知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-29
(45)【発行日】2024-12-09
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20241202BHJP
H01L 25/18 20230101ALI20241202BHJP
H01L 23/48 20060101ALI20241202BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20241202BHJP
H01L 21/56 20060101ALI20241202BHJP
【ＦＩ】
H01L25/04 C
H01L23/48 G
H01L21/60 301A
H01L21/56 R
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2021548756
(86)(22)【出願日】2020-09-07
(86)【国際出願番号】 JP2020033835
(87)【国際公開番号】W WO2021059947
(87)【国際公開日】2021-04-01
【審査請求日】2023-07-12
(31)【優先権主張番号】P 2019177885
(32)【優先日】2019-09-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】澤田 秀喜
【審査官】庄司 一隆
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１４／０３３８５７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１９９６３５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００８－０１６８２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－２０８９１２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０１８８８０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２５／０７
Ｈ０１Ｌ ２３／４８
Ｈ０１Ｌ ２１／６０
Ｈ０１Ｌ ２１／５６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子と、前記半導体素子を支持する支持基板と、
前記半導体素子と電気的に接続される導電体と、
前記半導体素子を封止する樹脂部材と、
を備える半導体装置であって、
前記導電体は、電子部品が実装される実装領域を有し、
前記樹脂部材は、前記実装領域を露出する樹脂開口部を有し、
前記半導体装置は、前記導電体として、電気的絶縁性を有する基板に金属層からなる導体部が形成された導通基板を備え、
前記半導体素子は、前記導通基板の前記導体部と電気的に接続されており、
前記支持基板は、前記導通基板を支持しており、
前記樹脂部材は、前記導通基板を封止しており、
前記実装領域には、前記電子部品を実装するための前記導体部が形成されており、
前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有する、
半導体装置。
【請求項2】
前記駆動用導体部の一部には、前記半導体素子の短絡を検出するための前記電子部品が実装されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記電子部品は、ダイオードを含む請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記駆動側開口部は、電気的絶縁性を有する樹脂材料によって充填されている請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記樹脂材料は、前記樹脂部材を構成する樹脂材料とは異なる請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電流を制御する制御電極を有し、前記導体部は、前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出する制御側開口部を有する
請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、前記導体部は、
前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部と、
前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部と、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部とを有し、
前記駆動側開口部と前記制御側開口部とは個別に設けられている
請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、前記導体部は、
前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、前記導体部は、
前記制御電極に電気的に接続される制御用導体部と、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている請求項６、７、及び９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている請求項８又は９に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電圧を制御する制御電極を有し、前記半導体装置は、前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードを有し、
前記制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出した制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続された制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、前記半導体装置は、
前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードを有し、
前記基準用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出した基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続された基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、前記半導体装置は、
前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードと、
を有し、
前記制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続されている制御用導体部と、
を有し、
前記基準用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続されている基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている請求項１２又は１４に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている請求項１３又は１４に記載の半導体装置。
【請求項17】
前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有し、
前記制御側開口部は、前記駆動側開口部から離間して設けられている
請求項１２～１６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
インバータ回路などに用いられる半導体装置は、導電部材としてのアイランドと、アイランドにドレイン電極が接続されるトランジスタと、トランジスタと電気的に接続される複数の端子と、トランジスタ及び複数の端子の一部を封止する樹脂部材とを備える（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１４－９３３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、半導体装置がインバータ回路に用いられた場合、インバータ回路に起因するサージや外乱が半導体装置に影響を与える場合がある。そこで、インバータ回路が形成され、半導体装置が実装される制御基板には、トランジスタのゲート電極のサージを低減するためのサージ低減回路やトランジスタを含む回路の短絡を保護するための短絡保護回路が設けられる。しかし、サージ低減回路が制御基板に設けられるため、サージ低減回路と半導体装置との間の距離が長くなることによって、サージ低減回路とトランジスタとを接続する導体部（配線）のインダクタンスが増加してしまう。また、短絡保護回路が制御基板に設けられるため、短絡保護回路と半導体装置の信号端子間の絶縁距離の確保が必要になり、短絡保護回路周辺の設計自由度が制約される。
【0005】
そこで、サージ低減回路及び短絡保護回路の一部分を内蔵した半導体装置が考えられる。この構成によれば、半導体装置の外部にサージ低減回路及び短絡保護回路が形成される場合と比較して、サージ低減回路とトランジスタとの間の距離が短くなるため、サージ低減回路とトランジスタとを接続する導体部の長さが短くなる。加えて、短絡保護回路と信号端子間の絶縁距離の確保が不要となるため、制御基板のレイアウトが容易になる。
【0006】
しかし、サージ低減回路及び短絡保護回路の一部分を半導体装置に内蔵すると、サージ低減回路の電気的特性の調整及び短絡保護回路の電気的特性の調整がそれぞれ樹脂部材の形成後にできず、半導体装置の使い勝手が悪くなる。なお、サージ低減回路および短絡保護回路以外のトランジスタに電気的に接続される電気回路が半導体装置に内蔵された場合でも同様の課題が生じ得る。
【0007】
本開示の目的は、インダクタンスを低減できるとともに制御基板のレイアウトが容易になり、使い勝手の良い半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示の一態様による半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を支持する支持基板と、前記半導体素子と電気的に接続される導電体と、前記半導体素子を封止する樹脂部材と、を備え、前記導電体は、電子部品が実装される実装領域を有し、前記樹脂部材は、前記実装領域を露出する樹脂開口部を有する。
【0009】
この構成によれば、例えばサージ低減回路を構成する電子部品を接続するための導電体が半導体装置に内蔵されているため、導電体が半導体装置の外部に配置される場合と比較して、導電体の長さが短くなる。したがって、導電体のインダクタンスを低減できる。
【0010】
また、短絡保護回路等の電気回路を構成する電子部品の一部分が半導体装置に内蔵されているため、短絡保護回路等の電気回路を半導体装置の外部に配置される場合と比較して、制御基板のレイアウトが容易になる。
【0011】
また、樹脂開口部を介して例えばサージ低減回路や短絡保護回路等の半導体素子に電気的に接続される電気回路を構成する電子部品を導電体の実装領域に実装することによって、樹脂部材の形成後に上記電気回路の電気的特性を調整できる。したがって、例えば制御基板に半導体装置を実装した後、半導体装置に適用する電気回路に適した電気的特性となるように半導体装置の電気的特性を調整できるため、半導体装置の使い勝手が良くなる。
【発明の効果】
【0012】
上記半導体装置によれば、インダクタンスを低減できるとともに制御基板のレイアウトが容易になり、使い勝手が良くなる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】第１実施形態の半導体装置の平面図。
【図2】第１実施形態の半導体装置の斜視図。
【図7A】樹脂部材を二点鎖線で示した半導体装置の平面図。
【図11A】半導体装置の断面図。
【図13】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図14】半導体装置の製造方法について、基板接合工程を説明するための工程図。
【図15】第２実施形態の半導体装置の平面図。
【図16】第２実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。
【図19】第２実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図20】第３実施形態の半導体装置の平面図。
【図24】第３実施形態の半導体装置の回路図。
【図25】第４実施形態の半導体装置の平面図。
【図26A】第４実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。
【図30】第５実施形態の半導体装置の平面図。
【図31】第５実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。
【図35】第６実施形態の半導体装置の平面図。
【図36】第６実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。
【図38】電子部品が実装されていない状態の導通基板の平面図。
【図44】第７実施形態の半導体装置の平面図。
【図45】第７実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。
【図48】第８実施形態の半導体装置の平面図。
【図49】第８実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。
【図52】第９実施形態の半導体装置の平面図。
【図53】第９実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。
【図58】第１０実施形態の半導体装置の平面図。
【図59】第１０実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。
【図62】変更例の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。
【図63】変更例の半導体装置の平面図。
【図64】変更例の半導体装置の平面図。
【図65】変更例の半導体装置の平面図。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、半導体装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。
【0015】
［第１実施形態］
図１～図１４を参照して、第１実施形態の半導体装置について説明する。なお、図１１Ａの半導体装置の断面図、及び図１１Ｂの半導体素子の断面図では、便宜上、断面を示すハッチングを省略している。
図１～図１４を参照して、第１実施形態の半導体装置について説明する。なお、図１１Ａの半導体装置の断面図、及び図１１Ｂの半導体素子の断面図では、便宜上、断面を示すハッチングを省略している。
【0016】
（半導体装置の概略構成）
図１に示すように、半導体装置１Ａは、半導体素子としての第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂと、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを支持する支持基板４０と、支持基板４０及び各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを封止する樹脂部材５０と、樹脂部材５０から突出する部分を有する複数のリード８０を有する。樹脂部材５０は、電子部品を実装可能とする樹脂開口部５０Ｘを有する。この半導体装置１Ａは、樹脂開口部５０Ｘによって実装される電子部品３０Ｘに応じて動作する。
図１に示すように、半導体装置１Ａは、半導体素子としての第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂと、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを支持する支持基板４０と、支持基板４０及び各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを封止する樹脂部材５０と、樹脂部材５０から突出する部分を有する複数のリード８０を有する。樹脂部材５０は、電子部品を実装可能とする樹脂開口部５０Ｘを有する。この半導体装置１Ａは、樹脂開口部５０Ｘによって実装される電子部品３０Ｘに応じて動作する。
【0017】
ここで、半導体装置１Ａの回路構成の一例を説明する。
（半導体装置の回路構成）
図５に示すように、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂが直列接続されたハーフブリッジ型のスイッチング回路２と、複数の端子２０と、を備える。半導体装置１Ａは、例えば、モータの駆動源、様々な電子機器のインバータ装置、及び様々な電子機器のＤＣ／ＤＣコンバータなどに用いられる電力変換装置（パワーモジュール）である。
（半導体装置の回路構成）
図５に示すように、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂが直列接続されたハーフブリッジ型のスイッチング回路２と、複数の端子２０と、を備える。半導体装置１Ａは、例えば、モータの駆動源、様々な電子機器のインバータ装置、及び様々な電子機器のＤＣ／ＤＣコンバータなどに用いられる電力変換装置（パワーモジュール）である。
【0018】
各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、スイッチング素子として用いられている。各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、例えばＳｉ（シリコン）やＳｉＣ（炭化シリコン）又は、ＧａＮ（窒化ガリウム）やＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、あるいは、Ｇａ２Ｏ３（酸化ガリウム）等からなるトランジスタが用いられている。各半導体素子１０Ａ，１０ＢがＳｉＣからなる場合、スイッチングの高速化に適している。本実施形態では、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、ＳｉＣからなるＮ型のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が用いられている。なお、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、ＭＯＳＦＥＴに限定されず、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor FET）を含む電界効果トランジスタ、又は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を含むバイポーラトランジスタなどのトランジスタであってもよい。各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴであってもよいし、ｐチャネル型であってもよい。
【0019】
各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、第１駆動電極の一例であるドレイン電極１１、第２駆動電極の一例であるソース電極１２、及び制御電極の一例であるゲート電極１３を備える。第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３は、第１半導体素子１０Ａに供給される電圧を制御する。第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３は、第２半導体素子１０Ｂに供給される電圧を制御する。図５に示すとおり、本実施形態では、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２が第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に接続されることによって、スイッチング回路２が構成されている。すなわち、第１半導体素子１０Ａはスイッチング回路２の上側アームを構成し、第２半導体素子１０Ｂはスイッチング回路２の下側アームを構成している。
【0020】
半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａの短絡を検出するための第１短絡検出回路３Ａと、第２半導体素子１０Ｂの短絡を検出するための第２短絡検出回路３Ｂとを備える。第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂはそれぞれ、後段の短絡保護回路（図示略）を構成する際の一部分を構成する。短絡保護回路は、各半導体素子１０Ａと各半導体素子１０Ｂとの短絡を保護するための回路であり、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ以外の回路部分は、半導体装置１Ａの外部に設けられている。
【0021】
より詳細には、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａを保護するための電子部品の一例である第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂと、第２半導体素子１０Ｂを保護するための電子部品の一例である第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂとを含む。これら高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂはそれぞれ、樹脂開口部５０Ｘによって実装される電子部品３０Ｘを構成している。
【0022】
第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂは互いに直列に接続されている。第１高耐圧ダイオード３０Ａのカソード電極は第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極に電気的に接続されており、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極は第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に電気的に接続されている。これにより、第１短絡検出回路３Ａが構成されている。
【0023】
第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂは互いに直列に接続されている。第２高耐圧ダイオード３１Ａのカソード電極は第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極に電気的に接続されており、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極は第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に電気的に接続されている。これにより、第２短絡検出回路３Ｂが構成されている。
【0024】
また、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３の電圧Ｖｇｓに掛かるサージを低減する第１サージ低減回路４Ａと、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３の電圧Ｖｇｓに掛かるサージを低減する第２サージ低減回路４Ｂとを備える。より詳細には、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に印加される電圧Ｖｇｓに掛かるサージを低減するための電子部品の一例である第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂと、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に印加される電圧Ｖｇｓに掛かるサージを低減するための電子部品の一例である第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂとを含む。本実施形態では、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂには、ショットキーバリアダイオードが用いられている。これら低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及びコンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂはそれぞれ、樹脂開口部５０Ｘによって実装される電子部品３０Ｘを構成している。
【0025】
第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは互いに直列に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極は第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極に電気的に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極と第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極との間のノードＮ２は、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に接続されている。
【0026】
第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは互いに直列に接続されており、かつ第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂと並列に接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第１端子は第１低耐圧ダイオード３２Ａのカソード電極に電気的に接続されており、第１コンデンサ３３Ａの第２端子は第１コンデンサ３３Ｂの第１端子に接続されている。第１コンデンサ３３Ｂの第２端子は、第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極に接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第２端子と第１コンデンサ３３Ｂの第１端子との間のノードＮ３は、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２に電気的に接続されている。このように、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが接続されることによって、第１サージ低減回路４Ａが構成されている。
【0027】
第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂは互いに直列に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極に電気的に接続されており、第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極と第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極との間のノードＮ４は、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に接続されている。
【0028】
第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは互いに直列に接続されており、かつ第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂに並列に接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第１端子は第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極に電気的に接続されており、第２コンデンサ３５Ａの第２端子は第２コンデンサ３５Ｂの第１端子に接続されている。第２コンデンサ３５Ｂの第２端子は、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極に接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第２端子と第２コンデンサ３５Ｂの第１端子との間のノードＮ５は、第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２に電気的に接続されている。このように、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが接続されることによって、第２サージ低減回路４Ｂが構成されている。
【0029】
複数の端子２０は、第１電力端子２１Ａ、第２電力端子２１Ｂ、出力端子２２、第１制御端子２３Ａ、第２制御端子２３Ｂ、第１ソース端子２４Ａ、第２ソース端子２４Ｂ、第１制御電力端子２５Ａ、第１制御電力端子２５Ｂ、第２制御電力端子２５Ｃ、第２制御電力端子２５Ｄ、第１短絡検出端子２６Ａ、及び第２短絡検出端子２６Ｂを有する。第１短絡検出端子２６Ａ及び第２短絡検出端子２６Ｂは、いわゆる負荷短絡を検出するＤＥＳＡＴ制御電力端子である。
【0030】
第１電力端子２１Ａは、第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に電気的に接続されている。第２電力端子２１Ｂは、第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２に電気的に接続されている。出力端子２２は、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１との間のノードＮ１に電気的に接続されている。
【0031】
第１制御端子２３Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極と第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極との間のノードＮ２に電気的に接続されており、ノードＮ２を介して第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３と電気的に接続されている。
【0032】
第１ソース端子２４Ａは、第１コンデンサ３３Ａの第２端子と第１コンデンサ３３Ｂの第１端子との間のノードＮ３に電気的に接続されており、ノードＮ３を介して第１半導体素子１０Ａのソース電極１２に電気的に接続されている。
【0033】
第１制御電力端子２５Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａのカソード電極と第１コンデンサ３３Ａの第１端子のそれぞれに電気的に接続されている。第１制御電力端子２５Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極と第１コンデンサ３３Ｂの第２端子のそれぞれに電気的に接続されている。このように、第１サージ低減回路４Ａは、第１制御電力端子２５Ａと第１制御電力端子２５Ｂに電気的に接続されている。
【0034】
第２制御電力端子２５Ｃは、第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極と第２コンデンサ３５Ａの第１端子のそれぞれに電気的に接続されている。第２制御電力端子２５Ｄは、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極と第２コンデンサ３５Ｂの第２端子のそれぞれに電気的に接続されている。このように、第２サージ低減回路４Ｂは、第２制御電力端子２５Ｃと第２制御電力端子２５Ｄに電気的に接続されている。
【0035】
第１短絡検出端子２６Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａのアノード電極に電気的に接続されている。すなわち第１短絡検出端子２６Ａは、第１短絡検出回路３Ａを介して第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に電気的に接続されている。第２短絡検出端子２６Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａのアノード電極に電気的に接続されている。すなわち第２短絡検出端子２６Ｂは、第２短絡検出回路３Ｂを介して第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に電気的に接続されている。
【0036】
（半導体装置の構成）
半導体装置１Ａには、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが上述の電子部品３０Ｘとして実装される。なお、半導体装置１Ａとしては、上述した電子部品のうちの少なくとも１つの電子部品が既に実装されている場合もある。
半導体装置１Ａには、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが上述の電子部品３０Ｘとして実装される。なお、半導体装置１Ａとしては、上述した電子部品のうちの少なくとも１つの電子部品が既に実装されている場合もある。
【0037】
次に、半導体装置１Ａの詳細な構成について説明する。なお、図１、図２、図６、及び図７Ａでは、既に電子部品が実装されている半導体装置１Ａを示している。
図１～図４、図６、及び、図７Ａに示すように、半導体装置１Ａは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを支持する支持基板４０と、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを封止する樹脂部材５０とを備える。本実施形態では、支持基板４０と樹脂部材５０とによってパッケージが構成されている。以降の説明において、説明の便宜上、互いに直交する方向を、横方向Ｘ、縦方向Ｙ、及び厚さ方向Ｚと定義する。厚さ方向Ｚは、支持基板４０の厚さ方向であって、支持基板４０と樹脂部材５０とが配列される方向である。横方向Ｘは、例えば半導体装置１Ａにおいて、後述する第１入力リード８１及び第２入力リード８２と、出力リード８３とが配列される方向を示す。縦方向Ｙは、半導体装置１Ａを厚さ方向Ｚからみて（以下、「平面視」という）、横方向Ｘと直交する方向を示す。
図１～図４、図６、及び、図７Ａに示すように、半導体装置１Ａは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを支持する支持基板４０と、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを封止する樹脂部材５０とを備える。本実施形態では、支持基板４０と樹脂部材５０とによってパッケージが構成されている。以降の説明において、説明の便宜上、互いに直交する方向を、横方向Ｘ、縦方向Ｙ、及び厚さ方向Ｚと定義する。厚さ方向Ｚは、支持基板４０の厚さ方向であって、支持基板４０と樹脂部材５０とが配列される方向である。横方向Ｘは、例えば半導体装置１Ａにおいて、後述する第１入力リード８１及び第２入力リード８２と、出力リード８３とが配列される方向を示す。縦方向Ｙは、半導体装置１Ａを厚さ方向Ｚからみて（以下、「平面視」という）、横方向Ｘと直交する方向を示す。
【0038】
図１～図４に示すように、樹脂部材５０は、略平板状に形成されている。図１に示すように、平面視における樹脂部材５０の形状は、矩形状である。本実施形態では、平面視における樹脂部材５０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。なお、平面視における樹脂部材５０の形状は任意に変更可能である。例えば平面視における樹脂部材５０の形状は正方形であってもよい。また、樹脂部材５０を構成する材料としては、熱硬化性樹脂が用いられている。本実施形態では、樹脂部材５０を構成する材料として、黒色のエポキシ樹脂が用いられている。
【0039】
樹脂部材５０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く樹脂天面５５及び樹脂裏面５６と、樹脂天面５５と樹脂裏面５６との厚さ方向Ｚの間に形成され、樹脂天面５５及び樹脂裏面５６と交差する面である第１樹脂側面５１、第２樹脂側面５２、第３樹脂側面５３、及び第４樹脂側面５４とを有する。本実施形態では、第１樹脂側面５１及び第２樹脂側面５２は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。平面視において、第１樹脂側面５１及び第２樹脂側面５２はそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。第３樹脂側面５３及び第４樹脂側面５４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向いている。平面視において、第３樹脂側面５３及び第４樹脂側面５４はそれぞれ、横方向Ｘに沿って延びている。本実施形態では、平面視において、第１樹脂側面５１及び第２樹脂側面５２は樹脂部材５０の短辺となり、第３樹脂側面５３及び第４樹脂側面５４は樹脂部材５０の長辺となる。
【0040】
図３及び図４に示すように、樹脂部材５０のうちの樹脂裏面５６寄りの部分には、樹脂裏面５６から厚さ方向Ｚに凹む溝５７Ａ，５７Ｂが形成されている。溝５７Ａは、横方向Ｘにおいて樹脂部材５０のうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に設けられている。溝５７Ａは、横方向Ｘに互いに離間して複数個（本実施形態では３個）設けられている。溝５７Ｂは、横方向Ｘにおいて樹脂部材５０のうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に設けられている。溝５７Ｂは、横方向Ｘに互いに離間して複数個（本実施形態では３個）設けられている。溝５７Ａ，５７Ｂはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。一例では、溝５７Ａ，５７Ｂは、樹脂部材５０の第３樹脂側面５３から第４樹脂側面５４までにわたり形成されている。なお、溝５７Ａ，５７Ｂの個数はそれぞれ任意に変更可能である。また、樹脂部材５０から溝５７Ａ，５７Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。
【0041】
支持基板４０は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂに電気的に接続される導電経路を構成するとともに各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを支持している。支持基板４０は、第１絶縁基板４１Ａ、第２絶縁基板４１Ｂ、第１導電部材４２Ａ、及び第２導電部材４２Ｂを備える。支持基板４０は、厚さ方向Ｚにおいて、各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂ及び各導電部材４２Ａ，４２Ｂがこの順に積層された構成である。
【0042】
各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂは、電気的絶縁性を有する。各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂは、例えば熱伝導性に優れたセラミックスである。このようなセラミックスとしては、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）などが挙げられる。本実施形態では、平面視における各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１絶縁基板４１Ａの横方向Ｘの長さは、第２絶縁基板４１Ｂの横方向Ｘの長さよりも短い。第１絶縁基板４１Ａの縦方向Ｙの長さは、第２絶縁基板４１Ｂの縦方向Ｙの長さと等しい。第１絶縁基板４１Ａの厚さ（厚さ方向Ｚにおける第１絶縁基板４１Ａの寸法）は、第２絶縁基板４１Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚにおける第２絶縁基板４１Ｂの寸法）と等しい。図１１Ａに示すように、第１絶縁基板４１Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４１ｓａ及び基板裏面４１ｒａを有する。第２絶縁基板４１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４１ｓｂ及び基板裏面４１ｒｂを有する。第１絶縁基板４１Ａ及び第２絶縁基板４１Ｂは、横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。第１絶縁基板４１Ａの基板主面４１ｓａには、第１導電部材４２Ａが配置されている。第２絶縁基板４１Ｂの基板主面４１ｓｂには第２導電部材４２Ｂが配置されている。第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂは、厚さ方向Ｚと直交する第１方向に離間した状態で配置されている。本実施形態では、第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂは、縦方向Ｙに間隔をあけて配置されている。各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板主面４１ｓａ，４１ｓｂは、各導電部材４２Ａ，４２Ｂとともに樹脂部材５０によって封止されている。一方、図３に示すように、各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板裏面４１ｒａ，４１ｒｂは、樹脂部材５０から露出している。各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板裏面４１ｒａ，４１ｒｂには、例えば図示しないヒートシンクなどが接続される。各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板裏面４１ｒａ，４１ｒｂは、横方向Ｘにおいて樹脂部材５０の溝５７Ａと溝５７Ｂとの間に配置されている。
【0043】
第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂはそれぞれ、金属板である。金属板の構成材料は、Ｃｕ（銅）又はＣｕ合金である。各導電部材４２Ａ，４２Ｂは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂとの導電経路を構成している。各導電部材４２Ａ，４２Ｂは、例えば銀ペースト、半田などの接合材によって各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板主面４１ｓａ，４１ｓｂに接合されている。なお、接合材は、銀ペーストや半田などの導電性材料であってもよいし、電気的絶縁性材料であってもよい。また、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）よりも厚く、例えば０．４ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。なお、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの表面は、銀めっきで覆われていてもよい。
【0044】
平面視における第１導電部材４２Ａの形状及び第２導電部材４２Ｂの形状はそれぞれ、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。平面視における第１導電部材４２Ａの形状及び第２導電部材４２Ｂの形状は互いに異なる。詳述すると、第１導電部材４２Ａの横方向Ｘの長さは、第２導電部材４２Ｂの横方向Ｘの長さよりも小さい。第１導電部材４２Ａの縦方向Ｙの長さは、第２導電部材４２Ｂの縦方向Ｙの長さと等しい。
【0045】
図１１Ａに示すように、第１導電部材４２Ａは、横方向Ｘにおいて第２導電部材４２Ｂよりも樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第１導電部材４２Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面４２ｓａ及び裏面４２ｒａを有する。主面４２ｓａは、厚さ方向Ｚにおいて第１絶縁基板４１Ａの基板主面４１ｓａと同じ方向を向いている。裏面４２ｒａは、厚さ方向Ｚにおいて第１絶縁基板４１Ａの基板裏面４１ｒａと同じ方向を向いている。裏面４２ｒａは、接合材を介して第１絶縁基板４１Ａの基板主面４１ｓａに接続されている。本実施形態では、図６及び図７Ａに示すように、主面４２ｓａには、３個の第１半導体素子１０Ａが実装されている。３個の第１半導体素子１０Ａは、横方向Ｘにおいて第１導電部材４２Ａの中央部に配置されている。３個の第１半導体素子１０Ａは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。
【0046】
図１１Ａに示すように、第２導電部材４２Ｂは、横方向Ｘにおいて第１導電部材４２Ａよりも樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第２導電部材４２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面４２ｓｂ及び裏面４２ｒｂを有する。主面４２ｓｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２絶縁基板４１Ｂの基板主面４１ｓｂと同じ方向を向いている。裏面４２ｒｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２絶縁基板４１Ｂの基板裏面４１ｒｂと同じ方向を向いている。裏面４２ｒｂは、接合材を介して第２絶縁基板４１Ｂの基板主面４１ｓｂに接続されている。本実施形態では、図６及び図７Ａに示すように、主面４２ｓｂには、３個の第２半導体素子１０Ｂが実装されている。３個の第２半導体素子１０Ｂは、横方向Ｘにおいて第２導電部材４２Ｂの中央部に配置されている。３個の第２半導体素子１０Ｂは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。横方向Ｘからみて、３個の第２半導体素子１０Ｂはそれぞれ、３個の第１半導体素子１０Ａと重ならないようにずれて配置されている。３個の第２半導体素子１０Ｂ及び３個の第１半導体素子１０Ａは、縦方向Ｙにおいて交互に配置されている。
【0047】
第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂは互いに同一の構成である。このため、以下では、第１半導体素子１０Ａの構成について説明し、第２半導体素子１０Ｂについては、第１半導体素子１０Ａと同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【0048】
第１半導体素子１０Ａは、平板状に形成されている。図７Ａに示すように、平面視における第１半導体素子１０Ａの形状は、正方形である。なお、平面視における各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの形状はそれぞれ任意に変更可能である。例えば、平面視における各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの形状は、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの一方が長辺方向となり、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの他方が短辺方向となる矩形状であってもよい。
【0049】
図１１Ｂに示すように、第１半導体素子１０Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子主面１０ｓ及び素子裏面１０ｒを有する。図７Ｂ及び図１１Ｂに示すように、素子主面１０ｓには、ソース電極１２とゲート電極１３とが設けられ、素子裏面１０ｒにはドレイン電極１１が設けられている。ゲート電極１３には、第１半導体素子１０Ａを駆動させるためのゲート電圧が印加される。第１半導体素子１０Ａは、ゲート電圧が予め設定されたしきい値以上になると、ドレイン電極１１にドレイン電流が流れ、ソース電極１２にソース電流が流れる。
【0050】
図７Ｂに示すように、平面視において、ソース電極１２が形成される領域は、ゲート電極１３が形成される領域よりも大きい。ソース電極１２は、素子主面１０ｓの大部分にわたり形成されている。ゲート電極１３は、ソース電極１２に形成された凹部１２ａ内に配置されている。図１１Ｂに示すように、ドレイン電極１１は、素子裏面１０ｒの全体にわたり形成されている。
【0051】
図７Ｂに示すように、ソース電極１２及びゲート電極１３上には、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６は、電気的絶縁性を有する。平面視において、絶縁膜１６は、ソース電極１２及びゲート電極１３を取り囲んでいる。絶縁膜１６は、例えばＳｉＯ２（二酸化シリコン）層、ＳｉＮ４（窒化シリコン）層、及びポリベンゾオキサゾール層が、素子主面１０ｓからこの順番で積層されたものである。なお、絶縁膜１６は、ポリベンゾオキサゾール層に代えて、ポリイミド層であってもよい。
【0052】
図１～図４、図６、図７Ａ、図８、及び図１０に示すように、半導体装置１Ａは、図５の複数の端子２０を構成する複数のリード８０を備える。複数のリード８０は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂ、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂと電気的に接続されている。
【0053】
複数のリード８０は、第１入力リード８１、第２入力リード８２、出力リード８３、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、第１短絡検出用リード８７Ａ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂを有する。
【0054】
第１電力端子２１Ａは第１入力リード８１によって構成され、第２電力端子２１Ｂは第２入力リード８２によって構成されている。出力端子２２は出力リード８３によって構成されている。第１制御端子２３Ａは第１制御用リード８４Ａによって構成され、第２制御端子２３Ｂは第２制御用リード８４Ｂによって構成されている。第１ソース端子２４Ａは第１制御用リード８５Ａによって構成され、第２ソース端子２４Ｂは第２制御用リード８５Ｂによって構成されている。第１制御電力端子２５Ａは第１制御電源用リード８６Ａによって構成され、第１制御電力端子２５Ｂは第１制御電源用リード８６Ｂによって構成され、第２制御電力端子２５Ｃは第２制御電源用リード８６Ｃによって構成され、第２制御電力端子２５Ｄは第２制御電源用リード８６Ｄによって構成されている。第１短絡検出端子２６Ａは第１短絡検出用リード８７Ａによって構成され、第２短絡検出端子２６Ｂは第２短絡検出用リード８７Ｂによって構成されている。
【0055】
第１半導体素子１０Ａは、第１入力リード８１、出力リード８３、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続されている。第２半導体素子１０Ｂは、第２入力リード８２、出力リード８３、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂと電気的に接続されている。
【0056】
各入力リード８１，８２は第１導電部材４２Ａによって支持され、出力リード８３は第２導電部材４２Ｂによって支持されている。一方、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの外部に配置されているため、各導電部材４２Ａ，４２Ｂによって支持されていない。
【0057】
【0058】
各入力リード８１，８２はそれぞれ、金属板から形成されている。金属板の構成材料は、例えばＣｕ（銅）又はＣｕ合金である。本実施形態では、各入力リード８１，８２の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、０．８ｍｍであるが、これに限られない。各入力リード８１，８２はそれぞれ、樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りとなるように配置されている。各入力リード８１，８２にはそれぞれ、例えば電源電圧が印加される。本実施形態では、第１入力リード８１に第１電源電圧が印加され、第２入力リード８２に第１電源電圧よりも低い第２電源電圧が印加される。厚さ方向Ｚにおいて第１入力リード８１と第２入力リード８２とは互いに重なる位置に配置されている。また厚さ方向Ｚにおいて第１入力リード８１と第２入力リード８２とは、離間して配置されている。
【0059】
出力リード８３は、金属板である。金属板の構成材料は、例えばＣｕ又はＣｕ合金である。出力リード８３は、樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄りに配置されている。各半導体素子１０Ａ，１０Ｂによって電力変換された交流電力（電圧）は、出力リード８３から出力される。
【0060】
本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂはそれぞれ、樹脂部材５０の第３樹脂側面５３から突出している。なお、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂのそれぞれが樹脂部材５０の樹脂側面から突出する位置は任意に変更可能である。例えば、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの一部が樹脂部材５０の第３樹脂側面５３から突出し、残りが第４樹脂側面５４から突出してもよい。
【0061】
各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、横方向Ｘに沿って配列されている。より詳細には、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａは、支持基板４０の第１導電部材４２Ａの縦方向Ｙの隣に位置している。第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂは、支持基板４０の第２導電部材４２Ｂの縦方向Ｙの隣に位置している。第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａからなる一群の第１リードと、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂからなる一群の第２リードとの横方向Ｘの間隔は、一群の第１リードにおける第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａのうちの横方向Ｘに隣り合うリードの間隔、及び一群の第２リードにおける第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂのうちの横方向Ｘに隣り合うリードの間隔よりも大きい。また、本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、同一のリードフレームから形成されている。このリードフレームを構成する材料は、Ｃｕ（銅）又はＡｌ（アルミニウム）である。本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの形状は、互いに同じである。
【0062】
一群の第１リードは、平面視において、横方向Ｘにおいて各入力リード８１，８２から出力リード８３に向かうにつれて、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１制御用リード８４Ａ、及び第１短絡検出用リード８７Ａの順に配列されている。一群の第２リードは、平面視において、横方向Ｘにおいて各入力リード８１，８２から出力リード８３に向かうにつれて、第２短絡検出用リード８７Ｂ、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御用リード８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃの順に配列されている。以下、一群の第１リード及び第２リードの各リードの構成について説明する。
【0063】
第１制御用リード８４Ａには、複数の第１半導体素子１０Ａを駆動させるためのゲート電圧が印加される。第２制御用リード８４Ｂには、複数の第２半導体素子１０Ｂを駆動させるためのゲート電圧が印加される。第１制御用リード８５Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と電気的に接続されている。第１制御用リード８５Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２の電圧を検出するためのリードである。第２制御用リード８５Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と電気的に接続されている。第２制御用リード８５Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２の電圧を検出するためのリードである。第１制御電源用リード８６Ａには、図示しない第１制御電源の第１制御電圧ＶＡ１が印加される。第１制御電源用リード８６Ｂには、第１制御電源における第１制御電圧ＶＡ１よりも低い第１制御電圧ＶＢ１が印加される。第２制御電源用リード８６Ｃには、図示しない第２制御電源の第２制御電圧ＶＡ２が印加される。第２制御電源用リード８６Ｄには、第２制御電源における第２制御電圧ＶＡ２よりも低い第２制御電圧ＶＢ２が印加される。なお、第１制御電源と第２制御電源とは互いに絶縁されている。第１短絡検出用リード８７Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と電気的に接続されている。第１短絡検出用リード８７Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１の非飽和状態を検出するためのリードである。第２短絡検出用リード８７Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と電気的に接続されている。第２短絡検出用リード８７Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１の非飽和状態を検出するためのリードである。
【0064】
各制御用リード８４Ａ，８４Ｂは、パッド部８４ｐ及び端子部８４ｔを有する。本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂは、パッド部８４ｐ及び端子部８４ｔが一体形成された単一部品である。各制御用リード８５Ａ，８５Ｂは、パッド部８５ｐ及び端子部８５ｔを有する。本実施形態では、各制御用リード８５Ａ，８５Ｂは、パッド部８５ｐ及び端子部８５ｔが一体形成された単一部品である。各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄは、パッド部８６ｐ及び端子部８６ｔを有する。本実施形態では、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄはパッド部８６ｐ及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、パッド部８７ｐ及び端子部８７ｔを有する。本実施形態では、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、パッド部８７ｐ及び端子部８７ｔが一体形成された単一部品である。
【0065】
各パッド部８４ｐ，８５ｐ，８６ｐ，８７ｐは、樹脂部材５０によって覆われている。これにより、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂはそれぞれ、樹脂部材５０によって支持されている。なお、各パッド部８４ｐ，８５ｐ，８６ｐ，８７ｐの表面には、例えば銀めっきが施されてもよい。各パッド部８４ｐ，８５ｐ，８６ｐ，８７ｐには、貫通孔８４ｈ，８５ｈ，８６ｈ，８７ｈが設けられている。貫通孔８４ｈ，８５ｈ，８６ｈ，８７ｈは、厚さ方向Ｚにおいてパッド部８４ｐ，８５ｐ，８６ｐ，８７ｐを貫通している。貫通孔８４ｈ，８５ｈ，８６ｈ，８７ｈにはそれぞれ、樹脂部材５０の一部が入り込んでいる。これにより、樹脂部材５０と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂとが分離し難くなる。
【0066】
各端子部８４ｔ，８５ｔ，８６ｔ，８７ｔは、樹脂部材５０の第３樹脂側面５３から突出している。このように、第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔによって第１制御端子２３Ａ（図５参照）が構成され、第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔによって第２制御端子２３Ｂ（図５参照）が構成されている。第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔによって第１ソース端子２４Ａ（図５参照）が構成され、第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔによって第２ソース端子２４Ｂ（図５参照）が構成されている。第１制御電源用リード８６Ａの端子部８６ｔによって第１制御電力端子２５Ａ（図５参照）が構成され、第１制御電源用リード８６Ｂの端子部８６ｔによって第１制御電力端子２５Ｂ（図５参照）が構成され、第２制御電源用リード８６Ｃの端子部８６ｔによって第２制御電力端子２５Ｃ（図５参照）が構成され、第２制御電源用リード８６Ｄの端子部８６ｔによって第２制御電力端子２５Ｄ（図５参照）が構成されている。第１短絡検出用リード８７Ａの端子部８７ｔによって第１短絡検出端子２６Ａ（図５参照）が構成され、第２短絡検出用リード８７Ｂの端子部８７ｔによって第２短絡検出端子２６Ｂ（図５参照）が構成されている。
【0067】
図６及び図１１Ａに示すように、第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ及び第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂには、導電体の一例である導通基板６０が搭載されている。すなわち、導通基板６０は、第１導電部材４２Ａと第２導電部材４２Ｂとの間の隙間を跨るように、第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂにわたり配置されている。導通基板６０は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂと複数のリード８０とを電気的に接続するための基板である。すなわち、導通基板６０は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂと複数のリード８０との間の導電経路を構成している。導通基板６０は、多層基板からなる。導通基板６０は、電気絶縁性を有する樹脂材料の基板と、基板に設けられた金属箔とを有する。基板を構成する材料としては、例えばガラスエポキシ樹脂が用いられる。金属箔を構成する材料としては、例えば銅箔が用いられる。なお、金属箔を構成する材料として、Ａｇ（銀）ペーストを用いてもよい。なお、基板を構成する材料として、Ｓｉ（シリコン）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＡｌＮ、プリプレグ等が用いられてもよい。
【0068】
導通基板６０は、第１半導体素子１０Ａを収容するような複数（本実施形態では３個）の第１基板開口部６１Ａ及び第１基板凹部６１Ｃと、第２半導体素子１０Ｂを収容するような複数（本実施形態では３個）の第２基板開口部６１Ｂとを有する。各基板開口部６１Ａ，６１Ｂ及び第１基板凹部６１Ｃは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの個数に応じて設けられている。各基板開口部６１Ａ，６１Ｂはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて導通基板６０を貫通している。第１基板凹部６１Ｃは、複数の第１基板開口部６１Ａのうちの縦方向Ｙにおいて最も樹脂部材５０の第４樹脂側面５４寄りの第１基板開口部６１Ａに設けられている。第１基板凹部６１Ｃは、第４樹脂側面５４側が開口する凹状に形成されている。第１基板開口部６１Ａ及び第２基板開口部６１Ｂはそれぞれ、導通基板６０を厚さ方向Ｚに貫通する貫通孔である。また、導通基板６０には、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂがそれぞれ実装されている。
【0069】
各入力リード８１，８２及び出力リード８３は、導通基板６０と一体化されている。図１１Ａに示すように、第１入力リード８１は、第１導電部材４２Ａと導通基板６０とによって挟み込まれている。第２入力リード８２は、導通基板６０によって挟み込まれている。出力リード８３は、第２導電部材４２Ｂと導通基板６０とによって挟み込まれている。
【0070】
次に、導通基板６０、各入力リード８１，８２、及び出力リード８３のそれぞれの詳細な構成について説明する。
図１２に示すように、本実施形態の導通基板６０は、第１層基板６０Ａ、第２層基板６０Ｂ、第３層基板６０Ｃ、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅ、及び第５層基板６０Ｆ，６０Ｇの５層の基板が厚さ方向Ｚに積層された多層基板である。導通基板６０は、各導電部材４２Ａ，４２Ｂに対して第１層基板６０Ａ、第２層基板６０Ｂ、第３層基板６０Ｃ、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅ、及び第５層基板６０Ｆ，６０Ｇの順で積層されている。第４層基板６０Ｄと第４層基板６０Ｅとは、横方向Ｘにおいて間隔をあけて配置されている。第５層基板６０Ｆと第５層基板６０Ｇとは、横方向Ｘにおいて間隔をあけて配置されている。
図１２に示すように、本実施形態の導通基板６０は、第１層基板６０Ａ、第２層基板６０Ｂ、第３層基板６０Ｃ、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅ、及び第５層基板６０Ｆ，６０Ｇの５層の基板が厚さ方向Ｚに積層された多層基板である。導通基板６０は、各導電部材４２Ａ，４２Ｂに対して第１層基板６０Ａ、第２層基板６０Ｂ、第３層基板６０Ｃ、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅ、及び第５層基板６０Ｆ，６０Ｇの順で積層されている。第４層基板６０Ｄと第４層基板６０Ｅとは、横方向Ｘにおいて間隔をあけて配置されている。第５層基板６０Ｆと第５層基板６０Ｇとは、横方向Ｘにおいて間隔をあけて配置されている。
【0071】
第１層基板６０Ａには、第１入力リード８１及び出力リード８３が取り付けられている。
図１１Ａに示すように、第１入力リード８１は、支持基板４０の第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに例えば半田や銀ペースト等の導電性接合材によって接合されている。図４に示すように、第１入力リード８１は、第１層基板６０Ａから横方向Ｘに突出する突出部８１ａを有する。平面視における突出部８１ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。突出部８１ａは、樹脂部材５０の内部に位置する中間部８１ｂと、樹脂部材５０の第１樹脂側面５１から突出する端子部８１ｃとに区分できる。端子部８１ｃは、第１電力端子２１Ａ（図５参照）を構成している。
図１１Ａに示すように、第１入力リード８１は、支持基板４０の第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに例えば半田や銀ペースト等の導電性接合材によって接合されている。図４に示すように、第１入力リード８１は、第１層基板６０Ａから横方向Ｘに突出する突出部８１ａを有する。平面視における突出部８１ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。突出部８１ａは、樹脂部材５０の内部に位置する中間部８１ｂと、樹脂部材５０の第１樹脂側面５１から突出する端子部８１ｃとに区分できる。端子部８１ｃは、第１電力端子２１Ａ（図５参照）を構成している。
【0072】
図１１Ａに示すように、出力リード８３は、支持基板４０の第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに例えば半田や銀ペースト等の導電性接合材によって接合されている。図４に示すように、出力リード８３は、第１層基板６０Ａから横方向Ｘに突出する突出部８３ａを有する。平面視における突出部８３ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。突出部８３ａは、樹脂部材５０の内部に位置する中間部８３ｂと、樹脂部材５０の第２樹脂側面５２から突出する端子部８３ｃとに区分できる。端子部８３ｃは、出力端子２２（図５参照）を構成している。
【0073】
図６及び図７Ａに示すように、横方向Ｘにおいて出力リード８３のうちの突出部８３ａとは反対側の端部には、導通基板６０から露出する複数（本実施形態では３個）の露出部８３ｄが設けられている。複数の露出部８３ｄは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙにおいて離間して配列されている。平面視において、各露出部８３ｄは、第１導電部材４２Ａと第２導電部材４２Ｂとの横方向Ｘの間に位置している。厚さ方向Ｚからみて、露出部８３ｄは、その一部が横方向Ｘにおける第２導電部材４２Ｂの第１導電部材４２Ａ寄りの端部と重なるように配置されている。また、各露出部８３ｄは、第１導電部材４２Ａに対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。平面視における各露出部８３ｄの形状は、正方形である。
【0074】
なお、平面視における各露出部８３ｄの形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における各露出部８３ｄの形状は、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの一方が長辺方向となり、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの他方が短辺方向となる矩形状である。
【0075】
図１２に示すように、第２層基板６０Ｂは、第１入力リード８１及び出力リード８３を第３層基板６０Ｃから電気的に絶縁するための基板である。第２層基板６０Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第１入力リード８１の突出部８１ａ及び第１入力リード８１のうちの第１層基板６０Ａに取り付けられた部分をそれぞれ覆っている。また第２層基板６０Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて出力リード８３のうちの第１層基板６０Ａに取り付けられた部分を覆っている。
【0076】
第３層基板６０Ｃには、第２入力リード８２が取り付けられている。第２入力リード８２は、第２層基板６０Ｂによって第１入力リード８１に対して電気的に絶縁されている。第２入力リード８２は、第３層基板６０Ｃから横方向Ｘに突出する突出部８２ａを有する。平面視における突出部８２ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、平面視における突出部８２ａの形状が第１入力リード８１の平面視における突出部８１ａの形状と同じである。突出部８２ａは、樹脂部材５０の内部に位置する中間部８２ｂと、樹脂部材５０の第１樹脂側面５１から突出する端子部８２ｃとに区分できる。端子部８２ｃは、第２電力端子２１Ｂ（図５参照）を構成している。
【0077】
図７Ａに示すように、横方向Ｘにおいて第２入力リード８２のうちの突出部８２ａとは反対側の端部には、導通基板６０から露出する複数（本実施形態では３個）の露出部８２ｄが設けられている。平面視において、各露出部８２ｄは、第１導電部材４２Ａと第２導電部材４２Ｂとの横方向Ｘの間に位置している。厚さ方向Ｚからみて、露出部８２ｄは、その一部が横方向Ｘにおける第２導電部材４２Ｂの第１導電部材４２Ａ寄りの端部と重なるように配置されている。また、各露出部８２ｄは、第１導電部材４２Ａに対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。平面視における各露出部８２ｄの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。各露出部８２ｄの横方向Ｘの長さは、出力リード８３の露出部８３ｄの横方向Ｘの長さよりも長い。各露出部８２ｄの縦方向Ｙの長さは、露出部８３ｄの縦方向Ｙの長さよりも短い。複数の露出部８２ｄは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙにおいて離間して配列されている。縦方向Ｙからみて、各露出部８２ｄは、出力リード８３の各露出部８３ｄと重なるように配置されている。縦方向Ｙにおいて、複数の露出部８２ｄは、複数の露出部８３ｄと交互に配置されている。
【0078】
図１２に示すように、第４層基板６０Ｄは、第２入力リード８２を第５層基板６０Ｆから電気的に絶縁するための基板である。第４層基板６０Ｄは、第３層基板６０Ｃのうちの第１導電部材４２Ａ寄りの部分に積層されている。換言すると、第４層基板６０Ｄは、その横方向Ｘの大きさが第１～第３層基板６０Ａ～６０Ｃの横方向Ｘの大きさよりも小さく、第２導電部材４２Ｂ寄りには設けられていない。
【0079】
第４層基板６０Ｅは、第３層基板６０Ｃのうちの第２導電部材４２Ｂ寄り（出力リード８３寄り）の部分を第５層基板６０Ｇから電気的に絶縁するための基板である。第４層基板６０Ｅは、厚さ方向Ｚにおいて第４層基板６０Ｄと揃った状態で第４層基板６０Ｄに対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第４層基板６０Ｅは、第３層基板６０Ｃのうちの第２導電部材４２Ｂ寄りの部分に積層されている。換言すると、第４層基板６０Ｅは、その横方向Ｘの大きさが第１～第３層基板６０Ａ～６０Ｃの横方向Ｘの大きさよりも小さく、第１導電部材４２Ａ寄りには設けられていない。
【0080】
図７Ａに示すように、第５層基板６０Ｆは、導通基板６０の最表層の基板であり、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂがそれぞれ実装される基板である。第５層基板６０Ｆは、第４層基板６０Ｄに積層されている。換言すると、第５層基板６０Ｆは、その横方向Ｘの大きさが第１～第３層基板６０Ａ～６０Ｃの横方向Ｘの大きさよりも小さく、第２導電部材４２Ｂ寄りには設けられていない。第５層基板６０Ｆは、図５に示す第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａを構成している。
【0081】
第５層基板６０Ｆは、導通基板６０の最表層の基板であり、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａ、及び第１配線片６７Ａを有する。平面視において、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）は、横方向Ｘにおいて複数の第１半導体素子１０Ａよりも樹脂部材５０の第３樹脂側面５３側に延びる第１配線領域７０Ａを有する。第１配線領域７０Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域である。
【0082】
第１駆動用配線６２Ａ、及び第１制御用配線６３Ａ，６４Ａはそれぞれ、第５層基板６０Ｆの第１配線領域７０Ａ以外の領域から第１配線領域７０Ａまで延びている。第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａ、及び第１配線片６７Ａは、第１配線領域７０Ａに配置されている。第１配線領域７０Ａには、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂがそれぞれ実装されている。このため、第１配線領域７０Ａには、第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａが形成されている。すなわち、第５層基板６０Ｆには、複数の第１半導体素子１０Ａに対して縦方向Ｙの一方側（本実施形態では複数の第１半導体素子１０Ａに対して樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄り）に偏って配線領域が形成されている。
【0083】
第１駆動用配線６２Ａは、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１（図１１Ｂ参照）に電気的に接続されている。また第１駆動用配線６２Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを介して第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続されている。すなわち、第１駆動用配線６２Ａを介して各第１半導体素子１０Ａの短絡が検出される。このように、第１駆動用配線６２Ａは、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と第１短絡検出用リード８７Ａとを電気的に接続するための配線部である。
【0084】
図７Ａ及び図８に示すように、第１駆動用配線６２Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６２ｐａと、第１配線部分６２ｐａから横方向Ｘに延びる複数（本実施形態では２個）の第２配線部分６２ｐｂと、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを接続するための第３配線部分６２ｐｃと、第１高耐圧ダイオード３０Ｂと第１短絡検出用リード８７Ａとを接続するための第４配線部分６２ｐｄとを有する。
【0085】
第１配線部分６２ｐａは、横方向Ｘにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも第２導電部材４２Ｂ寄りに配置されている。第１配線部分６２ｐａは、横方向Ｘにおいて第５層基板６０Ｆのうちの第２導電部材４２Ｂ（図７Ａ参照）寄りの端部に配置されている。第１配線部分６２ｐａは、横方向Ｘからみて、各第１半導体素子１０Ａと重なるように延びている。第２配線部分６２ｐｂは、縦方向Ｙにおいて隣り合う第１半導体素子１０Ａの間に配置されている。
【0086】
図８に示すように、縦方向Ｙにおける第１配線部分６２ｐａのうちの樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの端部６２ｐｘは、第１配線領域７０Ａに配置されている。端部６２ｐｘの横方向Ｘの幅は、第１配線部分６２ｐａのうちの端部６２ｐｘ以外の部分の横方向Ｘの幅よりも小さい。第３配線部分６２ｐｃは、縦方向Ｙにおいて端部６２ｐｘと揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。本実施形態では、第３配線部分６２ｐｃの縦方向Ｙの長さは、端部６２ｐｘの縦方向Ｙの長さと等しい。また、第３配線部分６２ｐｃの横方向Ｘの幅は、端部６２ｐｘの横方向Ｘの幅よりも大きい。
【0087】
第４配線部分６２ｐｄは、横方向Ｘにおいて第３配線部分６２ｐｃに対して端部６２ｐｘとは反対側に離間して配置される第１部分６２ｐｙと、第１部分６２ｐｙから第１短絡検出用リード８７Ａに向けて延びる第２部分６２ｐｚとを有する。
【0088】
第１部分６２ｐｙは、縦方向Ｙに延びている。第１部分６２ｐｙの横方向Ｘの幅は、端部６２ｐｘの横方向Ｘの幅よりも大きい。本実施形態では、第１部分６２ｐｙの横方向Ｘの幅は、第３配線部分６２ｐｃの横方向Ｘの幅と等しい。平面視における第２部分６２ｐｚの形状は、Ｌ字状である。具体的には、第２部分６２ｐｚは、縦方向Ｙにおける第１部分６２ｐｙのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部から第２導電部材４２Ｂ側に向けて横方向Ｘに沿って延びて、第１短絡検出用リード８７Ａと横方向Ｘに揃った位置から第１短絡検出用リード８７Ａに向けて縦方向Ｙに沿って延びている。第２部分６２ｐｚは、横方向Ｘにおいて第１配線部分６２ｐａの端部６２ｐｘよりも樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0089】
第２部分６２ｐｚのうちの第１短絡検出用リード８７Ａ寄りの端部と、第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐとは、第１短絡検出用接続部材９７Ａによって接続されている。第１短絡検出用接続部材９７Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0090】
第１駆動用配線６２Ａには、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂが実装されている。より詳細には、第１配線部分６２ｐａの端部６２ｐｘと第３配線部分６２ｐｃとには、第１高耐圧ダイオード３０Ａが接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ａのカソード電極が端部６２ｐｘに接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ａのアノード電極が第３配線部分６２ｐｃに接続されている。また、第３配線部分６２ｐｃと第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙとには、第１高耐圧ダイオード３０Ｂが接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのカソード電極が第３配線部分６２ｐｃに接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極が第１部分６２ｐｙに接続されている。このように、第１配線部分６２ｐａ、第３配線部分６２ｐｃ、及び第４配線部分６２ｐｄによって、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとが直列接続されている。
【0091】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１高耐圧ダイオード３０Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１高耐圧ダイオード３０Ｂが配置されている。加えて、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。
【0092】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１制御用配線６３Ａは、各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３と第１制御用リード８４Ａとを電気的に接続するための配線部である。第１制御用配線６３Ａと各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３とは、図７Ｂに示すように、第１制御用接続部材９２Ａによって接続されている。第１制御用接続部材９２Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。図８に示すように、第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６３ｐａと、第１配線部分６３ｐａから縦方向Ｙに向かうにつれて第２導電部材４２Ｂ（図７Ａ参照）側に向けて斜めに延びる第２配線部分６３ｐｂと、第２配線部分６３ｐｂから第１制御用リード８４Ａに向けて延びる第３配線部分６３ｐｃとを有する。
【0093】
図７Ａに示すように、第１配線部分６３ｐａは、横方向Ｘにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに各第１半導体素子１０Ａと隣り合うように配置されている。第１配線部分６３ｐａは、横方向Ｘからみて、各第１半導体素子１０Ａと重なるように延び、かつ、縦方向Ｙにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３側まで延びている。図８に示すように、縦方向Ｙにおける第１配線部分６３ｐａのうちの第３樹脂側面５３側の端部は、横方向Ｘからみて、第３配線部分６２ｐｃ及び第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙと重なるように配置されている。
【0094】
第２配線部分６３ｐｂ及び第３配線部分６３ｐｃはそれぞれ、第１配線領域７０Ａに配置されている。すなわち、平面視において、第２配線部分６３ｐｂ及び第３配線部分６３ｐｃはそれぞれ、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0095】
第２配線部分６３ｐｂは、横方向Ｘからみて、第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙ及び第２部分６２ｐｚと重なるように配置されている。
第３配線部分６３ｐｃは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。平面視における第３配線部分６３ｐｃの形状は、Ｌ字状である。第３配線部分６３ｐｃは、第２配線部分６２ｐｂから第２導電部材４２Ｂ側に向けて横方向Ｘに沿って延びる第１部分６３ｐｘと、横方向Ｘにおける第１部分６３ｐｘのうちの第２導電部材４２Ｂ側の端部から第１制御用リード８４Ａに向けて縦方向Ｙに沿って延びる第２部分６３ｐｙとを有する。第３配線部分６３ｐｃの幅（平面視において第３配線部分６３ｐｃが延びる方向と直交する方向の寸法）は、第１配線部分６３ｐａの横方向Ｘの幅よりも大きい。第３配線部分６３ｐｃのうちの第１制御用リード８４Ａ側の端部と第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとは、第１制御リード用接続部材９４Ａによって接続されている。第１制御リード用接続部材９４Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
第３配線部分６３ｐｃは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。平面視における第３配線部分６３ｐｃの形状は、Ｌ字状である。第３配線部分６３ｐｃは、第２配線部分６２ｐｂから第２導電部材４２Ｂ側に向けて横方向Ｘに沿って延びる第１部分６３ｐｘと、横方向Ｘにおける第１部分６３ｐｘのうちの第２導電部材４２Ｂ側の端部から第１制御用リード８４Ａに向けて縦方向Ｙに沿って延びる第２部分６３ｐｙとを有する。第３配線部分６３ｐｃの幅（平面視において第３配線部分６３ｐｃが延びる方向と直交する方向の寸法）は、第１配線部分６３ｐａの横方向Ｘの幅よりも大きい。第３配線部分６３ｐｃのうちの第１制御用リード８４Ａ側の端部と第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとは、第１制御リード用接続部材９４Ａによって接続されている。第１制御リード用接続部材９４Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0096】
図７Ａに示すように、第１制御用配線６４Ａは、各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と第１制御用リード８５Ａとを接続するための配線部である。第１制御用配線６４Ａは、各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２を外部へ引き出し、各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３とソース電極１２との間にゲート電圧を供給するための配線部である。第１制御用配線６４Ａと各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２とは、第１制御用接続部材９３Ａによって接続されている。第１制御用接続部材９３Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。図８に示すように、第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６４ｐａと、第１配線部分６４ｐａから縦方向Ｙに向かうにつれて第２導電部材４２Ｂ側に向けて斜めに延びる第２配線部分６４ｐｂと、第２配線部分６４ｐｂから第１制御用リード８５Ａに向けて延びる第３配線部分６４ｐｃとを有する。
【0097】
第１配線部分６４ｐａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６３Ａに対して各第１半導体素子１０Ａとは反対側に配置されている。第１配線部分６４ｐａは、横方向Ｘにおける第５層基板６０Ｆのうちの第１樹脂側面５１側の端部に形成されている。本実施形態では、第１配線部分６４ｐａの縦方向Ｙの長さは、第１制御用配線６３Ａの第１配線部分６３ｐａの縦方向Ｙの長さと等しい（図７Ａ参照）。第２配線部分６４ｐｂは、第１制御用配線６３Ａの第２配線部分６３ｐｂと平行である。第２配線部分６４ｐｂは、横方向Ｘからみて、第２配線部分６３ｐｂと重なるように配置されている。また、第２配線部分６４ｐｂは、縦方向Ｙからみて、第２配線部分６３ｐｂと重なるように配置されている。第３配線部分６４ｐｃは、横方向Ｘにおいて第１制御用リード８５Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第３配線部分６４ｐｃは、第２配線部分６３ｐｂから縦方向Ｙに沿って延びる第１部分６４ｐｘと、第２部分６４ｐｙとを有する。第２部分６４ｐｙは、縦方向Ｙにおいて第１部分６４ｐｘよりも第３樹脂側面５３寄りに位置している。第２部分６４ｐｙの横方向Ｘの幅は、第１部分６４ｐｘの横方向Ｘの幅よりも大きい。第２部分６４ｐｙと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとは、第１制御リード用接続部材９５Ａによって接続されている。第１制御リード用接続部材９５Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0098】
第１制御電源用配線６５Ａは、第１制御用配線６３Ａと第１制御用配線６４Ａとの横方向Ｘの間に配置されている。具体的には、第１制御電源用配線６５Ａは、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃの第２部分６３ｐｙと、第１制御用配線６４Ａの第３配線部分６４ｐｃの第２部分６４ｐｙとの横方向Ｘの間に配置されている。縦方向Ｙにおいて第１制御電源用配線６５Ａは、第５層基板６０Ｆのうちの第３樹脂側面５３側の端部に配置されている。第１制御電源用配線６５Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御電源用配線６５Ａの横方向Ｘの幅は、第１駆動用配線６２Ａにおける第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚの幅（平面視において第２部分６２ｐｚが延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。本実施形態では、第１制御電源用配線６５Ａの横方向Ｘの幅は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃの幅（平面視において第３配線部分６３ｐｃが延びる方向と直交する方向の寸法）と等しい。第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐとは、第１制御電源用接続部材９６Ａによって接続されている。第１制御電源用接続部材９６Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0099】
第１制御電源用配線６６Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６６ｐａと、第１配線部分６６ｐａから離間して設けられており、縦方向Ｙに延びる第２配線部分６６ｐｂと、第１配線部分６６ｐａと第２配線部分６６ｐｂとを接続する第３配線部分６６ｐｃとを有する。第１配線部分６６ｐａは、第５層基板６０Ｆのうちの横方向Ｘにおける第１樹脂側面５１側の端部かつ縦方向Ｙにおける第３樹脂側面５３側の端部に配置されている。第１配線部分６６ｐａは、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃの第１部分６３ｐｘよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第１配線部分６６ｐａは、第１制御用配線６４Ａの第３配線部分６４ｐｃと重なるように配置されている。第１配線部分６６ｐａの縦方向Ｙの長さは、第３配線部分６３ｐｃの第２部分６３ｐｙの縦方向Ｙの長さよりも長い。第１配線部分６６ｐａの横方向Ｘの幅は、第１制御電源用配線６５Ａの横方向Ｘの幅よりも小さい。本実施形態では、第１配線部分６６ｐａの横方向Ｘの幅は、第１駆動用配線６２Ａにおける第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚの幅（平面視において第２部分６２ｐｚが延びる方向と直交する方向の寸法）と等しい。第１配線部分６６ｐａと第１制御電源用リード８６Ｂとは、第１制御電源用接続部材９６Ｂによって接続されている。第１制御電源用接続部材９６Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0100】
第２配線部分６６ｐｂは、横方向Ｘにおいて第１配線部分６６ｐａよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、縦方向Ｙにおいて第１配線部分６６ｐａよりも第４樹脂側面５４寄り（第１半導体素子１０Ａ寄り）に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６６ｐｂは、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃ、第１制御用配線６４Ａの第２部分６４ｐｙ、及び第１制御電源用リード８６Ｂと重なるように配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃの第１部分６３ｐｘと、第１制御用配線６４Ａの第２配線部分６２ｐｂとの間に配置されている。
【0101】
第３配線部分６６ｐｃは、第３層基板６０Ｃ（図６参照）に設けられている。すなわち、第３配線部分６６ｐｃは、平面視において露出していない。第３配線部分６６ｐｃは、第１配線部分６６ｐａに設けられた貫通電極によって第１配線部分６６ｐａと電気的に接続されており、第２配線部分６６ｐｂに設けられた貫通電極によって第２配線部分６６ｐｂと電気的に接続されている。平面視における第３配線部分６６ｐｃの形状は、例えばＬ字状である。なお、平面視における第３配線部分６６ｐｃの形状は、Ｌ字状に限られず、第１樹脂側面５１に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びる形状であってもよい。
【0102】
第１サージ低減回路４Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａに接続されている。
【0103】
第１低耐圧ダイオード３２Ａは、第１制御用配線６３Ａと第１制御電源用配線６５Ａとに接続されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃにおける第１制御用リード８４Ａ寄りの部分に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ａのカソード電極は、第１制御電源用配線６５Ａに接続されている。
【0104】
第１低耐圧ダイオード３２Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御電源用配線６６Ａとに接続されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃにおける第２配線部分６３ｐｂ側の端部に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極は、第１制御電源用配線６６Ａの第２配線部分６６ｐｂに接続されている。このように、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御電源用配線６５Ａとの間で第１制御用配線６３Ａを介して直列接続されている。
【0105】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１低耐圧ダイオード３２Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１低耐圧ダイオード３２Ｂが配置されている。加えて、第１低耐圧ダイオード３２Ａと第１低耐圧ダイオード３２Ｂとは、縦方向Ｙにおいて異なる位置に配置されている。縦方向Ｙにおいて、第１低耐圧ダイオード３２Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。横方向Ｘにおいて、第１低耐圧ダイオード３２Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0106】
第１コンデンサ３３Ａは、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御用配線６４Ａとに接続されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ａの第１端子は、第１制御電源用配線６５Ａに接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第２端子は、第１制御用配線６４Ａにおける第２部分６４ｐｙに接続されている。
【0107】
第１コンデンサ３３Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御用配線６４Ａとに接続されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ｂの第１端子は、第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａに接続されている。第１コンデンサ３３Ｂの第２端子は、第１制御用配線６４Ａにおける第２部分６４ｐｙに接続されている。このように、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用配線６６Ａとの間で第１制御用配線６４Ａを介して直列接続されている。
【0108】
本実施形態では、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１コンデンサ３３Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１コンデンサ３３Ｂが配置されている。加えて、第１コンデンサ３３Ａと第１コンデンサ３３Ｂとは、縦方向Ｙにおいて互いに重なった状態で横方向Ｘに離間して配列されている。また横方向Ｘからみて、各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ａと重なるように配置されている。また縦方向Ｙからみて、第１コンデンサ３３Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂと重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、第１コンデンサ３３Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0109】
第１配線片６７Ａは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙと、第１制御用配線６３Ａの第１配線部分６３ｐａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３側の端部との横方向Ｘの間に配置されている。すなわち、第１配線片６７Ａは、第１配線領域７０Ａに配置されている。平面視における第１配線片６７Ａの形状は、Ｌ字状である。
【0110】
図６及び図７Ａに示すように、第５層基板６０Ｇは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂ、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂがそれぞれ実装される基板である。第５層基板６０Ｇは、第４層基板６０Ｅに積層されている。換言すると、第５層基板６０Ｇは、その横方向Ｘの大きさが第１～第３層基板６０Ａ～６０Ｃの横方向Ｘの大きさよりも小さく、第１導電部材４２Ａ側には設けられていない。第５層基板６０Ｇは、図５に示す第２短絡検出回路３Ｂ及び第２サージ低減回路４Ｂを構成している。
【0111】
第５層基板６０Ｇは、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｂ、及び第２配線片６７Ｂを有する。平面視において、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）は、横方向Ｘにおいて複数の第２半導体素子１０Ｂよりも樹脂部材５０の第３樹脂側面５３側に延びる第２配線領域７０Ｂと、横方向Ｘにおいて複数の第２半導体素子１０Ｂよりも樹脂部材５０の第４樹脂側面５４側に延びる第３配線領域７０Ｃとを有する。すなわち、第５層基板６０Ｇは、縦方向Ｙにおいて複数の第２半導体素子１０Ｂの両側に配線領域が形成されている。第２配線領域７０Ｂ及び第３配線領域７０Ｃはそれぞれ、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域である。
【0112】
第２駆動用配線６２Ｂ、及び第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂはそれぞれ、第５層基板６０Ｇの第２配線領域７０Ｂ以外の領域から第２配線領域７０Ｂまで延びている。第２制御電源用配線６５Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｂ、及び第２配線片６７Ｂは、第２配線領域７０Ｂに配置されている。第２配線領域７０Ｂには、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂがそれぞれ実装されている。このため、第２配線領域７０Ｂには、第２サージ低減回路４Ｂが形成されている。
【0113】
また、第２駆動用配線６２Ｂは、第５層基板６０Ｇの第３配線領域７０Ｃ以外の領域から第３配線領域７０Ｃまで延びている。第３配線領域７０Ｃには、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂが実装されている。このため、第３配線領域７０Ｃには、第２短絡検出回路３Ｂが形成されている。このように、第５層基板６０Ｇは、第５層基板６０Ｆと異なり、第２サージ低減回路４Ｂ（図５参照）が形成される配線領域（第２配線領域７０Ｂ）と、第２短絡検出回路３Ｂ（図５参照）が形成される配線領域（第３配線領域７０Ｃ）とが個別に形成されている。また本実施形態では、縦方向Ｙにおいて第２配線領域７０Ｂと第３配線領域７０Ｃとは、複数の第２半導体素子１０Ｂを挟むように配置されている。
【0114】
第２駆動用配線６２Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂと電気的に接続されている。また、第２駆動用配線６２Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを介して各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に電気的に接続されている。すなわち、第２駆動用配線６２Ｂを介して各第２半導体素子１０Ｂの短絡が検出される。このように、第２駆動用配線６２Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と第２短絡検出用リード８７Ｂとを電気的に接続するための配線部である。
【0115】
図７Ａ及び図９に示すように、第２駆動用配線６２Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６２ｑａと、第１配線部分６２ｑａから横方向Ｘに延びる複数（本実施形態では２個）の第２配線部分６２ｑｂと、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを接続するための第３配線部分６２ｑｃと、第２高耐圧ダイオード３１Ｂと各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１とを電気的に接続するための第４配線部分６２ｑｄとを有する。
【0116】
第１配線部分６２ｑａは、横方向Ｘにおいて各第２半導体素子１０Ｂよりも第１導電部材４２Ａ寄りに配置されている。第１配線部分６２ｑａは、横方向Ｘにおいて第５層基板６０Ｆのうちの第１導電部材４２Ａ側の端部に配置されている。第１配線部分６２ｑａは、横方向Ｘからみて、各第２半導体素子１０Ｂと重なるように延びている。第２配線部分６２ｑｂは、縦方向Ｙにおいて隣り合う第２半導体素子１０Ｂの間に配置されている。図１０に示すように、縦方向Ｙにおける第１配線部分６２ｑａのうちの第３樹脂側面５３側の第１端部６２ｑｘは、第２配線領域７０Ｂまで延びている。第１端部６２ｑｘと第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐとは、第２短絡検出用接続部材９７Ｂによって接続されている。第２短絡検出用接続部材９７Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0117】
図９に示すように、縦方向Ｙにおける第１配線部分６２ｑａのうちの第４樹脂側面５４側の第２端部６２ｑｙは、第３配線領域７０Ｃまで延びている。第２端部６２ｑｙの横方向Ｘの幅は、第１配線部分６２ｑａのうちの第２端部６２ｑｙ以外の部分の横方向Ｘの幅よりも小さい。第３配線部分６２ｑｃは、縦方向Ｙにおいて第２端部６２ｑｙと揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。すなわち、第３配線部分６２ｑｃは、第３配線領域７０Ｃに配置されている。本実施形態では、第３配線部分６２ｑｃの縦方向Ｙの長さは、第２端部６２ｑｙの縦方向Ｙの長さと等しい。また、第３配線部分６２ｑｃの横方向Ｘの幅は、第２端部６２ｑｙの横方向Ｘの幅よりも大きい。
【0118】
第４配線部分６２ｑｄは、横方向Ｘにおいて第３配線部分６２ｑｃに対して第２端部６２ｑｙとは反対側に離間して配置されている。すなわち、第４配線部分６２ｑｄは、第３配線領域７０Ｃに配置されている。第３配線部分６２ｑｃ及び第４配線部分６２ｑｄは、縦方向Ｙからみて、各第２半導体素子１０Ｂと重なるように配置されている。第３配線部分６２ｑｃ及び第４配線部分６２ｑｄはそれぞれ、縦方向Ｙにおける最も第４樹脂側面５４寄りの第２半導体素子１０Ｂよりも第４樹脂側面５４寄りであって、第２半導体素子１０Ｂと縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。
【0119】
第２駆動用配線６２Ｂには、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂが実装されている。より詳細には、第２端部６２ｑｙと第３配線部分６２ｑｃとには、第２高耐圧ダイオード３１Ａが接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ａのアノード電極が第２端部６２ｑｙに接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ａのカソード電極が第３配線部分６２ｑｃに接続されている。第３配線部分６２ｑｃと第４配線部分６２ｑｄとには、第２高耐圧ダイオード３１Ｂが接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極が第３配線部分６２ｑｃに接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのカソード電極が第４配線部分６２ｑｄに接続されている。このように、第１配線部分６２ｑａ、第３配線部分６２ｑｃ、及び第４配線部分６２ｑｄによって、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとが直列接続されている。
【0120】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２高耐圧ダイオード３１Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２高耐圧ダイオード３１Ｂが配置されている。加えて、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。
【0121】
図７Ａ及び図１０に示すように、第２制御用配線６３Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３と第２制御用リード８４Ｂとを電気的に接続するための配線部である。第２制御用配線６３Ｂと各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３とは、第２制御用接続部材９２Ｂによって接続されている。第２制御用接続部材９２Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６３ｑａと、第１配線部分６３ｑａから縦方向Ｙの第３樹脂側面５３側に向かうにつれて第１導電部材４２Ａ側に向けて斜めに延びる第２配線部分６３ｑｂと、第２配線部分６３ｑｂから第２制御用リード８４Ｂに向けて延びる第３配線部分６３ｑｃとを有する。
【0122】
第１配線部分６３ｑａは、横方向Ｘにおいて各第２半導体素子１０Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りであって、各第２半導体素子１０Ｂと隣り合うように配置されている。第１配線部分６３ｑａは、横方向Ｘからみて、各第２半導体素子１０Ｂと重なるように延びている。本実施形態では、第１配線部分６３ｑａは、第２配線領域７０Ｂに配置されていない。
【0123】
第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃはそれぞれ、第２配線領域７０Ｂに配置されている。換言すると、平面視において、第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃはそれぞれ、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0124】
縦方向Ｙにおいて、第２配線部分６３ｑｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのうちの最も第３樹脂側面５３寄りの第２半導体素子１０Ｂと隣り合うように配置されている。
平面視における第３配線部分６３ｑｃの形状は、Ｌ字状である。第３配線部分６３ｑｃは、第２配線部分６２ｑｂから第１導電部材４２Ａ側に向けて横方向Ｘに沿って延びる第１部分６３ｑｘと、縦方向Ｙからみて第２制御用リード８４Ｂと重なる位置から第２制御用リード８４Ｂに向けて縦方向Ｙに沿って延びる第２部分６３ｑｙとを有する。第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘの縦方向Ｙの幅は、第２制御用配線６３Ｂのうちの第１部分６３ｑｘ以外の部分の幅（平面視において第２制御用配線６３Ｂが延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。縦方向Ｙにおける第２部分６３ｑｙのうちの第３樹脂側面５３側の端部と第２制御用リード８４Ｂとは、第２制御リード用接続部材９４Ｂによって接続されている。第２制御リード用接続部材９４Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
平面視における第３配線部分６３ｑｃの形状は、Ｌ字状である。第３配線部分６３ｑｃは、第２配線部分６２ｑｂから第１導電部材４２Ａ側に向けて横方向Ｘに沿って延びる第１部分６３ｑｘと、縦方向Ｙからみて第２制御用リード８４Ｂと重なる位置から第２制御用リード８４Ｂに向けて縦方向Ｙに沿って延びる第２部分６３ｑｙとを有する。第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘの縦方向Ｙの幅は、第２制御用配線６３Ｂのうちの第１部分６３ｑｘ以外の部分の幅（平面視において第２制御用配線６３Ｂが延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。縦方向Ｙにおける第２部分６３ｑｙのうちの第３樹脂側面５３側の端部と第２制御用リード８４Ｂとは、第２制御リード用接続部材９４Ｂによって接続されている。第２制御リード用接続部材９４Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0125】
第２制御用配線６４Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と第２制御用リード８５Ｂとを接続するための配線部である。本実施形態では、第２制御用配線６４Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２を外部へ引き出し、各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３とソース電極１２との間にゲート電圧を供給するための配線部である。第２制御用配線６４Ｂと各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２とは、第２制御用接続部材９３Ｂによって接続されている。第２制御用接続部材９３Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６４ｑａと、第１配線部分６４ｑａから縦方向Ｙに向かうにつれて第１導電部材４２Ａ側に向けて斜めに延びる第２配線部分６４ｑｂと、第２配線部分６４ｑｂから第２制御用リード８５Ｂに向けて延びる第３配線部分６４ｑｃとを有する。
【0126】
第１配線部分６４ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６３Ｂに対して各第２半導体素子１０Ｂとは反対側に配置されている。第１配線部分６４ｑａは、横方向Ｘにおいて第５層基板６０Ｇのうちの第２樹脂側面５２側の端部に形成されている。本実施形態では、第１配線部分６４ｑａの縦方向Ｙの長さは、第２制御用配線６３Ｂの第１配線部分６３ｑａの縦方向Ｙの長さと等しい。
【0127】
第２配線部分６４ｑｂは、第２制御用配線６３Ｂの第２配線部分６３ｑｂと平行である。第２配線部分６４ｑｂは、横方向Ｘからみて、第２配線部分６３ｑｂと重なるように配置されている。また、第２配線部分６４ｑｂは、縦方向Ｙからみて、第２配線部分６３ｑｂと重なるように配置されている。
【0128】
第３配線部分６４ｑｃは、横方向Ｘにおいて第２制御用リード８５Ｂに対して第２樹脂側面５２寄りとなるように配置されている。第３配線部分６４ｑｃは、縦方向Ｙに延びている。第３配線部分６４ｑｃの横方向Ｘの幅は、第２制御用配線６４Ｂのうちの第３配線部分６４ｑｃ以外の部分の幅（平面視における第２制御用配線６４Ｂが延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。縦方向Ｙにおける第３配線部分６４ｑｃのうちの第３樹脂側面５３側の端部と第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとは、第２制御リード用接続部材９５Ｂによって接続されている。第２制御リード用接続部材９５Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0129】
第２制御電源用配線６５Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの横方向Ｘの間に配置されている。具体的には、第２制御電源用配線６５Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第２部分６３ｑｙと、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃとの横方向Ｘの間に配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、縦方向Ｙにおける第５層基板６０Ｇの第３樹脂側面５３側の端部に配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御電源用配線６５Ｂの横方向Ｘの幅は、第２制御用配線６３Ｂにおける第３配線部分６２ｑｃの第２端部６２ｑｙの横方向Ｘの幅よりも大きい。第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐとは、第２制御電源用接続部材９６Ｃによって接続されている。第２制御電源用接続部材９６Ｃは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0130】
第２制御電源用配線６６Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６６ｑａと、第１配線部分６６ｑａから離間して設けられており、縦方向Ｙに延びる第２配線部分６６ｑｂと、第１配線部分６６ｑａと第２配線部分６６ｑｂとを接続する第３配線部分６６ｑｃとを有する。第１配線部分６６ｑａは、第５層基板６０Ｇのうちの横方向Ｘにおける第２樹脂側面５２側の端部かつ縦方向Ｙにおける第３樹脂側面５３側の端部に配置されている。第１配線部分６６ｑａは、縦方向Ｙに沿って延びている。横方向Ｘからみて、第１配線部分６６ｑａは、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃと重なるように配置されている。第１配線部分６６ｑａは、の縦方向Ｙの長さは、第３配線部分６３ｑｃの縦方向Ｙの長さよりも短い。本実施形態では、第１配線部分６６ｑａの横方向Ｘの幅は、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂの幅（平面視において各配線が延びる方向と直交する方向の寸法）よりも小さい。第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御電源用リード８６Ｄとは、第２制御電源用接続部材９６Ｄによって接続されている。第２制御電源用接続部材９６Ｄは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0131】
第２配線部分６６ｑｂは、横方向Ｘにおいて第１配線部分６６ｑａよりも第１樹脂側面５１寄り（第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａ寄り）に配置されている。第２配線部分６６ｑｂは、縦方向Ｙにおいて第１配線部分６６ｑａよりも第４樹脂側面５４寄り（第２半導体素子１０Ｂ寄り）に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６６ｑｂは、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御用リード８５Ｂと重なるように配置されている。第２配線部分６６ｑｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第２部分６３ｑｙと、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６２ｑｃとの間に配置されている。
【0132】
第３配線部分６６ｑｃは、第３層基板６０Ｃ（図６参照）に設けられている。すなわち、第３配線部分６６ｑｃは、平面視において露出していない。第３配線部分６６ｑｃは、第１配線部分６６ｑａに設けられた貫通電極によって第１配線部分６６ｑａと電気的に接続されており、第２配線部分６６ｑｂに設けられた貫通電極によって第２配線部分６６ｑｂと電気的に接続されている。平面視における第３配線部分６６ｑｃの形状は、例えばＬ字状である。なお、平面視における第３配線部分６６ｑｃの形状は、Ｌ字状に限られず、第２樹脂側面５２に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びる形状であってもよい。
【0133】
第２サージ低減回路４Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂに接続されている。
【0134】
第２低耐圧ダイオード３４Ａは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御電源用配線６５Ｂとに接続されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極は、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第２部分６３ｑｙに接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は、第２制御電源用配線６５Ｂに接続されている。
【0135】
第２低耐圧ダイオード３４Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとに接続されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘに接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極は、第２制御電源用配線６６Ｂの第２配線部分６４ｑｂに接続されている。このように、第２低耐圧ダイオード３４Ｂ，３４Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御電源用配線６５Ｂとの間で第２制御用配線６３Ｂを介して直列接続されている。
【0136】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２低耐圧ダイオード３４Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２低耐圧ダイオード３４Ｂが配置されている。加えて、第２低耐圧ダイオード３４Ａと第２低耐圧ダイオード３４Ｂとは、縦方向Ｙにおいて異なる位置に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２低耐圧ダイオード３４Ａと第２低耐圧ダイオード３４Ｂとは、互いに重なるように配置されている。縦方向Ｙにおいて、第２低耐圧ダイオード３４Ａは、第２低耐圧ダイオード３４Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
【0137】
第２コンデンサ３５Ａは、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとに接続されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ａの第１端子は、第２制御電源用配線６５Ｂに接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第２端子は、第２制御用配線６４Ｂにおける第３配線部分６３ｑｃに接続されている。
【0138】
第２コンデンサ３５Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御用配線６４Ｂとに接続されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ｂの第１端子は、第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａに接続されている。第２コンデンサ３５Ｂの第２端子は、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃに接続されている。このように、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとの間で第２制御用配線６４Ｂを介して直列接続されている。
【0139】
本実施形態では、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２コンデンサ３５Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２コンデンサ３５Ｂが配置されている。加えて、第２コンデンサ３５Ａと第２コンデンサ３５Ｂとは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。また横方向Ｘからみて、各コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａと重なるように配置されている。また横方向Ｘにおいて、各コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、各低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。
【0140】
上述した各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂはそれぞれ、例えばＡｕ（金）又はＣｕ（銅）からなる。また、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂのそれぞれの線径は、互いに等しい。
【0141】
図７Ａに示すように、第２配線片６７Ｂは、第５層基板６０Ｇのうちの横方向Ｘにおける出力リード８３寄りの端部、かつ、縦方向Ｙにおける第３樹脂側面５３側とは反対側の端部に配置されている。平面視における第２配線片６７Ｂの形状は、Ｌ字状である。
【0142】
図６及び図７Ａに示すように、導通基板６０の第１基板開口部６１Ａ及び第１基板凹部６１Ｃに収容された複数の第１半導体素子１０Ａは、第１導電部材４２Ａと出力リード８３とに電気的に接続されている。第１導電部材４２Ａは第１入力リード８１と電気的に接続されているため、複数の第１半導体素子１０Ａは、第１入力リード８１と電気的に接続されているとも言える。具体的には、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１は、半田や銀ペースト等の導電性接合材によって第１導電部材４２Ａに接合されている。各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２は、複数本（本実施形態では４本）の第１駆動用接続部材９１Ａによって出力リード８３の露出部８３ｄに接合されている。第１駆動用接続部材９１Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第１駆動用接続部材９１Ａは、第１駆動用配線６２Ａの第１配線部分６２ｐａを跨ぐように形成されている。なお、第１駆動用接続部材９１Ａの本数は４本に限られず、任意に変更可能である。
【0143】
導通基板６０の第２基板開口部６１Ｂに収容された複数の第２半導体素子１０Ｂは、第２導電部材４２Ｂと第２入力リード８２とに電気的に接続されている。第２導電部材４２Ｂは出力リード８３と電気的に接続されているため、複数の第２半導体素子１０Ｂは出力リード８３と電気的に接続されているとも言える。具体的には、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１は、半田や銀ペースト等の導電性接合材によって第２導電部材４２Ｂに接合されている。各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２は、複数本（本実施形態では４本）の第２駆動用接続部材９１Ｂによって第２入力リード８２の露出部８２ｄに接合されている。第２駆動用接続部材９１Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第２駆動用接続部材９１Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａを跨ぐように形成されている。なお、第２駆動用接続部材９１Ｂの本数は４本に限られず、任意に変更可能である。
【0144】
各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂは、例えばＣｕ（銅）又はＡｌ（アルミニウム）からなる。本実施形態では、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂの構成材料は、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂのそれぞれの構成材料と同じである。また、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂの線径は互いに等しい。本実施形態では、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂの線径は、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂのそれぞれの線径と等しい。
【0145】
図１及び図２に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板６０を露出する４つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが設けられている。図１及び図２から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａと第１駆動側開口部５９Ａとは個別に設けられている。第２制御側開口部５８Ｂと第２駆動側開口部５９Ｂとは個別に設けられている。
【0146】
第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0147】
平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0148】
平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0149】
第１駆動側開口部５９Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。また第１駆動側開口部５９Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御側開口部５８Ａよりも複数の第１半導体素子１０Ａ寄りに配置されている。換言すると、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御側開口部５８Ａとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0150】
第２駆動側開口部５９Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第４樹脂側面５４寄りに配置されている。換言すると、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、第２制御側開口部５８Ｂ及び第２駆動側開口部５９Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、第１制御側開口部５８Ａに対して第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、第２制御側開口部５８Ｂ及び第２駆動側開口部５９Ｂよりも第１制御側開口部５８Ａの近くに配置されている。平面視において、第２駆動側開口部５９Ｂは、樹脂天面５５のうちの第４樹脂側面５４寄りの端部に配置されている。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２制御側開口部５８Ｂに対して第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂの面積は、平面視における各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂの面積よりも小さい。
【0151】
図８に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３側の領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａを露出している。より詳細には、図８に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃ、第１制御用配線６４Ａの第３配線部分６４ｐｃ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御リード用接続部材９４Ａ，９５Ａ、第１制御電源用接続部材９６Ａ，９６Ｂ、及び第１短絡検出用接続部材９７Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0152】
図１０に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。換言すると、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２配線領域７０Ｂのうちの第３樹脂側面５３側の領域を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｐｃ、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御リード用接続部材９４Ｂ，９５Ｂ、第２制御電源用接続部材９６Ｃ，９６Ｄ、及び第２短絡検出用接続部材９７Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
【0153】
第１駆動側開口部５９Ａは、第１配線領域７０Ａにおいて第１制御側開口部５８Ａが露出する領域とは異なる領域を露出している。換言すると、第１駆動側開口部５９Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域のうちの第１制御側開口部５８Ａで露出されている電子部品以外の電子部品が実装される部分を露出している。第１駆動側開口部５９Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの複数の第１半導体素子１０Ａ側の領域を露出している。本実施形態では、第１駆動側開口部５９Ａは、第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に接続された第１短絡検出回路３Ａを露出している。より詳細には、図８に示すように、第１駆動側開口部５９Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１駆動用配線６２Ａの端部６２ｐｘ、第３配線部分６２ｐｃ、及び第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙを露出している。本実施形態では、第１駆動側開口部５９Ａは、第１半導体素子１０Ａを露出していない。平面視における第１駆動側開口部５９Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１駆動側開口部５９Ａ内には、電気的絶縁性を有する絶縁材７１が充填されている。絶縁材７１の一例は、シリコーン樹脂である。
【0154】
図９に示すように、第２駆動側開口部５９Ｂは、導通基板６０の第３配線領域７０Ｃの一部を露出している。換言すると、第２駆動側開口部５９Ｂは、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域のうちの第２制御側開口部５８Ｂで露出されている実装領域とは異なる実装領域の一部を露出している。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に接続された第２短絡検出回路３Ｂを露出している。より詳細には、第２駆動側開口部５９Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂ、第２駆動用配線６２Ｂの第２端部６２ｑｙ、第３配線部分６２ｑｃ、及び第４配線部分６２ｑｄを露出している。本実施形態では、第２駆動側開口部５９Ｂは、第２半導体素子１０Ｂを露出していない。平面視における第２駆動側開口部５９Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２駆動側開口部５９Ｂ内には、電気的絶縁性を有する絶縁材７２が充填されている。絶縁材７２の一例は、シリコーン樹脂である。
【0155】
（製造方法）
本実施形態の半導体装置１Ａの製造方法について説明する。
図１３に示すように、半導体装置１Ａの製造方法は、支持基板準備工程（ステップＳ１１）、導通基板準備工程（ステップＳ１２）、半導体素子実装工程（ステップＳ１３）、基板接合工程（ステップＳ１４）、ワイヤ形成工程（ステップＳ１５）、及び封止工程（ステップＳ１６）を備える。本実施形態では、支持基板準備工程、導通基板準備工程、半導体素子実装工程、基板接合工程、ワイヤ形成工程、及び封止工程の順に実施することによって半導体装置１Ａが製造される。
本実施形態の半導体装置１Ａの製造方法について説明する。
図１３に示すように、半導体装置１Ａの製造方法は、支持基板準備工程（ステップＳ１１）、導通基板準備工程（ステップＳ１２）、半導体素子実装工程（ステップＳ１３）、基板接合工程（ステップＳ１４）、ワイヤ形成工程（ステップＳ１５）、及び封止工程（ステップＳ１６）を備える。本実施形態では、支持基板準備工程、導通基板準備工程、半導体素子実装工程、基板接合工程、ワイヤ形成工程、及び封止工程の順に実施することによって半導体装置１Ａが製造される。
【0156】
支持基板準備工程では、支持基板４０を製造する。具体的には、第１絶縁基板４１Ａの基板主面４１ｓａに第１導電部材４２Ａを銀ペーストや半田などの導電性接合材を用いて接合する。第２導電部材４２Ｂを第２絶縁基板４１Ｂの基板主面４１ｓｂに導電性接合材を用いて接合する。第１絶縁基板４１Ａ及び第１導電部材４２Ａの組立体と、第２絶縁基板４１Ｂ及び第２導電部材４２Ｂの組立体とは、横方向Ｘに間隔をあけて配置される。
【0157】
導通基板準備工程では、導通基板６０と各入力リード８１，８２及び出力リード８３との組立体を製造する。具体的には、まず、ガラスエポキシ樹脂によって形成された第１層基板６０Ａ、第２層基板６０Ｂ、第３層基板６０Ｃ、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅ、及び第５層基板６０Ｆ，６０Ｇを用意する。次に、第１層基板６０Ａと第１入力リード８１及び出力リード８３とを組み合せる。次に、第１層基板６０Ａに第２層基板６０Ｂを積層する。次に、第３層基板６０Ｃに第２入力リード８２を組み合わせた後、第２層基板６０Ｂに第３層基板６０Ｃを積層する。次に、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅを第３層基板６０Ｃに積層する。次に、第５層基板６０Ｆを第４層基板６０Ｄに積層し、第５層基板６０Ｇを第４層基板６０Ｅに積層する。次に、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂを第５層基板６０Ｆに実装し、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂ、第２低耐圧ダイオード３４Ａ,３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂを第５層基板６０Ｇに実装する。
【0158】
なお、支持基板準備工程では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂが形成される前のリードフレームが第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂに接合される。これにより、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂが支持基板４０から離間した状態で支持基板４０に支持される。
【0159】
半導体素子実装工程では、例えば図１４に示すように、各第１半導体素子１０Ａを銀ペーストや半田などの導電性接合材を用いて第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合し、導電性接合材を用いて各第２半導体素子１０Ｂを第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合する。各第１半導体素子１０Ａは、そのドレイン電極１１が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａと対面した状態で導電性接合材によって主面４２ｓａに接合される。この場合、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａとの間には、導電性接合材が介在する。これにより、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と第１導電部材４２Ａとが電気的に接続される。また、各第２半導体素子１０Ｂは、そのドレイン電極１１が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂと対面した状態で導電性接合材によって主面４２ｓｂに接合される。この場合、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂとの間には、導電性接合材が介在する。これにより、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と第２導電部材４２Ｂとが電気的に接続される。
【0160】
図１４に示すように、基板接合工程では、第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ及び第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに導通基板６０と各入力リード８１，８２及び出力リード８３との組立体を銀ペーストや半田などの導電性接合材を用いて接合する。この場合、第１入力リード８１が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合され、出力リード８３が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合される。これにより、第１入力リード８１と第１導電部材４２Ａとが電気的に接続され、出力リード８３と第２導電部材４２Ｂとが電気的に接続される。その結果、第１入力リード８１は、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と電気的に接続され、出力リード８３は、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と電気的に接続される。
【0161】
ワイヤ形成工程では、ボンディング装置（図示略）によって、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂを形成する。
【0162】
具体的には、ボンディング装置は、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら出力リード８３のうちの所定の第１半導体素子１０Ａに対応する露出部８３ｄまで横方向Ｘに沿って移動し、その露出部８３ｄにワイヤを接合する。ボンディング装置は、上記動作を４回繰り返す。これにより、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と出力リード８３のうちの所定の第１半導体素子１０Ａに対応する露出部８３ｄとを繋ぐ４本の第１駆動用接続部材９１Ａが形成される。この場合、第１駆動用接続部材９１Ａは、導通基板６０の第１駆動用配線６２Ａを跨ぐように形成される。ボンディング装置は、残りの第１半導体素子１０Ａのソース電極１２及び出力リード８３のうちの第１半導体素子１０Ａに対応する露出部８３ｄについても同様に、４本の第１駆動用接続部材９１Ａを形成する。
【0163】
次に、ボンディング装置は、所定の第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６３Ａまで横方向Ｘに沿って移動し、第１制御用配線６３Ａの第１配線部分６３ｐａにワイヤを接合する。これにより、所定の第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３と第１制御用配線６３Ａとを繋ぐ第１制御用接続部材９２Ａが形成される。ボンディング装置は、残りの第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３及び第１制御用配線６３Ａについても同様に、第１制御用接続部材９２Ａを形成する。
【0164】
次に、ボンディング装置は、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６４Ａまで横方向Ｘに沿って移動し、第１制御用配線６４Ａの第１配線部分６４ｐａにワイヤを接合する。これにより、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と第１制御用配線６４Ａとを繋ぐ第１制御用接続部材９３Ａが形成される。ボンディング装置は、残りの第１半導体素子１０Ａのソース電極１２及び第１制御用配線６４Ａについても同様に、第１制御用接続部材９３Ａを形成する。
【0165】
次に、ボンディング装置は、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２入力リード８２のうちの所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する露出部８２ｄまで移動し、その露出部８２ｄにワイヤを接合する。ボンディング装置は、上記動作を４回繰り返す。これにより、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と第２入力リード８２のうちの所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する露出部８２ｄとを繋ぐ４本の第２駆動用接続部材９１Ｂが形成される。この場合、第２駆動用接続部材９１Ｂは、導通基板６０の第２駆動用配線６２Ｂを跨ぐように形成される。ボンディング装置は、残りの第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２及び第２入力リード８２のうちの第２半導体素子１０Ｂに対応する露出部８２ｄについても同様に、４本の第２駆動用接続部材９１Ｂを形成する。
【0166】
次に、ボンディング装置は、所定の第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６３Ｂまで横方向Ｘに沿って移動し、第２制御用配線６３Ｂの第１配線部分６３ｑａにワイヤを接合する。これにより、所定の第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３と第２制御用配線６３Ｂとを繋ぐ第２制御用接続部材９２Ｂが形成される。ボンディング装置は、残りの第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３及び第２制御用配線６３Ｂについても同様に、第２制御用接続部材９２Ｂを形成する。
【0167】
次に、ボンディング装置は、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６４Ｂまで横方向Ｘに沿って移動し、第２制御用配線６４Ｂの第１配線部分６４ｑａにワイヤを接合する。これにより、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と第２制御用配線６４Ｂとを繋ぐ第２制御用接続部材９３Ｂが形成される。ボンディング装置は、残りの第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２及び第２制御用配線６４Ｂについても同様に、第２制御用接続部材９３Ｂを形成する。
【0168】
次に、ボンディング装置は、第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１駆動用配線６２Ａのうちの第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚまで移動し、第２部分６２ｐｚにワイヤを接合する。これにより、第１短絡検出用リード８７Ａと第１駆動用配線６２Ａとを繋ぐ第１短絡検出用接続部材９７Ａが形成される。
【0169】
次に、ボンディング装置は、第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６３Ａのうちの第３配線部分６３ｐｃまで移動し、第３配線部分６３ｐｃにワイヤを接合する。これにより、第１制御用リード８４Ａと第１制御用配線６３Ａとを繋ぐ第１制御リード用接続部材９４Ａが形成される。
【0170】
次に、ボンディング装置は、第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御電源用配線６５Ａまで移動し、第１制御電源用配線６５Ａにワイヤを接合する。これにより、第１制御電源用リード８６Ａと第１制御電源用配線６５Ａとを繋ぐ第１制御電源用接続部材９６Ａが形成される。
【0171】
次に、ボンディング装置は、第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６４Ａの第２部分６４ｐｙまで移動し、第２部分６４ｐｙにワイヤを接合する。これにより、第１制御用リード８５Ａと第１制御用配線６４Ａとを繋ぐ第１制御リード用接続部材９５Ａが形成される。
【0172】
次に、ボンディング装置は、第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａまで移動し、第１配線部分６６ｐａにワイヤを接合する。これにより、第１制御電源用リード８６Ｂと第１制御電源用配線６６Ａとを繋ぐ第１制御電源用接続部材９６Ｂが形成される。
【0173】
次に、ボンディング装置は、第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２駆動用配線６２Ｂのうちの第１配線部分６２ｑａの第１端部６２ｑｘまで移動し、第１端部６２ｑｘにワイヤを接合する。これにより、第２短絡検出用リード８７Ｂと第２駆動用配線６２Ｂとを繋ぐ第２短絡検出用接続部材９７Ｂが形成される。
【0174】
次に、ボンディング装置は、第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６３Ｂのうちの第３配線部分６３ｑｃの第２部分６３ｑｙまで移動し、第２部分６３ｑｙにワイヤを接合する。これにより、第２制御用リード８４Ｂと第２制御用配線６３Ｂとを繋ぐ第２制御リード用接続部材９４Ｂが形成される。
【0175】
次に、ボンディング装置は、第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御電源用配線６５Ｂまで移動し、第２制御電源用配線６５Ｂにワイヤを接合する。これにより、第２制御電源用リード８６Ｃと第２制御電源用配線６５Ｂとを繋ぐ第２制御電源用接続部材９６Ｃが形成される。
【0176】
次に、ボンディング装置は、第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃまで移動し、第３配線部分６４ｑｃにワイヤを接合する。これにより、第２制御用リード８５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとを繋ぐ第２制御リード用接続部材９５Ｂが形成される。
【0177】
最後に、ボンディング装置は、第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａまで移動し、第１配線部分６６ｑａにワイヤを接合する。これにより、第２制御電源用リード８６Ｄと第２制御電源用配線６６Ｂとを繋ぐ第２制御電源用接続部材９６Ｄが形成される。
【0178】
封止工程では、樹脂部材５０を形成する。具体的には、例えば黒色のエポキシ樹脂を用いて、トランスファーモールドによって樹脂部材５０が形成される。この場合、トランスファーモールドに用いられた金型は、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂを一体に形成する。また金型は、溝５７Ａ，５７Ｂを一体に形成する。次に、第１駆動側開口部５９Ａに絶縁材７１を充填し、第２駆動側開口部５９Ｂに絶縁材７２を充填する。絶縁材７１，７２には、シリコーン樹脂が用いられる。
【0179】
その後、リードフレーム切断工程及び端子形成工程を経て、半導体装置１Ａが製造される。リードフレーム切断工程は、リードフレームから各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂを切断する工程である。端子形成工程は、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂを折り曲げて端子部８４ｔ，８５ｔ，８６ｔ，８７ｔを形成する工程である。
【0180】
なお、半導体素子実装工程は、支持基板準備工程よりも後、かつ導通基板準備工程よりも前に実施してもよい。また半導体素子実装工程は、基板接合工程の後、かつワイヤ形成工程の前に実施してもよい。導通基板準備工程は、支持基板準備工程よりも前に実施してもよい。
【0181】
ワイヤ形成工程において、駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂを形成する順番は任意に変更可能である。
【0182】
また、本実施形態では、導通基板準備工程において、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂを構成する各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装したが、これに限られない。例えば、導通基板準備工程において、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装しなくてもよい。各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂは、封止工程の後に第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂによって実装されてもよい。この場合、絶縁材７１は、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを導通基板６０に実装した後に第１駆動側開口部５９Ａに充填する。絶縁材７２は、各高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装した後に第２駆動側開口部５９Ｂに充填する。また、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを実装しない状態で半導体装置１Ａを出荷してもよい。この場合、半導体装置１Ａを用いるユーザが、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂによって各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装する。
【0183】
また、本実施形態では、導通基板準備工程において、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを構成する各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装したが、これに限られない。例えば、導通基板準備工程において、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装しなくてもよい。各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂは、封止工程の後に第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂによって導通基板６０に実装されてもよい。また、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装しない状態で半導体装置１Ａを出荷してもよい。この場合、半導体装置１Ａを用いるユーザが、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂによって各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装する。
【0184】
（作用）
本実施形態の半導体装置１Ａの作用について説明する。
半導体装置１Ａが各短絡検出回路３Ａ，３Ｂを備えていないと仮定した場合、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂのドレイン電極１１を半導体装置の外部に引き出す必要があり、ドレイン電極１１は例えば短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに直接接続される。この場合、高圧端子となる各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、低圧端子となる各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの絶縁距離を確保するため、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの間隔を大きくする必要がある。また、半導体装置１Ａの外部に短絡保護回路を構成する場合、すなわち半導体装置１Ａが実装される制御基板に短絡保護回路が設けられる場合についても、制御基板における各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄに電気的に接続された配線との絶縁距離を確保する必要がある。
本実施形態の半導体装置１Ａの作用について説明する。
半導体装置１Ａが各短絡検出回路３Ａ，３Ｂを備えていないと仮定した場合、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂのドレイン電極１１を半導体装置の外部に引き出す必要があり、ドレイン電極１１は例えば短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに直接接続される。この場合、高圧端子となる各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、低圧端子となる各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの絶縁距離を確保するため、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの間隔を大きくする必要がある。また、半導体装置１Ａの外部に短絡保護回路を構成する場合、すなわち半導体装置１Ａが実装される制御基板に短絡保護回路が設けられる場合についても、制御基板における各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄに電気的に接続された配線との絶縁距離を確保する必要がある。
【0185】
この点、本実施形態では、短絡検出回路における高圧端子の電圧を低圧端子の電圧に降圧するための高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されている。これにより、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１の電圧は高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂによって降圧された後に第１短絡検出用リード８７Ａから半導体装置１Ａの外部に取り出され、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１の電圧は高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂによって降圧された後に第２短絡検出用リード８７Ｂから半導体装置１Ａの外部に取り出される。このため、半導体装置１Ａにおいて、短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの絶縁距離を確保する必要がない。つまり、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄの端子間隔で、短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂを配置できる。また、制御基板において各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線は低電圧となるため、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄに電気的に接続された配線との絶縁距離を確保する必要がなくなる。その結果、制御基板における回路設計の自由度が向上する。
【0186】
また、一般的に、第１サージ低減回路４Ａは各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３の近くに配置することが好ましく、第２サージ低減回路４Ｂは各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３の近くに配置することが好ましい。ここで、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを半導体装置１Ａの外部に配置したと仮定した場合、第１サージ低減回路４Ａが各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に印加されるサージを低減する効果、及び第２サージ低減回路４Ｂが各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に印加されるサージを低減する効果がそれぞれ減少してしまう。この効果の減少を抑制するため、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを半導体装置１Ａの外部かつ各リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ，８６Ａ～８６Ｄの端子部８４ｔ，８５ｔ，８６ｔの近くに形成する場合、制御設計上、様々な制約が発生し、回路設計が困難なものになる。
【0187】
この点、本実施形態では、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されているため、第１サージ低減回路４Ａが各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３の近くに配置されており、第２サージ低減回路４Ｂが各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３の近くに配置されている。これにより、第１サージ低減回路４Ａが各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に印加されるサージを低減する効果、及び第２サージ低減回路４Ｂが各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に印加されるサージを低減する効果がそれぞれ減少することを抑制できる。加えて、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを半導体装置１Ａの外部かつ各リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ，８６Ａ～８６Ｄの端子部８４ｔ，８５ｔ，８６ｔの近くに形成する必要がなくなるため、制御基板における回路設計が容易になる。
【0188】
ところで、半導体装置１Ａを用いる種々の回路では、各回路の電気的特性に応じて必要となる各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの電気的特性が異なる場合がある。したがって、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂの電気的特性及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの電気的特性をそれぞれ調整することが好ましい。しかし、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが単に半導体装置に内蔵されると、樹脂部材によって各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂをそれぞれ構成する電子部品を交換できないため、電気的特性を調整できない。
【0189】
そこで、本実施形態では、樹脂部材５０には、第１配線領域７０Ａの一部を露出する第１制御側開口部５８Ａと、第２配線領域７０Ｂの一部を露出する第２制御側開口部５８Ｂとが設けられている。第１制御側開口部５８Ａには、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが露出している。第２制御側開口部５８Ｂには、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが露出している。このように、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂには電子部品が露出していることによって、その電子部品を取り替えることができる。このため、半導体装置１Ａを適用する電気回路の電気的特性に対して半導体装置１Ａの電気的特性が適したものとなるように、電子部品を含む電気回路の電気的特性を調整できる。
【0190】
また、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂ及び各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂが設けられることによって、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが導通基板６０に予め実装された状態の半導体装置１Ａと、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが導通基板６０に実装されていない状態の半導体装置１Ａとを、半導体装置１Ａを用いるユーザのニーズに応じて変更して出荷することができる。
【0191】
（効果）
本実施形態の半導体装置１Ａによれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体装置１Ａは、第１配線領域７０Ａ、第２配線領域７０Ｂ、及び第３配線領域７０Ｃを有する。第１配線領域７０Ａには、第１短絡検出回路３Ａを構成するための第１駆動用配線６２Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂとが設けられている。また、第１配線領域７０Ａには、第１サージ低減回路４Ａを構成するための第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａと、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂとが設けられている。第２配線領域７０Ｂには、第２サージ低減回路４Ｂを構成するための第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂと、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂとが設けられている。第３配線領域７０Ｃには、第２短絡検出回路３Ｂを構成するための第２駆動用配線６２Ｂと第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂとが設けられている。このように、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されているため、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが半導体装置１Ａの外部に設けられる構成と比較して、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂと各半導体素子１０Ａ，１０Ｂとの間の配線の長さを短くできる。したがって、半導体装置１Ａのインダクタンスを低減できる。
本実施形態の半導体装置１Ａによれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体装置１Ａは、第１配線領域７０Ａ、第２配線領域７０Ｂ、及び第３配線領域７０Ｃを有する。第１配線領域７０Ａには、第１短絡検出回路３Ａを構成するための第１駆動用配線６２Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂとが設けられている。また、第１配線領域７０Ａには、第１サージ低減回路４Ａを構成するための第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａと、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂとが設けられている。第２配線領域７０Ｂには、第２サージ低減回路４Ｂを構成するための第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂと、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂとが設けられている。第３配線領域７０Ｃには、第２短絡検出回路３Ｂを構成するための第２駆動用配線６２Ｂと第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂとが設けられている。このように、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されているため、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが半導体装置１Ａの外部に設けられる構成と比較して、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂと各半導体素子１０Ａ，１０Ｂとの間の配線の長さを短くできる。したがって、半導体装置１Ａのインダクタンスを低減できる。
【0192】
（１－２）短絡保護回路における高圧端子の電圧を低圧端子の電圧に降圧するための高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されている。これにより、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１の電圧は高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂによって降圧された後に第１短絡検出用リード８７Ａから半導体装置１Ａの外部に取り出され、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１の電圧は高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂによって降圧された後に第２短絡検出用リード８７Ｂから半導体装置１Ａの外部に取り出される。このため、半導体装置１Ａにおいて、短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの絶縁距離を確保する必要がない。したがって、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄの端子間隔で、短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂを配置できる。また、制御基板において各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線は低電圧となるため、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄに電気的に接続された配線との絶縁距離を確保する必要がなくなる。その結果、制御基板における回路設計の自由度が向上する。このため、使い勝手のよい半導体装置１Ａを提供できる。
【0193】
（１－３）樹脂部材５０には、第１駆動側開口部５９Ａ、第２駆動側開口部５９Ｂ、第１制御側開口部５８Ａ、及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。第１駆動側開口部５９Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂと、第１駆動用配線６２Ａのうちの第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂが実装される部分とを露出している。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂと、第２駆動用配線６２Ｂのうちの第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂが実装される部分とを露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂと、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａのそれぞれのうちの第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが実装される部分とを露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂと、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂのうちの第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが実装される部分とを露出している。このように、樹脂部材５０の形成後に、第１駆動側開口部５９Ａを介して、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを取り替えることができるため、樹脂部材５０の形成後に第１短絡検出回路３Ａの電気的特性を調整できる。また、樹脂部材５０の形成後に、第２駆動側開口部５９Ｂを介して、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを取り替えることができるため、樹脂部材５０の形成後に第２短絡検出回路３Ｂの電気的特性を調整できる。また、樹脂部材５０の形成後に、第１制御側開口部５８Ａを介して、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂを取り替えることができるため、樹脂部材５０の形成後に第１サージ低減回路４Ａの電気的特性を調整できる。また、樹脂部材５０の形成後に、第２制御側開口部５８Ｂを介して、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂを取り替えることができるため、樹脂部材５０の形成後に第２サージ低減回路４Ｂの電気的特性を調整できる。
【0194】
（１－４）導通基板６０は、第１配線領域７０Ａ、第２配線領域７０Ｂ、及び第３配線領域７０Ｃを有する。この構成によれば、導通基板６０に形成された配線部によって、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの配線を形成するため、例えば各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの配線を金属板のリードで形成する場合と比較して、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの配線を容易に形成できる。
【0195】
（１－５）第１駆動側開口部５９Ａは絶縁材７１によって充填されており、第２駆動側開口部５９Ｂは絶縁材７２によって充填されている。この構成によれば、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂの短絡を抑制できる。
【0196】
（１－６）第１駆動側開口部５９Ａと第１制御側開口部５８Ａとは個別に設けられており、第２駆動側開口部５９Ｂと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。この構成によれば、各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂのみに絶縁材７１，７２を充填できる。
【0197】
（１－７）第１半導体素子１０Ａは第１導電部材４２Ａに実装されており、第２半導体素子１０Ｂは第２導電部材４２Ｂに実装されている。この構成によれば、第１導電部材４２Ａを介して第１半導体素子１０Ａを効率よく放熱でき、第２導電部材４２Ｂを介して第２半導体素子１０Ｂを効率よく放熱できる。
【0198】
（１－８）第１半導体素子１０Ａは導通基板６０の第１基板開口部６１Ａに収容されており、第２半導体素子１０Ｂは導通基板６０の第２基板開口部６１Ｂに収容されている。この構成によれば、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂと導通基板６０とを横方向Ｘ及び縦方向Ｙに重ねて配置できるため、半導体装置１Ａを横方向Ｘ及び縦方向Ｙに小型化できる。
【0199】
（１－９）第１配線領域７０Ａは、導通基板６０のうちの複数の第１半導体素子１０Ａと、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａとの間に設けられている。この構成によれば、第１配線領域７０Ａに設けられた第１サージ低減回路４Ａを構成する配線の長さが短くなるため、第１サージ低減回路４Ａのインダクタンスを低減できる。また、第１配線領域７０Ａに設けられた第１短絡検出回路３Ａを構成する配線の長さが短くなるため、第１短絡検出回路３Ａのインダクタンスを低減できる。
【0200】
第２配線領域７０Ｂは、導通基板６０のうちの複数の第２半導体素子１０Ｂと、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂとの間に設けられている。この構成によれば、第２配線領域７０Ｂに設けられた第２サージ低減回路４Ｂを構成する配線の長さが短くなるため、第２サージ低減回路４Ｂのインダクタンスを低減できる。
【0201】
（１－１０）第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、横方向Ｘに離間した状態で並んで配置されている。この構成によれば、第１制御側開口部５８Ａが第１サージ低減回路４Ａの第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂを露出し、第２制御側開口部５８Ｂが第２サージ低減回路４Ｂの第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂを露出し、半導体装置１Ａのうちの第１サージ低減回路４Ａと第２サージ低減回路４Ｂとの横方向Ｘの間の部分を露出していない。すなわち、第１制御側開口部５８Ａは第１サージ低減回路４Ａの電気的特性の調整に必要な部分のみ露出しており、第２制御側開口部５８Ｂは第２サージ低減回路４Ｂの電気的特性の調整に必要な部分のみ露出している。このため、半導体装置１Ａの内部に異物の進入のおそれを低減できる。
【0202】
（１－１１）導通基板６０は、多層導通基板である。この構成によれば、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂと複数のリード８０とを電気的に接続するための配線部を多層に配線できるため、導通基板が１層の構成と比較して、導通基板６０を横方向Ｘ及び縦方向Ｙに小型化できる。したがって、半導体装置１Ａを横方向Ｘ及び縦方向Ｙに小型化できる。
【0203】
（１－１２）第１短絡検出回路３Ａを構成する配線部である第１駆動用配線６２Ａは導通基板６０の最表層の基板である第５層基板６０Ｆに形成されており、第２短絡検出回路３Ｂを構成する配線部である第２駆動用配線６２Ｂは導通基板６０の最表層の基板である第５層基板６０Ｇに形成されている。この構成によれば、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂが第５層基板６０Ｆに実装され、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂが第５層基板６０Ｇに実装されるため、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ及び第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂをそれぞれ容易に取り替えることができる。したがって、第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂの電気的特性をそれぞれ容易に調整できる。
【0204】
第１サージ低減回路４Ａを構成する配線部である第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａはそれぞれ第５層基板６０Ｆに形成されており、第２サージ低減回路４Ｂを構成する配線部である第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂはそれぞれ第５層基板６０Ｇに形成されている。この構成によれば、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが第５層基板６０Ｆに実装され、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが第５層基板６０Ｇに実装されるため、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂをそれぞれ容易に取り替えることができる。したがって、第１サージ低減回路４Ａ及び第２サージ低減回路４Ｂの電気的特性をそれぞれ容易に調整できる。
【0205】
（１－１３）第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂは、そのアノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
【0206】
また、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂは、そのアノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
【0207】
（１－１４）第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは、そのアノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
【0208】
また、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂは、そのアノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
【0209】
（１－１５）第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、その第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
【0210】
また、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ａは、その第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
【0211】
（１－１６）第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐ、第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐ、第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐ、第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐ、及び第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐはそれぞれ、第５層基板６０Ｆと縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。また、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａはそれぞれ、第５層基板６０Ｆのうちの樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの端部まで形成されている。この構成によれば、第１駆動用配線６２Ａと第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐとを接続する第１短絡検出用接続部材９７Ａの長さを短くできる。また、第１制御用配線６３Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとを接続する第１制御リード用接続部材９４Ａの長さを短くできる。また、第１制御用配線６４Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとを接続する第１制御リード用接続部材９５Ａの長さを短くできる。また、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐとを接続する第１制御電源用接続部材９６Ａの長さを短くできる。また、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐとを接続する第１制御電源用接続部材９６Ｂの長さを短くできる。したがって、各接続部材９４Ａ，９５Ａ，９６Ａ，９６Ｂ，９７Ａに起因するインダクタンスを低減できる。
【0212】
また、第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐ、第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐ、第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐ、第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐはそれぞれ、第５層基板６０Ｇと縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。また、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂはそれぞれ、第５層基板６０Ｇのうちの樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの端部まで形成されている。この構成によれば、第２駆動用配線６２Ｂと第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐとを接続する第２短絡検出用接続部材９７Ｂの長さを短くできる。また、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとを接続する第２制御リード用接続部材９４Ｂの長さを短くできる。また、第２制御用配線６４Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとを接続する第２制御リード用接続部材９５Ｂの長さを短くできる。また、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐとを接続する第２制御電源用接続部材９６Ｃの長さを短くできる。また、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐとを接続する第２制御電源用接続部材９６Ｄの長さを短くできる。したがって、各接続部材９４Ｂ，９５Ｂ，９６Ｃ，９６Ｄ，９７Ｂに起因するインダクタンスを低減できる。
【0213】
［第２実施形態］
図１５～図１９を参照して、第２実施形態の半導体装置１Ｂについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｂは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、導通基板６０の構成、及び複数のリード８０のうちの一部の構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図１５～図１９を参照して、第２実施形態の半導体装置１Ｂについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｂは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、導通基板６０の構成、及び複数のリード８０のうちの一部の構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0214】
（半導体装置の構成）
図１６に示すように、本実施形態の導通基板６０の縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の導通基板６０の縦方向Ｙの長さよりも短い。具体的には、本実施形態の導通基板６０は、第１実施形態の導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部及び第２配線領域７０Ｂが省略されている。本実施形態では、第１配線領域７０Ａの一部として、第１サージ低減回路４Ａが形成される領域が導通基板６０から省略されている。換言すれば、第１配線領域７０Ａの一部として第１サージ低減回路４Ａが形成される領域は、導通基板６０の外部に設けられている。一方、第１配線領域７０Ａの一部として第１短絡検出回路３Ａが形成される領域は、導通基板６０に設けられている。第２配線領域７０Ｂは、導通基板６０の外部に設けられている。このような導通基板６０の構成によれば、第１導電部材４２Ａは、導通基板６０に対して樹脂部材５０の第３樹脂側面５３側に突出している。そしてその突出した部分に第１配線領域７０Ａの一部として第１サージ低減回路４Ａが形成されている。また、第２導電部材４２Ｂは、導通基板６０に対して第３樹脂側面５３側に突出している。そしてその突出した部分に第２配線領域７０Ｂが形成されている。
図１６に示すように、本実施形態の導通基板６０の縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の導通基板６０の縦方向Ｙの長さよりも短い。具体的には、本実施形態の導通基板６０は、第１実施形態の導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部及び第２配線領域７０Ｂが省略されている。本実施形態では、第１配線領域７０Ａの一部として、第１サージ低減回路４Ａが形成される領域が導通基板６０から省略されている。換言すれば、第１配線領域７０Ａの一部として第１サージ低減回路４Ａが形成される領域は、導通基板６０の外部に設けられている。一方、第１配線領域７０Ａの一部として第１短絡検出回路３Ａが形成される領域は、導通基板６０に設けられている。第２配線領域７０Ｂは、導通基板６０の外部に設けられている。このような導通基板６０の構成によれば、第１導電部材４２Ａは、導通基板６０に対して樹脂部材５０の第３樹脂側面５３側に突出している。そしてその突出した部分に第１配線領域７０Ａの一部として第１サージ低減回路４Ａが形成されている。また、第２導電部材４２Ｂは、導通基板６０に対して第３樹脂側面５３側に突出している。そしてその突出した部分に第２配線領域７０Ｂが形成されている。
【0215】
図１７に示すように、導通基板６０の第５層基板６０Ｆに形成された第１駆動用配線６２Ａは、第１実施形態の第１駆動用配線６２Ａと比較して、第４配線部分６２ｐｄの形状が異なる。具体的には、本実施形態の第４配線部分６２ｐｄは、第１実施形態の第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚを有していない。本実施形態の第４配線部分６２ｐｄは、縦方向Ｙに沿って延びている。第４配線部分６２ｐｄの縦方向Ｙの長さは、第３配線部分６２ｐｃの縦方向Ｙの長さよりも長い。また、上述のように第１サージ低減回路４Ａが導通基板６０の外部に設けられているため、導通基板６０には、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが実装されていない。すなわち、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂは、導通基板６０の外部に配置されている。
【0216】
第５層基板６０Ｆに形成された第１制御用配線６３Ａ，６４Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａ，６４Ａと異なる。
具体的には、図１６及び図１７に示すように、本実施形態の第１制御用配線６３Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａの第２配線部分６３ｐｂ及び第３配線部分６３ｐｃを有していない。本実施形態の第１制御用配線６３Ａは、横方向Ｘにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りに各第１半導体素子１０Ａと隣り合うように配置されている。第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙにおいて各第１半導体素子１０Ａのうちの最も樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３側まで延びている。
具体的には、図１６及び図１７に示すように、本実施形態の第１制御用配線６３Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａの第２配線部分６３ｐｂ及び第３配線部分６３ｐｃを有していない。本実施形態の第１制御用配線６３Ａは、横方向Ｘにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りに各第１半導体素子１０Ａと隣り合うように配置されている。第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙにおいて各第１半導体素子１０Ａのうちの最も樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３側まで延びている。
【0217】
本実施形態の第１制御用配線６４Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６４Ａの第２配線部分６４ｐｂ及び第３配線部分６４ｐｃを有していない。本実施形態の第１制御用配線６４Ａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６３Ａに対して各第１半導体素子１０Ａ側とは反対側に第１制御用配線６３Ａと隣り合うように配置されている。第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御用配線６４Ａの縦方向Ｙの長さは、第１制御用配線６３Ａの縦方向Ｙの長さと等しい。第１制御用配線６４Ａの横方向Ｘの幅は、第１制御用配線６３Ａの横方向Ｘの幅と等しい。
【0218】
図１６及び図１８に示すように、導通基板６０の第５層基板６０Ｇに形成された第２駆動用配線６２Ｂは、第１実施形態の第２駆動用配線６２Ｂと比較して、第１配線部分６２ｑａの縦方向Ｙの長さが短くなった点が異なる。
【0219】
第５層基板６０Ｇに形成された第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂと異なる。
具体的には、本実施形態の第２制御用配線６３Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６３Ｂの第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃを有していない。本実施形態の第２制御用配線６３Ｂは、横方向Ｘにおいて各第２半導体素子１０Ｂよりも樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄りであって、各第２半導体素子１０Ｂと隣り合うように配置されている。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙからみて、各第２半導体素子１０Ｂのうちの最も第４樹脂側面５４寄りの第２半導体素子１０Ｂと重なる位置から最も第３樹脂側面５３寄りの第２半導体素子１０Ｂと重なる位置まで延びている。
具体的には、本実施形態の第２制御用配線６３Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６３Ｂの第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃを有していない。本実施形態の第２制御用配線６３Ｂは、横方向Ｘにおいて各第２半導体素子１０Ｂよりも樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄りであって、各第２半導体素子１０Ｂと隣り合うように配置されている。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙからみて、各第２半導体素子１０Ｂのうちの最も第４樹脂側面５４寄りの第２半導体素子１０Ｂと重なる位置から最も第３樹脂側面５３寄りの第２半導体素子１０Ｂと重なる位置まで延びている。
【0220】
本実施形態の第２制御用配線６４Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６４Ｂの第２配線部分６４ｑｂ及び第３配線部分６４ｑｃを有していない。本実施形態の第２制御用配線６４Ｂは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６３Ｂに対して各第２半導体素子１０Ｂ側とは反対側に第２制御用配線６３Ｂと隣り合うように配置されている。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御用配線６４Ｂの縦方向Ｙの長さは、第２制御用配線６３Ｂの縦方向Ｙの長さと等しい。第２制御用配線６４Ｂの横方向Ｘの幅は、第２制御用配線６３Ｂの横方向Ｘの幅と等しい。
【0221】
このように各制御用配線６３Ａ，６３Ｂ，６４Ａ，６４Ｂの形状が変更されたことによって、各制御用配線６３Ａ，６３Ｂ，６４Ａ，６４Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂのパッド部８４ｐ，８５ｐ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄのパッド部８６ｐ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂのパッド部８７ｐとの相対的な位置関係が異なる。具体的には、図１７に示すように、横方向Ｘにおいて、第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐ、第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐ、第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐ、第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐ、及び第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐはそれぞれ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。また図１８に示すように、横方向Ｘにおいて、第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐ、第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐ、第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐ、第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐはそれぞれ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂよりも第１樹脂側面５１（図１６参照）寄りに配置されている。
【0222】
図１５～図１８に示すように、本実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成はそれぞれ、第１実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成と異なる。本実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂはそれぞれ、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂに形成された回路を構成する配線部を有する。このため、本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂがそれぞれ導電体を構成している。そして、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂのそれぞれが第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂに配置される部分が、電子部品が実装される実装領域となる。ここで、第１配線領域７０Ａに形成された回路は第１サージ低減回路４Ａであり、第２配線領域７０Ｂに形成された回路は第２サージ低減回路４Ｂである。
【0223】
具体的には、図１７に示すように、第１制御用リード８４Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１００と、第１配線部１００から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１０１とを有する。本実施形態では、第１制御用リード８４Ａは、第１配線部１００、第２配線部１０１、パッド部８４ｐ、及び端子部８４ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１００は、パッド部８４ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１００の横方向Ｘの幅は、パッド部８４ｐの横方向Ｘの幅よりも小さい。第２配線部１０１は、その全体が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ上に配置されている。平面視において第２配線部１０１の形状は、Ｌ字状である。第２配線部１０１は、第１部分１０１ａ及び第２部分１０１ｂを有する。第１部分１０１ａは、第１配線部１００から縦方向Ｙに沿って延びる部分である。第２部分１０１ｂは、第１部分１０１ａから横方向Ｘに沿って延びる部分である。第２部分１０１ｂは、横方向Ｘにおいて第１樹脂側面５１側に向けて延びている。第２部分１０１ｂの縦方向Ｙの幅は、第１部分１０１ａの横方向Ｘの幅よりも大きい。縦方向Ｙからみて、第２部分１０１ｂは、第１半導体素子１０Ａと重なるように配置されている。縦方向Ｙからみて、第２部分１０１ｂは、第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐと重なるように配置されている。また、第１制御用リード８４Ａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６３Ａよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。
【0224】
第１制御用リード８４Ａと第１制御用配線６３Ａとは、第１制御用接続部材１４０Ａによって接続されている。具体的には、第１制御用接続部材１４０Ａは、第１制御用リード８４Ａのうちの第２部分１０１ｂのうちの縦方向Ｙの導通基板６０寄りの端部と、縦方向Ｙにおける第１制御用配線６３Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第１制御用接続部材１４０Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0225】
第１制御用リード８５Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１１０と、第１配線部１１０から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１１１とを有する。本実施形態では、第１制御用リード８５Ａは、第１配線部１１０、第２配線部１１１、パッド部８５ｐ、及び端子部８５ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１１０は、パッド部８５ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１１０は、導通基板６０側に向かうにつれて第１樹脂側面５１側に向けて斜めに延びている。第２配線部１１１は、第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ上に配置されている。平面視において第２配線部１１１の形状は、Ｌ字状である。第２配線部１１１は、第１部分１１１ａ及び第２部分１１１ｂを有する。第１部分１１１ａは、第１配線部１１０から縦方向Ｙに沿って延びる部分である。第２部分１１１ｂは、第１部分１１１ａから横方向Ｘに沿って延びる部分である。第２部分１１１ｂの先端部は、第１導電部材４２Ａから横方向Ｘに向けて突出している。第２部分１１１ｂは、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１の第２部分１０１ｂと揃った状態で第２部分１０１ｂに対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第２部分１１１ｂは、第１制御用リード８４Ａの第２部分１０１ｂと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。縦方向Ｙからみて、第２部分１１１ｂは、第１制御用配線６３Ａ及び第１制御用配線６４Ａと重なっている。
【0226】
第１制御用リード８５Ａと第１制御用配線６４Ａとは、第１制御用接続部材１４１Ａによって接続されている。具体的には、第１制御用接続部材１４１Ａは、第１制御用リード８５Ａの第２部分１１１ｂの先端部と、縦方向Ｙにおける第１制御用配線６４Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第１制御用接続部材１４１Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0227】
第１制御電源用リード８６Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１２０と、第１配線部１２０から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１２１とを有する。本実施形態では、第１制御電源用リード８６Ａは、第１配線部１２０、第２配線部１２１、パッド部８６ｐ、及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１２０は、パッド部８６ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１２０は、導通基板６０側に向かうにつれて第１樹脂側面５１側に向けて斜めに延びている。第２配線部１２１は、その全体が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ上となるように配置されている。平面視において第２配線部１２１の形状は、特に限定されないが、正方形である。第２配線部１２１は、横方向Ｘにおいて第１制御用リード８４Ａの第１配線部１００と第１制御用リード８５Ａの第１配線部１１０との間に配置されている。第２配線部１２１は、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１よりもパッド部８６ｐ寄りに配置されている。第２配線部１２１の横方向Ｘの幅は、第１配線部１２０の幅（平面視において第１配線部１２０が延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。
【0228】
第１制御電源用リード８６Ｂは、縦方向Ｙにおいて第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１２２と、第１配線部１２２から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１２３とを有する。本実施形態では、第１制御電源用リード８６Ｂは、第１配線部１２２、第２配線部１２３、パッド部８６ｐ、及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１２２は、パッド部８６ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１２２は、導通基板６０側に向かうにつれて第１樹脂側面５１側に向けて斜めに延びている。第１配線部１２２のうちの第２配線部１２３寄りの端部の一部は、第１導電部材４２Ａよりも第１樹脂側面５１側に突出している。第２配線部１２３は、第１配線部１２２から縦方向Ｙに沿って延びている。第２配線部１２３は、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１の第２部分１１１ｂよりもパッド部８６ｐ寄りに配置されている。
【0229】
第１短絡検出用リード８７Ａは、縦方向Ｙにおいて第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１３０と、第１配線部１３０から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１３１とを有する。本実施形態では、第１短絡検出用リード８７Ａは、第１配線部１３０、第２配線部１３１、パッド部８７ｐ、及び端子部８７ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１３０及び第２配線部１３１はともに縦方向Ｙに沿って延びている。第１配線部１３０は、パッド部８７ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第２配線部１３１は、その全体が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ上に配置されている。第２配線部１３１の横方向Ｘの幅は、第１配線部１３０の横方向Ｘの幅よりも大きい。第２配線部１３１は、横方向Ｘにおいて、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄよりも第２樹脂側面５２（図１６参照）寄りに配置されている。本実施形態では、第２配線部１３１は、縦方向Ｙからみて、第１駆動用配線６２Ａの第１配線部分６２ｐａ及び第３配線部分６２ｐｃと重なっている。
【0230】
第１短絡検出用リード８７Ａと第１駆動用配線６２Ａとは、第１短絡検出用接続部材１４２Ａによって接続されている。具体的には、第１短絡検出用接続部材１４２Ａは、第１短絡検出用リード８７Ａの第２配線部１３１のうちの導通基板６０寄りの端部と、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第１短絡検出用接続部材１４２Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第１短絡検出用接続部材１４２Ａは、第４配線部分６２ｐｄのうちの第１高耐圧ダイオード３０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りの部分に接続されている。
【0231】
第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂには、第１サージ低減回路４Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが実装されている。このため、本実施形態では、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂは、第１サージ低減回路４Ａを構成する導電路（配線部）となる。
【0232】
第１制御用リード８４Ａと第１制御用リード８５Ａとには、第１低耐圧ダイオード３２Ａが実装されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ａの第１端子は、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１のうちの第２部分１０１ｂに接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ａの第２端子は、第１制御電源用リード８６Ａのうちの第２配線部１２１に接続されている。
【0233】
第１制御用リード８４Ａと第１制御電源用リード８６Ａとには、第１低耐圧ダイオード３２Ｂが電気的に接続されるように構成されている。具体的には、第１制御電源用リード８６Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂが実装されるランド部１２３ａと、ランド部１２３ａと第１制御電源用リード８６Ａの第２配線部１２３とを接続する配線接続部材１２８とを有する。ランド部１２３ａ及び第２配線部１２３は個別に設けられている。ランド部１２３ａは、第２配線部１２３から離間して配置されている。より詳細には、ランド部１２３ａは、縦方向Ｙにおいて、第２配線部１２３よりも第４樹脂側面５４寄り（第１半導体素子１０Ａ寄り）に配置されている。横方向Ｘからみて、ランド部１２３ａは、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１の第２部分１０１ｂと第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１の第２部分１１１ｂとに重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、ランド部１２３ａは、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１の第２部分１０１ｂと第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１の第２部分１１１ｂとの間に配置されている。平面視において、配線接続部材１２８は、第１樹脂側面５１に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びている。配線接続部材１２８は、第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１を跨ぐように形成されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極は、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１のうちの第２部分１０１ｂに接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極は、ランド部１２３ａに接続されている。このように、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは、第１制御電源用リード８６Ａと第１制御電源用リード８６Ｂとの間で第１制御用リード８４Ａを介して直列接続されている。
【0234】
第１制御電源用リード８６Ａと第１制御用リード８５Ａとには、第１コンデンサ３３Ａが実装されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ａの第１端子は、第１制御電源用リード８６Ａの第２配線部１２１に接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第２端子は、第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１のうちの第１部分１１１ａに接続されている。
【0235】
第１制御用リード８５Ａと第１制御電源用リード８６Ｂとには、第１コンデンサ３３Ｂが実装されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ｂの第１端子は、第１制御用リード８５Ａのうちの第２配線部１１１の第１部分１１１ａに接続されている。第１コンデンサ３３Ｂの第２端子は、第１制御電源用リード８６Ｂの第２配線部１２３に接続されている。このように、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御電源用リード８６Ａと第１制御電源用リード８６Ｂとの間で第１制御用リード８５Ａを介して直列接続されている。
【0236】
図１８に示すように、第２制御用リード８４Ｂは、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１０２と、第１配線部１０２から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１０３と、第２配線部１０３から分岐して横方向Ｘに沿って延びる第３配線部１０４とを有する。本実施形態では、第２制御用リード８４Ｂは、第１配線部１０２、第２配線部１０３、第３配線部１０４、パッド部８４ｐ、及び端子部８４ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１０２は、パッド部８４ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１０２は、導通基板６０に向かうにつれて樹脂部材５０の第２樹脂側面５２に向けて斜めに延びている。第１配線部１０２の幅（平面視において第１配線部１０２が延びる方向と直交する方向の寸法）は、パッド部８４ｐの横方向Ｘの幅よりも小さい。第２配線部１０３は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に配置されている。平面視において第２配線部１０３の形状は、Ｌ字状である。第２配線部１０３は、第１部分１０３ａ及び第２部分１０３ｂを有する。第１部分１０３ａは、第１配線部１０２から縦方向Ｙに沿って延びる部分である。第２部分１０３ｂは、第１部分１０３ａの導通基板６０寄りの端部から横方向Ｘに沿って延びる部分である。第２部分１０３ｂは、横方向Ｘにおいて第２樹脂側面５２側に向けて延びている。第１部分１０３ａの横方向Ｘの幅は、第２部分１０３ｂの縦方向Ｙの幅よりも大きい。第２部分１０３ｂは、縦方向Ｙからみて、第２制御用配線６３Ｂと重なる位置まで延びている。第３配線部１０４は、縦方向Ｙにおいて第２配線部１０３の第２部分１０３ｂよりもパッド部８４ｐ（第３樹脂側面５３）寄りに配置されている。第３配線部１０４は、第２配線部１０３の第１部分１０３ａから第２樹脂側面５２側に向けて横方向Ｘに沿って延びている。第３配線部１０４は、縦方向Ｙにおいて第２部分１０３ｂと間隔をあけて第２部分１０３ｂと隣り合うように配置されている。
【0237】
第２制御用リード８４Ｂと第２制御用配線６３Ｂとは、第２制御用接続部材１４０Ｂによって接続されている。具体的には、第２制御用接続部材１４０Ｂは、第２制御用リード８４Ｂのうちの第２配線部１０３の第２部分１０３ｂにおける第２樹脂側面５２寄りの端部と、第２制御用配線６３Ｂのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第２制御用接続部材１４０Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0238】
第２制御用リード８５Ｂは、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１１２と、第１配線部１１２から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１１３とを有する。本実施形態では、第１配線部１１２、第２配線部１１３、パッド部８５ｐ、及び端子部８５ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１１２は、パッド部８５ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１１２は、導通基板６０側に向かうにつれて第２樹脂側面５２側に向けて斜めに延びている。第２配線部１１３は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に位置するように配置されている。平面視において第２配線部１１３の形状は、Ｌ字状である。第２配線部１１３は、第１部分１１３ａ及び第２部分１１３ｂを有する。第１部分１１３ａは、第１配線部１１２から縦方向Ｙに沿って延びる部分である。第２部分１１３ｂは、第１部分１１３ａから第２樹脂側面５２に向けて横方向Ｘに沿って延びる部分である。第２部分１１３ｂは、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４と揃った状態で第３配線部１０４に対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第２部分１１３ｂは、第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４と横方向Ｘに隣り合うように配置されている。縦方向Ｙからみて、第２部分１１３ｂは、第２制御用配線６３Ｂ及び第２制御用配線６４Ｂと重なっている。
【0239】
第２制御用リード８５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとは、第２制御用接続部材１４１Ｂによって接続されている。具体的には、第２制御用接続部材１４１Ｂは、第２制御用リード８５Ｂの第２部分１１３ｂと、第２制御用配線６４Ｂのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第２制御用接続部材１４１Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0240】
第２制御電源用リード８６Ｃは、縦方向Ｙにおいて第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１２４と、第１配線部１２４から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１２５とを有する。本実施形態では、第２制御電源用リード８６Ｃは、第１配線部１２４、第２配線部１２５、パッド部８６ｐ、及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１２４は、パッド部８６ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１２４は、導通基板６０側に向かうにつれて第２樹脂側面５２側に向けて斜めに延びている。第２配線部１２５は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に位置するように配置されている。平面視において第２配線部１２５の形状は、特に限定されないが、正方形である。第２配線部１２５は、横方向Ｘにおいて第２制御用リード８４Ｂの第１配線部１０２と第２制御用リード８５Ｂの第１配線部１１２との間に配置されている。第２配線部１２５は、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４よりもパッド部８６ｐ寄りに配置されている。第２配線部１２５の横方向Ｘの幅は、第１配線部１２４の幅（平面視において第１配線部１２４が延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。
【0241】
第２制御電源用リード８６Ｄは、縦方向Ｙにおいて第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１２６と、第１配線部１２６から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１２７とを有する。本実施形態では、第２制御電源用リード８６Ｄは、第１配線部１２６、第２配線部１２７、パッド部８６ｐ、及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１２６は、パッド部８６ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１２６は、導通基板６０側に向かうにつれて第２樹脂側面５２側に向けて斜めに延びている。第２配線部１２７は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に位置するように配置されている。第２配線部１２７は、第１配線部１２６から縦方向Ｙに沿って延びている。第２配線部１２７は、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第２部分１１３ｂよりもパッド部８６ｐ寄りに配置されている。第２配線部１２７は、横方向Ｘにおいて第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第１部分１１３ａよりも第２樹脂側面５２寄りに第１部分１１３ａと横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。
【0242】
第２短絡検出用リード８７Ｂは、縦方向Ｙにおいて第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１３２と、第１配線部１３２から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１３３とを有する。本実施形態では、第２短絡検出用リード８７Ｂは、第１配線部１３２、第２配線部１３３、パッド部８７ｐ、及び端子部８７ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１３２及び第２配線部１３３はともに縦方向Ｙに沿って延びている。第１配線部１３２は、パッド部８７ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第２配線部１３３は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に配置されている。第２配線部１３３の横方向Ｘの幅は、第１配線部１３２の横方向Ｘの幅よりも大きい。第２配線部１３３は、横方向Ｘからみて、第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｐａと重なるように配置されている。
【0243】
第２短絡検出用リード８７Ｂと第２駆動用配線６２Ｂとは、第２短絡検出用接続部材１４２Ｂによって接続されている。具体的には、第２短絡検出用接続部材１４２Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂの第２配線部１３３のうちの導通基板６０寄りの端部と、第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｐａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第２短絡検出用接続部材１４２Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0244】
第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄには、第２サージ低減回路４Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが実装されている。このため、本実施形態では、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄは、第２サージ低減回路４Ｂを構成する導電路（配線部）となる。
【0245】
第２制御用リード８４Ｂと第２制御電源用リード８６Ｃとには、第２低耐圧ダイオード３４Ａが実装されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極は、第２制御用リード８４Ｂの第２配線部１０３のうちの第１部分１０３ａに接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極は、第２制御電源用リード８６Ｃの第２配線部１２５に接続されている。
【0246】
第２制御用リード８４Ｂと第２制御電源用リード８６Ｄとには、第２低耐圧ダイオード３４Ｂが電気的に接続されるように構成されている。具体的には、第２制御電源用リード８６Ｄは、第２低耐圧ダイオード３４Ｂが実装されるランド部１２７ａと、ランド部１２７ａと第２制御電源用リード８６Ｄの第２配線部１２７とを接続する配線接続部材１２９とを有する。ランド部１２７ａは、縦方向Ｙにおいて、第２配線部１２７よりも第４樹脂側面５４寄り（第２半導体素子１０Ｂ寄り）に配置されている。横方向Ｘからみて、ランド部１２７ａは、第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４と第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第２部分１１３ｂとに重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、ランド部１２７ａは、第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４と第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第２部分１１３ｂとの間に配置されている。平面視において、配線接続部材１２９は、第２樹脂側面５２に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びている。配線接続部材１２９は、第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３を跨ぐように形成されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は、第２制御用リード８４Ｂのうちの第３配線部１０４の先端部に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極は、第２制御電源用リード８６Ｄのランド部１２７ａに接続されている。このように、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂは、第２制御電源用リード８６Ｃと第２制御電源用リード８６Ｄとの間で第２制御用リード８４Ｂを介して直列接続されている。
【0247】
第２制御電源用リード８６Ｃと第２制御用リード８５Ｂとには、第２コンデンサ３５Ａが実装されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ａの第１端子は、第２制御電源用リード８６Ｃの第２配線部１２５に接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第２端子は、第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３のうちの第１部分１１３ａに接続されている。
【0248】
第２制御用リード８５Ｂと第２制御電源用リード８６Ｄとには、第２コンデンサ３５Ｂが実装されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ｂの第１端子は、第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３のうちの第１部分１１３ａに接続されている。第２コンデンサ３５Ｂの第２端子は、第２制御電源用リード８６Ｄの第２配線部１２７に接続されている。このように、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御電源用リード８６Ｃと第２制御電源用リード８６Ｄとの間で第２制御用リード８５Ｂを介して直列接続されている。
【0249】
図１５に示すように、樹脂部材５０には、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが形成されている。なお、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂは、第１実施形態の第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂと同じである。第１制御側開口部５８Ａと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、横方向Ｘにおいて、互いに離間した状態で並んで配置されている。
【0250】
第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）よりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの部分を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１導電部材４２Ａのうちの導通基板６０から第３樹脂側面５３側に突出した部分を露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１実施形態の第１制御側開口部５８Ａと同様に、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａを露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂのそれぞれの一部と、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、及び第１導電部材４２Ａの一部を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１短絡検出用リード８７Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0251】
第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）よりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの部分を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２導電部材４２Ｂのうちの導通基板６０から第３樹脂側面５３側に突出した部分を露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第１実施形態の第２制御側開口部５８Ｂと同様に、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂを露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄのそれぞれの一部と、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、及び第２導電部材４２Ｂの一部を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
【0252】
（製造方法）
図１９に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｂの製造方法は、支持基板準備工程（ステップＳ２１）、リード接合工程（ステップＳ２２）、電子部品実装工程（ステップＳ２３）、半導体素子実装工程（ステップＳ２４）、導通基板準備工程（ステップＳ２５）、基板接合工程（ステップＳ２６）、ワイヤ形成工程（ステップＳ２７）、及び封止工程（ステップＳ２８）を有する。支持基板準備工程、リード接合工程、電子部品実装工程、半導体素子実装工程、導通基板準備工程、基板接合工程、ワイヤ形成工程、及び封止工程の順に実施することによって、半導体装置１Ｂが製造される。
図１９に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｂの製造方法は、支持基板準備工程（ステップＳ２１）、リード接合工程（ステップＳ２２）、電子部品実装工程（ステップＳ２３）、半導体素子実装工程（ステップＳ２４）、導通基板準備工程（ステップＳ２５）、基板接合工程（ステップＳ２６）、ワイヤ形成工程（ステップＳ２７）、及び封止工程（ステップＳ２８）を有する。支持基板準備工程、リード接合工程、電子部品実装工程、半導体素子実装工程、導通基板準備工程、基板接合工程、ワイヤ形成工程、及び封止工程の順に実施することによって、半導体装置１Ｂが製造される。
【0253】
支持基板準備工程では、第１実施形態の支持基板準備工程と同様に、第１絶縁基板４１Ａに第１導電部材４２Ａを接合し、第２絶縁基板４１Ｂに第２導電部材４２Ｂを接合する。
【0254】
リード接合工程では、リードフレームを第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ及び第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに例えば電気的絶縁性を有する接合材を用いて接合する。このリードフレームには、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成要素が形成されている。
【0255】
電子部品実装工程では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが銀ペーストや半田などの導電性接合材を用いて実装される。
【0256】
半導体素子実装工程では、第１実施形態の半導体素子実装工程と同様に、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａとを接合し、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂとを接合する。
【0257】
導通基板準備工程では、第１実施形態の配線準備工程と同様に、導通基板６０と各入力リード８１，８２及び出力リード８３との組立体を製造する。そして、導通基板６０の第５層基板６０Ｆに第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを実装し、第５層基板６０Ｇに第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを実装する。一方、導通基板準備工程では、第１実施形態の配線準備工程とは異なり、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装しない。
【0258】
基板接合工程では、第１実施形態の基板接合工程と同様に、導通基板６０と各入力リード８１，８２及び出力リード８３との組立体を第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂに接合する。
【0259】
ワイヤ形成工程では、ボンディング装置によって各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ、及び各制御用接続部材９３Ａ，９３Ｂが第１実施形態と同様に形成される。
【0260】
ワイヤ形成工程では、ボンディング装置は、第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１の第２部分１１１ｂにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６４Ａまで移動し、第１制御用配線６４Ａにワイヤを接合する。これにより、第１制御用リード８５Ａと第１制御用配線６４Ａとを繋ぐ第１制御用接続部材１４１Ａが形成される。
【0261】
次に、ボンディング装置は、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１の第２部分１０１ｂにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６３Ａまで移動し、第１制御用配線６３Ａにワイヤを接合する。これにより、第１制御用リード８４Ａと第１制御用配線６３Ａとを繋ぐ第１制御用接続部材１４０Ａが形成される。
【0262】
次に、ボンディング装置は、第１短絡検出用リード８７Ａの第２配線部１３１にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄまで移動し、第４配線部分６２ｐｄにワイヤを接合する。これにより、第１短絡検出用リード８７Ａと第１駆動用配線６２Ａとを繋ぐ第１短絡検出用接続部材１４２Ａが形成される。
【0263】
次に、ボンディング装置は、第２短絡検出用リード８７Ｂの第２配線部１３３にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａまで移動し、第１配線部分６２ｑａにワイヤを接合する。これにより、第２短絡検出用リード８７Ｂと第２駆動用配線６２Ｂとを繋ぐ第２短絡検出用接続部材１４２Ｂが形成される。
【0264】
次に、ボンディング装置は、第２制御用リード８４Ｂの第２配線部１０３の第２部分１０３ｂにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６３Ｂまで移動し、第２制御用配線６３Ｂにワイヤを接合する。これにより、第２制御用リード８４Ｂと第２制御用配線６３Ｂとを繋ぐ第２制御用接続部材１４０Ｂが形成される。
【0265】
最後に、ボンディング装置は、第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第２部分１１３ｂにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６４Ｂまで移動し、第２制御用配線６４Ｂにワイヤを接合する。これにより、第２制御用リード８５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとを繋ぐ第２制御用接続部材１４１Ｂが形成される。
【0266】
封止工程では、第１実施形態の封止工程と同様に、樹脂部材５０を形成する。この工程において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂ及び各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂが形成される。その後、第１実施形態と同様にリードフレーム切断工程及びリード形成工程を経て、半導体装置１Ｂが製造される。
【0267】
なお、ワイヤ形成工程において、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御用接続部材１４０Ａ，１４０Ｂ，１４１Ａ，１４１Ｂ、及び各短絡検出用接続部材１４２Ａ，１４２Ｂが形成される順番は任意に変更可能である。
【0268】
また、本実施形態では、導通基板準備工程において、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂを構成する各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装したが、これに限られない。例えば、導通基板準備工程において、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装しなくてもよい。各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂは、封止工程の後に第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂによって実装されてもよい。この場合、絶縁材７１は、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを導通基板６０に実装した後に第１駆動側開口部５９Ａに充填する。絶縁材７２は、各高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装した後に第２駆動側開口部５９Ｂに充填する。また、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装しない状態で半導体装置１Ｂを出荷してもよい。この場合、半導体装置１Ｂを用いるユーザが、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂを第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂによって導通基板６０に実装する。
【0269】
また、本実施形態では、電子部品工程が封止工程の前に実施されているが、これに限られない。例えば、電子部品工程は、封止工程の後に実施されてもよい。また半導体装置１Ｂの製造方法から電子部品工程を省略してもよい。この場合、半導体装置１Ｂの出荷後、半導体装置１Ｂを用いるユーザが、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装しなくてもよい。各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂによって導通基板６０に実装する。
【0270】
本実施形態の半導体装置１Ｂによれば、第１実施形態の半導体装置１Ａと同様の効果に加え、以下の効果が得られる。
（２－１）第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂに直接的に接続されている。この構成によれば、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂと導通基板６０とを接続する接続部材（ワイヤ）を省略できる。したがって、接続部材の本数を減らすことができ、接続部材に起因する半導体装置１Ｂのインダクタンスを低減できる。
（２－１）第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂに直接的に接続されている。この構成によれば、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂと導通基板６０とを接続する接続部材（ワイヤ）を省略できる。したがって、接続部材の本数を減らすことができ、接続部材に起因する半導体装置１Ｂのインダクタンスを低減できる。
【0271】
第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、及び第２制御電源用リード８６Ｄに直接的に接続されている。この構成によれば、第２制御電源用リード８６Ｃ及び第２制御電源用リード８６Ｄと導通基板６０とを接続する接続部材（ワイヤ）を省略できる。したがって、接続部材の本数を減らすことができ、接続部材に起因する半導体装置１Ｂのインダクタンスを低減できる。
【0272】
（２－２）第１制御用接続部材１４０Ａは、第１制御用配線６３Ａのうちの樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御用リード８４Ａのうちの導通基板６０寄りの端部とに接続されている。このため、第１制御用接続部材１４０Ａの長さが短くなるため、第１制御用接続部材１４０Ａに起因するインダクタンスを低減できる。
【0273】
第２制御用接続部材１４０Ｂは、第２制御用配線６３Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御用リード８４Ｂのうちの導通基板６０寄りかつ第２樹脂側面５２寄りの端部とに接続されている。このため、第２制御用接続部材１４０Ｂの長さが短くなるため、第２制御用接続部材１４０Ｂに起因するインダクタンスを低減できる。
【0274】
（２－３）第１制御用接続部材１４１Ａは、第１制御用配線６４Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御用リード８５Ａのうちの導通基板６０寄りの端部とに接続されている。このため、第１制御用接続部材１４１Ａの長さが短くなるため、第１制御用接続部材１４１Ａに起因するインダクタンスを低減できる。
【0275】
第２制御用接続部材１４１Ｂは、第２制御用配線６４Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御用リード８５Ｂのうちの導通基板６０寄りかつ第２樹脂側面５２寄りの端部とに接続されている。このため、第２制御用接続部材１４１Ｂの長さが短くなるため、第２制御用接続部材１４１Ｂに起因するインダクタンスを低減できる。
【0276】
（２－４）各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの導電路（配線部）を構成する各リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ，８６Ａ～８６Ｄは、配線部、パッド部、及び端子部が一体形成された単一部品である。この構成によれば、例えば配線部とパッド部とがワイヤで接続される場合と比較して、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂから各リードの端子部までの間のインダクタンスを低減できる。
【0277】
［第３実施形態］
図２０～図２４を参照して、第３実施形態の半導体装置１Ｃについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｃは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、複数の端子２０、導通基板６０の配線部、及び回路構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図２０～図２４を参照して、第３実施形態の半導体装置１Ｃについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｃは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、複数の端子２０、導通基板６０の配線部、及び回路構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0278】
（半導体装置の回路構成）
図２４に示すように、半導体装置１Ｃの複数の端子２０は、第１実施形態の半導体装置１Ａの複数の端子２０と比較して、第１制御電力端子２５Ａに代えて、第１インターフェース端子２７Ａを備え、第２制御電力端子２５Ｃに代えて、第２インターフェース端子２７Ｂを備える点が異なる。
図２４に示すように、半導体装置１Ｃの複数の端子２０は、第１実施形態の半導体装置１Ａの複数の端子２０と比較して、第１制御電力端子２５Ａに代えて、第１インターフェース端子２７Ａを備え、第２制御電力端子２５Ｃに代えて、第２インターフェース端子２７Ｂを備える点が異なる。
【0279】
第１インターフェース端子２７Ａには、下側アームのスイッチング回路がオン状態時に、第１制御端子２３Ａに供給される制御信号がオフ状態を保つように、半導体装置１Ｃの外部に設けられたゲートドライブ回路（図示略）から信号が供給される。
【0280】
第２インターフェース端子２７Ｂには、上側アームのスイッチング回路がオン状態時に、第２制御端子２３Ｂに供給される制御信号がオフ状態を保つように、半導体装置１Ｃの外部に設けられたゲートドライブ回路から信号が供給される。
【0281】
第１半導体素子１０Ａと第２半導体素子１０Ｂとの接続構成は、第１実施形態の第１半導体素子１０Ａと第２半導体素子１０Ｂとの接続構成と同じである。また、半導体装置１Ｃは、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂに代えて、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第１抵抗３８Ａ，第１抵抗３８Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、第１スイッチング素子３９Ａ、及び第２スイッチング素子３９Ｂが実装可能なように構成されている。以下、各低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ，３７Ａ，３７Ｂ、各抵抗３８Ａ～３８Ｄ、及び各スイッチング素子３９Ａ，３９Ｂを備えている状態の半導体装置１Ｃについて説明する。
【0282】
本実施形態では、第１半導体素子１０Ａのゲートソース間において、互いに逆直列に接続された第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂによって、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に発生するサージ電圧を吸収する第１サージ吸収回路５Ａを構成している。より詳細には、第１低耐圧ダイオード３６Ａのカソード電極は、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に電気的に接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａのアノード電極は、第１低耐圧ダイオード３６Ｂのアノード電極と電気的に接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのカソード電極は、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２に電気的に接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂはそれぞれ、ショットキーバリアダイオードが用いられている。
【0283】
また、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に電気的に接続される第１スイッチング素子３９Ａと、第１抵抗３８Ａ及び第１抵抗３８Ｂとによって、第１半導体素子１０Ａを駆動させるための第１インターフェース回路６Ａを構成している。より詳細には、第１スイッチング素子３９Ａは、例えばＭＯＳＦＥＴが用いられている。第１スイッチング素子３９Ａのドレイン電極３９ｄは、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に電気的に接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのソース電極３９ｓは、第１制御電力端子２５Ｂに電気的に接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇは、第１インターフェース端子２７Ａに電気的に接続されている。
【0284】
第１抵抗３８Ａは、第１インターフェース端子２７Ａと第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇとの間に設けられている。第１抵抗３８Ａの第１端子は第１インターフェース端子２７Ａに接続されており、第２端子は第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇに接続されている。第１抵抗３８Ｂは、第１スイッチング素子３９Ａのゲートソース間に設けられている。第１抵抗３８Ｂの第１端子は第１インターフェース端子２７Ａ及び第１抵抗３８Ａの第１端子に接続されており、第２端子は第１スイッチング素子３９Ａのソース電極３９ｓに接続されている。
【0285】
本実施形態では、第２半導体素子１０Ｂのゲートソース間において、互いに逆直列に接続された第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂによって、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に発生するサージ電圧を吸収する第２サージ吸収回路５Ｂを構成している。より詳細には、第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極は、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に電気的に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極は、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極と電気的に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は、第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２に電気的に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂはそれぞれ、ショットキーバリアダイオードが用いられている。
【0286】
また、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に電気的に接続される第２スイッチング素子３９Ｂと、第２抵抗３８Ｃ及び第２抵抗３８Ｄとによって、第２半導体素子１０Ｂを駆動させるための第２インターフェース回路６Ｂを構成している。より詳細には、第２スイッチング素子３９Ｂは、例えばＭＯＳＦＥＴが用いられている。第２スイッチング素子３９Ｂのドレイン電極３９ｄは、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に電気的に接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのソース電極３９ｓは、第２制御電力端子２５Ｄに電気的に接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇは、第２インターフェース端子２７Ｂに電気的に接続されている。
【0287】
第２抵抗３８Ｃは、第２インターフェース端子２７Ｂと第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇとの間に設けられている。第２抵抗３８Ｃの第１端子は第２インターフェース端子２７Ｂに接続され、第２端子は第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇに接続されている。第２抵抗３８Ｄは、第２スイッチング素子３９Ｂのゲートソース間に設けられている。第２抵抗３８Ｄの第１端子は第２インターフェース端子２７Ｂ及び第２抵抗３８Ｃの第１端子に接続され、第２端子は第２スイッチング素子３９Ｂのソース電極３９ｓに接続されている。
【0288】
（半導体装置の構成）
図２０～図２３に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｃは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、複数のリード８０の配列態様、第１配線領域７０Ａの一部、及び第２配線領域７０Ｂが異なる。
図２０～図２３に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｃは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、複数のリード８０の配列態様、第１配線領域７０Ａの一部、及び第２配線領域７０Ｂが異なる。
【0289】
半導体装置１Ｃは、第１配線領域７０Ａの縦方向Ｙの隣に配置されたリード８０として、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１インターフェース用リード８８Ａ、及び第１短絡検出用リード８７Ａを備える。横方向Ｘにおいて各入力リード８１，８２から出力リード８３に向けて、第１制御用リード８５Ａ、第１制御用リード８４Ａ、第１インターフェース用リード８８Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａの順に配列されている。第１インターフェース用リード８８Ａは、例えば第１制御用リード８５Ａと同じ形状である。第１インターフェース用リード８８Ａは、パッド部８８ｐと端子部８８ｔとを有する。本実施形態では、第１インターフェース用リード８８Ａは、パッド部８８ｐと端子部８８ｔとが一体形成された単一部品である。パッド部８８ｐには、パッド部８８ｐを厚さ方向Ｚに貫通する貫通孔８８ｈが設けられている。貫通孔８８ｈには、樹脂部材５０の一部が入り込んでいる。
【0290】
半導体装置１Ｃは、第２配線領域７０Ｂの縦方向Ｙの隣に配置されたリード８０として、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂを備える。横方向Ｘにおいて出力リード８３から各入力リード８１，８２に向けて、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂの順に配列されている。第２インターフェース用リード８８Ｂは、例えば第２制御用リード８５Ｂと同じ形状である。第２インターフェース用リード８８Ｂは、パッド部８８ｐと端子部８８ｔとを有する。本実施形態では、第２インターフェース用リード８８Ｂは、パッド部８８ｐと端子部８８ｔとが一体形成された単一部品である。パッド部８８ｐには、パッド部８８ｐを厚さ方向Ｚに貫通する貫通孔８８ｈが設けられている。貫通孔８８ｈには、樹脂部材５０の一部が入り込んでいる。
【0291】
第１駆動用配線６２Ａのうちの第１配線部分６２ｐａ、第２配線部分６２ｐｂ、第３配線部分６２ｐｃ、及び第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙは、第１実施形態の第１駆動用配線６２Ａと同じである。第１駆動用配線６２Ａのうちの第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚが第１実施形態の第１駆動用配線６２Ａと異なる。具体的には、第２部分６２ｐｚのうちの横方向Ｘに沿って延びる部分の横方向Ｘの長さが第１実施形態の第２部分６２ｐｚのうちの横方向Ｘに沿って延びる部分の横方向Ｘの長さよりも長い。このため、第２部分６２ｐｚのうちの縦方向Ｙに沿って延びる部分が横方向Ｘにおいて第５層基板６０Ｆのうちの出力リード８３寄りの端部に配置されている。このため、縦方向Ｙからみて、第２部分６２ｐｚのうちの縦方向Ｙに沿って延びる部分は、第１駆動用配線６２Ａの第１配線部分６２ｐａと重なるように配置されている。
【0292】
第１駆動用配線６２Ａと第１短絡検出用リード８７Ａとは、第１短絡検出用接続部材９７Ａによって電気的に接続されている。第１短絡検出用接続部材９７Ａは、第１駆動用配線６２Ａのうちの第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚにおける縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐとに接続されている。
【0293】
第１制御用配線６３Ａのうちの第１配線部分６３ｐａ及び第２配線部分６３ｐｂは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａと同じである。第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃが第１実施形態の第１制御用配線６３Ａと異なる。具体的には、第３配線部分６３ｐｃは、第２配線部分６３ｐｂから縦方向Ｙの第３樹脂側面５３側に向けて縦方向Ｙに沿って延びている。
【0294】
第１制御用配線６３Ａと第１制御用リード８４Ａとは、第１制御リード用接続部材９４Ａによって電気的に接続されている。第１制御リード用接続部材９４Ａは、第１制御用配線６３Ａのうちの第３配線部分６３ｐｃにおける縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとに接続されている。
【0295】
第１制御用配線６４Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６４Ａと比較して、第２配線部分６４ｐｂ及び第３配線部分６４ｐｃを有していない。第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御用配線６４Ａの縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の第１制御用配線６４Ａにおける第１配線部分６４ｐａの縦方向Ｙの長さよりも長い。
【0296】
第１制御用配線６４Ａと第１制御用リード８５Ａとは、第１制御リード用接続部材９５Ａによって電気的に接続されている。第１制御リード用接続部材９５Ａは、第１制御用配線６４Ａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとに接続されている。
【0297】
平面視における第１制御電源用配線６６Ａの形状は、Ｌ字状である。第２制御電源用配線６６Ｂは、第１配線部分６６ｐａ及び第２配線部分６６ｐｂを有する。第１配線部分６６ｐａは、第５層基板６０Ｆのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部から第１半導体素子１０Ａに向けて縦方向Ｙに沿って延びている。第１配線部分６６ｐａは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、第１配線部分６６ｐａのうちの縦方向Ｙの第１半導体素子１０Ａ寄りの端部から横方向Ｘに沿って延びている。第２配線部分６６ｐｂは、第１樹脂側面５１に向けて延びている。第２配線部分６６ｐｂは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙよりも横方向Ｘの第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２配線部分６６ｐｂの先端部は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃと横方向Ｘに近接している。
【0298】
第１制御電源用配線６６Ａと第１制御電源用リード８６Ｂとは、第１制御電源用接続部材９６Ｂによって電気的に接続されている。第１制御電源用接続部材９６Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐとに接続されている。
【0299】
第１インターフェース用配線６８Ａは、横方向Ｘにおいて第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａと、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃとの間に配置されている。また、第１インターフェース用配線６８Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御電源用配線６６Ａの第２配線部分６６ｐｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第１インターフェース用配線６８Ａは、縦方向Ｙに延びている。
【0300】
第１インターフェース用配線６８Ａと第１インターフェース用リード８８Ａとは、第１インターフェース用接続部材９８Ａによって接続されている。第１インターフェース用接続部材９８Ａは、第１インターフェース用配線６８Ａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１インターフェース用リード８８Ａのパッド部８８ｐとに接続されている。第１インターフェース用接続部材９８Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0301】
第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃと第１制御用配線６４Ａとの横方向Ｘの間には、第１中継配線６９Ａが設けられている。第１中継配線６９Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。
【0302】
第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃと第２制御電源用配線６６Ｂとの横方向Ｘの間には、第２中継配線６９Ｂが設けられている。平面視における第２中継配線６９Ｂの形状は、Ｌ字状である。第２中継配線６９Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６９ｐａと、横方向Ｘに延びる第２配線部分６９ｐｂとを有する。第２配線部分６９ｐｂは、第１配線部分６９ｐａのうちの縦方向Ｙの第１半導体素子１０Ａ寄りの端部から出力リード８３側に向けて延びている。
【0303】
第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、及び第１中継配線６９Ａには、第１サージ吸収回路５Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂが実装されている。
第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御用配線６４Ａとの間において第１中継配線６９Ａを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第１低耐圧ダイオード３６Ａのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。
第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御用配線６４Ａとの間において第１中継配線６９Ａを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第１低耐圧ダイオード３６Ａのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。
【0304】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１低耐圧ダイオード３６Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１低耐圧ダイオード３６Ｂが配置されている。加えて、第１低耐圧ダイオード３６Ａと第１低耐圧ダイオード３６Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間するように配列されている。
【0305】
第１制御用配線６３Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂ、第１インターフェース用配線６８Ａ、及び第２中継配線６９Ｂには、第１インターフェース回路６Ａを構成する第１抵抗３８Ａ，３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａが実装されている。
【0306】
第１スイッチング素子３９Ａは、第１制御用配線６３Ａと、第２制御電源用配線６６Ｂと、第２中継配線６９Ｂとに電気的に接続されている。より詳細には、第１スイッチング素子３９Ａのドレイン電極３９ｄは、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃに接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのソース電極３９ｓは、第２制御電源用配線６６Ｂのうちの第２配線部分６６ｐｂに接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇは、第２中継配線６９Ｂに接続されている。本実施形態では、第１スイッチング素子３９Ａは、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、及び第１抵抗３８Ｂよりも第１半導体素子１０Ａ寄りに配置されている。
【0307】
第１抵抗３８Ａ及び第１抵抗３８Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２中継配線６９Ｂとの間において第１インターフェース用配線６８Ａを介して接続されている。第１抵抗３８Ａの第１端子は、第２中継配線６９Ｂに接続されている。第１抵抗３８Ａの第２端子は、第１インターフェース用配線６８Ａに接続されている。第１抵抗３８Ｂの第１端子は、第１インターフェース用配線６８Ａに接続されている。第１抵抗３８Ｂの第２端子は、第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｐａに接続されている。
【0308】
本実施形態では、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１抵抗３８Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１抵抗３８Ｂが配置されている。加えて、第１抵抗３８Ａと第１抵抗３８Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
【0309】
第２駆動用配線６２Ｂは、第１実施形態の第２駆動用配線６２Ｂと同じである。第２短絡検出用接続部材９７Ｂは、第１実施形態と同様に、第２駆動用配線６２Ｂと第２短絡検出用リード８７Ｂとに接続されている。
【0310】
第２制御用配線６３Ｂのうちの第１配線部分６３ｑａは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａと同じである。本実施形態の第２制御用配線６３Ｂでは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａの第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃが省略される代わりに、第４配線部分６３ｑｄが追加されている。平面視における第４配線部分６３ｑｄの形状は、Ｌ字状である。第４配線部分６３ｑｄは、第１部分６３ｑｖ及び第２部分６３ｑｗを有する。第１部分６３ｑｖは、第１配線部分６３ｑａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部から横方向Ｘの各入力リード８１，８２側に延びている。第２部分６３ｑｗは、第１部分６３ｑｖの横方向Ｘの各入力リード８１，８２寄りの端部から縦方向Ｙの第３樹脂側面５３側に延びている。
【0311】
第２制御用配線６３Ｂと第２制御用リード８４Ｂとは、第２制御リード用接続部材９４Ｂによって電気的に接続されている。第２制御リード用接続部材９４Ｂは、第２制御用配線６３Ｂのうちの第４配線部分６３ｑｄの第２部分６３ｑｗにおける縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとに接続されている。
【0312】
第２制御用配線６４Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６４Ｂと比較して、第２配線部分６４ｑｂ及び第３配線部分６４ｑｃを有していない。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御用配線６４Ｂの縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の第２制御用配線６４Ｂにおける第１配線部分６４ｑａの縦方向Ｙの長さよりも長い。
【0313】
第２制御用配線６４Ｂと第２制御用リード８５Ｂとは、第２制御リード用接続部材９５Ｂによって電気的に接続されている。第２制御リード用接続部材９５Ｂは、第２制御用配線６４Ｂのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとに接続されている。
【0314】
第２制御電源用配線６６Ｄ及び第２インターフェース用配線６８Ｂはそれぞれ、第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａと、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄの第２部分６３ｑｗとの横方向Ｘの間に配置されている。第２制御電源用配線６６Ｄは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６３Ｂの第２部分６３ｑｗ寄りに配置されている。第２インターフェース用配線６８Ｂは、横方向Ｘにおいて第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａ寄りに配置されている。第２制御電源用配線６６Ｄ及び第２インターフェース用配線６８Ｂはそれぞれ、縦方向Ｙに延びている。
【0315】
第２制御電源用配線６６Ｄと第２制御電源用リード８６Ｄとは、第２制御電源用接続部材９６Ｄによって電気的に接続されている。第２制御電源用接続部材９６Ｄは、第２制御電源用配線６６Ｄのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐとに接続されている。
【0316】
第２インターフェース用配線６８Ｂと第２インターフェース用リード８８Ｂとは、第２インターフェース用接続部材９８Ｂによって電気的に接続されている。第２インターフェース用接続部材９８Ｂは、第２インターフェース用配線６８Ｂのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と第２インターフェース用リード８８Ｂのパッド部８８ｐとに接続されている。第２インターフェース用接続部材９８Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0317】
縦方向Ｙにおいて第２制御電源用配線６６Ｄ及び第２インターフェース用配線６８Ｂと第２半導体素子１０Ｂとの間には、第３中継配線６９Ｃが設けられている。第３中継配線６９Ｃは、横方向Ｘに沿って延びている。縦方向Ｙからみて、第３中継配線６９Ｃは、第２制御電源用配線６６Ｄ及び第２インターフェース用配線６８Ｂに重なっている。
【0318】
縦方向Ｙにおいて第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄのうちの第２部分６３ｑｗと第２制御用配線６４Ｂとの間には、第４中継配線６９Ｄが設けられている。第４中継配線６９Ｄは、縦方向Ｙに延びている。第４中継配線６９Ｄは、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄのうちの第１部分６３ｑｖよりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
【0319】
第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、及び第４中継配線６９Ｄには、第２サージ吸収回路５Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂが実装されている。
第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの間において第４中継配線６９Ｄを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第２低耐圧ダイオード３７Ａのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄの第２部分６３ｑｗに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのカソード電極は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。
第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの間において第４中継配線６９Ｄを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第２低耐圧ダイオード３７Ａのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄの第２部分６３ｑｗに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのカソード電極は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。
【0320】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２低耐圧ダイオード３７Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２低耐圧ダイオード３７Ｂが配置されている。加えて、第２低耐圧ダイオード３７Ａと第２低耐圧ダイオード３７Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
【0321】
第２制御用配線６３Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｄ、第２インターフェース用配線６８Ｂ、及び第３中継配線６９Ｃには、第２インターフェース回路６Ｂを構成する第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂが実装されている。
【0322】
第２スイッチング素子３９Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと、第２制御電源用配線６６Ｄと、第３中継配線６９Ｃとに電気的に接続されている。より詳細には、第２スイッチング素子３９Ｂのドレイン電極３９ｄは、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄに接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのソース電極３９ｓは、第２制御電源用配線６６Ｄに接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇは、第３中継配線６９Ｃに接続されている。
【0323】
本実施形態では、第２スイッチング素子３９Ｂは、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ及び第２抵抗３８Ｄよりも第２半導体素子１０Ｂ寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第２スイッチング素子３９Ｂは、第２抵抗３８Ｃと重なっている。
【0324】
第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄは、第２制御電源用配線６６Ｄ、第３中継配線６９Ｃ、及び第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｃの第１端子は、第３中継配線６９Ｃに接続されている。第２抵抗３８Ｃの第２端子は、第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｄの第１端子は、第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｄの第２端子は、第２制御電源用配線６６Ｄに接続されている。
【0325】
本実施形態では、第１端子と第２端子とが縦方向Ｙに沿って配列されるように第２抵抗３８Ｃが配置されている。また、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２抵抗３８Ｄが配置されている。第２抵抗３８Ｃは、第２抵抗３８Ｄよりも第２半導体素子１０Ｂ寄りに配置されている。縦方向Ｙからみて、第２抵抗３８Ｃと第２抵抗３８Ｄとは、部分的に重なっている。
【0326】
図２０に示すように、半導体装置１Ｃの樹脂部材５０には、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが形成されている。なお、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂは、第１実施形態の第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂと同じである。第１制御側開口部５８Ａと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、横方向Ｘにおいて、互いに離間した状態で並んで配置されている。
【0327】
第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１インターフェース回路６Ａ及び第１サージ吸収回路５Ａを露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用配線６３Ａの一部、第１制御用配線６４Ａの一部、第１中継配線６９Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂの一部、第１インターフェース用配線６８Ａの一部、第２中継配線６９Ｂ、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１駆動用配線６２Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0328】
第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２インターフェース回路６Ｂ及び第２サージ吸収回路５Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの一部、第２制御用配線６４Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２制御電源用配線６６Ｄの一部、第２インターフェース用配線６８Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
【0329】
本実施形態の半導体装置１Ｃによれば、以下の効果が得られる。
（３－１）半導体装置１Ｃは、第１インターフェース回路６Ａ及び第２インターフェース回路６Ｂを備える。この構成によれば、第１インターフェース回路６Ａの第１スイッチング素子３９Ａのオンオフを制御することによって、下側アームのスイッチング回路がオン状態時に各第１半導体素子１０Ａがサージ（ノイズ）の影響で誤オン状態とならないように好適に切り替えることができる。また、第２インターフェース回路６Ｂの第２スイッチング素子３９Ｂのオンオフを制御することによって、上側アームのスイッチング回路がオン状態時に各第２半導体素子１０Ｂがサージ（ノイズ）の影響で誤オン状態とならないように好適に切り替えることができる。
（３－１）半導体装置１Ｃは、第１インターフェース回路６Ａ及び第２インターフェース回路６Ｂを備える。この構成によれば、第１インターフェース回路６Ａの第１スイッチング素子３９Ａのオンオフを制御することによって、下側アームのスイッチング回路がオン状態時に各第１半導体素子１０Ａがサージ（ノイズ）の影響で誤オン状態とならないように好適に切り替えることができる。また、第２インターフェース回路６Ｂの第２スイッチング素子３９Ｂのオンオフを制御することによって、上側アームのスイッチング回路がオン状態時に各第２半導体素子１０Ｂがサージ（ノイズ）の影響で誤オン状態とならないように好適に切り替えることができる。
【0330】
（３－２）半導体装置１Ｃは、第１サージ吸収回路５Ａ及び第２サージ吸収回路５Ｂを備える。この構成によれば、第１サージ吸収回路５Ａの第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂによって、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に印加される電圧のうちのサージ電圧を吸収できる。また、第２サージ吸収回路５Ｂの第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂによって、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に印加される電圧のうちのサージ電圧を吸収できる。
【0331】
［第４実施形態］
図２５～図２９を参照して、第４実施形態の半導体装置１Ｄについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｄは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂに代えて、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える点が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図２５～図２９を参照して、第４実施形態の半導体装置１Ｄについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｄは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂに代えて、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える点が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0332】
（半導体装置の回路構成）
図２９に示すように、端子２０は、第１短絡検出端子２６Ａ及び第２短絡検出端子２６Ｂに代えて、第１過電流検出用端子２６Ｃ及び第２過電流検出用端子２６Ｄを有する。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。
図２９に示すように、端子２０は、第１短絡検出端子２６Ａ及び第２短絡検出端子２６Ｂに代えて、第１過電流検出用端子２６Ｃ及び第２過電流検出用端子２６Ｄを有する。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。
【0333】
第１電流検出回路７Ａは、第１半導体素子１０Ａに流れる電流を検出する回路であり、第１抵抗１５１を有する。第１抵抗１５１の第１端子は、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第１抵抗１５１の第２端子は、第１コンデンサ３３Ａと第１コンデンサ３３Ｂとの間のノードＮ３に電気的に接続されている。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と第１抵抗１５１の第１端子との間のノードＮ６に電気的に接続されている。
【0334】
第２電流検出回路７Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出する回路であり、第２抵抗１５２を有する。第２抵抗１５２の第１端子は、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２抵抗１５２の第２端子は、第２コンデンサ３５Ａと第２コンデンサ３５Ｂとの間のノードＮ５に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と第２抵抗１５２の第１端子との間のノードＮ７に電気的に接続されている。
【0335】
（半導体装置の構成）
図２６Ａに示すように、半導体装置１Ｄは、第１過電流検出用配線１６０Ａ及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを有する。第１過電流検出用配線１６０Ａは第５層基板６０Ｆに形成されており、第２過電流検出用配線１６０Ｂは第５層基板６０Ｇに形成されている。また、半導体装置１Ｄは、第１短絡検出用リード８７Ａに代えて第１過電流検出用リード８７Ｃを有し、第２短絡検出用リード８７Ｂに代えて第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。第１過電流検出用リード８７Ｃは図２９の第１過電流検出用端子２６Ｃを構成しており、第２過電流検出用リード８７Ｄは図２９の第２過電流検出用端子２６Ｄを構成している。
図２６Ａに示すように、半導体装置１Ｄは、第１過電流検出用配線１６０Ａ及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを有する。第１過電流検出用配線１６０Ａは第５層基板６０Ｆに形成されており、第２過電流検出用配線１６０Ｂは第５層基板６０Ｇに形成されている。また、半導体装置１Ｄは、第１短絡検出用リード８７Ａに代えて第１過電流検出用リード８７Ｃを有し、第２短絡検出用リード８７Ｂに代えて第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。第１過電流検出用リード８７Ｃは図２９の第１過電流検出用端子２６Ｃを構成しており、第２過電流検出用リード８７Ｄは図２９の第２過電流検出用端子２６Ｄを構成している。
【0336】
図２６Ａ及び図２６Ｂに示すように、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成は、第１実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成とは異なる。以下、本実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成について説明する。なお、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成は同一であるため、第１半導体素子１０Ａの素子主面１０ｓの電極構成について説明し、第２半導体素子１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成の説明を省略する。
【0337】
図２６Ｂに示すように、本実施形態の第１半導体素子１０Ａは、４つの素子側面１０ａ～１０ｄを有する。４つの素子側面１０ａ～１０ｄはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子１０Ａの素子主面１０ｓ及び素子裏面１０ｒ（図１１Ｂ参照）との間に設けられ、素子主面１０ｓ及び素子裏面１０ｒと交差する方向に延びる面である。素子側面１０ａ及び素子側面１０ｂは、横方向Ｘにおいて互いに離間して配置されており、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向く面である。素子側面１０ａは、素子側面１０ｂに対して第１制御用配線６３Ａ寄りに配置されている。素子側面１０ｃ及び素子側面１０ｄは、縦方向Ｙにおいて互いに離間して配置されており、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向く面である。
【0338】
素子主面１０ｓには、ソース電極１２、ゲート電極１３、及びカレントセンス電極１７が形成されている。ソース電極１２は、第１ソース電極１２Ａ、第２ソース電極１２Ｂ、及び第３ソース電極１２Ｃを含む。第１ソース電極１２Ａは、横方向Ｘにおいて素子主面１０ｓのうちの横方向Ｘの中央部よりも素子側面１０ｂ側に配置されている。また、第１ソース電極１２Ａは、縦方向Ｙにおいて素子主面１０ｓの中央部に配置されている。平面視における第１ソース電極１２Ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第２ソース電極１２Ｂは、縦方向Ｙにおいて第１ソース電極１２Ａに対して素子側面１０ｄ側となるように配置されている。第３ソース電極１２Ｃは、縦方向Ｙにおいて第１ソース電極１２Ａに対して素子側面１０ｃ側となるように配置されている。つまり、縦方向Ｙにおいて、第１ソース電極１２Ａは、第２ソース電極１２Ｂと第３ソース電極１２Ｃとの間に配置されている。平面視における第２ソース電極１２Ｂの形状は、第１ソース電極１２Ａを素子側面１０ｄ側及び素子側面１０ａ側から取り囲むようなＬ字状である。平面視における第３ソース電極１２Ｃの形状は、第１ソース電極１２Ａを素子側面１０ｃ側及び素子側面１０ａ側から取り囲むような略Ｌ字状である。第３ソース電極１２Ｃのうちの素子側面１０ａ寄りかつ素子側面１０ｃ寄りの端部には、切欠部１２ｘが形成されている。切欠部１２ｘには、カレントセンス電極１７が配置されている。カレントセンス電極１７は、ソース電極１２に流れる電流を検出するための電極であり、素子主面１０ｓのうちの素子側面１０ａ寄りかつ素子側面１０ｃ寄りの隅に配置されている。
【0339】
縦方向Ｙにおいて第２ソース電極１２Ｂと第３ソース電極１２Ｃとの間には、ゲート電極１３が配置されている。ゲート電極１３は、縦方向Ｙにおいて素子主面１０ｓの中央部に配置されている。ゲート電極１３は、横方向Ｘにおいて素子主面１０ｓのうちの素子側面１０ａ寄りに配置されている。つまり、ゲート電極１３は、横方向Ｘにおいて第１ソース電極１２Ａから離間して配置されている。
【0340】
各ソース電極１２Ａ～１２Ｃには、第１駆動用接続部材９１Ａが接続されている。第２ソース電極１２Ｂに接続された第１駆動用接続部材９１Ａは、横方向Ｘにおいて第２ソース電極１２Ｂのうちの素子側面１０ｂ寄りの部分に接続されている。第３ソース電極１２Ｃに接続された第１駆動用接続部材９１Ａは、横方向Ｘにおいて第３ソース電極１２Ｃのうちの素子側面１０ｂ寄りの部分に接続されている。第２ソース電極１２Ｂのうちの素子側面１０ａ寄りの部分には、第１制御用接続部材９３Ａが接続されている。ゲート電極１３には、第１制御用接続部材９２Ａが接続されている。カレントセンス電極１７には、第１駆動検出用接続部材１７１が接続されている。
【0341】
図２６Ａに示すように、第１半導体素子１０Ａの配置向きと第２半導体素子１０Ｂの配置向きとは、横方向Ｘにおいて反対向きとなる。より詳細には、第１半導体素子１０Ａはカレントセンス電極１７及びゲート電極１３が第１制御用配線６３Ａ寄り（樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄り）となるように配置されており、第２半導体素子１０Ｂはカレントセンス電極１７及びゲート電極１３が第２制御用配線６３Ｂ寄り（樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄り）となるように配置されている。
【0342】
第５層基板６０Ｆに電気的に接続されるリード８０は、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１過電流検出用リード８７Ｃを有する。本実施形態では、第１樹脂側面５１から第２樹脂側面５２に向けて、第１過電流検出用リード８７Ｃ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、及び第１制御用リード８４Ａの順に配列されている。
【0343】
第５層基板６０Ｇに電気的に接続されるリード８０は、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。本実施形態では、第２樹脂側面５２から第１樹脂側面５１に向けて、第２過電流検出用リード８７Ｄ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、及び第２制御用リード８４Ｂの順に配列されている。
【0344】
第１過電流検出用配線１６０Ａは、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と第１過電流検出用リード８７Ｃとを電気的に接続するための配線部である。第１過電流検出用配線１６０Ａは、横方向Ｘにおいて、第５層基板６０Ｆのうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に配置されている。第１過電流検出用配線１６０Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａに対して第１制御用配線６３Ａとは反対側に配置されている。第１過電流検出用配線１６０Ａは、第１制御用配線６４Ａと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。
【0345】
第１過電流検出用配線１６０Ａは、第５層基板６０Ｆのうちの第４樹脂側面５４寄りの端部から第３樹脂側面５３寄りの端部までにわたり形成されている。すなわち、横方向Ｘからみて、第１過電流検出用配線１６０Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと重なるように形成されている。
【0346】
図２６Ａ及び図２７に示すように、第１過電流検出用配線１６０Ａは、第１配線部分１６１、第２配線部分１６２、及び第３配線部分１６３を有する。本実施形態では、第１過電流検出用配線１６０Ａは、第１配線部分１６１、第２配線部分１６２、及び第３配線部分１６３が一体に形成された単一部材である。
【0347】
第１配線部分１６１は、縦方向Ｙに延びている。横方向Ｘからみて、第１配線部分１６１は、複数の第１半導体素子１０Ａと重なるように延びている。第１配線部分１６１は、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａの第１配線部分６４ｐａと隣り合うように配置されている。第１配線部分１６１は、縦方向Ｙにおいて、第１配線領域７０Ａの外部から第１配線領域７０Ａの内部までにわたり形成されている。第１配線部分１６１には、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第１駆動検出用接続部材１７１が形成されている。第１駆動検出用接続部材１７１は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。平面視において、各第１駆動検出用接続部材１７１は、横方向Ｘに沿って延びている。
【0348】
第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３はそれぞれ、第１配線領域７０Ａに配置されている。すなわち、平面視において、第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３はそれぞれ、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３はそれぞれ、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａとの縦方向Ｙの間に配置されているともいえる。要するに、平面視において、第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３はそれぞれ、複数の第１半導体素子１０Ａとリード８０との間に配置されているといえる。
【0349】
第２配線部分１６２は、第３樹脂側面５３側に向かうにつれて第２樹脂側面５２側に向けて斜めに延びている。横方向Ｘからみて、第２配線部分１６２は、第１制御用配線６４Ａの第２配線部分６４ｐｂと重なるように形成されている。第２配線部分１６２と第２配線部分６４ｐｂとには、第１抵抗１５１が実装されている。具体的には、第１抵抗１５１の第１端子が第２配線部分１６２に接続されており、第１抵抗１５１の第２端子が第２配線部分６４ｐｂに接続されている。
【0350】
第３配線部分１６３は、縦方向Ｙに延びている。第３配線部分１６３は、第１制御電源用配線６６Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第３配線部分１６３は、横方向Ｘにおいて第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａと隣り合うように配置されている。第３配線部分１６３には、第１過電流検出用リード８７Ｃと電気的に接続するように第１過電流検出用接続部材１７３が形成されている。第１過電流検出用接続部材１７３は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0351】
図２６Ａに示すように、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と第２過電流検出用リード８７Ｄとを電気的に接続するための配線部である。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、横方向Ｘにおいて、第５層基板６０Ｇのうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に配置されている。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６４Ｂに対して第２制御用配線６３Ｂとは反対側に配置されている。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第２制御用配線６４Ｂと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。
【0352】
第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第５層基板６０Ｇのうちの第４樹脂側面５４寄りの端部から第３樹脂側面５３寄りの端部までにわたり形成されている。すなわち、横方向Ｘからみて、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なるように形成されている。
【0353】
図２６Ａ及び図２８に示すように、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第１配線部分１６４、第２配線部分１６５、及び第３配線部分１６６を有する。本実施形態では、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第１配線部分１６４、第２配線部分１６５、及び第３配線部分１６６が一体に形成された単一部材である。
【0354】
第１配線部分１６４は、縦方向Ｙに延びている。横方向Ｘからみて、第１配線部分１６４は、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なるように延びている。第１配線部分１６４は、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６４Ｂの第１配線部分６４ｑａと隣り合うように配置されている。第１配線部分１６４は、縦方向Ｙにおいて、第２配線領域７０Ｂの外部から第２配線領域７０Ｂの内部までにわたり形成されている。第１配線部分１６４には、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第２駆動検出用接続部材１７２が形成されている。第２駆動検出用接続部材１７２は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。平面視において、各第２駆動検出用接続部材１７２は、横方向Ｘに沿って延びている。
【0355】
第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６はそれぞれ、第２配線領域７０Ｂに配置されている。すなわち、平面視において、第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６はそれぞれ、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６はそれぞれ、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂとの縦方向Ｙの間に配置されているともいえる。要するに、平面視において、第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６はそれぞれ、複数の第２半導体素子１０Ｂとリード８０との縦方向Ｙの間に配置されているといえる。
【0356】
第２配線部分１６５は、第３樹脂側面５３側に向かうにつれて第１樹脂側面５１側に向けて斜めに延びている。横方向Ｘからみて、第２配線部分１６５は、第２制御用配線６４Ｂの第２配線部分６４ｑｂと重なるように形成されている。
【0357】
第３配線部分１６６は、縦方向Ｙに延びている。第３配線部分１６６は、第２制御電源用配線６６Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第３配線部分１６６は、横方向Ｘにおいて第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａと隣り合うように配置されている。第３配線部分１６６と第２配線部分６４ｑｂとには、第２抵抗１５２が実装されている。具体的には、第２抵抗１５２の第１端子が第３配線部分１６６に接続されており、第２抵抗１５２の第２端子が第２配線部分６４ｑｂに接続されている。第３配線部分１６６には、第２過電流検出用リード８７Ｄと電気的に接続するように第２過電流検出用接続部材１７４が形成されている。第２過電流検出用接続部材１７４は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0358】
各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４はそれぞれ、例えばＣｕ（銅）又はＡｌ（アルミニウム）からなる。本実施形態では、各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４のそれぞれの構成材料は、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、及び各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄのそれぞれの構成材料と同じである。また、各検出用接続部材１７１，１７２の線径は互いに等しい。各過電流検出用接続部材１７３，１７４の線径は互いに等しい。各検出用接続部材１７１，１７２の線径と各過電流検出用接続部材１７３，１７４の線径とは互いに等しい。本実施形態では、各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４のそれぞれの線径は、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、及び各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄのそれぞれの線径と等しい。
【0359】
図２５に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板６０を露出する２つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。図２５から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
【0360】
第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0361】
平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図２７に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0362】
図２７に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａ及び第１電流検出回路７Ａを露出している。より詳細には、図２７に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃ、第１制御用配線６４Ａの第３配線部分６４ｐｃ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａを露出している。また第１制御側開口部５８Ａは、第１抵抗１５１と、第１過電流検出用配線１６０Ａの第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３とを露出している。また、本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御リード用接続部材９４Ａ，９５Ａ、第１制御電源用接続部材９６Ａ，９６Ｂ、及び第１過電流検出用接続部材１７３を露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0363】
平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図２８に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0364】
図２８に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。換言すると、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２配線領域７０Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂ及び第２電流検出回路７Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｐｃ、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂを露出している。また、第２制御側開口部５８Ｂは、第２抵抗１５２と、第２過電流検出用配線１６０Ｂの第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６とを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御リード用接続部材９４Ｂ，９５Ｂ、第２制御電源用接続部材９６Ｃ，９６Ｄ、及び第２過電流検出用接続部材１７４を露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
【0365】
本実施形態の半導体装置１Ｄによれば、第１実施形態の半導体装置１Ａの効果に加え、以下の効果が得られる。
（４－１）半導体装置１Ｄは、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える。この構成によれば、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出することによって、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れる場合において第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂをオフ状態にする等の制御を行うことができる。これにより、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂの故障の発生を抑制できる。
（４－１）半導体装置１Ｄは、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える。この構成によれば、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出することによって、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れる場合において第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂをオフ状態にする等の制御を行うことができる。これにより、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂの故障の発生を抑制できる。
【0366】
［第５実施形態］
図３０～図３４を参照して、第５実施形態の半導体装置１Ｅについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｅは、第３実施形態の半導体装置１Ｃと比較して、短絡検出回路３Ａ，３Ｂに代えて、電流検出回路７Ａ，７Ｂを備える点と、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いる点とが主に異なる。以下の説明において、第３実施形態の半導体装置１Ｃと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図３０～図３４を参照して、第５実施形態の半導体装置１Ｅについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｅは、第３実施形態の半導体装置１Ｃと比較して、短絡検出回路３Ａ，３Ｂに代えて、電流検出回路７Ａ，７Ｂを備える点と、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いる点とが主に異なる。以下の説明において、第３実施形態の半導体装置１Ｃと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0367】
（半導体装置の回路構成）
図３４に示すように、端子２０は、第１短絡検出端子２６Ａ及び第２短絡検出端子２６Ｂに代えて、第１過電流検出用端子２６Ｃ及び第２過電流検出用端子２６Ｄを有する。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。
図３４に示すように、端子２０は、第１短絡検出端子２６Ａ及び第２短絡検出端子２６Ｂに代えて、第１過電流検出用端子２６Ｃ及び第２過電流検出用端子２６Ｄを有する。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。
【0368】
第１電流検出回路７Ａは、第１半導体素子１０Ａに流れる電流を検出する回路であり、第１抵抗１５１を有する。第１抵抗１５１の第１端子は、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第１抵抗１５１の第２端子は、第２低耐圧ダイオード３７Ａのカソード電極と第１ソース端子２４Ａとの間のノードＮ８に電気的に接続されている。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と第１抵抗１５１の第１端子との間のノードＮ９に電気的に接続されている。
【0369】
第２電流検出回路７Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出する回路であり、第２抵抗１５２を有する。第２抵抗１５２の第１端子は、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２抵抗１５２の第２端子は、第２低耐圧ダイオード３７Ｂのカソード電極と第２ソース端子２４Ｂとの間のノードＮ１０に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と第２抵抗１５２の第１端子との間のノードＮ１１に電気的に接続されている。
【0370】
（半導体装置の構成）
図３１に示すように、半導体装置１Ｅは、第１過電流検出用配線１６０Ａ及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを有する。第１過電流検出用配線１６０Ａは第５層基板６０Ｆに形成されており、第２過電流検出用配線１６０Ｂは第５層基板６０Ｇに形成されている。また、半導体装置１Ｅは、第１短絡検出用リード８７Ａに代えて第１過電流検出用リード８７Ｃを有し、第２短絡検出用リード８７Ｂに代えて第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。第１過電流検出用リード８７Ｃは図３４の第１過電流検出用端子２６Ｃを構成しており、第２過電流検出用リード８７Ｄは図３４の第２過電流検出用端子２６Ｄを構成している。
図３１に示すように、半導体装置１Ｅは、第１過電流検出用配線１６０Ａ及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを有する。第１過電流検出用配線１６０Ａは第５層基板６０Ｆに形成されており、第２過電流検出用配線１６０Ｂは第５層基板６０Ｇに形成されている。また、半導体装置１Ｅは、第１短絡検出用リード８７Ａに代えて第１過電流検出用リード８７Ｃを有し、第２短絡検出用リード８７Ｂに代えて第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。第１過電流検出用リード８７Ｃは図３４の第１過電流検出用端子２６Ｃを構成しており、第２過電流検出用リード８７Ｄは図３４の第２過電流検出用端子２６Ｄを構成している。
【0371】
第５層基板６０Ｆに電気的に接続されるリード８０は、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１インターフェース用リード８８Ａ、及び第１過電流検出用リード８７Ｃを有する。本実施形態では、第１樹脂側面５１から第２樹脂側面５２に向けて、第１過電流検出用リード８７Ｃ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御用リード８４Ａ、第１インターフェース用リード８８Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ｂの順に配列されている。
【0372】
第５層基板６０Ｇに電気的に接続されるリード８０は、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。本実施形態では、第２樹脂側面５２から第１樹脂側面５１に向けて、第２過電流検出用リード８７Ｄ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２インターフェース用リード８８Ｂの順に配列されている。
【0373】
第１過電流検出用配線１６０Ａは、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と第１過電流検出用リード８７Ｃとを電気的に接続するための配線部である。第１過電流検出用配線１６０Ａは、横方向Ｘにおいて、第５層基板６０Ｆのうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に配置されている。第１過電流検出用配線１６０Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａに対して第１制御用配線６３Ａとは反対側に配置されている。第１過電流検出用配線１６０Ａは、第１制御用配線６４Ａと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。
【0374】
第１過電流検出用配線１６０Ａは、第５層基板６０Ｆのうちの第４樹脂側面５４寄りの端部から第３樹脂側面５３寄りの端部までにわたり形成されている。すなわち、横方向Ｘからみて、第１過電流検出用配線１６０Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと重なるように形成されている。また、第１過電流検出用配線１６０Ａは、縦方向Ｙにおいて、第１配線領域７０Ａの外部から第１配線領域７０Ａの内部までにわたり形成されている。
【0375】
第１過電流検出用配線１６０Ａのうちの横方向Ｘにおいて複数の第１半導体素子１０Ａと対向する部分には、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第１駆動検出用接続部材１７１が形成されている。第１駆動検出用接続部材１７１は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。平面視において、各第１駆動検出用接続部材１７１は、横方向Ｘに沿って延びている。
【0376】
第１過電流検出用配線１６０Ａのうちの第１配線領域７０Ａに対応する部分と、第１制御用配線６４Ａのうちの第１配線領域７０Ａに対応する部分とには、第１抵抗１５１が実装されている。第１抵抗１５１の第１端子は第１過電流検出用配線１６０Ａに接続されており、第１抵抗１５１の第２端子は第１制御用配線６４Ａに接続されている。第１抵抗１５１は、縦方向Ｙにおいて、各低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂよりも第４樹脂側面５４寄り（第１半導体素子１０Ａ寄り）に配置されている。横方向Ｘからみて、第１抵抗１５１は、第１スイッチング素子３９Ａと重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、第１抵抗１５１は、第１低耐圧ダイオード３６Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0377】
縦方向Ｙにおける第１過電流検出用配線１６０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部には、第１過電流検出用リード８７Ｃと電気的に接続するように第１過電流検出用接続部材１７３が形成されている。第１過電流検出用接続部材１７３は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0378】
図３３に示すように、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と第２過電流検出用リード８７Ｄとを電気的に接続するための配線部である。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、横方向Ｘにおいて、第５層基板６０Ｇのうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に配置されている。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６４Ｂに対して第２制御用配線６３Ｂとは反対側に配置されている。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第２制御用配線６４Ｂと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。
【0379】
第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第５層基板６０Ｇのうちの第４樹脂側面５４寄りの端部から第３樹脂側面５３寄りの端部までにわたり形成されている。すなわち、横方向Ｘからみて、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なるように形成されている。また、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、縦方向Ｙにおいて、第２配線領域７０Ｂの外部から第２配線領域７０Ｂの内部までにわたり形成されている。
【0380】
第２過電流検出用配線１６０Ｂのうちの横方向Ｘにおいて複数の第２半導体素子１０Ｂと対向する部分には、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第２駆動検出用接続部材１７２が形成されている。第２駆動検出用接続部材１７２は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。平面視において、各第２駆動検出用接続部材１７２は、横方向Ｘに沿って延びている。
【0381】
第２過電流検出用配線１６０Ｂのうちの第２配線領域７０Ｂに対応する部分と、第２制御用配線６４Ｂのうちの第２配線領域７０Ｂに対応する部分とには、第２抵抗１５２が実装されている。第２抵抗１５２の第１端子は第２過電流検出用配線１６０Ｂに接続されており、第２抵抗１５２の第２端子は第２制御用配線６４Ｂに接続されている。第２抵抗１５２は、縦方向Ｙにおいて、各低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂよりも第４樹脂側面５４寄り（第２半導体素子１０Ｂ寄り）に配置されている。横方向Ｘからみて、第２抵抗１５２は、第２スイッチング素子３９Ｂ及び第２抵抗３８Ｃと重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、第１抵抗１５１は、第２低耐圧ダイオード３７Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0382】
縦方向Ｙにおける第２過電流検出用配線１６０Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部には、第２過電流検出用リード８７Ｄと電気的に接続するように第２過電流検出用接続部材１７４が形成されている。第２過電流検出用接続部材１７４は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0383】
各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４はそれぞれ、例えばＣｕ（銅）又はＡｌ（アルミニウム）からなる。本実施形態では、各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４のそれぞれの構成材料は、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、及び各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄのそれぞれの構成材料と同じである。また、各検出用接続部材１７１，１７２の線径は互いに等しい。各過電流検出用接続部材１７３，１７４の線径は互いに等しい。各検出用接続部材１７１，１７２の線径と各過電流検出用接続部材１７３，１７４の線径とは互いに等しい。本実施形態では、各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４のそれぞれの線径は、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、及び各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄのそれぞれの線径と等しい。
【0384】
図３０に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板６０を露出する２つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。図３０から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
【0385】
第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0386】
平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図３２に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0387】
第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１インターフェース回路６Ａ、第１サージ吸収回路５Ａ、及び第１電流検出回路７Ａを露出している。より詳細には、図３２に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用配線６３Ａの一部、第１制御用配線６４Ａの一部、第１中継配線６９Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂの一部、第１インターフェース用配線６８Ａの一部、第２中継配線６９Ｂ、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａを露出している。また第１制御側開口部５８Ａは、第１抵抗１５１及び第１過電流検出用配線１６０Ａを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１駆動用配線６２Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0388】
平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図３３に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0389】
第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２インターフェース回路６Ｂ、第２サージ吸収回路５Ｂ、及び第２電流検出回路７Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの一部、第２制御用配線６４Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２制御電源用配線６６Ｄの一部、第２インターフェース用配線６８Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂを露出している。また、第２制御側開口部５８Ｂは、第２抵抗１５２及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
【0390】
本実施形態の半導体装置１Ｅによれば、第３実施形態の半導体装置１Ｃの効果に加え、以下の効果が得られる。
（５－１）半導体装置１Ｅは、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える。この構成によれば、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出することによって、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れる場合において第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂをオフ状態にする等の制御を行うことができる。これにより、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂの故障の発生を抑制できる。
（５－１）半導体装置１Ｅは、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える。この構成によれば、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出することによって、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れる場合において第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂをオフ状態にする等の制御を行うことができる。これにより、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂの故障の発生を抑制できる。
【0391】
［第６実施形態］
図３５～図４３を参照して、第６実施形態の半導体装置１Ｆについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｆは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、導通基板の構成及び導通基板に対する各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図３５～図４３を参照して、第６実施形態の半導体装置１Ｆについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｆは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、導通基板の構成及び導通基板に対する各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0392】
図３６に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｆは、絶縁基板４１Ａ，４１Ｂに代えて絶縁基板４１Ｃを備え、導通基板６０に代えて、導通基板１８０を備える。また、図３９及び図４０に示すように、半導体装置１Ｆは、複数の金属部材１９１及び複数の金属部材１９２と、複数の挿通部材１９３及び複数の挿通部材１９４と、複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄとを備える。
【0393】
図３６に示すように、絶縁基板４１Ｃは、複数の金属部材１９１、複数の金属部材１９２、複数の挿通部材１９３、複数の挿通部材１９４、複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄ（図３９及び図４０参照）、及び導通基板１８０を支持する１枚の基板である。絶縁基板４１Ｃの構成材料は、例えば、熱伝導性に優れたセラミックスである。このようなセラミックスとしては、例えばＡｌＮが挙げられる。本実施形態では、平面視における絶縁基板４１Ｃの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。絶縁基板４１Ｃの構成は、図３６に示す例示に限定されず、半導体装置１Ｆの製品仕様などに応じて、形状、大きさ、及び個数などを適宜変更可能である。
【0394】
図３７に示すように、絶縁基板４１Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４１ｓｃ及び基板裏面４１ｒｃを有する。基板主面４１ｓｃと基板裏面４１ｒｃとは、厚さ方向Ｚにおいて離間している。基板裏面４１ｒｃは、樹脂部材５０から露出している。基板裏面４１ｒｃには、例えば図示しないヒートシンクなどの冷却器が接続されてもよい。
【0395】
導通基板１８０は、半導体装置１Ｆにおける内部配線を構成している。導通基板１８０は、絶縁基板４１Ｃの基板主面４１ｓｃ上に配置されており、接合材（図示略）によって、絶縁基板４１Ｃに接合されている。この接合材は、導電性材料からなるものであってもよいし、絶縁性材料からなるものであってもよい。
【0396】
導通基板１８０は、複数の配線層と複数の絶縁層とが厚さ方向Ｚに交互に積層された積層基板である。本実施形態では、導通基板１８０は、３つの配線層１８０Ａ，１８０Ｃ、１８０Ｅ、及び２つの絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄを有する。なお、配線層の層数及び絶縁層の層数はそれぞれ、上記したものに限定されず、半導体装置１Ｆの製品仕様に応じて、適宜変更可能である。導通基板１８０は、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１Ｃの反対側から絶縁基板４１Ｃ側に向けて、配線層１８０Ａ、絶縁層１８０Ｂ、配線層１８０Ｃ、絶縁層１８０Ｄ、及び配線層１８０Ｅの順に積層されている。すなわち、絶縁層１８０Ｂは、配線層１８０Ａと配線層１８０Ｃとを絶縁しており、絶縁層１８０Ｄは、配線層１８０Ｃと配線層１８０Ｅとを絶縁している。配線層１８０Ｅは、絶縁基板４１Ｃの基板主面４１ｓｃに配置されている。
【0397】
図３６に示すように、配線層１８０Ａは、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈ、及び絶縁部１８１Ｘを有する。平面視において、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈは互いに離間して配置されており、絶縁部１８１Ｘによって互いに絶縁されている。なお、配線層１８０Ａから絶縁部１８１Ｘを省略してもよい。但し、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈの意図しない短絡を抑制するうえでは、絶縁部１８１Ｘを設けるほうが好ましい。
【0398】
図３７に示すように、配線層１８０Ｃは、複数の導体部１８３及び絶縁部１８２Ｘを有する。複数の導体部１８３は互いに離間して配置されており、絶縁部１８２Ｘによって互いに絶縁されている。なお、配線層１８０Ｃから絶縁部１８２Ｘを省略してもよい。但し、複数の導体部１８３の意図しない短絡を抑制するうえでは、絶縁部１８２Ｘを設けるほうが好ましい。
【0399】
配線層１８０Ｅは、複数の導体部１８４及び絶縁部１８３Ｘを有する。複数の導体部１８３は互いに離間して配置されており、絶縁部１８３Ｘによって互いに絶縁されている。なお、配線層１８０Ｅから絶縁部１８３Ｘを省略してもよい。但し、複数の導体部１８４の意図しない短絡を抑制するうえでは、絶縁部１８３Ｘを設けるほうが好ましい。
【0400】
図３６及び図３７に示すように、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈ、複数の導体部１８３、及び複数の導体部１８４はそれぞれ、例えばＣｕ（銅）を含む金属からなる板状部材（厚銅板）である。絶縁部１８１Ｘ，１８２Ｘ，１８３Ｘはそれぞれ、例えばプリプレグからなる。複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、複数の導体部１８３の厚さ方向Ｚの寸法、及び複数の導体部１８４の厚さ方向Ｚの寸法は、互いに等しい。複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、複数の導体部１８３のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、及び複数の導体部１８４のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法は、例えば１２５μｍ（一般的なプリント基板における配線パターンの厚み（Ｃｕ厚））よりも大きい。好ましくは、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、複数の導体部１８３のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、及び複数の導体部１８４のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの厚さ方向Ｚの寸法よりも大きく、かつ、各絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄの厚さ方向Ｚの寸法よりも大きい。つまり、各配線層１８０Ａ，１８０Ｃ，１８０Ｅの厚さ方向Ｚの寸法は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの厚さ方向Ｚの寸法よりも大きく、かつ、各絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄの厚さ方向Ｚの寸法よりも大きい。なお、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、複数の導体部１８３のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、及び複数の導体部１８４のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法は、各絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄの厚さ方向Ｚの寸法以下であってもよい。
【0401】
なお、導通基板１８０の構成は、図３６及び図３７に示す例示に限定されず、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈ、複数の導体部１８３、及び複数の導体部１８４は、半導体装置１Ｆの仕様に応じて、形状、大きさ、配置など、適宜変更されうる。
【0402】
図３７に示すように、導通基板１８０は、第１入力リード８１、第２入力リード８２、及び出力リード８３を有する。第１入力リード８１及び出力リード８３は、配線層１８０Ａに設けられている。すなわち、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのうちの１つが第１入力リード８１を構成しており、別の１つが出力リード８３を構成している。より詳細には、導体部１８１Ａが第１入力リード８１を構成しており、導体部１８１Ｂが出力リード８３を構成している。導体部１８１Ａのうちの樹脂部材５０から突出した部分が第１電力端子２１Ａを構成している。導体部１８１Ｂのうちの樹脂部材５０から突出した部分が出力端子２２を構成している。導体部１８１Ａ（第１入力リード８１）と第２入力リード８２を構成する導体部１８３とは、平面視において、互いに重なり合っている。
【0403】
第２入力リード８２は、配線層１８０Ｃに設けられている。すなわち、配線層１８０Ｃの複数の導体部１８３のうちの１つが第２入力リード８２を構成している。第２入力リード８２を構成する導体部１８３のうちの樹脂部材５０から突出した部分が第２電力端子２１Ｂを構成している。
【0404】
厚さ方向Ｚにおいて、導体部１８１Ａ（第１入力リード８１）と導体部１８３（第２入力リード８２）との間には、絶縁層１８０Ｂが介在している。導体部１８１Ａにおける第１電力端子２１Ａを構成する部分の厚さ方向Ｚの表面のうちの絶縁層１８０Ｂとは反対側の表面、及び第２入力リード８２を構成する導体部１８３における第２電力端子２１Ｂを構成する部分の表面のうちの絶縁層１８０Ｂとは反対側の表面はそれぞれ、半導体装置１Ｆの外部に露出している。一方、導体部１８１Ａにおける第１電力端子２１Ａを構成する部分の厚さ方向Ｚの表面のうちの絶縁層１８０Ｂ側の表面、及び第２入力リード８２を構成する導体部１８３における第２電力端子２１Ｂを構成する部分の表面のうちの絶縁層１８０Ｂ側の表面はそれぞれ、絶縁層１８０Ｂと接触している。すなわち、第１入力リード８１及び第２入力リード８２は、絶縁層１８０Ｂによって絶縁されている。このため、第１電力端子２１Ａと第２電力端子２１Ｂとは、絶縁層１８０Ｂによって絶縁されている。
【0405】
導体部１８１Ａ及び導体部１８１Ｂは、横方向Ｘにおいて互いに反対側に配置されている。より詳細には、導体部１８１Ａは、導通基板１８０のうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に配置されている。導体部１８１Ｂは、導通基板１８０のうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に配置されている。横方向Ｘにおいて、導体部１８１Ａと導体部１８１Ｂとの間には、導体部１８１Ｃ及び導体部１８１Ｄが配置されている。
【0406】
図３８に示すように、平面視における導体部１８１Ａの形状は、略Ｔ字状である。導体部１８１Ａは、縦方向Ｙに延びる基部１８１ａと、基部１８１ａから横方向Ｘに向けて延びる突出部１８１ｂとを有する。本実施形態では、導体部１８１Ａは、基部１８１ａと突出部１８１ｂとが一体に形成された単一部材である。基部１８１ａは、樹脂部材５０内に設けられている。突出部１８１ｂの先端部は、樹脂部材５０から突出している。突出部１８１ｂのうちの樹脂部材５０から突出した部分（先端部）が第１電力端子２１Ａを構成している。
【0407】
基部１８１ａには、複数（本実施形態では３個）の開口部１８１ｃが形成されている。複数の開口部１８１ｃはそれぞれ、横方向Ｘにおいて基部１８１ａのうちの第１樹脂側面５１寄り（図３６参照）の端部に設けられている。複数の開口部１８１ｃは、縦方向Ｙにおいて互いに離間して形成されている。複数の開口部１８１ｃにはそれぞれ、導体部１８１Ｅ及び導体部１８１Ｆが配置されている。各開口部１８１ｃにおける導体部１８１Ｅ及び導体部１８１Ｆは、縦方向Ｙにおいて離間して配列されている。縦方向Ｙにおいて、導体部１８１Ｅが導体部１８１Ｆよりも第３樹脂側面５３（図３６参照）寄りとなるように各開口部１８１ｃ内に配置されている。平面視における導体部１８１Ｅの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。平面視における導体部１８１Ｆの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。
【0408】
導体部１８１Ｃは、横方向Ｘにおいて導体部１８１Ａの基部１８１ａと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｃは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｃの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
【0409】
平面視における導体部１８１Ｂの形状は、略Ｔ字状である。導体部１８１Ｂは、縦方向Ｙに延びる基部１８１ｄと、基部１８１ｄから横方向Ｘに向けて延びる突出部１８１ｅとを有する。本実施形態では、導体部１８１Ｂは、基部１８１ｄと突出部１８１ｅとが一体に形成された単一部材である。基部１８１ｄは、樹脂部材５０内に設けられている。突出部１８１ｅの先端部は、樹脂部材５０から突出している。突出部１８１ｅのうちの樹脂部材５０から突出した部分（先端部）が第２電力端子２１Ｂを構成している。
【0410】
基部１８１ｄには、複数（本実施形態では３個）の開口部１８１ｆが形成されている。複数の開口部１８１ｆはそれぞれ、横方向Ｘにおいて基部１８１ｄのうちの第２樹脂側面５２寄り（図３６参照）の端部に設けられている。複数の開口部１８１ｆは、縦方向Ｙにおいて互いに離間して形成されている。複数の開口部１８１ｆにはそれぞれ、導体部１８１Ｇ及び導体部１８１Ｈが配置されている。
【0411】
導体部１８１Ｄは、横方向Ｘにおいて導体部１８１Ｂの基部１８１ｄと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｄは、横方向Ｘにおいて導体部１８１Ｂと導体部１８１Ｃとの間に配置されている。換言すると、導体部１８１Ｃは、導体部１８１Ｄと導体部１８１Ａとの間に配置されている。導体部１８１Ｄは縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｄの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、導体部１８１Ｄの縦方向Ｙの長さは、導体部１８１Ｃの縦方向Ｙの長さよりも長い。導体部１８１Ｄの幅寸法（導体部１８１Ｄの横方向Ｘの寸法）は、導体部１８１Ｃの幅寸法（導体部１８１Ｃの横方向Ｘの寸法）と等しい。
【0412】
図３８～図４０に示すように、導通基板１８０には、複数の貫通孔１８５Ａ～１８５Ｈが形成されている。各貫通孔１８５Ａ～１８５Ｈは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。つまり、各貫通孔１８５Ａ～１８５Ｈは、配線層１８０Ａ，１８０Ｃ，１８０Ｅ、及び絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄを厚さ方向Ｚに貫通している。
【0413】
複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ａはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ａの基部１８１ａが形成される部分に設けられている。複数の貫通孔１８５Ａは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。平面視における各貫通孔１８５Ａの形状は、例えば略円形状である。各貫通孔１８５Ａの内面には、複数の凹部が形成されている。この凹部の数は任意に変更可能である。
【0414】
図３９に示すように、複数の貫通孔１８５Ａにはそれぞれ、複数の金属部材１９１がそれぞれ１つずつ挿入されている。複数の金属部材１９１はそれぞれ、柱状の導電部材である。本実施形態においては、各金属部材１９１は、厚さ方向Ｚに直交する断面形状が略円形である。つまり、各金属部材１９１は、円柱状である。平面視において、各金属部材１９１の周縁には、複数の凹部が形成されている。なお、この凹部の数は特に限定されない。また、上記断面は、略円形に限定されず、略楕円形、略多角形であってもよい。各金属部材１９１の構成材料は、例えばＣｕあるいはＣｕ合金である。各金属部材１９１は、絶縁基板４１Ｃと接触している（図３７参照）。
【0415】
本実施形態では、各貫通孔１８５Ａは、複数の凹部を除く円形部分の直径が、各金属部材１９１の直径と略同じであるか、あるいは、大きい。本実施形態では、各貫通孔１８５Ａへの各金属部材１９１の挿入（嵌め込み）は、例えば圧入である。
【0416】
図３９に示すように、各金属部材１９１が各貫通孔１８５Ａに挿入された状態において、各貫通孔１８５Ａの内面に形成された複数の凹部と、各金属部材１９１の側方表面に形成された複数の凹部とによって、複数の非接触空間Ｇ１が形成されている。各非接触空間Ｇ１は、平面視において円形となり、厚さ方向Ｚにおいて導通基板１８０を貫通する空間である。各非接触空間Ｇ１には、例えば半田が充填されている。このように非接触空間Ｇ１を設け、その非接触空間Ｇ１に半田を充填させることによって、導通基板１８０と各金属部材１９１との接合強度を高めるとともに、各金属部材１９１と配線層１８０Ａ，１８０Ｅとの導通を図っている。また、設計上では、各金属部材１９１と各貫通孔１８５Ａとの平面視の直径が同じであれば、上記各凹部を除く部分に、隙間が生じないが、実際には、製造誤差によって微細な隙間が形成されうる。また、金属部材１９１の挿入を容易にするために、貫通孔１８５Ａの平面視の直径を金属部材１９１の平面視の直径よりも大きくした場合にも、微細な隙間が形成されうる。この微細な隙間は、接合強度の低下及び導通不良の原因である。しかしながら、非接触空間Ｇ１を設け、非接触空間Ｇ１に半田を充填させることによって、非接触空間Ｇ１に半田を充填する際に、上記隙間にも半田が流れ込む。これにより、半田が上記隙間を充填し、各金属部材１９１と導通基板１８０との接合強度の低下、及び各金属部材１９１と配線層１８０Ａ，１８０Ｅとの導通不良を抑制できる。なお、各金属部材１９１と配線層１８０Ｃとは導通されていない。すなわち、各金属部材１９１は、配線層１８０Ｃの絶縁部１８２Ｘとの間で非接触空間Ｇ１が形成されており、導体部１８３と接触していない。
【0417】
図４０に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｂはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｂの基部１８１ｄが形成される部分に設けられている。複数の貫通孔１８５Ｂは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。横方向Ｘにおいて、複数の貫通孔１８５Ｂは、複数の貫通孔１８５Ａと異なる位置に配置されている。平面視における各貫通孔１８５Ｂの形状は、例えば略円形状である。各貫通孔１８５Ｂの内面には、複数の凹部が形成されている。この凹部の数は任意に変更可能である。
【0418】
複数の貫通孔１８５Ｂにはそれぞれ、複数の金属部材１９２がそれぞれ１つずつ挿入されている。複数の金属部材１９２はそれぞれ、柱状の導電部材である。本実施形態においては、各金属部材１９２は、厚さ方向Ｚに直交する断面形状が略円形である。つまり、各金属部材１９２は、円柱状である。平面視において、各金属部材１９２の周縁には、複数の凹部が形成されている。なお、この凹部の数は特に限定されない。また、上記断面は、略円形に限定されず、略楕円形、略多角形であってもよい。各金属部材１９２の構成材料は、例えばＣｕあるいはＣｕ合金である。各金属部材１９２は、絶縁基板４１Ｃと接触している（図３７参照）。
【0419】
本実施形態では、各貫通孔１８５Ｂは、複数の凹部を除く円形部分の直径が、各金属部材１９２の直径と略同じであるか、あるいは、大きい。本実施形態では、各貫通孔１８５Ｂへの各金属部材１９２の挿入（嵌め込み）は、例えば圧入である。
【0420】
各金属部材１９２が各貫通孔１８５Ｂに挿入された状態において、各貫通孔１８５Ｂの内面に形成された複数の凹部と、各金属部材１９２の側方表面に形成された複数の凹部とによって、複数の非接触空間Ｇ２が形成されている。各非接触空間Ｇ２は、平面視において円形となり、厚さ方向Ｚにおいて導通基板１８０を貫通する空間である。各非接触空間Ｇ２には、例えば半田が充填されている。このように非接触空間Ｇ２を設け、その非接触空間Ｇ２に半田を充填させることによって、導通基板１８０と各金属部材１９２との接合強度を高めるとともに、各金属部材１９２と配線層１８０Ａ，１８０Ｃ，１８０Ｅとの導通を図っている。
【0421】
図３９に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｃはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｃが形成される部分に設けられている。複数の貫通孔１８５Ｃは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。また、各貫通孔１８５Ｃは、縦方向Ｙにおいて各貫通孔１８５Ｂと揃った状態で横方向Ｘに各貫通孔１８５Ｂから離間して配置されている。換言すると、各貫通孔１８５Ｃは、縦方向Ｙにおいて各貫通孔１８５Ａとは異なる位置に配置されている。
【0422】
平面視における各貫通孔１８５Ｃの形状は、例えば略円形状である。各貫通孔１８５Ｃの内面には、複数の凹部が形成されている。この凹部の数は任意に変更可能である。平面視における各貫通孔１８５Ｃの面積は、平面視における各貫通孔１８５Ａ，１８５Ｂの面積よりも小さい。
【0423】
複数の貫通孔１８５Ｃにはそれぞれ、複数の挿通部材１９３がそれぞれ１つずつ挿入されている。複数の挿通部材１９３はそれぞれ、柱状の導電部材である。本実施形態においては、各挿通部材１９３は、厚さ方向Ｚに直交する断面形状が略円形である。つまり、各挿通部材１９３は、円柱状である。平面視において、各挿通部材１９３の周縁には、複数の凹部が形成されている。なお、この凹部の数は特に限定されない。また、上記断面は、略円形に限定されず、略楕円形、略多角形であってもよい。各挿通部材１９３の構成材料は、例えばＣｕあるいはＣｕ合金である。各挿通部材１９３は、絶縁基板４１Ｃと接触している。
【0424】
本実施形態では、各貫通孔１８５Ｃは、複数の凹部を除く円形部分の直径が、各挿通部材１９３の直径と略同じであるか、あるいは、大きい。本実施形態では、各貫通孔１８５Ｃへの各挿通部材１９３の挿入（嵌め込み）は、例えば圧入である。
【0425】
各挿通部材１９３が各貫通孔１８５Ｃに挿入された状態において、各貫通孔１８５Ｃの内面に形成された複数の凹部と、各挿通部材１９３の側方表面に形成された複数の凹部とによって、複数の非接触空間Ｇ３が形成されている。各非接触空間Ｇ３は、平面視において円形となり、厚さ方向Ｚにおいて導通基板１８０を貫通する空間である。各非接触空間Ｇ３には、例えば半田が充填されている。このように非接触空間Ｇ３を設け、その非接触空間Ｇ３に半田を充填させることによって、導通基板１８０と各挿通部材１９３との接合強度を高めるとともに、各挿通部材１９３と配線層１８０Ａ，１８０Ｅとの導通を図っている。なお、各挿通部材１９３と配線層１８０Ｃとは導通されていない。すなわち、各挿通部材１９３は、配線層１８０Ｃの絶縁部１８２Ｘとの間で非接触空間Ｇ３が形成されており、導体部１８３と接触していない。
【0426】
図４０に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｄはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｄが形成される部分に設けられている。複数の貫通孔１８５Ｄは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。また、各貫通孔１８５Ｄは、縦方向Ｙにおいて各貫通孔１８５Ａと揃った状板で横方向Ｘに各貫通孔１８５Ａから離間して配置されている。換言すると、各貫通孔１８５Ｄは、縦方向Ｙにおいて各貫通孔１８５Ｂとは異なる位置に配置されている。
【0427】
平面視における各貫通孔１８５Ｄの形状は、例えば略円形状である。各貫通孔１８５Ｄの内面には、複数の凹部が形成されている。この凹部の数は任意に変更可能である。平面視における各貫通孔１８５Ｄの面積は、平面視における各貫通孔１８５Ａ，１８５Ｂの面積よりも小さい。平面視における各貫通孔１８５Ｄの面積は、平面視における各貫通孔１８５Ｃの面積と等しい。
【0428】
複数の貫通孔１８５Ｄにはそれぞれ、複数の挿通部材１９４がそれぞれ１つずつ挿入されている。複数の挿通部材１９４はそれぞれ、柱状の導電部材である。本実施形態においては、各挿通部材１９４は、厚さ方向Ｚに直交する断面形状が略円形である。つまり、各挿通部材１９４は、円柱状である。平面視において、各挿通部材１９４の周縁には、複数の凹部が形成されている。なお、この凹部の数は特に限定されない。また、上記断面は、略円形に限定されず、略楕円形、略多角形であってもよい。各挿通部材１９４の構成材料は、例えばＣｕあるいはＣｕ合金である。各挿通部材１９４は、絶縁基板４１Ｃと接触している。
【0429】
本実施形態では、各貫通孔１８５Ｄは、複数の凹部を除く円形部分の直径が、各挿通部材１９４の直径と略同じであるか、あるいは、大きい。本実施形態では、各貫通孔１８５Ｄへの各挿通部材１９４の挿入（嵌め込み）は、例えば圧入である。
【0430】
各挿通部材１９４が各貫通孔１８５Ｄに挿入された状態において、各貫通孔１８５Ｄの内面に形成された複数の凹部と、各挿通部材１９４の側方表面に形成された複数の凹部とによって、複数の非接触空間Ｇ４が形成されている。各非接触空間Ｇ４は、平面視において円形となり、厚さ方向Ｚにおいて導通基板１８０を貫通する空間である。各非接触空間Ｇ４には、例えば半田が充填されている。このように非接触空間Ｇ４を設け、その非接触空間Ｇ４に半田を充填させることによって、導通基板１８０と各挿通部材１９４との接合強度を高めるとともに、各挿通部材１９４と配線層１８０Ａ，１８０Ｃとの導通を図っている。なお、各挿通部材１９４と配線層１８０Ｅとは導通されていない。すなわち、各挿通部材１９４は、配線層１８０Ｅの絶縁部１８３Ｘとの間で非接触空間Ｇ４が形成されており、導体部１８４と接触していない。
【0431】
図３９に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｅはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｅが形成される部分に設けられている。複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｆはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｆが形成される部分に設けられている。横方向Ｘにおいて貫通孔１８５Ｆは、貫通孔１８５Ｅとは異なる位置に配置されている。
【0432】
図４０に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｇはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｇが形成される部分に設けられている。複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｈはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｈが形成される部分に設けられている。横方向Ｘにおいて貫通孔１８５Ｈは、貫通孔１８５Ｇとは異なる位置に配置されている。
【0433】
図３９及び図４０に示すように、複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄはそれぞれ、導電性材料から構成されており、例えばＣｕ又はＣｕ合金からなる。平面視における複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄのそれぞれの形状は、円形である。平面視における複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄの面積は、平面視における複数の挿通部材１９３，１９４の面積よりも小さい。
【0434】
図３９に示すように、複数の貫通電極１９５Ａは、複数の貫通孔１８５Ｅにそれぞれ１つずつ充填されている。各貫通電極１９５Ａは、各貫通孔１８５Ｅに充填されたものではなく、各貫通孔１８５Ｅの内面を覆う筒状のものであってもよい。
【0435】
複数の貫通電極１９５Ｂは、複数の貫通孔１８５Ｆにそれぞれ１つずつ充填されている。各貫通電極１９５Ｂは、各貫通孔１８５Ｆに充填されたものではなく、各貫通孔１８５Ｆの内面を覆う筒状のものであってもよい。
【0436】
図４０に示すように、複数の貫通電極１９５Ｃは、複数の貫通孔１８５Ｇにそれぞれ１つずつ充填されている。各貫通電極１９５Ｃは、各貫通孔１８５Ｇに充填されたものではなく、各貫通孔１８５Ｇの内面を覆う筒状のものであってもよい。
【0437】
複数の貫通電極１９５Ｄは、複数の貫通孔１８５Ｈにそれぞれ１つずつ充填されている。各貫通電極１９５Ｄは、各貫通孔１８５Ｈに充填されたものではなく、各貫通孔１８５Ｈの内面を覆う筒状のものであってもよい。
【0438】
図３９及び図４０に示すように、各貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄはそれぞれ、配線層１８０Ａ，１８０Ｅ（図３７参照）を互いに導通させる。換言すると、各貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄはそれぞれ、配線層１８０Ｃと導通していない。図示していないが、配線層１８０Ｅでは、複数の貫通電極１９５Ａを介して複数の導体部１８１Ｅが互いに電気的に接続されており、複数の貫通電極１９５Ｂを介して複数の導体部１８１Ｆが互いに電気的に接続されている。また、配線層１８０Ｅでは、複数の貫通電極１９５Ｃを介して複数の導体部１８１Ｇが互いに電気的に接続されており、複数の貫通電極１９５Ｄを介して複数の導体部１８１Ｈが互いに電気的に接続されている。
【0439】
図３９に示すように、各金属部材１９１の厚さ方向Ｚにおける絶縁基板４１Ｃ側とは反対側の端面には、各第１半導体素子１０Ａが配置されている。より詳細には、図３７に示すように、第１半導体素子１０Ａは、その素子裏面１０ｒが金属部材１９１の上記端面と対向するように金属部材１９１の上記端面に配置されている。第１半導体素子１０Ａは、例えば銀ペーストや半田等の導電性接合材によって金属部材１９１の上記端面に接合されている。このように、第１半導体素子１０Ａの素子裏面１０ｒに形成されたドレイン電極１１は、金属部材１９１と電気的に接続されている。
【0440】
図３９に示すように、各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２は、導体部１８１Ｃと電気的に接続されている。より詳細には、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と導体部１８１Ｃとには、複数本の第１駆動用接続部材９１Ａが接続されている。第１駆動用接続部材９１Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0441】
また各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２は、各導体部１８１Ｆと電気的に接続されている。すなわち、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２は、その所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｆと電気的に接続されている。所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｆとは、所定の第１半導体素子１０Ａに最も近い導体部１８１Ｆである。本実施形態では、所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｆは、横方向Ｘからみて、所定の第１半導体素子１０Ａと重なるように配置されている。
【0442】
第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と導体部１８１Ｆとには、第１制御用接続部材９３Ａが接続されている。第１制御用接続部材９３Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0443】
また各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３は、導体部１８１Ｅと電気的に接続されている。すなわち、所定の第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３は、その所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｅと電気的に接続されている。所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｅとは、所定の第１半導体素子１０Ａに最も近い導体部１８１Ｅである。本実施形態では、所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｅは、横方向Ｘからみて、所定の第１半導体素子１０Ａと重なるように配置されている。
【0444】
第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３と導体部１８１Ｅとには、第１制御用接続部材９２Ａが接続されている。第１制御用接続部材９２Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0445】
図４０に示すように、各金属部材１９２の厚さ方向Ｚにおける絶縁基板４１Ｃ側とは反対側の端面には、各第２半導体素子１０Ｂが配置されている。より詳細には、図３７に示すように、第２半導体素子１０Ｂは、その素子裏面１０ｒが金属部材１９２の上記端面と対向するように金属部材１９２の上記端面に配置されている。第２半導体素子１０Ｂは、例えば銀ペーストや半田等の導電性接合材によって金属部材１９２の上記端面に接合されている。このように、第２半導体素子１０Ｂの素子裏面１０ｒに形成されたドレイン電極１１は、金属部材１９２と電気的に接続されている。
【0446】
図４０に示すように、各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２は、導体部１８１Ｄと電気的に接続されている。より詳細には、第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と導体部１８１Ｄとには、複数本の第２駆動用接続部材９１Ｂが接続されている。第２駆動用接続部材９１Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0447】
また各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２は、各導体部１８１Ｈと電気的に接続されている。すなわち、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２は、その所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｈと電気的に接続されている。所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｈとは、所定の第２半導体素子１０Ｂに最も近い導体部１８１Ｈである。本実施形態では、所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｈは、横方向Ｘからみて、所定の第２半導体素子１０Ｂと重なるように配置されている。
【0448】
第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と導体部１８１Ｈとには、第２制御用接続部材９３Ｂが接続されている。第２制御用接続部材９３Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0449】
また各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３は、各導体部１８１Ｇと電気的に接続されている。すなわち、所定の第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３は、その所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｇと電気的に接続されている。所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｇとは、所定の第２半導体素子１０Ｂに最も近い導体部１８１Ｇである。本実施形態では、所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｇは、横方向Ｘからみて、所定の第２半導体素子１０Ｂと重なるように配置されている。
【0450】
第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３と導体部１８１Ｇとには、第２制御用接続部材９２Ｂが接続されている。第２制御用接続部材９２Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0451】
図３６に示すように、導通基板１８０は、第１配線領域７０Ａ、第２配線領域７０Ｂ、及び第３配線領域７０Ｃを有する。また、導通基板１８０には、第１実施形態と同様に、第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂと、第１サージ低減回路４Ａ及び第２サージ低減回路４Ｂとが設けられている。
【0452】
第１配線領域７０Ａは、縦方向Ｙにおいて導通基板１８０のうちの複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りの部分、かつ横方向Ｘにおいて導通基板１８０の中央部よりも第１樹脂側面５１側の部分から形成される領域である。
【0453】
第２配線領域７０Ｂは、縦方向Ｙにおいて導通基板１８０のうちの複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りの部分、かつ横方向Ｘにおいて導通基板１８０の中央部よりも第２樹脂側面５２側の部分から形成される領域である。
【0454】
第３配線領域７０Ｃは、横方向Ｘにおいて導通基板１８０のうちの複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第４樹脂側面５４寄りの部分、かつ横方向Ｘにおいて導通基板１８０の中央部よりも第２樹脂側面５２側の部分から形成される領域である。
【0455】
図４１に示すように、第１配線領域７０Ａには、第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａが設けられている。図４１は、第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａの配線構成の一例を示す。第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａの配線構成は、図４１に示す配線構成に限られず、任意に変更可能である。
【0456】
第１短絡検出回路３Ａは、平面視において、導体部１８１Ａの内部に配置されている。具体的には、第１短絡検出回路３Ａは、導体部１８１Ａに形成された開口部１８１ｇの内部に配置されている。開口部１８１ｇは、複数の第１半導体素子１０Ａのうちの最も第３樹脂側面５３寄りの第１半導体素子１０Ａと縦方向Ｙにおいて隣り合うように形成されている。
【0457】
開口部１８１ｇ内には、第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３が配置されている。第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第２配線部分２０２は、横方向Ｘにおいて第１配線部分２０１と第３配線部分２０３との間に配置されている。第１配線部分２０１は横方向Ｘにおいて第２配線部分２０２に対して第１樹脂側面５１寄りに配置されており、第３配線部分２０３は横方向Ｘにおいて第２配線部分２０２に対して第２樹脂側面５２寄りに配置されている。平面視における各配線部分２０１～２０３の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
【0458】
第１配線部分２０１は、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と電気的に接続するための配線である。第１配線部分２０１には、貫通孔２０１ａが設けられている。貫通孔２０１ａは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔２０１ａには貫通電極２０４が充填されている。貫通電極２０４は、貫通孔２０１ａに充填されるものではなく、貫通孔２０１ａの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０４は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２０４と第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１とが電気的に接続されるように構成されている。
【0459】
第３配線部分２０３は、第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続するための配線である。第３配線部分２０３には、貫通孔２０３ａが設けられている。貫通孔２０３ａは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔２０３ａには貫通電極２０５が充填されている。貫通電極２０５は、貫通孔２０３ａに充填されるものではなく、貫通孔２０３ａの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０５は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２０５と第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続される配線部分とが電気的に接続されるように構成されている。
【0460】
第１短絡検出回路３Ａは、第１実施形態の第１短絡検出回路３Ａと同じであり、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを有する。
第１高耐圧ダイオード３０Ａは、第２配線部分２０２と第３配線部分２０３とに接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ａのカソード電極が第３配線部分２０３に接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ａのアノード電極が第２配線部分２０２に接続されている。また、第１高耐圧ダイオード３０Ｂは、第１配線部分２０１と第２配線部分２０２とに接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのカソード電極が第１配線部分２０１に接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極が第２配線部分２０２に接続されている。このように、第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３によって、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとが直列接続されている。
第１高耐圧ダイオード３０Ａは、第２配線部分２０２と第３配線部分２０３とに接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ａのカソード電極が第３配線部分２０３に接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ａのアノード電極が第２配線部分２０２に接続されている。また、第１高耐圧ダイオード３０Ｂは、第１配線部分２０１と第２配線部分２０２とに接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのカソード電極が第１配線部分２０１に接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極が第２配線部分２０２に接続されている。このように、第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３によって、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとが直列接続されている。
【0461】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１高耐圧ダイオード３０Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１高耐圧ダイオード３０Ｂが配置されている。加えて、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。
【0462】
第１サージ低減回路４Ａは、第１配線領域７０Ａにおける導体部１８１Ａとリード８０との縦方向Ｙの間の部分に設けられている。この部分には、第１実施形態と同様に、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａが設けられている。本実施形態の第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａの配置態様及び形状は、第１実施形態の第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａの配置態様及び形状とは異なる。
【0463】
第１駆動用配線６２Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第１駆動用配線６２Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１駆動用配線６２Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１駆動用配線６２Ａには、貫通孔６２ｐｗが設けられている。貫通孔６２ｐｗは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６２ｐｗには貫通電極２０６が充填されている。貫通電極２０６は、貫通孔６２ｐｗに充填されるものではなく、貫通孔６２ｐｗの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０６は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２０５，２０６を介して第１駆動用配線６２Ａと、第１短絡検出回路３Ａにおける第３配線部分２０３とが電気的に接続されるように構成されている。
【0464】
第１制御用配線６３Ａは、横方向Ｘにおいて、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに延びている。第１制御用配線６３Ａの縦方向Ｙの長さは、第１駆動用配線６２Ａの縦方向Ｙの長さよりも長い。平面視における第１制御用配線６３Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１制御用配線６３Ａには、貫通孔６３ｐｚが設けられている。貫通孔６３ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６３ｐｚには貫通電極２０７が充填されている。貫通電極２０７は、貫通孔６３ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６３ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ａ（図３９参照），２０７を介して第１制御用配線６３Ａと複数の導体部１８１Ｅとが電気的に接続されるように構成されている。
【0465】
第１制御用配線６４Ａは、横方向Ｘにおいて、第１駆動用配線６２Ａと第１制御用配線６３Ａとの間に配置されている。第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１制御用配線６４Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１制御用配線６４Ａの縦方向Ｙの長さは、第１制御用配線６３Ａの縦方向Ｙの長さよりも短い。第１制御用配線６４Ａには、貫通孔６４ｐｚが設けられている。貫通孔６４ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｐｚには貫通電極２０８が充填されている。貫通電極２０８は、貫通孔６４ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｂ（図３９参照），２０８を介して第１制御用配線６４Ａと複数の導体部１８１Ｆとが電気的に接続されるように構成されている。
【0466】
第１制御電源用配線６５Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａと隣り合うように配置されている。第１制御電源用配線６５Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａと第１制御用配線６３Ａとの間に配置されている。第１制御電源用配線６５Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１制御電源用配線６５Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
【0467】
第１制御電源用配線６６Ａは、第１実施形態と同様に、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６６ｐａと、第１配線部分６６ｐａから離間して設けられており、縦方向Ｙに延びる第２配線部分６６ｐｂと、第１配線部分６６ｐａと第２配線部分６６ｐｂとを接続する第３配線部分６６ｐｃとを有する。第１配線部分６６ｐａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６４Ａと隣り合うように配置されている。具体的には、第１配線部分６６ｐａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６４Ａに対して第１制御電源用配線６５Ａとは反対側に配置されている。すなわち第１配線部分６６ｐａは、横方向Ｘにおいて第１駆動用配線６２Ａと第１制御用配線６４Ａとの間に配置されている。横方向Ｘからみて、第１配線部分６６ｐａは、第１制御用配線６４Ａ及び第１制御電源用配線６５Ａと重なるように配置されている。第１配線部分６６ｐａと第１制御電源用リード８６Ｂとは、第１制御電源用接続部材９６Ｂによって接続されている。第１制御電源用接続部材９６Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0468】
第２配線部分６６ｐｂは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６４Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、縦方向Ｙにおいて第１配線部分６６ｐａよりも第４樹脂側面５４寄り（導体部１８１Ａ寄り）に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６６ｐｂは、第１制御電源用配線６５Ａと重なるように配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６３Ａと重なるように配置されている。
【0469】
第３配線部分６６ｐｃは、第１配線部分６６ｐａと第２配線部分６６ｐｂとを接続している。平面視における第３配線部分６６ｐｃの形状は、例えばＬ字状である。なお、平面視における第３配線部分６６ｐｃの形状は、Ｌ字状に限られず、第２樹脂側面５２に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びる形状であってもよい。
【0470】
第１サージ低減回路４Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１実施形態と同様に、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａに接続されている。
【0471】
第１低耐圧ダイオード３２Ａは、第１制御用配線６３Ａと第１制御電源用配線６５Ａとに接続されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極は、第１制御用配線６３Ａにおける第１制御用リード８４Ａ寄りの部分に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ａのカソード電極は、第１制御電源用配線６５Ａに接続されている。
【0472】
第１低耐圧ダイオード３２Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御電源用配線６６Ａとに接続されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａにおける導体部１８１Ａ寄りの部分に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極は、第１制御電源用配線６６Ａの第２配線部分６６ｐｂに接続されている。このように、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御電源用配線６５Ａとの間で第１制御用配線６３Ａを介して直列接続されている。
【0473】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１低耐圧ダイオード３２Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１低耐圧ダイオード３２Ｂが配置されている。加えて、第１低耐圧ダイオード３２Ａと第１低耐圧ダイオード３２Ｂとは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。縦方向Ｙにおいて、第１低耐圧ダイオード３２Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
【0474】
第１コンデンサ３３Ａは、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御用配線６４Ａとに接続されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ａの第１端子は、第１制御電源用配線６５Ａに接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第２端子は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。
【0475】
第１コンデンサ３３Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御用配線６４Ａとに接続されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ｂの第１端子は、第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａに接続されている。第１コンデンサ３３Ｂの第２端子は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。このように、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用配線６６Ａとの間で第１制御用配線６４Ａを介して直列接続されている。
【0476】
本実施形態では、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１コンデンサ３３Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１コンデンサ３３Ｂが配置されている。加えて、第１コンデンサ３３Ａと第１コンデンサ３３Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。また横方向Ｘからみて、各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ａと重なるように配置されている。また縦方向Ｙからみて、各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。
【0477】
図４２に示すように、第３配線領域７０Ｃには、第２短絡検出回路３Ｂが設けられている。図４２は、第１短絡検出回路３Ａの配線構成の一例を示す。第１短絡検出回路３Ａの配線構成は、図４２に示す配線構成に限られず、任意に変更可能である。
【0478】
第２短絡検出回路３Ｂは、平面視において、導体部１８１Ｂの内部に配置されている。具体的には、第２短絡検出回路３Ｂは、導体部１８１Ｂに形成された開口部１８１ｈの内部に配置されている。開口部１８１ｈは、複数の第２半導体素子１０Ｂのうちの最も第４樹脂側面５４寄りの第２半導体素子１０Ｂと縦方向Ｙにおいて隣り合うように形成されている。
【0479】
開口部１８１ｈ内には、第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３が配置されている。第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第２配線部分２１２は、横方向Ｘにおいて第１配線部分２１１と第３配線部分２１３との間に配置されている。第１配線部分２１１は横方向Ｘにおいて第２配線部分２１２に対して第２樹脂側面５２寄りに配置されており、第３配線部分２１３は横方向Ｘにおいて第２配線部分２１２に対して第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における各配線部分２１１～２１３の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
【0480】
第１配線部分２１１は、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と電気的に接続するための配線である。第１配線部分２１１には、貫通孔２１１ａが設けられている。貫通孔２１１ａは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔２１１ａには貫通電極２１４が充填されている。貫通電極２１４は、貫通孔２１１ａに充填されるものではなく、貫通孔２１１ａの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１４は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２１４と第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１とが電気的に接続されるように構成されている。
【0481】
第３配線部分２１３は、第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続するための配線である。第３配線部分２１３には、貫通孔２１３ａが設けられている。貫通孔２１３ａは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔２１３ａには貫通電極２１５が充填されている。貫通電極２１５は、貫通孔２１３ａに充填されるものではなく、貫通孔２１３ａの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１５は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２１５と第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続される配線部分とが電気的に接続されるように構成されている。
【0482】
第２短絡検出回路３Ｂは、第１実施形態の第２短絡検出回路３Ｂと同じであり、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを有する。
第２高耐圧ダイオード３１Ａは、第２配線部分２１２と第３配線部分２１３とに接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ａのカソード電極が第３配線部分２１３に接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ａのアノード電極が第２配線部分２１２に接続されている。また、第２高耐圧ダイオード３１Ｂは、第１配線部分２１１と第２配線部分２１２とに接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのカソード電極が第１配線部分２１１に接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極が第２配線部分２１２に接続されている。このように、第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３によって、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとが直列接続されている。
第２高耐圧ダイオード３１Ａは、第２配線部分２１２と第３配線部分２１３とに接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ａのカソード電極が第３配線部分２１３に接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ａのアノード電極が第２配線部分２１２に接続されている。また、第２高耐圧ダイオード３１Ｂは、第１配線部分２１１と第２配線部分２１２とに接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのカソード電極が第１配線部分２１１に接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極が第２配線部分２１２に接続されている。このように、第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３によって、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとが直列接続されている。
【0483】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２高耐圧ダイオード３１Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２高耐圧ダイオード３１Ｂが配置されている。加えて、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。
【0484】
図４３に示すように、第２配線領域７０Ｂには、第２サージ低減回路４Ｂが設けられている。図４３は、第２サージ低減回路４Ｂの配線構成の一例を示す。第２サージ低減回路４Ｂの配線構成は、図４３に示す配線構成に限られず、任意に変更可能である。
【0485】
第２サージ低減回路４Ｂは、第２配線領域７０Ｂにおける導体部１８１Ｂとリード８０との縦方向Ｙの間の部分に設けられている。この部分には、第１実施形態と同様に、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂが設けられている。本実施形態の第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂのそれぞれの配置態様及び形状は、第１実施形態の第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂの配置態様及び形状と異なる。
【0486】
第２駆動用配線６２Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｄよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第２駆動用配線６２Ｂは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第２駆動用配線６２Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第２駆動用配線６２Ｂには、貫通孔６２ｑｚが設けられている。貫通孔６２ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６２ｑｚには貫通電極２１６が充填されている。貫通電極２１６は、貫通孔６２ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６２ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１６は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２１５，２１６を介して第２駆動用配線６２Ｂと、第２短絡検出回路３Ｂにおける第３配線部分２１３とが電気的に接続されるように構成されている。
【0487】
第２制御用配線６３Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙに延びている。第２制御用配線６３Ｂの縦方向Ｙの長さは、第２駆動用配線６２Ｂの縦方向Ｙの長さよりも長い。平面視における第２制御用配線６３Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第２制御用配線６３Ｂには、貫通孔６３ｑｚが設けられている。貫通孔６３ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６３ｑｚには貫通電極２１７が充填されている。貫通電極２１７は、貫通孔６３ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６３ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｃ（図４０参照），２１７を介して第２制御用配線６３Ｂと複数の導体部１８１Ｇとが電気的に接続されるように構成されている。
【0488】
第２制御用配線６４Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２駆動用配線６２Ｂと第２制御用配線６３Ｂとの間に配置されている。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第２制御用配線６４Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第２制御用配線６４Ｂの縦方向Ｙの長さは、第２制御用配線６３Ｂの縦方向Ｙの長さよりも短い。第２制御用配線６４Ｂには、貫通孔６４ｑｚが設けられている。貫通孔６４ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｑｚには貫通電極２１８が充填されている。貫通電極２１８は、貫通孔６４ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｄ（図４０参照），２１８を介して第２制御用配線６４Ｂと複数の導体部１８１Ｈとが電気的に接続されるように構成されている。
【0489】
第２制御電源用配線６５Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６４Ｂと隣り合うように配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの間に配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第２制御電源用配線６５Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
【0490】
第２制御電源用配線６６Ｂは、第１実施形態と同様に、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６６ｑａと、第１配線部分６６ｑａから離間して設けられており、縦方向Ｙに延びる第２配線部分６６ｑｂと、第１配線部分６６ｑａと第２配線部分６６ｑｂとを接続する第３配線部分６６ｑｃとを有する。第１配線部分６６ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６４Ｂと隣り合うように配置されている。具体的には、第１配線部分６６ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６４Ｂに対して第２制御電源用配線６５Ｂとは反対側に配置されている。すなわち第１配線部分６６ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６４Ｂと第２駆動用配線６２Ｂとの間に配置されている。横方向Ｘからみて、第１配線部分６６ｑａは、第２制御用配線６４Ｂ及び第２制御電源用配線６５Ｂと重なるように配置されている。第１配線部分６６ｑａと第２制御電源用リード８６Ｄとは、第２制御電源用接続部材９６Ｄによって接続されている。第２制御電源用接続部材９６Ｄは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0491】
第２配線部分６６ｑｂは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６４Ｂ及び第２制御電源用配線６５Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第２配線部分６６ｑｂは、縦方向Ｙにおいて第１配線部分６６ｑａよりも第４樹脂側面５４寄り（導体部１８１Ｂ寄り）に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６６ｑｂは、第２制御電源用配線６５Ｂと重なるように配置されている。第２配線部分６６ｑｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６３Ｂと重なるように配置されている。
【0492】
第３配線部分６６ｑｃは、第１配線部分６６ｑａと第２配線部分６６ｑｂとを接続している。平面視における第３配線部分６６ｑｃの形状は、例えばＬ字状である。なお、平面視における第３配線部分６６ｑｃの形状は、Ｌ字状に限られず、第１樹脂側面５１に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びる形状であってもよい。
【0493】
第２サージ低減回路４Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第１実施形態と同様に、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂに接続されている。
【0494】
第２低耐圧ダイオード３４Ａは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御電源用配線６５Ｂとに接続されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極は、第２制御用配線６３Ｂにおける第２制御用リード８４Ｂ寄りの部分に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極は、第２制御電源用配線６５Ｂに接続されている。
【0495】
第２低耐圧ダイオード３４Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとに接続されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂにおける導体部１８１Ｂ寄りの部分に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極は、第２制御電源用配線６６Ｂの第２配線部分６６ｑｂに接続されている。このように、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御電源用配線６５Ｂとの間で第２制御用配線６３Ｂを介して直列接続されている。
【0496】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２低耐圧ダイオード３４Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２低耐圧ダイオード３４Ｂが配置されている。加えて、第２低耐圧ダイオード３４Ａと第２低耐圧ダイオード３４Ｂとは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。縦方向Ｙにおいて、第２低耐圧ダイオード３４Ａは、第２低耐圧ダイオード３４Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
【0497】
第２コンデンサ３５Ａは、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとに接続されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ａの第１端子は、第２制御電源用配線６５Ｂに接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第２端子は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。
【0498】
第２コンデンサ３５Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御用配線６４Ｂとに接続されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ｂの第１端子は、第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａに接続されている。第２コンデンサ３５Ｂの第２端子は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。このように、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとの間で第２制御用配線６４Ｂを介して直列接続されている。
【0499】
本実施形態では、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２コンデンサ３５Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２コンデンサ３５Ｂが配置されている。加えて、第２コンデンサ３５Ａと第２コンデンサ３５Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。また横方向Ｘからみて、各コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａと重なるように配置されている。また縦方向Ｙからみて、各コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、各低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0500】
図３５に示すように、樹脂部材５０には、第１実施形態と同様に、樹脂天面５５側から導通基板１８０を露出する４つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが設けられている。図３５から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａと第１駆動側開口部５９Ａとは個別に設けられている。第２制御側開口部５８Ｂと第２駆動側開口部５９Ｂとは個別に設けられている。第１制御側開口部５８Ａと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
【0501】
第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0502】
図４１に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0503】
図４３に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0504】
図３５に示すように、第１駆動側開口部５９Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。また第１駆動側開口部５９Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御側開口部５８Ａよりも複数の第１半導体素子１０Ａ寄りに配置されている。換言すると、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御側開口部５８Ａとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0505】
図３５に示すように、第２駆動側開口部５９Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第４樹脂側面５４寄りに配置されている。換言すると、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、第２制御側開口部５８Ｂ及び第２駆動側開口部５９Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、第１制御側開口部５８Ａに対して第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、第２制御側開口部５８Ｂ及び第２駆動側開口部５９Ｂよりも第１制御側開口部５８Ａの近くに配置されている。平面視において、第２駆動側開口部５９Ｂは、樹脂天面５５のうちの第４樹脂側面５４寄りの端部に配置されている。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２制御側開口部５８Ｂに対して第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂの面積は、平面視における各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂの面積よりも小さい。
【0506】
図４１に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａを露出している。より詳細には、図４１に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａ及び第２配線部分６６ｐｂを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御リード用接続部材９４Ａ，９５Ａ、第１制御電源用接続部材９６Ａ，９６Ｂ、及び第１短絡検出用接続部材９７Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0507】
図４３に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。換言すると、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２配線領域７０Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａ及び第２配線部分６６ｑｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御リード用接続部材９４Ｂ，９５Ｂ、第２制御電源用接続部材９６Ｃ，９６Ｄ、及び第２短絡検出用接続部材９７Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
【0508】
図４１に示すように、第１駆動側開口部５９Ａは、第１配線領域７０Ａにおいて第１制御側開口部５８Ａが露出する領域とは異なる領域を露出している。換言すると、第１駆動側開口部５９Ａは、導通基板１８０において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域のうちの第１制御側開口部５８Ａで露出されている電子部品以外の電子部品が実装される部分を露出している。第１駆動側開口部５９Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの複数の第１半導体素子１０Ａ寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１駆動側開口部５９Ａは、第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に接続された第１短絡検出回路３Ａを露出している。より詳細には、図４１に示すように、第１駆動側開口部５９Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３を露出している。本実施形態では、第１駆動側開口部５９Ａは、第１半導体素子１０Ａを露出していない。平面視における第１駆動側開口部５９Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１駆動側開口部５９Ａ内には、第１実施形態と同様に、電気的絶縁性を有する絶縁材７１が充填されている。絶縁材７１の一例は、シリコーン樹脂である。
【0509】
図３５に示すように、第２駆動側開口部５９Ｂは、導通基板１８０の第３配線領域７０Ｃの一部を露出している。換言すると、第２駆動側開口部５９Ｂは、導通基板１８０において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域のうちの第２制御側開口部５８Ｂで露出されている実装領域とは異なる実装領域の一部を露出している。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に接続された第２短絡検出回路３Ｂを露出している。より詳細には、図４２に示すように、第２駆動側開口部５９Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂ、第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３を露出している。本実施形態では、第２駆動側開口部５９Ｂは、第２半導体素子１０Ｂを露出していない。平面視における第２駆動側開口部５９Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２駆動側開口部５９Ｂ内には、第１実施形態と同様に、電気的絶縁性を有する絶縁材７２が充填されている。絶縁材７２の一例は、シリコーン樹脂である。
【0510】
本実施形態の半導体装置１Ｆによれば、以下の効果が得られる。
（６－１）半導体装置１Ｆは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通する複数の金属部材１９１及び複数の金属部材１９２を備える。複数の金属部材１９１にはそれぞれ第１半導体素子１０Ａが搭載されており、複数の金属部材１９２にはそれぞれ第２半導体素子１０Ｂが搭載されている。この構成によれば、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの通電時に生じる半導体素子１０Ａ，１０Ｂからの熱を効率的に逃がすことができる。したがって、半導体装置１Ｆは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂのジャンクション温度の上昇を抑制できるため、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの熱破壊を抑制できる。
（６－１）半導体装置１Ｆは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通する複数の金属部材１９１及び複数の金属部材１９２を備える。複数の金属部材１９１にはそれぞれ第１半導体素子１０Ａが搭載されており、複数の金属部材１９２にはそれぞれ第２半導体素子１０Ｂが搭載されている。この構成によれば、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの通電時に生じる半導体素子１０Ａ，１０Ｂからの熱を効率的に逃がすことができる。したがって、半導体装置１Ｆは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂのジャンクション温度の上昇を抑制できるため、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの熱破壊を抑制できる。
【0511】
（６－２）平面視における各挿通部材１９３，１９４の面積は、平面視における各貫通電極２０４～２０８，２１４～２１８の面積よりも大きい。この構成によれば、挿通部材１９３，１９４の寄生抵抗及び寄生インダクタンスを、貫通電極２０４～２０８，２１４～２１８の寄生抵抗及び寄生インダクタンスよりも低減できる。各挿通部材１９３，１９４は、半導体装置１Ｆが行う電力変換における電流経路の一部であり、貫通電極２０４～２０８，２１４～２１８は、半導体装置１Ｆが行う電力変換における信号経路の一部である。つまり、比較的大きな電流が流れる各挿通部材１９３，１９４の寄生抵抗や寄生インダクタンスを抑制し、各挿通部材１９３，１９４での導通損失を抑制できる。上記電流経路には、例えば、４００Ａ以上６００Ａ以下の電流が流れることがある。
【0512】
（６－３）平面視における各金属部材１９１，１９２の面積は、平面視における各挿通部材１９３，１９４の面積よりも大きい。この構成によれば、各金属部材１９１，１９２の熱伝導性を、各挿通部材１９３，１９４の熱伝導性よりも向上できる。したがって、半導体装置１Ｆは、各金属部材１９１，１９２において、適度な導電性を確保しつつ、熱伝導性を向上できる。
【0513】
［第７実施形態］
図４４～図４７を参照して、第７実施形態の半導体装置１Ｇについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｇは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図４４～図４７を参照して、第７実施形態の半導体装置１Ｇについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｇは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0514】
図４５に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｇは、絶縁基板４１Ｃにおける導通基板１８０の外部の部分に各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを設けている。本実施形態では、導通基板１８０の縦方向Ｙの長さを第６実施形態の導通基板１８０の縦方向Ｙの長さよりも短くして、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを設けるためのスペースを確保している。導通基板１８０は、第６実施形態の導通基板１８０から第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂが省略されており、その分のスペースだけ縦方向Ｙに短くなる。
【0515】
また、本実施形態の半導体装置１Ｇでは、リード８０の配置構成が第６実施形態の半導体装置１Ｆのリード８０の配置構成と異なる。図４４に示すとおり、半導体装置１Ｇのリード８０の配置構成は、第２実施形態の半導体装置１Ｂのリード８０の配置構成（図１６参照）と同じである。
【0516】
図４５に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｇにおいて、絶縁部１８１Ｘにおける第３樹脂側面５３寄りの部分かつ第１樹脂側面５１寄りの端部には、導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊが配置されている。導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊはそれぞれ、導体部１８１Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊはそれぞれ、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ａと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。導体部１８１Ｊは、導体部１８１Ｉよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊの形状はそれぞれ、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。
【0517】
図４６に示すように、導体部１８１Ｉは、複数の導体部１８１Ｅと電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｉには、貫通孔１８５Ｍが設けられている。貫通孔１８５Ｍは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｍには貫通電極２２１が充填されている。貫通電極２２１は、貫通孔１８５Ｍに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｍの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２１は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ａ（図４５参照），２２１を介して導体部１８１Ｉと導体部１８１Ｅとが電気的に接続されるように構成されている。
【0518】
導体部１８１Ｊは、複数の導体部１８１Ｆと電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｊには、貫通孔１８５Ｎが設けられている。貫通孔１８５Ｎは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｎには貫通電極２２２が充填されている。貫通電極２２２は、貫通孔１８５Ｎに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｎの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２２は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｂ（図４５参照），２２２を介して導体部１８１Ｊと導体部１８１Ｆとが電気的に接続されるように構成されている。
【0519】
図４５に示すように、絶縁部１８１Ｘにおける第３樹脂側面５３寄りの部分かつ第２樹脂側面５２寄りの端部には、導体部１８１Ｋ、導体部１８１Ｌ、及び導体部１８１Ｍが配置されている。導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍはそれぞれ、導体部１８１Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍはそれぞれ、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｂと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊと揃っている。導体部１８１Ｌは、横方向Ｘにおいて導体部１８１Ｋと導体部１８１Ｍとの間に配置されている。導体部１８１Ｋは、導体部１８１Ｌに対して第２樹脂側面５２寄りに配置されており、導体部１８１Ｍは、導体部１８１Ｌに対して第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍの形状はそれぞれ、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。
【0520】
図４７に示すように、導体部１８１Ｋは、複数の導体部１８１Ｇと電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｋには、貫通孔１８５Ｐが設けられている。貫通孔１８５Ｐは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｐには貫通電極２２３が充填されている。貫通電極２２３は、貫通孔１８５Ｐに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｐの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２３は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｃ，２２３を介して導体部１８１Ｋと導体部１８１Ｇとが電気的に接続されるように構成されている。
【0521】
導体部１８１Ｌは、複数の導体部１８１Ｈと電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｌには、貫通孔１８５Ｑが設けられている。貫通孔１８５Ｑは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｑには貫通電極２２４が充填されている。貫通電極２２４は、貫通孔１８５Ｑに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｑの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２４は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｄ，２２４を介して導体部１８１Ｌと導体部１８１Ｈとが電気的に接続されるように構成されている。
【0522】
導体部１８１Ｍは、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｍには、貫通孔１８５Ｒが設けられている。貫通孔１８５Ｒは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｒには貫通電極２２５が充填されている。貫通電極２２５は、貫通孔１８５Ｒに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｒの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２５は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２５を介して導体部１８１Ｍと各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１とが電気的に接続されるように構成されている。
【0523】
図４６及び図４７に示すように、本実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成はそれぞれ、第６実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成と異なる。本実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂはそれぞれ、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂに形成された回路を構成する配線部を有する。このため、本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂがそれぞれ導電体を構成している。そして、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂのそれぞれが第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂに配置される部分が、電子部品が実装される実装領域となる。ここで、第１配線領域７０Ａに形成された回路は第１サージ低減回路４Ａであり、第２配線領域７０Ｂに形成された回路は第２サージ低減回路４Ｂである。
【0524】
図４６に示すように、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａは、図１７に示す第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａと同様の構成である。また、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａへの第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂの実装態様は、第２実施形態の第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａへの第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂの実装態様と同様である。
【0525】
一方、第１制御用接続部材１４０Ａ、第１制御用接続部材１４１Ａ、及び第１短絡検出用接続部材１４２Ａの接続態様が図１７に示す第２実施形態の第１制御用接続部材１４０Ａ、第１制御用接続部材１４１Ａ、及び第１短絡検出用接続部材１４２Ａの接続態様と異なる。
【0526】
より詳細には、第１制御用接続部材１４０Ａは、第１制御用リード８４Ａにおける第２配線部１０１の第２部分１０１ｂと、導体部１８１Ｉとを接続している。第１制御用接続部材１４１Ａは、第１制御用リード８５Ａにおける第２配線部１１１の第２部分１１１ｂと、導体部１８１Ｊとを接続している。第１短絡検出用接続部材１４２Ａは、第１短絡検出用リード８７Ａの第２配線部１３１と、第１短絡検出回路３Ａの第３配線部分２０３とを接続している。本実施形態では、第２配線部１３１の縦方向Ｙの長さは、第１短絡検出用接続部材１４２Ａを接続する領域を確保するため、第６実施形態の第２配線部１３１の縦方向Ｙの長さよりも長い。
【0527】
図４７に示すように、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂは、図１８に示す第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂと同様の構成である。また、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂへの第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂの実装態様は、第２実施形態の第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂへの第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂの実装態様と同様である。
【0528】
一方、第２制御用接続部材１４０Ｂ、第２制御用接続部材１４１Ｂ、及び第２短絡検出用接続部材１４２Ｂの接続態様が図１８に示す第２実施形態の第２制御用接続部材１４０Ｂ、第２制御用接続部材１４１Ｂ、及び第２短絡検出用接続部材１４２Ｂの接続態様と異なる。
【0529】
より詳細には、第２制御用接続部材１４０Ｂは、第２制御用リード８４Ｂのうちの第２配線部１０３の第２部分１０３ｂにおける第２樹脂側面５２寄りの部分と、導体部１８１Ｌとに接続されている。第２制御用接続部材１４１Ｂは、第２制御用リード８５Ｂの第２部分１１３ｂと、導体部１８１Ｋとに接続されている。第２短絡検出用接続部材１４２Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂの第２配線部１３３と導体部１８１Ｍとに接続されている。
【0530】
図４４に示すように、樹脂部材５０には、第６実施形態と同様に、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが形成されている。なお、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂは、第６実施形態の第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂと同じである。
【0531】
第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０よりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの部分かつ絶縁基板４１Ｃの横方向Ｘの中央部よりも第１樹脂側面５１側の部分を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、絶縁基板４１Ｃのうちの導通基板１８０から第３樹脂側面５３側に突出した部分のうちの横方向Ｘの中央部よりも第１樹脂側面５１側の部分を露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１実施形態の第１制御側開口部５８Ａと同様に、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａを露出している。図４６に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂのそれぞれの一部と、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、及び絶縁基板４１Ｃの一部を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１短絡検出用リード８７Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0532】
図４４に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０よりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの部分かつ絶縁基板４１Ｃの横方向Ｘの中央部よりも第２樹脂側面５２側の部分を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、絶縁基板４１Ｃのうちの導通基板１８０から第３樹脂側面５３側に突出した部分のうちの横方向Ｘの中央部よりも第２樹脂側面５２側の部分を露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第１実施形態の第２制御側開口部５８Ｂと同様に、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂを露出している。図４７に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄのそれぞれの一部と、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、及び第２導電部材４２Ｂの一部を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。なお、本実施形態の半導体装置１Ｇによれば、第６実施形態の半導体装置１Ｆの効果と同様の効果と、第２実施形態の半導体装置１Ｂの効果と同様の効果が得られる。
【0533】
［第８実施形態］
図４８～図５１を参照して、第８実施形態の半導体装置１Ｈについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｈは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。また、本実施形態の半導体装置１Ｈは、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いている。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図４８～図５１を参照して、第８実施形態の半導体装置１Ｈについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｈは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。また、本実施形態の半導体装置１Ｈは、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いている。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0534】
本実施形態の半導体装置１Ｈは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに対して、第１サージ低減回路４Ａに代えて、第３実施形態の第１サージ吸収回路５Ａ及び第１インターフェース回路６Ａを備え、第２サージ低減回路４Ｂに代えて、第３実施形態の第２サージ吸収回路５Ｂ及び第２インターフェース回路６Ｂを備える点が異なる。また、本実施形態の半導体装置１Ｈでは、第６実施形態の半導体装置１Ｆのリード８０の構成から第３実施形態の半導体装置１Ｃのリード８０の構成に変更される。すなわち、半導体装置１Ｈは、第１配線領域７０Ａの縦方向Ｙの隣に配置されたリード８０として、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１インターフェース用リード８８Ａ、及び第１短絡検出用リード８７Ａを備える。横方向Ｘにおいて各入力リード８１，８２から出力リード８３に向けて、第１制御用リード８５Ａ、第１制御用リード８４Ａ、第１インターフェース用リード８８Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａの順に配列されている。
【0535】
半導体装置１Ｈは、第２配線領域７０Ｂの縦方向Ｙの隣に配置されたリード８０として、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂを備える。横方向Ｘにおいて出力リード８３から各入力リード８１，８２に向けて、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂの順に配列されている。
【0536】
図５０に示すように、第１配線領域７０Ａにおける第１サージ吸収回路５Ａ及び第１インターフェース回路６Ａを構成する配線としての第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂ、第１インターフェース用配線６８Ａ、第１中継配線６９Ａ、及び第２中継配線６９Ｂのうちの第１制御用配線６３Ａ及び第１制御用配線６４Ａの構成が異なる。
【0537】
第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１制御用配線６３Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１制御用配線６３Ａには、貫通孔６３ｐｚが設けられている。貫通孔６３ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６３ｐｚには貫通電極２０７が充填されている。貫通電極２０７は、貫通孔６３ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６３ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ａ（図４９参照），２０７を介して第１制御用配線６３Ａと複数の導体部１８１Ｅとが電気的に接続されるように構成されている。
【0538】
第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１制御用配線６４Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１制御用配線６４Ａには、貫通孔６４ｐｚが設けられている。貫通孔６４ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｐｚには貫通電極２０８が充填されている。貫通電極２０８は、貫通孔６４ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｂ（図４９参照），２０８を介して第１制御用配線６４Ａと複数の導体部１８１Ｆとが電気的に接続されるように構成されている。
【0539】
第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、及び第１中継配線６９Ａには、第１サージ吸収回路５Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂが実装されている。
第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御用配線６４Ａとの間において第１中継配線６９Ａを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第１低耐圧ダイオード３６Ａのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。
第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御用配線６４Ａとの間において第１中継配線６９Ａを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第１低耐圧ダイオード３６Ａのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。
【0540】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１低耐圧ダイオード３６Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１低耐圧ダイオード３６Ｂが配置されている。加えて、第１低耐圧ダイオード３６Ａと第１低耐圧ダイオード３６Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間するように配列されている。
【0541】
第１制御用配線６３Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂ、第１インターフェース用配線６８Ａ、及び第２中継配線６９Ｂには、第１インターフェース回路６Ａを構成する第１抵抗３８Ａ，３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａが実装されている。
【0542】
第１スイッチング素子３９Ａは、第１制御用配線６３Ａと、第２制御電源用配線６６Ｂと、第２中継配線６９Ｂとに電気的に接続されている。より詳細には、第１スイッチング素子３９Ａのドレイン電極３９ｄは、第１制御用配線６３Ａに接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのソース電極３９ｓは、第２制御電源用配線６６Ｂのうちの第２配線部分６６ｐｂに接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇは、第２中継配線６９Ｂに接続されている。本実施形態では、第１スイッチング素子３９Ａは、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、及び第１抵抗３８Ｂよりも第１半導体素子１０Ａ寄りに配置されている。
【0543】
第１抵抗３８Ａ及び第１抵抗３８Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２中継配線６９Ｂとの間において第１インターフェース用配線６８Ａを介して接続されている。第１抵抗３８Ａの第１端子は、第２中継配線６９Ｂに接続されている。第１抵抗３８Ａの第２端子は、第１インターフェース用配線６８Ａに接続されている。第１抵抗３８Ｂの第１端子は、第１インターフェース用配線６８Ａに接続されている。第１抵抗３８Ｂの第２端子は、第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｐａに接続されている。
【0544】
本実施形態では、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１抵抗３８Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１抵抗３８Ｂが配置されている。加えて、第１抵抗３８Ａと第１抵抗３８Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
【0545】
図５１に示すように、第２配線領域７０Ｂにおける第２サージ吸収回路５Ｂ及び第２インターフェース回路６Ｂを構成する配線としての第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｄ、第２インターフェース用配線６８Ｂ、第３中継配線６９Ｃ、及び第４中継配線６９Ｄのうちの第２制御用配線６３Ｂ及び第２制御用配線６４Ｂの構成が異なる。
【0546】
平面視における第２制御用配線６３Ｂの形状は、Ｌ字状である。第２制御用配線６３Ｂには、貫通孔６３ｑｚが設けられている。貫通孔６３ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６３ｑｚには貫通電極２１７が充填されている。貫通電極２１７は、貫通孔６３ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６３ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｃ（図４９参照），２１７を介して第２制御用配線６３Ｂと複数の導体部１８１Ｇとが電気的に接続されるように構成されている。
【0547】
第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第２制御用配線６４Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第２制御用配線６４Ｂには、貫通孔６４ｑｚが設けられている。貫通孔６４ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｑｚには貫通電極２１８が充填されている。貫通電極２１８は、貫通孔６４ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｄ（図４９参照），２１８を介して第２制御用配線６４Ｂと複数の導体部１８１Ｈとが電気的に接続されるように構成されている。
【0548】
第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、及び第４中継配線６９Ｄには、第２サージ吸収回路５Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂが実装されている。
第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの間において第４中継配線６９Ｄを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第２低耐圧ダイオード３７Ａのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのカソード電極は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。
第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの間において第４中継配線６９Ｄを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第２低耐圧ダイオード３７Ａのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのカソード電極は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。
【0549】
本実施形態では、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２低耐圧ダイオード３７Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２低耐圧ダイオード３７Ｂが配置されている。加えて、第２低耐圧ダイオード３７Ａと第２低耐圧ダイオード３７Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
【0550】
第２制御用配線６３Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｄ、第２インターフェース用配線６８Ｂ、及び第３中継配線６９Ｃには、第２インターフェース回路６Ｂを構成する第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂが実装されている。
【0551】
第２スイッチング素子３９Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと、第２制御電源用配線６６Ｄと、第３中継配線６９Ｃとに電気的に接続されている。より詳細には、第２スイッチング素子３９Ｂのドレイン電極３９ｄは、第２制御用配線６３Ｂに接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのソース電極３９ｓは、第２制御電源用配線６６Ｄに接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇは、第３中継配線６９Ｃに接続されている。
【0552】
本実施形態では、第２スイッチング素子３９Ｂは、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ及び第２抵抗３８Ｄよりも第２半導体素子１０Ｂ寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第２スイッチング素子３９Ｂは、第２抵抗３８Ｃと重なっている。
【0553】
第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄは、第２制御電源用配線６６Ｄ、第３中継配線６９Ｃ、及び第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｃの第１端子は、第３中継配線６９Ｃに接続されている。第２抵抗３８Ｃの第２端子は、第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｄの第１端子は、第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｄの第２端子は、第２制御電源用配線６６Ｄに接続されている。
【0554】
本実施形態では、第１端子と第２端子とが縦方向Ｙに沿って配列されるように第２抵抗３８Ｃが配置されている。また、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２抵抗３８Ｄが配置されている。第２抵抗３８Ｃは、第２抵抗３８Ｄよりも第２半導体素子１０Ｂ寄りに配置されている。縦方向Ｙからみて、第２抵抗３８Ｃと第２抵抗３８Ｄとは、部分的に重なっている。
【0555】
図４８に示すように、半導体装置１Ｈの樹脂部材５０には、第６実施形態の半導体装置１Ｆと同様に、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが形成されている。なお、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂは、第６実施形態の第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂと同じである。第１制御側開口部５８Ａと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、横方向Ｘにおいて、互いに離間した状態で並んで配置されている。
【0556】
第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１インターフェース回路６Ａ及び第１サージ吸収回路５Ａを露出している。より詳細には、図５０に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用配線６３Ａの一部、第１制御用配線６４Ａの一部、第１中継配線６９Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂの一部、第１インターフェース用配線６８Ａの一部、第２中継配線６９Ｂ、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１駆動用配線６２Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0557】
第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２インターフェース回路６Ｂ及び第２サージ吸収回路５Ｂを露出している。より詳細には、図５１に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの一部、第２制御用配線６４Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２制御電源用配線６６Ｄの一部、第２インターフェース用配線６８Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。なお、本実施形態の半導体装置１Ｇによれば、第６実施形態の半導体装置１Ｆの効果と同様の効果と、第３実施形態の半導体装置１Ｃの効果と同様の効果が得られる。
【0558】
［第９実施形態］
図５２～図５７を参照して、第９実施形態の半導体装置１Ｊについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｊは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図５２～図５７を参照して、第９実施形態の半導体装置１Ｊについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｊは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0559】
本実施形態の半導体装置１Ｊは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに対して、第１短絡検出回路３Ａに代えて第１電流検出回路７Ａを備え、第２短絡検出回路３Ｂに代えて第２電流検出回路７Ｂを備える点が異なる。第１電流検出回路７Ａは第１半導体素子１０Ａに流れる電流を検出するための回路であり、第２電流検出回路７Ｂは第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出するための回路である。各電流検出回路７Ａ，７Ｂの回路構成は、図２９に示す第４実施形態の各電流検出回路７Ａ，７Ｂと同じである。このように、本実施形態の半導体装置１Ｊは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに第４実施形態の半導体装置１Ｄの各電流検出回路７Ａ，７Ｂを組み合せた構成である。
【0560】
図５３～図５７に示すように、半導体装置１Ｊは、第４実施形態の第１過電流検出用配線１６０Ａを構成する導体部１８１Ｎ，１８１Ｑと、第２過電流検出用配線１６０Ｂを構成する導体部１８１Ｐ，１８１Ｒとを有する。導体部１８１Ｎ，１８１Ｑ及び導体部１８１Ｐ，１８１Ｒはともに配線層１８０Ａに形成されている。また、半導体装置１Ｊは、第４実施形態の半導体装置１Ｄと同様に、第１短絡検出用リード８７Ａに代えて第１過電流検出用リード８７Ｃを有し、第２短絡検出用リード８７Ｂに代えて第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。
【0561】
図５３に示すように、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続されるリード８０は、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１過電流検出用リード８７Ｃを有する。本実施形態では、第１樹脂側面５１から第２樹脂側面５２に向けて、第１過電流検出用リード８７Ｃ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、及び第１制御用リード８４Ａの順に配列されている。
【0562】
第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続されるリード８０は、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。本実施形態では、第２樹脂側面５２から第１樹脂側面５１に向けて、第１過電流検出用リード８７Ｄ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、及び第２制御用リード８４Ｂの順に配列されている。
【0563】
導体部１８１Ｎは、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７（図５４参照）と第１過電流検出用リード８７Ｃとを電気的に接続するための導体部である。本実施形態では、導体部１８１Ｎは、３個設けられており、３個の開口部１８１ｃ内にそれぞれ配置されている。開口部１８１ｃ内において、導体部１８１Ｎは、導体部１８１Ｅと縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。より詳細には、導体部１８１Ｎは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｅに対して導体部１８１Ｆとは反対側に配置されている。導体部１８１Ｎは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｅよりも第４樹脂側面５４寄りに配置されている。
【0564】
図５４に示すように、各導体部１８１Ｎは、横方向Ｘに延びている。平面視における導体部１８１Ｎの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。導体部１８１Ｎには、貫通孔１８５Ｓが設けられている。貫通孔１８５Ｓは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｓには貫通電極２２６が充填されている。貫通電極２２６は、貫通孔１８５Ｓに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｓの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２６は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２６を介して３個の導体部１８１Ｎが互いに電気的に接続されるように構成されている。導体部１８１Ｎには、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第１駆動検出用接続部材１７１が形成されている。第１駆動検出用接続部材１７１は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0565】
また、本実施形態では、導体部１８１Ｅ及び導体部１８１Ｆの配置関係及び形状が、第６実施形態の導体部１８１Ｅ及び導体部１８１Ｆとは異なる。具体的には、開口部１８１ｃ内において、導体部１８１Ｆは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｅよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。各導体部１８１Ｅは、横方向Ｘに延びている。平面視における導体部１８１Ｅの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。各導体部１８１Ｆは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｆの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。また、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｅの長さは、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｎの長さよりも短い。換言すると、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｎの長さは、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｅの長さよりも長い。
【0566】
図５３に示すように、本実施形態では、導体部１８１Ｐは、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７（図５５参照）と第２過電流検出用リード８７Ｄとを電気的に接続するための導体部である。本実施形態では、導体部１８１Ｐは、３個設けられており、３個の開口部１８１ｆ内にそれぞれ配置されている。導体部１８１Ｐは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｇと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｐは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｇよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
【0567】
図５５に示すように、各導体部１８１Ｐは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｐの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。導体部１８１Ｐには、貫通孔１８５Ｔが設けられている。貫通孔１８５Ｔは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｔには貫通電極２２７が充填されている。貫通電極２２７は、貫通孔１８５Ｔに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｔの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２７を介して３個の導体部１８１Ｐが互いに電気的に接続されるように構成されている。導体部１８１Ｐには、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第２駆動検出用接続部材１７２が形成されている。第２駆動検出用接続部材１７２は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0568】
また、本実施形態では、導体部１８１Ｇ及び導体部１８１Ｈの配置関係及び形状が、第６実施形態の導体部１８１Ｇ及び導体部１８１Ｈとは異なる。具体的には、開口部１８１ｆ内において、導体部１８１Ｈは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｇに対して導体部１８１Ｐとは反対側に配置されている。本実施形態の各導体部１８１Ｈは、横方向Ｘに延びている。平面視における導体部１８１Ｈの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。平面視における導体部１８１Ｇの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。横方向Ｘにおける導体部１８１Ｇの長さは、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｈの長さよりも短い。換言すると、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｈの長さは、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｇの長さよりも長い。
【0569】
図５６に示すように、導体部１８１Ｑは、第１配線領域７０Ａに設けられている。より詳細には、導体部１８１Ｑは、横方向Ｘにおいて絶縁部１８１Ｘのうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に配置されている。導体部１８１Ｑは、横方向Ｘにおいて第１制御電源用配線６６Ａと隣り合うように配置されている。
【0570】
導体部１８１Ｑは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｑの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。導体部１８１Ｑには、貫通孔１８５Ｕが設けられている。貫通孔１８５Ｕは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｕには貫通電極２２８が充填されている。貫通電極２２８は、貫通孔１８５Ｕに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｕの内面を覆う通常のものであってもよい。貫通電極２２８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２８，２２６（図５４参照）を介して各導体部１８１Ｎと導体部１８１Ｑ（図５４参照）とが互いに電気的に接続されるように構成されている。このように、導体部１８１Ｑと各導体部１８１Ｎとによって第４実施形態の第１過電流検出用配線１６０Ａを構成している。
【0571】
導体部１８１Ｑには、第１過電流検出用リード８７Ｃと電気的に接続するように第１過電流検出用接続部材１７３が形成されている。第１過電流検出用接続部材１７３は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0572】
図５７に示すように、導体部１８１Ｒは、第２配線領域７０Ｂに設けられている。より詳細には、導体部１８１Ｒは、横方向Ｘにおいて絶縁部１８１Ｘのうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に配置されている。導体部１８１Ｒは、横方向Ｘにおいて第２制御電源用配線６６Ｂと隣り合うように配置されている。
【0573】
導体部１８１Ｒは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｒの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。導体部１８１Ｒには、貫通孔１８５Ｖが設けられている。貫通孔１８５Ｖは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｖには貫通電極２２９が充填されている。貫通電極２２９は、貫通孔１８５Ｖに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｖの内面を覆う通常のものであってもよい。貫通電極２２９は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２９，２２７（図５５参照）を介して各導体部１８１Ｐと導体部１８１Ｒ（図５５参照）とが互いに電気的に接続されるように構成されている。このように、導体部１８１Ｐと各導体部１８１Ｒとによって第４実施形態の第２過電流検出用配線１６０Ｂを構成している。
【0574】
導体部１８１Ｒには、第２過電流検出用リード８７Ｄと電気的に接続するように第２過電流検出用接続部材１７４が形成されている。第２過電流検出用接続部材１７４は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
【0575】
各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４はそれぞれ、第４実施形態の各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４と同じである。
【0576】
図５６に示すように、本実施形態では、平面視における第１制御用配線６４Ａの形状が異なる。より詳細には、平面視における第１制御用配線６４Ａの形状は、略Ｌ字状である。第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６４ｐａと、横方向Ｘに延びる第２配線部分６４ｐｂとを有する。第１配線部分６４ｐａは、横方向Ｘにおいて第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用配線６６Ａとの間に配置されている。第１配線部分６４ｐａには、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが実装されている。第２配線部分６４ｐｂは、第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａよりも第４樹脂側面５４寄り（導体部１８１Ａ寄り）に配置されている。第２配線部分６４ｐｂは、第１配線部分６４ｐａから第１樹脂側面５１側に向けて延びている。第２配線部分６４ｐｂには、貫通孔６４ｐｚが設けられている。貫通孔６４ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｐｚには貫通電極２０８が充填されている。貫通電極２０８は、貫通孔６４ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｂ（図５４参照），２０８を介して第１制御用配線６４Ａと複数の導体部１８１Ｆ（図５４参照）とが電気的に接続されるように構成されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６４ｐｂの先端部は、導体部１８１Ｑと重なっている。第１抵抗１５１は、第２配線部分６４ｐｂと導体部１８１Ｑとに接続されている。本実施形態では、第１抵抗１５１は、第１端子及び第２端子が縦方向Ｙに沿って配列されるように配置されている。
【0577】
図５７に示すように、本実施形態では、平面視における第２制御用配線６４Ｂの形状が異なる。より詳細には、平面視における第２制御用配線６４Ｂの形状は、略Ｌ字状である。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６４ｑａと、横方向Ｘに延びる第２配線部分６４ｑｂとを有する。第１配線部分６４ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとの間に配置されている。第１配線部分６４ｑａには、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが実装されている。第２配線部分６４ｑｂは、第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂよりも第４樹脂側面５４寄り（導体部１８１Ｂ寄り）に配置されている。第２配線部分６４ｑｂは、第１配線部分６４ｑａから第２樹脂側面５２側に向けて延びている。第２配線部分６４ｑｂには、貫通孔６４ｑｚが設けられている。貫通孔６４ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｑｚには貫通電極２１８が充填されている。貫通電極２１８は、貫通孔６４ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｄ（図５５参照），２１８を介して第２制御用配線６４Ｂと複数の導体部１８１Ｈ（図５５参照）とが電気的に接続されるように構成されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６４ｑｂの先端部は、導体部１８１Ｒと重なっている。第２抵抗１５２は、第２配線部分６４ｑｂと導体部１８１Ｒとに接続されている。本実施形態では、第２抵抗１５２は、第１端子及び第２端子が縦方向Ｙに沿って配列されるように配置されている。
【0578】
図５２に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板１８０を露出する２つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。図５２から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
【0579】
第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0580】
平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図２７に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0581】
図５６に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０のうちの横方向Ｘにおける第１樹脂側面５１寄りの部分において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａ及び第１電流検出回路７Ａを露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａを露出している。また第１制御側開口部５８Ａは、第１抵抗１５１及び導体部１８１Ｑを露出している。また、本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御リード用接続部材９４Ａ，９５Ａ、第１制御電源用接続部材９６Ａ，９６Ｂ、及び第１過電流検出用接続部材１７３を露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0582】
図５７に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0583】
第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。換言すると、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０のうちの横方向Ｘにおける第２樹脂側面５２寄りの部分において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２配線領域７０Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂ及び第２電流検出回路７Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂを露出している。また、第２制御側開口部５８Ｂは、第２抵抗１５２及び導体部１８１Ｒを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御リード用接続部材９４Ｂ，９５Ｂ、第２制御電源用接続部材９６Ｃ，９６Ｄ、及び第２過電流検出用接続部材１７４を露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。なお、本実施形態の半導体装置１Ｊによれば、第６実施形態の半導体装置１Ｆの効果と同様の効果と、第４実施形態の半導体装置１Ｄの効果と同様の効果が得られる。
【0584】
［第１０実施形態］
図５８～図６１を参照して、第１０実施形態の半導体装置１Ｋについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。また、本実施形態の半導体装置１Ｋは、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いている。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図５８～図６１を参照して、第１０実施形態の半導体装置１Ｋについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。また、本実施形態の半導体装置１Ｋは、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いている。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0585】
本実施形態の半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに対して、第１短絡検出回路３Ａに代えて第１電流検出回路７Ａを備え、第２短絡検出回路３Ｂに代えて第２電流検出回路７Ｂを備える点が異なる。また、半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに対して、第１サージ低減回路４Ａに代えて、第３実施形態の第１サージ吸収回路５Ａ及び第１インターフェース回路６Ａを備え、第２サージ低減回路４Ｂに代えて、第３実施形態の第２サージ吸収回路５Ｂ及び第２インターフェース回路６Ｂを備える点が異なる。このように、本実施形態の半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに第５実施形態の半導体装置１Ｅの各サージ吸収回路５Ａ，５Ｂ及び各インターフェース回路６Ａ，６Ｂを組み合せた構成である。
【0586】
また、本実施形態の半導体装置１Ｋは、第９実施形態の半導体装置１Ｊと同様に第１過電流検出用配線１６０Ａ及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを構成している。すなわち、半導体装置１Ｋは、導体部１８１Ｎ，１８１Ｐ，１８１Ｑ，１８１Ｒを有する。また、導体部１８１Ｅ，１８１Ｆの配置関係及び形状と、導体部１８１Ｇ，１８１Ｈの配置関係及び形状とはそれぞれ、第９実施形態の導体部１８１Ｅ，１８１Ｆの配置関係及び形状と、導体部１８１Ｇ，１８１Ｈの配置関係及び形状と同様である。
【0587】
図６０に示すように、第１抵抗１５１は、導体部１８１Ｑと第１制御電源用配線６６Ａとに接続されている。縦方向Ｙにおいて、第１抵抗１５１は、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ及び第１抵抗３８Ａ，３８Ｂよりも導体部１８１Ａ寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第１抵抗１５１は、第１スイッチング素子３９Ａと重なるように配置されている。
【0588】
図６１に示すように、第２抵抗１５２は、導体部１８１Ｒと第２制御電源用配線６６Ｂとに接続されている。縦方向Ｙにおいて、第２抵抗１５２は、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ及び第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄよりも導体部１８１Ｂ（図５７参照）寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第２抵抗１５２は、第２スイッチング素子３９Ｂと重なるように配置されている。
【0589】
図５８に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板１８０を露出する２つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。図５８から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
【0590】
第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
【0591】
平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図３２に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0592】
図６０に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１インターフェース回路６Ａ、第１サージ吸収回路５Ａ、及び第１電流検出回路７Ａを露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用配線６３Ａの一部、第１制御用配線６４Ａの一部、第１中継配線６９Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂの一部、第１インターフェース用配線６８Ａの一部、第２中継配線６９Ｂ、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａを露出している。また第１制御側開口部５８Ａは、第１抵抗１５１及び導体部１８１Ｑを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１駆動用配線６２Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
【0593】
図６１に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
【0594】
第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２インターフェース回路６Ｂ、第２サージ吸収回路５Ｂ、及び第２電流検出回路７Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの一部、第２制御用配線６４Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２制御電源用配線６６Ｄの一部、第２インターフェース用配線６８Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂを露出している。また、第２制御側開口部５８Ｂは、第２抵抗１５２及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。なお、本実施形態の半導体装置１Ｋによれば、第６実施形態の半導体装置１Ｆの効果と同様の効果と、第５実施形態の半導体装置１Ｅの効果と同様の効果が得られる。
【0595】
［変更例］
上記各実施形態は本開示に関する半導体装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
上記各実施形態は本開示に関する半導体装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0596】
・第１実施形態の半導体装置１Ａにおいて、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂと、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ、各制御用接続部材９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ、各制御リード用接続部材９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂとが互いに同じ材料、かつ線径が互いに等しくてもよい。この構成によれば、ワイヤ形成工程において、ワイヤの種類を切り替える必要がなくなるため、ワイヤ形成工程を簡略化できる。
【0597】
・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂと、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ、各制御用接続部材９３Ａ，９３Ｂ、各制御用接続部材１４０Ａ，１４０Ｂ、各制御用接続部材１４１Ａ，１４１Ｂ、及び各短絡検出用接続部材１４２Ａ，１４２Ｂとが互いに同じ材料、かつ線径が互いに等しくてもよい。この構成によれば、ワイヤ形成工程において、ワイヤの種類を切り替える必要がなくなるため、ワイヤ形成工程を簡略化できる。
【0598】
・第３実施形態の半導体装置１Ｃにおいて、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂと、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ、各制御用接続部材９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ、各制御リード用接続部材９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ｂ，９６Ｄ、各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂ、及び各インターフェース用接続部材９８Ａ，９８Ｂとが互いに同じ材料、かつ線径が互いに等しくてもよい。この構成によれば、ワイヤ形成工程において、ワイヤの種類を切り替える必要がなくなるため、ワイヤ形成工程を簡略化できる。
【0599】
・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂの線径が他の接続部材の線径よりも大きくてもよい。
・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、縦方向Ｙにおいて導通基板６０側に突出する凸形状であってもよい。この場合、第１制御側開口部５８Ａが第１制御用接続部材１４１Ａを露出しないように形成できる。
・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、縦方向Ｙにおいて導通基板６０側に突出する凸形状であってもよい。この場合、第１制御側開口部５８Ａが第１制御用接続部材１４１Ａを露出しないように形成できる。
【0600】
・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、縦方向Ｙにおいて導通基板６０側に突出する凸形状であってもよい。この場合、第２制御側開口部５８Ｂが第２制御用接続部材１４１Ｂを露出しないように形成できる。
【0601】
・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、第１導電部材４２Ａのうちの導通基板６０よりも樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの部分及び第２導電部材４２Ｂのうちの導通基板６０よりも第３樹脂側面５３寄りの部分の少なくとも一方には、電気的絶縁性を有する絶縁基板又は絶縁シート（図示略）が接合されてもよい。また、第１導電部材４２Ａのうちの導通基板６０よりも第３樹脂側面５３寄りの部分及び第２導電部材４２Ｂのうちの導通基板６０よりも第３樹脂側面５３寄りの部分の少なくとも一方には、電気的絶縁性を有する絶縁膜が形成されてもよい。
【0602】
・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、第１制御電源用リード８６Ｂと第１低耐圧ダイオード３２Ｂとの接続構造は、任意に変更可能である。一例では、図６２に示すように、第１制御電源用リード８６Ｂが第１制御用リード８５Ａを迂回して第１低耐圧ダイオード３２Ｂまで延びることによって、第１制御電源用リード８６Ｂと第１低耐圧ダイオード３２Ｂとが接続されている。この場合、第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１のうちの第２部分１１１ｂの横方向Ｘの長さを第２実施形態の第２部分１１１ｂの横方向Ｘの長さよりも短くしている。
【0603】
・第２実施形態の半導体装置１Ｂに第３実施形態の半導体装置１Ｃの回路構成を適用してもよい。
・第３実施形態の半導体装置１Ｃにおいて、第２実施形態の半導体装置１Ｂのように、各低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ，３７Ａ，３７Ｂ、各抵抗３８Ａ～３８Ｄ、各スイッチング素子３９Ａ，３９Ｂをそれぞれ、導通基板６０の外部に配置してもよい。
・第３実施形態の半導体装置１Ｃにおいて、第２実施形態の半導体装置１Ｂのように、各低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ，３７Ａ，３７Ｂ、各抵抗３８Ａ～３８Ｄ、各スイッチング素子３９Ａ，３９Ｂをそれぞれ、導通基板６０の外部に配置してもよい。
【0604】
・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、各入力リード８１，８２及び出力リード８３の配置態様は任意に変更可能である。一例では、各入力リード８１，８２及び出力リード８３が樹脂部材５０の同じ樹脂側面から突出するように、各入力リード８１，８２及び出力リード８３が配置されてもよい。図６３では、各入力リード８１，８２及び出力リード８３は、第４樹脂側面５４から突出している。各入力リード８１，８２と出力リード８３とは、横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
【0605】
・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅは、第１絶縁基板４１Ａ及び第２絶縁基板４１Ｂに代えて、第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂを支持する一枚の絶縁基板を備えてもよい。
【0606】
・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅにおいて、導通基板６０の層数は任意に変更可能である。
・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅにおいて、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅが一体に形成されてもよい。この場合、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅは、第２入力リード８２の露出部８２ｄが露出されず、露出部８２ｄを覆うように導体部が形成される。
・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅにおいて、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅが一体に形成されてもよい。この場合、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅは、第２入力リード８２の露出部８２ｄが露出されず、露出部８２ｄを覆うように導体部が形成される。
【0607】
・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅにおいて、第５層基板６０Ｆ，６０Ｇが一体に形成されてもよい。この場合、第４層基板６０Ｄ，６０Ｄの導体部を覆う導体部が形成されてもよい。
【0608】
・第１～第３実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃにおいて、第１駆動側開口部５９Ａに充填される絶縁材７１と、第２駆動側開口部５９Ｂに充填される絶縁材７２との少なくとも一方を省略してもよい。この場合、第１駆動側開口部５９Ａ内に配置される第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂと、第２駆動側開口部５９Ｂ内に配置される第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂとの少なくとも一方を導通基板６０から容易に取り外すことができる。このため、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂとは電気的特性が異なる高耐圧ダイオードを第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂの少なくとも一方に実装できる。したがって、半導体装置１Ａ～１Ｃの電気的特性を容易に調整できる。また、第６～第８実施形態１Ｆ～１Ｈにおいても、第１駆動側開口部５９Ａに充填される絶縁材７１と、第２駆動側開口部５９Ｂに充填される絶縁材７２との少なくとも一方を省略してもよい。
【0609】
・第１～第３及び第６～第８実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃ，１Ｆ～１Ｈにおいて、各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂ及び各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、少なくとも金属層からなる配線部又はリードの配線部が露出していればよく、金属層からなる配線部又はリードの配線部に電子部品が実装されていなくてもよい。以下、各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂ及び各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂについて、（Ａ）～（Ｆ）のように個別に説明する。
【0610】
（Ａ）第１～第３及び第６～第８実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃ，１Ｆ～１Ｈにおいて、第１駆動側開口部５９Ａから絶縁材７１及び第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第１駆動側開口部５９Ａ内に高耐圧ダイオードなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ａ～１Ｃの電気的特性を調整できる。
【0611】
（Ｂ）第１～第３及び第６～第８実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃ，１Ｆ～１Ｈにおいて、第２駆動側開口部５９Ｂから絶縁材７２及び第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第２駆動側開口部５９Ｂ内に高耐圧ダイオードなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ａ～１Ｃの電気的特性を調整できる。
【0612】
（Ｃ）第１、第２、及び第６実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆにおいて、第１制御側開口部５８Ａから第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に第１、第２、及び第６実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第１制御側開口部５８Ａ内に低耐圧ダイオードやコンデンサなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆの電気的特性を調整できる。なお、この変更は、第９実施形態の半導体装置１Ｊにも適用できる。
【0613】
（Ｄ）第３及び第８実施形態の半導体装置１Ｃ，１Ｈにおいて、第１制御側開口部５８Ａから第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａのうちの少なくとも１つを省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に半導体装置１Ｃ，１Ｈを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第１制御側開口部５８Ａ内に低耐圧ダイオードなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ｃ，１Ｈの電気的特性を調整できる。なお、この変更は、第１０実施形態の半導体装置１Ｋにも適用できる。
【0614】
（Ｅ）第１、第２、及び第６実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆにおいて、第２制御側開口部５８Ｂから第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に第１、第２、及び第６実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第２制御側開口部５８Ｂ内に低耐圧ダイオードやコンデンサなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆの電気的特性を調整できる。なお、この変更は、第９実施形態の半導体装置１Ｊにも適用できる。
【0615】
（Ｆ）第３及び第８実施形態の半導体装置１Ｃ，１Ｈにおいて、第２制御側開口部５８Ｂから第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂのうちの少なくとも１つを省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に半導体装置１Ｃ，１Ｈを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第２制御側開口部５８Ｂ内に低耐圧ダイオードなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ｃ，１Ｈの電気的特性を調整できる。なお、この変更は、第１０実施形態の半導体装置１Ｋにも適用できる。
【0616】
上記（Ａ）～（Ｆ）の変更例の一例として、図６４は、半導体装置１Ａの第１制御側開口部５８Ａに第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが実装されていない状態、及び第２制御側開口部５８Ｂに第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが実装されていない状態を例示する。この場合、例えば、半導体装置１Ａを適用する導通基板に半導体装置１Ａを実装した後、導通基板に形成された電気回路の電気的特性に合わせて、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの電気的特性を調整できる。
【0617】
・第１～第３及び第６～第８実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃ，１Ｆ～１Ｈにおいて、樹脂部材５０から第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。一例では、図６５に示すように、樹脂部材５０から第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂを省略した半導体装置１Ａを示している。この場合、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ及び第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂは樹脂部材５０内に配置されてもよいし、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ及び第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを省略してもよい。
【0618】
・第４～第６及び第１０実施形態の半導体装置１Ｄ～１Ｆ，１Ｋでは、第１半導体素子１０Ａと第２半導体素子１０Ｂとの電極構成が同一であったが、これに限られず、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂの電極構成は任意に変更可能である。例えば、第１半導体素子１０Ａの電極構成と第２半導体素子１０Ｂの電極構成とが縦方向Ｙに沿う中心線に対して対称となる構成であってもよい。この場合、第５、第６、及び第１０実施形態の半導体装置１Ｅ，１Ｆ，１Ｋでは、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７は、第２駆動用接続部材１７２を介して導体部１８１Ｐと電気的に接続される。第２半導体素子１０Ｂの第２ソース電極１２Ｂは、第２制御用接続部材９３Ｂを介して導体部１８１Ｈと電気的に接続される。
【0619】
・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０ＢはＭＯＳＦＥＴ等のトランジスタに限られない。例えば、ダイオードやＬＳＩであってもよい。
【0620】
第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂがダイオードの場合、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂのそれぞれから制御電極が省略される。すなわち第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂはそれぞれ、第１駆動電極としてのアノード電極と、第２駆動電極としてのカソード電極とを有する。この場合、第１制御用配線６３Ａ及び第２制御用配線６３Ｂが省略される。これにともない、第１制御用リード８４Ａ及び第２制御用リード８４Ｂを省略される。第１制御用配線６４Ａ及び第２制御用配線６４Ｂはそれぞれ、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに流れる電流量を検出するために残しておいてもよい。
【0621】
また、第１制御用配線６４Ａ及び第２制御用配線６４Ｂを省略してもよい。これにともない、第１制御用リード８５Ａ及び第２制御用リード８５Ｂを省略してもよい。
第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０ＢがＬＳＩの場合、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂのそれぞれから第１駆動電極及び第２駆動電極が省略される。すなわち第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂはそれぞれ、制御電極を有する。
第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０ＢがＬＳＩの場合、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂのそれぞれから第１駆動電極及び第２駆動電極が省略される。すなわち第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂはそれぞれ、制御電極を有する。
【0622】
・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂのいずれかを省略してもよい。第２半導体素子１０Ｂを省略した場合、第２絶縁基板４１Ｂと、第２導電部材４２Ｂと、導通基板６０のうちの第２導電部材４２Ｂに支持されている部分と、第２導電部材４２Ｂの縦方向Ｙの隣に配列されたリードとを省略してもよい。第１半導体素子１０Ａを省略した場合、第１絶縁基板４１Ａと、第１導電部材４２Ａと、導通基板６０のうちの第１導電部材４２Ａに支持されている部分と、第１導電部材４２Ａの縦方向Ｙの隣に配列されたリードとを省略してもよい。
【0623】
・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、導通基板６０，１８０が単層基板であってもよい。
・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、導通基板６０，１８０を省略してもよい。この場合、例えば、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの主面４２ｓａ，４２ｓｂに絶縁層を形成し、その絶縁層上に金属層や金属板からなる配線部を形成する。
・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、導通基板６０，１８０を省略してもよい。この場合、例えば、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの主面４２ｓａ，４２ｓｂに絶縁層を形成し、その絶縁層上に金属層や金属板からなる配線部を形成する。
【0624】
・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅの製造方法の導通基板準備工程及び基板接合工程において、第１入力リード８１を第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合し、出力リード８３を第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合した後、導通基板６０を第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ及び第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合してもよい。
【0625】
上記実施形態および変更例から把握することができる技術的思想について以下に記載する。
（付記１）
半導体素子と、
前記半導体素子を支持する支持基板と、
前記半導体素子と電気的に接続される導電体と、
前記半導体素子を封止する樹脂部材と、
を備え、
前記導電体は、電子部品が実装される実装領域を有し、
前記樹脂部材は、前記実装領域を露出する樹脂開口部を有する
半導体装置。
（付記１）
半導体素子と、
前記半導体素子を支持する支持基板と、
前記半導体素子と電気的に接続される導電体と、
前記半導体素子を封止する樹脂部材と、
を備え、
前記導電体は、電子部品が実装される実装領域を有し、
前記樹脂部材は、前記実装領域を露出する樹脂開口部を有する
半導体装置。
【0626】
（付記２）
前記半導体装置は、前記導電体として、電気的絶縁性を有する基板に金属層からなる導体部が形成された導通基板を備え、
前記半導体素子は、前記導通基板の前記導体部と電気的に接続されており、
前記支持基板は、前記導通基板を支持しており、
前記樹脂部材は、前記導通基板を封止している
付記１に記載の半導体装置。
前記半導体装置は、前記導電体として、電気的絶縁性を有する基板に金属層からなる導体部が形成された導通基板を備え、
前記半導体素子は、前記導通基板の前記導体部と電気的に接続されており、
前記支持基板は、前記導通基板を支持しており、
前記樹脂部材は、前記導通基板を封止している
付記１に記載の半導体装置。
【0627】
（付記３）
前記実装領域には、前記電子部品を実装するための前記導体部が形成されている
付記２に記載の半導体装置。
前記実装領域には、前記電子部品を実装するための前記導体部が形成されている
付記２に記載の半導体装置。
【0628】
（付記４）
前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有する
付記３に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有する
付記３に記載の半導体装置。
【0629】
（付記５）
前記駆動用導体部の一部には、前記半導体素子の短絡を検出するための前記電子部品が実装されている
付記４に記載の半導体装置。
前記駆動用導体部の一部には、前記半導体素子の短絡を検出するための前記電子部品が実装されている
付記４に記載の半導体装置。
【0630】
（付記６）
前記電子部品は、ダイオードを含む
付記５に記載の半導体装置。
前記電子部品は、ダイオードを含む
付記５に記載の半導体装置。
【0631】
（付記７）
前記駆動側開口部は、電気的絶縁性を有する樹脂材料によって充填されている
付記４～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記駆動側開口部は、電気的絶縁性を有する樹脂材料によって充填されている
付記４～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0632】
（付記８）
前記樹脂材料は、前記樹脂部材を構成する樹脂材料とは異なる
付記７に記載の半導体装置。
前記樹脂材料は、前記樹脂部材を構成する樹脂材料とは異なる
付記７に記載の半導体装置。
【0633】
（付記９）
前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電流を制御する制御電極を有し、
前記導体部は、前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出する制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電流を制御する制御電極を有し、
前記導体部は、前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出する制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0634】
（付記１０）
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記導体部は、
前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部と、
前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部と、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部とを有し、
前記駆動側開口部と前記制御側開口部とは個別に設けられている
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記導体部は、
前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部と、
前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部と、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部とを有し、
前記駆動側開口部と前記制御側開口部とは個別に設けられている
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0635】
（付記１１）
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記導体部は、
前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
付記２～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記導体部は、
前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
付記２～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0636】
（付記１２）
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記導体部は、
前記制御電極に電気的に接続される制御用導体部と、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記導体部は、
前記制御電極に電気的に接続される制御用導体部と、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0637】
（付記１３）
前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記９、１０、及び１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記９、１０、及び１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0638】
（付記１４）
前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記１１又は１２に記載の半導体装置。
前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記１１又は１２に記載の半導体装置。
【0639】
（付記１５）
前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電圧を制御する制御電極を有し、
前記半導体装置は、前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードを有し、
前記制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出した制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続された制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電圧を制御する制御電極を有し、
前記半導体装置は、前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードを有し、
前記制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出した制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続された制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0640】
（付記１６）
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記半導体装置は、
前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードを有し、
前記基準用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出した基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続された基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記半導体装置は、
前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードを有し、
前記基準用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出した基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続された基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0641】
（付記１７）
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記半導体装置は、
前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードと、
を有し、
前記制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続されている制御用導体部と、
を有し、
前記基準用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続されている基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記半導体装置は、
前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードと、
を有し、
前記制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続されている制御用導体部と、
を有し、
前記基準用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続されている基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0642】
（付記１８）
前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記１５又は１７に記載の半導体装置。
前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記１５又は１７に記載の半導体装置。
【0643】
（付記１９）
前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記１６又は１７に記載の半導体装置。
前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記１６又は１７に記載の半導体装置。
【0644】
（付記２０）
前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有し、
前記制御側開口部は、前記駆動側開口部から離間して設けられている
付記１５～１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有し、
前記制御側開口部は、前記駆動側開口部から離間して設けられている
付記１５～１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0645】
（付記２１）
前記制御側開口部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記半導体素子と前記制御用リードの前記制御用端子との間に配置されている
付記１５又は１７に記載の半導体装置。
前記制御側開口部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記半導体素子と前記制御用リードの前記制御用端子との間に配置されている
付記１５又は１７に記載の半導体装置。
【0646】
（付記２２）
前記制御側開口部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記半導体素子と前記基準用リードの前記基準用端子との間に配置されている
付記１６に記載の半導体装置。
前記制御側開口部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記半導体素子と前記基準用リードの前記基準用端子との間に配置されている
付記１６に記載の半導体装置。
【0647】
（付記２３）
前記支持基板は、金属製の導電部材を有し、
前記導通基板は、前記導電部材に積層されており、
前記半導体素子は、前記導電部材に実装されている
付記２～２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記支持基板は、金属製の導電部材を有し、
前記導通基板は、前記導電部材に積層されており、
前記半導体素子は、前記導電部材に実装されている
付記２～２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0648】
（付記２４）
前記導通基板には、前記導通基板の厚さ方向に前記導通基板を貫通する基板開口部が設けられており、
前記半導体素子は、前記基板開口部内に配置されている
付記２３に記載の半導体装置。
前記導通基板には、前記導通基板の厚さ方向に前記導通基板を貫通する基板開口部が設けられており、
前記半導体素子は、前記基板開口部内に配置されている
付記２３に記載の半導体装置。
【0649】
（付記２５）
前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
前記導体部は、
前記第１半導体素子の第１駆動電極と電気的に接続された第１駆動用導体部と、
前記第２半導体素子の第１駆動電極と電気的に接続された第２駆動用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１駆動用導体部の一部を露出する第１駆動側開口部と、
前記第２駆動用導体部の一部を露出する第２駆動側開口部と、
を有する
付記２～２４のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
前記導体部は、
前記第１半導体素子の第１駆動電極と電気的に接続された第１駆動用導体部と、
前記第２半導体素子の第１駆動電極と電気的に接続された第２駆動用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１駆動用導体部の一部を露出する第１駆動側開口部と、
前記第２駆動用導体部の一部を露出する第２駆動側開口部と、
を有する
付記２～２４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0650】
（付記２６）
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、制御電極を有し、
前記導体部は、
前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用導体部と、
前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１制御用導体部の一部を露出する第１制御側開口部と、
前記第１制御側開口部から離間して形成されており、前記第２制御用導体部の一部を露出する第２制御側開口部と、
を有する
付記２５に記載の半導体装置。
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、制御電極を有し、
前記導体部は、
前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用導体部と、
前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１制御用導体部の一部を露出する第１制御側開口部と、
前記第１制御側開口部から離間して形成されており、前記第２制御用導体部の一部を露出する第２制御側開口部と、
を有する
付記２５に記載の半導体装置。
【0651】
（付記２７）
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる第１制御用リードと、
前記第２半導体素子の前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる第２制御用リードと、
を有し、
前記第１制御用導体部の一部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１制御用リードとの間に配置されており、
前記第２制御用導体部の一部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２制御用リードとの間に配置されている
付記２６に記載の半導体装置。
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる第１制御用リードと、
前記第２半導体素子の前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる第２制御用リードと、
を有し、
前記第１制御用導体部の一部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１制御用リードとの間に配置されており、
前記第２制御用導体部の一部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２制御用リードとの間に配置されている
付記２６に記載の半導体装置。
【0652】
（付記２８）
前記第１制御側開口部は、前記厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１制御用リードとの間に配置されており、
前記第２制御側開口部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２制御用リードとの間に配置されている
付記２７に記載の半導体装置。
前記第１制御側開口部は、前記厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１制御用リードとの間に配置されており、
前記第２制御側開口部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２制御用リードとの間に配置されている
付記２７に記載の半導体装置。
【0653】
（付記２９）
前記導体部は、
前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続されており、前記第１制御用導体部との間の電位差によって前記第１半導体素子の制御電極に印加される電圧を設定するための第１基準用導体部と、
前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続されており、前記第２制御用導体部との間の電位差によって前記第２半導体素子の制御電極に印加される電圧を設定するための第２基準用導体部と、
を有し、
前記第１制御側開口部は、前記第１基準用導体部の一部を露出しており、
前記第２制御側開口部は、前記第２基準用導体部の一部を露出している
付記２６～２８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記導体部は、
前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続されており、前記第１制御用導体部との間の電位差によって前記第１半導体素子の制御電極に印加される電圧を設定するための第１基準用導体部と、
前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続されており、前記第２制御用導体部との間の電位差によって前記第２半導体素子の制御電極に印加される電圧を設定するための第２基準用導体部と、
を有し、
前記第１制御側開口部は、前記第１基準用導体部の一部を露出しており、
前記第２制御側開口部は、前記第２基準用導体部の一部を露出している
付記２６～２８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0654】
（付記３０）
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の前記第２駆動電極に電気的に接続された金属板からなる第１基準用リードと、
前記第２半導体素子の前記第２駆動電極に電気的に接続された金属板からなる第２基準用リードと、
を有し、
前記第１基準用導体部の一部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１基準用リードとの間に配置されており、
前記第２基準用導体部の一部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２基準用リードとの間に配置されている
付記２９に記載の半導体装置。
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の前記第２駆動電極に電気的に接続された金属板からなる第１基準用リードと、
前記第２半導体素子の前記第２駆動電極に電気的に接続された金属板からなる第２基準用リードと、
を有し、
前記第１基準用導体部の一部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１基準用リードとの間に配置されており、
前記第２基準用導体部の一部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２基準用リードとの間に配置されている
付記２９に記載の半導体装置。
【0655】
（付記３１）
前記支持基板の厚さ方向からみて、前記支持基板の形状は矩形状であり、
前記厚さ方向からみて、前記第１制御側開口部及び前記第２制御側開口部は、前記支持基板の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている
付記２６～３０のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記支持基板の厚さ方向からみて、前記支持基板の形状は矩形状であり、
前記厚さ方向からみて、前記第１制御側開口部及び前記第２制御側開口部は、前記支持基板の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている
付記２６～３０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0656】
（付記３２）
前記第１制御側開口部によって露出された前記第１制御用導体部、及び前記第２制御側開口部によって露出された前記第２制御用導体部のそれぞれには、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記２６～３１のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記第１制御側開口部によって露出された前記第１制御用導体部、及び前記第２制御側開口部によって露出された前記第２制御用導体部のそれぞれには、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記２６～３１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0657】
（付記３３）
前記第１制御側開口部によって露出された前記第１基準用導体部、及び前記第２制御側開口部によって露出された前記第２基準用導体部のそれぞれには、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記２９又は３０に記載の半導体装置。
前記第１制御側開口部によって露出された前記第１基準用導体部、及び前記第２制御側開口部によって露出された前記第２基準用導体部のそれぞれには、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
付記２９又は３０に記載の半導体装置。
【0658】
（付記３４）
前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用リードと、
前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用リードと、
を有し、
前記第１制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している第１制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１制御用端子と電気的に接続されている第１制御用導体部と、
を有し、
前記第２制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している第２制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２制御用端子と電気的に接続されている第２制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１制御用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
前記第１制御側開口部から離間して形成されており、前記第２制御用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用リードと、
前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用リードと、
を有し、
前記第１制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している第１制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１制御用端子と電気的に接続されている第１制御用導体部と、
を有し、
前記第２制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している第２制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２制御用端子と電気的に接続されている第２制御用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１制御用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
前記第１制御側開口部から離間して形成されており、前記第２制御用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0659】
（付記３５）
前記樹脂部材の厚さ方向からみて、前記樹脂部材の形状は矩形状であり、
前記厚さ方向からみて、前記第１制御側開口部及び前記第２制御側開口部は、前記樹脂部材の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている
付記３４に記載の半導体装置。
前記樹脂部材の厚さ方向からみて、前記樹脂部材の形状は矩形状であり、
前記厚さ方向からみて、前記第１制御側開口部及び前記第２制御側開口部は、前記樹脂部材の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている
付記３４に記載の半導体装置。
【0660】
（付記３６）
前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第１基準用リードと、
前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第２基準用リードと、
を有し、
前記第１基準用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している第１基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１基準用端子と電気的に接続されている第１基準用導体部と、
を有し、
前記第２基準用リードは、
前記樹脂部材の前記表面から突出している第２基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２基準用端子と電気的に接続されている第２基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１基準用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
前記第２基準用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第１基準用リードと、
前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第２基準用リードと、
を有し、
前記第１基準用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している第１基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１基準用端子と電気的に接続されている第１基準用導体部と、
を有し、
前記第２基準用リードは、
前記樹脂部材の前記表面から突出している第２基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２基準用端子と電気的に接続されている第２基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１基準用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
前記第２基準用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0661】
（付記３７）
前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用リードと、
前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用リードと、
前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第１基準用リードと、
前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第２基準用リードと、
を有し、
前記第１制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している第１制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１制御用端子と電気的に接続されている第１制御用導体部と、
を有し、
前記第２制御用リードは、
前記樹脂部材の前記表面から突出している第２制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２制御用端子と電気的に接続されている第２制御用導体部と、
を有し、
前記第１基準用リードは、
前記樹脂部材の前記表面から突出している第１基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１基準用端子と電気的に接続されている第１基準用導体部と、
を有し、
前記第２基準用リードは、
前記樹脂部材の前記表面から突出している第２基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２基準用端子と電気的に接続されている第２基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１制御用導体部の一部及び前記第１基準用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
前記第２制御用導体部の一部及び前記第２基準用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
前記半導体装置は、
前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用リードと、
前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用リードと、
前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第１基準用リードと、
前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第２基準用リードと、
を有し、
前記第１制御用リードは、
前記樹脂部材の表面から突出している第１制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１制御用端子と電気的に接続されている第１制御用導体部と、
を有し、
前記第２制御用リードは、
前記樹脂部材の前記表面から突出している第２制御用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２制御用端子と電気的に接続されている第２制御用導体部と、
を有し、
前記第１基準用リードは、
前記樹脂部材の前記表面から突出している第１基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１基準用端子と電気的に接続されている第１基準用導体部と、
を有し、
前記第２基準用リードは、
前記樹脂部材の前記表面から突出している第２基準用端子と、
前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２基準用端子と電気的に接続されている第２基準用導体部と、
を有し、
前記樹脂開口部は、
前記第１制御用導体部の一部及び前記第１基準用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
前記第２制御用導体部の一部及び前記第２基準用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0662】
（付記３８）
前記支持基板は、
前記第１半導体素子が実装されている第１導電部材と、
前記第２半導体素子が実装されている第２導電部材と、
を有し、
前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記厚さ方向と直交する第１方向に離間した状態で配置されており、
前記導通基板は、前記第１導電部材及び前記第２導電部材にわたり配置されている
付記２５～３７のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記支持基板は、
前記第１半導体素子が実装されている第１導電部材と、
前記第２半導体素子が実装されている第２導電部材と、
を有し、
前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記厚さ方向と直交する第１方向に離間した状態で配置されており、
前記導通基板は、前記第１導電部材及び前記第２導電部材にわたり配置されている
付記２５～３７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0663】
（付記３９）
前記導通基板は、多層導通基板である
付記２～３８のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記導通基板は、多層導通基板である
付記２～３８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0664】
（付記４０）
前記導通基板は、前記電子部品を実装するための導体部を有し、
前記導体部は、前記多層導通基板の最表層に形成されている
付記３９に記載の半導体装置。
前記導通基板は、前記電子部品を実装するための導体部を有し、
前記導体部は、前記多層導通基板の最表層に形成されている
付記３９に記載の半導体装置。
【0665】
（付記４１）
前記電子部品は、ショットキーバリアダイオードを含む
付記１～４０のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記電子部品は、ショットキーバリアダイオードを含む
付記１～４０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0666】
（付記４２）
前記電子部品は、逆直列に互いに接続された２個のショットキーバリアダイオードを含む
付記１～４０のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記電子部品は、逆直列に互いに接続された２個のショットキーバリアダイオードを含む
付記１～４０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0667】
（付記４３）
前記電子部品は、トランジスタを含む
付記１～４２のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記電子部品は、トランジスタを含む
付記１～４２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0668】
（付記４４）
前記電子部品は、コンデンサを含む
付記１～４３のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記電子部品は、コンデンサを含む
付記１～４３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【0669】
（付記４５）
前記半導体素子は、前記導体部に実装されている
付記２～２３及び２５～３７のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、前記導体部に実装されている
付記２～２３及び２５～３７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【0670】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ，１Ｊ，１Ｋ…半導体装置
１０Ａ…第１半導体素子（半導体素子、トランジスタ）
１０Ｂ…第２半導体素子（半導体素子、トランジスタ）
１１…ドレイン電極（第１駆動電極）
１２…ソース電極（第２駆動電極）
１３…ゲート電極（制御電極）
３０Ｘ…電子部品
３０Ａ，３０Ｂ…第１高耐圧ダイオード（電子部品、保護ダイオード）
３１Ａ，３１Ｂ…第２高耐圧ダイオード（電子部品、保護ダイオード）
３２Ａ，３２Ｂ…第１低耐圧ダイオード（電子部品）
３３Ａ，３３Ｂ…第１コンデンサ（電子部品）
３４Ａ，３４Ｂ…第２低耐圧ダイオード（電子部品）
３５Ａ，３５Ｂ…第２コンデンサ（電子部品）
３６Ａ，３６Ｂ…第１低耐圧ダイオード（電子部品）
３７Ａ，３７Ｂ…第２低耐圧ダイオード（電子部品）
３８Ａ…第１抵抗（電子部品）
３８Ｂ…第１抵抗（電子部品）
３８Ｃ…第２抵抗（電子部品）
３８Ｄ…第２抵抗（電子部品）
３９Ａ…第１スイッチング素子（電子部品、トランジスタ）
３９Ｂ…第２スイッチング素子（電子部品、トランジスタ）
４０…支持基板
４２Ａ…第１導電部材（導電部材）
４２Ｂ…第２導電部材（導電部材）
５０…樹脂部材
５０Ｘ…樹脂開口部
５１…第１樹脂側面（表面）
５２…第２樹脂側面（表面）
５３…第３樹脂側面（表面）
５４…第４樹脂側面（表面）
５８Ａ…第１制御側開口部（樹脂開口部、制御側開口部）
５８Ｂ…第２制御側開口部（樹脂開口部、制御側開口部）
５９Ａ…第１駆動側開口部（樹脂開口部、駆動側開口部）
５９Ｂ…第２駆動側開口部（樹脂開口部、駆動側開口部）
６０…導通基板（導電体）
６１Ａ…第１基板開口部（基板開口部）
６１Ｂ…第２基板開口部（基板開口部）
６２Ａ…第１駆動用配線（駆動用導体部、第１駆動用導体部、導通基板の導体部）
６２Ｂ…第２駆動用配線（駆動用導体部、第２駆動用導体部、導通基板の導体部）
６３Ａ…第１制御用配線（制御用導体部、第１制御用導体部、導通基板の導体部）
６３Ｂ…第２制御用配線（制御用導体部、第２制御用導体部、導通基板の導体部）
６４Ａ…第１制御用配線（基準用導体部、第１基準用導体部、導通基板の導体部）
６４Ｂ…第２制御用配線（基準用導体部、第２基準用導体部、導通基板の導体部）
７１…絶縁材（樹脂材料）
７２…絶縁材（樹脂材料）
８４Ａ…第１制御用リード（制御用リード）
８４Ｂ…第２制御用リード（制御用リード）
８４ｔ…端子部（制御用端子、第１制御用端子、第２制御用端子）
８５Ａ…第１制御用リード（基準用リード）
８５Ｂ…第２制御用リード（基準用リード）
８５ｔ…端子部（基準用端子、第１基準用端子、第２基準用端子）
１００…第１配線部（制御用導体部、第１制御用導体部、導体部）
１０１…第２配線部（制御用導体部、第１制御用導体部、導体部）
１０２…第１配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
１０３…第２配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
１０４…第３配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
１１０…第１配線部（基準用導体部、第１基準用導体部、導体部）
１１１…第２配線部（基準用導体部、第１基準用導体部、導体部）
１１２…第１配線部（基準用導体部、第２基準用導体部、導体部）
１１３…第２配線部（基準用導体部、第２基準用導体部、導体部）
１８０…導通基板
１８１Ａ～１８１Ｎ，１８１Ｐ～１８１Ｒ…導体部
１８３…導体部
１８４…導体部
Ｘ…横方向
Ｙ…縦方向
Ｚ…厚さ方向
１０Ａ…第１半導体素子（半導体素子、トランジスタ）
１０Ｂ…第２半導体素子（半導体素子、トランジスタ）
１１…ドレイン電極（第１駆動電極）
１２…ソース電極（第２駆動電極）
１３…ゲート電極（制御電極）
３０Ｘ…電子部品
３０Ａ，３０Ｂ…第１高耐圧ダイオード（電子部品、保護ダイオード）
３１Ａ，３１Ｂ…第２高耐圧ダイオード（電子部品、保護ダイオード）
３２Ａ，３２Ｂ…第１低耐圧ダイオード（電子部品）
３３Ａ，３３Ｂ…第１コンデンサ（電子部品）
３４Ａ，３４Ｂ…第２低耐圧ダイオード（電子部品）
３５Ａ，３５Ｂ…第２コンデンサ（電子部品）
３６Ａ，３６Ｂ…第１低耐圧ダイオード（電子部品）
３７Ａ，３７Ｂ…第２低耐圧ダイオード（電子部品）
３８Ａ…第１抵抗（電子部品）
３８Ｂ…第１抵抗（電子部品）
３８Ｃ…第２抵抗（電子部品）
３８Ｄ…第２抵抗（電子部品）
３９Ａ…第１スイッチング素子（電子部品、トランジスタ）
３９Ｂ…第２スイッチング素子（電子部品、トランジスタ）
４０…支持基板
４２Ａ…第１導電部材（導電部材）
４２Ｂ…第２導電部材（導電部材）
５０…樹脂部材
５０Ｘ…樹脂開口部
５１…第１樹脂側面（表面）
５２…第２樹脂側面（表面）
５３…第３樹脂側面（表面）
５４…第４樹脂側面（表面）
５８Ａ…第１制御側開口部（樹脂開口部、制御側開口部）
５８Ｂ…第２制御側開口部（樹脂開口部、制御側開口部）
５９Ａ…第１駆動側開口部（樹脂開口部、駆動側開口部）
５９Ｂ…第２駆動側開口部（樹脂開口部、駆動側開口部）
６０…導通基板（導電体）
６１Ａ…第１基板開口部（基板開口部）
６１Ｂ…第２基板開口部（基板開口部）
６２Ａ…第１駆動用配線（駆動用導体部、第１駆動用導体部、導通基板の導体部）
６２Ｂ…第２駆動用配線（駆動用導体部、第２駆動用導体部、導通基板の導体部）
６３Ａ…第１制御用配線（制御用導体部、第１制御用導体部、導通基板の導体部）
６３Ｂ…第２制御用配線（制御用導体部、第２制御用導体部、導通基板の導体部）
６４Ａ…第１制御用配線（基準用導体部、第１基準用導体部、導通基板の導体部）
６４Ｂ…第２制御用配線（基準用導体部、第２基準用導体部、導通基板の導体部）
７１…絶縁材（樹脂材料）
７２…絶縁材（樹脂材料）
８４Ａ…第１制御用リード（制御用リード）
８４Ｂ…第２制御用リード（制御用リード）
８４ｔ…端子部（制御用端子、第１制御用端子、第２制御用端子）
８５Ａ…第１制御用リード（基準用リード）
８５Ｂ…第２制御用リード（基準用リード）
８５ｔ…端子部（基準用端子、第１基準用端子、第２基準用端子）
１００…第１配線部（制御用導体部、第１制御用導体部、導体部）
１０１…第２配線部（制御用導体部、第１制御用導体部、導体部）
１０２…第１配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
１０３…第２配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
１０４…第３配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
１１０…第１配線部（基準用導体部、第１基準用導体部、導体部）
１１１…第２配線部（基準用導体部、第１基準用導体部、導体部）
１１２…第１配線部（基準用導体部、第２基準用導体部、導体部）
１１３…第２配線部（基準用導体部、第２基準用導体部、導体部）
１８０…導通基板
１８１Ａ～１８１Ｎ，１８１Ｐ～１８１Ｒ…導体部
１８３…導体部
１８４…導体部
Ｘ…横方向
Ｙ…縦方向
Ｚ…厚さ方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26A】
【図26B】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】