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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-27
(45)【発行日】2024-12-05
(54)【発明の名称】原子層堆積または化学蒸着のための方法および装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20241128BHJP
H01L 21/316 20060101ALI20241128BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 C
H01L21/316 X
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2021530852
(86)(22)【出願日】2019-11-21
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-01-26
(86)【国際出願番号】 US2019062607
(87)【国際公開番号】W WO2020112487
(87)【国際公開日】2020-06-04
【審査請求日】2022-11-04
(31)【優先権主張番号】62/773,377
(32)【優先日】2018-11-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ラボア・エイドリアン
(72)【発明者】
【氏名】アベル・ジョセフ・アール．
(72)【発明者】
【氏名】アグニュー・ダグラス・ウォルター
(72)【発明者】
【氏名】カーティン・イアン・ジョン
【審査官】宇多川 勉
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１８／００６１６２８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許第０６９０５５４７（ＵＳ，Ｂ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３１
Ｈ０１Ｌ ２１／３１６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板内のフィーチャを充填するための方法であって、ａ）前記フィーチャの選択された深さに抑制剤層を選択的に堆積させる工程と、
ｂ）原子層堆積プロセスまたは化学蒸着プロセスを実施して、前記フィーチャ内に堆積層を堆積させる工程であって、
前記堆積層は、前記抑制剤層が堆積されている前記フィーチャの部分上で選択的に抑制される、工程と、
前記工程ｂの後に、ｃ）パッシベーションプロセスを実施する工程と、を含み、
前記パッシベーションプロセスは、残留している抑制剤層を除去し、次いで前記工程ａおよび前記工程ｂを繰り返す、方法。
【請求項2】
請求項１に記載の方法であって、前記工程ａおよび前記工程ｂを繰り返すことを更に含む、方法。
【請求項3】
請求項１に記載の方法であって、前記抑制剤層を選択的に堆積させる前記工程は、
抑制剤ガスを流す工程と、
前記抑制剤ガスを抑制剤プラズマに変換する工程と、
前記抑制剤ガスの流れを停止させる工程と、
を含む、方法。
【請求項4】
請求項３に記載の方法であって、前記抑制剤層を選択的に堆積させる前記工程は、選択的バイアスを印加することを更に含む、方法。
【請求項5】
請求項１に記載の方法であって、パッシベーションガスを供給して、前記抑制剤層を選択的に堆積する前記工程を調整することを更に含む、方法。
【請求項6】
請求項１に記載の方法であって、抑制剤層を選択的に堆積させる前記工程は、ヨウ素、塩素、三フッ化窒素（ＮＦ3）、ハロゲン化スルホニル、ジオール、ジアミン、アセチレンまたはエチレン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、ピリジン、ピペリジン、ピロール、ピリミジン、イミダゾール、およびベンゼンのうちの少なくとも１つを含む抑制剤ガスを供給することを含む、方法。
【請求項7】
請求項２に記載の方法であって、前記工程ａにおいて、前記抑制剤層をフィーチャの中に第１の深さまで堆積させる第１のバイアスが供給され、前記工程ａが繰り返される場合、前記抑制剤層を前記フィーチャの中に第２の深さまで堆積させる第２のバイアスが供給され、前記第１のバイアスは前記第２のバイアスよりも大きく、前記第１の深さは前記第２の深さよりも大きい、方法。
【請求項8】
請求項１に記載の方法であって、前記パッシベーションプロセスを提供する前記工程は、Ｏ2、Ｈ2、および希ガスのうちの少なくとも１つを含むパッシベーションガスを供給することを含む、方法。
【請求項9】
請求項１に記載の方法であって、前記工程ａにおいて、前記抑制剤層をフィーチャの中に第１の深さまで堆積させる第１のバイアスが供給され、前記工程ａが繰り返される場合、前記抑制剤層を前記フィーチャの中に第２の深さまで堆積させる第２のバイアスが供給され、前記第１のバイアスは前記第２のバイアスよりも大きく、前記第１の深さは前記第２の深さよりも大きい、方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年１１月３０日に出願された米国特許出願第６２／７７３，３７７号の優先権の利益を主張し、それがあらゆる目的で本明細書に参照として組み込まれる。
本出願は、２０１８年１１月３０日に出願された米国特許出願第６２／７７３，３７７号の優先権の利益を主張し、それがあらゆる目的で本明細書に参照として組み込まれる。
【0002】
本開示は、半導体デバイスの形成に関する。より具体的には、本開示は、原子層堆積または化学蒸着を使用する半導体デバイスの形成に関する。
【発明の概要】
【0003】
前述のことを実現するために、そして本開示の目的に応じて、プロセスチャンバ、前駆体ガス源、反応ガス源、抑制剤ガス源、パッシベーションガス源、プロセスチャンバに流体接続されたガス入口、切換マニホールド、および切換マニホールドに制御可能に接続されたコントローラ、を備える装置が提供される。第１の位置にある切換マニホールドは、抑制剤ガス源とガス入口との間に流体接続を提供し、第２の位置にある切換マニホールドは、前駆体ガス源とガス入口との間に流体接続を提供し、第３の位置にある切換マニホールドは、反応ガス源とガス入口との間に流体接続を提供し、第４の位置にある切換マニホールドは、パッシベーションガス源とガス入口との間に流体接続を提供し、切換マニホールドは、ガス入口が、前駆体ガス源、反応ガス源、パッシベーションガス源、および抑制剤ガス源のうちの少なくとも２つに同時に流体接続されることを防止する。
【0004】
別の表明では、基板内のフィーチャを充填するための方法が提供される。フィーチャの選択された深さに抑制剤層が選択的に堆積される。原子層堆積プロセスまたは化学蒸着プロセスにより、フィーチャ内に堆積層が堆積され、堆積層は、抑制剤層が堆積されているフィーチャの部分上で選択的に抑制される。
【0005】
別の表明では、プロセスチャンバ、化学蒸着ガス源、抑制剤ガス源、パッシベーションガス源、プロセスチャンバと流体接続されたガス入口、切換マニホールド、および切換マニホールドに制御可能に接続されたコントローラ、を備える装置が提供される。第１の位置にある切換マニホールドは、抑制剤ガス源とガス入口との間に流体接続を提供し、第２の位置にある切換マニホールドは、化学蒸着ガス源とガス入口との間に流体接続を提供し、第３の位置にある切換マニホールドは、パッシベーションガス源とガス入口との間に流体接続を提供し、切換マニホールドは、ガス入口が、化学蒸着ガス源、パッシベーションガス源、および抑制剤ガス源のうちの少なくとも２つに同時に流体接続されることを防止する。
【0006】
本開示のこれらおよび他の特徴が、以下の本開示の詳細な説明において、以下の図面と併せて、以下により詳細に説明される。
【0007】
本開示は、添付の図面の図において限定的にではなく例示的に図示され、図では類似する参照番号は同様の要素を指す。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【0009】
【0010】
【0011】
【0012】
【0013】
【0014】
【発明を実施するための形態】
【0015】
ここで、添付の図面に示されるような本開示のいくつかの好ましい実施形態を参照して、本発明を詳細に説明する。以下の記載には、本開示の完全な理解を提供するために数多くの具体的な詳細が記述されている。しかしながら、これらの具体的な詳細の一部または全てがなくても、本開示を実施してよいことが当業者には明らかであろう。その他の場合、本開示を不必要に不明瞭にしないように、周知のプロセスステップおよび／または構造は詳細には説明されていない。
【0016】
図１は、原子層堆積（ＡＬＤ）システム１００の実施形態の概略図である。ＡＬＤシステム１００は、プロセスチャンバ１０４を備える。プロセスチャンバ１０４内には、基板支持体１０８がある。シャワーヘッド１１２が基板支持体１０８の上方に置かれている。ガス入口１１６が、シャワーヘッド１１２を切換マニホールド１２０に接続している。切換マニホールド１２０は、前駆体ガス源１２４、反応ガス源１２８、抑制剤ガス源１３２、パージガス源１３６、およびパッシベーションガス源１３８に接続されている。切換マニホールド１２０は、１つ以上の弁に接続された１つ以上のマニホールドを備えてよい。排気システム１４０が、プロセスチャンバ１０４に流体接続して、プロセスチャンバ１０４からの排気ガスを排出し、チャンバ圧力を制御する。高周波（ＨＦ）無線周波数ＲＦ源１４４が、整合ネットワーク１４８を介して基板支持体１０８に電気的に接続されている。低周波（ＬＦ）ＲＦ源１５２が、整合ネットワーク１４８を介して基板支持体１０８に電気的に接続されている。コントローラ１５６が、切換マニホールド１２０、排気システム１４０、ＨＦ ＲＦ源１４４、およびＬＦ ＲＦ源１５２に制御可能に接続されている。基板１６０が、基板支持体１０８上に配置される。そのようなチャンバの例は、Ｆｒｅｍｏｎｔ，ＣＡのＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって製造されたＳｔｒｉｋｅｒ（商標）Ｏｘｉｄｅシステムである。
【0017】
図２は、実施形態で使用されるコントローラ１５６を実装するのに好適なコンピュータシステム２００を示す高レベルのブロック図である。コンピュータシステム２００は、集積回路、プリント回路基板、小型の携帯型デバイス、および巨大なスーパーコンピュータに至る多くの物理的形態を有してよい。コンピュータシステム２００は、１つ以上のプロセッサ２０２を含み、電子表示デバイス２０４（グラフィックス、テキスト、および他のデータを表示するため）、メインメモリ２０６（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ））、記憶装置２０８（例えば、ハードディスクドライブ）、リムーバブル記憶装置２１０（例えば、光ディスクドライブ）、ユーザインタフェースデバイス２１２（例えば、キーボード、タッチスクリーン、キーパッド、マウス、または他のポインティングデバイスなど）、および通信インタフェース２１４（例えば、無線ネットワークインタフェース）、を更に含み得る。通信インタフェース２１４は、ソフトウェアおよびデータが、リンクを介してコンピュータシステム２００と外部デバイスとの間で転送されることを可能にする。システムはまた、前述したデバイス／モジュールが接続される通信インフラストラクチャ２１６（例えば、通信バス、クロスオーバーバー、またはネットワーク）を含んでよい。
【0018】
通信インタフェース２１４を介して転送される情報は、信号を伝送する通信リンクを介して通信インタフェース２１４によって受信することが可能な電子、電磁、光、または他の信号などの信号の形態であってもよく、ワイヤまたはケーブル、ファイバーオプティクス、電話回線、携帯電話リンク、無線周波数リンク、および／または他の通信チャネルを使用して実装されてよい。そのような通信インタフェースでは、上述した方法ステップを実施する過程において、１つ以上のプロセッサ２０２がネットワークから情報を受信するか、またはネットワークに情報を出力することができると考えられる。更には、方法の実施形態が、プロセッサ上でのみ実行されてもよく、または処理の一部を共有するリモートプロセッサと連係して、インターネットなどのネットワークを介して実行されてよい。
【0019】
「非一時的コンピュータ可読媒体」という用語は一般に、メインメモリ、２次メモリ、リムーバブル記憶装置、ならびに、ハードディスク、フラッシュメモリ、ディスクドライブメモリ、ＣＤ－ＲＯＭ、および他の形態の永続的メモリなどの記憶装置を指すために使用され、搬送波または信号などの一時的対象をカバーすると解釈されるべきではない。コンピュータコードの例には、コンパイラを使用して作成されるようなマシンコード、および、インタプリタを用いてコンピュータによって実行される、より高いレベルのコードを含むファイルが含まれる。コンピュータ可読媒体は、搬送波で具現化されてプロセッサによって実行可能な一連の命令を表すコンピュータデータ信号によって伝達されたコンピュータコードであってよい。
【0020】
図３は、ＡＬＤシステム１００を使用するプロセスの高レベルのフローチャートである。このプロセスは、抑制制御強化（ＩＣＥ）と呼ばれる場合がある。一実施形態では、基板支持体１０８上の基板１６０にギャップ充填が実施される。図４Ａは、スタック４００の下の基板１６０の一部の拡大断面図である。基板１６０上の層４０４が、１つ以上のフィーチャ４０８を有する。図面は、縮尺どおりに描かれていない場合がある。この実施形態では、フィーチャは、深さと最大幅との比が５０：１を超える高アスペクト比を有するフィーチャである。この例では、フィーチャ４０８は、フィーチャ４０８が狭くなるネック４１２を有する。加えて、フィーチャ４０８は、フィーチャ４０８が最も広い場所４１６において湾曲している。コンフォーマルな堆積により、湾曲部の場所４１６が充填される前にネック４１２が閉じ、フィーチャが充填された時にはボイドが形成される。
【0021】
この実施形態では、抑制剤堆積プロセスが提供される（工程３０４）。図５は、抑制剤堆積プロセス（工程３０４）のステップのより詳細なフローチャートである。抑制剤ガスが供給される（工程５０４）。抑制剤ガスは、プロセスチャンバ１０４内に流れ込む。この例では、切換マニホールド１２０は第１の位置に配置されている。切換マニホールド１２０の第１の位置では、抑制剤ガス源１３２は、ガス入口１１６と流体接続している。抑制剤ガスは、抑制剤ガス源１３２からガス入口１１６を通ってプロセスチャンバ１０４内に流れ込む。第１の位置では、前駆体ガス源１２４、反応ガス源１２８、パージガス源１３６、およびパッシベーションガス源１３８は、ガス入口１１６と流体接続されていない。この例では、抑制剤ガスは５～１０００ｓｃｃｍのヨウ素である。抑制剤ガスは抑制剤プラズマに形成される（工程５０８）。この例では、最初に、高周波励起電力が、１３．５６メガヘルツ（ＭＨｚ）の周波数で、２５０～６５００ワットの電力で供給される。バイアスが供給される（工程５１２）。この例では、第１の低周波バイアス電力が、４００ｋＨｚの周波数で、０～５０００ワットの電力で供給される。０．０５～５００秒後に、抑制剤堆積プロセスが停止される。
【0022】
図４Ｂは、抑制剤が適用されて抑制剤層４２０が形成された後の、基板１６０およびスタック４００の一部の拡大断面図である。抑制剤層４２０は大部分が、ネック４１２などの堆積が抑制されるべき領域に堆積されて、狭窄およびボイド形成が回避される。高周波励起電力および低周波バイアスを調整ノブとして使用して、抑制剤層がフィーチャ４０８の所望の部分に堆積されるように、選択された深さに抑制剤層４２０を選択的に堆積させてよい。加えて、抑制剤を適用する時間の長さを、追加の調整ノブとして使用してよい。
【0023】
抑制剤層４２０が堆積された後、原子層堆積プロセスが提供される（工程３０８）。この例では、原子層堆積プロセス（工程３０８）は、前駆体堆積プロセス（工程３１２）、第１のパージ（工程３１４）、反応物適用プロセス（工程３１６）、および第２のパージ（工程３１８）を含む。この例では、前駆体堆積プロセス（工程３１２）の間、切換マニホールド１２０は第２の位置に配置される。切換マニホールド１２０の第２の位置では、前駆体ガス源１２４が、ガス入口１１６と流体接続している。前駆体ガスは、前駆体ガス源１２４からガス入口１１６を通ってプロセスチャンバ１０４内に流れ込む。第２の位置では、抑制剤ガス源１３２、反応ガス源１２８、およびパージガス源１３６は、ガス入口１１６と流体接続されていない。この例では、前駆体ガスは、１００～１０００ｓｃｃｍの、Ｃ6Ｈ19Ｎ3Ｓｉなどのシリコン含有前駆体である。この例では、前駆体ガスはプラズマに形成されることはない。したがって、第２の高周波電力が、１３．５６ＭＨｚの周波数で、５００ワット未満の電力で供給される。この例では、この電力は０ワットなので、高周波電力は供給されない。この例では、低バイアスが供給される、またはバイアスは供給されない。その結果、第２の低周波バイアス電力が、４００ｋＨｚの周波数で、５００ワット未満の電力で供給される。０．０５～１０秒後、前駆体の適用が停止される。この例では、前駆体ガスの流れが停止される。
【0024】
前駆体ガスの流れが停止されると、パージガス源１３６がガス入口１１６に流体接続するような位置に切換マニホールド１２０を配置することによって、前駆体ガスの第１のパージが提供される（工程３１４）。パージガスは、パージガス源１３６からガス入口１１６を通ってプロセスチャンバ１０４内に流れ込む。抑制剤ガス源１３２、反応ガス源１２８、および前駆体ガス源１２４は、ガス入口１１６と流体接続していない。この例では、パージガスはＡｒであってよい。
【0025】
第１のパージを実施することにより前駆体ガスがパージされた後（工程３１４）、反応物が適用される（工程３１６）。反応ガスは、プロセスチャンバ１０４内に流れ込む。この例では、切換マニホールド１２０は第３の位置に配置されている。切換マニホールド１２０の第３の位置では、反応ガス源１２８が、ガス入口１１６と流体接続している。反応ガスは、反応ガス源１２８からガス入口１１６を通ってプロセスチャンバ１０４内に流れ込む。第３の位置では、前駆体ガス源１２４、抑制剤ガス源１３２、およびパージガス源１３６は、ガス入口１１６と流体接続されていない。この例では、反応ガスは２５０～２００００ｓｃｃｍの酸素（Ｏ2）の酸化性ガスである。反応ガスはプラズマに形成される。この例では、第３の高周波励起電力が、１３．５６ＭＨｚの周波数で、１２５～６５００ワットの電力で供給される。バイアスが供給される（工程５１２）。この例では、第３の低周波バイアス電力が、４００ｋＨｚの周波数で、２５～５０００ワットの電力で供給される。０．０５～１４０秒後、反応ガスの適用が停止される。
【0026】
反応ガスの流れが停止されると、反応ガスをパージするために第２のパージガスが供給される（工程３１８）。第２のパージガスは、第１のパージガスと同じであってもよく、または異なるパージガスであってよい。第２のパージガスが第１のパージガスと同じである場合、パージガス源１３６がガス入口１１６に流体接続するような位置に切換マニホールド１２０を配置することによって、第２のパージガスが供給される。第２のパージガスは、パージガス源１３６からガス入口１１６を通ってプロセスチャンバ１０４内に流れ込む。抑制剤ガス源１３２、反応ガス源１２８、および前駆体ガス源１２４は、ガス入口１１６と流体接続していない。第２のパージガスが第１のパージガスとは異なる場合、切換マニホールドは、別のパージガス源がガス入口１１６に流体接続されるような位置に配置される。
【0027】
原子層堆積プロセス（工程３０８）は、１つ以上のサイクルで実施されてよい。この例では、原子層堆積プロセス（工程３０８）は、１～６０サイクルにわたって実施される。図４Ｃは、原子層堆積プロセス（工程３０８）が完了した後の基板１６０およびスタック４００の一部の拡大断面図である。理解を促進するため、原子層堆積４２４は、実際のサイズよりも大きく示されている。図示するように、原子層堆積４２４は、抑制剤層４２０が堆積されている場所に堆積されない、または堆積量が少ない。抑制剤層４２０は、抑制剤層４２０が堆積されているフィーチャの部分上で原子層堆積を選択的に抑制する。
【0028】
この例では、ギャップ充填は完了していないので、プロセスは繰り返される（工程３２４）。残留した抑制剤層４２０を除去するために、パッシベーションプロセス（工程３２８）が提供される。この例では、切換マニホールド１２０は第４の位置に配置されている。切換マニホールド１２０の第４の位置では、パッシベーションガス源１３８が、ガス入口１１６と流体接続している。パッシベーションガスは、パッシベーションガス源１３８からガス入口１１６を通ってプロセスチャンバ１０４内に流れ込む。第４の位置では、前駆体ガス源１２４、反応ガス源１２８、抑制剤ガス源１３２、およびパージガス源１３６は、ガス入口１１６と流体接続されていない。一実施形態では、パッシベーションガスは酸素を含む。他の実施形態では、パッシベーションガスは、Ｏ2、Ｈ2、またはＨｅ若しくはＡｒなどの希ガス、のうちの１つ以上を含んでよい。パッシベーションガスはプラズマに形成される。この例では、第４の高周波励起電力が、１３．５６ＭＨｚの周波数、および２５０～６５００ワットの電力で供給される。バイアスが供給される。この例では、第４の低周波バイアス電力が、４００ｋＨｚの周波数、および０～５０００ワットの電力で供給される。次いで、パッシベーションプロセスは停止される。パッシベーションプロセスは、残留している抑制剤堆積を、原子層堆積４２４に対して選択的に除去する。
【0029】
別の抑制剤堆積プロセス（工程３０４）を実施することによって新しい抑制剤層が堆積される。抑制剤堆積プロセスは、異なるＨＦ ＲＦ電力とＬＦ ＲＦ電力を使用して繰り返される。図４Ｄは、抑制剤堆積プロセス（工程３０４）が完了した後の基板１６０およびスタック４００の一部の拡大断面図である。この例では、ＨＦ電力およびＬＦ電力は、抑制剤層４２８が以前の抑制剤層４２０ほどフィーチャ４０８内へと及ばないように調節される。これにより、原子層堆積がフィーチャ４０８を更に上まで堆積することが可能になる。
【0030】
ＡＬＤプロセス（工程３０８）が繰り返される。図４Ｅは、原子層堆積プロセス（工程３０８）が完了した後の基板１６０およびスタック４００の一部の拡大断面図である。原子層堆積４２４は、フィーチャ４０８の更に上まで延びている。
【0031】
いくつかの実施形態では、抑制剤堆積プロセス（工程３０４）、原子層堆積プロセス（工程３０８）、およびパッシベーションプロセス（工程３２８）のサイクルは１～２０００回にわたって繰り返される。図４Ｆは、ギャップ充填プロセスが完了した後の基板１６０およびスタック４００の一部の拡大断面図である。この実施形態では、抑制剤堆積物の使用と、ＬＦ ＲＦ信号電力およびＨＦ ＲＦ信号電力の調整が、ギャップ充填におけるボイドを防止するのに役立つ。追加のプロセスが、スタック４００に実施されてよい。
【0032】
切換マニホールド１２０は、抑制剤ガス、前駆体ガス、パージガス、および反応ガスのうちのいずれか２つが同時に流れることを防止する。抑制剤ガス源１３２と、前駆体ガスおよび反応ガスとは別個に抑制剤ガスを供給する切換マニホールド１２０とを提供することにより、抑制剤堆積が可能になる。様々な実施形態では、抑制剤ガスは、ヨウ素、塩素、三フッ化窒素（ＮＦ3）、ハロゲン化スルホニル、ジオール（すなわち、エタンジオール、エチレングリコール、プロパンジオールなど）、ジアミン（すなわち、エチレンジアミン、プロピレンジアミンなど）、アセチレンまたはエチレン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、ピリジン、ピペリジン、ピロール、ピリミジン、イミダゾール、またはベンゼンであってよい。加えて、低周波ＲＦおよび高周波ＲＦ構成は、堆積の抑制が望まれるフィーチャの領域に抑制剤堆積物が堆積されるように、抑制剤堆積物の場所を調整することを可能にする。切換マニホールド１２０は、ガス入口１１６が、前駆体ガス源１２４、反応ガス源１２８、パッシベーションガス源１３８、パージガス源１３６、および抑制剤ガス源１３２のうちの少なくとも２つに同時に流体接続されることを防止する。この実施形態では、切換マニホールド１２０が第５の位置に配置されると、第５の位置において、パージガス源１３６とガス入口１１６との間に流体接続が提供され、ガス入口１１６が、前駆体ガス源１２４、反応ガス源２３８、パッシベーションガス源２４８、および抑制剤ガス源１３２に流体接続されることが防止される。
【0033】
シャワーヘッド１１２を接地し、ＨＦ ＲＦ電力およびＬＦ ＲＦ電力を基板支持体１０８に供給することにより、抑制剤堆積物の場所の制御が改善されることが見出された。理論に拘束されるわけではないが、基板支持体へのバイアスの増加は、抑制剤層４２０のより深い堆積を生じさせると考えられている。これらの実施形態では、低周波数は１００ｋＨｚ～１ＭＨｚの範囲内にある。高周波数は１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内にある。したがって、選択的バイアスを使用して、抑制剤層４２０の深さの選択的堆積を制御してよい。
【0034】
複数の原子層堆積サイクルに使用されてよい抑制剤層４２０を提供し、パッシベーションプロセスを使用して残留している抑制剤層４２０を除去してから、新しい抑制剤層４２８を提供することにより、改善された調整プロセスが提供される。したがって、前駆体ガスを供給すること、パージガスを供給すること、反応ガスを供給すること、および抑制剤ガスを供給することとは別にパッシベーションガスを提供することにより、改善されたＡＬＤプロセスが提供される。
【0035】
上記の実施形態では、酸化ケイ素などの誘電体材料がギャップ充填プロセスで堆積される。他の実施形態では、金属酸化物などの他の材料は、ギャップ充填プロセスで堆積される。
【0036】
一実施形態では、加速制御増強（ＡＣＥ）を提供して、抑制剤堆積が実施された場所とは異なるフィーチャの領域への加速された堆積を可能にしてよい。加速堆積は、加速堆積が堆積される領域での堆積を加速することになる。
【0037】
図６は、化学蒸着（ＣＶＤ）システム６００の実施形態の概略図である。ＣＶＤシステム６００は、プロセスチャンバ６０４を備える。プロセスチャンバ６０４内には、基板支持体６０８がある。シャワーヘッド６１２が基板支持体６０８の上方に置かれている。シャワーヘッド６１２は接地されている。ガス入口６１６が、シャワーヘッド６１２を切換マニホールド６２０に接続している。切換マニホールド６２０は、ＣＶＤガス源６２４、抑制剤ガス源６３２、およびパッシベーションガス源６３８に接続されている。ＣＶＤガス源６２４は、ＣＶＤプロセス用に使用される１つ以上のガス源を含んでよい。切換マニホールド６２０は、１つ以上の弁に接続された１つ以上のマニホールドを備えてよい。排気システム６４０が、プロセスチャンバ６０４に流体接続して、プロセスチャンバ６０４からの排気ガスを排出し、チャンバ圧力を制御する。高周波（ＨＦ）無線周波数ＲＦ源６４４が、整合ネットワーク６４８を介して基板支持体６０８に電気的に接続されている。この実施形態では、ＨＦ ＲＦ源６４４は、１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を基板支持体６０８に供給する。低周波（ＬＦ）ＲＦ源６５２が、整合ネットワーク６４８を介して基板支持体６０８に電気的に接続されている。この実施形態では、ＬＦ源６５２は、１００ｋＨｚ～１ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を供給する。コントローラ６５６が、切換マニホールド６２０、排気システム６４０、ＨＦ ＲＦ源６４４、およびＬＦ ＲＦ源６５２に制御可能に接続されている。基板６６０が、基板支持体６０８上に配置される。
【0038】
図７は、ＣＶＤシステム６００を使用するプロセスの高レベルのフローチャートである。このプロセスは、抑制制御強化（ＩＣＥ）と呼ばれる場合がある。一実施形態では、基板支持体６０８上の基板６６０にギャップ充填が実施される。抑制剤堆積が実施される（工程７０４）。この例では、抑制剤層はフィーチャの最も狭い部分に堆積される。化学蒸着により、化学蒸着層が堆積される（工程７０８）。この実施形態では、抑制剤堆積により、化学蒸着層は、選択的に、抑制剤層がないフィーチャの領域上よりも、抑制剤層のあるフィーチャの領域上に、より少なく堆積される。
【0039】
フィーチャが完全には充填されていない場合、プロセスが繰り返されてよい（工程７２４）。この実施形態では、パッシベーション工程（工程７２８）を使用して、残留した抑制剤層が除去される。別の抑制剤を堆積するために、別の抑制剤堆積が実施される（工程７０４）。別のＣＶＤプロセスが実施されて（工程７０８）フィーチャを充填し続ける。ＣＶＤプロセスは、抑制剤層を有する領域上に、選択的に、より少なく堆積する。
【0040】
第１の位置にある切換マニホールド６２０は、抑制剤ガス源６３２とガス入口６１６との間に流体接続を提供し、第２の位置にある切換マニホールド６２０は、化学蒸着ガス源６２４とガス入口６１６との間に流体接続を提供し、第３の位置にある切換マニホールドは、パッシベーションガス源６３８とガス入口６１６との間に流体接続を提供し、切換マニホールド６２０は、ガス入口６１６が、化学蒸着ガス源６２４、パッシベーションガス源６３８、および抑制剤ガス源６３２のうちの少なくとも２つに同時に流体接続されることを防止する。
【0041】
この実施形態では、コントローラ６５６は、少なくとも１つのプロセッサおよびコンピュータ可読媒体を備える。コンピュータ可読媒体は、複数のサイクルを提供するためのコンピュータコードであって、各サイクルが、切換マニホールド６２０を第１の位置に配置することを含む、抑制剤堆積を実施することと、切換マニホールド６２０を第２の位置に配置することを含む、化学蒸着を実施することと、を含む、コンピュータコードと；切換マニホールド６２０を第３の位置に配置することを含む、パッシベーションを実施するためのコンピュータコードと；を含む。この実施形態では、コントローラ６５６は、高周波ＲＦ源６４４および低周波ＲＦ源６５２に制御可能に接続されている。コンピュータ可読媒体は、切換マニホールド６２０が第１の位置に配置された時に、第１の高周波励起電力および第１の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、切換マニホールド６２０が第２の位置に配置された時に、第２の高周波励起電力および第２の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、切換マニホールド６２０が第３の位置に配置された時に、第３の高周波励起電力および第３の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、を更に含む。この実施形態では、コンピュータ可読媒体は、切換マニホールド６２０が第１の位置に配置された時に、第１の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードを更に含み、第１の高周波励起電力は２５０ワットを超える。
【0042】
本開示は、いくつかの好ましい実施形態に関して記載されてきたが、本開示の範囲内にある変更、修正、置換、および様々な代替的同等物が存在する。本開示の方法および装置を実現する多くの代替方法が存在することにも留意すべきである。したがって、以下に添付する特許請求の範囲は、本開示の真の趣旨および範囲に含まれるような、そのような変更、修正、置換、および様々な代替同等物の全てを含むと解釈されることを意図している。本開示は、以下の形態により実現されてもよい。
［形態１］
装置であって、
プロセスチャンバと、
前駆体ガス源と、
反応ガス源と、
抑制剤ガス源と、
パッシベーションガス源と、
前記プロセスチャンバと流体接続しているガス入口と、
切換マニホールドであって、第１の位置にある前記切換マニホールドは、前記抑制剤ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第２の位置にある前記切換マニホールドは、前記前駆体ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第３の位置にある前記切換マニホールドは、前記反応ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第４の位置にある前記切換マニホールドは、前記パッシベーションガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、前記切換マニホールドは、前記ガス入口が、前記前駆体ガス源、前記反応ガス源、前記パッシベーションガス源、および前記抑制剤ガス源のうちの少なくとも２つに同時に流体接続されることを防止する、切換マニホールドと、
前記切換マニホールドに制御可能に接続されたコントローラと、を備える装置。
［形態２］
形態１に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバ内の基板支持体と、
前記ガス入口と流体接続している、前記プロセスチャンバ内のシャワーヘッドと、を更に備える、装置。
［形態３］
前記シャワーヘッドは、前記基板支持体の上方に配置され、かつ接地されている、形態２に記載の装置。
［形態４］
形態３に記載の装置であって、
前記基板支持体に電気的に接続された低周波ＲＦ源であって、
１００ｋＨｚ～１ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を前記基板支持体に供給する、低周波ＲＦ源と、
前記基板支持体に電気的に接続された高周波ＲＦ源であって、
１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を前記基板支持体に供給する、高周波ＲＦ源と、を更に備える、装置。
［形態５］
形態４に記載の装置であって、
前記コントローラは、
少なくとも１つのプロセッサと、
複数のサイクルを実施するためのコンピュータコードを含むコンピュータ可読媒体と、
を備え、
前記サイクルの各々は、
前記切換マニホールドを前記第１の位置に配置することを含む、抑制剤堆積を実施することと、
前記切換マニホールドを前記第２の位置に配置すること、および前記切換マニホールドを前記第３の位置に配置することを含む、少なくとも１つの原子層堆積サイクルを実施することと、を含む、装置。
［形態６］
形態５に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記高周波ＲＦ源および前記低周波ＲＦ源に制御可能に接続され、
前記コンピュータ可読媒体は、
前記切換マニホールドが前記第１の位置に配置された時に、第１の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第１の位置に配置された時に、第１の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第２の位置に配置された時に、第２の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第２の位置に配置された時に、第２の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第３の位置に配置された時に、第３の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第３の位置に配置された時に、第３の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
を更に含む、装置。
［形態７］
形態６に記載の装置であって、
前記第２の高周波励起電力は５００ワット未満であり、前記第２の低周波バイアス電力は５００ワット未満であり、前記第３の高周波励起電力は１２５ワットを超え、前記第３の低周波バイアス電力は２５ワットを超える、装置。
［形態８］
形態７に記載の装置であって、
前記第１の高周波励起電力は２５０ワットを超える、装置。
［形態９］
形態８に記載の装置であって、
複数のサイクルを実施するための前記コンピュータコードは、前記切換マニホールドを第４の位置に配置することを更に含み、前記コンピュータ可読媒体は、前記切換マニホールドが前記第４の位置に配置された時に、第４の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードを更に含み、前記第４の高周波励起電力は２５０ワットを超える、装置。
［形態１０］
形態１に記載の装置であって、
前記前駆体ガス源は、シリコン含有前駆体を供給し、前記反応ガス源は、酸化性ガスを供給する、装置。
［形態１１］
形態１に記載の装置であって、
前記切換マニホールドに流体接続されたパージガス源を更に備え、前記第１の位置、前記第２の位置、前記第３の位置、および前記第４の位置において、前記切換マニホールドは、前記パージガス源が前記ガス入口に流体接続されることを防止し、前記切換マニホールドは第５の位置を有し、前記第５の位置は、前記パージガス源と前記ガス入口との間の流体接続を提供し、前記ガス入口が、前記前駆体ガス源、前記反応ガス源、前記パッシベーションガス源、および前記抑制剤ガス源に流体接続されることを防止する、装置。
［形態１２］
基板内のフィーチャを充填するための方法であって、
ａ）前記フィーチャの選択された深さに抑制剤層を選択的に堆積させる工程と、
ｂ）原子層堆積プロセスまたは化学蒸着プロセスを実施して、前記フィーチャ内に堆積層を堆積させる工程であって、
前記堆積層は、前記抑制剤層が堆積されている前記フィーチャの部分上で選択的に抑制される、工程と、を含む方法。
［形態１３］
形態１２に記載の方法であって、
前記工程ａおよび前記工程ｂを繰り返すことを更に含む、方法。
［形態１４］
形態１２に記載の方法であって、
前記工程ｂの後に、ｃ）パッシベーションプロセスを実施する工程を更に含み、前記パッシベーションプロセスは、残留している抑制剤層を除去し、次いで前記工程ａおよび前記工程ｂを繰り返す、方法。
［形態１５］
形態１２に記載の方法であって、
前記抑制剤層を選択的に堆積させる前記工程は、
抑制剤ガスを流す工程と、
前記抑制剤ガスを抑制剤プラズマに変換する工程と、
前記抑制剤ガスの流れを停止させる工程と、
を含む、方法。
［形態１６］
形態１５に記載の方法であって、
前記抑制剤層を選択的に堆積させる前記工程は、選択的バイアスを印加することを更に含む、方法。
［形態１７］
装置であって、
プロセスチャンバと、
化学蒸着ガス源と、
抑制剤ガス源と、
パッシベーションガス源と、
前記プロセスチャンバと流体接続しているガス入口と、
切換マニホールドであって、第１の位置にある前記切換マニホールドは、前記抑制剤ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第２の位置にある前記切換マニホールドは、前記化学蒸着ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第３の位置にある前記切換マニホールドは、前記パッシベーションガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、前記切換マニホールドは、前記ガス入口が、前記化学蒸着ガス源、前記パッシベーションガス源、および前記抑制剤ガス源のうちの少なくとも２つに同時に流体接続されることを防止する、切換マニホールドと、
前記切換マニホールドに制御可能に接続されたコントローラと、
を備える装置。
［形態１８］
形態１７に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバ内の基板支持体と、
前記ガス入口に流体接続している、前記プロセスチャンバ内のシャワーヘッドと、を更に備える、装置。
［形態１９］
形態１８に記載の装置であって、
前記シャワーヘッドは、前記基板支持体の上方に配置され、前記シャワーヘッドは接地されている、装置。
［形態２０］
形態１９に記載の装置であって、
前記基板支持体に電気的に接続された低周波ＲＦ源であって、
１００ｋＨｚ～１ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を前記基板支持体に供給する、低周波ＲＦ源と、
前記基板支持体に電気的に接続された高周波ＲＦ源であって、
１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を前記基板支持体に供給する、高周波ＲＦ源と、
を更に備える、装置。
［形態２１］
形態２０に記載の装置であって、
前記コントローラは、
少なくとも１つのプロセッサと、
コンピュータ可読媒体と、を備え、
前記コンピュータ可読媒体は、
複数のサイクルを実施するためのコンピュータコードを含み、
前記サイクルの各々は、
前記切換マニホールドを前記第１の位置に配置することを含む、抑制剤堆積を実施することと、
前記切換マニホールドを前記第２の位置に配置することを含む、化学蒸着を実施することと、
前記切換マニホールドを第３の位置に配置することを含む、パッシベーションを実施することと、
を含む、装置。
［形態２２］
形態２１に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記高周波ＲＦ源および前記低周波ＲＦ源に制御可能に接続され、
前記コンピュータ可読媒体は、
前記切換マニホールドが前記第１の位置に配置された時に、第１の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第１の位置に配置された時に、第１の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第２の位置に配置された時に、第２の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第２の位置に配置された時に、第２の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第３の位置に配置された時に、第３の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第３の位置に配置された時に、第３の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
を更に含む、装置。
［形態１］
装置であって、
プロセスチャンバと、
前駆体ガス源と、
反応ガス源と、
抑制剤ガス源と、
パッシベーションガス源と、
前記プロセスチャンバと流体接続しているガス入口と、
切換マニホールドであって、第１の位置にある前記切換マニホールドは、前記抑制剤ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第２の位置にある前記切換マニホールドは、前記前駆体ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第３の位置にある前記切換マニホールドは、前記反応ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第４の位置にある前記切換マニホールドは、前記パッシベーションガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、前記切換マニホールドは、前記ガス入口が、前記前駆体ガス源、前記反応ガス源、前記パッシベーションガス源、および前記抑制剤ガス源のうちの少なくとも２つに同時に流体接続されることを防止する、切換マニホールドと、
前記切換マニホールドに制御可能に接続されたコントローラと、を備える装置。
［形態２］
形態１に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバ内の基板支持体と、
前記ガス入口と流体接続している、前記プロセスチャンバ内のシャワーヘッドと、を更に備える、装置。
［形態３］
前記シャワーヘッドは、前記基板支持体の上方に配置され、かつ接地されている、形態２に記載の装置。
［形態４］
形態３に記載の装置であって、
前記基板支持体に電気的に接続された低周波ＲＦ源であって、
１００ｋＨｚ～１ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を前記基板支持体に供給する、低周波ＲＦ源と、
前記基板支持体に電気的に接続された高周波ＲＦ源であって、
１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を前記基板支持体に供給する、高周波ＲＦ源と、を更に備える、装置。
［形態５］
形態４に記載の装置であって、
前記コントローラは、
少なくとも１つのプロセッサと、
複数のサイクルを実施するためのコンピュータコードを含むコンピュータ可読媒体と、
を備え、
前記サイクルの各々は、
前記切換マニホールドを前記第１の位置に配置することを含む、抑制剤堆積を実施することと、
前記切換マニホールドを前記第２の位置に配置すること、および前記切換マニホールドを前記第３の位置に配置することを含む、少なくとも１つの原子層堆積サイクルを実施することと、を含む、装置。
［形態６］
形態５に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記高周波ＲＦ源および前記低周波ＲＦ源に制御可能に接続され、
前記コンピュータ可読媒体は、
前記切換マニホールドが前記第１の位置に配置された時に、第１の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第１の位置に配置された時に、第１の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第２の位置に配置された時に、第２の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第２の位置に配置された時に、第２の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第３の位置に配置された時に、第３の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第３の位置に配置された時に、第３の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
を更に含む、装置。
［形態７］
形態６に記載の装置であって、
前記第２の高周波励起電力は５００ワット未満であり、前記第２の低周波バイアス電力は５００ワット未満であり、前記第３の高周波励起電力は１２５ワットを超え、前記第３の低周波バイアス電力は２５ワットを超える、装置。
［形態８］
形態７に記載の装置であって、
前記第１の高周波励起電力は２５０ワットを超える、装置。
［形態９］
形態８に記載の装置であって、
複数のサイクルを実施するための前記コンピュータコードは、前記切換マニホールドを第４の位置に配置することを更に含み、前記コンピュータ可読媒体は、前記切換マニホールドが前記第４の位置に配置された時に、第４の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードを更に含み、前記第４の高周波励起電力は２５０ワットを超える、装置。
［形態１０］
形態１に記載の装置であって、
前記前駆体ガス源は、シリコン含有前駆体を供給し、前記反応ガス源は、酸化性ガスを供給する、装置。
［形態１１］
形態１に記載の装置であって、
前記切換マニホールドに流体接続されたパージガス源を更に備え、前記第１の位置、前記第２の位置、前記第３の位置、および前記第４の位置において、前記切換マニホールドは、前記パージガス源が前記ガス入口に流体接続されることを防止し、前記切換マニホールドは第５の位置を有し、前記第５の位置は、前記パージガス源と前記ガス入口との間の流体接続を提供し、前記ガス入口が、前記前駆体ガス源、前記反応ガス源、前記パッシベーションガス源、および前記抑制剤ガス源に流体接続されることを防止する、装置。
［形態１２］
基板内のフィーチャを充填するための方法であって、
ａ）前記フィーチャの選択された深さに抑制剤層を選択的に堆積させる工程と、
ｂ）原子層堆積プロセスまたは化学蒸着プロセスを実施して、前記フィーチャ内に堆積層を堆積させる工程であって、
前記堆積層は、前記抑制剤層が堆積されている前記フィーチャの部分上で選択的に抑制される、工程と、を含む方法。
［形態１３］
形態１２に記載の方法であって、
前記工程ａおよび前記工程ｂを繰り返すことを更に含む、方法。
［形態１４］
形態１２に記載の方法であって、
前記工程ｂの後に、ｃ）パッシベーションプロセスを実施する工程を更に含み、前記パッシベーションプロセスは、残留している抑制剤層を除去し、次いで前記工程ａおよび前記工程ｂを繰り返す、方法。
［形態１５］
形態１２に記載の方法であって、
前記抑制剤層を選択的に堆積させる前記工程は、
抑制剤ガスを流す工程と、
前記抑制剤ガスを抑制剤プラズマに変換する工程と、
前記抑制剤ガスの流れを停止させる工程と、
を含む、方法。
［形態１６］
形態１５に記載の方法であって、
前記抑制剤層を選択的に堆積させる前記工程は、選択的バイアスを印加することを更に含む、方法。
［形態１７］
装置であって、
プロセスチャンバと、
化学蒸着ガス源と、
抑制剤ガス源と、
パッシベーションガス源と、
前記プロセスチャンバと流体接続しているガス入口と、
切換マニホールドであって、第１の位置にある前記切換マニホールドは、前記抑制剤ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第２の位置にある前記切換マニホールドは、前記化学蒸着ガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、第３の位置にある前記切換マニホールドは、前記パッシベーションガス源と前記ガス入口との間に流体接続を提供し、前記切換マニホールドは、前記ガス入口が、前記化学蒸着ガス源、前記パッシベーションガス源、および前記抑制剤ガス源のうちの少なくとも２つに同時に流体接続されることを防止する、切換マニホールドと、
前記切換マニホールドに制御可能に接続されたコントローラと、
を備える装置。
［形態１８］
形態１７に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバ内の基板支持体と、
前記ガス入口に流体接続している、前記プロセスチャンバ内のシャワーヘッドと、を更に備える、装置。
［形態１９］
形態１８に記載の装置であって、
前記シャワーヘッドは、前記基板支持体の上方に配置され、前記シャワーヘッドは接地されている、装置。
［形態２０］
形態１９に記載の装置であって、
前記基板支持体に電気的に接続された低周波ＲＦ源であって、
１００ｋＨｚ～１ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を前記基板支持体に供給する、低周波ＲＦ源と、
前記基板支持体に電気的に接続された高周波ＲＦ源であって、
１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号を前記基板支持体に供給する、高周波ＲＦ源と、
を更に備える、装置。
［形態２１］
形態２０に記載の装置であって、
前記コントローラは、
少なくとも１つのプロセッサと、
コンピュータ可読媒体と、を備え、
前記コンピュータ可読媒体は、
複数のサイクルを実施するためのコンピュータコードを含み、
前記サイクルの各々は、
前記切換マニホールドを前記第１の位置に配置することを含む、抑制剤堆積を実施することと、
前記切換マニホールドを前記第２の位置に配置することを含む、化学蒸着を実施することと、
前記切換マニホールドを第３の位置に配置することを含む、パッシベーションを実施することと、
を含む、装置。
［形態２２］
形態２１に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記高周波ＲＦ源および前記低周波ＲＦ源に制御可能に接続され、
前記コンピュータ可読媒体は、
前記切換マニホールドが前記第１の位置に配置された時に、第１の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第１の位置に配置された時に、第１の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第２の位置に配置された時に、第２の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第２の位置に配置された時に、第２の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第３の位置に配置された時に、第３の高周波励起電力を供給するためのコンピュータコードと、
前記切換マニホールドが前記第３の位置に配置された時に、第３の低周波バイアス電力を供給するためのコンピュータコードと、
を更に含む、装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図5】
【図6】
【図7】