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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-27
(45)【発行日】2024-12-05
(54)【発明の名称】発光装置及び発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20241128BHJP
H01L 33/50 20100101ALI20241128BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20241128BHJP
H01L 23/31 20060101ALI20241128BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H01L33/50
H01L23/30 F
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2020140558
(22)【出願日】2020-08-24
(65)【公開番号】P2022036385
(43)【公開日】2022-03-08
【審査請求日】2023-07-14
(73)【特許権者】
【識別番号】000002303
【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001025
【氏名又は名称】弁理士法人レクスト国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】田渕 健司
(72)【発明者】
【氏名】山下 裕介
(72)【発明者】
【氏名】呉 子優
【審査官】佐藤 美紗子
(56)【参考文献】
【文献】特開２００５－０２６２７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０８－２１３６６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２３９６４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－１８１３５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－１００７０１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０６３４５９０３（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】特開２０１４－２１６３２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－１２４５０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１９８７９８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
長方形の上面形状を有し且つ対向する側面の各々に上面から下面にまで至る第１の切欠き及び第２の切欠きをそれぞれ有する絶縁性の基板と、前記基板の上面において前記第１の切欠きの上端部を塞ぐように形成された第１の配線と、
前記第１の配線とは離間しておりかつ前記基板の上面において前記第２の切欠きの上端部を塞ぐように形成された第２の配線と、
前記基板の下面の前記第１の切欠きの周縁部から前記第１の切欠きの内面及び前記第１の配線の裏面まで連続的に形成された第１の電極と、
前記基板の下面の前記第２の切欠きの周縁部から前記第２の切欠きの内面及び前記第２の配線の裏面まで連続的に形成された第２の電極と、
前記第１の配線及び前記第２の配線によって給電可能に前記基板上に配された発光素子と、を含み、
前記第１の切欠き及び前記第２の切欠きの各々は、上方に向かって窄んだ形状を有し、
前記第１の電極の下面及び前記第２の電極の下面の各々は、前記第１の切欠き及び前記第２の切欠きの各々の内部にある端部が下方に垂れ下がっていることを特徴とする発光装置。
【請求項2】
前記第１の切欠き及び前記第２の切欠き内の前記第１の電極及び前記第２の電極の下面には金が露出しており、前記第１の電極及び前記第２の電極の前記端部の側面には金よりもはんだの濡れ性が低い金属が露出していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記発光装置は、前記発光素子を封止するように形成された封止部材を含み、前記封止部材は、前記発光素子から放射される光を吸収して前記発光素子から放射される光と異なる波長の光を放出する蛍光体粒子を含有していることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）等の発光素子を光源として用いた小型の発光装置としてチップＬＥＤといわれる表面実装型ＬＥＤが知られている。
【0003】
例えば、特許文献１には、発光ダイオード素子を搭載するエポキシ樹脂基板の側面及び下面に電極を設けかつ、当該エポキシ樹脂基板に半円状のスルーホールを設けたチップ型発光ダイオードが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開平９－１８１３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１に開示されたチップ型発光ダイオードにおいて、例えば、用いるエポキシ樹脂基板の厚い場合、発光ダイオード素子の搭載位置が高くなることによりチップ型発光ダイオードの重心位置が高くなる。このような重心位置が高いチップ型発光ダイオードは、実装基板にチップ型発光ダイオードを実装する際のリフロー時に実装基板上でチップ型発光ダイオードが立ち上がるマンハッタン現象（又はツームストーン現象）やチップ型発光ダイオードの転倒が発生し、実装不良となる可能性がある。
【0006】
本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、実装基板への実装時に実装不良を抑えるチップＬＥＤ型の発光装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係る発光装置は、長方形の上面形状を有し且つ対向する側面の各々に上面から下面にまで至る第１の切欠き及び第２の切欠きをそれぞれ有する絶縁性の基板と、前記基板の上面において前記第１の切欠きの上端部を塞ぐように形成された第１の配線と、前記第１の配線とは離間しておりかつ前記基板の上面において前記第２の切欠きの上端部を塞ぐように形成された第２の配線と、前記基板の下面の前記第１の切欠きの周縁部から前記第１の切欠きの内面及び前記第１の配線の裏面まで連続的に形成された第１の電極と、前記基板の下面の前記第２の切欠きの周縁部から前記第２の切欠きの内面及び前記第２の配線の裏面まで連続的に形成された第２の電極と、前記第１の配線及び前記第２の配線によって給電可能に前記基板上に配された発光素子と、を含み、前記第１の切欠き及び前記第２の切欠きの各々は、上方に向かって窄んだ形状を有していることを特徴としている。
【0008】
また、本発明に係る発光装置の製造方法は、絶縁性の基板及び前記基板の上面及び下面に形成された銅箔層を有する基板構造体を用意する工程と、前記基板構造体の上面において１の配列方向に沿って複数列配列された複数の矩形領域の各々の前記１の配列方向と垂直な方向において対向する二辺の一方及び他方に前記基板構造体の下面から前記基板の上面に形成された銅箔層の裏面に至る第１の切欠き及び第２の切欠きを前記基板構造体の下面からレーザを照射することでそれぞれ形成する切欠き形成工程と、前記基板の前記上面及び前記基板の前記下面から前記第１の切欠き及び前記第２の切欠きのそれぞれの内面に第１の銅層を無電解めっきによって形成する無電解めっき工程と、前記基板の前記上面及び前記基板の前記下面の前記第１の銅層の各々を覆うように第２の銅層を電解めっきによって形成する第１の電解めっき工程と、前記基板の上面において前記銅箔層、前記第１の銅層及び前記第２の銅層をそれぞれエッチングして前記複数の矩形領域の各々の上面において互いに離間した第１の配線及び第２の配線のパターンを形成し、かつ前記基板の下面において、前記銅箔層、前記第１の銅層及び前記第２の銅層をそれぞれエッチングして、前記複数の矩形領域の各々の下面において互いに離間した第１の電極及び第２の電極のパターンを形成するパターニング工程と、前記銅箔層、前記第１の銅層及び前記第２の銅層の各々を覆うようにニッケル層及び金層を電解めっきによって形成する第２の電解めっき工程と、前記基板構造体を前記第１の切欠き及び前記第２の切欠きをそれぞれ通る前記１の配列方向に沿った複数のダイシングラインにそって切断して個片化するダイシング工程と、を含むことを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の実施例に係る発光装置の斜視図である。
【図2】本発明の実施例に係る発光装置の上面図である。
【図3】本発明の実施例に係る発光装置の下面図である。
【図4】本発明の実施例に係る発光装置の側面図である。
【図5】本発明の実施例に係る発光装置の搭載基板のレイアウトを示す図である。
【図6】本発明の実施例に係る発光装置の切欠きの側面視の拡大図である。
【図7】本発明の実施例に係る発光装置の切欠きの断面の拡大図である。
【図8】本発明の実施例に係る発光装置の製造フローを示す図である。
【図9】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図10】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図11】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図12】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図13】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図14】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図15】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図16】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図17】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図18】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図19】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける断面図である。
【図20】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の１ステップにおける側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。尚、以下の説明において、「材料１／材料２」との記載は、材料１の上に材料２が積層された積層構造を示す。また、「材料１－材料２」は材料１及び２による合金を示し、「材料１－材料２－材料３」又は「材料１材料２材料３」との記載は、材料１及至３による合金を示す。
【実施例】
【0011】
【0012】
発光装置１００は、基板構造体１０と、基板構造体１０上に載置された発光素子３０と、基板構造体１０の上面上に基板構造体１０の上面及び発光素子３０を覆うように形成された封止部材４０と、を有する。
【0013】
基板構造体１０は、基板１１と、基板１１の上面に形成された第１の配線２１及び第２の配線２２と、基板１０の下面に形成された第１の電極２３及び第２の電極２４と、を含む。
【0014】
基板１１は、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂をしみ込ませ熱硬化処理を施したガラスエポキシからなる長方形の上面形状を有する板状の絶縁性基板である。また、基板１１には、図２及び図３に示すように、短辺の各々に基板１１の上面から下面にまで貫通している第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３が形成されている。言い換えれば、発光装置１００は、長方形の上面形状を有し且つ対向する側面の各々に上面から下面にまで至る第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３をそれぞれ有する絶縁性の基板１１を含む。
【0015】
第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３は、それぞれ短辺の端部から短辺と垂直方向に伸長する直線部分すなわち矩形部分と当該矩形部分の１の辺を直径としており当該矩形部分と連続して形成されている半円部分からなる砲弾型の平面形状を有している。言い換えれば、第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３は、基板１１から半円柱及び当該半円柱の直径を１の辺とする直方体を切り取った部分となっている。第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３は、上記砲弾形状の先端部が互いに対向する様に形成されている。
【0016】
また、基板１１の上面には、互いに離間した第１の配線２１及び第２の配線２２が形成されている。第１の配線２１及び第２の配線２２の各々は、基板１１の短辺の各々の端部まで伸長するように形成されている。また、第１の配線２１及び第２の配線２２は、基板１１の第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３の部分においても基板１１の上面を含む面に沿って延在している。すなわち、発光装置１００は、基板１１の上面において第１の切欠き１２の上端部を塞ぐように形成された第１の配線２１と、第１の配線２１とは離間しておりかつ基板１１の上面において第２の切欠き１３の上端部を塞ぐように形成された第２の配線２２と、を含む。
【0017】
また、基板１１の下面には、互いに離間した第１の電極２３及び第２の電極２４が形成されている。図２及び図３に示すように、第１の電極２３は、基板１１の下面から第１の切欠き１２の内面にまで延在している。また、第２の電極２４は、基板１１の下面から第２の切欠き１３の内面にまで延在している。
【0018】
第１の電極２３は基板１１の短辺の第１の配線２１が形成されている辺の端部まで伸長するように形成されておりかつ、第１の切欠き１２内の内面である側面及び第１の配線２１に塞がれている上端まで連続的に形成されている。具体的には、第１の電極２３は、第１の切欠き１２の側面及び第１の電極２１の下面を覆うように形成されている。すなわち、第１の電極２３は、基板１１の下面から第１の切欠き１２の内面及び上端面、すなわち第１の配線２１の下面に至るまで連続的に形成されることで第１の配線２１と電気的に接続されている。
【0019】
同様に、第２の電極２４は基板１１の短辺の第２の配線２２が形成されている辺の端部まで伸長するように形成されておりかつ、第２の切欠き１３の内面である側面及び第２の配線２２に塞がれている上端まで連続的に形成されている。具体的には、第２の電極２４は、第２の切欠き１３の側面及び第２の電極２２の下面を覆うように形成されている。すなわち、第２の電極２４は、基板１１の下面から第２の切欠き１３の内面及び上端面、すなわち第２の配線２２の下面に至るまで連続的に形成されることで第２の配線２２と電気的に接続されている。
【0020】
すなわち、発光装置１００は、基板１１の下面の第１の切欠き１２の周縁部から第１の切欠き１２の内面及び第１の配線２１の裏面まで連続的に形成された第１の電極２３と、基板１１の下面の第２の切欠き１３の周縁部から第２の切欠き１３の内面及び第２の配線２２の裏面まで連続的に形成された第２の電極２４と、を含む。
【0021】
上記より、基板１１の第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３は、基板１１の上面側においては第１の配線２１及び第２の配線２２によって覆われており、基板１１の下面側においては開口されている。
【0022】
また、図３に示すように、基板１１の下面の第１の電極２３及び第２の電極２４の離間している間には、カソード電極を示すソルダーレジスト膜ＲＥが形成されている。
【0023】
発光素子３０は、第１の配線２１の上面上に載置されている。なお、発光素子３０は、図示しない接着剤によって固着されている。発光素子３０は、例えば、サファイア等の成長基板上に窒化ガリウム系の半導体層が形成された青色の光を放射する半導体発光素子である。半導体層は、例えば、成長基板の側からｎ型の窒化ガリウム層（ｎ－ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）系の量子井戸型の発光層、ｐ型の窒化ガリウム層（ｐ－ＧａＮ）の順に形成されている。また、ｎ－ＧａＮ層及びｐ－ＧａＮ層にはそれぞれ電極パッドが設けられており、ｎ－ＧａＮ層に設けられた電極パッドが発光素子３０のカソード電極として機能し、ｐ－ＧａＮに設けられた電極パッドがアノード電極として機能する。これにより、発光素子３０に電極パッドを介して電流を供給することにより、発光層から青色の光が放射される。なお、発光素子３０からの光は、発光素子３０のｐ－ＧａＮ層の側の面から放射される。すなわち、発光素子３０の上面が光取り出し面として機能する。
【0024】
ボンディングワイヤＢＷは、発光素子３０の電極パッドの各々と第１の配線２１及び第２の配線２２とを電気的に接続する。ボンディングワイヤＢＷの一方は、一端が発光素子３０のカソード電極の電極パッドに接合され、他端が第１の配線２１に接合されている。また、ボンディングワイヤＢＷの他方は、一端が発光素子３０のアノード電極の電極パッドに接合され、他端が第２の配線２２に接合されている。
【0025】
すなわち、基板構造体１０の第１の配線２１及び第２の配線２２の側が素子載置面として機能し、第１の配線２１及び第２の配線２２がそれぞれ発光素子３０のカソード電極及びアノード電極と電気的に接合される。また、第１の配線２１及び第２の配線２２の各々は、第１の電極２３及び第２の電極２４と電気的に接合されている。従って、基板構造体１０の第１の電極２３及び第２の電極２４の側が実装基板への実装面として機能し、第１の電極２３及び第２の電極２４の各々が実装基板と電気的に接合される外部電極として機能する。言い換えれば、発光装置１００は、第１の配線２１及び第２の配線２２によって給電可能に基板１１上に配された発光素子３０を含む。
【0026】
封止部材４０は、発光素子３０及びボンディングワイヤＢＷを封止するように形成されている。封止部材４０は、例えば、蛍光体粒子が分散された樹脂材料である。蛍光体粒子は、例えば、発光素子３０が放射する青色の光を吸収し、黄色の光を放出するオルトシリケート系の波長変換部材である。樹脂材料は、例えば、発光素子３０が放射する青色の光及び蛍光体粒子が放出する黄色の光を透光するシリコーン樹脂等の透光部材である。すなわち、封止部材４０の上面である光取り出し面からは、青色と黄色が混色された白色の光が放射される。言い換えれば、発光装置１００は、発光素子３０を封止するように形成された封止部材４０を含み、封止部材４０は、発光素子３０から放射される光を吸収して発光素子３０から放射される光と異なる波長の光を放出する蛍光体粒子を含有している。
【0027】
また、基板構造体１０は、短辺の各々の側面において第１の配線２１並びに第１の電極２３及び第２の配線２２並びに第２の電極２４がそれぞれ露出するような構造を有している。これにより、発光装置１００を製造した後又は製造過程中において、各々の配線又は電極に測定探針を接触させることにより、発光素子３０の電気的な接続状態を確認することが可能となる。
【0028】
次に、図４を用いて発光装置１００における第１の配線２１並びに第２の配線２２及び第１の電極２３並びに第２の電極２４の例示的な構成について説明する。
【0029】
図４は、発光装置１００の側面図を示している。ここでは、第１の配線２１及び第１の電極２３が形成されている側からの側面図を用いて説明する。なお、第１の配線２１と第２の配線２２と、及び第１の電極２３と第２の電極２４とはそれぞれ同様の構成であり、第２の配線２２と第２の電極２４の積層構造については説明を省略する。
【0030】
基板１１は、厚さ２００ｕｍのガラスエポキシ樹脂である。
【0031】
第１の配線２１は、基板１１の上面上に第１の切欠き１２を塞ぐように、基板１１の上面から順に第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３、第４の金属層Ｍ４、第５の金属層Ｍ５が積層されている。
【0032】
第１の金属層Ｍ１は、例えば、銅（Ｃｕ）箔からなる金属層である。第１の金属層Ｍ１は、１８ｕｍの厚さを有するＣｕ箔を基板１１に圧着して形成されている。
【0033】
第２の金属層Ｍ２は、例えば、Ｃｕからなる金属層である。第２の金属層Ｍ２は、例えば、０．３～０．５ｕｍの層厚で第１の金属層Ｍ１の上面上に無電解Ｃｕめっきによって形成されている。
【0034】
第３の金属層Ｍ３は、例えば、Ｃｕからなる金属層である。第３の金属層Ｍ３は、１５～２５ｕｍの層厚で第２の金属層Ｍ２の上面上に電界Ｃｕめっきによって形成されている。
【0035】
第４の金属層Ｍ４は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）からなる金属層である。第４の金属層Ｍ４は、第３の金属層Ｍ３の上面及び第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２並びに第３の金属層Ｍ３の基板１１の短辺に露出している側面を除く側面を覆うように形成されている。第４の金属層Ｍ４は、３～１５ｕｍの層厚で電界Ｎｉめっきによって形成されている。
【0036】
第５の金属層Ｍ５は、例えば、金（Ａｕ）からなる金属層である。第５の金属層Ｍ５は、０．１～０．４ｕｍの層厚で第４の金属層Ｍ４の上面及び基板１１の短辺に露出している側面を除く側面を覆うように電界めっきによって形成されている。
【0037】
すなわち、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３、第４の金属層Ｍ４及び第５の金属層Ｍ５の合計の層厚は、第１の金属層Ｍ１の厚さよりも大きくなるように形成されている。
【0038】
また、第１の電極２３は、基板１１の下面において、第１の切欠き１２の周縁部に第１の切欠き１２を開口するように第６の金属層Ｍ６が形成されている。また、第６の金属層Ｍ６の下面から第１の切欠き１２の内面及び第１の切欠き１２の上端面である第１の金属層Ｍ１の下面まで第７の金属層Ｍ７、第８の金属層Ｍ８、第９の金属層Ｍ９及び第１０の金属層Ｍ１０が連続的に積層されている。
【0039】
第６の金属層Ｍ６は、例えば、Ｃｕ箔からなる金属層である。第６の金属層Ｍ６は、１８ｕｍの厚さを有するＣｕ箔を基板１１に圧着して形成されている。
【0040】
第７の金属層Ｍ７は、例えば、Ｃｕからなる金属層である。第７の金属層Ｍ７は、例えば、０．３～０．５ｕｍの層厚で無電解Ｃｕめっきによって第６の金属層Ｍ６の下面から第１の切欠き１２の内面及び上端面に至るまで連続的に形成されている。
【0041】
第８の金属層Ｍ８は、例えば、Ｃｕからなる金属層である。第８の金属層Ｍ８は、１５～２５ｕｍの層厚で第７の金属層Ｍ７の下面に電界Ｃｕめっきによって形成されている。
【0042】
第９の金属層Ｍ９は、例えば、Ｎｉからなる金属層である。第９の金属層Ｍ９は、第８の金属層Ｍ８の下面及び第６の金属層Ｍ６、第７の金属層Ｍ７並びに第８の金属層Ｍ８の基板１１の短辺に露出している側面を除く側面を覆うように形成されている。第９の金属層Ｍ９は、３～１５ｕｍの層厚で電界Ｎｉめっきによって形成されている。
【0043】
第１０の金属層Ｍ１０は、例えば、Ａｕからなる金属層である。第１０の金属層Ｍ１０は、０．１～０．４ｕｍの層厚で第９の金属層Ｍ９の下面に電界めっきによって形成されている。
【0044】
上記の通り、第６～第１０の金属層Ｍ６～Ｍ１０の各々は、第１～第５の金属層Ｍ１～Ｍ５の各々と同様の金属層である。すなわち、第７の金属層Ｍ７、第８の金属層Ｍ８、第９の金属層Ｍ９及び第１０の金属層Ｍ１０の合計の層厚は、第６の金属層Ｍ６の厚さよりも大きくなるように形成されている。また、上記の通り、第７の金属層Ｍ７は、無電解Ｃｕめっきによって形成されている。これにより、第１の切欠き１２の側面である絶縁性の基板１１の表面に第７の金属層Ｍ７を形成することができる。
【0045】
また、基板１１の下面に第１の切欠き１２を開口するように形成された第１の切欠き１２の内面及び第１の配線２１の第１の金属層Ｍ１の下面にかけて連続的に第７の金属層Ｍ７、第８の金属層Ｍ８、第９の金属層Ｍ９及び第１０の金属層Ｍ１０が積層されている。すなわち、基板１１の下面の側から第１の切欠き１２の内面を介して第１の金属層Ｍ１の下面に至るまで第１の電極２３の第７～第１０の金属層Ｍ７～Ｍ１０が連続的に形成されることにより、第１の導通配線２５と第１の電極２３とが電気的に接続されている。
【0046】
また、発光装置１００は、基板１１と第１の配線２１及び第１の電極２３（及び第２の配線２２及び第２の電極２４）を含む基板構造体１０の厚みが発光装置１００の厚みの１／２以下となるように製造される。また、加えて、発光素子３０の重心位置となる中心が、発光装置１００の厚みの１／２の高さ程度となるように製造される。これにより、発光装置１００の重心位置を下げることが可能となる。例えば、Ｃｕの比重は８．５ｇ・ｃｍ－３、Ｎｉの比重は８．９ｇ・ｃｍ－３、Ａｕの比重は１９．３ｇ・ｃｍ－３、シリケイト蛍光体（Ｓｒ０．４５Ｂａ０．５５）１．９３ＳｉＯ４：Ｅｕ０．０７の比重は５．０３ｇ・ｃｍ－３、シリコーン樹脂とエポキシ樹脂の比重は１．０ｇ・ｃｍ－３前後、グラスファイバの比重は１．５ｇ・ｃｍ－３前後である。また、第１及び第２の配線と第１及び第２の電極の体積を発光装置１００の高さの１／２より上部の封止部材４０に含まれるシリケイト蛍光体粒子の総体積より大きくしている。すなわち、発光装置１００の高さの１／２以下に比重の大きい材質を配置することで、発光装置１００の重心位置を発光装置１００の高さの１／２以下に低くできる。
【0047】
また、第３の金属層Ｍ３及び第８の金属層Ｍ８である電解Ｃｕめっき層は、上記の通り、層厚が１５～２５ｕｍであり、通常よりも厚い層厚で形成されている。これにより、それぞれの配線、電極及び導通配線の厚さも厚くなっている。これにより、発光装置１００におけるそれぞれの配線、電極及び導通配線の重量比率を大きくすることができ、発光装置１００の重心位置をさらに下げることが可能となる。特に、前記の導通配線の重量比率を、第８の金属層Ｍ８である電解Ｃｕめっき層を厚い層厚として形成することで大きくしている。このように、当該導通配線の重量比率を大きくすることで、発光装置１００の長辺方向の両端部（短辺に開口した切り欠き部１２、１３に形成された導通配線部）を重くできる。例えば、第６の金属層Ｍ６から第１０の金属層Ｍ１０まで積層した金属層厚が同一な場合において、第６の金属層Ｍ６の層厚を薄くし、第８の金属層Ｍ８を厚くすることで、導通部配線の重量比を高くすることができる。例えば、第６の金属層Ｍ６の層厚を基準に第８の金属層Ｍ８の層厚が０．７倍以上が良く、望ましくは１倍以上が良い。
【0048】
上記のように、発光装置１００の重心位置を低くすることにより、発光装置１００は、実装基板に実装する際のリフロー時において、実装基板上で発光装置１００が立ち上がるマンハッタン現象や発光装置１００の転倒を抑えることが可能となる。
【0049】
また、発光装置１００の長辺方向の両端部を重くすることにより、発光装置１００の短辺を支点とした慣性モーメントを大きくでき、実装基板に実装する際のリフロー時において、実装基板上で発光装置１００が立ち上がるマンハッタン現象を抑えることが可能となる。
【0050】
また、第３の金属層Ｍ３及び第８の金属層Ｍ８の層厚を厚くすることにより、基板構造体１０の機械的強度、特に曲げ強度を向上させることができ、製造中における基板構造体１０の反りを抑制することが可能となる。また、基板構造体１０の反りを抑制することにより、それぞれの配線、電極又は導通配線のクラックの発生も抑えることが可能となる。
【0051】
図５は、発光装置１００の製造過程中における製造基板ＳＵＢに形成された基板構造体１０に対応する素子載置領域Ｒ１のレイアウトを示す図である。なお、図５は、基板構造体１０の上面図を示している。また、図中の一点鎖線は、製造基板ＳＵＢを基板構造体１０に個片化して発光装置１００を製造する際のダイシングラインを示している。
【0052】
基板構造体１０に対応する素子載置領域Ｒ１は、図５に示すように、ガラスエポキシからなる製造基板ＳＵＢに１の配列方向（図中Ｙ方向）に沿って複数列、格子状に配列されるように形成されている。具体的には、例えば、素子載置領域Ｒ１は、Ｙ方向すなわち、基板構造体１０の短辺に沿った方向においては、隙間無く配列されている。また、素子載置領域Ｒ１は、基板構造体１０の長辺に沿った方向（図中Ｘ方向）においては、互いに所定の間隔の間隙を有しつつ配列されている。
【0053】
図５に示すように、素子載置領域Ｒ１の基板構造体１０の短辺に対応する領域には、第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３がそれぞれ形成されている。また、上記の通り、素子載置領域Ｒ１の基板構造体１０の短辺の各々に矩形部分と半円部分からなる砲弾型の形状を有する第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３が形成されている。また、第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３は、直線部が基板構造体１０の短辺の端部となるダイシングラインから一部突出するように形成されている。すなわち、素子載置領域Ｒ１の基板構造体１０の短辺に対応する辺を形成する複数のダイシングラインの各々は、砲弾型の形状を有する第１の切欠き１２又は第２の切欠き１３の矩形部分の各々を通る。
【0054】
上記の通り、砲弾型の形状を有する第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３の矩形部分をダイシングラインから突出するように形成することにより、ダイシング位置にずれが生じた場合であっても発光装置１００の短辺の側の側面に露出される第１の配線２１及び第１の電極２３又は第２の配線２２及び第２の電極２４の露出面積及び形状に差異を生じさせず発光装置１００を製造することが可能となる。仮に、第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３が下面図において半円形状であった際にダイシング位置にずれが生じた場合、発光装置の短辺の各々の側面に露出される各々の配線、電極及び導通配線の露出面積及び形状に差異を生じることがある。これにより、実装基板に実装する際のリフロー時において、発光装置の短辺の各々にかかる溶融はんだの表面張力に差異が生じ、マンハッタン現象または発光装置の転倒が発生する可能性がある。
【0055】
すなわち、発光装置１００の第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３を含む短辺の側の側面に露出される第１の配線２１及び第１の電極２３又は第２の配線２２及び第２の電極２４の露出面積及び形状に差異を生じさせず形成されることにより、マンハッタン現象または発光装置の転倒を抑制することが可能となる。
【0056】
図６は、発光装置１００の側面の第１の切欠き１２の拡大図を示す。また、図７は、図５のＡ－Ａ断面である切欠き１２の断面の拡大図を示す。なお、図６においては、図４と同様に、第１の配線２１及び第１の電極２３が形成されている側からの側面を示している。第１の配線２１と第２の配線２２と、及び第１の電極２３と第２の電極２４とはそれぞれ同様の構成である。また、図７においては、発光装置１００の個片化の後の断面であり、図中破線で示している部分は個片化の際に除去される部分を示している。
【0057】
上述の通り、基板１１の短辺の側の側面には、基板１１の上面から下面にまで至る第１の切欠き１２が形成されている。また、第１の切欠き１２の上面の側は、基板１１の上面にＣｕ箔が圧着されて形成された第１の金属層Ｍ１によって塞がれている。また、第１の切欠き１２の下面の側は、基板１１の下面にＣｕ箔が圧着されて形成された第６の金属層Ｍ６が切欠き１２を開口するように形成されている。また、第１の切欠き１２は、基板１１の下面の側の第１の金属層Ｍ６に開口された領域から後述するレーザ光を照射することによって形成されている。これにより、側面視において第１の切欠き１２の基板１１の上面の側の幅は、下面の側の幅よりも小さい台形状の側面形状に形成されている。言い換えれば、第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３の各々は、上方に向かって窄んだ形状を有している。
【0058】
第７の金属層Ｍ７は、無電解Ｃｕめっきによって形成されている。上記の通り、無電解Ｃｕめっきを用いることにより、切欠き１２の側面である絶縁性の基板１１の表面に第７の金属層Ｍ７を形成することができる。また、無電解Ｃｕめっきによる第７の金属層Ｍ７の形成時において、第７の金属層Ｍ７はめっき浴内で自己触媒的にＣｕが析出されて形成される。すなわち、図６及び図７に示すように、第１の切欠き１２の上端面である第１の金属層Ｍ１の下面及び第６の金属層Ｍ６の周囲に形成される第７の金属層Ｍ７の膜厚は、第１の切欠き１２の側面に形成される第７の金属層Ｍ７の膜厚よりも厚く形成される。また、第７の金属層Ｍ７は、めっきによって切欠き１２の側面形状に対応するような曲線で形成された側面形状を有する。また、側面視における第７の金属層Ｍ７の天面の表面は、下向きに凹の表面形状を有するように形成されている。
【0059】
また、第８の金属層Ｍ８、第９の金属層Ｍ９及び第１０の金属層Ｍ１０は、それぞれ電解めっきによって形成されている。また、電界めっきによる各々の金属層の形成時において、めっき浴内で製造基板ＳＵＢに電圧を印可した際に第１の切欠き１２の上端面、特に当該第１の切欠き１２の上端面と第１の切欠き１２の側面との端部の電界強度が高くなる。これにより、図６及び図７に示すように、第１の切欠き１２内の天面及び天面の端部に形成される第８～第１０の金属層Ｍ８～Ｍ１０は、製造基板ＳＵＢの下面に形成される第８～第１０の金属層Ｍ８～Ｍ１０よりも厚く形成される。また、図示していないが、同様の理由により、第１の切欠き１２内の天面及び天面の端部に形成される第８～第１０の金属層Ｍ８～Ｍ１０は、第１の配線２１の第３～第５の金属層Ｍ３～Ｍ５よりも厚く形成される。すなわち、発光装置１００におけるそれぞれの配線、電極及び導通配線の重量比率を大きくすることができ、発光装置１００の重心位置をさらに下げると同時に第１の切り欠き部１２と第２の切り欠き部１３の重量比を重くすることが可能となる。言い換えれば、発光装置１００の重心位置を下げ、また発光装置１００の長辺方向の重量比を重心位置から離間して、マンハッタン現象に抗する慣性モーメントを大きくできる。
【0060】
また、図７に示すように、第１の切欠き１２の断面における各々の金属層は、側面視における各々の金属層の厚さ及び形状と同様に形成されている。また、上述のように、第１の切欠き１２の内面のダイシングラインから突出している部分並びに当該突出部分の各々の金属層の側面が発光装置１００の個片化の際にダイシングによって除去される。すなわち、発光装置１００の短辺の側面において、各々の配線及び電極の各々の金属層の断面が露出する構造となっている。
【0061】
また、側面形状と同様に、第１の切欠き１２内の天面に形成された各々の金属層の断面形状は、下向きに凹の形状で形成されている。すなわち、第１の切欠き１２に形成された第１の電極２３の天面は、発光装置１００の短辺であるダイシング切断面の側の端部において、下方に垂れさがるように形成されている。言い換えれば、第１の電極２３及び第２の電極２４の下面は側面に垂直な方向における端部でありかつ外側に向いた端部において下方に垂れ下がっている。
【0062】
このような第１の切欠き１２に形成された第１の電極の天面の端部の形状により、実装基板に発光装置１００を実装する際に、はんだ等の接合部材が第１の電極２３の天面の端部を乗り越えて発光装置１００の短辺の側面への這い上がりを起こしにくくことが可能となる。
【0063】
また、第６～第１０の金属層Ｍ６～Ｍ１０のうち、実装基板との実装時に用いられるはんだ等の接合部材との濡れ広がり性が良好な金属層は、Ａｕである第１０の金属層Ｍ１０のみである。第６～第９の金属層Ｍ６～Ｍ９であるＣｕ及びＮｉは、露出されている金属層の表面の各々が酸化膜に覆われており、当該酸化膜ははんだとの濡れ広がり性がＡｕよりも乏しい。よって、第１の切欠き１２に形成された第１の電極の天面の端部が下方に垂れさがるような形状を有することにより、はんだの濡れ広がり性の良好な第１０の金属層Ｍ１０であるＡｕ層のダイシング切断面に露出される高さを低くすることができる。言い換えれば、第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３内の第１の電極２３及び前記第２の電極２４の下面には金が露出しており、第１の電極２３及び第２の電極２４の端部の側面には金よりもはんだの濡れ性が低い金属が露出している。
【0064】
すなわち、第１の電極２３の天面の端部が上記のような形状で形成されることにより、実装基板への実装時にはんだ等の接合部材の発光装置１００の短辺の側面への這い上がりを抑えることが可能となる。加えて、実装基板への実装時に発光装置１００の短辺の側にかかる表面張力を低い位置にすることが可能となる。これにより、発光装置１００は、実装基板に実装する際のリフロー時において、マンハッタン現象を抑えることが可能となる。
【0065】
また、上記のように、第１の切欠き１２は、側面が上方に向かって窄んだ形状を有する。これにより、実装基板に発光装置１００を実装する時、はんだ等の接合部材が第１の切欠き１２の内部に這い上がりを起こす際に、這い上がり上端の高さが上がるにつれて当該這い上がり上端におけるはんだと第１の切欠き１２の接触長さが短くなる。従って、はんだの第１の切欠き１２内部への這い上がりが発生した際に、這い上がり上端部に発生する表面張力を低減することが可能となる。従って、発光装置１００は、実装基板に実装する際のリフロー時において、マンハッタン現象をさらに抑えることが可能となる。
【0066】
【0067】
図８は、本発明の実施例に係る発光装置１００の製造フローを示す図である。また、図９～２０は、図８に示す製造手順の各ステップにおける発光装置１００の断面図を示す。図９～１９においては、図５に示した１の配列方向（図中Ｙ方向）の第１の配線２１及び第１の電極２３を通るダイシングラインの断面を用いて説明する。
また、図２０においては、発光装置１００が個片化された後の発光装置１００の第１の配線２１及び第１の電極２３が形成されている側の側面視を示す。なお、第１の配線２１と第２の配線２２と、及び第１の電極２３と第２の電極２４とはそれぞれ同様の構成である。また、ここでは、各ステップにおいて、第１の配線２１及び第２の配線２３が形成される過程について説明するが、第２の配線２２及び第２の電極２４においても同様の処理がなされる。なお、本実施例の発光装置１００の製造工程においては、複数の発光装置１００が相互に繋がった状態で製造し、最後に個片化して発光装置１００とするが、図９～２０においては、隣り合う２つの発光装置１００を図示して説明する。
また、図２０においては、発光装置１００が個片化された後の発光装置１００の第１の配線２１及び第１の電極２３が形成されている側の側面視を示す。なお、第１の配線２１と第２の配線２２と、及び第１の電極２３と第２の電極２４とはそれぞれ同様の構成である。また、ここでは、各ステップにおいて、第１の配線２１及び第２の配線２３が形成される過程について説明するが、第２の配線２２及び第２の電極２４においても同様の処理がなされる。なお、本実施例の発光装置１００の製造工程においては、複数の発光装置１００が相互に繋がった状態で製造し、最後に個片化して発光装置１００とするが、図９～２０においては、隣り合う２つの発光装置１００を図示して説明する。
【0068】
まず、基板構造体１０を用意する工程として、図９に示すように、上面及び下面に第１の金属層Ｍ１及び第６の金属層Ｍ６であるＣｕ箔が圧着されたガラスエポキシからなる基板１１を用意する（ステップＳ１０１）。すなわち、発光装置１００の製造方法は、絶縁性の基板１１及び基板１１の上面及び下面に形成された第１の金属層Ｍ１及び第６の金属層Ｍ６を有する基板構造体１０を用意する工程を含む。
【0069】
次に、図１０に示すように、基板１１の下面の第１の切欠き１２を形成する領域の第６の金属層Ｍ６を除去する（ステップＳ１０２）。第６の金属層Ｍ６の除去は、フォトリソグラフィによって行われる。図示していないが、本ステップにおいては、基板１１の下面へのフォトレジストの塗布、当該フォトレジストにそれぞれの第１の切欠き１２の領域を除去する露光及び当該領域のフォトレジストの除去、フォトレジスト開口部分の第６の金属層Ｍ６のエッチング及びフォトレジストの除去工程を含む。
【0070】
次に、図１１に示すように、基板１１の下面の側からレーザを照射して第１の切欠き１２を形成する（ステップＳ１０３）。レーザは、例えば、イットリウムアルミニウムガーネット（Yttrium Aluminum Garnet：ＹＡＧ）等のレーザ光である。レーザを基板１１に照射し、基板１１であるガラスエポキシを蒸発させて第１の切欠き１２を形成する。なお、第１の金属層Ｍ１及び第６の金属層Ｍ６であるＣｕ箔は、当該レーザで除去されない。すなわち、第１の切欠き１２の基板１１の上面の側は第１の金属層Ｍ１で塞がれておりかつ第１の切欠き１２の上端は当該第１の金属層Ｍ１が露出されている。また、第１の切欠き１２は、基板１１の下面の側から基板１１が除去されるように形成される。第１の切欠き１２は、基板１１の除去が進行するにつれて基板１１の上面に形成された第１の金属層Ｍ１の放熱効果によって図６及び図７に示すような台形状の断面形状で形成される。なお、ガラスエポキシを蒸発させるレーザ種はＹＡＧに限定されない。具体的には、用いるレーザ種は、ガラスエポキシの樹脂及びガラスの結合を分解可能で、Ｃｕ箔の金属結合を破壊しない照射エネルギを有するレーザであればよい。上記のステップＳ１０３及びＳ１０４が切欠き形成工程として処理される。
【0071】
言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、基板構造体１０の上面において１の配列方向に沿って複数列配列された複数の矩形領域の各々の前記１の配列方向と垂直な方向において対向する二辺の一方及び他方に基板構造体１０の下面から基板１１上面に形成されたＣｕ箔層の下面に至る第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３を基板構造体１０の下面からレーザを照射することでそれぞれ形成する切欠き形成工程を含む。
【0072】
次に、無電解めっき工程として図１２に示すように、第１の切欠き１２が形成された基板１１に第２の金属層Ｍ２及び第７の金属層Ｍ７を形成する（ステップＳ１０４）。第２の金属層Ｍ２及び第７の金属層Ｍ７は、無電解Ｃｕめっきによって形成される。第２の金属層Ｍ２は第１の金属層Ｍ１の上面に形成され、第７の金属層Ｍ７は第６の金属層Ｍ６の下面、第１の切欠き１２の内面及び第１の切欠き１２の上端に露出した第１の金属層Ｍ１の下面に連続的に形成される。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、基板１１の上面及び基板１１の前記下面から第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３のそれぞれの内面に第２の金属層Ｍ２及び第７の金属層Ｍ７を無電解めっきによって形成する無電解めっき工程を含む。
【0073】
次に、第１の電解めっき工程として、図１３に示すように、第２の金属層Ｍ２及び第７の金属層Ｍ７が形成された基板１１に第３の金属層Ｍ３及び第８の金属層Ｍ８を形成する（ステップＳ１０５）。第３の金属層Ｍ３及び第８の金属層Ｍ８は、電解Ｃｕめっきによって形成される。第３の金属層Ｍ３は第２の金属層Ｍ２の上面に形成され、第８の金属層Ｍ８は第１の切欠き１２の内面及び天面に形成された第７の金属層Ｍ７の下面及び側面に沿って連続的に形成される。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、基板１１の上面及び基板１１の下面の第２の金属層Ｍ２及び第７の金属層Ｍ７の各々を覆うように第３の金属層Ｍ３及び第８の金属層Ｍ８を電解めっきによって形成する第１の電解めっき工程を含む。
【0074】
次に、パターニング工程として、図１４に示すように、第１～第３の金属層Ｍ１～Ｍ３及び第６～第８の金属層Ｍ６～Ｍ８をそれぞれ第１の配線２１及び第１の電極２３のパターンに形成する（ステップＳ１０６）。第１の配線２１及び第１の電極２３の形状の形成は、フォトリソグラフィによって行われる。ステップＳ１０２の方法と同様に、電極パターンに露光及び除去されたフォトレジストを第３の金属層Ｍ３上面及び第８の金属層Ｍ８の下面に形成し、エッチングによって各々の配線及び電極のパターンを形成する。この際、第１の切欠き１２の内面及び天面に形成された第８の金属層Ｍ８の側面及び天面にもフォトレジストが形成されており、エッチングされないようにしている。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、基板１１の上面において第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２及び第３の金属層Ｍ３をそれぞれエッチングして複数の矩形領域の各々の上面において互いに離間した第１の配線２１及び第２の配線２２のパターンを形成し、かつ基板１１の下面において、第６の金属層Ｍ６、第７の金属層Ｍ７及び第８の金属層Ｍ８をそれぞれエッチングして、複数の矩形領域の各々の下面において互いに離間した第１の電極２３及び第２の電極２４のパターンを形成するパターニング工程を含む。
【0075】
次に、図１５に示すように、第１の配線２１及び第１の電極２３のパターンに形成された金属層の各々を覆うように第４の金属層Ｍ４及び第９の金属層Ｍ９を形成する（ステップＳ１０７）。第４の金属層Ｍ４及び第９の金属層Ｍ９は、それぞれ電解Ｎｉめっきによって形成される。第４の金属層Ｍ４は第３の金属層Ｍ３の上面及び第１～第３の金属層Ｍ１～Ｍ３の側面を覆うように形成され、第９の金属層Ｍ９は第８の金属層Ｍ８の下面及び第６～第８の金属層Ｍ６～Ｍ８の側面を覆うように形成される。なお、第３の金属層Ｍ３は、電解Ｎｉめっきによって形成される故、ステップＳ１０６で露出させた絶縁性の基板１１の表面には形成されない。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２並びに第３の金属層Ｍ３及び第６の金属層Ｍ６、第７の金属層Ｍ７並びに第８の金属層Ｍ８の各々を覆うように第４の金属層Ｍ４並びに第５の金属層Ｍ５及び第９の金属層Ｍ９並びに第１０の金属層Ｍ１０を電解めっきによって形成する第２の電解めっき工程を含む。
【0076】
次に、図１６に示すように、基板１１の上面及び下面に形成した第４の金属層Ｍ４及び第９の金属層Ｍ９の各々を覆うように第５の金属層Ｍ５及び第１０の金属層Ｍ１０を形成する（ステップＳ１０８）。これにより、基板１１の上面に第１の配線２１が形成され、基板１１の下面及び基板１１の第１の切欠き１２の内面及び天面に第１の電極２３が連続的に形成される。なお、上記のステップＳ１０７及びＳ１０８が第２の電解めっき工程として処理される。
【0077】
また、ステップＳ１０５、Ｓ１０７及びＳ１０８で形成された第８～第１０の金属層Ｍ８～Ｍ１０は、上述の通り、めっき浴内で電界強度で差異が生じる。これにより、図６及び図７で示したように、第１の切欠き１２の天面及び天面の端部に形成される第８～第１０の金属層Ｍ８～Ｍ１０は、基板１１の上面及び下面に形成される第３～第５の金属層Ｍ３～Ｍ５及び第８～第１０の金属層Ｍ８～Ｍ１０よりも厚く形成される。
【0078】
なお、上記の通り、ステップＳ１０２～Ｓ１０８においては、第１の配線２１及び第１の電極２３が形成される過程について説明したが、各ステップは図示されない第２の配線２２及び第２の電極２４においても同様の処理がなされて形成されている。
【0079】
次に、図１７に示すように、第５の金属層Ｍ５及び第１０の金属層Ｍ１０を形成した基板１１をダイボンド装置にセットし、第１の配線２１の上面上に発光素子３０を載置する（ステップＳ１０９）。発光素子３０は、第１の配線２１の上面上に図示しない接着剤が塗布され、当該接着剤上に発光素子３０を載置した後に接着剤が加熱硬化される。これにより、発光素子３０は、第１の配線２１の上面上に固着される。
【0080】
次に、図１８に示すように、発光素子３０を載置した基板１１をワイヤボンディング装置にセットし、発光素子３０の電極パッドと第１の配線２１及び第２の配線２２の各々とボンディングワイヤＢＷで接続する（ステップＳ１１０）。具体的には、発光素子３０のカソード電極の電極パッドと第１の配線２１とが接続され、発光素子３０のアノード電極の電極パッドと第２の配線２２とが接続される。なお、ボンディングワイヤＢＷによる接続は、発光素子３０の各々の電極パッド上に圧着ボールを形成する順ボンディングの態様でもよいし、電極パッド上にワイヤバンプを形成した後圧着ボールをボンディングパッドに形成して当該ワイヤバンプに接続する逆ボンディングの態様でもよい。これにより、発光素子３０のカソード電極と第１の配線２１及び第１の電極２３とが電気的に接続され、発光素子３０のアノード電極と第２の配線２２及び第２の電極２４とが電気的に接続される。
【0081】
次に、図１９に示すように、基板１１の上面及び発光素子３０を覆うように封止部材４０を形成する（ステップＳ１１１）。封止部材４０の形成は、基板１１をモールド装置の金型にセットし、基板１１の発光素子３０を載置する面と金型のキャビティとの間に蛍光体粒子を分散させた液体樹脂を注入させた後に液体樹脂を加熱硬化させるトランスファモールドの態様である。
【0082】
次に、ダイシング工程として、図２０に示すように、封止部材４０を形成した基板１１をダイサー装置にセットし、前後左右に繋がっている発光装置１００を切断して個片化する（ステップＳ１１２）。これにより、発光装置１００は、個々の単位にダイシングされ、複数の発光装置１００が製造される。なお、本ステップに至るまで発光装置１００の短辺の側の側面は形成されておらず、切欠き１２の断面は、図７において破線で示された領域が接続された状態である。すなわち、本ステップによるダイシングによって発光装置１００の側面が形成され、図７に示すように各々の配線、電極及び導通配線の各々の金属層が発光装置１００の短辺の側の側面から露出される。また、上述の通り、これら配線、電極及び導通配線の各々の切断面は、封止部材４０の結着状態の確認又は発光装置１００の電気特性及び光学特性を測定するための電極探針を接触する電極として用いることができる。言い換えれば、発光装置１００の製造方法は、基板構造体１０を第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３をそれぞれ通る１の配列方向に沿った複数のダイシングラインにそって切断して個片化するダイシング工程を含む。
【0083】
本実施例によれば、発光装置１００は、絶縁性のガラスエポキシからなり長方形の上面形状を有する基板１１を有する。また、基板１１は短辺の側に上面から下面に至る第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３が設けられている。また、第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３は、側面視において基板１１の上面の側の幅が基板１１の下面の側の幅よりも小さい台形状の側面形状を有する。また、基板１１の上面には第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３の各々を塞ぐように形成された第１の配線２１及び第２の配線２２が形成されている。また、基板１１の下面から第１の切欠き１２及び第２の切欠き１３の各々の内面及び天面に至るまで連続的に第１の電極２３及び第２の電極２４が形成されている。
【0084】
また、第１の配線２１及び第２の配線２３は、積層された第１～第５の金属層Ｍ１～Ｍ５からなり、第２～第５の金属層Ｍ２～Ｍ５の合計の層厚は第１の金属層Ｍ１よりも厚く形成されている。
【0085】
また、第１の電極２３及び第２の電極２４は、基板１１の下面の第１及び第２の切欠き１２及び１３の周縁部に第１及び第２の切欠き１２及び１３を開口するように形成された第６の金属層Ｍ６を含む。また、第１の電極２３及び第２の電極２４は、第６の金属層Ｍ６の下面から第１及び第２の切欠き１２及び１３の内面及び天面である第１の金属層の下面まで連続的に形成された第７～第１０の金属層Ｍ７～１０をさらに含む。また、第７～第１０の金属層Ｍ７～Ｍ１０の合計の層厚は第６の金属層Ｍ６よりも厚く形成されている。また、第１及び第２の切欠き１２及び１３の天面に形成された第７～第１０の金属層Ｍ７～１０は、基板１１の下面に形成された第７～第１０の金属層Ｍ７～１０よりも厚く形成されている。
【0086】
発光装置１００は、上記の構成を有することにより、各々の配線及び電極の発光装置１００における重量比率を大きくすることができ、発光装置１００の重心位置を低くすることが可能となる。
【0087】
また、第１及び第２の切欠き１２及び１３に形成された第１及び第２の電極２３及び２４の天面の各々は、下方に凹の形状の表面形状を有しており、当該天面は、発光装置１００の側面端部において下方に垂れ下がっている表面形状を有している。
【0088】
発光装置１００は、上記の構成を有することにより、実装基板への実装時に第１及び第２の電極２３及び２４の天面の端部から発光装置１００の側面へのはんだ等の接合部材の這い上がりの発生を抑えることが可能となる。また、当該天面の端部の発光装置１００の側面における高さを低くすることができ、発光装置１００の側面のはんだ等の接合部材の表面張力がかかる高さを低くすることが可能となる。
【0089】
これらの特徴により、本実施例に係る発光装置１００は、実装基板に実装する際のリフロー時に実装基板上で発光装置１００が立ち上がるマンハッタン現象（又はツームストーン現象）や発光装置１００の転倒を抑えることが可能となる。すなわち、発光装置１００は、実装基板への実装時に実装不良を抑えるチップＬＥＤ型の発光装置及びその製造方法を提供することが可能となる。
【0090】
なお、本実施例においては、発光素子３０が窒化物半導体を主材料とする青色ＬＥＤである場合について説明した。しかし、発光素子３０はこれに限定されず、その他の色の光を放射する種々のＬＥＤやレーザの半導体発光層に適用可能である。
【0091】
また、本実施例においては、発光素子３０の半導体層の各々に電極パッドを設け、それぞれの電極パッドと第１及び第２の配線２１及び２３とをボンディングワイヤＢＷで電気的に接続する場合について説明した。しかし、発光素子３０の電気的接続方法はこれに限定されない。例えば、導電性の支持基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を積層し、発光素子の上面と下面に電極を設けた発光素子を用いてもよい。この場合、発光素子の上面のアノード電極と第２の配線２２とをボンディングワイヤＢＷで電気的に接続し、発光素子の下面のカソード電極と第１の配線２１とを導電性の接着剤を介して電気的に接続してもよい。
【0092】
また、例えば、発光素子の下面にカソード電極及びアノード電極を設けたフリップチップ型の発光素子を用いてもよい。この場合、発光素子を第１の配線２１及び第２の配線２２の各々の上面上に載架するように配し、発光素子の下面のカソード電極及びアノード電極の各々を導電性の接着剤を介して第１の配線２１及び第２の配線２２に接合する。
【0093】
また、本実施例においては、青色の光を放射する発光素子３０と、当該青色の光を黄色の光に波長変換する蛍光体粒子を含む封止部材と、を有する発光装置１００について説明した。しかし、発光素子の放射する光と蛍光体粒子の波長変換する光の組み合わせはこれに限定されない。発光装置の所望する光の色及び波長に合わせて任意に組み合わせればよい。また、封止部材においても、蛍光体粒子を含まない透光性の樹脂材料であってもよい。
【符号の説明】
【0094】
１００ 発光装置
１０ 基板構造体
１１ 基板
１２ 第１の切欠き
１３ 第２の切欠き
２１ 第１の配線
２２ 第２の配線
２３ 第１の電極
２４ 第２の電極
２５ 第１の導通配線
２６ 第２の導通配線
３０ 発光素子
４０ 封止部材
１０ 基板構造体
１１ 基板
１２ 第１の切欠き
１３ 第２の切欠き
２１ 第１の配線
２２ 第２の配線
２３ 第１の電極
２４ 第２の電極
２５ 第１の導通配線
２６ 第２の導通配線
３０ 発光素子
４０ 封止部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】