特許 7597800 高周波回路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-02

(45)【発行日】2024-12-10

(54)【発明の名称】高周波回路

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20241203BHJP

   H05K 9/00 20060101ALI20241203BHJP

   H01P 5/08 20060101ALI20241203BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 P

H05K1/02 C

H05K9/00 R

H01P5/08 A

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2022521913

(86)(22)【出願日】2021-05-10

(86)【国際出願番号】 JP2021017769

(87)【国際公開番号】W WO2021230215

(87)【国際公開日】2021-11-18

【審査請求日】2023-11-21

(31)【優先権主張番号】P 2020084545

(32)【優先日】2020-05-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】500400216

【氏名又は名称】住友電工プリントサーキット株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100100147

【弁理士】

【氏名又は名称】山野 宏

(74)【代理人】

【識別番号】100116366

【弁理士】

【氏名又は名称】二島 英明

(72)【発明者】

【氏名】新田 耕司

(72)【発明者】

【氏名】上宮 崇文

(72)【発明者】

【氏名】山岸 傑

(72)【発明者】

【氏名】島田 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】上田 宏

(72)【発明者】

【氏名】木谷 聡志

【審査官】関 信之

(56)【参考文献】

【文献】特開平１０－０４１６３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０４－２６７５８６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ９／００

Ｈ０１Ｐ ５／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１誘電体層と、
前記第１誘電体層上に設けられており、高周波信号の伝送路と前記伝送路の周囲に配置されたグランドパターンとを備える回路層と、
前記第１誘電体層との間に前記回路層が位置するように設けられた第２誘電体層と、
前記回路層との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられた第１導電体層と、
前記回路層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられた第２導電体層と、
前記伝送路の周囲に設けられた電磁波シールドと、
を備え、
前記電磁波シールドは、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の孔の内面に、グランド導電体を備えて構成されており、
前記複数の孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の長孔であり、
前記複数の長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きく、
前記回路層と前記第１誘電体層とは、接着剤によって接着されており、
前記接着剤の比誘電率が３よりも小さい
高周波回路。

【請求項2】

前記長手寸法は、前記幅寸法の５倍よりも大きい
請求項１に記載の高周波回路。

【請求項3】

前記長手寸法は、前記間隔よりも大きい
請求項１又は請求項２に記載の高周波回路。

【請求項4】

前記長手寸法は、前記間隔の５倍よりも大きい
請求項３に記載の高周波回路。

【請求項5】

前記複数の孔それぞれは、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を連続的に貫通している
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の高周波回路。

【請求項6】

前記電磁波シールドは、前記伝送路の周囲に設けられた第１シールドと、前記第１シールドの外周側に設けられた第２シールドと、を少なくとも備え、
前記第１シールドは、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の第１孔の内面に、前記グランド導電体を備えて構成されており、
前記複数の第１孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の第１長孔であり、
前記複数の第１長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きく、
前記第２シールドは、前記複数の第１孔の外周側において、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の第２孔の内面に、前記グランド導電体を備えて構成されており、
前記複数の第２孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の第２長孔であり、
前記複数の第２長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きく、
前記第２シールドは、前記複数の第１長孔の間からの漏洩電磁波を遮蔽するよう配置されている
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の高周波回路。

【請求項7】

前記第１導電体層及び前記第２導電体層の少なくとも一方の表面に貼付されたカバーフィルムを更に備える
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の高周波回路。

【請求項8】

第１誘電体層と、
前記第１誘電体層上に設けられており、高周波信号の伝送路と前記伝送路の周囲に配置されたグランドパターンとを備える回路層と、
前記第１誘電体層との間に前記回路層が位置するように設けられた第２誘電体層と、
前記回路層との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられた第１導電体層と、
前記回路層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられた第２導電体層と、
前記伝送路の周囲に設けられた電磁波シールドと、
を備え、
前記電磁波シールドは、前記伝送路の周囲に設けられた第１シールドと、前記第１シールドの外周側に設けられた第２シールドと、を少なくとも備え、
前記第１シールドは、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の第１孔の内面に、グランド導電体を備えて構成されており、
前記複数の第１孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の第１長孔であり、
前記複数の第１長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きく、
前記第２シールドは、前記複数の第１孔の外周側において、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の第２孔の内面に、グランド導電体を備えて構成されており、
前記複数の第２孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の第２長孔であり、
前記複数の第２長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きく、
前記第２シールドは、前記複数の第１長孔の間からの漏洩電磁波を遮蔽するよう配置されている
高周波回路。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、高周波回路に関する。
本出願は、２０２０年０５月１３日付の日本国出願の特願２０２０－０８４５４５に基づく優先権を主張し、前記日本国出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、誘電体基板の表面グランド及び裏面グランドに電気的に接続された多数のシールドビアを備えた構造を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平８－２７４５１３号公報

【発明の概要】

【0004】

本開示のある側面は、高周波回路である。本開示の高周波回路は、第１誘電体層と、前記第１誘電体層上に設けられており、高周波信号の伝送路と前記伝送路の周囲に配置されたグランドパターンとを備える回路層と、前記第１誘電体層との間に前記回路層が位置するように設けられた第２誘電体層と、前記回路層との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられた第１導電体層と、前記回路層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられた第２導電体層と、前記伝送路の周囲に設けられた電磁波シールドと、を備え、前記電磁波シールドは、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の孔の内面に、グランド導電体を備えて構成されており、前記複数の孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の長孔であり、前記複数の長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい。

【図面の簡単な説明】

【0005】

【図1】図１は、実施形態に係る高周波回路の平面図である。

【図2】図２は、図１のＢ－Ｂ断面図である。

【図3】図３は、第１導電体層、回路層、及び第２導電体層の分解斜視図である。

【図4】図４は、実施形態に係る高周波回路の製造工程の前半を示す図である。

【図5】図５は、実施形態に係る高周波回路の製造工程の後半を示す図である。

【図6】図６は、高周波回路の変形例を示す平面図である。

【図7】図７は、比較例に係る高周波回路の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0006】

［本開示が解決しようとする課題］
シールドビアは、誘電体基板の厚さ方向に貫通する平面視円形のスルーホールを誘電体基板に多数形成し、スルーホール内に銅などの導電体を設けることによって形成される。シールドビアは、誘電体基板における電磁波の漏洩を防止する電磁波シールドとして用いられる。

【0007】

図７は、信号伝送路１０１を有する高周波回路１００において、信号伝送路１０１を囲むように多数のシールドビア１０２が形成された構造の例を示している。高周波の信号伝送路１０１からは、不要な電磁波が放射される。電磁波は、周辺の回路にとってノイズとなり、周辺の回路の特性を劣化させる。

【0008】

信号伝送路１０１の周辺に多数のシールドビア１０２が設けられていると、多数のシールドビア１０２が、電磁波シールドとして機能する。この電磁波シールドによって信号伝送路１０１から漏洩する電磁波を遮蔽することができる。

【0009】

ただし、シールドビア１０２同士の間からは、電磁波の漏洩が生じるおそれがある。電磁波の漏洩をより確実に防止するため、図７に示すように、信号伝送路１０１の周囲において複数列のシールドビア１０２を並列に配置することが考えられる。この場合、シールドビア１０２の数が非常に多くなるという問題が生じる。シールドビア１０２の数が多くなると、シールドビア１０２のための孔を大量に形成する必要があり、回路の製造効率を低下させる。

【0010】

一方、回路の製造効率の観点から、シールドビア１０２の数を少なくすると、シールドビア１０２同士の間から、電磁波が漏洩し易くなり、電磁波の遮蔽性が損なわれる。

【0011】

したがって、電磁波の漏洩を効率的に防止することが望まれる。

【0012】

［本開示の効果］
本開示によれば、電磁波の漏洩を効率的に防止できる。

【0013】

［１．本開示の実施形態の説明］

【0014】

（１）実施形態に係る高周波回路は、第１誘電体層と、前記第１誘電体層上に設けられており、高周波信号の伝送路と前記伝送路の周囲に配置されたグランドパターンとを備える回路層と、前記第１誘電体層との間に前記回路層が位置するように設けられた第２誘電体層と、前記回路層との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられた第１導電体層と、前記回路層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられた第２導電体層と、前記伝送路の周囲に設けられた電磁波シールドと、を備える。回路層は、第１導電体層及び第２導電体層によって挟まれているため、伝送路から高周波回路の厚さ方向への電磁波の漏洩が防止される。前記電磁波シールドは、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の孔の内面に、グランド導電体を備えて構成されている。前記複数の孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の長孔であり、前記複数の長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きい。電磁波シールドが形成される孔が伝送路を囲む向きに沿って長く形成されていることで、円形のシールドビアを設ける場合に比べて、孔の数を少なくしても、電磁波の漏洩を効率的に防止できる。

【0015】

（２）前記長手寸法は、前記幅寸法の５倍よりも大きいのが好ましい。孔の長手寸法を孔の幅寸法の５倍よりも大きくすることで、孔が十分に長くなり、電磁波の漏洩を効率的に防止できる。

【0016】

（３）前記長手寸法は、前記間隔よりも大きいのが好ましい。孔の長手寸法を孔の間隔よりも大きくすることで、電磁波の漏洩を効率的に防止できる。

【0017】

（４）前記長手寸法は、前記間隔の５倍よりも大きいのが好ましい。孔の長手寸法を孔の間隔の５倍よりも大きくすることで、電磁波の漏洩を効率的に防止できる。

【0018】

（５）前記複数の孔それぞれは、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を連続的に貫通しているのが好ましい。連続的に貫通した孔によって、電磁波の漏洩をより確実に防止できる。

【0019】

（６）前記電磁波シールドは、前記伝送路の周囲に設けられた第１シールドと、前記第１シールドの外周側に設けられた第２シールドと、を少なくとも備え、前記第１シールドは、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の第１孔の内面に、前記グランド導電体を備えて構成されており、前記複数の第１孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の第１長孔であり、前記複数の第１長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きく、前記第２シールドは、前記複数の第１孔の外周側において、前記第１誘電体層、前記グランドパターン、前記第２誘電体層、前記第１導電体層、及び前記第２導電体層を貫通した複数の第２孔の内面に、前記グランド導電体を備えて構成されており、前記複数の第２孔は、前記伝送路を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた複数の第２長孔であり、前記複数の第２長孔それぞれは、前記伝送路を囲む向きに沿った長手寸法が幅寸法よりも大きく、前記第２シールドは、前記複数の第１長孔の間からの漏洩電磁波を遮蔽するよう配置されているのが好ましい。この場合、電磁波の漏洩をより効率的に防止できる。

【0020】

（７）高周波回路は、前記第１導電体層及び前記第２導電体層の少なくとも一方の表面に貼付されたカバーフィルムを更に備えるのが好ましい。この場合、長孔が形成された高周波回路の強度をカバーフィルムによって確保できる。

【0021】

［２．本開示の実施形態の詳細］

【0022】

以下、図面において同一符号は同一名称物を意味する。
図１から図６は、実施形態に係る高周波回路１０を示している。実施形態に係る高周波回路１０は、高周波信号伝送に用いられるフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）として構成されている。ＦＰＣは、薄く柔らかい絶縁体ベースフィルムに銅箔などの導体が貼り付けられた構造を持つ。なお、高周波回路１０は、ＦＰＣに限られず、リジット基板に形成された回路であってもよい。

【0023】

図２に示すように、実施形態に係る高周波回路１０は、第１誘電体層１１と回路層２１と第２誘電体層１２と第１導電体層３１と第２導電体層３２と電磁波シールド１５０とを備える。実施形態に係る高周波回路１０は、３層の導電体層を有する多層構造を持つ。なお、導電体層の数は、特に限定されず、２層、４層、５層、又はそれ以上であってもよい。図２において、３層の導電体層のうち中間に配置されている導電体層は、高周波の伝送路２１Ａを有する回路層２１である。回路層２１の厚さ方向の一方側である図２の下側には３層の導電体層のうちの一つである第１導電体層３１が配置されている。回路層２１の厚さ方向の他方側である図２の上側には３層の導電体層のうちの残り一つである第２導電体層３２が配置されている。

【0024】

図３に示すように、回路層２１は、伝送路２１Ａと、伝送路２１Ａの周囲に位置するグランドパターン２１Ｂと、を有する。伝送路２１Ａとグランドパターン２１Ｂとの間は、エッチングにより除去されており、伝送路２１Ａとグランドパターン２１Ｂとは絶縁されている。なお、図３において、伝送路２１Ａは、直線状に形成されているが、屈曲形成されていてもよい。伝送路２１Ａの周囲には、後述の電磁波シールド１５０のための孔１５１の一部となる孔２１Ｃが形成されている。

【0025】

図２に示すように回路層２１と第１導電体層３１との間には第１誘電体層１１が設けられている。すなわち、回路層２１は、第１誘電体層１１上に設けられている。換言すると、回路層２１は、第１誘電体層１１を介して、第１導電体層３１よりも上に設けられている。なお、回路層２１と第１誘電体層１１とは接着剤６０を介して接着されている。図３に示すように第１導電体層３１は、後述の電磁波シールド１５０のための孔１５１の一部となる孔３１Ｃを除き、ほぼ全面がグランドパターン３１Ｂによって構成されている。つまり、第１導電体層３１は、グランド層である。

【0026】

接着剤６０は、柔軟性や耐熱性に優れたものが好ましい。接着剤６０は、例えば、変性ポリフェニレンエーテル系、スチレン樹脂系、エポキシ樹脂系、ブチラール樹脂系、アクリル樹脂系等、各種樹脂系の接着剤である。

【0027】

接着剤６０の主成分は、熱硬化性樹脂が好ましい。接着剤６０の主成分とされる熱硬化性樹脂の硬化温度の下限は、１２０℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。接着剤６０の主成分とされる熱硬化性樹脂の硬化温度の上限は、２５０℃が好ましく、２３０℃がより好ましく、２００℃がさらに好ましい。接着剤６０の主成分とされる熱硬化性樹脂の硬化温度が上記下限よりも大きいと、接着剤６０の取り扱いが容易である。接着剤６０の主成分とされる熱硬化性樹脂の硬化温度が上記上限よりも小さいと、接着剤６０を硬化させる際に、接着剤６０により接着される層の熱変形を抑制することができる。上記熱変形の抑制によって高周波回路１０の寸法精度の低下を抑制することができる。

【0028】

接着剤６０の比誘電率の下限は、小さいほど好ましいが、絶縁性、機械的強度等の他の条件を満たすために、現実的には１．５が限界と考えられる。接着剤６０の比誘電率の上限は例えば３であり、２．８が好ましく、２．６がより好ましい。また、接着剤６０の比誘電率が上記上限よりも小さいと、高周波回路１０で高周波信号を伝送する場合に誘電損失を抑制することができる。

【0029】

図２に示すように回路層２１と第２導電体層３２との間には、第２誘電体層１２が設けられている。すなわち、第２誘電体層１２は、第１誘電体層１１との間に回路層２１が位置するように設けられている。図３に示すように第２導電体層３２は、高周波信号の伝送路３２Ａと、電磁波シールド１５０のための孔１５１の一部となる孔３２Ｃと、を除き、ほぼ全面がグランドパターン３２Ｂによって構成されている。つまり、第２導電体層３２は、グランド層である。

【0030】

図２に示すように、回路層２１の上下両側、即ち図２のＺ方向両側には、グランド層として機能する第１導電体層３１及び第２導電体層３２が設けられている。したがって、伝送路２１Ａから放射される電磁波のうち、高周波回路１０の厚さ方向両側、即ち図２のＺ方向両側に放射される電磁波は、第１導電体層３１及び第２導電体層３２によって遮蔽される。

【0031】

伝送路２１Ａから放射される電磁波には、図２のＸＹ平面に平行な方向に放射されるものものある。ＸＹ平面に平行な方向に放射される電磁波は、第１導電体層３１及び第２導電体層３２では遮蔽できず、第１誘電体層１１及び第２誘電体層１２を通って、高周波回路１０外へ漏洩するおそれがある。そこで、実施形態の高周波回路１０は、ＸＹ平面に平行な方向に放射される電磁波を遮蔽するための電磁波シールド１５０を備える。なお、ＸＹ平面は、高周波回路１０の厚さ方向に垂直な平面である。Ｚ方向は、高周波回路１０の厚さ方向であり、上述の導電体層の多層構造における積層方向に相当する。

【0032】

実施形態に係る高周波回路１０では、Ｚ方向に放射される電磁波は第１導電体層３１及び第２導電体層３２によって遮蔽される。ＸＹ平面に平行な方向に放射される電磁波は電磁波シールド１５０によって遮蔽される。したがって、伝送路２１Ａから放射される電磁波が、高周波回路１０外へ漏洩するのを効果的に防止できる。この結果、漏洩電磁波による、周辺の他の回路への影響を抑えることができる。

【0033】

電磁波シールド１５０は、伝送路２１Ａの周囲において、第１誘電体層１１及び第２誘電体層１２を通る電磁波を遮蔽するシールド壁として機能するよう構成されている。図１に示すように、電磁波シールド１５０は、平面視において、伝送路２１Ａを囲むように形成されている。実施形態においては、複数の電磁波シールド１５０が、伝送路２１Ａを囲む向きに沿って間隔Ｄをおいて設けられている。

【0034】

図２に示すように電磁波シールド１５０は、第１誘電体層１１、回路層２１のグランドパターン２１Ｂ、第２誘電体層１２、第１導電体層３１、及び第２導電体層３２を貫通した孔１５１の内面にグランド導電体１５２を備えて構成されている。第１導電体層３１及び第２導電体層３２においては、グランドパターン３１Ｂ，３２Ｂに形成された孔１５１の内面にグランド導電体１５２が設けられている。グランド導電体１５２は、伝送路２１Ａを囲むように存在するため、第１誘電体層１１，第２誘電体層１２を通る電磁波を遮蔽できる。なお、図１の下側では、伝送路２１Ａが電磁波シールド１５０によって囲まれていない。これは、作図上、図１の下側において伝送路２１Ａの記載を省略したことに伴って、電磁波シールド１５０の記載も省略されているだけである。したがって、実際には、電磁波シールド１５０は、伝送路２１Ａの下側も囲むことができる。

【0035】

図７に示すように、従来のシールドビア１０２は、平面視円形であることが常識であった。このため、漏洩電磁波を遮蔽するには、信号伝送路１０１を囲むようにシールドビア１０２を、密に多数並べる必要があった。これに対して、図１に示すように実施形態においては、電磁波シールド１５０は、伝送路２１Ａを囲む向きに沿って長細い形状である。つまり、各電磁波シールド１５０は、伝送路２１Ａを囲む向きに沿った長手寸法Ｌが幅寸法Ｗよりも大きい。このため、円形のシールドビア１０２に比べて、少ない数の電磁波シールド１５０によって、漏洩電磁波を効果的に遮蔽することができる。

【0036】

図４及び図５は、実施形態に係る高周波回路１０の製造方法を示している。図４に示すステップＳ１１において、基板の一例として、両面銅付きのフッ素樹脂基板が準備される。両面銅付きのフッ素樹脂基板は、第２誘電体層１２を構成するフッ素樹脂基板と、回路層２１を構成する銅と、第２導電体層３２を構成する銅と、を備える。なお、基板の材料は、フッ素樹脂に限定されない。

【0037】

ステップＳ１２において、伝送路２１Ａ及び伝送路３２Ａの位置に、回路層２１、第２誘電体層１２、及び第２導電体層３２を貫通するスルーホール４１が形成される。

【0038】

ステップＳ１３において、スルーホール４１の内部が、めっき加工によって、導電体によって埋められる。これによって、伝送路２１Ａと伝送路３２Ａとを電気的に接続するビア４０が形成される。伝送路３２Ａは、例えば、伝送路２１Ａのための外部接続端子として機能する。なお、スルーホール４１の内部表面がめっき加工によって被覆され、残った空間が合成樹脂によって埋められてもよい。

【0039】

ステップＳ１４において、両面銅付きのフッ素樹脂基板の回路層２１及び第２導電体層３２に対してエッチング加工が施され、回路層２１の伝送路２１Ａと、第２導電体層３２の伝送路３２Ａと、が形成される。

【0040】

ステップＳ１５において、回路層２１側に、片面フッ素樹脂基板が貼り合わされる。片面フッ素樹脂基板は、第１誘電体層１１を構成するフッ素樹脂基板と、第１導電体層３１を構成する銅と、を備える。ステップＳ１５では、第１誘電体層１１と回路層２１とが向かい合うように、接着剤６０により貼り合わされる。接着剤６０は、例えば、ボンディングシートである。ボンディングシートは、基板の層間の接着に用いられる。ボンディングシートは、絶縁性と接着性とを備える。

【0041】

ステップＳ１５に続くステップＳ３１において、電磁波シールド１５０を形成するため、第１導電体層３１から第２導電体層３２まで連続的に貫通する複数の孔１５１がプレス打ち抜き加工により形成される。孔１５１の形成方法は、プレス打ち抜き加工に限定されないが、プレス打ち抜き加工を利用すると、複数の孔１５１を同時に形成でき有利である。なお、孔１５１は、レーザ加工によって形成されてもよい。

【0042】

複数の孔１５１は、伝送路２１Ａを囲む向きに沿って間隔Ｄをおいて設けられている。複数の孔１５１それぞれは、伝送路２１Ａを囲む向きに沿った長手寸法Ｌと、長手寸法Ｌの方向に対して直交する幅寸法Ｗと、を有する。複数の孔１５１それぞれは、長孔である。即ち複数の孔１５１それぞれは、長手寸法Ｌが幅寸法Ｗよりも大きい。長手寸法Ｌは、幅寸法Ｗの５倍よりも大きいのが好ましく、幅寸法Ｗの１０倍よりも大きいのがより好ましく、幅寸法Ｗの１５倍よりも大きいのが更に好ましく、幅寸法Ｗの２０倍よりも大きいのが更に好ましい。長手寸法Ｌを幅寸法Ｗよりも十分に大きくすることで、孔１５１の数を少なくすることができる。また、幅寸法Ｗを長手寸法Ｌよりも十分に小さくすることで、伝送路２１Ａの周囲において電磁波シールド１５０を形成するために必要とする領域の面積を小さくすることができる。

【0043】

長手寸法Ｌは、間隔Ｄよりも大きい。長手寸法Ｌは、間隔Ｄの５倍よりも大きいのが好ましく、間隔Ｄの１０倍よりも大きいのが好ましく、間隔Ｄの１５倍よりも大きいのが好ましく、間隔Ｄの２０倍よりも大きいのが更に好ましい。間隔Ｄは、間隔Ｄにおける電磁波の漏洩を抑制するため、伝送路２１Ａによって伝送される高周波の波長λの１／４よりも小さいのが好ましく、波長λの１／８よりも小さいのがより好ましく、波長λの１／１６よりも小さいのが更に好ましい。間隔Ｄを小さくするほど、電磁波の漏洩を抑制できる。間隔Ｄを波長λの１／１６よりも小さくすることで、電磁波の漏洩を十分に少なくできる。

【0044】

複数の孔１５１間に間隔Ｄが設けられていることで、単一の孔１５１を長く連続的に形成する場合に比べて、高周波回路１０の強度低下を抑えることができる。

【0045】

幅寸法Ｗを大きくするほど、電磁波シールド１５０が厚くなるため、許容可能な間隔Ｄは大きくなる。つまり、幅寸法Ｗを大きくすると、複数の孔１５１間にある隙間の間隔Ｄが同じであっても、電磁波の漏洩を小さくできる。

【0046】

ステップＳ３２において、めっき加工により、孔１５１の内面に導電体１５２が形成される。図２は導電体１５２が孔１５１の内面全体に接して設けられており、導電体１５２が孔１５１の内周形状に対応した外周形状を有する筒状に形成された場合を示す。導電体１５２は、孔１５１の内面の表面だけに形成されていてもよいし、孔１５１の内側を完全に充填するように形成されていてもよい。導電体１５２の内側は、合成樹脂などの誘電体によって埋められても良いし、導電ペーストなどの導電体で埋められてもよい。

【0047】

導電体１５２は、グランドパターン２１Ｂ、グランドパターン３１Ｂ、及びグランドパターン３２Ｂを電気的に接続する。したがって、導電体１５２は、グランド導電体１５２である。グランド導電体１５２は、伝送路２１Ａの周囲を囲む複数の孔１５１それぞれの内部に設けられる。そのため、複数の孔１５１内に形成された複数のグランド導電体１５２は、伝送路２１Ａの周囲を囲む電磁波シールド１５０として機能する。グランド導電体１５２によって、第１誘電体層１１及び第２誘電体層１２を通って放射される電磁波を遮蔽することができる。

【0048】

つまり、導電体１５２は、回路層２１のグランドパターン２１Ｂと第１導電体層３１のグランドパターン３１Ｂとを電気的に接続する。したがって、導電体１５２は、グランドパターン２１Ｂ，３１Ｂと同電位になるため、グランド導電体１５２となる。グランド導電体１５２は、伝送路２１Ａの周囲を囲む孔１５１内に設けられるため、伝送路２１Ａの周囲を囲む電磁波シールド１５０として機能する。第１誘電体層１１内に位置するグランド導電体１５２によって、第１誘電体層１１を通って放射される電磁波を遮蔽することができる。

【0049】

また、導電体１５２は、回路層２１のグランドパターン２１Ｂと第２導電体層３２のグランドパターン３２Ｂとを電気的に接続する。したがって、導電体１５２は、グランドパターン２１Ｂ，３２Ｂと同電位になるため、グランド導電体１５２となる。グランド導電体１５２は、伝送路２１Ａの周囲を囲む孔１５１内に設けられるため、伝送路２１Ａの周囲を囲む電磁波シールド１５０として機能する。第２誘電体層１２内に位置するグランド導電体１５２によって、第２誘電体層１２を通って放射される電磁波を遮蔽することができる。

【0050】

ステップＳ３３において、第１導電体層３１及び第２導電体層３２それぞれの表面に、接着剤８１，８２を介して、カバーフィルム７１，７２が貼り付けられる。カバーフィルム７１，７２は、例えばポリイミド製であり、第１導電体層３１及び第２導電体層３２を保護する。カバーフィルム７１，７２の貼り付けによって、孔１５１が形成された高周波回路１０の強度を確保することができる。

【0051】

図１に示す複数の電磁波シールド１５０及び孔１５１は、伝送路２１Ａの周囲において１列で囲むように形成されているが、図６に示すように、複数列で囲むように形成されていてもよい。図６は複数の電磁波シールド１５０及び孔１５１が内外に２列に並ぶ場合を示す。

【0052】

すなわち、図６に示す電磁波シールド１５０は、伝送路２１Ａの周囲に設けられた第１シールド１５０Ａと、第１シールド１５０Ａの外周側に設けられた第２シールド１５０Ｂと、を備える。第２シールド１５０Ｂの外周側にさらに他のシールドが備わっていてもよい。

【0053】

第１シールド１５０Ａは、孔１５１と同様に、第１導電体層３１から第２導電体層３２まで連続的に貫通した複数の第１孔１５１Ａの内面にグランド導電体１５２を備えて構成されている。複数の第１孔１５１Ａそれぞれは、孔１５１と同様に長孔であり、ここでは第１長孔と呼ぶことがある。複数の第１孔１５１Ａからなる列は、伝送路２１Ａの周囲を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた第１の列を構成している。複数の第１長孔１５１Ａそれぞれは、孔１５１と同様に伝送路２１Ａを囲む向きにそった長手寸法Ｌが幅寸法Ｗよりも大きい。

【0054】

第２シールド１５０Ｂは、孔１５１と同様に、第１導電体層３１から第２導電体層３２まで連続的に貫通した複数の第２孔１５１Ｂの内面にグランド導電体１５２を備えて構成されている。複数の第２孔１５１Ｂそれぞれは、孔１５１と同様に長孔であり、ここでは第２長孔と呼ぶことがある。複数の第２孔１５１Ｂからなる列は、複数の第１長孔１５１Ａの外周側において、伝送路２１Ａの周囲を囲む向きに沿って間隔をおいて設けられた第２の列を構成している。複数の第２長孔１５１Ｂそれぞれは、孔１５１と同様に伝送路２１Ａを囲む向きにそった長手寸法Ｌが幅寸法Ｗよりも大きい。

【0055】

第２長孔１５１Ｂは、第１長孔１５１Ａ同士の間に対応した位置に存在するように配置されている。即ち第２長孔１５１Ｂは第１長孔１５１Ａ同士の間を第１長孔１５１Ａの外周側から塞ぐように配置されている。したがって、第２長孔１５１Ｂ内のグランド導電体１５２によって構成される第２シールド１５０Ｂは、第１シールド１５０Ａの間からの漏洩電磁波を遮蔽することができる。このように、図６では、外側の電磁波シールドである第２シールド１５０Ｂの列は、内側の電磁波シールドである第１シールド１５０Ａの列からの漏洩電磁波を遮蔽するように配置される。電磁波シールド１５０を複数列設けることで、漏洩電磁波を効率的に遮蔽できる。また、第１孔１５１Ａ及び第２孔１５１Ｂは、長孔であるため、少ない列数でも、効率的に漏洩電磁波を遮蔽できる。

【0056】

なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0057】

１０ ：高周波回路
１１ ：第１誘電体層
１２ ：第２誘電体層
２１ ：回路層
２１Ａ ：伝送路
２１Ｂ ：グランドパターン
２１Ｃ ：孔
３１ ：第１導電体層
３１Ｃ ：孔
３１Ｂ ：グランドパターン
３２ ：第２導電体層
３２Ａ ：伝送路
３２Ｂ ：グランドパターン
３２Ｃ ：孔
４０ ：ビア
４１ ：スルーホール
６０ ：接着剤
７１ ：カバーフィルム
７２ ：カバーフィルム
８１ ：接着剤
８２ ：接着剤
１００ ：高周波回路
１０１ ：信号伝送路
１０２ ：シールドビア
１５０ ：電磁波シールド
１５０Ａ ：第１シールド
１５０Ｂ ：第２シールド
１５１ ：孔
１５１Ａ ：第１孔、第１長孔
１５１Ｂ ：第２孔、第２長孔
１５２ ：導電体、グランド導電体
Ｌ ：長手寸法
Ｗ ：幅寸法
Ｄ ：間隔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】