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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-03
(45)【発行日】2024-12-11
(54)【発明の名称】エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20241204BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 W
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2020569660
(86)(22)【出願日】2020-01-29
(86)【国際出願番号】 JP2020003071
(87)【国際公開番号】W WO2020158766
(87)【国際公開日】2020-08-06
【審査請求日】2022-11-07
(31)【優先権主張番号】P 2019015818
(32)【優先日】2019-01-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000102980
【氏名又は名称】リンテック株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000637
【氏名又は名称】弁理士法人樹之下知的財産事務所
(72)【発明者】
【氏名】布施 啓示
(72)【発明者】
【氏名】稲男 洋一
(72)【発明者】
【氏名】山田 忠知
【審査官】湯川 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－１２７１１５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０８１９５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／０７８０５０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－２０４５２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１０／０５８６４６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－０７６７４８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の半導体装置が貼着された第１シートを伸張させて、前記複数の半導体装置の間隔を拡げる工程を含み、前記複数の半導体装置のそれぞれは、第１半導体装置面と前記第１半導体装置面の反対側の第２半導体装置面とを有し、
前記複数の半導体装置のそれぞれは、前記第１半導体装置面又は前記第２半導体装置面と前記第１シートとの間に保護層を含んで、貼着されており、
加工対象物には、前記保護層が形成され、
前記保護層が形成された前記加工対象物を、第２粘着剤層と第２基材とを有する第２粘着シートの前記第２粘着剤層に貼着し、
前記保護層及び前記加工対象物をダイシングして、前記複数の半導体装置を得て、
ダイシング後の前記保護層に前記第１シートを貼着し、
前記保護層は、粘着剤層と基材とを有する粘着シートである、
エキスパンド方法。
【請求項2】
請求項１に記載のエキスパンド方法において、ダイシング後の前記保護層に前記第１シートを貼着した後、前記第２粘着シートを剥離する、
エキスパンド方法。
【請求項3】
請求項１または請求項２に記載のエキスパンド方法において、前記加工対象物は、半導体ウエハである、
エキスパンド方法。
【請求項4】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、前記第１シートは、エキスパンドシートである、
エキスパンド方法。
【請求項5】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、前記第１半導体装置面は、回路を有する、
エキスパンド方法。
【請求項6】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、及び高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、ウエハに外部電極等を形成し、最終的にはウエハをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ－Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、「ＦＯ－ＷＬＰ」と略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。
【0003】
例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップについて、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。
【0004】
また、特許文献２には、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、をこの順に備え、第二基材層の破断伸度が４００％以上である粘着シートが記載されている。特許文献２に記載の半導体装置の製造方法は、この粘着シートの第一粘着剤層に半導体ウエハを貼着する工程と、半導体ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、粘着シートを引き延ばして、半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】国際公開第２０１０／０５８６４６号
【文献】特開２０１７－０７６７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
エキスパンド工程に用いられるテープは、通常、テープ上の半導体チップを固定するために粘着剤層と、粘着剤層を支持するための基材と、を有する。特許文献１に記載のようにエキスパンド用のウエハマウントテープを引き延ばすと、テープの基材だけでなく、粘着剤層も引き延ばされる。エキスパンド工程後、半導体チップを粘着剤層から剥離すると、粘着剤層と接していた半導体チップの表面に粘着剤層が残る不具合が生じる場合がある。このような不具合を、本明細書においては、糊残りと称する場合がある。
なお、特許文献２に記載の粘着シートを用いてエキスパンド工程を実施すると、半導体チップと接している粘着剤層は引き延ばされないため、糊残りが生じ難いと考えられる。しかしながら、特許文献２に記載の粘着シートは、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、を積層させたテープ構成であるため、より簡略なテープ構成を用いて糊残りを防止できるエキスパンド方法に対する要望がある。また、特許文献２に記載のプロセスでは、粘着シート上の半導体ウエハをダイシングし、他の粘着シートに転写することなく、そのまま粘着シートを引き延ばしてエキスパンド工程を実施する。そのため、ダイシングの際のダイシングブレードが第二基材層に到達しないように、ダイシングブレードの切込み深さを慎重に制御する必要があり、より簡略な方法によって糊残りを防止できるエキスパンド方法に対する要望もある。
なお、エキスパンド方法において粘着シートの上に支持する被着体としては、半導体チップだけでなく、例えば、ウエハ、半導体装置パッケージ、及びマイクロＬＥＤ等の半導体装置が挙げられる。これら半導体装置についても、半導体チップと同様、半導体装置同士の間隔を拡張させることがある。
なお、特許文献２に記載の粘着シートを用いてエキスパンド工程を実施すると、半導体チップと接している粘着剤層は引き延ばされないため、糊残りが生じ難いと考えられる。しかしながら、特許文献２に記載の粘着シートは、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、を積層させたテープ構成であるため、より簡略なテープ構成を用いて糊残りを防止できるエキスパンド方法に対する要望がある。また、特許文献２に記載のプロセスでは、粘着シート上の半導体ウエハをダイシングし、他の粘着シートに転写することなく、そのまま粘着シートを引き延ばしてエキスパンド工程を実施する。そのため、ダイシングの際のダイシングブレードが第二基材層に到達しないように、ダイシングブレードの切込み深さを慎重に制御する必要があり、より簡略な方法によって糊残りを防止できるエキスパンド方法に対する要望もある。
なお、エキスパンド方法において粘着シートの上に支持する被着体としては、半導体チップだけでなく、例えば、ウエハ、半導体装置パッケージ、及びマイクロＬＥＤ等の半導体装置が挙げられる。これら半導体装置についても、半導体チップと同様、半導体装置同士の間隔を拡張させることがある。
【0007】
本発明の目的は、従来に比べてテープ構成及びプロセスの少なくともいずれかを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できるエキスパンド方法を提供すること、並びに当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様によれば、複数の半導体装置が貼着された第１シートを伸張させて、前記複数の半導体装置の間隔を拡げる工程を含み、前記複数の半導体装置のそれぞれは、第１半導体装置面と前記第１半導体装置面の反対側の第２半導体装置面とを有し、前記複数の半導体装置のそれぞれは、前記第１半導体装置面又は前記第２半導体装置面と前記第１シートとの間に保護層を含んで、貼着されているエキスパンド方法が提供される。
【0009】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１半導体装置面に前記保護層が形成された後、前記複数の半導体装置を前記第１シートに貼着することが好ましい。
【0010】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、加工対象物をダイシングして前記複数の半導体装置を得ることが好ましい。
【0011】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記加工対象物には、前記保護層が形成され、前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得ることが好ましい。
【0012】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記保護層が形成された前記加工対象物を、第２粘着剤層と第２基材とを有する第２粘着シートの前記第２粘着剤層に貼着し、前記保護層及び前記加工対象物をダイシングして、前記複数の半導体装置を得て、ダイシング後の前記保護層に前記第１シートを貼着することが好ましい。
【0013】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、ダイシング後の前記保護層に前記第１シートを貼着した後、前記第２粘着シートを剥離することが好ましい。
【0014】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記加工対象物を、前記保護層と第３シートとを有する複合シートの前記保護層に貼着し、前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得て、前記第３シートを前記保護層から剥離することが好ましい。
【0015】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記保護層と前記第１シートとが予め積層され、前記加工対象物を前記保護層にて支持し、前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得ることが好ましい。
【0016】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記加工対象物は、半導体ウエハであることが好ましい。
【0017】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１シートは、エキスパンドシートであることが好ましい。
【0018】
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１半導体装置面は、回路を有することが好ましい。
【0019】
本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【0020】
本発明の一態様によれば、従来に比べてテープ構成及びプロセスの少なくともいずれかを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できるエキスパンド方法を提供できる。本発明の別の一態様によれば、当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1A】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図1B】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図1C】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図2A】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図2B】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図3】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図4A】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図4B】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図5A】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図5B】第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図6A】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図6B】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図6C】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図7A】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図7B】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図7C】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図8A】第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図8B】第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図8C】第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図9】第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図10】実施例で使用した２軸延伸エキスパンド装置を説明する平面図。
【図11】チップ整列性の測定方法を説明するための概略図。
【発明を実施するための形態】
【0022】
〔第１実施形態〕
以下、本実施形態に係るエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法について説明する。
以下、本実施形態に係るエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法について説明する。
【0023】
図１（図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃ）、図２（図２Ａ及び図２Ｂ）、図３、図４（図４Ａ及び図４Ｂ）及び図５（図５Ａ及び図５Ｂ）は、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を説明する断面概略図である。
【0024】
本実施形態に係るエキスパンド方法は、少なくとも、次の工程（Ｐ１）～（Ｐ２）を備える。
（Ｐ１）第１シートに貼着された複数の半導体装置を準備する工程。複数の半導体装置は、第１シートとの間に保護層を含んで貼着されている。
（Ｐ２）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。
（Ｐ１）第１シートに貼着された複数の半導体装置を準備する工程。複数の半導体装置は、第１シートとの間に保護層を含んで貼着されている。
（Ｐ２）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。
【0025】
【0026】
（加工対象物）
図１Ａには、保護層を有する加工対象物の断面概略図が示されている。
本実施形態においては、加工対象物としての半導体ウエハＷを例に挙げて説明する。本発明において、加工対象物は、ウエハに限定されない。
半導体ウエハＷは、第１加工対象物面としての回路面Ｗ１と、第２加工対象物面としての裏面Ｗ３と、を有する。回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。本実施形態においては、回路面Ｗ１に保護層１００が設けられている。
図１Ａには、保護層を有する加工対象物の断面概略図が示されている。
本実施形態においては、加工対象物としての半導体ウエハＷを例に挙げて説明する。本発明において、加工対象物は、ウエハに限定されない。
半導体ウエハＷは、第１加工対象物面としての回路面Ｗ１と、第２加工対象物面としての裏面Ｗ３と、を有する。回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。本実施形態においては、回路面Ｗ１に保護層１００が設けられている。
【0027】
半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素等の化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法及びリフトオフ法等が挙げられる。
【0028】
（保護層）
保護層１００は、回路面Ｗ１及び回路Ｗ２を覆う層である。保護層１００は、回路面Ｗ１及び回路Ｗ２を保護できれば、特に限定されない。保護層１００の厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
保護層１００は、回路面Ｗ１及び回路Ｗ２を覆う層である。保護層１００は、回路面Ｗ１及び回路Ｗ２を保護できれば、特に限定されない。保護層１００の厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
【0029】
保護層１００としては、例えば、保護膜、及び保護シートが挙げられる。
保護膜としては、例えば、樹脂材料を回路面Ｗ１に成膜して得た膜であることが好ましい。保護膜を構成する層は、１層でもよいし、２層以上でもよい。成膜方法としては、例えば、印刷法、スプレーコーティング法、スピンコーティング法及び浸漬法が挙げられる。
保護シートとしては、例えば、粘着剤層と基材とを有する粘着シートが挙げられる。保護シートにおける基材としては、保護層を構成する部材の一つとして適切に機能し、かつ、粘着剤層を支持できれば、その構成材料は特に限定されない。保護シートにおける基材は、樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成されることが好ましい。樹脂系の材料を主材とするフィルムとしては、例えば、エチレン系共重合フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、及びフッ素樹脂フィルムが挙げられる。
保護シートにおける粘着剤層としては、保護層を構成する部材の一つとして適切に機能し、かつ、基材及び回路面Ｗ１に密着できれば、その構成材料は特に限定されない。保護シートにおける粘着剤層としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。
保護膜としては、例えば、樹脂材料を回路面Ｗ１に成膜して得た膜であることが好ましい。保護膜を構成する層は、１層でもよいし、２層以上でもよい。成膜方法としては、例えば、印刷法、スプレーコーティング法、スピンコーティング法及び浸漬法が挙げられる。
保護シートとしては、例えば、粘着剤層と基材とを有する粘着シートが挙げられる。保護シートにおける基材としては、保護層を構成する部材の一つとして適切に機能し、かつ、粘着剤層を支持できれば、その構成材料は特に限定されない。保護シートにおける基材は、樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成されることが好ましい。樹脂系の材料を主材とするフィルムとしては、例えば、エチレン系共重合フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、及びフッ素樹脂フィルムが挙げられる。
保護シートにおける粘着剤層としては、保護層を構成する部材の一つとして適切に機能し、かつ、基材及び回路面Ｗ１に密着できれば、その構成材料は特に限定されない。保護シートにおける粘着剤層としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。
【0030】
本実施形態の説明においては、保護層１００が１層からなる保護膜である場合を例に挙げるが、本発明はこのような態様に限定されない。
【0031】
［バックグラインド工程］
半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。第１シートに貼着された複数の半導体装置を準備する工程（Ｐ１）は、このバックグラインド工程を工程（Ｐ１－１）として含むことが好ましい。
バックグラインド工程においては、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の面を所定の厚さに研削する。裏面Ｗ３は、半導体ウエハＷを裏面研削して形成した面であることが好ましい。半導体ウエハＷを研削した後に露出する面を裏面Ｗ３とする。
半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。第１シートに貼着された複数の半導体装置を準備する工程（Ｐ１）は、このバックグラインド工程を工程（Ｐ１－１）として含むことが好ましい。
バックグラインド工程においては、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の面を所定の厚さに研削する。裏面Ｗ３は、半導体ウエハＷを裏面研削して形成した面であることが好ましい。半導体ウエハＷを研削した後に露出する面を裏面Ｗ３とする。
【0032】
半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダー等を用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、バックグラインドシートと呼ばれる粘着シートを回路面Ｗ１に貼着することが好ましい。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわちバックグラインドシート側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。バックグラインドシートを回路面Ｗ１に貼着する工程をバックグラインドシートの貼着工程と称する場合がある。
【0033】
研削前の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、５００μｍ以上、１０００μｍ以下である。
研削後の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、２０μｍ以上、５００μｍ以下である。
研削後の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、２０μｍ以上、５００μｍ以下である。
【0034】
［第２粘着シートの貼着工程］
図１Ｂには、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０が貼着された半導体ウエハＷが示されている。
工程（Ｐ１）で準備する半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経て、さらに、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０を貼着する貼着工程を経て得られたウエハであることが好ましい。この貼着工程を第２粘着シートの貼着工程と称する場合がある。
後述するように、工程（Ｐ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。半導体ウエハＷをダイシングする際には、半導体ウエハＷを保持するために、ダイシングシートと呼ばれる粘着シートを裏面Ｗ３に貼着することが好ましい。本実施形態においては、第２粘着シート２０がダイシングシートであることが好ましい。ダイシングシートとして第２粘着シート２０が用いられる場合、半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を第２粘着シート２０の第２粘着剤層２２に向けて貼着される。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１は、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に相当する。半導体ウエハＷの裏面Ｗ３は、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に相当する。
図１Ｂには、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０が貼着された半導体ウエハＷが示されている。
工程（Ｐ１）で準備する半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経て、さらに、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０を貼着する貼着工程を経て得られたウエハであることが好ましい。この貼着工程を第２粘着シートの貼着工程と称する場合がある。
後述するように、工程（Ｐ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。半導体ウエハＷをダイシングする際には、半導体ウエハＷを保持するために、ダイシングシートと呼ばれる粘着シートを裏面Ｗ３に貼着することが好ましい。本実施形態においては、第２粘着シート２０がダイシングシートであることが好ましい。ダイシングシートとして第２粘着シート２０が用いられる場合、半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を第２粘着シート２０の第２粘着剤層２２に向けて貼着される。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１は、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に相当する。半導体ウエハＷの裏面Ｗ３は、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に相当する。
【0035】
［ダイシング工程］
図１Ｃは、加工対象物としての半導体ウエハＷをダイシングするダイシング工程を説明するための図である。図１Ｃには、第２粘着シート２０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。本実施形態においては、半導体装置の一例として半導体チップＣＰを例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。半導体装置としては、例えば、ウエハ、半導体装置パッケージ、及びマイクロＬＥＤが挙げられる。
図１Ｃは、加工対象物としての半導体ウエハＷをダイシングするダイシング工程を説明するための図である。図１Ｃには、第２粘着シート２０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。本実施形態においては、半導体装置の一例として半導体チップＣＰを例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。半導体装置としては、例えば、ウエハ、半導体装置パッケージ、及びマイクロＬＥＤが挙げられる。
【0036】
工程（Ｐ１）で準備する複数の半導体装置は、ダイシング工程において半導体ウエハＷをダイシングすることにより得られた複数の半導体チップＣＰであることが好ましい。工程（Ｐ１）は、第２粘着シート２０に支持された半導体ウエハＷをダイシングするダイシング工程を工程（Ｐ１－２）として含むことが好ましい。
回路面Ｗ１に保護層１００が設けられ、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０が貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。本実施形態では、保護層１００側から切込みを入れて、保護層１００を切断し、さらに半導体ウエハＷを切断する。ダイシング工程後の複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１は、それぞれ、切断された保護層１００によって覆われた状態である。
ダイシングには、ダイシングソー等の切断手段が用いられる。
ダイシングの際の切断深さは、保護層１００及び半導体ウエハＷを個片化できる深さであれば特に限定されない。半導体ウエハＷを確実に切断するという観点から、ダイシング工程における切込みは、保護層１００側から第２粘着シート２０に到達するまでの深さで形成することが好ましく、第２粘着シート２０の第２粘着剤層２２に到達する深さで形成することがより好ましい。ダイシングによって、第２粘着剤層２２も半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。さらに、ダイシングによって第２基材２１にも切込みが形成される場合がある。
回路面Ｗ１に保護層１００が設けられ、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０が貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。本実施形態では、保護層１００側から切込みを入れて、保護層１００を切断し、さらに半導体ウエハＷを切断する。ダイシング工程後の複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１は、それぞれ、切断された保護層１００によって覆われた状態である。
ダイシングには、ダイシングソー等の切断手段が用いられる。
ダイシングの際の切断深さは、保護層１００及び半導体ウエハＷを個片化できる深さであれば特に限定されない。半導体ウエハＷを確実に切断するという観点から、ダイシング工程における切込みは、保護層１００側から第２粘着シート２０に到達するまでの深さで形成することが好ましく、第２粘着シート２０の第２粘着剤層２２に到達する深さで形成することがより好ましい。ダイシングによって、第２粘着剤層２２も半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。さらに、ダイシングによって第２基材２１にも切込みが形成される場合がある。
【0037】
［第１シートの貼着工程］
図２Ａは、ダイシング工程の後に複数の半導体チップＣＰに第１シート１０を貼着する工程を説明するための図である。図２Ａには、ダイシング工程によって得た複数の半導体チップＣＰに第１シート１０が貼付された状態が示されている。本実施形態に係る第１シート１０は、第１粘着剤層１２と第１基材１１とを有する粘着シートである。第１シート１０の詳細は、後述する。なお、本発明において、第１シートは、第１粘着剤層と第１基材とを有する２層構成の粘着シートに限定されない。
図２Ａは、ダイシング工程の後に複数の半導体チップＣＰに第１シート１０を貼着する工程を説明するための図である。図２Ａには、ダイシング工程によって得た複数の半導体チップＣＰに第１シート１０が貼付された状態が示されている。本実施形態に係る第１シート１０は、第１粘着剤層１２と第１基材１１とを有する粘着シートである。第１シート１０の詳細は、後述する。なお、本発明において、第１シートは、第１粘着剤層と第１基材とを有する２層構成の粘着シートに限定されない。
【0038】
本実施形態では、第１シート１０が複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１側に貼着されると、複数の半導体チップＣＰと第１シート１０の第１粘着剤層１２との間に個片化された保護層１００が介在した積層構造が得られる。
【0039】
［第２粘着シートの剥離工程］
図２Ｂは、第１シートの貼着工程の後に、第２粘着シート２０を剥離する工程を説明するための図である。この工程を第２粘着シートの剥離工程と称する場合がある。図２Ｂには、第１シート１０を貼着後に第２粘着シート２０を半導体ウエハＷの裏面Ｗ３から剥離した状態が示されている。
第１シート１０を貼着した後、第２粘着シート２０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。
なお、第２粘着剤層２２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、第２粘着剤層２２に第２基材２１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させてから第２粘着シート２０を剥離することが好ましい。
図２Ｂは、第１シートの貼着工程の後に、第２粘着シート２０を剥離する工程を説明するための図である。この工程を第２粘着シートの剥離工程と称する場合がある。図２Ｂには、第１シート１０を貼着後に第２粘着シート２０を半導体ウエハＷの裏面Ｗ３から剥離した状態が示されている。
第１シート１０を貼着した後、第２粘着シート２０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。
なお、第２粘着剤層２２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、第２粘着剤層２２に第２基材２１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させてから第２粘着シート２０を剥離することが好ましい。
【0040】
［エキスパンド工程］
図３は、工程（Ｐ２）を説明するための図である。工程（Ｐ２）をエキスパンド工程と称する場合がある。図３には、第２粘着シート２０を剥離後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げる際には、エキスパンドシートと呼ばれる粘着シートにより複数の半導体チップＣＰを保持した状態で、エキスパンドシートを伸張することが好ましい。本実施形態においては、第１シート１０がエキスパンドシートであることが好ましい。
エキスパンド工程において第１シート１０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第１シート１０を引き延ばす方法としては、例えば、環状もしくは円状のエキスパンダを押し当てて第１シート１０を引き延ばす方法、及び把持部材等を用いて第１シート１０の外周部を掴んで引き延ばす方法等が挙げられる。本実施形態では、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。特に、粘着シートの片面に貼着された複数の半導体チップＣＰにおける、隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。
図３は、工程（Ｐ２）を説明するための図である。工程（Ｐ２）をエキスパンド工程と称する場合がある。図３には、第２粘着シート２０を剥離後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げる際には、エキスパンドシートと呼ばれる粘着シートにより複数の半導体チップＣＰを保持した状態で、エキスパンドシートを伸張することが好ましい。本実施形態においては、第１シート１０がエキスパンドシートであることが好ましい。
エキスパンド工程において第１シート１０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第１シート１０を引き延ばす方法としては、例えば、環状もしくは円状のエキスパンダを押し当てて第１シート１０を引き延ばす方法、及び把持部材等を用いて第１シート１０の外周部を掴んで引き延ばす方法等が挙げられる。本実施形態では、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。特に、粘着シートの片面に貼着された複数の半導体チップＣＰにおける、隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。
【0041】
［第１転写工程］
本実施形態においては、エキスパンド工程の後、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、別の粘着シート（例えば、第５粘着シート）に転写する工程（以下「第１転写工程」という場合がある。）を実施してもよい。
図４Ａには、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第５粘着シート５０に転写する工程（以下「転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
第５粘着シート５０は、複数の半導体チップＣＰを保持できれば特に限定されない。第５粘着シート５０は、第５基材５１と、第５粘着剤層５２とを有する。
本実施形態において転写工程を実施する場合は、例えば、エキスパンド工程の後、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に第５粘着シート５０を貼着し、その後、第１シート１０を剥離することが好ましい。
本実施形態においては、エキスパンド工程の後、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、別の粘着シート（例えば、第５粘着シート）に転写する工程（以下「第１転写工程」という場合がある。）を実施してもよい。
図４Ａには、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第５粘着シート５０に転写する工程（以下「転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
第５粘着シート５０は、複数の半導体チップＣＰを保持できれば特に限定されない。第５粘着シート５０は、第５基材５１と、第５粘着剤層５２とを有する。
本実施形態において転写工程を実施する場合は、例えば、エキスパンド工程の後、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に第５粘着シート５０を貼着し、その後、第１シート１０を剥離することが好ましい。
【0042】
第５粘着シート５０は、複数の半導体チップＣＰとともに、第二のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第５粘着シート５０の第５粘着剤層５２の上に、リングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、リングフレームの環形状の内側にて露出する第５粘着剤層５２を半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に押し当てて、第５粘着シート５０に複数の半導体チップＣＰを固定する。
【0043】
図４Ｂには、第５粘着シート５０の貼着後、第１シート１０を剥離する工程を説明する図が示されている。
本実施形態では、第１シート１０を剥離する際に、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１を覆う個片化された第１シート１０を保護層１００とともにまとめて剥離する態様を例に挙げて説明する。なお、回路面Ｗ１を覆う個片化された保護層１００を半導体チップＣＰに残したまま、第１シート１０だけを剥離する態様でもよい。
第５粘着シート５０を貼着した後、第１シート１０及び保護層１００を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１が露出する。第１シート１０及び保護層１００を剥離した後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。
本実施形態では、第１シート１０を剥離する際に、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１を覆う個片化された第１シート１０を保護層１００とともにまとめて剥離する態様を例に挙げて説明する。なお、回路面Ｗ１を覆う個片化された保護層１００を半導体チップＣＰに残したまま、第１シート１０だけを剥離する態様でもよい。
第５粘着シート５０を貼着した後、第１シート１０及び保護層１００を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１が露出する。第１シート１０及び保護層１００を剥離した後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。
【0044】
［第２転写工程］
図５Ａには、第５粘着シート５０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第６粘着シート６０に転写する工程（以下「第２転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
第５粘着シート５０から第６粘着シート６０に転写された複数の半導体チップＣＰは、半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。
図５Ａには、第５粘着シート５０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第６粘着シート６０に転写する工程（以下「第２転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
第５粘着シート５０から第６粘着シート６０に転写された複数の半導体チップＣＰは、半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。
【0045】
第６粘着シート６０は、複数の半導体チップＣＰを保持できれば特に限定されない。第６粘着シート６０は、第６基材６１と、第６粘着剤層６２とを有する。
第６粘着シート６０上の複数の半導体チップＣＰを封止したい場合には、第６粘着シート６０として、封止工程用の粘着シートを用いることが好ましく、耐熱性を有する粘着シートを用いることがより好ましい。また、第６粘着シート６０として耐熱性を有する粘着シートを用いる場合は、第６基材６１及び第６粘着剤層６２は、それぞれ、封止工程で課される温度に耐え得る耐熱性を有する材料で形成されていることが好ましい。
第６粘着シート６０上の複数の半導体チップＣＰを封止したい場合には、第６粘着シート６０として、封止工程用の粘着シートを用いることが好ましく、耐熱性を有する粘着シートを用いることがより好ましい。また、第６粘着シート６０として耐熱性を有する粘着シートを用いる場合は、第６基材６１及び第６粘着剤層６２は、それぞれ、封止工程で課される温度に耐え得る耐熱性を有する材料で形成されていることが好ましい。
【0046】
第５粘着シート５０から第６粘着シート６０に転写された複数の半導体チップＣＰは、回路面Ｗ１を第６粘着剤層６２に向けて貼着されている。
【0047】
［封止工程］
図５Ｂには、封止部材３００を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（以下「封止工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
図５Ｂには、封止部材３００を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（以下「封止工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
【0048】
本実施形態において、封止工程は、複数の半導体チップＣＰが第６粘着シート６０に転写された後に実施される。
封止工程において、回路面Ｗ１が第６粘着シート６０に保護された状態で、複数の半導体チップＣＰを封止部材３００によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３００が充填されている。第６粘着シート６０により回路面Ｗ１及び回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３００で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。
封止工程において、回路面Ｗ１が第６粘着シート６０に保護された状態で、複数の半導体チップＣＰを封止部材３００によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３００が充填されている。第６粘着シート６０により回路面Ｗ１及び回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３００で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。
【0049】
封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材３００に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、エキスパンド工程を実施後の間隔Ｄ１が維持された状態で、封止部材３００により覆われることが好ましい。
【0050】
封止工程の後、第６粘着シート６０を剥離する。第６粘着シート６０を剥離すると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び封止体３の第６粘着シート６０と接触していた面３Ａが露出する。
【0051】
前述のエキスパンド工程の後、転写工程及びエキスパンド工程を任意の回数繰り返すことで、半導体チップＣＰ間の距離を所望の距離とし、半導体チップＣＰを封止する際の回路面の向きを所望の向きとすることができる。
【0052】
［その他の工程］
封止体３から粘着シートを剥離した後、この封止体３に対して、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層を形成する再配線層形成工程と、再配線層と外部端子電極とを電気的に接続する接続工程とが順に行われる。再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程によって、半導体チップＣＰの回路と外部端子電極とが電気的に接続される。
外部端子電極が接続された封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージが製造される。半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極を接続させた半導体パッケージは、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ－ＷＬＰ）として製造される。
封止体３から粘着シートを剥離した後、この封止体３に対して、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層を形成する再配線層形成工程と、再配線層と外部端子電極とを電気的に接続する接続工程とが順に行われる。再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程によって、半導体チップＣＰの回路と外部端子電極とが電気的に接続される。
外部端子電極が接続された封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージが製造される。半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極を接続させた半導体パッケージは、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ－ＷＬＰ）として製造される。
【0053】
（第１シート）
本実施形態に係る第１シート１０は、第１基材１１と、第１粘着剤層１２とを有する。第１粘着剤層１２は、第１基材１１に積層されている。
本実施形態に係る第１シート１０は、第１基材１１と、第１粘着剤層１２とを有する。第１粘着剤層１２は、第１基材１１に積層されている。
【0054】
・第１基材
第１基材１１は、エキスパンド工程等の所望の工程（例えば、工程（Ｐ２））において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
第１基材１１は、第１基材表面及び第１基材裏面を有する。第１基材裏面は、第１基材表面とは反対側の面である。
第１シート１０において、第１基材表面及び第１基材裏面の一方の面に第１粘着剤層１２が設けられていることが好ましく、他方の面には粘着剤層が設けられていないことが好ましい。
第１基材１１は、エキスパンド工程等の所望の工程（例えば、工程（Ｐ２））において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
第１基材１１は、第１基材表面及び第１基材裏面を有する。第１基材裏面は、第１基材表面とは反対側の面である。
第１シート１０において、第１基材表面及び第１基材裏面の一方の面に第１粘着剤層１２が設けられていることが好ましく、他方の面には粘着剤層が設けられていないことが好ましい。
【0055】
第１基材１１の材料は、大きく延伸させ易いという観点から、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料であることが好ましく、熱可塑性エラストマーであることがより好ましい。
【0056】
また、第１基材１１の材料としては、大きく延伸させ易いという観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂を使用することが好ましい。このような樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、９０℃以下であることが好ましく、８０℃以下であることがより好ましく、７０℃以下であることがさらに好ましい。
【0057】
熱可塑性エラストマーとしては、ウレタン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びアミド系エラストマー等が挙げられる。熱可塑性エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。熱可塑性エラストマーとしては、大きく延伸させ易いという観点から、ウレタン系エラストマーを使用することが好ましい。
【0058】
ウレタン系エラストマーは、一般に、長鎖ポリオール、鎖延長剤、及びジイソシアネートを反応させて得られる。ウレタン系エラストマーは、長鎖ポリオールから誘導される構成単位を有するソフトセグメントと、鎖延長剤とジイソシアネートとの反応から得られるポリウレタン構造を有するハードセグメントとからなる。
【0059】
ウレタン系エラストマーを、長鎖ポリオールの種類によって分類すると、ポリエステル系ポリウレタンエラストマー、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマー、及びポリカーボネート系ポリウレタンエラストマー等に分けられる。ウレタン系エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。本実施形態では、ウレタン系エラストマーは、大きく延伸させ易いという観点から、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマーであることが好ましい。
【0060】
長鎖ポリオールの例としては、ラクトン系ポリエステルポリオール、及びアジペート系ポリエステルポリオール等のポリエステルポリオール；ポリプロピレン（エチレン）ポリオール、及びポリテトラメチレンエーテルグリコール等のポリエーテルポリオール；ポリカーボネートポリオール等が挙げられる。本実施形態では、長鎖ポリオールは、大きく延伸させ易いという観点から、アジペート系ポリエステルポリオールであることが好ましい。
【0061】
ジイソシアネートの例としては、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、及びヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。本実施形態では、ジイソシアネートは、大きく延伸させ易いという観点から、ヘキサメチレンジイソシアネートであることが好ましい。
【0062】
鎖延長剤としては、低分子多価アルコール（例えば、１，４－ブタンジオール、及び１，６－ヘキサンジオール等）、及び芳香族ジアミン等が挙げられる。これらのうち、大きく延伸させ易いという観点から、１，６－ヘキサンジオールを使用することが好ましい。
【0063】
オレフィン系エラストマーとしては、エチレン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・α－オレフィン共重合体、ブテン・α－オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α－オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン－αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン－α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体、及びスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むエラストマーが挙げられる。オレフィン系エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【0064】
オレフィン系エラストマーの密度は、特に限定されない。例えば、オレフィン系エラストマーの密度は、０．８６０ｇ／ｃｍ３以上、０．９０５ｇ／ｃｍ３未満であることが好ましく、０．８６２ｇ／ｃｍ３以上、０．９００ｇ／ｃｍ３未満であることがより好ましく、０．８６４ｇ／ｃｍ３以上、０．８９５ｇ／ｃｍ３未満であることが特に好ましい。オレフィン系エラストマーの密度が上記範囲を満たすことで、基材は、被着体としての半導体装置を粘着シートに貼付する時の凹凸追従性等に優れる。
【0065】
オレフィン系エラストマーは、このエラストマーを形成するために用いた全単量体のうち、オレフィン系化合物からなる単量体の質量比率（本明細書において「オレフィン含有率」ともいう。）が５０質量％以上、１００質量％以下であることが好ましい。
オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、基材は、柔軟性及びゴム弾性を示し難くなる。
柔軟性及びゴム弾性を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましい。
オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、基材は、柔軟性及びゴム弾性を示し難くなる。
柔軟性及びゴム弾性を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましい。
【0066】
スチレン系エラストマーとしては、スチレン－共役ジエン共重合体、及びスチレン－オレフィン共重合体等が挙げられる。スチレン－共役ジエン共重合体の具体例としては、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－イソプレン－スチレン共重合体等の未水添スチレン－共役ジエン共重合体、スチレン－エチレン／プロピレン－スチレン共重合体（ＳＥＰＳ、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体の水添加物）、及びスチレン－エチレン－ブチレン－スチレン共重合体（ＳＥＢＳ、スチレン－ブタジエン共重合体の水素添加物）等の水添スチレン－共役ジエン共重合体等を挙げることができる。また、工業的には、スチレン系エラストマーとしては、タフプレン（旭化成株式会社製）、クレイトン（クレイトンポリマージャパン株式会社製）、住友ＴＰＥ－ＳＢ（住友化学株式会社製）、エポフレンド（株式会社ダイセル製）、ラバロン（三菱ケミカル株式会社製）、セプトン（株式会社クラレ製）、及びタフテック（旭化成株式会社製）等の商品名が挙げられる。スチレン系エラストマーは、水素添加物でも未水添物であってもよい。
【0067】
ゴム系材料としては、例えば、天然ゴム、合成イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリル－ブタジエン共重合ゴム（ＮＢＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、及び多硫化ゴム等が挙げられる。ゴム系材料は、これらの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【0068】
第１基材１１は、上記のような材料（例えば、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料）からなるフィルムが、複数、積層された積層フィルムでもよい。また、第１基材１１は、上記のような材料（例えば、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料）からなるフィルムと、その他のフィルムとが積層された積層フィルムでもよい。
【0069】
第１基材１１は、上記の樹脂系材料を主材料とするフィルム内に、添加剤を含んでいてもよい。添加剤の具体例としては、第１基材１１の説明で挙げた添加剤と同様である。添加剤としては、例えば、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、及びフィラー等が挙げられる。顔料としては、例えば、二酸化チタン、及びカーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料、及びニッケル粒子のような金属系材料が例示される。フィルム内に含有させてもよい添加剤の含有量は、特に限定されないが、第１基材１１が所望の機能を発揮し得る範囲に留めることが好ましい。
【0070】
第１基材１１は、第１基材１１の片面または両面に、第１基材１１の表面に積層される第１粘着剤層１２との密着性を向上させるための処理が施されていてもよい。
【0071】
第１粘着剤層１２がエネルギー線硬化性粘着剤を含有する場合、第１基材１１は、エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。エネルギー線として紫外線を用いる場合には、第１基材１１は、紫外線に対して透過性を有することが好ましい。エネルギー線として電子線を用いる場合には、第１基材１１は、電子線の透過性を有することが好ましい。
【0072】
第１基材１１の厚さは、第１シート１０が所望の工程において適切に機能できる限り、限定されない。第１基材１１の厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましい。また、第１基材１１の厚さは、２５０μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下であることがより好ましい。
【0073】
また、第１基材１１の第１基材表面または第１基材裏面の面内方向において２ｃｍ間隔で複数箇所の厚さを測定した際の、第１基材１１の厚さの標準偏差は、２μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。当該標準偏差が２μｍ以下であることで、第１シート１０は、精度の高い厚さを有しており、第１シート１０を均一に延伸することが可能となる。
【0074】
２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の引張弾性率が、それぞれ１０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下であり、２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の１００％応力が、それぞれ３ＭＰa以上、２０ＭＰa以下であることが好ましい。
引張弾性率及び１００％応力が上記範囲であることで、第１シート１０を大きく延伸することが可能となる。
第１基材１１の１００％応力は、次のようにして得られる値である。１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）の大きさの試験片を第１基材１１から切り出す。切り出した試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかむ。つかみ具で試験片をつかんだ後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を読み取る。第１基材１１の１００％応力は、読み取った引張力の測定値を、基材の断面積で除算することで得られる値である。第１基材１１の断面積は、幅方向長さ１５ｍｍ×第１基材１１（試験片）の厚みで算出される。当該切り出しは、基材の製造時における流れ方向（ＭＤ方向）またはＭＤ方向に直交する方向（ＣＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする基材の厚さと同じであってよい。
引張弾性率及び１００％応力が上記範囲であることで、第１シート１０を大きく延伸することが可能となる。
第１基材１１の１００％応力は、次のようにして得られる値である。１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）の大きさの試験片を第１基材１１から切り出す。切り出した試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかむ。つかみ具で試験片をつかんだ後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を読み取る。第１基材１１の１００％応力は、読み取った引張力の測定値を、基材の断面積で除算することで得られる値である。第１基材１１の断面積は、幅方向長さ１５ｍｍ×第１基材１１（試験片）の厚みで算出される。当該切り出しは、基材の製造時における流れ方向（ＭＤ方向）またはＭＤ方向に直交する方向（ＣＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする基材の厚さと同じであってよい。
【0075】
２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることが好ましい。
第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることで、破断が生じることなく、第１シート１０を大きく延伸することが可能となる。
第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることで、破断が生じることなく、第１シート１０を大きく延伸することが可能となる。
【0076】
基材の引張弾性率（ＭＰａ）及び基材の破断伸度（％）は、次のようにして測定できる。基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍに裁断して試験片を得る。当該試験片について、ＪＩＳ Ｋ７１６１：２０１４およびＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、２３℃における破断伸度および引張弾性率を測定する。具体的には、上記試験片を、引張試験機（株式会社島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ－ＩＳ ５００Ｎ」）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、破断伸度（％）および引張弾性率（ＭＰａ）を測定する。なお、測定は、基材の製造時の流れ方向（ＭＤ）およびこれに直角の方向（ＣＤ）の双方で行う。
【0077】
・第１粘着剤層
第１粘着剤層１２は、エキスパンド工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第１粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤及びウレタン系粘着剤が挙げられる。
第１粘着剤層１２は、エキスパンド工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第１粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤及びウレタン系粘着剤が挙げられる。
【0078】
・エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）
第１粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を含有することが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、分子内に、エネルギー線硬化性の二重結合を有する。
エネルギー線硬化性樹脂を含有する粘着剤層は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下する。被着体と粘着シートとを分離したい場合、エネルギー線を粘着剤層に照射することにより、容易に分離できる。
第１粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を含有することが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、分子内に、エネルギー線硬化性の二重結合を有する。
エネルギー線硬化性樹脂を含有する粘着剤層は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下する。被着体と粘着シートとを分離したい場合、エネルギー線を粘着剤層に照射することにより、容易に分離できる。
【0079】
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、（メタ）アクリル系樹脂であることが好ましい。
【0080】
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、紫外線硬化性樹脂であることが好ましく、紫外線硬化性の（メタ）アクリル系樹脂であることがより好ましい。
【0081】
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、エネルギー線の照射を受けると重合硬化する樹脂である。エネルギー線としては、例えば、紫外線、及び電子線等が挙げられる。
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能のモノマー、多官能のモノマー、単官能のオリゴマー、及び多官能のオリゴマー）が挙げられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、及び１，６－ヘキサンジオールジアクリレート等のアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、及びイソボルニルアクリレート等の環状脂肪族骨格含有アクリレート、並びにポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、及びイタコン酸オリゴマー等のアクリレート系化合物が用いられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａ１）は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能のモノマー、多官能のモノマー、単官能のオリゴマー、及び多官能のオリゴマー）が挙げられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、及び１，６－ヘキサンジオールジアクリレート等のアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、及びイソボルニルアクリレート等の環状脂肪族骨格含有アクリレート、並びにポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、及びイタコン酸オリゴマー等のアクリレート系化合物が用いられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａ１）は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【0082】
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の分子量は、通常、１００以上、３００００以下であり、３００以上、１００００以下程度であることが好ましい。
【0083】
・（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）
第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）をさらに含んでいることが好ましい。（メタ）アクリル系共重合体は、前述したエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）とは異なる。
第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）をさらに含んでいることが好ましい。（メタ）アクリル系共重合体は、前述したエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）とは異なる。
【0084】
（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）は、エネルギー線硬化性の炭素－炭素二重結合を有することが好ましい。すなわち、本実施形態において、第１粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）と、エネルギー線硬化性の（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）とを含有することが好ましい。
【0085】
第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を１０質量部以上の割合で含有することが好ましく、２０質量部以上の割合で含有することがより好ましく、２５質量部以上の割合で含有することがさらに好ましい。
第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を８０質量部以下の割合で含有することが好ましく、７０質量部以下の割合で含有することがより好ましく、６０質量部以下の割合で含有することがさらに好ましい。
第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を８０質量部以下の割合で含有することが好ましく、７０質量部以下の割合で含有することがより好ましく、６０質量部以下の割合で含有することがさらに好ましい。
【0086】
（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、１５万以上であることがより好ましく、２０万以上であることがさらに好ましい。
また、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
また、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
【0087】
（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）は、側鎖にエネルギー線硬化性を有する官能基（エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル重合体（ｂ２）（以下「エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）」という場合がある。）であることが好ましい。
【0088】
・エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）
エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）とを反応させて得られる共重合体であることが好ましい。
エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）とを反応させて得られる共重合体であることが好ましい。
【0089】
本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。
【0090】
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマー、または（メタ）アクリル酸エステルモノマーの誘導体から導かれる構成単位とを含むことが好ましい。
【0091】
アクリル系共重合体（ｂ２１）の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、官能基と、を分子内に有するモノマーであることが好ましい。官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等からなる群から選択される少なくともいずれかの官能基であることが好ましい。
【0092】
ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、及び４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【0093】
カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、及びシトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。カルボキシ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【0094】
アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、アミノエチル（メタ）アクリレート、及びｎ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【0095】
アクリル系共重合体（ｂ２１）を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１以上２０以下であるアルキル（メタ）アクリレートの他、例えば、分子内に脂環式構造を有するモノマー（脂環式構造含有モノマー）が好ましく用いられる。
【0096】
アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１以上１８以下であるアルキル（メタ）アクリレートが好ましい。アルキル（メタ）アクリレートは、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、及び２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等がより好ましい。アルキル（メタ）アクリレートは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【0097】
脂環式構造含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、及び（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル等が好ましく用いられる。脂環式構造含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【0098】
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、１質量％以上の割合で含有することが好ましく、５質量％以上の割合で含有することがより好ましく、１０質量％以上の割合で含有することがさらに好ましい。
また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、３５質量％以下の割合で含有することが好ましく、３０質量％以下の割合で含有することがより好ましく、２５質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。
また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、３５質量％以下の割合で含有することが好ましく、３０質量％以下の割合で含有することがより好ましく、２５質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。
【0099】
さらに、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、５０質量％以上の割合で含有することが好ましく、６０質量％以上の割合で含有することがより好ましく、７０質量％以上の割合で含有することがさらに好ましい。
また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、９９質量％以下の割合で含有することが好ましく、９５質量％以下の割合で含有することがより好ましく、９０質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。
また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、９９質量％以下の割合で含有することが好ましく、９５質量％以下の割合で含有することがより好ましく、９０質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。
【0100】
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とを常法で共重合することにより得られる。
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上述のモノマーの他にも、ジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、及びスチレン等からなる群から選択される少なくともいずれかの構成単位を含有していてもよい。
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上述のモノマーの他にも、ジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、及びスチレン等からなる群から選択される少なくともいずれかの構成単位を含有していてもよい。
【0101】
上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）を、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）と反応させることにより、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）が得られる。
【0102】
不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基は、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基又は置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基としてはイソシアネート基又はエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。
【0103】
不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合を、１分子中に少なくとも１個含み、１個以上、６個以下含むことが好ましく、１個以上、４個以下含むことがより好ましい。
【0104】
不飽和基含有化合物（ｂ２２）としては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（２－イソシアナトエチルメタクリレート）、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２－（１－アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２－ビニル－２－オキサゾリン、２－イソプロペニル－２－オキサゾリン等が挙げられる。
【0105】
不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーのモル数に対して、５０モル％以上の割合（付加率）で用いられることが好ましく、６０モル％以上の割合で用いられることがより好ましく、７０モル％以上の割合で用いられることが更に好ましい。
また、不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーモル数に対して、９５モル％以下の割合で用いられることが好ましく、９３モル％以下の割合で用いられることがより好ましく、９０モル％以下の割合で用いられることがさらに好ましい。
また、不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーモル数に対して、９５モル％以下の割合で用いられることが好ましく、９３モル％以下の割合で用いられることがより好ましく、９０モル％以下の割合で用いられることがさらに好ましい。
【0106】
アクリル系共重合体（ｂ２１）と不飽和基含有化合物（ｂ２２）との反応においては、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基と不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、及び触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基と、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体（ｂ２１）の側鎖に導入され、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）が得られる。
【0107】
エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、１５万以上であることがより好ましく、２０万以上であることがさらに好ましい。
また、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
また、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
【0108】
・光重合開始剤（Ｃ）
第１粘着剤層１２が紫外線硬化性の化合物（例えば、紫外線硬化性樹脂）を含有する場合、第１粘着剤層１２は、光重合開始剤（Ｃ）を含有することが好ましい。
第１粘着剤層１２が光重合開始剤（Ｃ）を含有することにより、重合硬化時間及び光線照射量を少なくすることができる。
第１粘着剤層１２が紫外線硬化性の化合物（例えば、紫外線硬化性樹脂）を含有する場合、第１粘着剤層１２は、光重合開始剤（Ｃ）を含有することが好ましい。
第１粘着剤層１２が光重合開始剤（Ｃ）を含有することにより、重合硬化時間及び光線照射量を少なくすることができる。
【0109】
光重合開始剤（Ｃ）の具体例は、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物及びパーオキサイド化合物が挙げられる。さらには、光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、アミン又はキノン等の光増感剤等が挙げられる。
より具体的な光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン及びビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドが挙げられる。光重合開始剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
より具体的な光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン及びビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドが挙げられる。光重合開始剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【0110】
光重合開始剤（Ｃ）の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、０．０１質量部以上、１０質量部以下であることが好ましく、０．０３質量部以上、５質量部以下であることがより好ましく、０．０５質量部以上、５質量部以下であることがさらに好ましい。
【0111】
光重合開始剤（Ｃ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して０．１質量部以上の量で用いられることが好ましく、０．５質量部以上の量で用いられることがより好ましい。
また、光重合開始剤（Ｃ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して１０質量部以下の量で用いられることが好ましく、６質量部以下の量で用いられることがより好ましい。
また、光重合開始剤（Ｃ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して１０質量部以下の量で用いられることが好ましく、６質量部以下の量で用いられることがより好ましい。
【0112】
第１粘着剤層１２は、上記成分以外にも、適宜他の成分を配合してもよい。他の成分としては、例えば、架橋剤（Ｅ）等が挙げられる。
【0113】
・架橋剤（Ｅ）
架橋剤（Ｅ）としては、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。第１シート１０における多官能性化合物の例としては、イソシアナート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩及び反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。
架橋剤（Ｅ）としては、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。第１シート１０における多官能性化合物の例としては、イソシアナート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩及び反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。
【0114】
架橋剤（Ｅ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましく、０．０３質量部以上であることがより好ましく、０．０４質量部以上であることがさらに好ましい。
また、架橋剤（Ｅ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、８質量部以下であることが好ましく、５質量部以下であることがより好ましく、３．５質量部以下であることがさらに好ましい。
また、架橋剤（Ｅ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、８質量部以下であることが好ましく、５質量部以下であることがより好ましく、３．５質量部以下であることがさらに好ましい。
【0115】
第１粘着剤層１２の厚さは、特に限定されない。第１粘着剤層１２の厚さは、例えば、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。また、第１粘着剤層１２の厚さは、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましい。
【0116】
第１シート１０の復元率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。第１シート１０の復元率は、１００％以下であることが好ましい。復元率が上記範囲であることで、粘着シートを大きく延伸することができる。
復元率は、粘着シートを１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）に切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張力の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、下記数式（数２）で算出される。
復元率（％）＝｛１－（Ｌ２÷Ｌ１）｝×１００ ・・・ （数２）
復元率は、粘着シートを１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）に切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張力の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、下記数式（数２）で算出される。
復元率（％）＝｛１－（Ｌ２÷Ｌ１）｝×１００ ・・・ （数２）
【0117】
復元率が上記範囲である場合、粘着シートは大きく延伸された後においても復元し易いことを意味する。一般に、降伏点を有するシートを降伏点以上に延伸すると、シートは塑性変形を起こし、塑性変形を起こした部分、即ち極端に延伸された部分が偏在した状態となる。そのような状態のシートをさらに延伸すると、上記の極端に延伸された部分から破断が生じたり、破断が生じなくても、エキスパンドが不均一になる。また、ひずみをｘ軸、伸びをｙ軸にそれぞれプロットした応力－ひずみ線図において、傾きｄｘ／ｄｙが、正の値から０または負の値に変化する応力値をとらず、明確な降伏点を示さないシートであっても、引張量が大きくなるにつれてシートは塑性変形を起こし、同様に破断が生じたり、エキスパンドが不均一になる。一方、塑性変形ではなく弾性変形が生じる場合には、応力を取り除くことでシートが元の形状に復元し易い。そこで、十分大きい引張量である１００％伸長後にどの程度復元するかを表す指標である復元率が、上記範囲であることにより、粘着シートを大きく延伸する際に、フィルムの塑性変形が最小限に抑えられ、破断が生じ難く、且つ均一なエキスパンドが可能となる。
【0118】
（剥離シート）
第１シート１０の表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、第１シート１０の第１粘着剤層１２の表面に貼付される。剥離シートは、第１粘着剤層１２の表面に貼付されることで輸送時及び保管時に第１粘着剤層１２を保護する。剥離シートは、剥離可能に第１シート１０に貼付されており、第１シート１０が使用される前には、第１シート１０から剥離されて取り除かれる。
第１シート１０の表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、第１シート１０の第１粘着剤層１２の表面に貼付される。剥離シートは、第１粘着剤層１２の表面に貼付されることで輸送時及び保管時に第１粘着剤層１２を保護する。剥離シートは、剥離可能に第１シート１０に貼付されており、第１シート１０が使用される前には、第１シート１０から剥離されて取り除かれる。
【0119】
剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられる。具体的には、例えば、剥離シート用基材と、この基材の表面上に剥離剤を塗布して形成した剥離剤層とを備える剥離シートが挙げられる。
【0120】
剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましい。剥離シート用基材としての樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂及びポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、並びにポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。
剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂及びフッ素系樹脂が挙げられる。
剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂及びフッ素系樹脂が挙げられる。
【0121】
剥離シートの厚さは、特に制限はないが、１０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、１５０μｍ以下であることがより好ましい。
【0122】
（粘着シートの製造方法）
第１シート１０及びその他の本明細書に記載の粘着シートの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造できる。
第１シート１０及びその他の本明細書に記載の粘着シートの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造できる。
【0123】
例えば、剥離シート上に設けた粘着剤層を、基材の片面に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着シートを製造できる。また、剥離シート上に設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着シートを製造できる。なお、緩衝層を基材の両面に設けた場合には、粘着剤層は緩衝層の上に形成される。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着シートの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
【0124】
粘着シートの製造方法のより具体的な一例としては、次のような方法が挙げられる。まず、粘着剤層を構成する粘着性組成物、及び所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製する。次に、塗工液を、基材の一の面上に、塗布手段により塗布して塗膜を形成する。塗布手段としては、例えば、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、及びナイフコーター等が挙げられる。次に、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層を形成できる。塗工液は、塗布を行うことが可能であれば、その性状は特に限定されない。塗工液は、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、粘着剤層を形成するための成分を分散質として含有する場合もある。同様に、基材の片面または緩衝層の上に、粘着剤組成物を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。
【0125】
また、粘着シートの製造方法のより具体的な別の一例としては、次のような方法が挙げられる。まず、前述の剥離シートの剥離面上に塗工液を塗布して塗膜を形成する。次に、塗膜を乾燥させて粘着剤層と剥離シートとからなる積層体を形成する。次に、この積層体の粘着剤層における剥離シート側の面と反対側の面に、基材を貼付して、粘着シートと剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは、工程材料として剥離してもよいし、粘着剤層に被着体（例えば、半導体チップ、及び半導体ウエハ等）が貼付されるまで、粘着剤層を保護していてもよい。
【0126】
塗工液が架橋剤を含有する場合には、塗膜の乾燥の条件（例えば、温度、及び時間等）を変えることにより、または加熱処理を、別途、行うことにより、例えば、塗膜内の（メタ）アクリル系共重合体と架橋剤との架橋反応を進行させ、粘着剤層内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上述の方法等によって基材に粘着剤層を積層させた後、得られた粘着シートを、例えば、２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。
【0127】
第１シート１０の厚さは、３０μｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以上であることがより好ましい。第１シート１０の厚さは、４００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
【0128】
（第２粘着シート）
本実施形態に係る第２粘着シート２０は、第２基材２１と、第２粘着剤層２２とを有する。第２粘着剤層２２は、第２基材２１に積層されている。
本実施形態に係る第２粘着シート２０は、第２基材２１と、第２粘着剤層２２とを有する。第２粘着剤層２２は、第２基材２１に積層されている。
【0129】
・第２基材
本実施形態に係る第２基材２１は、ダイシング工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
第２基材２１は、樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成されることが好ましい。樹脂系の材料を主材とするフィルムとしては、例えば、エチレン系共重合フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、及びフッ素樹脂フィルムが挙げられる。
本実施形態に係る第２基材２１は、ダイシング工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
第２基材２１は、樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成されることが好ましい。樹脂系の材料を主材とするフィルムとしては、例えば、エチレン系共重合フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、及びフッ素樹脂フィルムが挙げられる。
【0130】
・第２粘着剤層
第２粘着剤層２２は、ダイシング工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
第２粘着剤層２２は、ダイシング工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
【0131】
第２粘着剤層２２としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。
【0132】
第２粘着剤層２２は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよいし、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。
【0133】
［本実施形態に係る効果］
本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、回路面Ｗ１と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００が介在しているため、第１シート１０を伸張させても回路面Ｗ１に接している保護層１００は、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
また、本実施形態に係るエキスパンド方法において用いる粘着シートは、いずれも基材と粘着剤層とからなる簡易な構成である。また、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替えるため、ダイシング工程においてダイシングブレードがダイシングシートの基材に到達しないように、切込み深さを慎重に制御する必要がない。
したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べて粘着シート構成及びプロセスを簡略化し、かつ、糊残りを抑制できる。
さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、回路面Ｗ１と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００が介在しているため、第１シート１０を伸張させても回路面Ｗ１に接している保護層１００は、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
また、本実施形態に係るエキスパンド方法において用いる粘着シートは、いずれも基材と粘着剤層とからなる簡易な構成である。また、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替えるため、ダイシング工程においてダイシングブレードがダイシングシートの基材に到達しないように、切込み深さを慎重に制御する必要がない。
したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べて粘着シート構成及びプロセスを簡略化し、かつ、糊残りを抑制できる。
さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
【0134】
〔第２実施形態〕
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第１実施形態と第２実施形態とは主に次の点で相違する。第１実施形態においては加工対象物（半導体ウエハＷ）の第１加工対象物面（回路面Ｗ１）に保護層が設けられていたのに対し、第２実施形態においては、保護層と第３シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物（半導体ウエハＷ）の第２加工対象物面（裏面Ｗ３）を貼着することにより、加工対象物に保護層を設ける。
以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第１実施形態と第２実施形態とは主に次の点で相違する。第１実施形態においては加工対象物（半導体ウエハＷ）の第１加工対象物面（回路面Ｗ１）に保護層が設けられていたのに対し、第２実施形態においては、保護層と第３シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物（半導体ウエハＷ）の第２加工対象物面（裏面Ｗ３）を貼着することにより、加工対象物に保護層を設ける。
以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。
【0135】
【0136】
本実施形態に係るエキスパンド方法は、次の工程（ＰＸ１）～（ＰＸ５）の工程を備える。
（ＰＸ１）保護層と第３シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物を貼着する工程。
（ＰＸ２）加工対象物の第１加工対象物面側から切込みを入れて、ウエハを切断し、さらに、少なくとも保護層を切断して複数の半導体装置に個片化する工程。第１加工対象物面が半導体装置の回路面になり、第２加工対象物面が半導体装置の裏面となる。
（ＰＸ３）保護層を半導体装置の裏面に残したまま、第３シートを剥離する工程。
（ＰＸ４）半導体装置の裏面側の保護層に第１シートを貼付する工程。
（ＰＸ５）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。
（ＰＸ１）保護層と第３シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物を貼着する工程。
（ＰＸ２）加工対象物の第１加工対象物面側から切込みを入れて、ウエハを切断し、さらに、少なくとも保護層を切断して複数の半導体装置に個片化する工程。第１加工対象物面が半導体装置の回路面になり、第２加工対象物面が半導体装置の裏面となる。
（ＰＸ３）保護層を半導体装置の裏面に残したまま、第３シートを剥離する工程。
（ＰＸ４）半導体装置の裏面側の保護層に第１シートを貼付する工程。
（ＰＸ５）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。
【0137】
（複合シート）
図６Ａには、本実施形態で用いる複合シート１３０の断面概略図が示されている。
複合シート１３０は、保護層１００Ａと第３シート３０とを有する。複合シート１３０は、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１３０の保護層１００Ａに向けて貼着される。
図６Ａには、本実施形態で用いる複合シート１３０の断面概略図が示されている。
複合シート１３０は、保護層１００Ａと第３シート３０とを有する。複合シート１３０は、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１３０の保護層１００Ａに向けて貼着される。
【0138】
（保護層）
複合シート１３０における保護層１００Ａは、第３シート３０の上に積層されている。保護層１００Ａは、加工対象物としての半導体ウエハＷ及び半導体装置としての半導体チップＣＰの裏面Ｗ３（半導体装置の裏面）に貼着して、裏面Ｗ３を保護できれば、特に限定されない。保護層１００Ａとしては、例えば、保護膜、及び保護シートが挙げられる。保護層１００Ａの厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００Ａの厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
保護層１００Ａとしては、例えば、第１実施形態において説明した保護層１００と同様の保護層でもよい。
複合シート１３０における保護層１００Ａは、第３シート３０の上に積層されている。保護層１００Ａは、加工対象物としての半導体ウエハＷ及び半導体装置としての半導体チップＣＰの裏面Ｗ３（半導体装置の裏面）に貼着して、裏面Ｗ３を保護できれば、特に限定されない。保護層１００Ａとしては、例えば、保護膜、及び保護シートが挙げられる。保護層１００Ａの厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００Ａの厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
保護層１００Ａとしては、例えば、第１実施形態において説明した保護層１００と同様の保護層でもよい。
【0139】
（第３シート）
複合シート１３０における第３シート３０は、保護層１００Ａを支持する部材である。第３シート３０は、保護層１００Ａを支持できれば、その構成材料は特に限定されない。本実施形態の工程（ＰＸ３）においては、保護層１００Ａを半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に残したまま第３シート３０を剥離するため、第３シート３０は、保護層１００Ａから剥離可能な材質等で構成されていることが好ましい。
複合シート１３０における第３シート３０は、保護層１００Ａを支持する部材である。第３シート３０は、保護層１００Ａを支持できれば、その構成材料は特に限定されない。本実施形態の工程（ＰＸ３）においては、保護層１００Ａを半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に残したまま第３シート３０を剥離するため、第３シート３０は、保護層１００Ａから剥離可能な材質等で構成されていることが好ましい。
【0140】
複合シート１３０のより詳細な例については、後述する。
【0141】
［複合シートの貼着工程］
図６Ｂは、工程（ＰＸ１）を説明するための図である。図６Ｂには、複合シート１３０が貼着された半導体ウエハＷが記載されている。本実施形態における半導体ウエハＷも、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。この工程（ＰＸ１）を複合シートの貼着工程と称する場合がある。
後述するように、工程（ＰＸ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。本実施形態では、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持するために、裏面Ｗ３に複合シート１３０を貼着する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１３０の保護層１００に向けて貼着される。
図６Ｂは、工程（ＰＸ１）を説明するための図である。図６Ｂには、複合シート１３０が貼着された半導体ウエハＷが記載されている。本実施形態における半導体ウエハＷも、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。この工程（ＰＸ１）を複合シートの貼着工程と称する場合がある。
後述するように、工程（ＰＸ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。本実施形態では、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持するために、裏面Ｗ３に複合シート１３０を貼着する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１３０の保護層１００に向けて貼着される。
【0142】
本実施形態では、回路面Ｗ１が露出した状態でプロセスを進める態様を例に挙げて説明するが、その他の態様の例としては、例えば、回路面Ｗ１に、保護層１００Ａとは別の保護シート又は保護膜等の保護部材が貼着された状態でプロセスを進める態様が挙げられる。
【0143】
［ダイシング工程］
図６Ｃは、工程（ＰＸ２）を説明するための図である。工程（ＰＸ２）をダイシング工程と称する場合がある。図６Ｃには、複合シート１３０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
裏面Ｗ３に複合シート１３０が貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。第１半導体装置面としての回路面Ｗ１は、チップの回路面に相当する。第２半導体装置面としての裏面Ｗ３がチップ裏面に相当する。
本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに複合シート１３０の少なくとも保護層１００Ａを切断する。
ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ａを個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、第３シート３０まで切込みを入れない態様を例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ａを確実に切断するという観点から、ダイシングによって、第３シート３０に到達するまでの深さで切込みを形成してもよい。
図６Ｃは、工程（ＰＸ２）を説明するための図である。工程（ＰＸ２）をダイシング工程と称する場合がある。図６Ｃには、複合シート１３０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
裏面Ｗ３に複合シート１３０が貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。第１半導体装置面としての回路面Ｗ１は、チップの回路面に相当する。第２半導体装置面としての裏面Ｗ３がチップ裏面に相当する。
本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに複合シート１３０の少なくとも保護層１００Ａを切断する。
ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ａを個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、第３シート３０まで切込みを入れない態様を例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ａを確実に切断するという観点から、ダイシングによって、第３シート３０に到達するまでの深さで切込みを形成してもよい。
【0144】
［第３シートの剥離工程］
図７Ａは、工程（ＰＸ３）を説明するための図である。工程（ＰＸ３）を第３シートの剥離工程と称する場合がある。図７Ａには、ダイシング工程後に個片化された半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に保護層１００Ａを残したまま、第３シート３０を剥離する工程が示されている。
複合シート１３０の一態様として、第３シート３０の上に、直接、保護層１００Ａが積層されている場合には、第３シートの剥離工程においては、保護層１００Ａと第３シート３０との界面で剥離することが好ましい。第３シート３０を剥離すると、裏面Ｗ３に保護層１００Ａが貼着された複数の半導体チップＣＰが得られる。
図７Ａは、工程（ＰＸ３）を説明するための図である。工程（ＰＸ３）を第３シートの剥離工程と称する場合がある。図７Ａには、ダイシング工程後に個片化された半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に保護層１００Ａを残したまま、第３シート３０を剥離する工程が示されている。
複合シート１３０の一態様として、第３シート３０の上に、直接、保護層１００Ａが積層されている場合には、第３シートの剥離工程においては、保護層１００Ａと第３シート３０との界面で剥離することが好ましい。第３シート３０を剥離すると、裏面Ｗ３に保護層１００Ａが貼着された複数の半導体チップＣＰが得られる。
【0145】
第３シート３０を保護層１００Ａから剥離する際の剥離力は、１０ｍＮ／２５ｍｍ以上、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。第３シート３０を保護層１００Ａから剥離する際の剥離力が１０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることにより、ダイシング時の半導体チップ保持性に優れるという効果が得られる。第３シート３０を保護層１００Ａから剥離する際の剥離力が２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることにより、ダイシング後の半導体チップのピックアップ性に優れるという効果が得られる。第３シート３０を保護層１００Ａから剥離する際の剥離力は、３０ｍＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、５０ｍＮ／２５ｍｍ以上、５００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。
【0146】
［第１シートの貼着工程］
図７Ｂは、工程（ＰＸ４）を説明するための図である。工程（ＰＸ４）を第１シートの貼着工程と称する場合がある。図７Ｂには、ダイシング工程によって得た複数の半導体チップＣＰに第１シート１０が貼付された状態が示されている。本実施形態に係る第１シート１０は、第１実施形態で用いた第１シート１０と同様である。
本実施形態では、第１シート１０が複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側に貼着されると、複数の半導体チップＣＰと第１シート１０の第１粘着剤層１２との間に個片化された保護層１００Ａが介在した積層構造が得られる。
図７Ｂは、工程（ＰＸ４）を説明するための図である。工程（ＰＸ４）を第１シートの貼着工程と称する場合がある。図７Ｂには、ダイシング工程によって得た複数の半導体チップＣＰに第１シート１０が貼付された状態が示されている。本実施形態に係る第１シート１０は、第１実施形態で用いた第１シート１０と同様である。
本実施形態では、第１シート１０が複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側に貼着されると、複数の半導体チップＣＰと第１シート１０の第１粘着剤層１２との間に個片化された保護層１００Ａが介在した積層構造が得られる。
【0147】
［エキスパンド工程］
図７Ｃは、工程（ＰＸ５）を説明するための図である。工程（ＰＸ５）をエキスパンド工程と称する場合がある。図７Ｃには、第１シート１０を貼着後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
本実施形態におけるエキスパンド工程においても、第１シート１０を引き延ばす方法は、第１実施形態と同様である。本実施形態においても、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。
図７Ｃは、工程（ＰＸ５）を説明するための図である。工程（ＰＸ５）をエキスパンド工程と称する場合がある。図７Ｃには、第１シート１０を貼着後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
本実施形態におけるエキスパンド工程においても、第１シート１０を引き延ばす方法は、第１実施形態と同様である。本実施形態においても、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。
【0148】
［第１転写工程］
本実施形態においては、エキスパンド工程の後、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第１実施形態と同様に第６粘着シート６０に転写する工程（以下「第１転写工程」という場合がある。）を実施してもよい。
本実施形態においては、エキスパンド工程の後、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第１実施形態と同様に第６粘着シート６０に転写する工程（以下「第１転写工程」という場合がある。）を実施してもよい。
【0149】
本実施形態において転写工程を実施する場合は、例えば、エキスパンド工程の後、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第６粘着シート６０を貼着し、その後、第１シート１０及び保護層１００Ａを裏面Ｗ３から剥離することが好ましい。第１シート１０及び保護層１００Ａをまとめて裏面Ｗ３から剥離してもよいし、第１シート１０を先に剥離して後に保護層１００Ａを裏面Ｗ３から剥離してもよい。保護層１００Ａを裏面Ｗ３から剥離する工程を、保護層の剥離工程と称する場合がある。
保護層１００Ａの剥離工程の後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。
保護層１００Ａの剥離工程の後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。
【0150】
保護層１００Ａを裏面Ｗ３から剥離する際に、裏面Ｗ３への糊残りを抑制するという一つの観点から、保護層１００Ａは、第１エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。保護層１００Ａが第１エネルギー線硬化性樹脂を含有している場合には、保護層１００Ａにエネルギー線を照射し、第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させると、保護層１００Ａの凝集力が高まり、保護層１００Ａと半導体チップＣＰの裏面Ｗ３との間の粘着力を低下又は消失させることができる。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。したがって、第１エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線硬化型の樹脂であることが好ましい。
【0151】
第１シート１０を保護層１００Ａとまとめて裏面Ｗ３から剥離するという一つの観点から、第１シート１０が第１粘着剤層１２を備える場合、第１粘着剤層１２は、第２エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。保護層１００Ａが第１エネルギー線硬化性樹脂を含有し、かつ、第１粘着剤層１２が第２エネルギー線硬化性樹脂を含有している場合には、第１基材１１側から第１粘着剤層１２及び保護層１００Ａにエネルギー線を照射し、第２エネルギー線硬化性樹脂及び第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。第２エネルギー線硬化性樹脂を硬化させるためのエネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。したがって、第２エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線硬化型の樹脂であることが好ましい。第１基材１１は、エネルギー線の透過性を有することが好ましい。
【0152】
なお、本実施形態とは異なる態様としては、保護層１００Ａを半導体チップＣＰの裏面Ｗ３から剥離せずに、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための保護膜として用いてもよい。保護層１００Ａを裏面Ｗ３の保護膜として用いる場合は、保護層１００Ａは、硬化性の粘着剤組成物を含有することが好ましい。
【0153】
［封止工程及びその他の工程］
本実施形態においても、第１実施形態と同様、封止工程、並びにその他の工程（再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程）を実施してもよい。
本実施形態においても、第１実施形態と同様、封止工程、並びにその他の工程（再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程）を実施してもよい。
【0154】
（複合シート）
本実施形態の一態様においては、複合シート１３０の保護層１００Ａが第３粘着剤層であり、第３シート３０が第３基材であることも好ましい。すなわち、複合シート１３０が、第３基材と第３粘着剤層とを有する粘着シートであって、第３基材と第３粘着剤層との間で剥離可能であることが好ましい。
本実施形態の一態様においては、複合シート１３０の保護層１００Ａが第３粘着剤層であり、第３シート３０が第３基材であることも好ましい。すなわち、複合シート１３０が、第３基材と第３粘着剤層とを有する粘着シートであって、第３基材と第３粘着剤層との間で剥離可能であることが好ましい。
【0155】
・第３基材
本実施形態に係る第３基材は、所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第３基材は、第３粘着剤層を支持する部材である。
第３基材は、例えば、樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、及びフッ素樹脂フィルムからなる群から選択される少なくともいずれかのフィルムが用いられる。また、第３基材として、これらの架橋フィルムも用いられる。さらに、第３基材は、これらの積層フィルムであってもよい。
本実施形態に係る第３基材は、所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第３基材は、第３粘着剤層を支持する部材である。
第３基材は、例えば、樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、及びフッ素樹脂フィルムからなる群から選択される少なくともいずれかのフィルムが用いられる。また、第３基材として、これらの架橋フィルムも用いられる。さらに、第３基材は、これらの積層フィルムであってもよい。
【0156】
また、第３基材は、例えば、硬質支持体であってもよい。硬質支持体の材質は、機械的強度、及び耐熱性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体の材質は、例えば、ＳＵＳ等の金属材料；ガラス、シリコンウエハ等の非金属無機材料；エポキシ、ＡＢＳ、アクリル、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチック、ポリイミド、ポリアミドイミド等の樹脂材料；ガラスエポキシ樹脂等の複合材料等が挙げられ、これらの中でも、ＳＵＳ、ガラス、及びシリコンウエハ等が好ましい。エンジニアリングプラスチックとしては、ナイロン、ポリカーボネート（ＰＣ）、及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が挙げられる。スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。
【0157】
第３基材の厚さは特に限定されない。第３基材の厚さは、好ましくは２０μｍ以上、５０ｍｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以上、２０ｍｍ以下である。第３基材の厚さを上記範囲とすることで、第３基材が樹脂フィルムである場合は、第３シート３０が十分な可撓性を有するため、加工対象物（ワーク）に対して良好な貼付性を示す。加工対象物としては、例えば、ウエハ又は半導体素子であり、より具体的な例としては、半導体ウエハ又は半導体チップ等である。第３基材が硬質支持体である場合、硬質支持体の厚さは、機械的強度、及び取り扱い性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体の厚さは、例えば、１００μｍ以上、５０ｍｍ以下である。
【0158】
・第３粘着剤層
第３粘着剤層は、所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
第３粘着剤層の一態様においては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。
第３粘着剤層は、所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
第３粘着剤層の一態様においては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。
【0159】
第３粘着剤層の一態様においては、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化性の粘着剤組成物を含有することが好ましい。外部から供給されるエネルギーとしては、例えば、紫外線、電子線、及び熱などが挙げられる。第３粘着剤層は、紫外線硬化型粘着剤、及び熱硬化型粘着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。第３基材が、耐熱性を備えている場合は、熱硬化時の残存応力の発生を抑制できることから、粘着剤層は、熱硬化型粘着剤を含有する熱硬化性の粘着剤層であることが好ましい。
【0160】
第３粘着剤層は、例えば、第一の接着剤組成物を含有する。第一の接着剤組成物は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）を含有する。
【0161】
（Ａ）バインダーポリマー成分
第３粘着剤層に十分な粘着性及び造膜性（シート形成性）を付与するためにバインダーポリマー成分（Ａ）が用いられる。バインダーポリマー成分（Ａ）としては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。
第３粘着剤層に十分な粘着性及び造膜性（シート形成性）を付与するためにバインダーポリマー成分（Ａ）が用いられる。バインダーポリマー成分（Ａ）としては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。
【0162】
バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上、２００万以下であることが好ましく、１０万以上、１２０万以下であることがより好ましい。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ；ＧＰＣ）法により測定される標準ポリスチレン換算値である。
【0163】
バインダーポリマー成分（Ａ）として、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは－６０℃以上、５０℃以下、より好ましくは－５０℃以上、４０℃以下、さらに好ましくは－４０℃以上、３０℃以下の範囲にある。
【0164】
上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；その他、エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。アクリルポリマーは、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリルポリマーが、後述する硬化性成分（Ｂ）との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、及びスチレンからなる群から選択される少なくとも１種が共重合されていてもよい。
【0165】
さらに、バインダーポリマー成分（Ａ）として、硬化後の第３粘着剤層の膜の可とう性を保持するための熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が１０００以上、１０万以下の樹脂が好ましく、３０００以上、８万以下の樹脂がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは－３０℃以上、１２０℃以下、さらに好ましくは－２０℃以上、１２０℃以下であることが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、又はポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【0166】
（Ｂ）硬化性成分
硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分のうち少なくともいずれかの成分が用いられる。硬化性成分（Ｂ）として熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分を用いてもよい。
硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分のうち少なくともいずれかの成分が用いられる。硬化性成分（Ｂ）として熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分を用いてもよい。
【0167】
熱硬化性成分としては、熱硬化樹脂及び熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が好ましい。
【0168】
エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0169】
第３粘着剤層には、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは１質量部以上、１０００質量部以下含まれ、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下含まれ、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下含まれる。熱硬化樹脂の含有量が１質量部以上であれば、十分な粘着性が得られないという不具合を抑制できる。熱硬化樹脂の含有量が１０００質量部以下であれば、第３粘着剤層と第３基材との剥離力が高くなりすぎることを防止できる。当該剥離力が高くなりすぎることを防止すれば、第３粘着剤層の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に対する転写不良を防止できる。
【0170】
熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、エポキシ基と反応し得る官能基を１分子中に２個以上有する化合物が挙げられる。エポキシ基と反応し得る官能基としては、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、及び酸無水物基などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、及び酸無水物基などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、及びアミノ基が挙げられる。
【0171】
フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、及びアラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）が挙げられる。これら熱硬化剤は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【0172】
熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上、５００質量部以下であることが好ましく、１質量部以上、２００質量部以下であることがより好ましい。
【0173】
第３粘着剤層が、硬化性成分（Ｂ）として、熱硬化性成分を含有する場合、第３粘着剤層は熱硬化性を有する。この場合、第３粘着剤層を加熱により硬化することが可能となるが、本実施形態の第１シート１０において、第３基材が耐熱性を有している場合には、第３粘着剤層の熱硬化の際に、基材に残存応力が発生して不具合を生じることが起こりにくい。
【0174】
エネルギー線硬化性成分としては、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する低分子化合物（エネルギー線重合性化合物）を用いることができる。このようなエネルギー線硬化性成分として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、あるいは１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート及びイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００以上、３００００以下、好ましくは３００以上、１００００以下である。エネルギー線重合性化合物の配合量は、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上、１５００質量部以下であり、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下であり、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下である。
【0175】
また、エネルギー線硬化性成分として、バインダーポリマー成分（Ａ）の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型重合体は、バインダーポリマー成分（Ａ）としての機能と、硬化性成分（Ｂ）としての機能を兼ね備える。
【0176】
エネルギー線硬化型重合体の主骨格は、特に限定はされず、バインダーポリマー成分（Ａ）として汎用されているアクリルポリマーであってもよく、またポリエステル、ポリエーテル等であっても良いが、合成及び物性の制御が容易であることから、アクリルポリマーを主骨格とすることが好ましい。
【0177】
エネルギー線硬化型重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、例えば、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型重合体に結合していてもよい。
【0178】
エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上、２００万以下であることが好ましく、１０万以上、１５０万以下であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－６０℃以上、５０℃以下であることが好ましく、－５０℃以上、４０℃以下であることがより好ましく、－４０℃以上、３０℃以下であることがさらに好ましい。
【0179】
エネルギー線硬化型重合体は、例えば、官能基を含有するアクリルポリマーと、重合性基含有化合物とを反応させて得られる。この官能基を含有するアクリルポリマーが有する官能基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等が挙げられる。この重合性基含有化合物は、アクリルポリマーが有する当該置換基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素－炭素二重結合を１分子毎に１～５個有する重合性基含有化合物である。該官能基と反応する置換基としては、イソシアネート基、グリシジル基、及びカルボキシル基等が挙げられる。
【0180】
重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート、及び（メタ）アクリル酸等が挙げられる。
【0181】
アクリルポリマーは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体と、これと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とからなる共重合体であることが好ましい。
【0182】
ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基を有する２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート；カルボキシル基を有するアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸；エポキシ基を有するグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。
【0183】
上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、アルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、及び２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、環状骨格を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、及びイミドアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリルポリマーには、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、及びスチレンからなる群から選択される少なくともいずれかが共重合されていてもよい。
上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、環状骨格を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、及びイミドアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリルポリマーには、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、及びスチレンからなる群から選択される少なくともいずれかが共重合されていてもよい。
【0184】
エネルギー線硬化型重合体を使用する場合であっても、前記したエネルギー線重合性化合物を併用してもよく、またバインダーポリマー成分（Ａ）を併用してもよい。本実施形態における第３粘着剤層中のこれら三者の配合量の関係は、エネルギー線硬化型重合体及びバインダーポリマー成分（Ａ）の質量の合計１００質量部に対して、エネルギー線重合性化合物が好ましくは１質量部以上、１５００質量部以下含まれ、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下含まれ、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下含まれる。
【0185】
第３粘着剤層にエネルギー線硬化性を付与することで、第３粘着剤層を簡便かつ短時間で硬化でき、硬化粘着剤層付チップの生産効率が向上する。硬化粘着剤層は、半導体素子を保護するための保護膜としても機能し得る。従来、チップ等の半導体素子用の保護膜は、一般にエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂により形成されていたが、熱硬化樹脂の硬化温度は２００℃を超え、また硬化時間は２時間程度を要しているため、生産効率向上の障害となっていた。しかし、エネルギー線硬化性の粘着剤層は、エネルギー線照射により短時間で硬化するため、簡便に保護膜を形成でき、生産効率の向上に寄与し得る。
【0186】
・その他の成分
第３粘着剤層は、上記バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）に加えて下記成分を含むことができる。
第３粘着剤層は、上記バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）に加えて下記成分を含むことができる。
【0187】
（ＣＸ）着色剤
第３粘着剤層は、一態様において、着色剤（ＣＸ）を含有する。第３粘着剤層に着色剤を配合することで、第３粘着剤層を硬化させて半導体チップＣＰの保護膜とする場合に、半導体装置を機器に組み込んだ際に、保護膜は、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それら赤外線等による半導体装置の誤作動を防止することができる。また、着色剤（ＣＸ）を含有する第３粘着剤層を硬化して得た硬化粘着剤層（保護膜）に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜が形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が、通常、レーザーマーキング法（レーザ光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字される。保護膜が着色剤（ＣＸ）を含有することで、保護膜のレーザ光により削り取られた部分と、削り取られていない部分とののコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤（ＣＸ）としては、有機顔料、無機顔料、有機染料、及び無機染料の少なくともいずれかが用いられる。着色剤（ＣＸ）としては、電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、及び活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、着色剤（ＣＸ）としては、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤（ＣＸ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本実施形態における第３粘着剤層の高い硬化性は、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有する着色剤であれば特に限定されない。
第３粘着剤層は、一態様において、着色剤（ＣＸ）を含有する。第３粘着剤層に着色剤を配合することで、第３粘着剤層を硬化させて半導体チップＣＰの保護膜とする場合に、半導体装置を機器に組み込んだ際に、保護膜は、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それら赤外線等による半導体装置の誤作動を防止することができる。また、着色剤（ＣＸ）を含有する第３粘着剤層を硬化して得た硬化粘着剤層（保護膜）に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜が形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が、通常、レーザーマーキング法（レーザ光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字される。保護膜が着色剤（ＣＸ）を含有することで、保護膜のレーザ光により削り取られた部分と、削り取られていない部分とののコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤（ＣＸ）としては、有機顔料、無機顔料、有機染料、及び無機染料の少なくともいずれかが用いられる。着色剤（ＣＸ）としては、電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、及び活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、着色剤（ＣＸ）としては、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤（ＣＸ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本実施形態における第３粘着剤層の高い硬化性は、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有する着色剤であれば特に限定されない。
【0188】
着色剤（ＣＸ）の配合量は、第３粘着剤層を構成する全固形分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上、３５質量部以下、より好ましくは０．５質量部以上、２５質量部以下、さらに好ましくは１質量部以上、１５質量部以下である。
【0189】
（Ｄ）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｄ）は、第３粘着剤層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤（Ｄ）は、特に、硬化性成分（Ｂ）において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。
硬化促進剤（Ｄ）は、第３粘着剤層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤（Ｄ）は、特に、硬化性成分（Ｂ）において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。
【0190】
好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これら硬化促進剤は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【0191】
硬化促進剤（Ｄ）は、硬化性成分（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上、１０質量部以下、さらに好ましくは０．１質量部以上、１質量部以下の量で含まれる。
【0192】
（ＥＸ）カップリング剤
カップリング剤（ＥＸ）は、第３粘着剤層の半導体素子に対する粘着性、密着性及び硬化粘着剤層（保護膜）の凝集性の少なくともいずれかを向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（ＥＸ）を使用することで、第３粘着剤層を硬化して得られる硬化粘着剤層（保護膜）の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
カップリング剤（ＥＸ）は、第３粘着剤層の半導体素子に対する粘着性、密着性及び硬化粘着剤層（保護膜）の凝集性の少なくともいずれかを向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（ＥＸ）を使用することで、第３粘着剤層を硬化して得られる硬化粘着剤層（保護膜）の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
【0193】
カップリング剤（ＥＸ）としては、バインダーポリマー成分（Ａ）、硬化性成分（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（ＥＸ）としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらカップリング剤（ＥＸ）は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【0194】
カップリング剤（ＥＸ）は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して、通常、０．１質量部以上、２０質量部以下含まれ、好ましくは０．２質量部以上、１０質量部以下含まれ、より好ましくは０．３質量部以上、５質量部以下の割合で含まれる。
【0195】
（Ｆ）無機充填材
無機充填材（Ｆ）を第３粘着剤層に配合することにより、硬化後の硬化粘着剤層（保護膜）における熱膨張係数を調整することが可能となる。
無機充填材（Ｆ）を第３粘着剤層に配合することにより、硬化後の硬化粘着剤層（保護膜）における熱膨張係数を調整することが可能となる。
【0196】
好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、及び窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維並びにガラス繊維等が挙げられる。これら無機充填材のなかでも、シリカフィラー及びアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｆ）は、１種単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。無機充填材（Ｆ）の含有量は、接着剤層を構成する全固形分１００質量部に対して、通常、１質量部以上、８０質量部以下の範囲で調整が可能である。
【0197】
（Ｇ）光重合開始剤
第３粘着剤層が、前述した硬化性成分（Ｂ）としてエネルギー線硬化性成分を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性成分を硬化させる。この際、第３粘着剤層を構成する組成物中に光重合開始剤（Ｇ）を含有させることで、重合硬化時間を短くすることができ、さらに、光線照射量を少なくすることができる。
第３粘着剤層が、前述した硬化性成分（Ｂ）としてエネルギー線硬化性成分を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性成分を硬化させる。この際、第３粘着剤層を構成する組成物中に光重合開始剤（Ｇ）を含有させることで、重合硬化時間を短くすることができ、さらに、光線照射量を少なくすることができる。
【0198】
このような光重合開始剤（Ｇ）として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサンソン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、１，２－ジフェニルメタン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド及びβ－クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｇ）は１種類単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【0199】
光重合開始剤（Ｇ）の配合割合は、エネルギー線硬化性成分１００質量部に対して０．１質量部以上、１０質量部以下含まれることが好ましく、１質量部以上、５質量部以下含まれることがより好ましい。光重合開始剤（Ｇ）の配合割合が０．１質量部以上であれば、光重合の不足で満足な転写性が得られないという不具合を防止できる。光重合開始剤（Ｇ）の配合割合が１０質量部以下であれば、光重合に寄与しない残留物が生成して第３粘着剤層の硬化性が不十分となるという不具合を防止できる。
【0200】
（Ｈ）架橋剤
第３粘着剤層の初期粘着力及び凝集力を調節するために、第３粘着剤層に架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｈ）としては、有機多価イソシアネート化合物、及び有機多価イミン化合物などが挙げられる。
第３粘着剤層の初期粘着力及び凝集力を調節するために、第３粘着剤層に架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｈ）としては、有機多価イソシアネート化合物、及び有機多価イミン化合物などが挙げられる。
【0201】
上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物及びこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、並びにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。
【0202】
有機多価イソシアネート化合物としては、例えば２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネート及びリジンイソシアネートが挙げられる。
【0203】
上記有機多価イミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート及びＮ，Ｎ’－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。
【0204】
架橋剤（Ｈ）はバインダーポリマー成分（Ａ）及びエネルギー線硬化型重合体の合計量１００質量部に対して、通常、０．０１質量部以上、２０質量部以下の比率で用いられ、好ましくは０．１質量部以上、１０質量部以下の比率で用いられ、より好ましくは０．５質量部以上、５質量部以下の比率で用いられる。
【0205】
（Ｉ）汎用添加剤
第３粘着剤層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、及び連鎖移動剤などが挙げられる。
第３粘着剤層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、及び連鎖移動剤などが挙げられる。
【0206】
上記のような各成分からなる第３粘着剤層は、粘着性と硬化性とを有し、未硬化状態では加工対象物（半導体ウエハ又はチップ等）を押圧することで容易に接着する。なお、第３粘着剤層は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を１層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。
【0207】
第３粘着剤層の厚さは、特に限定されない。第３粘着剤層の厚さは、好ましくは３μｍ以上、３００μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以上、２５０μｍ以下であり、さらに好ましくは７μｍ以上、２００μｍ以下である。
【0208】
以上が第３粘着剤層に関する説明である。
【0209】
・剥離シート
複合シート１３０の表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、複合シート１３０の第３粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、第３粘着剤層の表面に貼付されることで輸送時及び保管時に第３粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に複合シート１３０に貼付されており、複合シート１３０が使用される前には、複合シート１３０から剥離されて取り除かれる。
複合シート１３０の表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、複合シート１３０の第３粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、第３粘着剤層の表面に貼付されることで輸送時及び保管時に第３粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に複合シート１３０に貼付されており、複合シート１３０が使用される前には、複合シート１３０から剥離されて取り除かれる。
【0210】
剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられる。具体的には、例えば、剥離シート用基材と、この基材の表面上に剥離剤を塗布して形成した剥離剤層とを備える剥離シートが挙げられる。
【0211】
剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましい。剥離シート用基材としての樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂及びポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、並びにポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。
剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂及びフッ素系樹脂が挙げられる。
剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂及びフッ素系樹脂が挙げられる。
【0212】
剥離シートの厚さは、特に制限はないが、１０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、１５０μｍ以下であることがより好ましい。
【0213】
［本実施形態に係る効果］
本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、裏面Ｗ３と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００Ａが介在しているため、第１シート１０を伸張させても裏面Ｗ３に接している第１粘着剤層１２は、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
また、本実施形態においては、ダイシング工程の際に、半導体ウエハＷをダイシングシートで支持するのではなく、複合シート１３０で支持する。そのため、ダイシング後の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための層（本実施形態では保護層１００Ａ）を形成するために、ダイシング工程で用いる粘着シートから、別の粘着シートへと貼り替える工程を実施しなくても、保護層１００Ａと第３シート３０との間で剥離すれば、裏面Ｗ３を保護するための層を形成できる。
さらに、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替えるため、ダイシング工程においてダイシングブレードがダイシングシートの基材に到達しないように、切込み深さを慎重に制御する必要がない。
したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化し、かつ、糊残りを抑制できる。
さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、裏面Ｗ３と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００Ａが介在しているため、第１シート１０を伸張させても裏面Ｗ３に接している第１粘着剤層１２は、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
また、本実施形態においては、ダイシング工程の際に、半導体ウエハＷをダイシングシートで支持するのではなく、複合シート１３０で支持する。そのため、ダイシング後の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための層（本実施形態では保護層１００Ａ）を形成するために、ダイシング工程で用いる粘着シートから、別の粘着シートへと貼り替える工程を実施しなくても、保護層１００Ａと第３シート３０との間で剥離すれば、裏面Ｗ３を保護するための層を形成できる。
さらに、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替えるため、ダイシング工程においてダイシングブレードがダイシングシートの基材に到達しないように、切込み深さを慎重に制御する必要がない。
したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化し、かつ、糊残りを抑制できる。
さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
【0214】
〔第３実施形態〕
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
第１実施形態と第３実施形態とは主に次の点で相違する。
第１実施形態においては加工対象物（半導体ウエハＷ）の第１加工対象物面（回路面Ｗ１）に保護層が設けられ、ダイシング工程の後、エキスパンド工程の前にダイシングシート（第２粘着シート２０）から、エキスパンドシート（第１シート）へ貼り替えた。これに対し、第３実施形態においては、保護層と第１シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物（半導体ウエハＷ）の第２加工対象物面（裏面Ｗ３）を貼着することにより、加工対象物に保護層が設けられ、ダイシング工程の後、第１シートを別のシートに貼り替えずにエキスパンド工程を実施する。
以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
第１実施形態と第３実施形態とは主に次の点で相違する。
第１実施形態においては加工対象物（半導体ウエハＷ）の第１加工対象物面（回路面Ｗ１）に保護層が設けられ、ダイシング工程の後、エキスパンド工程の前にダイシングシート（第２粘着シート２０）から、エキスパンドシート（第１シート）へ貼り替えた。これに対し、第３実施形態においては、保護層と第１シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物（半導体ウエハＷ）の第２加工対象物面（裏面Ｗ３）を貼着することにより、加工対象物に保護層が設けられ、ダイシング工程の後、第１シートを別のシートに貼り替えずにエキスパンド工程を実施する。
以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。
【0215】
本実施形態に係るエキスパンド方法は、次の工程（ＰＹ１）～（ＰＹ３）の工程を備える。
（ＰＹ１）保護層と第１シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物を貼着する工程。保護層は、加工対象物と略同形状である。
（ＰＹ２）加工対象物の第１加工対象物面側から切込みを入れて、ウエハを切断し、さらに、少なくとも保護層を切断して複数の半導体装置に個片化する工程。第１加工対象物面が半導体装置の回路面になり、第２加工対象物面が半導体装置の裏面となる。
（ＰＹ３）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。
（ＰＹ１）保護層と第１シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物を貼着する工程。保護層は、加工対象物と略同形状である。
（ＰＹ２）加工対象物の第１加工対象物面側から切込みを入れて、ウエハを切断し、さらに、少なくとも保護層を切断して複数の半導体装置に個片化する工程。第１加工対象物面が半導体装置の回路面になり、第２加工対象物面が半導体装置の裏面となる。
（ＰＹ３）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。
【0216】
【0217】
（複合シート）
図８Ａには、本実施形態で用いる複合シート１４０の断面概略図が示されている。
複合シート１４０は、保護層１００Ｂと第１シート１０とを有する。複合シート１４０は、半導体ウエハＷをダイシングする際に半導体ウエハＷを保持し、エキスパンド工程を実施する際に半導体チップＣＰを保持する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１４０の保護層１００Ｂに向けて貼着される。
裏面Ｗ３に貼着する第１シート１０及び保護層１００Ｂは、予め、積層された積層型の複合シート１４０であることが好ましい。
図８Ａには、本実施形態で用いる複合シート１４０の断面概略図が示されている。
複合シート１４０は、保護層１００Ｂと第１シート１０とを有する。複合シート１４０は、半導体ウエハＷをダイシングする際に半導体ウエハＷを保持し、エキスパンド工程を実施する際に半導体チップＣＰを保持する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１４０の保護層１００Ｂに向けて貼着される。
裏面Ｗ３に貼着する第１シート１０及び保護層１００Ｂは、予め、積層された積層型の複合シート１４０であることが好ましい。
【0218】
（保護層）
複合シート１４０における保護層１００Ｂは、第１シート１０の上に積層されている。保護層１００Ｂは、加工対象物としての半導体ウエハＷ及び半導体装置としての半導体チップＣＰの裏面Ｗ３（半導体装置の裏面）に貼着して、裏面Ｗ３を保護できれば、特に限定されない。
複合シート１４０における保護層１００Ｂは、第１シート１０の上に積層されている。保護層１００Ｂは、加工対象物としての半導体ウエハＷ及び半導体装置としての半導体チップＣＰの裏面Ｗ３（半導体装置の裏面）に貼着して、裏面Ｗ３を保護できれば、特に限定されない。
【0219】
本実施形態においては、保護層１００Ｂは、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３と略同形状である。保護層１００Ｂの形状は、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３を覆うことができる形状であることが好ましい。そのため、保護層１００Ｂは、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３とほぼ同じか、裏面Ｗ３よりも少し大きく形成されていることが好ましい。
また、保護層１００Ｂは、シートの面方向において、第１シート１０よりも小さく形成されていることが好ましい。第１シート１０の第１粘着剤層１２のうち保護層１００Ｂが積層されていない部分には、リングフレーム等の治具を貼付できる。
本実施形態に係る保護層１００Ｂは、単層からなる。なお、保護層１００Ｂは、複数の層が積層されてなるシートでもよい。光線透過率の制御の容易性および製造コストの観点においては、保護層１００Ｂは、単層からなることが好ましい。
保護層１００Ｂの厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００Ｂの厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
保護層１００Ｂとしては、例えば、保護膜、及び保護シートが挙げられる。保護層１００Ｂとしては、例えば、第１実施形態において説明した保護層１００と同様の保護層でもよい。また、保護層１００Ｂの別の好ましい態様について後述する。
また、保護層１００Ｂは、シートの面方向において、第１シート１０よりも小さく形成されていることが好ましい。第１シート１０の第１粘着剤層１２のうち保護層１００Ｂが積層されていない部分には、リングフレーム等の治具を貼付できる。
本実施形態に係る保護層１００Ｂは、単層からなる。なお、保護層１００Ｂは、複数の層が積層されてなるシートでもよい。光線透過率の制御の容易性および製造コストの観点においては、保護層１００Ｂは、単層からなることが好ましい。
保護層１００Ｂの厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００Ｂの厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
保護層１００Ｂとしては、例えば、保護膜、及び保護シートが挙げられる。保護層１００Ｂとしては、例えば、第１実施形態において説明した保護層１００と同様の保護層でもよい。また、保護層１００Ｂの別の好ましい態様について後述する。
【0220】
（第１シート）
複合シート１４０における第１シート１０は、保護層１００Ｂを支持する部材である。第１シート１０は、保護層１００Ｂを支持できれば、その構成材料は特に限定されない。
複合シート１４０における第１シート１０は、第１粘着剤層１２と第１基材１１とを有する。第１シート１０は、第１実施形態の第１シート１０と同様である。
本実施形態においては、第１シート１０が保護層１００Ｂから剥離可能な材質等で構成されている場合、保護層１００Ｂを半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に残したまま第１シート１０を剥離することもできる。
複合シート１４０における第１シート１０は、保護層１００Ｂを支持する部材である。第１シート１０は、保護層１００Ｂを支持できれば、その構成材料は特に限定されない。
複合シート１４０における第１シート１０は、第１粘着剤層１２と第１基材１１とを有する。第１シート１０は、第１実施形態の第１シート１０と同様である。
本実施形態においては、第１シート１０が保護層１００Ｂから剥離可能な材質等で構成されている場合、保護層１００Ｂを半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に残したまま第１シート１０を剥離することもできる。
【0221】
［複合シートの貼着工程］
図８Ｂは、工程（ＰＹ１）を説明するための図である。図８Ｂには、第１シート１０及び保護層１００Ｂを有する複合シート１４０が貼着された半導体ウエハＷが記載されている。本実施形態における半導体ウエハＷも、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。この工程（ＰＹ１）を複合シートの貼着工程と称する場合がある。
後述するように、工程（ＰＹ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。本実施形態では、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持するために、裏面Ｗ３に複合シート１４０を貼着する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１４０の保護層１００Ｂに向けて貼着される。保護層１００Ｂは、裏面Ｗ３と略同形状に形成されているため、裏面Ｗ３を覆うことができる。本実施形態では、半導体ウエハＷと第１シート１０との間に保護層１００Ｂが挟持されている。
図８Ｂは、工程（ＰＹ１）を説明するための図である。図８Ｂには、第１シート１０及び保護層１００Ｂを有する複合シート１４０が貼着された半導体ウエハＷが記載されている。本実施形態における半導体ウエハＷも、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。この工程（ＰＹ１）を複合シートの貼着工程と称する場合がある。
後述するように、工程（ＰＹ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。本実施形態では、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持するために、裏面Ｗ３に複合シート１４０を貼着する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１４０の保護層１００Ｂに向けて貼着される。保護層１００Ｂは、裏面Ｗ３と略同形状に形成されているため、裏面Ｗ３を覆うことができる。本実施形態では、半導体ウエハＷと第１シート１０との間に保護層１００Ｂが挟持されている。
【0222】
本実施形態では、回路面Ｗ１が露出した状態でプロセスを進める態様を例に挙げて説明するが、その他の態様の例としては、例えば、回路面Ｗ１に保護層１００Ｂとは別の保護シート又は保護膜等の保護部材が貼着された状態でプロセスを進める態様が挙げられる。
【0223】
なお、裏面Ｗ３に第１シート１０及び保護層１００Ｂを貼着する工程は、積層型の複合シート１４０を用いる態様に限定されず、例えば、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３に保護層１００Ｂを貼着した後に、第１シート１０を保護層１００Ｂに貼り合わせる態様でもよい。
【0224】
［ダイシング工程］
図８Ｃは、工程（ＰＹ２）を説明するための図である。工程（ＰＹ２）をダイシング工程と称する場合がある。図８Ｃには、第１シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
裏面Ｗ３に第１シート１０及び保護層１００Ｂが貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。
本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに保護層１００Ｂを切断し、さらに第１粘着剤層１２まで切込みを到達させる。このダイシングによって、保護層１００Ｂも半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。
ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ｂを個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、第１基材１１まで切込みを入れない態様を例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ｂをより確実に切断するという観点から、ダイシングによって、第１基材１１に到達するまでの深さで切込みを形成してもよい。また、第１粘着剤層１２まで切込みを到達させずに、保護層１００Ｂを切断してもよい。
図８Ｃは、工程（ＰＹ２）を説明するための図である。工程（ＰＹ２）をダイシング工程と称する場合がある。図８Ｃには、第１シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
裏面Ｗ３に第１シート１０及び保護層１００Ｂが貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。
本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに保護層１００Ｂを切断し、さらに第１粘着剤層１２まで切込みを到達させる。このダイシングによって、保護層１００Ｂも半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。
ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ｂを個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、第１基材１１まで切込みを入れない態様を例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ｂをより確実に切断するという観点から、ダイシングによって、第１基材１１に到達するまでの深さで切込みを形成してもよい。また、第１粘着剤層１２まで切込みを到達させずに、保護層１００Ｂを切断してもよい。
【0225】
本実施形態では、ダイシング工程によって、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側において、複数の半導体チップＣＰと第１シート１０の第１粘着剤層１２との間に個片化された保護層１００Ｂが介在した積層構造が得られる。
【0226】
［エキスパンド工程］
図９は、工程（ＰＹ３）を説明するための図である。工程（ＰＹ３）をエキスパンド工程と称する場合がある。図９には、ダイシング工程の後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
本実施形態におけるエキスパンド工程においても、第１シート１０を引き延ばす方法は、第１実施形態と同様である。本実施形態においても、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。
図９は、工程（ＰＹ３）を説明するための図である。工程（ＰＹ３）をエキスパンド工程と称する場合がある。図９には、ダイシング工程の後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
本実施形態におけるエキスパンド工程においても、第１シート１０を引き延ばす方法は、第１実施形態と同様である。本実施形態においても、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。
【0227】
［転写工程、封止工程及びその他の工程］
本実施形態においても、第１実施形態又は第２実施形態と同様、転写工程、封止工程、並びにその他の工程（再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程）を実施してもよい。
本実施形態においても、第１実施形態又は第２実施形態と同様、転写工程、封止工程、並びにその他の工程（再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程）を実施してもよい。
【0228】
（保護層）
保護層１００Ｂの一態様においては、未硬化の硬化性接着剤から形成されることが好ましい。この場合、保護層１００Ｂに半導体ウエハＷ等の加工対象物（ワーク）を重ね合わせた後、保護層１００Ｂを硬化させることにより、保護層１００Ｂの硬化物（保護膜）を加工対象物に強固に接着することができ、半導体チップＣＰ等の半導体装置に対して、耐久性を有する保護膜を形成できる。
保護層１００Ｂの一態様においては、未硬化の硬化性接着剤から形成されることが好ましい。この場合、保護層１００Ｂに半導体ウエハＷ等の加工対象物（ワーク）を重ね合わせた後、保護層１００Ｂを硬化させることにより、保護層１００Ｂの硬化物（保護膜）を加工対象物に強固に接着することができ、半導体チップＣＰ等の半導体装置に対して、耐久性を有する保護膜を形成できる。
【0229】
保護層１００Ｂは、常温で粘着性を有するか、加熱により粘着性を発揮することが好ましい。これにより、上記のように保護層１００Ｂに半導体ウエハＷ等の加工対象物を重ね合わせるときに、両者を貼合させることができる。したがって、保護層１００Ｂを硬化させる前に位置決めを確実に行うことができる。
【0230】
上記のような特性を有する保護層１００Ｂを構成する硬化性接着剤は、硬化性成分とバインダーポリマー成分とを含有することが好ましい。硬化性成分としては、熱硬化性成分、エネルギー線硬化性成分、または、これらの混合物を用いることができるが、熱硬化性成分を用いることが特に好ましい。すなわち、保護層１００Ｂは、熱硬化性接着剤から構成されることが好ましい。
【0231】
熱硬化性成分としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂等、および、これらの混合物が挙げられる。これらの中でも、熱硬化性成分として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびこれらの混合物が好ましく用いられる。
【0232】
エポキシ樹脂は、加熱を受けると三次元網状化し、強固な被膜を形成する性質を有する。このようなエポキシ樹脂としては、従来より公知の種々のエポキシ樹脂が用いられる。通常は、数平均分子量３００～２０００程度のエポキシ樹脂が好ましく、数平均分子量３００～５００のエポキシ樹脂がより好ましい。さらには、数平均分子量３３０～４００の常態で液状のエポキシ樹脂と、数平均分子量４００～２５００（好ましくは、数平均分子量５００～２０００）の常温で固体のエポキシ樹脂とをブレンドしたブレンド型のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、５０ｇ／ｅｑ～５０００ｇ／ｅｑであることが好ましい。また、エポキシ樹脂の数平均分子量は、ＧＰＣ法を用いた方法で求めることができる。
【0233】
このようなエポキシ樹脂としては、具体的には、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレート等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－ジシクロヘキサンカルボキシレート、２－（３，４－エポキシ)シクロヘキシル－５，５－スピロ(３，４－エポキシ)シクロヘキサン－ｍ－ジオキサン等のように、分子内の炭素－炭素二重結合を、例えば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。その他、例えば、ビフェニル骨格、ジシクロヘキサジエン骨格、及びナフタレン骨格からなる群から選択される少なくとも１種の骨格を有するエポキシ樹脂を用いることもできる。
【0234】
これらエポキシ樹脂の具体例の中でも、エポキシ樹脂として、ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、および、フェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましく用いられる。これらエポキシ樹脂は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0235】
エポキシ樹脂を用いる場合には、助剤として、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を併用することが好ましい。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とは、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種（アニオン、カチオン）を生成する方法；室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法；モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤で、高温で溶出して硬化反応を開始する方法；マイクロカプセルによる方法等が存在する。
【0236】
熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、各種オニウム塩や、二塩基酸ジヒドラジド化合物、ジシアンジアミド、アミンアダクト硬化剤、イミダゾール化合物等の高融点活性水素化合物等を挙げることができる。これら熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。上記のような熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上２０重量部以下、より好ましくは０．２重量部以上１０重量部以下、さらに好ましくは０．３重量部以上５重量部以下の割合で用いられる。
【0237】
フェノール系樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物などが特に制限されることなく用いられる。具体的には、例えば、フェノールノボラック樹脂、ｏ－クレゾールノボラック樹脂、p－クレゾールノボラック樹脂、ｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、あるいはこれらの変性物等が用いられる。
【0238】
これらのフェノール系樹脂に含まれるフェノール性水酸基は、上記エポキシ樹脂のエポキシ基と、加熱により容易に付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成することができる。このため、熱硬化性成分として、エポキシ樹脂とフェノール系樹脂とを併用してもよい。
【0239】
バインダーポリマー成分は、保護層１００Ｂに適度なタックを与えることができる。バインダーポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は、５万以上、２００万以下であり、好ましくは１０万以上、１５０万以下であり、より好ましくは２０万以上、１００万以下の範囲にある。分子量が低過ぎると、保護層１００Ｂのフィルム形成が不十分となり、高過ぎると他の成分との相溶性が悪くなることから、結果として均一なフィルム形成が妨げられる。このようなバインダーポリマー成分としては、例えば、アクリル系ポリマー、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及びゴム系ポリマーからなる群から選択される少なくとも１種の樹脂が用いられ、特にアクリル系ポリマーが好ましく用いられる。
【0240】
アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルモノマーと（メタ）アクリル酸誘導体から導かれる構成単位とからなる（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで、（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、好ましくはアルキル基の炭素数が１～１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル等が用いられる。また、（メタ）アクリル酸誘導体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル等を挙げることができる。
【0241】
上記の中でも、メタクリル酸グリシジル等を構成単位として用いてアクリル系ポリマーにグリシジル基を導入すると、前述した熱硬化性成分としてのエポキシ樹脂との相溶性が向上し、保護層１００Ｂの硬化後のガラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、耐熱性が向上する。また、上記の中でも、アクリル酸ヒドロキシエチル等を構成単位として用いてアクリル系ポリマーに水酸基を導入すると、加工対象物への密着性や粘着物性をコントロールすることができる。
【0242】
バインダーポリマーとしてアクリル系ポリマーを使用した場合における前記ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０万以上であり、より好ましくは１５万以上１００万以下である。アクリル系ポリマーのガラス転移温度は、通常は２０℃以下、好ましくは－７０℃～０℃程度であり、アクリル系ポリマーは、常温（２３℃）においては粘着性を有する。
【0243】
熱硬化性成分とバインダーポリマー成分との配合比率は、バインダーポリマー成分１００重量部に対して、熱硬化性成分を、好ましくは５０重量部以上１５００重量部以下、より好ましくは７０重量部以上１０００重量部以下、さらに好ましくは８０重量部以上８００重量部以下配合することが好ましい。このような割合で熱硬化性成分とバインダーポリマー成分とを配合すると、硬化前には適度なタックを示し、貼付作業を安定して行うことができ、また硬化後には、被膜強度に優れた保護膜が得られる。
【0244】
保護層１００Ｂは、着色剤およびフィラーの少なくともいずれかを含有することが好ましく、特に着色剤およびフィラーの両者を含有することが好ましい。
【0245】
着色剤としては、例えば、無機系顔料、有機系顔料、有機系染料など公知の着色剤を使用できるが、光線透過率の制御性を高める観点から、着色剤は有機系の着色剤を含有することが好ましい。着色剤の化学的安定性（具体的には、溶出しにくさ、色移りの生じにくさ、経時変化の少なさが例示される。）を高める観点から、着色剤は顔料からなることが好ましい。
【0246】
フィラーとしては、例えば、結晶シリカ、溶融シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーが挙げられる。これら無機フィラーの中でも、フィラーとしては、シリカが好ましく、合成シリカがより好ましく、半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプの合成シリカが好ましい。フィラーの形状としては、球形、針状、不定形等が挙げられるが、球形であることが好ましく、真球形であることがより好ましい。
【0247】
また、保護層１００Ｂは、カップリング剤を含有してもよい。カップリング剤を含有することにより、保護層１００Ｂの硬化後において、保護膜の耐熱性を損なわずに、保護膜と加工対象物との接着性・密着性を向上させることができるとともに、耐水性（耐湿熱性）を向上させることができる。カップリング剤としては、その汎用性とコストメリットなどからシランカップリング剤が好ましい。
【0248】
シランカップリング剤としては、例えば、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。シランカップリング剤としては、これらシランカップリング剤のうちの１種を単独で、または２種以上混合して使用できる。
【0249】
保護層１００Ｂは、硬化前の凝集力を調節するために、有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物、有機金属キレート化合物等の架橋剤を含有してもよい。また、保護層１００Ｂは、静電気を抑制し、チップの信頼性を向上させるために、帯電防止剤を含有してもよい。さらに、保護層１００Ｂは、保護膜の難燃性能を高め、パッケージとしての信頼性を向上させるために、リン酸化合物、ブロム化合物、リン系化合物等の難燃剤を含有してもよい。
【0250】
保護層１００Ｂの厚さは、特に限定されない。保護層１００Ｂを硬化させて保護膜として用いる場合、保護膜としての機能を効果的に発揮させるために、保護層１００Ｂの厚さは、３μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、２００μｍ以下であることがより好ましく、７μｍ以上、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。
【0251】
［本実施形態に係る効果］
本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、裏面Ｗ３と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００Ｂが介在しているため、第１シート１０を伸張させても裏面Ｗ３に接している保護層１００Ｂは、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
また、本実施形態においては、保護層１００Ｂが、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３と略同形状であり、ダイシングによって半導体ウエハＷの端部側に由来して形成された半導体チップＣＰ（外周側の半導体チップ）の裏面Ｗ３についても保護層１００Ｂが個片化されるため、半導体チップＣＰ同士の間隔を十分に拡張できる。
本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、裏面Ｗ３と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００Ｂが介在しているため、第１シート１０を伸張させても裏面Ｗ３に接している保護層１００Ｂは、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
また、本実施形態においては、保護層１００Ｂが、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３と略同形状であり、ダイシングによって半導体ウエハＷの端部側に由来して形成された半導体チップＣＰ（外周側の半導体チップ）の裏面Ｗ３についても保護層１００Ｂが個片化されるため、半導体チップＣＰ同士の間隔を十分に拡張できる。
【0252】
また、本実施形態においては、ダイシング工程の際に、半導体ウエハＷをダイシングシートで支持するのではなく、第１シート１０及び保護層１００Ｂを有する複合シート１４０で支持する。そのため、ダイシング後の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための層（本実施形態では保護層１００Ｂ）を形成するために、ダイシング工程で用いる粘着シートから、別の粘着シートへと貼り替える工程を実施しなくてもよく、プロセスを簡略化できる。
さらに、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替える必要がない。
したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べてプロセスを簡略化し、かつ、チップ同士の間隔を充分に拡張しつつ、糊残りを抑制できる。
さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
さらに、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替える必要がない。
したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べてプロセスを簡略化し、かつ、チップ同士の間隔を充分に拡張しつつ、糊残りを抑制できる。
さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
【0253】
［実施形態の変形］
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様等を含む。
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様等を含む。
【0254】
例えば、半導体ウエハや半導体チップにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージにおける外部端子電極との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。前述の実施形態では、ＦＯ－ＷＬＰタイプの半導体パッケージを製造する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、ファンイン型のＷＬＰ等のその他の半導体パッケージを製造する態様にも適用できる。
【0255】
上述したＦＯ－ＷＬＰの製造方法は、一部の工程を変更したり、一部の工程を省略したりしてもよい。
【0256】
ダイシング工程におけるダイシングは、上述の切断手段を用いる代わりに、半導体ウエハに対してレーザ光を照射して行ってもよい。例えば、レーザ光の照射により、半導体ウエハを完全に分断し、複数の半導体チップに個片化してもよい。これらの方法においては、レーザ光の照射は、半導体ウエハのいずれの側から行ってもよい。
【0257】
第２実施形態においては、複合シート１３０として、保護層１００Ａと第３シート３０とを有する態様、又は保護層１００Ａが第３粘着剤層であり、第３シート３０が第３基材である態様を例に挙げて説明したが、本発明はこれらの態様に限定されない。例えば、第３粘着剤層と第３基材との間に剥離層を有する粘着シートであってもよい。剥離層は、第１実施形態の説明中の剥離シートと同様の材料を用いて構成されることが好ましい。
【実施例】
【0258】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。
【0259】
（粘着シートの作製）
［実施例１］
ブチルアクリレート（ＢＡ）６２質量部、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合してアクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレート（昭和電工株式会社製、製品名「カレンズＭＯＩ」（登録商標））を付加した樹脂（アクリルＡ）の溶液（粘着剤主剤、固形分３５．０質量％）を調製した。付加率は、アクリル系共重合体の２ＨＥＡ１００モル％に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレートを９０モル％とした。
得られた樹脂（アクリルＡ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、６０万、Ｍｗ／Ｍｎは４．５であった。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗ、及び数平均分子量Ｍｎを測定し、それぞれの測定値から分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
この粘着剤主剤に、ＵＶ樹脂Ａ（１０官能ウレタンアクリレート、三菱ケミカル株式会社製、製品名「ＵＶ－５８０６」、Ｍｗ＝１７４０、光重合開始剤を含む。）、及び架橋剤としてのトリレンジイソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、製品名「コロネートＬ」）を添加した。粘着剤主剤中の固形分１００質量部に対して、ＵＶ樹脂Ａを５０質量部添加し、架橋剤を０．２質量部添加した。添加後、３０分間攪拌して、粘着剤組成物Ａ１を調製した。
次いで、調製した粘着剤組成物Ａ１の溶液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系剥離フィルム（リンテック株式会社製、製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）に塗布して乾燥させ、厚さ４０μｍの粘着剤層を剥離フィルム上に形成した。
当該粘着剤層に、基材としてのポリエステル系ポリウレタンエラストマーシート（シーダム株式会社製，製品名「ハイグレスＤＵＳ２０２」，厚さ１００μｍ）を貼り合わせた後、幅方向における端部の不要部分を裁断除去して粘着シートＳＡ１を作製した。
［実施例１］
ブチルアクリレート（ＢＡ）６２質量部、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合してアクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレート（昭和電工株式会社製、製品名「カレンズＭＯＩ」（登録商標））を付加した樹脂（アクリルＡ）の溶液（粘着剤主剤、固形分３５．０質量％）を調製した。付加率は、アクリル系共重合体の２ＨＥＡ１００モル％に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレートを９０モル％とした。
得られた樹脂（アクリルＡ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、６０万、Ｍｗ／Ｍｎは４．５であった。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗ、及び数平均分子量Ｍｎを測定し、それぞれの測定値から分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
この粘着剤主剤に、ＵＶ樹脂Ａ（１０官能ウレタンアクリレート、三菱ケミカル株式会社製、製品名「ＵＶ－５８０６」、Ｍｗ＝１７４０、光重合開始剤を含む。）、及び架橋剤としてのトリレンジイソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、製品名「コロネートＬ」）を添加した。粘着剤主剤中の固形分１００質量部に対して、ＵＶ樹脂Ａを５０質量部添加し、架橋剤を０．２質量部添加した。添加後、３０分間攪拌して、粘着剤組成物Ａ１を調製した。
次いで、調製した粘着剤組成物Ａ１の溶液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系剥離フィルム（リンテック株式会社製、製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）に塗布して乾燥させ、厚さ４０μｍの粘着剤層を剥離フィルム上に形成した。
当該粘着剤層に、基材としてのポリエステル系ポリウレタンエラストマーシート（シーダム株式会社製，製品名「ハイグレスＤＵＳ２０２」，厚さ１００μｍ）を貼り合わせた後、幅方向における端部の不要部分を裁断除去して粘着シートＳＡ１を作製した。
【0260】
（チップ間隔の測定方法）
実施例１で得られた粘着シートを２１０ｍｍ×２１０ｍｍに切断し試験用シートを得た。このとき、裁断後のシートの各辺が、粘着シートにおける基材のＭＤ方向と平行または垂直となるように裁断した。
粘着シートに貼着する半導体チップを次に示す手順により準備した。保護層としてのシート（実施例において、保護シートと称する場合がある。）を６インチシリコンウエハに貼着した。保護シートとしてリンテック株式会社製の「Ｅ－３１２５ＫＬ」（製品名）を用いた。次に、保護シート側から６インチシリコンウエハをダイシングして、３ｍｍ×３ｍｍのサイズのチップがＸ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列となるように、計２５個のチップを切り出した。チップのそれぞれには、ダイシングされた保護シートが貼着していた。
試験用シートの剥離フィルムを剥離し、露出した粘着剤層の中心部に、上述の通り切り出した計２５個のチップの保護シート側を貼付した。このとき、チップがＸ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列で並んでいた。
実施例１で得られた粘着シートを２１０ｍｍ×２１０ｍｍに切断し試験用シートを得た。このとき、裁断後のシートの各辺が、粘着シートにおける基材のＭＤ方向と平行または垂直となるように裁断した。
粘着シートに貼着する半導体チップを次に示す手順により準備した。保護層としてのシート（実施例において、保護シートと称する場合がある。）を６インチシリコンウエハに貼着した。保護シートとしてリンテック株式会社製の「Ｅ－３１２５ＫＬ」（製品名）を用いた。次に、保護シート側から６インチシリコンウエハをダイシングして、３ｍｍ×３ｍｍのサイズのチップがＸ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列となるように、計２５個のチップを切り出した。チップのそれぞれには、ダイシングされた保護シートが貼着していた。
試験用シートの剥離フィルムを剥離し、露出した粘着剤層の中心部に、上述の通り切り出した計２５個のチップの保護シート側を貼付した。このとき、チップがＸ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列で並んでいた。
【0261】
次に、チップが貼付された試験用シートを、２軸延伸可能なエキスパンド装置（離間装置）に設置した。図１０には、当該エキスパンド装置４００を説明する平面図が示される。図１０中、Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交する関係にあり、当該Ｘ軸の正の方向を＋Ｘ軸方向、当該Ｘ軸の負の方向を－Ｘ軸方向、当該Ｙ軸の正の方向を＋Ｙ軸方向、当該Ｙ軸の負の方向を－Ｙ軸方向とする。試験用シート５００は、各辺がＸ軸またはＹ軸と平行となるように、エキスパンド装置４００に設置した。その結果、試験用シート５００における基材のＭＤ方向は、Ｘ軸またはＹ軸と平行となる。なお、図１０中、チップは省略されている。
【0262】
図１０に示されるように、エキスパンド装置４００は、＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向及び－Ｙ軸方向のそれぞれに５つの保持手段４０１（計２０個の保持手段４０１）を備える。各方向における５つの保持手段４０１のうち、保持手段４０１Ａは、両端に位置し、保持手段４０１Ｃは、中央に位置し、保持手段４０１Ｂは、保持手段４０１Ａと保持手段４０１Ｃとの間に位置する。試験用シート５００の各辺を、これらの保持手段４０１によって把持させた。
【0263】
ここで、図１０に示されるように、試験用シート５００の一辺は２１０ｍｍである。また、各辺における保持手段４０１同士の間隔は４０ｍｍである。また、試験用シート５００の一辺における端部（シートの頂点）と、当該辺に存在し、当該端部に最も近い保持手段４０１Ａとの間隔は２５ｍｍである。
【0264】
続いて、保持手段４０１のそれぞれに対応する、図示されていない複数の張力付与手段を駆動させて、保持手段４０１をそれぞれ独立に移動させた。試験用シートの四辺をつかみ治具で固定し、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向にそれぞれ５ｍｍ／ｓの速度で、２００ｍｍの拡張量で試験用シートをエキスパンドした。その後、リングフレームにより試験用シート５００の拡張状態を保持した。
拡張状態を保持した状態で、各チップ間の距離をデジタル顕微鏡で測定し、各チップ間の距離の平均値をチップ間隔とした。
チップ間隔が１８００μｍ以上であれば合格「Ａ」と判定し、チップ間隔が１８００μｍ未満であれば不合格「Ｂ」と判定した。
拡張状態を保持した状態で、各チップ間の距離をデジタル顕微鏡で測定し、各チップ間の距離の平均値をチップ間隔とした。
チップ間隔が１８００μｍ以上であれば合格「Ａ」と判定し、チップ間隔が１８００μｍ未満であれば不合格「Ｂ」と判定した。
【0265】
（チップ整列性の測定方法）
上記チップ間隔を測定したワークのＸ軸及びＹ軸方向の隣り合うチップの中心線からのズレ率を測定した。
図１１に具体的な測定方法の概略図を示す。
Ｘ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最上端と、チップの最下端との距離Ｄｙをデジタル顕微鏡で測定した。Ｙ軸方向のズレ率は、下記数式（数３）に基づいて算出した。Ｓｙは、Ｙ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
Ｙ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｙ－Ｓｙ）／２]／Ｓｙ×１００…（数３）
Ｘ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＹ軸方向のズレ率を算出した。
Ｙ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最左端と、チップの最右端との距離Ｄｘをデジタル顕微鏡で測定した。Ｘ軸方向のズレ率は、下記数式（数４）に基づいて算出した。Ｓｘは、Ｘ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
Ｘ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｘ－Ｓｘ）／２]／Ｓｘ×１００…（数４）
Ｙ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＸ軸方向のズレ率を算出した。
数式（数３）及び（数４）において、２で除するのは、拡張後におけるチップの所定位置からずれた最大距離を絶対値にて表現するためである。
Ｘ軸方向及びＹ軸方向のすべての列（計１０列）において、ズレ率が±１０％未満の場合を合格「Ａ」と判定し、１つ以上の列において±１０％以上であれば不合格「Ｂ」と判定した。
上記チップ間隔を測定したワークのＸ軸及びＹ軸方向の隣り合うチップの中心線からのズレ率を測定した。
図１１に具体的な測定方法の概略図を示す。
Ｘ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最上端と、チップの最下端との距離Ｄｙをデジタル顕微鏡で測定した。Ｙ軸方向のズレ率は、下記数式（数３）に基づいて算出した。Ｓｙは、Ｙ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
Ｙ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｙ－Ｓｙ）／２]／Ｓｙ×１００…（数３）
Ｘ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＹ軸方向のズレ率を算出した。
Ｙ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最左端と、チップの最右端との距離Ｄｘをデジタル顕微鏡で測定した。Ｘ軸方向のズレ率は、下記数式（数４）に基づいて算出した。Ｓｘは、Ｘ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
Ｘ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｘ－Ｓｘ）／２]／Ｓｘ×１００…（数４）
Ｙ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＸ軸方向のズレ率を算出した。
数式（数３）及び（数４）において、２で除するのは、拡張後におけるチップの所定位置からずれた最大距離を絶対値にて表現するためである。
Ｘ軸方向及びＹ軸方向のすべての列（計１０列）において、ズレ率が±１０％未満の場合を合格「Ａ」と判定し、１つ以上の列において±１０％以上であれば不合格「Ｂ」と判定した。
【0266】
（糊残りの評価方法）
前述のチップ間隔の測定方法に記載の条件でエキスパンド後、紫外線照射装置（リンテック株式会社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、実施例１に係る粘着シートのチップが搭載されている面とは反対側の面から照度２２０ｍＷ／ｃｍ２、光量４６０ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線照射した。紫外線照射の後、チップを吸着テーブルに保持し、粘着シートを剥離した。粘着シートを剥離した後、粘着シートが貼着されていたチップ表面を光学顕微鏡で観察した。チップ表面に糊残りが観察されなかった場合を合格「Ａ」と判定し、糊残りが観察された場合を不合格「Ｂ」と判定した。
前述のチップ間隔の測定方法に記載の条件でエキスパンド後、紫外線照射装置（リンテック株式会社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、実施例１に係る粘着シートのチップが搭載されている面とは反対側の面から照度２２０ｍＷ／ｃｍ２、光量４６０ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線照射した。紫外線照射の後、チップを吸着テーブルに保持し、粘着シートを剥離した。粘着シートを剥離した後、粘着シートが貼着されていたチップ表面を光学顕微鏡で観察した。チップ表面に糊残りが観察されなかった場合を合格「Ａ」と判定し、糊残りが観察された場合を不合格「Ｂ」と判定した。
【0267】
実施例１に係る粘着シートを用いてエキスパンドしたところ、チップ間隔の評価結果が合格「Ａ」判定であり、チップ整列性の評価結果が合格「Ａ」判定であった。
チップと実施例に係る粘着シートとの間に保護シートを介在させて粘着シートをエキスパンドしたところ、チップ表面の糊残り評価結果が合格「Ａ」判定であった。
チップと実施例に係る粘着シートとの間に保護シートを介在させて粘着シートをエキスパンドしたところ、チップ表面の糊残り評価結果が合格「Ａ」判定であった。
【符号の説明】
【0268】
１０…第１シート、１００、１００Ａ、１００Ｂ…保護層、１１…第１基材、１２…第１粘着剤層、１３０、１４０…複合シート、２０…第２粘着シート、Ｗ…半導体ウエハ（加工対象物）、Ｗ１…回路面（第１半導体装置面）、Ｗ３…裏面（第２半導体装置面）。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11】