知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-29
(45)【発行日】2024-12-09
(54)【発明の名称】電気光学基板、液晶表示装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1335 20060101AFI20241202BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1335 510
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2022527616
(86)(22)【出願日】2021-04-28
(86)【国際出願番号】 JP2021017073
(87)【国際公開番号】W WO2021241127
(87)【国際公開日】2021-12-02
【審査請求日】2024-02-29
(31)【優先権主張番号】P 2020090254
(32)【優先日】2020-05-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(72)【発明者】
【氏名】名倉 護益
【審査官】横井 亜矢子
(56)【参考文献】
【文献】特開平０５－２４１５１４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０９４２３６４６（ＵＳ，Ｂ２）
【文献】特開２０１５－１９７５７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－１０７５０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１３４２７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－１７１８０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／２３５０４６（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｆ １／１３３５
Ｇ０２Ｆ １／１３３６３
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有しており、各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されており、
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
電気光学基板。
【請求項2】
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる、請求項１に記載の電気光学基板。
【請求項3】
遮光性材料は金属材料から成る、請求項２に記載の電気光学基板。
【請求項4】
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有しており、各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されており、
偏光子はワイヤーグリッド偏光子から成り、
偏光子には所定の電圧が印加され、
偏光子には透明画素電極に印加される電圧と同じ電圧が印加される、
電気光学基板。
【請求項5】
偏光子の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０
３
以上である、請求項４に記載の電気光学基板。
【請求項6】
偏光子は電気的にフローティングとされる、請求項４に記載の電気光学基板。
【請求項7】
支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている、請求項１または請求項４に記載の電気光学基板。
【請求項8】
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されており、
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
液晶表示装置。
【請求項9】
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されており、
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
液晶表示装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
マトリクス状に配置された透明画素電極が配置された電気光学基板と、電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層とを含んでいる液晶表示装置が知られている。液晶表示装置は、画素を光シャッター（ライト・バルブ）として動作させることによって画像を表示する。近年、液晶表示装置にあっては、高精細化と共に高輝度化も要求されている。
【0003】
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置にあっては、スイッチング素子（例えばトランジスタ）を介して透明画素電極に電圧を印加した後、トランジスタが非導通状態とされる。そして、画素容量が電圧を保持することによって表示を行う。従って、非導通状態であるべきトランジスタにリーク電流が流れると保持電圧が変化し、結果として表示品質が劣化する。また、トランジスタに光が入射するとキャリアが誘起されリーク電流は増加する。
【0004】
トランジスタに入射する方向に進む光の進行方向を変えて、表示に寄与する光として利用することができれば、表示装置の高輝度化を図り且つトランジスタのリーク電流を低減することができる。例えば、特許文献１には、開口領域に導波路構造を設けることによって、出射する光量の増加を図ると共にトランジスタへの光入射を抑制するといった技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１８－１８５４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
界面等で反射する光にはグース・ヘンシェンシフトと呼ばれる位相シフトが生ずる。このため、導波路内を反射することなく通過する光と界面等で反射して通過する光との間には、位相差が生ずる。これによって、黒表示状態であるにもかかわらず導波路から出射する光の一部が出射側の偏光子を透過したり、あるいは又、白表示状態において導波路から出射する光の一部が出射側の偏光子を透過しないといったことが生じ得る。これらは、表示される画像のコントラストの低下要因となる。
【0007】
従って、本開示の目的は、界面等で反射する光の位相シフトが表示状態に影響を与えることがない電気光学基板、液晶表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の目的を達成するための本開示に係る電気光学基板は、
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有しており、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
電気光学基板である。
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有しており、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
電気光学基板である。
【0009】
上記の目的を達成するための本開示に係る液晶表示装置は、
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、
電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、
を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
液晶表示装置である。
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、
電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、
を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
液晶表示装置である。
【0010】
上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、
電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、
を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
液晶表示装置を備えた電子機器である。
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、
電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、
を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
液晶表示装置を備えた電子機器である。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器、全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．第２の実施形態
４．第３の実施形態
５．電子機器の説明
６．その他
１．本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器、全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．第２の実施形態
４．第３の実施形態
５．電子機器の説明
６．その他
【0013】
［本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器、全般に関する説明］
以下の説明において、本開示に係る液晶表示装置および本開示に係る電子機器に用いられる液晶表示装置を、単に、「本開示の液晶表示装置」と呼ぶ場合がある。また、本開示に係る電気光学基板および本開示の液晶表示装置に用いられる電気光学基板を、単に、「本開示の電気光学基板」と呼ぶ場合がある。
【0014】
上述したように、本開示の電気光学基板は、支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有しており、各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている。
【0015】
この場合において、導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる構成とすることができる。例えば、シリコン酸化物層に開口を設け、その中にシリコン酸窒化物を埋め込むことによって導光部を構成することができる。導光部やその周辺を構成する材料は特に限定するものではなく、電気光学基板の構成に応じて、適宜選択すればよい。
【0016】
あるいは又、導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる構成とすることができる。この場合において、遮光性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ－ＣｕやＡｌ－Ｓｉ等のアルミニウム合金、銀（Ａｇ）等の金属材料から成る構成とすることができる。
【0017】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の電気光学基板において、偏光子はワイヤーグリッド偏光子から成る構成とすることができる。この場合において、ワイヤーグリッド偏光子の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０3以上であることが好ましい。ワイヤーグリッド偏光子は、例えばアルミニウム（Ａｌ）の薄膜にパターニングを施し、適宜保護膜で覆うなどといった工程によって得ることができる。
【0018】
この場合において、偏光子は電気的にフローティングとされる構成とすることができる。あるいは又、偏光子には所定の電圧が印加される構成とすることができる。例えば、偏光子には透明画素電極に印加される電圧と同じ電圧が印加されるといった構成とすることができる。あるいは又、所謂共通電位線（コモン電位線）と偏光子とを導通させ、共通電位が偏光子に供給される構成とすることもできる。
【0019】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の電気光学基板にあっては、支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている構成とすることができる。例えば、ワイヤーグリッド偏光子による消光比が不足している場合に、更に別の偏光子を配置することによって、必要とされる消光比を確保することができる。
【0020】
電気光学基板に用いられる支持基材として、ガラスや石英などの透明材料から成る基板を用いることができる。対向基板に用いられる基材についても同様である。透明画素電極や対向基板に設けられる対向電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。尚、場合によっては、光透過性を有するほどに薄膜化した金属膜を用いることもできる。対向電極は、液晶表示装置の各画素に対する共通電極として機能する。
【0021】
本開示の電気光学基板において、スイッチング素子を構成する薄膜トランジスタは、基材上に半導体材料層等を形成し加工することによって構成することができる。
【0022】
本開示に用いられる各種の配線やコンタクトを構成する材料は特に限定するものではなく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ－ＣｕやＡｌ－Ｓｉ等のアルミニウム合金、タングステン（Ｗ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉx）などのタングステン合金といった金属材料を用いることができる。
【0023】
本開示に用いられる絶縁層や絶縁膜を構成する材料は、本開示の実施に支障がない限り、特に限定するものではない。例えば、シリコン酸化物などの無機材料や、ポリイミドなどの有機材料を用いることができる。
【0024】
液晶表示装置は、モノクロ画像を表示する構成であってもよいし、カラー画像を表示する構成であってもよい。液晶表示装置の画素（ピクセル）の値として、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（３８４０，２１６０）、（７６８０，４３２０）等、画像用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【0025】
また、本開示の液晶表示装置を備えた電子機器として、直視型や投射型の表示装置の他、画像表示機能を備えた各種の電子機器を例示することができる。
【0026】
本明細書における各種の条件は、厳密に成立する場合の他、実質的に成立する場合にも満たされる。設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明において用いる各図面は模式的なものであり、実際の寸法やその割合を示すものではない。
【0027】
［第１の実施形態］
第１の実施形態は、本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器に関する。
第１の実施形態は、本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器に関する。
【0028】
図１は、本開示の第１の実施形態に係る液晶表示装置を説明するための模式図である。
【0029】
第１の実施形態に係る液晶表示装置は、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。図１に示すように、液晶表示装置１は、マトリクス状に配置されている画素ＰＸ、画素ＰＸを駆動するための水平駆動回路１１および垂直駆動回路１２といった各種回路を備えている。符号ＳＣＬは画素ＰＸを走査するための走査線であり、符号ＤＴＬは画素ＰＸに各種の電圧を供給するための信号線である。画素ＰＸは、例えば水平方向にＭ個、垂直方向にＮ個、合計Ｍ×Ｎ個が、マトリクス状に配置されている。図１に示す対向電極は、各液晶セルについて共通の電極として設けられている。尚、図１に示す例において、水平駆動回路１１および垂直駆動回路１２は、それぞれ、液晶表示装置１の一端側に配置されているとしたが、これは例示に過ぎない。
【0030】
【0031】
図２Ａに示すように、液晶表示装置１は、
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板１００と、
電気光学基板１００と対向するように配置された対向基板１８０と、
電気光学基板１００と対向基板１８０との間に封入された液晶材料層１７０と、
を含んでいる。電気光学基板１００と対向基板１８０とは、シール部１９０によって封止されている。シール部１９０は液晶材料層１７０を囲む環状である。液晶表示装置１は透過型の液晶表示装置である。
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板１００と、
電気光学基板１００と対向するように配置された対向基板１８０と、
電気光学基板１００と対向基板１８０との間に封入された液晶材料層１７０と、
を含んでいる。電気光学基板１００と対向基板１８０とは、シール部１９０によって封止されている。シール部１９０は液晶材料層１７０を囲む環状である。液晶表示装置１は透過型の液晶表示装置である。
【0032】
対向基板１８０には、例えばＩＴＯといった透明導電材料から成る対向電極が設けられている。より具体的には、対向基板１８０は、例えば石英ガラスから成る矩形状の基板と、液晶材料層１７０側の面に設けられた対向電極、対向電極上に設けられた配向膜などから構成されている。また、対向基板１８０には適宜偏光板などが貼付等される。尚、図示の都合上、図２Ａの電気光学基板１００や対向基板１８０は簡略化して示した。
【0033】
図２Ｂに示すように、画素ＰＸを構成する液晶セルは、電気光学基板１００に設けられる透明画素電極と、透明画素電極に対応する部分の液晶材料層や対向電極によって構成される。液晶材料層の劣化を防ぐために、液晶表示装置１の駆動の際に、対向電極には正極性あるいは負極性の共通電位Ｖcomが交互に印加される。尚、画素ＰＸにおいて液晶材料層と対向電極とを除いた各要素は、図２Ａに示す電気光学基板１００に形成されている。
【0034】
図２Ｂに示すように、薄膜トランジスタＴＲの一方のソース/ドレイン領域は信号線ＤＴＬに接続され、他方のソース/ドレイン領域は透明画素電極および容量部ＣＳの一方の電極に接続されている。信号線ＤＴＬから供給される画素電圧は、走査線ＳＣＬの走査信号によって導通状態とされた薄膜トランジスタＴＲを介して、透明画素電極に印加される。透明画素電極と容量部ＣＳの一方の電極は導通しているので、画素電圧は、容量部ＣＳの一方の電極にも印加される。尚、容量部の他方の電極には共通電位Ｖcomが印加される。この構成においては、薄膜トランジスタＴＲが非導通状態とされた後においても、透明画素電極の電圧は、液晶セルの容量および容量部ＣＳによって保持される。
【0035】
電気光学基板１００には、各透明画素電極に対応した導光部が形成されており、導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている。先ず、これらの平面形状や積層関係について簡単に説明する。
【0036】
図３は、液晶表示装置における遮光領域の平面形状を説明するための模式的な一部平面図である。図４は、液晶表示装置における導光部の平面形状を説明するための模式的な一部平面図である。図５は、液晶表示装置において導光部と透明画素電極との間に配置される偏光子の平面形状を説明するための模式的な一部平面図である。図６は、液晶表示装置における透明画素電極の平面形状を説明するための模式的な一部平面図である。
【0037】
電気光学基板１００には、走査線ＳＣＬや信号線ＤＴＬの他、種々の配線等が形成されている。これら種々の配線によって、液晶表示装置１には遮光領域が形成される。図３においてハッチングを付した部分は、種々の配線等によって形成された遮光領域ＳＨＡの平面形状を示す。画素の開口領域は、遮光領域ＳＨＡと重ならない領域に設けられる。
【0038】
尚、電気光学基板１００では多数の構成要素が積層されているため、平面図上に全ての要素を図示すると判読性が損なわれる。このため、図３ないし図６については、限定された要素のみを表示している。各要素の詳細な配置関係は、図７ないし図９を参照して詳しく説明する。
【0039】
図４に示すように、遮光領域ＳＨＡと重ならない領域には導光部ＬＧが形成されている。導光部ＬＧは支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料１４０を含んでいる。図４においてハッチングを付した領域は、透光性材料１４０が配置されている領域を示す。
【0040】
図４に示す導光部ＬＧの上方には、図５に示す偏光子１５０が配置されている。図５においてハッチングを付した領域は、偏光子１５０が配置されている領域を示す。偏光子１５０はワイヤーグリッド偏光子から成り、導光部ＬＧ毎に対応して配置されている。そして、偏光子１５０の上方には、図６に示す透明画素電極１６１が配置されている。図６においてハッチングを付した領域は、透明画素電極１６１が配置されている領域を示す。
【0041】
上述したように、電気光学基板１００にあっては、透明画素電極１６１と偏光子１５０と導光部ＬＧとが順次積層されている。このため、液晶材料層１７０を介して透明画素電極１６１に入射する光は、先ず偏光子１５０を透過し、次いで、導光部ＬＧに達する。従って、光は偏光子１５０を透過した後に導光部ＬＧに達する。後で図１２を参照して説明するが、この構造によれば、導光部ＬＧにおける光の反射で位相シフトが生じても表示状態に影響を与えることがない。
【0042】
次いで、断面図を参照して液晶表示装置１の構造について詳しく説明する。図７は、図６においてＡ－Ａで示す部分で液晶表示装置を切断したときの模式的な断面図である。図８は、図６においてＢ－Ｂで示す部分で液晶表示装置を切断したときの模式的な断面図である。図９は、図６においてＣ－Ｃで示す部分で液晶表示装置を切断したときの模式的な断面図である。尚、各要素の平面形状については、液晶表示装置１の製造方法を説明するための図１３ないし図２６を適宜参照して説明する。
【0043】
図８および図９に示すように、電気光学基板１００を構成する支持基材１０１上には、図においてＸ方向に延びる走査線１１１（図１におけるＳＣＬに対応する）が支持基材１０１上に形成されている。図１３においてハッチングを付した部分が走査線１１１の平面形状を示す。
【0044】
図８および図９に示すように、走査線１１１上を含む全面には絶縁膜１１２が形成されており、その上に、薄膜トランジスタＴＲを構成する半導体材料層１２１が形成されている。図１４においてハッチングを付した部分が半導体材料層１２１の平面形状を示す。図８および図９に示すように、半導体材料層１２１上を含む全面にはゲート絶縁膜１２２が形成されており、その上に、ゲート電極１２４が形成されている。図８に示すように、ゲート絶縁膜１２２と絶縁膜１１２には、走査線１１１が露出する開口が設けられており、この部分にゲート電極１２４と走査線１１１とのコンタクト１２３が形成されている。図１５においてハッチングを付した部分がゲート電極１２４とコンタクト１２３の平面形状を示す。
【0045】
図８および図９に示すように、ゲート電極１２４上を含む全面には絶縁膜１２５が形成されている。絶縁膜１２５上には、薄膜トランジスタＴＲの上方に位置する遮光膜１３１などを含む配線層１３０が形成されている。配線層１３０は、複数の材料層が積層して構成されており、積層される配線や電極などの間は絶縁層で離隔されている。以下の説明において、配線層１３０を構成する種々の絶縁層を、符号１３０Ａを用いて表す場合がある。
【0046】
遮光膜１３１は遮光性を有する導電材料から形成されている。図９に示すように、絶縁膜１２５とゲート絶縁膜１２２とには、半導体材料層１２１が露出する開口が設けられており、この部分にコンタクト１２６が形成されている。遮光膜１３１は、コンタクト１２６を介して、薄膜トランジスタＴＲの他方のソース／ドレイン領域と導通する。遮光膜１３１には、導通状態とされた薄膜トランジスタＴＲを介して、信号線から画素電圧が印加される。
【0047】
【0048】
図８および図９に示すように、遮光膜１３１の上方には電極１３２が形成されている。後述するように、電極１３２には共通電位線から共通電位が印加され、容量部ＣＳの電極として機能する。図１７においてハッチングを付した部分が電極１３２の平面形状を示す。
【0049】
図８および図９に示すように、電極１３２の上方には、図においてＹ方向に延びる信号線１３４（図１におけるＤＴＬに対応する）が形成されている。図９に示すように、配線層１３０と絶縁膜１２５とゲート絶縁膜１２２とには、半導体材料層１２１が露出する開口が設けられており、この部分にコンタクト１３３が形成されている。信号線１３４は、コンタクト１３３を介して、薄膜トランジスタＴＲの一方のソース／ドレイン領域と導通する。図１８においてハッチングを付した部分が信号線１３４とコンタクト１３３の平面形状を示す。
【0050】
図８および図９に示すように、信号線１３４の上方には、図においてＹ方向に延びる共通電位線１３６が形成されている。図８に示すように、配線層１３０には、電極１３２が露出する開口が設けられており、この部分にコンタクト１３５が形成されている。共通電位線１３６は、コンタクト１３５を介して、電極１３２と導通する。電極１３２と遮光膜１３１とによって、容量部ＣＳが形成される。図１９においてハッチングを付した部分が共通電位線１３６とコンタクト１３５の平面形状を示す。
【0051】
図８および図９に示すように、共通電位線１３６の上方には、中継電極１３８が形成されている。図８に示すように、配線層１３０には、遮光膜１３１が露出する開口が設けられており、この部分にコンタクト１３７が形成されている。中継電極１３８は、コンタクト１３７を介して、遮光膜１３１と導通する。図２０においてハッチングを付した部分が中継電極１３８とコンタクト１３７の平面形状を示す。
【0052】
上述した各種の配線や電極などによって、図３に示す遮光領域ＳＨＡが形成される。遮光領域ＳＨＡと重ならない領域には、図７に示す導光部ＬＧが形成されている。導光部ＬＧは支持基材１０１に対して法線方向（図においてＺ方向）に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料１４０を含んでいる。例えば、透光性材料１４０はシリコン酸窒化物から形成されており、その壁面が相対的に屈折率の低いシリコン酸化物と接するように埋め込まれている。従って、透光性材料１４０の壁面に臨界角を超えて入射する光は全反射する。透光性材料１４０は、支持基材１０１や配線層１３０を彫り込む形で形成されており、端面が中継電極１３８の面と略同一面となるように形成されている。図２１においてハッチングを付した領域が、透光性材料１４０が配置されている領域を示す。
【0053】
図８および図９に示すように、中継電極１３８上を含む全面には配線層１３０の表層としての絶縁膜が形成されている。絶縁膜上には、透明導電材料膜が所定のピッチで２次元マトリクス状に分割されて成る透明画素電極１６１が形成されている。図８に示す符号１３９は、透明画素電極１６１と中継電極１３８とのコンタクトを示す。透明画素電極１６１には、コンタクト１３９を介して、容量部ＣＳが保持した画素電圧が供給される。図２６においてハッチングを付した部分が透明画素電極１６１とコンタクト１３９の平面形状を示す。そして、透明画素電極１６１上を含む全面には平坦化膜１６２が形成され、その上に配向膜１６３が形成されている。
【0054】
また、図７に示すように、透明画素電極１６１と導光部ＬＧとの間に、偏光子１５０が配置されている。偏光子１５０はワイヤーグリッド偏光子から成る。ワイヤーグリッド偏光子は、ナノオーダーの金属ワイヤが多数並行に配列されて構成されており、金属ワイヤに垂直な電界ベクトルを透過させ、金属ワイヤに平行な電界ベクトルを反射する。従って、ワイヤーグリッド偏光子は光を吸収しないので耐熱性にも優れた特性を有する。図２４においてハッチングを付した領域が、偏光子１５０が配置されている領域を示す。
【0055】
表示される画像品質の観点から、偏光子１５０の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比（所謂消光比）は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０3以上である構成とすることが好ましい。尚、図に示す例では、偏光子１５０は電気的にフローティングであるが、これに限るものではない。偏光子１５０には所定の電圧が印加される構成であってもよい。例えば、適宜必要なコンタクトを形成して、偏光子１５０に共通電位線１３６の電圧が印加されたり、偏光子１５０と中継電極１３８を導通させて透明画素電極１６１に印加される電圧と同じ電圧が印加される構成とすることもできる。
【0056】
図７ないし図９に示すように、電気光学基板１００に対向して配置される対向基板１８０は、例えば石英ガラスから成る矩形状の基材１８１と、液晶材料層１７０側の面に設けられた対向電極１８２、対向電極１８２上に設けられた配向膜１８３を含んでおり、更に、基材１８１上に配置された偏光子１８４を備えている。この偏光子１８４と電気光学基板１００に設けられた偏光子１５０とは、偏光軸がお互いに直交する（クロスニコル）状態に配置されている。偏光子１８４の構成は特に限定するものではなく、吸収型の偏光子であってもよいし、ワイヤーグリッド偏光子であってもよい。耐熱性が要求される場合には、偏光子１８４をワイヤーグリッド偏光子とすることが好ましい。
【0057】
液晶材料層１７０は、電気光学基板１００の配向膜１６３と対向基板１８０の配向膜１８３とに挟まれている。無電界時の液晶分子１７１の配向状態は、配向膜１６３，１８３によって規定される。液晶表示装置１は、例えば垂直配向（ＶＡ）型の液晶表示装置である。
【0058】
以上、液晶表示装置１の構造について詳しく説明した。ここで、本開示の理解を助けるため、参考例の液晶表示装置の構成およびその課題について説明する。
【0059】
図１０は、参考例の液晶表示装置に入射する光の様子を説明するための模式的な一部断面図である。
【0060】
参考例の液晶表示装置９は、液晶表示装置１の偏光子１５０を省略し、支持基材１０１の裏面に偏光子９５０を配したといった構成である。偏光子９５０と偏光子１８４はクロスニコル状態に配置されている。図示せぬ光源部から液晶表示装置９に入射する光は完全な平行光ではなく、例えば±１０度程度の範囲の角度を有している。対向基板１８０に入射した光は、導光部ＬＧをそのまま通過する場合（図１０に示す光線Ａ）と、導光部ＬＧの壁面で全反射した後に通過する場合（図１０に示す光線Ｂ）とがある。
【0061】
界面等で反射する光には、グース・ヘンシェンシフトと呼ばれる位相シフトが生ずる。このため、導波路内を反射することなく通過する光線Ａと、界面等で反射して通過する光線Ｂとの間には、位相の差が生ずる。
【0062】
図１１は、参考例の液晶表示装置が黒表示状態であるときに導光部を通過する光の様子を説明するための模式的な一部断面図である。
【0063】
液晶表示装置９が黒表示状態であるとき、液晶材料層１７０は透過する光に対して位相差を生じさせない。偏光子１８４と偏光子９５０はクロスニコル状態であるので、導光部ＬＧを通過する光線Ａおよび光線Ｂのいずれもが偏光子９５０を透過しないことが、黒表示状態として望ましい。しかしながら、反射による位相シフトによって光線Ｂは光線Ａに対して位相が変化している。従って、光線Ｂの一部は偏光子９５０を透過する。このことは、表示される画像のコントラストを低下させる要因となる。また、光線Ｂが光線Ａに対して位相が変化することは、液晶表示装置９が中間調の表示状態においても本来意図した輝度に対してずれを生じさせる要因となる。コントラストの低下や本来意図した輝度に対してずれを生じさせるといったことは、表示される画像の質を損ねる要因となる。
【0064】
以上、参考例の液晶表示装置の構成およびその課題について説明した。以上の課題に鑑み、本開示の液晶表示装置１にあっては、透明画素電極１６１と導光部ＬＧとの間に、偏光子１５０が配置されている。
【0065】
図１２は、第１の実施形態に係る液晶表示装置に入射する光の様子を説明するための模式的な一部断面図である。
【0066】
この構成によれば、対向基板１８０に入射した光は、偏光子１５０を透過した後に導光部ＬＧに達する。従って、液晶表示装置１が黒表示状態であるとき、光線Ａおよび光線Ｂはいずれも偏光子１５０を透過しない。従って、液晶表示装置９とは異なり、意図した黒表示状態を得ることができる。また、液晶表示装置１が白表示状態である場合、光線Ａと光線Ｂはいずれも偏光子１５０を透過して導光部ＬＧに達する。そして、光線Ｂは位相シフトを生ずるが、このことが表示状態に影響を影響を与えることがない。このように、表示装置１にあっては、界面等で反射する光の位相シフトが表示状態に影響を与えることがない。
【0067】
また、導光部ＬＧにおいて壁面に入射する光はその多くが全反射するので、トランジスタに入射する迷光を軽減することができる。これによって、トランジスタのリークを低減することができる。
【0068】
次いで、液晶表示装置１の製造方法について説明する。
【0069】
図１３ないし図２６は、液晶表示装置１の製造方法を説明するための各種図面である。尚、図１３ないし図２１、図２４および図２６は模式的な平面図であるが、判読性の観点から、これらの図では絶縁層や絶縁膜の表示を省略している。以下、液晶表示装置１の製造方法について詳しく説明する。
【0070】
［工程－１００］（図８、図９、図１３、図１４および図１５参照）
先ず、支持基材上に走査線を形成する。支持基材１０１を準備し、その上に、周知の成膜方法やパターニング方法によって、走査線１１１を形成する（図１３参照）。走査線１１１は、例えば、タングステン（Ｗ）や、Ａｌ－Ｃｕといった金属材料から形成されている。後述する他の配線や電極についても同様である。
先ず、支持基材上に走査線を形成する。支持基材１０１を準備し、その上に、周知の成膜方法やパターニング方法によって、走査線１１１を形成する（図１３参照）。走査線１１１は、例えば、タングステン（Ｗ）や、Ａｌ－Ｃｕといった金属材料から形成されている。後述する他の配線や電極についても同様である。
【0071】
次いで、走査線１１１の上方に薄膜トランジスタＴＲを形成する。走査線１１１上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁膜１１２を形成し、その上に、周知の成膜方法やパターニング方法によって、薄膜トランジスタＴＲを構成する半導体材料層１２１を形成する（図１４参照）。
【0072】
その後、半導体材料層１２１上を含む全面に、例えばシリコン酸化物から成るゲート絶縁膜１２２を形成する。次いで、コンタクト１２３に対応する部分のゲート絶縁膜１２２と絶縁膜１１２とに開口を設ける。その後、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１２３を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、ゲート電極１２４を形成する（図１５参照）。これによって、走査線１１１の上方に薄膜トランジスタＴＲが形成される。次いで、ゲート電極１２４上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁膜１２５を形成する。
【0073】
［工程－１１０］（図８、図９、図１６および図１７参照）
その後、薄膜トランジスタＴＲの上方に、遮光膜１３１を形成する。先ず、コンタクト１２６に対応する部分の絶縁膜１２５などに、半導体材料層１２１が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１２６を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、遮光膜１３１を形成する（図１６参照）。遮光膜１３１は、コンタクト１２６を介して半導体材料層１２１に接続される（図９参照）。
その後、薄膜トランジスタＴＲの上方に、遮光膜１３１を形成する。先ず、コンタクト１２６に対応する部分の絶縁膜１２５などに、半導体材料層１２１が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１２６を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、遮光膜１３１を形成する（図１６参照）。遮光膜１３１は、コンタクト１２６を介して半導体材料層１２１に接続される（図９参照）。
【0074】
次いで、遮光膜１３１の上方に、容量部ＣＳを構成する電極１３２を形成する。遮光膜１３１上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、その上に、周知の成膜方法やパターニング方法によって、電極１３２を形成する（図１７参照）。
【0075】
［工程－１２０］（図８、図９、図１８および図１９参照）
次いで、電極１３２の上方に、信号線１３４を形成する。電極１３２上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、コンタクト１３３に対応する部分に、半導体材料層１２１が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１３３を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、信号線１３４を形成する（図１８参照）。信号線１３４は、コンタクト１３３を介して半導体材料層１２１に接続される（図９参照）。
次いで、電極１３２の上方に、信号線１３４を形成する。電極１３２上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、コンタクト１３３に対応する部分に、半導体材料層１２１が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１３３を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、信号線１３４を形成する（図１８参照）。信号線１３４は、コンタクト１３３を介して半導体材料層１２１に接続される（図９参照）。
【0076】
次いで、信号線１３４の上方に、共通電位線１３６を形成する。信号線１３４上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、コンタクト１３５に対応する部分に、電極１３２が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１３５を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、共通電位線１３６を形成する（図１９参照）。共通電位線１３６は、コンタクト１３５を介して電極１３２に接続される（図８参照）。
【0077】
［工程－１３０］（図８、図９、図２０参照）
次いで、共通電位線１３６の上方に、中継電極１３８を形成する。共通電位線１３６上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、コンタクト１３７に対応する部分に、遮光膜１３１が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１３７を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、中継電極１３８を形成する（図２０参照）。中継電極１３８は、コンタクト１３７を介して遮光膜１３１に接続される（図８参照）。
次いで、共通電位線１３６の上方に、中継電極１３８を形成する。共通電位線１３６上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、コンタクト１３７に対応する部分に、遮光膜１３１が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１３７を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、中継電極１３８を形成する（図２０参照）。中継電極１３８は、コンタクト１３７を介して遮光膜１３１に接続される（図８参照）。
【0078】
［工程－１４０］（図７、図２１、図２２Ａ、図２２Ｂ、図２３Ａおよび図２３Ｂ参照）
次いで、導光部ＬＧを形成する。中継電極１３８上を含む全面に、例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、例えば中継電極１３８が露出するように平坦化を施す（図２２Ａ参照）。次いで、図２１に示す透光性材料１４０を埋め込むべき部分に開口ＯＰを設ける（図２２Ｂ参照）。
次いで、導光部ＬＧを形成する。中継電極１３８上を含む全面に、例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、例えば中継電極１３８が露出するように平坦化を施す（図２２Ａ参照）。次いで、図２１に示す透光性材料１４０を埋め込むべき部分に開口ＯＰを設ける（図２２Ｂ参照）。
【0079】
その後、透光性材料１４０として全面に例えばシリコン酸窒化物を成膜等して、開口ＯＰ内を埋め込む（図２３Ａ参照）。次いで、例えば中継電極１３８が露出するように平坦化を施す。その後、全面に、例えばシリコン酸化物から成る絶縁膜１３０Ａを形成する（図２３Ｂ参照）。以上の工程によって、導光部ＬＧを得ることができる。
【0080】
［工程－１５０］（図７、図２４、図２５Ａ、図２５Ｂ、図２５Ｃ、図２５Ｄ、図２５Ｅおよび図２５Ｆ参照）
次いで、導光部ＬＧの上方に、偏光子１５０を形成する。先ず、絶縁膜１３０Ａの上に
、例えばアルミニウム（Ａｌ）から成る金属膜１５１Ａを成膜する（図２５Ａ参照）。その後、その上にレジストをパターニングしてマスク１５２を形成する（図２５Ｂ参照）。
次いで、例えばドライエッチング法を用いて、金属膜１５１Ａをパターニングし、図２４に符号１５０で示す領域に、ナノオーダーの金属ワイヤ１５１が多数並行で配置された状態とする（図２５Ｃ参照）。
次いで、導光部ＬＧの上方に、偏光子１５０を形成する。先ず、絶縁膜１３０Ａの上に
、例えばアルミニウム（Ａｌ）から成る金属膜１５１Ａを成膜する（図２５Ａ参照）。その後、その上にレジストをパターニングしてマスク１５２を形成する（図２５Ｂ参照）。
次いで、例えばドライエッチング法を用いて、金属膜１５１Ａをパターニングし、図２４に符号１５０で示す領域に、ナノオーダーの金属ワイヤ１５１が多数並行で配置された状態とする（図２５Ｃ参照）。
【0081】
その後、マスク１５２を除去し（図２５Ｄ）、次いで、例えばシリコン酸化物から成る保護膜１５３を形成する（図２５Ｅ）。以上の工程によって、偏光子１５０を形成することができる。尚、ワイヤーグリッド偏光子の消光比は、ワイヤーグリッドの間の物質の屈折率が低いほど高くなる。従って、例えば図２５Ｆに示すように、金属ワイヤ１５１と金属ワイヤ１５１との間にボイド１５４が生ずるように保護膜１５３を形成してもよい。
【0082】
［工程－１６０］（図７、図８、図９および図２６参照）
その後、偏光子１５０の上方に、透明画素電極１６１を形成する。偏光子１５０上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、コンタクト１３９に対応する部分に、中継電極１３８が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１３８を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、透明画素電極１６１を形成する（図２６参照）。透明画素電極１６１には、コンタクト１３９、中継電極１３８およびコンタクト１３７を介して、容量部ＣＳの電極を構成する遮光膜１３１に接続される。
その後、偏光子１５０の上方に、透明画素電極１６１を形成する。偏光子１５０上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、コンタクト１３９に対応する部分に、中継電極１３８が露出する開口を設ける。次いで、開口内に導電材料を埋め込んでコンタクト１３８を形成した後、周知の成膜方法やパターニング方法によって、透明画素電極１６１を形成する（図２６参照）。透明画素電極１６１には、コンタクト１３９、中継電極１３８およびコンタクト１３７を介して、容量部ＣＳの電極を構成する遮光膜１３１に接続される。
【0083】
次いで、透明画素電極１６１上を含む全面に例えばシリコン酸化物から成る平坦化膜１６２を形成した後、更に配向膜１６３を形成する。以上の工程によって、液晶表示装置１に用いられる電気光学基板１００を得ることができる。
【0084】
［工程－１７０］
次いで、例えば石英ガラスから成る矩形状の基材１８１と、基材１８１の一方の面に設けられた対向電極１８２と、対向電極１８２上に設けられた配向膜１８３とを有する対向基板１８０を準備する。そして、液晶材料層１７０を挟んだ状態で電気光学基板１００と対向基板１８０を対向させ、周囲を封止する。その後、基材１８１の他方の面に偏光子１８４を配置することによって、液晶表示装置１を得ることができる。
次いで、例えば石英ガラスから成る矩形状の基材１８１と、基材１８１の一方の面に設けられた対向電極１８２と、対向電極１８２上に設けられた配向膜１８３とを有する対向基板１８０を準備する。そして、液晶材料層１７０を挟んだ状態で電気光学基板１００と対向基板１８０を対向させ、周囲を封止する。その後、基材１８１の他方の面に偏光子１８４を配置することによって、液晶表示装置１を得ることができる。
【0085】
［第２の実施形態］
第２の実施形態も、本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器に関する。
第２の実施形態も、本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器に関する。
【0086】
図２７は、本開示の第２の実施形態に係る液晶表示装置の模式的な一部断面図であって、第１の実施形態で参照した図７に対応する図面である。第２の実施形態に係る液晶表示装置を説明するための模式的な平面図は、図１において液晶表示装置１を液晶表示装置２と読み替えればよい。
【0087】
第１の実施形態に係る液晶表示装置１において、導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいた。これに対し、第２の実施形態に係る液晶表示装置２において、導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる点が相違する。
【0088】
図２８は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の導光部の平面形状を説明するための基材等の模式的な一部平面図である。
【0089】
液晶表示装置２を構成する電気光学基板２００において、導光部ＬＧは、支持基材１０１に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料２４０を含んでいる。遮光性材料２４０は例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属材料から成る。図２８において、遮光性材料２４０で囲まれる領域の中には、配線層１３０に用いられる絶縁層を構成する材料と同じ材料、例えばシリコン酸化物が埋め込まれている。
【0090】
対向基板１８０に入射した光は、偏光子１５０を透過した後に導光部ＬＧに達する。導光部ＬＧの遮光性材料２４０によって反射した光は位相シフトを生ずるが、第１の実施形態において図１２を参照して説明したのと同様に、このことが表示状態に影響を影響を与えることがない。
【0091】
また、図１５と図２８との対比から明らかなように、薄膜トランジスタＴＲは遮光性材料２４０で囲まれる領域外に位置する。従って、薄膜トランジスタＴＲに入射する迷光を軽減することができる。これによって、薄膜トランジスタＴＲのリークを低減することができる。
【0092】
次いで、液晶表示装置２の製造方法について説明する。
【0093】
【0094】
［工程－２００］
先ず、第１の実施形態において説明した［工程－１００］ないし［工程－１３０］と同様の工程を行う。
先ず、第１の実施形態において説明した［工程－１００］ないし［工程－１３０］と同様の工程を行う。
【0095】
［工程－２１０］（図２８、図２９Ａ、図２９Ｂ、図３０Ａおよび図３０Ｂ参照）
次いで、導光部ＬＧを形成する。中継電極１３８上を含む全面に、例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、例えば中継電極１３８が露出するように平坦化を施す。次いで、図２８に示す遮光性材料２４０を形成する壁面が露出するように開口ＯＰを設ける（図２９Ａ参照）。
次いで、導光部ＬＧを形成する。中継電極１３８上を含む全面に、例えばシリコン酸化物から成る絶縁層を形成した後、例えば中継電極１３８が露出するように平坦化を施す。次いで、図２８に示す遮光性材料２４０を形成する壁面が露出するように開口ＯＰを設ける（図２９Ａ参照）。
【0096】
その後、開口ＯＰの壁面に遮光性材料２４０を成膜する（図２９Ｂ参照）。次いで、全面に、例えばシリコン酸化物から成る絶縁膜１３０Ａを形成して開口内も充填する（図３０Ａ参照）。その後、例えば中継電極１３８が露出しない程度に平坦化を施す（図３０Ｂ参照）。以上の工程によって、導光部ＬＧを得ることができる。
【0097】
［工程－２２０］
次いで、第１の実施形態において説明した［工程－１５０］ないし［工程－１７０］と同様の工程を行う。以上の工程によって、液晶表示装置２を得ることができる。
次いで、第１の実施形態において説明した［工程－１５０］ないし［工程－１７０］と同様の工程を行う。以上の工程によって、液晶表示装置２を得ることができる。
【0098】
［第３の実施形態］
第３の実施形態も、本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器に関する。
第３の実施形態も、本開示に係る、電気光学基板、液晶表示装置および電子機器に関する。
【0099】
図３１は、本開示の第３の実施形態に係る液晶表示装置の模式的な一部断面図であって、第１の実施形態で参照した図７に対応する図面である。第２の実施形態に係る液晶表示装置を説明するための模式的な平面図は、図１において液晶表示装置１を液晶表示装置３と読み替えればよい。
【0100】
第１の実施形態に係る液晶表示装置１において、電気光学基板１００の偏光子は、透明画素電極と導光部との間に配置されていた。これに対し、第３の実施形態に係る液晶表示装置３にあっては、電気光学基板の支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている点が相違する。以上の点を除く他は、液晶表示装置１と同様の構成である。
【0101】
インセルで配置されている偏光子１５０において所謂透光比が充分確保できていない場合、表示される画像においてコントラストが低下する。このような場合、支持基材の背面側に更に別の偏光子３５０を配置すると消光比が改善され、コントラストを向上させることができる。尚、第２の実施形態において説明した液晶表示装置２においても、電気光学基板２００の支持基材１０１の背面側に更に別の偏光子３５０を配置する構成とすることもできる。
【0102】
偏光子３５０の構成は特に限定するものではなく、吸収型の偏光子であってもよいし、ワイヤーグリッド偏光子であってもよい。耐熱性が要求される場合には、偏光子３５０をワイヤーグリッド偏光子とすることが好ましい。
【0103】
［電子機器の説明］
以上説明した本開示に係る液晶表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
以上説明した本開示に係る液晶表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
【0104】
本開示の液晶表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス材料等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の液晶表示装置を用いる電子機器の具体例として、投射型表示装置、デジタルスチルカメラ、及び、ヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
【0105】
（具体例１）
図３２は、本開示の液晶表示装置を用いた投射型表示装置の概念図である。投射型表示装置は、光源部４００、照明光学系４１０、液晶表示装置１、液晶表示装置を駆動する画像制御回路４２０、投射光学系４３０、及び、スクリーン４４０などから構成されている。光源部４００は、例えば、キセノンランプ等の各種ランプ、発光ダイオード等の半導体発光素子から構成することができる。照明光学系４１０は光源部４００からの光を液晶表示装置１に導くために用いられ、プリズムやダイクロイックミラーなどの光学素子から構成される。液晶表示装置１はライトバルブとして作用し、投射光学系４３０を介してスクリーン４４０に画像が投射される。
図３２は、本開示の液晶表示装置を用いた投射型表示装置の概念図である。投射型表示装置は、光源部４００、照明光学系４１０、液晶表示装置１、液晶表示装置を駆動する画像制御回路４２０、投射光学系４３０、及び、スクリーン４４０などから構成されている。光源部４００は、例えば、キセノンランプ等の各種ランプ、発光ダイオード等の半導体発光素子から構成することができる。照明光学系４１０は光源部４００からの光を液晶表示装置１に導くために用いられ、プリズムやダイクロイックミラーなどの光学素子から構成される。液晶表示装置１はライトバルブとして作用し、投射光学系４３０を介してスクリーン４４０に画像が投射される。
【0106】
（具体例２）
図３３は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図３３Ａにその正面図を示し、図３３Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）５１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）５１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部５１３を有している。
図３３は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図３３Ａにその正面図を示し、図３３Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）５１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）５１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部５１３を有している。
【0107】
そして、カメラ本体部５１１の背面略中央にはモニタ５１４が設けられている。モニタ５１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）５１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ５１５を覗くことによって、撮影レンズユニット５１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【0108】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ５１５として本開示の液晶表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ５１５として本開示の液晶表示装置を用いることによって作製される。
【0109】
（具体例３）
図３４は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部６１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部６１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部６１１として本開示の液晶表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部６１１として本開示の液晶表示装置を用いることによって作製される。
図３４は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部６１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部６１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部６１１として本開示の液晶表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部６１１として本開示の液晶表示装置を用いることによって作製される。
【0110】
（具体例４）
図３５は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ７１１は、本体部７１２、アーム７１３および鏡筒７１４で構成される。
図３５は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ７１１は、本体部７１２、アーム７１３および鏡筒７１４で構成される。
【0111】
本体部７１２は、アーム７１３および眼鏡７００と接続される。具体的には、本体部７１２の長辺方向の端部はアーム７１３と結合され、本体部７１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡７００と連結される。なお、本体部７１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
【0112】
本体部７１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ７１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム７１３は、本体部７１２と鏡筒７１４とを接続させ、鏡筒７１４を支える。具体的には、アーム７１３は、本体部７１２の端部および鏡筒７１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒７１４を固定する。また、アーム７１３は、本体部７１２から鏡筒７１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。
【0113】
鏡筒７１４は、本体部７１２からアーム７１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ７１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ７１１において、本体部７１２の表示部に、本開示の液晶表示装置を用いることができる。
【0114】
［その他］
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
【0115】
［Ａ１］
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有しており、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
電気光学基板。
［Ａ２］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
上記［Ａ１］に記載の電気光学基板。
［Ａ３］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる、
上記［Ａ１］に記載の電気光学基板。
［Ａ４］
遮光性材料は金属材料から成る、
上記［Ａ３］に記載の電気光学基板。
［Ａ５］
偏光子はワイヤーグリッド偏光子から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ４］のいずれかに記載の電気光学基板。
［Ａ６］
偏光子の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０3以上である、
上記［Ａ５］に記載の電気光学基板。
［Ａ７］
偏光子は電気的にフローティングとされる、
上記［Ａ５］に記載の電気光学基板。
［Ａ８］
偏光子には所定の電圧が印加される、
上記［Ａ５］に記載の電気光学基板。
［Ａ９］
偏光子には透明画素電極に印加される電圧と同じ電圧が印加される、
上記［Ａ８］に記載の電気光学基板。
［Ａ１０］
支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ９］のいずれかに記載の電気光学基板。
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有しており、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
電気光学基板。
［Ａ２］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
上記［Ａ１］に記載の電気光学基板。
［Ａ３］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる、
上記［Ａ１］に記載の電気光学基板。
［Ａ４］
遮光性材料は金属材料から成る、
上記［Ａ３］に記載の電気光学基板。
［Ａ５］
偏光子はワイヤーグリッド偏光子から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ４］のいずれかに記載の電気光学基板。
［Ａ６］
偏光子の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０3以上である、
上記［Ａ５］に記載の電気光学基板。
［Ａ７］
偏光子は電気的にフローティングとされる、
上記［Ａ５］に記載の電気光学基板。
［Ａ８］
偏光子には所定の電圧が印加される、
上記［Ａ５］に記載の電気光学基板。
［Ａ９］
偏光子には透明画素電極に印加される電圧と同じ電圧が印加される、
上記［Ａ８］に記載の電気光学基板。
［Ａ１０］
支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ９］のいずれかに記載の電気光学基板。
【0116】
［Ｂ１］
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、
電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、
を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
液晶表示装置。
［Ｂ２］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
上記［Ｂ１］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ３］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる、
上記［Ｂ１］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ４］
遮光性材料は金属材料から成る、
上記［Ｂ３］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ５］
偏光子はワイヤーグリッド偏光子から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の液晶表示装置。
［Ｂ６］
偏光子の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０3以上である、
上記［Ｂ５］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ７］
偏光子は電気的にフローティングとされる、
上記［Ｂ５］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ８］
偏光子には所定の電圧が印加される、
上記［Ｂ５］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ９］
偏光子には透明画素電極に印加される電圧と同じ電圧が印加される、
上記［Ｂ８］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ１０］
支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ９］のいずれかに記載の液晶表示装置。
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、
電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、
を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
液晶表示装置。
［Ｂ２］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
上記［Ｂ１］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ３］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる、
上記［Ｂ１］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ４］
遮光性材料は金属材料から成る、
上記［Ｂ３］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ５］
偏光子はワイヤーグリッド偏光子から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の液晶表示装置。
［Ｂ６］
偏光子の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０3以上である、
上記［Ｂ５］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ７］
偏光子は電気的にフローティングとされる、
上記［Ｂ５］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ８］
偏光子には所定の電圧が印加される、
上記［Ｂ５］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ９］
偏光子には透明画素電極に印加される電圧と同じ電圧が印加される、
上記［Ｂ８］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ１０］
支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ９］のいずれかに記載の液晶表示装置。
【0117】
［Ｃ１］
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、
電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、
を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
液晶表示装置を備えた電子機器。
［Ｃ２］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ３］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ４］
遮光性材料は金属材料から成る、
上記［Ｃ３］に記載の電子機器。
［Ｃ５］
偏光子はワイヤーグリッド偏光子から成る、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ６］
偏光子の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０3以上である、
上記［Ｃ５］に記載の電子機器。
［Ｃ７］
偏光子は電気的にフローティングとされる、
上記［Ｃ５］に記載の電子機器。
［Ｃ８］
偏光子には所定の電圧が印加される、
上記［Ｃ５］に記載の電子機器。
［Ｃ９］
偏光子には透明画素電極に印加される電圧と同じ電圧が印加される、
上記［Ｃ８］に記載の電子機器。
［Ｃ１０］
支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ９］のいずれかに記載の電子機器。
支持基材と支持基材の前面側にマトリクス状に配置された透明画素電極とを有する電気光学基板と、
電気光学基板と対向するように配置された対向基板と、
電気光学基板と対向基板との間に封入された液晶材料層と、
を含んでおり、
各透明画素電極に対応した導光部が透明画素電極の裏面側に設けられており、
導光部と透明画素電極との間には偏光子が配置されている、
液晶表示装置を備えた電子機器。
［Ｃ２］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、その壁面が相対的に屈折率の低い材料と接するように配置されている透光性材料を含んでいる、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ３］
導光部は、支持基材に対して法線方向に延在すると共に、導光領域に位置する透光性材料の壁面を囲むように配置された遮光性材料を含んでいる、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ４］
遮光性材料は金属材料から成る、
上記［Ｃ３］に記載の電子機器。
［Ｃ５］
偏光子はワイヤーグリッド偏光子から成る、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ６］
偏光子の透過方向の透過率と透過方向と直交する方向の透過率の比は、波長５５０ナノメートルの光に対して３×１０3以上である、
上記［Ｃ５］に記載の電子機器。
［Ｃ７］
偏光子は電気的にフローティングとされる、
上記［Ｃ５］に記載の電子機器。
［Ｃ８］
偏光子には所定の電圧が印加される、
上記［Ｃ５］に記載の電子機器。
［Ｃ９］
偏光子には透明画素電極に印加される電圧と同じ電圧が印加される、
上記［Ｃ８］に記載の電子機器。
［Ｃ１０］
支持基材の背面側に更に別の偏光子が配置されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ９］のいずれかに記載の電子機器。
【符号の説明】
【0118】
１，２，３，９・・・液晶表示装置、１１・・・水平駆動回路、１２・・・垂直駆動回路、１００・・・電気光学基板、１０１・・・支持基材、１１１・・・走査線、１１２・・・絶縁膜、１２１・・・半導体材料層、１２２・・・ゲート絶縁膜、１２３・・・コンタクト、１２４・・・ゲート電極、１２５・・・絶縁膜、１２６・・・コンタクト、１３０・・・配線層、１３０Ａ・・・配線層を構成する種々の絶縁層、１３１・・・遮光膜、１３２・・・電極、１３３・・・コンタクト、１３４・・・信号線、１３５・・・コンタクト、１３６・・・共通電位線、１３７・・・コンタクト、１３８・・・中継電極、１３９・・・コンタクト、１５０・・・偏光子、１５１Ａ・・・金属膜、１５１・・・ワイヤーグリッド、１５２・・・マスク、１５３・・・保護膜、１５４・・・ボイド、１６１・・・透明画素電極、１６２・・・平坦化膜、１６３・・・配向膜、１７０・・・液晶材料層、１７１・・・液晶分子、１８０・・・対向基板、１８１・・・基材、１８２・・・対向電極、１８３・・・配向膜、１８４・・・偏光子、ＳＨＡ・・・遮光領域、ＬＧ・・・導光部、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・信号線、ＰＸ・・・画素、ＴＲ・・・薄膜トランジスタ、ＣＳ・・・容量部、２００・・・電気光学基板、２４０・・・遮光性材料、３００・・・電気光学基板、３５０・・・偏光子、９５０・・・偏光子、４００・・・光源部、４１０・・・照明光学系、４２０・・・画像制御回路、４３０・・・投射光学系、４４０・・・スクリーン、５１１・・・カメラ本体部、５１２・・・撮影レンズユニット、５１３・・・グリップ部、５１４・・・モニタ、５１５・・・ビューファインダ、６１１・・・眼鏡形の表示部、６１２・・・耳掛け部、７００・・・眼鏡、７１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、７１２・・・本体部、７１３・・・アーム、７１４・・・鏡筒
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】