特許 7597128 多層基板及び多層基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-02

(45)【発行日】2024-12-10

(54)【発明の名称】多層基板及び多層基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20241203BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20241203BHJP

   H01P 3/08 20060101ALI20241203BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 J

H05K3/46 Z

H05K1/02 P

H01P3/08 200

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2022572212

(86)(22)【出願日】2021-12-15

(86)【国際出願番号】 JP2021046177

(87)【国際公開番号】W WO2022138355

(87)【国際公開日】2022-06-30

【審査請求日】2023-05-24

(31)【優先権主張番号】P 2020214600

(32)【優先日】2020-12-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】添田 雄史

(72)【発明者】

【氏名】川辺 健太朗

(72)【発明者】

【氏名】清水 康輝

(72)【発明者】

【氏名】栗栖 徹

(72)【発明者】

【氏名】山川 明浩

【審査官】鹿野 博司

(56)【参考文献】

【文献】特開２００３－１３３６６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１６４８７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０２－１０９３９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－１９９８１６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ３／４６

Ｈ０１Ｐ ３／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きい、
多層基板。

【請求項2】

前記複数の絶縁体層の一部である絶縁体層は前記第１導体層及び前記第２導体層より下方向にもあり、
前記第１導体層及び前記第２導体層より下方向に、グランド導体層である下導体層が設けられており、
前記上下方向から見て、前記第２導体層は前記上導体層及び前記下導体層と重なる、
請求項１に記載の多層基板。

【請求項3】

前記複数の絶縁体層の一部である絶縁体層は前記第１導体層及び前記第２導体層より下方向にもあり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記複数の絶縁体層のうち２つの絶縁体層に共に接する、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。

【請求項4】

前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より下に設けられている下導体層を、
更に備えている、
請求項１に記載の多層基板。

【請求項5】

前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記第２絶縁体層の誘電率は、前記第１絶縁体層の誘電率より低い、
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。

【請求項6】

前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記第２絶縁体層の誘電正接は、前記第１絶縁体層の誘電正接より低い、
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。

【請求項7】

前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、
請求項５又は請求項６のいずれかに記載の多層基板。

【請求項8】

前記上導体層は、前記第１絶縁体層に設けられている、
請求項７に記載の多層基板。

【請求項9】

前記第１導体層と前記第２導体層との間に設けられているグランド導体層を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の多層基板。

【請求項10】

前記第１信号は、電源として機能する直流信号である、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の多層基板。

【請求項11】

前記第２導体層と前記上導体層との前記上下方向における距離は、前記第１導体層と前記上導体層との前記上下方向における距離より大きい、
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の多層基板。

【請求項12】

前記上導体層は、前記上下方向に見て、前記第１導体層と重なっている、
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の多層基板。

【請求項13】

前記上導体層は、グランド導体層である、
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の多層基板。

【請求項14】

絶縁材料を材料とする本体と、
前記本体に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記本体に設けられており、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記本体に設けられており、かつ、上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている上導体層と、
を備えており、
前記第１信号が伝送される伝送方向に直交する直交方向に見て、前記第２導体層は、前記第１導体層に重なっており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きい、
多層基板。

【請求項15】

複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きく、
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、多層基板の製造方法であり、
前記複数の絶縁体層の材料は熱可塑性樹脂を含んでいて、
前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層が前記上主面又は前記下主面のいずれか一方に設けられた前記第３絶縁体層を準備する準備工程と、
前記第３絶縁体層を含む前記複数の絶縁体層を前記上下方向に積層した後に、前記複数の絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備える、
多層基板の製造方法。

【請求項16】

複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きく、
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、多層基板の製造方法であり、
前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層が前記上主面又は前記下主面のいずれか一方に設けられた前記第３絶縁体層を準備する準備工程と、
前記第１絶縁体層、導体層が設けられていない接着層である前記第２絶縁体層、及び、前記第３絶縁体層を上から下へとこの順に並べて積層した後に、前記第１絶縁体層、前記第２絶縁体層及び前記第３絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備えている、
多層基板の製造方法。

【請求項17】

前記準備工程は、
導体箔を前記第３絶縁体層に形成する導体箔形成工程と、
前記導体箔の一部にメッキ処理を施すことにより、前記第１導体層の前記上下方向の厚みを前記第２導体層の前記上下方向の厚みより大きくするメッキ工程と、
を含んでいる、
請求項１５又は請求項１６に記載の多層基板の製造方法。

【請求項18】

前記準備工程は、
導体箔を前記第３絶縁体層に形成する導体箔形成工程と、
前記導体箔の一部にエッチング処理を施すことにより、前記第２導体層の上下方向の厚みを前記第１導体層の上下方向の厚みより小さくするエッチング工程と、
を含んでいる、
請求項１５又は請求項１６に記載の多層基板の製造方法。

【請求項19】

前記準備工程では、前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層を前記第３絶縁体層の前記上主面又は前記下主面のいずれかに貼り付ける、
請求項１５又は請求項１６のいずれかに記載の多層基板の製造方法。

【請求項20】

前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている前記上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さい、
請求項１５ないし請求項１９のいずれかに記載の多層基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数の絶縁体層が積層された構造を有する多層基板及び多層基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のディファレンシャル信号伝送線路が知られている。このディファレンシャル信号伝送線路は、複数のフレキシブル絶縁シート、第１伝送線層、第２伝送線層、第１接地線層及び第２接地線層を備えている。複数のフレキシブル絶縁シートは、上下方向に積層されている。第１伝送線層及び第２伝送線層には、異なる周波数を有する信号が伝送される。第１接地線層は、第１伝送線層及び第２伝送線層の上に設けられている。第２接地線層は、第１伝送線層及び第２伝送線層の下に設けられている。このように、ディファレンシャル信号伝送線路では、ストリップライン構造が形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平１１－２８２５９２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、特許文献１に記載のディファレンシャル信号伝送線路において、異なる周波数を有する信号が伝送される第１伝送線層及び第２伝送線層に生じる伝送損失を低減したいという要望がある。

【0005】

そこで、本発明の目的は、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層及び第２導体層に生じる伝送損失を低減できる多層基板及び多層基板の製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態に係る多層基板は、
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きい。

【0007】

本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きく、
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、多層基板の製造方法であり、
前記複数の絶縁体層の材料は熱可塑性樹脂を含んでいて、
前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層が前記上主面又は前記下主面のいずれか一方に設けられた前記第３絶縁体層を準備する準備工程と、
前記第３絶縁体層を含む前記複数の絶縁体層を前記上下方向に積層した後に、前記複数の絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備える。
また、本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きく、
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、多層基板の製造方法であり、
前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層が前記上主面又は前記下主面のいずれか一方に設けられた前記第３絶縁体層を準備する準備工程と、
前記第１絶縁体層、導体層が設けられていない接着層である前記第２絶縁体層、及び、前記第３絶縁体層を上から下へとこの順に並べて積層した後に、前記第１絶縁体層、前記第２絶縁体層及び前記第３絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備える。

【0008】

本発明の一形態に係る多層基板は、
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記複数の絶縁体層の内の絶縁体層に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の絶縁体層に設けられており、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている上導体層と、
を備えており、
前記第１信号が伝送される伝送方向に直交する直交方向に見て、前記第２導体層は、前記第１導体層に重なっており、
前記第２導体層の上下方向の厚みは、前記第１導体層の上下方向の厚みより小さい。

【0009】

本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
上下方向の厚みの異なる第１導体層及び第２導体層が上主面又は下主面のいずれか一方に設けられた第３絶縁体層を準備する準備工程と、
第１絶縁体層、導体層が設けられていない接着層である第２絶縁体層、及び、前記第３絶縁体層を上から下へとこの順に並べて積層した後に、前記第１絶縁体層、前記第２絶縁体層及び前記第３絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備えている。

【発明の効果】

【0010】

本発明に係る多層基板及び多層基板の製造方法によれば、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層及び第２導体層に生じる伝送損失を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、多層基板１０の分解斜視図である。

【図2】図２は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。

【図3】図３は、多層基板１０を備える電子機器１の左面図である。

【図4】図４は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【図5】図５は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【図6】図６は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【図7】図７は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【図8】図８は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【図9】図９は、多層基板１０ａの断面図である。

【図10】図１０は、多層基板１０ｂの断面図である。

【図11】図１１は、多層基板１０ｃの断面図である。

【図12】図１２は、多層基板１０ｃの製造時における断面図である。

【図13】図１３は、多層基板１０ｃの製造時における断面図である。

【図14】図１４は、多層基板１０ｄの断面図である。

【図15】図１５は、多層基板１０ｅの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

（実施形態）
［多層基板１０の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。なお、図１では、複数の層間接続導体の内の代表的な層間接続導体ｖ３～ｖ６にのみ参照符号を付した。図２は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。

【0013】

本明細書において、方向を以下のように定義する。多層基板１０の積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、多層基板１０の第１導体層２２ａが延びる方向を前後方向と定義する。また、第１導体層２２ａの線幅方向を左右方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。

【0014】

以下では、Ｘは、多層基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

【0015】

まず、図１を参照しながら、多層基板１０の構造について説明する。多層基板１０は、信号を伝送する。多層基板１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、積層体１２、保護層２０ａ，２０ｂ、第１導体層２２ａ、第２導体層２２ｂ、上導体層２４、下導体層２６、信号端子２８ａ～２８ｄ、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３～ｖ６を備えている。

【0016】

積層体１２は、板形状を有している。従って、積層体１２は、上主面及び下主面を有している。積層体１２の上主面及び下主面は、上下方向に延びる法線を有している。積層体１２の上主面及び下主面は、前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、積層体１２の前後方向の長さは、積層体１２の左右方向の長さより長い。

【0017】

積層体１２は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｃを含んでいる。積層体１２は、絶縁体層１６ａ～１６ｃが上下方向に積層された構造を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｃが上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ａ～１６ｃは、上下方向に見て、積層体１２と同じ長方形状を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｃは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料は、熱可塑性樹脂を含んでいる。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等である。また、絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料は、ポリイミドであってもよい。このように、積層体１２は、絶縁材料を材料とする本体である。

【0018】

第１導体層２２ａは、積層体１２（本体）に設けられている。第１導体層２２ａは、複数の絶縁体層の内の絶縁体層１６ｂに設けられている。第１導体層２２ａは、絶縁体層１６ｂの上主面又は下主面に設けられている。本実施形態では、第１導体層２２ａは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。第１導体層２２ａは、線形状を有している。第１導体層２２ａは、前後方向に延びている。第１導体層２２ａには、第１信号が伝送される。第１信号は、例えば、０ＭＨｚ～数十ＭＨｚの周波数を有する信号である。第１信号は、例えば、電源として機能する直流信号である。また、第１信号は、例えば、１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波信号である。

【0019】

第２導体層２２ｂは、積層体１２（本体）に設けられている。第２導体層２２ｂは、複数の絶縁体層の内の絶縁体層１６ｂに設けられている。従って、第２導体層２２ｂは、第１導体層２２ａが設けられている絶縁体層１６ｂと同じ絶縁体層１６ｂの同一主面に設けられている。従って、第２導体層２２ｂの上下方向の位置は、第１導体層２２ａの上下方向の位置と同じである。本実施形態では、第２導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。これにより第１信号が伝送される伝送方向（前後方向）に直交する直交方向（左右方向）に見て、第２導体層２２ｂは、第１導体層２２ａに重なっている。第２導体層２２ｂは、線形状を有している。第２導体層２２ｂは、前後方向に延びている。第２導体層２２ｂは、第１導体層２２ａの右に設けられている。第２導体層２２ｂには、第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される。第２信号は、例えば、１００ＭＨｚ以上の周波数を有する高周波信号である。

【0020】

上導体層２４は、積層体１２（本体）に設けられている。上導体層２４は、上下方向に見て、第２導体層２２ｂと重なるように、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂより上に設けられている。本実施形態では、上導体層２４は、積層体１２に設けられている。上導体層２４は、上下方向に見て、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂと重なるように、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂより上に設けられている。本実施形態では、上導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。上導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面の略全面を覆っている。上導体層２４は、グランド電位に接続される。従って、上導体層２４は、グランド導体層である。

【0021】

下導体層２６は、積層体１２（本体）に設けられている。下導体層２６は、上下方向に見て、第２導体層２２ｂと重なるように、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂより下に設けられている。本実施形態では、下導体層２６は、積層体１２に設けられている。下導体層２６は、上下方向に見て、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂと重なるように、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂより下に設けられている。本実施形態では、下導体層２６は、絶縁体層１６ｃの下主面に設けられている。本実施形態では、下導体層２６は、絶縁体層１６ｃの下主面の略全面を覆っている。下導体層２６は、グランド電位に接続される。従って、下導体層２６は、グランド導体層である。これにより、第１導体層２２ａ、第２導体層２２ｂ、上導体層２４及び下導体層２６は、ストリップライン構造を有している。

【0022】

ここで、図２に示すように、第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂは、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａより小さい。厚みＴａは、例えば、１７μｍ以上３５μｍ以下である。厚みＴｂは、例えば、６μｍ以上１２μｍ以下である。また、第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂは、上導体層２４の上下方向の厚みＴｃ及び下導体層２６の上下方向の厚みＴｄと略等しい。すなわち、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａは、上導体層２４の上下方向の厚みＴｃ及び下導体層２６の上下方向の厚みＴｄより大きい。第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが以上の構造を有することにより、第１導体層２２ａと上導体層２４との上下方向における距離Ｄａは、第２導体層２２ｂと上導体層２４との上下方向における距離Ｄｂより小さい。

【0023】

複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、上導体層２４と下導体層２６とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、絶縁体層１６ａ～１６ｃを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の上端は、上導体層２４に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の下端は、下導体層２６に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１は、第１導体層２２ａの左に設けられている。複数の層間接続導体ｖ１は、前後方向において等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ２は、第２導体層２２ｂの右に設けられている。複数の層間接続導体ｖ２は、前後方向において等間隔に一列に並んでいる。

【0024】

信号端子２８ａ，２８ｃは、絶縁体層１６ａの上主面の前端部に設けられている。信号端子２８ａ，２８ｃは、上下方向に見て、長方形状を有している。信号端子２８ａは、上下方向に見て、第１導体層２２ａの前端部と重なっている。信号端子２８ｃは、上下方向に見て、第２導体層２２ｂの前端部と重なっている。信号端子２８ａ，２８ｃが上導体層２４と絶縁されるように、信号端子２８ａ，２８ｃの周囲には上導体層２４が設けられていない。

【0025】

層間接続導体ｖ３は、信号端子２８ａと第１導体層２２ａとを電気的に接続している。具体的には、層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１６ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ３の上端は、信号端子２８ａに接続されている。層間接続導体ｖ３の下端は、第１導体層２２ａの前端部に接続されている。これにより、信号端子２８ａは、第１導体層２２ａと電気的に接続されている。第１信号は、信号端子２８ａを介して、第１導体層２２ａに入出力する。

【0026】

層間接続導体ｖ５は、信号端子２８ｃと第２導体層２２ｂとを電気的に接続している。具体的には、層間接続導体ｖ５は、絶縁体層１６ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ５の上端は、信号端子２８ｃに接続されている。層間接続導体ｖ５の下端は、第２導体層２２ｂの前端部に接続されている。これにより、信号端子２８ｃは、第２導体層２２ｂと電気的に接続されている。第２信号は、信号端子２８ｃを介して、第２導体層２２ｂに入出力する。

【0027】

なお、信号端子２８ｂ，２８ｄ及び層間接続導体ｖ４，ｖ６は、信号端子２８ａ，２８ｃ及び層間接続導体ｖ３，ｖ５と前後対称な構造を有する。従って、信号端子２８ｂ，２８ｄ及び層間接続導体ｖ４，ｖ６の説明を省略する。

【0028】

以上のような第１導体層２２ａ、第２導体層２２ｂ、上導体層２４、下導体層２６及び信号端子２８ａ～２８ｄは、例えば、絶縁体層１６ａ～１６ｃの上主面又は下主面に設けられた導体箔にエッチングが施されることにより形成されている。導体箔は、例えば、銅箔である。また、層間接続導体ｖ１～ｖ６は、例えば、スルーホール導体である。スルーホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｃに貫通孔を形成し、貫通孔にメッキ処理を施すことにより作製される。ただし、層間接続導体ｖ１～ｖ６は、ビアホール導体であってもよい。ビアホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｃに貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填した後に、導電性ペーストを焼結させることにより作製される。

【0029】

保護層２０ａ，２０ｂは、可撓性を有する絶縁体層である。ただし、保護層２０ａ，２０ｂは、積層体１２の一部ではない。保護層２０ａ，２０ｂは、上下方向に見て、積層体１２と同じ長方形状を有している。

【0030】

保護層２０ａは、絶縁体層１６ａの上主面の略全面を覆っている。これにより、保護層２０ａは、上導体層２４を保護している。ただし、保護層２０ａには、開口ｈ１～ｈ８が設けられている。開口ｈ１は、上下方向に見て、信号端子２８ａと重なっている。これにより、信号端子２８ａは、開口ｈ１を介して多層基板１０から外部に露出している。開口ｈ２は、上下方向に見て、信号端子２８ｃと重なっている。これにより、信号端子２８ｃは、開口ｈ２を介して多層基板１０から外部に露出している。開口ｈ３は、開口ｈ１の左に設けられている。開口ｈ４は、開口ｈ２の右に設けられている。これにより、上導体層２４は、開口ｈ３，ｈ４を介して多層基板１０から外部に露出している。なお、開口ｈ５～ｈ８の構造はそれぞれ、開口ｈ１～ｈ４の構造と前後対称である。従って、開口ｈ５～ｈ８の説明を省略する。

【0031】

保護層２０ｂは、絶縁体層１６ｃの下主面の略全面を覆っている。これにより、保護層２０ｂは、下導体層２６を保護している。

【0032】

［電子機器１の構造］
次に、多層基板１０を備える電子機器１の構造について図面を参照しながら説明する。図３は、多層基板１０を備える電子機器１の左面図である。電子機器１は、例えば、携帯無線通信端末である。電子機器１は、例えば、スマートフォンである。

【0033】

多層基板１０は、図３に示すように、折り曲げられる。「多層基板１０が折り曲げられる」とは、多層基板１０に外力が加えられることにより多層基板１０が変形して曲がっていることを意味する。以下では、多層基板１０が折り曲げられる区間を曲げ区間Ａ２と呼ぶ。多層基板１０が折り曲げられない区間を非曲げ区間Ａ１，Ａ３と呼ぶ。そして、電子機器１におけるｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を以下の様に定義する。ｘ軸は、非曲げ区間Ａ１での前後方向である。ｙ軸は、非曲げ区間Ａ１での左右方向である。ｚ軸は、非曲げ区間Ａ１での上下方向である。非曲げ区間Ａ１、曲げ区間Ａ２及び非曲げ区間Ａ３は、ｘ軸の正方向に向かってこの順に並んでいる。

【0034】

図３に示すように、曲げ区間Ａ２はｚ軸方向に折り曲げられる。従って、上下方向及び前後方向は、図３に示すように、多層基板１０の位置によって異なる。積層体１２が折り曲げられていない非曲げ区間Ａ１及び非曲げ区間Ａ３（例えば、（１）の位置）では、上下方向及び前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致する。一方、積層体１２が折り曲げられている曲げ区間Ａ２（例えば、（２）の位置）では、上下方向及び前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致しない。

【0035】

電子機器１は、図３に示すように、多層基板１０、コネクタ３０ａ，３０ｂ，１０２ａ，１０２ｂ、回路基板１００，１１０を備えている。

【0036】

回路基板１００，１１０は、板形状を有している。回路基板１００は、主面Ｓ５，Ｓ６を有している。主面Ｓ５は、主面Ｓ６よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板１１０は、主面Ｓ１１，Ｓ１２を有している。主面Ｓ１１は、主面Ｓ１２よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板１００，１１０は、図示しない配線導体層やグランド導体層、電極等を含んでいる。

【0037】

コネクタ３０ａ，３０ｂのそれぞれは、非曲げ区間Ａ１及び非曲げ区間Ａ３のｚ軸の正方向側の主面（上主面）に実装されている。より詳細には、コネクタ３０ａは、開口ｈ１～ｈ４から露出している信号端子２８ａ，２８ｃ及び上導体層２４に実装される。コネクタ３０ｂは、開口ｈ５～ｈ８から露出している信号端子２８ｂ，２８ｄ及び上導体層２４に実装される。

【0038】

コネクタ１０２ａ，１０２ｂのそれぞれは、回路基板１００の主面Ｓ５及び回路基板１１０の主面Ｓ１１に実装されている。コネクタ１０２ａ，１０２ｂのそれぞれは、コネクタ３０ａ，３０ｂに接続されている。これにより、多層基板１０は、回路基板１００と回路基板１１０とを電気的に接続している。

【0039】

［多層基板１０の製造方法］
以下に、多層基板１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４ないし図６は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【0040】

まず、上下方向の厚みの異なる第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが上主面又は下主面のいずれか一方に設けられた絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を準備する（準備工程）。本実施形態では、上下方向の厚みの異なる第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが上主面に設けられた絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を準備する。より詳細には、図４に示すように、絶縁体層１６ｂに導体箔を形成する（導体箔準備工程）。本実施形態では、絶縁体層１６ｂの上主面に銅箔１２２を張り付ける。

【0041】

次に、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが形成される部分にマスク（図示せず）を形成し、銅箔１２２にエッチングを施す（パターニング工程）。この段階では、図４に示すように、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａ及び第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂは等しい。

【0042】

次に、図４に示すように、第１導体層２２ａ（導体箔の一部）にメッキ処理を施すことにより、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａを第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂより大きくする（メッキ工程）。より詳細には、第２導体層２２ｂにマスク（図示せず）を形成する。そして、第１導体層２２ａにのみメッキ処理を施す。

【0043】

なお、図示を省略するが、絶縁体層１６ａの上主面及び絶縁体層１６ｃの下主面に導体箔を形成し、導体箔にエッチング処理を施すことにより、上導体層２４及び下導体層２６を形成する。

【0044】

次に、図５に示すように、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を含む絶縁体層１６ａ～１６ｃを上下方向に積層する。その後、図６に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｃに加熱処理及び加圧処理を施す（圧着工程）。これにより、熱可塑性樹脂を材料とする絶縁体層１６ａ～１６ｃが軟化及び流動化し、絶縁体層１６ａ～１６ｃが互いに接合される。その結果、積層体１２が得られる。

【0045】

次に、図１に示すように、層間接続導体ｖ１～ｖ６を形成する。層間接続導体ｖ１～ｖ６は、絶縁体層１６ａ～１６ｃに貫通孔を形成し、貫通孔にメッキ処理を施すことにより作製される。

【0046】

最後に、絶縁体層１６ａの上主面及び絶縁体層１６ｃの下主面のそれぞれに保護層２０ａ及び２０ｂを印刷により形成する。以上の工程を経て、多層基板１０が完成する。

【0047】

［効果］
多層基板１０によれば、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減できる。より詳細には、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減するためには、例えば、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａ及び第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂを大きくすることが考えられる。この場合、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂの直流抵抗値を低減することができる。

【0048】

しかしながら、多層基板１０では、第２導体層２２ｂには、第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される。このような第２導体層２２ｂでは、第２導体層２２ｂの伝送損失を低減するために、第２導体層２２ｂに生じる特性インピーダンスを所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）に近づける必要がある。そのため、第２導体層２２ｂに生じる特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスに近づくように、第２導体層２２ｂの左右方向の線幅及び第２導体層２２ｂと上導体層２４との上下方向における距離Ｄｂが設計される。ここで、前記のように第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａ及び第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂを大きくすると、第２導体層２２ｂと上導体層２４との上下方向における距離Ｄｂが設計値より小さくなってしまう。その結果、第２導体層２２ｂと上導体層２４との間に発生する容量値が設計値より大きくなり、第２導体層２２ｂに生じる特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変動する。よって、第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減することが難しい。

【0049】

このように、第１導体層２２ａを伝送される第１信号の周波数と第２導体層２２ｂを伝送される第２信号の周波数とが異なると、第１導体層２２ａの伝送損失を低減するための条件と第２導体層２２ｂの伝送損失を低減するための条件とが異なってしまう。従って、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａ及び第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂを大きくすることにより、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減することは難しい。

【0050】

そこで、多層基板１０では、第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂは、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａより小さい。これにより、第２導体層２２ｂと上導体層２４との間に発生する容量値が設計値より大きくなることが抑制され、第２導体層２２ｂに生じる特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変動することが抑制される。更に、第２導体層２２ｂと上導体層２４との間に発生する容量値が大きくなることが抑制されるので、第２導体層２２ｂの左右方向の線幅を大きくすることが容易となる。これにより、第２導体層２２ｂの前後方向に直交する断面における外縁の長さが長くなりやすい。その結果、表皮効果により第２信号が第２導体層２２ｂの表面に集中して流れる場合に、第２導体層２２ｂにおいて第２信号が流れることができる領域が広くなりやすい。よって、第２導体層２２ｂの伝送損失が低減されやすい。以上より、多層基板１０によれば、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減できる。

【0051】

（第１変形例）
以下に第１変形例に係る多層基板１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図７は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【0052】

第１変形例に係る多層基板１０の製造方法は、準備工程において、前記実施形態に係る多層基板１０の製造方法と異なる。より詳細には、図７に示すように、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）に導体箔を形成する（導体箔形成工程）。本変形例では、絶縁体層１６ｂの上主面に銅箔１２２を張り付ける。

【0053】

次に、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが形成される部分にマスク（図示せず）を形成し、銅箔１２２にエッチングを施す（パターニング工程）。この段階では、図７に示すように、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａ及び第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂは等しい。

【0054】

次に、第１導体層２２ｂ（導体箔の一部）にエッチング処理を施すことにより、第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂを第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａより小さくする（エッチング工程）。より詳細には、第１導体層２２ａにマスク（図示せず）を形成する。そして、第２導体層２２ｂにのみエッチング処理を施す。なお、第１変形例に係る多層基板１０の製造方法のその他の工程は、実施形態に係る多層基板１０の製造方法と同じであるので説明を省略する。第１変形例に係る多層基板１０の製造方法によっても、多層基板１０を得ることができる。

【0055】

（第２変形例）
以下に第２変形例に係る多層基板１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図８は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【0056】

第２変形例に係る多層基板１０の製造方法は、準備工程において、前記実施形態に係る多層基板１０の製造方法と異なる。より詳細には、図８に示すように、準備工程では、上下方向の厚みの異なる第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂを絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の上主面又は下主面のいずれかに貼り付ける。すなわち、上下方向の厚みの異なる第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂを作製する。そして、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂを絶縁体層１６ｂの上主面に貼り付ける。なお、第２変形例に係る多層基板１０の製造方法のその他の工程は、実施形態に係る多層基板１０の製造方法と同じであるので説明を省略する。第２変形例に係る多層基板１０の製造方法によっても、多層基板１０を得ることができる。

【0057】

（第３変形例）
以下に第３変形例に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図９は、多層基板１０ａの断面図である。

【0058】

多層基板１０ａは、積層体１２の左部の上下方向の厚みが積層体１２の右部の上下方向の厚みと異なる点において、多層基板１０と相違する。以下に、この相違点について説明する。

【0059】

積層体１２は、絶縁体層１６ｄ，１６ｅを更に含んでいる。絶縁体層１６ｄ，１６ｅは、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとの間においてこの順に上から下へと積層されている。

【0060】

多層基板１０ａは、グランド導体層３０，３１，３２を更に備えている。グランド導体層３０，３１，３２のそれぞれは、絶縁体層１６ｄ，１６ｅ，１６ｃの上主面に位置している。グランド導体層３０，３１，３２のそれぞれは、上下方向に見て、第１導体層２２ａと重なっている。グランド導体層３０，３１，３２のそれぞれは、上下方向に見て、第２導体層２２ｂと重なっていない。これは、第２導体層２２ｂとグランド導体層３０，３１，３２との間に形成される容量を低減することにより、多層基板１０ａの高周波特性の劣化を抑制するためである。

【0061】

ここで、グランド導体層３０，３１，３２のそれぞれは、上下方向に見て、第２導体層２２ｂと重なっていない。そのため、積層体１２の圧着時に、積層体１２の左部の上下方向の厚みが積層体１２の右部の上下方向の厚みより大きくなる。

【0062】

また、多層基板１０ａにおいても、第１導体層２２ａと上導体層２４との上下方向における距離Ｄａは、第２導体層２２ｂと上導体層２４との上下方向における距離Ｄｂより小さい。

【0063】

多層基板１０ａのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ａは、多層基板１０と同じ理由により、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減できる。

【0064】

（第４変形例）
以下に第４変形例に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１０は、多層基板１０ｂの断面図である。

【0065】

多層基板１０ｂは、絶縁体層１６ａ～１６ｅの境界が視認できない点において多層基板１０ａと相違する。また、多層基板１０ｂでは、第１信号が伝送される伝送方向に直交する直交方向に見て、第２導体層２２ｂは、第１導体層２２ａに重なっている。

【0066】

多層基板１０ｂのその他の構造は、多層基板１０ａと同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｂは、多層基板１０ａと同じ理由により、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減できる。

【0067】

（第５変形例）
［多層基板１０ｃの構造］
以下に第５変形例に係る多層基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１１は、多層基板１０ｃの断面図である。

【0068】

多層基板１０ｃは、絶縁体層１６ｃの代わりに絶縁体層１８を更に備えている点、及び、下導体層２６が絶縁体層１６ｂの下主面に設けられている点において、多層基板１０と相違する。以下に、これらの相違点を中心に多層基板１０ｃについて説明する。

【0069】

積層体１２は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）及び絶縁体層１８（第２絶縁体層）を含んでいる。絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）及び絶縁体層１８（第２絶縁体層）は、上導体層２４より下、かつ、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂより上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されている。絶縁体層１６ｂは、絶縁体層１８の下に設けられている。絶縁体層１６ａと絶縁体層１８との境界は、上導体層２４の下主面と第１導体層２２ａの下主面及び第２導体層２２ｂの下主面との中間に位置する。絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の材料は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）の材料と同じである。「絶縁体層１６ｂの材料が絶縁体層１６ａの材料と同じである。」とは、製造ばらつきによる誤差を許容する意味である。絶縁体層１８の材料は、絶縁体層１６ａ，１６ｂの材料と異なる。絶縁体層１８（第２絶縁体層）は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）と絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）とを接合する接着層である。また、絶縁体層１８（第２絶縁体層）の誘電率は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）の誘電率より低い。更に、絶縁体層１８（第２絶縁体層）の誘電正接は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）の誘電正接より低い。これらの条件を満足する絶縁体層１８の材料は、例えば、フッ素系樹脂である。ただし、絶縁体層１８の材料は、エポキシ樹脂や、アクリル樹脂等であってもよい。

【0070】

第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）に設けられている。本変形例では、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の上主面に設けられている。上導体層２４は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）に設けられている。本変形例では、上導体層２４は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）の上主面に設けられている。下導体層２６は、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の下主面に設けられている。多層基板１０ｃのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

【0071】

［多層基板１０ｃの製造方法］
以下に、多層基板１０ｃの製造方法について図面を参照しながら説明する。図１２及び図１３は、多層基板１０ｃの製造時における断面図である。

【0072】

まず、上下方向の厚みの異なる第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが上主面又は下主面のいずれか一方に設けられた絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を準備する（準備工程）。本変形例では、上下方向の厚みの異なる第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが上主面に設けられた絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を準備する。より詳細には、図１２に示すように、絶縁体層１６ｂに導体箔を形成する（導体箔準備工程）。本変形例では、絶縁体層１６ｂの上主面及び下主面のそれぞれに銅箔１２２，１２６を張り付ける。

【0073】

次に、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが形成される部分にマスク（図示せず）を形成し、銅箔１２２にエッチングを施す。同様に、下導体層２６が形成される部分にマスク（図示せず）を形成し、銅箔１２６にエッチングを施す。この段階では、図１２に示すように、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａ及び第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂは等しい。なお、銅箔１２２のエッチング及び銅箔１２６のエッチングは、同時に行われてもよい。

【0074】

次に、図１２に示すように、第１導体層２２ａ（導体箔の一部）にメッキ処理を施すことにより、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａを第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂより大きくする（メッキ工程）。より詳細には、第２導体層２２ｂ及び下導体層２６にマスク（図示せず）を形成する。そして、第１導体層２２ａにのみメッキ処理を施す。

【0075】

なお、図示を省略するが、絶縁体層１６ａの上主面に導体箔を形成し、導体箔にエッチング処理を施すことにより、上導体層２４を形成する。

【0076】

次に、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）、導体層が設けられていない接着層である絶縁体層１８（第２絶縁体層）、及び、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を上から下へとこの順に並べて積層する。具体的には、絶縁体層１６ｂの上主面に接着層である絶縁体層１８を形成する（接着層形成工程）。接着層形成工程では、例えば、液体状の樹脂を絶縁体層１６ｂの上主面に塗布する。更に、絶縁体層１８の上に絶縁体層１６ａを配置する（配置工程）。その後、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）及び絶縁体層１８（接着層）に加熱処理及び加圧処理を施す（圧着工程）。これにより、絶縁体層１８が接着層と機能して、絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｂとが接合される。なお、絶縁体層１６ａの上に更に絶縁体層を積層する場合には、接着層形成工程、配置工程及び圧着工程を繰り返す。

【0077】

次に、図１１に示すように、層間接続導体ｖ１～ｖ６を形成する。層間接続導体ｖ１～ｖ６は、絶縁体層１６ａ，１８，１６ｂｃに貫通孔を形成し、貫通孔にメッキ処理を施すことにより作製される。

【0078】

最後に、保護層２０ａ及び２０ｂのそれぞれを印刷により絶縁体層１６ａの上主面及び絶縁体層１６ｂの下主面に形成する。以上の工程を経て、多層基板１０ｃが完成する。

【0079】

［効果］
多層基板１０ｃによれば、多層基板１０と同じ理由により、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減できる。

【0080】

また、多層基板１０ｃによれば、第２導体層２２ｂの伝送損失の低減をより効果的に図ることができる。より詳細には、絶縁体層１６ａ，１８は、上導体層２４より下、かつ、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂより上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されている。そして、絶縁体層１８の誘電率は、絶縁体層１６ａの誘電率より低い。絶縁体層１８の誘電正接は、絶縁体層１６ａの誘電正接より低い。これにより、第２導体層２２ｂ近傍の誘電率及び誘電正接が低くなる。その結果、第２導体層２２ｂに高周波信号である第２信号が伝送されたときに、第２導体層２２ｂにおいて誘電損が発生することが抑制される。その結果、多層基板１０ｃによれば、第２導体層２２ｂの伝送損失の低減をより効果的に図ることができる。

【0081】

なお、多層基板１０ｃでは、絶縁体層１６ａ，１６ｂの材料は、熱可塑性樹脂であってもよいし、熱可塑性樹脂でなくてもよい。

【0082】

（第６変形例）
以下に第６変形例に係る多層基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１４は、多層基板１０ｄの断面図である。

【0083】

多層基板１０ｄは、グランド導体層２７ａ，２７ｂを更に備えている点において、多層基板１０と相違する。グランド導体層２７ａ，２７ｂは、グランド電位に接続される。グランド導体層２７ａ，２７ｂは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。グランド導体層２７ａは、第１導体層２２ａと第２導体層２２ｂとの間に設けられている。また、グランド導体層２７ｂは、第２導体層２２ｂの右に設けられている。多層基板１０ｄのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

【0084】

多層基板１０ｄによれば、多層基板１０と同じ理由により、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減できる。

【0085】

多層基板１０ｄによれば、グランド導体層２７ａは、第１導体層２２ａと第２導体層２２ｂとの間に設けられている。これにより、第１導体層２２ａと第２導体層２２ｂとの間のアイソレーションが高くなる。

【0086】

多層基板１０ｄにおいて、グランド導体層２７ａ，２７ｂは、上導体層２４又は下導体層２６の少なくともいずれか一方に層間接続導体により電気的に接続されていてもよい。これにより、グランド導体層２７ａ，２７ｂの電位がグランド電位に安定する。

【0087】

（第７変形例）
以下に第７変形例に係る多層基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１５は、多層基板１０ｅの断面図である。

【0088】

多層基板１０ｅは、グランド導体層２７ａ，２７ｂを更に備えている点において、多層基板１０ｃと相違する。グランド導体層２７ａ，２７ｂは、グランド電位に接続される。グランド導体層２７ａ，２７ｂは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。グランド導体層２７ａは、第１導体層２２ａと第２導体層２２ｂとの間に設けられている。また、グランド導体層２７ｂは、第２導体層２２ｂの右に設けられている。多層基板１０ｅのその他の構造は、多層基板１０ｃと同じであるので説明を省略する。

【0089】

多層基板１０ｅによれば、多層基板１０ｃと同じ理由により、異なる周波数の信号が伝送される第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減できる。

【0090】

多層基板１０ｅによれば、グランド導体層２７ａは、第１導体層２２ａと第２導体層２２ｂとの間に設けられている。これにより、第１導体層２２ａと第２導体層２２ｂとの間のアイソレーションが高くなる。

【0091】

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ～１０ｅに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｅの構成を任意に組み合わせてもよい。

【0092】

なお、絶縁体層１６ａ～１６ｃは、ガラス布にエポキシ樹脂が含浸された構造を有していてもよい。この場合、多層基板１０，１０ａ～１０ｅは、可撓性を有さない。

【0093】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｅにおいて、下導体層２６は、必須の構成ではない。この場合、第１導体層２２ａ及び上導体層２４は、マイクロストリップライン構造を有する。同様に、第２導体層２２ｂ及び上導体層２４は、マイクロストリップライン構造を有する。

【0094】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｅにおいて、層間接続導体ｖ１，ｖ２は、必須の構成ではない。

【0095】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｅは、伝送線路である。しかしながら、多層基板１０，１０ａ～１０ｅは、回路基板であってもよい。従って、多層基板１０，１０ａ～１０ｅは、ストリップライン線路に加えて、他の回路を更に備えていてもよい。

【0096】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｅにおいて、信号端子２８ａ～２８ｄは、積層体１２の下主面に設けられてもよい。

【0097】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｅには、コネクタ３０ａ，３０ｂ以外に電子部品が実装されてもよい。

【0098】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｅは、上下方向に見て、直線形状を有している。しかしながら、多層基板１０，１０ａ～１０ｅは、曲がっていてもよい。ここでの「多層基板１０，１０ａ～１０ｅが曲がっている」とは、多層基板１０，１０ａ～１０ｅに外力を加えない状態で曲がった形状を有していることを意味する。

【0099】

なお、第１導体層２２ａと第２導体層２２ｂとは、平行に延びていなくてもよい。

【0100】

なお、絶縁体層１８は、樹脂シートが絶縁体層１６ｂの上主面に貼り付けられることにより形成されてもよい。

【0101】

なお、絶縁体層１８の誘電率は、絶縁体層１６ａの誘電率以上であって、かつ、絶縁体層１８の誘電正接は、絶縁体層１６ａの誘電正接より低くてもよい。絶縁体層１８の誘電率は、絶縁体層１６ａの誘電率より低く、かつ、絶縁体層１８の誘電正接は、絶縁体層１６ａの誘電正接以上であってもよい。絶縁体層１８の誘電率は、絶縁体層１６ａの誘電率以上であって、かつ、絶縁体層１８の誘電正接は、絶縁体層１６ａの誘電正接以上であってもよい。

【0102】

なお、実施形態に係る多層基板１０の製造方法及び第５変形例に係る多層基板１０ｃの製造方法において、メッキ工程の後にパターニング工程を行ってもよい。

【0103】

なお、第１変形例に係る多層基板１０の製造方法において、エッチング工程の後にパターニング工程を行ってもよい。

【0104】

なお、上導体層２４及び下導体層２６は、グランド電位以外の電位に接続されてもよい。

【0105】

なお、上導体層２４は、上下方向に見て、第１導体層２２ａと重なっていなくてもよい。

【0106】

なお、下導体層２６は、上下方向に見て、第１導体層２２ａと重なっていなくてもよい。

【0107】

なお、多層基板１０ａでは、第１信号が伝送される伝送方向に直交する直交方向に見て、第２導体層２２ｂは、第１導体層２２ａに重なっていてもよい。

【符号の説明】

【0108】

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｅ：多層基板
１２：積層体
１６ａ～１６ｅ，１８：絶縁体層
２０ａ，２０ｂ：保護層
２２ａ：第１導体層
２２ｂ：第２導体層
２４：上導体層
２６：下導体層
２７ａ，２７ｂ，３０～３２：グランド導体層
２８ａ～２８ｄ：信号端子
１２２，１２６：銅箔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】