特許 7601016 加熱炉

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-09

(45)【発行日】2024-12-17

(54)【発明の名称】加熱炉

(51)【国際特許分類】

   F27D 7/04 20060101AFI20241210BHJP

   F27B 9/30 20060101ALI20241210BHJP

   F27D 7/02 20060101ALI20241210BHJP

   F27D 7/06 20060101ALI20241210BHJP

   F27D 19/00 20060101ALI20241210BHJP

【ＦＩ】

F27D7/04

F27B9/30

F27D7/02 A

F27D7/06 C

F27D19/00 A

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2022007622

(22)【出願日】2022-01-21

(65)【公開番号】P2023106725

(43)【公開日】2023-08-02

【審査請求日】2023-08-10

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100130638

【弁理士】

【氏名又は名称】野末 貴弘

(74)【代理人】

【氏名又は名称】西澤 均

(72)【発明者】

【氏名】秋本 茂

(72)【発明者】

【氏名】藤井 祐里

(72)【発明者】

【氏名】雷 健太

【審査官】山内 隆平

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－３５４０４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１５２４０７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｆ２７Ｄ ７／０４

Ｆ２７Ｂ ９／３０

Ｆ２７Ｄ ７／０２

Ｆ２７Ｄ ７／０６

Ｆ２７Ｄ １９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被処理物の熱処理を行うための熱処理空間を有し、前記熱処理空間内に配置された加熱部を備える本体部と、
熱処理を行うために必要なガスを前記本体部の前記熱処理空間に供給するガス供給部と、
前記本体部に接続されたガスラインを有し、前記熱処理空間から前記ガスラインへのガスの吸引と、前記ガスラインに吸引されたガスの前記熱処理空間への噴出とを繰り返し行う吸引噴出部と、
前記ガスラインの内部に配置され、熱交換可能な蓄熱体と、
を備え、
前記ガスラインを介したガスの吸引および噴出時に、前記ガスラインから前記熱処理空間へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、前記熱処理空間から前記ガスラインへ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるように、前記ガスラインが配置され、
前記ガスラインには、一端に位置する第１の吸引噴出口から前記本体部の外側に向かって延伸する第１の延伸部と、他端に位置する第２の吸引噴出口から前記本体部の外側に向かって延伸する第２の延伸部とが含まれており、
前記吸引噴出部は、前記第１の延伸部に配置された第１のファンと、前記第２の延伸部に配置された第２のファンとを備え、
前記ガスラインに配置され、前記熱処理空間から吸引されて前記蓄熱体を通過したガスを冷却するための冷却器をさらに備え、
前記蓄熱体には、前記第１の延伸部に配置された第１の蓄熱体と、前記第２の延伸部に配置された第２の蓄熱体とが含まれ、
前記冷却器には、前記第１の蓄熱体と前記第１のファンとの間に配置された第１の冷却器と、前記第２の蓄熱体と前記第２のファンとの間に配置された第２の冷却器とが含まれることを特徴とする加熱炉。

【請求項2】

前記蓄熱体は、前記ガスラインの内部のうち、前記本体部の内部に位置する部分に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の加熱炉。

【請求項3】

前記蓄熱体は、前記ガスラインの内部のうち、前記本体部を貫通している領域に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の加熱炉。

【請求項4】

前記蓄熱体の一部は、前記本体部の前記熱処理空間内に露出していることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の加熱炉。

【請求項5】

前記被処理物が前記熱処理空間内に載置される載置面に対して、前記被処理物が載置される側に延びる単位法線ベクトルと、前記ガスラインから前記熱処理空間へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が負となるように、前記ガスラインが配置されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の加熱炉。

【請求項6】

前記ガスラインを延伸方向と直交する面で切断したときの断面積のうち、前記熱処理空間側における先端の断面積は、前記蓄熱体が配置されている領域の平均断面積より小さいことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の加熱炉。

【請求項7】

前記吸引噴出部は、前記第１の延伸部に配置され、前記第１のファンの駆動によるガスの流れとは逆向きにガスを流すための第３のファンと、前記第２の延伸部に配置され、前記第２のファンの駆動によるガスの流れとは逆向きにガスを流すための第４のファンとをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の加熱炉。

【請求項8】

前記第１のファンおよび前記第３のファンは、一方のファンの駆動によるガスが他方のファンに向かうように配置されており、
前記第２のファンおよび前記第４のファンは、一方のファンの駆動によるガスが他方のファンに向かうように配置されていることを特徴とする請求項７に記載の加熱炉。

【請求項9】

前記冷却器は、ガスが流れるガス流路と、冷媒が流れる冷媒流路とが交互に積層された熱交換器であることを特徴とする請求項１に記載の加熱炉。

【請求項10】

前記第１の冷却器および前記第２の冷却器は、前記ガスラインの前記第１の延伸部および前記第２の延伸部のうち、ガスの吸引流路となる延伸部に配置されている冷却器の冷却機能はオン、ガスの噴出流路となる延伸部に配置されている冷却器の冷却機能はオフとなるように構成されていることを特徴とする請求項１または９に記載の加熱炉。

【請求項11】

前記ガスラインには、水平方向に延伸する部分と、鉛直方向に延伸する部分が含まれており、
前記蓄熱体は、前記ガスラインのうち、前記水平方向に延伸する部分に配置されており、前記冷却器は、前記鉛直方向に延伸する部分に配置されていることを特徴とする請求項１、９および１０のいずれか一項に記載の加熱炉。

【請求項12】

前記ガスラインの内部のうち、前記冷却器の鉛直下方に配置され、水を気化するための気化器をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の加熱炉。

【請求項13】

前記吸引噴出部は、複数設けられていることを特徴とする請求項１～１２のいずれか一項に記載の加熱炉。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、加熱炉に関する。

【背景技術】

【0002】

炉内にガスを供給し、被処理物の熱処理を行う加熱炉が知られている。

【0003】

そのような加熱炉の一つとして、特許文献１には、炉内のガスを循環ファンによって炉外循環経路に導入するとともに、炉外循環経路に導入したガスを再び炉内に戻す加熱炉が開示されている。この加熱炉では、炉外循環経路のうち、炉の外の位置に蓄熱体が設けられている。炉内から炉外循環経路に導入されたガスは、蓄熱体で熱交換が行われて低温とされ、炉内に戻されるガスは蓄熱体で熱交換が行われて高温とされてから炉内へと噴出される。そのような構成により、特許文献１に記載の加熱炉では、高温で強い循環流を炉内に供給することができるとされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開平９－１７８１１２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１に記載の加熱炉では、対向する一対の側壁のうち、一方の側壁に炉外循環経路の一端が接続され、他方の側壁に炉外循環経路の他端が接続されている。このため、炉外循環経路の経路長が長くなり、加熱炉の全体のサイズが大きくなる。

【0006】

本発明は、上記課題を解決するものであり、加熱炉の本体部に接続されるガスラインの経路長を短くして、全体のサイズを小さくすることができる加熱炉を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の加熱炉は、
被処理物の熱処理を行うための熱処理空間を有し、前記熱処理空間内に配置された加熱部を備える本体部と、
熱処理を行うために必要なガスを前記本体部の前記熱処理空間に供給するガス供給部と、
前記本体部に接続されたガスラインを有し、前記熱処理空間から前記ガスラインへのガスの吸引と、前記ガスラインに吸引されたガスの前記熱処理空間への噴出とを繰り返し行う吸引噴出部と、
前記ガスラインの内部に配置され、熱交換可能な蓄熱体と、
を備え、
前記ガスラインを介したガスの吸引および噴出時に、前記ガスラインから前記熱処理空間へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、前記熱処理空間から前記ガスラインへ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるように、前記ガスラインが配置されていることを特徴とする。

【発明の効果】

【0008】

本発明の加熱炉は、ガスラインから熱処理空間へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間からガスラインへ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるようにガスラインが配置されている。そのような配置とすることにより、ガスラインの経路長を短くすることができ、加熱炉全体のサイズを小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１の実施形態における加熱炉の構成を模式的に示す断面図である。

【図2】図１に示す加熱炉をＩＩ－ＩＩ線に沿って切断したときの構成を模式的に示す断面図である。

【図3】コンパクト熱交換器を用いた冷却器の構成を模式的に示す斜視図である。

【図4】（ａ）は、第１の実施形態における加熱炉において、ガスラインの第１の吸引噴出口からガスを吸引し、第２の吸引噴出口からガスを噴出するときの動作を説明するための図であり、（ｂ）は、ガスラインの第２の吸引噴出口からガスを吸引し、第１の吸引噴出口からガスを噴出するときの動作を説明するための図である。

【図5】第２の実施形態における加熱炉の構成を模式的に示す断面図である。

【図6】（ａ）は、第２の実施形態における加熱炉において、ガスラインの第１の吸引噴出口からガスを吸引し、第２の吸引噴出口からガスを噴出するときの動作を説明するための図であり、（ｂ）は、ガスラインの第２の吸引噴出口からガスを吸引し、第１の吸引噴出口からガスを噴出するときの動作を説明するための図である。

【図7】第３の実施形態における加熱炉の構成を模式的に示す断面図である。

【図8】図７に示す加熱炉を矢印Ｙ１の方向から見たときの構成を模式的に示す図である。

【図9】第４の実施形態における加熱炉の構成を模式的に示す断面図である。

【図10】第５の実施形態における加熱炉の構成を模式的に示す断面図である。

【図11】第５の実施形態における加熱炉において、ガスラインの第１の延伸部から第１の吸引噴出口を介して熱処理空間へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、被処理物が載置されるプレートの載置面に対して、被処理物が載置される側に延びる単位法線ベクトルとの関係を示す図である。

【図12】第６の実施形態における加熱炉の構成を模式的に示す断面図である。

【図13】第６の実施形態における加熱炉において、ガスラインのうち、第１の吸引噴出口付近の部位を拡大した断面図である。

【図14】第７の実施形態における加熱炉の構成を模式的に示す断面図である。

【図15】第８の実施形態における加熱炉の構成を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴を具体的に説明する。

【0011】

＜第１の実施形態＞
図１は、第１の実施形態における加熱炉１００の構成を模式的に示す断面図である。図２は、図１に示す加熱炉１００をＩＩ－ＩＩ線に沿って切断したときの構成を模式的に示す断面図である。ただし、図２では、後述する駆動用ローラ１３を省略している。

【0012】

ここでは、加熱炉１００がローラーハース炉であるものとして説明する。ローラーハース炉は、炉内の進行方向に沿って一定間隔で複数の駆動用ローラ１３が配置され、被処理物１を駆動用ローラ１３上で搬送する連続式の加熱炉である。図１は、被処理物１の搬送方向と直交する面で加熱炉１００を切断したときの断面を示している。ただし、加熱炉１００がローラーハース炉に限定されることはなく、バッチ式の加熱炉など、他の種類の加熱炉であってもよい。

【0013】

加熱炉１００は、本体部１０と、ガス供給部２０と、吸引噴出部３０と、蓄熱体４０とを備える。

【0014】

本体部１０は、被処理物１の熱処理を行うための熱処理空間１１を有し、熱処理空間１１内に配置された加熱部１２を備える。本体部１０の形状や大きさに特に制約はない。加熱部１２は、例えば、１３００℃程度まで加熱可能なヒーターである。本実施形態では、熱処理空間１１に駆動用ローラ１３が配置されており、駆動用ローラ１３と加熱部１２との間に被処理物１が位置するように、被処理物１に対して駆動用ローラ１３とは反対側、すなわち、被処理物１の上方に加熱部１２が配置されている。ただし、加熱部１２の配置場所が被処理物１に対して駆動用ローラ１３とは反対側の位置に限定されることはない。

【0015】

本実施形態において、本体部１０は、図１に示すように、第１の側壁１０ａ、第２の側壁１０ｂ、炉床壁１０ｃおよび天井壁１０ｄの４つの炉壁を備えている。第１の側壁１０ａと第２の側壁１０ｂ、および、炉床壁１０ｃと天井壁１０ｄはそれぞれ、被処理物１の搬送方向と直交する方向において対向する。また、図２に示すように、被処理物１の搬送方向の両端は開口されており、被処理物１が出入りする搬出入口につながっている。第１の側壁１０ａ、第２の側壁１０ｂ、炉床壁１０ｃおよび天井壁１０ｄを含む本体部１０の炉壁は、例えば、断熱材からなる。

【0016】

熱処理対象である被処理物１の種類に制約はなく、例えば、積層セラミックコンデンサ等のチップ状のセラミック電子部品を作製するための未焼成のセラミック素体である。本実施形態では、複数の被処理物１が載せられたプレート２が駆動用ローラ１３上を搬送されるように構成されている。プレート２は、例えば、セラミックからなる。

【0017】

ガス供給部２０は、熱処理を行うために必要なガスを本体部１０の熱処理空間１１に供給する。本体部１０には、ガス供給口１４が設けられており、ガス供給部２０により、ガス供給口１４を介して熱処理に必要なガスが熱処理空間１１に供給される。

【0018】

なお、本体部１０には、熱処理空間１１の圧力が一定に保たれるように、不要なガスを排出するためのガス排出口１５が設けられている。

【0019】

吸引噴出部３０は、本体部１０に接続されたガスライン３１を有し、熱処理空間１１からガスライン３１へのガスの吸引と、ガスライン３１に吸引されたガスの熱処理空間１１への噴出とを繰り返し行う。本実施形態において、吸引噴出部３０によってガスライン３１に吸引されて熱処理空間１１へと噴出されるガスは、熱処理空間１１内のガスと同じ組成を有するガスである。

【0020】

ガスライン３１は、ガスの吸引および噴出時に、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるように配置されている。そのような構成を実現するため、本実施形態における加熱炉１００では、図２に示すように、ガスライン３１の一端および他端はともに、本体部１０の同一の側壁、より詳しくは第１の側壁１０ａに接続されている。

【0021】

ただし、ガスライン３１の一端および他端はともに、第２の側壁１０ｂに接続されていてもよいし、炉床壁１０ｃまたは天井壁１０ｄに接続されていてもよい。また、ガスライン３１の一端が本体部１０の２つの側壁１０ａ，１０ｂのうちの１つに接続されており、他端が本体部１０の炉床壁１０ｃまたは天井壁１０ｄに接続されていてもよい。

【0022】

ガスライン３１の一端は、熱処理空間１１に面しており、第１の吸引噴出口１６を構成する。ガスライン３１の他端は、熱処理空間１１に面しており、第２の吸引噴出口１７を構成する。

【0023】

本実施形態におけるガスライン３１は、図２に示すように、Ｕ字状の形状を有する。すなわち、ガスライン３１には、一端に位置する第１の吸引噴出口１６から本体部１０の外側に向かって延伸する第１の延伸部３１ａと、他端に位置する第２の吸引噴出口１７から本体部１０の外側に向かって延伸する第２の延伸部３１ｂと、第１の延伸部３１ａと第２の延伸部３１ｂとの間を接続する第３の延伸部３１ｃとが含まれる。第１の延伸部３１ａ、第２の延伸部３１ｂ、および、第３の延伸部３１ｃはそれぞれ、直線状の形状を有する。第１の延伸部３１ａと第２の延伸部３１ｂは、第１の側壁１０ａと直交する方向に、互いに平行に延伸しており、第３の延伸部３１ｃは、第１の側壁１０ａと平行な方向に延伸している。ただし、ガスライン３１の形状がＵ字状の形状に限定されることはない。

【0024】

第１の延伸部３１ａ、第２の延伸部３１ｂ、および、第３の延伸部３１ｃは、いずれも同じ高さに位置する。すなわち、ガスライン３１は、ガスが水平方向に流れるように、本体部１０に取り付けられている。

【0025】

このように、ガスの吸引および噴出時に、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるように、ガスライン３１が配置されていることにより、ガスライン３１の経路長を短くすることができ、加熱炉１００の構成をコンパクトにすることができる。ガスライン３１の経路長が短くなることにより、ガスライン３１の設置場所の自由度が向上するとともに、ガスライン３１の設置が容易となる。また、ガスライン３１の経路長が短くなることにより、ガスがガスライン３１を流れるときの流路外への放熱を抑制することができ、熱効率を向上させることができる。

【0026】

なお、特許文献１に記載の加熱炉のように、本体部の対向する一対の側壁の一方にガスラインの一端が接続され、他方にガスラインの他端が接続された構成では、ガスラインから熱処理空間へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間からガスラインへ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積は正となる。

【0027】

本実施形態における吸引噴出部３０は、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａに配置された第１のファン３２ａと、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂに配置された第２のファン３２ｂとを備えている。第１のファン３２ａおよび第２のファン３２ｂはそれぞれ、送風可能なものであれば、どのような構造のものでもよい。以下の説明では、第１のファン３２ａと第２のファン３２ｂを総称して、ファン３２と呼ぶことがある。

【0028】

第１のファン３２ａは、駆動時に、ガスがガスライン３１の第１の延伸部３１ａから第３の延伸部３１ｃへと流れるように配置されている。すなわち、第１のファン３２ａを駆動させると、第１の吸引噴出口１６を介して、熱処理空間１１からガスライン３１の第１の延伸部３１ａへとガスが吸引される。このとき、第２のファン３２ｂは、非駆動状態とする。熱処理空間１１からガスライン３１の第１の延伸部３１ａに吸引されたガスは、第３の延伸部３１ｃおよび第２の延伸部３１ｂを通過して、第２の吸引噴出口１７から熱処理空間１１へと噴出される。

【0029】

第２のファン３２ｂは、駆動時に、ガスがガスライン３１の第２の延伸部３１ｂから第３の延伸部３１ｃへと流れるように配置されている。すなわち、第２のファン３２ｂを駆動させると、第２の吸引噴出口１７を介して、熱処理空間１１からガスライン３１の第２の延伸部３１ｂへとガスが吸引される。このとき、第１のファン３２ａは、非駆動状態とする。熱処理空間１１からガスライン３１の第２の延伸部３１ｂに吸引されたガスは、第３の延伸部３１ｃおよび第１の延伸部３１ａを通過して、第１の吸引噴出口１６から熱処理空間１１へと噴出される。

【0030】

なお、第１のファン３２ａを、その駆動時に、ガスがガスライン３１の第１の延伸部３１ａから熱処理空間１１へと流れるように配置し、第２のファン３２ｂを、その駆動時に、ガスがガスライン３１の第２の延伸部３１ｂから熱処理空間１１へと流れるように配置してもよい。その場合、第１のファン３２ａを駆動させると、第２の吸引噴出口１７を介して、熱処理空間１１からガスライン３１の第２の延伸部３１ｂへとガスが吸引され、第１の吸引噴出口１６から熱処理空間１１へとガスが噴出される。また、第２のファン３２ｂを駆動させると、第１の吸引噴出口１６を介して、熱処理空間１１からガスライン３１の第１の延伸部３１ａへとガスが吸引され、第２の吸引噴出口１７から熱処理空間１１へとガスが噴出される。

【0031】

上述したように、吸引噴出部３０によって本体部１０の熱処理空間１１へと噴出されるガスは、熱処理空間１１から吸引したガスであり、熱処理空間１１内のガスと同じ組成を有する。すなわち、熱処理空間１１から第１の吸引噴出口１６を介してガスライン３１へと吸引されたガスは、他のガスや空気等が混入されることなく、そのまま第２の吸引噴出口１７を介して熱処理空間１１へと噴出される。同様に、熱処理空間１１から第２の吸引噴出口１７を介してガスライン３１へと吸引されたガスは、他のガスや空気等が混入されることなく、そのまま第１の吸引噴出口１６を介して熱処理空間１１へと噴出される。ここでは、熱処理空間１１から吸引され、他のガスや空気等が混入されていないガスを、熱処理空間１１内のガスと同じ組成を有するガスと定義する。

【0032】

本実施形態における加熱炉１００は、ガスライン３１に配置され、熱処理空間１１から吸引されて後述する蓄熱体４０を通過したガスを冷却するための冷却器３３を備える。冷却器３３には、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａに配置された第１の冷却器３３ａと、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂに配置された第２の冷却器３３ｂとが含まれる。第１の冷却器３３ａは、後述する第１の蓄熱体４０ａと第１のファン３２ａとの間に配置されている。第２の冷却器３３ｂは、後述する第２の蓄熱体４０ｂと第２のファン３２ｂとの間に配置されている。

【0033】

第１の冷却器３３ａは、熱処理空間１１からガスライン３１の第１の延伸部３１ａへと吸引され、後述する第１の蓄熱体４０ａを通過したガスを冷却する。一例として、第１の吸引噴出口１６を介して熱処理空間１１からガスライン３１の第１の延伸部３１ａへと吸引されたガスは、第１の蓄熱体４０ａによって１００℃程度まで冷却される。第１の蓄熱体４０ａによって冷却されたガスは、さらに第１の冷却器３３ａによって、５０℃以下に冷却される。これにより、第１のファン３２ａに高温のガスが流入して熱的ダメージを受けることを抑制することができる。

【0034】

第２の冷却器３３ｂは、熱処理空間１１からガスライン３１の第２の延伸部３１ｂへと吸引されて、後述する第２の蓄熱体４０ｂを通過したガスを冷却する。一例として、第２の吸引噴出口１７を介して熱処理空間１１からガスライン３１の第２の延伸部３１ｂへと吸引されたガスは、第２の蓄熱体４０ｂによって１００℃程度まで冷却される。第２の蓄熱体４０ｂによって冷却されたガスは、さらに第２の冷却器３３ｂによって、５０℃以下に冷却される。これにより、第２のファン３２ｂに高温のガスが流入して熱的ダメージを受けることを抑制することができる。

【0035】

また、第１の冷却器３３ａおよび第２の冷却器３３ｂが設けられていることにより、第１の蓄熱体４０ａおよび第２の蓄熱体４０ｂの温度分布を平衡状態に維持することができる。すなわち、第１の冷却器３３ａおよび第２の冷却器３３ｂが設けられていない場合、熱処理空間１１からガスライン３１へのガスの吸引、および、ガスライン３１から熱処理空間１１へのガスの噴出を繰り返す過程で、第１の蓄熱体４０ａおよび第２の蓄熱体４０ｂの温度が上昇する。その場合、第１の蓄熱体４０ａによって冷却されたガス、および、第２の蓄熱体４０ｂによって冷却されたガスの温度が１００℃を大きく上回る可能性がある。

【0036】

しかしながら、本実施形態における加熱炉１００では、第１の冷却器３３ａおよび第２の冷却器３３ｂが設けられているので、第１の蓄熱体４０ａおよび第２の蓄熱体４０ｂの温度分布の上昇を抑制し、第１の蓄熱体４０ａを通過したガス、および、第２の蓄熱体４０ｂを通過したガスの温度が１００℃を大きく超えることを抑制することができる。

【0037】

後述するように、第１の冷却器３３ａおよび第２の冷却器３３ｂは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａおよび第２の延伸部３１ｂのうち、ガスの吸引流路となる延伸部に配置されている冷却器の冷却機能はオン、ガスの噴出流路となる延伸部に配置されている冷却器の冷却機能はオフとなるように構成されている。

【0038】

第１の冷却器３３ａおよび第２の冷却器３３ｂとして、例えば、公知の熱交換器を用いることが可能である。図３は、熱交換器の１つであるコンパクト熱交換器を用いた冷却器３３（第１の冷却器３３ａ，第２の冷却器３３ｂ）の構成を模式的に示す斜視図である。図３に示すように、冷却器３３は、高温のガスが流れるガス流路Ｌ１と、冷媒が流れる冷媒流路Ｌ２とが交互に積層された構造を有する。ガス流路Ｌ１と冷媒流路Ｌ２は、互いに直交する向きとなるように構成されている。ガス流路Ｌ１および冷媒流路Ｌ２には、複数のフィンが設けられており、ガス流路Ｌ１を流れるガスと、冷媒流路Ｌ２を流れる冷媒との間で熱交換が行われる。

【0039】

なお、図３では、ガス流路Ｌ１と冷媒流路Ｌ２がそれぞれ２層設けられた構成を示しているが、ガス流路Ｌ１および冷媒流路Ｌ２の積層数が２に限定されることはない。

【0040】

冷却器３３として、ガスが流れるガス流路Ｌ１と、冷媒が流れる冷媒流路Ｌ２とが交互に積層された熱交換器を用いることにより、必要なガスの冷却を小さいサイズの冷却器で実現することができ、加熱炉１００の構成をコンパクトにすることができる。

【0041】

第１の冷却器３３ａの冷却機能について説明する。冷媒流路Ｌ２には、ガス流路Ｌ１を流れるガスを冷却するための冷媒が流れる。冷媒は、例えば、冷風である。例えば、冷媒流路Ｌ２の上流側に冷却ファンを設けて、冷媒流路Ｌ２に冷風を流す。ガス流路Ｌ１には、第１の蓄熱体４０ａを通過したガスが流れる。

【0042】

一例として、第１の蓄熱体４０ａを通過した１００℃程度のガスが３０Ｌ／ｍｉｎの風量で第１の冷却器３３ａのガス流路Ｌ１に流入するものとする。第１の冷却器３３ａの冷媒流路Ｌ２に、冷媒として、３０～１２０Ｌ／ｍｉｎの風量の冷風を流すと、ガス流路Ｌ１を流れるガスは５０℃程度まで冷却される。第２の冷却器３３ｂについても同様である。

【0043】

なお、第１の冷却器３３ａおよび第２の冷却器３３ｂは、ガスを冷却できるものであればよく、ガスが流れるガス流路Ｌ１と、冷媒が流れる冷媒流路Ｌ２とが交互に積層された構造の熱交換器に限定されることはない。また、蓄熱体４０によってガスが十分に冷却されるのであれば、冷却器３３は省略することが可能である。

【0044】

蓄熱体４０は、蓄熱および放熱を繰り返し行うことができる熱交換可能な構造を有しており、ガスライン３１の内部に配置されている。本実施形態では、蓄熱体４０は、ガスライン３１の内部のうち、本体部１０の内部に位置する部分、具体的には、本体部１０を貫通している領域に設けられている。本実施形態において、蓄熱体４０には、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａに配置された第１の蓄熱体４０ａと、第２の延伸部３１ｂに配置された第２の蓄熱体４０ｂとが含まれる。第１の蓄熱体４０ａおよび第２の蓄熱体４０ｂは、ガスライン３１の内部のうち、本体部１０の外側の領域まで突出していてもよいが、本体部１０の熱処理空間１１内には突出していない。

【0045】

なお、図１および図２において、蓄熱体４０は、ガスライン３１の内部のうち、本体部１０を貫通している領域の全てに設けられているが、一部にだけ設けられていてもよい。また、蓄熱体４０は、ガスライン３１の内部のうち、本体部１０の外側に設けられていてもよい。

【0046】

蓄熱体４０は、熱交換可能な構造を有していればよく、例えば、セラミックで成形されたハニカム形状のセル孔を複数有する筒体や、セラミックからなる複数の球を内部に収容した筒体等である。なお、ハニカム形状のセルは、一般的には、六角形のセルであるが、四角形や三角形等、六角形以外の形状のセルであってもよい。また、蓄熱体４０は、セラミック以外の材料から構成されていてもよい。

【0047】

ここで、ガスライン３１を介したガスの吸引および噴出動作について説明する。図４（ａ）に示すように、第１のファン３２ａを駆動し、第２のファン３２ｂを非駆動状態とすると、本体部１０の熱処理空間１１内のガスが第１の吸引噴出口１６からガスライン３１の第１の延伸部３１ａへと吸引される。熱処理空間１１内のガスの温度は、例えば、約１２００℃であるものとする。

【0048】

このとき、ガスの吸引流路となる第１の延伸部３１ａに配置されている第１の冷却器３３ａの冷却機能はオンとし、ガスの噴出流路となる第２の延伸部３１ｂに配置されている第２の冷却器３３ｂの冷却機能はオフとする。第１の吸引噴出口１６を介して熱処理空間１１から吸引されたガスは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａに配置されている第１の蓄熱体４０ａを通過するが、このとき熱交換が行われて、１００℃前後まで温度が低下する。これにより、第１の蓄熱体４０ａは蓄熱されて高温状態となる。

【0049】

第１の蓄熱体４０ａを通過したガスは、第１の冷却器３３ａのガス流路Ｌ１を通過することにより、５０℃以下の温度まで冷却される。第１の冷却器３３ａを通過したガスは、ガスライン３１の第３の延伸部３１ｃを通って、第２の延伸部３１ｂに流入し、第２の蓄熱体４０ｂへと導入される。このとき、第２の冷却器３３ｂの冷却機能はオフとなっているので、第２の蓄熱体４０ｂに導入されるガスが必要以上に冷却されることを抑制することができる。

【0050】

第２の蓄熱体４０ｂは、前回の熱交換によって蓄熱されて高温状態となっているため、ガスが第２の蓄熱体４０ｂを通過することにより、熱交換によって、熱処理空間１１内の温度に近い１１５０℃程度の温度まで加熱される。第２の蓄熱体４０ｂを通過したガスは、第２の吸引噴出口１７から熱処理空間１１へと噴出されて、プレート２上の複数の被処理物１の表面に達する。

【0051】

図４（ａ）では、第１の吸引噴出口１６を介して熱処理空間１１からガスライン３１へとガスが吸引され、第２の吸引噴出口１７を介して熱処理空間１１へとガスが噴出されるときのガスの流れの向きを矢印で示している。図４（ａ）に示すように、熱処理空間１１から第１の吸引噴出口１６を介してガスライン３１に吸引されるガスの流れる向きと、ガスライン３１から第２の吸引噴出口１７を介して熱処理空間１１へと噴出されるガスの流れる向きとは、互いに逆である。したがって、ガスライン３１を介したガスの吸引および噴出時に、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積は負となる。

【0052】

なお、ガスライン３１からは、第２の吸引噴出口１７に向かってガスライン３１が延伸する方向に沿ってガスが噴出されるので、図４（ａ）に示す例において、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとは、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂが第２の吸引噴出口１７に向かって延伸する方向に沿った単位ベクトルを意味する。また、ガスライン３１に吸引されたガスは、ガスライン３１が延伸する方向に沿って流れるので、図４（ａ）に示す例において、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａが第１の吸引噴出口１６から延伸する方向に沿った単位ベクトルを意味する。

【0053】

続いて、図４（ｂ）に示すように、第２のファン３２ｂを駆動し、第１のファン３２ａを非駆動状態とすると、本体部１０の熱処理空間１１内のガスが第２の吸引噴出口１７からガスライン３１の第２の延伸部３１ｂへと吸引される。このとき、ガスの吸引流路となる第２の延伸部３１ｂに配置されている第２の冷却器３３ｂの冷却機能はオンとし、ガスの噴出流路となる第１の延伸部３１ａに配置されている第１の冷却器３３ａの冷却機能はオフとする。熱処理空間１１から吸引されたガスは、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂに配置されている第２の蓄熱体４０ｂを通過するが、このとき熱交換が行われて、１００℃前後まで温度が低下する。これにより、第２の蓄熱体４０ｂは蓄熱されて高温状態となる。

【0054】

第２の蓄熱体４０ｂを通過したガスは、第２の冷却器３３ｂのガス流路Ｌ１を通過することにより、５０℃以下の温度まで冷却される。第２の冷却器３３ｂを通過したガスは、ガスライン３１の第３の延伸部３１ｃを通って、第１の延伸部３１ａに流入し、第１の蓄熱体４０ａへと導入される。このとき、第１の冷却器３３ａの冷却機能はオフとなっているので、第１の蓄熱体４０ａに導入されるガスが必要以上に冷却されることを抑制することができる。

【0055】

第１の蓄熱体４０ａは、前回の熱交換によって蓄熱されて高温状態となっているため、ガスが第１の蓄熱体４０ａを通過することにより、熱交換によって、熱処理空間１１内の温度に近い１１５０℃程度の温度まで加熱される。第１の蓄熱体４０ａを通過したガスは、第１の吸引噴出口１６から熱処理空間１１へと噴出されて、プレート２上の複数の被処理物１の表面に達する。

【0056】

図４（ｂ）では、第２の吸引噴出口１７を介して熱処理空間１１からガスライン３１へとガスが吸引され、第１の吸引噴出口１６を介して熱処理空間１１へとガスが噴出されるときのガスの流れの向きを矢印で示している。図４（ｂ）に示すように、熱処理空間１１から第２の吸引噴出口１７を介してガスライン３１に吸引されるガスの流れる向きと、ガスライン３１から第１の吸引噴出口１６を介して熱処理空間１１へと噴出されるガスの流れる向きとは、互いに逆である。したがって、ガスライン３１を介したガスの吸引および噴出時に、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積は負となる。

【0057】

なお、ガスライン３１からは、第１の吸引噴出口１６に向かってガスライン３１が延伸する方向に沿ってガスが噴出されるので、図４（ｂ）に示す例において、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａが第１の吸引噴出口１６に向かって延伸する方向に沿った単位ベクトルを意味する。また、ガスライン３１に吸引されたガスは、ガスライン３１が延伸する方向に沿って流れるので、図４（ｂ）に示す例において、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとは、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂが第２の吸引噴出口１７から延伸する方向に沿った単位ベクトルを意味する。

【0058】

ここでは、上述した第１のファン３２ａの駆動によるガスの吸引および噴出、および、第２のファン３２ｂの駆動によるガスの吸引および噴出の動作をそれぞれ「１サイクル」と定義する。

【0059】

上述したサイクル、すなわち、第１のファン３２ａの駆動と第２のファン３２ｂの駆動とを一定時間ごとに繰り返し行うことにより、第１の吸引噴出口１６および第２の吸引噴出口１７のうちの一方から熱処理空間１１内のガスを吸引し、他方から熱処理空間１１へとガスを噴出する動作を繰り返し行うことができる。このように、本実施形態における加熱炉１００では、第１のファン３２ａおよび第２のファン３２ｂの駆動および非駆動を切り替えることによって、第１の吸引噴出口１６と第２の吸引噴出口１７を介したガスの吸引および噴出を切り替えるので、バルブを用いることなく、ガスの吸引および噴出を切り替えることができる。これにより、加熱炉１００の構成をコンパクトにすることができ、コストを低減することができる。

【0060】

なお、第１のファン３２ａおよび第２のファン３２ｂは、例えば、ＰＷＭ制御によって、任意の出力に制御することが可能である。したがって、例えば、１サイクルの間に、風量の増加および減少を繰り返すように、第１のファン３２ａおよび第２のファン３２ｂをそれぞれ制御することも可能である。風量の増加および減少を繰り返すことにより、瞬間的に大きなガスの噴出速度を得ることができるので、熱処理空間１１内において、噴出流に巻き込まれる高温のガスが増加するエントレインメント現象が生じる。これにより、熱処理空間１１へと噴出され、被処理物１の近傍を流れるガスの温度が熱処理空間１１内のガスの温度により近くなるので、被処理物１毎の熱処理反応をより均一化させることができる。

【0061】

ここで、ファン３２の風量を変更したときの各所におけるガスの温度を調べた。ここでは、蓄熱体４０として、セル密度４００ＣＰＳＩであるハニカム形状のセル孔を複数有し、直径３０ｍｍ、長さ２００ｍｍの筒体を用いた。また、炉内温度は８００℃、ガスの吸引および噴出をそれぞれ１０秒／サイクルで繰り返し、蓄熱体４０を通過して熱処理空間１１へと噴出されるガスの温度、熱処理空間１１から吸引されて蓄熱体４０を通過したガスの温度、蓄熱体４０を通過してファン３２に流入するときのガスの温度をそれぞれ調べた。調べた結果を表１に示す。

【0062】

【表1】

【0063】

表１に示すように、ファン３２の風量を、１４．４Ｌ／ｍｉｎ、１８．０Ｌ／ｍｉｎ、２４．０Ｌ／ｍｉｎ、３０．０Ｌ／ｍｉｎ、３７．２Ｌ／ｍｉｎ、４４．４Ｌ／ｍｉｎと変更した。なお、ここでは、第１の冷却器３３ａおよび第２の冷却器３３ｂに代えて簡易的な冷却器を用い、ともに冷却機能をオンの状態で動作させたときのガスの温度を測定した。

【0064】

ファン３２の風量を１４．４Ｌ／ｍｉｎ～４４．４Ｌ／ｍｉｎの範囲で変更したが、ガスライン３１から熱処理空間１１へと噴出されるガスの温度は、７７０℃以上７７２℃以下となった。熱処理空間１１に面した第１の吸引噴出口１６および第２の吸引噴出口１７近傍の本体部１０の内壁の温度を測定したところ、７８３℃であったので、ガスライン３１から熱処理空間１１へと噴出されるガスの温度は、炉内温度に近い温度となった。

【0065】

また、熱処理空間１１から吸引されて蓄熱体４０を通過したガスの温度、および、ファン３２に流入するときのガスの温度は、ファン３２の風量が大きいほど高くなった。なお、ファン３２の風量によって異なるが、蓄熱体４０を通過したガスは、ファン３２に流入するまでの間に温度が８℃～１６℃程度低下している。この実験例では、ファン３２の風量を４４．４Ｌ／ｍｉｎとしたときに、ファン３２に流入するときのガスの温度が最も高い５９℃となったが、この温度は、ファン３２の耐熱温度以下である。

【0066】

なお、炉内温度を８００℃より高い温度に設定した場合でも、本実施形態における加熱炉１００のように熱交換性の高い冷却器３３を設けることによって、ファン３２に流入するガスの温度を６０℃以下に低下させることができる。

【0067】

ここで、被処理物１が積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品を作製するための未焼成のセラミック素体である場合、熱処理によって、バインダー除去や種々の反応が行われる。バインダーは、例えばカーボンである。例えば、セラミック素体内のバインダーは、１５０℃付近の温度で熱分解が生じ、最終的には１０００℃を超える温度になるまでの間にほぼ完全に除去されるが、６００℃を超えるくらいの温度でも、内部に残留する成分を速やかに除去することが望まれる。例えば、バインダーの除去が不完全な状態で炉内の温度が最高温度に到達すると、製造されるセラミック電子部品の構造欠陥や品質低下が生じることが分かっている。したがって、速やかにバインダーを除去することは重要である。

【0068】

一般的に、バインダーの除去には、ガスの流れが有効に作用するため、必要十分な流速のガスを被処理物１の近傍に与えることが望ましい。被処理物１の近傍に必要十分な流速のガスを供給することにより、被処理物１の近傍において、被処理物１の内部からの飛散物を含む飛散ガスの濃度が低下し、被処理物１の内部からの飛散物の除去が促進される。逆に、ガスの流速が低い場合、被処理物１の内部からの飛散物の除去が進みにくくなる。

【0069】

本実施形態における加熱炉１００では、吸引噴出部３０によって、熱処理空間１１からガスライン３１へのガスの吸引と、ガスライン３１に吸引したガスの熱処理空間１１への噴出とを繰り返し行うことにより、炉外から新たにガスを導入する必要なく、必要十分な流速のガスを被処理物１の近傍に供給することができる。ガスライン３１から熱処理空間１１へと噴出されるガスは、熱処理空間１１内のガスと同じ組成を有するガスであるため、ガスライン３１から噴出されたガスが当たる位置の被処理物１と、ガスライン３１から噴出されたガスが当たらない位置の被処理物１との間での反応バラツキの発生を抑制することができる。

【0070】

また、本実施形態における加熱炉１００では、ガスライン３１の内部のうち、本体部１０の内部に位置する部分に蓄熱体４０が配置されているので、本体部１０の外に蓄熱体４０が配置されている構成と比べて、ガスライン３１から熱処理空間１１へと噴出されるガスの温度を、熱処理空間１１内のガスの温度に近づけることができる。

【0071】

上述したバインダーの除去について、より具体的な例を挙げて説明する。ここでは、被処理物１内にバインダーであるカーボンが存在し、カーボンを燃焼させることによって除去する例について説明する。カーボンの除去は、次式（１）の反応式により行うことが可能である。
Ｃ＋２Ｈ₂Ｏ → ＣＯ₂＋２Ｈ₂ （１）

【0072】

式（１）による反応は、水性ガス反応と呼ばれる反応であり、約６００℃以上の高温状態でカーボンの除去を行うために、一般的に行われている。この反応では、式（１）に示すように、カーボンの燃焼により生じたＣＯ₂とは別に、Ｈ₂ガスも発生する。質量作用の法則から、被処理物１内または被処理物１の近傍におけるＣＯ₂濃度またはＨ₂濃度が高くなると、式（１）で示す反応を抑制する方向に作用する。

【0073】

したがって、カーボンを燃焼させる処理中は、被処理物１内または被処理物１の近傍におけるＣＯ₂濃度とＨ₂濃度を低く維持する必要がある。そのためには、常にフレッシュなガス、すなわち、式（１）による生成ガスであるＣＯ₂ガスとＨ₂ガスの濃度が低いガスを被処理物１に向けて供給し続ける必要がある。しかしながら、ガスの流量が少なく、被処理物１の周辺におけるガス流速が低い条件では、生成したガスが被処理物１内または被処理物１の近傍に滞留し、式（１）で示す反応は進み難くなる。

【0074】

これに対して、本実施形態における加熱炉１００を用いた場合、吸引噴出部３０によって本体部１０の熱処理空間１１からガスライン３１へとガスを吸引し、熱処理空間１１内のガスと同じ組成で、かつ、熱処理空間１１内のガスの温度に近い温度のガスを被処理物１に向けて噴出する動作を繰り返し行うので、吸引噴出部３０を設けない構成と比べて、実質数十倍のガスの流れを被処理物１の近傍に形成することができる。したがって、被処理物１の近傍を流れるガスの流量が多くなり、かつ、被処理物１の近傍におけるガスの流速が速くなるため、式（１）の反応により生成されたＣＯ₂ガスとＨ₂ガスが被処理物１内または被処理物１の近傍に滞留することを抑制して、被処理物１内または被処理物１の近傍におけるＣＯ₂ガスとＨ₂ガスの濃度を低くすることができる。このため、式（１）に示す反応が進みやすくなるので、被処理物１内のカーボンの除去が速やかに進行し、被処理物１毎の残留カーボン量のバラツキを抑制することができる。これにより、残留カーボンの少ない高品質の製品を得ることが可能となる。

【0075】

＜第２の実施形態＞
図５は、第２の実施形態における加熱炉１００Ａの構成を模式的に示す断面図である。第２の実施形態における加熱炉１００Ａが第１の実施形態における加熱炉１００と異なるのは、吸引噴出部３０の構成である。

【0076】

本実施形態における加熱炉１００Ａにおいて、吸引噴出部３０は、第１の実施形態における吸引噴出部３０の構成に対してさらに、第３のファン３２ｃと第４のファン３２ｄとを備える。第３のファン３２ｃおよび第４のファン３２ｄは、第１のファン３２ａおよび第２のファン３２ｂと同様に、送風可能なものであれば、どのような構造のものでもよい。

【0077】

第３のファン３２ｃは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａに配置され、第１のファン３２ａの駆動によるガスの流れとは逆向きにガスを流すためのファンである。上述したように、第１のファン３２ａは、駆動時に、ガスが第１の延伸部３１ａから第３の延伸部３１ｃへと流れるように配置されているので、第３のファン３２ｃは、駆動時に、ガスが第３の延伸部３１ｃから第１の延伸部３１ａへと流れるように配置されている。

【0078】

本実施形態において、第１のファン３２ａおよび第３のファン３２ｃは、一方のファンの駆動によるガスが他方のファンに向かうように配置されている。上述したように、第１のファン３２ａは、駆動時に、ガスが第１の延伸部３１ａから第３の延伸部３１ｃへと流れるように配置されているので、第３のファン３２ｃは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａのうち、第１のファン３２ａに対して第１の冷却器３３ａとは反対側の位置に設けられている。そのような配置により、第１のファン３２ａの駆動によるガスは、第３のファン３２ｃに向かって流れ、第３のファン３２ｃの駆動によるガスは、第１のファン３２ａに向かって流れる。

【0079】

第４のファン３２ｄは、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂに配置され、第２のファン３２ｂの駆動によるガスの流れとは逆向きにガスを流すためのファンである。上述したように、第２のファン３２ｂは、駆動時に、ガスが第２の延伸部３１ｂから第３の延伸部３１ｃへと流れるように配置されているので、第３のファン３２ｃは、駆動時に、ガスが第３の延伸部３１ｃから第２の延伸部３１ｂへと流れるように配置されている。

【0080】

本実施形態において、第２のファン３２ｂおよび第４のファン３２ｄは、一方のファンの駆動によるガスが他方のファンに向かうように配置されている。上述したように、第２のファン３２ｂは、駆動時に、ガスが第２の延伸部３１ｂから第３の延伸部３１ｃへと流れるように配置されているので、第４のファン３２ｄは、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂのうち、第２のファン３２ｂに対して第２の冷却器３３ｂとは反対側の位置に設けられている。そのような配置により、第２のファン３２ｂの駆動によるガスは、第４のファン３２ｄに向かって流れ、第４のファン３２ｄの駆動によるガスは、第２のファン３２ｂに向かって流れる。

【0081】

このように、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａおよび第２の延伸部３１ｂのそれぞれに、ガスの流れが逆向きとなる２つのファンを設けることにより、ファンの駆動によって生じる圧力損失の負荷を２つのファンに分散することが可能となる。これにより、ガスライン３１に設けるファン３２を小型化することが可能となる。

【0082】

ここで、第２の実施形態における加熱炉１００Ａのガスライン３１を介したガスの吸引および噴出動作について説明する。本体部１０の熱処理空間１１内のガスを、第１の吸引噴出口１６からガスライン３１へと吸引する場合、図６（ａ）に示すように、第１のファン３２ａと第４のファン３２ｄを駆動し、第２のファン３２ｂと第３のファン３２ｃを非駆動状態にする。このとき、第１の冷却器３３ａの冷却機能はオンとし、第２の冷却器３３ｂの冷却機能はオフとする。

【0083】

逆に、本体部１０の熱処理空間１１内のガスを、第２の吸引噴出口１７からガスライン３１へと吸引する場合には、図６（ｂ）に示すように、第２のファン３２ｂと第３のファン３２ｃを駆動し、第１のファン３２ａと第４のファン３２ｄを非駆動状態にする。このとき、第１の冷却器３３ａの冷却機能はオフとし、第２の冷却器３３ｂの冷却機能はオンとする。

【0084】

ここで、第１のファン３２ａと第３のファン３２ｃの配置を逆にすることも可能である。ただし、そのような配置とした場合、非駆動状態のファン３２で生じる圧力損失が大きくなることが発明者の実験により分かった。したがって、本実施形態のように、第１のファン３２ａおよび第３のファン３２ｃのうちの一方のファンの駆動によるガスが他方のファンに向かうように配置されていることが好ましい。

【0085】

同様に、第２のファン３２ｂと第４のファン３２ｄの配置を逆にすることも可能であるが、圧力損失を低減するため、本実施形態のように、第２のファン３２ｂおよび第４のファン３２ｄのうちの一方のファンの駆動によるガスが他方のファンに向かうように配置されていることが好ましい。

【0086】

本実施形態における加熱炉１００Ａも、第１の実施形態における加熱炉１００と同様、ガスライン３１の経路長を短くすることができ、加熱炉１００Ａの全体の構成をコンパクトにすることができる。なお、後述する全ての実施形態における加熱炉についても同様である。

【0087】

＜第３の実施形態＞
第１の実施形態における加熱炉１００および第２の実施形態における加熱炉１００Ａにおいて、ガスライン３１は、水平方向に延伸する部分である第１の延伸部３１ａ、第２の延伸部３１ｂ、および、第３の延伸部３１ｃにより構成されている。

【0088】

これに対して、第３の実施形態における加熱炉１００Ｂでは、ガスライン３１に、水平方向に延伸する部分と、鉛直方向に延伸する部分が含まれている。

【0089】

なお、本実施形態における加熱炉１００Ｂでは、第２の実施形態における加熱炉１００Ａと同様に、吸引噴出部３０は、第１のファン３２ａおよび第２のファン３２ｂだけでなく、第３のファン３２ｃおよび第４のファン３２ｄを備えている。ただし、第３のファン３２ｃおよび第４のファン３２ｄを省略した構成としてもよい。

【0090】

図７は、第３の実施形態における加熱炉１００Ｂの構成を模式的に示す断面図である。図１と同様、図７は、被処理物１の搬送方向と直交する面で加熱炉１００Ｂを切断したときの断面を示している。図８は、図７に示す加熱炉１００Ｂを矢印Ｙ１の方向から見たときの構成を模式的に示す図である。

【0091】

本実施形態におけるガスライン３１は、図５に示すガスライン３１を、第１の延伸部３１ａおよび第３の延伸部３１ｃの途中の位置で上方に折り曲げたような形状を有する。すなわち、本実施形態におけるガスライン３１にも、第１の延伸部３１ａ、第２の延伸部３１ｂ、および、第３の延伸部３１ｃが含まれるが、第１の延伸部３１ａおよび第２の延伸部３１ｂの形状が図５に示すガスライン３１とは異なる。

【0092】

本実施形態における第１の延伸部３１ａは、第１の吸引噴出口１６から本体部１０の外側に向かって水平方向に延伸する部分である第１の水平部３１ａ１と、第１の水平部３１ａ１と接続され、鉛直方向に延伸する部分である第１の鉛直部３１ａ２とを有する。

【0093】

本実施形態における第２の延伸部３１ｂは、第２の吸引噴出口１７から本体部１０の外側に向かって水平方向に延伸する部分である第２の水平部３１ｂ１と、第２の水平部３１ｂ１と接続され、鉛直方向に延伸する部分である第２の鉛直部３１ｂ２とを有する。

【0094】

第３の延伸部３１ｃは、水平方向に延伸しており、第１の延伸部３１ａの第１の鉛直部３１ａ２と、第２の延伸部３１ｂの第２の鉛直部３１ｂ２とを接続している。

【0095】

第１の蓄熱体４０ａは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａのうち、水平方向に延伸する部分である第１の水平部３１ａ１に配置されている。第２の蓄熱体４０ｂは、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂのうち、水平方向に延伸する部分である第２の水平部３１ｂ１に配置されている。本実施形態でも、第１の蓄熱体４０ａおよび第２の蓄熱体４０ｂは、ガスライン３１の内部のうち、本体部１０を貫通している領域に設けられている。

【0096】

図８に示すように、第１の冷却器３３ａ、第１のファン３２ａおよび第３のファン３２ｃは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａのうち、鉛直方向に延伸する部分である第１の鉛直部３１ａ２に配置されている。第１の冷却器３３ａ、第１のファン３２ａおよび第３のファン３２ｃの相対的な配置関係は、第２の実施形態における加熱炉１００Ａと同じである。

【0097】

ガスライン３１を流れるガスは、冷却機能がオンとなっている第１の冷却器３３ａで冷却される。冷却後のガスの温度が露点を下回る場合、ガスに含まれる水蒸気は結露し、表面に付着する。本実施形態における加熱炉１００Ｂでは、第１の冷却器３３ａがガスライン３１の第１の鉛直部３１ａ２に配置されているので、第１の冷却器３３ａの表面に付着した結露水を落下させることができる。これにより、結露水が第１の冷却器３３ａの表面に付着したままとなることを抑制することができる。

【0098】

図８に示すように、第２の冷却器３３ｂ、第２のファン３２ｂおよび第４のファン３２ｄは、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂのうち、鉛直方向に延伸する部分である第２の鉛直部３１ｂ２に配置されている。第２の冷却器３３ｂ、第２のファン３２ｂおよび第４のファン３２ｄの相対的な配置関係は、第２の実施形態における加熱炉１００Ａと同じである。

【0099】

ガスライン３１を流れるガスは、冷却機能がオンとなっている第２の冷却器３３ｂで冷却される。冷却後のガスの温度が露点を下回る場合、ガスに含まれる水蒸気は結露し、表面に付着する。本実施形態における加熱炉１００Ｂでは、第２の冷却器３３ｂがガスライン３１の第２の鉛直部３１ｂ２に配置されているので、第２の冷却器３３ｂの表面に付着した結露水を落下させることができる。これにより、結露水が第２の冷却器３３ｂの表面に付着したままとなることを抑制することができる。

【0100】

本実施形態における加熱炉１００Ｂは、ガスライン３１の内部のうち、冷却器３３の鉛直下方に配置され、水を気化するための気化器３４をさらに備える。気化器３４は、例えば、アルミニウム、鉄、銅などの金属や、セラミックからなり、フィンを有するヒートシンクである。ヒートシンクの表面は、ポーラス状であってもよい。ただし、気化器３４は、水を気化させることができるものであればよく、ヒートシンクに限定されることはない。本実施形態において、気化器３４には、第１の気化器３４ａと第２の気化器３４ｂとが含まれる。

【0101】

第１の気化器３４ａは、ガスライン３１の内部のうち、第１の冷却器３３ａの鉛直下方であって、第１の水平部３１ａ１と第１の鉛直部３１ａ２とが接続される部分に配置されている。第１の気化器３４ａは、第１の冷却器３３ａの表面に発生し、その後落下した結露水を気化させるために配置されている。

【0102】

第２の気化器３４ｂは、ガスライン３１の内部のうち、第２の冷却器３３ｂの鉛直下方であって、第２の水平部３１ｂ１と第２の鉛直部３１ｂ２とが接続される部分に配置されている。第２の気化器３４ｂは、第２の冷却器３３ｂの表面に発生し、その後落下した結露水を気化させるために配置されている。

【0103】

一例として、３０Ｌ／ｍｉｎで熱処理空間１１からガスライン３１へと吸引されたガスの露点が６０℃の場合、冷却器３３で５０℃まで冷却された場合の結露の量は、２．３ｃｃｍに相当する。１サイクル１０秒でガスの吸引および噴出を切り替える場合、１サイクルあたり約０．４ｃｃの結露が発生して、冷却器３３の表面に付着する。

【0104】

ファン３２の制御によって、所定時間毎にガスの吸引および噴出を切り替えると、切り替わったガスの流れに乗って、結露水は、冷却器３３内のより高温側へ移動するか、または、下方に落下する。下方に落下した結露水は、気化器３４と接触して気化し、水蒸気として再び本体部１０の熱処理空間１１へ流入する。

【0105】

このように、第３の実施形態における加熱炉１００Ｂによれば、ガスライン３１には、水平方向に延伸する部分と、鉛直方向に延伸する部分が含まれており、冷却器３３は、鉛直方向に延伸する部分に配置されているので、冷却器３３の表面に発生する結露水を落下させることができる。これにより、結露水が冷却器３３の表面に付着したままとなることを抑制することができる。

【0106】

また、第３の実施形態における加熱炉１００Ｂは、ガスライン３１の内部のうち、冷却器３３の鉛直下方に配置され、水を気化するための気化器３４を備えるので、冷却器３３の表面から落下した結露水を速やかに気化させることができる。これにより、結露水をガスライン３１の内部に滞留させることなく、速やかに熱処理空間１１内に還流させることができるので、熱処理空間１１からガスライン３１へと吸引したガスと同じ成分のガスをガスライン３１から熱処理空間１１へと噴出することができる。

【0107】

なお、冷却器３３の表面に発生して落下した結露水がガスライン３１の内部で気化するのであれば、気化器３４は省略することが可能である。

【0108】

＜第４の実施形態＞
図９は、第４の実施形態における加熱炉１００Ｃの構成を模式的に示す断面図である。図９に示す断面図の切断位置は、図２に示す断面図の切断位置と同じである。なお、本実施形態における加熱炉１００Ｃでは、第２の実施形態における加熱炉１００Ａと同様に、吸引噴出部３０は、第１のファン３２ａおよび第２のファン３２ｂだけでなく、第３のファン３２ｃおよび第４のファン３２ｄを備える。ただし、第３のファン３２ｃおよび第４のファン３２ｄを省略した構成としてもよい。

【0109】

第４の実施形態における加熱炉１００Ｃが第２の実施形態における加熱炉１００Ａと異なるのは、蓄熱体４０である。すなわち、第４の実施形態における蓄熱体４０は、その一部が本体部１０の熱処理空間１１内に露出している。第２の実施形態における加熱炉１００Ａと同様、蓄熱体４０には、第１の蓄熱体４０ａと第２の蓄熱体４０ｂが含まれており、第１の蓄熱体４０ａおよび第２の蓄熱体４０ｂの一部がそれぞれ、熱処理空間１１内に露出している。

【0110】

蓄熱体４０のうち、本体部１０の熱処理空間１１内に突出して露出している長さは、適宜設定すればよい。一例として、蓄熱体４０の長さが２２１ｍｍの場合に、熱処理空間１１内に露出している部分の長さは、２０ｍｍである。

【0111】

第１の蓄熱体４０ａの一部が熱処理空間１１内に露出していることにより、第１の蓄熱体４０ａのうち、熱処理空間１１内に露出している部分は、露出していない部分と比べて高温となっている。したがって、第１の蓄熱体４０ａを通過して熱処理空間１１へと噴出されるガスは、第１の蓄熱体４０ａとの熱交換によって、より高温の状態で噴出される。同様に、第２の蓄熱体４０ｂの一部が熱処理空間１１内に露出していることにより、第２の蓄熱体４０ｂを通過して熱処理空間１１へと噴出されるガスは、第２の蓄熱体４０ｂとの熱交換によって、より高温の状態で噴出される。これにより、熱処理空間１１へと噴出されるガスの温度を、熱処理空間１１内のガスの温度にさらに近づけることができ、被処理物１とガスとの反応バラツキをさらに抑制することができる。

【0112】

＜第５の実施形態＞
第１の実施形態における加熱炉１００では、ガスライン３１の第１の吸引噴出口１６および第２の吸引噴出口１７からは、水平方向にガスが噴出される。このため、プレート２上の複数の被処理物１に向けてガスが噴出されるように、第１の吸引噴出口１６および第２の吸引噴出口１７は、プレート２が載置される駆動用ローラ１３に対してできるだけ近い高さの位置に設けられることが好ましい。

【0113】

しかしながら、図１では省略しているが、ガスライン３１が接続されている本体部１０の第１の側壁１０ａには、駆動用ローラ１３を駆動するためのモータなどの駆動部が設けられている。このため、第１の吸引噴出口１６および第２の吸引噴出口１７を、駆動用ローラ１３に対してできるだけ近い高さの位置に配置すると、駆動用ローラ１３の駆動部とガスライン３１とが干渉する可能性があり、設計に工夫を要する。

【0114】

このため、第５の実施形態における加熱炉１００Ｄでは、第１の吸引噴出口１６および第２の吸引噴出口１７は、駆動用ローラ１３の駆動部から離れた位置に設けられている。

【0115】

図１０は、第５の実施形態における加熱炉１００Ｄの構成を模式的に示す断面図である。図１と同様、図１０は、被処理物１の搬送方向と直交する面で加熱炉１００Ｄを切断したときの断面を示している。

【0116】

第１の実施形態における加熱炉１００と比べて、本実施形態における第１の吸引噴出口１６は、駆動用ローラ１３に対してより高い位置、すなわち、駆動用ローラ１３の搬送面と直交する高さ方向において、駆動用ローラ１３から遠ざかった位置に設けられている。図は省略するが、第２の吸引噴出口１７についても同様である。そのような配置により、駆動用ローラ１３の駆動部とガスライン３１とが干渉することを抑制することができる。

【0117】

図１０に示すように、本実施形態における加熱炉１００Ｄでも、第４の実施形態における加熱炉１００Ｃと同様に、第１の蓄熱体４０ａの一部は、熱処理空間１１内に露出している。同様に、第２の蓄熱体４０ｂの一部は、熱処理空間１１内に露出している。ただし、第１の蓄熱体４０ａおよび第２の蓄熱体４０ｂの一部が熱処理空間１１内に露出していない構成としてもよい。

【0118】

本実施形態では、被処理物１が熱処理空間１１内に載置される載置面に対して、被処理物１が載置される側に延びる単位法線ベクトルと、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が負となるように、ガスライン３１が配置されている。このことについて、図１１を用いて説明する。

【0119】

なお、ガスライン３１からは、先端に向かってガスライン３１が延伸する方向に沿ってガスが噴出されるので、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとは、先端に向かってガスライン３１が延伸する方向に沿った単位ベクトルを意味する。

【0120】

図１１は、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａから第１の吸引噴出口１６を介して熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルｖと、被処理物１が載置されるプレート２の載置面２ａに対して、被処理物１が載置される側に延びる単位法線ベクトルｎとの関係を示す図である。単位ベクトルｖと単位法線ベクトルｎとの内積（ｖ・ｎ）は負である。すなわち、ガスライン３１から第１の吸引噴出口１６を介して斜め下方に向かってガスが噴出されるように、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａの向きが調整されている。

【0121】

図は省略するが、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂから第２の吸引噴出口１７を介して熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルｖと、被処理物１が載置されるプレート２の載置面２ａに対して、被処理物１が載置される側に延びる単位法線ベクトルｎとの内積（ｖ・ｎ）も負である。すなわち、ガスライン３１から第２の吸引噴出口１７を介して斜め下方に向かってガスが噴出されるように、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂの向きが調整されている。

【0122】

第５の実施形態における加熱炉１００Ｄによれば、駆動用ローラ１３の駆動部とガスライン３１との干渉を抑制することができる。また、熱処理空間１１内におけるプレート２上の複数の被処理物１には、斜め上方からガスが吹き付けられるため、より多くの被処理物１に対してガスを吹き付けることが可能となる。これにより、より多くの被処理物１に対する反応を促進させることができ、被処理物１毎の反応のバラツキをさらに抑制することができる。

【0123】

＜第６の実施形態＞
図１２は、第６の実施形態における加熱炉１００Ｅの構成を模式的に示す断面図である。また、図１３は、ガスライン３１のうち、第１の吸引噴出口１６付近の部位を拡大した断面図である。

【0124】

図１３に示すように、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａの断面積は、第１の吸引噴出口１６に向かって小さくなっている。より詳しくは、ガスライン３１の第１の延伸部３１ａを延伸方向と直交する面で切断したときの断面積のうち、熱処理空間１１側における先端の断面積Ｓｉは、第１の蓄熱体４０ａが配置されている領域の平均断面積Ｓｍより小さい。

【0125】

図は省略するが、ガスライン３１の第２の吸引噴出口１７側も同じである。すなわち、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂの断面積は、熱処理空間１１側の先端に向かって小さくなっている。より詳しくは、ガスライン３１の第２の延伸部３１ｂを延伸方向と直交する面で切断したときの断面積のうち、熱処理空間１１側における先端の断面積Ｓｉは、第２の蓄熱体４０ｂが配置されている領域の平均断面積Ｓｍより小さい。

【0126】

このように、ガスライン３１の断面積は、熱処理空間１１側の先端に向かって小さくなっているので、ガスライン３１から熱処理空間１１へとガスが噴出される際、流速が速くなる。これにより、被処理物１の近傍に、より流速の速いガスの流れを形成することができるので、熱処理反応をさらに促進させることができ、被処理物１毎の反応バラツキをさらに抑制することができる。したがって、被処理物１の熱処理によって得られる製品の品質バラツキをさらに抑制することができる。

【0127】

また、熱処理空間１１内に噴出されるガスの流速が速くなることにより、熱処理空間１１内において、噴出流に巻き込まれる高温のガスが増加するエントレインメント現象が生じる。これにより、熱処理空間１１内へと噴出され、被処理物１の近傍を流れるガスの温度が熱処理空間１１内のガスの温度により近くなるので、被処理物１毎の反応バラツキをさらに抑制することができる。

【0128】

＜第７の実施形態＞
第１の実施形態における加熱炉１００～第６の実施形態における加熱炉１００Ｅでは、本体部１０が略直方体で、被処理物１の搬送方向の両端が開口した形状を有している。これに対して、第７の実施形態における加熱炉１００Ｆでは、本体部１０が略球状の形状を有する。

【0129】

なお、本実施形態における加熱炉１００Ｆでも、第２の実施形態における加熱炉１００Ａと同様に、吸引噴出部３０は、第１のファン３２ａおよび第２のファン３２ｂだけでなく、第３のファン３２ｃおよび第４のファン３２ｄを備えている。ただし、第３のファン３２ｃおよび第４のファン３２ｄを省略した構成としてもよい。

【0130】

図１４は、第７の実施形態における加熱炉１００Ｆの構成を模式的に示す断面図である。図１４に示す断面図の切断位置は、図２に示す断面図の切断位置と同じである。

【0131】

本実施形態における加熱炉１００Ｆでも、ガスの吸引および噴出時に、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるように、ガスライン３１が配置されている。ガスライン３１の経路長を短くするためには、第１の吸引噴出口１６と第２の吸引噴出口１７の位置が近くなるようにガスライン３１を配置することが好ましい。なお、図１４では、熱処理空間１１から第１の吸引噴出口１６を介してガスライン３１にガスが吸引され、第２の吸引噴出口１７を介して熱処理空間１１へとガスが噴出されるときのガスの流れを矢印で示している。

【0132】

第７の実施形態における加熱炉１００Ｆでも、ガスの吸引および噴出時に、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるように、ガスライン３１が配置されているので、ガスライン３１の経路長を短くすることができ、加熱炉１００Ｆの構成をコンパクトにすることができる。また、ガスライン３１の経路長を短くすることにより、ガスがガスライン３１を流れるときに流路外への放熱を抑制することができ、熱効率を向上させることができる。

【0133】

＜第８の実施形態＞
第１の実施形態における加熱炉１００～第７の実施形態における加熱炉１００Ｆはそれぞれ、１つの吸引噴出部３０を備えている。これに対して、第８の実施形態における加熱炉１００Ｇでは、複数の吸引噴出部３０が設けられている。

【0134】

図１５は、第８の実施形態における加熱炉１００Ｇの構成を模式的に示す断面図である。図１５に示す断面図の切断位置は、図２に示す断面図の切断位置と同じである。

【0135】

図１５に示す例では、４つの吸引噴出部３０が設けられている。具体的には、本体部１０の第１の側壁１０ａに２つの吸引噴出部３０が設けられ、第１の側壁１０ａと対向する第２の側壁１０ｂに２つの吸引噴出部３０が設けられている。ただし、吸引噴出部３０の数が４つに限定されることはないし、１つの側壁に全ての吸引噴出部３０が設けられていてもよい。

【0136】

本発明のように、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるようにガスライン３１が配置されることにより、ガスライン３１の経路長を短くすることができるので、複数の吸引噴出部３０を設けることが可能となる。これにより、被処理物１の反応バラツキをより抑制することができる。

【0137】

本体部１０の第１の側壁１０ａに設けられている吸引噴出部３０と、第２の側壁１０ｂに設けられている吸引噴出部３０は、互いに対向する位置に設けられていることが好ましい。より詳細には、本体部１０の第１の側壁１０ａに接続されているガスライン３１の第１の吸引噴出口１６と対向する位置に、第２の側壁１０ｂに接続されているガスライン３１の第１の吸引噴出口１６が位置し、第１の側壁１０ａに接続されているガスライン３１の第２の吸引噴出口１７と対向する位置に、第２の側壁１０ｂに接続されているガスライン３１の第２の吸引噴出口１７が位置することが好ましい。

【0138】

さらに、第１の側壁１０ａと第２の側壁１０ｂとが対向する方向において、図１５に示すように、ガスの流れが同じ向きになるように、吸引噴出部３０を制御することが好ましい。図１５に示す例では、第１の側壁１０ａに接続されているガスライン３１の第１の吸引噴出口１６からガスを吸引し、第２の吸引噴出口１７からガスを噴出するときのガスの流れを矢印で示している。また、第２の側壁１０ｂに接続されているガスライン３１の第１の吸引噴出口１６からガスを噴出し、第２の吸引噴出口１７からガスを吸引するときのガスの流れを矢印で示している。このように、ガスの吸引および噴出を制御することにより、熱処理空間１１へと噴出されるガスの直進方向の位置において、同時にガスの吸引を行うことができるので、ガスライン３１から熱処理空間１１へと噴出されるガスのうち、より多くのガスの直進性を保つことができる。これにより、より多くの被処理物１の表面および近傍にガスを流すことができ、被処理物１毎の熱処理の反応バラツキをより抑制することが可能となる。

【0139】

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。例えば、各実施形態における加熱炉の特徴的な構成は、適宜組み合わせることができる。

【0140】

本体部１０の形状が上述した実施形態で説明した形状に限定されることはない。本体部１０の形状が上述した略直方体の形状や略球状の形状以外の形状である場合でも、ガスライン３１を介したガスの吸引および噴出時に、ガスライン３１から熱処理空間１１へ噴出されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルと、熱処理空間１１からガスライン３１へ吸引されるガスの進行方向に沿った単位ベクトルとの内積が０以下となるように、ガスライン３１を配置すればよい。

【0141】

上述した各実施形態では、吸引噴出部３０がファン３２を備え、ファン３２の駆動により、熱処理空間１１からガスライン３１へのガスの吸引と、ガスライン３１から熱処理空間１１へのガスの噴出とを行うものとして説明した。しかしながら、ガスの吸引および噴出を行うための動力源がファン３２に限定されることはない。例えば、ガスライン３１にピストンを配置し、ピストンの筒の内部を可動部が往復運動することによってガスの吸引と噴出とを行うようにしてもよい。

【符号の説明】

【0142】

１ 被処理物
１０ 本体部
１１ 熱処理空間
１２ 加熱部
１３ 駆動用ローラ
１４ ガス供給口
１５ ガス排出口
１６ 第１の吸引噴出口
１７ 第２の吸引噴出口
２０ ガス供給部
３０ 吸引噴出部
３１ ガスライン
３１ａ 第１の延伸部
３１ａ１ 第１の水平部
３１ａ２ 第１の鉛直部
３１ｂ 第２の延伸部
３１ｂ１ 第２の水平部
３１ｂ２ 第２の鉛直部
３１ｃ 第３の延伸部
３２ａ 第１のファン
３２ｂ 第２のファン
３２ｃ 第３のファン
３２ｄ 第４のファン
３３ａ 第１の冷却器
３３ｂ 第２の冷却器
３４ａ 第１の気化器
３４ｂ 第２の気化器
４０ａ 第１の蓄熱体
４０ｂ 第２の蓄熱体
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ 加熱炉
Ｌ１ ガス流路
Ｌ２ 冷媒流路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】