(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-26
(45)【発行日】2024-12-04
(54)【発明の名称】電気部品
(51)【国際特許分類】
B81B 7/02 20060101AFI20241127BHJP
B41J 2/14 20060101ALI20241127BHJP
B05C 5/00 20060101ALI20241127BHJP
【FI】
B81B7/02
B41J2/14 301
B41J2/14 613
B41J2/14 611
B05C5/00 101
(21)【出願番号】P 2021526385
(86)(22)【出願日】2019-11-15
(86)【国際出願番号】 GB2019053250
(87)【国際公開番号】W WO2020099892
(87)【国際公開日】2020-05-22
【審査請求日】2022-11-09
(32)【優先日】2018-11-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】GB
(73)【特許権者】
【識別番号】516154934
【氏名又は名称】ザール テクノロジー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】XAAR TECHNOLOGY LIMITED
(74)【代理人】
【識別番号】100147485
【氏名又は名称】杉村 憲司
(74)【代理人】
【識別番号】230118913
【氏名又は名称】杉村 光嗣
(74)【代理人】
【識別番号】100169823
【氏名又は名称】吉澤 雄郎
(72)【発明者】
【氏名】アンドリュー ヴェラ
(72)【発明者】
【氏名】ピーター マーディロビッチ
【審査官】永井 友子
(56)【参考文献】
【文献】特開2013-243926(JP,A)
【文献】国際公開第2016/156792(WO,A1)
【文献】特開2018-154121(JP,A)
【文献】特開2010-240830(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
B81B 7/02
H10N 30/853
H10N 30/87
H10N 30/06
B41J 2/14
B05C 5/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
微小電気機械システムデバイス用の電気部品(100)であって、
i)基材層(110)と、
ii)前記基材層(110)上に配置される複数の隣接する個別の電気素子(120)
と、
iii)パッシベーション層(150)、または複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体と、
iv)少なくとも一つの中間領域(125)とを備えた電気部品において、
前記中間領域(125)は、前記電気素子(120)の各々
を、隣接する前記電気素子(120)から分離
し、前記複数の電気素子(120)のそれぞれは、
a)セラミック部材(123)と、
b)動作中に第一の電極(121)と第二の電極(122)との間に前記セラミック部材(123)を介して電位差が確立されることできるように、前記セラミック部材(123)に隣接して配置される前記第一および第二の電極(121,122)とを備え、
前記パッシベーション層(150)、または
前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体
は、前記複数の電気素子(120)のそれぞれの前記第一の電極(121)と前記第二の電極(122)との間に電気的パッシベーションを設けるように、前記複数の電気素子(120)のそれぞれを少なくとも部分的に覆い、前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体は、前記第一および第二の電極(121,122)を互いに電気的に絶縁
し、
下にある前記電気素子(120)の各々に隣接して配置される前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の少なくとも最も内側の層(153)は、前記電気部品(100)の隣接する前記電気素子(120)間の
前記少なくとも一つの中間領域(125)にわたって不連続である、電気部品。
【請求項2】
前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の少なくとも前記最も内側の層は、隣接する前記電気素子(120)間の前記中間領域(125)の大部分、好ましくは全てにわたって不連続である、請求項1に記載の電気部品(100)。
【請求項3】
前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の少なくとも前記最も内側の層(153)は、その中に一つまたは複数の穴/開口部の形態の不連続部を備え、その下にある、隣接する前記電気素子(120)間の前記中間領域(125)と一致するように、少なくとも一つの穴/開口部が設けられる、請求項1または2のいずれかに記載の電気部品(100)。
【請求項4】
前記パッシベーション層(151)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の少なくとも最も外側の層(151)は、分離された領域に分割され、前記複数の電気素子(120)の各電気素子(120)は、少なくとも部分的にそれを覆う前記分割されたパッシベーション層の分離された領域を有する、請求項1または2のいずれかに記載の電気部品(100)。
【請求項5】
前記電気部品(100)は、複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体を備え、前記積層体の全ての層は、隣接する前記電気素子(120)間の前記中間領域(125)の大部分、好ましくは全てにわたって不連続であり、隣接する前記電気素子(120)間の前記中間領域(125)の大部分は、覆っている前記パッシベーション層(151,152,153)がない領域を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の電気部品(100)。
【請求項6】
前記電気部品(100)は、複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体を備え、前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の最も内側の層(153)のみが、隣接する前記電気素子(120)間の前記中間領域(125)にわたって不連続であり、前記積層体の一つまたは複数の他の層(151,152,153)は、前記積層体の前記最も内側の層(153)が覆わない前記電気素子(120)間の前記中間領域(125)を覆う、請求項1~4のいずれか一項に記載の電気部品。
【請求項7】
i)前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体は、前記電気素子(120)のそれぞれを部分的にのみ覆い、下にある前記電気素子(120)の各々に隣接して配置される前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の少なくとも最も外側の層(151)は、さらに前記電気素子(120)のそれぞれを覆う領域で不連続であり、好ましくは前記不連続な領域は前記下にある電気素子(120)の各々に通じる開口部(165)を形成し、あるいは、
ii)前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体は、下にある前記電気素子(120)のそれぞれとは反対側の面に凹部が形成され、前記複数の電気素子(120)のそれぞれを覆う各領域に凹部(166)が設けられ、前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体は、前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の他の非凹部領域と比較して、前記凹部全体にわたって厚さ方向により薄い、請求項1~6のいずれか一項に記載の電気部品。
【請求項8】
前記電気部品(100)は、複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体を備え、前記電気部品(100)は、当該電気部品(100)の端部に配置される少なくとも一つの、好ましくは全ての前記電気素子(120)の、前記第一および第二の電極(121,122)を駆動回路に接続する電気配線(160)を備え、前記電気配線(160)は、前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の層間に少なくとも部分的に介在し、
好ましくは、前記電気配線(160)は、前記複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体の二つの隣接するパッシベーション層の間に少なくとも部分的に介在し、好ましくは前記二つの隣接するパッシベーション層は前記最も内側のパッシベーション層(153)を備えない、請求項7に記載の電気部品。
【請求項9】
前記電気部品(100)は、前記セラミック部材(123)ならびに前記電気素子(120)の各々の前記第一および第二の電極(121,122)に隣接して配置される複数のパッシベーション層(151,152,153)の積層体を備え、前記セラミック部材(123)ならびに前記第一および第二の電極(121,122)に隣接して配置される前記積層体の最も内側の層(153)の組成は、前記積層体の少なくとも一つの他の層、好ましくは前記積層体の全ての他の層の組成とは異なる、請求項1~8のいずれか一項に記載の電気部品。
【請求項10】
前記電気素子(120)の各々の前記セラミック部材(123)ならびに前記第一および第二の電極(121,122)は、層のスタックに配置され、それぞれは厚さ方向に延在する側面を有し、前記セラミック部材(123)は第一の面および厚さ方向に離間して対向する第二の面を有し、前記セラミック部材(123)の前記第一の面は前記基材層(110)に面し、および前記第一の電極(121)は前記基材層(110)と前記セラミック部材(123)の間に介在するように前記セラミック部材(123)の前記第一の面に隣接して配置され、前記第二の電極(122)は前記セラミック部材(123)の前記第二の面に隣接して配置され、ならびに前記パッシベーション層(150)、または前記複数のパッシベーション層(150)の積層体は、少なくとも部分的に前記第二の電極(122)を覆い、前記セラミック部材(123)の前記側面ならびに前記電気素子(120)の各々の前記第一および第二の電極(121,122)の前記側面に隣接して配置される、請求項1~9のいずれか一項に記載の電気部品。
【請求項11】
前記複数の電気素子(120)のそれぞれの前記第一および第二の電極(121,122)は、くし型電極であり、好ましくは、前記第一および第二のくし型電極はそれぞれ複数の電極フィンガーを備える、請求項1~9のいずれか一項に記載の電気部品(100)。
【請求項12】
前記電気部品(100)は、前記セラミック部材(123)に隣接して配置される複数のパッシベーション層(150)の積層体、ならびに前記電気素子(120)の各々の前記第一および第二の電極(121,122)を備え、i)前記積層体の前記最も内側の層(153)はアルミナを含み、ならびに/またはii)前記積層体の少なくとも一つの他の層はシリカ、ジルコニア、および/もしくはハフニアを含む、請求項1~11のいずれか一項に記載の電気部品。
【請求項13】
前記電気部品(100)は、前記電気素子(121,122)と基材(110)との間に介在する中間層(142)を備え、少なくとも一つの前記中間層(142)は、前記電気部品(100)の隣接する前記電気素子(120)間の
前記少なくとも一つの中間領域(125)にわたって不連続である、請求項1~12のいずれか一項に記載の電気部品(100)。
【請求項14】
請求項1~13のいずれか一項に記載の電気部品(100)を備える、液滴吐出ヘッド。
【請求項15】
請求項14に記載の液滴吐出ヘッドを備える、液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、微小電気機械システム(MEMS)デバイス用の電気部品、具体的には、電気機械アクチュエータに関するが、これに限定されない。本発明により、液滴堆積ヘッド、例えばインクジェットプリントヘッドのアクチュエータ素子として特に有益な用途を見出すことができる。
【背景技術】
【0002】
液滴吐出ヘッドは、より従来からの用途、例えばインクジェット印刷、または3D印刷、または他の材料堆積、またはラピッドプロトタイピング技術であるかにどうかにかかわらず、現在も広く使用されている。したがって、使用される流体は、新たな基材に付着し、かつ堆積した材料の機能性を増加させる新規の化学特性を有することができる。
【0003】
近年、高い信頼性およびスループットでインクをセラミックタイルに直接堆積させることができるインクジェットプリントヘッドが開発されている。これは、タイル上のパターンが顧客の正確な仕様になるようにカスタマイズされることを可能にし、全てのタイルを在庫する必要性を低減することも可能にする。
【0004】
他の用途では、インクを織物に直接堆積させることができるインクジェットプリントヘッドが開発されている。セラミック用途と同様に、これは、織物上のパターンが顧客の正確な仕様になるようにカスタマイズされることを可能にし、全ての印刷された織物を在庫する必要性を低減することも可能にする。
【0005】
さらに他の用途では、液滴吐出ヘッドは、フラットスクリーンテレビ製造で使用されるLCDまたはOLED素子ディスプレイにおける色フィルタ等の素子を形成するために使用され得る。
【0006】
新たなおよび/またはますます困難な用途に好適になるように、液滴吐出ヘッドは進化および特殊化し続けている。しかしながら、数々の開発が行われてきたが、液滴吐出ヘッドの分野における改善の余地が依然として存在する。
【0007】
MEMSデバイスの電気素子は、例えば、薄膜技術分野で公知の一つまたは複数の技術によって、基材上に配置された一連の層の堆積によって一般的に製造される。典型的な電気素子は、強誘電性の挙動を示すセラミック材料の薄膜、例えば圧電材料とリラクサー/強誘電性クロスオーバー材料が、下部電極と上部電極の二つの導電層の間に配置される構成を有することができる。このような電気素子は、基材上に層ごとに堆積され、通常、電気素子のいくつかの配列を収容するウェーハである。下部電極は、共通電極であってもよく、またはパターン形成されて、個々の電極の配列を形成してもよく、それぞれが個々の電気素子と関連付けられる一方、薄膜材料は、パターン形成されてもよく、またはパターン形成されなくてもよい。したがって、個々の電気素子は、パターン形成されたセラミック材料の薄膜またはパターン形成されていない「共通」セラミック材料の薄膜の領域を備える場合がある。電気素子の個々にアドレス指定可能な領域は、各電気素子に対して個別であるように、パターン形成されている電極の少なくとも一つによって画成されてもよい。
【0008】
別の場合には、電気素子は、第一および第二の電極が、代わりに、例えば、隣接するまたはくし型の対として、セラミック薄膜の一方の表面上に設けられる。この電極配置は、電極が同じ表面上にあり、電気部品の製造が単純化されるので、電極を接続するより簡単な方法を提供するという利点を有する。これは、用途によっては、例えばセンサーについては特に有用である。
【0009】
駆動回路への電気素子の電気的接続は、電気素子を電極に直接接続する金属配線の使用によって確実にもたらされることができる。
【0010】
通常使用されるセラミック材料としては、ペロブスカイト構造を有する鉛系セラミック、特にチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、ドープPZTおよびPZT系固溶体が挙げられる。それらは、当技術分野で公知のいくつかの堆積技術、例えば、スパッタリング、化学気相堆積(CVD)、化学溶液堆積(CSD)によって基材上に堆積されてもよい。
【0011】
近年、鉛フリー代替材料、例えば(K,Na)NbO3系材料、(Ba,Ca)(Zr,Ti)O3系材料、および(Bi,Na,K)TiO3系材料の開発に多大な努力が払われている。
【0012】
信頼性の高い電気素子を提供する際の一つの課題は、最終的には電気部品の回復不能な故障につながる可能性がある、電気部品の短絡ならびに/または腐食および/もしくは劣化を引き起こす可能性がある外部環境、特に湿度および化学物質から、個々の電気素子の電極間の適切なパッシベーション、個々の圧電部材の保護、および電気部品の絶縁を全体として確実にすることである。
【0013】
セラミック材料は典型的に、良好な電気導体ではない。例えば、少なくとも下部電極およびセラミック材料が同じ形状にパターン形成される場合、共通または類似のパターン形成された上部電極のいずれかで、短絡の経路がパターン形成された領域のエッジプロファイルに沿って存在する可能性がある。圧電部材自体は、材料の圧電特性および電気的特性の劣化につながる可能性のあるケミカルアタックの影響を受けやすい。さらに、エッチング損傷した圧電部材は特に脆弱であり、圧電部材内でケミカルアタックがさらに内部に拡散する経路を提供する可能性がある。これは、二つの電極間の電気的分離と、同時に圧電部材の保護とを確実にする、別の電気的パッシベーション層の使用を必要とする。
【0014】
したがって、一つまたは複数のパッシベーション層は、電気素子の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。電気素子の適切な保護は、電気素子の性能、特に電気素子の電歪/圧電部品の変位の範囲に対するこのようなパッシベーション層の抑制効果とバランスを取らなければならない。これは、パッシベーションが電気素子全体にわたって及ぶ場合に特に関係がある。パッシベーション層が厚いほど、電気パッシベーションの提供に良好に機能するが、より容易に電歪/圧電性能を抑制する可能性がある。一方、より薄いパッシベーション層は、適切な保護を提供しない場合がある。
【0015】
当業者に周知のように、パッシベーションコーティングの堆積に通常使用される方法は、欠陥のない層をほとんど生成しない。さらに、材料の性質および堆積方法によって決定される残留応力は、パッシベーション層のいずれかにおける局在化マイクロクラックが原因である場合がある。繰り返しになるが、層が厚いほど、より薄い層に比べて欠陥密度が低いという特徴がある可能性があり、電気素子の変位に悪影響を及ぼす。
【0016】
さらに、その一つまたは複数の電気素子を備える電気部品の製造プロセスにおいて、エッチャントの使用を必要とする製造工程が必要となる場合がある。
【0017】
動作中も、水分を含む多くの異なる種類の流体が、電気部品が使用されているデバイス内に存在してもよい。したがって、製造工程中および/または動作中に、電気部品が化学物質と接触する可能性がある。さらに、製造中および/または動作中、外部環境中に存在する湿度および/または有害な化学物質が存在する可能性がある。
【0018】
外部環境および化学物質から電気部品を保護するために、当技術分野で公知の電気部品は、一つまたは複数の電気素子が形成される同じ側の基材に結合されるキャッピング層を備えてもよい。キャッピング層は、パッシベーション構造の堆積後に各電気素子を封入し、外部環境から保護するように構成されてもよい。例えば、キャッピング層は、エッチングまたは他の好適な技術によって形成されることができる空洞を有してもよく、その結果、キャッピング層が電気部品に結合されると、一つまたは複数の電気素子の各々を封入することができる。
【0019】
予測不可能な欠陥が、接合、例えば一つまたは複数の電気素子が形成される、キャッピング層と電子部品との間のボンディング材料の層に、存在する可能性がある。例えば、不均一なトポグラフィー、ピンホール、またはマイクロクラックによる空隙。このような欠陥は、キャッピング層を通して、一つまたは複数の電気素子に向かって化学物質の漏れを引き起こす可能性がある。
【0020】
キャッピング層の結合による漏れの問題は、パッシベーション構造中のピンホールまたはマイクロクラックの形態にランダムに分布した欠陥の存在によって悪化する可能性がある。これらの欠陥は、確認するおよび修復することだけでなく避けることも困難である場合があり、そしてそれらは、化学物質が一つまたは複数の電気素子への道筋を見つけるための経路を提供する可能性のある弱点を構成する。化学物質が一つまたは複数の電気素子の電気的機構と接触すると、一つまたは複数の電気素子の腐食、短絡、そして最終的には致命的な故障を引き起こす可能性がある。
【0021】
パッシベーションの連続層が故障した電気素子および隣接する電気素子を覆っている場合でさえも、同じ電気部品内に組み込まれた電気素子の配置では、一つの電気素子の故障は、完全な部品の故障につながる可能性がある。障害事象のカスケードは、例えば、共通パッシベーション層の腐食による単一の電気素子の故障から生じる可能性がある。
【0022】
歴史的に、アルミナの連続層は、単独でまたは他の材料層と組み合わせて、MEM用途、特にチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系圧電素子を備えるもので使用する電気素子の電極間のパッシベーションを達成するために優先的に使用されてきた。アルミナは、電気部品の処理および動作中の外部環境からのPZT(特にエッチング損傷を受けるPZT)の保護の点、およびPZTへの接着の点で特に効果的である。しかし、アルミナは、例えば、一部の環境、例えば水性環境において、および/またはキャッピング層の非理想的な結合による外部環境からの水分/化学物質の侵入の結果として、ケミカルアタックに対して特に影響を受けやすい。
【0023】
また、材料の一つまたは複数の中間層は、電気部品の特性を改善するために、下部電極と基材との間に、例えば下部電極の下地層への接着性を向上させることによって設けられてもよい。このような中間層はまた、例えば、PZTセラミック材料から基材への鉛イオンの拡散を防止するために、拡散バリアとして使用されることができる。イオン、例えばPZTセラミック材料からの鉛イオンの拡散は、セラミック材料の化学量論的バランスを変化させ、その圧電性能を劣化させる。下地層内にイオンを拡散させることは、基材の不具合につながる可能性もある。アルミナは、接着性を改善することと、イオン、特に鉛イオンの拡散に対するバリアとして作用することとの両方に有効であるため、中間層、または中間層のうちの一つを形成する目的に好適に使用されることができるが、これらの望ましい特性もまた、ケミカルアタックに対するその感受性とバランスをとらなくてはならない。
【0024】
電気部品の個々の電気素子の故障は、(例えば、隣接する機能的な電気素子に波形を調整することによって)補償され、デバイスの寿命を延ばすことができる。しかし、デバイスの機能を保持するためのこの補償は、ケミカルアタックの影響を非常に受けやすい連続パッシベーション層が使用される場合、歴史的に不可能であった。そして、この弱点は、キャッピング層に非理想的な結合が存在する場合に悪化する可能性があり、これにより外部環境からのケミカルアタックの可能性が高まる。
【0025】
外部環境からの保護を提供する問題に対する以前の解決策には、米国特許出願公開第2017/0253039号に記載されるように、二つの防湿層の使用が含まれる。本文書は、スタックに配置された個々の上部電極と共通の下部電極を有する作動素子の上に配置される二つの防湿層を使用して保護されるMEMデバイスについて説明している。防湿層は、種々のヤング率、厚さ、組成、および透湿性を有する。
【0026】
例えば、米国特許出願公開第2017/0253039号は、第二の耐湿層よりも厚く、ヤング率が低く、好ましくはポリイミドから構成される第一の耐湿層を教示している。より薄い第二の耐湿層は、好ましくは、水分に対する拡散性が低く、その相対的な薄さが作動素子の圧電層の変形を可能にすると言われる金属で形成されている。
【0027】
米国特許出願公開第2017/0253039号は、概ね、第一および第二の耐湿層が、隣接する作動素子間の領域を覆う連続層である実施形態を開示している。しかし、圧電層の側面(側縁部)がなお耐湿性層で覆われている場合で、湿気からの作動素子の好適な保護が保持され得る場合、隣接する作動素子間の領域で耐湿性層が不連続であるという選択肢も説明されている(段落[0074])。
【0028】
米国特許出願公開第2017/0253039号は、電極の電気的パッシベーションを保証するためのパッシベーション層の使用については説明しておらず、ケミカルアタックに起因する作動素子の故障および電気素子に関連するパッシベーション層の破損に関連する問題も認めていない。
【0029】
外部環境から、特にケミカルアタックから構成要素の電気素子を適切に保護する、MEMデバイス用の別の絶縁電気部品を設ける必要があり、同時に、電気素子の電歪/圧電部品の変形に対応し、および/または個々の電気素子に障害がある場合であっても、デバイスの寿命を延ばす手段を提供する必要がある。
【0030】
本発明は、個々の電気素子の電極間の電気的パッシベーション、および電気部品の圧電部材の保護を設けるために不連続パッシベーション層の使用を含み、電気部品は複数の電気素子を備える。代替的にまたは追加的に、電気素子の下にある一つまたは複数の中間層の不連続部は、存在する場合、上部のパッシベーション層の不連続部に加えて、またはその代わりに設けられてもよく、不連続部は、任意の中間層が、隣接する電気素子間の中間領域にわたって不連続であるように設けられる。パッシベーション層および/または中間層における不連続部の特定の性質は、効果的なパッシベーションを実現することを可能にする一方で、個々の電気素子に関連付けられるパッシベーション層および/または中間層の少なくとも部分的な分離によってカスケード障害メカニズムを防止する。
【発明の概要】
【0031】
第一の態様では、本発明は、i)基材層と、ii)基材層上に配置される複数の隣接する電気素子であって、各電気素子は、中間領域によって隣接する電気素子から分離され、複数の電気素子のそれぞれは、a)セラミック部材と、b)動作中に第一の電極と第二の電極との間におよびセラミック部材を介して電位差が確立されることができるように、セラミック部材に隣接して配置される第一および第二の電極と、を備える、電気素子と、iii)複数の電気素子のそれぞれの第一の電極と第二の電極との間に電気パッシベーションを設けるように、複数の電気素子のそれぞれを少なくとも部分的に覆うパッシベーション層、または複数のパッシベーション層の積層体と、備え、各下部の電気素子に隣接して配置されるパッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の少なくとも最も内側の層は、電気部品の隣接する電気素子間の少なくとも一つの中間領域にわたって不連続である、微小電気機械システムデバイスのための電気部品を提供する。
【0032】
第二の態様では、本発明は、i)基材層と、ii)基材層上に配置される複数の隣接する電気素子であって、各電気素子は、中間領域によって隣接する電気素子から分離され、複数の電気素子のそれぞれは、a)セラミック部材と、b)動作中に第一の電極と第二の電極との間におよびセラミック部材を介して電位差が確立されることができるように、セラミック部材に隣接して配置される第一および第二の電極と、を備える、電気素子と、iii)電気素子に隣接して配置され、各電気素子と基材層との間に少なくとも部分的に介在する中間層と、を備え、中間層は、電気部品の隣接する電気素子間の少なくとも一つの中間領域にわたって不連続である、微小電気機械システムデバイスのための電気部品を提供する。
【0033】
第三の態様では、本発明は、第一および/または第二の態様による電気部品を提供し、電気部品は、液滴吐出装置で使用するためのアクチュエータ部品である。
【0034】
第四の態様では、本発明は、第一、第二、または第三の態様による電気部品と、電気部品に取り付けられるキャッピング層とを備える微小電気機械システムデバイスを提供する。キャッピング層は、電気素子の群もしくはその全てに対して単一の空洞を画成することができ、または各電気素子に対してそれぞれの空洞を画成することができる。このような空洞は、液密で封止されてもよい。
【0035】
第五の態様では、本発明は、第一、第二、または第三の態様による電気部品、または第四の態様によるデバイスを備える液滴吐出ヘッドを提供する。
【0036】
第六の態様では、本発明は、第五の態様による液滴吐出ヘッドを備える液滴吐出装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0037】
【
図1a】
図1(a)は、本開示の第一の実施形態による、電気部品の一部を通る断面の概略図であり、中間領域上のパッシベーション層の積層体の最も内側の層の不連続領域、第一の電極の下にある中間層の不連続領域、および電気素子上の不連続な開口部がある。
【
図1b】
図1(b)は、本開示の別の実施形態による、電気部品の一部を通る断面の概略図であり、中間領域、第一の電極の下にある中間層の不連続領域、および電気素子上の凹部上に、パッシベーション層の積層体の全ての層に不連続領域がある。
【
図1c】
図1(c)は、本開示の別の実施形態による、電気部品の一部を通る断面の概略図であり、中間領域、第一の電極の下にある中間層の不連続領域、および
図1(b)に見られるものとは別の電気素子上の凹部の配列上に、パッシベーション層の積層体の最も内側の層に不連続領域がある。
【
図2】
図2は、比較試験設計による電気部品の一部を通る断面の概略図であり、電気素子間に不連続領域はなく、電気素子上にも不連続領域も凹部もない。
【
図3】
図3(a~b)は、製造中の二つの工程における電気部品の一部の上面図である。
図3(c)(i)は、試験設計による、
図3(a~b)よりも製造中の後の工程での電気部品の一部の上面図である。
図3(c)(ii)は、本開示の第一の実施形態について、
図3(c)(i)の製造中の同じ工程での電気部品の一部の上面図である。
【
図4】
図4は、電気素子の大まかなレイアウトを示す、電気部品を通る断面の概略図である。
【
図5】
図5は、液滴吐出ヘッド用の電気素子の大まかなレイアウトを示す、電気部品を通る断面の概略図である。
【
図6】
図6は、電気部品の製造中の様々な段階での本開示の第一の実施形態による、電気部品の
図1(a)に示される断面の一連の概略図である。
【0038】
図面は原寸に比例したものではなく、特定の特徴がより明瞭に見えるように誇張されたサイズで示されている場合があることに留意されたい。
【発明を実施するための形態】
【0039】
第一の態様のMEMSデバイス用の電気部品は、厚さ方向に離間する第一および第二の面を備える基材層を備え、一つまたは複数の電気素子は基材層の第一の面上に配置される。
【0040】
基材層の材料は特に限定されない。基材層は、シリコンウェーハであってもよく、または他の例では、基材は、ステンレス鋼、酸化マグネシウム(MgO)、ガラス、ニッケル等でできていてもよい。基材層は、二つ以上の層の積層体であってもよく、異なる層は、同一または異なる組成物を有してもよい。いくつかの実施形態では、基材は、電気素子と接触し、酸化ケイ素、窒化ケイ素等を含む最上層を備える。積層体の一つまたは複数の下層は、最上層とは異なる場合があり、例えば、シリコンウェーハ、MgO、ステンレス鋼、ガラス等を含んでもよい。
【0041】
電気素子の作用下で変形する膜層または膜層のスタック(例えば、振動板)、応力勾配緩和層、セラミック部材と基材との間のイオンの拡散を防ぐためのバリア層、および/または電気素子の基材への接着を改善するための接着層を含む、一つまたは複数の中間層を、一つまたは複数の電気素子と基材層との間に配置してもよいが、これらに限定されない。このような別の層は、例えば、無機酸化物層または窒化物層、例えばアルミナ、シリカ、窒化ケイ素、ジルコニア、タンタラ、ハフニア等を含んでもよい。
【0042】
膜層、または膜層のスタックは、任意の好適な材料、例えば、金属、合金、誘電体材料、および/または半導体材料を含んでもよい。好適な材料の例としては、窒化ケイ素(Si3N4)、酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化チタン(TiO2)、ケイ素(Si)、ハフニア(Hf02)、または炭化ケイ素(SiC)が挙げられる。
【0043】
応力勾配緩和層は、典型的には、窒化ケイ素、TEOS由来のシリカ、または、ヤング率が個々の層のヤング率に基づいて決定された、基材のヤング率と電気素子のヤング率に関して中間の他の材料層を含む。
【0044】
一つまたは複数の中間層は、場合によっては、基材自体の一部を形成する(すなわち、多層基材)とみなされてもよく、または別の層は基材に加えられて改質された多層基材を形成してもよい。MEMS用途での使用に好適な任意の基材構成を、本出願に関連して使用してもよい。
【0045】
基材上に配置される各電気素子は、薄膜セラミック部材と、セラミック部材に隣接して配置される第一および第二の電極とを備え、動作中に第一と第二の電極間にセラミック部材を介して電位差を確立できる。
【0046】
いくつかの実施形態では、セラミック部材と第一および第二の電極は、層のスタックに配置され、それぞれは厚さ方向に延在する側面を有し、セラミック部材は、第一の面および厚さ方向に離間して対向する第二の面を有する。基材層とセラミック部材の間に介在するように、セラミック部材の第一の面は基材層に対向し、第一の電極はセラミック部材の第一の面に隣接して配置され、第二の電極はセラミック部材の第二の側に隣接して配置される。
【0047】
典型的には連続的な堆積から形成される層のスタックは、例えば、エッチングによってパターン形成されることができる。パターン形成は、一つまたは複数の工程で実行されてもよい。例えば、薄膜セラミック部材は、最初にパターン形成され、その後、別個のパターン形成工程において、下部の第一の電極の露出領域がパターン形成されることができる。あるいは、薄膜セラミック部材および第一の電極は、単一の工程でパターン形成されることができる。第二の電極がパターン形成される場合、第二の電極は、最初にパターン形成され、次に、下部のセラミック薄膜部材および第一の電極の露出領域を、一工程で一緒に、または連続する工程で別々にパターン形成してもよい。
【0048】
パターン形成工程は、当技術分野で公知の任意のプロセスに従って、例えば、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって実行されることができる。好ましくは、パターニングは、好適な時間、適切な比率で塩素(Cl2)およびアルゴン(Ar)を使用するドライエッチングにより、例えば、30秒~5分または1~3分、例えば2分の範囲で、好適なサイクル数、例えば1~10サイクルまたは3~5サイクル、例えば4サイクルで実行される。
【0049】
別の実施形態では、薄膜セラミック部材は、第一の電極と第二の電極の間に、電気素子の厚さ方向に垂直な方向に介在する。これらの実施形態では、第一および第二の電極は、厚さ方向に実質的に垂直な方向に互いに対向して、薄膜セラミック部材の側外表面上に堆積されることができる。
【0050】
別の実施形態では、第一および第二の電極は、薄膜セラミック部材に隣接して、薄膜セラミック部材の同じ表面上に堆積されてもよく、この表面は、薄膜の厚さ方向において、基材に面する表面と反対側であることができる。このような実施形態では、第一および第二の電極は、それぞれが好ましくは複数の電極フィンガーを備えるくし型電極として形成される。あるいは、前記のくし型電極は、各フィンガーが少なくとも部分的にセラミック材料によって囲まれるように、薄膜セラミック部材内に厚さ方向に形成されたスロットに堆積される。
【0051】
別の実施形態では、第一および第二の電極は、薄膜セラミック部材の堆積の前に、くし型電極として基材上に堆積される。第一および第二の電極は、くし型電極として形成され、第一および第二の電極が薄膜セラミック部材に隣接して配置されているなら、特定の配置または特定の位置に関係なく、薄膜セラミック部材を介して、第一の電極と第二の電極との間に電位差が確立されることができる。
【0052】
本発明の一つまたは複数の電気素子に使用される第一および第二の電極は、特に限定されない。好適には、第一および/または第二の電極は、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、酸化イリジウム(IrO2)、ルテニウム(Ru)、ニッケル酸ランタン(LaNiO3)、ルテニウム酸ストロンチウム(SrRuO3)、またはそれらの組み合わせの層である。第一および第二の電極は、同じまたは異なる材料で形成されることができる。いくつかの実施形態では、第一および第二の電極の両方は白金を含む。白金は、その高い導電性と高い化学的安定性、および高温の酸素環境での酸化耐性により、特に好ましい。
【0053】
電極は、当技術分野で公知の任意の好適な技術、例えばスパッタ、物理蒸着もしくは化学気相堆積技術(PVDおよびCVD)、電気めっき、または他のいずれの好適な技術を使用して形成されることができる。
【0054】
本発明の一つまたは複数以上の電気素子のそれぞれのセラミック部材のセラミック材料は、MEMS用途での使用に好適な強誘電体挙動、例えば圧電または強誘電体/クロスオーバー特性を示すならば特に限定されない。
【0055】
薄膜セラミック部材のセラミック材料は、大部分がペロブスカイト結晶相(すなわち、50体積%超)、好ましくは少なくとも90体積%のペロブスカイト結晶相、より好ましくは少なくとも95体積%の圧電結晶相を有するセラミック材料を含むことができる。最も好ましくは、セラミック部材は実質的に均質であり(すなわち、相が純粋であり)、ペロブスカイト結晶相のみを有する。
【0056】
いくつかの実施形態では、本発明の電気素子のセラミック材料は、鉛、チタン、ジルコニウム、ニオブ、および/または亜鉛イオンを含む。本発明に従って使用されることができる鉛系セラミック材料の例としては、Pb[ZrxTi1-x]O3(0≦x≦1)、Pb[(Zn1/3Nb2/3)xTi1-x]O3、0<x<1、およびPb[(Mg1/3Nb2/3)xTi1-x]O3、(0<x<1)が挙げられる。
【0057】
別の実施形態では、セラミック材料は、鉛フリーであってもよく、ならびに/またはビスマス、ナトリウムおよび/もしくはカリウムイオンを含有してもよく、好ましくは、(Bi0.5Na0.5)TiO3、(Bi0.5K0.5)TiO3、Bi(Mg0.5Ti0.5)O3、(K0.5Na0.5)NbO3、BiFeO3、およびそれらの組み合わせを含む固溶体のうちの一つまたは複数から選択されてもよい。
【0058】
本発明の一つまたは複数の電気素子のそれぞれのセラミック部材は、一つまたは複数の薄膜層を備えることができる。MEMS用途用のセラミック薄膜層の調製には、通常、化学溶液前駆体を使用する化学溶液堆積、または固体焼結セラミックターゲットもしくはホットプレスセラミックターゲットを使用するスパッタリング(例えば、RFマグネトロンスパッタリング)が含まれる。当業者に公知の他のいずれの好適な調製方法が使用されてもよい。セラミック材料薄膜は、好ましくは、化学溶液堆積により形成される。
【0059】
例えば、多層薄膜セラミック部材は、セラミック材料の前駆体溶液の堆積および乾燥の複数回の繰り返しによって、堆積および乾燥工程の各セット間に結晶化によって、または堆積および乾燥の複数回の繰り返しの終了時に単一の結晶化工程のみによって、形成されてもよい。理解されるように、多層薄膜セラミック部材の層のそれぞれの組成物は、実質的に同一であってもよい。あるいは、多層薄膜セラミック部材の個々の層の組成物は、例えば、それらの層のうちの一つが、電気素子の基材および/または電極と接触するかどうかに応じて、最適化されることができる。したがって、このような実施形態では、多層薄膜セラミック材料の個々の層の組成物は異なっていてもよい。
【0060】
Pb、Bi、Na、およびKは全て、特にペロブスカイト結晶化の典型的なプロセス温度で揮発性の種であることがよく知られている。特定のカチオンの高い揮発性を補償するために、前駆体溶液は、それに添加される過剰量のカチオンを用いて調製されることができる。カチオン過剰を提供することは、所望の化学量論が達成されることを確実にし、化学量論的な不均衡および点欠陥を低減するのに役立つ。このような過剰なカチオン種は、CSDで調製されるPZT薄膜で一般的である(例えば、溶液の化学的性質に応じて、最大20mol%~40mol%の過剰なPb2+を追加することができる)。同様に、ビスマスカチオン前駆体溶液、ならびに他のカチオンの前駆体溶液、特にナトリウムおよびカリウムを含むカチオンの前駆体溶液は、当業者によって日常的な実験によって測定されることができる好適な濃度のカチオン過剰で調製されることができる。
【0061】
当業者によって理解されるように、電気部品に複数の電気素子がある場合、セラミック部材は最初に堆積されてもよく、その後、パターン形成され、および例えばエッチングによって複数の分離されたセラミック部材に分割され、それぞれが複数の電気素子のうちの個々の一つと関連付けられる。
【0062】
一つまたは複数の電気素子のそれぞれは、不連続なパッシベーション層、または複数のパッシベーション層の積層体を備えている。パッシベーション層、または複数のパッシベーション層の積層体は、一つまたは複数の電気素子のそれぞれの第一の電極と第二の電極との間の電気的パッシベーション、および圧電部材の保護を提供するために、一つまたは複数の電気素子に隣接して配置される。
【0063】
用語「複数のパッシベーション層の積層体」は、厚さ方向に積み重ねられた複数の重ねられたパッシベーション層を指すことが意図され、隣接するパッシベーション層は、異なる組成を有することに基づいて、例えば、各層が異なる主成分を含む程度に(例えば、主要とは50体積%を超えることを意味する)互いに区別され、および/またはパッシベーション層を物理的に分離する少なくとも部分的に介在する中間層の存在によって、パッシベーション層は実質的に同じ組成であってもなくてもよい。例えば、本明細書に記載されるように、電気配線は、実質的に同じ組成のパッシベーション層間に組み込まれてもよい。この場合、介在する電気配線の存在は、たとえ層が実質的に同じ組成を有していても、それらが断面上で区別されるように、少なくとも部分的に層を分離する。
【0064】
理解されるように、介在する中間層を少なくとも部分的に備える個々のパッシベーション層の厚さは、電気部品を横切る厚さ方向に実質的に垂直な方向に、変化してもよい。パッシベーション層の積層体の個々の層は、それ自体が、例えば、堆積プロセスの複数回の繰り返しからもたらされたいくつかの重ねられたサブ層から形成されてもよいことも理解されるであろう。しかし、このようなサブ層は、上述の積層体についての記載のように、各層が異なる主要成分を含む限り、組成に基づいて区別されず、およびいかなる介在層によっても分離されず、積層体内の別個の層とみなされる。いくつかの実施形態では、サブ層の組成は、個々のサブ層が互いに明確に区別されることなく、厚さ方向に徐々に変化することができる。同様に、複数のパッシベーション層の積層体の代わりに単一のパッシベーション層のみが設けられる場合、単一のパッシベーション層はまた、例えば、堆積プロセスの複数回の繰り返しからもたらされるいくつかのサブ層を備えてもよい。
【0065】
パッシベーション層、または複数のパッシベーション層の積層体に関連して本明細書で使用される用語「不連続」は、パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の少なくとも最も内側の層もしくは全ての層(一つまたは複数の電気素子に隣接して配置される最も内側の層)を指すことが意図されており、これは、一つまたは複数の電気素子および/または基材を覆う他の領域を完全に覆うようには連続的には延在しない。パッシベーション層またはパッシベーション層の積層体に関連して使用される「不連続部」または「不連続領域」は同義語であることが理解されよう。
【0066】
パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の不連続部もしくは不連続領域は、例えば、層の穴/開口部の形態であってもよい。いくつかの配置では、パッシベーション層、または積層体の少なくとも最も内側の層、もしくは全ての層の穴/開口部は、パッシベーション層、または積層体の少なくとも最も内側の層が、隣接する電気素子間の中間領域の一部を覆っていないことを意味する。
【0067】
本明細書で言及する用語「中間領域」とは、基材上に配置される隣接する電気素子の間にある(すなわち、介在する)電気部品の領域を指す。基材上の電気素子の配置(例えば、列またはオフセット列またはマトリックスに)に応じて、中間領域は、基材上に配置される電気素子の周りの経路を、経路が少なくとも二つの隣接する電気素子間に介在する程度まで、経路に集合的にのびる。電気部品の電気素子の配置の末端(例えば、素子の列の一つの端部)に配置される電気素子の場合、中間領域は、少なくとも二つの隣接する電気素子が間に介在する場所にのみ存在するため、中間領域は、電気素子の周りの経路に集合的にのびるが、先端でそれらの電気素子を完全には取り囲まないことが理解されるであろう。
【0068】
したがって、中間領域は、電気部品の厚さ方向に垂直な方向に、電気素子の一端の側縁部から、隣接する電気素子の一端の対向する側縁部まで延在することができ、側縁部は、(電気素子が、基材とセラミック部材との間に第一の電極が介在するスタックに配置される場合)セラミック部材または第一の電極のいずれかの縁部であってもよく、電気部品のいずれかの部分が、基材上の厚さ方向に実質的に垂直な方向に最も遠くに延在している。したがって、中間領域は、基材上の電気部品によって形成される山の間の谷領域であるとみなされることができる。
【0069】
第一の電極と第二の電極との間の電気的パッシベーションが維持されるならば、パッシベーション層、または積層体もしくはパッシベーション層は、中間領域を覆う不連続部を備え、不連続部は中間領域の任意の領域にあってもよい。不連続部は、隣接する電気素子間の中間領域に部分的にのみまたは完全に全体にわたって延在することができるが、好ましくは、その不連続部は、隣接する電気素子の対向する側縁部の実質的に全長に沿って、隣接する電気素子間に介在するように延在する。
【0070】
好ましい配置では、パッシベーション層、または積層体の少なくとも最も内側の層、好ましくは全ての層は、不連続領域を取り込み、分離された領域(すなわち、非接続島状構造)に分割され、一つまたは複数の電気素子のそれぞれは、パッシベーション層の分離された領域、またはパッシベーション層の積層体を有し、少なくとも部分的にそれを覆う。このような配置では、隣接する電気素子間の中間領域には、その上に完全に延在するパッシベーション層も、積層体の少なくとも最も内側の層もなく、それにより、パッシベーション層の一つの分離された領域、または積層体の少なくとも最も内側の層が、別の領域に接続または接触するのを防ぐ。
【0071】
パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の少なくとも最も内側のパッシベーション層に不連続部を、特に完全な分割が達成されて分離された領域を形成する程度まで設けることにより、脆弱なパッシベーション層のケミカルアタックが発生する可能性があり、そうでなければパッシベーション構造全体に伝播する可能性があるカスケード障害メカニズムを低減または実質的に防止することを、本発明者らは見出した。不連続部は、このような伝搬経路を破壊または中断し、複数の電気素子のカスケード障害を回避する。理解されるように、不連続部は、例えば、パッシベーション層上の分解の伝播を低減するのに効果的であるために、中間領域の領域全体に及ぶ必要はない。
【0072】
さらに、上部のパッシベーション層またはパッシベーション層の積層体の不連続部と組み合わせて、電気素子と基材との間に介在する中間層に不連続部を設けることも、また、カスケード障害メカニズムの問題を回避し、デバイスの寿命を延ばすのに役立つ。したがって、好ましい実施形態では、パッシベーション層は、中間領域に、下部の中間層の不連続領域とも一致する不連続部があり、どちらも同じまたは複数のエッチング工程の結果である可能性がある。
【0073】
いくつかの実施形態では、パッシベーション層またはパッシベーション層の積層体における別の不連続部は、複数の電気素子のそれぞれを覆う領域に設けられる。好ましい実施形態では、不連続部/不連続部領域は、複数の下部の電気素子のそれぞれに通じる開口部を形成する。開口部の存在は、下部の電気素子の少なくとも一部が開口部の領域全体にわたってパッシベーション層によって覆われていないことを意味する。この配置は、動作中の電気素子の変位について、パッシベーション層、または複数のパッシベーション層の積層体の悪影響を軽減するのに特に有利であり、これにより、電気素子の第一の電極と第二の電極との間の適切な電気的パッシベーションをさらに確保しながら、セラミック部材の圧電/電歪性能に及ぼす抑制効果を防止または低減することが本発明者らによって見出された。
【0074】
いくつかの実施形態では、複数のパッシベーション層の積層体が設けられる場合、パッシベーション層の積層体は、下部の電気素子のそれぞれとは反対側の面に凹部が形成され、複数の電気素子のそれぞれを覆う領域に凹部が設けられ、複数のパッシベーション層の積層体の一つまたは複数の最も外側のパッシベーション層が、凹部全体にわたって厚さ方向に除去される。一つまたは複数の最も内側のパッシベーション層は、凹部全体にわたって一つまたは複数の電気素子を覆って残されている。このように凹部を形成することはまた、動作中の電気素子の変位に及ぼすパッシベーション層の抑制効果を低減するのに有益な効果を有することが見出された。
【0075】
複数のパッシベーション層の積層体に関連して本明細書で使用される用語「凹部」は、積層体内のウェルまたは空洞を指すことを意図し、下部の電気素子とは反対側の積層体の表面で、パッシベーション層の積層体の少なくとも一つの層を貫通するが、全ての層ではない。パッシベーション層の積層体の最も内側のパッシベーション層のうちの一つまたは複数が、凹部全体にわたって各電気素子を覆って残っていることが理解されよう。複数の電気素子の電極とそれに接続する配線の好適なパッシベーションが確実にもたらされる限り、凹部は、複数の電気素子のそれぞれのセラミック部材の一部、好ましくは全体にわたって(厚さ方向に垂直な平面内に)延在してもよい。
【0076】
一つまたは複数の電気素子の変位に及ぼすパッシベーション層の抑制効果を低減する凹部の任意の好適なサイズが用いられてもよい。理解されるように、本明細書に記載の電気素子を覆うパッシベーション層またはパッシベーション層の積層体の開口部の形態の不連続部は、パッシベーション層の積層体を反対方向から凹を作るのと同様の効果を達成する。したがって、両方は必要ではない。
【0077】
理解されるように、記載された配置のいずれかにおいて、パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体は、中間体を備える複数の電気素子上に一つまたは複数のパッシベーション層を堆積させることによって、または例えば不連続部/不連続部領域を設けるために、エッチングもしくはリソグラフィによって、少なくとも最も内側の、好ましくは全ての堆積されたパッシベーション層をパターン形成するための最終工程によって形成されることができる。上記のようにパターン形成は、代替的に、パッシベーション層または少なくとも積層体の最も内側のパッシベーション層をマスク等の上に堆積することを用いて達成されることができる。
【0078】
パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体は、任意の好適な堆積方法、例えば、原子層堆積(ALD)、分子層堆積(MLD)、化学気相堆積(CVD)、プラズマ増強化学気相堆積(PE-CVD)、物理蒸着(PVD)、スパッタリング等によって、最初は連続層として一つまたは複数の電気素子上に堆積されることができる。パッシベーション層に好適な材料は、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、および炭素の同素体、例えばダイヤモンドライクカーボン(DLC)を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、パッシベーション層またはパッシベーション層の積層体は、シリカ(SiO2)、窒化ケイ素(Si3N4)、アルミナ(Al2O3)、ジルコニア(ZrO2)、酸化マグネシウム(MgO)、タンタラ(Ta2O5)、ハフニア(HfO2)、ケイ素-タンタル酸化物(SiTaOx)等およびそれらの組み合わせを含むことができる。堆積のために選択される材料および方法は、セラミック部材の酸素空孔の増加を引き起こす可能性のある還元環境を作らないことが好ましく、そうでなければ、酸化雰囲気中で高温回復工程が必要となる場合がある。アルミナは、エッチングされたセラミック材料、特にエッチングされたPZTに対して非常に良好な接着力を有するため、パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の最も内側の層として使用するのに特に好ましい材料である。シリカ、タンタラ、ケイ素-タンタル酸化物(SiTaOx)、およびハフニアは、その高い化学的不活性のために特に好適な材料である。シリカはまた、エッチングされたセラミック材料、特にエッチングされたPZTに対して良好な接着力を有することが示されている。
【0079】
パッシベーション層の積層体が用いられる場合、各層は上記で詳述した任意の一つまたは複数のパッシベーション材料から構成されてもよく、各層は同一または互いに異なる技術によって堆積されてもよい。したがって、いくつかの実施形態では、パッシベーション層の積層体の少なくとも一つの層の組成は、積層体の少なくとも一つの別の層とは異なる。好ましくは、一つまたは複数の電気素子に隣接して配置される積層体の最も内側の層の組成は、積層体の少なくとも一つの別の層の組成と、好ましくは積層体の別の全ての層の組成と異なる。
【0080】
好ましくは、電気部品が、セラミック部材に隣接して配置される複数のパッシベーション層の積層体、ならびに一つまたは複数の電気素子のそれぞれの第一および第二の電極を備える実施形態では、a)セラミック部材ならびに第一および第二の電極に隣接して配置される積層体の最も内側の層は、i)アルミナ、ii)ジルコニアおよび/もしくはハフニア、またはiii)シリカ、タンタラ、および/もしくはケイ素-タンタル酸化物を含み、ならびに/またはb)最も内側の層ではない積層体の他の層のうちの少なくとも一つは、シリカおよび/もしくは窒化ケイ素を含む。特に好ましい実施形態では、積層体の最も内側の層はアルミナを含み、積層体の少なくとも一つ、好ましくはすべての残りの層はシリカを含む。
【0081】
パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の合計の厚さは、第一の電極と第二の電極との間の適切な電気的パッシベーションが達成される限り、特に限定されない。それにもかかわらず、本発明の特定の利点は、以下で説明するように、パッシベーション層の厚さが電気素子のセラミック部材の圧電/電歪特性を阻害しないように、パッシベーション層の不連続で、必要に応じて凹状の性質を調整することができる。したがって、本発明は、パッシベーションに対して最適であることができる(例えば、厚さを増加させると欠陥を低減することができる)総厚さを有するパッシベーション層の選択を可能にするが、それにもかかわらず、これは通常、セラミック部材の圧電/電歪性能を(つまり、電気素子の変位を阻害することによって)阻害すると見なされる可能性がある。
【0082】
好適には、パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の総厚さは、750nmよりも小さく、厚さは、特定の材料、または材料の組み合わせ、および堆積方法もしくは用いられる方法に依存する。パターン形成して不連続部または凹部を生成する前に、連続層が最初に達成され、第一の電極と第二の電極の適切なパッシベーションが、圧電部材の適切な保護と共に達成可能である限り、最小厚さは特に限定されない。したがって、(単一のパッシベーション層またはパッシベーション層の積層体のいずれかとして)パッシベーションの総厚さは、20nm~700nm、好ましくは50nm~650nm、より好ましくは100~600nmとすることができる。パッシベーション層の積層体が使用される場合、各パッシベーション層の厚さは、好適には5~500nm、例えば、50~500nm、100~450、または200~400nmであってもよい。理解されるように、複数のパッシベーション層が存在する場合、各層は、別の層とは異なる厚さであってもよい。
【0083】
パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の最も内側の層は、一つまたは複数の電気素子に隣接して堆積される。パッシベーション層、または複数のパッシベーション層の積層体は、短絡の可能性のある経路をもはや利用できないように、第一および第二の電極を互いに電気的に絶縁する。別の特に好ましい実施形態では、特に、パッシベーション層が、任意の不連続部を有するかまたは有さない凹部を備える場合、積層体層の最も内側の層は、ハフニアを含み、積層体の残りの層の少なくとも一つ、好ましくは全てはシリカを含む。
【0084】
パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体は、第一および第二の電極のうちの一方から第一および第二の電極のうちの他方への駆動回路に接続する電気配線を分離することができる。さらに、パッシベーション層またはパッシベーション層の積層体は、外部環境から電気配線を保護することができる。
【0085】
セラミック部材および第一および第二の電極が、前記のように厚さ方向に層のスタックに配置され、各層が厚さ方向に延在する側面を有する実施形態では、パッシベーション層、または複数のパッシベーション層の積層体は、(セラミック部材の基材に面する面とは反対の面上に配置される)第二の電極を少なくとも部分的に覆い、セラミック部材の側面および第一および第二の電極の側面に隣接して配置される。パッシベーション層、または複数のパッシベーション層の積層体は、第二の電極に接続する配線が確実にパッシベーションされる程度まで、第二の電極を覆うことが好ましい。
【0086】
本明細書で説明したように、本発明におけるパッシベーションの特定の利点は、それぞれが単一の電気素子に関連付けられるパッシベーション層の分離された領域を有することにより、単一の電気素子のみの障害の結果として完全なデバイス障害につながる可能性があるカスケード障害メカニズムを回避することである。これは、不連続パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の少なくとも最も内側の層は、ケミカルアタックを受けやすいか、または例えば、外部環境からのケミカルアタックに対して最も影響を受けやすい成分であることができるためである。隣接する電気素子間の中間領域に不連続部を有することによって、複数の電気素子に影響を及ぼすケミカルアタックの伝播を低減または防止し、完全なデバイス故障を回避することができる。分離された故障した電気素子の存在は、(例えば、隣接する機能的電気素子に波形を調整することによって)補償され、デバイス寿命を延長することができる。
【0087】
不連続部の効果は、少なくとも最も内側のパッシベーション層が、特にケミカルアタックの影響を受けやすい組成を有する場合に特に有用である。例えば、少なくとも最も内側のアルミナパッシベーション層は、セラミック材料、特にエッチング損傷したPZTを保護するその能力でパッシベーション層として特に有用であるにもかかわらず、アルミナはいくつかの環境においてケミカルアタックに特に影響を受けやすい。したがって、本発明は、パッシベーション層材料としてのアルミナの使用から恩恵を引き出すために特に有益であることができるが、使用しなければ悪化させる可能性があるデバイス寿命に対する有害な影響を回避する。
【0088】
例えば、開口部の形で、またはパッシベーション層の積層体が複数の電気素子のそれぞれの上で凹部状に形成される、電気素子を覆う領域に設けられる別の不連続部によって、動作中の電気素子の変位に及ぼすパッシベーション層または複数のパッシベーション層の積層体の悪影響は緩和される。
【0089】
上記の一つまたは複数の不連続領域のそれぞれは、例えば、エッチングによって、単一の工程で、または別々の工程で設けられてもよい。
【0090】
一つまたは複数の電気素子のうちの少なくとも一つの電極は、電気配線を介して駆動回路に接続される。電気配線は、パッシベーション層上、または複数のパッシベーション層の積層体のパッシベーション層のうちの一つの上に堆積されてもよく、それらは電極に、例えばパッシベーション層または複数の層内に形成されるビアを通って接続される。ビアは、導電性素子で充填されるが、不連続部および凹部は充填されないため、ビアを本明細書に記載の不連続部または凹部と区別することができる。
【0091】
電気配線は、スパッタリングによって、または当技術分野で公知の任意の他の好適な方法によって堆積されることができる。電気配線は、好ましくは金属配線、例えば、金(Au)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、白金(Pt)等、およびそれらの組み合わせを含む。電気配線の形成の前後に、薄い接着層を堆積させてもよい。
【0092】
いくつかの実施形態では、配線は、配線自体が複数のパッシベーション層の積層体の少なくとも一つのパッシベーション層によって覆われ、その結果、配線は複数のパッシベーション層の積層体の層の間に、駆動回路に接続する配線の領域が露出される程度まで、少なくとも部分的に介在する。
【0093】
好ましい実施形態では、電気配線は、複数のパッシベーション層の積層体の二つの隣接するパッシベーション層の間に少なくとも部分的に介在し、二つの隣接するパッシベーション層は最も内側のパッシベーション層を備えない。別の好ましい実施形態では、パッシベーション層の積層体の最も内側の層は、アルミナ、ジルコニア、シリカ、タンタラ、シリコン-酸化タンタル(SiTaOx)および/またはハフニア、最も好ましくはアルミナを含み、電気配線が間に介在する二つの隣接するパッシベーション層は、アルミナを含まず、好ましくは、二つの層はそれぞれ、シリカ、ジルコニア、窒化ケイ素および/またはハフニア、最も好ましくはシリカを含む。
【0094】
本発明の電気部品は、基材層の第一の面上に配置される一つまたは複数の電気素子のそれぞれを覆うように配置される、連続絶縁層、または絶縁層の積層体をさらに備える。理解されるように、絶縁層は、外部環境から電気素子を分離するためのバリアとして機能し、電気素子をケミカルアタックから(例えば、電気部品の特定の用途に応じて水分またはインクから)保護するのに役立つ。外部環境からの電気部品の改善された保護、および特にケミカルアタックからの保護をもたらすことにより、別の利点をもたらす可能性がある。連続絶縁層、または絶縁層の積層体はまた、不連続パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の利点を、外部環境からの保護を失うことなく得ることを可能にすることができる。上記で説明したように、例えば隣接する電気素子間の中間領域を含む、パッシベーション層に不連続領域を有することには利点がある。このような不連続領域は、腐食が一つの障害のある電気素子から別の素子に広がるカスケード障害の可能性を減らすことにより、カスケード障害に対する電気部品の感受性を低減する。さらに、開口部の形態の不連続部は、一つまたは複数の電気素子のそれぞれを覆う領域のパッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体において、設けられてもよく、パッシベーション層またはパッシベーション層の積層体には、複数の電気素子のそれぞれを覆う領域に凹部が形成されてもよい。これは、圧電/静電性能を最大化するために、一つまたは複数の電気素子の変位の阻害を防止または低減するための手段として使用される。電気部品を覆う連続絶縁層の存在は、同時に外部環境から電気素子を保護するが、欠陥、例えば下部のパッシベーション層内のマイクロクラックまたはピンホールを塞ぐこともでき、および隣接する電気素子間の中間領域に不連続部が設けられる場合、または一つまたは複数の電気素子のそれぞれの上の領域のパッシベーション層またはパッシベーション層の積層体に不連続部が設けられる場合、パッシベーション層もしくはパッシベーション層の積層体の不連続部または凹部領域を覆うこともできる。
【0095】
用語「絶縁層の積層体」は、厚さ方向に積み重ねられた複数の重ねられた絶縁層を指すことが意図され、隣接する絶縁層は、異なる組成を有することに基づいて、例えば、各層が異なる主成分を含む程度に(例えば、主成分が50体積%を超えることを意味する)互いに区別され、および/または絶縁層を物理的に分離する少なくとも部分的に介在する中間層の存在によって、その絶縁層は実質的に同じ組成であってもなくてもよい。
【0096】
理解されるように、介在する中間層を少なくとも部分的に備える個々の絶縁層の厚さは、電気部品を横切る厚さ方向に実質的に垂直な方向に、変化してもよい。パッシベーション層の積層体の個々の層は、それ自体が、例えば、堆積プロセスの複数回の繰り返しからもたらされたいくつかの重ねられたサブ層から形成されてもよいことも理解されるであろう。しかし、このようなサブ層は、上記の積層体についての記載のように、組成に基づいて区別されず、およびいかなる介在層によっても分離されず、積層体内の別個の層とみなされる。上記のように、同様に、複数のパッシベーション層の積層体の代わりに単一の絶縁層のみが設けられる場合、単一の絶縁層はまた、例えば、堆積プロセスの複数回の繰り返しからもたらされるいくつかのサブ層を備えてもよい。
【0097】
絶縁層、または絶縁層の積層体に関連して本明細書で使用する用語「連続的」は、絶縁層、または絶縁層の積層体を指すことを意図し、これは、中断することなく継続的に延在して、一つまたは複数の電気素子を完全に覆い、それに関連して、基材上に配置される対応するパッシベーション層に対応する。複数の電気素子が存在する場合、絶縁層は、電気素子間の下部の中間領域上にも延在することが理解されるであろう。したがって、連続層は、典型的には、電気素子が配置される基材の面の実質的に全てを覆う。
【0098】
絶縁層、または層の積層体は、当技術分野で公知の堆積の任意の方法によって、一つまたは複数の電気素子のそれぞれに堆積されてもよい。絶縁層または層の積層体は、最も外側のパッシベーション層を堆積するために使用される方法とは異なる方法によって堆積されることが好ましい。これは、パッシベーション層に存在する点欠陥が絶縁層または層の積層体を通って再生および延在する可能性を低減するであろう。絶縁層または絶縁層の積層体は、原子層堆積(ALD)、分子層堆積(MLD)、スパッタリング等によって堆積されることが好ましい。絶縁層に好適な材料は、非常に高い化学的不活性を有する。好適な材料の例としては、シリカ(SiO2)、ジルコニア(ZrO2)、タンタラ(Ta2O5)、ハフニア(HfO2)等、およびそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。絶縁層の積層体が用いられる場合、各層は上記で詳述した任意の一つまたは複数の絶縁材料から構成されてもよく、各層は同一または互いに異なる技術によって堆積されてもよい。
【0099】
絶縁層、または絶縁層の積層体は、好ましくは、シリカ、ハフニア、ジルコニア、タンタラ、およびそれらの組み合わせのうちの一つまたは複数の層を備える。いくつかの実施形態では、絶縁層、または絶縁層の積層体は、シリカおよび/またはタンタラ、ジルコニアおよびハフニアのうちの一つまたは複数の層を備える。他の実施形態では、絶縁層は、複数のシリカ層、およびタンタラ、ジルコニア、もしくはハフニアのうちの一つもしくは複数の層、または複数のタンタラ層、および/またはジルコニアもしくはハフニアのうちの一つもしくは複数の層を備える、絶縁層の積層体である。
【0100】
好ましい実施形態では、絶縁層の積層体は複数のシリカ層を備え、シリカ層は電気素子/パッシベーション層に隣接するように配置され、積層体は複数のタンタラ層をさらに備え、好ましくはシリカ層とタンタラ層は、積層体の厚さにわたって概ね交互に配置される。
【0101】
絶縁層、または絶縁層の積層体の厚さは特に限定されないが、動作中の電気素子の変位を阻害するあらゆる可能性を低減するために、より薄い層が一般的に好ましい。一般的に、絶縁層または絶縁層の積層体の厚さは、10nm~50nm、好ましくは12~30nm、より好ましくは15~25nmの範囲が好適である。絶縁材料の性質および堆積技術に応じて、種々の厚さ値が必要となる場合がある。
【0102】
絶縁層または絶縁層の積層体は、化学的に堅牢な材料、例えば、ハフニア、タンタラ、ジルコニア、およびシリカから、単独でまたは組み合わせて作られていることが好ましく、原子層堆積(ALD)によって堆積されることが好ましい。シリカ層とタンタラ層との組み合わせは、外部環境から、特に、例えば電気部品が水性インクを使用する液滴吐出ヘッドで使用されている場合、または水性汚染物が存在する場合に、水性環境からの保護を提供するのに特に効果的であることが、本発明者によって見出された。
【0103】
絶縁層または絶縁層の積層体は、電気部品、特にパッシベーション層またはパッシベーション層の積層体の任意の不連続部の各電気素子を完全に覆ってもよい。さらに、絶縁層は、下部のパッシベーション層またはパッシベーション層の積層体の最も外側の層の欠陥、例えばマイクロクラックまたはピンホールを修復する(例えば、充填/塞ぐ)ための手段を提供し、この効果を実現するために、優先的にALD技術が使用される。絶縁層の存在はまた、より均一なトポグラフィーを電気部品に与えてもよく、MEMS用途におけるキャッピング層への結合がより効果的であり、増加するトポグラフィーによって悪化する欠陥、例えば空隙等が発生しにくい。
【0104】
上で説明したように、絶縁層または絶縁層の積層体は、存在する場合、典型的には、一つまたは複数の電気素子を備える電気部品の実質的に全ての表面を覆う。それにもかかわらず、当然のことながら、絶縁層または絶縁層の積層体は、駆動回路との電気的接続が確立されなければならない電気部品上のそれらの領域から除去されることができる。このような領域は、電気部品上に設けられる電気素子の全てを覆わない。
【0105】
絶縁層または絶縁層の積層体は、外部環境および化学物質との接触から電気素子を保護することができ、そのため一つまたは複数の電気素子を備える電気部品の製造プロセスはより高い歩留まりに達し、電気素子の寿命を延長できる。連続絶縁層と不連続パッシベーション層との組み合わせは、電気部品の使用可能寿命を延ばすのに有利である場合がある。
【0106】
第二の態様では、一つまたは複数の電気素子のそれぞれは、不連続パッシベーション層の代わりに、または不連続パッシベーション層と同様に、電気素子に隣接して配置され、一つまたは複数の電気素子のそれぞれの少なくとも部分的に下にある、不連続な中間層を備えてもよく、不連続部は、隣接する電気素子間の中間領域上にある。中間層は、下部第一の電極の下層膜への接着を強化するように、ならびに/または、例えば鉛系のセラミック材料、例えばPZTから基材/ベース層内への鉛イオンの拡散を防止する鉛バリア層のためのイオン拡散バリアとして機能するように、機能することができる。別の実施形態では、不連続パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体、および不連続中間層の両方が設けられ、パッシベーション層、またはパッシベーション層の積層体の少なくとも最も内側の層の不連続部は、隣接する電気素子間の中間領域上の下部の中間層の不連続部を少なくとも部分的に覆い、パッシベーション層の不連続部の代わりに、またはそれに加えて、中間層は電気部品の隣接する電気素子間の少なくとも一つの中間領域において不連続であることができる。好ましい実施形態では、不連続中間層は、隣接する電気素子間の中間領域の大部分、好ましくは全てにわたって不連続である。別の好ましい実施形態では、中間層は分離された領域に分割され、複数の電気素子の各電気素子は、少なくとも部分的にその下にある分割された中間層の分離された領域を有する。
【0107】
第三の態様では、液滴吐出装置で使用するためのアクチュエータ部品が提供され、アクチュエータ部品は第一の態様による電気部品である。
【0108】
第四の態様では、微小電気機械システムは、第一、第二または第三の態様による電気部品と、絶縁された電気部品に取り付けられたキャッピング層とを備える。キャッピング層は、電気素子の群もしくはその全てに対して単一の空洞を画成することができ、または各電気素子に対してそれぞれの空洞を画成することができる。このような空洞は、液密で封止されてもよい。キャッピング層は、当技術分野で一般的な任意の材料から構成されてもよく、当技術分野で公知の任意の好適な方法で電気部品に取り付けられてもよい。キャッピング層は、ケイ素(Si)から形成されてもよく、例えば、シリコンウェーハから製造されてもよく、一方、空洞を備えるキャッピング層に設けられる形体は、任意の好適な製造プロセス、例えば、エッチングプロセス、例えばDRIEまたは化学エッチングを使用して形成されることができる。場合によっては、キャッピング層の形体の少なくともサブセットは、アディティブ法、例えばCVD技術(例えば、PECVD)、またはALDで形成されることができる。さらに他の場合では、特徴部は、エッチング及び/又は追加プロセスの組み合わせを使用して形成されてもよい。キャッピング層は、絶縁層または絶縁層の積層体を介して電気部品に結合されてもよい。
【0109】
絶縁層の存在は、電気部品のトポグラフィーを改善するのに役立つ可能性があり、キャッピング層への結合がより効果的になり、欠陥、例えば空隙等が発生しにくい。
【0110】
いくつかの実施形態では、微小電気機械デバイスは、絶縁された電気部品に取り付けられ、かつ電気部品のキャッピング層に対向する面に配置されるノズルプレートをさらに備えることができる。
【0111】
第五の態様では、上記の電気部品またはMEMSデバイスを備える液滴吐出ヘッドが提供される。
【0112】
第六の態様では、第五の態様による液滴吐出ヘッドを備える液滴吐出装置が提供される。
【0113】
液滴堆積装置は、従来の印刷用途、例えばインクジェット印刷技術、ならびに3Dプリンティング及び他の材料堆積またはラピッドプロトタイピング技術の両方において広く使用されている。
【0114】
液滴堆積装置での使用に好適なアクチュエータ部品は、例えば、複数の流体チャンバーを備えることができ、チャンバーは一つまたは複数の列に配置されてもよく、各チャンバーはそれぞれアクチュエータ素子及びノズルを備えている。理解されるように、この態様では、作動素子は上記の電気素子に対応し、複数のチャンバーからノズルのうちの対応する一つを通して流体を吐出させるように作動可能である。
【0115】
例えば、作動素子はアクチュエータ部品の流体チャンバーのうちの一つを画定する壁を変形させることによって機能することができる。そして、このような変形は、チャンバー内の流体の圧力を増加させ、それによってノズルからの流体の液滴を吐出させることができる。このような壁は、任意の好適な材料、例えば金属、合金、誘電体材料、および/または半導体材料を含むことができる膜層の形態であってもよい。好適な材料の例としては、窒化ケイ素(Si3N4)、酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、ハフニア(HfO2)、タンタラ(Ta2O5)、ジルコニア(ZrO2)、酸化チタン(TiO2)、ケイ素(Si)または炭化ケイ素(SiC)が挙げられる。
【0116】
液滴堆積装置は、典型的には、アクチュエータ部品と、アクチュエータ部品に取り付けられる一つまたは複数のマニホールド構成要素と、を備える液滴吐出ヘッドを備える。このような液滴吐出ヘッドは、さらに、または代わりに、例えば、アクチュエータ部品により提供される電気回路によって作動素子に電気的に接続される駆動回路を備えてもよい。このような駆動回路は、液体チャンバーの選択された群から液滴を吐出させる駆動電圧信号を作動素子に供給することができ、選択された群は、ヘッドによって受信された入力データの変化によって変化する。
【0117】
多様な用途の材料への要求を満たすために、本明細書に記載されるように、多種多様な代替流体が、液滴吐出ヘッドにより堆積されることができる。例えば、液滴吐出ヘッドは、一枚の紙もしくはカード、または他の受容媒体、例えば、織物もしくは箔もしくは成形物品(例えば、缶、ボトル等)に移動することができるインクの液滴を吐出して、液滴吐出ヘッドがインクジェットプリントヘッド、またはより具体的には、ドロップオンデマンドのインクジェットプリントヘッドであってもよいインクジェット印刷用途の場合と同様に、画像を形成することができる。
【0118】
あるいは、流体の液滴を使用して構造体を構築することができ、たとえば電気的に活性な流体を受容媒体、たとえば回路基板上に堆積させて電気デバイスのプロトタイピングを可能にすることができる。別の例では、(3D印刷の場合のように)物体のプロトタイプモデルを生成するように、ポリマー含有流体または溶融ポリマーを、連続した層で堆積し得る。さらに他の用途では、液滴吐出ヘッドは、生体物質または化学物質を含有する溶液の液滴を、受容媒体、例えばマイクロアレイ上に堆積させるように構成される。
【0119】
このような別の流体に好適な液滴吐出ヘッドは、問題の特定の流体を処理するためにいくつかの改造がなされ、概ね構造がプリントヘッドと類似している可能性がある。使用可能な液滴吐出ヘッドはドロップオンデマンド液滴吐出ヘッドを備える。かかるヘッドにおいて、吐出された液滴のパターンは、ヘッドに提供される入力データによって異なる。
【0120】
図面の詳細な説明
ここで、本発明は、図面を参照して説明され、図面は本発明を説明することを意図しており、決して限定するものではなく、また分かりやすいように図面は単に代表的なものであり、縮尺通りではない。以下の説明全体を通して、参照番号のようなものが好適な場合に使用される。
【0121】
図1(a)は、本開示の実施形態による電気部品100を通る断面の概略図であり、断面位置CCは
図3(c)(ii)および
図4にも示されている。
図1は、電気部品100内で隣接する二つの電気素子120(i)および120(ii)の一部を示し、構成要素100は、複数の電気素子120(これは基材層110上に、または基材層110を覆って、一列にまたは列の配列で配置されることができる)を備える。
【0122】
図1(a)に示す実施形態では、微小電気機械システムデバイス用の電気部品100は、複数の電気素子120を備え、各電気素子はセラミック部材123、第一の電極121、および第二の電極122を備え、各電気素子120のこれらの構成要素は層のスタックに配置される。層のスタックはそれぞれ厚さ方向505に延在する側面を有し、セラミック部材123は、第一の面127および厚さ方向505に離間して対向する第二の面128を有する。基材層110とセラミック部材123の間に介在するように、セラミック部材の第一の面127は基材層110およびに基材層110の第一の面111に対向し、第一の電極121はセラミック部材123の第一の面127に隣接して配置される。第二の電極122はセラミック部材123の第二の面128に隣接して配置され、パッシベーション層150、または複数のパッシベーション層150の積層体は、少なくとも部分的に第二の電極122を覆い、ならびにセラミック部材123の側面に、ならびに各電気素子120の第一の電極121および第二の電極122のそれぞれの側面に隣接して配置される。
【0123】
図1(a)に見られるように、電気素子120は、基材層110の第一の面111上に配置され、各電気素子120は、中間領域125によって、隣接する電気素子120から幅方向500に分離されている。当業者であれば、電気部品100は、複数の中間領域125(i~n-1)によって全て分離された複数の電気素子120(i~n)を備えてもよいことを理解するであろう。
【0124】
動作中に第一の電極121と第二の電極122との間にセラミック部材123を介して電位差が確立されることできるように、電極121、122はセラミック部材123に隣接して配置される。パッシベーション層150があり、それは
図1(a)に示す例では、複数のパッシベーション層151、152、および153の積層体であるが、別の実施形態では、単一層であってもよいことが理解されることができる。複数の電気素子120のそれぞれの第一の電極121と第二の電極122との間に電気的パッシベーションを設けるために、パッシベーション層150は、複数の電気素子120のそれぞれを少なくとも部分的に覆う。パッシベーション層150の積層体の最も内側のパッシベーション層153は、下部の電気素子120に隣接して配置され、幅方向500に不連続領域190を有し、電気部品100の隣接する電気素子120(i)と120(ii)との間で中間領域125を覆う。別の実施形態では、パッシベーション層150の積層体のすべての層151~153は、隣接する電気素子120の間の少なくとも一つの中間領域125の上に、一致する不連続領域190をそれぞれ有すことができることが理解されよう。
図1(a)はまた、電気部品が基材層110の第一の面111に隣接して配置される中間層140の積層体を備える、本開示の別の態様を例示する。中間層140の積層体は、基材層110と電気素子120との間に配置される。中間層140の積層体は、連続層141および不連続中間層142を備える。中間層142は、電気素子120と基材層110との間に少なくとも部分的に介在し、中間層142は、厚さ方向505に基材層110の第一の面111の上方に位置し、中間層142は、電気素子100の隣接する電気素子120(i)と120(ii)との間の少なくとも一つの中間領域125の上に不連続領域191を有する。
【0125】
環境または電気部品100の特定の設計もしくは材料の用途に応じて、(最も内側のパッシベーション層153および中間層142にそれぞれ関連付けられる)不連続領域190および191のうちの一方のみまたは他方のみが、特定の実施形態では存在することができることが理解されよう。別の実施形態では、パッシベーション層150および中間層142のそれぞれの設計および組成に応じて、不連続領域190および191の両方が存在してもよい。不連続領域の生成は、電気部品100の様々な層で使用される材料、ケミカルアタックに対するそれらの脆弱性、およびケミカルアタックが発生する可能性(例えば、望ましくない化学物質がより脆弱な層に到達することを可能にする経路があるかどうかにかかわらず、そのような経路は、例えば、上部の層における不可避の微小欠陥、クラックおよびピンホールである可能性がある)に依存することが理解されよう。あるいは、このような経路は、電気部品100を作製するためにマスキングおよびエッチングプロセス中に様々な層を露出させなければならないためである可能性がある。
【0126】
図1(a)に示されるように、不連続領域191は、幅方向500に不連続領域190よりも幅が広くてもよいが、これは決して必須ではなく、いくつかの実施形態では、設計および製造プロセスに応じて、不連続領域190と191は、幅方向500に類似または等しい広がりであってもよく、同時に製造されてもよく、または製造されなくてもよいことが理解されよう。
図1(a)に示す本実施形態では、中間層142の不連続領域191は、幅方向500において中間領域125と同じ幅であり、これは二つが同時に形成されるためであり、そして中間層142は中間領域125の全てにわたって不連続であるが、これは決して必須の特徴ではなく、他の実施形態では、中間層142は中間領域125の全てではないが、大部分にわたって不連続であってもよく、製造プロセスの異なる段階で形成されてもよい。
【0127】
いくつかの実施形態では、パッシベーション層150、またはパッシベーション層150の積層体の少なくとも最も内側の第一のパッシベーション層153は、隣接する電気素子120の間の中間領域125の大部分にわたって不連続であり、不連続領域190は幅方向500に中間領域125の大部分を覆う。
【0128】
いくつかの実施形態では、電気部品100は、パッシベーション層150、またはパッシベーション層150の積層体の少なくとも最も内側の第一のパッシベーション層153を有し、これは、隣接する電気素子120の間の中間領域125の一部分の領域のみを覆う不連続領域(例えば、一つまたは複数の穴/開口部の形態で)を備えることが理解されよう。
【0129】
パッシベーション層150がパッシベーション層150の積層体を備える一部の実施形態では、パッシベーション層150の積層体の全ての層は、隣接する電気素子120の間の中間領域125の大部分にわたって不連続であってもよく、隣接する電気素子120の間の中間領域の大部分は、覆っているパッシベーション層がない領域を有することがさらに理解されよう。電気部品100が、複数のパッシベーション層150の積層体を備える別の実施形態では、パッシベーション層150の積層体の最も内側の第一のパッシベーション層153のみが、隣接する電気素子120の間の中間領域125の一部または全てにわたって不連続であってもよく、積層体のうちの一つまたは複数の他の層は、積層体のうちの最も内側の層、第一のパッシベーション層153が覆わない電気素子120の間の中間領域125を覆う。別の実施形態では、複数のパッシベーション層150の積層体は、幅方向500に異なる程度に不連続である層を備えることができる。いくつかの実施形態では、(
図1(b)を参照のこと)、厚さ方向505に電気素子120に最も近い最も内側のパッシベーション層153は、幅方向500に中間領域125に最も近い長さの、最も長い不連続領域190(i)を有してもよい。
【0130】
いくつかの実施形態では、電気部品100は、セラミック部材123ならびに各電気素子120の第一のおよび第二の電極121、122に隣接して配置される複数のパッシベーション層の積層体であるパッシベーション層150を備え、セラミック部材123ならびに第一および第二の電極121、122に隣接して配置される積層体の最も内側のパッシベーション層153の組成は、積層体の少なくとも一つの他の層、好ましくは全ての他の層(151、152)の組成とは異なる。同様に、中間層142は、それが複数のパッシベーション層の積層体である場合、パッシベーション層150の最も内側のパッシベーション層153と同じ材料から構成されてもよい。例えば、セラミック部材123ならびに第一および第二の電極121、122に隣接して配置される最も内側のパッシベーション層153は、アルミナを含んでもよい。さらにまたは代わりに、中間層142はアルミナを含んでもよい。さらに、最も内側のパッシベーション層153以外の積層体の層の少なくとも一つの層は、シリカ、ジルコニア、ハフニア、および/またはシリコンを含んでもよい。
【0131】
いくつかの実施形態では、パッシベーション層150は、(すなわち、中間領域125を覆うものに加えて)別の不連続部を備えてもよい。例えば、パッシベーション層150の別の不連続領域またはパッシベーション層150の積層体は、下部の電気素子120に通じる開口部165を形成することができる。パッシベーション層150のこうような開口部165は、動作中の電気素子の変位に対するパッシベーション層の抑制効果を実質的に低減または回避するのに有利である。
【0132】
ここで
図1(b)を考察すると、別の実施形態では、パッシベーション層150は、凹部166を画成するために、パッシベーション層150の積層体の最も外側の第三のまたは最後のパッシベーション層151の少なくとも除去を含んでもよく、各個々の凹部166は、複数の電気素子の個々の電気素子120を少なくとも部分的に覆っていることが理解されよう。言い換えれば、パッシベーション層150、またはパッシベーション層150の積層体は、厚さ方向505に、下部の電気素子120のそれぞれとは反対側の面に凹部が設けられ、凹部166は複数の電気素子120のそれぞれを覆う各領域に設けられ、パッシベーション層150、またはパッシベーション層150の積層体は、パッシベーション層150、またはパッシベーション層150の積層体の他の非凹部領域と比較して、凹部166全体にわたって厚さ方向505により薄い。パッシベーション層150のこのような凹部166は、動作中の電気素子の変位に対するパッシベーション層の任意の抑制効果を実質的に低減または回避するのに有利である。このような凹部166の形成は、パッシベーション層150の積層体の他の層のうちの一つがエッチング停止として機能するように、好適なエッチングおよびエッチング停止の使用を必要としてもよい(図示した例では、パッシベーション層152は、エッチング停止として機能するのに好適な材料であってもよい)ことが理解されよう。別の実施形態では、好適なエッチング停止層は、あらゆるこのような凹部166の厚さ方向の範囲を制御するために、スタック内の他の点に(例えば、厚さ方向505に)挿入されることができる。
【0133】
図1(a)および1(b)はさらに、電気部品100は、電気部品の端部に配置される少なくとも一つの、好ましくは全ての電気素子の、第一の電極121および第二の電極122を駆動回路に接続する(接続は見えない)電気配線160を備えることを示す。示すように、複数のパッシベーション層150の積層物が設けられる場合、電気配線は、複数のパッシベーション層150の積層物の層間に少なくとも部分的に介在してもよい。
図1(a)および
図1(b)に示すように、電気配線160は、積層体の二つの隣接するパッシベーション層、第一のパッシベーション層151と第二のパッシベーション層152との間に少なくとも部分的に介在する。別の実施形態では、電気配線は、複数のパッシベーション層の積層体内の他のパッシベーション層の間に介在してもよいが、好ましくは、二つの隣接するパッシベーション層は、最も内側のパッシベーション層、第三のパッシベーション層153を含まない。さらに、好ましい実施形態では、積層体の最も内側にある第三のパッシベーション層153はアルミナを含んでもよく、電気配線160が間に介在するその他の層151および152は、アルミナを含まない場合がある。二つの層151および152はそれぞれ、代わりに、シリカジルコニア、ハフニア、および/または窒化ケイ素を含んでもよい。
【0134】
ここで
図1(c)を参照すると、これは、本開示の別の実施形態による、電気部品の一部を通る断面の概略図を示し、積層体パッシベーション層150の最も内側の層に不連続領域190、および電気素子上に凹部166の別の配置がある。当業者によって理解されるように、好適な形状のマスクおよびエッチング工程の使用を用いて、この特定の断面で電気素子120上の最も外側のパッシベーション層151および中間のパッシベーション層152の全てを、電気配線160上にはこれらの層を残しながら、除去することができる。電気配線160が第二の電極122へ電気接続するために電気素子120上に延在する他の断面では、マスクの形状は、最も外側のパッシベーション層151および中間のパッシベーション層152を電気配線160上および電気素子120の好適な部分上に残すように、この領域で変更されてもよいことが理解されよう。
図1(c)に示す実施形態では、最も内側のパッシベーション層153は、第一の電極121と第二の電極122との間にパッシベーションを設けるように、電気素子120の上に残されている。最も内側のパッシベーション層153は、中間領域125内に不連続領域190を有する。
【0135】
ここで
図2を考察すると、これは、最も内側のパッシベーション層153’が隣接する電気素子120の間の中間領域125を連続的に覆っている比較試験設計200を示し、
図1(a)に示される実施形態とは異なり、パッシベーション層に開口部165の形態での別の不連続部もなく、
図1(b)および(c)に示される実施形態とは異なり、電気素子120を覆う凹部166もない。腐食は、連続的な最も内側のパッシベーション層153’を介して電気素子120からその隣接する電気素子120に、より容易に広がることができるので、
図1に示す実施形態と比較して、この比較試験設計200は、連続的な最も内側のパッシベーション層153’の一部で腐食性破壊が発生した場合、カスケード障害の影響をより受けやすくなることが理解されよう。
図1に(および
図3(c)(ii)にも)示すように、最も内側のパッシベーション層153は、分離された領域(すなわち、接続されていない島状構造)に分割され、それぞれが単一の下部の電気素子120に関連付けられる。これは、電気素子120のアレイ内の一つの電気素子120が、最終的に故障につながる損傷を受ける場合、このような故障は、最も内側のパッシベーション層153を介してその隣接する電気素子120にまで及ぶ可能性が低いことを意味する。
【0136】
不連続領域190、191を設けることにより、故障した電気素子を分離して、特に広く行き渡るカスケード障害の回避することが可能となり、パッシベーション層150(もしくは複数のパッシベーション層150の積層体の最も内側の層)の組成物、または下部の中間層142の組成物は、水分/化学的攻撃により影響を受けやすいが、このような材料は影響を受けやすくなければ電気部品100の構成に使用するのに有用である。例えば、アルミナは、パッシベーション層150、または複数のパッシベーション層150の積層体の最も内側の層に有用な材料である。アルミナは、同様に、下部の中間層142の組成物に有用である。個々の電気素子120が故障した場合、(例えば、隣接する機能している電気素子120に波形を調整することによって)故障を補償して、デバイス寿命を延ばすことができる。
【0137】
図2の比較試験設計200を考察すると、電気素子120の上に、
図1に示す実施形態よりも厚さ方向505にはるかに厚い材料の層を有する。これにより、スタック全体(電気素子120に加えて、パッシベーション層150およびその上の厚さ方向505の連続絶縁層170)が、
図1に示す対応するスタックよりも硬くなる可能性があり、印加された電界下での比較試験設計200の構成要素の変形に悪影響を与える可能性がある、一方、
図1(a)および1(b)の電気素子120は、剛性の低いスタックの一部であるため、所定の印加電界に対して変形しやすくなる。
【0138】
ここで
図3(a)を参照すると、これは、いくつかのスタック130(i~vi)を示す電気部品100の一部を見下ろしている視野を示す(ここで、各スタック130は、最上部の不連続中間層142のトップ上に電気素子120を備える)。スタック130は、下にある連続中間層141のトップ上に配置されている(
図3(a)に示す図では、第二の電極122のトップ面が見えるように)。分かるように、スタック130は、幅方向500に延在し、長さ方向510に千鳥状に一列に配置されるが、これは決して必須の形体ではなく、他の設計では、千鳥配列の有無にかかわらず、または異なる千鳥配列で、スタック130の列または配列の種々の配置があってもよい。
【0139】
図3(b)は、第一のパッシベーション層153の堆積後、およびその任意のパターン形成前の
図3(a)と同じ視野を示す。次に、
図3(c)(i)は、過剰な材料を除去して、連続的な第一のパッシベーション層153’を設けるために、第一のパッシベーション層153はマスクを使用してパターン形成されて一端に蛇行形状を与えるパターン形成段階後の比較試験設計200を示している。
図3(c)(ii)は、
図3(c)(i)に異なるマスクを使用して本開示の電気部品100を作製するための同じパターン形成段階の結果を示す。ここで、第一のパッシベーション層153は、分離する部分、島状構造、またはセグメント153(i-vi)を造形するようにパターン形成され、第一のパッシベーション層153のセグメント153(i-vi)の間に配置される不連続領域190(i-iii)を備えるスタック130(i-vi)を覆っている。
図3(c)は、
図1および2に示す断面の位置を示す二つの断面AAおよびCCの位置を示すことにさらに留意されたい。
【0140】
再び
図1(a)を考察すると、パッシベーション層150は、分離された領域または島状構造に分割され、複数の電気素子の各電気素子120は、少なくとも部分的にそれを覆う分割されたパッシベーション層150の分離された領域を有する。
【0141】
ここで
図4を参照すると、これは、微小電気機械システムデバイス400を通る別の断面の概略図であり、大まかなレイアウトを示す。
図4は、上に電気部品104が厚さ方向505に配置されている基材層110を示している。電気部品104は、例えば、
図1(a)~(c)に示すように、複数の層を備える電気部品100であってもよい。
図4から分かるように、微小電気機械システムデバイス400では、電気部品104は断面が細長く、長さ方向510におけるその長さが厚さ方向505におけるその厚さよりもはるかに大きい。ページの外への方向は幅方向500である。
図1および2に図示した断面の位置は、
図4の断面AA/CCと示されている。電気部品104の例示の製造プロセスは、
図6でより詳細に説明されることができる。電気部品104の製造後、キャッピング層103は、多数の異なる場所で電気部品104に取り付けられてもよい(キャッピング層103の取り付けは、好ましくは
図4に示されていない連続絶縁層170への取り付けである)。
図4は、電気部品104を覆い、かつそれに取り付けられたキャッピング層103を示す。キャッピング層103は、電気素子120の群もしくはその全てに対して単一の空洞106を画成することができ、またはキャッピング層103は、電気部品104の電気素子120のそれぞれを個別に封止するように配置されて複数の空洞106を形成し、パッシベーション層150もしくはパッシベーション層150の積層体を覆う。このような空洞は、液密で封止されてもよい。好ましくは、電気部品104は、電気部品104とキャッピング層103を介在するように電気部品104上に配置される絶縁層170、または絶縁層170の積層体で絶縁され、好ましくは、絶縁層170、または絶縁層170の積層体が連続しており、基材層110の実質的に全てを、その上に配置される複数の電気素子120のそれぞれに加えて覆うように配置されている。キャッピング層103の追加に続いて、基材層110は、例えば、境界部109の間の基材層110の全ての材料を除去するために、第二の面112からエッチングされてもよい。この除去により、電界が作動素子120に印加される場合、中間層140を、変形可能な膜層の形態の場合に変形させることが可能である。
【0142】
ここで
図5を考察すると、これは、液滴吐出装置用の微小電気機械システムデバイス300の大まかなレイアウトを示す断面の概略図であり、デバイス300は、複数の電気素子120を備えるアクチュエータ素子102を備えてもよい。アクチュエータ素子102は、
図1に示す電気部品100と類似していてもよい。この特定の実施形態では、液滴吐出方向605は、厚さ方向505に対して反平行である。流体チャンバー199は、電気素子120に隣接して配置され、その結果、動作中、電界が電気素子120の両端に印加されると、電場は、ノズル197を通して液滴吐出方向605に流体を吐出するように偏向する。流体、例えばインクは、キャッピング層103を通る切断またはエッチングされた流体ポート198を通って流体チャンバー199に供給されてもよい。キャッピング層103は、電気素子120の群もしくはその全てに対して単一の空洞106を画成することができ、または各電気素子120に対してそれぞれの空洞106を画成することができる。このような空洞は、流体チャンバー199および流体ポート198内に流体が入るのを防ぐために、液密で封止されてもよい。キャッピング層103は、ケイ素(Si)から形成されてもよく、例えば、シリコンウェーハから製造されてもよく、一方、空洞を備えるキャッピング層に設けられる形体は、任意の好適な製造プロセス、例えば、エッチングプロセス、例えばDRIEまたは化学エッチングを使用して形成されることができる。場合によっては、キャッピング層の形体の少なくともサブセットは、アディティブ法、例えばCVD技術(例えば、PECVD)、またはALDで形成されることができる。さらに他の場合では、特徴部は、エッチング及び/又は追加プロセスの組み合わせを使用して形成されてもよい。キャッピングウェーハは、絶縁層または絶縁層の積層体を介して電気部品に結合されてもよい。
【0143】
流体ポート198は、例えば、多数の流体チャンバー199に供給するスロットであってもよく、またはそれらは、それぞれが個々の流体チャンバー199もしくは流体チャンバー199の小さなサブグループに供給する複数の小さな穴もしくはスロットを備えてもよいことが理解されよう。いくつかの実施形態では、流体チャンバー199に流体を供給するために、入口流体ポート198のみが必要とされてもよい。別の実施形態では、デバイス300は、流体が、流体チャンバー199の一端に近接して配置される流体ポート198を通って流体チャンバー199に供給される、いわゆるスルーフローモードで動作することができ、流体は、流体チャンバー199の他端に近接して配置される別の流体ポート198を通って流体チャンバー199から除去される。したがって、動作中、電気素子120が好適な波形を供給することによって好適に作動される場合、流体は各個々の流体チャンバー199を通過し、流体の一部は液滴としてノズル197を通って吐出される。複数の電気素子120は、同様に、必要に応じて、複数の流体チャンバー199、ノズル197、および流体ポート198に関連付けられることと、流体チャンバー199ごとに一つまたは複数の電気素子120が必要とされる場合があることと、その個々の流体チャンバー199は、必要に応じて、一つまたは複数のノズル197および流体ポート198を有してもよいことと、が理解されよう。一つまたは複数の電気部品を液滴吐出ヘッドに使用してもよく、これを単独で、または複数の別の液滴吐出ヘッドと一緒に使用して、液滴吐出装置の一部を形成することができる。
【0144】
ここで
図6を参照すると、これは、本開示の一実施形態による、電気部品100の二つの電気素子120(i)(ii)の概略図であり、
図1に詳細に示すように、電気素子120の製造プロセス中の様々な段階を示している。製造プロセスは、厚さ方向505に離間する第一の面111および第二の面112を備える基材層110で始まる。基材の材料は特に限定されない。この場合、基材はシリコンウェーハである。
【0145】
図6(a)は、中間層140が基材層110の第一の面111上に形成される、最初の堆積段階を示す。中間層は、
図6(b)に示すように、厚さ方向505に互いのトップ上に堆積される下部および上部中間層141および142から形成される。基材層110に隣接して配置される下部中間層141は、例えば、シリコンウェーハの熱酸化によって形成されるSiO
2である。上部中間層142は、例えば、チタンもしくは酸化チタンまたはアルミナでできている接着層である。
【0146】
ここで
図6(c)を考察すると、これは、例えば、白金(Pt)で形成され、上部中間層142に隣接して配置される第一の電極121の堆積後のスタックを示している。
【0147】
図6(d)は、セラミック部材123が第一の電極121のトップ上に加えられた後のスタックを示す。薄膜セラミック部材は、例えば、以下の例示の方法に従って、ゾル-ゲル堆積により堆積されたニオブ(Nb)ドープPZT(PNZT)である。i)15重量%PNZT溶液(P/N/Z/T-115/2/52/48)を、500rpmで動的分注を行い、3500rpmで45秒間、第一の電極上にスピンコーティングした。ii)スピンコーティング後、単層を、100℃で1分間乾燥し、300℃で4分間熱分解させた。iii)熱分解された層を、2SLPMのO
2流下、10℃/秒の加熱速度で、700℃で1分間、急速熱アニール(RTA)で、結晶化させた。そして、工程i)~iii)を、薄膜が好適な厚さ、例えば2μmに達するまで繰り返した。
【0148】
次に、
図6(e)に示すように、第二の電極122は、セラミック部材123のトップ上に層状に積層される。第二の電極は、例えば、第一の電極と同じ手順に従って堆積される別の白金(Pt)電極であってもよい。あるいは、第二の電極は、第一の電極とは組成的に異なり、例えば、イリジウム層と酸化イリジウム層(IrとIrO
2層)の組み合わせであってもよい。第一の電極121、セラミック部材123および第二の電極122が一緒になって、電気素子120を形成する。
【0149】
図6(f)および
図6(g)から分かるように、次の工程は、第二の電極122およびセラミック部材123のパターン形成、ならびにそして、上部中間層142と共に第一の電極121のパターン形成である。パターン形成は、4サイクルの間、合計2分間、塩素(Cl
2)およびアルゴン(Ar)を使用するドライエッチングにより実施される。第二の電極122が最初にパターン形成され、続いて下にあるPNZT123および第一の電極121および上部中間層142がパターン形成される。この工程の終わりに、電気部品100の上面図は、
図3(a)に見られるものに対応する。
図6(g)から分かるように、この工程の終わりに、第一の電極121の端部から測定される、隣接する電気素子120間の中間領域125は、パターン形成によって造形されている。さらに、ここで電気素子に隣接して配置される上部中間層142は不連続であり、不連続領域191も造形され、この実施形態では、幅方向500に中間領域125と同じ範囲を有する。別の実施形態では、異なるパターン形成工程を使用して、不連続領域191は、プロセスの別の段階で造形されてもよく、そして、幅方向500に中間領域125よりも狭い範囲を有してもよいことが理解されよう。
【0150】
次に、
図6(h)に示すように、第一のパッシベーション層153は、スタックの露出した表面の全ての上に厚さ方向505に、および不連続領域191を備える中間領域125上に堆積される。この例のパッシベーション層153は、原子層堆積(ALD)によって約80nmの厚さに堆積されたアルミナ層である。あるいは、アルミナは、当技術分野で公知のように、ゾルゲル法または他の技術によって堆積されることができる。アルミナは、エッチングされた鉛系のセラミックス、例えばPZTおよびドープPZTに非常によく接着するため、パッシベーションの第一の層に特に好ましい材料である。この工程の最後に、電気部品の上面図は
図3(b)に示されるものになることに留意されたい。次に、
図6(i)に示すように、第一のパッシベーション層153は、例えばリソグラフィを使用してパターン形成され、それによって不連続領域190が形成され、第一の最も内側のパッシベーション層153は不連続である(そして、上面図は
図3(c)(ii)に見られるものになる)。この工程、および中間層142を不連続にする不連続領域191の形成は、他の実施形態および製造プロセスにおいて同時に実行されることができ、その場合、不連続領域190と不連続領域191は、幅方向500に同じ範囲を有するであろうことが理解されよう。次に、
図6(j)に示すように、第二のパッシベーション層152が堆積される。層152は、例えば、シリカから作られており、プラズマ増強化学気相堆積(PE-CVD)によって約200nmの厚さに堆積される。
【0151】
図6(k)では、金属堆積は、ビア161および162(図示せず、およびそれらの形成工程は示されていない)が充填されるように実行され、電気配線160は、第一の電極121および第二の電極122の両方へ電気的接続するように敷設される。電気配線160は、例えば、アルミニウム(Al)、金(Au)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)等、またはそれらの組み合わせをスパッタすることによって形成されてもよい。
【0152】
ここで
図6(l)を参照すると、第三のパッシベーション層151は、厚さ方向505にスタックの露出した表面全体の上に堆積される。パッシベーション層151は、例えば、PE-CVDによって約500nmの厚さに堆積されるシリカで作られている。パッシベーション層151はまた、金属配線160を有する領域上に堆積され、電気素子120間の中間領域125に完全に及ぶ。
【0153】
次に、パッシベーション層151~153が、電気素子120上でエッチングされる。
図6(m)に見られるように、これは、第二の電極122に通じる開口部165を形成するために、電気素子120上のパッシベーション層151~153を完全に除去することができる。
【0154】
別の実施形態では、
図1(b)に示すように電気素子120上に凹部166を形成し、または
図1(c)に示すように配線が電気素子120上に延在しない領域において電気素子120をより多くを露出させるために、パッシベーション層150の積層体の最も外側の層のうちの一つまたは複数を除去することができる(または厚さ方向505に最も外側の層151を除去することができる)ことが理解されよう。したがって、パッシベーション層150の積層体は、パッシベーション層150の積層体の他の非凹部領域と比較して、凹部166にわたって厚さ方向505でより薄い。換言すると、パッシベーション層150、またはパッシベーション層150の積層体は、下部の電気素子120のそれぞれとは厚さ方向505で反対側の面に凹部が形成されてもよく、凹部166は、複数の電気素子120のそれぞれを覆う各領域に設けられる。好ましくは、パッシベーション層150は、最初に連続するパッシベーション層の積層体によって形成され、続いて一つまたは複数の最も外側のパッシベーション層がエッチングされて凹部166を形成する。一つまたは複数の最も内側のパッシベーション層が、凹部166の全体にわたる一つまたは複数の電気素子のそれぞれの上を覆って残されていることと、凹部の底部に露出する第一のパッシベーション層は、最も外側の一つまたは複数のパッシベーション層を除去するためのエッチング停止として機能することと、が理解されるであろう。パッシベーション層150のこうような凹部166は、動作中の電気素子の変位に及ぼすパッシベーション層の抑制効果を実質的に低減するのに有利である。
【0155】
いくつかの実施形態では、パッシベーション層の積層体内の凹部は、一つまたは複数の電気素子のそれぞれのトップ面全体、および側面の少なくとも一部、好ましくは全てを備えるように、幅方向500に延在することができる。この構成は、動作中の電気素子の変位に及ぼすパッシベーション層の任意の抑制効果を低減するまたは回避するのに特に有利である。
【0156】
例示的な実施形態が
図1(c)に示されており、本開示の別の実施形態による電気部品の一部を通る断面の概略図を示しており、ここでは、積層体パッシベーション層150の最も内側の層に不連続領域190、および電気素子上の凹部166の別の配置がある。好適な形状のマスクおよびエッチング工程は、当業者によって理解されるように、電気配線160上にこれらの層を残しながら、この特定の断面で電気素子120上の最も外側のパッシベーション層151および中間のパッシベーション層152の全てを除去するために使用されることができる。電気配線160が第二の電極122へ電気接続するために電気素子120上に延在する他の断面では、マスクの形状は、最も外側のパッシベーション層151および中間のパッシベーション層152を電気配線160上および電気素子120の好適な部分上に残すように、この領域で変更されてもよいことが理解されよう。
図1(c)に示す実施形態では、最も内側のパッシベーション層153は、第一の電極121と第二の電極122との間にパッシベーションを設けるように、電気素子120の上に残されている。最も内側のパッシベーション層153は、中間領域125内に不連続領域190を有してもよい。
【0157】
凹部または開口部を提供するために、電気素子120のトップ面の一部または全ての上にパッシベーション層150を部分的または全体的に除去することにより、電気素子120をより軽くし、および上部電極と下部電極との間の印加される電界を受ける場合、より柔軟に、かつより変形しやすいようにすることができる。これは、所定の電界に対して電気素子がより変形しやすいこと、またはより低い強度の電界を使用して必要な量の変形を与えることができることを意味する場合がある。
【0158】
最後に、
図1に示すように、連続絶縁層170は、厚さ方向505にスタックの露出面全体にわたって、および中間領域125で露出面上に堆積されてもよい。
【0159】
絶縁層170は、例えば、原子層堆積によって約20nmの総厚さまで厚さ方向505に互いのトップ上に堆積されるシリカ(SiO2)層およびタンタラ(Ta2O5)層のスタックである。
【0160】
上記のように、連続絶縁層170は、一つまたは複数の電気素子120のそれぞれに関連する下部のパッシベーション層またはパッシベーション層の積層体に存在するあらゆる凹部もしくは開口部または他の不連続部もしくは穴、および中間領域内に存在するあらゆる不連続部を覆うことができる。さらに、絶縁層170は、下部のパッシベーション層またはパッシベーション層の積層体の最も外側の層に存在する点欠陥を実質的に塞ぐかまたは修復することができ、一つまたは複数の電気素子120のそれぞれおよび電気部品100が全体としてより効果的に外部環境から保護される。別の実施形態では、絶縁層170、または絶縁層170の積層体は、シリカ(SiO2)、ハフニア(HfO2)、ジルコニア(ZrO2)、タンタラ(Ta2O5)、およびそれらの組み合わせのうちの一つまたは複数の層から選択されることができ、好ましくは、絶縁層170は、複数のシリカ層および/または複数のタンタラ層を備える絶縁層の積層体を備える。いくつかの実施形態では、絶縁層170は、複数のシリカ層を備える絶縁層170の積層体を備え、シリカ層は電気部品100に隣接するように配置され、さらに積層体は複数のタンタラ層を備え、好ましくは、シリカ層およびタンタラ層は積層体の厚さにわたって概ね交互に配置される。
【0161】
絶縁層170の堆積後、
図4および5に示すように、キャッピング層103を絶縁層170上の電気部品100に結合し、個々の電気素子104/102を封止すると、複数の空洞106が電気素子104/102を取り囲む。最後に、基材層110は、電気素子104/102に隣接する領域において、その第二の面112から厚さ方向505にエッチングされて中間層140を取り除くことができ、電界が電気素子120に印加される場合に電気素子120が変形することを可能にする。
【0162】
当業者には、基材層110上の他の場所に他の構成要素を作成するために、
図6に示す段階の間に別の製造工程が生じてもよいことと、これらの工程の一部は必要に応じて省略され、またはいくつかのサブ工程に分割されてもよいことと、が理解されよう。さらに、
図6に示す段階の一部は、必要に応じて省略され、またはいくつかのサブ工程に分割されることもできる。最後に、ベース層上の層の一部は、単一層として記載され、当技術分野で十分に理解されているMEM製造技術は、単層のいずれかまたは全ては、それ自体が複数のより薄い層から構成されていることを意味することが理解されよう。
【0163】
特定の用途に応じて、様々な流体が液滴吐出ヘッドによって吐出されることができることが理解されるであろう。例えば、特定のヘッドは、例えば、紙もしくはカードのシート、または他の受容媒体、例えばセラミックタイルもしく成形品(例えば、缶、ボトル等)の上にインクを吐出するように構成されてもよい。インクジェット印刷用途の場合のように(液滴堆積ヘッドは、インクジェットプリントヘッド、または特定の例では、ドロップオンデマンドインクジェットプリントヘッドと呼ばれる場合がある)、インク液滴は、例えば、画像を形成するように堆積されることができる。
【0164】
あるいは、流体の液滴を吐出することができる液滴吐出ヘッドを使用して構造体を構築することができ、例えば電気的に活性な流体を受容媒体、例えば回路基材上に堆積させて電気デバイスの試作を可能にすることができる。別の例では、(3D印刷の場合のように)物体のプロトタイプモデルを生成するように、ポリマー含有流体または溶融ポリマーを、連続した層で堆積し得る。さらに他の用途では、液滴吐出ヘッドは、生体物質または化学物質を含有する溶液の液滴を、受容媒体、例えばマイクロアレイ上に堆積させるように構成される。このような別の流体に好適な液滴吐出ヘッドは、問題の特定の流体を処理するためにいくつかの改造がなされ、概ね構造がインクジェットプリントヘッドと類似している可能性がある。
【0165】
さらに、本明細書に記載の液滴吐出ヘッドは、好適な受容媒体の上に液滴を吐出するように配置されることができ、したがって、「液滴堆積ヘッド」と呼ばれることができることに留意されたい。
【0166】
上記のように、特にインクの液滴を吐出するように構成される液滴堆積ヘッドを使用する場合、例えば、受信媒体は、紙もしくはカードのシート、セラミックタイル、または成形品(例えば、缶、ボトル等)であってもよい。別の実施例では、受信媒体は、例えば電気的に活性な流体の液滴を吐出するように構成される液滴堆積ヘッドを使用する場合、回路基材とすることができる。
【0167】
それにもかかわらず、本明細書に記載の液滴吐出ヘッドが液滴堆積ヘッドとして配置され、受容媒体の上に液滴を吐出することは、決して必須ではない。いくつかの用途では、吐出された液滴が着地する場所は比較的重要ではない場合がある。例えば、特定の実施例では、液滴吐出ヘッドを利用して、吐出された液滴のミストを空気中に生成することができる。より一般的には、同様なヘッド構造は、場合によっては、吐出された液滴が受容媒体の上に着地するかどうかにかかわらず、使用されてもよい。したがって、「液滴吐出ヘッド」というより一般的な用語が、(適切な場合)上記開示で使用されている。