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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-05
(45)【発行日】2024-12-13
(54)【発明の名称】シリコン基板の研磨
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241206BHJP
C09K 3/14 20060101ALI20241206BHJP
B24B 37/00 20120101ALI20241206BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 622C
C09K3/14 550D
C09K3/14 550Z
B24B37/00 H
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2022555239
(86)(22)【出願日】2020-10-09
(86)【国際出願番号】 JP2020038345
(87)【国際公開番号】W WO2022074835
(87)【国際公開日】2022-04-14
【審査請求日】2023-09-11
(73)【特許権者】
【識別番号】000000918
【氏名又は名称】花王株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000040
【氏名又は名称】弁理士法人池内アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】三浦 穣史
【審査官】内田 正和
(56)【参考文献】
【文献】特開２００６－３５２０４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２００９／１３１１３３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１４３３２３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１３－０６２５１２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
Ｃ０９Ｋ ３／１４
Ｂ２４Ｂ ３７／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有する研磨液組成物を用いて、成分Ａと成分Ｂの含有量比を変えることにより、シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質を調整する方法。【請求項2】
研磨液組成物のｐＨが、成分ＡのｐＫａよりも大きい、請求項１に記載の方法。【請求項3】
研磨液組成物のｐＨと前記アミノ基含有水溶性高分子化合物のｐＫａの差が０超７以下ある、請求項１又は２に記載の方法。【請求項4】
成分Ａは、アリルアミン及びジアリルアミンから選ばれる１種以上のモノマー由来の構成単位を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。【請求項5】
アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、立体遮蔽基を有する、請求項４に記載の方法。【請求項6】
アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、水酸基を有する炭素数３以上１１以下の炭化水素基を含む第２級アミノ基又は第３級アミノ基である、請求項４又は５に記載の方法。【請求項7】
成分Ａは、ポリアリルアミンとグリシドール誘導体との反応物である、請求項１から６のいずれかに記載の方法。【請求項8】
ジアリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、β位又はγ位に電子吸引基を有する、請求項４に記載の方法。【請求項9】
成分Ａは、下記式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含む化合物である、請求項１から４、及び８のいずれかに記載の方法。【化1】
【請求項10】
成分Ｂは、分子内にアルキレンオキサイド基、水酸基、又はアミド基を有する水溶性高分子である、請求項１から９のいずれかに記載の方法。【請求項11】
成分Ｂは、ポリグリセリン、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリンアルキルエステル、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリヒドロキシエチルアクリルアミド、及び、重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。【請求項12】
研磨液組成物は、さらに、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。【請求項13】
シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、仕上げ研磨工程２よりも前の研磨工程である仕上げ研磨工程１とを備え、仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２とがこの順で行われるシリコン基板の研磨方法であって、仕上げ研磨工程１及び２において使用される研磨液組成物は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、
仕上げ研磨工程１では、研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨し、
仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨する、シリコン基板の研磨方法。
【請求項14】
前記仕上げ研磨工程１と前記仕上げ研磨工程２を１つの研磨定盤で行う、請求項１３に記載の研磨方法。【請求項15】
前記仕上げ研磨工程１と前記仕上げ研磨工程２を研磨定盤を変えて行う、請求項１３に記載の研磨方法。【請求項16】
前記仕上げ研磨工程２において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨した後、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨する、請求項１３から１５のいずれかに記載の研磨方法。【請求項17】
請求項１から１２のいずれかに記載の方法、又は、請求項１３から１６のいずれかに記載の研磨方法を行うことを含む、半導体基板の製造方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、シリコン基板の研磨に関し、シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質の調整方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコン基板（ベアウェーハ）の欠陥低減や平滑性に対する要求はますます厳しくなっている。
【0003】
シリコン基板の品質を向上する目的で、シリコン基板の研磨は多段階で行われている。特に研磨の最終段階で行われる仕上げ研磨は、表面粗さ（ヘイズ）の抑制と研磨後のシリコン基板表面のぬれ性向上（親水化）によるパーティクルやスクラッチ、ピット等の表面欠陥（ＬＰＤ：Light point defects）の抑制とを目的として行われている。
【0004】
シリコン基板表面について許容される表面欠陥のサイズは年々小さくなっており、通常この欠陥はレーザー光を基板表面に照射しそのときの散乱光を検出することで測定している。そのため、より微細な欠陥を測定するためには、シリコン基板の表面粗さ（ヘイズ）を低減し、欠陥測定時のＳ／Ｎ比を向上させなければならない。
【0005】
仕上げ研磨に用いられる研磨液組成物としては、コロイダルシリカ、及びアルカリ化合物を用いた化学的機械研磨用の研磨液組成物が知られている。
例えば、特開２００４－１２８０８９号公報には、ヘイズレベルを改善することを目的とした研磨液組成物として、ヒドロキシエチルセルロースやポリエチレンオキサイド等の水溶性高分子化合物を含有する研磨液組成物が報告されている。
特開２００８－５３４１５号公報には、表面欠陥（ＬＰＤ）の数を低減することを目的とした研磨液組成物として、ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミド等の窒素含有基を有する水溶性高分子化合物を含有する研磨液組成物が報告されている。
例えば、特開２００４－１２８０８９号公報には、ヘイズレベルを改善することを目的とした研磨液組成物として、ヒドロキシエチルセルロースやポリエチレンオキサイド等の水溶性高分子化合物を含有する研磨液組成物が報告されている。
特開２００８－５３４１５号公報には、表面欠陥（ＬＰＤ）の数を低減することを目的とした研磨液組成物として、ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミド等の窒素含有基を有する水溶性高分子化合物を含有する研磨液組成物が報告されている。
【0006】
また、シリコン基板を多段階で行う研磨方法が提案されている。
例えば、特開２０１５－１８５６７２号公報には、多段階の研磨工程に用いる各研磨スラリーの水溶性ポリマーの濃度と重量平分子量との積の値の関係を規定したシリコン基板の研磨方法が提案されている。
特開２０１５－１８５６７４号公報には、多段階の研磨工程に用いる各研磨スラリーの砥粒の濃度／体積平均粒子径の値の関係を規定したシリコン基板の研磨方法が提案されている。
特開２０１６－４９５３号公報には、２段階の研磨工程に用いる各研磨スラリーの相対ヘイズの関係を規定したシリコン基板の研磨方法が提案されている。
特開２０１７－１８３４７８号公報には、前研磨工程、リンス工程、仕上げ研磨工程の順で行う研磨方法おいて、前研磨工程に用いる研磨液組成物の親水性パラメータとリンス工程に用いるリンス剤の親水性パラメータの関係を規定したシリコン基板の研磨方法が提案されている。
国際公開第２０１７／１６９１５４号には、前研磨工程に用いる研磨液組成物の親水パラメータ及び仕上げ精度パラメータの値、仕上げ研磨工程に用いる研磨液組成物の研磨加工性パラメータの値を規定した研磨用組成物セットが提案されている。
上記５つの文献に記載されている研磨液組成物の水溶性ポリマーはヒドロキシエチルセルロース及び、ポリビニルピロリドンが用いられている。
例えば、特開２０１５－１８５６７２号公報には、多段階の研磨工程に用いる各研磨スラリーの水溶性ポリマーの濃度と重量平分子量との積の値の関係を規定したシリコン基板の研磨方法が提案されている。
特開２０１５－１８５６７４号公報には、多段階の研磨工程に用いる各研磨スラリーの砥粒の濃度／体積平均粒子径の値の関係を規定したシリコン基板の研磨方法が提案されている。
特開２０１６－４９５３号公報には、２段階の研磨工程に用いる各研磨スラリーの相対ヘイズの関係を規定したシリコン基板の研磨方法が提案されている。
特開２０１７－１８３４７８号公報には、前研磨工程、リンス工程、仕上げ研磨工程の順で行う研磨方法おいて、前研磨工程に用いる研磨液組成物の親水性パラメータとリンス工程に用いるリンス剤の親水性パラメータの関係を規定したシリコン基板の研磨方法が提案されている。
国際公開第２０１７／１６９１５４号には、前研磨工程に用いる研磨液組成物の親水パラメータ及び仕上げ精度パラメータの値、仕上げ研磨工程に用いる研磨液組成物の研磨加工性パラメータの値を規定した研磨用組成物セットが提案されている。
上記５つの文献に記載されている研磨液組成物の水溶性ポリマーはヒドロキシエチルセルロース及び、ポリビニルピロリドンが用いられている。
【発明の概要】
【0007】
本開示は、一態様において、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有する研磨液組成物を用いて、成分Ａと成分Ｂの含有量比を変えることにより、シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質を調整する方法（以下、「本開示の調整方法」ともいう。）に関する。
【0008】
本開示は、一態様において、シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、該仕上げ研磨工程２よりも前の研磨工程である仕上げ研磨工程１とを備え、該仕上げ研磨工程１と該仕上げ研磨工程２とがこの順で行われるシリコン基板の研磨方法であって、仕上げ研磨工程１及び２において使用される研磨液組成物は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、該仕上げ研磨工程１では、該研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨し、該仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨するシリコン基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう。）に関する。
【0009】
本開示は、一態様において、本開示の調整方法、又は、本開示の研磨方法を行うことを含む、半導体基板の製造方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【0010】
表面欠陥等を低減するために、仕上げ研磨に用いられる研磨液には、より粒径の小さいコロイダルシリカが用いられ、研磨速度が遅くなる傾向にあり、研磨速度の向上に課題がある。
しかし、特開２００４－１２８０８９号公報及び特開２００８－５３４１５号公報の研磨液組成物を用いた研磨では、研磨速度が十分とはいえない。
また、特開２０１５－１８５６７２号公報、特開２０１５－１８５６７４号公報、特開２０１６－４９５３号公報、特開２０１７－１８３４７８号公報、及び、国際公開第２０１７／１６９１５４号のシリコン基板を多段階で行う研磨方法は、いずれも表面平滑性の向上や微小欠陥の発生抑制といった高品位の研磨表面を達成することを目的としており、研磨速度に関する言及はない。
しかし、特開２００４－１２８０８９号公報及び特開２００８－５３４１５号公報の研磨液組成物を用いた研磨では、研磨速度が十分とはいえない。
また、特開２０１５－１８５６７２号公報、特開２０１５－１８５６７４号公報、特開２０１６－４９５３号公報、特開２０１７－１８３４７８号公報、及び、国際公開第２０１７／１６９１５４号のシリコン基板を多段階で行う研磨方法は、いずれも表面平滑性の向上や微小欠陥の発生抑制といった高品位の研磨表面を達成することを目的としており、研磨速度に関する言及はない。
【0011】
本開示は、シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質とを調整できる方法を提供する。
【0012】
本開示によれば、一態様において、シリコン基板の研磨において、研磨速度と、研磨後の基板表面品質（例えば、基板表面粗さ（ヘイズ））とを向上することができる。
【0013】
本開示の効果発現機構の詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
５以上８．５以下のｐＫａを有するアミノ基含有水溶性高分子（成分Ａ）は、カチオン性が低く、シリカ粒子（成分Ｃ）や被研磨シリコン基板に対し、アミノ基との静電相互作用よりも、主要因として分子全体のファンデルワールス力で吸着することでシリカ砥粒、シリコン基板間の静電斥力を抑制する。そのため静電相互作用に由来するシリカの凝集によるスクラッチ等の表面欠陥を新規に発生させることなく、高研磨速度を発現することで粗研磨工程由来の表面粗さの低減や表面欠陥の除去ができる。
一方、ノニオン性水溶性高分子（成分Ｂ）はシリコン基板表面に吸着し、アルキレンオキサイドや水酸基などの親水基がシリコン基板表面に張り出すことで、アルカリによる過剰な腐食抑制とシリカ砥粒の接近を抑制する効果、すなわち、研磨後の基板表面品質を向上（例えば、ヘイズの低減等）の効果をもつ。
両成分は主要因としてファンデルワールス力で吸着すると考えられ、その吸着力は同程度を考えられるために、お互いの吸着を阻害することなく、研磨液中の成分Ａと成分Ｂの比率に応じて、シリカ粒子（成分Ｃ）や被研磨シリコン基板に吸着する。
その結果、成分Ａの研磨速度を向上する効果と成分Ｂの表面品質を向上する効果を阻害することなく、吸着量の割合、すなわち、成分Ａと成分Ｂの比率に応じて、成分Ａの効果と成分Ｂの効果を発現し、基板の研磨速度と表面品質を自由に調整することができると考えられる。
ただし、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
５以上８．５以下のｐＫａを有するアミノ基含有水溶性高分子（成分Ａ）は、カチオン性が低く、シリカ粒子（成分Ｃ）や被研磨シリコン基板に対し、アミノ基との静電相互作用よりも、主要因として分子全体のファンデルワールス力で吸着することでシリカ砥粒、シリコン基板間の静電斥力を抑制する。そのため静電相互作用に由来するシリカの凝集によるスクラッチ等の表面欠陥を新規に発生させることなく、高研磨速度を発現することで粗研磨工程由来の表面粗さの低減や表面欠陥の除去ができる。
一方、ノニオン性水溶性高分子（成分Ｂ）はシリコン基板表面に吸着し、アルキレンオキサイドや水酸基などの親水基がシリコン基板表面に張り出すことで、アルカリによる過剰な腐食抑制とシリカ砥粒の接近を抑制する効果、すなわち、研磨後の基板表面品質を向上（例えば、ヘイズの低減等）の効果をもつ。
両成分は主要因としてファンデルワールス力で吸着すると考えられ、その吸着力は同程度を考えられるために、お互いの吸着を阻害することなく、研磨液中の成分Ａと成分Ｂの比率に応じて、シリカ粒子（成分Ｃ）や被研磨シリコン基板に吸着する。
その結果、成分Ａの研磨速度を向上する効果と成分Ｂの表面品質を向上する効果を阻害することなく、吸着量の割合、すなわち、成分Ａと成分Ｂの比率に応じて、成分Ａの効果と成分Ｂの効果を発現し、基板の研磨速度と表面品質を自由に調整することができると考えられる。
ただし、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【0014】
［被研磨シリコン基板］
本開示の調整方法又は研磨方法における研磨は、一又は複数の実施形態において、シリコン基板の研磨であり、一又は複数の実施形態において、半導体基板の製造方法における被研磨シリコン基板の研磨である。本開示の調整方法又は研磨方法において研磨される被研磨シリコン基板としては、一又は複数の実施形態において、シリコン基板等が挙げられ、一又は複数の実施形態において、単結晶シリコン基板が挙げられる。
本開示の調整方法又は研磨方法における研磨は、一又は複数の実施形態において、シリコン基板の研磨であり、一又は複数の実施形態において、半導体基板の製造方法における被研磨シリコン基板の研磨である。本開示の調整方法又は研磨方法において研磨される被研磨シリコン基板としては、一又は複数の実施形態において、シリコン基板等が挙げられ、一又は複数の実施形態において、単結晶シリコン基板が挙げられる。
【0015】
［研磨液組成物］
本開示の調整方法又は研磨方法における研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう。）は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有する。
本開示の研磨液組成物は、必要に応じて研磨砥粒を含有してもよい。研磨砥粒としては、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子が挙げられる。
本開示の研磨方法における「仕上げ研磨工程１」の研磨液組成物は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、研磨砥粒を含有することが好ましい。本開示の研磨方法における「仕上げ研磨工程２」の研磨液組成物は、研磨砥粒を含有してもよいし、しなくてもよい。
本開示の調整方法又は研磨方法における研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう。）は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有する。
本開示の研磨液組成物は、必要に応じて研磨砥粒を含有してもよい。研磨砥粒としては、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子が挙げられる。
本開示の研磨方法における「仕上げ研磨工程１」の研磨液組成物は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、研磨砥粒を含有することが好ましい。本開示の研磨方法における「仕上げ研磨工程２」の研磨液組成物は、研磨砥粒を含有してもよいし、しなくてもよい。
【0016】
本開示において、研磨後の基板の表面品質の向上は、一又は複数の実施形態において、研磨後の基板の表面粗さ（ヘイズ）の低減である。
【0017】
［ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子（以下、「成分Ａ」ともいう）を含有しうる。成分Ａは、研磨砥粒の凝集を抑制し、研磨速度を向上させる効果を発揮しうる。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
本開示の研磨液組成物は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子（以下、「成分Ａ」ともいう）を含有しうる。成分Ａは、研磨砥粒の凝集を抑制し、研磨速度を向上させる効果を発揮しうる。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
【0018】
成分ＡのｐＫａは、研磨速度を向上する観点から、５以上であって、５．５以上が好ましく、５．９以上がより好ましく、６．３以上が更に好ましく、６．８以上が更に好ましく、７．３以上が更に好ましく、７．５以上が更に好ましく、７．７以上が更に好ましく、そして、表面品質を向上する観点から、８．５以下であって、８．３以下が好ましく、８．１以下がより好ましく、８以下が更に好ましい。
成分Ａが後述する成分Ａ１の場合、成分ＡのｐＫａは上記の範囲が好ましい。
さらに、成分Ａが後述する成分Ａ２の場合、成分ＡのｐＫａは、研磨速度を向上する観点から、６．６以上が更に好ましく、６．９以上が更に好ましく、７．１以上が更に好ましく、そして、表面品質を向上する観点から、７．８以下が更に好ましく、７．６以下が更に好ましく、７．４以下が更に好ましい。
成分Ａが後述する成分Ａ１の場合、成分ＡのｐＫａは上記の範囲が好ましい。
さらに、成分Ａが後述する成分Ａ２の場合、成分ＡのｐＫａは、研磨速度を向上する観点から、６．６以上が更に好ましく、６．９以上が更に好ましく、７．１以上が更に好ましく、そして、表面品質を向上する観点から、７．８以下が更に好ましく、７．６以下が更に好ましく、７．４以下が更に好ましい。
【0019】
成分Ａとしては、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、アリルアミン及びジアリルアミンから選ばれる１種以上のモノマー由来の構成単位を含むことが好ましい。成分Ａは、入手性の観点から、一又は複数の実施形態において、アリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（以下、「成分Ａ１」ともいう）であることが好ましく、一又は複数の実施形態において、ジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基が含有水溶性高分子（以下、「成分Ａ２」ともいう）であることが好ましい。
【0020】
（成分Ａ１：アリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子）
アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、一又は複数の実施形態において、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点、及び、入手性の観点から、立体遮蔽基を有することが好ましい。本開示において、立体遮蔽基とは、成分Ａのアミノ基の窒素原子を遮蔽してカチオン化を抑制できる、すなわちｐＫａを低くする立体的な（嵩高い）置換基のことをいう。前記立体遮蔽基を有するアミノ基は、同様の観点から、水酸基を有する炭素数３以上１１以下の炭化水素基を含む第２級アミノ基又は第３級アミノ基であることが好ましい。前記炭化水素基の炭素数は、アミノ基の遮蔽性を向上する（アミノ基の窒素原子のカチオン化を抑制する）観点、及び、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、３以上が好ましく、そして、水溶性を向上する観点、及び入手性の観点から、１１以下が好ましく、７以下がより好ましく、５以下が更に好ましく、４以下が更により好ましい。
アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、一又は複数の実施形態において、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点、及び、入手性の観点から、立体遮蔽基を有することが好ましい。本開示において、立体遮蔽基とは、成分Ａのアミノ基の窒素原子を遮蔽してカチオン化を抑制できる、すなわちｐＫａを低くする立体的な（嵩高い）置換基のことをいう。前記立体遮蔽基を有するアミノ基は、同様の観点から、水酸基を有する炭素数３以上１１以下の炭化水素基を含む第２級アミノ基又は第３級アミノ基であることが好ましい。前記炭化水素基の炭素数は、アミノ基の遮蔽性を向上する（アミノ基の窒素原子のカチオン化を抑制する）観点、及び、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、３以上が好ましく、そして、水溶性を向上する観点、及び入手性の観点から、１１以下が好ましく、７以下がより好ましく、５以下が更に好ましく、４以下が更により好ましい。
【0021】
前記立体遮蔽基を有するアミノ基は、一又は複数の実施形態において、アミノ基に対するグリシドール誘導体による修飾基であり、一又は複数の実施形態において、アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基とグリシドール誘導体とが反応して形成される基である。成分Ａ１の全アミノ基のうちの少なくとも一部のアミノ基がグリシドール誘導体によって変性され、立体遮蔽基を有するアミノ基となる。アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基数（１当量）に対するグリシドール誘導体の当量（以下、「グリシドール変性率」ともいう）は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、０．３以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、０．８以上が更に好ましく、１以上が更に好ましく、１．３以上が更に好ましく、１．５以上が更に好ましく、１．７以上が更に好ましく、そして、研磨速度を向上する観点から、４以下が好ましく、３以下がより好ましく、２．５以下が更に好ましく、２以下が更に好ましい。
【0022】
本開示において、グリシドール変性率は、13Ｃ－ＮＭＲを用いて実施例に記載の方法により測定される値である。ただし、グリシドール変性率は、以下の方法（１）又は（２）によっても測定できる。
（１）反応原料に用いたアリルアミン重合体のアミノ基当量とグリシドール誘導体のモル数から求めることができる。
（２）グリシドール誘導体とアリルアミン重合体との反応物の窒素含有量Ｎ（質量％）を測定し、下記式から求めることができる。
グリシドール変性率＝Ａ／Ｂ
ここで、Ａ＝（１００－Ｎ×アリルアミン重合体の分子量／１４）／グリシドール誘導体分子量であり、Ｂ＝Ｎ／１４である。
（１）反応原料に用いたアリルアミン重合体のアミノ基当量とグリシドール誘導体のモル数から求めることができる。
（２）グリシドール誘導体とアリルアミン重合体との反応物の窒素含有量Ｎ（質量％）を測定し、下記式から求めることができる。
グリシドール変性率＝Ａ／Ｂ
ここで、Ａ＝（１００－Ｎ×アリルアミン重合体の分子量／１４）／グリシドール誘導体分子量であり、Ｂ＝Ｎ／１４である。
【0023】
前記グリシドール誘導体としては、例えば、グリシドール、アルキルグリシジルエーテル等が挙げられ、入手性の観点、及び、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、グリシドールが好ましい。前記アルキルグリシジルエーテルのアルキル基は、入手性の観点から、炭素数１～８のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２－エチルヘキシル基等が挙げられる。前記アルキルグリシジルエーテルとしては、メチルグリシジルエーテル、２－エチルヘキシルグリシジルエーテル等が挙げられる。
【0024】
成分Ａ１としては、一又は複数の実施形態において、少なくとも一部のアミノ基が立体遮蔽基を有するポリアリルアミンが挙げられ、一又は複数の実施形態において、ポリアリルアミンとグリシドール誘導体との反応物が挙げられる。
【0025】
成分Ａ１としては、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）の構成単位を含む化合物（グリシドール変性ポリアリルアミン）が挙げられる。
【化1】
【0026】
式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ、水素原子又は立体遮蔽基である。立体遮蔽基としては、グリシドール誘導体由来の修飾基が挙げられ、一又は複数の実施形態において、グリシドールの１モル付加体又は２モル付加体が挙げられ、一又は複数の実施形態において、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2（ＯＨ）、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2Ｏ－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2（ＯＨ）等が挙げられる。
【0027】
（成分Ａ２：ジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子）
ジアリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、一又は複数の実施形態において、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、アミノ基のβ位またはγ位に電子吸引基を有することが好ましい。電子吸引基としては、下記式（ＩＩ）で表される基等が挙げられる。
ジアリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、一又は複数の実施形態において、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、アミノ基のβ位またはγ位に電子吸引基を有することが好ましい。電子吸引基としては、下記式（ＩＩ）で表される基等が挙げられる。
【0028】
【化2】
【0029】
成分Ａ２としては、一又は複数の実施形態において、ジアリルアミン由来の構成単位及び二酸化硫黄由来の構成単位を含む化合物が挙げられ、例えば、下記式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含む化合物が挙げられる。
【化3】
【0030】
式（ＩＩＩ）中、Ｒ3は、水酸基を有してもよい炭素数１～３のアルキル基である。入手性及び経済性の観点の観点から、Ｒ3はメチル基が好ましい。また、ｎ＋ｍ＝１であり、ｎ、ｍは０又は１である。同様の観点から、ｍ＝１且つｎ＝０の化合物が好ましい。なお、ｍ＝１且つｎ＝０の化合物とｍ＝０且つｎ＝１の化合物の混合物でもよい。
【0031】
成分Ａ２としては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＶ）で表される構成単位を含む化合物が挙げられ、例えば、メチルジアリルアミン／二酸化硫黄共重合体が挙げられる。
【化4】
【0032】
成分Ａの重量平均分子量は、研磨速度を向上する観点から、８００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、１，５００以上が更に好ましく、２，０００以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１００，０００以下が好ましく、５０，０００以下がより好ましく、３０，０００以下が更に好ましく、２０，０００以下が更に好ましく、１５，０００以下が更に好ましく、１２，０００以下が更に好ましい。本開示における成分Ａの重量平均分子量は、例えば、実施例に記載する方法により測定できる。
【0033】
成分Ａが成分Ａ１である場合、成分Ａの重量平均分子量は、研磨速度を向上する観点から、８００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、１，５００以上が更に好ましく、２，０００以上が更に好ましく、３，０００以上が好ましく、５，０００以上がより好ましく、６，０００以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１００，０００以下が好ましく、５０，０００以下がより好ましく、３０，０００以下が更に好ましく、２０，０００以下が更に好ましく、１５，０００以下が更に好ましく、１２，０００以下が更に好ましい。
【0034】
成分Ａが成分Ａ２である場合、成分Ａの重量平均分子量は、研磨速度を向上する観点から、８００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、１，５００以上が更に好ましく、２，０００以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１００，０００以下が好ましく、５０，０００以下がより好ましく、３０，０００以下が更に好ましく、２０，０００以下が更に好ましく、１５，０００以下が更に好ましく、１２，０００以下が更に好ましく、１０，０００以下が更に好ましく、７，０００以下が更に好ましく、５，０００以下が更に好ましく、４，０００以下が更に好ましい。
【0035】
本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、一又は複数の実施形態において、１０質量ｐｐｍ以上、２０質量ｐｐｍ以上、又は３０質量ｐｐｍ以上が挙げられ、そして、同様の観点から、一又は複数の実施形態において、２００質量ｐｐｍ以下、１５０質量ｐｐｍ以下、又は１２０質量ｐｐｍ以下が挙げられる。なお、本開示において、１質量％は１０，０００質量ｐｐｍである（以下同じ）。
【0036】
［ノニオン性水溶性高分子（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨後の基板の表面品質を向上する観点から、ノニオン性水溶性高分子（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含有しうる。成分Ｂとしては、同様の観点から、分子内にアルキレンオキサイド基、水酸基、又はアミド基を有するノニオン性水溶性高分子が好ましい。前記アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基等が挙げられる。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨後の基板の表面品質を向上する観点から、ノニオン性水溶性高分子（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含有しうる。成分Ｂとしては、同様の観点から、分子内にアルキレンオキサイド基、水酸基、又はアミド基を有するノニオン性水溶性高分子が好ましい。前記アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基等が挙げられる。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0037】
成分Ｂとしては、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、ポリグリセリン、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリンアルキルエステル、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリヒドロキシエチルアクリルアミド、及び、重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
前記ポリグリセリンアルキルエーテルのアルキル基は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点、及び、研磨液の泡立ち抑制の観点から、炭素数３以上２２以下のアルキル基が好ましく、炭素数５以上１６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数７以上１２以下のアルキル基が更に好ましい。前記アルキル基は、直鎖アルキル基でもよいし、分岐鎖アルキル基でもよい。前記ポリグリセリンアルキルエーテルのグリセリン単位の平均重合度は、濡れ性向上の観点から、５以上であり、１０以上が好ましく、１５以上がより好ましく、１８以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１００以下であり、６０以下が好ましく、４５以下がより好ましく、２５以下が更に好ましい。前記ポリグリセリンアルキルエーテルとしては、例えば、ポリグリセリンラウリルエーテル、ポリグリセリンデシルエーテル、ポリグリセリンミリスチルエーテル等が挙げられる。
前記ポリグリセリンアルキルエステルのアルキル基は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点、及び、研磨液の泡立ち抑制の観点から、炭素数３以上２２以下のアルキル基が好ましく、炭素数５以上１６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数７以上１２以下のアルキル基が更に好ましい。前記アルキル基は、直鎖アルキル基でもよいし、分岐鎖アルキル基でもよい。前記ポリグリセリンアルキルエステルのグリセリン単位の平均重合度は、濡れ性向上の観点から、５以上であり、１０以上が好ましく、１５以上がより好ましく、１８以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１００以下であり、６０以下が好ましく、４５以下がより好ましく、２５以下が更に好ましい。前記ポリグリセリンアルキルエステルとしては、例えば、ポリグリセリンラウリルエステル、ポリグリセリンデシルエステル、ポリグリセリンミリスチルエステル等が挙げられる。
前記ヒドロキシアルキルセルロースは、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース、及びヒドロキシブチルセルロースから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）がより好ましい。
これらの中でも、成分Ｂは、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、ポリグリセリン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ポリグリセリンがより好ましい。
前記ポリグリセリンアルキルエーテルのアルキル基は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点、及び、研磨液の泡立ち抑制の観点から、炭素数３以上２２以下のアルキル基が好ましく、炭素数５以上１６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数７以上１２以下のアルキル基が更に好ましい。前記アルキル基は、直鎖アルキル基でもよいし、分岐鎖アルキル基でもよい。前記ポリグリセリンアルキルエーテルのグリセリン単位の平均重合度は、濡れ性向上の観点から、５以上であり、１０以上が好ましく、１５以上がより好ましく、１８以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１００以下であり、６０以下が好ましく、４５以下がより好ましく、２５以下が更に好ましい。前記ポリグリセリンアルキルエーテルとしては、例えば、ポリグリセリンラウリルエーテル、ポリグリセリンデシルエーテル、ポリグリセリンミリスチルエーテル等が挙げられる。
前記ポリグリセリンアルキルエステルのアルキル基は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点、及び、研磨液の泡立ち抑制の観点から、炭素数３以上２２以下のアルキル基が好ましく、炭素数５以上１６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数７以上１２以下のアルキル基が更に好ましい。前記アルキル基は、直鎖アルキル基でもよいし、分岐鎖アルキル基でもよい。前記ポリグリセリンアルキルエステルのグリセリン単位の平均重合度は、濡れ性向上の観点から、５以上であり、１０以上が好ましく、１５以上がより好ましく、１８以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１００以下であり、６０以下が好ましく、４５以下がより好ましく、２５以下が更に好ましい。前記ポリグリセリンアルキルエステルとしては、例えば、ポリグリセリンラウリルエステル、ポリグリセリンデシルエステル、ポリグリセリンミリスチルエステル等が挙げられる。
前記ヒドロキシアルキルセルロースは、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース、及びヒドロキシブチルセルロースから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）がより好ましい。
これらの中でも、成分Ｂは、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、ポリグリセリン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ポリグリセリンがより好ましい。
【0038】
成分Ｂの重量平均分子量は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、３００以上が好ましく、５００以上がより好ましく、１,０００以上が更に好ましく、１,５００以上が更に好ましく、２,０００以上が更に好ましく、そして、同様の観点、及び研磨液の濾過性の観点から、５０万未満が好ましく、４０万以下がより好ましく、３０万以下が更に好ましく、１５万以下が更に好ましく、１０万以下が更に好ましく、５万以下が更に好ましく、２万以下が更に好ましく、１万以下が更に好ましい。
成分Ｂがポリグリセリンである場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、１,０００以上が好ましく、１,５００以上がより好ましく、２,０００以上が更に好ましく、そして、１００００以下が好ましく、８０００以下がより好ましく、６０００以下が更に好ましい。
成分Ｂがポリビニルアルコール（ＰＶＡ）である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、５,０００以上が好ましく、１０,０００以上がより好ましく、２０,０００以上が更に好ましく、そして、１５万以下が好ましく、１２万以下がより好ましく、１０万以下が更に好ましい。
成分Ｂがポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、５０００以上が好ましく、１００００以上がより好ましく、２００００以上が更に好ましく、そして、１５万以下が好ましく、１２万以下がより好ましく、１０万以下が更に好ましい。
成分Ｂがヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、５万以上が好ましく、１０万以上がより好ましく、１５万以上が更に好ましく、そして、５０万以下が好ましく、４０万以下がより好ましく、３０万以下が更に好ましい。
成分Ｂが重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、５００以上が好ましく、そして、９００以下が好ましく、８００以下がより好ましい。
成分Ｂの重量平均分子量は後の実施例に記載の方法により測定できる。
成分Ｂがポリグリセリンである場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、１,０００以上が好ましく、１,５００以上がより好ましく、２,０００以上が更に好ましく、そして、１００００以下が好ましく、８０００以下がより好ましく、６０００以下が更に好ましい。
成分Ｂがポリビニルアルコール（ＰＶＡ）である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、５,０００以上が好ましく、１０,０００以上がより好ましく、２０,０００以上が更に好ましく、そして、１５万以下が好ましく、１２万以下がより好ましく、１０万以下が更に好ましい。
成分Ｂがポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、５０００以上が好ましく、１００００以上がより好ましく、２００００以上が更に好ましく、そして、１５万以下が好ましく、１２万以下がより好ましく、１０万以下が更に好ましい。
成分Ｂがヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、５万以上が好ましく、１０万以上がより好ましく、１５万以上が更に好ましく、そして、５０万以下が好ましく、４０万以下がより好ましく、３０万以下が更に好ましい。
成分Ｂが重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、５００以上が好ましく、そして、９００以下が好ましく、８００以下がより好ましい。
成分Ｂの重量平均分子量は後の実施例に記載の方法により測定できる。
【0039】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、一又は複数の実施形態において、０質量ｐｐｍ以上、２質量ｐｐｍ以上、１０質量ｐｐｍ以上、２０質量ｐｐｍ以上、３０質量ｐｐｍ以上、５０質量ｐｐｍ以上、又は１００質量ｐｐｍ以上が挙げられ、そして、１,０００質量ｐｐｍ以下、５００質量ｐｐｍ以下、３００質量ｐｐｍ以下、又は２００質量ｐｐｍ以下が挙げられる。成分Ｂが２種以上の組合せの場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0040】
本開示の研磨液組成物中の成分Ａと成分Ｂの合計含有量は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、２０質量ｐｐｍ以上が好ましく、４０質量ｐｐｍ以上がより好ましく、６０質量ｐｐｍ以上が更に好ましく、８０質量ｐｐｍ以上が更に好ましく、９０質量ｐｐｍ以上が更に好ましい。そして、同様の観点から、４００質量ｐｐｍ以下が好ましく、３５０質量ｐｐｍ以下がより好ましく、３００質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、２６０質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、２４０質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、２２０質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。本開示の研磨液組成物中の成分Ａと成分Ｂの合計含有量は、同様の観点から、２０質量ｐｐｍ以上４００質量ｐｐｍ以下が好ましく、４０質量ｐｐｍ以上３５０ｐｐｍ質量ｐｐｍ以下がより好ましく、６０質量ｐｐｍ以上３００質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、８０質量ｐｐｍ以上２６０質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、９０質量ｐｐｍ以上２４０質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、９０質量ｐｐｍ以上２２０質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。
【0041】
［研磨砥粒：シリカ粒子（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物に含まれうる研磨砥粒は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子（以下、「成分Ｃ」ともいう）である。成分Ｃとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、又はそれらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、研磨速度の向上と保存安定性とを両立する観点、及び、表面粗さ（ヘイズ）、表面欠陥及びスクラッチの低減等の表面品質の向上する観点から、コロイダルシリカが好ましい。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれうる研磨砥粒は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子（以下、「成分Ｃ」ともいう）である。成分Ｃとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、又はそれらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、研磨速度の向上と保存安定性とを両立する観点、及び、表面粗さ（ヘイズ）、表面欠陥及びスクラッチの低減等の表面品質の向上する観点から、コロイダルシリカが好ましい。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0042】
成分Ｃの使用形態としては、操作性の観点から、スラリー状が好ましい。本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ｃがコロイダルシリカである場合、アルカリ金属やアルカリ土類金属等によるシリコン基板の汚染を防止する観点から、コロイダルシリカは、アルコキシシランの加水分解物から得たものであることが好ましい。アルコキシシランの加水分解物から得られるシリカ粒子は、従来から公知の方法によって作製できる。
【0043】
成分Ｃの平均一次粒子径は、研磨速度を維持する観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、５０ｎｍ以下が好ましく、４５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ｃの平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以上４５ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が更に好ましい。
本開示において、成分Ｃの平均一次粒子径は、窒素吸着法（ＢＥＴ法）によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出される。平均一次粒子径の値は、実施例に記載する方法で測定される値である。
本開示において、成分Ｃの平均一次粒子径は、窒素吸着法（ＢＥＴ法）によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出される。平均一次粒子径の値は、実施例に記載する方法で測定される値である。
【0044】
成分Ｃの平均二次粒子径は、研磨速度を維持する観点から、２０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、４０ｎｍ以上が更に好ましく、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ｃの平均二次粒子径は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上９０ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が更に好ましい。
本開示において、平均二次粒子径は、動的光散乱（ＤＬＳ）法によって測定される値であり、実施例に記載する方法で測定される値である。
本開示において、平均二次粒子径は、動的光散乱（ＤＬＳ）法によって測定される値であり、実施例に記載する方法で測定される値である。
【0045】
成分Ｃの会合度は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、３以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、２．３以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、１．１以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、１．８以上が更に好ましい。
【0046】
本開示において、成分Ｃの会合度とは、シリカ粒子の形状を表す係数であり、下記式により算出される。
会合度＝平均二次粒子径／平均一次粒子径
会合度＝平均二次粒子径／平均一次粒子径
【0047】
成分Ｃの会合度の調整方法としては、例えば、特開平６－２５４３８３号公報、特開平１１－２１４３３８号公報、特開平１１－６０２３２号公報、特開２００５－０６０２１７号公報、特開２００５－０６０２１９号公報等に記載の方法を採用することができる。
【0048】
成分Ｃの形状は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、いわゆる球型及び／又はいわゆるマユ型であることが好ましい。
【0049】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、ＳｉＯ2換算で、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．０７質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、２．５質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．８質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が更により好ましく、０．３質量％以下が更により好ましい。本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、０．０１質量％以上２．５質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以上０．８質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．０７質量％以上０．３質量％以下が更により好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せの場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0050】
本開示の研磨液組成物中における成分Ｃの含有量に対する成分Ａの含有量の比（質量比Ａ／Ｃ）は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、０．００１以上が好ましく、０．００５以上がより好ましく、０．００８以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．２以下が好ましく、０．１８以下がより好ましく、０．１６以下が更に好ましい。
【0051】
本開示の研磨液組成物中における成分Ｃの含有量に対する成分Ｂの含有量の比（質量比Ｂ／Ｃ）は、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、０．０００５以上が好ましく、０．００１以上がより好ましく、０．００１２以上が更に好ましく、そして、０．４以下が好ましく、０．２以下がより好ましく、０．１８以下が更に好ましく、０．１７以下が更に好ましい。
【0052】
［水］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、水を含んでいてもよい。水としては、例えば、イオン交換水や超純水等の水が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び後述する任意成分の残余とすることができる。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、水を含んでいてもよい。水としては、例えば、イオン交換水や超純水等の水が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び後述する任意成分の残余とすることができる。
【0053】
［含窒素塩基性化合物（成分Ｄ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、ｐＨを調整する観点から、含窒素塩基性化合物（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含有することが好ましい。成分Ｄとしては、研磨速度の向上と保存安定性とを両立する観点、及び、表面品質を向上する観点から、水溶性の含窒素塩基性化合物であることが好ましい。本開示において、「水溶性の含窒素塩基性」とは、水に溶解したときに塩基性を示す含窒素化合物をいう。成分Ｄは、一又は複数の実施形態において、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子（成分Ａ）を含めないものとする。成分Ｄは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、ｐＨを調整する観点から、含窒素塩基性化合物（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含有することが好ましい。成分Ｄとしては、研磨速度の向上と保存安定性とを両立する観点、及び、表面品質を向上する観点から、水溶性の含窒素塩基性化合物であることが好ましい。本開示において、「水溶性の含窒素塩基性」とは、水に溶解したときに塩基性を示す含窒素化合物をいう。成分Ｄは、一又は複数の実施形態において、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子（成分Ａ）を含めないものとする。成分Ｄは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0054】
成分Ｄとしては、一又は複数の実施形態において、アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。成分Ｄとしては、例えば、アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ一メチルエタノールアミン、Ｎ－メチル－Ｎ，Ｎ一ジエタノ－ルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジブチルエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノ－ルアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、及びヒドロキシアミンから選ばれる１種又は２種以上の組合せが挙げられる。なかでも、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、成分Ｄとしては、アンモニア、又は、アンモニアとヒドロキシアミンの混合物が好ましく、アンモニアがより好ましい。
【0055】
本開示の研磨液組成物が成分Ｄを含む場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、研磨速度を向上する観点から、５質量ｐｐｍ以上が好ましく、１０質量ｐｐｍ以上がより好ましく、２０質量ｐｐｍ以上が更に好ましく、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、５００質量ｐｐｍ以下が好ましく、３００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、１５０質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、１００質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ｄの含有量は、５質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下が好ましく１０質量ｐｐｍ以上３００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、２０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、２０質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の組合せの場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0056】
本開示の研磨液組成物が成分Ｄを含む場合、本開示の研磨液組成物中における成分Ｃの含有量に対する成分Ｄの含有量の比Ｄ／Ｃ（質量比Ｄ／Ｃ）は、研磨速度を向上する観点から、０．００２以上が好ましく、０．０１以上がより好ましく、０．０１５以上が更に好ましく、そして、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、１以下が好ましく、０．５以下がより好ましく、０．１以下が更に好ましく、０．０８以下が更に好ましい。同様の観点から、質量比Ｄ／Ｃは、０．００２以上１以下が好ましく、０．０１以上０．５以下がより好ましく、０．０１５以上０．１以下が更に好ましく、０．０１５以上０．０８以下が更に好ましい。
【0057】
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、本開示の効果が妨げられない範囲で、その他の成分をさらに含んでもよい。その他の成分としては、一又は複数の実施形態において、成分Ａ，Ｂ以外の水溶性高分子、成分Ｄ以外のｐＨ調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤、及び酸化剤等が挙げられる。
本開示の研磨液組成物は、本開示の効果が妨げられない範囲で、その他の成分をさらに含んでもよい。その他の成分としては、一又は複数の実施形態において、成分Ａ，Ｂ以外の水溶性高分子、成分Ｄ以外のｐＨ調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤、及び酸化剤等が挙げられる。
【0058】
［ｐＨ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、８．５超であり、９以上が好ましく、９．５以上が更に好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１４以下であり、１３以下が好ましく、１２．５以下がより好ましく、１２以下が更に好ましく、１１．５以下が更に好ましく、１１以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、８．５超以上１４以下であり、９以上１３以下が好ましく、９．５以上１２．５以下がより好ましく、９．５以上１２以下が更に好ましく、９．５以上１１．５以下が更に好ましく、１０以上１１以下が更に好ましい。本開示の研磨液組成物のｐＨは、成分Ｄや公知のｐＨ調整剤を用いて調整できる。本開示において、上記ｐＨは、実施例に記載する方法で測定される値である。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、８．５超であり、９以上が好ましく、９．５以上が更に好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１４以下であり、１３以下が好ましく、１２．５以下がより好ましく、１２以下が更に好ましく、１１．５以下が更に好ましく、１１以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、８．５超以上１４以下であり、９以上１３以下が好ましく、９．５以上１２．５以下がより好ましく、９．５以上１２以下が更に好ましく、９．５以上１１．５以下が更に好ましく、１０以上１１以下が更に好ましい。本開示の研磨液組成物のｐＨは、成分Ｄや公知のｐＨ調整剤を用いて調整できる。本開示において、上記ｐＨは、実施例に記載する方法で測定される値である。
【0059】
［ｐＨ－ｐＫａ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、成分ＡのｐＫａより大きいことが好ましい。ｐＨとｐＫａとの差（ｐＨ－ｐＫａ）は、同様の観点から、０超が好ましく、０．５以上がより好ましく、１以上が更に好ましく、１．５以上が更に好ましく、２以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、７以下が好ましく、６以下がより好ましく、５．５以下が更に好ましく、５以下が更に好ましく、４．５以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度と研磨後基板表面品質とを調整する観点から、成分ＡのｐＫａより大きいことが好ましい。ｐＨとｐＫａとの差（ｐＨ－ｐＫａ）は、同様の観点から、０超が好ましく、０．５以上がより好ましく、１以上が更に好ましく、１．５以上が更に好ましく、２以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、７以下が好ましく、６以下がより好ましく、５．５以下が更に好ましく、５以下が更に好ましく、４．５以下が更に好ましい。
【0060】
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ及び成分Ｂと、さらに所望により、水、成分Ｃ及び成分Ｄ並びにその他の成分とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示の研磨液組成物は、例えば、少なくとも成分Ａと成分Ｂとを配合することにより製造できる。したがって、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、及び成分Ｂを配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、並びに、必要に応じて水、成分Ｃ及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル、又はビーズミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。上記本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
【0061】
本開示において、「研磨液組成物中の各成分の含有量」は、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における各成分の含有量をいう。
【0062】
本開示の研磨液組成物は、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮物として製造され、使用時に希釈されてもよい。希釈倍率としては、製造及び輸送コストの観点から、好ましくは２倍以上であり、より好ましくは１０倍以上、更に好ましくは３０倍以上、更に好ましくは５０倍以上であり、保存安定性の観点から、好ましくは１８０倍以下であり、より好ましくは１４０倍以下、更に好ましくは１００倍以下、更に好ましくは７０倍以下である。本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に各成分の含有量が、上述した含有量（すなわち、使用時の含有量）となるように水で希釈して使用することができる。本開示において研磨液組成物の濃縮物の「使用時」とは、研磨液組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。
【0063】
［調整方法］
本開示の調整方法は、上述した本開示の研磨液組成物を用いて、成分Ａと成分Ｂの含有量比を変えることにより、シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質を調整する方法である。本開示の調整方法によれば、成分Ａと成分Ｂの含有量の比を変えることにより、研磨速度の効果と基板の表面品質の効果を変えることができる。よって、「シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質を調整する」とは、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて研磨をする際に、研磨液組成物を、研磨後基板の表面品質の向上よりも研磨速度の向上を優先した組成とすることを含み、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて研磨をする際に、研磨液組成物を、研磨速度の向上よりも研磨後基板の表面品質の向上を優先した組成とすることを含み、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて研磨をする際に、研磨液組成物を、研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上のバランスがとれた組成とすることを含む。
本開示の調整方法は、その他の一又は複数の実施形態において、上述のように研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上とが調整された一又は複数の研磨液組成物により被研磨シリコン基板の研磨することで、研磨の研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上とを調整することも含む。
本開示の調整方法は、上述した本開示の研磨液組成物を用いて、成分Ａと成分Ｂの含有量比を変えることにより、シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質を調整する方法である。本開示の調整方法によれば、成分Ａと成分Ｂの含有量の比を変えることにより、研磨速度の効果と基板の表面品質の効果を変えることができる。よって、「シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質を調整する」とは、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて研磨をする際に、研磨液組成物を、研磨後基板の表面品質の向上よりも研磨速度の向上を優先した組成とすることを含み、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて研磨をする際に、研磨液組成物を、研磨速度の向上よりも研磨後基板の表面品質の向上を優先した組成とすることを含み、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて研磨をする際に、研磨液組成物を、研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上のバランスがとれた組成とすることを含む。
本開示の調整方法は、その他の一又は複数の実施形態において、上述のように研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上とが調整された一又は複数の研磨液組成物により被研磨シリコン基板の研磨することで、研磨の研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上とを調整することも含む。
【0064】
研磨速度の向上を優先した組成とする場合、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物における成分Ａの比率を高くすることが挙げられる。
成分Ａの比率と高くする場合、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物中の成分Ａと成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの割合［Ａ／（Ａ＋Ｂ）］を、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、より更に好ましくは９０質量％以上、より更に好ましくは９５質量％以上、より更に好ましくは９８質量％以上、より更に好ましくは実質的に１００質量％とすることが挙げられる。
本開示において、割合［Ａ／（Ａ＋Ｂ）］が実質的に１００質量％とは、一又は複数の実施形態において、成分Ｂが０質量％あるいは意図的に添加又は配合されていない場合が挙げられる。
成分Ａの比率と高くする場合、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物中の成分Ａと成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの割合［Ａ／（Ａ＋Ｂ）］を、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、より更に好ましくは９０質量％以上、より更に好ましくは９５質量％以上、より更に好ましくは９８質量％以上、より更に好ましくは実質的に１００質量％とすることが挙げられる。
本開示において、割合［Ａ／（Ａ＋Ｂ）］が実質的に１００質量％とは、一又は複数の実施形態において、成分Ｂが０質量％あるいは意図的に添加又は配合されていない場合が挙げられる。
【0065】
研磨後基板の表面品質の向上を優先した組成とする場合、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物における成分Ｂの比率を高くすることが挙げられる。
成分Ｂの比率と高くする場合、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物中の成分Ａと成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］を、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、より更に好ましくは９０質量％以上、より更に好ましくは９５質量％以上、より更に好ましくは９８質量％以上、より更に好ましくは実質的に１００質量％とすることが挙げられる。
本開示において、割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］が実質的に１００質量％とは、一又は複数の実施形態において、成分Ａが０質量％あるいは意図的に添加又は配合されていない場合が挙げられる。
成分Ｂの比率と高くする場合、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物中の成分Ａと成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］を、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、より更に好ましくは９０質量％以上、より更に好ましくは９５質量％以上、より更に好ましくは９８質量％以上、より更に好ましくは実質的に１００質量％とすることが挙げられる。
本開示において、割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］が実質的に１００質量％とは、一又は複数の実施形態において、成分Ａが０質量％あるいは意図的に添加又は配合されていない場合が挙げられる。
【0066】
研磨速度の向上を優先した組成とする場合、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有することが好ましい。
研磨後基板の表面品質の向上を優先した組成とする場合、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物を用いることもできる。
研磨後基板の表面品質の向上を優先した組成とする場合、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物を用いることもできる。
【0067】
［研磨工程の調整］
本開示の調整方法は、一又は複数の実施形態において、上述のように研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上とが調整された２以上の研磨液組成物を用いて研磨することで、研磨工程における研磨の研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上とを調整することも含む。
一又は複数の実施形態において、ある表面品質の基板を得るにあたり、最初は研磨速度の向上を優先した成分Ａの含有比率の高い研磨液組成物を用いて研磨し、次に研磨後基板の表面品質の向上を優先した成分Ｂの含有比率の高い研磨液組成物を用いて研磨を行う。このように、本開示の調整方法は、２以上の研磨液組成物中の成分Ａ及び成分Ｂの含有比率を変更して、所定の表面品質を得るまでの研磨時間が短くなる研磨液組成物の組み合わせを選ぶこと、及びそれらを用いて研磨することを含む。これらの研磨液を用いることにより、生産を高めることができ、研磨にかかるコストを下げることができる。
本開示の調整方法は、２以上の研磨液組成物中の成分Ａ及び成分Ｂの含有比率を変更することに加えて、成分Ａ及び成分Ｂの合計の含有量を変更することを含んでもよい。
本開示の調整方法は、３以上の研磨液組成物の組み合わせを選ぶことを含みうる。
本開示の調整方法は、一又は複数の実施形態において、上述のように研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上とが調整された２以上の研磨液組成物を用いて研磨することで、研磨工程における研磨の研磨速度の向上と研磨後基板の表面品質の向上とを調整することも含む。
一又は複数の実施形態において、ある表面品質の基板を得るにあたり、最初は研磨速度の向上を優先した成分Ａの含有比率の高い研磨液組成物を用いて研磨し、次に研磨後基板の表面品質の向上を優先した成分Ｂの含有比率の高い研磨液組成物を用いて研磨を行う。このように、本開示の調整方法は、２以上の研磨液組成物中の成分Ａ及び成分Ｂの含有比率を変更して、所定の表面品質を得るまでの研磨時間が短くなる研磨液組成物の組み合わせを選ぶこと、及びそれらを用いて研磨することを含む。これらの研磨液を用いることにより、生産を高めることができ、研磨にかかるコストを下げることができる。
本開示の調整方法は、２以上の研磨液組成物中の成分Ａ及び成分Ｂの含有比率を変更することに加えて、成分Ａ及び成分Ｂの合計の含有量を変更することを含んでもよい。
本開示の調整方法は、３以上の研磨液組成物の組み合わせを選ぶことを含みうる。
【0068】
本開示の研磨液組成物を２以上の組み合わせで使用して研磨する場合、１つの研磨定盤に２以上の研磨液組成物を切り替えて供給することで研磨することができる。あるいは、２以上の組み合わせの研磨液組成物ごとに研磨定盤を変えて研磨することもできる。
同じ研磨定盤において成分Ａ及び成分Ｂのそれぞれの貯蔵容器からチューブ等を用いて供給し、研磨定盤に導入する前に混合して研磨液に導入するシステムを用い、成分Ａと成分Ｂの供給量を変更して連続的に含有比率を変えて研磨する形態も、本開示における調整方法の２以上研磨液組成物を用いて研磨する場合に該当しうる。
同じ研磨定盤において成分Ａ及び成分Ｂのそれぞれの貯蔵容器からチューブ等を用いて供給し、研磨定盤に導入する前に混合して研磨液に導入するシステムを用い、成分Ａと成分Ｂの供給量を変更して連続的に含有比率を変えて研磨する形態も、本開示における調整方法の２以上研磨液組成物を用いて研磨する場合に該当しうる。
【0069】
［シリコン基板の研磨方法］
本開示の調整方法は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の向上と表面品質の向上とを両立する観点から、仕上げ研磨工程で用いられることが好ましい。
本開示の調整方法は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の向上と表面品質の向上とを両立する観点から、仕上げ研磨工程で用いられることが好ましい。
【0070】
本開示の調整方法が用いられる仕上げ研磨工程としては、本開示の効果がより発揮される観点から、シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、該仕上げ研磨工程２よりも前の研磨工程である仕上げ研磨工程１とを備え、該仕上げ研磨工程１と該仕上げ研磨工程２とがこの順で行われる研磨工程が好ましく、シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、該仕上げ研磨工程２の１段階前の研磨工程である仕上げ研磨工程１を備え、該仕上げ研磨工程１と該仕上げ研磨工程２とが連続する研磨工程がより好ましい。
【0071】
仕上げ研磨工程１では、研磨液組成物は、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合［Ａ／（Ａ＋Ｂ）］が高い研磨液組成物で研磨し、仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］の高い研磨液で研磨することが好ましい。
仕上げ工程２で用いる研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有しても、しなくてもよい。また、仕上げ研磨工程２において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨した後、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨してもよい。
仕上げ工程２で用いる研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有しても、しなくてもよい。また、仕上げ研磨工程２において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨した後、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨してもよい。
【0072】
よって、本開示は一態様において、シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、仕上げ研磨工程２よりも前の研磨工程である仕上げ研磨工程１とを備え、仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２とがこの順で行われるシリコン基板の研磨方法であって、
仕上げ研磨工程１及び２において使用される研磨液組成物は成分Ａ及び成分Ｂからなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、該仕上げ研磨工程１では、該研磨液組成物は成分Ｃを含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨し、
仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨するシリコン基板の研磨方法に関する。本態様のシリコン基板の研磨方法によれば、研磨速度と表面品質を向上することができる。
仕上げ研磨工程１及び２において使用される研磨液組成物は成分Ａ及び成分Ｂからなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、該仕上げ研磨工程１では、該研磨液組成物は成分Ｃを含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨し、
仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨するシリコン基板の研磨方法に関する。本態様のシリコン基板の研磨方法によれば、研磨速度と表面品質を向上することができる。
【0073】
仕上げ研磨工程１で用いる研磨液組成物の割合［Ａ／（Ａ＋Ｂ）］は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、より更に好ましくは９０質量％以上、より更に好ましくは９５質量％以上、より更に好ましくは９８質量％以上、より更に好ましくは実質的に１００質量％である。
また、仕上げ研磨工程２で用いる研磨液組成物の割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］は、表面品質を向上させる観点から、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、より更に好ましくは９０質量％以上、より更に好ましくは９５質量％以上、より更に好ましくは９８質量％以上、より更に好ましくは実質的に１００質量％である。
また、仕上げ研磨工程２で用いる研磨液組成物の割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］は、表面品質を向上させる観点から、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、より更に好ましくは９０質量％以上、より更に好ましくは９５質量％以上、より更に好ましくは９８質量％以上、より更に好ましくは実質的に１００質量％である。
【0074】
本開示の研磨方法における仕上げ研磨工程１及び２では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤に被研磨シリコン基板を押し付けて、３～２０ｋＰａの研磨圧力で被研磨シリコン基板を研磨することができる。本開示において、研磨圧力とは、研磨時に被研磨シリコン基板の被研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。
【0075】
本開示の研磨方法における仕上げ研磨工程１及び２では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤に被研磨シリコン基板を押し付けて、１５℃以上４０℃以下の研磨液組成物及び研磨パッド表面温度で被研磨シリコン基板を研磨することができる。研磨液組成物の温度及び研磨パッド表面温度としては、研磨速度向上と表面粗さ（ヘイズ）低減等の表面品質との両立の観点から、１５℃以上又は２０℃以上が好ましく、４０℃以下又は３０℃以下が好ましい。
【0076】
仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２は、１つの研磨定盤（同じ研磨定盤）で行うことができる。あるいは、仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２は、研磨定盤を変えて行う、すなわち、仕上げ研磨工程２を、仕上げ研磨工程１で使用した研磨定盤とは別の研磨定盤で行うこともできる。
仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２を同じ研磨定盤で行う場合、成分Ａ及び成分Ｂのそれぞれの貯蔵容器からチューブ等を用いて供給し、研磨定盤に導入する前に混合して研磨液に導入するシステムを用いて、成分Ａと成分Ｂの供給量を変更して連続的に含有比率を変えて研磨してもよい。
仕上げ研磨工程２において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨した後、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨する場合、同じ研磨定盤で行うことができる。あるいは、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨する工程を、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨する工程で使用した研磨定盤とは別の研磨定盤で行うことができる。
仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２を同じ研磨定盤で行う場合、成分Ａ及び成分Ｂのそれぞれの貯蔵容器からチューブ等を用いて供給し、研磨定盤に導入する前に混合して研磨液に導入するシステムを用いて、成分Ａと成分Ｂの供給量を変更して連続的に含有比率を変えて研磨してもよい。
仕上げ研磨工程２において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨した後、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨する場合、同じ研磨定盤で行うことができる。あるいは、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨する工程を、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨する工程で使用した研磨定盤とは別の研磨定盤で行うことができる。
【0077】
［半導体基板の製造方法］
本開示は、一態様において、本開示の調製方法、又は、本開示の研磨方法を行うことを含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程（以下、「洗浄工程」ともいう）と、を含むことができる。本開示の半導体基板製造方法によれば、本開示の調製方法、又は、本開示の研磨方法を用いることで、研磨速度向上と表面品質の向上とを両立できるため、高品質の半導体基板を高収率で、生産性よく、安価に製造できる。
本開示は、一態様において、本開示の調製方法、又は、本開示の研磨方法を行うことを含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程（以下、「洗浄工程」ともいう）と、を含むことができる。本開示の半導体基板製造方法によれば、本開示の調製方法、又は、本開示の研磨方法を用いることで、研磨速度向上と表面品質の向上とを両立できるため、高品質の半導体基板を高収率で、生産性よく、安価に製造できる。
【0078】
本開示の半導体基板製造方法における研磨工程は、例えば、単結晶シリコンインゴットを薄円板状にスライスすることにより得られた単結晶シリコン基板を平面化するラッピング（粗研磨）工程と、ラッピング単結晶されたシリコン基板をエッチングした後、単結晶シリコン基板表面を鏡面化する仕上げ研磨工程とを含むことができる。本開示の調整方法は、研磨速度の向上と表面品質の向上とを両立する観点から、上記仕上げ研磨工程で用いられるとより好ましい。本開示の調製方法が用いられる仕上げ研磨工程としては、上述したものが挙げられる。本開示の半導体基板製造方法における研磨工程では、上述した本開示の研磨方法における仕上げ研磨工程１及び２と同様の条件（研磨圧力、研磨組成物及び研磨パッド表面温度等）で研磨を行うことができる。
【0079】
本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、前記研磨工程の前に、研磨液組成物の濃縮物を希釈する希釈工程を含んでいてもよい。希釈媒には、例えば、水を用いることができる。
【0080】
本開示の半導体基板製造方法における洗浄工程では、シリコン基板表面上の残留物低減の観点から、無機物洗浄を行うことが好ましい。無機物洗浄で用いる洗浄剤としては、例えば、過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸、フッ酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも１種を含む無機物洗浄剤が挙げられる。
【0081】
本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、前記洗浄工程の後に、洗浄後のシリコン基板を水でリンスし、乾燥する工程を更に含むことができる。
【0082】
本開示の半導体基板製造方法における研磨工程が、上述した仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２とがこの順で行われる研磨工程である場合、仕上げ研磨工程１を行った後、洗浄、乾燥を行い、仕上げ研磨工程２を行ってもよい。また、仕上げ研磨工程１を行った後、洗浄、乾燥を行なわずに、仕上げ研磨工程２を行ってもよい。生産性向上の観点から、仕上げ研磨工程１を行った後、洗浄、乾燥を行なわずに、仕上げ研磨工程２を行うことが好ましい。
【0083】
本開示は、さらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
＜１＞ ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有する研磨液組成物を用いて、成分Ａと成分Ｂの含有量比を変えることにより、シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質を調整する方法。
＜２＞ ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、研磨液組成物のｐＨが９以上１２以下であり、該ｐＨと該ｐＫａの差［ｐＨ－ｐＫａ］が２以上６以下する研磨液組成物を用いて、成分Ａと成分Ｂの含有量比を変えることによる、＜１＞に記載の方法。
＜３＞ 成分Ａがポリアリルアミンとグリシドール誘導体との反応物及び上記式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含む化合物から選ばれる少なくとも１種であり、成分Ｂがポリグリセリン、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリンアルキルエステル、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリヒドロキシエチルアクリルアミド、及び、重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である、＜１＞または＜２＞に記載の方法。
＜４＞ 前記研磨液組成物中の成分Ａの含有量が０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍであり、前記研磨液組成物中の成分Ｂの含有量が０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍである、＜１＞乃至＜３＞の何れか１つに記載の方法。
＜５＞ 成分Ａの重量平均分子量が８００以上１２０００以下であり、成分Ｂの重量平均分子量が３００以上３０万以下である、＜１＞乃至＜４＞の何れか１つに記載の方法。
＜６＞ 前記研磨液組成物がさらにシリカ粒子（成分Ｃ）を含有する、＜１＞乃至＜５＞の何れか１つに記載の方法。
＜７＞ 前記研磨液組成物中の成分Ｃの含有量が０．０７質量％以上０．３質量％以下、であり、シリコン基板が単結晶シリコン基板である、＜１＞乃至＜６＞の何れか１つに記載の方法。
＜８＞ 前記研磨液組成物中の成分Ｃの含有量が０．１質量％以上０．８質量％以下、であり、シリコン基板がポリシリコン基板である、＜１＞乃至＜６＞の何れか１つに記載の方法。
＜９＞ シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、仕上げ研磨工程２よりも前の研磨工程である仕上げ研磨工程１とを備え、仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２とがこの順で行われるシリコン基板の研磨方法であって、
仕上げ研磨工程１及び２において使用される研磨液組成物は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、
仕上げ研磨工程１では、研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨し、
仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨する、シリコン基板の研磨方法。
＜１０＞ シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、仕上げ研磨工程２よりも前の研磨工程である仕上げ研磨工程１とを備え、仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２とがこの順で行われるシリコン基板の研磨方法であって、
仕上げ研磨工程１及び２において使用される研磨液組成物は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、研磨液組成物のｐＨが９以上１２以下であり、該ｐＨと該ｐＫａの差［ｐＨ－ｐＫａ］が２以上６以下であり、
仕上げ研磨工程１では、研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨し、
仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨する、＜９＞に記載のシリコン基板の研磨方法。
＜１１＞ 成分Ａがポリアリルアミンとグリシドール誘導体との反応物及び上記式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含む化合物から選ばれる少なくとも１種であり、成分Ｂがポリグリセリン、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリンアルキルエステル、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリヒドロキシエチルアクリルアミド、及び、重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である、＜９＞または＜１０＞に記載の研磨方法。
＜１２＞ 前記研磨液組成物中の成分Ａの含有量が０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍであり、前記研磨液組成物中の成分Ｂの含有量が０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍである、＜９＞乃至＜１１＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１３＞ 成分Ａの重量平均分子量が８００以上１２０００以下であり、成分Ｂの重量平均分子量が３００以上３０万以下である、＜９＞乃至＜１２＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１４＞ 前記研磨液組成物中の成分Ｃの含有量が０．０７質量％以上０．３質量％以下であり、シリコン基板が単結晶シリコン基板である、＜９＞乃至＜１３＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１５＞ 前記仕上げ研磨工程１と前記仕上げ研磨工程２を１つの研磨定盤で行う、＜９＞乃至＜１４＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１６＞ 前記仕上げ研磨工程１と前記仕上げ研磨工程２を研磨定盤を変えて行う、＜９＞乃至＜１４＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１７＞ 前記仕上げ研磨工程２において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨した後、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨する、＜９＞乃至＜１６＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１８＞ ＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の方法、又は、＜９＞から＜１７＞のいずれかに記載の研磨方法を行うことを含む、半導体基板の製造方法。
＜１＞ ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有する研磨液組成物を用いて、成分Ａと成分Ｂの含有量比を変えることにより、シリコン基板の研磨速度と研磨後の基板の表面品質を調整する方法。
＜２＞ ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、研磨液組成物のｐＨが９以上１２以下であり、該ｐＨと該ｐＫａの差［ｐＨ－ｐＫａ］が２以上６以下する研磨液組成物を用いて、成分Ａと成分Ｂの含有量比を変えることによる、＜１＞に記載の方法。
＜３＞ 成分Ａがポリアリルアミンとグリシドール誘導体との反応物及び上記式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含む化合物から選ばれる少なくとも１種であり、成分Ｂがポリグリセリン、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリンアルキルエステル、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリヒドロキシエチルアクリルアミド、及び、重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である、＜１＞または＜２＞に記載の方法。
＜４＞ 前記研磨液組成物中の成分Ａの含有量が０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍであり、前記研磨液組成物中の成分Ｂの含有量が０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍである、＜１＞乃至＜３＞の何れか１つに記載の方法。
＜５＞ 成分Ａの重量平均分子量が８００以上１２０００以下であり、成分Ｂの重量平均分子量が３００以上３０万以下である、＜１＞乃至＜４＞の何れか１つに記載の方法。
＜６＞ 前記研磨液組成物がさらにシリカ粒子（成分Ｃ）を含有する、＜１＞乃至＜５＞の何れか１つに記載の方法。
＜７＞ 前記研磨液組成物中の成分Ｃの含有量が０．０７質量％以上０．３質量％以下、であり、シリコン基板が単結晶シリコン基板である、＜１＞乃至＜６＞の何れか１つに記載の方法。
＜８＞ 前記研磨液組成物中の成分Ｃの含有量が０．１質量％以上０．８質量％以下、であり、シリコン基板がポリシリコン基板である、＜１＞乃至＜６＞の何れか１つに記載の方法。
＜９＞ シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、仕上げ研磨工程２よりも前の研磨工程である仕上げ研磨工程１とを備え、仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２とがこの順で行われるシリコン基板の研磨方法であって、
仕上げ研磨工程１及び２において使用される研磨液組成物は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、
仕上げ研磨工程１では、研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨し、
仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨する、シリコン基板の研磨方法。
＜１０＞ シリコン基板の仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程２と、仕上げ研磨工程２よりも前の研磨工程である仕上げ研磨工程１とを備え、仕上げ研磨工程１と仕上げ研磨工程２とがこの順で行われるシリコン基板の研磨方法であって、
仕上げ研磨工程１及び２において使用される研磨液組成物は、ｐＫａが５以上８．５以下であるアミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）及びノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一方の成分を含有し、研磨液組成物のｐＨが９以上１２以下であり、該ｐＨと該ｐＫａの差［ｐＨ－ｐＫａ］が２以上６以下であり、
仕上げ研磨工程１では、研磨液組成物はシリカ粒子（成分Ｃ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨し、
仕上げ研磨工程２では、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合が５０質量％以上の研磨液組成物で研磨する、＜９＞に記載のシリコン基板の研磨方法。
＜１１＞ 成分Ａがポリアリルアミンとグリシドール誘導体との反応物及び上記式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含む化合物から選ばれる少なくとも１種であり、成分Ｂがポリグリセリン、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリンアルキルエステル、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリヒドロキシエチルアクリルアミド、及び、重量平均分子量が３００以上１,０００以下のポリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である、＜９＞または＜１０＞に記載の研磨方法。
＜１２＞ 前記研磨液組成物中の成分Ａの含有量が０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍであり、前記研磨液組成物中の成分Ｂの含有量が０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍである、＜９＞乃至＜１１＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１３＞ 成分Ａの重量平均分子量が８００以上１２０００以下であり、成分Ｂの重量平均分子量が３００以上３０万以下である、＜９＞乃至＜１２＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１４＞ 前記研磨液組成物中の成分Ｃの含有量が０．０７質量％以上０．３質量％以下であり、シリコン基板が単結晶シリコン基板である、＜９＞乃至＜１３＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１５＞ 前記仕上げ研磨工程１と前記仕上げ研磨工程２を１つの研磨定盤で行う、＜９＞乃至＜１４＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１６＞ 前記仕上げ研磨工程１と前記仕上げ研磨工程２を研磨定盤を変えて行う、＜９＞乃至＜１４＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１７＞ 前記仕上げ研磨工程２において、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有する研磨液組成物で研磨した後、シリカ粒子（成分Ｃ）を含有しない研磨液組成物で研磨する、＜９＞乃至＜１６＞の何れか１つに記載の研磨方法。
＜１８＞ ＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の方法、又は、＜９＞から＜１７＞のいずれかに記載の研磨方法を行うことを含む、半導体基板の製造方法。
【実施例】
【0084】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【0085】
１．研磨液組成物の調製
（研磨液組成物の濃縮物）
表１に示すシリカ粒子（成分Ｃ）、アミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）、ノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）、アンモニア（成分Ｄ）、及び超純水を撹拌混合して、研磨液組成物の濃縮物（６０倍）を得た。濃縮物の２５℃におけるｐＨは１０．３～１１．０であった。
（研磨液組成物）
上記濃縮物をイオン交換水で６０倍希釈して、実施例１～１２の研磨液組成物（ａ１～ａ６、ｂ１～ｂ６）を得た（表１）。表１中の各成分の含有量は、希釈後の研磨液組成物の使用時における各成分の含有量（質量％又は質量ｐｐｍ、有効分）である。超純水の含有量は、成分Ａ～Ｄを除いた残余である。各研磨液組成物（使用時）の２５℃におけるｐＨは、１０．１又は１０．３であった。
２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ－３０Ｇ）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物又はその濃縮物へ浸漬して１分後の数値である。
（研磨液組成物の濃縮物）
表１に示すシリカ粒子（成分Ｃ）、アミノ基含有水溶性高分子化合物（成分Ａ）、ノニオン性水溶性高分子化合物（成分Ｂ）、アンモニア（成分Ｄ）、及び超純水を撹拌混合して、研磨液組成物の濃縮物（６０倍）を得た。濃縮物の２５℃におけるｐＨは１０．３～１１．０であった。
（研磨液組成物）
上記濃縮物をイオン交換水で６０倍希釈して、実施例１～１２の研磨液組成物（ａ１～ａ６、ｂ１～ｂ６）を得た（表１）。表１中の各成分の含有量は、希釈後の研磨液組成物の使用時における各成分の含有量（質量％又は質量ｐｐｍ、有効分）である。超純水の含有量は、成分Ａ～Ｄを除いた残余である。各研磨液組成物（使用時）の２５℃におけるｐＨは、１０．１又は１０．３であった。
２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ－３０Ｇ）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物又はその濃縮物へ浸漬して１分後の数値である。
【0086】
各研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄには下記のものを用いた。
（成分Ａ）
Ａ１：メチルジアリルアミン・二酸化硫黄共重合体［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量３，０００、ｐＫａ７．２］
Ａ２：グリシドール変性ポリアリルアミン（グリシドール変性率：２．０）［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量１１，０００、ｐＫａ６．１］
（成分Ｂ）
Ｂ１：ポリグリセリン［ダイセル社製の「ＸＰＷ」、重合度４０、重量平均分子量２，９８０］
（成分Ｃ）
Ｃ１：コロイダルシリカ［平均一次粒子径３５ｎｍ、平均二次粒子径７０ｎｍ、会合度２．０］
Ｃ２：コロイダルシリカ［平均一次粒子径２５ｎｍ、平均二次粒子径４９ｎｍ、会合度２．０］
（成分Ｄ）
アンモニア［２８質量％アンモニア水、キシダ化学社製、試薬特級］
（成分Ａ）
Ａ１：メチルジアリルアミン・二酸化硫黄共重合体［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量３，０００、ｐＫａ７．２］
Ａ２：グリシドール変性ポリアリルアミン（グリシドール変性率：２．０）［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量１１，０００、ｐＫａ６．１］
（成分Ｂ）
Ｂ１：ポリグリセリン［ダイセル社製の「ＸＰＷ」、重合度４０、重量平均分子量２，９８０］
（成分Ｃ）
Ｃ１：コロイダルシリカ［平均一次粒子径３５ｎｍ、平均二次粒子径７０ｎｍ、会合度２．０］
Ｃ２：コロイダルシリカ［平均一次粒子径２５ｎｍ、平均二次粒子径４９ｎｍ、会合度２．０］
（成分Ｄ）
アンモニア［２８質量％アンモニア水、キシダ化学社製、試薬特級］
【0087】
２．各種パラメータの測定方法
（１）シリカ粒子（成分Ｃ）の平均一次粒子径の測定
成分Ｃの平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ
（１）シリカ粒子（成分Ｃ）の平均一次粒子径の測定
成分Ｃの平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ
【0088】
成分Ｃの比表面積Ｓは、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
［前処理］
（ａ）スラリー状の成分Ｃを硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の成分Ｃをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルタで濾過する。
（ｅ）フィルタ上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルタをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（成分Ｃ）をフィルタ屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
［前処理］
（ａ）スラリー状の成分Ｃを硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の成分Ｃをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルタで濾過する。
（ｅ）フィルタ上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルタをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（成分Ｃ）をフィルタ屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
【0089】
（２）シリカ粒子（成分Ｃ）の平均二次粒子径
成分Ｃの平均二次粒子径（ｎｍ）は、成分Ｃの濃度が０．２５質量％となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製 １０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。
成分Ｃの平均二次粒子径（ｎｍ）は、成分Ｃの濃度が０．２５質量％となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製 １０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。
【0090】
（３）水溶性高分子の重量平均分子量の測定
水溶性高分子（成分Ａ、成分Ｂ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づき算出した。
＜アミノ基含有水溶性高分子（成分Ａ）＞
装置：ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ（東ソー社製、検出器一体型）
カラム：ＧＳ－２２０ＨＱ＋ＧＳ－６２０ＨＱ
溶離液：０．４Ｍ ＮａＣｌ
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：３０℃
検出器：ショーデックスＲＩ ＳＥ－６１示差屈折率検出器
標準物質：分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
＜ノニオン性水溶性高分子（成分Ｂ）＞
装置：ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ（東ソー社製、検出器一体型）
カラム：ＧＭＰＷＸＬ＋ＧＭＰＷＸＬ（アニオン）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝９／１
流量：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出器：ショーデックスＲＩ ＳＥ－６１示差屈折率検出器
標準物質：分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
水溶性高分子（成分Ａ、成分Ｂ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づき算出した。
＜アミノ基含有水溶性高分子（成分Ａ）＞
装置：ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ（東ソー社製、検出器一体型）
カラム：ＧＳ－２２０ＨＱ＋ＧＳ－６２０ＨＱ
溶離液：０．４Ｍ ＮａＣｌ
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：３０℃
検出器：ショーデックスＲＩ ＳＥ－６１示差屈折率検出器
標準物質：分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
＜ノニオン性水溶性高分子（成分Ｂ）＞
装置：ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ（東ソー社製、検出器一体型）
カラム：ＧＭＰＷＸＬ＋ＧＭＰＷＸＬ（アニオン）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝９／１
流量：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出器：ショーデックスＲＩ ＳＥ－６１示差屈折率検出器
標準物質：分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
【0091】
（４）ｐＫａの測定
ＨＭ－４１Ｋ型ｐＨメーター（東亜ＤＫＫ(株)）用いて、１Ｍに調整した成分Ｂの水溶液を０．１Ｍ－塩酸により室温で電位差滴定を行った。得られた滴定曲線からｐＫａを算出した。
ＨＭ－４１Ｋ型ｐＨメーター（東亜ＤＫＫ(株)）用いて、１Ｍに調整した成分Ｂの水溶液を０．１Ｍ－塩酸により室温で電位差滴定を行った。得られた滴定曲線からｐＫａを算出した。
【0092】
（５）グリシドール変性率
グリシドール変性率は、13Ｃ－ＮＭＲを用いて求めた。
＜測定条件＞
試料：グリシドール変性ポリアリルアミン ２００ｍｇを重水０．６ｍＬに溶解
使用装置： ４００ＭＨｚ 13Ｃ－ＮＭＲ（アジレント・テクノロジー株式会社製「Ａｇｉｌｅｎｔ ４００－ＭＲ ＤＤ２」）
測定条件：13Ｃ－ＮＭＲ測定、パルス間隔時間５秒、テトラメチルシランを標準ピーク（σ：０．０ｐｐｍ）として測定
積算回数：５０００回
積分に用いる各ピーク範囲：
Ａ：７１．０～７２．３ｐｐｍ（アミノ基と反応したグリシドールの２級水酸基が結合したＣのピークの積分値）
Ｂ：３２．０～４１．０ｐｐｍ（アリルアミンの主鎖Ｃのピークの積分値）
＜グリシドール変性率＞
グリシドール変性率（アミノ基の当量に対するグリシドールの当量比）は以下の式で求める。
グリシドール変性率（当量比）＝ ２Ａ／Ｂ
グリシドール変性率は、13Ｃ－ＮＭＲを用いて求めた。
＜測定条件＞
試料：グリシドール変性ポリアリルアミン ２００ｍｇを重水０．６ｍＬに溶解
使用装置： ４００ＭＨｚ 13Ｃ－ＮＭＲ（アジレント・テクノロジー株式会社製「Ａｇｉｌｅｎｔ ４００－ＭＲ ＤＤ２」）
測定条件：13Ｃ－ＮＭＲ測定、パルス間隔時間５秒、テトラメチルシランを標準ピーク（σ：０．０ｐｐｍ）として測定
積算回数：５０００回
積分に用いる各ピーク範囲：
Ａ：７１．０～７２．３ｐｐｍ（アミノ基と反応したグリシドールの２級水酸基が結合したＣのピークの積分値）
Ｂ：３２．０～４１．０ｐｐｍ（アリルアミンの主鎖Ｃのピークの積分値）
＜グリシドール変性率＞
グリシドール変性率（アミノ基の当量に対するグリシドールの当量比）は以下の式で求める。
グリシドール変性率（当量比）＝ ２Ａ／Ｂ
【0093】
３．研磨液組成物（ａ１～ａ６、ｂ１～ｂ６）の評価（実施例１～１２）
（１）研磨方法等
各研磨液組成物について、それぞれ研磨直前にフィルタ（コンパクトカートリッジフィルタ「ＭＣＰ－ＬＸ－Ｃ１０Ｓ」、アドバンテック社製）にてろ過を行い、下記の研磨条件で下記の被研磨シリコン基板に対して仕上げ研磨及び洗浄を行った。
＜被研磨シリコン基板＞
単結晶シリコン基板［直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面基板、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率：０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満］
上記単結晶シリコン基板を市販の研磨液組成物(フジミインコーポレーテッド製、ＧＬＡＮＺＯＸ 1302)を用いて予め粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供した単結晶シリコン基板のヘイズは、２～３ｐｐｍであった。
（１）研磨方法等
各研磨液組成物について、それぞれ研磨直前にフィルタ（コンパクトカートリッジフィルタ「ＭＣＰ－ＬＸ－Ｃ１０Ｓ」、アドバンテック社製）にてろ過を行い、下記の研磨条件で下記の被研磨シリコン基板に対して仕上げ研磨及び洗浄を行った。
＜被研磨シリコン基板＞
単結晶シリコン基板［直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面基板、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率：０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満］
上記単結晶シリコン基板を市販の研磨液組成物(フジミインコーポレーテッド製、ＧＬＡＮＺＯＸ 1302)を用いて予め粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供した単結晶シリコン基板のヘイズは、２～３ｐｐｍであった。
【0094】
＜仕上げ研磨条件＞
研磨機：片面８インチ研磨機「ＧＲＩＮＤ－Ｘ ＳＰＰ６００ｓ」（岡本工作製）
研磨パッド：スエードパッド（東レ コーテックス社製、アスカー硬度：６４、厚さ：１．３７ｍｍ、ナップ長：４５０μｍ、開口径：６０μｍ）
シリコン基板研磨圧力：１００ｇ／ｃｍ2
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
研磨時間：５分
研磨液組成物の供給速度：１５０ｇ／ｍｉｎ
研磨液組成物の温度：２３℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ
研磨機：片面８インチ研磨機「ＧＲＩＮＤ－Ｘ ＳＰＰ６００ｓ」（岡本工作製）
研磨パッド：スエードパッド（東レ コーテックス社製、アスカー硬度：６４、厚さ：１．３７ｍｍ、ナップ長：４５０μｍ、開口径：６０μｍ）
シリコン基板研磨圧力：１００ｇ／ｃｍ2
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
研磨時間：５分
研磨液組成物の供給速度：１５０ｇ／ｍｉｎ
研磨液組成物の温度：２３℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ
【0095】
＜洗浄方法＞
仕上げ研磨後、シリコン基板に対して、オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を下記のとおり行った。オゾン洗浄では、２０ｐｐｍのオゾンを含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコン基板の中央に向かって３分間噴射した。このときオゾン水の温度は常温とした。次に希フッ酸洗浄を行った。希フッ酸洗浄では、０．５質量％のフッ化水素アンモニウム（特級、ナカライテクス株式会社）を含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコン基板の中央に向かって６秒間噴射した。上記オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を１セットとして計２セット行い、最後にスピン乾燥を行った。スピン乾燥では１，５００ｒｐｍでシリコン基板を回転させた。
仕上げ研磨後、シリコン基板に対して、オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を下記のとおり行った。オゾン洗浄では、２０ｐｐｍのオゾンを含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコン基板の中央に向かって３分間噴射した。このときオゾン水の温度は常温とした。次に希フッ酸洗浄を行った。希フッ酸洗浄では、０．５質量％のフッ化水素アンモニウム（特級、ナカライテクス株式会社）を含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコン基板の中央に向かって６秒間噴射した。上記オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を１セットとして計２セット行い、最後にスピン乾燥を行った。スピン乾燥では１，５００ｒｐｍでシリコン基板を回転させた。
【0096】
（２）研磨速度の評価
研磨前後の各シリコン基板の重さを精密天秤（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、得られた重量差をシリコン基板の密度、面積および研磨時間で除して、単位時間当たりの片面研磨速度を求めた。結果を表１に示す。なお、研磨後のシリコン基板の重さとは、上記仕上げ研磨及び洗浄を行った後のシリコン基板の重さである。
研磨前後の各シリコン基板の重さを精密天秤（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、得られた重量差をシリコン基板の密度、面積および研磨時間で除して、単位時間当たりの片面研磨速度を求めた。結果を表１に示す。なお、研磨後のシリコン基板の重さとは、上記仕上げ研磨及び洗浄を行った後のシリコン基板の重さである。
【0097】
（３）シリコン基板の表面粗さ（ヘイズ）の測定
上記仕上げ研磨及び洗浄を行った後のシリコン基板の表面粗さを、表面粗さ測定装置「Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１－ＤＬＳ」（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて測定される、暗視野ワイド斜入射チャンネル（ＤＷＯ）での値（ＤＷＯヘイズ）を用いた。結果を表１に示す。ヘイズの値は小さいほど平坦性が高いと評価できる。
上記仕上げ研磨及び洗浄を行った後のシリコン基板の表面粗さを、表面粗さ測定装置「Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１－ＤＬＳ」（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて測定される、暗視野ワイド斜入射チャンネル（ＤＷＯ）での値（ＤＷＯヘイズ）を用いた。結果を表１に示す。ヘイズの値は小さいほど平坦性が高いと評価できる。
【0098】
【表1】
【0099】
表１に示されるように、実施例１、２、５、７、８、及び１１の研磨液組成物は、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ａの含有量の割合［Ａ／（Ａ＋Ｂ）］が５０質量％を超える組成となることで、シリコン基板の研磨速度が研磨後基板の表面品質（ヘイズ）よりも優先するように調整された。また、表１に示されるように、実施例３，４，６，９，１０及び１２の研磨液組成物は、成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量に対する成分Ｂの含有量の割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］が５０質量％を超える組成となることで、研磨後基板の表面品質（ヘイズ）がシリコン基板の研磨速度よりも優先するように調整された。
【0100】
４．２段階仕上げ研磨の評価（実施例２－１、２－２、比較例２－１）
（１）連続研磨
仕上げ研磨を、表２に示す研磨液組成物の組み合わせを用いて行った。仕上げ研磨１を行った後、洗浄および乾燥を行わずに、研磨機（研磨定盤）を変えて仕上げ研磨２を連続して行った以外は、上記３．と同様の研磨条件で行った。
（１）連続研磨
仕上げ研磨を、表２に示す研磨液組成物の組み合わせを用いて行った。仕上げ研磨１を行った後、洗浄および乾燥を行わずに、研磨機（研磨定盤）を変えて仕上げ研磨２を連続して行った以外は、上記３．と同様の研磨条件で行った。
【0101】
（２）合計研磨量の評価
研磨前後の各シリコン基板の重さを精密天秤（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、得られた重量差をシリコン基板の密度及び面積および研磨時間で除して、２段階研磨の合計研磨量（ｎｍ）を求めた。結果を表２に示す。なお、研磨後のシリコン基板の重さとは、上記仕上げ研磨及び洗浄を行った後のシリコン基板の重さである。
研磨前後の各シリコン基板の重さを精密天秤（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、得られた重量差をシリコン基板の密度及び面積および研磨時間で除して、２段階研磨の合計研磨量（ｎｍ）を求めた。結果を表２に示す。なお、研磨後のシリコン基板の重さとは、上記仕上げ研磨及び洗浄を行った後のシリコン基板の重さである。
【0102】
（３）シリコン基板の表面粗さ（ヘイズ）の測定
上記仕上げ研磨及び洗浄を行った後のシリコン基板の表面粗さを、上述と同様に測定した。結果を表２に示す。
上記仕上げ研磨及び洗浄を行った後のシリコン基板の表面粗さを、上述と同様に測定した。結果を表２に示す。
【0103】
【表2】
【0104】
表２に示されるように、実施例２－１及び２－２では、最初の仕上げ研磨１で割合［Ａ／（Ａ＋Ｂ）］が５０質量％を超える組成としてシリコン基板の研磨速度を優先し、最後の仕上げ研磨２で割合［Ｂ／（Ａ＋Ｂ）］が５０質量％を超える組成として研磨後の基板の表面品質を優先するよう調整することで、合計研磨量（見かけの研磨速度）の向上と表面品質の向上を両立できた。
【産業上の利用可能性】
【0105】
本開示の研磨液組成物を用いれば、シリコン基板の研磨速度と研磨後のシリコン基板の表面品質とを調整できる。よって、本開示の研磨液組成物は、様々な半導体基板の製造過程で用いられる研磨液組成物として有用であり、なかでも、シリコン基板の仕上げ研磨用の研磨液組成物として有用である。