特許 7593431 成膜方法及び電子部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-25

(45)【発行日】2024-12-03

(54)【発明の名称】成膜方法及び電子部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   B05D 1/18 20060101AFI20241126BHJP

   B05D 5/12 20060101ALI20241126BHJP

   B05D 7/00 20060101ALI20241126BHJP

   B05D 7/24 20060101ALI20241126BHJP

   H01C 1/032 20060101ALI20241126BHJP

   H01G 13/00 20130101ALI20241126BHJP

【ＦＩ】

B05D1/18

B05D5/12 B

B05D7/00 K

B05D7/24 303A

B05D7/24 302Z

B05D7/24 303E

H01C1/032

H01G13/00 321F

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2023052942

(22)【出願日】2023-03-29

(62)【分割の表示】P 2020022340の分割

【原出願日】2020-02-13

(65)【公開番号】P2023098902

(43)【公開日】2023-07-11

【審査請求日】2023-03-29

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100087985

【弁理士】

【氏名又は名称】福井 宏司

(72)【発明者】

【氏名】久保田 博信

(72)【発明者】

【氏名】大島 知也

(72)【発明者】

【氏名】星野 悠太

【審査官】市村 脩平

(56)【参考文献】

【文献】特許第７２５６４７８（ＪＰ，Ｂ２）

【文献】特表２０１３－５３０９０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００４／００７１８６３（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ０５Ｄ１／００－７／２６

Ｈ０１Ｃ１／００－１／１６

Ｈ０１Ｇ１３／００－１７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

素体の表面に、長鎖アルキル基及びエポキシ基から選ばれる１以上の官能基で修飾された金属酸化物を含む被膜層を成膜する成膜方法であって、
反応容器内に前記素体を投入する素体投入工程と、
前記反応容器内に、前記官能基で修飾された金属アルコキシド又は前記官能基で修飾された金属アルコキシド前駆体を投入する金属アルコキシド投入工程と、
前記反応容器内に、前記金属アルコキシドの加水分解を促進する触媒を投入する触媒投入工程と、
前記金属アルコキシドを加水分解及び脱水縮合して前記素体の表面に前記被膜層を成膜する成膜工程と、を備え、
前記触媒投入工程、前記素体投入工程、及び前記金属アルコキシド投入工程の順で行う
成膜方法。

【請求項2】

前記反応容器内に溶媒を投入する溶媒投入工程を備え、
前記溶媒投入工程は、前記金属アルコキシド投入工程及び前記触媒投入工程の少なくともいずれかの工程よりも先に行う
請求項１に記載の成膜方法。

【請求項3】

前記成膜工程では、前記反応容器内を撹拌する
請求項１又は請求項２に記載の成膜方法。

【請求項4】

前記金属アルコキシドとして、オルトケイ酸テトラエチルを含む
請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の成膜方法。

【請求項5】

素体と、前記素体の表面を覆う層であって長鎖アルキル基及びエポキシ基から選ばれる１以上の官能基で修飾された金属酸化物を含む被膜層と、前記素体の内部に内蔵されて前記素体の表面から露出する部分を有する内部電極と、前記素体上に設けられて前記被膜層を貫通する貫通部を介して前記内部電極と接続している外部電極と、を備えた電子部品を製造する方法であって、
反応容器内に前記内部電極を内蔵した前記素体を投入する素体投入工程と、
前記反応容器内に、前記官能基で修飾された金属アルコキシド又は前記官能基で修飾された金属アルコキシド前駆体を投入する金属アルコキシド投入工程と、
前記反応容器内に、前記金属アルコキシドの加水分解を促進する触媒を投入する触媒投入工程と、
前記金属アルコキシドを加水分解及び脱水縮合して、前記内部電極のうちの前記素体の表面から露出する部分を覆うように、前記素体の表面に前記被膜層を成膜する成膜工程と、
前記被膜層上に導電体ペーストを塗布する導電体塗布工程と、
前記被膜層を硬化させるとともに、前記導電体ペーストを焼成して前記素体上に前記外部電極を形成する硬化工程と、
を備え、
前記素体投入工程は、前記金属アルコキシド投入工程及び前記触媒投入工程の少なくともいずれかの工程よりも先に行い、
前記硬化工程では、カーケンドール効果により前記内部電極と前記外部電極とを接続するように前記貫通部を形成する
電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、成膜方法及び電子部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載の電子部品は、素体と、素体の内部に配置される内部電極と、素体の外部に露出するとともに内部電極と接続される外部電極と、を備えている。そして、素体の表面は、被膜層で覆われている。この電子部品において被膜層は、液状又はスラリー状のコーティング剤を、素体に塗布することで形成される。そして、コーティング剤は、アルミニウムやケイ素などを含むアルコキシド法によって調製される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平９－１６２４５２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の電子部品の成膜方法において、コーティング剤は、金属アルコキシドと触媒とが混合されたゾル状やゲル状になっている。したがって、コーティング剤が調製されてから素体に塗布されるまでの間に金属アルコキシドの加水分解及び脱水縮合等の反応が進行してしまう。その結果、コーティング剤内において、反応が進んだ部分と反応があまり進んでいない部分とが生じて、金属アルコキシドの重合度にばらつきが生じることがある。このように重合度のばらつきが生じたコーティング剤を用いて素体に被膜層を形成すれば、その被膜層の品質にもばらつきが生じることになる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するため、本開示の一態様は、素体の表面に、長鎖アルキル基及びエポキシ基から選ばれる１以上の官能基で修飾された金属酸化物を含む被膜層を成膜する成膜方法であって、反応容器内に前記素体を投入する素体投入工程と、前記反応容器内に、前記官能基で修飾された金属アルコキシド又は前記官能基で修飾された金属アルコキシド前駆体を投入する金属アルコキシド投入工程と、前記反応容器内に、前記金属アルコキシドの加水分解を促進する触媒を投入する触媒投入工程と、前記金属アルコキシドを加水分解及び脱水縮合して前記素体の表面に前記被膜層を成膜する成膜工程と、を備え、前記触媒投入工程、前記素体投入工程、及び前記金属アルコキシド投入工程の順で行う成膜方法である。

【0006】

上記課題を解決するため、本開示の一態様は、素体と、前記素体の表面を覆う層であって長鎖アルキル基及びエポキシ基から選ばれる１以上の官能基で修飾された金属酸化物を含む被膜層と、前記素体の内部に内蔵されて前記素体の表面から露出する部分を有する内部電極と、前記素体上に設けられて前記被膜層を貫通する貫通部を介して前記内部電極と接続している外部電極と、を備えた電子部品を製造する方法であって、反応容器内に前記内部電極を内蔵した前記素体を投入する素体投入工程と、前記反応容器内に、前記官能基で修飾された金属アルコキシド又は前記官能基で修飾された金属アルコキシド前駆体を投入する金属アルコキシド投入工程と、前記反応容器内に、前記金属アルコキシドの加水分解を促進する触媒を投入する触媒投入工程と、前記金属アルコキシドを加水分解及び脱水縮合して、前記内部電極のうちの前記素体の表面から露出する部分を覆うように、前記素体の表面に前記被膜層を成膜する成膜工程と、前記被膜層上に導電体ペーストを塗布する導電体塗布工程と、前記被膜層を硬化させるとともに、前記導電体ペーストを焼成して前記素体上に前記外部電極を形成する硬化工程と、を備え、前記素体投入工程は、前記金属アルコキシド投入工程及び前記触媒投入工程の少なくともいずれかの工程よりも先に行い、前記硬化工程では、カーケンドール効果により前記内部電極と前記外部電極とを接続するように前記貫通部を形成する電子部品の製造方法である。

【発明の効果】

【0007】

被膜層の品質のばらつきを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】電子部品の斜視図。

【図2】電子部品の断面図。

【図3】電子部品の製造方法の説明図。

【図4】溶媒投入工程の説明図。

【図5】触媒投入工程の説明図。

【図6】素体投入工程の説明図。

【図7】金属アルコキシド投入工程の説明図。

【図8】導電体塗布工程の説明図。

【図9】比較例の電子部品の側面を示す写真。

【図10】実施例の電子部品の側面を示す写真。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、成膜方法及び電子部品の製造方法を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。

【0010】

先ず、電子部品について説明する。
図１に示すように、電子部品は、例えば、回路基板等に実装される表面実装型の負特性サーミスタ部品１０である。負特性サーミスタ部品１０は、温度が上がると抵抗値が上がる電子部品として機能する。負特性サーミスタ部品１０は、素体２０を備えている。

【0011】

素体２０は、正四角柱状であり、正方形の一辺の長さよりも中心軸線ＣＡ方向の長さが長くなっている。素体２０の材質は、マンガン、ニッケル、コバルト等を成分とする酸化物を焼成したセラミックスとなっている。なお、以下の説明では、素体２０の中心軸線ＣＡ方向を長さ方向Ｌｄとする。また、長さ方向Ｌｄに直交する高さ方向Ｔｄ及び幅方向Ｗｄを次のように規定する。すなわち、高さ方向Ｔｄは、長さ方向Ｌｄに垂直な方向のうち、負特性サーミスタ部品１０が回路基板に実装された状態で回路基板の主面と垂直な方向である。幅方向Ｗｄは、長さ方向Ｌｄに垂直な方向のうち、負特性サーミスタ部品１０が回路基板に実装された状態で回路基板の主面と平行な方向である。

【0012】

素体２０の表面は、長さ方向Ｌｄの第１端側の端面である第１端面２０Ａと、長さ方向Ｌｄの第１端とは反対の第２端側の端面である第２端面２０Ｂと、４つの側面に大別される。４つの側面は、幅方向Ｗｄの第１端側に位置する第１側面２０Ｃと、幅方向Ｗｄの第１端とは反対の第２端側に位置する第２側面２０Ｄと、高さ方向Ｔｄの上側に位置する上側面２０Ｅと、高さ方向Ｔｄの下側に位置する下側面２０Ｆと、で構成されている。

【0013】

図２に示すように、素体２０の内部には、２つの長方形板状の第１内部電極２１と、２つの長方形状の第２内部電極２２とが内蔵されている。第１内部電極２１の材質及び第２内部電極２２の材質は、銀である。第１内部電極２１及び第２内部電極２２は、厚み方向の両面が素体２０の第１側面２０Ｃ及び第２側面２０Ｄに対して略平行となるように配置されている。

【0014】

第１内部電極２１の長さ方向Ｌｄの寸法、すなわち第１内部電極２１の長手方向の寸法は、素体２０の長さ方向Ｌｄの寸法より小さくなっている。図１に示すように、第１内部電極２１の高さ方向Ｔｄの寸法、すなわち第１内部電極２１の短手方向の寸法は、素体２０の高さ方向Ｔｄの寸法の略３分の２となっている。また、第２内部電極２２は、第１内部電極２１と同一の形状となっている。

【0015】

図２に示すように、幅方向Ｗｄにおいて第１内部電極２１と第２内部電極２２とが互い違いに配置されている。すなわち、幅方向Ｗｄの第１端側から、第１内部電極２１、第２内部電極２２、第１内部電極２１、第２内部電極２２の順に幅方向Ｗｄに並んで配置されている。この実施形態では、各内部電極２２間の距離は等しくなっている。

【0016】

２つの第１内部電極２１及び２つの第２内部電極２２は、いずれも、高さ方向Ｔｄにおいて素体２０の中央に配置されている。その一方で、第１内部電極２１は、長さ方向Ｌｄにおいて第１端側に寄せて配置されているとともに、第２内部電極２２は、長さ方向Ｌｄにおいて第２端側に寄せて配置されている。

【0017】

具体的には、第１内部電極２１の長さ方向Ｌｄの第１端側の端面は、素体２０の長さ方向Ｌｄの第１端面２０Ａと面一になっていて、素体２０から露出している。その一方で、第１内部電極２１の長さ方向Ｌｄの第２端側の端面は、素体２０の内部に埋没していて外部に露出していない。一方、第２内部電極２２の長さ方向Ｌｄの第２端側の端面は、素体２０の長さ方向Ｌｄの第２端面２０Ｂと面一になっていて、素体２０から露出している。その一方で、第２内部電極２２の長さ方向Ｌｄの第１端側の端面は、素体２０の内部に埋没していて外部に露出していない。

【0018】

図１に示すように、素体２０の表面は、被膜層３０によって覆われている。この実施形態では、被膜層３０は素体２０の表面のすべてを覆っている。被膜層３０は、金属酸化物からなっており、本実施形態では、被膜層３０は、二酸化ケイ素のセラミックスからなっている。また、被膜層３０の厚さは、数十ｎｍとなっている。なお、図２においては、被膜層３０の厚さを誇張して図示している。

【0019】

図１に示すように、素体２０のうちの長さ方向Ｌｄにおける第１端側部分上には、第１外部電極４１が積層されている。具体的には、第１外部電極４１は、素体２０の第１端面２０Ａと、４つの側面２０Ｃ～２０Ｆの長さ方向Ｌｄの第１端側の一部を覆う、５面電極である。この実施形態では、第１外部電極４１は、被膜層３０の表面に積層されている。第１外部電極４１の材質は銀とパラジウムとからなる合金である。

【0020】

素体２０のうちの長さ方向Ｌｄにおける第２端側部分上には、第２外部電極４２が積層されている。具体的には、第２外部電極４２は、素体２０の第２端面２０Ｂと、４つの側面２０Ｃ～２０Ｆの長さ方向Ｌｄの第２端側の一部を覆う、５面電極である。この実施形態では、第１外部電極４１は、被膜層３０の表面に積層されている。第２外部電極４２の材質は、第１外部電極４１と同じ銀とパラジウムとからなる合金である。

【0021】

第２外部電極４２は、４つの側面２０Ｃ～２０Ｆ上において、第１外部電極４１にまでは至っておらず、第１外部電極４１に対して中心軸線ＣＡ方向に離れて配置されている。そして、素体２０の４つの側面２０Ｃ～２０Ｆ上において長さ方向Ｌｄの中央部は、第１外部電極４１及び第２外部電極４２が積層されてなく被膜層３０が露出している。なお、図１及び図２では、第１外部電極４１及び第２外部電極４２は、二点鎖線で図示している。

【0022】

図２に示すように、第１外部電極４１と第１内部電極２１における長さ方向Ｌｄの第１端側の端面とは、被膜層３０を貫通する第１貫通部５１を介して接続されている。なお、詳細は後述するが、第１貫通部５１は、負特性サーミスタ部品１０の製造過程において、第１内部電極２１を構成する銀が第１外部電極４１側へと延びることによって形成される。また、第２外部電極４２と第２内部電極２２における長さ方向Ｌｄの第２端側の端面とは、被膜層３０を貫通する第２貫通部５２を介して接続されている。第２貫通部５２も、第１貫通部５１同様に、負特性サーミスタ部品１０の製造過程において、第２内部電極２２を構成する銀が第２外部電極４２側へと延びることによって形成される。なお、図２では、第１内部電極２１と第１貫通部５１とを境界のある別の部材として図示しているが、実際には両者の間には明確な境界は存在しない。この点、第２貫通部５２についても同様である。また、図１においては、第１貫通部５１の図示を省略する。

【0023】

次に、負特性サーミスタ部品１０の製造方法について説明する。
図３に示すように、負特性サーミスタ部品１０の製造方法は、溶媒投入工程Ｓ１０と、触媒投入工程Ｓ１２と、素体投入工程Ｓ１４と、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６と、成膜工程Ｓ１８と、乾燥工程Ｓ２０と、導電体塗布工程Ｓ２２と、硬化工程Ｓ２４と、を有する。

【0024】

被膜層３０を形成する前に、素体２０を予め準備する。具体的には、第１内部電極２１及び第２内部電極２２の端部の一部が素体２０の表面から露出する部分を有するように、第１内部電極２１及び第２内部電極２２を複数のセラミック層間に挟みつつセラミック層を積層させる。これにより、素体２０の内部に第１内部電極２１及び第２内部電極２２を配置させる。そして、複数のセラミック層と、第１内部電極２１及び第２内部電極２２と、を圧着して、未焼成のセラミック積層体を形成する。その後、このセラミック積層体を焼成することで、素体２０が形成される。そして、被膜層３０の成膜を開始する。

【0025】

被膜層３０を成膜するにあたっては、先ず、溶媒投入工程Ｓ１０を行う。図４に示すように、溶媒投入工程Ｓ１０では、反応容器６０内に、溶媒７０として２－プロパノールを投入する。

【0026】

図３に示すように、溶媒投入工程Ｓ１０の次に、触媒投入工程Ｓ１２を行う。図５に示すように、触媒投入工程Ｓ１２では、反応容器６０内の溶媒７０の撹拌を開始する。次に、反応容器６０内に、触媒を含む水溶液８０としてアンモニア水を投入する。この実施形態において触媒は、水酸化物イオンであり、後述する金属アルコキシド９０の加水分解を促進する触媒として機能している。

【0027】

図３に示すように、触媒投入工程Ｓ１２の次に、素体投入工程Ｓ１４を行う。図６に示すように、素体投入工程Ｓ１４では、反応容器６０内に、上述したように予め準備した複数の素体２０を投入する。

【0028】

図３に示すように、素体投入工程Ｓ１４の次に、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６を行う。図７に示すように、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６では、反応容器６０内に、金属アルコキシド９０として液状のオルトケイ酸テトラエチルを投入する。なお、オルトケイ酸テトラエチルは、テトラエトキシシランと呼称されることもある。本実施形態においては、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６において投入する金属アルコキシド９０の量は、素体投入工程Ｓ１４において投入した素体２０の表面積を基に算出している。具体的には、素体２０の表面に形成する被膜層３０を形成するために必要な素体２０の１個当たりの金属アルコキシド９０の量に、素体投入工程Ｓ１４において投入した素体２０の数を乗算して算出している。

【0029】

図３に示すように、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６の次に、成膜工程Ｓ１８を行う。具体的には、上述した触媒投入工程Ｓ１２で開始した溶媒７０の撹拌を、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６によって金属アルコキシド９０が反応容器６０内に投入されてから、所定時間だけ続ける。これにより、金属アルコキシド９０が、触媒である水酸化物イオンによって加水分解する。金属アルコキシド９０が加水分解すると、加水分解された金属アルコキシド９０が、素体２０の表面に付着する。そして、素体２０の表面に付着した金属アルコキシド９０同士が脱水縮合して被膜層３０が形成される。また、成膜工程Ｓ１８においては、素体２０は溶液内に没しているので、当該素体２０の表面全体に被膜層３０が形成される。この成膜工程Ｓ１８の段階では、被膜層３０はゾル状である。なお、本実施形態においては、溶媒投入工程Ｓ１０と、触媒投入工程Ｓ１２と、素体投入工程Ｓ１４と、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６と、成膜工程Ｓ１８とによって、素体２０に被膜層３０を成膜する成膜方法が構成されている。

【0030】

成膜工程Ｓ１８の次に、乾燥工程Ｓ２０を行う。乾燥工程Ｓ２０では、成膜工程Ｓ１８において所定時間だけ撹拌を続けた後に、素体２０を反応容器６０から取り出して、乾燥させる。これにより、ゾル状の被膜層３０は乾燥され、ゲル状の被膜層３０となる。

【0031】

乾燥工程Ｓ２０の次に、導電体塗布工程Ｓ２２を行う。図８に示すように、導電体塗布工程Ｓ２２では、被膜層３０の表面のうち、素体２０の長さ方向Ｌｄにおける第１端側部分と第２端側部分の２箇所に導電体ペーストＰを塗布する。具体的には、導電体ペーストＰは、第１端面２０Ａの全域と４つの側面２０Ｃ～２０Ｆ上の一部の被膜層３０を覆うように塗布される。また、導電体ペーストＰは、第２端面２０Ｂの全域と４つの側面２０Ｃ～２０Ｆ上の一部の被膜層３０を覆うように塗布される。

【0032】

図３に示すように、導電体塗布工程Ｓ２２の次に、硬化工程Ｓ２４を行う。具体的には、硬化工程Ｓ２４は、本実施形態においては加熱工程となっている。硬化工程Ｓ２４では、被膜層３０及び導電体ペーストＰが塗布された素体２０を加熱する。これにより、ゲル状の被膜層３０から水が気化することで、図１に示すように、素体２０の表面を覆う被膜層３０が焼成され、硬化する。それとともに、第１外部電極４１及び第２外部電極４２が焼成される。このように、導電体塗布工程Ｓ２２と硬化工程Ｓ２４とによって、外部電極形成工程が構成されている。つまり、本実施形態において硬化工程Ｓ２４は、被膜層３０を硬化させる工程としてだけではなく、外部電極形成工程の一部工程も兼ねている。

【0033】

本実施形態においては、硬化工程Ｓ２４における加熱の際に、第１内部電極２１と第１外部電極４１との拡散速度の違いから生じるカーケンドール効果により、パラジウムを含む第１外部電極４１側に、第１内部電極２１側に含まれる銀が引き寄せられる。これにより、第１内部電極２１から第１外部電極４１に向かって第１貫通部５１が被膜層３０を貫通して延びることで、第１内部電極２１と第１外部電極４１とが接続する。この点、第２内部電極２２と第２外部電極４２とを接続する第２貫通部５２においても同様である。

【0034】

次に、上述した製造方法によって製造した負特性サーミスタ部品１０と、比較例の負特性サーミスタ部品とについて、被膜層の品質のばらつきを、被膜層の膜厚のばらつきに基づいて評価した。図９に示す比較例の負特性サーミスタ部品は、触媒を含む水溶液８０と金属アルコキシド９０とを予め混合した状態のコート液を、素体２０の表面に塗布し、上記実施例と同様に、乾燥工程Ｓ２０、導電体塗布工程Ｓ２２及び硬化工程Ｓ２４を行った。

【0035】

図９に示すように、比較例の負特性サーミスタ部品は、照射光を照射させた状態で顕微鏡にて観察すると、被膜層３０の表面に干渉縞が確認できた。被膜層３０の厚さが数十ｎｍ程度である場合には、被膜層３０の厚さが異なると干渉縞が観察される。すなわち、比較例の負特性サーミスタ部品の被膜層３０上には、干渉縞が視認できるため、被膜層３０の厚さがばらついていることがわかる。

【0036】

一方で、図１０に示すように、上記実施形態の製造方法によって製造した負特性サーミスタ部品１０は、照射光を照射させた状態で顕微鏡にて観察すると、被膜層３０の表面に干渉縞が発現しなかった。そのため、本実施形態における負特性サーミスタ部品１０の被膜層３０は、比較例の負特性サーミスタ部品と比べて、被膜層３０の膜厚のばらつきが小さく均一であることが分かる。

【0037】

次に、上記実施形態の作用及び効果について説明する。
（１）上記実施形態によれば、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６の際には、反応容器６０内に素体２０がある状態で、金属アルコキシド９０の加水分解が触媒によって開始される。そのため、加水分解した金属アルコキシド９０が過度に脱水縮合するよりも先に素体２０の表面に付着しやすい。その結果、金属アルコキシド９０の反応が進んだ部分と反応があまり進んでいない部分とが生じる前に、素体に被膜層３０を形成できるため、被膜層３０の品質のばらつきを抑制できる。よって、被膜層３０から形成される被膜層３０の膜厚のばらつきも抑制できる。

【0038】

（２）上記実施形態によれば、溶媒投入工程Ｓ１０を、触媒投入工程Ｓ１２及び金属アルコキシド投入工程Ｓ１６のいずれよりも先に行っている。そのため、金属アルコキシド９０と触媒を含む水溶液８０とが混ざる際には既に反応容器６０内には溶媒７０が含まれている。よって、加水分解した金属アルコキシド９０が、素体２０の表面に均一に付着しやすい。

【0039】

（３）上記実施形態によれば、溶媒投入工程Ｓ１０後から、反応容器６０内を撹拌している。そして、成膜工程Ｓ１８においても反応容器６０内を撹拌している。そのため、金属アルコキシド９０と触媒を含む水溶液８０とを均一に混合できる。その結果、加水分解した金属アルコキシド９０が均一の速度で脱水縮合することで、同程度の重合度となりやすい。

【0040】

（４）上記実施形態では、反応容器６０内に溶媒７０が含まれており、さらに撹拌されることで金属アルコキシド９０が箇所に拘わらず略均一の速度で脱水縮合できる。上記実施形態では、複数の素体２０が反応容器６０内に投入されている。そのため、素体２０内での被膜層３０の膜厚のばらつきのみならず、素体２０間での被膜層３０の膜厚のばらつきも抑制できる。

【0041】

（５）仮に、金属アルコキシド９０が反応容器６０内に含まれている状態で、触媒を含む水溶液８０を反応容器６０内に投入すると、水溶液８０を投入した際に触媒の密度が高い箇所で局所的に金属アルコキシド９０の反応が進む虞がある。上記実施形態によれば、触媒投入工程Ｓ１２は、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６よりも先に行っている。そのため、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６において金属アルコキシド９０を反応容器６０内に投入する際には、既に触媒を含む水溶液８０が反応容器６０内に存在する。よって、金属アルコキシド９０が反応容器６０内に存在する状態で触媒を含む水溶液８０を投入するよりも、金属アルコキシド９０を投入した際の局所的な反応を抑制できる。

【0042】

（６）上記実施形態によれば、金属アルコキシド９０としてオルトケイ酸テトラエチルを用いている。金属がケイ素である金属アルコキシド９０は、反応速度が比較的に遅いため、反応速度を一定に制御しやすい。

【0043】

（７）上記実施形態によれば、素体投入工程Ｓ１４の後に、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６を行っている。そのため、素体投入工程Ｓ１４において投入した素体２０に対して、被膜層３０を形成するために必要な金属アルコキシド９０の量が、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６を行う前に算出できる。例えば、素体投入工程Ｓ１４において投入した素体２０の表面積に対して、形成する被膜層３０の膜厚となるだけの金属アルコキシド９０の量を算出できる。そのため、必要以上に金属アルコキシド９０を消耗せずに済む。

【0044】

上記実施形態は以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。
・上記実施形態において、電子部品の製造方法として上記成膜方法が適用される電子部品は、負特性サーミスタ部品１０に限られない。例えば、負特性以外のサーミスタ部品であってもよいし、積層コンデンサ部品やインダクタ部品であってもよい。少なくとも、素体２０と、素体２０の表面を覆う被膜層３０と、を備えている電子部品であれば、上記実施形態の成膜方法を電子部品の製造方法として適用できる。

【0045】

・上記実施形態において、素体２０の材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０の材質は、マンガン－亜鉛フェライトや、銅－亜鉛フェライトであってもよい。また、素体２０の材質は、樹脂であってもよい。

【0046】

・上記実施形態において、素体２０の形状は、上記実施形態の例に限られず、円柱状であってもよいし、多角形状であってもよい。また、素体２０は、巻線型のインダクタ部品のコアであってもよい。例えばコアは、柱状の巻芯部と、巻芯部の各端部に設けられた鍔部とから構成されており、コアの形状は、いわゆるドラムコア形状であってもよい。巻線型のインダクタ部品の場合には、素体２０であるコアに被膜層３０と第１外部電極４１と第２外部電極４２とが形成された状態となっている硬化工程Ｓ２４の後に、さらに導電性のワイヤを巻回すことで、インダクタ部品を製造できる。

【0047】

・上記実施形態において、被膜層３０の膜厚は、数十ｎｍに限られず、数十μｍであってもよい。なお、被膜層３０の膜厚が数十ｎｍであると、照射光による干渉縞の有無によって、膜厚のばらつきを評価しやすい。被膜層３０の膜厚をより大きくするためには、例えば金属アルコキシド投入工程Ｓ１６及び成膜工程Ｓ１８を複数回繰り返せばよい。

【0048】

・上記実施形態において、第１内部電極２１及び第２内部電極２２の形状は、対応する第１外部電極４１及び第２外部電極４２との電気的導通を確保できる形状であれば問わない。また、第１内部電極２１及び第２内部電極２２の数は問わず、第１内部電極２１の数が１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

【0049】

・上記実施形態において、第１内部電極２１と第１外部電極４１との材料の組み合わせは、上記実施形態の例に限られない。一方が、銀を含み、他方がパラジウムを含む組み合わせであれば、上述したカーケンドール効果を得ることができる。この点、第２内部電極２２と第２外部電極４２との材料の組み合わせにおいても同様である。

【0050】

また、第１内部電極２１と第１外部電極４１との材料の組み合わせは、銀及びパラジウムに限られず、カーケンドール効果を得られなくてもよい。この場合には、成膜工程Ｓ１８の後に、第１内部電極２１が露出するように、例えば素体２０の第１端面２０Ａ側を研磨して被膜層３０の一部を物理的に除去し、その後に乾燥工程Ｓ２０及び導電体塗布工程Ｓ２２を行えばよい。これにより、導電体ペーストＰを第１内部電極２１に直接塗布することができるため、第１内部電極２１と第１外部電極４１とを接続することができる。この点、第２内部電極２２と第２外部電極４２との材料の組み合わせにおいても同様である。

【0051】

・上記実施形態において、第１外部電極４１の配置箇所は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極４１が実装面となる下側面２０Ｆにのみ配置されてもよいし、下側面２０Ｆから第１端面２０Ａにかけて配置されていてもよい。この点、第２外部電極４２についても同様である。

【0052】

・上記実施形態において、外部電極形成工程は、上記実施形態の例に限られない。例えば、成膜工程Ｓ１８の後に、加熱処理をすることで被膜層３０を硬化させた後に、導電体塗布工程Ｓ２２及び硬化工程Ｓ２４を行うことで、第１外部電極４１及び第２外部電極４２を形成してもよい。また例えば、上述した変更例のように、第１内部電極２１の一部が素体２０から露出しており、露出している部分に、めっき工法によって第１外部電極４１を形成してもよい。

【0053】

・上記実施形態において、硬化工程Ｓ２４は、被膜層３０と導電体ペーストＰとを同時に硬化させる工程に限られない。例えば、導電体ペーストＰが紫外線照射によって硬化される材料であるならば、被膜層３０を硬化させる硬化工程として、加熱工程を行い、導電体ペーストＰを硬化させる工程として紫外線照射をしてもよい。

【0054】

・上記実施形態において、乾燥工程Ｓ２０によって充分に水が気化することで被膜層３０が硬化されてもよい。この場合、乾燥工程Ｓ２０が被膜層３０を硬化させる硬化工程として機能する。

【0055】

・上記実施形態において、素体投入工程Ｓ１４は、触媒投入工程Ｓ１２より先に行ってもよい。また、素体投入工程Ｓ１４を触媒投入工程Ｓ１２より先に行う場合には、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６は、触媒投入工程Ｓ１２や素体投入工程Ｓ１４より先に行ってもよい。素体投入工程Ｓ１４は、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６及び触媒投入工程Ｓ１２の少なくともいずれかの工程よりも先に行えばよい。

【0056】

・上記実施形態において、溶媒投入工程Ｓ１０において投入する溶媒７０は、上記実施形態の例に限られず、金属アルコキシド９０を相応に分散できる液体であればよい。
・上記実施形態において、溶媒投入工程Ｓ１０は、触媒投入工程Ｓ１２や素体投入工程Ｓ１４の後に行ってもよい。溶媒投入工程Ｓ１０は、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６及び触媒投入工程Ｓ１２の少なくともいずれかの工程よりも先に行えばよい。また、溶媒投入工程Ｓ１０を省いてもよい。この場合、例えば、触媒を含む水溶液８０に含まれる水の量が相応に多ければ、金属アルコキシド９０は液相で反応する。また、触媒を含む水溶液８０が溶媒７０としての有機溶媒と混合された状態で投入されてもよい。

【0057】

・上記実施形態において、触媒投入工程Ｓ１２の際に反応容器６０内の撹拌を開始したが、反応容器６０内の撹拌は、少なくとも成膜工程Ｓ１８において行われていれば、金属アルコキシド９０の反応速度を一定にしやすい。また、反応容器６０内の撹拌については、攪拌翼を回転させることで撹拌してもよいし、反応容器６０を回転などさせて転倒混和させることで撹拌してもよい。さらに、反応容器６０内の撹拌は省いてもよい。例えば、溶媒７０に対する金属アルコキシド９０の割合が相応に小さければ、金属アルコキシド９０が充分に分散して反応速度が相応に小さくなり得る。

【0058】

・上記実施形態において、触媒を含む水溶液８０はアンモニア水であり、触媒は水酸化物イオンとしたが、触媒はこれに限られない。塩基性の水溶液であれば、上記実施形態のアンモニア水と同様に、金属アルコキシド９０の加水分解を触媒できるし、酸性の水溶液であっても金属アルコキシド９０の加水分解を触媒できる。さらに、中性の水溶液であっても、当該水溶液に加水分解を触媒できるイオンなどが含まれていればよい。

【0059】

・上記実施形態において、触媒は、触媒を含む水溶液８０として投入されるとして説明したが、触媒を含む固体状の化合物と水とを別々に反応容器６０内に投入してもよく、この場合には触媒が反応容器６０内に生成されたことによって、触媒が反応容器６０内に投入されたとみなせる。また例えば、触媒を含む固体状の化合物を反応容器６０内に投入し、加水分解に必要な水としては空気中の水分を用いてもよい。

【0060】

・上記実施形態において、金属アルコキシド９０は、オルトケイ酸テトラエチルに限られない。例えば、金属アルコキシド９０に含まれる金属は、チタン、ジルコニウム、アルミニウム等を用いてもよい。なお、金属アルコキシド９０に含まれる金属がケイ素であると、他の金属と比べて、反応速度が遅いため、金属アルコキシド９０の反応速度を一定に制御しやすい。また、金属アルコキシド９０のアルコキシ基についても、メトキシ基やプロポキシ基等を用いてもよいし、カップリング剤のように長鎖アルキル基やエポキシ基等の官能基が修飾されていてもよい。さらに、金属アルコキシド９０に含まれる金属に対する配位数についても、４配位に限られず、３配位や２配位であってもよい。

【0061】

・上記実施形態において、金属アルコキシド投入工程Ｓ１６では、金属アルコキシド９０に代えて、金属アルコキシド９０を生成するための前駆体を含む溶液を投入してもよい。反応容器６０外で金属アルコキシド９０を生成してから、反応容器６０内に投入しなくても、反応容器６０内において金属アルコキシド９０を生成してもよい。例えば、金属アルコキシド９０は、金属塩とアルコールとが反応することにより生成される。そのため、金属アルコキシド前駆体である金属塩とアルコールとが反応容器６０内に投入されて、これらが反応することで金属アルコキシド９０が生成されたことによっても、金属アルコキシド９０が反応容器６０内に投入されたとみなせる。

【0062】

・上記実施形態においては、成膜方法は、電子部品における素体２０に対して成膜しているが、成膜する素体は、電子部品を構成するものに限られない。例えば、素体は、基板であってもよい。

【符号の説明】

【0063】

１０…負特性サーミスタ
２０…素体
３０…被膜層
４１…第１外部電極
４２…第２外部電極
６０…反応容器
７０…溶媒
８０…水溶液
９０…金属アルコキシド
Ｓ１０…溶媒投入工程
Ｓ１２…触媒投入工程
Ｓ１４…素体投入工程
Ｓ１６…金属アルコキシド投入工程
Ｓ１８…成膜工程
Ｓ２０…乾燥工程
Ｓ２２…導電体塗布工程
Ｓ２４…硬化工程

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】