特許 7597339 積層体及び積層体の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-02

(45)【発行日】2024-12-10

(54)【発明の名称】積層体及び積層体の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/203 20060101AFI20241203BHJP

   H01L 21/20 20060101ALI20241203BHJP

   H01L 21/338 20060101ALI20241203BHJP

   H01L 29/778 20060101ALI20241203BHJP

   H01L 29/812 20060101ALI20241203BHJP

   H01L 21/337 20060101ALI20241203BHJP

   H01L 29/808 20060101ALI20241203BHJP

   C23C 14/06 20060101ALI20241203BHJP

   C23C 14/35 20060101ALI20241203BHJP

   H01L 33/32 20100101ALI20241203BHJP

【ＦＩ】

H01L21/203 S

H01L21/20

H01L29/80 H

H01L29/80 C

C23C14/06 A

C23C14/35 Z

H01L33/32

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2023527634

(86)(22)【出願日】2022-05-31

(86)【国際出願番号】 JP2022022163

(87)【国際公開番号】W WO2022259918

(87)【国際公開日】2022-12-15

【審査請求日】2023-12-06

(31)【優先権主張番号】P 2021098291

(32)【優先日】2021-06-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(73)【特許権者】

【識別番号】599002043

【氏名又は名称】学校法人 名城大学

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池田 雅延

(72)【発明者】

【氏名】石田 有親

(72)【発明者】

【氏名】上山 智

(72)【発明者】

【氏名】岩谷 素顕

(72)【発明者】

【氏名】竹内 哲也

【審査官】長谷川 直也

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２００８／０２８９４２０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０３３３４０９０（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２２４５３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０７－１０９５７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】KUSAKA, K. et al.，Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films，Vacuum，2002年，Vol. 66，pp. 441-446

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／２０３

Ｈ０１Ｌ ２１／２０

Ｈ０１Ｌ ２１／３３８

Ｈ０１Ｌ ２１／３３７

Ｃ２３Ｃ １４／０６

Ｃ２３Ｃ １４／３５

Ｈ０１Ｌ ３３／３２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

非晶質ガラス基板と、
前記非晶質ガラス基板の上に形成されたＡｌＮ層と、を有し、
前記ＡｌＮ層は、前記非晶質ガラス基板上にｃ軸配向しており、
前記非晶質ガラス基板のガラス転移温度（Ｔｇ）は、７２０℃以上８１０℃以下であり、
前記非晶質ガラス基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、３．５×１０^－６［１／Ｋ］以上４．０×１０^－６［１／Ｋ］以下であり、
前記非晶質ガラス基板の軟化点は、９５０℃以上１０５０℃以下である、積層体。

【請求項2】

前記非晶質ガラス基板の表面における算術平均粗さ（Ｒａ）は３ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層体。

【請求項3】

前記非晶質ガラス基板には、局所的にＳｉ－Ｏの結晶構造が存在する、請求項１に記載の積層体。

【請求項4】

前記ＡｌＮ層は、前記非晶質ガラス基板に成膜形成されている薄膜である、請求項１に記載の積層体。

【請求項5】

前記ＡｌＮ層は、４００℃以上６００℃以下の成膜温度で前記非晶質ガラス基板上に成膜形成されている、請求項４に記載の積層体。

【請求項6】

前記ＡｌＮ層の膜厚は、２０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である、請求項５に記載の積層体。

【請求項7】

前記ＡｌＮ層は、前記非晶質ガラス基板に直接接している、請求項６に記載の積層体。

【請求項8】

前記非晶質ガラス基板の厚みは、０．４ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の積層体。

【請求項9】

ガラス転移温度（Ｔｇ）が７２０℃以上８１０℃以下、熱膨張係数（ＣＴＥ）が３．５×１０^－６［１／Ｋ］以上４．０×１０^－６［１／Ｋ］以下、軟化点が９５０℃以上１０５０℃以下である非晶質ガラス基板を用意する第１工程と、
前記非晶質ガラス基板上に、ＡｌＮ層を４００℃以上６００℃以下の成膜温度で形成する第２工程と、を有する、
積層体の製造方法。

【請求項10】

前記第２工程において、前記非晶質ガラス基板上に、前記ＡｌＮ層は、ｃ軸配向されており、前記ＡｌＮ層は、２０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の膜厚で成膜形成される、請求項９に記載の積層体の製造方法。

【請求項11】

前記ＡｌＮ層は、スパッタリングにより前記非晶質ガラス基板の上に成膜されている、請求項１０に記載の積層体の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、積層体及び積層体の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

サファイア基板上にＧａＮを成長させる際、サファイア基板とＧａＮとの間に、ＡｌＮのバッファー層を介在させる（例えば、非特許文献１参照）ことが知られている。この技術では、成膜温度が高く、基板価格が高価である課題がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平１１－２４３２２９号公報

【文献】特開２０００－１２４１４０号公報

【文献】国際公開第２０２０／１８８８５１号

【非特許文献】

【0004】

【文献】H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 363, (1986).

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

そこで、基板にガラスを用いて、ＧａＮを成長させる試みがなされている（例えば、特許文献１、２及び３参照）。

【0006】

ただし、ガラス基板に成膜形成されるＧａＮには、ＧａＮがｃ軸配向性を有するまでに結晶性を向上させる必要がある。ＧａＮの結晶性を向上させるためには、下地層となるＡｌＮがｃ軸配向を有する必要がある。

【0007】

本開示は、ＧａＮ層の高品質な結晶成長を促進する積層体及び積層体の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示の一態様の積層体は、非晶質ガラス基板と、前記非晶質ガラス基板の上に形成されたＡｌＮ層と、を有し、前記ＡｌＮ層は、前記非晶質ガラス基板上にｃ軸配向しており、前記非晶質ガラス基板のガラス転移温度（Ｔｇ）は、７２０℃以上８１０℃以下であり、前記非晶質ガラス基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、３．５×１０^－６［１／Ｋ］以上４．０×１０^－６［１／Ｋ］以下であり、前記非晶質ガラス基板の軟化点は、９５０℃以上１０５０℃以下である。

【0009】

本開示の他の態様の積層体の製造方法は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が７２０℃以上８１０℃以下、熱膨張係数（ＣＴＥ）が３．５×１０^－６［１／Ｋ］以上４．０×１０^－６［１／Ｋ］以下、軟化点が９５０℃以上１０５０℃以下である非晶質ガラス基板を用意する第１工程と、前記非晶質ガラス基板上に、ＡｌＮ層を４００℃以上６００℃以下の成膜温度で形成する第２工程と、を有する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、実施形態１に係る積層体の製造方法を示す説明図である。

【図2】図２は、実施形態１に係る積層体の断面図である。

【図3】図３は、実施形態１の第１成膜工程を説明する模式図である。

【図4】図４は、実施形態１の評価例の評価結果を示す表である。

【図5】図５は、実施例１のＸＲＤスペクトルを示す図である。

【図6】図６は、実施例１のＸＲＤスペクトルを示す図である。

【図7】図７は、比較例１のＸＲＤスペクトルを示す図である。

【図8】図８は、比較例２のＸＲＤスペクトルを示す図である。

【図9】図９は、実施形態２に係る積層体を含む半導体デバイスの断面図である。

【図10】図１０は、実施形態２に係る積層体を含む半導体デバイスの製造方法を示す説明図である。

【図11】図１１は、実施形態３に係る積層体を含む半導体デバイスの断面図である。

【図12】図１２は、実施形態３に係る積層体を含む半導体デバイスの製造方法を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0012】

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る積層体の製造方法を示す説明図である。図２は、実施形態１に係る積層体の断面図である。図３は、実施形態１の第１成膜工程を説明する模式図である。

【0013】

図１に示すように、基板準備工程では、図２に示す積層体１０の基板として、非晶質ガラス基板１が準備される（ステップＳＴ１）。本開示では、基板準備工程を第１工程とする。非晶質ガラス基板１のガラス転移温度（Ｔｇ）は、７２０℃以上８１０℃以下である。非晶質ガラス基板１の熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）は、３．５×１０^－６［１／Ｋ］以上４．０×１０^－６［１／Ｋ］以下である。非晶質ガラス基板１の軟化点は、９５０℃以上１０５０℃以下である。

【0014】

第１成膜工程（ステップＳＴ２）では、図２に示すように、非晶質ガラス基板１に直接接してＡｌＮ層２が成膜される。本開示では、第１成膜工程を第２工程とする。第１成膜工程（ステップＳＴ２）では、有機金属気相成長法（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）ではなく、図３に示すスパッタリング装置５１により、ＡｌＮ層２が薄膜として成膜される。これにより、ＡｌＮ層の成膜速度が大きくなり、積層体１０の製造コストが低減できる。

【0015】

図３に示すように、スパッタリング装置５１の陽極５３には非晶質ガラス基板１が取り付けられ、スパッタリング装置の陰極５２には、Ａｌターゲット５５が取り付けられる。陽極５３、陰極５２は、それぞれ電源装置５４に接続される。スパッタリング装置５１は、排気バルブ５９を閉止し、アルゴン導入バルブおよび窒素導入バルブを介して、アルゴンガスおよび窒素ガスをスパッタリング装置５１内に封入する。

【0016】

第１成膜工程（ステップＳＴ２）では、マグネトロンスパッタリング法により、４００℃以上６００℃以下の成膜温度で非晶質ガラス基板１に直接ＡｌＮ層２が成膜される。成膜温度が４００℃より低いと、ＡｌＮ層２がｃ軸配向し難く、成膜温度が６００℃を超えると、成膜チャンバーからの脱ガスによりＡｌＮ層２がｃ軸配向し難くなる。ＡｌＮ層２が４００℃以上６００℃以下の温度で成膜されるので、ＡｌＮ層２がｃ軸配向した状態で非晶質ガラス上に成膜することができる。ここで、成膜されるＡｌＮ層２の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、４．２×１０^－６［１／Ｋ］以上５．３×１０^－６［１／Ｋ］以下である。成膜温度が上昇して、非晶質ガラス基板１が熱膨張しても、非晶質ガラス基板１の熱膨張係数（ＣＴＥ）とＡｌＮ層２の熱膨張係数（ＣＴＥ）とが近いので熱膨張のずれが生じにくく、ＡｌＮ層２がｃ軸配向しやすくなる。

【0017】

また、非晶質ガラス基板１のガラス転移温度（Ｔｇ）は、７２０℃以上８１０℃以下であり、非晶質ガラス基板１の軟化点は、９５０℃以上１０５０℃以下である。成膜温度が低いので、成膜時の非晶質ガラス基板１の安定性を高く保つことができる。非晶質ガラス基板１のガラス転移温度（Ｔｇ）が７２０℃より小さく、かつ軟化点が９５０℃より小さいと成膜されたＡｌＮ層２はｃ軸配向し難くなる。非晶質ガラス基板１のガラス転移温度（Ｔｇ）が８１０℃を越え、かつ軟化点が１０５０℃を越えると成膜温度は高く設定できるが、成膜されたＡｌＮはｃ軸配向し難くなる。

【0018】

非晶質ガラス基板１の厚みは、０．４ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。非晶質ガラス基板１の厚みが、０．４ｍｍより小さいと、成膜温度によって生じたＡｌＮ層２の膜ストレスにより非晶質ガラス基板１が反る傾向が生じる。非晶質ガラス基板１の厚みが、１．０ｍｍを超えると半導体デバイスを形成する際にＡｌＮ層２の成膜プロセス以降の工程で基板搬送が困難になる傾向が生じ、製品コスト及び製造コストの削減としては好ましくない。ＡｌＮ層２の膜厚は、２０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。ＡｌＮ層２の膜厚が、２０ｎｍより小さいとｃ軸配向し難くなりやすい。ＡｌＮ層の膜厚が、４００ｎｍを超えるとＡｌＮ層２の膜ストレスにより基板が反りやすくなる。

【0019】

（評価例）
図４は、実施形態１の評価例の評価結果を示す表である。実施例１、実施例２、実施例３、比較例１及び比較例２の基板をそれぞれ用意した。

【0020】

実施例１の基板の組成は、アルカリ土類アルミノホウケイ酸ガラスである。

【0021】

実施例２の基板の組成は、無アルカリアルミノ珪酸塩ガラスである。

【0022】

実施例３の基板の組成は、実施例２とは異なる無アルカリアルミノ珪酸塩ガラスである。

【0023】

比較例１は、ＢＫ７と呼ばれる高耐熱性の硼珪酸クラウンガラスである。

【0024】

比較例２は、石英である。

【0025】

実施例１、実施例２、実施例３、比較例１及び比較例２のそれぞれの基板の厚みは、０．５０ｍｍである。実施例１、実施例２、実施例３、比較例１及び比較例２のそれぞれの、ガラス転移温度（Ｔｇ）、熱膨張係数（ＣＴＥ）、軟化点、密度を図４に示す。

【0026】

実施例１、実施例２及び実施例３の基板表面の算術平均粗さ（Ｒａ）をそれぞれ計測し、図４に示す。算術平均粗さ（Ｒａ）の測定は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）より計測した。

【0027】

実施例１から実施例３に示すように、非晶質ガラス基板１の表面における算術平均粗さ（Ｒａ）は３ｎｍ以下である。非晶質ガラス基板１の表面における算術平均粗さ（Ｒａ）が３ｎｍを越える場合は、研磨処理をすることが望ましい。

【0028】

実施例１、実施例２、実施例３、比較例１及び比較例２のそれぞれの基板表面に、マグネトロンスパッタリング法により、５００℃の成膜温度で、２００ｎｍのＡｌＮ層を成膜した。

【0029】

ＡｌＮ層が成膜された、実施例１、実施例２、実施例３、比較例１及び比較例２の積層体に対して、積層体１０のＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定を行った。図５は、実施例１のＸＲＤスペクトルを示す図である。図６は、実施例１のＸＲＤスペクトルを示す図である。図５は、図６の回転角２θ／ω ３６［ｄｅｇ］付近の拡大図である。図７は、比較例１のＸＲＤスペクトルを示す図である。図８は、比較例２のＸＲＤスペクトルを示す図である。図５から図８のＸＲＤスペクトルにおいて、縦軸はＸ線回折強度（任意単位）であり、横軸は回転角２θ［ｄｅｇ］である。なお、ＸＲＤスペクトルの測定は、リガク社製Ｘ線回折装置を用いた。Ｘ線源としては、ＣｕＫαの特性Ｘ線（波長：１．５４１８Å）を用い、２θ―ωモード（またはωモード）でＸ線回折測定によりＸＲＤスペクトルを測定した結果、回転角２θ／ω［ｄｅｇ］のうち３６［ｄｅｇ］付近のピーク強度を、ＡｌＮ層のｃ軸配向起因によると推定して、表１に記載した。

【0030】

図５から図８のＸＲＤスペクトルにおいて、縦軸はＸ線回折強度（任意単位）であり、横軸は回転角２θ［ｄｅｇ］である。なお、ＸＲＤスペクトルの測定は、リガク社製Ｘ線回折装置を用いた。

【0031】

図５に示す３６［ｄｅｇ］付近のピーク強度は、図７及び図８に示す３６［ｄｅｇ］付近のピーク強度よりも明らかに大きいことが分かる。

【0032】

図６に示すように、実施例１の基板は、ブロードなＸＲＤスペクトルを示すことから、非晶質ガラス基板であることが分かる。図示を省略するが、実施例２及び実施例３の基板もブロードなＸＲＤスペクトルを示すので、非晶質ガラス基板である。

【0033】

図６に示すＸＲＤスペクトルのうち２２［ｄｅｇ］付近のピーク強度ＰＩは、局所的なＳｉ－Ｏの結晶構造が存在することを示している。このＳｉ－Ｏ結晶構造があることでＡｌＮ層２のｃ軸配向しやすいことが確認できた。非晶質ガラス基板1の表面に存在するＳｉ－Ｏの規則的な結晶構造がＡｌＮ層２のｃ軸配向をしやすくさせている。

【0034】

（実施形態２）
図９は、実施形態２に係る積層体を含む半導体デバイスの断面図である。図１０は、実施形態２に係る積層体を含む半導体デバイスの製造方法を示す説明図である。実施形態２では、実施形態１と同じ構成および工程には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図９に示す半導体デバイス３０は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であり、発光素子である。

【0035】

図９に示すように、半導体デバイス３０は、電極３５がカソードに電気的に接続され、電極３６がアノードに電気的に接続される。半導体デバイス３０は、実施形態１の積層体１０上に形成される。半導体デバイス３０は、接合層３１、ｎ型クラッド層３２、発光層３３、ｐ型クラッド層３４、を有する。また、発光層３３は、高効率化のために数原子層からなる井戸層と障壁層とを周期的に積層させた多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有する。

【0036】

図１０に示すように、上述した第１成膜工程（ステップＳＴ２）の後、第２成膜工程が行われる。第２成膜工程では、ＡｌＮ層２の上に、接合層３１が成膜される（ステップＳＴ３）。接合層３１は、ドープされていないＧａＮ層である。

【0037】

第２成膜工程（ステップＳＴ３）の後、第３成膜工程が行われる。第３成膜工程では、接合層３１の上に、シリコン（Ｓｉ）をドープした窒化ガリウム（ＧａＮ）のｎ型クラッド層３２が成膜される（ステップＳＴ４）。

【0038】

第３成膜工程（ステップＳＴ４）の後、第４成膜工程が行われる。第４成膜工程では、ｎ型クラッド層３２の上に、インジウム窒化ガリウム（ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ｎ）と窒化ガリウム（ＧａＮ）とが複数層繰り返し積層された発光層３３が成膜される（ステップＳＴ５）。

【0039】

第４成膜工程（ステップＳＴ５）の後、第５成膜工程が行われる。第５成膜工程では、ｎ型クラッド層３２の上に、マグネシウム（Ｍｇ）がドープされた窒化ガリウム（ＧａＮ）のｐ型クラッド層３４が成膜される（ステップＳＴ６）。

【0040】

第５成膜工程（ステップＳＴ６）の後、フォトリソグラフィー工程（ステップＳＴ７）において、ブラズマエッチングなどにより、パターニングされる。

【0041】

フォトリソグラフィー工程（ステップＳＴ７）の後、ｎ型電極形成工程が行われる。ｎ型電極形成工程では、インジウム（Ｉｎ）により電極３５が成膜される（ステップＳＴ８）。

【0042】

ｎ型電極形成工程（ステップＳＴ８）の後、ｐ型電極形成工程が行われる。ｐ型電極形成工程では、パラジウム金合金（ＰｄＡｕ）の電極３６が成膜される（ステップＳＴ９）。

【0043】

（実施形態３）
図１１は、実施形態３に係る積層体を含む半導体デバイスの断面図である。図１２は、実施形態３に係る積層体を含む半導体デバイスの製造方法を示す説明図である。実施形態３では、実施形態１と同じ構成および工程には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図１１に示す半導体デバイス４０は、ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）デバイスである。

【0044】

図１１に示すように、半導体デバイス４０は、電子走行層４１、電子供給層４２、障壁層４３、ゲート電極４４、ソース電極４５、ドレイン電極４６を有する。ソース電極４５とドレイン電極４６とに挟まれたゲート電極４４が障壁層４３とショットキー接触を形成する。

【0045】

図１２に示すように、上述した第１成膜工程（ステップＳＴ２）の後、第２成膜工程が行われる。第２成膜工程では、ＡｌＮ層２の上に、電子走行層４１が成膜される（ステップＳＴ１１）。電子走行層４１は、ドープされていないＧａＮ層である。

【0046】

第２成膜工程（ステップＳＴ１１）の後、第３成膜工程が行われる。第３成膜工程では、電子走行層４１の上に、電子供給層４２が成膜される（ステップＳＴ１２）。電子供給層４２は、ドープされていないインジウム窒化ガリウム（ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ｎ）である。

【0047】

第３成膜工程（ステップＳＴ１２）の後、第４成膜工程が行われる。第４成膜工程では、電子供給層４２の上に、障壁層４３が成膜される（ステップＳＴ１３）。障壁層４３は、マグネシウム（Ｍｇ）がドープされた窒化ガリウム（ＧａＮ）である。

【0048】

第４成膜工程（ステップＳＴ１３）の後、第５成膜工程が行われる。第５成膜工程では、障壁層４３の上に、ゲート電極４４が成膜される（ステップＳＴ１４）。

【0049】

第５成膜工程（ステップＳＴ１４）の後、フォトリソグラフィー工程（ステップＳＴ１５）において、ブラズマエッチングなどにより、障壁層４３及びゲート電極４４の形状がパターニングされる。

【0050】

フォトリソグラフィー工程（ステップＳＴ１５）の後、電極成膜工程が行われる。電極成膜工程では、ソース電極４５及びドレイン電極４６となる金属層が形成される（ステップＳＴ１６）。

【0051】

電極成膜工程（ステップＳＴ１６）の後、フォトリソグラフィー工程（ステップＳＴ１７）において、ブラズマエッチングなどにより、電極成膜工程（ステップＳＴ１６）で形成された金属層の形状がパターニングされ、ソース電極４５及びドレイン電極４６が形成される。

【0052】

以上、本開示の好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

【符号の説明】

【0053】

１ 非晶質ガラス基板
２ ＡｌＮ層
２θ 回転角
１０ 積層体
３０ 半導体デバイス
３１ 接合層
３２ ｎ型クラッド層
３３ 発光層
３４ ｐ型クラッド層
３５ 電極
３６ 電極
４０ 半導体デバイス
４１ 電子走行層
４２ 電子供給層
４３ 障壁層
４４ ゲート電極
４５ ソース電極
４６ ドレイン電極
５１ スパッタリング装置
５２ 陰極
５３ 陽極
５４ 電源装置
５５ Ａｌターゲット
５９ 排気バルブ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】