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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-02
(45)【発行日】2024-12-10
(54)【発明の名称】放射線撮像装置
(51)【国際特許分類】
G01T 7/00 20060101AFI20241203BHJP
G01T 1/20 20060101ALI20241203BHJP
A61B 6/42 20240101ALI20241203BHJP
【ＦＩ】
G01T7/00 A
G01T1/20 E
G01T1/20 G
G01T1/20 L
A61B6/42 500S
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2021094849
(22)【出願日】2021-06-07
(65)【公開番号】P2022187050
(43)【公開日】2022-12-19
【審査請求日】2024-05-16
(73)【特許権者】
【識別番号】000001270
【氏名又は名称】コニカミノルタ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001254
【氏名又は名称】弁理士法人光陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】宇都宮 浩
【審査官】坂上 大貴
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１０－０７１７２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－０７７６１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－０４５６４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１８４４０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－３００７０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２０／００６４５０１（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｔ １／００－１／１６
１／１６７－７／１２
Ａ６１Ｂ ６／００－６／１４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の半導体素子が二次元状に分布するように配列された撮像面を有するセンサーパネルと、アンテナを有し、他の装置との間で無線通信を行う通信部と、
前記撮像面に沿って広がり、前記アンテナが発した電磁波を反射する導体層と、を備え、
前記電磁波の波長λと、前記アンテナから前記導体層を含む平面までの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている放射線撮像装置。
【請求項2】
前記センサーパネルは、シンチレーターと、前記シンチレーターを被覆して当該シンチレーターへの湿気の到達を防ぐ防湿層と、を有しており、前記防湿層は、前記導体層を兼ねている請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項3】
前記センサーパネルは、可撓性を有している請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項4】
前記防湿層は、アルミ箔である請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項5】
前記通信部は、２．４ＧＨｚ帯の前記電磁波を用いて無線通信を行う請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の放射線撮像装置。
【請求項6】
前記通信部は、５ＧＨｚ帯の前記電磁波を用いて無線通信を行う請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の放射線撮像装置。
【請求項7】
前記アルミ箔の厚さは、１０ｕｍ以上である請求項４に記載の放射線撮像装置。
【請求項8】
前記通信部は、２．４ＧＨｚ帯の前記電磁波を用いた無線ＬＡＮに接続可能である請求項５に記載の放射線撮像装置。
【請求項9】
前記通信部は、５ＧＨｚ帯の前記電磁波を用いた無線ＬＡＮに接続可能である請求項６に記載の放射線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、放射線撮像装置に関する。
【背景技術】
【0002】
可搬型の放射線撮像装置（例えば、Flat Panel Detector：ＦＰＤ）は、生成した放射線画像の画像データを他の装置へ転送する無線通信機能を有している、すなわち、通信のための電磁波を発するアンテナを備えていることが多い。こうした放射線撮像装置を用いて、より遠くにある装置へ画像データを転送するためには、アンテナが発する電磁波の出力を大きくする必要がある。
一方、こうした放射線撮像装置は、被検者と接触した状態で用いられることが多い。このため、被検者は、アンテナが電磁波を発する際にアンテナの近傍で生じる電磁波を吸収し易い状況に置かれることになる。強い電磁波は人体に悪影響を及ぼすため、無線通信機能を有する放射線撮像装置は、人体が電磁波を吸収する尺度である比吸収率（Specific Absorption Rate：以下ＳＡＲ）が、定められた規制値を超えないように構成されている必要がある。
従来、こうした電磁波の出力増大とＳＡＲの低減とを両立するための手段として、例えば特許文献１に記載されているような積層軟磁性部材を放射線撮像装置に組み込むことが行われている。
一方、こうした放射線撮像装置は、被検者と接触した状態で用いられることが多い。このため、被検者は、アンテナが電磁波を発する際にアンテナの近傍で生じる電磁波を吸収し易い状況に置かれることになる。強い電磁波は人体に悪影響を及ぼすため、無線通信機能を有する放射線撮像装置は、人体が電磁波を吸収する尺度である比吸収率（Specific Absorption Rate：以下ＳＡＲ）が、定められた規制値を超えないように構成されている必要がある。
従来、こうした電磁波の出力増大とＳＡＲの低減とを両立するための手段として、例えば特許文献１に記載されているような積層軟磁性部材を放射線撮像装置に組み込むことが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００４－３０３８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に記載されたような従来のＳＡＲの低減技術で用いられる積層軟磁性部材は、アンテナの近傍に生じる電界を低減するための専用の部品である。
こうした専用の部品を放射線撮像装置に新たに組み込むと、放射線撮像装置の重量が従来に比べて増加してしまうという問題が生じる。
また、専用の部品を新たに組み込むと、放射線撮像装置内のスペースの減少（装置の大型化、設計の自由度低下）、製造コストの増加といった問題も生じる。
こうした専用の部品を放射線撮像装置に新たに組み込むと、放射線撮像装置の重量が従来に比べて増加してしまうという問題が生じる。
また、専用の部品を新たに組み込むと、放射線撮像装置内のスペースの減少（装置の大型化、設計の自由度低下）、製造コストの増加といった問題も生じる。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、放射線撮像装置が備えるアンテナの近傍で生じる電界を、新たな部品を追加することなく低減できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するため、本発明に係る放射線撮像装置は、
複数の半導体素子が二次元状に分布するように配列された撮像面を有するセンサーパネルと、
アンテナを有し、他の装置との間で無線通信を行う通信部と、
前記撮像面に沿って広がり、前記アンテナが発した電磁波を反射する導体層と、を備え、
前記電磁波の波長λと、前記アンテナから前記導体層を含む平面までの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
複数の半導体素子が二次元状に分布するように配列された撮像面を有するセンサーパネルと、
アンテナを有し、他の装置との間で無線通信を行う通信部と、
前記撮像面に沿って広がり、前記アンテナが発した電磁波を反射する導体層と、を備え、
前記電磁波の波長λと、前記アンテナから前記導体層を含む平面までの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
【発明の効果】
【0007】
導体層は、多くの場合、放射線撮像装置が従来備えている。
このため、本発明によれば、放射線撮像装置が備えるアンテナの近傍で生じる電界を、新たな部品を追加することなく低減することができる。
このため、本発明によれば、放射線撮像装置が備えるアンテナの近傍で生じる電界を、新たな部品を追加することなく低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の第一～第四実施形態に係る放射線撮像装置の分解斜視図である。
【図2】第一実施形態に係る放射線撮像装置の断面図である。
【図3】電磁波を低減する仕組みを説明するグラフである。
【図4】第一実施形態の変形例に係る放射線撮像装置の断面図である。
【図5】第二実施形態に係る放射線撮像装置の断面図である。
【図6】第三実施形態に係る放射線撮像装置の断面図である。
【図7】第四実施形態に係る放射線撮像装置が備えるセンサーパネルの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は、図面に図示されたものに限定されるものではない。
【0010】
＜１．第一実施形態＞
まず、本発明の第一実施形態について説明する。
まず、本発明の第一実施形態について説明する。
【0011】
始めに、本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００）の概略構成について説明する。
図１は撮像装置１００の分解斜視図、図２は撮像装置の断面図（撮像装置１００の厚さ方向に沿って切断した場合）、図３は電磁波を低減する仕組みを説明するグラフである。
図１は撮像装置１００の分解斜視図、図２は撮像装置の断面図（撮像装置１００の厚さ方向に沿って切断した場合）、図３は電磁波を低減する仕組みを説明するグラフである。
【0012】
撮像装置１００は、受けた放射線の線量分布に応じた放射線画像を生成するためのものである。
撮像装置１００は、例えば図１に示すように、筐体１１０と、内部モジュール１２０と、を備えている。
本実施形態に係る撮像装置１００は、各種スイッチ（電源スイッチ、操作スイッチ等）、インジケーター等を備えている。
撮像装置１００は、例えば図１に示すように、筐体１１０と、内部モジュール１２０と、を備えている。
本実施形態に係る撮像装置１００は、各種スイッチ（電源スイッチ、操作スイッチ等）、インジケーター等を備えている。
【0013】
［１－１．筐体］
筐体１１０は、内部モジュール１２０を収納するためのものである。
本実施形態に係る筐体１１０は、矩形のパネル状をしている。すなわち、本実施形態に係る撮像装置１００は、可搬型のものとなっている。
また、筐体１１０は、箱体１と、蓋体２と、を備えている。
筐体１１０は、内部モジュール１２０を収納するためのものである。
本実施形態に係る筐体１１０は、矩形のパネル状をしている。すなわち、本実施形態に係る撮像装置１００は、可搬型のものとなっている。
また、筐体１１０は、箱体１と、蓋体２と、を備えている。
【0014】
〔１－１－１．箱体〕
箱体１は、前面部１１を有している。
また、本実施形態に係る箱体１は、側面部１２を更に有している。
本実施形態に係る前面部１１及び側面部１２は一体に形成されている。
なお、前面部１１と側面部１２とは別部材であってもよい。
箱体１は、前面部１１を有している。
また、本実施形態に係る箱体１は、側面部１２を更に有している。
本実施形態に係る前面部１１及び側面部１２は一体に形成されている。
なお、前面部１１と側面部１２とは別部材であってもよい。
【0015】
（前面部）
前面部１１は、矩形の平板状に形成されている。
また、前面部１１の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の放射線入射面１１ａ（前面）となる。
本実施形態に係る前面部１１は、矩形板状に形成されている。
前面部１１は、矩形の平板状に形成されている。
また、前面部１１の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の放射線入射面１１ａ（前面）となる。
本実施形態に係る前面部１１は、矩形板状に形成されている。
【0016】
前面部１１は、放射線の透過を邪魔しない材料で形成されている。
放射線の透過を邪魔しない材料の具体例としては、炭素繊維強化樹脂（Carbon Fiber Reinforced Plastic：ＣＦＲＰ）、ガラス繊維強化樹脂（Glass Fiber Reinforced Plastic：ＧＦＲＰ）、ＡｌやＭｇ等の軽金属等が挙げられる
放射線の透過を邪魔しない材料の具体例としては、炭素繊維強化樹脂（Carbon Fiber Reinforced Plastic：ＣＦＲＰ）、ガラス繊維強化樹脂（Glass Fiber Reinforced Plastic：ＧＦＲＰ）、ＡｌやＭｇ等の軽金属等が挙げられる
【0017】
（側面部）
側面部１２は、前面部１１の周縁部から、放射線入射面１１ａと直交する方向であって前面部１１から離れる方向に延設されている。
また、側面部１２の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の側面となる。
側面部１２は、前面部１１の周縁部から、放射線入射面１１ａと直交する方向であって前面部１１から離れる方向に延設されている。
また、側面部１２の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の側面となる。
【0018】
〔１－１－２．蓋体〕
蓋体２は、背面部２１を有している。
本実施形態に係る蓋体２は、全体が背面部２１となっている。
本実施形態に係る背面部２１は、前面部１１と略等しい矩形に形成されている。
背面部２１を形成する材質の具体例としては、炭素繊維強化樹脂、ガラス繊維強化樹脂、ＡｌやＭｇ等の軽金属等が含まれる。
なお、背面部２１は、箱体１と同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
蓋体２は、背面部２１を有している。
本実施形態に係る蓋体２は、全体が背面部２１となっている。
本実施形態に係る背面部２１は、前面部１１と略等しい矩形に形成されている。
背面部２１を形成する材質の具体例としては、炭素繊維強化樹脂、ガラス繊維強化樹脂、ＡｌやＭｇ等の軽金属等が含まれる。
なお、背面部２１は、箱体１と同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
【0019】
背面部２１は、内部モジュール１２０を挟んで箱体１の前面部１１と対向するとともに当該前面部１１と平行に広がるように配置されている。
このため、背面部２１の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の背面となる。
また、背面部２１は、箱体１の側面部１２に当接するとともに側面部１２に取り付けられている。
本実施形態に係る蓋体２は、箱体１の側面部１２にネジ止めされている。
このため、背面部２１の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の背面となる。
また、背面部２１は、箱体１の側面部１２に当接するとともに側面部１２に取り付けられている。
本実施形態に係る蓋体２は、箱体１の側面部１２にネジ止めされている。
【0020】
〔１－１－３．筐体その他〕
なお、図１には、側面部１２が前面部１１と一体形成された筐体１１０（箱体１）を例示したが、筐体１１０は、側面部１２が背面部２１と一体になったものであってもよいし、前面部１１、側面部１２及び背面部２１がそれぞれ別々の部材となっているものであってもよい。
また、前面部１１と背面部２１の両方が側面部を備えたものであってもよい。
また、図１には、箱体１と蓋体２とを備える筐体１１０を例示したが、前面部１１と、背面部２１と、前面部１１の両端と背面部２１の両端とをそれぞれつなぐ一対の側面部１２と、を有し筒状に形成された筒体と、筒体の開口部を閉塞する蓋体と、を備えたものであってもよい。
なお、図１には、側面部１２が前面部１１と一体形成された筐体１１０（箱体１）を例示したが、筐体１１０は、側面部１２が背面部２１と一体になったものであってもよいし、前面部１１、側面部１２及び背面部２１がそれぞれ別々の部材となっているものであってもよい。
また、前面部１１と背面部２１の両方が側面部を備えたものであってもよい。
また、図１には、箱体１と蓋体２とを備える筐体１１０を例示したが、前面部１１と、背面部２１と、前面部１１の両端と背面部２１の両端とをそれぞれつなぐ一対の側面部１２と、を有し筒状に形成された筒体と、筒体の開口部を閉塞する蓋体と、を備えたものであってもよい。
【0021】
［１－２．内部モジュール］
内部モジュール１２０は、筐体１１０に収納されている。
内部モジュール１２０は、筐体１１０の前面部１１、背面部２１及び側面部１２のうちの少なくともいずれかの内側表面に固定されている。
内部モジュール１２０の筐体１１０への固定方法には、接着剤を用いた接着、粘着テープを用いた粘着、内側表面に形成された凹部又は凸部への嵌合、内側表面に形成された係合部への係合等が含まれる。
内部モジュール１２０は、筐体１１０に収納されている。
内部モジュール１２０は、筐体１１０の前面部１１、背面部２１及び側面部１２のうちの少なくともいずれかの内側表面に固定されている。
内部モジュール１２０の筐体１１０への固定方法には、接着剤を用いた接着、粘着テープを用いた粘着、内側表面に形成された凹部又は凸部への嵌合、内側表面に形成された係合部への係合等が含まれる。
【0022】
内部モジュール１２０は、図２に示すように、センサーパネル３と、第一シールド層４と、基台５と、電子部品６と、導体層Ｌと、を備えている。
また、本実施形態に係る内部モジュール１２０は、放射線減弱層７と、第二シールド層８と、を更に備えている。
各部３～８，Ｌは、図示しないスペーサーや、粘着材等によって、筐体１１０内に固定されている。
また、本実施形態に係る内部モジュール１２０は、放射線減弱層７と、第二シールド層８と、を更に備えている。
各部３～８，Ｌは、図示しないスペーサーや、粘着材等によって、筐体１１０内に固定されている。
【0023】
〔１－２－１．センサーパネル〕
本実施形態に係るセンサーパネル３は、波長変換部３１と、光電変換部３２と、防湿層３３と、を備えている。
本実施形態に係るセンサーパネル３は、波長変換部３１と、光電変換部３２と、防湿層３３と、を備えている。
【0024】
（波長変換部）
波長変換部３１は、放射線を可視光等に変換するためのものである。
本実施形態に係る波長変換部３１は、シンチレーター３１１を有している。
シンチレーター３１１は、蒸着用基板と、蛍光体層と、を有している。
波長変換部３１は、放射線を可視光等に変換するためのものである。
本実施形態に係る波長変換部３１は、シンチレーター３１１を有している。
シンチレーター３１１は、蒸着用基板と、蛍光体層と、を有している。
【0025】
蒸着用基板は、蛍光体層を支持するためのものである。
本実施形態に係る蒸着用基板は、筐体１１０の放射線入射面１１ａよりも一回り小さい矩形板状に形成されている。
本実施形態に係る蒸着用基板は、筐体１１０の放射線入射面１１ａよりも一回り小さい矩形板状に形成されている。
【0026】
蛍光体層は、蛍光体で、蒸着用基板における、筐体１１０の前面部１１が存在する側と反対側の面全体に膜状に形成されている。
蛍光体は、α線、γ線、Ｘ線等の電離放射線が照射されたときに原子が励起されることにより発光する物質のことである。すなわち、蛍光体は、放射線を紫外線や可視光に変換するものである。
蛍光体には、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の柱状結晶等が含まれる。
なお、蛍光体層は、後述する光電変換部３２の表面に形成されていてもよい。その場合、蒸着用基板は不要である。
蛍光体は、α線、γ線、Ｘ線等の電離放射線が照射されたときに原子が励起されることにより発光する物質のことである。すなわち、蛍光体は、放射線を紫外線や可視光に変換するものである。
蛍光体には、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の柱状結晶等が含まれる。
なお、蛍光体層は、後述する光電変換部３２の表面に形成されていてもよい。その場合、蒸着用基板は不要である。
【0027】
（防湿層）
防湿層３３は、前記シンチレーター３１１を被覆して当該シンチレーター３１１への湿気の到達を防ぐものである。
防湿層３３は、シンチレーター３１１の前面を被覆する部分と、側面を被覆する部分を有している。
防湿層３３の前面を被覆する部分は、撮像面３２１ａに沿って広がっている。
本実施形態に係る防湿層３３は、アルミ箔である。
アルミニウムは、周囲から到達した（アンテナ６５ｂが発した）電磁波を反射する。
このため、本実施形態に係る防湿層３３は、導体層Ｌを兼ねていることになる。
防湿層３３は、前記シンチレーター３１１を被覆して当該シンチレーター３１１への湿気の到達を防ぐものである。
防湿層３３は、シンチレーター３１１の前面を被覆する部分と、側面を被覆する部分を有している。
防湿層３３の前面を被覆する部分は、撮像面３２１ａに沿って広がっている。
本実施形態に係る防湿層３３は、アルミ箔である。
アルミニウムは、周囲から到達した（アンテナ６５ｂが発した）電磁波を反射する。
このため、本実施形態に係る防湿層３３は、導体層Ｌを兼ねていることになる。
【0028】
また、本実施形態に係る防湿層３３（アルミ箔）の厚さは、９ｕｍ以上である。
厚さ９ｕｍ以上のアルミ箔は、１．０ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下の透湿度を有する。このため、こうすることで、シンチレーター３１１を十分に防湿することができる。
なお、防湿層３３の厚さは、１０ｕｍ以上であってもよい。アルミニウムは、電気抵抗率が低いため、こうすることで、電磁波を９９％以上反射することができる。
すなわち、本実施形態に係る防湿層３３は、導体層Ｌひいては撮像装置１００を軽量化しつつ、電磁波の確実な反射と、シンチレーターの防湿を両立することができる。
厚さ９ｕｍ以上のアルミ箔は、１．０ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下の透湿度を有する。このため、こうすることで、シンチレーター３１１を十分に防湿することができる。
なお、防湿層３３の厚さは、１０ｕｍ以上であってもよい。アルミニウムは、電気抵抗率が低いため、こうすることで、電磁波を９９％以上反射することができる。
すなわち、本実施形態に係る防湿層３３は、導体層Ｌひいては撮像装置１００を軽量化しつつ、電磁波の確実な反射と、シンチレーターの防湿を両立することができる。
【0029】
このように構成された波長変換部３１は、蒸着用基板を筐体１１０の前面部１１が存在する方へ向けるとともに、筐体１１０の放射線入射面１１ａと平行に広がるように配置されている。
このように構成された波長変換部３１は、放射線を受けた領域が、受けた放射線の線量に応じた強度で発光する。
なお、波長変換部３１は、蒸着用基板を含めた全体が可撓性を有していてもよい。
このように構成された波長変換部３１は、放射線を受けた領域が、受けた放射線の線量に応じた強度で発光する。
なお、波長変換部３１は、蒸着用基板を含めた全体が可撓性を有していてもよい。
【0030】
（光電変換部）
光電変換部３２は、光を電気信号に変換するためのものである。
光電変換部３２は、波長変換部３１の、基台５が存在する側に配置されている。
光電変換部３２は、光を電気信号に変換するためのものである。
光電変換部３２は、波長変換部３１の、基台５が存在する側に配置されている。
【0031】
光電変換部３２は、基板３２１と、複数の半導体素子３２２（図１参照）と、を有している。
また、本実施形態に係る光電変換部３２は、図示しない複数の走査線と、複数の信号線と、複数のスイッチ素子と、複数のバイアス線と、有している。
また、本実施形態に係る光電変換部３２は、図示しない複数の走査線と、複数の信号線と、複数のスイッチ素子と、複数のバイアス線と、有している。
【0032】
本実施形態に係る基板３２１は、波長変換部３１の輪郭よりも一回り大きい矩形板状に形成されている。
そして、基板３２１は、波長変換部３１と平行に広がるように配置されている。
そして、基板３２１は、波長変換部３１と平行に広がるように配置されている。
【0033】
本実施形態に係る複数の走査線は、基板３２１の表面に、等間隔且つ互いに平行に延びるように形成されている。
本実施形態に係る複数の信号線は、基板３２１における走査線が設けられた面に、等間隔且つ走査線と直交するように形成されている。
すなわち、本実施形態に係る基板３２１の表面は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域を有する。
本実施形態に係る複数の信号線は、基板３２１における走査線が設けられた面に、等間隔且つ走査線と直交するように形成されている。
すなわち、本実施形態に係る基板３２１の表面は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域を有する。
【0034】
複数の半導体素子３２２は、それぞれ受けた光の強度に応じた量の電荷を発生させる。
また、複数の半導体素子３２２は、図１に示したように、基板３２１における走査線及び信号線が設けられた面に二次元状に分布するように配列されている。
具体的には、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域内にそれぞれ配置されている。
このため、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、マトリクス（行列）状に配列される。
また、複数の半導体素子３２２は、図１に示したように、基板３２１における走査線及び信号線が設けられた面に二次元状に分布するように配列されている。
具体的には、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域内にそれぞれ配置されている。
このため、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、マトリクス（行列）状に配列される。
【0035】
また、各矩形領域内には、スイッチ素子がそれぞれ設けられている。
本実施形態に係るスイッチ素子は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成されている。
各スイッチ素子は、ゲートが走査線に、ソースが信号線に、ドレインが半導体素子に、それぞれ接続されている。
以下、基板３２１における、複数の半導体素子３２２が形成された面を撮像面３２１ａと称する。
本実施形態に係るスイッチ素子は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成されている。
各スイッチ素子は、ゲートが走査線に、ソースが信号線に、ドレインが半導体素子に、それぞれ接続されている。
以下、基板３２１における、複数の半導体素子３２２が形成された面を撮像面３２１ａと称する。
【0036】
このように構成された光電変換部３２は、撮像面３２１ａを波長変換部３１が存在する方へ向けるとともに、図２に示したように、波長変換部３１と平行に広がるように配置されている。
本実施形態に係る光電変換部３２は、撮像面３２１ａが波長変換部３１に貼り付けられている。
本実施形態に係る光電変換部３２は、撮像面３２１ａが波長変換部３１に貼り付けられている。
【0037】
〔１－２－２．放射線減弱層〕
放射線減弱層７は、放射線の後方散乱線を吸収するとともに、前方からの放射線が電子部品６へ到達するのを抑制するためのものである。
本実施形態に係る放射線減弱層７は、鉛で、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、放射線減弱層７は、鉛以外の材料、すなわち、タングステン、モリブデン等で形成されていてもよい。
本実施形態に係る放射線減弱層７の厚さ（放射線入射面１１ａと直交する方向の幅）は、７０～９０μｍの範囲内であり、８０μｍとなっているのが好ましい。
放射線減弱層７は、放射線の後方散乱線を吸収するとともに、前方からの放射線が電子部品６へ到達するのを抑制するためのものである。
本実施形態に係る放射線減弱層７は、鉛で、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、放射線減弱層７は、鉛以外の材料、すなわち、タングステン、モリブデン等で形成されていてもよい。
本実施形態に係る放射線減弱層７の厚さ（放射線入射面１１ａと直交する方向の幅）は、７０～９０μｍの範囲内であり、８０μｍとなっているのが好ましい。
【0038】
本実施形態に係る放射線減弱層７は、センサーパネル３（光電変換部３２）と基台５との間に、センサーパネル３と平行に広がるように配置されている。
また、本実施形態に係る放射線減弱層７は、センサーパネル３における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５におけるセンサーパネル３が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
なお、放射線減弱層７は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
また、本実施形態に係る放射線減弱層７は、センサーパネル３における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５におけるセンサーパネル３が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
なお、放射線減弱層７は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
【0039】
〔１－２－３．第一シールド層〕
第一シールド層４は、電子部品６が発生させた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第一シールド層４は、放射線減弱層７よりも導電率が高い導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第一シールド層４は、アルミニウムで、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、第一シールド層４は、アルミニウム以外の材料、すなわち、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、
チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、カーボン・ナノ・チューブ、フラーレン、ダイヤモンド等で形成されていてもよい。
第一シールド層４は、電子部品６が発生させた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第一シールド層４は、放射線減弱層７よりも導電率が高い導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第一シールド層４は、アルミニウムで、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、第一シールド層４は、アルミニウム以外の材料、すなわち、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、
チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、カーボン・ナノ・チューブ、フラーレン、ダイヤモンド等で形成されていてもよい。
【0040】
また、本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７よりも薄くなっている。
すなわち、放射線減弱層７の厚さは７０～９０μｍの範囲内であったのに対し、本実施形態に係る第一シールド層４の厚さは４０～６０μｍの範囲内であり、５０μｍとなっているのが好ましい。
すなわち、放射線減弱層７の厚さは７０～９０μｍの範囲内であったのに対し、本実施形態に係る第一シールド層４の厚さは４０～６０μｍの範囲内であり、５０μｍとなっているのが好ましい。
【0041】
第一シールド層４は、センサーパネル３と基台５との間に配置されている。
本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７と基台５との間に配置されている。
また、本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５における放射線減弱層７が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
この第一シールド層４の位置は、筐体１１０の厚さ（放射線入射面１１ａから筐体１１０の背面までの距離）を１５ｍｍ程度とした場合、電子部品６から概ね２．７０～２．９０ｍｍ離れたところとなる。
本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７と基台５との間に配置されている。
また、本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５における放射線減弱層７が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
この第一シールド層４の位置は、筐体１１０の厚さ（放射線入射面１１ａから筐体１１０の背面までの距離）を１５ｍｍ程度とした場合、電子部品６から概ね２．７０～２．９０ｍｍ離れたところとなる。
【0042】
なお、第一シールド層４は、センサーパネル３と放射線減弱層７との間に設けられていてもよい。
また、電子部品６を基台５へ取り付ける邪魔にならないようであれば、第一シールド層４は、基台５と電子部品６との間に設けられていてもよい。
また、電子部品６を基台５へ取り付ける邪魔にならないようであれば、第一シールド層４は、基台５と電子部品６との間に設けられていてもよい。
【0043】
また、第一シールド層４は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
また、第一シールド層４は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第一シールド層４は、互いに積層されていてもよいし、異なる部材の間にそれぞれ配置されていてもよい。
また、その場合、複数の第一シールド層４は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少なくとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。
また、第一シールド層４は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第一シールド層４は、互いに積層されていてもよいし、異なる部材の間にそれぞれ配置されていてもよい。
また、その場合、複数の第一シールド層４は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少なくとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。
【0044】
〔１－２－４．第二シールド層〕
第二シールド層８は、電子部品が発生させ撮像面３２１ａ側へ回り込んできた磁気がセンサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第二シールド層８は、導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、アルミニウムで、第一シールド層４と同様の矩形のシート状に形成されている。
なお、第二シールド層８を形成する導電性材料は、第一シールド層４を形成する導電性材料として挙げたアルミニウム以外のものであってもよい。
第二シールド層８は、電子部品が発生させ撮像面３２１ａ側へ回り込んできた磁気がセンサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第二シールド層８は、導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、アルミニウムで、第一シールド層４と同様の矩形のシート状に形成されている。
なお、第二シールド層８を形成する導電性材料は、第一シールド層４を形成する導電性材料として挙げたアルミニウム以外のものであってもよい。
【0045】
第二シールド層８は、センサーパネル３の撮像面３２１ａ側に配置されている。
すなわち、第二シールド層８は、箱体１の前面部１１とセンサーパネル３との間に設けられている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、撮像面３２１ａ及び前面部１１の内側表面の少なくとも一方の面に貼り付けられている。
すなわち、第二シールド層８は、箱体１の前面部１１とセンサーパネル３との間に設けられている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、撮像面３２１ａ及び前面部１１の内側表面の少なくとも一方の面に貼り付けられている。
【0046】
なお、第二シールド層８は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
また、第二シールド層８は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第二シールド層８は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少な
くとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。
また、第二シールド層８は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第二シールド層８は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少な
くとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。
【0047】
〔１－２－５．基台〕
基台５は、センサーパネル３を撮像面３２１ａが存在する側の反対側から支持するものである。
基台５は、筐体１１０の背面部２１とセンサーパネル３との間に配置されている。
基台５は、センサーパネル３を撮像面３２１ａが存在する側の反対側から支持するものである。
基台５は、筐体１１０の背面部２１とセンサーパネル３との間に配置されている。
【0048】
〔１－２－６．電子部品〕
電子部品６は、基台５の、センサーパネル３が存在する側とは反対側に配置され、図示しない基板間束線を介して光電変換部３２とを接続されている。
電子部品６は、走査部６１、読み出し部６２、制御部６３、電源部６４の他、通信部６５を含んでいる。
走査部６１は、各スイッチ素子を制御する回路を有している。
読み出し部６２は、電荷を信号値として読み出す回路を有している。
制御部６３は、各回路を制御して画像データを生成する回路を有している。
電源部６４は、半導体素子に電圧を印加したり、上記回路へ電力を供給したりするための回路を有している。
電子部品６は、基台５の、センサーパネル３が存在する側とは反対側に配置され、図示しない基板間束線を介して光電変換部３２とを接続されている。
電子部品６は、走査部６１、読み出し部６２、制御部６３、電源部６４の他、通信部６５を含んでいる。
走査部６１は、各スイッチ素子を制御する回路を有している。
読み出し部６２は、電荷を信号値として読み出す回路を有している。
制御部６３は、各回路を制御して画像データを生成する回路を有している。
電源部６４は、半導体素子に電圧を印加したり、上記回路へ電力を供給したりするための回路を有している。
【0049】
通信部６５は、他の装置との間で通信を行うためのものである。
通信部６５は、通信回路６５ａと、アンテナ６５ｂと、を有している。
本実施形態に係る通信部６５は、有線通信を行うためのコネクター６５ｃ（図１参照）も有している。
また、本実施形態に係る通信部６５は、２．４ＧＨｚ帯又は５ＧＨｚ帯の電磁波を用いて無線通信を行う。
具体的には、通信部６５は、２．４ＧＨｚ帯又は５ＧＨｚ帯の電磁波を用いた無線ＬＡＮやBluetooth（登録商標）等に接続可能である。
２．４ＧＨｚ帯の電磁波は、Wi-Fi（登録商標）及びBluetoothで用いられるものであり、５ＧＨｚ帯の電磁波は、Wi-Fi専用で用いられるものである。
通信部６５は、通信回路６５ａと、アンテナ６５ｂと、を有している。
本実施形態に係る通信部６５は、有線通信を行うためのコネクター６５ｃ（図１参照）も有している。
また、本実施形態に係る通信部６５は、２．４ＧＨｚ帯又は５ＧＨｚ帯の電磁波を用いて無線通信を行う。
具体的には、通信部６５は、２．４ＧＨｚ帯又は５ＧＨｚ帯の電磁波を用いた無線ＬＡＮやBluetooth（登録商標）等に接続可能である。
２．４ＧＨｚ帯の電磁波は、Wi-Fi（登録商標）及びBluetoothで用いられるものであり、５ＧＨｚ帯の電磁波は、Wi-Fi専用で用いられるものである。
【0050】
［１－３．アンテナ、導体層及び筐体の位置関係］
アンテナ６５ｂは、図２に示したように、筐体１１０に取り付けられている。
図２には、アンテナ６５ｂを筐体１１０の側面部１２に配置した場合を例示したが、アンテナ６５ｂは蓋体２（背面部２１）に配置されていてもよい。
また、アンテナ６５ｂは、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから第二シールド層８（導体層Ｌ）を含む平面Ｐまでの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たすような位置に配置されている。
なお、平面Ｐは、導体層Ｌの表面の場合もあれば、導体層Ｌの表面の延長線上にある場合もある。
また、筐体１１０の前面部１１は、導体層Ｌからの距離が、０～λ／８，３λ／８～５λ／８，又は７λ／８～９λ／８・・の範囲内となる箇所に位置している。
アンテナ６５ｂ、導体層Ｌ及び筐体１１０の前面部１１が上記のような位置関係にあるとき、アンテナ６５ｂが電磁波を発すると、アンテナ６５ｂから導体層Ｌへ向かう電磁波（進行波Ｅ1）と、導体層Ｌで反射した電磁波（反射波Ｅ2）とが干渉して、例えば図３に示すような定常波Ｅとなる。
そして、この定常波の節Ｎ及びその近傍（導体層Ｌからλ／８，３λ／８～５λ／８，７λ／８～９λ／８・・の範囲内）では、電磁波が低減し、筐体１１０の前面部１１は、この電磁波が低減した領域に位置することになる。
アンテナ６５ｂは、図２に示したように、筐体１１０に取り付けられている。
図２には、アンテナ６５ｂを筐体１１０の側面部１２に配置した場合を例示したが、アンテナ６５ｂは蓋体２（背面部２１）に配置されていてもよい。
また、アンテナ６５ｂは、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから第二シールド層８（導体層Ｌ）を含む平面Ｐまでの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たすような位置に配置されている。
なお、平面Ｐは、導体層Ｌの表面の場合もあれば、導体層Ｌの表面の延長線上にある場合もある。
また、筐体１１０の前面部１１は、導体層Ｌからの距離が、０～λ／８，３λ／８～５λ／８，又は７λ／８～９λ／８・・の範囲内となる箇所に位置している。
アンテナ６５ｂ、導体層Ｌ及び筐体１１０の前面部１１が上記のような位置関係にあるとき、アンテナ６５ｂが電磁波を発すると、アンテナ６５ｂから導体層Ｌへ向かう電磁波（進行波Ｅ1）と、導体層Ｌで反射した電磁波（反射波Ｅ2）とが干渉して、例えば図３に示すような定常波Ｅとなる。
そして、この定常波の節Ｎ及びその近傍（導体層Ｌからλ／８，３λ／８～５λ／８，７λ／８～９λ／８・・の範囲内）では、電磁波が低減し、筐体１１０の前面部１１は、この電磁波が低減した領域に位置することになる。
【0051】
なお、通信部６１が２．４ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、λ／８は１５．６ｍｍ程度になる。
撮像装置１００の筐体１１０の厚さは、ＩＳＯ４０９０／ＪＩＳＺ４９０５に基づき、一般に１５ｍｍ程度であることが多いため、２．４ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、距離ｄと波長λが上記関係を満たすためには、多くの場合、筐体１１０の背面（背面部２１）にアンテナ６５ｂを取り付けることになる。
一方、通信部６１が５ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、λ／８は７．５ｍｍ程度になる。
上述したように、撮像装置１００の筐体１１０の厚さは、一般に１５ｍｍ程度であることが多いため、５ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、距離ｄと波長λが上記関係を満たすためには、多くの場合、筐体１１０の側面（側面部１２）にアンテナ６５Ｂ取り付けることになる。
撮像装置１００の筐体１１０の厚さは、ＩＳＯ４０９０／ＪＩＳＺ４９０５に基づき、一般に１５ｍｍ程度であることが多いため、２．４ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、距離ｄと波長λが上記関係を満たすためには、多くの場合、筐体１１０の背面（背面部２１）にアンテナ６５ｂを取り付けることになる。
一方、通信部６１が５ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、λ／８は７．５ｍｍ程度になる。
上述したように、撮像装置１００の筐体１１０の厚さは、一般に１５ｍｍ程度であることが多いため、５ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、距離ｄと波長λが上記関係を満たすためには、多くの場合、筐体１１０の側面（側面部１２）にアンテナ６５Ｂ取り付けることになる。
【0052】
［１－４．第一実施形態その他］
ここまで、防湿層３３と第二シールド層８とが積層された撮像装置１００について説明してきたが、防湿層３３がアルミ箔である（導体層Ｌを兼ねている）場合、撮像装置１００は、例えば図４に示すように、第一，第二シールド層４，８のうち、少なくとも第二シールド層８を備えていなくてもよい（図４には、第二シールド層８のみが無い場合を例示した）。
ここまで、防湿層３３と第二シールド層８とが積層された撮像装置１００について説明してきたが、防湿層３３がアルミ箔である（導体層Ｌを兼ねている）場合、撮像装置１００は、例えば図４に示すように、第一，第二シールド層４，８のうち、少なくとも第二シールド層８を備えていなくてもよい（図４には、第二シールド層８のみが無い場合を例示した）。
【0053】
＜２．第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明の第二実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【0054】
本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００Ａ）は、筐体１１０Ａ及び内部モジュール１２０Ａの構成が、上記第一実施形態と異なっている。
【0055】
［２－１．内部モジュール］
本実施形態に係る内部モジュール１２０Ａは、例えば図５に示すように、第一，第二シールド層４，８のうち、少なくとも一方を備えていない（図５には、第一，第二シールド層４，８が両方無い場合を例示した）。
本実施形態に係る内部モジュール１２０Ａは、例えば図５に示すように、第一，第二シールド層４，８のうち、少なくとも一方を備えていない（図５には、第一，第二シールド層４，８が両方無い場合を例示した）。
【0056】
［２－２．筐体］
本実施形態に係る筐体１１０Ａは、前面部１１Ａ及び背面部２１Ａのうち少なくとも一方が金属で形成されている。
そして、前面部１１Ａ及び背面部２１Ａのうち、金属で形成された部材は、導体層Ｌを兼ねている。すなわち、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから前面部１１又は背面部２１までの距離ｄが０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
なお、前面部１１Ａが金属で形成されている場合、側面部１２Ａも金属で形成されていてもよい。
本実施形態に係る筐体１１０Ａは、前面部１１Ａ及び背面部２１Ａのうち少なくとも一方が金属で形成されている。
そして、前面部１１Ａ及び背面部２１Ａのうち、金属で形成された部材は、導体層Ｌを兼ねている。すなわち、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから前面部１１又は背面部２１までの距離ｄが０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
なお、前面部１１Ａが金属で形成されている場合、側面部１２Ａも金属で形成されていてもよい。
【0057】
［２－３．第二実施形態その他］
本実施形態のように筐体１１０Ａの前面部１１Ａ又は背面部２１Ａが導体層Ｌを兼ねている場合、内部モジュール１２０Ａのセンサーパネル３Ａの波長変換部３１Ａは、防湿層３３を備えていなくてもよい。
この場合、波長変換部３１Ａは、蒸着用基板の反対側から蛍光体層を覆うカバーと、蒸着用基板の周縁部とカバーの周縁部との間に蛍光体層を囲む封止材と、によってシンチレーター３１１を防湿するようになっていてもよい。
本実施形態のように筐体１１０Ａの前面部１１Ａ又は背面部２１Ａが導体層Ｌを兼ねている場合、内部モジュール１２０Ａのセンサーパネル３Ａの波長変換部３１Ａは、防湿層３３を備えていなくてもよい。
この場合、波長変換部３１Ａは、蒸着用基板の反対側から蛍光体層を覆うカバーと、蒸着用基板の周縁部とカバーの周縁部との間に蛍光体層を囲む封止材と、によってシンチレーター３１１を防湿するようになっていてもよい。
【0058】
＜３．第三実施形態＞
次に、本発明の第三実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明の第三実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【0059】
［３－１．内部モジュール］
本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００Ｂ）の内部モジュール１２０Ｂは、例えば図６に示すように、第一シールド層４又は第二シールド層８が導体層Ｌを兼ねている。すなわち、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから第一シールド層４又は第二シールド層８までの距離ｄが０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００Ｂ）の内部モジュール１２０Ｂは、例えば図６に示すように、第一シールド層４又は第二シールド層８が導体層Ｌを兼ねている。すなわち、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから第一シールド層４又は第二シールド層８までの距離ｄが０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
【0060】
［３－２．第三実施形態その他］
本実施形態のように第一シールド層４又は第二シールド層８が導体層Ｌを兼ねている場合、内部モジュール１２０Ｂのセンサーパネル３Ｂの波長変換部３１Ｂは、上記センサーパネル３Ａのものと同様に構成されていてもよい。
本実施形態のように第一シールド層４又は第二シールド層８が導体層Ｌを兼ねている場合、内部モジュール１２０Ｂのセンサーパネル３Ｂの波長変換部３１Ｂは、上記センサーパネル３Ａのものと同様に構成されていてもよい。
【0061】
＜４．第四実施形態＞
次に、本発明の第四実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明の第四実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【0062】
本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００Ｃ）の内部モジュール１２０Ｃは、センサーパネル３Ｃが可撓性を有している点が上記第一実施形態と異なっている。
本実施形態に係るセンサーパネル３Ｃは、例えば図７に示すように、波長変換部３１Ｃと、光電変換部３２Ａと、防湿層３３と、第二防湿層３４Ａと、第三防湿層３５Ａと、第四防湿層３６Ａと、を備えている。
本実施形態に係るセンサーパネル３Ｃは、例えば図７に示すように、波長変換部３１Ｃと、光電変換部３２Ａと、防湿層３３と、第二防湿層３４Ａと、第三防湿層３５Ａと、第四防湿層３６Ａと、を備えている。
【0063】
［４－１．光電変換部］
本実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第一実施形態と同様の走査線、信号線、スイッチ素子、半導体素子３２２（図１参照）の他、基板３２１Ａと、素子保護層３２３と、を有している。
本実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第一実施形態と同様の走査線、信号線、スイッチ素子、半導体素子３２２（図１参照）の他、基板３２１Ａと、素子保護層３２３と、を有している。
【0064】
〔４－１－１．基板〕
基板３２１Ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る基板３２１と同様の矩形板状に形成されている。
「可撓性を有する材料」の具体例としては、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。
基板３２１Ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る基板３２１と同様の矩形板状に形成されている。
「可撓性を有する材料」の具体例としては、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。
【0065】
〔４－１－２．素子保護層〕
素子保護層３２３は、撮像面３２１ａの中央部（半導体素子３２２が設けられている領域）を覆っている。
素子保護層３２３は、半導体素子３２２を保護することが可能であり、且つ波長変換部３１Ｃから届く光を遮らない材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る素子保護層３２３は、有機材料及び無機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
有機材料の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリパラキシレン等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、ＳｉＮ等の窒化膜、酸化ケイ素、酸化アルミ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等が挙げられる。
なお、素子保護層３２３は、基板３２１Ａ側からシンチレーター３１１Ａへ湿気が到達するのを防ぐ防湿層を兼ねていてもよい。
素子保護層３２３は、撮像面３２１ａの中央部（半導体素子３２２が設けられている領域）を覆っている。
素子保護層３２３は、半導体素子３２２を保護することが可能であり、且つ波長変換部３１Ｃから届く光を遮らない材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る素子保護層３２３は、有機材料及び無機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
有機材料の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリパラキシレン等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、ＳｉＮ等の窒化膜、酸化ケイ素、酸化アルミ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等が挙げられる。
なお、素子保護層３２３は、基板３２１Ａ側からシンチレーター３１１Ａへ湿気が到達するのを防ぐ防湿層を兼ねていてもよい。
【0066】
［４－２．波長変換部］
本実施形態に係る波長変換部３１Ｃは、シンチレーター３１１Ａと、光学接着層３１２と、防湿層接着層３１３と、を有している。
本実施形態に係る波長変換部３１Ｃは、シンチレーター３１１Ａと、光学接着層３１２と、防湿層接着層３１３と、を有している。
【0067】
〔４－２－１．シンチレーター〕
シンチレーター３１１Ａは、蒸着用基板３１１ａと、蛍光体層３１１ｂと、を有している。
シンチレーター３１１Ａは、蒸着用基板３１１ａと、蛍光体層３１１ｂと、を有している。
【0068】
蒸着用基板３１１ａは、蛍光体層３１１ｂを支持するためのものである。
本実施形態に係る蒸着用基板３１１ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る蒸着用基板と同様の矩形板状に形成されている。
蒸着用基板３１１ａの形成に用いることのできる材料は、上記光電変換部３２Ａの基板３２１Ａの材料として挙げたものと同様である。
なお、蒸着用基板３１１ａは、基板３２１Ａと同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
本実施形態に係る蒸着用基板３１１ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る蒸着用基板と同様の矩形板状に形成されている。
蒸着用基板３１１ａの形成に用いることのできる材料は、上記光電変換部３２Ａの基板３２１Ａの材料として挙げたものと同様である。
なお、蒸着用基板３１１ａは、基板３２１Ａと同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
【0069】
蛍光体層３１１ｂは、上記第一実施形態に係る蛍光体層と同様である。
【0070】
〔４－２－２．光学接着層〕
光学接着層３１２は、光電変換部３２Ａの素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせている。
光学接着層３１２は、光学接着剤からなる。
光学接着剤の具体例としては、例えば、ＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）、ホットメルト樹脂等が挙げられる。
ＯＣＡの具体例としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
ホットメルト樹脂の具体例としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂及びアクリル樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
なお、素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせる必要が無い場合（例えば、後述する防湿層３３によってシンチレーター３１１Ａを光電変換部３２Ａへ押さえつける場合）、光学接着層３１２は不要である。
光学接着層３１２は、光電変換部３２Ａの素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせている。
光学接着層３１２は、光学接着剤からなる。
光学接着剤の具体例としては、例えば、ＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）、ホットメルト樹脂等が挙げられる。
ＯＣＡの具体例としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
ホットメルト樹脂の具体例としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂及びアクリル樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
なお、素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせる必要が無い場合（例えば、後述する防湿層３３によってシンチレーター３１１Ａを光電変換部３２Ａへ押さえつける場合）、光学接着層３１２は不要である。
【0071】
〔４－２－３．防湿層接着層〕
防湿層接着層３１３は、蒸着用基板３１１ａ及び蛍光体層３１１ｂのうちの少なくとも一方の部材と防湿層３３とを貼り合わせている。
また、防湿層接着層３１３の周縁部は、素子保護層３２３の周縁部及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材と防湿層３３とを貼り合わせている。
防湿層接着層３１３は、有機材料からなる接着剤で形成されている。
有機材料の具体例としては、アクリル、ウレタン、ポリエステル、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、天然ゴム、ブチルゴム、エポキシ等が挙げられる。
防湿層接着層３１３は、蒸着用基板３１１ａ及び蛍光体層３１１ｂのうちの少なくとも一方の部材と防湿層３３とを貼り合わせている。
また、防湿層接着層３１３の周縁部は、素子保護層３２３の周縁部及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材と防湿層３３とを貼り合わせている。
防湿層接着層３１３は、有機材料からなる接着剤で形成されている。
有機材料の具体例としては、アクリル、ウレタン、ポリエステル、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、天然ゴム、ブチルゴム、エポキシ等が挙げられる。
【0072】
〔４－２－４．波長変換部その他〕
なお、波長変換部３１Ｃは、反射層を備えていてもよい。
反射層は、蛍光体層３１１ｂが発生させた光を反射させるためのものである。
反射層は、反射層は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層は、シンチレーター３１１Ａにおける筐体１１０の前面部１１が存在する側に配置される。
これにより、蛍光体層３１１ｂで発生し、光電変換部３２Ａから遠のく方向（反射層が存在する方向）へ向かう光が、反射層で反射して光電変換部３２Ａが存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体層３１１ｂで発生した光がより多く半導体素子３２２に到達するようになり、撮像装置１００Ｃの感度が向上する。
なお、波長変換部３１Ｃは、反射層を備えていてもよい。
反射層は、蛍光体層３１１ｂが発生させた光を反射させるためのものである。
反射層は、反射層は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層は、シンチレーター３１１Ａにおける筐体１１０の前面部１１が存在する側に配置される。
これにより、蛍光体層３１１ｂで発生し、光電変換部３２Ａから遠のく方向（反射層が存在する方向）へ向かう光が、反射層で反射して光電変換部３２Ａが存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体層３１１ｂで発生した光がより多く半導体素子３２２に到達するようになり、撮像装置１００Ｃの感度が向上する。
【0073】
［４－３．防湿層］
防湿層３３は、シンチレーター３１１Ａの蛍光体層３１１ｂが湿気を吸収してしまうのを防ぐためのものである。
防湿層３３は、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る防湿層３３は、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
防湿層３３は、シンチレーター３１１Ａの蛍光体層３１１ｂが湿気を吸収してしまうのを防ぐためのものである。
防湿層３３は、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る防湿層３３は、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
【0074】
防湿層３３の中央部は、シンチレーター３１１Ａを覆っている。
本実施形態に係る防湿層３３の中央部は、防湿層接着層３１３によってシンチレーター３１１Ａに貼り付けられている。
また、防湿層３３の周縁部は、防湿層接着層３１３によって光電変換部３２Ａの素子保護層３２３及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材の表面に貼り付けられている。
なお、筐体１１０が防湿構造を備えている場合には、防湿層３３及び波長変換部３１Ｃの防湿層接着層３１３は不要である。
本実施形態に係る防湿層３３の中央部は、防湿層接着層３１３によってシンチレーター３１１Ａに貼り付けられている。
また、防湿層３３の周縁部は、防湿層接着層３１３によって光電変換部３２Ａの素子保護層３２３及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材の表面に貼り付けられている。
なお、筐体１１０が防湿構造を備えている場合には、防湿層３３及び波長変換部３１Ｃの防湿層接着層３１３は不要である。
【0075】
［４－４．第二防湿層］
第二防湿層３４Ａは、基板３２１Ａにおける波長変換部３１Ｃが存在する側とは反対側の面を覆っている。
第二防湿層３４Ａの形成に用いることのできる材料は、上記防湿層３３の材料として挙げたものと同様である。
なお、第二防湿層３４Ａの材料は、防湿層３３と同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
第二防湿層３４Ａは、基板３２１Ａにおける波長変換部３１Ｃが存在する側とは反対側の面を覆っている。
第二防湿層３４Ａの形成に用いることのできる材料は、上記防湿層３３の材料として挙げたものと同様である。
なお、第二防湿層３４Ａの材料は、防湿層３３と同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
【0076】
［４－５．第三防湿層］
第三防湿層３５Ａは、撮像面３２１ａの周縁部（半導体素子３２２が設けられていない領域）を覆っている。
第三防湿層３５Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第三防湿層３５Ａは、金属、複合材料、樹脂材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉛等が挙げられる。
複合材料の具体例としては、ガラス、カーボン、ＣＦＲＰ等が挙げられる。
樹脂材料の具体例としては、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＡＢＳ等が挙げられる。
なお、センサーパネル３Ｃは、この第三防湿層３５Ａを備えていなくてもよい。
第三防湿層３５Ａは、撮像面３２１ａの周縁部（半導体素子３２２が設けられていない領域）を覆っている。
第三防湿層３５Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第三防湿層３５Ａは、金属、複合材料、樹脂材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉛等が挙げられる。
複合材料の具体例としては、ガラス、カーボン、ＣＦＲＰ等が挙げられる。
樹脂材料の具体例としては、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＡＢＳ等が挙げられる。
なお、センサーパネル３Ｃは、この第三防湿層３５Ａを備えていなくてもよい。
【0077】
［４－６．第四防湿層］
第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの蛍光体層３１１ｂが湿気を吸収してしまうのを防ぐためのものである。
第四防湿層３６Ａは、防湿層接着層３１３の内側で、少なくともシンチレーター３１１Ａにおける撮像面３２１ａに沿う面を覆っている。
本実施形態に係る第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの側面も更に覆っている。また、第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの底面を覆っていてもよい。
第四防湿層３６Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第四防湿層３６Ａは、防湿層３３と同様に、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
防湿層３３で選択した無機または有機材料以外のものを組み合わせて使用することで、腐食等の弊害を防ぎ、相補的な効果を得ることができる。例えば、防湿層３３が無機材料からの選択なら、第四防湿層３６Ａは有機材料から選択し、防湿層３３が有機材料からの選択なら、第四防湿層３６Ａは無機材料から選択するとよい。
第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの蛍光体層３１１ｂが湿気を吸収してしまうのを防ぐためのものである。
第四防湿層３６Ａは、防湿層接着層３１３の内側で、少なくともシンチレーター３１１Ａにおける撮像面３２１ａに沿う面を覆っている。
本実施形態に係る第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの側面も更に覆っている。また、第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの底面を覆っていてもよい。
第四防湿層３６Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第四防湿層３６Ａは、防湿層３３と同様に、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
防湿層３３で選択した無機または有機材料以外のものを組み合わせて使用することで、腐食等の弊害を防ぎ、相補的な効果を得ることができる。例えば、防湿層３３が無機材料からの選択なら、第四防湿層３６Ａは有機材料から選択し、防湿層３３が有機材料からの選択なら、第四防湿層３６Ａは無機材料から選択するとよい。
【0078】
以上説明してきた第四防湿層３６Ａを設けることで、シンチレーター３１１Ａの取り扱いにおける耐湿性能が向上し、最終製品としても耐湿性能が向上する。
なお、ここでは、防湿層３３及び第四防湿層３６Ａによる二重の防湿構造について説明したが、防湿層３３が設けられている場合、第四防湿層３６Ａを必ずしも設ける必要はない。
なお、ここでは、防湿層３３及び第四防湿層３６Ａによる二重の防湿構造について説明したが、防湿層３３が設けられている場合、第四防湿層３６Ａを必ずしも設ける必要はない。
【0079】
［４－７．第四実施形態その他］
なお、波長変換部は、反射層を備えていてもよい。
反射層は、蛍光体層３１１ｂが発生させた光を反射させるためのものである。
反射層は、反射層は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層は、シンチレーター３１１Ａにおける筐体１１０の前面部１１が存在する側に配置されている。
これにより、蛍光体層３１１ｂで発生し、光電変換部３２Ａから遠のく方向（反射層が存在する方向）へ向かう光が、反射層で反射して光電変換部３２Ａが存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体層３１１ｂで発生した光がより多く半導体素子３２２に到達するようになり、撮像装置１００Ｃの感度が向上する。
なお、波長変換部は、反射層を備えていてもよい。
反射層は、蛍光体層３１１ｂが発生させた光を反射させるためのものである。
反射層は、反射層は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層は、シンチレーター３１１Ａにおける筐体１１０の前面部１１が存在する側に配置されている。
これにより、蛍光体層３１１ｂで発生し、光電変換部３２Ａから遠のく方向（反射層が存在する方向）へ向かう光が、反射層で反射して光電変換部３２Ａが存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体層３１１ｂで発生した光がより多く半導体素子３２２に到達するようになり、撮像装置１００Ｃの感度が向上する。
【0080】
また、筐体１１０の前面部１１とセンサーパネル３Ｃの第三防湿層３５Ａとの間（第三防湿層３５Ａの表面）には、必要に応じて、第二シールド層８が配置される。
なお、第三防湿層３５Ａと第二シールド層８とは、同一の材質によって一体形成されていてもよい（共通化されていてもよい）。
また、第四防湿層３６Ａが十分な防湿効果を有しており、かつ導体層Ｌを兼ねる部材が防湿層３３とは別に設けられている場合、防湿層３３を必ずしも設ける必要はない。
なお、第三防湿層３５Ａと第二シールド層８とは、同一の材質によって一体形成されていてもよい（共通化されていてもよい）。
また、第四防湿層３６Ａが十分な防湿効果を有しており、かつ導体層Ｌを兼ねる部材が防湿層３３とは別に設けられている場合、防湿層３３を必ずしも設ける必要はない。
【0081】
＜５．作用・効果＞
以上説明してきた撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃは、複数の半導体素子３２２が二次元状に分布するように配列された撮像面３２１ａを有するセンサーパネル３，３Ａと、アンテナ６５ｂを有し、他の装置との間で無線通信を行う通信部６５と、撮像面３２１ａに沿って広がり、アンテナ６５ｂが発した電磁波を反射する導体層Ｌ（第一，第二シールド層４，８、防湿層３３，３６Ａ、前面部１１、背面部２１）と、を備え、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから導体層Ｌを含む平面Ｐまでの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
以上説明してきた撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃは、複数の半導体素子３２２が二次元状に分布するように配列された撮像面３２１ａを有するセンサーパネル３，３Ａと、アンテナ６５ｂを有し、他の装置との間で無線通信を行う通信部６５と、撮像面３２１ａに沿って広がり、アンテナ６５ｂが発した電磁波を反射する導体層Ｌ（第一，第二シールド層４，８、防湿層３３，３６Ａ、前面部１１、背面部２１）と、を備え、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから導体層Ｌを含む平面Ｐまでの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
【0082】
アンテナ６５ｂ及び導体層Ｌが上記のような位置関係にあるとき、アンテナ６５ｂが電磁波を発すると、アンテナ６５ｂから導体層Ｌへ向かう電磁波（進行波Ｅ1）と、導体層Ｌで反射した電磁波（反射波Ｅ2）とが干渉して定常波となる。
そして、この定常波の節Ｎ及びその近傍（導体層Ｌからλ／８，３λ／８～５λ／８，７λ／８～９λ／８・・の範囲内）では、電磁波が低減する。
この相殺効果は、反射波Ｅ2の強度が高いほど大きくなるが、本実施形態に係る導体層Ｌは、電磁波を十分に反射できる厚さ（９μｍ以上）を有しているため、より多くの電磁波を相殺することができる。
また、導体層Ｌは、防湿層３３，３６Ａ、前面部１１、背面部２１、第一シールド層４、又は第二シールド層８であり、放射線撮像装置が従来備えている部材である。
このため、撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃによれば、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界を、新たな部品を追加することなく低減することができる。
その結果、撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃに接触する人体への悪影響を小さくしつつ、画像データ等を遠くまで送信することができる。
そして、この定常波の節Ｎ及びその近傍（導体層Ｌからλ／８，３λ／８～５λ／８，７λ／８～９λ／８・・の範囲内）では、電磁波が低減する。
この相殺効果は、反射波Ｅ2の強度が高いほど大きくなるが、本実施形態に係る導体層Ｌは、電磁波を十分に反射できる厚さ（９μｍ以上）を有しているため、より多くの電磁波を相殺することができる。
また、導体層Ｌは、防湿層３３，３６Ａ、前面部１１、背面部２１、第一シールド層４、又は第二シールド層８であり、放射線撮像装置が従来備えている部材である。
このため、撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃによれば、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界を、新たな部品を追加することなく低減することができる。
その結果、撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃに接触する人体への悪影響を小さくしつつ、画像データ等を遠くまで送信することができる。
【0083】
また、第一，第四実施形態に係る撮像装置１００，１００Ｃは、シンチレーター３１１の防湿層３３が導体層Ｌを兼ねている。
このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、新たな部品を追加することなく、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界を低減する、及びシンチレーターが湿気を吸収してしまうのを防ぐ、という全く異なる二つの課題を、同時に解決することができる。
このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、新たな部品を追加することなく、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界を低減する、及びシンチレーターが湿気を吸収してしまうのを防ぐ、という全く異なる二つの課題を、同時に解決することができる。
【0084】
また、第四実施形態に係る撮像装置１００Ｃは、センサーパネル３Ｃが可撓性を有している。
このため、撮像装置１００Ｃによれば、センサーパネルの基板をガラスで構成した場合に比べて、センサーパネルを軽量化することができるとともに、衝撃によって破損しにくくすることができる。
また、第一，第四実施形態に係る撮像装置１００，１００Ｃは、防湿層３３がアルミ箔で構成されている。
アルミニウムは、電気伝導率が低く、且つ軽量である。このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界をより確実に低減しつつ、導体層Ｌひいては撮像装置１００を軽量化することができる。
また、アルミニウムは、展延性が高い。このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、防湿層３３を柔軟性が高いものとすることができ、可撓性のセンサーパネルが撓んでもシンチレーターを防湿し続けることができる。
このため、撮像装置１００Ｃによれば、センサーパネルの基板をガラスで構成した場合に比べて、センサーパネルを軽量化することができるとともに、衝撃によって破損しにくくすることができる。
また、第一，第四実施形態に係る撮像装置１００，１００Ｃは、防湿層３３がアルミ箔で構成されている。
アルミニウムは、電気伝導率が低く、且つ軽量である。このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界をより確実に低減しつつ、導体層Ｌひいては撮像装置１００を軽量化することができる。
また、アルミニウムは、展延性が高い。このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、防湿層３３を柔軟性が高いものとすることができ、可撓性のセンサーパネルが撓んでもシンチレーターを防湿し続けることができる。
【0085】
＜６．本発明その他＞
以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。
以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。
【0086】
例えば、第一実施形態に係る波長変換部３１は、第二実施形態で説明した光学接着層３１２、第三防湿層３５Ａ及び防湿層接着層３１３のうちの少なくともいずれかの部材を備えていてもよい。
また、第一実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第二実施形態で説明した素子保護層３２３、防湿層３３及び第二防湿層３４Ａのうちの少なくともいずれかの部材を備えていてもよい。
また、第一実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第二実施形態で説明した素子保護層３２３、防湿層３３及び第二防湿層３４Ａのうちの少なくともいずれかの部材を備えていてもよい。
【符号の説明】
【0087】
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ 放射線撮像装置
１１０，１１０Ａ 筐体
１，１Ａ 箱体
１１ 前面部
１１Ａ 前面部（導体層）
１１ａ 放射線入射面
１２ 側面部
１２Ａ 側面部（導体層）
２ 蓋体
２１，２１Ａ 背面部
１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ 内部モジュール
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ センサーパネル
３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 波長変換部
３１１，３１１Ａ シンチレーター
３１１ａ 蒸着用基板
３１１ｂ 蛍光体層
３１２ 光学接着層
３１３ 防湿層接着層
３２，３２Ａ 光電変換部
３２１，３２１Ａ 基板
３２１ａ 撮像面
３２２ 半導体素子
３２３ 素子保護層
３３ 防湿層
３４Ａ 第二防湿層
３５Ａ 第三防湿層
３６Ａ 第四防湿層
４ 第一シールド層
５ 基台
６ 電子部品
６１ 走査部
６１ 通信部
６２ 読み出し部
６３ 制御部
６４ 電源部
６５ 通信部
６５ａ 通信回路
６５ｂ アンテナ
６５ｃ コネクター
７ 放射線減弱層
８ 第二シールド層
Ｅ 定常波
Ｅ1 進行波
Ｅ2 反射波
Ｌ 導体層
Ｎ 節
Ｐ 導体層Ｌを含む平面
ｄ アンテナから導体層を含む平面までの距離
λ 電磁波の波長
１１０，１１０Ａ 筐体
１，１Ａ 箱体
１１ 前面部
１１Ａ 前面部（導体層）
１１ａ 放射線入射面
１２ 側面部
１２Ａ 側面部（導体層）
２ 蓋体
２１，２１Ａ 背面部
１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ 内部モジュール
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ センサーパネル
３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 波長変換部
３１１，３１１Ａ シンチレーター
３１１ａ 蒸着用基板
３１１ｂ 蛍光体層
３１２ 光学接着層
３１３ 防湿層接着層
３２，３２Ａ 光電変換部
３２１，３２１Ａ 基板
３２１ａ 撮像面
３２２ 半導体素子
３２３ 素子保護層
３３ 防湿層
３４Ａ 第二防湿層
３５Ａ 第三防湿層
３６Ａ 第四防湿層
４ 第一シールド層
５ 基台
６ 電子部品
６１ 走査部
６１ 通信部
６２ 読み出し部
６３ 制御部
６４ 電源部
６５ 通信部
６５ａ 通信回路
６５ｂ アンテナ
６５ｃ コネクター
７ 放射線減弱層
８ 第二シールド層
Ｅ 定常波
Ｅ1 進行波
Ｅ2 反射波
Ｌ 導体層
Ｎ 節
Ｐ 導体層Ｌを含む平面
ｄ アンテナから導体層を含む平面までの距離
λ 電磁波の波長
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】