特許 7596270 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-29

(45)【発行日】2024-12-09

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20241202BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241202BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 B

H01L21/302 101G

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2021537190

(86)(22)【出願日】2019-12-26

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-02-18

(86)【国際出願番号】 KR2019018512

(87)【国際公開番号】W WO2020138970

(87)【国際公開日】2020-07-02

【審査請求日】2022-12-06

(31)【優先権主張番号】10-2018-0169104

(32)【優先日】2018-12-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】504210651

【氏名又は名称】ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】オー ドン ヒュク

(72)【発明者】

【氏名】ウォン ス ヨン

(72)【発明者】

【氏名】キム ジョン シク

(72)【発明者】

【氏名】ファン チュル ジュ

【審査官】小▲高▼ 孔頌

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－２１９１２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０４２５６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０２２９７９７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／００５３３７３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－０２９１２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０５６４７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－０６０６１５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に対する処理工程が行われるチャンバー、
前記チャンバーに結合して基板を支持する支持部、
前記支持部の上側に配置されるように前記チャンバーに結合した蓋、
前記蓋に結合して前記蓋と前記支持部の間の処理空間を複数の処理領域に区画するために、前記処理空間にパージガスを噴射するパージガス噴射部、
前記蓋と前記支持部の間に配置されるように前記蓋に結合したシールド、
前記処理領域のうち、第１処理領域に第１ガスを噴射する第１噴射部、
前記第１噴射部から離隔した位置から前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射する第２噴射部、および
前記第１噴射部の下側に配置された第１噴射領域、前記第２噴射部の下側に配置された第２噴射領域、及び前記第１噴射領域と前記第２噴射領域の間の第１離隔空間が前記第１ガスを用いた処理工程が行われる領域になるように前記シールドに結合した第１隔壁部を含み、
前記第１隔壁部は、前記第１隔壁部に向かう外側方向に向かって、前記パージガス噴射部から離隔して配置され、
前記第１隔壁部が、前記第１噴射領域、前記第２噴射領域、及び前記第１離隔空間が互いに連通した第１隔壁領域をなすように突出し、
前記第１噴射領域と前記第２噴射領域は互いに離隔される位置に配置され、
前記第１離隔空間は前記第２噴射領域と前記第１噴射領域の間に配置される、
基板処理装置。

【請求項2】

前記第１隔壁部が、前記シールドと前記支持部が互いに離隔した距離に比べて、より短い長さに形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第１隔壁領域は、前記第１処理領域に比べて、より小さい大きさを有するように、前記シールドに結合したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１隔壁部が、前記第１噴射部および前記第２噴射部それぞれから離隔するように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記支持部は、複数の基板を支持し、
前記第１隔壁部は、前記パージガス噴射部および、前記第１隔壁領域の間に配置された第１隔壁部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記第１隔壁部材が、前記第１隔壁領域から前記支持部の回転軸が配置された領域に向かう内側方向に前記第１噴射部と前記第２噴射部それぞれから離隔するように配置されたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第１隔壁部材が、直線形態に形成されたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記第１隔壁部材が、前記第１隔壁領域から前記支持部の回転軸が配置された領域に向かう内側方向に突出するように形成されたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１隔壁部材が、内側方向に凸な曲面形態に形成されたことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記第１隔壁部が、前記第１隔壁部材の一側に結合した第２隔壁部材を含み、
前記第２隔壁部材は、前記第１隔壁部材の一側から前記支持部の回転軸が配置された領域から前記第１隔壁部材に向かう外側方向に延長されるほど、前記第１噴射部から離隔した距離が増加するように傾斜して形成されたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記第１隔壁部が、前記第１隔壁部材の他側に結合した第３隔壁部材を含み、
前記第３隔壁部材は、前記第１隔壁部材の他側から前記外側方向に延長されるほど、前記第２噴射部から離隔した距離が増加するように傾斜して形成されたことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記第１隔壁部が、前記第１隔壁部材に対向する外側部分が開放されるように形成されたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記シールドが、前記蓋に着脱可能に結合され、
前記第１隔壁部は、前記シールドが前記蓋から分離されることによって前記シールドと共に前記蓋から分離されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記シールドおよび前記第１隔壁部が、一体に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記処理領域の中で第２処理領域に第２ガスを噴射する第３噴射部、
前記第３噴射部から離隔した位置で前記第２処理領域に前記第２ガスを噴射する第４噴射部、および
前記第３噴射部の下側に配置された第３噴射領域、前記第４噴射部の下側に配置された第４噴射領域、及び前記第３噴射領域と前記第４噴射領域の間の第２離隔空間が前記第２ガスを用いた処理工程が行われる領域になるように前記シールドに結合した第２隔壁部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記第２隔壁部が、前記第３噴射領域、第４噴射領域、および前記第２離隔空間が互いに連通した第２隔壁領域をなすように突出し、前記第２隔壁領域が前記第２処理領域に比べて、より小さい大きさを有するように前記シールドに結合したことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記第２隔壁部が、前記第３噴射部および前記第４噴射部それぞれから離隔するように配置されたことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記第１隔壁部が、前記第１噴射領域、前記第２噴射領域、および前記第１離隔空間を囲むように、前記シールドに結合したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般的に、太陽電池（Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌ）、半導体素子、フラットパネルディスプレイ等を製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学的パターンを形成しなければならない。そのため、基板上の特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板処理工程が行われる。これらの基板の処理工程は、基板処理装置によって行われる。

【0003】

図１は、従来技術による基板処理装置の概略的な側面図である。

【0004】

図１を参照すると、従来の技術による基板処理装置１０は、支持部１１は、噴射部１２、およびパージ部１３を含む。

【0005】

前記支持部１１は、複数の基板２０を支持するものである。前記支持部１１は、前記基板２０が、前記噴射部１２の下側に配置されるように前記基板２０を支持する。

【0006】

前記噴射部１２は、プロセスガスを噴射するものである。前記噴射部１２は、複数の処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）にプロセスガスを噴射する。プロセスガスは、蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を実行するためのものである。前記噴射部１２は、前記処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）に互いに異なる種類のプロセスガスを噴射する。

【0007】

前記パージ部１３は、パージガスを噴射するものである。前記支持部１１に支持された基板２０の内側に配置された中央領域（ＣＡ）にパージガスを噴射する。前記中央領域（ＣＡ）は、前記処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）の内側に配置される。前記パージ部１３は、前記中央領域（ＣＡ）にパージガスを噴射して前記噴射部１２が噴射した互いに異なる種類のプロセスガスが互いに混合することを防止する。

【0008】

ここで、前記パージ部１３が前記中央領域（ＣＡ）に噴射するパージガスの噴射量が多いと、前記噴射部１２が前記処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）に噴射したプロセスガスがパージガスによって外側方向に押されるようになる。これにより、前記基板２０において、前記中央領域（ＣＡ）の方を向く内側部分には、相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する。

【0009】

前記パージ部１３が前記中央領域（ＣＡ）に噴射するパージガスの噴射量が少ないと、前記噴射部１２が前記処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）に噴射したプロセスガスが前記中央領域（ＣＡ）まで拡散するようになる。前記中央領域（ＣＡ）まで拡散したプロセスガスは、前記中央領域（ＣＡ）で滞在して、パージガス及び前記支持部１１の回転によって作用する遠心力によって外側方向に押されて、再び前記の処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）に流動する。これにより、前記基板２０の内側部分に相対的に過大蒸着、過剰エッチングなどが発生する。

【0010】

このように、従来の技術による基板処理装置１０は、前記基板２０に対する処理工程の均一性を確保することが困難な問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

本発明は、上述のような問題点を解決しようと案出されたもので、基板の処理工程の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

上述したような課題を解決するために、本発明は、下記のような構成を含むことができる。

【0013】

本発明に係る基板処理装置は、基板に対する処理工程が行われるチャンバー；前記チャンバーに結合し、基板を支持する支持部；前記支持部の上側に配置されるように前記チャンバーに結合した蓋；前記蓋に結合し、前記蓋と前記支持部の間の処理空間を複数の処理領域に区画するために前記の処理空間にパージガスを噴射するパージガス噴射部；前記蓋と前記支持部の間に配置されるように前記蓋に結合したシールド；前記処理領域のうち、第１処理領域に第１ガスを噴射する第１噴射部；前記第１噴射部から離隔した位置で前記第１処理領域に前記第１ガスを噴射する第２噴射部；および前記第１噴射部の下側に配置された第１噴射領域、前記第２噴射部の下側に配置された第２噴射領域、及び前記第１噴射領域と前記第２噴射領域の間の第１離隔空間が前記第１ガスを用いた処理工程が行われる領域になるように、前記シールドに結合した第１隔壁部を含み、前記第１隔壁部は、前記第１隔壁部に向かう外側方向に向かって、前記パージガス噴射部から離隔して配置され、前記第１隔壁部が、前記第１噴射領域、前記第２噴射領域、及び前記第１離隔空間が互いに連通した第１隔壁領域をなすように突出し、前記第１噴射領域と前記第２噴射領域は互いに離隔される位置に配置され、前記第１離隔空間は前記第２噴射領域と前記第１噴射領域の間に配置されることができる。

【発明の効果】

【0014】

本発明によると、次のような効果を図ることができる。

【0015】

本発明は、処理工程が行われる空間の大きさを拡大させることができるように具現することで、基板の処理工程の処理率を増大させることができる。

【0016】

本発明は、処理工程が行われる空間で処理ガスの流量と密度を増大させることができるよう具現することで、基板の処理工程の処理率を増大させることができるだけでなく、処理工程で使用されずに無駄にされている処理ガスの流量を減少させ、運用コストを削減することができる。

【0017】

本発明は、基板の処理工程が行われる過程で、パージガスにより基板に部分的に処理率に差が発生する程度を減らすことができるよう具現することで、基板処理工程の均一性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】従来技術による基板処理装置の概略的な側断面図

【図2】本発明に係る基板処理装置の概略的な分解斜視図

【図3】本発明に係る基板処理装置の概念的な平面図

【図4】本発明に係る基板処理装置において、噴射手段とパージガス噴射部、および隔壁手段の概念的な平面図

【図5】本発明に係る基板処理装置において、図４のＩ－Ｉ線を基準にした概略的な側面断面図

【図6】噴射機構のそれぞれに隔壁機構が結合した比較例を示した概念的な平面図

【図7】本発明に係る基板処理装置において、第１隔壁部を説明するための概念的な平面図

【図8】本発明に係る基板処理装置において、第１隔壁部の変形実施例を説明するための概念的な平面図

【図9】本発明に係る基板処理装置において、第１隔壁部の変形実施例を説明するための概念的な平面図

【図10】本発明に係る基板処理装置において、図４のＩ－Ｉ線を基準にして、隔壁手段が結合したシールドが蓋に着脱される様子を示した概略的な側断面図

【図11】本発明の変形実施例に係る基板処理装置において、第２隔壁部を説明するための概念的な平面図

【図12】本発明の変形実施例に係る基板処理装置において、図１１のII－II線を基準にした概略的な側面断面図

【図13】本発明の変形実施例に係る基板処理装置において、第２隔壁部の変形実施例を説明するための概念的な平面図

【図14】本発明の変形実施例に係る基板処理装置において、第２隔壁部の変形実施例を説明するための概念的な平面図

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下では、本発明に係る基板処理装置の実施例を添付した図を参照して詳細に説明する。

【0020】

図２～図４を参照すると、本発明に係る基板処理装置１は、基板（Ｓ）の処理工程を実行するものである。例えば、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に薄膜を蒸着する蒸着工程と、前記基板（Ｓ）に蒸着された薄膜の一部を除去するエッチング工程の中で少なくとも一つを実行することができる。本発明に係る基板処理装置１は、支持部２、蓋３、パージガス噴射部４、噴射手段５は、隔壁手段６（図４に示す）、およびシールド７（図２に示す）を含む。

【0021】

図２及び図３を参照すると、前記支持部２は、基板（Ｓ）を支持するものである。前記支持部２は、前記の処理工程が行われる処理空間を提供するチャンバー１ａの内部に結合することができる。前記処理空間は、前記支持部２と前記蓋３の間に配置することができる。前記チャンバー１ａは、前記の処理空間に存在するガスなどを排気させるための排気部（未図示）が結合され得る。前記基板（Ｓ）は、前記チャンバー１ａの外側に配置されたローディング装置（未図示）により前記チャンバー１ａの内部に搬入された後、前記支持部２に無事に到着することができる。前記の処理工程が完了すると、前記基板（Ｓ）は、前記チャンバー１ａの外側に配置されたアンローディング装置（未図示）により前記チャンバー１ａの外部に搬出することができる。前記基板（Ｓ）は、それぞれ、半導体基板またはウェハーであり得る。

【0022】

前記支持部２は、複数の基板（Ｓ）を支持することができる。前記基板（Ｓ）は、互いに離隔した位置に配置されるように、前記支持部２に支持することができる。例えば、前記基板（Ｓ）は、前記支持部２の中心を基準にして、互いに同じ角度で離隔した位置に配置することができる。図２及び図３には、前記支持部２に６つの基板が支持された例を示しているが、これに限定されず、前記支持部２には、２個、３個、４個、５個、または７個以上の基板（Ｓ）を支持することもできる。

【0023】

前記支持部２は、回転軸２ａ（図３に示す）を中心に回転することができる。前記支持部２は、第１回転方向（Ｒ１矢印の方向、図３に示す）に回転することができる。前記第１回転方向（Ｒ１、矢印の方向）は、前記回転軸２ａを中心に時計回りまたは反時計回りであり得る。前記基板（Ｓ）は、前記回転軸２ａを中心に前記第１回転方向（Ｒ１矢印の方向）に沿って互いに同じ角度で離隔するように、前記支持部２に支持することができる。図に示していないが、前記支持部２には、前記基板（Ｓ）を支持する複数の支持部材が結合されることもある。前記支持部２の回転軸２ａ及び前記支持部２の中心は、互いに同じ位置であり得る。

【0024】

前記支持部２が前記回転軸２ａを中心に回転することにより、前記基板（Ｓ）は、前記回転軸２ａを中心に公転することができる。前記支持部２は、回転力を提供する駆動部（未図示）に結合することができる。前記支持部２に前記支持部材が結合された場合、前記支持部材は、それぞれの回転軸を中心に回転（自転）することもできる。この場合、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に対して自転と公転が並行して行われるように回転しながら前記基板（Ｓ）に対して、前記の処理工程を行うことができる。

【0025】

図２を参照すると、前記蓋３は、前記支持部２の上側に配置されたものである。前記蓋３は、前記チャンバー１ａの上部を覆うように、前記チャンバー１ａに結合することができる。前記蓋３及び前記チャンバー１ａは、図２に示すように六角形構造に形成することができるが、これに限定されず、円筒形構造、楕円形構造、多角形構造などで形成することもできる。

【0026】

前記蓋３は、前記支持部２から上側に離隔して配置することができる。前記蓋３は、前記パージガス噴射部４及び前記噴射手段５を支持することができる。前記パージガス噴射部４及び前記噴射手段５は、それぞれ前記支持部２から上側に離隔して配置されるように前記蓋３に結合することができる。

【0027】

図２～図４を参照すると、前記パージガス噴射部４は、パージガスを噴射するものである。前記パージガス噴射部４は、前記処理空間に前記パージガスを噴射することにより、前記処理空間を複数の処理領域（ＰＡ）に区画することができる。前記パージガスは、前記基板（Ｓ）に対する処理工程に関与しないもので、例えば、アルゴン（Ａｒ）などのような不活性ガスであり得る。図３には、前記の処理空間が２つの処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）に区画される例を示しているが、これに限定されず、前記の処理空間は、３つ以上の処理領域（ＰＡ）に区画することもできる。

【0028】

前記パージガス噴射部４は、前記蓋３に結合することができる。前記パージガス噴射部４は、前記支持部２の上側に配置されるように前記蓋３に結合することができる。前記パージガス噴射部４は、前記支持部２の上側から前記支持部２の方を向く下側に前記パージガスを噴射することができる。前記蓋３には、前記パージガス噴射部４を結合するための第１結合孔（未図示）を形成することができる。前記パージガス噴射部４は、前記第１結合孔に挿入することにより、前記蓋３に結合することができる。前記第１結合孔は、前記蓋３を貫通して形成することができる。

【0029】

前記パージガス噴射部４は、中央領域（ＣＡ、図３に示す）に前記パージガスを噴射することができる。前記中央領域（ＣＡ）は、前記支持部２に支持された基板（Ｓ）の内側に配置されたものである。前記パージガス噴射部４は、前記中央領域（ＣＡ）に前記パージガスを噴射することにより、前記中央領域（ＣＡ）を介して前記噴射手段５が噴射した互いに異なる種類の処理ガスが混合することを防止することができる。

【0030】

前記パージガス噴射部４は、第１区画領域（ＤＡ１、図３に示す）及び第２ブロック領域（ＤＡ２、図３に示す）のそれぞれに、前記パージガスを噴射することができる。前記第１区画領域（ＤＡ１）は、前記中央領域（ＣＡ）の一側から前記処理領域（ＰＡ）の間に配置することができる。前記パージガス噴射部４は、前記第１区画領域（ＤＡ１）に前記パージガスを噴射することにより、前記第１区画領域（ＤＡ１）を介して前記噴射手段５が噴射した互いに異なる種類の処理ガスが混合することを防止することができる。前記第２区画領域（ＤＡ２）は、前記中央領域（ＣＡ）の他側から前記処理領域（ＰＡ）の間に配置することができる。前記パージガス噴射部４は、前記第２区画領域（ＤＡ２）に前記パージガスを噴射することにより、前記第２区画領域（ＤＡ２）を介して前記噴射手段５が噴射した互いに異なる種類の処理ガスが混合することを防止することができる。

【0031】

前記パージガス噴射部４は、前記中央領域（ＣＡ）、前記第１区画領域（ＤＡ１）、及び前記第２区画領域（ＤＡ２）に前記パージガスを噴射可能な形態で具現することができる。例えば、前記中央領域（ＣＡ）、前記第１区画領域（ＤＡ１）、及び前記第２区画領域（ＤＡ２）が直線形態をなすように配置された場合、前記パージガス噴射部４は、直線形態に具現することができる。例えば、前記中央領域（ＣＡ）、第１区画領域（ＤＡ１）、及び前記第２区画領域（ＤＡ２）がＹ字形態をなすように配置された場合、前記パージガス噴射部４は、Ｙ字形態に具現することもできる。

【0032】

前記パージガス噴射部４は、一つのガス噴射モジュールを用いて前記中央領域（ＣＡ）、第１区画領域（ＤＡ１）、及び前記第２区画領域（ＤＡ２）に前記パージガスを噴射するように具現することができる。図に示していないが、前記パージガス噴射部４は、複数のガス噴射モジュールを用いて前記中央領域（ＣＡ）、第１区画領域（ＤＡ１）、及び前記第２区画領域（ＤＡ２）に前記パージガスを噴射するように具現することもできる。この場合、前記パージガス噴射部４は、前記中央領域（ＣＡ）に前記パージガスを噴射する第１ガス噴射モジュール、前記第１区画領域（ＤＡ１）に前記パージガスを噴射する第２ガス噴射モジュール、および前記第２区画領域（ＤＡ２）に前記パージガスを噴射する第３ガス噴射モジュールを含むことができる。

【0033】

図に示していないが、前記パージガス噴射部４は、前記中央領域（ＣＡ）に前記パージガスを噴射するとともに、３つ以上の区画領域（ＤＡ）に前記パージガスを噴射するように具現することもできる。この場合、前記パージガス噴射部４は、前記区画領域（ＤＡ）に対応するように前記ガス噴射モジュールを複数個含むように具現することができる。

【0034】

図２～図５を参照すると、前記噴射手段５は、処理ガスを噴射するものである。前記噴射手段５は、前記処理領域（ＰＡ）に前記処理ガスを噴射することができる。これにより、前記処理領域（ＰＡ）に位置する基板（Ｓ）に対して前記処理ガスを用いた前記の処理工程を行うことができる。前記基板（Ｓ）が前記回転軸２ａを中心に公転経路に沿って公転する場合、前記噴射手段５は、前記公転経路に沿って配置された複数の処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）（図３に示す）に前記処理ガスを噴射することができる。この場合、前記基板（Ｓ）は、前記公転経路に沿って公転しながら前記の処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）を順次に通過することができる。前記基板（Ｓ）が、前記処理領域（ＰＡ１、ＰＡ２）を順次に通過する過程で、前記基板（Ｓ）に対して、前記処理工程を行うことができる。

【0035】

前記噴射手段５は、第１噴射部５１及び第２噴射部５２を含むことができる。

【0036】

前記第１噴射部５１は、第１処理領域（ＰＡ１）に第１ガスを噴射するものである。前記第１処理領域（ＰＡ１）は、前記パージガス噴射部４によって区画された処理領域（ＰＡ）の中のいずれか１つに該当する。前記第１ガスは、前記処理工程に用いられる処理ガスの中のいずれか１つに該当する。前記の処理工程が、ソースガスと反応ガスを用いて前記基板（Ｓ）に薄膜を蒸着する蒸着工程である場合、前記第１ガスは、ソースガスであり得る。

【0037】

前記第１噴射部５１は、前記蓋３に結合することができる。前記第１噴射部５１は、前記支持部２の上側に配置されるように前記蓋３に結合することができる。前記第１噴射部５１は、前記支持部２の上側から前記支持部２の方を向く下側に前記第１ガスを噴射することができる。前記蓋３には、前記第１噴射部５１を結合するための第２結合孔（未図示）を形成することができる。前記第１噴射部５１は、前記第２結合孔に挿入することにより、前記蓋３に結合することができる。前記第２結合孔は、前記蓋３を貫通して形成することができる。

【0038】

前記第２噴射部５２は、前記第１処理領域（ＰＡ１）に前記第１ガスを噴射するものである。前記第２噴射部５２は、前記蓋３に結合することができる。前記第２噴射部５２は、前記支持部２の上側から前記支持部２の方を向く下側に前記第１ガスを噴射することができる。前記蓋３には、前記第２噴射部５２を結合するための第３結合孔（未図示）を形成することができる。前記第２噴射部５２は、前記第３結合孔に挿入することにより、前記蓋３に結合することができる。前記第３結合孔は、前記蓋３を貫通して形成することができる。

【0039】

前記第２噴射部５２は、前記第１噴射部５１から離隔した位置で前記蓋３に結合することができる。これにより、前記第２噴射部５２および前記第１噴射部５１は、前記第１処理領域（ＰＡ１）の互いに異なる部分に、前記第１ガスを噴射することができる。この場合、前記第１噴射部５１は、前記第１処理領域（ＰＡ１）に属する第１噴射領域５１０に前記第１ガスを噴射することができる。前記第１噴射領域５１０は、前記第１噴射部５１の下側に配置されたものである。前記第２噴射部５２は、前記第１処理領域（ＰＡ１）に属する第２噴射領域５２０に前記第１ガスを噴射することができる。前記第２噴射領域５２０は、前記第２噴射部５２の下側に配置されたものである。前記第２噴射部５２と、前記第１噴射部５１が互いに離隔した位置に配置されることで、前記第２噴射領域５２０と前記第１噴射領域５１０は、互いに離隔した位置に配置することができる。この場合、前記第２噴射領域５２０と前記第１噴射領域５１０の間には、第１離隔空間（ＳＰ１、図４に示す）を配置することができる。

【0040】

図に示していないが、前記噴射手段５は、前記第１ガスを噴射する３つ以上の噴射機構を含むこともできる。前記第１ガスを噴射する噴射機構は、互いに離隔した位置で前記蓋３に結合することができる。この場合、前記噴射機構は、前記第１処理領域内で互いに離隔するように配置された噴射領域に個別に前記第１ガスを噴射することができる。

【0041】

前記噴射手段５は、第３噴射部５３をさらに含むことができる。

【0042】

前記第３噴射部５３は、第２処理領域（ＰＡ２）に第２ガスを噴射するものである。前記第２処理領域（ＰＡ２）は、前記パージガス噴射部４によって区画された処理領域（ＰＡ）の中のいずれか１つに該当する。前記第２処理領域（ＰＡ２）と前記第１処理領域（Ｐ１）は、互いに離隔した位置に配置することができる。前記第２ガスは、前記処理工程に用いられる処理ガスの中のいずれか１つに該当する。前記第２ガスと前記第１ガスは、互いに異なるガスであり得る。前記の処理工程が、ソースガスと反応ガスを用いて前記基板（Ｓ）に薄膜を蒸着する蒸着工程である場合、前記第２ガスは、反応ガスであり得る。この場合、前記第１ガスは、ソースガスであり得る。前記第２ガスがソースガスである場合、前記第１ガスは反応ガスであり得る。

【0043】

前記第３噴射部５３は、前記蓋３に結合することができる。前記第３噴射部５３は、前記支持部２の上側に配置されるように前記蓋３に結合することができる。前記第３噴射部５３は、前記支持部２の上側から前記支持部２の方を向く下側に前記第２ガスを噴射することができる。前記蓋３には、前記第３噴射部５３を結合するための第４結合孔（未図示）を形成することができる。前記第３噴射部５３は、前記第４結合孔に挿入することにより、前記蓋３に結合することができる。前記第４結合孔は、前記蓋３を貫通して形成することができる。

【0044】

前記噴射手段５は、第４噴射部５４をさらに含むことができる。

【0045】

前記第４噴射部５４は、前記第２処理領域（ＰＡ２）に前記第２ガスを噴射するものである。前記第４噴射部５４は、前記蓋３に結合することができる。前記第４噴射部５４は、前記支持部２の上側から前記支持部２の方を向く下側に前記第２ガスを噴射することができる。前記蓋３には、前記第４噴射部５４を結合するための第５結合孔（未図示）を形成することができる。前記第４噴射部５４は、前記第５結合孔に挿入することにより、前記蓋３に結合することができる。前記第５結合孔は、前記蓋３を貫通して形成することができる。

【0046】

前記第４噴射部５４は、前記第３噴射部５３から離隔した位置で前記蓋３に結合することができる。これにより、前記第４噴射部５４及び前記第３噴射部５３は、前記第２処理領域（ＰＡ２）の互いに異なる部分に前記第２ガスを噴射することができる。この場合、前記第３噴射部５３は、前記第２処理領域（ＰＡ２）に属する第３噴射領域５３０に前記第２ガスを噴射することができる。前記第３噴射領域５３０は、前記第３噴射部５３の下側に配置されたものである。前記第４噴射部５４は、前記第２処理領域（ＰＡ２）に属する第４噴射領域５４０に前記第２ガスを噴射することができる。前記第４噴射領域５４０は、前記第４噴射部５４の下側に配置されたものである。前記第４噴射部５４と、前記第３噴射部５３が互いに離隔した位置に配置されることで、前記第４噴射領域５４０と前記第３噴射領域５３０は、互いに離隔した位置に配置することができる。この場合、前記第４噴射領域５４０と前記第３噴射領域５３０の間には、第２離隔空間（ＳＰ２、図４に示す）を配置することができる。

【0047】

図に示していないが、前記噴射手段５は、前記第２ガスを噴射する３つ以上の噴射機構を含むこともできる。前記第２ガスを噴射する噴射機構は、互いに離隔した位置で前記蓋３に結合することができる。この場合、前記噴射機構は、前記第２処理領域内で互いに離隔するように配置された噴射領域に個別に前記第２ガスを噴射することができる。

【0048】

図２～図６を参照すると、前記隔壁手段６は、前記シールド７に結合したものである。前記隔壁手段６は、前記支持部２の上側に配置されるように前記シールド７に結合することができる。前記隔壁手段６は、上下方向を基準に、前記シールド７から下側に突出することができる。

【0049】

前記隔壁手段６は、第１隔壁部６１を含むことができる。

【0050】

前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射領域５１０、第２噴射領域５２０、及び前記第１離隔空間（ＳＰ１）を前記第１ガスを用いた処理工程が行われる領域になるように、前記シールド７に結合することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、次のような作用効果を図ることができる。

【0051】

まず、前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射部５１が噴射した第１ガス及び前記第２噴射部５２が噴射した第１ガスが前記第１離隔空間（ＳＰ１）の方に拡散することを許容するように具現することができる。これにより、図６に示すように、前記第１噴射部５１に第１隔壁部６１が結合されると共に、前記第２噴射部５２に第１隔壁部６１’が結合された比較例と対比すると、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１離隔空間（ＳＰ１）に存在する前記第１ガスの流量を増大させることができる。比較例は、前記第１隔壁部６１、６１’が、前記第１噴射部５１と前記第２噴射部５２のそれぞれが噴射した第１ガスが前記第１離隔空間（ＳＰ１）の方に拡散することを制限するので、第１離隔空間（ＳＰ１）に存在する前記第１ガスの流量が実施例に比べて、少なくなるしかない。

【0052】

したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１噴射領域５１０と前記第２噴射領域５２０だけでなく、前記第１離隔空間（ＳＰ１）でも、前記第１ガスを用いた処理工程が行われるように具現することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、比較例と対比すると、前記第１ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさを拡大させることができるので、前記第１ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。前記支持部２の回転を介して前記基板（Ｓ）が公転しながら処理工程が行われる場合、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部６１を用いて前記基板（Ｓ）が前記第１ガスによって処理される時間を増やすことによって、第１ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。

【0053】

第二に、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１噴射部５１が噴射した第１ガス及び前記第２噴射部５２が噴射した第１ガスが、前記第１隔壁部６１の外側に拡散することを制限することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部６１内に存在する前記第１ガスの流量および密度を増大させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記の処理工程に使用されずに浪費される第１ガスの流量を減少させることができるので、運用コストを削減することができる。

【0054】

第三に、本発明に係る基板処理装置１は、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが、前記第１隔壁部６１の内側に流入することを制限することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを用いた処理工程が行われる過程で、前記基板（Ｓ）の内側の部分に相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する程度を減らすことができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを用いた処理工程の均一性を向上させることができる。前記基板（Ｓ）の内側部分は、前記中央領域
（ＣＡ）を向くように配置された部分である。

【0055】

前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射領域５１０、第２噴射領域５２０、及び前記第１離隔空間（ＳＰ１）を囲むように、前記シールド７に結合することができる。これにより、前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射領域５１０、第２噴射領域５２０、及び前記第１離隔空間（ＳＰ１）を互いに連通した一つの空間にすることができる。前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射領域５１０、第２噴射領域５２０、及び前記第１離隔空間（ＳＰ１）を部分的に開放された形態で囲むことができる。例えば、前記第１隔壁部６１は、前記中央領域（ＣＡ）の反対側の方が開放された形態で、前記第１噴射領域５１０、第２噴射領域５２０、及び前記第１離隔空間（ＳＰ１）を囲むことができる。図に示していないが、前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射領域５１０、第２噴射領域５２０、及び前記第１離隔空間（ＳＰ１）を密閉する形態で囲むこともできる。

【0056】

前記第１隔壁部６１は、上下方向（Ｚ軸方向）を基準に、前記シールド７から下側に突出するように、前記シールド７に結合することができる。これにより、前記第１隔壁部６１は、前記第１ガスが外側に拡散することを制限することができるだけでなく、前記パージガスが内側に流入することを制限することができる。前記第１隔壁部６１は、前記上下方向（Ｚ軸方向）を基準に、前記シールド７と前記支持部２が互いに離隔した距離に比べて、より短い長さに形成することができる。これにより、前記第１隔壁部６１は、前記支持部２から離隔することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部６１と前記支持部２が互いに干渉しないように配置されるので、前記支持部２の回転を介して前記基板（Ｓ）が公転しながら処理工程が行われる場合にも、前記第１隔壁部６１と前記支持部２が衝突することを防止することができる。この場合、前記第１隔壁部６１は、前記支持部２に支持された基板（Ｓ）から上側に離隔した位置に配置されるように、前記シールド７に結合することもできる。

【0057】

前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射領域５１０、第２噴射領域５２０、及び前記第１離隔空間（ＳＰ１）が互いに連通した第１隔壁領域（ＰＷＡ１、図４に示す）をなすように突出することができる。この場合、前記第１噴射部５１は、前記第１ガスが前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）内で拡散されるように、前記第１噴射領域５１０に前記第１ガスを噴射することができる。前記第２噴射部５２は、前記第１ガスが前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）内で拡散されるように、前記第２噴射領域５２０に前記第１ガスを噴射することができる。すなわち、前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射領域５１０、第２噴射領域５２０、及び前記第１離隔空間（ＳＰ１）を一つの第１隔壁領域（ＰＷＡ１）にすることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）全体で、前記第１ガスを用いた処理工程が行われるように具現することができる。

【0058】

前記第１隔壁部６１は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）が、前記第１処理領域（ＰＡ１）に比べて、より小さな大きさを有するように、前記シールド７に結合することができる。これにより、前記第１隔壁部６１なしに、前記第１噴射部５１と前記第２噴射部５２のそれぞれが、前記第１処理領域（ＰＡ１）に、前記第１ガスを噴射することと対比すると、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）内に存在する前記第１ガスの流量と密度を増大させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）と前記第１処理領域（ＰＡ１）の大きさは、前記上下方向（Ｚ軸方向）に対して垂直な水平方向を基準とする面積の大きさであり得る。

【0059】

前記第１隔壁部６１は、前記第１噴射部５１及び前記第２噴射部５２のそれぞれから離隔するように配置することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部６１が、前記第１噴射部５１及び前記第２噴射部５２のそれぞれから離隔した距離だけ前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の大きさを拡大させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさを拡大させることができるので、前記第１ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。

【0060】

図に示していないが、前記噴射手段５が、前記第１ガスを噴射する３つ以上の噴射機構を含む場合には、前記第１隔壁部６１は、３つ以上の噴射機構が、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）内に位置するように、前記シールド７に結合することができる。前記隔壁手段６は、複数の第１隔壁部６１を含むこともできる。この場合、前記第１隔壁部６１は、個別に、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）を具現するように、前記シールド７に結合することができる。前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）それぞれには、前記第１ガスを噴射する２つ以上の噴射機構を配置することができる。

【0061】

図２～図８を参照すると、第１隔壁部６１は、第１隔壁部材６１１を含むことができる。

【0062】

前記第１隔壁部材６１１は、前記中央領域（ＣＡ）及び前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）との間に配置されたものである。これにより、前記第１隔壁部材６１１は、前記前記第１噴射部５１と前記前記第２噴射部５２が噴射した第１ガスが前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）から、前記中央領域（ＣＡ）に流動することを遮断することができる。この場合、前記第１隔壁部材６１１に詰まった第１ガスは、外側方向（ＯＤ矢印の方向、図７に示す）の方に流動するように流動方向が変更され、前記の処理工程に使用することができる。前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）は、前記中央領域（ＣＡ）から、前記第１隔壁部材６１１に向かう方向である。したがって、前記第１隔壁部材６１１は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）内に存在する前記第１ガスの流量および密度をさらに増大させることができる。前記第１隔壁部材６１１は、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが、前記中央領域
（ＣＡ）から、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）に流動することを遮断することができる。これにより、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）において、前記第１ガスを用いた処理工程が行われる過程で、第１隔壁部材６１１は、前記パージガスにより前記基板（Ｓ）の内側の部分に相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する程度を減らすことができる。

【0063】

前記第１隔壁部材６１１は、内側方向（ＩＤ矢印の方向）に、前記第１噴射部５１及び前記第２噴射部５２のそれぞれから離隔するように配置することができる。これにより、前記第１隔壁部材６１１は、前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）の方に前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の大きさを拡張させることで、前記第１ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさを拡大させることができる。前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）は、前記外側方向
（ＩＤ矢印の方向）に対して反対の方向である。前記第１隔壁部材６１１は、前記外側方向（ＩＤ矢印の方向）に前記パージガス噴射部４から離隔するように配置することができる。

【0064】

図７に示すように、第１隔壁部材６１１は、直線形態に形成することができる。これにより、前記第１隔壁部材６１１が前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に凸に形成されたものと対比すると、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部材６１１と前記パージガス噴射部４の間にパージガスが滞留することができる空間の大きさを減少させるように具現することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部材６１１と前記パージガス噴射部４の間に滞留するパージガスの流量を減少させることによって、前記パージガスにより前記基板（Ｓ）の内側部分に相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する程度をより低減することができる。前記第１隔壁部材６１１は、前記パージガス噴射部４に対して平行な直線形態に形成することができる。前記第１隔壁部材６１１は、前記パージガス噴射部４の中において前記中央領域（ＣＡ）に配置された部分に対して平行な直線形態に形成することもできる。

【0065】

図８に示すように、第１隔壁部材６１１は、前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）に突出するように形成することができる。これにより、前記第１隔壁部材６１１が直線形態に形成された実施例と対比すると、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部材６１１と前記パージガス噴射部４の間にパージガスが滞留することができる空間の大きさをより減少させるように具現することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部材６１１と前記パージガス噴射部４の間に滞留するパージガスの流量をより低減させることができる。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部材６１１が前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）に突出しただけ前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）の方に前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の大きさをより拡張させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさをより拡張させることができる。

【0066】

前記第１隔壁部材６１１は、前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）に凸な曲面形態に形成することができる。これにより、前記第１隔壁部材６１１は、図８に示した矢印のように、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが排気されるように誘導することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記パージガスが円滑に排気されるように具現することで、前記パージガスにより前記基板（Ｓ）の内側部分に相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する程度をさらに減らすことができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを用いた処理工程の均一性をさらに向上させることができる。

【0067】

図２～図９を参照すると、第１隔壁部６１は、第２隔壁部材６１２を含むことができる。

【0068】

前記第２隔壁部材６１２は、前記第１隔壁部材６１１の一側に結合したものである。前記第２隔壁部材６１２は、前記第１隔壁部材６１１の一側から前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に延長されるように形成することができる。これにより、前記第２隔壁部材６１２は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の一側を囲むように配置することができる。前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の一側は、前記第２噴射部５２から前記第１噴射部５１に向かう方向であり得る。前記第２隔壁部材６１２は、前記第１噴射部５１に対して平行に配置することができる。前記第１噴射部５１を所定の角度で傾斜して配置した場合、前記第２隔壁部材６１２は、前記第１噴射部５１と同じ角度で傾斜して配置することで、前記第１噴射部５１に対して平行に配置することができる。図に示していないが、３つ以上の噴射機構が、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）内に位置するように配置された場合、前記第２隔壁部材６１２は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の一側の方に最も外側に配置された噴射機構に対して平行に配置することができる。前記第２隔壁部材６１２および、前記第１隔壁部材６１１は、一体に形成することもできる。

【0069】

図９に示すように、第２隔壁部材６１２は、前記第１隔壁部材６１１の一側から前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に延長されるほど、前記第１噴射部５１から離隔した距離が増加するように傾斜して形成することもできる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部材６１２と前記第１隔壁部材６１１の間に第１拡張領域５１０ａを具現することで、第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の一側の方に前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の大きさをさらに拡張させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部材６１２の傾斜した配置を用いて、前記第１ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさをさらに拡張させることができる。また、前記第２隔壁部材６１２は、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが排気されるように誘導することもできる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部材６１２の傾斜した配置を用いて前記パージガスがより円滑に排気されるように具現することで、前記第１ガスを用いた処理工程の均一性をより向上させることができる。

【0070】

図２～図９を参照すると、第１隔壁部６１は、第３隔壁部材６１３を含むことができる。

【0071】

前記第３隔壁部材６１３は、前記第１隔壁部材６１１の他側に結合したものである。前記第３隔壁部材６１３は、前記第１隔壁部材６１１の他側から前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に延長するように形成することができる。これにより、前記第３隔壁部材６１３は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の他側を囲むように配置することができる。前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の他側は、第１噴射部５１から前記第２噴射部５２に向かう方向であり得る。前記第３隔壁部材６１３は、前記第２噴射部５２に対して平行に配置することができる。前記第２噴射部５２を所定の角度で傾斜して配置した場合、前記第３隔壁部材６１３は、前記第２噴射部５２と同じ角度で傾斜して配置することで、前記第２噴射部５２に平行に配置することができる。図に示していないが、３つ以上の噴射機構が、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）内に位置するように配置された場合、前記第２隔壁部材６１２は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の他側の方に最も外側に配置された噴射機構に対して平行に配置することができる。前記第３隔壁部材６１３と前記第１隔壁部材６１１は、一体に形成することもできる。前記第３隔壁部材６１３、第２隔壁部材６１２、及び前記第１隔壁部材６１１は、一体に形成することもできる。

【0072】

図９に示すように、第３隔壁部材６１３は、前記第１隔壁部材６１１の他側から前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に延長されるほど、前記第２噴射部５２から離隔した距離が増加するように傾斜して形成することもできる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第３隔壁部材６１３と前記第１隔壁部材６１１の間に第２拡張領域５２０ａを具現することで、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の他側の方に前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）の大きさをさらに拡張させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第３隔壁部材６１３の傾斜した配置を用いて、前記第１ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさをさらに拡張させることができる。また、前記第３隔壁部材６１３は、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが排気されるように誘導することもできる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第３隔壁部材６１３の傾斜した配置を用いて前記パージガスがより円滑に排気されるように具現することで、前記第１ガスを用いた処理工程の均一性をより向上させることができる。

【0073】

図２～図９を参照すると、第１隔壁部６１は、前記第１隔壁部材６１１に対応する外側部分が開放されるように形成することができる。前記第１隔壁部６１の外側部分は、前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）を向くように配置されたものである。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１隔壁部６１の外側部分を介して前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）から、前記処理工程に使用されて残った第１ガスを排気することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記の処理工程に使用して残った第１ガスのために前記第１ガスを用いた処理工程の均一性が低下することを防止することができる。

【0074】

図に示していないが、前記第１隔壁部６１は、前記外側部分を塞ぐ第１遮断部材を含むこともできる。前記第１遮断部材は、前記第１隔壁部材６１１に対向するように前記第２隔壁部材６１２と、前記第３隔壁部材６１３のそれぞれに結合することができる。この場合、前記第１隔壁部６１は、前記第１隔壁領域（ＰＷＡ１）を密閉させる形態で具現することができる。

【0075】

図２～図１０を参照すると、前記シールド７は、前記蓋３に結合したものである。前記シールド７は、前記上下方向（Ｚ軸方向）を基準に前記蓋３の下側に配置されるように前記蓋３に結合することができる。前記シールド７には、前記隔壁手段６が結合することができる。前記隔壁手段６は、前記上下方向（Ｚ軸方向）を基準に、前記シールド７から下側に突出することができる。前記隔壁手段６および前記蓋３は、一体に形成することもできる。

【0076】

前記シールド７は、前記蓋３に着脱可能に結合することができる。この場合、前記隔壁手段６は、前記シールド７が前記蓋３から分離されることによって前記シールド７と一緒に前記蓋３から分離することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記隔壁手段６に対して、修理、交換などの維持補修が必要な場合、工程条件などの変化に応じて前記隔壁手段６の長さを変更する必要がある場合などのように、前記隔壁手段６を前記蓋３から分離させる必要がある場合に、前記シールド７を前記蓋３から分離することにより、前記隔壁手段６を前記蓋３から容易に分離することができるように具現する。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記シールド７を前記蓋３に結合させることによって、前記隔壁手段６を前記蓋３に容易に結合させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記隔壁手段６を前記蓋３に対して着脱する作業のしやすさを向上させることだけでなく、前記隔壁手段６を前記蓋３に対して着脱する作業にかかる時間を短縮することができる。

【0077】

前記シールド７は、ボルトなどの締結手段を用いて前記蓋３に着脱可能に結合することができる。前記シールド７は、付着力を有する付着手段を用いて前記蓋３に着脱可能に結合することもできる。前記シールド７は、しまりばめ方式を利用して、前記蓋３に着脱可能に結合することもできる。

【0078】

前記シールド７は、絶縁材料で形成することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に対して蒸着工程を実行する場合、前記シールド７に不必要に薄膜が蒸着されることを遮断することができるだけでなく、前記シールド７を用いて前記蓋３に不必要に薄膜が蒸着されることを遮断することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記シールド７と前記蓋３に蒸着された薄膜により前記蒸着工程が完了した基板（Ｓ）の品質が低下することを防止することができるだけでなく、前記シールド７と前記蓋３に対する洗浄周期を長くすることができる。例えば、前記シールド７は、セラミック（Ｃｅｒａｍｉｃ）で形成することができる。前記隔壁手段６は、前記シールド７と同じ材質で形成することができる。

【0079】

前記シールド７は、前記上下方向（Ｚ軸方向）を基準に前記蓋３の下面全体を覆うように前記蓋３に結合することができる。この場合、前記シールド７には、前記噴射手段５が噴射した処理ガスを通過させるための複数の通過孔７１、７１’（図１０に示す）を形成することができる。

【0080】

上述したように、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを噴射する２つ以上の噴射機構を囲むよう前記隔壁手段６を備えるとともに、前記第２ガスを噴射する噴射機構には前記隔壁手段６なしに具現することができる。この場合、前記第１ガスがソースガスであり、前記第２ガスは反応ガスであり得る。前記第１ガスが反応ガスであり、前記第２ガスがソースガスであることもある。

【0081】

図２～図１２を参照すると、本発明の変形した実施例に係る基板処理装置１において、前記隔壁手段６は、第２隔壁部６２（図１１に示す）を含むことができる。

【0082】

前記第２隔壁部６２は、前記第３噴射領域５３０、前記第４噴射領域５４０、及び前記第２離隔空間（ＳＰ２）を前記第２ガスを用いた処理工程が行われる領域になるように前記シールド７に結合することができる。これにより、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部６２を用いて、前記第２ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさを拡大させることができるので、前記第２ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。また、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部６２内に存在する前記第２ガスの流量と密度を増大させることで、前記第２ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができ、前記の処理工程に使用されずに浪費される第２ガスの流量を減少させることができる。また、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部６２を用いて、前記第２ガスを用いた処理工程が行われる過程で、前記基板（Ｓ）の内側部分に相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する程度を減らすことができるので、第２ガスを用いた処理工程の均一性を向上させることができる。

【0083】

前記第２隔壁部６２は、前記第３噴射領域５３０、第４噴射領域５４０、及び前記第２離隔空間（ＳＰ２）を取り囲むように、前記シールド７に結合することができる。これにより、前記第２隔壁部６２は、前記第３噴射領域５３０、第４噴射領域５４０、及び前記第２離隔空間（ＳＰ２）を互いに連通した一つの空間にすることができる。前記第２隔壁部６２は、前記第３噴射領域５３０、第４噴射領域５４０、及び前記第２離隔空間（ＳＰ２）を部分的に開放した形態で囲むことができる。例えば、前記第２隔壁部６２は、前記中央領域（ＣＡ）の反対側の方が開放された形態で、前記第３噴射領域５３０、第４噴射領域５４０、及び前記第２離隔空間（ＳＰ２）を囲むことができる。図に示していないが、前記第２隔壁部６２は、前記第３噴射領域５３０、第４噴射領域５４０、及び前記第２離隔空間（ＳＰ２）を密閉させる形態で囲むこともできる。

【0084】

前記第２隔壁部６２は、前記上下方向（Ｚ軸方向）を基準に、前記シールド７から下側に突出するように、前記シールド７に結合することができる。これにより、前記第２隔壁部６２は、前記第２ガスが外側に拡散することを制限することができるだけでなく、前記パージガスが内側に流入することを制限することができる。前記第２隔壁部６２は、前記上下方向（Ｚ軸方向）を基準に、前記シールド７と前記支持部２が互いに離隔した距離に比べて、より短い長さで形成することができる。これにより、前記第２隔壁部６２は、前記支持部２から離隔することができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部６２と前記支持部２が互いに干渉しないように配置されるので、前記支持部２の回転を介して前記基板（Ｓ）が公転しながら処理工程が行われる場合にも、前記第２隔壁部６２と前記支持部２が衝突することを防止することができる。この場合、前記第２隔壁部６２は、前記支持部２に支持された基板（Ｓ）から上側に離隔した位置に配置されるように、前記シールド７に結合することもできる。

【0085】

前記第２隔壁部６２は、前記第３噴射領域５３０、第４噴射領域５４０、及び前記第２離隔空間（ＳＰ２）が互いに連通した第２隔壁領域（ＰＷＡ２、図１１に示す）をなすように突出することができる。この場合、前記第３噴射部５３は、前記第２ガスが前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）内で拡散するように前記第３噴射領域５３０に前記第２ガスを噴射することができる。前記第４噴射部５４は、前記第２ガスが前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）内で拡散するように、前記第４噴射領域５４０に前記第２ガスを噴射することができる。すなわち、前記第２隔壁部６２は、前記第３噴射領域５３０、第４噴射領域５４０、及び前記第２離隔空間（ＳＰ２）を一つの第２隔壁領域（ＰＷＡ２）にすることができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）全体で、前記第２ガスを用いた処理工程が行われるように具現することができる。

【0086】

前記第２隔壁部６２は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）が、前記第２処理領域（ＰＡ２、図４に示す）に比べて、より小さな大きさを有するように、前記シールド７に結合することができる。これにより、前記第２隔壁部６２なしに、前記第３噴射部５３と前記第４噴射部５４のそれぞれが、前記第２処理領域（ＰＡ２）に前記第２ガスを噴射することと対比すると、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）内に存在する前記第２ガスの流量および密度を増大させることができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２ガスを用いた処理工程の処理率をさらに増大させることができる。前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）と前記第２処理領域（ＰＡ２）の大きさは、前記上下方向（Ｚ軸方向）に対して垂直な水平方向を基準とする面積の大きさであり得る。

【0087】

前記第２隔壁部６２は、前記第３噴射部５３と前記第４噴射部５４のそれぞれから離隔するように配置することができる。これにより、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部６２が前記第３噴射部５３および前記第４噴射部５４のそれぞれから離隔した距離だけ前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の大きさを拡大させることができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさを拡大させることができるので、前記第２ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。

【0088】

図に示していないが、前記噴射手段５が前記第２ガスを噴射する３つ以上の噴射機構を含む場合、前記第２隔壁部６２は、３つ以上の噴射機構が前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）内に位置するように、前記シールド７に結合することができる。前記隔壁手段６は、複数の第２隔壁部６２を含むこともできる。この場合、前記第２隔壁部６２は、個別に前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）を具現するように、前記シールド７に結合することができる。前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）それぞれには、前記第２ガスを噴射する２つ以上の噴射機構を配置することができる。

【0089】

図２～図１３を参照すると、第２隔壁部６２は、第４隔壁部材６２１を含むことができる。

【0090】

前記第４隔壁部材６２１は、前記中央領域（ＣＡ）及び前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）との間に配置されたものである。これにより、前記第４隔壁部材６２１は、前記第３噴射部５３と前記第４噴射部５４が噴射した第２ガスが、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）から前記中央領域（ＣＡ）に流動することを遮断することができる。前記第４隔壁部材６２１に塞がれた第２ガスは、前記外側方向（ＯＤ矢印の方向、図１１に示す）の方に流動するように流動方向が変更され、前記の処理工程に使用することができる。この場合、前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）は、前記中央領域（ＣＡ）から記第４隔壁部材６２１に向かう方向である。したがって、前記第４隔壁部材６２１は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）内に存在する前記第２ガスの流量および密度を増大させることができる。前記第４隔壁部材６２１は、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが、前記中央領域（ＣＡ）から前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）に流動することを遮断することができる。これにより、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）において、前記第２ガスを用いた処理工程が行われる過程では、前記第４隔壁部材６２１は、前記パージガスにより前記基板（Ｓ）の内側部分に相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する程度を減らすことができる。

【0091】

前記第４隔壁部材６２１は、前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）に前記第３噴射部５３および前記第４噴射部５４のそれぞれから離隔するように配置することができる。この場合、前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）は、前記第４隔壁部材６２１から前記中央領域（ＣＡ）に向かう方向である。これにより、前記第４隔壁部材６２１は、前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）の方に前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の大きさを拡張させることで、前記第２ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさを拡大させることができる。前記第４隔壁部材６２１は、前記外側方向（ＩＤ矢印の方向）に前記パージガス噴射部４から離隔するように配置することができる。

【0092】

図１１に示すように、第４隔壁部材６２１は、直線形態に形成することができる。これにより、前記第４隔壁部材６２１が前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に凸に形成されたものと対比すると、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第４隔壁部材６２１と前記パージガス噴射部４の間にパージガスが滞留することができる空間の大きさを減少させるように具現することができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第４隔壁部材６２１と前記パージガス噴射部４の間に滞留するパージガスの流量を減少させることによって、前記パージガスにより前記基板（Ｓ）の内側部分に相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する程度をより低減することができる。前記第４隔壁部材６２１は、前記パージガス噴射部４に平行な直線形態に形成することができる。前記第４隔壁部材６２１は、前記パージガス噴射部４の中で、前記中央領域（ＣＡ）に配置された部分に対して平行な直線形態に形成することもできる。

【0093】

図１３に示すように、第４隔壁部材６２１は、前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）に突出するように形成することができる。これにより、前記第４隔壁部材６２１が直線形態に形成された実施例と対比すると、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第４隔壁部材６２１と前記パージガス噴射部４の間にパージガスが滞留することができる空間の大きさをより減少させるように具現することができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第４隔壁部材６２１と前記パージガス噴射部４の間に滞留するパージガスの流量をより低減させることができる。また、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第４隔壁部材６２１が前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）に突出しただけ前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）の方に前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の大きさをより拡張させることができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさをさらに拡張させることができる。

【0094】

前記第４隔壁部材６２１は、前記内側方向（ＩＤ矢印の方向）に凸な曲面形態に形成することができる。これにより、前記第４隔壁部材６２１は、図１３に示した矢印のように、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが排気されるように誘導することができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記パージガスが円滑に排気されるように具現することで、前記パージガスにより前記基板（Ｓ）の内側の部分に相対的に過少蒸着、過少エッチングなどが発生する程度をより低減することができる。これにより、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２ガスを用いた処理工程の均一性をさらに向上させることができる。

【0095】

図２～図１４を参照すると、第２隔壁部６２は、第５隔壁部材６２２を含むことができる。

【0096】

前記第５隔壁部材６２２は、前記第４隔壁部材６２１の一側に結合したものである。前記第５隔壁部材６２２は、前記第４隔壁部材６２１の一側から前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に延長するように形成することができる。これにより、前記第５隔壁部材６２２は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の一側を囲むように配置することができる。前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の一側は、前記第４噴射部５４から前記第３噴射部５３に向かう方向であり得る。前記第５隔壁部材６２２は、前記第３噴射部５３に対して平行に配置することができる。前記第３噴射部５３を所定の角度で傾斜して配置した場合、前記第５隔壁部材６２２は、前記第３噴射部５３と同じ角度で傾斜して配置することで、前記第３噴射部５３に平行に配置することができる。図に示していないが、３つ以上の噴射機構が前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）内に位置するように配置された場合、前記第５隔壁部材６２２は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の一側の方に最も外側に配置された噴射機構に対して平行に配置することができる。前記第５隔壁部材６２２および前記第４隔壁部材６２１は、一体に形成することもできる。

【0097】

図１４に示すように、第５隔壁部材６２２は、前記第４隔壁部材６２１の一側から前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に延長されるほど、前記第３噴射部５３から離隔した距離が増加するように傾斜して形成することもできる。これにより、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第５隔壁部材６２２と前記第４隔壁部材６２１の間に第３拡張領域５３０ａを具現することで、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の一側の方に前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の大きさをより拡張させることができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第５隔壁部材６２２の傾斜した配置を用いて、前記第２ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさをより拡張させることができる。また、前記第５隔壁部材６２２は、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが排気されるように誘導することもできる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第５隔壁部材６２２の傾斜した配置を用いて前記パージガスがより円滑に排気されるように具現することで、前記第２ガスを用いた処理工程の均一性をさらに向上させることができる。

【0098】

図２～図１４を参照すると、第２隔壁部６２は、第６隔壁部材６２３を含むことができる。

【0099】

前記第６隔壁部材６２３は、前記第４隔壁部材６２１の他側に結合したものである。前記第６隔壁部材６２３は、前記第４隔壁部材６２１の他側から前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に延長するように形成することができる。これにより、前記第６隔壁部材６２３は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の他側を囲むように配置することができる。前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の他側は、前記第３噴射部５３から前記第４噴射部５４に向かう方向であり得る。前記第６隔壁部材６２３は、前記第４噴射部５４に対して平行に配置することができる。前記第４噴射部５４を所定の角度で傾斜して配置した場合、前記第６隔壁部材６２３は、前記第４噴射部５４と同じ角度で傾斜して配置することで、前記第４噴射部５４に平行に配置することができる。図に示していないが、３つ以上の噴射機構が前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）内に位置するように配置された場合、前記第５隔壁部材６２２は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の他側の方に最も外側に配置された噴射機構に対して平行に配置することができる。前記第６隔壁部材６２３および前記第４隔壁部材６２１は、一体に形成することもできる。前記第６隔壁部材６２３、第５隔壁部材６２２、及び前記第４隔壁部材６２１は、一体に形成することもできる。

【0100】

図１４に示すように、第６隔壁部材６２３は、前記第４隔壁部材６２１の他側から前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）に延長されるほど、前記第４噴射部５４から離隔した距離が増加するように傾斜して形成することもできる。これにより、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第６隔壁部材６２３と前記第４隔壁部材６２１の間に第４拡張領域５４０ａを具現することで、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の他側の方に前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）の大きさをより拡張させることができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第６隔壁部材６２３の傾斜した配置を用いて、前記第２ガスを用いた処理工程が行われる空間の大きさをより拡張させることができる。また、前記第６隔壁部材６２３は、前記パージガス噴射部４が噴射したパージガスが排気されるように誘導することもできる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第６隔壁部材６２３の傾斜した配置を用いて前記パージガスがより円滑に排気されるように具現することで、前記第２ガスを用いた処理工程の均一性をさらに向上させることができる。

【0101】

図２～図１４を参照すると、第２隔壁部６２は、前記第４隔壁部材６２１に対応する外側部分が開放されるように形成することができる。前記第２隔壁部６２の外側部分は、前記外側方向（ＯＤ矢印の方向）を向くように配置されたものである。これにより、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第２隔壁部６２の外側部分を介して前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）において、前記処理工程に使用されて残った第２ガスを排気させることができる。したがって、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記処理工程に使用されて残った第２ガスによって前記第２ガスを用いた処理工程の均一性が低下することを防止することができる。

【0102】

図に示していないが、前記第２隔壁部６２は、前記外側部分を塞ぐ第２遮断部材を含むこともできる。前記第２遮断部材は、前記第４隔壁部材６２１に対向するように前記第５隔壁部材６２２と前記第６隔壁部材６２３のそれぞれに結合することができる。この場合、前記第２隔壁部６２は、前記第２隔壁領域（ＰＷＡ２）を密閉させる形態で具現することができる。

【0103】

上述したように、本発明の変形実施例に係る基板処理装置１は、前記第１ガスを噴射する２つ以上の噴射機構を囲むよう前記第１隔壁部６１を備えると共に前記第２ガスを噴射する噴射機構を取り囲むように前記第２隔壁部６２を備えるように具現することができる。

【0104】

以上で説明した本発明は、前述した実施例及び添付した図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。

【符号の説明】

【0105】

１ 基板処理装置、１ａ チャンバー、２ 支持部、３ 蓋、４ パージガス噴射部、５ 噴射手段、５１ 第１噴射部、５１０ 第１噴射領域、５１０ａ 第１拡張領域、５２ 第２噴射部、５２０ 第２噴射領域、５２０ａ 第２拡張領域、５３ 第３噴射部、５３０ 第３噴射領域、５４ 第４噴射部、５４０ 第４噴射領域、６ 隔壁手段、６１，６１’ 第１隔壁部、６１１ 第１隔壁部材、６１２ 第２隔壁部材、６１３ 第３隔壁部材、６２ 第２隔壁部、６２１ 第４隔壁部材、６２２ 第５隔壁部材、６２３ 第６隔壁部材、７ シールド、７１，７１’ 通過孔、１０ 基板処理装置、１１ 支持部、１２ 噴射部、１３ パージ部、２０ 基板。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】