特許 7596136 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-29

(45)【発行日】2024-12-09

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/824 20230101AFI20241202BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241202BHJP

   H10K 50/842 20230101ALI20241202BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20241202BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20241202BHJP

【ＦＩ】

H10K50/824

G09F9/30 365

H10K50/842 428

H10K59/122

H10K59/80

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2020209472

(22)【出願日】2020-12-17

(65)【公開番号】P2022096395

(43)【公開日】2022-06-29

【審査請求日】2023-11-24

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】新田 淳

【審査官】内村 駿介

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１２－１８２１２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２６６８０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－０３２６７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－３３１７８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－３３０７９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－３３１７８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００７／０１９４３０７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１９－００８１９６２（ＫＲ，Ａ）

【文献】米国特許第０６４０７４０８（ＵＳ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５０／００－１０２／２０

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
前記基材の上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極及び第２下部電極と、
前記第１絶縁層の上において前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置され、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と、前記第２下部電極に重畳する第２開口部と、を有する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に配置された隔壁と、
発光層を含み、前記第１開口部に配置され、前記第１下部電極を覆う第１有機層と、
前記第１有機層を覆う第１上部電極と、
発光層を含み、前記第２開口部に配置され、前記第２下部電極を覆う第２有機層と、
前記第２有機層を覆う第２上部電極と、を備え、
前記隔壁は、
前記第２絶縁層に接し、金属材料によって形成され、前記第１開口部に面する第１側面と、前記第２開口部に面する第２側面と、第１上面と、を有する第１層と、
前記第１上面に接し、前記第１側面から前記第１開口部に向かって張り出した第２層と、を有し、
前記第１上部電極は、前記第１側面に接し、
前記第２層において、前記第２側面から前記第２開口部に向かって張り出す幅は、前記第１側面から前記第１開口部に向かって張り出す幅より小さく、
前記第２上部電極は、前記第２側面から離間し、前記第２絶縁層を露出している、表示装置。

【請求項2】

前記第１有機層は、前記第１側面から離間し、
前記第１上部電極は、前記第１側面と前記第１有機層との間で前記第２絶縁層に接している、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第２有機層は、前記第２側面から離間し、
前記第２上部電極は、前記第２側面と前記第２有機層との間で前記第２絶縁層に接している、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１側面と前記第１開口部との間の距離は、前記第２側面と前記第２開口部との間の距離より大きい、請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１層の厚さは、前記第１層の幅より小さい、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項6】

さらに、前記第１有機層の周縁部を被覆する絶縁膜を備える、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第２層は、第２上面を有し、
さらに、前記第２上面を覆う第３有機層と、
前記第３有機層を覆う第３上部電極と、を備え、
前記第３有機層は、前記第１有機層及び前記第２有機層から離間し、
前記第３上部電極は、前記第１上部電極及び前記第２上部電極から離間している、請求項１に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１有機層、前記第２有機層、及び、前記第３有機層は、同一色の発光層を含んでいる、請求項７に記載の表示装置。

【請求項9】

前記第１有機層、前記第２有機層、及び、前記第３有機層の各々は、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、及び、電子輸送層の少なくとも１つを含んでいる、請求項８に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第１層は、平面視において、格子状に形成されている、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項11】

前記第１層は、平面視において、ストライプ状に形成されている、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。表示素子は、画素電極と共通電極との間に有機層を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。このような有機層は、例えば真空蒸着法によって形成される。

【0003】

例えば、マスク蒸着の場合、各画素に対応した開口を有するファインマスクが適用される。しかしながら、ファインマスクの加工精度、開口形状の変形等に起因して、蒸着によって形成される薄膜の形成精度が低下するおそれがある。このため、ファインマスクを適用することなく、所望の形状の有機層を形成することが要望されている。例えば、有機層の端面が所望の位置に形成されず、表示素子の性能劣化を招くおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０００－１９５６７７号公報

【文献】特開２００４－２０７２１７号公報

【文献】特開２００８－１３５３２５号公報

【文献】特開２００９－３２６７３号公報

【文献】特開２０１０－１１８１９１号公報

【文献】国際公開第２０１９／０２６５１１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、表示素子の性能劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、
基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極及び第２下部電極と、前記第１絶縁層の上において前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置され、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と、前記第２下部電極に重畳する第２開口部と、を有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に配置された隔壁と、発光層を含み、前記第１開口部に配置され、前記第１下部電極を覆う第１有機層と、前記第１有機層を覆う第１上部電極と、を備え、前記隔壁は、前記第２絶縁層に接し、金属材料によって形成され、前記第１開口部に面する第１側面と、前記第２開口部に面する第２側面と、第１上面と、を有する第１層と、前記第１上面に接し、前記第１側面から前記第１開口部に向かって張り出した第２層と、を有し、前記第１上部電極は、前記第１側面に接している。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。

【図2】図２は、図１に示した画素ＰＸの一例を示す平面図である。

【図3】図３は、図１に示した画素ＰＸの他の例を示す平面図である。

【図4】図４は、表示素子２０の一例を示す断面図である。

【図5】図５は、図４に示した断面構造の形成工程を説明するための図である。

【図6A】図６Ａは、隔壁３０の一例を示す拡大断面図である。

【図6B】図６Ｂは、隔壁３０の他の例を示す拡大断面図である。

【図7】図７は、表示素子２０の他の例を示す断面図である。

【図8】図８は、表示素子２０の他の例を示す断面図である。

【図9】図９は、図８に示した断面構造の形成工程を説明するための図である。

【図10】図１０は、有機層ＯＲの蒸着方法の一例を説明するための図である。

【図11】図１１は、有機層ＯＲの蒸着方法の他の例を説明するための図である。

【図12】図１２は、表示素子２０の他の例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向または第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向または第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向または第３方向と称する。Ｘ軸及びＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸及びＺ軸によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

【0010】

本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。なお、以下に説明する表示素子は照明装置の発光素子として適用することができ、表示装置ＤＳＰは照明装置等の他の電子機器に転用することができる。

【0011】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示部ＤＡを備えている。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２、及び、青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えていてもよい。

【0013】

画素ＰＸに含まれる１つの副画素ＳＰの一構成例について簡単に説明する。
すなわち、副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動制御される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチ素子である。

【0014】

画素スイッチ２について、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極は信号線ＳＬに接続され、ドレイン電極はキャパシタ４を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ３のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ３について、ソース電極はキャパシタ４を構成する他方の電極及び電源線ＰＬに接続され、ドレイン電極は表示素子２０のアノードに接続されている。表示素子２０のカソードは、給電線ＦＬに接続されている。なお、画素回路１の構成は、図示した例に限らない。

【0015】

表示素子２０は、発光素子である有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ２は緑波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ３は青波長に対応した光を出射する表示素子を備えている。画素ＰＸが表示色の異なる複数の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を備えることで、多色表示を実現できる。

【0016】

但し、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が同一色の光を出射するように構成されてもよい。これにより、単色表示を実現できる。

【0017】

また、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が白色の光を出射するように構成された場合、表示素子２０に対向するカラーフィルタが配置されてもよい。例えば、副画素ＳＰ１は表示素子２０に対向する赤カラーフィルタを備え、副画素ＳＰ２は表示素子２０に対向する緑カラーフィルタを備え、副画素ＳＰ３は表示素子２０に対向する青カラーフィルタを備える。これにより、多色表示を実現できる。

【0018】

あるいは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が紫外光を出射するように構成された場合、表示素子２０に対向する光変換層が配置されることで、多色表示を実現できる。

【0019】

表示素子２０の構成については、後述する。

【0020】

図２は、図１に示した画素ＰＸの一例を示す平面図である。
１個の画素ＰＸを構成する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、それぞれ第２方向Ｙに延びた略長方形状に形成され、第１方向Ｘに並んでいる。
後に詳述する絶縁層１２は、平面視において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ延びた格子状に形成され、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々を囲んでいる。後に詳述する隔壁３０は、平面視において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ延びた格子状に形成され、絶縁層１２の上に配置されている。

【0021】

図３は、図１に示した画素ＰＸの他の例を示す平面図である。
図３に示す例は、図２に示した例と比較して、隔壁３０がストライプ状に形成された点で相違している。隔壁３０の各々は、第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々は、隣接する隔壁３０の間に位置している。つまり、第１方向Ｘにおいて、副画素と隔壁とが交互に並んでいる。
絶縁層１２は、図２に示した例と同様に格子状に形成されているが、隔壁３０と同様にストライプ状に形成されてもよい。

【0022】

なお、図２及び図３に示した各副画素の外形は、表示素子の下部電極、あるいは、表示素子の発光領域の外形に相当するが、簡略化して示したものであり、必ずしも実際の形状を反映したものとは限らない。

【0023】

図４は、表示素子２０の一例を示す断面図である。
図１に示した画素回路１は、基材１０の上に配置され、絶縁層１１によって覆われている。図４では、画素回路１に含まれる駆動トランジスタ３のみを簡略化して図示している。絶縁層（第１絶縁層）１１は、表示素子２０の下地層に相当し、例えば、有機絶縁層である。

【0024】

絶縁層（第２絶縁層）１２は、絶縁層１１の上に配置されている。絶縁層１２は、例えば、有機絶縁層である。絶縁層１２は、表示素子２０あるいは副画素を区画するように形成されており、リブ、隔壁などと称される場合がある。

【0025】

表示素子２０は、下部電極Ｅ１と、有機層ＯＲと、上部電極Ｅ２と、を備えている。下部電極Ｅ１は、副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極であり、駆動トランジスタ３と電気的に接続されている。このような下部電極Ｅ１は、画素電極、アノードなどと称される場合がある。上部電極Ｅ２は、副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極であるが、隣接する複数の副画素あるいは複数の表示素子に亘って互いに電気的に接続されている。このような上部電極Ｅ２は、共通電極、対向電極、カソードなどと称される場合がある。

【0026】

下部電極Ｅ１は、絶縁層１１の上に配置され、その周縁部が絶縁層１２によって覆われている。下部電極Ｅ１は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、下部電極Ｅ１は、銀、アルミニウムなどの金属材料によって形成された金属電極であってもよい。また、下部電極Ｅ１は、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。例えば、下部電極Ｅ１は、透明電極、金属電極、及び、透明電極の順に積層された積層体として構成されてもよいし、３層以上の積層体として構成されてもよい。

【0027】

有機層ＯＲは、下部電極Ｅ１の上に配置されている。このような有機層ＯＲは、発光層ＥＬを含んでいる。図４に示す例では、有機層ＯＲは、さらに、機能層Ｆ１及びＦ２を含んでいる。機能層Ｆ１、発光層ＥＬ、及び、機能層Ｆ２は、下部電極Ｅ１の側から順に積層されている。機能層Ｆ１及びＦ２は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ホールブロック層、電子注入層、電子輸送層、電子ブロック層であるが、その他の機能層であってもよい。また、図示した機能層Ｆ１及びＦ２の各々は、単層体に限らず、複数の機能層が積層された積層体であってもよい。また、機能層Ｆ１及びＦ２の少なくとも一方が省略されてもよい。

【0028】

上部電極Ｅ２は、有機層ＯＲを覆っている。上部電極Ｅ２は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、上部電極Ｅ２は、マグネシウム、銀などの金属材料によって形成された半透過性の金属電極であってもよい。上部電極Ｅ２は、表示部ＤＡに配置された給電線、あるいは、表示部ＤＡの外側に配置された給電線と電気的に接続されている。

【0029】

下部電極Ｅ１の電位が上部電極Ｅ２の電位よりも相対的に高い場合、下部電極Ｅ１がアノードに相当し、上部電極Ｅ２がカソードに相当する。また、上部電極Ｅ２の電位が下部電極Ｅ１の電位よりも相対的に高い場合、上部電極Ｅ２がアノードに相当し、下部電極Ｅ１がカソードに相当する。

【0030】

一例として、下部電極Ｅ１がアノードに相当する場合、発光層ＥＬと下部電極Ｅ１との間の機能層Ｆ１は、ホール注入層及びホール輸送層の少なくとも１つを含み、発光層ＥＬと上部電極Ｅ２との間の機能層Ｆ２は、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１つを含んでいる。

【0031】

ここで、第１方向Ｘに隣接する２つの表示素子に着目する。便宜上、図の中央に位置する表示素子を表示素子２１と表記し、図の左側に位置する表示素子を表示素子２２と表記する。

【0032】

表示素子２１は、下部電極（第１下部電極）Ｅ１１、有機層（第１有機層）ＯＲ１、及び、上部電極（第１上部電極）Ｅ２１を備えている。有機層ＯＲ１は、機能層Ｆ１１、発光層ＥＬ１、及び、機能層Ｆ２１を備えている。
表示素子２２は、下部電極（第２下部電極）Ｅ１２、有機層（第２有機層）ＯＲ２、及び、上部電極（第２上部電極）Ｅ２２を備えている。有機層ＯＲ２は、機能層Ｆ１２、発光層ＥＬ２、及び、機能層Ｆ２２を備えている。下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、第１方向Ｘにおいて間隔を置いて並んでいる。

【0033】

絶縁層１２は、下部電極Ｅ１１と下部電極Ｅ１２との間に配置されている。また、絶縁層１２は、開口部ＯＰ１と、開口部ＯＰ２と、斜面Ｓ１及びＳ２と、上面Ｕ１と、を有している。

【0034】

開口部ＯＰ１は、下部電極Ｅ１１に重畳する領域に形成され、絶縁層１２を下部電極Ｅ１１まで貫通した貫通孔である。下部電極Ｅ１１の周縁部は絶縁層１２によって覆われ、下部電極Ｅ１１の中央部は開口部ＯＰ１において絶縁層１２から露出している。

【0035】

開口部ＯＰ２は、下部電極Ｅ１２に重畳する領域に形成され、絶縁層１２を下部電極Ｅ１２まで貫通した貫通孔である。下部電極Ｅ１２の周縁部は絶縁層１２によって覆われ、下部電極Ｅ１２の中央部は開口部ＯＰ２において絶縁層１２から露出している。

【0036】

上面Ｕ１、斜面Ｓ１及びＳ２は、絶縁層１２のうち、開口部ＯＰ１と開口部ＯＰ２との間の表面に相当する。斜面Ｓ１は、開口部ＯＰ１に面している。斜面Ｓ２は、開口部ＯＰ２に面している。上面Ｕ１は、斜面Ｓ１及びＳ２の間に位置している。なお、上面Ｕ１、斜面Ｓ１及びＳ２は、例えば平坦面であるが、曲面であってもよい。

【0037】

有機層ＯＲ１は、開口部ＯＰ１に配置され、下部電極Ｅ１１を覆っている。図４に示す例では、有機層ＯＲ１は、斜面Ｓ１に配置され、さらに、上面Ｕ１の一部にも配置されている。上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１に積層されている。有機層ＯＲ１のうち、絶縁層１２を介することなく、下部電極Ｅ１１と上部電極Ｅ２１との間に位置する部分は、表示素子２１の発光領域を形成することができる。有機層ＯＲ１のうち、斜面Ｓ１及び上面Ｕ１に配置された部分は、絶縁層１２と上部電極Ｅ２１との間に位置しているため、ほとんど発光しない。

【0038】

有機層ＯＲ２は、開口部ＯＰ２に配置され、下部電極Ｅ１２を覆っている。図４に示す例では、有機層ＯＲ２は、斜面Ｓ２に配置され、さらに、上面Ｕ１の一部にも配置されている。上面Ｕ１において、有機層ＯＲ２は、有機層ＯＲ１から離間している。上部電極Ｅ２２は、有機層ＯＲ２に積層されている。上部電極Ｅ２２は、上部電極Ｅ２１から離間している。有機層ＯＲ２のうち、絶縁層１２を介することなく、下部電極Ｅ１２と上部電極Ｅ２２との間に位置する部分は、表示素子２２の発光領域を形成することができる。有機層ＯＲ２のうち、斜面Ｓ２及び上面Ｕ１に配置された部分は、絶縁層１２と上部電極Ｅ２２との間に位置しているため、ほとんど発光しない。

【0039】

隔壁３０は、表示素子２１と表示素子２２との間に位置し、絶縁層１２の上に配置されている。より具体的に説明すると、隔壁３０は、第１層３１と、第２層３２と、を有している。

【0040】

第１層３１は、絶縁層１２の上面Ｕ１に接し、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ２との間、及び、上部電極Ｅ２１と上部電極Ｅ２２との間に配置されている。第１層３１は、金属材料によって形成されている。つまり、第１層３１は、導電体である。第１層３１は、開口部ＯＰ１に面する第１側面Ｓ１１と、開口部ＯＰ２に面する第２側面Ｓ１２と、第１側面Ｓ１１と第２側面Ｓ１２との間の第１上面Ｕ１１と、を有している。このような第１層３１は、平面視においては、図２に示したような格子状、あるいは、図３に示したようなストライプ状に形成されている。

【0041】

第２層３２は、第１上面Ｕ１１に接し、絶縁層１２から離間している。第２層３２は、金属材料によって形成された導電体であってもよいし、絶縁材料によって形成された絶縁体であってもよい。第２層３２は、第１側面Ｓ１１から開口部ＯＰ１に向かって張り出し、さらには、第２側面Ｓ１２から開口部ＯＰ２に向かって張り出している。第２層３２は、開口部ＯＰ１に面する側面Ｓ２１と、開口部ＯＰ２に面する側面Ｓ２２と、側面Ｓ２１と側面Ｓ２２との間の第２上面Ｕ２１と、を有している。このような第２層３２は、平面視においては、第１層３１に重畳し、図２に示したような格子状、あるいは、図３に示したようなストライプ状に形成されている。

【0042】

図示した断面において、第２層３２の幅は、第１層３１の幅より大きい。第１層３１の幅とは、第１側面Ｓ１１と第２側面Ｓ１２との間の第１方向Ｘに沿った最大間隔に相当する。第２層３２の幅とは、側面Ｓ２１と側面Ｓ２２との間の第１方向Ｘに沿った最大間隔に相当する。

【0043】

上部電極Ｅ２１は、第１層３１のうち、絶縁層１２に近接する側の第１側面Ｓ１１に接している。上部電極Ｅ２１は、第２層３２に近接する側の第１側面Ｓ１１を露出している。
上部電極Ｅ２２は、第１層３１のうち、絶縁層１２に近接する側の第２側面Ｓ１２に接している。上部電極Ｅ２２は、第２層３２に近接する側の第２側面Ｓ１２を露出している。

【0044】

これにより、上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、第１方向Ｘに沿って互いに離間しているものの、それぞれ隔壁３０と電気的に接続される。換言すると、上部電極Ｅ２１は、隔壁３０（あるいは第１層３１）を介して、上部電極Ｅ２２と電気的に接続されている。

【0045】

有機層ＯＲ１は、第１側面Ｓ１１から離間している。上部電極Ｅ２１は、第１側面Ｓ１１と有機層ＯＲ１との間で絶縁層１２の上面Ｕ１に接している。また、上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１の周縁部を覆っている。つまり、機能層Ｆ１１、発光層ＥＬ１、及び、機能層Ｆ２１の各々の端面は、上部電極Ｅ２１によって覆われている。

【0046】

有機層ＯＲ２は、第２側面Ｓ１２から離間している。上部電極Ｅ２２は、第２側面Ｓ１２と有機層ＯＲ２との間で絶縁層１２の上面Ｕ１に接している。また、上部電極Ｅ２２は、有機層ＯＲ２の周縁部を覆っている。つまり、機能層Ｆ１２、発光層ＥＬ２、及び、機能層Ｆ２２の各々の端面は、上部電極Ｅ２２によって覆われている。

【0047】

隔壁３０の絶縁層１２上での位置に関して、例えば、隔壁３０は、上面Ｕ１のほぼ中央に位置している。つまり、第１側面Ｓ１１と開口部ＯＰ１との間の距離Ｄ１は、第２側面Ｓ１２と開口部ＯＰ２との間の距離Ｄ２とほぼ同等である。

【0048】

有機層（第３有機層）ＯＲ３は、第２層３２の第２上面Ｕ２１を覆っている。図４に示す例では、有機層ＯＲ３は、側面Ｓ２１及びＳ２２も覆っている。有機層ＯＲ３は、上部電極（第３上部電極）Ｅ２３によって覆われている。

【0049】

有機層ＯＲ３は、機能層Ｆ１３、発光層ＥＬ３、及び、機能層Ｆ２３を備えている。
機能層Ｆ１３は、機能層Ｆ１１及びＦ１２と同一材料によって形成されている。機能層Ｆ２３は、機能層Ｆ２１及びＦ２２と同一材料によって形成されている。つまり、有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ２、及び、有機層ＯＲ３の各々は、上記したホール注入層、ホール輸送層、ホールブロック層、電子注入層、電子輸送層、及び、電子ブロック層の少なくとも１つを含んでいる。
発光層ＥＬ３は、発光層ＥＬ１及びＥＬ２と同一材料によって形成されている。つまり、有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ２、及び、有機層ＯＲ３は、同一色の発光層を含んでいる。あるいは、有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ２、及び、有機層ＯＲ３は、共通層である。

【0050】

但し、第１層３１の第１側面Ｓ１１及び第２側面Ｓ１２は、有機層ＯＲ３及び上部電極Ｅ２３から露出している。つまり、有機層ＯＲ３は、有機層ＯＲ１及びＯＲ２のいずれからも離間している。また、上部電極Ｅ２３は、上部電極Ｅ２１及びＥ２２のいずれからも離間している。

【0051】

上記の隔壁３０は、隣接する表示素子２０の間、あるいは、絶縁層１２の上面Ｕ１にそれぞれ配置されている。各表示素子２０を構成する上部電極Ｅ２は、第１層３１の第１側面Ｓ１１または第２側面Ｓ１２に接し、互いに電気的に接続される。各表示素子２０に着目すると、開口部ＯＰを挟んだ両側には、隔壁３０が配置され、上部電極Ｅ２の一端部が一方の第１層３１の側面に接し、上部電極Ｅ２の他端部が他方の第１層３１の側面に接している。これにより、表示部ＤＡに配置された複数の表示素子２０の上部電極Ｅ２は、互いに電気的に接続される。

【0052】

図５は、図４に示した断面構造の形成工程を説明するための図である。
例えば、下部電極Ｅ１を形成した後に、有機絶縁層を形成し、この有機絶縁層をパターニングすることで、絶縁層１２を形成する。その後、金属層を形成し、さらに例えば絶縁層を形成し、これらの金属層及び絶縁層を一括してパターニングする。このとき、絶縁層のエッチングよりも金属層のエッチングがより促進される条件に設定することで、図４に示した形状の第１層３１及び第２層３２を備えた隔壁３０を形成する。

【0053】

その後、例えば真空蒸着法により、有機層ＯＲを構成する各層を形成する。このとき、蒸着源からの蒸気の放射角をθ１とする。放射角θ１は、隔壁３０を形成済の蒸着対象である基板ＳＵＢの法線Ｎに対する角度である。有機層ＯＲの蒸着は、蒸着源が基板ＳＵＢに対して相対的に直線移動または回転移動しながら行う。これにより、各副画素に均一な膜厚の有機層ＯＲが形成される。

【0054】

その後、例えばスパッタリング法により、上部電極Ｅ２を形成する。このとき、ターゲットからの材料の放射角をθ２とする。放射角θ２は、基板ＳＵＢの法線Ｎに対する角度である。放射角θ２は、放射角θ１より大きい。

【0055】

ここで、基板ＳＵＢの法線Ｎと、仮想線Ｌ１１とのなす角度をΘとする。仮想線Ｌ１１は、第１層３１の第２側面Ｓ１２と絶縁層１２の上面Ｕ１との交点と、第２層３２の側面Ｓ２２における下端とを通る線である。放射角θ１は角度Θより小さく、放射角θ２は角度Θより大きい（θ１＜Θ＜θ２）。

【0056】

このため、有機層ＯＲは、第１層３１から離間した上面Ｕ１及び斜面Ｓ２に形成される。また、有機層ＯＲは、第２層３２の第２上面Ｕ２１や側面Ｓ２２にも形成される。
上部電極Ｅ２は、斜面Ｓ２、斜面Ｓ２と第１層３１との間の上面Ｕ１、及び、第１層３１の第２側面Ｓ１２にそれぞれ形成される。また、上部電極Ｅ２は、第２層３２の第２上面Ｕ２１や側面Ｓ２２にも形成される。

【0057】

図６Ａは、隔壁３０の一例を示す拡大断面図である。
第１層３１の第１方向Ｘに沿った幅Ｗ１は、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって増大する。つまり、第１層３１は、逆テーパー状の断面形状を有している。第１層３１の第３方向Ｚに沿った厚さＴ１は、有機層ＯＲの厚さの２倍以上である。また、厚さＴ１は、幅Ｗ１より小さい（Ｔ１＜Ｗ１）。例えば、有機層ＯＲの厚さは数百ｎｍのオーダーである。厚さＴ１は、５００ｎｍ以上であり、数μｍ以下である。また、幅Ｗ１は、十数μｍ程度である。
第１層３１において、第１側面Ｓ１１及び第２側面Ｓ１２は、傾斜面である。第１側面Ｓ１１と上面Ｕ１とのなす角度θＡ、及び、第２側面Ｓ１２と上面Ｕ１とのなす角度θＡは、いずれも鋭角である。

【0058】

第２層３２において、第１側面Ｓ１１からの張り出し幅Ｗ１１、及び、第２側面Ｓ１２からの張り出し幅Ｗ１２が大きいほど、有機層ＯＲの斜面Ｓ１及びＳ２への蒸着が抑制される。但し、幅Ｗ１１及びＷ１２が大きすぎると、上部電極Ｅ２の蒸着も制限され、上部電極Ｅ２と第１層３１との接触が阻害されるおそれがある。このため、第２層３２の第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２は、絶縁層１２における底面Ｂ１の第１方向Ｘに沿った幅Ｗ３と同等以下とすることが望ましい。

【0059】

図６Ｂは、隔壁３０の他の例を示す拡大断面図である。
図６Ｂに示す例は、図６Ａに示した例と比較して、第１層３１の断面形状が異なる。第１層３１の第１方向Ｘに沿った幅Ｗ１は、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって減少する。つまり、第１層３１は、順テーパー状の断面形状を有している。
第１層３１において、第１側面Ｓ１１及び第２側面Ｓ１２は、傾斜面である。第１側面Ｓ１１と上面Ｕ１とのなす角度θＢ、及び、第２側面Ｓ１２と上面Ｕ１とのなす角度θＢは、いずれも鈍角である。

【0060】

以上説明したように、隣接する表示素子２０の間には隔壁３０が配置され、ファインマスクを介することなく形成した有機層ＯＲは、隔壁３０によって分断される。このため、所望の形状の有機層ＯＲを備えた表示素子２０が提供される。したがって、ファインマスクを適用する場合と比較して、製造コストを削減することができ、しかも、ファインマスクの位置合せ等の工程が不要となり、容易に所望の形状の有機層ＯＲを形成することができる。また、表示素子２０において、所定の領域に発光領域を形成することができ、加えて、絶縁層１２に重なる領域での不所望な発光が抑制される。

【0061】

また、上部電極Ｅ２も有機層ＯＲと同様に隔壁３０によって分断されるが、各上部電極Ｅ２は、隔壁３０のうちの導電体である第１層３１に接触して電気的に接続される。第１層３１は、表示部ＤＡ、あるいは、表示部ＤＡの外側において所定の電位の給電線と電気的に接続されている。このため、各表示素子２０の上部電極Ｅ２には、隔壁３０を介して所定の電位が供給される。つまり、上部電極Ｅ２の一部での電位降下が抑制される。

【0062】

また、隣接する表示素子２０において、有機層ＯＲが繋がったことに起因する不所望な電流リーク（クロストーク）が抑制される。したがって、表示素子２０において、所望の表示性能を実現することができる。

【0063】

図７は、表示素子２０の他の例を示す断面図である。
図７に示す例は、図４に示した例と比較して、有機層ＯＲの周縁部が絶縁膜１３によって被覆された点で相違している。例えば、有機層ＯＲ１について、図の左側の周縁部、及び、図の右側の周縁部は、それぞれ絶縁膜１３によって覆われている。図７に示す有機層ＯＲ１は、機能層Ｆ１１、発光層ＥＬ１、及び、機能層Ｆ２１を有しているが、これらの各層の周縁部が絶縁膜１３によって覆われている。絶縁膜１３は、絶縁層１２の上面Ｕ１及び隔壁３０の第１層３１に接している。

【0064】

このような絶縁膜１３が有機層ＯＲの周縁部に形成される場合、隔壁３０の上にも同様に形成される。第２層３２の上においては、絶縁膜１３は、有機層ＯＲ３を覆い、上部電極Ｅ２３によって覆われている。

【0065】

上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１のうちの最上層（図７では機能層Ｆ２１）及び絶縁膜１３に接するが、機能層Ｆ１１及び発光層ＥＬ１には接していない。このため、有機層ＯＲの周縁部での不所望な電流リーク（例えば、発光層ＥＬ１を介することなく機能層Ｆ１１を介して下部電極Ｅ１１と上部電極Ｅ２１との間で電流が流れる不具合）等が抑制され、表示素子２０の性能劣化を抑制することができる。

【0066】

図８は、表示素子２０の他の例を示す断面図である。
図８に示す例は、図４に示した例と比較して、隔壁３０の形状が異なる。特に、第２層３２は、開口部ＯＰ１に面する側と、開口部ＯＰ２に面する側とで非対称に形成されている。第２層３２において、第２側面Ｓ１２から開口部ＯＰ２に向かって張り出す幅は、第１側面Ｓ１１から開口部ＯＰ１に向かって張り出す幅より小さい。図８に示す例では、第２層３２において、第２側面Ｓ１２から張り出す幅は、ほぼゼロである。

【0067】

有機層ＯＲ１は、第１側面Ｓ１１から離間している。上部電極Ｅ２１は、第１層３１の第１側面Ｓ１１に接し、さらに、第１側面Ｓ１１と有機層ＯＲ１との間で絶縁層１２に接している。

【0068】

有機層ＯＲ２は、第２側面Ｓ１２から離間している。上部電極Ｅ２２は、第１層３１の第２側面Ｓ１２から離間している。上部電極Ｅ２２は、第２側面Ｓ１２と有機層ＯＲ２との間で絶縁層１２に接しているが、第１層３１に近接する領域で絶縁層１２を露出している。

【0069】

隔壁３０の絶縁層１２上での位置に関して、例えば、隔壁３０は、上面Ｕ１において表示素子２２に近接する側に位置している。つまり、第１側面Ｓ１１と開口部ＯＰ１との間の距離Ｄ１は、第２側面Ｓ１２と開口部ＯＰ２との間の距離Ｄ２よりも大きい。

【0070】

有機層ＯＲ３は、第２層３２の第２上面Ｕ２１を覆っている。図８に示す例では、有機層ＯＲ３は、側面Ｓ２１も覆っているが、側面Ｓ２２を露出している。有機層ＯＲ３は、上部電極Ｅ２３によって覆われている。有機層ＯＲ３は、機能層Ｆ１３、発光層ＥＬ３、及び、機能層Ｆ２３を備えている。
上部電極Ｅ２３は、側面Ｓ２２を露出しているが、側面Ｓ２２を覆っている場合もあり得る。

【0071】

第１層３１の第１側面Ｓ１１及び第２側面Ｓ１２は、有機層ＯＲ３及び上部電極Ｅ２３から露出している。つまり、有機層ＯＲ３は、有機層ＯＲ１及びＯＲ２のいずれからも離間している。また、上部電極Ｅ２３は、上部電極Ｅ２１及びＥ２２のいずれからも離間している。

【0072】

上記の隔壁３０は、隣接する表示素子２０の間、あるいは、絶縁層１２の上面Ｕ１にそれぞれ配置されている。隔壁３０を構成する第１層３１において、一方の側面は、対向する表示素子２０の上部電極Ｅ２に接しているが、他方の側面は、対向する表示素子２０の上部電極Ｅ２から離間している。各表示素子２０に着目すると、開口部ＯＰを挟んだ両側には、隔壁３０が配置され、上部電極Ｅ２の一端部が一方の第１層３１の側面に接し、上部電極Ｅ２の他端部が他方の第１層３１から離間している。これにより、表示部ＤＡに配置された複数の表示素子２０の上部電極Ｅ２は、互いに電気的に接続される。

【0073】

図８に示す例においても、ファインマスクを適用することなく、所望の形状の有機層ＯＲを備えた表示素子２０が提供されるため、上記の例と同様の効果が得られる。

【0074】

図９は、図８に示した断面構造の形成工程を説明するための図である。
例えば真空蒸着法により、有機層ＯＲを構成する各層を形成する。但し、ここでは、基板ＳＵＢの法線に対して斜め方向から蒸着する斜方蒸着法が適用される。このとき、蒸着源ＶＳからの蒸気は、中心線Ｏに対して放射角αで放射されるものとする。中心線Ｏと基板ＳＵＢの表面（ここでは絶縁層１２の上面Ｕ１）とのなす角度をβとする。

【0075】

ここで、仮想線Ｌ１２と基板ＳＵＢの表面とのなす角度をΘとする。仮想線Ｌ１２は、第１層３１の第２側面Ｓ１２と絶縁層１２の上面Ｕ１との交点と、第２層３２の側面Ｓ２１における下端とを通る線である。角度（β－α）は、角度Θより大きい（（β－α）＞Θ）。

【0076】

このため、有機層ＯＲは、第１層３１から離間した上面Ｕ１及び斜面Ｓ１に形成される。また、有機層ＯＲは、第２層３２の第２上面Ｕ２１や側面Ｓ２１にも形成される。一方で、このような斜方蒸着法によれば、有機層ＯＲは、絶縁層１２の斜面Ｓ２、第２層３２の側面Ｓ２２にはほとんど形成されない。

【0077】

図１０は、有機層ＯＲの蒸着方法の一例を説明するための図である。
ここでは、副画素ＳＰの発光領域ＥＡが、第１方向Ｘに延びた短辺と、第２方向Ｙに延びた長辺とを有する長方形状に形成されている場合を想定する。蒸着源ＶＳの中心線Ｏと、発光領域ＥＡの対角線ＤＬとのなす角度βは、図９を参照して説明した条件（（β－α）＞Θ）を満足するように設定される。
図１０に示す蒸着方法は、図２に示したように、隔壁３０が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ延びた格子状に形成されている場合に好適である。

【0078】

図１１は、有機層ＯＲの蒸着方法の他の例を説明するための図である。
ここでは、副画素ＳＰの発光領域ＥＡが、第１方向Ｘに延びた短辺と、第２方向Ｙに延びた長辺とを有する長方形状に形成されている場合を想定する。蒸着源ＶＳの中心線Ｏと、第１方向Ｘと平行な仮想線ＬＸとのなす角度βは、図９を参照して説明した条件（（β－α）＞Θ）を満足するように設定される。
図１１に示す蒸着方法は、図３に示したように、隔壁３０が第２方向Ｙにそれぞれ延びたストライプ状に形成されている場合に好適である。

【0079】

図１０及び図１１に示した有機層ＯＲの蒸着は、蒸着源ＶＳを基板ＳＵＢに対して相対的に直線移動しながら行う。直線移動する方向は、Ｘ－Ｙ平面内のいずれの方向であってもよい。これにより、各副画素ＳＰに均一な膜厚の有機層ＯＲが形成される。

【0080】

図１２は、表示素子２０の他の例を示す断面図である。
図１２に示す例は、図８に示した例と比較して、有機層ＯＲの周縁部が絶縁膜１３によって被覆された点で相違している。例えば、有機層ＯＲ１について、図の左側の周縁部、及び、図の右側の周縁部は、それぞれ絶縁膜１３によって覆われている。図１２に示す有機層ＯＲ１は、機能層Ｆ１１、発光層ＥＬ１、及び、機能層Ｆ２１を有しているが、これらの各層の周縁部が絶縁膜１３によって覆われている。

【0081】

このような絶縁膜１３が有機層ＯＲの周縁部に形成される場合、隔壁３０の上にも同様に形成される。第２層３２の上においては、絶縁膜１３は、有機層ＯＲ３を覆い、上部電極Ｅ２３によって覆われている。

【0082】

上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１のうちの最上層（図１２では機能層Ｆ２１）及び絶縁膜１３に接するが、機能層Ｆ１１及び発光層ＥＬ１には接していない。このため、有機層ＯＲの周縁部での不所望な電流リーク（例えば、発光層ＥＬ１を介することなく機能層Ｆ１１を介して下部電極Ｅ１１と上部電極Ｅ２１との間で電流が流れる不具合）等が抑制され、表示素子２０の性能劣化を抑制することができる。

【0083】

上記した本実施形態によれば、表示素子の性能劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

【0084】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0085】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0086】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0087】

ＤＳＰ…表示装置 １０…基材 １１…絶縁層（第１絶縁層）
１２…絶縁層（第２絶縁層） ＯＰ１…開口部（第１開口部） ＯＰ２…開口部（第２開口部） ２０…表示素子
Ｅ１１…下部電極（第１下部電極） Ｅ１２…下部電極（第２下部電極）
Ｅ２１…上部電極（第１上部電極） Ｅ２２…上部電極（第２上部電極）
ＯＲ１…有機層（第１有機層） ＯＲ２…有機層（第２有機層）
３０…隔壁 ３１…第１層 Ｓ１１…第１側面 Ｓ１２…第２側面 Ｕ１１…第１上面
３２…第２層 Ｕ１２…第２上面
ＯＲ３…有機層（第３有機層） Ｅ２３…上部電極（第３上部電極）
１３…絶縁膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】