【図1】 本発明の実施形態による、超伝導材料の層が堆積させられた基板の概略側面図である。

【図2】 （Ａ）は、本発明の実施形態による、その上に堆積させられた超伝導材料の層をもつ基板であって、超伝導材料の層のいくつかの部分が除去された基板の概略上面図を示す図である。（Ｂ）は、本発明の実施形態による、その上に堆積させられた超伝導材料の層をもつ基板の、図２（Ａ）に示す線２Ｂ－２Ｂに沿った断面図である。

【図3】 （Ａ）は、本発明の実施形態による、超伝導材料の層と犠牲材料層の層とをその上に堆積させ、犠牲材料層は除去された犠牲材料層の部分をもち、基板１００の表面の一部をあらわにしてキュービット・ポケットを定義する基板の概略上面図を示す図である。（Ｂ）は、本発明の実施形態による、超伝導材料の層と犠牲材料層の層とをその上に堆積させ、犠牲材料層は除去された犠牲材料層の部分をもち、基板の表面の一部をあらわにしてキュービット・ポケットを定義する基板の、図３（Ａ）中に示された線３Ｂ－３Ｂに沿った断面図である。

【図4】 （Ａ）は、本発明の実施形態による、あらわにされた部分をエッチングするときキュービット・ポケットおよびアンダーカットの範囲を定義する、基板の表面のあらわにされた部分をもつ基板の概略上面図を示す図である。（Ｂ）は、本発明の実施形態による、あらわにされた部分をエッチングするときキュービット・ポケットおよびアンダーカットの範囲を定義する、基板の表面のあらわにされた部分をもつ基板の、図４（Ａ）に示す線４Ｂ－４Ｂに沿った断面図である。（Ｃ）は、本発明の実施形態による、あらわにされた部分をエッチングするときキュービット・ポケットおよびアンダーカットの範囲を定義する、基板の表面のあらわにされた部分をもつ基板の、図４（Ａ）に示す線４Ｃ－４Ｃに沿った断面図である。

【図5】 本発明の実施形態による、くさび形構造を示す基板の断面図である。

【図6】 （Ａ）は、本発明の実施形態による、ジョセフソン接合（ＪＪ）とバスと共振器とを含む、形成されたキュービット・デバイスの上面図である。（Ｂ）は、本発明の実施形態による、図６（Ａ）に示す線６Ｂ－６Ｂに沿った、形成されたキュービット・デバイスの断面図である。（Ｃ）は、本発明の実施形態による、図６（Ａ）に示す線６Ｃ－６Ｃに沿った、形成されたキュービット・デバイスの断面図である。