特許 7597088 電子部品およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-02

(45)【発行日】2024-12-10

(54)【発明の名称】電子部品およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01F 27/00 20060101AFI20241203BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20241203BHJP

   H01F 17/02 20060101ALI20241203BHJP

   H01F 27/29 20060101ALI20241203BHJP

   H01F 41/04 20060101ALI20241203BHJP

【ＦＩ】

H01F27/00 Q

H01F17/00 C

H01F17/02

H01F27/29 123

H01F41/04 B

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2022121916

(22)【出願日】2022-07-29

(65)【公開番号】P2024018524

(43)【公開日】2024-02-08

【審査請求日】2024-02-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100145403

【弁理士】

【氏名又は名称】山尾 憲人

(74)【代理人】

【識別番号】100132252

【弁理士】

【氏名又は名称】吉田 環

(74)【代理人】

【識別番号】100189555

【弁理士】

【氏名又は名称】徳山 英浩

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 宏充

(72)【発明者】

【氏名】飯田 裕一

(72)【発明者】

【氏名】宇都宮 勇

【審査官】右田 勝則

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－１５３７４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２２－０５０２９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０６１００８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０６７９５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２１／０１７４９９６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－１５７９８２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ ２７／００

Ｈ０１Ｆ １７／００

Ｈ０１Ｆ １７／０２

Ｈ０１Ｆ ２７／２９

Ｈ０１Ｆ ４１／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

天面と底面と前記底面と前記天面を接続する第１側面とを含むガラス本体部と、前記ガラス本体部の前記第１側面に設けられた突起状の結晶化部とを有するガラス基板と、
前記ガラス本体部の前記第１側面に設けられた有色絶縁層と、
前記ガラス本体部内に設けられ前記天面と前記底面を貫通する貫通導体と
を備え、
前記結晶化部は、前記第１側面に直交する方向からみて、前記底面に平行な第１方向に沿って延在し、
前記有色絶縁層の少なくとも一部は、前記第１側面に直交する方向からみて、前記第１方向に沿って延在し、かつ、前記結晶化部に対して前記第１方向に直交する第２方向に隣接して配置される、電子部品。

【請求項2】

前記第１側面において、前記有色絶縁層は、前記結晶化部の存在しない全ての領域に設けられている、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記結晶化部の前記第１側面に直交する方向の厚さと、前記有色絶縁層の前記第１側面に直交する方向の厚さとは、同じである、請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記結晶化部の前記第２方向の高さは、前記有色絶縁層の前記第２方向の高さよりも小さい、請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項5】

前記結晶化部の前記第２方向の高さｈ１と前記第１側面の前記第２方向の高さＨとの関係は、１／５＜ｈ１／Ｈ＜１／２を満たす、請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項6】

さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記結晶化部は、前記有色絶縁層よりも、前記底面側に配置されている、請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項7】

さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記結晶化部は、前記有色絶縁層よりも、前記天面側に配置されている、請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項8】

さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記有色絶縁層は、前記結晶化部よりも前記天面側に配置されている第１領域と、前記結晶化部よりも前記底面側に配置されている第２領域とを含む、請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項9】

さらに、前記天面および前記底面の少なくとも一方の面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された外面導体と、
前記外面導体を覆うように前記少なくとも一方の面の上方に設けられた保護層と
を備える、請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項10】

感光性ガラスからなり第１主面および第２主面を含むマザー基板を準備する工程と、
前記第１主面の切断領域に紫外線を照射し、その後の熱処理で前記マザー基板を結晶化させて、前記第１主面に平行な方向に延在し前記第１主面から前記第２主面に至る結晶化部を形成する工程と、
前記切断領域において、前記結晶化部の一部分を残し、前記結晶化部のその他の部分をエッチングにより除去して、前記第１主面に平行な方向に延在する溝を形成する工程と、
前記マザー基板の前記第１主面および前記第２主面を貫通する貫通導体を形成する工程と、
前記溝内に有色絶縁層を埋め込み前記有色絶縁層を前記結晶化部に接触させる工程と、
前記切断領域に沿って前記有色絶縁層および前記結晶化部を切断して前記マザー基板を分割し、複数の電子部品を得る工程と
を備える、電子部品の製造方法。

【請求項11】

さらに、前記マザー基板を分割し、複数の電子部品を得る工程の前に、
前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方の面の上方に、前記貫通導体に電気的に接続された外面導体を形成する工程と、
前記外面導体を覆うように前記少なくとも一方の面の上方に保護層を形成する工程と
を備える、請求項１０に記載の電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、電子部品およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、電子部品としては、特開２０１３－９８３５０号公報（特許文献１）に記載されたものがある。この電子部品は、ガラス体と、ガラス体の内部に設けられた導体とを備える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－９８３５０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ガラスは、絶縁性、物理的・化学的安定性などの優位点により、電子部品の絶縁体、構造体として広く用いられている。特に、従来のように、ガラス体の内部に導体が取り込まれた構造を有する電子部品は、非磁性構造が求められる高周波信号用の小型インダクタ部品として好適である。

【0005】

一方、ガラスとして透明性の高いガラスを使用した場合には、透明であることによる課題もある。例えば、近年のマウンタには、レーザセンサやカメラにより電子部品の側面を検出して、電子部品の有無や電子部品の厚み等を検出する機能を有するものが多い。そして、ガラスを使用した透明な電子部品では、マウンタのレーザセンサやカメラで認識が難しいという問題がある。また、カメラを使った外観検査なども難しいという問題がある。

【0006】

そこで、本開示の目的は、レーザセンサやカメラなどの検出装置により容易に検出することができる電子部品およびその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前記課題を解決するため、本開示の一態様である電子部品は、
天面と底面と前記底面と前記天面を接続する第１側面とを含むガラス本体部と、前記ガラス本体部の前記第１側面に設けられた突起状の結晶化部とを有するガラス基板と、
前記ガラス本体部の前記第１側面に設けられた有色絶縁層と、
前記ガラス本体部内に設けられ前記天面と前記底面を貫通する貫通導体と
を備え、
前記結晶化部は、前記第１側面に直交する方向からみて、前記底面に平行な第１方向に沿って延在し、
前記有色絶縁層の少なくとも一部は、前記第１側面に直交する方向からみて、前記第１方向に沿って延在し、かつ、前記結晶化部に対して前記第１方向に直交する第２方向に隣接して配置される。

【0008】

ここで、第１側面に直交する方向からみて、結晶化部の延在方向は、第１方向に完全に一致しているのみならず、実質的に一致していればよい。例えば、結晶化部の延在方向と第１方向のなす傾斜角度は、１０°以下であればよい。有色絶縁層の延在方向についても同様である。

【0009】

前記態様によれば、結晶化部および有色絶縁層は、ガラス本体部の第１側面に設けられているので、レーザセンサやカメラなどの検出装置によりガラス本体部の第１側面側から電子部品を検出するとき、透明度の低い結晶化部および有色絶縁層を容易に認識することができ、電子部品を容易に検出することができる。

【0010】

さらに、結晶化部および有色絶縁層は、第１側面に直交する方向からみて、第１方向に沿って延在するので、検出装置を第１方向に走査して電子部品を検出するとき、結晶化部または有色絶縁層を容易に認識することができ、電子部品を容易に検出することができる。

【0011】

また、結晶化部および有色絶縁層は、ガラス本体部の第１側面に設けられているので、ガラス本体部の露出を少なくでき、外力に対する電子部品の機械的強度を向上できる。

【0012】

好ましくは、電子部品の一実施形態では、前記第１側面において、前記有色絶縁層は、前記結晶化部の存在しない全ての領域に設けられている。

【0013】

前記実施形態によれば、第１側面の全領域を結晶化部および有色絶縁層で覆うことができる。これにより、検出装置により電子部品をより容易に検出でき、また、電子部品の機械的強度をより向上できる。

【0014】

好ましくは、電子部品の一実施形態では、前記結晶化部の前記第１側面に直交する方向の厚さと、前記有色絶縁層の前記第１側面に直交する方向の厚さとは、同じである。

【0015】

ここで、厚さとは、平均厚さであり、具体的に述べると、第１側面に直交する方向と第２方向を含む断面において複数点を測定したときの平均値である。

【0016】

前記実施形態によれば、第１側面に直交する方向において結晶化部および有色絶縁層を面一に形成できる。これにより、結晶化部および有色絶縁層の互いの第１側面に直交する方向における段差を無くして、物体の接触による有色絶縁層の剥がれや結晶化部の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0017】

好ましくは、電子部品の一実施形態では、前記結晶化部の前記第２方向の高さは、前記有色絶縁層の前記第２方向の高さよりも小さい。

【0018】

ここで、高さとは、最大高さであり、具体的に述べると、第１側面に直交する方向と第２方向を含む断面において測定したときの最大値である。

【0019】

前記実施形態によれば、結晶化部を小さくできるので、物体が結晶化部に接触する可能性を低減して結晶化部の割れ欠けの可能性を低減でき、また、結晶化部に浮遊容量が発生する可能性を低減できる。また、有色絶縁層を大きくできるので、電子部品の機械的強度をより向上できる。

【0020】

好ましくは、電子部品の一実施形態では、前記結晶化部の前記第２方向の高さｈ１と前記第１側面の前記第２方向の高さＨとの関係は、１／５＜ｈ１／Ｈ＜１／２を満たす。

【0021】

前記実施形態によれば、ｈ１／Ｈ＜１／２を満たすので、結晶化部が必要以上に大きくならず、物体が結晶化部に接触する可能性を低減して結晶化部の割れ欠けの可能性を低減でき、また、結晶化部に浮遊容量が発生する可能性を低減できる。一方、１／５＜ｈ１／Ｈを満たすので、結晶化部が必要以上に小さくならず、結晶化部の機械的強度を確保できる。

【0022】

好ましくは、電子部品の一実施形態では、
さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記結晶化部は、前記有色絶縁層よりも、前記底面側に配置されている。

【0023】

前記実施形態によれば、結晶化部を天面側から離隔できるので、天面の上方に外面導体を配置した場合、外面導体の近傍において浮遊容量が発生する可能性を低減できる。

【0024】

また、ガラス本体部の底面側を実装基板に対向するように、電子部品の端子電極を実装基板に実装した後、ガラス本体部の天面側において物体が電子部品に接触し易くなるが、結晶化部は底面側に配置されているため、物体が結晶化部に接触することを低減でき、結晶化部の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0025】

好ましくは、電子部品の一実施形態では、
さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記結晶化部は、前記有色絶縁層よりも、前記天面側に配置されている。

【0026】

前記実施形態によれば、結晶化部を端子電極から離隔できるので、端子電極の近傍において浮遊容量が発生する可能性を低減できる。

【0027】

また、マウンタでガラス本体部の天面側を保持して、ガラス本体部の底面側を実装基板に対向するように、電子部品の端子電極を実装基板に実装する際、ガラス本体部の底面側において物体が電子部品に接触し易くなるが、結晶化部は天面側に配置されているため、物体が結晶化部に接触することを低減でき、結晶化部の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0028】

好ましくは、電子部品の一実施形態では、
さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記有色絶縁層は、前記結晶化部よりも前記天面側に配置されている第１領域と、前記結晶化部よりも前記底面側に配置されている第２領域とを含む。

【0029】

前記実施形態によれば、結晶化部を天面側および底面側から離隔できるので、応力集中し易いガラス基板の角部から結晶化部を離隔でき、結晶化部の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0030】

また、結晶化部を天面側から離隔できるので、天面の上方に外面導体を配置した場合、外面導体の近傍において浮遊容量が発生する可能性を低減できる。

【0031】

また、ガラス本体部の底面側を実装基板に対向するように、電子部品の端子電極を実装基板に実装した後、ガラス本体部の天面側において物体が電子部品に接触し易くなるが、結晶化部を天面側から離隔できるので、物体が結晶化部に接触することを低減でき、結晶化部の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0032】

また、結晶化部を端子電極から離隔できるので、端子電極の近傍において浮遊容量が発生する可能性を低減できる。

【0033】

また、マウンタでガラス本体部の天面側を保持して、ガラス本体部の底面側を実装基板に対向するように、電子部品の端子電極を実装基板に実装する際、ガラス本体部の底面側において物体が電子部品に接触し易くなるが、結晶化部を底面側から離隔できるので、物体が結晶化部に接触することを低減でき、結晶化部の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0034】

好ましくは、電子部品の一実施形態では、
さらに、前記天面および前記底面の少なくとも一方の面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された外面導体と、
前記外面導体を覆うように前記少なくとも一方の面の上方に設けられた保護層と
を備える。

【0035】

前記実施形態によれば、保護層は外面導体を覆うので、外面導体を保護することができる。また、保護層はガラス本体部の天面および底面の少なくとも一方の面を覆うので、ガラス本体部を保護することができる。

【0036】

好ましくは、電子部品の製造方法の一実施形態では、
感光性ガラスからなり第１主面および第２主面を含むマザー基板を準備する工程と、
前記第１主面の切断領域に紫外線を照射し、その後の熱処理で前記マザー基板を結晶化させて、前記第１主面に平行な方向に延在し前記第１主面から前記第２主面に至る結晶化部を形成する工程と、
前記切断領域において、前記結晶化部の一部分を残し、前記結晶化部のその他の部分をエッチングにより除去して、前記第１主面に平行な方向に延在する溝を形成する工程と、
前記マザー基板の前記第１主面および前記第２主面を貫通する貫通導体を形成する工程と、
前記溝内に有色絶縁層を埋め込み前記有色絶縁層を前記結晶化部に接触させる工程と、
前記切断領域に沿って前記有色絶縁層および前記結晶化部を切断して前記マザー基板を分割し、複数の電子部品を得る工程と
を備える。

【0037】

前記実施形態によれば、切断領域に沿って有色絶縁層および結晶化部を切断してマザー基板を分割するので、感光性ガラスを切断する場合に比べて、切断し易くなる。また、結晶化部は有色絶縁層に接触しているため、結晶化部は有色絶縁層に固定され、有色絶縁層および結晶化部を切断する際、結晶化部の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0038】

また、有色絶縁層をマザー基板の状態で設けているため、マザー基板を分割した後に個々の部品に有色絶縁層を塗布する場合と比べて、容易かつ低コストで実現できる。これに対して、分割した個々の部品のそれぞれに有色絶縁層を塗布する場合、作業手間および作業コストが増大する。

【0039】

好ましくは、電子部品の製造方法の一実施形態では、
さらに、前記マザー基板を分割し、複数の電子部品を得る工程の前に、
前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方の面の上方に、前記貫通導体に電気的に接続された外面導体を形成する工程と、
前記外面導体を覆うように前記少なくとも一方の面の上方に保護層を形成する工程と
を備える。

【0040】

前記実施形態によれば、保護層は外面導体を覆うので、外面導体を保護することができる。また、保護層はガラス本体部の天面および底面の少なくとも一方の面を覆うので、ガラス本体部を保護することができる。

【発明の効果】

【0041】

本開示の一態様である電子部品およびその製造方法によれば、レーザセンサやカメラなどの検出装置により容易に検出することができる。

【図面の簡単な説明】

【0042】

【図1】電子部品としてのインダクタ部品の第１実施形態を示す斜視図である。

【図2】インダクタ部品の分解斜視図である。

【図3】インダクタ部品の断面図である。

【図4A】インダクタ部品のコイルを天面側からみた天面図である。

【図4B】インダクタ部品のコイルを底面側からみた底面図である。

【図5A】インダクタ部品の製造方法を説明する斜視図である。

【図5B】インダクタ部品の製造方法を説明する斜視図である。

【図5C】インダクタ部品の製造方法を説明する斜視図である。

【図5D】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図5E】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図5F】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図5G】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図5H】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図5I】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図5J】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図5K】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図6】電子部品としてのインダクタ部品の第２実施形態を示す拡大断面図である。

【図7】電子部品としてのインダクタ部品の第３実施形態を示す拡大断面図である。

【図8A】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図8B】インダクタ部品の製造方法を説明する断面図である。

【図9】電子部品としてのインダクタ部品の第４実施形態を示す拡大断面図である。

【図10】電子部品としてのコンデンサ部品の第５実施形態を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0043】

以下、本開示の一態様である電子部品およびその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

【0044】

＜第１実施形態＞
（構成）
第１実施形態では、本発明に係る電子部品は、インダクタ部品を例として説明する。図１は、インダクタ部品を天面側から見た斜視図である。図２は、インダクタ部品を天面側から見た分解斜視図である。図３は、インダクタ部品の断面図である。図４Ａは、インダクタ部品のコイルを天面側からみた天面図であり、図４Ｂは、インダクタ部品のコイルを底面側からみた底面図である。

【0045】

インダクタ部品１は、例えば、高周波信号伝送回路に用いられる表面実装型のインダクタ部品である。図１と図２と図３と図４Ａと図４Ｂに示すように、インダクタ部品１は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０に設けられたコイル１１０と、ガラス基板１０の天面側に設けられコイル１１０の一部を覆う第１保護層１５と、ガラス基板１０の底面側に設けられコイル１１０の一部を覆う第２保護層１６と、ガラス基板１０の側面側に設けられた有色絶縁層３０と、第２保護層１６に設けられ、コイル１１０に電気的に接続された第１端子電極１２１および第２端子電極１２２とを備える。

【0046】

ガラス基板１０は、ガラス本体部１００と、ガラス本体部１００に設けられた突起状の結晶化部１０１とを有する。ガラス本体部１００は、長さ、幅および高さを有する直方体である。ガラス本体部１００は、長さ方向の両端側にある第１側面１００ｓ１および第２側面１００ｓ２と、幅方向の両端側にある第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４と、高さ方向の両端側にある底面１００ｂおよび天面１００ｔとを有する。つまり、ガラス本体部１００の外面は、第１側面１００ｓ１および第２側面１００ｓ２と、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４と、底面１００ｂおよび天面１００ｔとを含む。底面１００ｂは、インダクタ部品１を実装基板に実装する際に、実装基板側を向く面である。

【0047】

なお、図面に示すように、以下では、説明の便宜上、ガラス本体部１００の長さ方向（長手方向）であって、第１側面１００ｓ１から第２側面１００ｓ２に向かう方向をＸ方向とする。また、ガラス本体部１００の幅方向であって、第３側面１００ｓ３から第４側面１００ｓ４に向かう方向をＹ方向とする。また、ガラス本体部１００の高さ方向であって、底面１００ｂから天面１００ｔに向かう方向をＺ向とする。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交する方向であって、Ｘ，Ｙ，Ｚの順に並べたとき、左手系を構成する。

【0048】

この明細書では、ガラス本体部１００の外面は、単にガラス本体部１００の外周側を向く面という意味ではなく、ガラス本体部１００の外側と内側との境界となる面である。また、「ガラス本体部１００の外面（天面、底面、側面）の上方」とは、重力方向に規定される鉛直上方のような絶対的な一方向ではなく、外面を基準に、当該外面を境界とする外側と内側とのうち、外側に向かう方向を指す。したがって、「外面の上方」とは外面の向きによって定まる相対的な方向である。また、ある要素に対して「上方（above）」には、当該要素とは離れた上方、すなわち当該要素上の他の物体を介した上側の位置や間隔を空けた上側の位置だけではなく、当該要素と接する直上の位置（on）も含む。

【0049】

ガラス基板１０は、絶縁性を有する。ガラス基板１０は、例えば、ＦｏｔｕｒａｎＩＩ（ＳｃｈｏｔｔＡＧ社登録商標）に代表される感光性を有するガラス基板が好ましい。特に、ガラス基板１０は、セリウム酸化物（セリア：ＣｅＯ_２）を含有していることが好ましく、この場合、セリウム酸化物が増感剤となって、フォトリソグラフィによる加工がより容易となる。

【0050】

ただし、ガラス基板１０は、ドリル、サンドブラストなどの機械加工、フォトレジスト・メタルマスクなどを用いたドライ／ウェットエッチング加工、レーザ加工などによって加工できることから、感光性を有さないガラス板であってもよい。また、ガラス基板１０は、ガラスペーストを焼結させたものであってもよいし、フロート法などの公知の方法よって形成されていてもよい。

【0051】

ガラス本体部１００は、ガラス基板１０のうちの結晶化されていないアモルファス状態の部分である。ガラス本体部１００は、高い透明度を有する。結晶化部１０１は、ガラス基板１０のうちの結晶化されている部分である。結晶化部１０１の透明度は、ガラス本体部１００の透明度よりも低い。結晶化部１０１を設けることによって、ガラス基板１０の実効的な誘電率を調整することが可能となる。つまり、導体１１ｂ，１１ｔ，１３，１４、端子電極１２１，１２２及び実装基板の配線パターンのいずれかの間において形成される浮遊容量を増加減でき、特に、インダクタ部品１の自己共振周波数を調整できる。例えば、上記ＦｏｔｕｒａｎＩＩの場合、ガラス本体部１００の誘電率が６．４であるのに対し、結晶化部１０１の誘電率を５．８に減少できる。これによって、結晶化部１０１付近の、導体間の浮遊容量を減少させることができる。

【0052】

結晶化部１０１は、ガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１から第４側面ｓ４の周囲を囲むように設けられている。具体的に述べると、結晶化部１０１は、第１側面１００ｓ１に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行なＹ方向（特許請求の範囲に記載の「第１方向」の一例に相当）に沿って延在している。同様に、結晶化部１０１は、第２側面１００ｓ２に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行なＹ方向に沿って延在している。また、結晶化部１０１は、第３側面１００ｓ３に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行なＸ方向に沿って延在し、第４側面１００ｓ４に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行なＸ方向に沿って延在している。

【0053】

なお、結晶化部１０１は、第１側面１００ｓ１から第４側面ｓ４の内の少なくとも１つの側面に設けられていてもよい。このとき、当該少なくとも１つの側面が、特許請求の範囲に記載の「第１側面」の一例に相当する。また、１つの側面、例えば第１側面１００ｓ１において、結晶化部１０１は、１本であるが、複数本あってもよい。

【0054】

また、１つの側面、例えば第１側面１００ｓ１において、結晶化部１０１は、Ｙ方向の左右両端に渡って連続的に延在しているが、Ｙ方向（左右方向）において部分的に存在していてもよい。つまり、結晶化部１０１のＹ方向の長さは、第１側面１００ｓ１の左右両端の長さよりも短くてもよい。

【0055】

また、１つの側面、例えば第１側面１００ｓ１に直交する方向からみて、結晶化部１０１の延在方向は、Ｙ方向に完全に一致しているが、実質的に一致していればよい。例えば、結晶化部１０１の延在方向とＹ方向のなす傾斜角度は、１０°以下であればよい。

【0056】

また、ガラス本体部１００は、直方体であるが円柱であってもよく、このとき、円柱の周面が、特許請求の範囲に記載の「第１側面」の一例に相当する。そして、結晶化部１０１は、円柱の周面の少なくとも一部に設けられる。

【0057】

コイル１１０は、軸ＡＸに沿って螺旋状に巻回される。コイル１１０の軸ＡＸは、底面１００ｂに平行に配置される。コイル１１０は、複数の底面導体１１ｂと、複数の天面導体１１ｔと、複数の第１貫通導体１３と、複数の第２貫通導体１４とを含む。底面導体１１ｂおよび天面導体１１ｔは、特許請求の範囲に記載の「外面導体」の一例に相当する。

【0058】

複数の底面導体１１ｂは、底面１００ｂの上方に配置されている。複数の底面導体１１ｂは、底面１００ｂに接して軸ＡＸに沿って配列されている。複数の天面導体１１ｔは、天面１００ｔの上方に配置されている。複数の天面導体１１ｔは、天面１００ｔに接して軸ＡＸに沿って配列されている。

【0059】

複数の第１貫通導体１３は、ガラス本体部１００内に設けられ底面１００ｂと天面１００ｔを貫通する。複数の第１貫通導体１３は、底面導体１１ｂから天面導体１１ｔに向かって延在し、軸ＡＸに沿って配列されている。

【0060】

複数の第２貫通導体１４は、ガラス本体部１００内に設けられ底面１００ｂと天面１００ｔを貫通する。複数の第２貫通導体１４は、底面導体１１ｂから天面導体１１ｔに向かって延在し、軸ＡＸに沿って配列されている。第２貫通導体１４は、軸ＡＸに対して第１貫通導体１３と反対側に設けられている。底面導体１１ｂと、第１貫通導体１３と、天面導体１１ｔと、第２貫通導体１４とは、この順に接続されて電気的に接続され、螺旋状のコイル１１０の少なくとも一部を構成する。

【0061】

天面導体１１ｔは、ややＸ方向に傾いてＹ方向に延伸している。全ての天面導体１１ｔは、Ｘ方向に沿って平行に配置されている。底面導体１１ｂは、Ｙ方向に延びる形状である。全ての底面導体１１ｂは、Ｘ方向に沿って平行に配置されている。

【0062】

第１貫通導体１３は、ガラス本体部１００の貫通孔内で、軸ＡＸに対して第３側面１００ｓ３側に配置され、第２貫通導体１４は、ガラス本体部１００の貫通孔内で、軸ＡＸに対して第４側面１００ｓ４側に配置されている。第１貫通導体１３および第２貫通導体１４は、それぞれ、底面１００ｂおよび天面１００ｔに直交する方向に延伸している。全ての第１貫通導体１３および全ての第２貫通導体１４は、それぞれ、Ｘ方向に沿って平行に配置されている。

【0063】

底面導体１１ｂおよび天面導体１１ｔは、銅、銀，金又はこれらの合金などの導体材料からなる。底面導体１１ｂおよび天面導体１１ｔは、めっき、蒸着、スパッタリングなどによって形成された金属膜であってもよいし、導体ペーストを塗布、焼結させた金属焼結体であってもよい。また、第１貫通導体１３および第２貫通導体１４の材料は、底面導体１１ｂおよび天面導体１１ｔの材料と同じである。

【0064】

底面導体１１ｂおよび天面導体１１ｔは、セミアディティブ法によって形成することが好ましく、これにより、低電気抵抗、高精度及び高アスペクトな底面導体１１ｂおよび天面導体１１ｔを形成することができる。第１貫通導体１３および第２貫通導体１４は、ガラス本体部１００に予め形成された貫通孔内に、底面導体１１ｂおよび天面導体１１ｔで例示した材料、製法を用いて形成することができる。

【0065】

第１保護層１５は、天面配線１１ｔを覆うように天面１００ｔの上方に配置されている。第１保護層１５は、天面１００ｔと天面配線１１ｔに接する。第１保護層１５は、天面導体１１ｔを覆うことで、天面導体１１ｔを外力から保護して、天面導体１１ｔの損傷を防止する。また、第１保護層１５は、ガラス本体部１００の天面１００ｔを覆うので、ガラス本体部１００を保護することができる。

【0066】

第２保護層１６は、底面配線１１ｂを覆うように底面１００ｂの上方に配置されている。第２保護層１６は、底面１００ｂと底面配線１１ｂに接する。第２保護層１６は、底面導体１１ｂを覆うことで、底面導体１１ｂを外力から保護して、底面導体１１ｂの損傷を防止する。また、第２保護層１６は、ガラス本体部１００の底面１００ｂを覆うので、ガラス本体部１００を保護することができる。

【0067】

第１保護層１５および第２保護層１６は、絶縁性を有し、例えば、エポキシやポリイミドなどの樹脂から構成される。

【0068】

第１端子電極１２１は、底面１００ｂの上方に配置されコイル１１０の第１端部に接続される。第２端子電極１２２は、底面１００ｂの上方に配置されコイル１１０の第２端部に接続される。第１端子電極１２１は、第２保護層１６上で、ガラス基板１０のＸ方向の中心に対して第１側面１００ｓ１側に設けられている。第２端子電極１２２は、第２保護層１６上で、ガラス基板１０のＸ方向の中心に対して第２側面１００ｓ２側に設けられている。

【0069】

第１端子電極１２１は、第２保護層１６に埋め込まれた第１ビア導体１２１ｖを介して、底面導体１１ｂに接続される。第２端子電極１２２は、第２保護層１６に埋め込まれた第２ビア導体１２２ｖを介して、底面導体１１ｂに接続される。

【0070】

第１端子電極１２１は、下地層と、下地層を覆うめっき層とを有する。下地層は、ＡｇやＣｕなどの導電材料を含む。めっき層は、ＮｉやＳｎ、Ｐｄ、Ａｕなどの導電材料を含む。同様に、第２端子電極１２２は、下地層と、下地層を覆うめっき層とを有する。なお、第１端子電極１２１および第２端子電極１２２は、単層の導電体材料から構成されていてもよい。

【0071】

有色絶縁層３０は、ガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１から第４側面ｓ４の周囲を囲むように設けられている。具体的に述べると、有色絶縁層３０は、第１側面１００ｓ１に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行なＹ方向（特許請求の範囲に記載の「第１方向」の一例に相当）に沿って延在し、かつ、結晶化部１０１に対してＹ方向に直交するＺ方向（特許請求の範囲に記載の「第２方向」の一例に相当）に隣接して配置される。つまり、有色絶縁層３０は、結晶化部１０１にＹ方向に沿って接触している。同様に、有色絶縁層３０は、第２側面１００ｓ２に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行なＹ方向に沿って延在し、かつ、結晶化部１０１に対してＹ方向に直交するＺ方向に隣接して配置される。

【0072】

また、有色絶縁層３０は、第３側面１００ｓ３に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行なＸ方向に沿って延在し、かつ、結晶化部１０１に対してＸ方向に直交するＺ方向に隣接して配置される。有色絶縁層３０は、第４側面１００ｓ４に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行なＸ方向に沿って延在し、かつ、結晶化部１０１に対してＸ方向に直交するＺ方向に隣接して配置される。

【0073】

有色絶縁層３０は、絶縁性を有し、例えば、エポキシやポリイミドなどの樹脂から構成される。有色絶縁層３０は、例えば、緑色または青色などの有色であり、有色絶縁層３０の透明度は、ガラス本体部１００の透明度よりも低い。

【0074】

なお、有色絶縁層３０は、第１側面１００ｓ１から第４側面ｓ４の内の少なくとも１つの側面に設けられていてもよい。このとき、当該少なくとも１つの側面が、特許請求の範囲に記載の「第１側面」の一例に相当する。つまり、有色絶縁層３０の少なくとも一部は、第１側面に直交する方向からみて、底面１００ｂに平行な第１方向に沿って延在し、かつ、結晶化部１０１に対して第１方向に直交する第２方向に隣接して配置される。また、１つの側面、例えば第１側面１００ｓ１において、有色絶縁層３０は、複数の領域に分割されていてもよい。

【0075】

また、１つの側面、例えば第１側面１００ｓ１において、有色絶縁層３０は、Ｙ方向の左右両端に渡って連続的に延在しているが、Ｙ方向（左右方向）において部分的に存在していてもよい。つまり、有色絶縁層３０のＹ方向の長さは、第１側面１００ｓ１の左右両端の長さよりも短くてもよい。

【0076】

また、１つの側面、例えば第１側面１００ｓ１に直交する方向からみて、有色絶縁層３０の延在方向は、Ｙ方向に完全に一致しているが、実質的に一致していればよい。例えば、有色絶縁層３０の延在方向とＹ方向のなす傾斜角度は、１０°以下であればよい。

【0077】

また、ガラス本体部１００は、直方体であるが円柱であってもよく、このとき、円柱の周面が、特許請求の範囲に記載の「第１側面」の一例に相当する。そして、有色絶縁層３０は、円柱の周面の少なくとも一部に設けられる。

【0078】

上記構成によれば、結晶化部１０１および有色絶縁層３０は、ガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１に設けられているので、レーザセンサやカメラなどの検出装置によりガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１側からインダクタ部品１を検出するとき、透明度の低い結晶化部１０１および有色絶縁層３０を容易に認識することができ、インダクタ部品１を容易に検出することができる。

【0079】

さらに、結晶化部１０１および有色絶縁層３０は、第１側面１００ｓ１に直交する方向からみて、第Ｙ方向に沿って延在するので、検出装置をＹ方向に走査してインダクタ部品１を検出するとき、結晶化部１０１または有色絶縁層３０を容易に認識することができ、インダクタ部品１を容易に検出することができる。

【0080】

また、結晶化部１０１および有色絶縁層３０は、ガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１に設けられているので、ガラス本体部１００の露出を少なくでき、外力に対するインダクタ部品１の機械的強度を向上できる。ここで、結晶化されているガラスの機械的強度は、結晶化されていないガラスの機械的強度に比べて高い。

【0081】

なお、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の効果と同様の効果を有する。

【0082】

好ましくは、第１側面１００ｓ１において、有色絶縁層３０は、結晶化部１０１の存在しない全ての領域に設けられている。上記構成によれば、第１側面１００ｓ１の全領域を結晶化部１０１および有色絶縁層３０で覆うことができる。これにより、検出装置によりインダクタ部品１をより容易に検出でき、また、インダクタ部品１の機械的強度をより向上できる。なお、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。

【0083】

好ましくは、図３に示すように、第１側面１００ｓ１において、結晶化部１０１の第１側面１００ｓ１に直交する方向（Ｘ方向）の厚さｔ１と、有色絶縁層３０の第１側面１００ｓ１に直交する方向（Ｘ方向）の厚さｔ２とは、同じである。ここで、厚さとは、平均厚さであり、具体的に述べると、第１側面１００ｓ１に直交する方向（Ｘ方向）と第２方向（Ｚ方向）を含む断面において複数点を測定したときの平均値である。

【0084】

上記構成によれば、第１側面１００ｓ１に直交する方向において結晶化部１０１および有色絶縁層３０を面一に形成できる。これにより、結晶化部１０１および有色絶縁層３０の互いの第１側面１００ｓ１に直交する方向における段差を無くして、物体の接触による有色絶縁層３０の剥がれや結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減できる。なお、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。

【0085】

好ましくは、図３に示すように、第１側面１００ｓ１において、結晶化部１０１の第２方向（Ｚ方向）の高さｈ１は、有色絶縁層３０の第２方向（Ｚ方向）の高さｈ２よりも小さい。ここで、高さとは、最大高さであり、具体的に述べると、第１側面１００ｓ１に直交する方向と第２方向（Ｚ方向）を含む断面において測定したときの最大値である。

【0086】

上記構成によれば、結晶化部１０１を小さくできるので、物体が結晶化部１０１に接触する可能性を低減して結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減でき、また、結晶化部１０１に浮遊容量が発生する可能性を低減できる。また、有色絶縁層３０を大きくできるので、インダクタ部品１の機械的強度をより向上できる。なお、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。

【0087】

好ましくは、図３に示すように、第１側面１００ｓ１において、結晶化部１０１の第２方向（Ｚ方向）の高さｈ１と第１側面１００ｓ１の第２方向（Ｚ方向）の高さＨとの関係は、１／５＜ｈ１／Ｈ＜１／２を満たす。

【0088】

上記構成によれば、ｈ１／Ｈ＜１／２を満たすので、結晶化部１０１が必要以上に大きくならず、物体が結晶化部１０１に接触する可能性を低減して結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減でき、また、結晶化部１０１に浮遊容量が発生する可能性を低減できる。一方、１／５＜ｈ１／Ｈを満たすので、結晶化部１０１が必要以上に小さくならず、結晶化部１０１の機械的強度を確保できる。なお、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。

【0089】

好ましくは、図２と図３に示すように、第１側面１００ｓ１において、結晶化部１０１は、有色絶縁層３０よりも、底面１００ｂ側に配置されている。

【0090】

上記構成によれば、結晶化部１０１を天面１００ｔ側から離隔できるので、天面１００ｔに配置された天面導体１１ｂの近傍において浮遊容量が発生する可能性を低減できる。

【0091】

また、ガラス本体部１００の底面１００ｂ側を実装基板に対向するように、インダクタ部品１の端子電極１２１，１２２を実装基板に実装する。その状態で、ガラス本体部１００の天面１００ｔ側において物体がインダクタ部品１に接触し易くなるが、結晶化部１０１は底面１００ｂ側に配置されているため、物体が結晶化部１０１に接触することを低減でき、結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減できる。なお、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。

【0092】

好ましくは、図３に示すように、第１側面１００ｓ１において、第１保護層１５は、有色絶縁層３０に接触し、第２保護層１６は、結晶化部１０１に接触する。具体的に述べると、Ｚ方向上側からみて、第１保護層１５は、有色絶縁層３０を覆う。第１保護層１５のＺ方向に直交する方向に位置する側面と、有色絶縁層３０のＺ方向に直交する方向に位置する側面とは、同一面に位置する。Ｚ方向下側からみて、第２保護層１６は、結晶化部１０１を覆う。第２保護層１６のＺ方向に直交する方向に位置する側面と、結晶化部１０１のＺ方向に直交する方向に位置する側面とは、同一面に位置する。

【0093】

上記構成によれば、有色絶縁層３０および結晶化部１０１は第１保護層１５および第２保護層１６に固定され、有色絶縁層３０および結晶化部１０１を切断する際、有色絶縁層３０の剥がれや結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減できる。なお、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。第１保護層１５および第２保護層１６を有色絶縁層３０および結晶化部１０１の一方に接触させてもよい。

【0094】

好ましくは、第１保護層１５および第２保護層１６の少なくとも一方は、有色絶縁層３０と同様に、有色である。これによれば、レーザセンサやカメラなどの検出装置によりガラス本体部１００の天面１００ｔ側や底面１００ｂ側からインダクタ部品１を検出するとき、保護層１５，１６を容易に認識することができ、インダクタ部品１を容易に検出することができる。

【0095】

（インダクタ部品１の製造方法）
図５Ａに示すように、感光性ガラスからなり第１主面２００ａおよび第２主面２００ｂを含むマザー基板２００を準備する。第１主面２００ａは、天面１１ｔに相当し、第２主面２００ｂは、底面１００ｂに相当する。マザー基板２００としては、例えば、ＦｏｔｕｒａｎＩＩを用いることができる。マザー基板２００は一般的に、珪素、リチウム、アルミニウム、セリウム等の酸化物を含むことによって、高精度なフォトリソグラフィに対応可能となる。

【0096】

第１主面２０１の貫通導体形成用領域２０１に紫外線を照射し、その後の熱処理（例えば、焼成）でマザー基板２００を結晶化させて、第１主面２００ａから第２主面２００ｂに至る結晶化部を形成する。貫通導体形成用領域２０１とは、貫通導体を形成する領域であり、図５Ａにおいてハッチングにて示す。具体的に述べると、波長約３１０ｎｍの紫外光をマザー基板２００に照射する。上記紫外光の照射により、例えば、感光性ガラス中のセリウムイオンなどの金属イオンが光エネルギーにより酸化され、電子を放出する。ここで、最終的にマザー基板２００において得られる加工深さは、上記紫外光の照射量をマザー基板２００の厚みに応じて調整することで、制御することができる。

【0097】

上記紫外光の照射に用いる露光装置としては、波長約３１０ｎｍの紫外光を得られるコンタクトアライナー又はステッパーを利用できる。その他、フェムト秒レーザを含む、レーザ照射装置を光源として利用することもできる。なお、フェムト秒レーザを用いた場合、マザー基板２００の内部でレーザ光を集光することで、集光部でのみ金属酸化物から電子を放出させることができる。すなわち、マザー基板２００のレーザ光照射部表面は感光させず、内部のみを感光させることが可能である。

【0098】

図５Ｂに示すように、貫通導体形成用領域２０１において、結晶化部の全てをエッチングにより除去して、Ｚ方向に延在し第１主面２００ａおよび第２主面２００ｂを貫通する貫通孔２０２を形成する。例えば、エッチングにはフッ酸水溶液を用いる。フッ酸水溶液の濃度は、例えば、５～１０％であることが好ましい。エッチング工程では、フッ酸水溶液にマザー基板２００全体を浸漬させる。これにより、基板内の結晶相のみがエッチングされ、貫通孔２０２が形成される。

【0099】

その後、第１主面２０１の切断領域２０３に紫外線を照射し、その後の熱処理（例えば、焼成）でマザー基板２００を結晶化させて、第１主面２００ａから第２主面２００ｂに至る結晶化部を形成する。切断領域２０３とは、溝を形成する領域であり、図５Ｂにおいてハッチングにて示す。切断領域２０３は、マザー基板２００を分割して個片化する際のカットラインに一致する。

【0100】

図５Ｃと図５Ｄに示すように、切断領域２０３において、結晶化部の一部分を残し、結晶化部のその他の部分をエッチングにより除去して、第１主面２００ａに平行な方向に延在する溝２０４を形成する。除去されないで残存した結晶化部１０１は、第２主面２００ｂ側に位置し、溝２０４の底部を構成する。マザー基板２００のうちの結晶化部１０１以外の部分は、図１のガラス本体部１００に相当する。図５Ｃでは、結晶化部１０１をドットのハッチングにて示す。図５Ｄは、図５ＣのＡ－Ａ断面図である。以下、図５Ｅから図５Ｈも同様に図５ＣのＡ－Ａ断面に対応する。

【0101】

結晶化部の一部分（結晶化部１０１）を残すようにエッチングする場合、例えば、結晶化部１０１とする部分について、フッ酸水溶液が結晶相に浸漬しないように、フッ酸水溶液に耐性のある保護膜２０５で第２主面２００ｂ側から覆えばよい。図５Ｄでは、保護膜２０５を二点鎖線にて示す。

【0102】

なお、貫通導体形成用領域２０１と切断領域２０３とを同時に結晶化して、結晶化部１０１とする部分のみに保護膜２０５を設け、不要な結晶化部を同時にエッチングしてもよい。これにより、貫通孔２０２と溝２０４を同時に形成することができる。

【0103】

図５Ｅに示すように、マザー基板２００の第１主面２００ａおよび第２主面２００ｂを貫通する貫通導体１３，１４を形成する。具体的に述べると、例えばセミアディティブ法によって、貫通孔２０２に第１貫通導体１３および第２貫通導体１４を形成する。貫通導体１３，１４は、単一のシード層から形成してもよいし、別々の工程で形成してもよい。

【0104】

図５Ｆに示すように、溝２０４内に有色絶縁層３０を埋め込み有色絶縁層３０を結晶化部１０１に接触させる。具体的に述べると、例えばスピンコートによって、溝２０４内に有色絶縁層３０を形成する。なお、有色絶縁層３０を溝２０４内に設けつつ１主面２００ａ上に設け、その後、第１主面２００ａ上の有色絶縁層３０を研磨などにより取り除いてもよい。

【0105】

図５Ｇに示すように、第１主面２００ａに貫通導体１３，１４に電気的に接続された天面導体１１ｔを形成し、第２主面２００ｂに貫通導体１３，１４に電気的に接続された底面導体１１ｂを形成する。天面導体１１ｔおよび底面導体１１ｂは、例えば、貫通導体１３，１４と同様に、セミアディティブ法によって形成する。

【0106】

図５Ｈに示すように、天面導体１１ｔを覆うように第１主面２００ａの上方に第１保護層１５を形成し、底面導体１１ｂを覆うように第２主面２００ｂの上方に第２保護層１６を形成する。具体的に述べると、第１保護層１５および第２保護層１６は、樹脂フィルムをラミネートするか、ペースト状の樹脂を塗布、熱硬化するなどによって形成される。

【0107】

図５Ｉに示すように、第２保護層１６にビア孔を形成し、ビア孔に第１ビア導体１２１ｖを形成し、第２保護層１６の上方に第１ビア導体１２１ｖに接続する第１端子電極１２１を形成する。第１ビア導体１２１ｖおよび第１端子電極１２１は、同時に形成してもよく、または、別々に形成してもよい。第１ビア導体１２１ｖおよび第１端子電極１２１は、例えばセミアディティブ法によって形成する。図５Ｉは、図５ＣのＢ－Ｂ断面に対応する。以下、図５Ｊと図５Ｋも同様に図５ＣのＢ－Ｂ断面に対応する。

【0108】

図５Ｊに示すように、切断領域２０３に沿って有色絶縁層３０および結晶化部１０１を切断して、図５Ｋに示すように、マザー基板２００を分割し、図１に示す複数のインダクタ部品１を得る。具体的に述べると、ダイシングブレード３００を、第１保護層１５から第２保護層１６に向かって移動しつつ溝２０４に沿って移動する。なお、ダイシングブレード３００の代わりにレーザにて切断してもよい。

【0109】

これによれば、切断領域２０３に沿って有色絶縁層３０および結晶化部１０１を切断してマザー基板２００を分割するので、感光性ガラスを切断する場合に比べて、切断し易くなる。また、結晶化部１０１は有色絶縁層３０に接触しているため、結晶化部１０１は有色絶縁層３０に固定され、有色絶縁層３０および結晶化部１０１を切断する際、結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0110】

また、有色絶縁層３０をマザー基板２００の状態で設けているため、マザー基板２００を分割した後に個々の部品に有色絶縁層３０を塗布する場合と比べて、容易かつ低コストで実現できる。これに対して、分割した個々の部品のそれぞれに有色絶縁層３０を塗布する場合、作業手間および作業コストが増大する。

【0111】

＜第２実施形態＞
図６は、電子部品としてのインダクタ部品の第２実施形態を示す拡大断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、結晶化部の位置が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。

【0112】

図６に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａでは、第１側面１００ｓ１において、結晶化部１０１は、有色絶縁層３０よりも、天面１００ｔ側に配置されている。

【0113】

上記構成によれば、結晶化部１０１を底面１００ｂ側に配置された端子電極１２１，１２２から離隔できるので、端子電極１２１，１２２の近傍において浮遊容量が発生する可能性を低減できる。

【0114】

また、マウンタでガラス本体部１００の天面１００ｔ側を保持して、ガラス本体部１００の底面１００ｂ側を実装基板に対向するように、インダクタ部品１Ａの端子電極１２１，１２２を実装基板に実装する際、ガラス本体部１００の底面１００ｂ側において物体がインダクタ部品１Ａに接触し易くなるが、結晶化部１０１は天面１００ｔ側に配置されているため、物体が結晶化部１０１に接触することを低減でき、結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0115】

また、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。なお、第１から第４側面１００ｓ１～１００ｓ４の内の少なくとも１つの面において、上述の構成を満たしていればよい。

【0116】

＜第３実施形態＞
図７は、電子部品としてのインダクタ部品の第３実施形態を示す拡大断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、結晶化部の位置が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。

【0117】

図７に示すように、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂでは、第１側面１００ｓ１において、有色絶縁層３０は、結晶化部１０１よりも天面１００ｔ側に配置されている第１領域３１と、結晶化部１０１よりも底面１００ｂ側に配置されている第２領域３２とを含む。図３に示す有色絶縁層３０のＺ方向の高さｈ２とは、第１領域３１のＺ方向の高さと第２領域３２のＺ方向の高さとの合計をいう。

【0118】

上記構成によれば、結晶化部１０１を天面１００ｔ側および底面１００ｂ側から離隔できるので、応力集中し易いガラス基板１０の角部から結晶化部１０１を離隔でき、結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0119】

また、結晶化部１０１を天面１００ｔ側から離隔できるので、天面１００ｔの上方に配置された天面導体１１ｔの近傍において浮遊容量が発生する可能性を低減できる。

【0120】

また、ガラス本体部１００の底面１００ｂ側を実装基板に対向するように、インダクタ部品１Ｂの端子電極１２１，１２２を実装基板に実装した後、ガラス本体部１００の天面１００ｔ側において物体がインダクタ部品１Ｂに接触し易くなるが、結晶化部１０１を天面１００ｔ側から離隔できるので、物体が結晶化部１０１に接触することを低減でき、結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0121】

また、結晶化部１０１を端子電極１２１，１２２から離隔できるので、端子電極１２１，１２２の近傍において浮遊容量が発生する可能性を低減できる。

【0122】

また、マウンタでガラス本体部１００の天面１００ｔ側を保持して、ガラス本体部１００の底面１００ｂ側を実装基板に対向するように、インダクタ部品１Ｂの端子電極１２１，１２２を実装基板に実装する際、ガラス本体部１００の底面１００ｂ側において物体がインダクタ部品１Ｂに接触し易くなるが、結晶化部１０１を底面１００ｂ側から離隔できるので、物体が結晶化部１０１に接触することを低減でき、結晶化部１０１の割れ欠けの可能性を低減できる。

【0123】

また、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。なお、第１から第４側面１００ｓ１～１００ｓ４の内の少なくとも１つの面において、上述の構成を満たしていればよい。

【0124】

インダクタ部品１Ｂの製造方法について説明する。

【0125】

まず、第１実施形態の図５Ａと図５Ｂに示す製造方法と同じ方法で製造する。その後、図８Ａに示すように、図５Ｄに示す保護膜２０５を設けないで、マザー基板２００の第１主面２００ａおよび第２主面２００ｂからエッチングを行う。これにより、除去されないで残存する結晶化部１０１を第１主面２００ａと第２主面２００ｂの間のＺ方向の中央部に位置することができる。つまり、結晶化部１０１を挟んでＺ方向の両側に溝２０４を設けることができる。

【0126】

その後、図８Ｂに示すように、マザー基板２００の貫通孔２０２に第１貫通導体１３および第２貫通導体１４を形成し、溝２０４内に有色絶縁層３０を埋め込み有色絶縁層３０を結晶化部１０１に接触させる。その後、図５Ｇから図５Ｋに示す製造方法と同じ方法で製造して、インダクタ部品１Ｂを製造する。

【0127】

＜第４実施形態＞
図９は、電子部品としてのインダクタ部品の第４実施形態を示す拡大断面図である。第４実施形態は、第１実施形態とは、第１保護層および第２保護層の大きさが相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。

【0128】

図９に示すように、第４実施形態のインダクタ部品１Ｃでは、第１側面１００ｓ１において、第１保護層１５は、Ｚ方向からみて、有色絶縁層３０に重ならず、第２保護層１６は、Ｚ方向からみて、結晶化部１０１に重ならない。具体的に述べると、Ｚ方向上側からみて、第１保護層１５は、有色絶縁層３０から離隔している。第１保護層１５のＺ方向に直交する方向に位置する側面と、有色絶縁層３０のＺ方向に直交する方向に位置する側面との間に、段差を有する。Ｚ方向下側からみて、第２保護層１６は、結晶化部１０１から離隔している。第２保護層１６のＺ方向に直交する方向に位置する側面と、結晶化部１０１のＺ方向に直交する方向に位置する側面との間に、段差を有する。

【0129】

上記構成によれば、インダクタ部品１Ｃの製造において、図５Ｊに示すように切断領域２０３（溝２０４）に沿って有色絶縁層３０および結晶化部１０１を切断する際、Ｚ方向からみて、第１保護層１５および第２保護層１６は、有色絶縁層３０および結晶化部１０１に重ならないので、ダイシングブレード３００は、第１保護層１５および第２保護層１６に接触しない。したがって、ダイシングブレード３００による切断時に、第１保護層１５および第２保護層１６がガラス基板１０（マザー基板２００）から剥がれるのを抑制できる。
また、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。なお、Ｚ方向からみて、第１保護層１５および第２保護層１６の一方を有色絶縁層３０および結晶化部１０１に重なるように配置してもよい。また、第１から第４側面１００ｓ１～１００ｓ４の内の少なくとも１つの面において、上述の構成を満たしていればよい。

【0130】

＜第５実施形態＞
第５実施形態では、本発明に係る電子部品は、コンデンサ部品を例として説明する。図１０は、コンデンサ部品の断面図である。コンデンサ部品２は、例えば、高周波信号伝送回路に用いられる表面実装型のコンデンサ部品である。

【0131】

図１０に示すように、コンデンサ部品２は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０に設けられた第１平板電極２１および第２平板電極２２と、ガラス基板１０に設けられ、第１平板電極２１および第２平板電極２２を覆う第１保護層１５と、ガラス基板１０の側面側に設けられた有色絶縁層３０と、ガラス基板１０に設けられた第１端子電極２２１および第２端子電極２２２とを備える。第１平板電極２１および第２平板電極２２は、特許請求の範囲に記載の「外面導体」の一例に相当する。

【0132】

ガラス基板１０の材料は、第１実施形態のガラス基板１０の材料と同じである。つまり、ガラス基板１０は、ガラス本体部１００と結晶化部１０１とを有する。第１保護層１５の材料は、第１実施形態の第１保護層１５の材料と同じである。有色絶縁層３０の材料は、第１実施形態の有色絶縁層３０の材料と同じである。第１平板電極２１および第２平板電極２２の材料は、第１実施形態の天面導体１１ｔおよび底面導体１１ｂの材料と同じである。第１端子電極２２１および第２端子電極２２２の材料は、第１実施形態の第１端子電極１２１および第２端子電極１２２の材料と同じである。

【0133】

第１平板電極２１および第２平板電極２２は、ガラス基板１０の天面１００ｔに設けられる。第１平板電極２１は、ガラス基板１０の天面１００ｔに接触し、第２平板電極２２は、第１平板電極２１の上方に位置する。第１平板電極２１と第２平板電極２２の間には、誘電膜２５が設けられている。第１平板電極２１と第２平板電極２２と誘電膜２５は、コンデンサ素子を構成する。

【0134】

第１端子電極２２１および第２端子電極２２２は、ガラス基板１０の底面１００ｂに接触する。第１端子電極２２１および第２端子電極２２２は、互いに離隔している。

【0135】

コンデンサ部品２は、さらに、ガラス基板１０を貫通する第１貫通導体２３および第２貫通導体２４を有する。第１貫通導体２３は、第１端子電極２２１と第１平板電極２１の間に接続される。第２貫通導体２４は、第２端子電極２２２と第２平板電極２２の間に接続される。

【0136】

結晶化部１０１および有色絶縁層３０は、第１実施形態と同様に、ガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１から第４側面１００ｓ４のそれぞれに設けられている。なお、結晶化部１０１および有色絶縁層３０は、それぞれ、第１側面１００ｓ１から第４側面ｓ４の内の少なくとも１つの側面に設けられていてもよい。

【0137】

上記構成によれば、結晶化部１０１および有色絶縁層３０は、ガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１に設けられているので、レーザセンサやカメラなどの検出装置によりガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１側からコンデンサ部品２を検出するとき、透明度の低い結晶化部１０１および有色絶縁層３０を容易に認識することができ、コンデンサ部品２を容易に検出することができる。

【0138】

さらに、結晶化部１０１および有色絶縁層３０は、第１側面１００ｓ１に直交する方向からみて、第Ｙ方向に沿って延在するので、検出装置をＹ方向に走査してコンデンサ部品２を検出するとき、結晶化部１０１または有色絶縁層３０を容易に認識することができ、コンデンサ部品２を容易に検出することができる。

【0139】

また、結晶化部１０１および有色絶縁層３０は、ガラス本体部１００の第１側面１００ｓ１に設けられているので、ガラス本体部１００の露出を少なくでき、外力に対するコンデンサ部品２の機械的強度を向上できる。ここで、結晶化されているガラスの機械的強度は、結晶化されていないガラスの機械的強度に比べて高い。

【0140】

また、第２側面１００ｓ２、第３側面１００ｓ３および第４側面１００ｓ４においても、第１側面１００ｓ１における上述の構成および効果と同様である。なお、第１から第４側面１００ｓ１～１００ｓ４の内の少なくとも１つの面において、上述の構成を満たしていればよい。

【0141】

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第５実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。前記第１から第４実施形態では、電子部品としてインダクタ部品を用い、前記第５実施形態では、電子部品としてコンデンサ部品を用いたが、抵抗部品などのその他の電子部品を用いてもよく、または、それらの部品を組み合わせた複合部品を用いてもよい。

【0142】

前記第１実施形態から前記第４実施形態では、ガラス本体部の天面および底面のそれぞれに外面導体（底面導体および天面導体）を設け、外面導体を覆うように天面および底面のそれぞれに保護層（第１保護層および第２保護層）を設けているが、ガラス本体部の天面および底面の少なくとも一方の面に外面導体を設け、外面導体を覆うように少なくとも一方の面に保護層を設けてもよい。または、天面および底面のそれぞれに保護層を設けなくてもよい。

【0143】

本開示は以下の態様を含む。
＜１＞
天面と底面と前記底面と前記天面を接続する第１側面とを含むガラス本体部と、前記ガラス本体部の前記第１側面に設けられた突起状の結晶化部とを有するガラス基板と、
前記ガラス本体部の前記第１側面に設けられた有色絶縁層と、
前記ガラス本体部内に設けられ前記天面と前記底面を貫通する貫通導体と
を備え、
前記結晶化部は、前記第１側面に直交する方向からみて、前記底面に平行な第１方向に沿って延在し、
前記有色絶縁層の少なくとも一部は、前記第１側面に直交する方向からみて、前記第１方向に沿って延在し、かつ、前記結晶化部に対して前記第１方向に直交する第２方向に隣接して配置される、電子部品。
＜２＞
前記第１側面において、前記有色絶縁層は、前記結晶化部の存在しない全ての領域に設けられている、＜１＞に記載の電子部品。
＜３＞
前記結晶化部の前記第１側面に直交する方向の厚さと、前記有色絶縁層の前記第１側面に直交する方向の厚さとは、同じである、＜１＞または＜２＞に記載の電子部品。
＜４＞
前記結晶化部の前記第２方向の高さは、前記有色絶縁層の前記第２方向の高さよりも小さい、＜１＞から＜３＞の何れか一つに記載の電子部品。
＜５＞
前記結晶化部の前記第２方向の高さｈ１と前記第１側面の前記第２方向の高さＨとの関係は、１／５＜ｈ１／Ｈ＜１／２を満たす、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の電子部品。
＜６＞
さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記結晶化部は、前記有色絶縁層よりも、前記底面側に配置されている、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載の電子部品。
＜７＞
さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記結晶化部は、前記有色絶縁層よりも、前記天面側に配置されている、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載の電子部品。
＜８＞
さらに、前記底面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された端子電極を備え、
前記有色絶縁層は、前記結晶化部よりも前記天面側に配置されている第１領域と、前記結晶化部よりも前記底面側に配置されている第２領域とを含む、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載の電子部品。
＜９＞
さらに、前記天面および前記底面の少なくとも一方の面の上方に配置され、前記貫通導体に電気的に接続された外面導体と、
前記外面導体を覆うように前記少なくとも一方の面の上方に設けられた保護層と
を備える、＜１＞から＜８＞の何れか一つに記載の電子部品。
＜１０＞
感光性ガラスからなり第１主面および第２主面を含むマザー基板を準備する工程と、
前記第１主面の切断領域に紫外線を照射し、その後の熱処理で前記マザー基板を結晶化させて、前記第１主面に平行な方向に延在し前記第１主面から前記第２主面に至る結晶化部を形成する工程と、
前記切断領域において、前記結晶化部の一部分を残し、前記結晶化部のその他の部分をエッチングにより除去して、前記第１主面に平行な方向に延在する溝を形成する工程と、
前記マザー基板の前記第１主面および前記第２主面を貫通する貫通導体を形成する工程と、
前記溝内に有色絶縁層を埋め込み前記有色絶縁層を前記結晶化部に接触させる工程と、
前記切断領域に沿って前記有色絶縁層および前記結晶化部を切断して前記マザー基板を分割し、複数の電子部品を得る工程と
を備える、電子部品の製造方法。
＜１１＞
さらに、前記マザー基板を分割し、複数の電子部品を得る工程の前に、
前記第１主面および前記第２主面の少なくとも一方の面の上方に、前記貫通導体に電気的に接続された外面導体を形成する工程と、
前記外面導体を覆うように前記少なくとも一方の面の上方に保護層を形成する工程と
を備える、＜１０＞に記載の電子部品の製造方法。

【符号の説明】

【0144】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ インダクタ部品（電子部品）
２ コンデンサ部品（電子部品）
１０ ガラス基板
１１ｂ 底面導体（外面導体）
１１ｔ 天面導体（外面導体）
１３，２３ 第１貫通導体
１４，２４ 第２貫通導体
１５ 第１保護層
１６ 第２保護層
２１ 第１平板電極（外面導体）
２２ 第２平板電極（外面導体）
２５ 誘電膜
３０ 有色絶縁層
３１ 第１領域
３２ 第２領域
１００ ガラス本体部
１００ｂ 底面
１００ｔ 天面
１００ｓ１～１００ｓ４ 第１から第４側面
１０１ 結晶化部
１１０ コイル
１２１，２２１ 第１端子電極
１２２，２２２ 第２端子電極
２００ マザー基板
２００ａ 第１主面
２００ｂ 第２主面
２０１ 貫通導体形成用領域
２０２ 貫通孔
２０３ 切断領域
２０４ 溝
２０５ 保護膜
３００ ダイシングブレード
ＡＸ 軸
ｔ１ 結晶化部の厚さ
ｔ２ 有色絶縁層の厚さ
ｈ１ 結晶化部の高さ
ｈ２ 有色絶縁層の高さ
Ｈ 第１側面の高さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5I】

【図5J】

【図5K】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図9】

【図10】