(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-22
(45)【発行日】2024-12-02
(54)【発明の名称】加熱処理装置
(51)【国際特許分類】
F27D 5/00 20060101AFI20241125BHJP
B05C 9/14 20060101ALI20241125BHJP
B05C 13/02 20060101ALI20241125BHJP
F27B 17/00 20060101ALI20241125BHJP
【FI】
F27D5/00
B05C9/14
B05C13/02
F27B17/00 B
(21)【出願番号】P 2021100619
(22)【出願日】2021-06-17
【審査請求日】2023-09-13
(73)【特許権者】
【識別番号】000002428
【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100146592
【氏名又は名称】市川 浩
(72)【発明者】
【氏名】荻本 眞一
【審査官】柏原 郁昭
(56)【参考文献】
【文献】特表2004-535512(JP,A)
【文献】特開2019-183225(JP,A)
【文献】特開2005-325372(JP,A)
【文献】特開2004-108670(JP,A)
【文献】特開平09-042854(JP,A)
【文献】中国実用新案第203221018(CN,U)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
F27D 5/00
B05C 9/14
B05C 13/02
F27B 17/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、ワークを支持可能な支持部と、
前記チャンバの内部に設けられ、前記ワークを加熱可能な加熱部と、
を備え、
前記支持部は、
筒状を呈し、一方の端部が前記ワークに接触可能な先端部と、
一方の端部側が、前記先端部の内部に隙間を介して設けられた柱状部と、
前記先端部を保持する保持部と、
を有
し、
前記保持部は、
前記先端部に設けられた第1の部分と、
隙間を介して、前記第1の部分に対向する第2の部分と、
を有し、
前記第1の部分、および前記第2の部分は、永久磁石であり、
前記第1の部分の、前記第2の部分と対向する側の磁極は、前記第2の部分の、前記第1の部分と対向する側の磁極と同じである加熱処理装置。
【請求項2】
前記チャンバの内部を排気可能な排気部をさらに備えた請求項1記載の加熱処理装置。
【請求項3】
前記先端部は、セラミックス、またはガラスを含み、
前記柱状部は、金属を含む請求項1または2に記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、加熱処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
ワークを加熱して、ワークの表面に膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置がある。
例えば、有機材料と溶媒を含む溶液を基板の上に塗布し、これを加熱することで基板の上に有機膜を形成する加熱処理装置が提案されている。この様な加熱処理装置においては、例えば、チャンバの内部空間を大気圧よりも減圧し、大気圧よりも減圧された雰囲気において、溶液が塗布された基板を100℃~600℃程度の温度にまで加熱する場合がある。この場合、チャンバの内部には、ピン状を呈する複数の支持部が設けられ、溶液が塗布された基板が複数の支持部の頂部に載置される。
【0003】
溶液が塗布された基板は、100℃~600℃程度にまで加熱されるため、複数の支持部は、耐熱性を有する材料から形成される。この場合、複数の支持部をステンレスなどの金属から形成すると、複数の支持部が接触する基板の裏面に傷が発生する場合がある。
【0004】
一方、複数の支持部をセラミックスなどから形成すれば、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができる。しかしながら、複数の支持部をセラミックスなどから形成すれば、製造コストが増大するという新たな課題が生じる。
【0005】
また、基板の裏面に接触させる先端部と、先端部が挿入される筒状の基部とを有する支持部が提案されている。(例えば、特許文献1を参照)。
この様な支持部とすれば、先端部のみをセラミックスなどから形成することができる。そのため、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができ、且つ、製造コストが増大するのを抑制することができる。
【0006】
ところが、単に、先端部を基部の内部に挿入すると、先端部と基部とが擦れて、パーティクルが発生する場合がある。例えば、先端部をセラミックスから形成し、基部をセラミックスよりも低コストのステンレスから形成すると、先端部と基部との間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、先端部と基部との間からパーティクルが放出される場合がある。
【0007】
発生したパーティクルが、溶液、および形成された有機膜の少なくともいずれかに付着すると、有機膜の品質が低下するおそれがある。
そこで、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明が解決しようとする課題は、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
実施形態に係る加熱処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部に設けられ、ワークを支持可能な支持部と、前記チャンバの内部に設けられ、前記ワークを加熱可能な加熱部と、を備えている。前記支持部は、筒状を呈し、一方の端部が前記ワークに接触可能な先端部と、一方の端部側が、前記先端部の内部に隙間を介して設けられた柱状部と、前記先端部を保持する保持部と、を有し、前記保持部は、前記先端部に設けられた第1の部分と、隙間を介して、前記第1の部分に対向する第2の部分と、を有し、前記第1の部分、および前記第2の部分は、永久磁石であり、前記第1の部分の、前記第2の部分と対向する側の磁極は、前記第2の部分の、前記第1の部分と対向する側の磁極と同じである。
【発明の効果】
【0011】
本発明の実施形態によれば、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【
図1】本実施の形態に係る加熱処理装置を例示するための模式斜視図である。
【
図3】他の実施形態に係る支持部を例示するための模式図である。
【
図4】他の実施形態に係る支持部を例示するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下においては、一例として、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワークを加熱して、ワークの表面に有機膜を形成する加熱処理装置を説明する。しかしながら、本発明は、これに限定されるわけではない。例えば、本発明は、ワークを加熱して、ワークの表面に無機膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置にも適用することができる。
【0014】
また、加熱前のワークは、例えば、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有するものであってもよいし、基板のみであってもよい。以下においては、一例として、加熱前のワークが、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する場合を説明する。
【0015】
図1は、本実施の形態に係る加熱処理装置1を例示するための模式斜視図である。
なお、
図1中のX方向、Y方向、およびZ方向は、互いに直交する三方向を表している。本明細書における上下方向は、Z方向とすることができる。
【0016】
加熱前のワーク100は、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する。
基板は、例えば、ガラス基板や半導体ウェーハなどである。ただし、基板は、例示をしたものに限定されるわけではない。
溶液は、例えば、有機材料と溶剤を含んでいる。有機材料は、溶剤により溶解が可能なものであれば特に限定はない。溶液は、例えば、ポリアミド酸を含むワニスなどとすることができる。ただし、溶液は、例示をしたものに限定されるわけではない。
【0017】
図1に示すように、加熱処理装置1には、例えば、チャンバ10、排気部20、処理部30、冷却部40、およびコントローラ50が設けられている。
チャンバ10は、箱状を呈している。チャンバ10は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ10の外観形状には特に限定はない。チャンバ10の外観形状は、例えば、直方体や円筒とすることができる。チャンバ10は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
【0018】
例えば、チャンバ10の一方の端部にはフランジ11が設けられている。フランジ11には、Oリングなどのシール材12を設けることができる。チャンバ10の、フランジ11が設けられた側の開口は、開閉扉13により開閉可能となっている。図示しない駆動装置により、開閉扉13がフランジ11(シール材12)に押し付けられることで、チャンバ10の開口が気密になるように閉鎖される。図示しない駆動装置により、開閉扉13がフランジ11から離隔することで、チャンバ10の開口を介したワーク100の搬入または搬出が可能となる。
【0019】
チャンバ10の他方の端部にはフランジ14を設けることができる。フランジ14には、Oリングなどのシール材12を設けることができる。チャンバ10の、フランジ14が設けられた側の開口は、蓋15により開閉可能となっている。例えば、蓋15は、ネジなどの締結部材を用いてフランジ14に着脱可能に設けることができる。メンテナンスなどを行う際には、蓋15を取り外すことで、チャンバ10の、フランジ14が設けられた側の開口を露出させる。
【0020】
チャンバ10の外壁には冷却部16を設けることができる。冷却部16には、図示しない冷却水供給部が接続されている。冷却部16は、例えば、ウォータージャケット(Water Jacket)とすることができる。冷却部16が設けられていれば、チャンバ10の外壁温度が所定の温度よりも高くなるのを抑制することができる。
【0021】
排気部20は、チャンバ10の内部を排気する。排気部20は、第1の排気部21と、第2の排気部22を有する。
第1の排気部21は、チャンバ10の底面に設けられた排気口17に接続されている。 第1の排気部21は、排気ポンプ21aと、圧力制御部21bを有する。
排気ポンプ21aは、大気圧から所定の圧力まで粗引き排気を行う排気ポンプとすることができる。そのため、排気ポンプ21aは、後述する排気ポンプ22aよりも排気量が多い。排気ポンプ21aは、例えば、ドライ真空ポンプなどとすることができる。
【0022】
圧力制御部21bは、排気口17と排気ポンプ21aとの間に設けられている。圧力制御部21bは、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ10の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部21bは、例えば、APC(Auto Pressure Controller)などとすることができる。
【0023】
第2の排気部22は、チャンバ10の底面に設けられた排気口18に接続されている。 第2の排気部22は、排気ポンプ22aと、圧力制御部22bを有する。
排気ポンプ22aは、排気ポンプ21aによる粗引き排気の後、さらに低い所定の圧力まで排気を行う。排気ポンプ22aは、例えば、高真空の分子流領域まで排気可能な排気能力を有する。例えば、排気ポンプ22aは、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo Molecular Pump)などとすることができる。
圧力制御部22bは、排気口18と排気ポンプ22aとの間に設けられている。圧力制御部22bは、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ10の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部22bは、例えば、APCなどとすることができる。
【0024】
排気口17、および排気口18は、チャンバ10の底面に配置されている。そのため、チャンバ10の内部、および後述する処理部30の内部に、チャンバ10の底面に向かうダウンフローの気流が形成される。ダウンフローの気流が形成されれば、ワーク100を加熱した際に生じた、有機材料を含む昇華物が、ダウンフローの気流に乗ってチャンバ10の外部に排出される。そのため、ワーク100に昇華物などの異物が付着するのを抑制することができる。
【0025】
なお、以上においては、排気口17および排気口18がチャンバ10の底面に設けられる場合を例示したが、排気口17および排気口18は、例えば、チャンバ10の天井面や側面に設けることもできる。排気口17および排気口18がチャンバ10の底面、または天井面に設けられていれば、チャンバ10の内部に、チャンバ10の底面、または天井面に向かう気流を形成することができる。
【0026】
処理部30は、例えば、フレーム31、加熱部32、支持部33、均熱部34、均熱板支持部35、および、カバー36を有する。
処理部30の内部には、処理領域30aおよび処理領域30bが設けられている。処理領域30a、30bは、ワーク100に処理を施す空間となる。ワーク100は、処理領域30a、30bの内部に支持される。処理領域30bは、処理領域30aの上方に設けられている。なお、2つの処理領域が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。1つの処理領域のみを設けたり、3つ以上の処理領域を設けたりすることもできる。本実施の形態においては、一例として、2つの処理領域が設けられる場合を例示するが、1つの処理領域、および、3つ以上の処理領域が設けられる場合も同様に考えることができる。
【0027】
処理領域30a、30bは、加熱部32と加熱部32との間に設けられている。処理領域30a、30bは、均熱部34(上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c、側部均熱板34d)により囲まれている。
【0028】
後述するように、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bは、板状を呈し、複数の均熱板支持部35によって支持される。処理領域30aとチャンバ10の内部の空間は、上部均熱板34a同士の間の隙間、および下部均熱板34b同士の間の隙間を介して繋がっている。そのため、チャンバ10の内壁と処理部30との間の空間の圧力が減圧されると、処理領域30aの内部の空間も減圧される。なお、処理領域30bは、処理領域30aと同様の構造であるので、説明は省略する。
【0029】
チャンバ10の内壁と処理部30との間の空間の圧力が減圧されていれば、処理領域30a、30bから外部に放出される熱を抑制することができる。すなわち、加熱効率と蓄熱効率を向上させることができる。そのため、後述するヒータ32aに印加する電力を低減できる。ヒータ32aに印加する電力を低減できれば、ヒータ32aの温度が所定の温度以上となるのを抑制できるので、ヒータ32aの寿命を長くすることができる。
【0030】
また、蓄熱効率が向上すれば、処理領域30a、30bの温度を迅速に上昇させることができる。そのため、急激な温度上昇を必要とする処理にも対応が可能となる。また、チャンバ10の外壁の温度が高くなるのを抑制できるので、冷却部16を簡易なものとすることができる。
【0031】
フレーム31は、例えば、細長い板材や形鋼などを用いた骨組み構造を有している。フレーム31の外観形状は、チャンバ10の外観形状と同様とすることができる。フレーム31の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。
【0032】
加熱部32は、複数設けられている。加熱部32は、処理領域30a、30bの下部、および処理領域30a、30bの上部に設けることができる。処理領域30a、30bの下部に設けられた加熱部32は、下部加熱部となる。処理領域30a、30bの上部に設けられた加熱部32は、上部加熱部となる。下部加熱部は、上部加熱部と対向している。なお、複数の処理領域が上下方向に重ねて設けられる場合には、下側の処理領域に設けられた上部加熱部は、上側の処理領域に設けられた下部加熱部と兼用することができる。
【0033】
加熱部32は、チャンバ10の内部に設けられ、ワーク100を加熱する。
例えば、処理領域30aに支持されたワーク100の裏面(下面)は、処理領域30aの下部に設けられた加熱部32により加熱される。処理領域30aに支持されたワーク100の表面(上面)は、処理領域30aと処理領域30bとにより兼用される加熱部32により加熱される。
【0034】
処理領域30bに支持されたワーク100の裏面は、処理領域30aと処理領域30bとにより兼用される加熱部32により加熱される。処理領域30bに支持されたワーク100の表面は、処理領域30bの上部に設けられた加熱部32により加熱される。
この様にすれば、加熱部32の数を減らすことができるので消費電力の低減、製造コストの低減、省スペース化などを図ることができる。
【0035】
複数の加熱部32のそれぞれは、少なくとも1つのヒータ32aと、一対のホルダ32bを有する。なお、以下においては、複数のヒータ32aが設けられる場合を説明する。 ヒータ32aは、棒状を呈し、一対のホルダ32bの間をY方向に延びている。複数のヒータ32aは、X方向に並べて設けることができる。複数のヒータ32aは、等間隔に設けることができる。ヒータ32aは、例えば、シーズヒータ、遠赤外線ヒータ、遠赤外線ランプ、セラミックヒータ、カートリッジヒータなどである。また、各種ヒータを石英カバーで覆うこともできる。
【0036】
なお、本明細書においては、石英カバーで覆われた各種ヒータをも含めて「棒状のヒータ」と称する。また、「棒状」の外観形状には限定がなく、例えば、円柱状や角柱状などとすることができる。
【0037】
また、ヒータ32aは、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワーク100を加熱できれば、前述したものに限定されない。すなわち、ヒータ32aは、放射による熱エネルギーを利用するものであればよい。
【0038】
上部加熱部および下部加熱部における複数のヒータ32aの仕様、数、間隔などは、加熱する溶液の組成(溶液の加熱温度)、ワーク100の大きさなどに応じて適宜変更することができる。複数のヒータ32aの仕様、数、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。
【0039】
ワーク100は、処理領域30a、30bにおいて、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bを介して両面側から加熱される。ここで、溶液を加熱する際に生じた昇華物を含む蒸気は、加熱対象であるワーク100の温度よりも低い温度の物に付着しやすい。しかしながら、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bは加熱されているので、昇華物が上部均熱板34aおよび下部均熱板34bに付着するのが抑制される。また、昇華物は、前述したダウンフローの気流に乗ってチャンバ10の外に排出される。そのため、昇華物がワーク100に付着するのを抑制できる。
【0040】
一対のホルダ32bは、X方向(例えば、処理領域30a、30bの長手方向)に延びている。一対のホルダ32bは、Y方向において、互いに対向している。一方のホルダ32bは、フレーム31の、開閉扉13側の端面に固定されている。他方のホルダ32bは、フレーム31の、開閉扉13側とは反対側の端面に固定されている。一対のホルダ32bは、例えば、ネジなどの締結部材を用いてフレーム31に固定される。一対のホルダ32bは、ヒータ32aの端部近傍の非発熱部を保持する。一対のホルダ32bは、例えば、細長い金属の板材や形鋼などから形成される。一対のホルダ32bの材料は、例えば、ステンレスなどとすることができる。
【0041】
複数の支持部33は、チャンバ10の内部に設けられ、ワーク100を支持する。例えば、複数の支持部33は、上部加熱部と下部加熱部との間にワーク100を支持する。複数の支持部33は、処理領域30aの下部、および、処理領域30bの下部に設けられている。複数の支持部33の数、配置、間隔などは、ワーク100の大きさや剛性(撓み)などに応じて適宜変更することができる。
なお、支持部33に関する詳細は後述する。
【0042】
均熱部34は、複数の上部均熱板34a、複数の下部均熱板34b、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dを有する。複数の上部均熱板34a、複数の下部均熱板34b、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dは、板状を呈している。
【0043】
複数の上部均熱板34aは、上部加熱部において下部加熱部側(ワーク100側)に設けられている。複数の上部均熱板34aは、複数のヒータ32aと離隔して設けられている。複数の上部均熱板34aは、X方向に並べて設けられている。複数の上部均熱板34a同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により上部均熱板34aの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、上部均熱板34a同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域30a、30bの雰囲気の圧力を減圧することができる。
【0044】
複数の下部均熱板34bは、下部加熱部において上部加熱部側(ワーク100側)に設けられている。複数の下部均熱板34bは、複数のヒータ32aと離隔して設けられている。複数の下部均熱板34bは、X方向に並べて設けられている。複数の下部均熱板34b同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により下部均熱板34bの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、下部均熱板34b同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域30a、30bの雰囲気の圧力を減圧することができる。また、下部均熱板34bの一部には、支持部33との干渉を防止するための孔が設けられる。
【0045】
側部均熱板34cは、X方向において、処理領域30a、30bの両側の側部のそれぞれに設けられている。側部均熱板34cは、カバー36の内側に設けることができる。また、少なくとも1つのヒータ32aを、側部均熱板34cとカバー36との間に設けることもできる。
側部均熱板34dは、Y方向において、処理領域30a、30bの両側の側部のそれぞれに設けられている。
【0046】
前述したように、複数のヒータ32aは、棒状を呈し、所定の間隔を空けて並べて設けられている。ヒータ32aが棒状である場合、ヒータ32aの中心軸から放射状に熱が放射される。この場合、ヒータ32aの中心軸と加熱される部分との間の距離が短くなるほど加熱される部分の温度が高くなる。そのため、複数のヒータ32aに対して対向するようにワーク100が保持された場合には、ヒータ32aの直上または直下に位置するワーク100の領域は、複数のヒータ32a同士の間の空間の直上または直下に位置するワーク100の領域よりも温度が高くなる。すなわち、棒状を呈する複数のヒータ32aを用いてワーク100を直接加熱すると、加熱されたワーク100の温度の面内分布にばらつきが生じる。
【0047】
ワーク100の温度に面内分布が生じると、形成された有機膜の品質が低下するおそれがある。例えば、温度が高くなった部分において、泡が発生したり、有機膜の組成が変化したりするおそれがある。
【0048】
複数の上部均熱板34a、および複数の下部均熱板34bが設けられていれば、複数のヒータ32aから放射された熱は、複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bに入射する。複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bに入射した熱は、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク100に向けて放射される。そのため、ワーク100の温度に面内分布が生じるのを抑制することができ、ひいては形成される有機膜の品質を向上させることができる。
【0049】
複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bの材料は、熱伝導率の高い材料とすることが好ましい。これらの材料は、例えば、アルミニウム、銅、ステンレスなどとすることができる。なお、アルミニウムや銅などの酸化しやすい材料を用いる場合には、酸化しにくい材料を含む層を表面に設けることができる。
【0050】
複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bから放射された熱の一部は、処理領域の側方に向かう。そのため、処理領域の側部には、前述した側部均熱板34c、34dが設けられている。側部均熱板34c、34dに入射した熱は、側部均熱板34c、34dを面方向に伝搬しながら、その一部がワーク100に向けて放射される。そのため、ワーク100の加熱効率を向上させることができる。
側部均熱板34c、34dの材料は、前述した上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの材料と同じとすることができる。
【0051】
なお、以上においては、複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bが、設けられる場合を例示したが、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの少なくとも一方は、単一の板状部材とすることもできる。
【0052】
複数の均熱板支持部35は、X方向に並べて設けられている。均熱板支持部35は、X方向において、上部均熱板34a同士の間の直下に設けられる。複数の均熱板支持部35は、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ32bに固定される。一対の均熱板支持部35は、上部均熱板34aの両端を着脱自在に支持する。なお、複数の下部均熱板34bを支持する複数の均熱板支持部35も同様の構成を有することができる。
【0053】
一対の均熱板支持部35により、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bが支持されていれば、熱膨張による寸法差を吸収することができる。そのため、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bが変形するのを抑制することができる。
【0054】
カバー36は、板状を呈し、フレーム31の上面、底面、および側面を覆っている。すなわち、カバー36によりフレーム31の内部が覆われている。ただし、開閉扉13側のカバー36は、例えば、開閉扉13に設けることができる。
カバー36は処理領域30a、30bを囲っているが、フレーム31の上面と側面の境目、フレーム31の側面と底面の境目、開閉扉13の付近には、隙間が設けられている。
【0055】
また、フレーム31の上面および底面に設けられるカバー36は複数に分割されている。また、分割されたカバー36同士の間には隙間が設けられている。すなわち、処理部30(処理領域30a、処理領域30b)の内部空間は、これらの隙間を介して、チャンバ10の内部空間に連通している。そのため、処理領域30a、30bの圧力が、チャンバ10の内壁とカバー36との間の空間の圧力と同じとなるようにすることができる。カバー36は、例えば、ステンレスなどから形成される。
【0056】
冷却部40は、複数のヒータ32aが設けられた空間に冷却ガスを供給する。冷却部40は、処理領域30a、30bにも冷却ガスを供給するようにしてもよい。冷却部40は、冷却ガスにより、処理領域30a、30bを囲む均熱部34を冷却する。均熱部34が冷却されることで、高温状態にあるワーク100が間接的に冷却される。また、均熱部34が冷却されることで、均熱部34の熱がワーク100に伝わるのを抑制できる。冷却ガスが、処理領域30a、30bに供給される場合には、高温状態にあるワーク100が直接冷却される。
【0057】
なお、冷却部40は必ずしも必要ではなく、省くこともできる。ただし、冷却部40が設けられていれば、ワーク100の冷却時間を短縮することができる。また、ワーク100の冷却の際に、均熱部34からの熱で、ワーク100の温度に面内分布が生じるのを抑制することができる。
【0058】
冷却部40は、ノズル41、ガス源42、およびガス制御部43を有する。
ノズル41は、複数のヒータ32aが設けられた空間に接続される。なお、冷却ガスを処理領域30a、30bに供給する場合には、ノズル41が処理領域30a、30bに接続される。ノズル41は、例えば、側部均熱板34c、フレーム31、カバー36に設けられた孔などに取り付けられる。ノズル41は、例えば、X方向において、処理部30の一方の側に設けることもできるし、処理部30の両側に設けることもできる。なお、ノズル41の数や配置は適宜変更することができる。
【0059】
ガス源42は、ノズル41に冷却ガスを供給する。ガス源42は、例えば、高圧ガスボンベ、工場配管などとすることができる。また、ガス源42は、複数設けることもできる。
【0060】
冷却ガスは、加熱されたワーク100と反応し難いガスとすることができる。冷却ガスは、例えば、窒素ガス、炭酸ガス(CO2)、希ガスなどである。希ガスは、例えば、アルゴンガスやヘリウムガスなどである。冷却ガスの温度は、例えば、室温(例えば、25℃)以下とすることができる。
【0061】
ガス制御部43は、ノズル41とガス源42との間に設けられている。ガス制御部43は、例えば、冷却ガスの供給と、供給の停止と、冷却ガスの流速および流量の少なくともいずれかの制御と、を行うことができる。
【0062】
コントローラ50は、例えば、CPU(Central Processing Unit)などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えている。コントローラ50は、例えば、コンピュータなどである。コントローラ50は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、加熱処理装置1に設けられた各要素の動作を制御する。
【0063】
次に、複数の支持部33についてさらに説明する。
有機膜を形成する際には、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有するワーク100を、例えば、100℃~600℃程度にまで加熱する。そのため、支持部33は、耐熱性を有する材料から形成される。例えば、支持部は、ステンレスなどの金属から形成することができる。しかしながら、この様にすると、支持部が接触する基板の裏面に傷が発生する場合がある。また、支持部は、セラミックスなどから形成することもできる。支持部をセラミックスなどから形成すれば、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができる。しかしながら、この様にすると、製造コストが増大する。
【0064】
この場合、基板の裏面に接触させる、支持部の先端部をセラミックスなどから形成し、先端部を保持する基部をステンレスなどの金属から形成することができる。しかしながら、先端部と基部の材料が異なると、先端部と基部との間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、先端部と基部との間からパーティクルが放出される場合がある。発生したパーティクルが、ワーク100に付着すると、ワーク100の品質が低下するおそれがある。
【0065】
そこで、本実施の形態に係る支持部33は、以下に説明をする構成を有している。
図2は、支持部33を例示するための模式図である。
図2に示すように、支持部33は、例えば、先端部33a、基部33b、および保持部33cを有する。
【0066】
先端部33aは、筒状を呈し、一方の端部(ワーク100の裏面側の端部)33a1が閉鎖されている。端部33a1はワーク100の裏面に接触する。そのため、端部33a1の形状は、半球状などとすることが好ましい。端部33a1の形状が半球状であれば、ワーク100の裏面に損傷が発生するのを抑制することができる。また、ワーク100の裏面と先端部33aとの接触面積を小さくすることができるので、ワーク100から支持部33に伝わる熱を少なくすることができる。
【0067】
先端部33aの、他方の端部33a2は開口している。また、端部33a2には、フランジ33a3を設けることができる。フランジ33a3は、環状を呈し、先端部33aの側面から外側に向けて突出している。
【0068】
先端部33aは、例えば、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムなどのセラミックス、またはガラスなどから形成される。先端部33aが、セラミックスやガラスなどから形成されていれば、ワーク100の裏面に損傷が発生するのを抑制することができる。
【0069】
基部33bは、例えば、柱状部33b1、および取付部33b2を有する。
柱状部33b1の一方の端部側は、先端部33aの内部に隙間を介して設けられている。例えば、柱状部33b1と先端部33aの内壁との間には隙間が設けられる。柱状部33b1の他方の端部側は、取付部33b2に設けられている。柱状部33b1と取付部33b2は、一体に形成してもよいし、溶接などで接合してもよい。取付部33b2は、例えば、後述するブラケット32b1に取り付けられる。
柱状部33b1、および取付部33b2は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
【0070】
ブラケット32b1は、支持部33が取り付けられる部材である。ブラケット32b1は、例えば、板状の部材で、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ32bに固定される。ブラケット32b1は、下部均熱板34bとヒータ32aとの間に設けられる。このようにすることで、下部均熱板34bおよびヒータ32aとの干渉が防止される。しかし、ブラケット32b1の取付け位置は、これに限定されない。例えば、下部均熱板34bの上方に設けるようにしてもよい。この場合、ブラケット32b1は、下部均熱板34bをまたぐように一対のホルダ32bに固定される。また、下部均熱板34bに支持部33との干渉を防止するための孔を設ける必要もない。
ブラケット32b1は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
【0071】
保持部33cは、先端部33aを保持する。保持部33cの一方の端部は、先端部33a(フランジ33a3)に取り付けられている。保持部33cの他方の端部は、基部33b(取付部33b2)またはブラケット32b1に取り付けられている。
【0072】
ここで、保持部33cをセラミックスなどから形成すると製造コストが増大する。保持部33cを、ステンレスなどの金属から形成すると、製造コストの増大を抑制することができる。ただし、単に、保持部33cを金属から形成すると、保持部33cと先端部33aとの間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、保持部33cと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるおそれがある。
【0073】
そこで、保持部33cは、金属を含む弾性体となっている。例えば、
図2に示すように、保持部33cは、金属を含むコイルバネとすることができる。保持部33cは、例えば、ステンレスやインコネルから形成されたコイルバネとすることができる。保持部33cが弾性体であれば、保持部33cが変形することで、線膨張率の差に起因する、保持部33cと先端部33aとの間のズレを吸収することができる。そのため、保持部33cと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
【0074】
また、保持部33cが設けられていれば、基部33b(柱状部33b1)と先端部33aの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部33bと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、基部33b(柱状部33b1)と先端部33aの内壁との間の隙間を設けることで、ワーク100が熱変形した際に、ワーク100の熱変形に合わせて支持部33の先端部33aが移動することができる。また、保持部33cによって先端部33aが支持されることで、よりワーク100の熱変形に合わせて支持部33の先端部33aが移動しやすくなる。ワーク100の熱変形に合わせて支持部33の先端部33aが移動することができると、ワーク100の裏面を傷つけることを防止することができる。したがって、ワーク100と先端部33aとの接触部分からのパーティクルの発生も抑制することができる。
また、金属を含む保持部33cとすれば、製造コストの増大を抑制することができる。
【0075】
図3は、他の実施形態に係る支持部133を例示するための模式図である。
図3に示すように、支持部133は、例えば、先端部133a、基部133b、および保持部133cを有する。
【0076】
先端部133aは、筒状を呈し、一方の端部(ワーク100の裏面側の端部)133a1が閉鎖されている。端部133a1は、例えば、前述した端部33a1と同様とすることができる。
先端部133aの、他方の端部133a2は開口している。端部133a2には、フランジを設けてもよいし、フランジを設けなくてもよい。
先端部133aの材料は、例えば、前述した先端部33aの材料と同じとすることができる。
【0077】
基部133bは、例えば、柱状部133b1、および取付部133b2を有する。
柱状部133b1の一方の端部側は、先端部133aの内部に隙間を介して設けられている。例えば、柱状部133b1と先端部133aの内壁との間には隙間が設けられている。柱状部133b1の他方の端部側は、取付部133b2に設けられている。また、柱状部133b1にはフランジ133b3を設けることもできる。フランジ133b3は、先端部133aの端部133a2の近傍に設けることができる。なお、フランジ133b3は省略することもできる。ただし、フランジ133b3が設けられていれば、柱状部133b1の軸方向における、保持部133cの長さを短くすることができるので、先端部133aの姿勢を安定させることができる。
【0078】
柱状部133b1、取付部133b2、およびフランジ133b3は、一体に形成してもよいし、溶接などで接合してもよい。取付部133b2は、例えば、ホルダ32bに設けられたブラケット32b1に取り付けられる。
柱状部133b1、取付部133b2、およびフランジ133b3は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
【0079】
保持部133cは、先端部133aを保持する。保持部133cの一方の端部は、先端部133aの端部133a2に取り付けられている。保持部133cの他方の端部は、フランジ133b3に取り付けられている。フランジ133b3が設けられない場合には、保持部133cの他方の端部は、取付部133b2に取り付けることができる。
【0080】
保持部133cは、金属を含む弾性体となっている。例えば、
図3に示すように、保持部133cは、金属を含む板バネとすることができる。保持部133cは、例えば、ステンレスやインコネルから形成された板バネとすることができる。保持部133cが弾性体であれば、保持部133cが変形することで、線膨張率の差に起因する、保持部133cと先端部133aとの間のズレを吸収することができる。そのため、保持部133cと先端部133aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
【0081】
また、保持部133cが設けられていれば、基部133b(柱状部133b1)と先端部133aの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部133bと先端部133aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、金属を含む保持部133cとすれば、製造コストの増大を抑制することができる。
【0082】
図4は、他の実施形態に係る支持部233を例示するための模式図である。
図4に示すように、支持部233は、例えば、先端部33a、基部33b、および保持部233cを有する。
保持部233cは、先端部33aを保持する。
保持部233cは、第1の部分233c1、および第2の部分233c2を有する。
第1の部分233c1は、例えば、先端部33a(フランジ33a3)に設けられている。第1の部分233c1は、例えば、環状を呈する磁性体とすることができる。
第2の部分233c2は、隙間を介して第1の部分233c1と対向している。第2の部分233c2は、例えば、基部33b(取付部33b2)またはブラケット32b1に設けることができる。第2の部分233c2は、例えば、環状を呈する磁性体とすることができる。
【0083】
この場合、第1の部分233c1、および第2の部分233c2は、永久磁石とすることができる。また、第1の部分233c1の、第2の部分233c2と対向する側の磁極は、第2の部分233c2の、第1の部分233c1と対向する側の磁極と同じとなっている。例えば、第1の部分233c1の、第2の部分233c2と対向する側がS極の場合には、第2の部分233c2の、第1の部分233c1と対向する側がS極となっている。例えば、第1の部分233c1の、第2の部分233c2と対向する側がN極の場合には、第2の部分233c2の、第1の部分233c1と対向する側がN極となっている。
【0084】
この様にすれば、第1の部分233c1と第2の部分233c2との間に反発力(斥力)が生じる。そのため、線膨張率の差に起因する、保持部233cと先端部33aとの間のズレを吸収することができる。その結果、保持部233cと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
【0085】
また、保持部233cが設けられていれば、基部33b(柱状部33b1)と先端部33aの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部33bと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、第1の部分233c1、および第2の部分233c2が永久磁石であれば、製造コストの増大を抑制することができる。
【0086】
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、加熱処理装置1の形状、寸法、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【0087】
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
本実施の形態において、支持部33は、ブラケット32b1によって保持されていたが、これに限定されない。例えば、下部均熱板34bを支持する均熱板支持部35の幅を大きくし、均熱板支持部35の上面に支持部33を設けるようにしてもよい。つまり、下部均熱板34bを支持する均熱板支持部35にブラケット32b1の機能を持たせてもよい。このようにすることで、ブラケット32b1を設ける必要が無いので、部品点数が減り、メンテナンスが容易となる。あるいは、下部均熱板34bと支持部33を一体に形成してもよい。
【符号の説明】
【0088】
1 加熱処理装置、10 チャンバ、20 排気部、30 処理部、30a 処理領域、30b 処理領域、32 加熱部、33 支持部、33a 先端部、33b 基部、33c 保持部、50 コントローラ、100 ワーク、133 支持部、133a 先端部、133b 基部、133c 保持部、233 支持部、233c 保持部、233c1 第1の部分、233c2 第2の部分