを貫通させて、電磁コイル２０Ｅをシールド体１０Ｅの外側に引き出す。
また、図１０（ｂ）に示すようにシールド体１０Ｅを構成するシールド壁１１Ｅの周囲に電磁コイル２０Ｅを巻き回してもよい。
図１０（ａ）の形態は、シールド体１０Ｅを構成する円弧状のシールド壁１１Ｅの外周に沿って電磁コイル２０Ｅをほぼ一周に渡って這わせるとともに、そこでシールド壁１１Ｅを貫通させる。シールド壁１１Ｅを貫通した電磁コイル２０Ｅは、そこからシールド壁１１Ｅの内周に沿って、ほぼ一周に渡って這わせられる。そして、電磁コイル２０Ｅをシールド壁１１Ｅの内周から外周に向けて電磁コイル２０Ｅを貫通させて、電磁コイル２０Ｅをシールド体１０Ｅの外側に引き出す。
また、図１０（ｂ）に示すようにシールド体１０Ｅを構成するシールド壁１１Ｅの周囲に電磁コイル２０Ｅを巻き回してもよい。
【0042】
＜複数の板状のシールド体を用いる例：図１１＞
次に、複数の板状のシールド体を用いる例について図１１を参照して説明する。
図１１（ａ）に示すように、２つの板状のシールド体１０Ｆ，１０Ｆを平行に配置する形態に適用できる。図１１（ａ）の形態においては、シールド体１０Ｆ，１０Ｆのそれぞれについて電磁コイル２０Ｆ，２０Ｆが配置される。電磁コイル２０Ｆ，２０Ｆのそれぞれに図示の向きに電流を流したとする。そうすると、第２生成磁界Ｆ２が図示の白抜き矢印の向きに生ずることで、磁気シールド効果を生じさせる。
次に、複数の板状のシールド体を用いる例について図１１を参照して説明する。
図１１（ａ）に示すように、２つの板状のシールド体１０Ｆ，１０Ｆを平行に配置する形態に適用できる。図１１（ａ）の形態においては、シールド体１０Ｆ，１０Ｆのそれぞれについて電磁コイル２０Ｆ，２０Ｆが配置される。電磁コイル２０Ｆ，２０Ｆのそれぞれに図示の向きに電流を流したとする。そうすると、第２生成磁界Ｆ２が図示の白抜き矢印の向きに生ずることで、磁気シールド効果を生じさせる。
【0043】
図１１（ｂ－１），（ｂ－２）に示すように、２枚のシールド体１０Ｇ１，１０Ｇ２をＬ字状に配列することもできる。この中で、図１１（ｂ－１）は、シールド体１０Ｇ１に対応する電磁コイル２０Ｇ１と、シールド体１０Ｇ２に対応する電磁コイル２０Ｇ２と、を個別に設けている。電磁コイル２０Ｇ１の折り返し部分がシールド体１０Ｇ２を貫通し、電磁コイル２０Ｇ２の折り返し部分がシールド体１０Ｇ１を貫通する。なお、ここでは２枚のシールド体１０Ｇ１，１０Ｇ２を用いてＬ字状に形成したが、１枚のシールド体を折り曲げてＬ字状に形成してもよい。また、図１１（ｂ－２）は、シールド体１０Ｇの周囲を１系統の電磁コイル２０Ｇ１が巻き回されている。
【0044】
図１１（ｃ－１），（ｃ－２）に示すように、３枚のシールド体１０Ｈ１，１０Ｈ２，１０Ｈ３をコ字状に配列することもできる。この中で、図１１（ｃ－１）は、シールド体１０Ｈ１に対応する電磁コイル２０Ｈ１と、シールド体１０Ｈ２に対応する電磁コイル２０Ｈ２と、シールド体１０Ｈ３に対応する電磁コイル２０Ｈ３と、を個別に設けている。電磁コイル２０Ｈ１の折り返し部分がシールド体１０Ｈ２を貫通し、電磁コイル２０Ｈ２の折り返し部分がシールド体１０Ｈ１を貫通し、電磁コイル２０Ｈ３の折り返し部分がシールド体１０Ｈ２を貫通する。なお、ここでは３枚のシールド体１０Ｈ１，１０Ｈ２，１０Ｈ３を用いてコ字状に形成したが、１枚のシールド体を折り曲げてコ字状に形成してもよい。また、図１１（Ｃ－２）は、シールド体１０Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の周囲を１系統の電磁コイル２０Ｈが巻き回されている。
【0045】
＜複数種類のシールド体の組み合わせの例：図１２＞
次に、複数種類のシールド体を組み合わせて用いる例について図１２を参照して説明する。
図１２（ａ）は４角筒状の第１シールド体１０Ｊ１と円筒状の第２シールド体１０Ｊ２の組み合わせを用いる。
第１シールド体１０Ｊ１に対応する電磁コイル２０Ｊ１は、第１シールド体１０Ｊ１を構成するシールド壁１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ、１２Ｄの外周に沿って電磁コイル２０Ｊ１を図中の時計回りに這わせる。そして、シールド壁１２Ｄとシールド壁１２Ａの境界近傍のシールド壁１２Ｄにおいて、電磁コイル２０Ｄを貫通させるとともに折り返し、それから先はシールド壁１２Ｄ，１２Ｃ，１２Ｂ，１２Ａの内周に沿って電磁コイル２０Ｄを図中の反時計回りに這わせる。さらに、シールド壁１２Ｄを貫通させて、電磁コイル２０Ｊ１を第１シールド体１０Ｊ１の外側に引き出す。
次に、複数種類のシールド体を組み合わせて用いる例について図１２を参照して説明する。
図１２（ａ）は４角筒状の第１シールド体１０Ｊ１と円筒状の第２シールド体１０Ｊ２の組み合わせを用いる。
第１シールド体１０Ｊ１に対応する電磁コイル２０Ｊ１は、第１シールド体１０Ｊ１を構成するシールド壁１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ、１２Ｄの外周に沿って電磁コイル２０Ｊ１を図中の時計回りに這わせる。そして、シールド壁１２Ｄとシールド壁１２Ａの境界近傍のシールド壁１２Ｄにおいて、電磁コイル２０Ｄを貫通させるとともに折り返し、それから先はシールド壁１２Ｄ，１２Ｃ，１２Ｂ，１２Ａの内周に沿って電磁コイル２０Ｄを図中の反時計回りに這わせる。さらに、シールド壁１２Ｄを貫通させて、電磁コイル２０Ｊ１を第１シールド体１０Ｊ１の外側に引き出す。
【0046】
第２シールド体１０Ｊ２に対応する電磁コイル２０Ｊ２は、第２シールド体１０Ｊ２を構成するシールド壁１２Ｅの外周に沿って電磁コイル２０Ｊ１をほぼ一周に渡って図中の時計回りに這わせ、そこでシールド壁１２Ｅを貫通させるとともに、折り返す。シールド壁１１Ｅを貫通した電磁コイル２０Ｊ２は、そこからシールド壁１２Ｅの内周に沿って、ほぼ一周に渡って図中の反時計回りに這わせられる。そして、電磁コイル２０Ｊ２をシールド壁１２Ｅの内周から外周に向けて貫通させて、電磁コイル２０Ｊ２を第２シールド体１０Ｊ２の外側に引き出す。
【0047】
図１２（ｂ）は６角筒状の第１シールド体１０Ｋ１と２枚の板状の第２シールド体１０Ｋ２，１０Ｋ２とを組み合わせる。
第１シールド体１０Ｋ１に対応する電磁コイル２０Ｋ１は、第１シールド体１０Ｋ１を構成するシールド壁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆの外周に沿って電磁コイル２０Ｋ１を図中の時計回りに這わせる。そして、シールド壁１３Ｆとシールド壁１３Ａの境界近傍のシールド壁１３Ｆにおいて、電磁コイル２０Ｋ１を貫通させるとともに折り返し、それから先はシールド壁１３Ｆ，１３Ｅ，１３Ｄ，１３Ｃ，１３Ｂ，１３Ａの内周に沿って電磁コイル２０Ｋ１を図中の反時計回りに這わせる。さらに、シールド壁１３Ｆを貫通させて、電磁コイル２０Ｋ１を第１シールド体１０Ｋ１の外側に引き出す。
第１シールド体１０Ｋ１に対応する電磁コイル２０Ｋ１は、第１シールド体１０Ｋ１を構成するシールド壁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆの外周に沿って電磁コイル２０Ｋ１を図中の時計回りに這わせる。そして、シールド壁１３Ｆとシールド壁１３Ａの境界近傍のシールド壁１３Ｆにおいて、電磁コイル２０Ｋ１を貫通させるとともに折り返し、それから先はシールド壁１３Ｆ，１３Ｅ，１３Ｄ，１３Ｃ，１３Ｂ，１３Ａの内周に沿って電磁コイル２０Ｋ１を図中の反時計回りに這わせる。さらに、シールド壁１３Ｆを貫通させて、電磁コイル２０Ｋ１を第１シールド体１０Ｋ１の外側に引き出す。
【0048】
第２シールド体１０Ｋ２に対応する電磁コイル２０Ｋ２は、第２シールド体１０Ｋ２のおもて面に沿ってほぼ一周に渡って這わせられる。
【0049】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることができる。
【符号の説明】
【0050】
１ 磁気シールド装置
３ 第１仮想線
５ 第２仮想線
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｇ１，１０Ｇ２，
１０Ｈ，１０Ｈ１，１０Ｈ２，１０Ｈ３，１０Ｊ１，１０Ｊ２，１０Ｋ１，１０Ｋ２
シールド体
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ，１２Ｅ，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ シールド壁
２０Ａ，２０Ａ１，２０Ａ１，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ１，
２０Ｇ２，２０Ｈ，２０Ｈ１，２０Ｈ２，２０Ｈ３，２０Ｊ１，２０Ｊ２，２０Ｋ１，
２０Ｋ２ 電磁コイル
３０ 磁界センサ
４０ コントローラ
５０ 電源
Ｃ 中心線
Ｆ１ 第１生成磁界
Ｆ２ 第２生成磁界
Ｈｅ 外部磁界
Ｈｄ 反磁界
ＳＡ シールド効果領域
Ｉ 電流値
Ｌ 長手方向
Ｖ 鉛直方向
Ｗ 幅方向
Ｏ 基準位置
３ 第１仮想線
５ 第２仮想線
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｇ１，１０Ｇ２，
１０Ｈ，１０Ｈ１，１０Ｈ２，１０Ｈ３，１０Ｊ１，１０Ｊ２，１０Ｋ１，１０Ｋ２
シールド体
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ，１２Ｅ，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ シールド壁
２０Ａ，２０Ａ１，２０Ａ１，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ１，
２０Ｇ２，２０Ｈ，２０Ｈ１，２０Ｈ２，２０Ｈ３，２０Ｊ１，２０Ｊ２，２０Ｋ１，
２０Ｋ２ 電磁コイル
３０ 磁界センサ
４０ コントローラ
５０ 電源
Ｃ 中心線
Ｆ１ 第１生成磁界
Ｆ２ 第２生成磁界
Ｈｅ 外部磁界
Ｈｄ 反磁界
ＳＡ シールド効果領域
Ｉ 電流値
Ｌ 長手方向
Ｖ 鉛直方向
Ｗ 幅方向
Ｏ 基準位置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】