特許 7600580出願番号 特願 2020-153052
集積回路、半導体装置
公報発行日 2024年12月17
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7600580 ログイン済みの方はこのURLへ
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技術分野
集積回路、及び半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
ところで、２つのＭＯＳトランジスタのスイッチングが繰り返されると、２つのＭＯＳトランジスタが故障してしまうことがある。特許文献１では、２つのＭＯＳトランジスタが接続された所定のノードに印加する電圧を変化させ、２つのＭＯＳトランジスタの故障を検出している。しかしながら、このような技術を用いる場合、所定のノードの電圧の変化を検出する必要があるため、検出回路が複雑になってしまうという問題があった。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
前述した課題を解決する主たる本発明の集積回路は、電源電圧が印加される第１端子にソース電極が接続された第１ＭＯＳトランジスタのドレイン電極と、負荷が接続される第２端子にソース電極が接続された第２ＭＯＳトランジスタのドレイン電極と、に接続される第１ラインと、前記電源電圧より低い第１電圧が印加される第２ラインと、前記第１ラインがフローティング状態とならないよう、前記第１ラインと、前記第２ラインとを・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、複雑な構成を用いることなくスイッチの故障を検出できる集積回路を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
モータ制御装置１０の一例を示す図である。
【図2】
ＩＰＳ２１の一例を示す図である。
【図3】
電圧生成回路７０の一例を示す図である。
【図4】
電圧生成回路７１の一例を示す図である。
【図5】
放電回路７７の一例を示す図である。
【図6】
検出回路７８の動作を説明するための図である。
【図7】
ＮＭＯＳトランジスタＭ１に電源電圧Ｖｃｃの供給が停止された状態を示す図である。
【図8】
ＯＵＴ端子からコイル１２が外れた場合の状態を示す図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０ モータ制御装置
１１ バッテリー
１２ コイル
１３ ＥＣＵ
２０ マイコン
２１ ＩＰＳ
５０，５１ ＩＣ
６０，６１，８３，１０１，１０２，１１２，１１６，１１７ ダイオード
７０，７１ 電圧生成回路
７２ 制御回路
７３ チャージポンプ回路
７４，７５，８０～８２，１０３，１１３，２０４，２１３ 抵抗
７６，１３０，２０１，２０２，２１０，２１１，Ｍ１，Ｍ２、Ｍ１０，Ｍ１１ ＮＭＯＳトランジスタ
７７ 放電回路
１００，１１０，１１１，１１５ ツェナーダイオード
１０４，１１８，２０３，２１２ ＰＭＯＳトランジスタ
１１４ スイッチ
１３１ 第１回路
１３２ 第２回路
Ｌａ～Ｌｆ ライン
ＩＮ，ＳＴ，ＶＣＣ，ＯＵＴ，ＧＮＤ 端子
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