特許 7595498 研磨体及びウェハ研磨方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-28

(45)【発行日】2024-12-06

(54)【発明の名称】研磨体及びウェハ研磨方法

(51)【国際特許分類】

   B24D 11/00 20060101AFI20241129BHJP

   B24B 7/04 20060101ALI20241129BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241129BHJP

【ＦＩ】

B24D11/00 M

B24D11/00 Q

B24B7/04 A

H01L21/304 622F

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2021051298

(22)【出願日】2021-03-25

(65)【公開番号】P2022149239

(43)【公開日】2022-10-06

【審査請求日】2023-09-19

(73)【特許権者】

【識別番号】000004293

【氏名又は名称】ノリタケ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001117

【氏名又は名称】弁理士法人ぱてな

(72)【発明者】

【氏名】北嶋 将太

【審査官】山村 和人

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２００５／０２３４８７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１５／１５２０２１（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ２４Ｄ １１／００

Ｂ２４Ｂ ３７／００ － ３７／３４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｂ２４Ｂ ７／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１軸心と直交する方向に延びる第１固定面を有し、前記第１軸心周りに回転される定盤と、前記第１軸心と平行な第２軸心と直交する方向に延びて前記第１固定面と対面する第２固定面を有し、前記第２軸心周りに回転されるキャリヤとを備え、前記第２固定面に平板状のウェハが固定されたウェハ研磨装置に用いられる研磨体であって、
前記研磨体は、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、前記母材又は前記気孔内に保持された研磨粒子とを有し、
前記第１固定面に固定される第１面と、前記第１面とは逆を向き、前記第１面に対して厚さ方向に離隔した第２面と、前記第１面及び前記第２面から凹設され、前記第１面と前記第２面とを連通する無数のボイドとを有し、
各前記ボイドは、前記第１軸心に対する距離が等しければ、前記第１軸心に交差する角度が等しく、
各前記ボイドは、前記第１軸心周りにおいて、前記第１面及び前記第２面の一方では前記第１軸心に近づき、前記第１面及び前記第２面の他方では前記第１軸心から遠ざかっており、
前記第１軸心と一致する中心線に対する距離が短い位置に存在する前記ボイドと前記中心線とがなす角度は、前記中心線に対する距離が長い位置に存在する前記ボイドと前記中心線とがなす角度より大きいことを特徴とする研磨体。

【請求項2】

平板状のウェハと平板状の研磨体とを研磨液の存在下で所定の面圧の下で当接しつつ、前記ウェハの厚さ方向に延びる第２軸心周りに前記ウェハを回転するとともに、前記研磨体の厚さ方向に延び、前記第２軸心と平行な第１軸心周りに前記研磨体を回転し、前記ウェハを研磨するウェハ研磨方法において、
前記研磨体は、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、前記母材又は前記気孔内に保持された研磨粒子とを有し、
前記研磨体は、第１面と、前記第１面とは逆を向き、前記第１面に対して厚さ方向に離隔した第２面と、前記第１面及び前記第２面から凹設され、前記第１面と前記第２面とを連通する無数のボイドとを有し、
各前記ボイドは、前記第１軸心に対する距離が等しければ、前記第１軸心に交差する角度が等しく、
各前記ボイドは、前記第１軸心周りにおいて、前記第１面及び前記第２面の一方では前記第１軸心に近づき、前記第１面及び前記第２面の他方では前記第１軸心から遠ざかっており、
前記第１軸心と一致する中心線に対する距離が短い位置に存在する前記ボイドと前記中心線とがなす角度は、前記中心線に対する距離が長い位置に存在する前記ボイドと前記中心線とがなす角度より大きいことを特徴とするウェハ研磨方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、研磨体と、ウェハ研磨方法とに関する。

【背景技術】

【0002】

定盤とキャリヤとを備えたウェハ研磨装置が知られている。定盤は、第１軸心と直交する方向に延びる第１固定面を有し、第１軸心周りに回転される。キャリヤは、第１軸心と平行な第２軸心と直交する方向に延びて第１固定面と対面する第２固定面を有し、第２軸心周りに回転される。研磨体は、第１固定面に固定される第１面と、第１面とは逆を向き、第１面に対して厚さ方向に離隔した第２面とを有している。

【0003】

このウェハ研磨装置によりＳｉＣ、ＧａＮ等の平板状のウェハを研磨する場合、定盤の第１固定面に研磨体の第１面が固定され、キャリヤの第２固定面に平板状のウェハが固定される。そして、研磨液の存在下で研磨体とウェハとを所定の面圧の下で当接しながら、定盤とキャリヤとを回転させる。

【0004】

研磨体が一般的な不織布や硬質ウレタンからなる場合、研磨液が研磨粒子を含んでいる。また、研磨体が特許文献１～３に開示されているように、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、母材又は気孔内に保持された研磨粒子とを有しているものである場合には、研磨粒子を含まない研磨液を採用できる。こうして、ウェハの研磨を行う。研磨液がアルカリ等の薬剤を含む場合には、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）工程でウェハが研磨される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特許第４２６６５７９号公報

【文献】特許第５５１１２６６号公報

【文献】特許第６６３６６３４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかし、半導体を用いたデバイスが高性能化するに伴って、近年、加工後のウェハの品質要求が厳しくなっている。

【0007】

特に、ウェハの加工工程の中でも、仕上げ工程にあたるＣＭＰ工程ではスクラッチレスに加え、内部の歪をなくすニーズも出てきている。また、研磨液が研磨粒子を含む遊離砥粒方式でウェハを研磨すると、ウェハ表面のダメージが不均ーであり、局所的に歪が残ることが判明している。さらに、ウェハのダメージのみならず、高い研磨能率、優れた表面粗さ等が求められている。

【0008】

本発明は、上記従来の実情に鑑みてなされたものであって、加工後のウェハがスクラッチレス等の高品質要求に堪え得る研磨体を提供することを解決すべき課題としている。また、本発明はそのようなウェハ研磨方法を提供することを解決すべき課題としている。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の研磨体は、第１軸心と直交する方向に延びる第１固定面を有し、前記第１軸心周りに回転される定盤と、前記第１軸心と平行な第２軸心と直交する方向に延びて前記第１固定面と対面する第２固定面を有し、前記第２軸心周りに回転されるキャリヤとを備え、前記第２固定面に平板状のウェハが固定されたウェハ研磨装置に用いられる研磨体であって、
前記研磨体は、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、前記母材又は前記気孔内に保持された研磨粒子とを有し、
前記第１固定面に固定される第１面と、前記第１面とは逆を向き、前記第１面に対して厚さ方向に離隔した第２面と、前記第１面及び前記第２面から凹設され、前記第１面と前記第２面とを連通する無数のボイドとを有し、
各前記ボイドは、前記第１軸心に対する距離が等しければ、前記第１軸心に交差する角度が等しく、
各前記ボイドは、前記第１軸心周りにおいて、前記第１面及び前記第２面の一方では前記第１軸心に近づき、前記第１面及び前記第２面の他方では前記第１軸心から遠ざかっており、
前記第１軸心と一致する中心線に対する距離が短い位置に存在する前記ボイドと前記中心線とがなす角度は、前記中心線に対する距離が長い位置に存在する前記ボイドと前記中心線とがなす角度より大きいことを特徴とする。

【0010】

発明者は、本発明の研磨体を用いて上記ウェハ研磨装置によってウェハを研磨すれば、スクラッチを生じ難く、かつ高い研磨能率と優れた表面粗さでウェハを研磨できることを確認した。

【0011】

すなわち、発明者の試験によれば、定盤が第１軸心周りに回転し、かつキャリヤが第２軸心周りに回転するウェハ研磨装置において、一般的な不織布や硬質ウレタン等の研磨体を用いた場合には、研磨体がウェハを能率よく研磨することができず、研磨後のウェハにスクラッチを生じやすい。

【0012】

一方、無数のボイドを有する研磨体を用いた場合には、ボイドによってウェハをある程度能率よく研磨できるようではある。しかし、従来の研磨体では、ボイドが一方向に傾斜しているため、ウェハが第２軸心周りの特定の方向では磨耗されやすく、他の特定の方向では磨耗され難いという方向性を生じてしまう。このため、この場合には、表面粗さが劣るとともに、研磨能率が未だ十分ではない。

【0013】

これらに対し、本発明の研磨体を用いた場合には、各ボイドが第１軸心周りに存在し、各ボイドは、第１軸心に対して第１面及び第２面の一方では近づき、第１面及び第２面の他方では遠ざかっている。このため、ウェハが第２軸心周りの全ての方向で磨耗されやすい。このため、この場合には、高い研磨能率と優れた表面粗さでウェハを研磨できる。

【0014】

したがって、上記ウェハ研磨装置に本発明の研磨体を用いれば、加工後のウェハが高品質要求に堪え得る。

【0015】

各ボイドは、第１軸心に対する距離が等しければ、第１軸心に交差する角度が等しいことが好ましい。この場合、研磨条件による研磨能率等の再現性が優れる。第１軸心からの距離の等しいボイドがウェハに対して等しい角度でウェハに当接することにより、同程度の研磨力でウェハを研磨すると考えられる。

【0016】

研磨体は、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、母材又は気孔内に保持された研磨粒子とを有していることが好ましい。発明者はこの研磨体において本発明の作用効果を確認している。この場合、研磨粒子を有さない研磨液を採用できるため、研磨液の再利用が容易であり、半導体デバイスの製造コストの低廉化を実現できるとともに、環境負荷を軽減することができる。

【0017】

本発明の研磨体の製造方法は、母材樹脂と、研磨粒子と、溶媒とを含むペーストを用意する第１工程と、
前記ペーストをシート状の成形体に成形する第２工程と、
前記成形体を置換液中に浸漬し、前記成形体中の前記溶媒を前記置換液で置換して無数のボイドを形成する第３工程とを備え、
前記第３工程では、前記成形体を前記置換液中で水平になるように浸漬することを特徴とする。

【0018】

発明者は、第３工程のように成形体を水平に置換液中に浸漬すると、ボイドは、第１軸心周りにおいて、第１軸心を対称に傾斜していることを発見した。

【0019】

したがって、本発明の製造方法により、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、母材又は気孔内に保持された研磨粒子と、第１軸心を対称として傾斜した複数のボイドとを有する本発明の研磨体を製造することができる。

【0020】

本発明のウェハ研磨方法は、平板状のウェハと平板状の研磨体とを研磨液の存在下で所定の面圧の下で当接しつつ、前記ウェハの厚さ方向に延びる第２軸心周りに前記ウェハを回転するとともに、前記研磨体の厚さ方向に延び、前記第２軸心と平行な第１軸心周りに前記研磨体を回転し、前記ウェハを研磨するウェハ研磨方法において、
前記研磨体は、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、前記母材又は前記気孔内に保持された研磨粒子とを有し、
前記研磨体は、第１面と、前記第１面とは逆を向き、前記第１面に対して厚さ方向に離隔した第２面と、前記第１面及び前記第２面から凹設され、前記第１面と前記第２面とを連通する無数のボイドとを有し、
各前記ボイドは、前記第１軸心に対する距離が等しければ、前記第１軸心に交差する角度が等しく、
各前記ボイドは、前記第１軸心周りにおいて、前記第１面及び前記第２面の一方では前記第１軸心に近づき、前記第１面及び前記第２面の他方では前記第１軸心から遠ざかっており、
前記第１軸心と一致する中心線に対する距離が短い位置に存在する前記ボイドと前記中心線とがなす角度は、前記中心線に対する距離が長い位置に存在する前記ボイドと前記中心線とがなす角度より大きいことを特徴とする。

【0021】

本発明のウェハ研磨方法は、本発明の研磨体を用いていることから、加工後のウェハが高品質要求に堪え得る。

【発明の効果】

【0022】

本発明の研磨体を用いれば、加工後のウェハが高品質要求に堪え得る。本発明のウェハ研磨方法によれば、加工後のウェハが高品質要求に堪え得る。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】図１は、実施例１、２の製造方法で得られた研磨パッドの模式拡大断面図である。

【図2】図２は、比較例１の製造方法で得た研磨パッドの模式拡大断面図である。

【図3】図３は、実施例１、２の製造方法で得た研磨パッドにおいて、中心線からの距離と、各ボイドが中心線となす角度との関係を示すグラフである。

【図4】図４は、ウェハ研磨方法で用いたウェハ研磨装置の模式断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

研磨体を製造するために用いる母材樹脂としては、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル、フッ化ビニル・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、フッ化ビニリデン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル等を採用することが可能である。これらは１種でもよく、２種以上が混合されていてもよい。

【0025】

研磨体を製造するために用いる溶媒としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、酢酸エチル、メチルエチルケトン等を採用することができる。これらは１種でもよく、２種以上が混合されていてもよい。溶媒は、バインダ樹脂に応じて種々選択される。

【0026】

研磨体を製造したり、研磨液に含有され得る研磨粒子としては、シリカ、セリア、アルミナ、ジルコニア、チタニア、ダイヤモンド、マンガン酸化物、炭酸バリウム、酸化クロム、酸化鉄等を採用することが可能である。これらは１種でもよく、２種以上が混合されていてもよい。

【0027】

研磨体を製造するために用いるペーストは、母材樹脂と研磨粒子と溶媒とを含む他、炭酸ナトリウム、ピペラジン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、酸化カルシウム、炭酸カリウム、酸化マグネシウム等のアルカリ微粒子を含んでいてもよい。また、ペーストは、フッ素系撥水剤、シリコン系撥水剤、炭化水素系撥水剤及び金属化合物系撥水剤等の撥水剤を含んでもよい。さらに、ペーストは、二酸化チタン、炭酸カルシウム、カーボンブラック等の無機顔料、アゾ顔料、多環顔料等の有機顔料等の顔料を含んでもよい。これらは１種でもよく、２種以上が混合されていてもよい。

【0028】

研磨体の製造方法において、溶媒と置換される置換液としては、油性の溶媒を採用した場合には、水道水等の水性の液体を採用することができる。

【0029】

研磨液を用いる場合、研磨液は純水であってもよく、油性であってもよく、酸性又はアルカリ性の薬品を含むものであってもよい。

【0030】

（実施例・比較例）
以下、本発明を具体化した実施例１、２と、比較例１とを説明する。

【0031】

まず、第１工程として、以下の母材樹脂と、研磨粒子と、溶媒とを準備した。
（母材樹脂）
ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）
（研磨粒子）
シリカ（ＳｉＯ₂）（平均粒径：０．３μｍ）
（溶媒）
ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）

【0032】

これらを母材樹脂２０体積％、研磨粒子２５体積％、溶媒５５体積％で混合し、実施例１、２及び比較例１のペーストを得た。

【0033】

第２工程として、上記第１工程で得られたペーストを用い、Ｔダイ等の成形装置を用いてシート状の成形体に成形する。この成形方法についてはある程度厚みを揃えることができればこれに限られない。

【0034】

第３工程として、実施例１、２では成形体を水平に置換液に浸漬させ、一方、比較例１では成形体を傾斜するように置換液に浸漬させ、所定時間経過後に置換液からそれぞれを取り出し、乾燥させた。

【0035】

この間、発明者の観察によれば、各成形体中の溶媒が置換液と置換され、ボイドを生じた。ボイド以外の部分では、微細な気孔を生じている。この際、成形体は溶媒と置換液との置換によって徐々に縮小している。このため、実施例１、２の製造方法では、各ボイドは、図１に示すように、中心軸Ｏ周りにおいて、置換液側では中心線Ｏに近づき、反対側では中心線Ｏから遠ざかるように傾斜した。一方、比較例１の製造方法では、図２に示すように、各ボイドは、中心軸Ｏ周りにかかわらず、一方向に傾斜した。

【0036】

所定時間の経過後、成形体を置換液から引き揚げた。成形体は、全ての溶媒が置換液に置換されて固化し、固化体となっている。固化体を乾燥し、所定の厚みまで研削し、直径３０ｃｍの研磨体としての研磨パッド４１を得た。

【0037】

実施例１、２の製造方法で得られた各研磨パッド４１は、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、母材又は気孔内に保持された研磨粒子と、中心軸Ｏを対称として傾斜している複数のボイド３７とを有している。また、各研磨パッド４１は、表面４１ａと裏面４１ｂとを有している。表面４１ａ及び裏面４１ｂの一方が第１面に相当し、表面４１ａ及び裏面４１ｂの他方が第２面に相当する。

【0038】

比較例１の製造方法で得られた研磨パッド４１も、母材と研磨粒子とを有する点と、表面４１ａと裏面４１ｂとを連通する無数のボイド３７を有する点とでは、実施例１、２の製造方法で得られた研磨パッド４１と同様である。

【0039】

実施例１、２の製造方法で得られた各研磨パッド４１について、中心線Ｏからの距離と、ボイド３７が中心線Ｏとなす角度θとの関係を求めた。結果を図３に示す。図１及び図３に示されるように、実施例１、２の製造方法で得られた各ボイド３７は、表面４１ａでは中心線Ｏに近づき、裏面２１ｂでは中心線Ｏから遠ざかっていることがわかる。また、中心線Ｏに対する距離が短い位置に存在するボイド３７と中心線Ｏとがなす角度θ１は、中心線Ｏに対する距離が長い位置に存在するボイド３７と中心線Ｏとがなす角度θ２より大きい。さらに、図４に示すように、各ボイド３７は、中心線Ｏに対する距離が等しければ、中心線Ｏに交差する角度θが等しい。

【0040】

一方、比較例１の製造方法で得られた各研磨パッド４１は、図２に示すように、中心線Ｏにかかわらず、各ボイド３７が一方向に傾斜していた。

【0041】

実施例１、２の製造方法で得られた研磨パッド４１の表面４１ａを研磨面とした場合を実施例１とし、実施例の製造方法で得られた研磨パッド４１の裏面４１ｂを研磨面とした場合を実施例２とした。比較例１の研磨パッドは比較例１の製造方法で得られたものである。比較例２の研磨パッドは硬質ウレタンからなる公知のものである（ウレタンパッドＩＣ１０００（ニッタ・ハース製））。ウェハ研磨装置（Engis EJW-380）を用意し、実施例１、２及び比較例１、２の研磨パッドによってウェハ１の研磨を行った。

【0042】

ウェハ研磨装置は、図８に示すように、複数のキャリヤ５と、定盤７と、駆動装置９と、研磨液供給装置１１とを備えている。図８には単一のキャリヤ５だけを図示しているが、ウェハ研磨装置は複数のキャリヤ５を有している。各キャリヤ５は水平な円板状をなしている。各キャリヤ５の下面には第２固定面５ａが凹設されており、第２固定面５ａにはウェハ１が固定されるようになっている。各キャリヤ５の上面にはキャリヤ回転軸５ｂが垂直に突設されている。各ウェハ１は、直径４ｉｎｃｈの４Ｈ-ＳｉＣ単結晶である。各ウェハ１のＳｉ面である被研磨面１ａは下方を向いている。

【0043】

定盤７は、全てのキャリヤ５を内包する水平な円板状をなしている。定盤７の下面には定盤回転軸７ａが垂直に突設されている。定盤７の上面は第１固定面７ｂとされている。第１固定面７ｂには、各ウェハ１と対面するように円板状の研磨パッド４１が接着剤によって固定されている。研磨パッド４１の中心線Ｏは第１軸心Ｏ１と一致されている。

【0044】

駆動装置９は、主駆動装置９ａと、副駆動装置９ｂと、加圧装置９ｃとを有している。主駆動装置９ａは定盤回転軸７ａを第１軸心Ｏ１周りで所定速度で回転駆動する。副駆動装置９ｂは各キャリヤ回転軸５ｂを第２軸心Ｏ２周りで所定速度で回転駆動する。加圧装置９ｃは各キャリヤ回転軸５ｂ及び副駆動装置９ｂを定盤７に向けて所定荷重で加圧する。

【0045】

研磨液供給装置１１は定盤７の上方に設けられている。研磨液供給装置１１は各ウェハ１と研磨パッド４１との間に研磨液１１ａを介在させる。実施例１、２及び比較例１の研磨方法においては、過マンガン酸カリウム水溶液からなり、研磨粒子を含まない研磨液１１ａを用いた。比較例２の研磨方法においては、研磨粒子としてアルミナを含む市販の研磨液１１ａ（ＤＳＣ－２０１（フジミインコーポレーテッド製））を用いた。

【0046】

このウェハ研磨装置において、以下の条件で各ウェハ１を研磨した。
研磨液１１ａの流量：１０ｍＬ／分
荷重：３０ｋＰａ
定盤７の回転数：６０ｒｐｍ
キャリア５の回転数：６０ｒｐｍ
加工時間：６０分

【0047】

研磨能率（μｍ／ｈ）と、研磨後のウェハ１の表面粗さＳａ（ｎｍ）と、スクラッチの有無とを評価した。研磨能率の評価は、１．２μｍ／ｈ以上であれば〇、１．０μｍ／ｈ以上であり、１．２μｍ／ｈ未満であれば△、１．０μｍ／ｈ未満であれば×とした。また、表面粗さＳａの評価は、０．０９５ｎｍ以下であれば〇、０．０９５ｎｍ以上であり、０．１００ｎｍ未満であれば△、０．１００ｎｍ未満であれば×とした。スクラッチの有無は、微分干渉顕微鏡で観察し、スクラッチがなければ〇、スクラッチがあれば×で評価した。各評価項目において、〇を２点、△を１点、×は０点とし、総合評価において、５点以上で〇、３～４点で△、２点以下で×とした。結果を表１に示す。

【0048】

【表1】

【0049】

表１より、定盤７が第１軸心Ｏ１周りに回転し、かつキャリヤ５が第２軸心Ｏ２周りに回転するウェハ研磨装置において、一般的な硬質ウレタンからなる比較例２の研磨パッドを用いた場合には、研磨パッドがウェハ１を能率よく研磨することができず、研磨後のウェハ１にスクラッチを生じやすいことがわかる。

【0050】

一方、比較例１の研磨パッドを用いた場合には、研磨パッドが無数のボイド３７を有することから、ウェハ１をある程度能率よく研磨できるようではある。しかし、比較例１の研磨パッドでは、ボイド３７が一方向に傾斜しているため、表面粗さが劣るとともに、研磨能率が未だ十分ではない。ウェハ１が第２軸心Ｏ２周りの特定の方向では磨耗されやすく、他の特定の方向では磨耗され難いという方向性を生じていると考えられる。

【0051】

これらに対し、実施例１、２の研磨パッド４１を用いた場合には、高い研磨能率と優れた表面粗さでウェハ１を研磨できる。実施例１、２の研磨パッド４１では、各ボイド３７が第１軸心Ｏ１周りに存在し、各ボイド３７は、第１軸心Ｏ１に対して表面４１ａ又は裏面４１ｂでは近づき、裏面４１ｂ又は表面４１ａでは遠ざかっているため、ウェハ１が第２軸心Ｏ２周りの全ての方向で磨耗されやすいからであると考えられる。

【0052】

したがって、上記ウェハ研磨装置に実施例１、２の研磨パッド４１を用いれば、加工後のウェハ１が高品質要求に堪え得ることがわかる。

【0053】

特に、実施例１、２の研磨パッド４１は、第１軸心Ｏに対する距離が等しければ、各ボイド３７における第１軸心Ｏに交差する角度が等しい。このため、研磨条件による研磨能率等の再現性が優れている。第１軸心Ｏからの距離の等しいボイド３７がウェハ１に対して等しい角度でウェハ１に当接することにより、同程度の研磨力でウェハ１を研磨すると考えられる。

【0054】

また、実施例１、２の研磨パッド４１は、樹脂からなり、複数の気孔が形成された母材と、母材又は気孔内に保持された研磨粒子とを有している。このため、研磨粒子を有さない研磨液１１ａを採用できるため、研磨液１１ａの再利用が容易であり、半導体デバイスの製造コストの低廉化を実現できるとともに、環境負荷を軽減することができる。

【0055】

以上において、本発明を実施例１、２に即して説明したが、本発明は上記実施例１、２に制限されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更して適用できることはいうまでもない。

【産業上の利用可能性】

【0056】

本発明は半導体製造装置に利用可能である。

【符号の説明】

【0057】

Ｏ１…第１軸心
７ｂ…第１固定面
７…定盤
Ｏ２…第２軸心
５ａ…第２固定面
５…キャリヤ
１…ウェハ
４１…研磨体（研磨パッド）
４１ａ…表面（第１面又は第２面）
４１ｂ…裏面（第２面又は第１面）
３７…ボイド

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】