特許 7601288 多層基板、多層基板モジュール及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-09

(45)【発行日】2024-12-17

(54)【発明の名称】多層基板、多層基板モジュール及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20241210BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20241210BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20241210BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 U

H05K3/46 N

H05K1/02 Q

H01L23/12 J

H01L23/12 301J

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2024528398

(86)(22)【出願日】2023-05-18

(86)【国際出願番号】 JP2023018517

(87)【国際公開番号】W WO2023248657

(87)【国際公開日】2023-12-28

【審査請求日】2024-10-18

(31)【優先権主張番号】P 2022101858

(32)【優先日】2022-06-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池本 伸郎

(72)【発明者】

【氏名】高田 英一

(72)【発明者】

【氏名】山地 和裕

(72)【発明者】

【氏名】上田 英樹

【審査官】沼生 泰伸

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１６／０８０３３３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－１２３８３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／０８６０９５（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／００－ ３／４６

Ｈ０１Ｌ ２３／１２－２３／１５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ｚ軸の正方向に位置する正主面及び前記Ｚ軸の負方向に位置する負主面を有する複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられている複数の導体層であって、前記複数の絶縁体層の内のＺ軸の最も正方向に位置する絶縁体層の正主面に位置する実装電極を有している第１導体層を含んでいる複数の導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の１つである第１絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、かつ、前記第１絶縁体層の前記正主面及び前記負主面に位置する２つの前記導体層を接続する１以上の第１層間接続導体と、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する第２層間接続導体と、
を備えており、
前記１以上の第１層間接続導体のそれぞれは、
第１領域と、
前記第１領域の熱伝達率より低い熱伝達率を有している第２領域であって、前記第１領域より前記Ｚ軸の負方向に位置する第２領域と、
を含んでおり、
前記Ｚ軸方向に見て、前記１以上の第１層間接続導体の内の少なくとも１つである大面積第１層間接続導体の面積は、前記第２層間接続導体の面積より大きい、
多層基板。

【請求項2】

１以上の前記大面積第１層間接続導体は、前記第１導体層と導体を介して接続されている、又は、前記第１導体層と直接に接続されている、
請求項１に記載の多層基板。

【請求項3】

前記積層体の前記Ｚ軸方向の中央に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に直交する面を中間面とし、
前記１以上の大面積第１層間接続導体は、前記中間面より前記Ｚ軸の正方向に位置している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。

【請求項4】

前記積層体の前記Ｚ軸方向の中央に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に直交する面を中間面とし、
前記多層基板は、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する１以上の第３層間接続導体であって、前記中間面より前記Ｚ軸の負方向に位置する１以上の第３層間接続導体を、
更に備えており、
前記１以上の第３層間接続導体は、前記第１領域の熱伝達率より低い熱伝達率を有している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。

【請求項5】

前記積層体を前記Ｚ軸方向に３等分して得られる領域を正領域、中間領域及び負領域とし、
前記正領域、前記中間領域及び前記負領域は、前記Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並んでおり、
前記１以上の大面積第１層間接続導体は、前記正領域に位置している、
請求項１に記載の多層基板。

【請求項6】

前記多層基板は、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する１以上の第４層間接続導体であって、前記中間領域に位置する１以上の第４層間接続導体を、
更に備えており、
前記１以上の第４層間接続導体は、前記第１領域の熱伝達率より低い熱伝達率を有しており、
請求項５に記載の多層基板。

【請求項7】

前記多層基板は、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する１以上の第５層間接続導体であって、前記負領域に位置する１以上の第５層間接続導体を、
更に備えており、
前記１以上の第５層間接続導体は、前記第２領域の熱伝達率より高い熱伝達率を有している、
請求項６に記載の多層基板。

【請求項8】

前記１以上の大面積第１層間接続導体に接続されている導体層の少なくとも１つは、アンテナを有している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。

【請求項9】

前記積層体は、可撓性を有している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。

【請求項10】

前記複数の導体層は、アンテナ導体層を含んでおり、
前記負主面から前記アンテナ導体層までの距離は、前記正主面から前記アンテナ導体層までの距離より短い、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。

【請求項11】

前記１以上の大面積第１層間接続導体の少なくとも１つは、前記第１導体層に直接に接続されている、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。

【請求項12】

前記１以上の大面積第１層間接続導体には、電源電圧又はグランド電位が接続される、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。

【請求項13】

請求項１又は請求項２に記載の前記多層基板と、
前記実装電極に実装されている電子部品と、
を備えている、
多層基板モジュール。

【請求項14】

前記１以上の大面積第１層間接続導体の少なくとも１つは、前記Ｚ軸方向に見て、前記電子部品と重なっている重複部分及び前記電子部品と重なっていない非重複部分を有している、
請求項１３に記載の多層基板モジュール。

【請求項15】

前記電子部品は、ＲＦＩＣである、
請求項１３に記載の多層基板モジュール。

【請求項16】

請求項１３に記載の前記多層基板モジュールを、
備えている、
電子機器。

【請求項17】

前記電子機器は、
前記多層基板モジュールを収容している筐体を、
更に備えており、
前記筐体から前記負主面までの距離は、前記筐体から前記正主面までの距離より短い、
請求項１６に記載の電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、層間接続導体を備える多層基板、多層基板モジュール及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のパワーアンプモジュールが知られている。このパワーアンプモジュールは、積層基板及び電子部品を備えている。積層基板は、コア基板及び基板構成基材が上下方向に積層された構造を有している。積層基板は、上主面及び下主面を有する板形状を有している。積層基板は、コア基板及び基板構成基材を上下方向に貫通する複数の放熱ビアを備えている。電子部品は、積層基板の上主面に実装されている。これにより、電子部品が発生した熱は、複数の放熱ビアを介して積層基板の下主面へと伝達される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００５－１９１４３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、特許文献１に記載のパワーアンプモジュールの分野において、積層基板の下面に熱を伝達させたくない場合がある。

【0005】

そこで、本発明の目的は、放熱性能が低下することを抑制しつつ、積層体の下面に熱が伝達することを抑制できる多層基板、多層基板モジュール及び電子機器を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態に係る多層基板は、
Ｚ軸の正方向に位置する正主面及び前記Ｚ軸の負方向に位置する負主面を有する複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられている複数の導体層であって、前記複数の絶縁体層の内のＺ軸の最も正方向に位置する絶縁体層の正主面に位置する実装電極を有している第１導体層を含んでいる複数の導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の１つである第１絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、かつ、前記第１絶縁体層の前記正主面及び前記負主面に位置する２つの前記導体層を接続する１以上の第１層間接続導体と、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する第２層間接続導体と、
を備えており、
前記１以上の第１層間接続導体のそれぞれは、
第１領域と、
前記第１領域の熱伝達率より低い熱伝達率を有している第２領域であって、前記第１領域より前記Ｚ軸の負方向に位置する第２領域と、
を含んでおり、
前記Ｚ軸方向に見て、前記１以上の第１層間接続導体の内の少なくとも１つである大面積第１層間接続導体の面積は、前記第２層間接続導体の面積より大きい。

【発明の効果】

【0007】

本発明に係る多層基板によれば、放熱性能が低下することを抑制しつつ、積層体の下面に熱が伝達することを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、電子機器１の断面図である。

【図2】図２は、多層基板１１及び電子部品１００の上面図である。

【図3】図３は、多層基板モジュール１０ａの断面図である。

【図4】図４は、多層基板モジュール１０ｂの断面図である。

【図5】図５は、多層基板モジュール１０ｃの断面図である。

【図6】図６は、多層基板モジュール１０ｄの断面図である。

【図7】図７は、多層基板モジュール１０ｅの断面図である。

【図8】図８は、多層基板モジュール１０ｆの断面図である。

【図9】図９は、多層基板モジュール１０ｇの断面図である。

【図10】図１０は、多層基板モジュール１０ｈの断面図である。

【図11】図１１は、多層基板モジュール１０ｉの断面図である。

【図12】図１２は、多層基板モジュール１０ｊの断面図である。

【図13】図１３は、多層基板モジュール１０ｋの断面図である。

【図14】図１４は、多層基板モジュール１０ｌの断面図である。

【図15】図１５は、多層基板１１ｌの上面図である。

【図16】図１６は、多層基板１１ｍの上面図である。

【図17】図１７は、電子機器１ｎの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

（実施形態）
［電子機器の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る電子機器１の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、電子機器１の断面図である。図２は、多層基板１１及び電子部品１００の上面図である。図２では、保護層１６を省略した。

【0010】

本明細書において、方向を以下のように定義する。多層基板１１の積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、上下方向は、Ｚ軸方向と一致する。上方向は、Ｚ軸の正方向である。下方向は、Ｚ軸の負方向である。また、上下方向と直交する方向を左右方向及び前後方向と定義する。左右方向は、前後方向と直交している。なお、上下方向の上方向と下方向とが入れ替わってもよいし、左右方向の左方向と右方向とが入れ替わってもよいし、前後方向の前方向と後方向とが入れ替わってもよい。

【0011】

電子機器１は、例えば、スマートフォン等の無線通信端末である。電子機器１は、多層基板モジュール１０及び筐体１２０を備えている。多層基板モジュール１０は、多層基板１１及び電子部品１００を備えている。筐体１２０は、多層基板モジュール１０を収容している。

【0012】

多層基板１１は、高周波信号を伝送する。多層基板１１は、図１及び図２に示すように、積層体１２、保護層１６、導体層１８ａ～１８ｈ，１９ａ～１９ｆ、第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂ、第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｆを備えている。

【0013】

図１に示すように、積層体１２は、上主面及び下主面を有する板形状を有している。積層体１２は、上下方向に見て、長方形状を有している。積層体１２は、上主面（Ｚ軸の正方向に位置する正主面）及び下主面（Ｚ軸の負方向に位置する負主面）を有する絶縁体層１４ａ～１４ｃが上下方向（Ｚ軸方向）に積層された構造を有している。絶縁体層１４ａ～１４ｃは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１４ａ～１４ｃは、上下方向に見て、長方形状を有している。絶縁体層１４ａ～１４ｃの材料は、樹脂である。絶縁体層１４ａ～１４ｃの材料は、例えば、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマである。これにより、積層体１２は、可撓性を有している。積層体１２の上下方向（Ｚ軸方向）の中央に位置し、かつ、上下方向（Ｚ軸方向）に直交する面を中間面Ｓとする。

【0014】

図１及び図２に示すように、導体層１８ａ～１８ｈ，１９ａ～１９ｆは、積層体１２に設けられている。導体層１８ａ～１８ｈは、絶縁体層１４ａの上主面に位置している。図２に示すように、導体層１８ａ～１８ｈは、実装電極Ｅ１～Ｅ９を有している。実装電極Ｅ１～Ｅ９は、絶縁体層１４ａ～１４ｃの内の最も上（Ｚ軸の最も正方向）に位置する絶縁体層１４ａの上主面（正主面）に位置している。実装電極Ｅ１～Ｅ９は、後述する保護層１６から導体層１８ａ～１８ｈが露出している部分である。実装電極Ｅ１～Ｅ９は、上下方向に見て、３×３の行列状に配列されている。実装電極Ｅ１～Ｅ９は、上下方向に見て、長方形状を有している。

【0015】

図２に示すように、導体層１８ａ～１８ｃは、左から右へとこの順に並んでいる。導体層１８ａは、左右方向に延びている。実装電極Ｅ１，Ｅ４は、導体層１８ａの右端部において前から後へとこの順に並んでいる。導体層１８ｂは、正方形状を有している。実装電極Ｅ５は、導体層１８ｂの中央に位置している。導体層１８ｃは、左右方向に延びている。実装電極Ｅ６は、導体層１８ｃの左端部に位置している。

【0016】

図１に示すように、導体層１９ａ～１９ｃは、絶縁体層１４ｂの上主面に位置している。導体層１９ａ～１９ｃは、左から右へとこの順に並んでいる。導体層１９ａ～１９ｃは、左右方向に延びている。

【0017】

図１に示すように、導体層１９ｄ～１９ｆは、絶縁体層１４ｃの下主面に位置している。導体層１９ｄ～１９ｆは、左から右へとこの順に並んでいる。導体層１９ｄ～１９ｆは、上下方向に見て、長方形状を有している。導体層１９ｄ～１９ｆは、例えば、外部電極である。

【0018】

以上のような導体層１８ａ～１８ｃ，１９ａ～１９ｆは、絶縁体層１４ａ，１４ｂの上主面及び絶縁体層１４ｃの下主面に張り付けられた金属箔をパターニングすることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。

【0019】

図１に示すように、保護層１６は、絶縁体層１４ａの上主面の略全面を覆っている。これにより、保護層１６は、導体層１８ａ～１８ｈを保護している。ただし、実装電極Ｅ１～Ｅ９は、保護層１６により覆われていない。また、保護層１６は、積層体１２の一部分ではない。保護層１６の上主面には、導体層が設けられない。以上のような保護層１６は、例えば、レジスト層である。

【0020】

第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂは、絶縁体層１４ａ～１４ｃの内の１つである絶縁体層１４ａ（第１絶縁体層）を上下方向（Ｚ軸方向）に貫通している。第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）及び第１層間接続導体ｖ１ａ，ｖ１ｂは、中間面Ｓより上（Ｚ軸の正方向）に位置している。第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂは、下から上へと行くにしたがって上下方向に直交する断面の面積が小さくなる形状を有している。具体的には、第１層間接続導体Ｖ１は、四角錘台形状を有している。第１層間接続導体ｖ１ａ，ｖ１ｂは、円錐台形状を有している。そして、第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂの上端の面積は、第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂの下端の面積より小さい。

【0021】

第１層間接続導体Ｖ１は、絶縁体層１４ａ（第１絶縁体層）の上主面（正主面）及び下主面（負主面）に位置する導体層１８ａと導体層１９ａと（２つの導体層）を接続している。第１層間接続導体ｖ１ａは、絶縁体層１４ａ（第１絶縁体層）の上主面（正主面）及び下主面（負主面）に位置する導体層１８ｂと導体層１９ｂと（２つの導体層）を接続している。第１層間接続導体ｖ１ｂは、絶縁体層１４ａ（第１絶縁体層）の上主面（正主面）及び下主面（負主面）に位置する導体層１８ｃと導体層１９ｃと（２つの導体層）を接続している。

【0022】

第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂのそれぞれは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を含んでいる。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２は、上から下へとこの順に並んでいる。第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１より下（Ｚ軸の負方向）に位置している。第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１の熱伝達率より低い熱伝達率を有している。このような第１領域Ａ１の材料は、導体層１８ａ～１８ｃの材料と同じである。従って、第１領域Ａ１の材料は、例えば、銅である。第２領域Ａ２の材料は、例えば、錫及び銅の合金や、錫及び銀の合金である。第２領域Ａ２は、金属粉末と樹脂との混合物である導電性ペーストが焼結されることにより形成される。

【0023】

第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃは、絶縁体層１４ｂ（複数の絶縁体層の内の１つ）を上下方向（Ｚ軸方向）に貫通している。第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃは、下から上へと行くにしたがって上下方向に直交する断面の面積が小さくなる形状を有している。具体的には、第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃは、円錐台形状を有している。そして、第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃの上端の面積は、第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃの下端の面積より小さい。

【0024】

第２層間接続導体ｖ２ａの上端は、導体層１９ａの左端部に接続されている。第２層間接続導体ｖ２ｂの上端は、導体層１９ｂの右端部に接続されている。第２層間接続導体ｖ２ｃの上端は、導体層１９ｃの右端部に接続されている。

【0025】

第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃのそれぞれは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を含んでいる。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２は、上から下へとこの順に並んでいる。

【0026】

第２層間接続導体ｖ２ｄ～ｖ２ｆは、絶縁体層１４ｃ（複数の絶縁体層の内の１つ）を上下方向（Ｚ軸方向）に貫通している。第２層間接続導体ｖ２ｄ～ｖ２ｆは、中間面Ｓより下（Ｚ軸の負方向）に位置している。第２層間接続導体ｖ２ｄ～ｖ２ｆは、上から下へと行くにしたがって上下方向に直交する断面の面積が小さくなる形状を有している。具体的には、第２層間接続導体ｖ２ｄ～ｖ２ｆは、円錐台形状を有している。そして、第２層間接続導体ｖ２ｄ～ｖ２ｆの上端の面積は、第２層間接続導体ｖ２ｄ～ｖ２ｆの下端の面積より大きい。

【0027】

第２層間接続導体ｖ２ｄは、第２層間接続導体ｖ２ａと導体層１９ｄとを接続している。第２層間接続導体ｖ２ｅは、第２層間接続導体ｖ２ｂと導体層１９ｅとを接続している。第２層間接続導体ｖ２ｆは、第２層間接続導体ｖ２ｃと導体層１９ｆとを接続している。

【0028】

第２層間接続導体ｖ２ｄ～ｖ２ｆのそれぞれは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を含んでいる。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２は、下から上へとこの順に並んでいる。

【0029】

以上のような第１領域Ａ１は、絶縁体層１４ａ～１４ｃを上下方向に貫通する貫通孔に金属のメッキが施されることにより形成される。金属は、例えば、銅である。第２領域Ａ２は、金属のメッキが施された貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが焼成されることにより形成される。

【0030】

電子部品１００は、多層基板１１の実装電極Ｅ１～Ｅ９に実装されている。電子部品１００は、動作時に熱を発する素子である。電子部品１００は、例えば、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）である。電子部品１００は、例えば、ＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、電源ＩＣである。電子部品１００は、部品本体１０２及び外部電極Ｂ１～Ｂ９を備えている。部品本体１０２は、直方体形状を有している。外部電極Ｂ１～Ｂ９は、部品本体１０２の下面に位置している。外部電極Ｂ１～Ｂ９は、３×３の行列状に配列されている。外部電極Ｂ１～Ｂ９のそれぞれは、実装電極Ｅ１～Ｅ９に接続されている。外部電極Ｂ１～Ｂ９は、電源電圧又はグランド電位が接続される電極、又は、高周波信号が入出力する電極である。本実施形態では、外部電極Ｂ４は、電源電圧又はグランド電位が接続される電極である。

【0031】

ここで、第１層間接続導体Ｖ１は、大面積第１層間接続導体である。上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）の面積は、第１層間接続導体ｖ１ａ，ｖ１ｂ、第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｆの面積より大きい。そして、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、導体層１８ａ（第１導体層）と直接に接続されている。従って、第１層間接続導体Ｖ１の上端は、導体層１８ａに接触している。そして、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、電子部品１００と重なっている重複部分Ｐ１及び電子部品１００と重なっていない非重複部分Ｐ２を有している。

【0032】

また、第１層間接続導体Ｖ１は、導体層１８ａを介して外部電極Ｂ４に電気的に接続されている。外部電極Ｂ４は、電源電圧又はグランド電位が接続される電極である。そのため、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）には、電源電圧又はグランド電位が接続される。

【0033】

［効果］
（ａ）多層基板１１によれば、放熱性能が低下することを抑制しつつ、積層体１２の下面に熱が伝達することを抑制できる。より詳細には、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、導体層１８ａ（第１導体層）と直接に接続されている。これにより、電子部品１００が発生した熱は、導体層１８ａを介して第１層間接続導体Ｖ１へと伝達される。ここで、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１の熱伝達率より低い熱伝達率を有している第２領域Ａ２であって、第１領域Ａ１より下に位置する第２領域Ａ２と、を含んでいる。これにより、第１層間接続導体Ｖ１に伝達された熱が、第１領域Ａ１から第２領域Ａ２へと伝達されることが抑制される。そのため、電子部品１００が発生した熱は、積層体１２の下面に伝達されることが抑制される。

【0034】

更に、上下方向に見て、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）の面積は、第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃの面積より大きい。これにより、電子部品１００が発生した熱が第１層間接続導体Ｖ１に伝達されたときに、熱が第１領域Ａ１において前後方向及び左右方向に伝達される。これにより、多層基板１１において、放熱性能が低下することが抑制される。

【0035】

（ｂ）多層基板１１では、第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｆの面積は、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）の面積より小さい。このように小さな第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｆが用いられることにより、多層基板１１内の配線密度を高くすることができる。

【0036】

（ｃ）多層基板１１は、可撓性を有している。これにより、多層基板１１を屈曲させて、電子機器１内の部材に沿って配置させることができる。これにより、電子部品１００が発生した熱は、多層基板１１から電子機器１内の部材に伝達される。その結果、多層基板１１の放熱性が向上する。

【0037】

（ｄ）多層基板１１によれば、以下の理由によっても、多層基板１１の放熱性が向上する。より詳細には、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、上下方向に見て、電子部品１００と重なっている重複部分Ｐ１及び電子部品１００と重なっていない非重複部分Ｐ２を有している。これにより、第１層間接続導体Ｖ１に伝達された熱は、上下方向に見て、積層体１２において電子部品１００と重ならない部分に伝達される。よって、積層体１２から大気中に熱が放射されることが、電子部品１００により妨げられにくくなる。

【0038】

（ｅ）多層基板１１では、第１層間接続導体Ｖ１には、例えば、電源電圧又はグランド電位が接続される。第１層間接続導体Ｖ１の抵抗値が低いので、第１層間接続導体Ｖ１の発熱を抑制できる。また、電源電圧又はグランド電位が接続される導体では、特性インピーダンスを所望の特性インピーダンス（例えば５０Ω）に一致させる必要がない。そのため、大きな面積を有する第１層間接続導体Ｖ１を電源電圧又はグランド電位が接続される導体に適用することが容易である。

【0039】

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る多層基板１１ａについて図面を参照しながら説明する。図３は、多層基板モジュール１０ａの断面図である。

【0040】

多層基板１１ａは、以下の点において多層基板１１と相違する。
・第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃは、第１領域Ａ１の熱伝導率より低い熱伝導率を有している。
・多層基板１１ａは、第２層間接続導体ｖ２ｄ～ｖ２ｆの代わりに第３層間接続導体ｖ３ａ～ｖ３ｃを備えている。第３層間接続導体ｖ３ａ～ｖ３ｃは、第１領域Ａ１の熱伝達率より低い熱伝達率を有している。

【0041】

第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃの材料及び第３層間接続導体ｖ３ａ～ｖ３ｃの材料は、例えば、錫及び銅の合金や、錫及び銀の合金である。第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｃ及び第３層間接続導体ｖ３ａ～ｖ３ｃは、貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが焼成されることにより形成される。多層基板１１ａのその他の構造は、多層基板１１と同じであるので説明を省略する。多層基板１１ａは、（ａ）～（ｅ）の効果を奏することができる。

【0042】

（ｆ）多層基板１１ａによれば、積層体１２の下面に熱が伝達することを抑制できる。より詳細には、第３層間接続導体ｖ３ａ～ｖ３ｃは、中間面Ｓより下（Ｚ軸の負方向）に位置している。そして、第３層間接続導体ｖ３ａ～ｖ３ｃは、第１領域Ａ１の熱伝達率より低い熱伝達率を有している。これにより、熱は、第３層間接続導体ｖ３ａ～ｖ３ｃを介して積層体１２の下面に伝達されにくくなる。

【0043】

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る多層基板１１ｂについて図面を参照しながら説明する。図４は、多層基板モジュール１０ｂの断面図である。

【0044】

多層基板１１ｂは、第１層間接続導体ｖ１ａ，ｖ１ｂの代わりに第２層間接続導体ｖ２ｇ，ｖ２ｈを備えている点において多層基板１１ａと相違する。第２層間接続導体ｖ２ｇ，ｖ２ｈの熱伝導率は、第１層間接続導体ｖ１ａ，ｖ１ｂの熱伝導率と異なる。具体的には、第２層間接続導体ｖ２ｇ，ｖ２ｈは、第１領域Ａ１の熱伝達率より低い熱伝達率を有している。第２層間接続導体ｖ２ｇ，ｖ２ｈの材料は、例えば、錫及び銅の合金や、錫及び銀の合金である。第２層間接続導体ｖ２ｇ，ｖ２ｈは、貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが焼成されることにより形成される。多層基板１１ｂのその他の構造は、多層基板１１ａと同じであるので説明を省略する。多層基板１１ｂは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0045】

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る多層基板１１ｃについて図面を参照しながら説明する。図５は、多層基板モジュール１０ｃの断面図である。

【0046】

多層基板１１ｃは、以下の点において多層基板１１と相違する。
・多層基板１１ｃは、第２層間接続導体ｖ２ａ～ｖ２ｆの代わりに第４層間接続導体ｖ４ａ～ｖ４ｆを備えている。
・積層体１２は、絶縁体層１４ｃの下に位置する絶縁体層１４ｄを更に備えている。
・多層基板１１ｃは、第５層間接続導体ｖ５ａ～ｖ５ｃを更に備えている。

【0047】

ここで、積層体１２を上下方向（Ｚ軸方向）に３等分して得られる領域を正領域Ａ１１、中間領域Ａ１２及び負領域Ａ１３とする。正領域Ａ１１、中間領域Ａ１２及び負領域Ａ１３は、下方向（Ｚ軸の負方向）に向かってこの順に並んでいる。第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、正領域Ａ１１に位置している。より正確には、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）の全体は、正領域Ａ１１に位置している。

【0048】

第４層間接続導体ｖ４ａ～ｖ４ｃは、絶縁体層１４ｂ（複数の絶縁体層の内の１つ）を上下方向（Ｚ軸方向）に貫通している。第４層間接続導体ｖ４ｄ～ｖ４ｆは、絶縁体層１４ｃ（複数の絶縁体層の内の１つ）を上下方向（Ｚ軸方向）に貫通している。第４層間接続導体ｖ４ａ～ｖ４ｆは、中間領域Ａ１２に位置している。より正確には、第４層間接続導体ｖ４ａ～ｖ４ｆの一部分は、中間領域Ａ１２に位置している。第４層間接続導体ｖ４ａ～ｖ４ｆは、第１領域Ａ１の熱伝達率より低い熱伝達率を有している。

【0049】

第５層間接続導体ｖ５ａ～ｖ５ｃは、絶縁体層１４ｄ（複数の絶縁体層の内の１つ）を上下方向（Ｚ軸方向）に貫通している。第５層間接続導体ｖ５ａ～ｖ５ｃは、負領域Ａ１３に位置している。より正確には、第５層間接続導体ｖ５ａ～ｖ５ｃの全体は、負領域Ａ１３に位置している。第５層間接続導体ｖ５ａ～ｖ５ｃは、第２領域Ａ２の熱伝達率より高い熱伝達率を有している。第５層間接続導体ｖ５ａ～ｖ５ｃのそれぞれは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を含んでいる。多層基板１１ｃのその他の構造は、多層基板１１と同じであるので説明を省略する。多層基板１１ｃは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0050】

（ｇ）多層基板１１ｃによれば、多層基板１１ｃの下主面に熱源が接している場合に、熱は、第５層間接続導体ｖ５ａ～ｖ５ｃにより多層基板１１ｃ内に拡散される。これにより、多層基板１１ｃの放熱性が向上する。

【0051】

（ｈ）多層基板１１ｃによれば、第５層間接続導体ｖ５ａ～ｖ５ｃは、第１層間接続導体ｖ１ａ，ｖ１ｂと上下対称な構造を有している。これにより、多層基板１１ｃの全体の構造が上下対称な構造に近づく。その結果、多層基板１１ｃに反りが発生することが抑制される。

【0052】

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る多層基板１１ｄについて図面を参照しながら説明する。図６は、多層基板モジュール１０ｄの断面図である。

【0053】

多層基板１１ｄは、積層体１２、保護層１６、第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂ及び第２層間接続導体Ｖ２，ｖ２ａ，ｖ２ｂを備えている。積層体１２は、絶縁体層１４ａ，１４ｂが上下方向に積層された構造を有している。第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂは、絶縁体層１４ａを上下方向に貫通している。

【0054】

第２層間接続導体Ｖ２，ｖ２ａ，ｖ２ｂは、絶縁体層１４ｂを上下方向に貫通している。第２層間接続導体Ｖ２，ｖ２ａ，ｖ２ｂは、第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂと上下対称な構造を有している。第２層間接続導体Ｖ２，ｖ２ａ，ｖ２ｂのそれぞれは、第１層間接続導体Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂと電気的に接続されている。

【0055】

以上のような多層基板１１ｄは、（ａ）～（ｅ）の効果を奏することができる。また、多層基板１１ｄは、多層基板１１ｃよりも少ない層数により（ｇ）、（ｈ）の効果を奏することができる。

【0056】

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る多層基板１１ｅについて図面を参照しながら説明する。図７は、多層基板モジュール１０ｅの断面図である。

【0057】

多層基板１１ｅは、以下の点において多層基板１１ａと相違する。
・多層基板１１ｅは、第２層間接続導体ｖ２ａの代わりに第２層間接続導体Ｖ２を備えている。
・第２層間接続導体ｖ２ｂ，ｖ２ｃの熱伝導率が第２領域Ａ２の熱伝導率より高い。
第２層間接続導体Ｖ２は、第１層間接続導体Ｖ１と同じ構造を備えている。従って、第２層間接続導体Ｖ２は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を含んでいる。第２層間接続導体Ｖ２の上端は、導体層１９ａに接続されている。第２層間接続導体Ｖ２は、上下方向に見て第１層間接続導体Ｖ１と重なる部分、及び、上下方向に見て第１層間接続導体Ｖ１と重ならない部分を備えている。

【0058】

第２層間接続導体ｖ２ｂ，ｖ２ｃのそれぞれは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を含んでいる。多層基板１１ｅのその他の構造は、多層基板１１ａと同じであるので説明を省略する。多層基板１１ｅは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0059】

また、多層基板１１ｅは、上下方向に見て、大きな面積を有する第２層間接続導体Ｖ２を備えているので、多層基板１１ｅの放熱性が向上する。また、多層基板１１ｅでは、第２層間接続導体Ｖ２は、上下方向に見て第１層間接続導体Ｖ１と重なる部分、及び、上下方向に見て第１層間接続導体Ｖ１と重ならない部分を備えている。これにより、熱は、第１層間接続導体Ｖ１から第２層間接続導体Ｖ２において上下方向に見て第１層間接続導体Ｖ１と重なる部分へと伝達される。更に、熱は、第２層間接続導体Ｖ２において上下方向に見て第１層間接続導体Ｖ１と重なる部分から第２層間接続導体Ｖ２において上下方向に見て第１層間接続導体Ｖ１と重ならない部分へと伝達される。すなわち、熱は、積層体１２において左右方向及び前後方向に伝達される。これにより、多層基板１１ｅの放熱性が向上する。

【0060】

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る多層基板１１ｆについて図面を参照しながら説明する。図８は、多層基板モジュール１０ｆの断面図である。

【0061】

多層基板１１ｆは、第２層間接続導体Ｖ２の全体が上下方向に見て第１層間接続導体Ｖ１の全体と重なっている点において多層基板１１ｅと相違する。多層基板１１ｆのその他の構造は、多層基板１１と同じであるので説明を省略する。多層基板１１ｆは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。また、多層基板１１ｆは、上下方向に見て、大きな面積を有する第２層間接続導体Ｖ２を備えているので、多層基板１１ｆの放熱性が向上する。

【0062】

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係る多層基板１１ｇについて図面を参照しながら説明する。図９は、多層基板モジュール１０ｇの断面図である。

【0063】

多層基板１１ｇのように、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）の全体は、上下方向に見て、電子部品１００と重なっていてもよい。このような多層基板１１ｇは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0064】

（第８変形例）
以下に、第８変形例に係る多層基板１１ｈについて図面を参照しながら説明する。図１０は、多層基板モジュール１０ｈの断面図である。

【0065】

多層基板１１ｈのように、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、導体層１８ｂ（第１導体層）と直接に接続されていなくてもよい。従って、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、導体層１８ｂ（第１導体層）と導体を介して接続されてもよい。導体は、導体層１９ｂ及び層間接続導体ｖ０ａ，ｖ０ｂである。層間接続導体ｖ０ａ，ｖ０ｂは、絶縁体層１４ａを上下方向に貫通し、かつ、導体層１８ｂと導体層１９ｂとを接続している。このような多層基板１１ｈは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0066】

（第９変形例）
以下に、第９変形例に係る多層基板１１ｉについて図面を参照しながら説明する。図１１は、多層基板モジュール１０ｉの断面図である。

【0067】

多層基板１１ｉのように、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、上下方向に見て、電子部品１００と重なっていなくてもよい。これにより、熱は、第１層間接続導体Ｖ１により電子部品１００から離れた位置に拡散される。その結果、多層基板１１ｉの放熱性が向上する。また、多層基板１１ｉは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0068】

（第１０変形例）
以下に、第１０変形例に係る多層基板１１ｊについて図面を参照しながら説明する。図１２は、多層基板モジュール１０ｊの断面図である。

【0069】

多層基板１１ｊのように、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、導体層１８ａ（第１導体層）と直接に接続されていなくてもよい。従って、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、導体層１８ａ（第１導体層）と導体を介して接続されてもよい。導体は、導体層１９ａ及び層間接続導体ｖ０ａである。層間接続導体ｖ０ａは、絶縁体層１４ａを上下方向に貫通し、かつ、第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）と導体層１９ａとを接続している。このような多層基板１１ｈは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0070】

（第１１変形例）
以下に、第１１変形例に係る多層基板１１ｋについて図面を参照しながら説明する。図１３は、多層基板モジュール１０ｋの断面図である。

【0071】

多層基板１１ｋは、層間接続導体ｖ０ａ～ｖ０ｃの熱伝導率が第２領域Ａ２の熱伝導率より高い点において多層基板１１ｊと相違する。層間接続導体ｖ０ａ～ｖ０ｃの材料は、例えば、銅である。これにより、電子部品１００が発生した熱は、層間接続導体ｖ０ａ～ｖ０ｃを介して第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）へと効率的に伝達される。このような多層基板１１ｋは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0072】

（第１２変形例）
以下に、第１２変形例に係る多層基板１１ｌについて図面を参照しながら説明する。図１４は、多層基板モジュール１０ｌの断面図である。図１５は、多層基板１１ｌの上面図である。

【0073】

多層基板１１ｌのように、導体層１８ａは、アンテナＡＮＴを有していてもよい。第１層間接続導体Ｖ１（大面積第１層間接続導体）は、導体層１８ａに接続されている。第１層間接続導体Ｖ１は、電子部品１００とアンテナＡＮＴとの間の電流経路に位置している。そのため、電子部品１００とアンテナＡＮＴとの間の電流経路の抵抗値が低下する。その結果、電子部品１００とアンテナＡＮＴとの間の電流経路における発熱が抑制される。このような多層基板１１ｌは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。

【0074】

また、アンテナＡＮＴの面積が大きいので、アンテナＡＮＴから熱が効率よく放射される。

【0075】

（第１３変形例）
以下に、第１３変形例に係る多層基板１１ｍについて図面を参照しながら説明する。図１６は、多層基板モジュール１０ｍの上面図である。

【0076】

多層基板１１ｍは、第１層間接続導体Ｖ１の形状において多層基板１１ｌと相違する。より詳細には、多層基板１１ｌでは、第１層間接続導体Ｖ１は、上下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。一方、多層基板１１ｍでは、第１層間接続導体Ｖ１は、上下方向に見て、複数の円が左右方向に一列に連なった形状を有している。このような第１層間接続導体Ｖ１は、ドリルやレーザビームの照射により円形状の複数の孔が形成されることにより、形成される。多層基板１１ｍは、多層基板１１ｌと同じ作用効果を奏することができる。

【0077】

（第１４変形例）
以下に、第１４変形例に係る多層基板１１ｎについて図面を参照しながら説明する。図１７は、電子機器１ｎの断面図である。

【0078】

多層基板１１ｎは、複数の導体層がアンテナ導体層５０ａ，５０ｂを含んでいる点において多層基板１１と相違する。積層体１２の下主面（負主面）からアンテナ導体層５０ａ，５０ｂまでの距離は、積層体１２の上主面（正主面）からアンテナ導体層５０ａ，５０ｂまでの距離より短い。そして、積層体１２の下主面から筐体１２０までの距離は、積層体１２の上主面から筐体１２０までの距離より短い。

【0079】

更に、筐体１２０から積層体１２の下主面（負主面）までの距離は、筐体１２０から積層体１２の上主面（正主面）までの距離より短い。これにより、電子部品１００が発生した熱が筐体１２０に伝わることが抑制される。

【0080】

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、多層基板１１，１１ａ～１１ｎに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、多層基板１１，１１ａ～１１ｎの構造が任意に組み合わされてもよい。

【0081】

なお、多層基板は、１つの大面積第１層間接続導体を備えている。しかしながら、多層基板は、複数の大面積第１層間接続導体を備えていてもよい。この場合、複数の大面積第１層間接続導体が正領域Ａ１１に位置していてもよい。また、複数の大面積第１層間接続導体の全てが第１導体層に接続されていてもよいし、複数の大面積第１層間接続導体の内の１以上が第１導体層に接続されていてもよい。

【0082】

なお、多層基板は、３つの第３層間接続導体を備えている。しかしながら、多層基板は、１つ以上の第３層間接続導体を備えていてもよい。

【0083】

なお、多層基板は、６つの第４層間接続導体を備えている。しかしながら、多層基板は、１つ以上の第４層間接続導体を備えていてもよい。

【0084】

なお、多層基板は、３つの第５層間接続導体を備えている。しかしながら、多層基板は、１つ以上の第５層間接続導体を備えていてもよい。

【0085】

なお、複数の導体層がアンテナを有していてもよい。

【0086】

なお、図２の第１層間接続導体Ｖ１のように、第１層間接続導体Ｖ１は、上下方向に見て、長方形状を有している。しかしながら、第１層間接続導体Ｖ１は、上下方向に見て、長方形状以外の形状でもよい。第１層間接続導体Ｖ１は、上下方向に見て、例えば、多角形状や円形等であってもよし、外縁に凹凸を有する形状であってもよい。

【0087】

なお、アンテナＡＮＴは、パッチアンテナであってもよいし、ダイポールアンテナであってもよいし、モノポールアンテナであってもよいし、スロットアンテナであってもよい。

【0088】

なお、第２層間接続導体は、第１層間接続導体が設けられている第１絶縁体層に設けられていてもよい。

【0089】

なお、多層基板は、積層体１２の下主面を覆う保護層を更に備えていてもよい。

【0090】

（１）
Ｚ軸の正方向に位置する正主面及び前記Ｚ軸の負方向に位置する負主面を有する複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられている複数の導体層であって、前記複数の絶縁体層の内のＺ軸の最も正方向に位置する絶縁体層の正主面に位置する実装電極を有している第１導体層を含んでいる複数の導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の１つである第１絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、かつ、前記第１絶縁体層の前記正主面及び前記負主面に位置する２つの前記導体層を接続する１以上の第１層間接続導体と、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する第２層間接続導体と、
を備えており、
前記１以上の第１層間接続導体のそれぞれは、
第１領域と、
前記第１領域の熱伝達率より低い熱伝達率を有している第２領域であって、前記第１領域より前記Ｚ軸の負方向に位置する第２領域と、
を含んでおり、
前記Ｚ軸方向に見て、前記１以上の第１層間接続導体の内の少なくとも１つである大面積第１層間接続導体の面積は、前記第２層間接続導体の面積より大きい、
多層基板。

【0091】

（２）
１以上の前記大面積第１層間接続導体は、前記第１導体層と導体を介して接続されている、又は、前記第１導体層と直接に接続されている、
（１）に記載の多層基板。

【0092】

（３）
前記積層体の前記Ｚ軸方向の中央に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に直交する面を中間面とし、
前記１以上の大面積第１層間接続導体は、前記中間面より前記Ｚ軸の正方向に位置している、
（１）又は（２）に記載の多層基板。

【0093】

（４）
前記積層体の前記Ｚ軸方向の中央に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に直交する面を中間面とし、
前記多層基板は、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する１以上の第３層間接続導体であって、前記中間面より前記Ｚ軸の負方向に位置する１以上の第３層間接続導体を、
更に備えており、
前記１以上の第３層間接続導体は、前記第１領域の熱伝達率より低い熱伝達率を有している、
（１）ないし（３）のいずれかに記載の多層基板。

【0094】

（５）
前記積層体を前記Ｚ軸方向に３等分して得られる領域を正領域、中間領域及び負領域とし、
前記正領域、前記中間領域及び前記負領域は、前記Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並んでおり、
前記１以上の大面積第１層間接続導体は、前記正領域に位置している、
（１）に記載の多層基板。

【0095】

（６）
前記多層基板は、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する１以上の第４層間接続導体であって、前記中間領域に位置する１以上の第４層間接続導体を、
更に備えており、
前記１以上の第４層間接続導体は、前記第１領域の熱伝達率より低い熱伝達率を有しており、
（５）に記載の多層基板。

【0096】

（７）
前記多層基板は、
前記複数の絶縁体層の内の１つを前記Ｚ軸方向に貫通する１以上の第５層間接続導体であって、前記負領域に位置する１以上の第５層間接続導体を、
更に備えており、
前記１以上の第５層間接続導体は、前記第２領域の熱伝達率より高い熱伝達率を有している、
（６）に記載の多層基板。

【0097】

（８）
前記１以上の大面積第１層間接続導体に接続されている導体層の少なくとも１つは、アンテナを有している、
（１）ないし（７）のいずれかに記載の多層基板。

【0098】

（９）
前記積層体は、可撓性を有している、
（１）ないし（８）のいずれかに記載の多層基板。

【0099】

（１０）
前記複数の導体層は、アンテナ導体層を含んでおり、
前記負主面から前記アンテナ導体層までの距離は、前記正主面から前記アンテナ導体層までの距離より短い、
（１）ないし（７）及び（９）のいずれかに記載の多層基板。

【0100】

（１１）
前記１以上の大面積第１層間接続導体の少なくとも１つは、前記第１導体層に直接に接続されている、
（１）ないし（１０）のいずれかに記載の多層基板。

【0101】

（１２）
前記１以上の大面積第１層間接続導体には、電源電圧又はグランド電位が接続される、
（１）ないし（１１）のいずれかに記載の多層基板。

【0102】

（１３）
（１）ないし（１２）のいずれかに記載の前記多層基板と、
前記実装電極に実装されている電子部品と、
を備えている、
多層基板モジュール。

【0103】

（１４）
前記１以上の大面積第１層間接続導体の少なくとも１つは、前記Ｚ軸方向に見て、前記電子部品と重なっている重複部分及び前記電子部品と重なっていない非重複部分を有している、
（１３）に記載の多層基板モジュール。

【0104】

（１５）
前記電子部品は、ＲＦＩＣである、
（１３）又は（１４）に記載の多層基板モジュール。

【0105】

（１６）
（１３）ないし（１５）に記載の前記多層基板モジュールを、
備えている、
電子機器。

【0106】

（１７）
前記電子機器は、
前記多層基板モジュールを収容している筐体を、
更に備えており、
前記筐体から前記負主面までの距離は、前記筐体から前記正主面までの距離より短い、
（１６）に記載の電子機器。

【符号の説明】

【0107】

１，１ｎ：電子機器
１０，１０ａ～１０ｎ：多層基板モジュール
１１，１１ａ～１１ｎ：多層基板
１２：積層体
１４ａ～１４ｄ：絶縁体層
１６：保護層
１８ａ～１８ｈ，１９ａ～１９ｆ：導体層
５０ａ，５０ｂ：アンテナ導体層
１００：電子部品
１０２：部品本体
１２０：筐体
Ａ１：第１領域
Ａ１１：正領域
Ａ１２：中間領域
Ａ１３：負領域
Ａ２：第２領域
ＡＮＴ：アンテナ
Ｂ１～Ｂ９：外部電極
Ｅ１～Ｅ９：実装電極
Ｐ１：重複部分
Ｐ２：非重複部分
Ｓ：中間面
Ｖ１，ｖ１ａ，ｖ１ｂ：第１層間接続導体
Ｖ２，ｖ２ａ～ｖ２ｆ：第２層間接続導体
ｖ３ａ：第３層間接続導体
ｖ４ａ，ｖ４ｄ：第４層間接続導体
ｖ５ａ：第５層間接続導体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】