特許 7595198 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-27

(45)【発行日】2024-12-05

(54)【発明の名称】太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/0236 20060101AFI20241128BHJP

   H01L 31/0745 20120101ALN20241128BHJP

【ＦＩ】

H01L31/04 280

H01L31/06 450

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2024002084

(22)【出願日】2024-01-10

【審査請求日】2024-02-05

(31)【優先権主張番号】202311297963.8

(32)【優先日】2023-10-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】522171073

【氏名又は名称】晶科能源（海▲寧▼）有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100199819

【弁理士】

【氏名又は名称】大行 尚哉

(74)【代理人】

【識別番号】100087859

【弁理士】

【氏名又は名称】渡辺 秀治

(72)【発明者】

【氏名】張彼克

(72)【発明者】

【氏名】張博

(72)【発明者】

【氏名】金井昇

(72)【発明者】

【氏名】徐夢微

(72)【発明者】

【氏名】チン カ ニ

【審査官】佐竹 政彦

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２２／２１１７２９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１３／０９８９５５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１５／１２２２５７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－１２９５１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０２８２９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－１８５６２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２３－０２４２０４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３１／０２３６

Ｈ０１Ｌ ３１／０４－３１／０７８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

初期Ｎ型シリコン基板を提供し、前記初期Ｎ型シリコン基板は対向する第１面と第２面を備えることと、
前記第１面と前記第２面の両方にピラミッド構造を形成するように、前記初期Ｎ型シリコン基板に対してテクスチャ形成処理を行うことと、
初期溝を形成するように、第１エッチング工程で前記第２面をエッチングすることと、
第２エッチング工程で前記第２面をエッチングし続け、前記初期溝の寸法を増やし、これによって、溝を備えたＮ型シリコン基板を形成し、且つ、一部の前記溝が同じ方向に沿って順次配列され、ここで、前記第１エッチング工程による前記第２面のエッチング速度が前記第２エッチング工程による前記第２面のエッチング速度よりも小さく、前記ピラミッド構造が形成された前記第１面を前記Ｎ型シリコン基板の前面とし、前記第１エッチング工程と前記第２エッチング工程で処理された前記第２面を前記Ｎ型シリコン基板の裏面とすることと、
前記裏面から離れた方向において、前記裏面にトンネル誘電体層及びドーピング導電層を順次形成することと、を含む、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。

【請求項2】

前記第１エッチング工程で前記第２面をエッチングすることは、前記初期Ｎ型シリコン基板を第１エッチング液に浸すことを含み、
前記第２エッチング工程で前記第２面をエッチングし続けることは、前記初期Ｎ型シリコン基板を第２エッチング液に浸すことを含み、
ここで、前記第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、前記第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項3】

前記第１エッチング液と前記第２エッチング液には、いずれも保護剤が含まれており、且つ、前記保護剤は、前記第１エッチング液における質量分率が前記第２エッチング液における質量分率よりも小さい、
ことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項4】

前記第１エッチング工程で前記第２面をエッチングする時の周囲温度を第１温度とし、前記第２エッチング工程で前記第２面をエッチングする時の周囲温度を第２温度とし、前記第１温度は、前記第２温度よりも低い、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項5】

前記第１エッチング工程による前記第２面のエッチング時間を第１時間とし、前記第２エッチング工程による前記第２面のエッチング時間を第２時間とし、前記第１時間は、前記第２時間以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施例は、太陽電池の分野に関し、特に、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールに関するものである。

【背景技術】

【0002】

現在、化石エネルギーの漸進的な枯渇に伴い、太陽電池は、新エネルギーの代替品として、ますます広く使用されている。太陽電池は、太陽の光エネルギーを電気エネルギーに変換する装置である。太陽電池は光起電力の原理を利用してキャリアを生じさせ、そして、電極を使ってキャリアを引き出し、電気エネルギーの効果的な利用に役立つ。

【0003】

現在の太陽電池には、主にＩＢＣ（インターディジティテッドバックコンタクト、Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ Ｂａｃｋ Ｃｏｎｔａｃｔ）セル、ＴＯＰＣＯＮ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｏｘｉｄｅ Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ、トンネル酸化膜パッシベーションコンタクト）セル、ＰＥＲＣ（裏面不動態型セル、Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ ｅｍｉｔｔｅｒ ａｎｄ ｒｅａｌ ｃｅｌｌ）セル及びヘテロ接合型セルなどが含まれている。

【0004】

しかしながら、太陽電池の光電変換効率を向上させるために、太陽電池におけるフィルム層の表面形態について、さらなる検討が必要である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本願実施例には、少なくとも、Ｎ型シリコン基板の裏面の形態を変更することで太陽電池の光電変換効率を向上させることに有利である太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールが提供される。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本願のいくつかの実施例によれば、本願実施例の一態様では、太陽電池が提供され、この太陽電池は、対向している前面と裏面とを備えたＮ型シリコン基板と、前記前面に位置するパッシベーション層と、前記裏面に位置するトンネル誘電体層と、前記トンネル誘電体層に位置するドーピング導電層と、を含み、前記前面が複数のピラミッド構造を備え、前記裏面が複数の溝を備え、一部の前記溝が同じ方向に沿って順次配列されている。

【0007】

いくつかの実施例では、複数の前記溝は、Ｎ個の溝群を含み、いずれかの前記溝群は、同じ方向に沿って順次配列された複数の前記溝を含み、且つ、異なる前記溝群における複数の前記溝の配列方向は、同じであるか、または、異なっており、Ｎが２以上の正整数である。

【0008】

いくつかの実施例では、隣接する前記溝群の間に間隔があり、及び／又は、隣接する前記溝群における少なくとも一部の前記溝の間には、重複領域がある。

【0009】

いくつかの実施例では、少なくとも一部の隣接する前記溝の間に間隔があり、及び／又は、少なくとも一部の隣接する前記溝の間には、重複領域がある。

【0010】

いくつかの実施例では、前記裏面から離れた方向において、前記溝は、対向して設置された底面及び上部開口と、前記底面と前記上部開口の間に位置する側壁と、を備え、前記底面の前記Ｎ型シリコン基板における正投影の面積が前記上部開口の前記Ｎ型シリコン基板における正投影の面積よりも小さい。

【0011】

いくつかの実施例では、前記溝の前記Ｎ型シリコン基板における正投影の形状は、Ｍ角形であり、Ｍは３以上の正整数である。

【0012】

いくつかの実施例では、前記裏面から離れた方向において、前記溝は、上部開口を備え、前記上部開口の１次元寸法は、１μｍ～２０μｍである。

【0013】

いくつかの実施例では、前記裏面における前記溝の分布密度は、１，０００個／ｍｍ^２～５０，０００個／ｍｍ^２である。

【0014】

いくつかの実施例では、前記裏面から離れた方向において、前記溝の深さの最大値は、５０ｎｍ～２，０００ｎｍである。

【0015】

いくつかの実施例では、前記ドーピング導電層は、Ｎ型ドーピング元素を備え、且つ前記ドーピング導電層は、前記トンネル誘電体層の前記Ｎ型シリコン基板から離れた表面を覆っている。

【0016】

いくつかの実施例では、前記ドーピング導電層は、Ｐ型ドーピング元素を備え、且つ前記ドーピング導電層は、前記トンネル誘電体層の前記Ｎ型シリコン基板から離れた表面を覆っている。

【0017】

いくつかの実施例では、前記ドーピング導電層は、互いに間隔をあけて設置された第１部分及び第２部分を含み、前記第１部分と前記第２部分のうちの一方が前記Ｎ型シリコン基板と同じ導電型のドーピング元素を備え、他方が前記Ｎ型シリコン基板と異なった導電型のドーピング元素を備える。

【0018】

本願のいくつかの実施例によれば、本願実施例の別の態様では、太陽電池の製造方法が提供され、この太陽電池の製造方法は、初期Ｎ型シリコン基板を提供し、前記初期Ｎ型シリコン基板は対向する第１面と第２面を備えることと、前記第１面と前記第２面の両方にピラミッド構造を形成するように、前記初期Ｎ型シリコン基板に対してテクスチャ形成処理を行うことと、初期溝を形成するように、第１エッチング工程で前記第２面をエッチングすることと、第２エッチング工程で前記第２面をエッチングし続け、前記初期溝の寸法を増やし、これによって、溝を備えたＮ型シリコン基板を形成し、且つ、一部の前記溝が同じ方向に沿って順次配列され、ここで、前記第１エッチング工程による前記第２面のエッチング速度が前記第２エッチング工程による前記第２面のエッチング速度よりも小さく、前記ピラミッド構造が形成された前記第１面を前記Ｎ型シリコン基板の前面とし、前記第１エッチング工程と前記第２エッチング工程で処理された前記第２面を前記Ｎ型シリコン基板の裏面とすることと、前記裏面から離れた方向において、前記裏面にトンネル誘電体層及びドーピング導電層を順次形成することと、を含む。

【0019】

いくつかの実施例では、前記第１エッチング工程で前記第２面をエッチングすることは、前記初期Ｎ型シリコン基板を第１エッチング液に浸すことを含み、前記第２エッチング工程で前記第２面をエッチングし続けることは、前記初期Ｎ型シリコン基板を第２エッチング液に浸すことを含み、ここで、前記第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、前記第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率以下である。

【0020】

いくつかの実施例では、前記第１エッチング液と前記第２エッチング液には、いずれも保護剤が含まれており、且つ、前記保護剤は、前記第１エッチング液における質量分率が前記第２エッチング液における質量分率よりも小さい。

【0021】

いくつかの実施例では、前記第１エッチング工程で前記第２面をエッチングする時の周囲温度を第１温度とし、前記第２エッチング工程で前記第２面をエッチングする時の周囲温度を第２温度とし、前記第１温度は、前記第２温度よりも低い。

【0022】

いくつかの実施例では、前記第１エッチング工程による前記第２面のエッチング時間を第１時間とし、前記第２エッチング工程による前記第２面のエッチング時間を第２時間とし、前記第１時間は、前記第２時間以上である。

【0023】

本願のいくつかの実施例によれば、本願実施例の別の態様では、光起電力モジュールが提供され、この光起電力モジュールは、複数の上記実施例のいずれかの太陽電池又は上記実施例のいずれかの太陽電池の製造方法で製造された複数の太陽電池を接続してなるセルストリングと、前記セルストリングの表面を覆うための封止用接着フィルムと、前記封止用接着フィルムの前記セルストリングから離れた表面を覆うためのカバープレートと、を含む。

【発明の効果】

【0024】

本願実施例に提供された技術案は、少なくとも以下の利点を有する。

【0025】

Ｎ型シリコン基板では、前面が代表的なピラミッド構造を備えていることと異なり、裏面は、水平面より突出したピラミッド構造を備えておらず、水平面より凹んだ複数の溝を備えている。このように、複数の溝を備えた裏面は、頂部が鋭いピラミッド構造に比べて、より平坦であり、裏面に形成されたトンネル誘電体層とドーピング導電層のフィルム層均一性を高め、Ｎ型シリコン基板に対するパッシベーション効果を向上させることに寄与する。一方、複数の溝を備えた裏面は、Ｎ型シリコン基板の比表面積を高め、トンネル誘電体層とドーピング導電層の比表面積を向上させ、電極とドーピング導電層及びトンネル誘電体層との接触面積を高め、電極とドーピング導電層及びトンネル誘電体層との接触抵抗を下げ、電極のキャリアに対する収集効率を向上させることに寄与する。これにより、両方を組み合わせて、太陽電池の短絡電圧と太陽電池の光電変換効率の向上に役立つ。

【図面の簡単な説明】

【0026】

一つ又は複数の実施例は、対応する添付の図面における図で例示的に説明されるが、これらの例示的な説明は、実施例を限定するものではなく、添付の図面において同じ符号で示す部品は類似する部品であり、特に断りのない限り、添付の図面における図は縮尺に制限されない。本開示の実施例又は従来技術における技術案をより明確に説明するために、以下、実施例に使用する必要がある図面を簡単に紹介するが、明らかに、以下に記載される図面は本開示のいくつかの実施形態に過ぎず、当業者にとっては、創造的な労働をしなくても、これらの図面に基づいて他の図面を得ることができる。

【図1】図１は、本願の一実施例で提供された太陽電池の局所断面構造を示す図である。

【図2】図２は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の裏面の電子顕微鏡模式図である。

【図3】図３は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の裏面の別の電子顕微鏡模式図である。

【図4】図４は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の裏面の別の電子顕微鏡模式図である。

【図5】図５は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の裏面の別の電子顕微鏡模式図である。

【図6】図６は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の局所断面構造を示す図である。

【図7】図７は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板における単一の溝の局所断面構造を示す図である。

【図8】図８は、本願の一実施例で提供された単一の溝における上部開口の上面視構造を示す図である。

【図9】図９は、本願の一実施例で提供された単一の溝における上部開口の他の上面視構造を示す図である。

【図10】図１０は、本願の一実施例で提供された太陽電池の別の局所断面構造を示す図である。

【図11】図１１は、本願の一実施例で提供された太陽電池の別の局所断面構造を示す図である。

【図12】図１２は、本願の別の実施例で提供された初期Ｎ型シリコン基板の局所断面構造を示す図である。

【図13】図１３は、本願の別の実施例で提供されたテクスチャ形成処理後の初期Ｎ型シリコン基板の局所断面構造を示す図である。

【図14】図１４は、本願の別の実施例で提供された第１エッチング工程による第２面エッチング後の初期Ｎ型シリコン基板の局所断面構造を示す図である。

【図15】図１５は、本願の別の実施例で提供された光起電力モジュールの構造を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

背景技術から分かるように、太陽電池の光電変換効率は、さらに向上する必要がある。

【0028】

分析によると、Ｎ型ＴＯＰＣｏｎ結晶シリコン太陽電池の裏面にトンネル酸化層と高濃度ドーピングＮ型多結晶シリコン層を設置し、トンネル酸化パッシベーションコンタクト構造を形成していることがわかった。そのフィルム層構造のパッシベーション性能と金属電極コンタクト効果は、基板構造の裏面に大きく依存しており、現在、基板構造の裏面には、主にテクスチャ形成面、酸研磨面及びアルカリ研磨面などの形態が含まれ、これらの形態には、それぞれ下記の問題がある。

【0029】

テクスチャ形成面の場合、テクスチャ形成面は、比表面積が大きく、この優れた形態特徴によって、電極ペーストが焼結されやすく、電極と基板構造が良好なオーミック接触を形成しているため、テクスチャ形成面は、電極と基板構造の接触抵抗率を下げる上で大きな優位性を持っている。しかし、テクスチャ形成面の比表面積が大きいと、基板構造の裏面の再結合サイトの数が多くなることを招きやすく、即ちキャリアに多くの再結合中心を与えて電極のキャリアに対する収集効率が低下することを招くとともに、トンネル酸化層がテクスチャ形成面上に均一に分布しにくくなり、裏面のパッシベーション効果が悪くなることを招く。

【0030】

酸研磨面の場合、フッ化水素酸と硝酸の混合酸でテクスチャ形成面を処理し、上部が研磨されたピラミッド近似構造を形成し、ある程度で比表面積を下げてパッシベーション効果を高めているが、電極と基板構造の接触抵抗率が明らかに上昇するようになるとともに、酸類の高いコストによってそのさらなる普及が制限されている。

【0031】

アルカリ研磨面の場合、アルカリ性研磨液で、テクスチャ形成面の裏面のピラミッド構造を除去し、方形の織り目構造を形成し、比表面積が著しく低下しているが、その超高いバックパッシベーション効果は、接触抵抗率が低下する劣位性をある程度で補っており、アルカリ研磨面に関する電極ペーストの開発に伴って、裏面接触の劣位性のさらなる緩和が認められている。しかし、如何にしてバックパッシベーション性能を両立する上で、裏面の形態を一層最適化して電極と基板構造との接触性能を向上させることかは、早急に解決すべき問題である。

【0032】

本願は、太陽電池及びその製造方法、光起電力素子を提供している。太陽電池では、複数の小さな溝を備えた裏面は、頂部が鋭いピラミッド構造に比べて、より平坦であり、裏面に形成されたトンネル誘電体層とドーピング導電層のフィルム層均一性を向上させ、Ｎ型シリコン基板に対するパッシベーション効果を高めることに寄与する一方、複数の溝を備えた裏面は、Ｎ型シリコン基板の比表面積を高め、トンネル誘電体層とドーピング導電層の比表面積を向上させ、電極とドーピング導電層及びトンネル誘電体層との接触面積を増やし、電極とドーピング導電層及びトンネル誘電体層との接触抵抗を下げ、電極のキャリアに対する収集効率を高めることに寄与する。これにより、両方を組み合わせて、太陽電池の短絡電圧と太陽電池の光電変換効率の向上に役立つ。

【0033】

以下、本願の各実施例について図面を結合して詳細に説明する。しかしながら、当業者は理解できるが、読者に本願をよりよく理解させるために、本願の各実施例において多数の技術的細部が提案されているが、これらの技術的細部及び以下の各実施例に基づく種々の変更や修正がなくても、本願が保護を要求している技術案を実現することができる。

【0034】

本願の一実施例は、太陽電池を提供する。以下、図面を参照しながら、本願の一実施例で提供された太陽電池について、詳しく説明する。

【0035】

図１～図５に示すように、太陽電池は、対向している前面ａと裏面ｂとを備えたＮ型シリコン基板１００と、前面ａに位置するパッシベーション層１０５と、裏面ｂに位置するトンネル誘電体層１０１と、トンネル誘電体層１０１に位置するドーピング導電層１０２と、を含み、前面ａが複数のピラミッド構造１２０を備え、裏面ｂが複数の溝１１０を備え、一部の溝１１０が同じ方向に沿って順次配列されている。

【0036】

なお、図１は、本願の一実施例で提供された太陽電池の局所断面構造を示す図であり、溝１１０の寸法が小さいため、裏面ｂの溝１１０が図示されていない。図２は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の裏面の電子顕微鏡模式図（ＳＥＭ）であり、図３は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の裏面の別の電子顕微鏡模式図（ＳＥＭ）であり、図４は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の裏面の別の電子顕微鏡模式図（ＳＥＭ）であり、図５は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板１００の裏面ｂの別の電子顕微鏡模式図（ＳＥＭ）である。

【0037】

場合によって、Ｎ型シリコン基板１００では、前面ａが代表的なピラミッド構造を備えていることと異なり、裏面ｂが位置する水平面ｅ（図６を参照）について、裏面ｂは、水平面ｅより突出したピラミッド構造を備えておらず、水平面より凹んだ複数の溝１１０を備えている。なお、裏面ｂが位置する水平面ｅとは、Ｎ型シリコン基板１００全体において、溝１１０を除く裏面ｂの殆どの表面が位置する平面を指し、図６では点線で水平面ｅを示しており、且つ図６に示す水平面ｅが一例のみである。

【0038】

このように、複数の溝１１０を備えた裏面ｂは、頂部が鋭いピラミッド構造に比べて、より平坦であり、裏面ｂに形成されたトンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２のフィルム層均一性を高め、Ｎ型シリコン基板１００に対するパッシベーション効果を向上させることに寄与する。一方、複数の溝１１０を備えた裏面ｂは、Ｎ型シリコン基板１００の比表面積を高め、トンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２の比表面積を向上させ、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触面積を高め、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触抵抗を下げ、電極のキャリアに対する収集効率を向上させることに寄与する。これにより、両方を組み合わせて、太陽電池の短絡電圧と太陽電池の光電変換効率の向上に役立つ。

【0039】

なお、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１については、後で詳しく説明する。

【0040】

以下、図面を参照しながら、本願の実施例についてより詳しく説明する。いくつかの実施例では、図２～図５に示すように、複数の溝１１０は、Ｎ個の溝群１３０を含み、いずれかの溝群１３０は、同じ方向に沿って順次配列された複数の溝１１０を含み、且つ、異なる溝群１３０における複数の溝１１０の配列方向は、同じであってもよいし、異なってもよく、Ｎが２以上の正整数である。

【0041】

言い換えれば、いずれかの溝群１３０について、溝群１３０に属した複数の溝１１０が同じ方向に沿って順次配列されることで、裏面ｂの形態変化の規則性を強めることに寄与し、裏面ｂに形成されるトンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２のフィルム層均一性をさらに高め、Ｎ型シリコン基板１００に対するパッシベーション効果を向上させるのに役立つ。

【0042】

また、異なる溝群１３０について、異なる溝群１３０に属する溝１１０の配列方向は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。一例として、図２に示すように、１つの溝群１３０がＡとマークされ、別の溝群１３０がＢとマークされ、溝群Ａにおける複数の溝１１０の配列方向がＸ１であり、溝群Ｂにおける複数の溝１１０の配列方向がＸ２であり、方向Ｘ１と方向Ｘ２とが異なり、即ち方向Ｘ１と方向Ｘ２とが交差しており、実際の応用では、方向Ｘ１と方向Ｘ２とが同じであってもよく、即ち方向Ｘ１と方向Ｘ２とが互いに平行であってもよい。

【0043】

同じ溝１１０について、異なる少なくとも２つの溝群１３０に属することができる。例えば、図２に示すように、別の溝群がＣとマークされ、溝群Ｂと溝群Ｃが同じ溝１１０を備え、図２ではこの溝１１０をＢ１とマークしている。

【0044】

なお、図２～図５では点線枠で囲まれた複数の溝１１０によって溝群１３０を示し、且つ図２～図５では一部の溝群１３０のみを示しているが、実際の応用において、裏面ｂにおける溝群１３０の数は、点線枠で示された溝群１３０を含むが、これに限定されず、複数の溝群１３０のいずれかが溝群Ａ又は溝群Ｂであってもよい。

【0045】

いくつかの実施例では、図２に示すように、隣接する溝群１３０の間に間隔があり、言い換えれば、隣接する溝群１３０のＮ型シリコン基板１００における正射影、例えば、図２における溝群Ａと溝グループＢは、重なり合っていない。他のいくつかの実施例では、図２を引き続き参照すると、隣接する溝群１３０における少なくとも一部の溝１１０の間には、重複領域１５０（図６を参照）があり、言い換えれば、隣接する溝群１３０のＮ型シリコン基板１００における正投影は、重なり合っており、隣接する溝群１３０の正投影の重なり合う部分、即ち重複領域１５０のＮ型シリコン基板１００における正投影、例えば図２における溝群Ｂの溝Ｂ１と溝群Ｃの溝Ｃ１は、重複領域１５０を備えている。他のいくつかの実施例では、図２を引き続き参照すると、裏面ｂには複数セットの溝群１３０があり、隣接する一部の溝群１３０の間に間隔があり、且つ他の隣接する一部の溝群１３０のうち、少なくとも一部の溝１１０の間に重複領域１５０がある。

【0046】

また、図６は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板の局所断面構造を示す図であり、図６では、隣接する２つの溝１１０が重なり合う部分、即ち重複領域１５０を間隔の小さい点線で示している。

【0047】

一例では、図２に示すように、３つの異なる溝群１３０は、それぞれＡ、Ｂ、Ｃとマークされており、溝群Ａと溝群Ｂは、隣接しており、且つ両者の間に間隔があり、溝群Ｂと溝群Ｃは、隣接しており、且つ溝群Ｂと溝群Ｃの少なくとも一部の溝１１０の間に重複領域１５０がある（図６を参照）。

【0048】

なお、複数の溝群１３０のいずれかは、いずれも溝群Ａ、溝群Ｂ又は溝群Ｃであってもよい。また、図６では重複領域１５０を１つの立体領域とした例を示しているが、実際の応用では、隣接する２つの溝群１３０は互いに隣接しており、この場合、隣接する２つの溝群１３０の重複領域１５０が１本の線であるか、又は、１つの平面である。

【0049】

以下、隣接する溝群１３０のうち、少なくとも一部の溝１１０の間に重複領域１５０があることについて、詳しく説明する。

【0050】

いくつかの実施例では、隣接する２つの溝群１３０のうち、１つの溝群１３０における１つの溝１１０ともう１つの溝群１３０における１つの溝１１０は、重複領域１５０を備える。一例として、図２に示すように、隣接する溝群ＢとＣでは、溝群Ｂにおける１つの溝１１０がＢ１とマークされ、溝群Ｃにおける１つの溝１１０がＣ１とマークされ、溝Ｂ１は、溝Ｃ１のみと重複領域１５０（図６を参照）を備える。

【0051】

他のいくつかの実施例では、隣接する２つの溝群１３０のうち、１つの溝群１３０における１つの溝１１０ともう１つの溝群１３０における少なくとも２つの溝１１０とは、いずれも重複領域１５０を備える。一例では、図３に示すように、隣接する２つの溝群１３０は、それぞれＤとＥとマークされ、溝群Ｄにおける１つの溝１１０がＤ１とマークされ、溝群Ｅにおける２つの溝１１０がそれぞれＥ１とＥ２とマークされ、溝Ｂ１は、少なくとも溝Ｅ１と溝Ｅ２の両方といずれも重複領域１５０（図６を参照）を備える。

【0052】

なお、いずれかの溝群１３０にとって、溝群１３０の隣接する溝１１０の間は、重複領域１５０を備えてもよいし、互いに間隔をあけてもよい。いずれかの溝群１３０におけるいずれかの溝１１０について、この溝１１０は、他のいずれかの溝１１０と互いに間隔をあけてもよいし、他の少なくとも１つの溝１１０と重複領域１５０を備えてもよい。

【0053】

いくつかの実施例では、少なくとも隣接する一部の２つの溝１１０、例えば、図２に示すように、ＦとＧとマークされた２つの溝１１０の間に間隔がある。他のいくつかの実施例では、少なくとも隣接する一部の２つの溝１１０、例えば、図３に示すように、それぞれＩとＪとマークされた２つの溝１１０の間に重複領域１５０（図６を参照）がある。他のいくつかの実施例では、隣接する一部の２つの溝１１０の間に間隔があり、隣接する他の一部の２つの溝１１０の間に重複領域１５０があり、例えば、図２の溝Ｆと溝Ｇとの間に間隔があり、且つ溝Ｂ１と溝Ｃ１との間に重複領域１５０がある。

【0054】

なお、隣接する２つの溝１１０は、同じ溝群１３０に属してもよいし、隣接する２つの溝１１０は、それぞれ隣接する２つの溝群１３０に属してもよい。あるいは、隣接する２つの溝１１０の少なくとも一方は、独立した１つの溝１１０であり、この独立した溝、例えば、図２でＦとマークされた溝１１０は、いずれかの溝群１３０にも属していない。また、図２～図５における裏面ｂの形態では、隣接する一部の２つの溝１１０の間に間隔があり、且つ隣接する他の一部の２つの溝１１０の間に重複領域１５０があることを例としているが、実際の応用では、裏面ｂの形態では、隣接する２つの溝１１０の間にいずれも間隔があるか、又は、隣接する２つの溝１１０の間にいずれも重複領域１５０がある。

【0055】

いくつかの実施例では、図７に示すように、図７は、本願の一実施例で提供されたＮ型シリコン基板１００における単一の溝１１０の局所断面構造を示す図であり、裏面ｂから離れた方向Ｙにおいて、溝１１０は、対向して設置された底面１１０ａ及び上部開口１１０ｂと、底面１１０ａと上部開口１１０ｂの間に位置する側壁１１０ｃと、を備え、底面１１０ａのＮ型シリコン基板１００における正投影の面積が上部開口１１０ｂのＮ型シリコン基板１００における正投影の面積よりも小さい。言い換えれば、裏面ｂから離れた方向において、溝１１０は、上が広くて下が狭い構造であり、且つ、底面１１０ａに垂直な断面において、溝１１０の断面形状は、上が広くて下が狭い逆台形である。

【0056】

なお、図７では、上部開口１１０ｂのほぼ位置する領域を点線で示している。

【0057】

これにより、底面１１０ａに比べて、寸法がより大きな上部開口１１０ｂは、トンネル誘電体層が溝１１０を均一に充填するようにすることに寄与し、溝１１０とトンネル誘電体層１０１との間に隙間を形成することを回避し、さらにトンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２の間に隙間を形成することを回避し、裏面ｂに形成されるトンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２のフィルム層均一性をさらに向上させ、裏面ｂに形成される複合サイトの数を減らし、Ｎ型シリコン基板１００に対するパッシベーション効果を高める。一方、溝１１０は、上が広くて下が狭い構造であるため、Ｎ型シリコン基板１００の比表面積をさらに高め、トンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２の比表面積をさらに高め、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触面積を増やし、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触抵抗を下げ、電極のキャリアに対する収集効率を高めることができる。

【0058】

いくつかの実施例では、底面１１０ａのＮ型シリコン基板１００における正投影の面積と上部開口１１０ｂのＮ型シリコン基板１００における正投影の面積の比は、０．５～０．９９である。例えば、底面１１０ａのＮ型シリコン基板１００における正投影の面積と上部開口１１０ｂのＮ型シリコン基板１００における正投影の面積の比は、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５又は０．９などである。

【0059】

いくつかの実施例では、溝１１０のＮ型シリコン基板１００における正投影の形状は、Ｍ角形であり、Ｍは２以上である。

【0060】

いくつかの実施例では、図２～図５に示すように、溝１１０のＮ型シリコン基板１００における正射影の形状は、四角形であることが多く、実際の応用では、溝１１０のＮ型シリコン基板１００における正射影の形状は、四角形以外の多角形であってもよい。いくつかの実施例では、四角形は、矩形、ひし形、方形及び台形を含み、不規則な四角形も含む。

【0061】

いくつかの実施例では、図７と図８に示すように、図８は、本願の一実施例で提供された単一の溝１１０における上部開口１１０ｂの上面視構造を示す図であり、裏面ｂから離れた方向Ｙにおいて、溝１１０は、上部開口１１０ｂを備え、上部開口１１０ｂの１次元寸法Ｌは、１μｍ～２０μｍであり、例えば、１次元寸法Ｌは、３μｍ、５μｍ、７μｍ、１０μｍ、１３μｍ、１６μｍ又は１９μｍなどであってもよい。図７に示すように、溝１１０は、上部開口１１０ｂに対向して設置された底面１１０ａと、底面１１０ａ及び上部開口１１０ｂの間に位置する側壁１１０ｃと、を備える。

【0062】

なお、図８に示すように、上部開口１１０ｂの１次元寸法Ｌは、上部開口１１０ｂの長さ、上部開口１１０ｂの幅又は上部開口１１０ｂの対角線の長さのいずれかを含む。また、図８では、上部開口１１０ｂのＮ型シリコン基板１００における正射影の形状が規則的な四角形であることを例として、この場合、上部開口１１０ｂの１次元寸法Ｌは規則的な四角形の長さ、幅又は対角線の長さのいずれかである。

【0063】

実際の応用では、上部開口１１０ｂのＮ型シリコン基板１００における正射影の形状は、不規則な多角形であってもよく、この場合、上部開口１１０ｂの長さ、上部開口１１０ｂの幅又は上部開口１１０ｂの対角線の長さは、絶対的なものではなく、上部開口１１０ｂの１次元寸法を表現するために人為的に定義されたものである。例えば、図９に示すように、図９は、本願の一実施例で提供された単一の溝１１０における上部開口１１０ｂの他の上面視構造を示す図であり、上部開口１１０ｂのＮ型シリコン基板１００における正射影の形状は、不規則な四角形であり、この場合、上部開口１１０ｂの長さＬ１は、不規則な四角形のうちの最も長い辺の長さであると定義され、上部開口１１０ｂの幅Ｌ２は、不規則な四角形のうちの最も短い辺の長さであると定義され、上部開口１１０ｂの対角線の長さＬ３は、不規則な四角形のうちの最も長い対角線の長さであると定義される。理解できるように、以上は、単なる例示的な説明であり、実際には実際のニーズに応じて柔軟に定義できる。

【0064】

また、上部開口１１０ｂのＮ型シリコン基板１００における正射影の形状は、不規則な多角形のほか、円形又は円形に近い不規則な形状であってもよい。この場合、上部開口１１０ｂの１次元寸法Ｌは、上部開口１１０ｂで異なる特定面積の領域を複数選んで、当該特定面積の領域が実際のニーズに応じて柔軟に定義し、そして、複数の異なる特定面積の領域における長さ、幅、対角線又は直径の平均値を求めることができる。

【0065】

いくつかの実施例では、裏面ｂにおける溝１１０の分布密度は、１００個／ｍｍ^２～２００，０００個／ｍｍ^２である。いくつかの例では、裏面ｂにおける溝１１０の分布密度は、１，０００個／ｍｍ^２～５０，０００個／ｍｍ^２であり、例えば、溝１１０の分布密度は、１，８５０個／ｍｍ^２、３，５５０個／ｍｍ^２、６，５００個／ｍｍ^２、２５，０００個／ｍｍ^２、３４，０００個／ｍｍ^２、４５，０００個／ｍｍ^２又は４９，０００個／ｍｍ^２などであってもよい。

【0066】

いくつかの実施例では、裏面ｂから離れた方向において、溝１１０の深さの最大値は、５０ｎｍ～２，０００ｎｍであり、例えば、溝１１０の深さは、６５ｎｍ、８７ｎｍ、５００ｎｍ、６５０ｎｍ、１，２００ｎｍ、１，４００ｎｍ又は１，７００ｎｍなどであってもよい。

【0067】

場合によって、裏面ｂ全体に対して、単一の溝１１０の占めるレイアウト面積が非常に小さいため、頂部が鋭いピラミッド構造に比べて、裏面ｂにおける溝１１０が裏面ｂの平坦さに与える影響は、非常に小さく、溝１１０によってＮ型シリコン基板１００の比表面積を高めるとともに、裏面ｂが高い平坦さを持つことを確保し、トンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２の比表面積を高め、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触面積を増やすと同時に、トンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２のフィルム層均一性を高め、トンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２のＮ型シリコン基板１００に対するパッシベーション効果を高める。

【0068】

以下、４つの実施例によって、裏面ｂの形態について詳しく説明する。

【0069】

いくつかの実施例では、図２に示すように、単一の溝１１０の１次元寸法は、２μｍ～８μｍであり、溝１１０の分布密度は、５，０００個／ｍｍ^２～２００，０００個／ｍｍ^２であり、裏面ｂから離れた方向において、溝１１０の深さの最大値は、２００ｎｍ～２，０００ｎｍである。

【0070】

他のいくつかの実施例では、図３に示すように、単一の溝１１０の１次元寸法は、５μｍ～１３μｍであり、溝１１０の分布密度は、１００個／ｍｍ^２～５０，０００個／ｍｍ^２であり、裏面ｂから離れた方向において、溝１１０の深さの最大値は、５０ｎｍ～１，２００ｎｍである。

【0071】

他のいくつかの実施例では、図４に示すように、単一の溝１１０の１次元寸法は、３μｍ～１５μｍであり、溝１１０の分布密度は、１００個／ｍｍ^２～１００，０００個／ｍｍ^２であり、裏面ｂから離れた方向において、溝１１０の深さの最大値は、１００ｎｍ～２，０００ｎｍである。

【0072】

他のいくつかの実施例では、図５に示すように、単一の溝１１０の１次元寸法は、７μｍ～２０μｍであり、溝１１０の分布密度は、１００個／ｍｍ^２～２０，０００個／ｍｍ^２であり、裏面ｂから離れた方向において、溝１１０の深さの最大値は、５０ｎｍ～１，０００ｎｍである。

【0073】

いくつかの実施例では、図１、図１０又は図１１に示すように、前面ａに位置するパッシベーション層１０５は、正面パッシベーション層又はフロントパッシベーション層と見なすことができる。パッシベーション層１０５は、単層構造又は積層構造であってもよく、積層構造では、各層の材料は、互いに異なってもよいし、一部の層の材料は、互いに異なり、残りの部分の材料は、同じであってもよい。パッシベーション層１０５の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム又は酸化アルミニウムなどの材料のうち少なくとも１種であってもよい。

【0074】

いくつかの実施例では、図１０又は図１１に示すように、太陽電池は、裏面ｂに位置する裏面パッシベーション層１０６をさらに含み、裏面パッシベーション層１０６がリアパッシベーション層と見なすことができる。図１０及び図１１中の裏面パッシベーション層１０６については、それぞれ後に詳しく説明する。

【0075】

いくつかの実施例では、裏面パッシベーション層１０６は、単層構造又は積層構造を含んでもよく、裏面パッシベーション層１０６の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム又は酸化アルミニウムなどの材料のうちの少なくとも１種を含んでもよい。

【0076】

いくつかの実施例では、図１０又は図１１に示すように、太陽電池は、Ｐ型エミッタ１７０をさらに含み、Ｐ型エミッタ１７０は、一部の厚さのＮ型シリコン基板１００と見なすことができ、且つ少なくとも一部の前面ａがＰ型エミッタ１７０の上面となっている。いくつかの例では、図１０又は図１１に示すように、前面ａ全体がＰ型エミッタ１７０の上面となっている。他のいくつかの例では、前面ａの一部がＰ型エミッタ１７０の上面となっており、選択性エミッタを形成している。

【0077】

Ｐ型エミッタ１７０のドーピング元素の種類は、Ｎ型シリコン基板１００のドーピング元素の種類と異なっており、Ｐ型エミッタ１７０とＮ型シリコン基板１００とがＰＮ接合を形成している。

【0078】

いくつかの実施例では、図１０又は図１１に示すように、パッシベーション層１０５は、Ｐ型エミッタ１７０のＮ型シリコン基板１００から離れた表面に位置し、Ｎ型シリコン基板１００の前面ａに対して良好なパッシベーション作用を発揮し、Ｎ型シリコン基板１００の前面ａの欠陥準位密度を下げ、Ｎ型シリコン基板１００の前面ａのキャリア再結合を効果的に抑制する。パッシベーション層１０５は、さらに良好な反射防止効果を発揮し、Ｎ型シリコン基板１００の前面ａの入射光に対する反射を低減し、Ｎ型シリコン基板１００の入射光に対する利用率を高めることができる。場合によって、本願の一実施例で提供された太陽電池は、ＴＯＰＣｏｎセル又はＩＢＣセルであってもよい。

【0079】

いくつかの実施例では、図１に示すように、太陽電池は、ＴＯＰＣｏｎ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｏｘｉｄｅ Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ、トンネル酸化膜パッシベーションコンタクト）セルであってもよく、ドーピング導電層１０２は、Ｎ型ドーピング元素を備え、且つドーピング導電層１０２は、トンネル誘電体層１０１のＮ型シリコン基板１００から離れた表面を覆っている。言い換えれば、ドーピング導電層１０２とＮ型シリコン基板１００は、同じ導電型のドーピング元素を備え、且つＮ型ドーピング元素のドーピング導電層１０２におけるドーピング濃度がＮ型シリコン基板１００におけるドーピング濃度よりも高くなり、フロントコンタクトＴＯＰＣｏｎセルを形成している。

【0080】

他のいくつかの実施例では、図１を引き続き参照すると、太陽電池はＴＯＰＣｏｎセルであってもよく、ドーピング導電層１０２は、Ｐ型ドーピング元素を備え、且つドーピング導電層１０２は、トンネル誘電体層１０１のＮ型シリコン基板１００から離れた表面を覆っている。言い換えれば、ドーピング導電層１０２とＮ型シリコン基板１００は、異なる導電型のドーピング元素を備え、バックコンタクトＴＯＰＣｏｎセルを形成している。

【0081】

上記の２つの実施例では、図１１に示すように、図１１は、本願の一実施例で提供された太陽電池の別の局所断面構造を示す図であり、太陽電池は、電極１０３をさらに含み、電極１０３とドーピング導電層１０２がオーミック接触を形成し、ドーピング導電層１０２とトンネル誘電体層１０１とがパッシベーションコンタクト構造を形成している。なお、図１１では、電極１０３をドーピング導電層１０２に嵌め込んだことを例としているが、実際の応用では、電極１０３は、ドーピング導電層１０２を貫通し、トンネル誘電体層１０１と接触しかつ電気的に接続されてもよい。いくつかの実施例では、図１１を引き続き参照すると、太陽電池は、前面ａとオーミック接触を形成した第１電極１０４をさらに含む。なお、裏面ｂに位置した電極１０３は、第２電極とみなすことができる。

【0082】

いくつかの実施例では、電極１０３及び第１電極１０４は、金属導電性ペーストを焼結することによって形成されることができる。いくつかの実施例では、電極１０３及び第１電極１０４の材料は、銀、アルミニウム、銅、ニッケルなどの金属材料のうちの少なくとも１つを含む。

【0083】

上記の２つの実施例では、図１１に示すように、裏面パッシベーション層１０６は、ドーピング導電層１０２の裏面ｂから離れた側に位置し、且つ電極１０３が裏面パッシベーション層１０６を貫通している。

【0084】

他のいくつかの実施例では、図１０に示すように、図１０は、本願の一実施例で提供された太陽電池の別の局所断面構造を示す図であり、太陽電池は、ＩＢＣセル（インターディジテッドバックコンタクトセル、Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ Ｂａｃｋ Ｃｏｎｔａｃｔ）であってもよく、ドーピング導電層１０２は、互いに間隔をあけている第１部分１１２及び第２部分１２２を含み、第１部分１１２と第２部分１２２のうちの一方がＮ型シリコン基板１００と同じ導電型のドーピング元素を備え、他方がＮ型シリコン基板１００と異なった導電型のドーピング元素を備える。言い換えれば、第１部分１１２と第２部分１２２のうちの一方は、Ｎ型ドーピング導電層であり、他方は、Ｐ型ドーピング導電層である。この場合、Ｎ型ドーピング導電層と接触しているトンネル誘電体層１０１にもＮ型ドーピング元素があり、Ｐ型ドーピング導電層と接触しているトンネル誘電体層１０１にもＰ型ドーピング元素がある。

【0085】

いくつかの実施例では、図１０に示すように、第２部分１２２と第２部分１２２の間にギャップ（ｇａｐ）又は隔離構造（図示せず）があり、これによって、異なる導電型領域間の自動的な隔離を実現しており、ＩＢＣセルの裏面における高濃度ドーピングされたＰ型ドーピング領域とＮ型ドーピング領域がトンネル接合を形成することに起因するリーク電流の電池効率に与える影響を解消することができる。

【0086】

いくつかの実施例では、図１０を引き続き参照すると、裏面パッシベーション層１０６は、第１部分１１２及び第２部分１２２の裏面ｂから離れた側に位置している。

【0087】

いくつかの実施例では、太陽電池は、裏面パッシベーション層１０６を貫通して第１部分１１２と電気的に接続されている第１サブ電極１１３と、裏面パッシベーション層１０６を貫通して第２部分１２２と電気的に接続されている第２サブ電極１２３と、を含む。なお、図１０では、第１サブ電極１１３を第１部分１１２に嵌め込み、第２サブ電極１２３を第２部分１２２に嵌め込んだことを例としているが、実際の応用では、第１サブ電極１１３は、第１部分１１２を貫通してトンネル誘電体層１０１と接触してもよく、第２サブ電極１２３は、第２部分１２２を貫通してトンネル誘電体層１０１と接触してもよい。いくつかの実施例では、第１サブ電極１１３と第２サブ電極１２３は、金属導電性ペーストを焼結することで形成されることができる。いくつかの実施例では、第１サブ電極１１３及び第２サブ電極１２３の材料は、銀、アルミニウム、銅、ニッケルなどの金属材料のうちの少なくとも１つを含む。

【0088】

上記のように、複数の溝１１０を備えた裏面ｂは、頂部が鋭いピラミッド構造に比べて、より平坦であり、裏面ｂに形成されるトンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２のフィルム層均一性を高め、Ｎ型シリコン基板１００に対するパッシベーション効果を高めることに寄与する。一方、複数の溝１１０を備えた裏面ｂは、Ｎ型シリコン基板１００の比表面積を高め、ひいてはトンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２の比表面積を向上させ、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触面積を増やし、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触抵抗を下げ、電極のキャリアに対する収集効率を高めるのにも寄与する。これにより、両方を組み合わせて、太陽電池の短絡電圧と太陽電池の光電変換効率の向上に役立つ。

【0089】

本願の別の実施例では、上記実施例で提供された太陽電池を形成するための太陽電池の製造方法を提供する。以下、図面を参照しながら、本願の別の実施例で提供された太陽電池の製造方法について、詳しく説明する。図１２～図１４は、本願の別の実施例で提供された太陽電池の製造方法における各ステップに対応する断面構造を示す図である。ここで、図１２は、本願の別の実施例で提供された初期Ｎ型シリコン基板の局所断面構造を示す図であり、図１３は、本願の別の実施例で提供されたテクスチャ形成処理後の初期Ｎ型シリコン基板の局所断面構造を示す図であり、図１４は、本願の別の実施例で提供された第１エッチング工程による第２面エッチング後の初期Ｎ型シリコン基板の局所断面構造を示す図である。なお、上記実施例と同じ部分又は対応する部分について、上記実施例の対応する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。

【0090】

図１～図１４に示すように、太陽電池の製造方法は、以下のステップを含む。

【0091】

ステップＳ１０１：図１２に示すように、初期Ｎ型シリコン基板１４０を提供し、初期Ｎ型シリコン基板１４０は対向する第１面ｃと第２面ｄを備える。いくつかの実施例では、初期Ｎ型シリコン基板１４０がシリコンウェーハをダイシング処理した後に形成されたものである。

【0092】

ステップＳ１０２：図１３に示すように、第１面ｃと第２面ｄの両方にピラミッド構造１２０を形成するように、初期Ｎ型シリコン基板１４０に対してテクスチャ形成処理を行う。これにより、ピラミッド構造１２０が形成された第１面ｃをＮ型シリコン基板１００の前面ａとすることができる。

【0093】

ステップＳ１０３：図１３及び図１４に示すように、初期溝１６０を形成するように、第１エッチング工程で第２面ｄをエッチングする。なお、本願の他の実施例において、初期溝１６０の断面形状について限定せず、図１４が初期溝１６０の一例のみにすぎない。

【0094】

ステップＳ１０４：図１４及び図２～図５のいずれかに示すように、第２エッチング工程で第２面ｄをエッチングし続け、初期溝１６０の寸法を増やし、これによって、溝１１０を備えたＮ型シリコン基板１００を形成し、且つ、一部の溝１１０が同じ方向に沿って順次配列され、ここで、第１エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度が第２エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度よりも小さく、ピラミッド構造１２０が形成された第１面ｃをＮ型シリコン基板１００の前面ａとし、第１エッチング工程と第２エッチング工程で処理された第２面ｄをＮ型シリコン基板１００の裏面ｂとする。

【0095】

ステップＳ１０５：図１に示すように、裏面ｂから離れた方向において、裏面ｂにトンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２を順次形成する。

【0096】

場合によって、頂部が鋭いピラミッド構造１２０を備えた前面ａに比べて、複数の溝１１０を備えた裏面ｂは、より平坦であり、裏面ｂに形成されるトンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２のフィルム層均一性を高め、ひいてはＮ型シリコン基板１００に対するパッシベーション効果を向上させることに寄与する。一方、複数の溝１１０を備えた裏面ｂは、Ｎ型シリコン基板１００の比表面積を高め、ひいてはトンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２の比表面積を向上させ、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触面積を増やし、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触抵抗を下げ、電極のキャリアに対する収集効率を高めるのにも寄与する。これにより、両方を組み合わせて、太陽電池の短絡電圧と太陽電池の光電変換効率の向上に役立つ。

【0097】

以下、ステップＳ１０１～ステップＳ１０５について、詳しく説明する。

【0098】

いくつかの実施例では、図１２に示すように、ステップＳ１０１で提供された初期Ｎ型シリコン基板１４０の材料は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン又は微結晶シリコンの少なくとも１つを含むことができる。

【0099】

いくつかの実施例では、図１３に示すように、ステップＳ１０２において、初期Ｎ型シリコン基板１４０に対してテクスチャ形成処理を行うことは、初期Ｎ型シリコン基板１４０に対して両面テクスチャ形成処理を行うことを含む。例えば、湿式化学腐食の方式でピラミッド構造１２０を製造し、ピラミッド構造１２０は、初期Ｎ型シリコン基板１４０の表面の光に対する反射を低減し、初期Ｎ型シリコン基板１４０の光に対する吸収利用率を増やし、太陽電池の変換効率を高めることができる。なお、本願の別の実施例では、テクスチャ形成の具体的な操作方式について限定しない。例えば、湿式テクスチャ形成工程を選択してテクスチャ形成処理を行うことができるが、これに限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ性溶液を利用してテクスチャ形成処理を行うことができる。水酸化ナトリウム溶液の腐食に異方性があるため、ピラミッド状微細構造の製造に寄与する。ピラミッド状微細構造は、四面体、近似四面体、五面体又は近似五面体などの構造であってもよい。また、テクスチャ形成工程は、化学エッチング、レーザーエッチング、機械法又はプラズマエッチングなどであってもよい。

【0100】

場合によって、金属ペーストをスクリーン印刷して第１電極１０４（図１１を参照）を形成するときに、ピラミッド構造１２０は、金属ペーストをピラミッド構造１２０中によりよく充填させ、より優れた電極接触を獲得し、太陽電池の直列抵抗を効果的に低減し、バッキングファクターを高めることができる。

【0101】

いくつかの実施例では、ステップＳ１０２の後からステップＳ１０３の前まで、製造方法は、第１面ｃに対してＰ型ドーピングイオンのドーピング処理、例えば、ホウ素拡散処理を行うことをさらに含み、これによって、第１面ｃにＰ型エミッタ１７０（図１０を参照）を形成し、Ｐ型エミッタ１７０は初期Ｎ型シリコン基板１４０の太陽側に向かう表層空間の一部を占める。

【0102】

場合によって、Ｐ型エミッタ１７０は、ホウ素源を利用して拡散工程によりホウ素原子を第１面ｃの一定の深さに拡散して形成されたＰ型ドーピング層であってもよい。例えば、ホウ素源は、液状の三臭化ホウ素であってもよい。ホウ素拡散処理された基板の微結晶シリコン相は、多結晶シリコン相に変換される。半導体基板の表面は、比較的高い濃度のホウ素を備えているため、通常、第１面ｃと第２面ｄの両方にもホウケイ酸ガラス層（ＢＳＧ、Ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）が形成される。

【0103】

いくつかの実施例では、Ｐ型エミッタ１７０を形成してからステップＳ１０３の前まで、製造方法は、第２面ｄに形成されたホウケイ酸ガラス層を混合酸で除去し、混合酸が質量分率０．１％～１０％のフッ化水素酸溶液と、質量分率１０％～２０％の硫酸溶液と、質量分率２５％～５０％の硝酸溶液とを含むことができることと、酸洗浄後の第２面ｄを水洗かつ乾燥処理することとをさらに含む。

【0104】

場合によって、ホウ素拡散処理時に、初期Ｎ型シリコン基板１４０の第２面ｄに一部のホウケイ酸ガラスをメッキして形成することがあり、混合酸で除去する必要なのは、この一部のホウケイ酸ガラス層である。

【0105】

いくつかの実施例では、第２面ｄに形成されたホウケイ酸ガラス層を調製した混合酸で除去するのに１０ｓ～１８０ｓの時間がかかり、反応温度が７℃～２０℃であり、即ち常温状態で第２面ｄにおけるホウケイ酸ガラス層を酸洗浄で除去する。

【0106】

いくつかの実施例では、図１３及び図１４に示すように、ステップＳ１０３において、第１エッチング工程で第２面ｄをエッチングするステップは、初期Ｎ型シリコン基板１４０を第１エッチング液に浸すことを含み、図１４と図１５を組み合わせて参照すると、ステップＳ１０４において、第２エッチング工程で第２面ｄをエッチングし続けるステップは、初期Ｎ型シリコン基板１４０を第２エッチング液に浸すことを含み、ここで、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率以下である。

【0107】

場合によって、第１エッチング工程で第２面ｄをエッチングするのは、主に第２面ｄにおけるピラミッド構造１２０の寸法を縮小し、乃至少なくとも一部のピラミッド構造１２０を除去して初期溝１６０を形成するためのものである。なお、初期Ｎ型シリコン基板１４０に対して両面テクスチャ形成を行ってピラミッド構造１２０を形成する場合、隣接するピラミッド構造１２０同士は隣接しているか、又はピッチを備えている。第１エッチング工程で第２面ｄにおけるピラミッド構造１２０の寸法を縮小する場合、隣接するピラミッド構造１２０同士がピッチを備えるようにし、且つピッチを徐々に初期溝１６０に変換するまで増やし、第２面ｄの形態を改善する。

【0108】

また、第２エッチング工程で第２面ｄをエッチングし続けるのは、主に初期溝１６０の寸法を増やし、溝１１０を備えたＮ型シリコン基板１００を形成し、且つ一部の数の溝１１０を同じ方向に沿って順次配列するためのものである。言い換えれば。第２エッチング工程で第２面ｄをエッチングし続けることで、第２面ｄにおけるピラミッド構造１２０の寸法をさらに縮小し、乃至少なくとも一部のピラミッド構造１２０を除去し、より多くの溝１１０を形成し、また、隣接するピラミッド構造１２０間のピッチをさらに増やし、初期溝１６０の深さを増加させ、より大きな溝１１０を形成することに寄与する。

【0109】

場合によって、溝１１０の周りの一部の領域は、隣接するピラミッド構造１２０間のピッチから変化してきたものではなく、除去されたピラミッド構造１２０に対応する領域がさらにエッチングされて変化してくるものであるため、溝１１０の中央領域がエッチング環境に暴される時間がより長く、即ち隣接するピラミッド構造１２０間のピッチに対応する領域がエッチングされる程度は、より深く、溝１１０の周りの一部の領域がエッチング環境に暴される時間がより短く、即ち、除去されたピラミッド構造１２０に対応する領域がエッチングされる程度は、より浅く、これによって、図７に示すような断面形状が逆台形である溝１１０を形成することに寄与する。

【0110】

また、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率以下であり、即ち第１エッチング液のアルカリ性が第２エッチング液のアルカリ性よりも低いため、第１エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度が第２エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度よりも小さくなることに寄与する。なお、第１エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度を第２エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度よりも小さくする手段には、第１エッチング液のアルカリ性を第２エッチング液のアルカリ性よりも低く制御することが含まれるが、これに限定されるものではない。

【0111】

いくつかの実施例では、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、０．５％～２％であってもよく、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、２％～４％であってもよい。

【0112】

いくつかの実施例では、第１エッチング液と第２エッチング液には、いずれも保護剤が含まれており、且つ、保護剤は、第１エッチング液における質量分率が第２エッチング液における質量分率よりも小さい。場合によって、ホウ素拡散処理時に第１面ｃに形成されたホウケイ酸ガラス層が処理されておらず、第１エッチング液と第２エッチング液が第１面ｃに形成されたピラミッド構造１２０をエッチングしないように、保護剤とホウケイ酸ガラス層とを調合することができる。また、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率以上であり、即ち第２エッチング液のアルカリ性がより強い上で、保護剤の第１エッチング液における質量分率が保護剤の第２エッチング液における質量分率より小さいようにし、即ち保護剤の第２エッチング液における質量分率を高めることで、第２エッチング液の第１面に形成されたピラミッド構造１２０に対するエッチングを回避することに寄与する。

【0113】

いくつかの実施例では、保護剤は、酸化層保護剤である。

【0114】

いくつかの実施例では、第１エッチング液中の保護剤の質量分率は、０．５％～０．８％であり、第２エッチング液中の保護剤の質量分率は、１％～１．５％である。

【0115】

いくつかの実施例では、第１エッチング工程で第２面ｄをエッチングする時の周囲温度を第１温度Ｔｅｍｐ１とし、第２エッチング工程で第２面ｄをエッチングする時の周囲温度を第２温度Ｔｅｍｐ２とし、第１温度Ｔｅｍｐ１は、第２温度Ｔｅｍｐ２よりも低い。場合によって、第２面ｄをエッチングする時の周囲温度が高いほど、エッチング工程の第２面ｄに対するエッチング速度が高くなるため、第１温度Ｔｅｍｐ１が第２温度Ｔｅｍｐ２よりも低いことによって、第１エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度が第２エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度よりも小さくなることに寄与する。

【0116】

いくつかの実施例では、第１温度Ｔｅｍｐ１は、３０℃～４５℃であってもよく、第２温度Ｔｅｍｐ２は、７０℃～８５℃であってもよい。

【0117】

なお、第１エッチング液のアルカリ性と第２エッチング液のアルカリ性の大きさを調整し、又は、第１エッチング工程の周囲温度と第２エッチング工程の周囲温度の大きさを調整することで、第１エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度を第２エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度よりも小さくすることができる。本願の別の実施例では、第１エッチング工程と第２エッチング工程のエッチング速度の大きさを調整することは、上記の２つの考案が含まれるが、これらに限定されるものではない。

【0118】

いくつかの実施例では、第１エッチング工程による第２面ｄのエッチング時間を第１時間Ｔｉｍｅ１とし、第２エッチング工程による第２面ｄのエッチング時間を第２時間Ｔｉｍｅ２とし、第１時間Ｔｉｍｅ１は、第２時間Ｔｉｍｅ２以上である。場合によって、第１エッチング工程による第２面ｄのエッチング時間は、より長くなり、主に第２面に対して低速アルカリ研磨を行い、第２面ｄにおける大部分のピラミッド構造１２０を除去し、溝１１０の形成のために使われる。第２エッチング工程による第２面ｄのエッチング時間が短いことは、主に初期溝１６０の深さを増やすために使われる。

【0119】

いくつかの実施例では、第１時間Ｔｉｍｅ１は、３００ｓ～６００ｓであってもよく、第２時間Ｔｉｍｅ２は、５０ｓ～３００ｓであってもよい。

【0120】

以下、４つの実施例によって、製造後の表面ｂの形態について、詳しく説明する。

【0121】

いくつかの実施例では、図２に示すような裏面ｂを形成するために、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、０．５％～２％であり、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、２％～５％であり、第１エッチング液中の保護剤の質量分率は、０．５％～０．８％であり、第２エッチング液中の保護剤の質量分率は、１％～１．５％であり、第１温度は、３０℃～４５℃であり、第２温度は、７０℃～８５℃であり、第１時間は、３００ｓ～４００ｓであり、第２時間は、１５０ｓ～３００ｓである。

【0122】

他のいくつかの実施例では、図３に示すような裏面ｂを形成するために、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、０．５％～２％であり、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、２％～５％であり、第１エッチング液中の保護剤の質量分率は、０．５％～０．８％であり、第２エッチング液中の保護剤の質量分率は、１％～１．５％であり、第１温度は、３０℃～４５℃であり、第２温度は、７０℃～８５℃であり、第１時間は、４００ｓ～５５０ｓであり、第２時間は、５０ｓ～２００ｓである。

【0123】

他のいくつかの実施例では、図４に示すような裏面ｂを形成するために、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率が０．５％～２％であり、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率が２％～５％であり、第１エッチング液中の保護剤の質量分率は、０．５％～０．８％であり、第２エッチング液中の保護剤の質量分率は、１％～１．５％であり、第１温度は、３０℃～４５℃であり、第２温度は、７０℃～８５℃であり、第１時間は、４００ｓ～５５０ｓであり、第２時間は、１００ｓ～３００ｓである。

【0124】

他のいくつかの実施例では、図５に示すような裏面ｂを形成するために、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、０．５％～２％であり、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率は、２％～５％であり、第１エッチング液中の保護剤の質量分率は、０．５％～０．８％であり、第２エッチング液中の保護剤の質量分率は、１％～１．５％であり、第１温度は、３０℃～４５℃であり、第２温度は、７０℃～８５℃であり、第１時間は、４５０ｓ～６００ｓであり、第２時間は、５０ｓ～２００ｓである。

【0125】

なお、上記の図２～図５に示す４つの形態の裏面ｂを形成する４つの例において、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率、第１エッチング液中の保護剤の質量分率、第２エッチング液中の保護剤の質量分率、第１温度及び第２温度は、いずれも統一された基準に基づいて定められてもよく、即ち、４つの例における上記パラメーターの数値は同じであってもよいし、同じ数値範囲内で数値を取ってもよく、４つの例のエッチング時間のみを区別させ、即ち４つの例における第１時間及び第２時間が異なる数値又は数値範囲を取ってもよい。実際の応用では、図２～図５に示す４種類の異なる形態の裏面ｂを形成するために、実際のニーズに応じて、第１エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率、第２エッチング液中の水酸化ナトリウムの質量分率、第１エッチング液中の保護剤の質量分率、第２エッチング液中の保護剤の質量分率、第１温度、第２温度、第１時間及び第２時間の数値及び数値範囲を柔軟に調整することができる。

【0126】

いくつかの実施例では、ステップＳ１０５において、図１に示すように、トンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２を形成することは、以下のステップを含むことができる。

【0127】

いくつかの実施例では、堆積工程でトンネル誘電体層１０１を形成する。具体的には、トンネル誘電体層１０１の材料は、酸化ケイ素を含み、堆積工程は化学気相成長工程を含む。他の実施例では、ｉｎ ｓｉｔｕ生成工程でトンネル誘電体層を形成してもよい。具体的には、Ｎ型シリコン基板１００をもとに、熱酸化工程及び硝酸酸化などの工程でトンネル誘電体層１０１をｉｎ ｓｉｔｕ生成することができる。

【0128】

いくつかの実施例では、トンネル誘電体層１０１を形成した後、真性多結晶シリコンを堆積して多結晶シリコン層を形成し、イオン注入と熱源拡散によってリンイオンをドープし、Ｎ型ドーピング多結晶シリコン層を形成し、Ｎ型ドーピング多結晶シリコン層をドーピング導電層１０２とする。方向Ｘにおいて、ドーピング導電層１０２の厚さは、５０ｎｍ～２００ｎｍ、例えば１００ｎｍ、１２０ｎｍ又は１４０ｎｍに設定されることができる。

【0129】

なお、以上、フロントコンタクトＴＯＰＣｏｎセルを形成することを例として、トンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２を形成する製造工程について説明した。実際の応用では、バックコンタクトＴＯＰＣｏｎセル又はＩＢＣセルを形成することもできる。本願の別の実施例では、バックコンタクトＴＯＰＣｏｎセル又はＩＢＣセルにおけるトンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２を形成する製造工程について限定しない。

【0130】

いくつかの実施例では、図１０に示すように、製造方法は、第１部分１１２とオーミック接触を形成する第１サブ電極１１３を形成することと、第２部分１２２とオーミック接触を形成する第２サブ電極１２３を形成することと、をさらに含む。本願の他の一実施例では、第１サブ電極１１３と第２サブ電極１２３を形成する製造工程について、限定しない。他のいくつかの実施例では、図１１に示すように、製造方法は、ドーピング導電層１０２とオーミック接触を形成する電極１０３を形成することと、前面ａとオーミック接触を形成する第１電極１０４を形成することと、をさらに含む。本願の他の一実施例では、電極１０３と第１電極１０４を形成する製造工程について限定しない。

【0131】

いくつかの実施例では、図１０又は図１１に示すように、製造方法は、前面ａに位置するパッシベーション層１０５を形成することと、ドーピング導電層１０２の裏面ｂから離れた側に位置する裏面パッシベーション層１０６を形成することと、をさらに含む。本願の他の一実施例では、パッシベーション層１０５と裏面パッシベーション層１０６を形成する製造工程について、限定しない。上記のように、初期Ｎ型シリコン基板１４０の第２面ｄに対して、第１エッチング工程と第２エッチング工程を順次行い、且つ、第１エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度を第２エッチング工程による第２面ｄのエッチング速度よりも小さくすることで、複数の溝１１０を備えた裏面ｂを形成することに寄与し、且つ複数の溝１１０を備えた裏面ｂは、頂部が鋭いピラミッド構造１２０に比べて、より平坦であり、裏面ｂに形成されるトンネル誘電体層１０１及びドーピング導電層１０２のフィルム層均一性を高め、Ｎ型シリコン基板１００に対するパッシベーション効果を向上させることに寄与する。また、複数の溝１１０を備えた裏面ｂは、Ｎ型シリコン基板１００の比表面積を高め、ひいてはトンネル誘電体層１０１とドーピング導電層１０２の比表面積を高め、電極１０３とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触面積を増やし、電極とドーピング導電層１０２及びトンネル誘電体層１０１との接触抵抗を下げ、電極のキャリアに対する収集効率を高めるのにも寄与する。これによって、両方を組み合わせて、太陽電池の短絡電圧と太陽電池の光電変換効率の向上に寄与する。

【0132】

本願の別の実施例は、受光した光エネルギーを電気エネルギーに変換するための光起電力モジュールをさらに提供する。図１５は、本願の別の実施例で提供された光起電力モジュールの構造を示す図である。なお、上記実施例と同じ部分又は相応する部分については、上記実施例の関係説明を参照することができる。ここでは、繰り返して説明しない。

【0133】

図１５に示すように、光起電力モジュールは、複数の上記実施例のいずれかの太陽電池４０又は上記実施例のいずれかの太陽電池の製造方法で製造された複数の太陽電池４０を接続してなるセルストリングと、セルストリングの表面を覆うための封止用接着フィルム４１と、封止用接着フィルム４１のセルストリングから離れた表面を覆うためのカバープレート４２と、を含む。太陽電池４０は、全体又は複数分割の形で電気的に接続されて複数のセルストリングを形成し、複数のセルストリングは、直列及び／又は並列の方式で電気的に接続する。

【0134】

具体的には、いくつかの実施例では、複数のセルストリングの間は伝導バンド４０２で電気的に接続される。図１５は、一種類の太陽電池間の位置関係のみを示しており、即ち、電池セルの極性が同じ電極の配列方向が同じか、あるいは、各電池セルの正極性を持つ電極がいずれも同じ側に配列され、伝導バンドが隣接する２つの電池セルの異なる側をそれぞれ接続する。いくつかの実施例では、電池セルは、異なる極性の電極が同じ側を向くことができ、即ち、隣接する複数の電池セルの電極がそれぞれ第１極性、第２極性、第１極性の順に配列されてもよく、伝導バンドが同じ側の隣接する２つの電池セルを接続する。

【0135】

いくつかの実施例では、電池セル間に間隔が設けられておらず、即ち電池セル同士が重なり合っている。

【0136】

いくつかの実施例では、封止用接着フィルム４１は、太陽電池４０の前面又は裏面の一方を覆う第１封止層と、太陽電池４０の前面又は裏面の他方を覆う第２封止層と、を含み、具体的には、第１封止層又は第２封止層の少なくとも一方は、ポリビニルブチラール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ｂｕｔｙｒａｌ、ＰＶＢ）接着フィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）接着フィルム、ポリエチレン－オクテン共重合体（ＰＯＥ）接着フィルム又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）接着フィルムなどの有機封止用接着フィルムであってもよい。

【0137】

場合によっては、第１封止層及び第２封止層には、積層前に境界線があるが、積層処理後に光起電力モジュールを形成するときに、第１封止層及び第２封止層という概念がなく、即ち、第１封止層と第２封止層とが一体化された封止用接着フィルム４１を形成している。

【0138】

いくつかの実施例では、カバープレート４２は、ガラスカバープレート、プラスチックカバープレートなどの光透過機能を持つカバープレートであってもよい。具体的には、カバープレート４２の封止用接着フィルム４１に向かう表面は、入射光の利用率を高めるために、凹凸面であってもよい。カバープレート４２は、第１カバープレートと、第２カバープレートと、を含み、第１カバープレートが第１封止層に対向し、第２カバープレートが第２封止層に対向する。

【0139】

当業者であれば、前記の各実施形態は本願を実現する具体的な実施例であるが、実用上では本願の実施例の精神と範囲を逸脱することなく、形態及び細部において様々な変更が可能であることが理解できる。いずれの当業者も、本願の実施例の精神と範囲を逸脱しない限り、それぞれ変更及び修正を行うことが可能であるため、本願の実施例の保護範囲は、請求項に限定された範囲を基準にすべきである。

【要約】

【課題】本願実施例は、太陽電池の分野に関し、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池は、対向している前面と裏面とを備えたＮ型シリコン基板と、前面に位置するパッシベーション層と、裏面に位置するトンネル誘電体層と、トンネル誘電体層に位置するドーピング導電層と、を含み、前面が複数のピラミッド構造を備え、裏面が複数の溝を備え、一部の溝が同じ方向に沿って順次配列されている。本願実施例は、少なくともＮ型シリコン基板の裏面の形態を変更することで太陽電池の光電変換効率を向上させることに有利である。
【選択図】図６

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】