特許 7594946 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-27

(45)【発行日】2024-12-05

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20241128BHJP

   B05D 3/00 20060101ALI20241128BHJP

   B05D 1/26 20060101ALI20241128BHJP

   B05D 1/40 20060101ALI20241128BHJP

   B05D 3/14 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 569C

B05D3/00 D

B05D1/26 Z

B05D1/40 A

B05D3/14

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2021038715

(22)【出願日】2021-03-10

(65)【公開番号】P2022138694

(43)【公開日】2022-09-26

【審査請求日】2023-12-18

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100108523

【弁理士】

【氏名又は名称】中川 雅博

(74)【代理人】

【識別番号】100125704

【弁理士】

【氏名又は名称】坂根 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100187931

【弁理士】

【氏名又は名称】澤村 英幸

(72)【発明者】

【氏名】門間 徹

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開２００１－１５５９９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０４１９２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０３６５９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／３０

Ｂ０５Ｄ ３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

流体が流れる流路部と、
基板を処理するための処理空間内に前記流路部を流れる前記流体を吐出可能に構成された吐出部と、
前記流路部の内部の電磁波の磁界成分を起電力に変換することにより、前記流路部の内部で発生する放電を前記流体と接触することなく検出する検出部とを備える、基板処理装置。

【請求項2】

前記流路部は、配管と、前記配管に介挿された介挿部材とを含み、
前記検出部は、前記配管および前記介挿部材のいずれかに取り付けられる、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記配管に介挿されたバルブと、
前記検出部により放電が検出された場合に、前記吐出部から前記流体が前記処理空間内に吐出されないように前記バルブの動作を制御する処理制御部とをさらに備える、請求項２記載の基板処理装置。

【請求項4】

流体が流れる流路部と、
基板を処理するための処理空間内に前記流路部を流れる前記流体を吐出可能に構成された吐出部と、
前記流路部の内部で発生する放電を検出する検出部と、
バルブと、
処理制御部とを備え、
前記流路部は、配管と、前記配管に介挿された介挿部材とを含み、
前記検出部は、前記配管および前記介挿部材のいずれかに取り付けられ、
前記バルブは、前記配管に介挿され、
前記処理制御部は、前記検出部により放電が検出された場合に、前記処理空間内に処理対象の基板が存在しないタイミングで、前記吐出部から前記流体が前記処理空間内に吐出されるように前記バルブの動作を制御する、基板処理装置。

【請求項5】

前記検出部により放電が検出された場合に報知を行う報知部をさらに備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

基板を処理するための処理空間内に流路部を流れる流体を吐出部により吐出するステップと、
検出部により前記流路部の内部の電磁波の磁界成分を起電力に変換することにより、前記検出部を前記流体と接触させることなく前記流路部の内部で発生する放電を検出するステップとを含む、基板処理方法。

【請求項7】

基板を処理するための処理空間内に、バルブが介挿された配管と前記配管に介挿された介挿部材とを含む流路部を流れる流体を吐出部により吐出するステップと、
前記流路部の内部で発生する放電を前記配管および前記介挿部材のいずれかに取り付けられた検出部により検出するステップと、
前記検出部により放電が検出された場合に、前記バルブを制御することにより、前記処理空間内に処理対象の基板が存在しないタイミングで、前記吐出部から前記流体を前記処理空間内に吐出するステップとを含む、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板処理装置においては、液体または気体等の流体を供給するための配管が設けられる。

【0003】

例えば、特許文献１には、処理液供給装置とともに用いられる基板処理装置が記載されている。処理液供給装置は、複数の処理液供給系統を含む。各処理液供給系統において、タンクに貯留された処理液が、圧送により配管を通して基板処理装置に供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１４－９３５０６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

基板処理装置において、流体を供給するための配管の破損または流体への異物の混入が発生することがある。この場合、流体の正常な供給を行うことができなくなる。

【0006】

本発明の目的は、流体の供給の異常が発生することを防止可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明者は、配管の破損または流体への異物の混入が発生する原因を特定するために、種々の実験および考察を繰り返した結果、以下の知見を得た。配管の内部においては、内壁と流体との間の摩擦により静電気が発生し、内壁または流体が帯電する。内壁または流体が過剰に帯電した場合、放電現象が発生する。このような放電現象が多発することにより、配管の内壁が破損するとともに、配管の内壁の破損により生じたパーティクルが流体に混入する。これらの知見に基づいて、本発明者は以下の本発明に想到した。

【0008】

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、流体が流れる流路部と、基板を処理するための処理空間内に流路部を流れる流体を吐出可能に構成された吐出部と、流路部の内部の電磁波の磁界成分を起電力に変換することにより、流路部の内部で発生する放電を流体と接触することなく検出する検出部とを備える。

【0009】

この基板処理装置においては、基板を処理するための処理空間内に流路部を流れる流体が吐出部により吐出される。流路部の内壁と流体との間の摩擦による静電気に起因して流路部の内部で放電が発生した場合でも、当該放電が検出部により検出される。これにより、流体の供給の異常が発生することを防止することが可能となる。

【0010】

（２）流路部は、配管と、配管に介挿された介挿部材とを含み、検出部は、配管および介挿部材のいずれかに取り付けられてもよい。この場合、検出部を容易に配置することができる。これにより、流路部の内部で発生する放電を容易に検出することができる。

【0011】

（３）基板処理装置は、配管に介挿されたバルブと、検出部により放電が検出された場合に、吐出部から流体が処理空間内に吐出されないようにバルブの動作を制御する処理制御部とをさらに備えてもよい。この場合、異常な流体が処理空間に供給されることが防止される。

【0012】

（４）第２の発明に係る基板処理装置は、流体が流れる流路部と、基板を処理するための処理空間内に流路部を流れる流体を吐出可能に構成された吐出部と、流路部の内部で発生する放電を検出する検出部と、バルブと、処理制御部とを備え、流路部は、配管と、配管に介挿された介挿部材とを含み、検出部は、配管および介挿部材のいずれかに取り付けられ、バルブは、配管に介挿され、処理制御部は、検出部により放電が検出された場合に、処理空間内に処理対象の基板が存在しないタイミングで、吐出部から流体が処理空間内に吐出されるようにバルブの動作を制御する。この場合、異常な流体が処理対象の基板に供給されることが防止される。

【0013】

（５）基板処理装置は、検出部により放電が検出された場合に報知を行う報知部をさらに備えてもよい。これにより、正常な流体の供給を行うための対処を使用者に促すことができる。

【0014】

（６）第３の発明に係る基板処理方法は、基板を処理するための処理空間内に流路部を流れる流体を吐出部により吐出するステップと、検出部により流路部の内部の電磁波の磁界成分を起電力に変換することにより、検出部を流体と接触させることなく流路部の内部で発生する放電を検出するステップとを含む。

【0015】

この基板処理方法によれば、流路部の内壁と流体との間の摩擦による静電気に起因して流路部の内部で放電が発生した場合でも、当該放電が検出部により検出される。これにより、流体の供給の異常が発生することを防止することが可能となる。
（７）第４の発明に係る基板処理方法は、基板を処理するための処理空間内に、バルブが介挿された配管と配管に介挿された介挿部材とを含む流路部を流れる流体を吐出部により吐出するステップと、流路部の内部で発生する放電を配管および介挿部材のいずれかに取り付けられた検出部により検出するステップと、検出部により放電が検出された場合に、バルブを制御することにより、処理空間内に処理対象の基板が存在しないタイミングで、吐出部から流体を処理空間内に吐出するステップとを含む。この場合、異常な流体が処理対象の基板に供給されることが防止される。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、流体の供給の異常が発生することを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。

【図2】図１の処理室の内部の構成を示す側面図である。

【図3】流路システムの構成を示す図である。

【図4】制御装置の構成を示すブロック図である。

【図5】表示装置による表示画面の一例を示す図である。

【図6】図４の制御装置による制御処理の一例を示すフローチャートである。

【図7】他の実施の形態における制御装置の構成を示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。

【0019】

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。図１および後述する図２には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。図１に示すように、基板処理装置５００は、基板処理部１００、流路システム２００、制御装置３００および表示装置４００を備える。図１には、主として基板処理部１００の模式的平面図が図示されている。

【0020】

本実施の形態においては、基板処理装置５００は、処理対象の基板Ｗに洗浄処理を行う基板洗浄装置であり、例えば工場に設置される。基板処理装置５００が設置される工場には、工場設備（工場用力）として処理液供給源５１０、気体供給源５２０および廃液部５３０が設けられる。処理液供給源５１０は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）またはシンナー等の洗浄液を処理液として供給する。気体供給源５２０は、Ｎ_２（窒素）ガスまたはＣＤＡ（クリーンドライエア）等の気体を供給する。廃液部５３０には、使用済みの処理液が廃棄される。

【0021】

流路システム２００は、処理液供給源５１０により供給された処理液を流路を通して基板処理部１００に導く。制御装置３００は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含み、基板処理部１００および流路システム２００の動作を制御する。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、制御プログラムを記憶する。表示装置４００は、例えばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）パネルまたは有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルを含み、制御装置３００による処理結果を表示する。

【0022】

基板処理部１００は、インデクサブロック１１０、第１の処理ブロック１２０、搬送ブロック１３０、第２の処理ブロック１４０および第３の処理ブロック１５０を備える。インデクサブロック１１０、第１の処理ブロック１２０、搬送ブロック１３０、第２の処理ブロック１４０および第３の処理ブロック１５０は、Ｘ方向にこの順で並ぶように配置される。

【0023】

インデクサブロック１１０は、複数のキャリア載置部１１１および搬送室１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送室１１２には、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する搬送機構（搬送ロボット）１１４が設けられる。

【0024】

第１の処理ブロック１２０は、処理室１２１，１２２および受渡部１２３を含む。処理室１２１と処理室１２２とは、Ｙ方向において受渡部１２３を挟んで対向するように設けられる。各処理室１２１，１２２には、基板Ｗに処理を行う複数の処理ユニット１０および複数の待機ポット２０が設けられる。受渡部１２３には、搬送機構１１４と後述する搬送機構１３２との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。受渡部１２３には、複数の基板Ｗが載置されてもよい。搬送ブロック１３０は、搬送室１３１を含む。搬送室１３１には、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する搬送機構１３２が設けられる。

【0025】

第２の処理ブロック１４０は、処理室１４１，１４２および受渡部１４３を含む。処理室１４１と処理室１４２とは、Ｙ方向において受渡部１４３を挟んで対向するように設けられる。各処理室１４１，１４２には、複数の処理ユニット１０および複数の待機ポット２０が設けられる。受渡部１４３には、搬送機構１３２と後述する搬送機構１５４との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。受渡部１４３には、複数の基板Ｗが載置されてもよい。本例では、受渡部１４３は、基板Ｗを保持しつつ、Ｘ方向に所定の距離だけ搬送（シャトル搬送）することが可能である。

【0026】

第３の処理ブロック１５０は、処理室１５１，１５２および搬送室１５３を含む。処理室１５１と処理室１５２とは、Ｙ方向において搬送室１５３を挟んで対向するように設けられる。各処理室１５１，１５２には、複数の処理ユニット１０および複数の待機ポット２０が設けられる。搬送室１５３には、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する搬送機構１５４が設けられる。

【0027】

図２は、図１の処理室１２１，１４１，１５１の内部の構成を示す側面図である。図２に示すように、各処理室１２１，１４１，１５１には、複数（本例では４個）の処理ユニット１０がＺ方向に積層されるように配置されるとともに、複数の待機ポット２０が複数の処理ユニット１０にそれぞれ対応するように配置される。同様に、図１の各処理室１２２，１４２，１５２にも、複数（本例では４個）の処理ユニット１０がＺ方向に積層されるように配置されるとともに、複数の待機ポット２０が複数の処理ユニット１０にそれぞれ対応するように配置される。

【0028】

各処理ユニット１０は、スピンチャック１１、吐出ノズル１２およびカップ１３を含む。処理ユニット１０は、ブラシをさらに含んでもよい。スピンチャック１１の上方近傍には、基板Ｗを洗浄処理するための処理空間Ｖが設けられる。吐出ノズル１２は、処理空間Ｖと待機ポット２０との間で移動可能に設けられ、基板Ｗの洗浄処理時以外には待機ポット２０に位置する。

【0029】

基板Ｗの洗浄処理時には、スピンチャック１１は、処理空間Ｖ内で基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、吐出ノズル１２は、処理空間Ｖに移動し、処理空間Ｖ内に図１の流路システム２００により導かれた処理液を吐出する。この場合、スピンチャック１１により回転される基板Ｗに処理液が供給される。これにより、基板Ｗに洗浄処理が行われる。カップ１３は、スピンチャック１１を取り囲むように設けられ、洗浄処理時に基板Ｗから振り切られる処理液を受け止める。

【0030】

図１および図２を参照しながら基板処理部１００の動作を説明する。インデクサブロック１１０のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１４は、キャリア１１３から第１の処理ブロック１２０の受渡部１２３に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１４は、受渡部１２３に載置された洗浄処理後の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

【0031】

搬送ブロック１３０の搬送機構１３２は、受渡部１２３に載置された未処理の基板Ｗを第１の処理ブロック１２０の処理室１２１，１２２におけるいずれかの処理ユニット１０または第２の処理ブロック１４０の受渡部１４３に搬送する。処理室１２１，１２２のいずれかの処理ユニット１０に搬送された基板Ｗには、洗浄処理が行われる。また、搬送機構１３２は、処理室１２１，１２２におけるいずれかの処理ユニット１０または受渡部１４３に載置された洗浄処理後の基板Ｗを受渡部１２３に搬送する。

【0032】

第３の処理ブロック１５０の搬送機構１５４は、受渡部１４３に載置された未処理の基板Ｗを第２または第３の処理ブロック１４０，１５０の処理室１４１，１４２，１５１，１５２におけるいずれかの処理ユニット１０に搬送する。処理室１４１，１４２，１５１，１５２のいずれかの処理ユニット１０に搬送された基板Ｗには、洗浄処理が行われる。また、搬送機構１５４は、処理室１４１，１４２，１５１，１５２におけるいずれかの処理ユニット１０に載置された洗浄処理後の基板Ｗを受渡部１４３に搬送する。

【0033】

（２）流路システムの構成
図１の流路システム２００は、基板処理部１００の複数の処理ユニット１０にそれぞれ対応するように複数設けられる。図３は、流路システム２００の構成を示す図である。図３に示すように、流路システム２００は、配管２１０、１つ以上の介挿部材２２０および検出部２３０を含む。介挿部材２２０は、配管２１０に介挿された部材である。配管２１０および１つ以上の介挿部材２２０により流路部２０１が形成される。流路部２０１は、処理空間Ｖの外側に位置する。

【0034】

配管２１０は、樹脂により形成され、主管２１１および枝管２１２を含む。配管２１０は、複数の管が継手で接続されることにより構成されてもよい。この場合、複数の管を接続するための継手は介挿部材２２０の１つである。以下の説明では、主管２１１において処理液が流れる方向を下流方向と定義し、その反対方向を上流方向と定義する。主管２１１の下流端部は、対応する処理ユニット１０の吐出ノズル１２に接続される。

【0035】

本例では、介挿部材２２０は複数設けられる。各介挿部材２２０は、例えば処理液タンク２２１、流路切替バルブ２２２、フィルタ２２３、調整部２２４、圧力センサ２２５、ポンプ２２６、流量センサ２２７または吐出バルブ２２８を含む。図３の例では、上記の複数の介挿部材２２０が上流から下流に向かってこの順で主管２１１に介挿される。介挿部材２２０は、上記の部材に限定されず、配管２１０の流路を開閉する開閉バルブであってもよい。また、同一種類の介挿部材２２０が複数設けられてもよい。

【0036】

処理液タンク２２１は、主管２１１の上流端部に介挿され、処理液供給源５１０により供給された処理液を貯留する。気体供給源５２０から処理液タンク２２１に気体が供給されることにより、処理液タンク２２１に貯留された処理液が主管２１１を通して下流に圧送される。

【0037】

流路切替バルブ２２２は、第１の流路状態と第２の流路状態との間で切り替わり可能である。第１の流路状態においては、処理液タンク２２１とフィルタ２２３との間の流路が開放され、処理液タンク２２１と廃液部５３０との間の流路が閉止される。第２の流路状態においては、処理液タンク２２１と廃液部５３０との間の流路が開放され、処理液タンク２２１とフィルタ２２３との間の流路が閉止される。

【0038】

フィルタ２２３は、例えばＵＰＥ（超高分子量ポリエチレン）フィルタであり、自己を通過する処理液中の異物を除去する。また、フィルタ２２３は、除去した異物を処理液とともに廃液部５３０に排出可能に構成される。主管２１１におけるフィルタ２２３と調整部２２４との間の部分と、処理液タンク２２１との間が枝管２１２により接続される。これにより、フィルタ２２３を通過した処理液を処理液タンク２２１に循環させることができる。枝管２１２にも開閉バルブまたは継手等の介挿部材２２０が介挿されてもよい。

【0039】

調整部２２４は、例えば電動調圧レギュレータであり、制御装置３００による制御に基づいて主管２１１を流れる処理液の流量を調整する。圧力センサ２２５は、主管２１１を流れる処理液の圧力を計測する。圧力センサ２２５による計測結果は、制御装置３００に与えられる。ポンプ２２６は、主管２１１を流れる処理液を下流に圧送する。流量センサ２２７は、主管２１１を流れる処理液の流量を計測する。流量センサ２２７による計測結果は、制御装置３００に与えられる。

【0040】

吐出バルブ２２８は、例えば開閉バルブである。基板Ｗがスピンチャック１１により保持および回転されかつ吐出ノズル１２の吐出口が処理空間Ｖにある状態で、吐出バルブ２２８が開放される。この場合、処理空間Ｖ内に吐出ノズル１２から処理液が吐出され、吐出された処理液が基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗに洗浄処理が行われる。

【0041】

流路部２０１の内部においては、流路部２０１の内壁と処理液との間の摩擦により静電気が発生することがある。そこで、検出部２３０が流路部２０１に取り付けられる。検出部２３０は、粘着テープ等の粘着部材により流路部２０１の外面に貼り付けられてもよい。この場合、検出部２３０を容易に配置することができる。

【0042】

検出部２３０は、例えば巻回された電線により形成されるアンテナであり、流路部２０１の内部における電磁波の磁界成分を起電力に変換する。これにより、静電気に起因して流路部２０１の内部で発生する放電が起電力として検出される。検出部２３０による検出結果は、制御装置３００に与えられる。

【0043】

図３の例では、検出部２３０は１つの介挿部材２２０に取り付けられるが、実施の形態はこれに限定されない。検出部２３０は、配管２１０に取り付けられてもよい。この場合において、検出部２３０は、粘着部材により配管２１０の外面に貼り付けられてもよいし、検出部２３０は、配管２１０を取り囲むように巻回されてもよい。これらの場合でも、検出部２３０を容易に配置することができる。

【0044】

流路システム２００は、２つ以上の検出部２３０を含んでもよい。具体的には、２つ以上の検出部２３０が、配管２１０の２つ以上の部分にそれぞれ取り付けられてもよいし、２つ以上の介挿部材２２０にそれぞれ取り付けられてもよい。あるいは、２つ以上の検出部２３０が、配管２１０および１つ以上の介挿部材２２０の一部または全部に取り付けられてもよい。

【0045】

（３）制御装置
図４は、制御装置３００の構成を示すブロック図である。図５は、表示装置４００による表示画面の一例を示す図である。図４に示すように、制御装置３００は、機能部として、計測部３１０、ログ記憶部３２０、表示制御部３３０、判定部３４０および処理制御部３５０を含む。ＣＰＵが記憶装置に記憶された制御プログラムをＲＡＭ上で実行することにより制御装置３００の機能部が実現される。制御装置３００の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。

【0046】

計測部３１０は、検出部２３０により変換された起電力を計測する。ここで、使用者は、流路部２０１の内部で放電が発生しないときに計測部３１０により計測された起電力をグラウンドレベル（０ｍＶ）として計測部３１０に設定することができる。これにより、検出部２３０の取り付け部近傍のグラウンドレベルが安定しない場合でも、放電に起因する起電力と放電に起因しない起電力とを容易に識別することが可能になる。

【0047】

ログ記憶部３２０は、データロガーとして動作し、計測部３１０により計測された起電力を計測時刻と対応付けて記憶する。表示制御部３３０は、ログ記憶部３２０に記憶された情報に基づいて、起電力の時間変化をトレンドグラフとして表示装置４００に表示させる。放電が発生した場合には、図５に示すように、トレンドグラフに起電力のピークが１つ以上現れる。図５の吹き出し内には、ピークの形状を視認しやすくするために、トレンドグラフにおいて最大の起電力のピークが拡大して示されている。

【0048】

判定部３４０は、計測部３１０により計測された起電力が所定のしきい値を超えたか否かを判定する。使用者は、判定部３４０に任意のしきい値を設定することができる。本例では、しきい値は起電力の大きさであるが、実施の形態はこれに限定されない。しきい値は、起電力のピークの幅（例えば半値幅）であってもよい。

【0049】

ログ記憶部３２０は、上記のしきい値を超えた起電力のみを計測時刻と対応付けて記憶してもよい。この場合、表示制御部３３０は、しきい値を超えた起電力のみを表示装置４００に表示させる。あるいは、ログ記憶部３２０は、起電力がしきい値を超えた回数を記憶してもよい。この場合、表示制御部３３０は、起電力がしきい値を超えた回数を表示装置４００に表示させる。

【0050】

処理制御部３５０は、基板処理が実行されるように基板処理部１００および流路システム２００の動作を制御する。また、判定部３４０により起電力がしきい値を超えたと判定された場合、処理制御部３５０は、基板処理が停止されるように基板処理部１００および流路システム２００の動作を制御する。

【0051】

本例では、判定部３４０により起電力がしきい値を超えたと判定された場合、処理制御部３５０は、所定時間だけ吐出バルブ２２８を閉止する。これにより、流路部２０１の内部における帯電量が緩和される。この場合、流路部２０１の内部で放電が連続して発生することが防止される。使用者は、吐出バルブ２２８の任意の閉止時間を処理制御部３５０に設定することができる。所定時間の経過後、処理制御部３５０は、基板処理が再開されるように基板処理部１００および流路システム２００の動作を制御する。

【0052】

（４）制御処理
図６は、図４の制御装置３００による制御処理の一例を示すフローチャートである。図６の制御処理は、制御装置３００のＣＰＵが記憶装置に記憶された制御プログラムを実行することにより行われる。まず、処理制御部３５０は、基板処理部１００および流路システム２００の動作を制御することにより、基板処理（本例では洗浄処理）を開始する（ステップＳ１）。計測部３１０は、検出部２３０により変換された起電力を計測する（ステップＳ２）。ステップＳ２は、ステップＳ１と略同時に実行されてもよい。

【0053】

次に、ログ記憶部３２０は、ステップＳ２で計測された起電力を計測時刻と対応付けて記憶する（ステップＳ３）。表示制御部３３０は、ステップＳ３で記憶された起電力の時間変化を表示装置４００に表示させる（ステップＳ４）。ステップＳ４は、ステップＳ３と略同時に実行されてもよい。

【0054】

続いて、判定部３４０は、ステップＳ２で計測された起電力がしきい値を超えたか否かを判定する（ステップＳ５）。起電力がしきい値を超えない場合、処理制御部３５０は、ステップＳ２に戻る。ステップＳ２～Ｓ５が繰り返されることにより、基板処理が継続される。

【0055】

起電力がしきい値を超えた場合、処理制御部３５０は、吐出バルブ２２８を閉止することにより基板処理を停止する（ステップＳ６）。ステップＳ６は、処理中の基板Ｗの当該処理が終了された後に実行されてもよい。その後、ステップＳ２～Ｓ４とそれぞれ同様のステップＳ７～Ｓ９が実行される。これにより、基板処理の停止中にも、起電力の計測、記憶および表示が行われる。

【0056】

次に、処理制御部３５０は、所定時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ１０）。所定時間が経過していない場合、処理制御部３５０はステップＳ７に戻る。所定時間が経過するまでステップＳ７～Ｓ１０が繰り返される。所定時間が経過した場合、処理制御部３５０は、基板搬送のスケジュールを変更し（ステップＳ１１）、ステップＳ１に戻る。これにより、基板処理が再開される。所定回数の基板処理が終了するか、使用者により終了指示が行われた場合等に、制御処理が終了する。

【0057】

（５）効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、基板Ｗを処理するための処理空間Ｖ内に流路部２０１を流れる流体が吐出ノズル１２により吐出される。流路部２０１の内壁と流体との間の摩擦による静電気に起因して流路部２０１の内部で放電が発生した場合でも、当該放電が検出部２３０により検出される。

【0058】

放電が検出部２３０により検出された場合、所定時間だけ処理液の供給が停止される。この場合、流路部２０１の内部における帯電量が緩和されることにより、流路部２０１の内部で放電が連続して発生することが防止される。その結果、処理液の供給の異常が発生することを防止することができる。

【0059】

（６）変形例
本実施の形態において、放電が検出された場合、所定時間だけ吐出バルブ２２８が閉止されることにより基板処理が停止されるが、実施の形態はこれに限定されない。第１の変形例においては、放電が検出された場合、吐出ノズル１２が待機ポット２０で待機することにより基板処理が停止されるとともに、所定時間だけ吐出バルブ２２８が開放される。

【0060】

第２の変形例においては、放電が検出された場合、所定時間だけ流路切替バルブ２２２が第２の流路状態に切り替えられることにより基板処理が停止される。第３の変形例においては、放電が検出された場合、所定時間だけフィルタ２２３と廃液部５３０との間の図示しない開閉バルブが開放されるとともに、フィルタ２２３よりも下流にある開閉バルブ（吐出バルブ２２８を含む。）が閉止される。第２または第３の変形例においては、吐出ノズル１２は処理空間Ｖに位置してもよいし、待機ポット２０に位置してもよい。

【0061】

第１～第３の変形例によれば、帯電した処理液が廃液部５３０に廃棄される。そのため、流路部２０１の内部で放電が連続して発生することをより効率よく防止することができる。また、液体に気体が混合している状態においては静電気が発生しやすいと考えられる。したがって、放電が検出された場合には、気泡センサでは検出できないような微小な気泡が処理液中に混合している可能性がある。この場合でも、第１～第３の変形例によれば、処理液が廃液部５３０に廃棄されるので、微小な気泡が混合する処理液を用いて基板処理を行うことが防止される。これにより、基板処理をより適切に行うことが可能になる。

【0062】

第２の変形例においては、検出部２３０が流路切替バルブ２２２よりも上流の位置に取り付けられてもよい。この場合、流路切替バルブ２２２がフィルタ２２３よりも上流に設けられるので、帯電した処理液はフィルタ２２３を通過しない。これにより、フィルタ２２３が汚染することを防止することができる。しかしながら、実施の形態はこれに限定されない。例えば、検出部２３０は流路切替バルブ２２２に取り付けられてもよいし、流路切替バルブ２２２よりも下流の位置に取り付けられてもよい。また、流路切替バルブ２２２は、フィルタ２２３よりも下流に設けられてもよい。

【0063】

第４の変形例においては、放電が検出された場合、処理空間Ｖ内に処理対象の基板Ｗが存在しないタイミングで吐出ノズル１２から処理液が処理空間Ｖ内に吐出されるように吐出バルブ２２８が開放される。具体的には、処理空間Ｖ内に処理対象の基板Ｗとは異なるダミー基板が存在するタイミングで吐出ノズル１２から処理液が処理空間Ｖ内に吐出されるように吐出バルブ２２８が開放されてもよい。この場合、異常な流体が処理対象の基板Ｗに供給されることが防止される。また、帯電した処理液を廃液部５３０に廃棄することができるので、流路部２０１の内部で放電が連続して発生することをより効率よく防止することができる。

【0064】

（７）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、放電が検出された場合、処理液が処理空間Ｖ内に吐出されないか、または処理空間Ｖ内に処理対象の基板Ｗが存在しないタイミングで処理液が処理空間Ｖ内に吐出されるように制御が行われるが、実施の形態はこれに限定されない。図７は、他の実施の形態における制御装置３００の構成を示すブロック図である。図７に示すように、制御装置３００は、機能部として報知部３６０をさらに含む。

【0065】

報知部３６０は、放電が検出された場合、その旨を示す文章等を表示装置４００に表示させることにより報知を行う。これにより、正常な流体の供給を行うための対処を使用者に促すことができる。また、報知が行われる場合でも、処理液が処理空間Ｖ内に吐出されないか、または処理空間Ｖ内に処理対象の基板Ｗが存在しないタイミングで処理液が処理空間Ｖ内に吐出されるような制御が実行されてもよい。

【0066】

本実施の形態において、報知は表示装置４００を用いて行われるが、実施の形態はこれに限定されない。報知は、表示装置４００を用いずに行われてもよい。例えば、基板処理装置５００が音声出力装置を含む場合には、放電が発生した旨の内容を示す音声、またはブザー等の警告音が出力されることにより報知が行われてもよい。あるいは、基板処理装置５００がランプ等の表示灯を含む場合には、表示灯が点灯、消灯または点滅されることにより報知が行われてもよい。

【0067】

（ｂ）上記実施の形態において、基板処理装置５００は基板洗浄装置であるが、実施の形態はこれに限定されない。基板処理装置５００は、処理対象の基板Ｗに塗布処理を行う塗布装置であってもよい。この場合、基板処理部１００は、例えば塗布処理ユニット（スピンコータ）を含み、処理液は塗布液を含む。あるいは、基板処理装置５００は、処理対象の基板Ｗに現像処理を行う現像装置であってもよい。この場合、基板処理部１００は、例えば現像処理ユニット（スピンデベロッパ）を含み、処理液は現像液を含む。

【0068】

（ｃ）上記実施の形態において、流体は洗浄液、塗布液または現像液等の液体であるが、実施の形態はこれに限定されない。流体は気体であってもよい。例えば、流体は、酸素等の処理ガスであってもよいし、窒素等の不活性ガスであってもよい。

【0069】

（ｄ）上記実施の形態において、検出部２３０、制御装置３００および表示装置４００は別体として設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。検出部２３０、制御装置３００および表示装置４００の一部または全部が一体的に設けられてもよい。例えば、制御装置３００の機能部の少なくとも一部が検出部２３０に設けられてもよい。あるいは、検出部２３０にモニタ等の表示部が設けられてもよい。

【0070】

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

【0071】

上記実施の形態においては、流路部２０１が流路部の例であり、処理空間Ｖが処理空間の例であり、基板Ｗが基板の例であり、吐出ノズル１２が吐出部の例であり、検出部２３０が検出部の例であり、基板処理部１００が基板処理装置の例である。配管２１０が配管の例であり、介挿部材２２０が介挿部材の例であり、流路切替バルブ２２２または吐出バルブ２２８がバルブの例であり、処理制御部３５０が処理制御部の例であり、報知部３６０が報知部の例である。

【符号の説明】

【0072】

１０…処理ユニット，１１…スピンチャック，１２…吐出ノズル，１３…カップ，２０…待機ポット，１００…基板処理部，１１０…インデクサブロック，１１１…キャリア載置部，１１２，１３１，１５３…搬送室，１１３…キャリア，１１４，１３２，１５４…搬送機構，１２０…第１の処理ブロック，１２１，１２２，１４１，１４２，１５１，１５２…処理室，１２３，１４３…受渡部，１３０…搬送ブロック，１４０…第２の処理ブロック，１５０…第３の処理ブロック，２００…流路システム，２０１…流路部，２１０…配管，２１１…主管，２１２…枝管，２２０…介挿部材，２２１…処理液タンク，２２２…流路切替バルブ，２２３…フィルタ，２２４…調整部，２２５…圧力センサ，２２６…ポンプ，２２７…流量センサ，２２８…吐出バルブ，２３０…検出部，３００…制御装置，３１０…計測部，３２０…ログ記憶部，３３０…表示制御部，３４０…判定部，３５０…処理制御部，３６０…報知部，４００…表示装置，５００…基板処理装置，５１０…処理液供給源，５２０…気体供給源，５３０…廃液部，Ｖ…処理空間，Ｗ…基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】