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特許7604170電子デバイス、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明、および移動体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-13
(45)【発行日】2024-12-23
(54)【発明の名称】電子デバイス、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明、および移動体
(51)【国際特許分類】
H10K 50/11 20230101AFI20241216BHJP
F21S 2/00 20160101ALI20241216BHJP
F21S 43/145 20180101ALI20241216BHJP
F21V 19/00 20060101ALI20241216BHJP
F21V 23/00 20150101ALI20241216BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20241216BHJP
H10K 50/805 20230101ALI20241216BHJP
H10K 50/813 20230101ALI20241216BHJP
H10K 50/818 20230101ALI20241216BHJP
H10K 50/852 20230101ALI20241216BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241216BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20241216BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20241216BHJP
H10K 59/95 20230101ALI20241216BHJP
F21W 103/00 20180101ALN20241216BHJP
F21Y 115/15 20160101ALN20241216BHJP
H10K 102/10 20230101ALN20241216BHJP
【ＦＩ】
H10K50/11
F21S2/00 482
F21S43/145
F21V19/00 170
F21V23/00 160
G09F9/302 C
H10K50/805
H10K50/813
H10K50/818
H10K50/852
H10K59/122
H10K59/124
H10K59/35
H10K59/95
F21W103:00
F21Y115:15
H10K102:10
【請求項の数】
16
(21)【出願番号】P 2020178127
(22)【出願日】2020-10-23
(65)【公開番号】P2022069134
(43)【公開日】2022-05-11
【審査請求日】2023-10-10
(73)【特許権者】
【識別番号】000001007
【氏名又は名称】キヤノン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126240
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 琢磨
(74)【代理人】
【識別番号】100223941
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 佳子
(74)【代理人】
【識別番号】100159695
【弁理士】
【氏名又は名称】中辻 七朗
(74)【代理人】
【識別番号】100172476
【弁理士】
【氏名又は名称】冨田 一史
(74)【代理人】
【識別番号】100126974
【弁理士】
【氏名又は名称】大朋 靖尚
(72)【発明者】
【氏名】高橋 哲生
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 希之
(72)【発明者】
【氏名】佐野 博晃
(72)【発明者】
【氏名】松田 陽次郎
【審査官】高田 亜希
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－１３８６１２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０３０４７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－２７７５９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１８１１８８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０２０／１０５５４４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１０－０５６０１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０５４０８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０７９１６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０５００１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０４４２５７６６（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１３６２６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１２３５２８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ５０／００ －９９／００
Ｈ０１Ｌ ５１／５０ －５１／５２
Ｇ０９Ｆ ９／３０２
Ｆ２１Ｓ ２／００ －４３／１４５
Ｆ２１Ｖ １９／００ －２３／００
Ｆ２１Ｙ １１５／１５
Ｆ２１Ｗ １０３／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に配置された複数の素子を有し、前記複数の素子のそれぞれは、前記基板側から、第１絶縁層と、第１電極と、機能層と、第２電極と、をこの順に有し、
前記機能層および前記第２電極が、前記複数の素子のうちの隣り合う２つの素子がそれぞれ独立に有する２つの前記第１電極を覆うように、一方の前記第１電極の上から他方の前記第１電極の上まで連続して配置された電子デバイスであって、
前記第１絶縁層は、前記基板に対して傾斜した傾斜部を有し、
前記第１電極は、前記傾斜部の上に配置された第１部分と、前記機能層と接し、前記基板に対する傾斜角が前記第１部分よりも小さい第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に配置され、前記基板に対する傾斜角が前記第１部分よりも小さい第３部分と、を有し、
前記第１電極と前記機能層の間に配置され、前記第１電極の端部を覆う第２絶縁層を有し、
前記第２絶縁層は、前記第３部分と前記第１部分とを覆うように、前記第１部分および前記第３部分の上に配置されており、
前記第１電極は光透過性を有し、
前記第１部分の上に配置された前記機能層の、前記第１部分と接する面に対する法線方向の厚さは、前記第２部分の上に配置された前記機能層の、前記第２部分と接する面に対する法線方向の厚さよりも小さい
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項2】
前記第１部分は、前記基板に対する傾斜角が１５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項3】
前記第１部分は、前記第２部分を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項4】
前記第２絶縁層は、前記第１電極の上に開口部を有し、前記第１電極において前記開口部の中で前記機能層と接する部分が前記第１部分である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項5】
前記第１絶縁層は前記第２部分よりも前記基板から離れた位置に平坦部を有し、前記第１電極は、前記平坦部の端部と前記傾斜部とを覆うように前記第１絶縁層の上に配置されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項6】
前記第１絶縁層の前記傾斜部は、前記基板に対する平面視で前記第１部分を取り囲むように配置されており、前記第１絶縁層の前記平坦部は、前記基板に対する平面視で前記傾斜部を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項7】
前記複数の素子は、第１の光を出射する第１素子と、第２の光を出射する第２素子と、を含み、前記第１素子の有する前記第１絶縁層の前記平坦部の上面と、前記第２素子の有する前記第１絶縁層の前記平坦部の上面と、が同一平面上にあることを特徴とする請求項５または６に記載の電子デバイス。
【請求項8】
前記複数の素子は、第１の光を出射する第１素子と、第２の光を出射する第２素子と、を含み、前記第１素子の有する前記第１電極の前記第２部分の上面と、前記第２素子の有する前記第１電極の前記第２部分の上面と、が異なる平面上にあることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項9】
前記複数の素子は、第１の光を出射する第１素子と、第２の光を出射する第２素子と、を含み、前記第１素子および前記第２の素子は、前記第２部分と前記基板との間に、前記基板側から、反射層と、光学調整層と、をさらに有し、
前記第１素子の有する前記光学調整層の厚さと前記第２素子の有する光学調整層の厚さは互いに異なることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項10】
前記第１絶縁層は前記第２部分よりも前記基板から離れた位置に平坦部を有し、前記反射層は前記第２部分および前記平坦部の下に配置されており、
前記反射層の前記平坦部の下に配置されている部分の前記基板に垂直な方向の厚さは、前記反射層の前記第２部分の下に配置されている部分の前記基板に垂直な方向の厚さよりも大きく、
前記第１絶縁層は、前記反射層の前記第２部分の下に配置されている部分と前記反射層の前記平坦部の下に配置されている部分とで形成される段差を覆うように配置されていることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項11】
請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子デバイスと、前記複数の素子に接続されるトランジスタと、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項12】
撮像装置と、表示部として請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子デバイスと、を備え、
前記撮像装置から提供されるユーザーの視線情報に基づいて前記表示部の表示画像が制御される表示装置。
【請求項13】
複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、を有し、前記表示部は請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子デバイスを有する光電変換装置。
【請求項14】
請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子デバイスを有する表示部と、前記表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有する電子機器。
【請求項15】
請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子デバイスを有する光源と、前記光源が発する光を透過する光拡散部または光学フィルムと、を有する照明装置。
【請求項16】
請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子デバイスを有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有する移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子デバイス、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明、および移動体に関する。
【背景技術】
【0002】
有機層（有機化合物層ともいう）を用いた電子デバイスとして、有機発光素子や有機光電変換素子が提案されている。有機発光素子は、陰極および陽極と、その間に配置された有機層とを有する素子であり、陰極から注入された電子と、陽極から注入された正孔とが再結合して光を発生する発光デバイスである。有機光電変換素子は、陰極および陽極と、その間に配置された有機層とを有する素子であり、有機層が光を吸収して発生する電子および正孔を陰極および陽極から取り出す光電変換デバイスである。近年、有機発光素子を備える表示装置や有機光電変換素子を備える撮像装置が注目されている。
【0003】
有機層を用いた電子デバイスでは、複数の有機発光素子や複数の有機光電変換素子にわたって有機層が連続的に形成される場合がある。このような場合には、隣り合う素子がそれぞれ独立に有する電極（陰極または陽極）の間で、有機層を介して電流のリークが発生しやすい。有機発光素子において隣り合う素子間での電流のリークが発生してしまうと有機発光素子の意図しない発光を招き、表示装置の色域を狭めてしまう。また、有機光電変換素子において隣り合う素子間での電流のリークが発生してしまうと、ノイズが発生してしまう。このように、隣り合う素子間での電流のリークは、電子デバイスの特性を低下させてしまう。
【0004】
特許文献１に記載されている電子デバイスは、隣り合う素子がそれぞれ有する下部電極の端部を覆うように絶縁層が設けられている。絶縁層は下部電極の上に配置される傾斜部を有しており、その上に有機層が複数の素子にわたって連続に形成されている。特許文献１には、隣り合う素子がそれぞれ有する下部電極の間での電流のリークを抑制しつつ、上部電極と下部電極との間の電流のリークを抑制するために、絶縁層の傾斜部の上に配置される有機層の厚さを所定値以上とすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０２０－１３６２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１の構成では、平坦な下部電極の端部を覆うように、傾斜部を有する絶縁層を配置している。そして、絶縁層の傾斜部の上に配置される有機層の厚さを調節することで、隣り合う素子の間の電流のリークと、上部電極と下部電極との間の電流のリークを抑制している。しかしながら、従来のように単に有機層の厚さを調整するのみでは、隣り合う素子の間の電流のリークを十分に抑制できない場合があるという課題があった。
【0007】
そこで本発明では、上述の課題に鑑み、隣り合う素子の間の電流リークをより確実に抑制可能な電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一側面としての電子デバイスは、基板上に配置された複数の素子を有し、前記複数の素子のそれぞれは、前記基板側から、絶縁層と、第１電極と、機能層と、第２電極と、をこの順に有し、前記機能層および前記第２電極が、前記複数の素子のうちの隣り合う２つの素子がそれぞれ独立に有する２つの前記第１電極を覆うように、一方の前記第１電極の上から他方の前記第１電極の上まで連続して配置された電子デバイスであって、前記絶縁層は、前記基板に対して傾斜した傾斜部を有し、前記第１電極は、前記傾斜部の上に配置された第１部分と、前記機能層と接し、前記基板に対する傾斜角が前記第１部分よりも小さい第２部分と、を有し、前記第１部分の上に配置された前記機能層の、前記第１部分と接する面に対する法線方向の厚さは、前記第２部分の上に配置された前記機能層の、前記第２部分と接する面に対する法線方向の厚さよりも小さいことを特徴とする。
【0009】
また、本発明の別の一側面としての電子デバイスは、基板上に配置された複数の素子を有し、前記複数の素子のそれぞれは、前記基板側から、第１絶縁層と、第１電極と、機能層と、第２電極と、をこの順に有し、前記機能層および前記第２電極が、前記複数の素子のうちの隣り合う２つの素子がそれぞれ独立に有する２つの前記第１電極を覆うように、一方の前記第１電極の上から他方の前記第１電極の上まで連続して配置された電子デバイスであって、前記第１絶縁層は、前記基板に対して傾斜した傾斜部を有し、前記傾斜部の上に配置され、前記第１電極の端部を覆う第２絶縁層を有し、前記第１電極は、前記傾斜部の上に配置され、前記第２絶縁層に覆われた第１部分と、前記機能層と接する第２部分と、を有し、前記第１部分の上に配置された前記機能層の、前記第１部分と接する面に対する法線方向の厚さは、前記第２部分の上に配置された前記機能層の、前記第２部分と接する面に対する法線方向の厚さよりも小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、隣り合う素子の間の電流リークをより確実に抑制可能な電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】第１の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す平面図。
【図2】第１の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。
【図4】比較例の有機発光装置の構成を示す模式図。
【図5】下部電極の平坦部上における有機層の層厚に対する、隣り合う２つの下部電極の平坦部の間の距離の比と、赤画素の色度の関係図。
【図6】成膜シミュレーションにおける部材の配置図。
【図7】成膜シミュレーションの結果を示す図。
【図8】第２の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。
【図9】第３の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。
【図11】第４の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。
【図12】第５の実施形態に係る有機発光装置の構成を示す断面図。
【図13】表示装置の一例を表す模式図。
【図14】撮像装置の一例を表す模式図。
【図15】表示装置の一例を表す模式図。
【図16】照明装置の一例を表す模式図。
【図17】表示装置の適用例を表す模式図。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態にかかる有機発光装置の詳細を説明する。なお、以下の実施の形態は、いずれも本発明の一例を示すのであり、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、本発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【0013】
本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上又は直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。
【0014】
本明細書において、「略平行」とは、二つの直線または平面が－１５°以上１５°以下の角度で配置されている状態をいう。また、本明細書において、「ＡからＢまでの間において連続して配置されている」とは、ＡからＢまでの間において途切れることなく連続して配置されていることを意味する。また、本明細書において、「高さ」とは、基板１の上面（第１の面）からの上方向の距離である。基板１の上面（第１の面）と平行な部分を指定しその指定した基準に基づいて「高さ」を指定してもよい。
【0015】
［第１の実施形態］
図１～７を参照して、本発明の第１の実施形態に係る有機発光装置について説明する。本実施形態は、電子デバイスが有機発光装置である例である。
図１～７を参照して、本発明の第１の実施形態に係る有機発光装置について説明する。本実施形態は、電子デバイスが有機発光装置である例である。
【0016】
（有機発光装置の全体構成）
図１は、第１の実施形態に係る有機発光装置１００の構成を示す平面図である。有機発光装置１００は、基板１上（基板上）に複数の画素ＰＸが二次元アレイ状に配置された表示領域１１０と、周辺回路１２０を有する。周辺回路１２０は、表示領域１１０に画像を表示するための回路であり、画像表示用のドライバである信号線駆動回路１２１（信号出力回路）と信号線駆動回路１２２（垂直走査回路）とを含んでもよい。
図１は、第１の実施形態に係る有機発光装置１００の構成を示す平面図である。有機発光装置１００は、基板１上（基板上）に複数の画素ＰＸが二次元アレイ状に配置された表示領域１１０と、周辺回路１２０を有する。周辺回路１２０は、表示領域１１０に画像を表示するための回路であり、画像表示用のドライバである信号線駆動回路１２１（信号出力回路）と信号線駆動回路１２２（垂直走査回路）とを含んでもよい。
【0017】
複数の画素ＰＸのそれぞれは、複数の副画素ＳＰを有する。本実施形態では、複数の画素ＰＸのそれぞれは、第１色の光を出射する第１副画素ＳＰＲと、第２色の光を出射する第２副画素ＳＰＧと、第３色の光を出射する第３副画素ＳＰＢの３種類の副画素ＳＰを有している。ここでは、第１色、第２色、および第３色は、例えばそれぞれ赤色、緑色、および青色であるものとする。なお、ここで示した画素ＰＸの構成は一例であって、これに限定されるものではない。例えば、複数の画素ＰＸのそれぞれは、第１副画素ＳＰＲ、第２副画素ＳＰＧ、第３副画素ＳＰＢの他に、第４色を出射する第４副画素ＳＰＷを有していてもよい。第４色は、例えば白色や黄色であってもよい。また、本実施形態では副画素ＳＰの配列がデルタ配列である例を示すが、これに限定はされず、ストライプ配列やスクエア配列、ベイヤー配列であってもよい。
【0018】
（発光素子の構成）
図２は、図１の線分Ａ－Ａ´における断面模式図である。複数の副画素ＳＰは、基板１の上面（第１の面）に配置された発光素子１０をそれぞれ有する。図１には、有機発光装置１００が有する複数の画素ＰＸのうちの１つの画素ＰＸが有する、３つの副画素ＳＰが示されている。第１副画素ＳＰＲは第１発光素子１０Ｒを有し、第２副画素ＳＰＧは第２発光素子１０Ｇを有し、第３副画素ＳＰＢは第３発光素子１０Ｂを有する。第１発光素子１０Ｒは第１色の光を出射する発光素子であり、第２発光素子１０Ｇは第２色の光を出射する発光素子であり、第３発光素子１０Ｂは第３色の光を出射する発光素子である。なお本明細書において、複数の発光素子１０のうちの特定の発光素子に言及する場合は、発光素子１０「Ｒ」のように参照番号の後に添え字を付して示す。また、発光素子の種類を特定せずに発光素子に言及する場合は、単に発光素子「１０」と示す。他の構成要素についても同様である。
図２は、図１の線分Ａ－Ａ´における断面模式図である。複数の副画素ＳＰは、基板１の上面（第１の面）に配置された発光素子１０をそれぞれ有する。図１には、有機発光装置１００が有する複数の画素ＰＸのうちの１つの画素ＰＸが有する、３つの副画素ＳＰが示されている。第１副画素ＳＰＲは第１発光素子１０Ｒを有し、第２副画素ＳＰＧは第２発光素子１０Ｇを有し、第３副画素ＳＰＢは第３発光素子１０Ｂを有する。第１発光素子１０Ｒは第１色の光を出射する発光素子であり、第２発光素子１０Ｇは第２色の光を出射する発光素子であり、第３発光素子１０Ｂは第３色の光を出射する発光素子である。なお本明細書において、複数の発光素子１０のうちの特定の発光素子に言及する場合は、発光素子１０「Ｒ」のように参照番号の後に添え字を付して示す。また、発光素子の種類を特定せずに発光素子に言及する場合は、単に発光素子「１０」と示す。他の構成要素についても同様である。
【0019】
複数の発光素子１０は、それぞれ、基板１の上面の側（基板側）から、第１絶縁層３と、第１電極である下部電極２と、発光層を含む有機層４と、第２電極である上部電極５と、をこの順に有する。発光層を含む有機層４は、機能層ということもできる。本実施形態の有機発光装置１００は、上部電極５から光を取り出すトップエミッション型デバイスである。さらに、有機発光装置１００は、上部電極５を覆うように配置された保護層６と、第１平坦化層８と、第２平坦化層９と、カラーフィルタ層７０と、を含む。
【0020】
カラーフィルタ層７０は、第１カラーフィルタ７Ｒと、第２カラーフィルタ７Ｇと、第３カラーフィルタ７Ｂと、を含む。第１カラーフィルタ７Ｒは第１の色の光を透過するカラーフィルタであり、第２カラーフィルタ７Ｇは第２の色の光を透過するカラーフィルタであり、第３カラーフィルタ７Ｂは第３の色の光を透過するカラーフィルタである。それぞれのカラーフィルタ７は、複数の発光素子１０ごとに配置されており、発光素子１０の発光領域のそれぞれと対応するように配置されている。図１の平面図において、各副画素ＳＰ（発光素子１０）が有するカラーフィルタ７は実線で示されている。また、図１において、各副画素ＳＰが有する下部電極２の外縁は破線で示されており、第１絶縁層３の開口部は一点鎖線で示されている。後述するように、有機層４は下部電極２と接しており、有機層４と下部電極２とが接している領域が、各副画素ＳＰの発光領域となる。本実施形態では下部電極２はその上面の全体が有機層４と接しているため、各副画素ＳＰの発光領域は図１の点線で示される領域である。図１に示すように、それぞれのカラーフィルタ７は、対応する発光素子１０の発光領域の中心と平面視で重なるように配置されている。
【0021】
本実施形態では、各発光素子１０が有する有機層４は白色発光する。そして、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂは、有機層４から発せられる白色光から、ＲＧＢそれぞれの光を選択的に透過することで分離し、外部に出射する。カラーフィルタ層７０の有するカラーフィルタの少なくとも一部は、有機層から発せられた光を吸収して他の色に変換して出射する色変換層であってもよい。色変換層は、量子ドット（ＱＤ）を含んでもよい。また、カラーフィルタ層７０は、４種類以上のカラーフィルタを有していてもよい。さらに、有機層４が発する光は白色光でなくてもよい。
【0022】
基板１は、第１の面を有する板状部材である。基板１の第１の面の上に各種構成要素が積層され、有機発光装置１００が形成されている。基板１はシリコン基板などの半導体基板であってもよいし、ガラスや石英、樹脂などの絶縁体基板であってもよい。また、基板１は可撓性を有していてもよい。
【0023】
基板１の上には、下部電極２と電気的に接続されているトランジスタを含む駆動回路層（不図示）が形成されていてもよい。本実施形態では、駆動回路層に形成される駆動回路はアクティブマトリクス型の画素駆動回路である。したがって、有機発光装置１００はアクティブマトリクス型表示装置であるともいえる。駆動回路層は基板１の上に積層されて形成されていてもよいし、半導体プロセスによってその一部が基板１に直接形成されていてもよい。駆動回路層は、トランジスタと、配線層と、配線層の間に配置される絶縁物を含んでいてもよい。絶縁物は例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機物、ポリイミド、ポリアクリル等の有機物で構成される層間絶縁層が挙げられる。層間絶縁層は、その上面に平坦な面を有しており、下部電極２を形成する際の下地となる面の凹凸を軽減する目的から平坦化層と呼ばれることもある。基板１が駆動回路層を有する場合には、駆動回路層も含めて「基板」ととらえてもよい。なお、駆動回路層も含めて「基板」ととらえる場合には、駆動回路層の最上層の層間絶縁層の上面を、第１の面ととらえることができる。本実施形態においては、第１の面の上には下部電極２が形成されるため、下部電極２の下面のうちの基板１と接している面は第１の面と一致する。そのため、下部電極２の下面のうちの基板１と接している面を第１の面とみなしてもよい。
【0024】
第１絶縁層３は、基板１の上に配置されている。第１絶縁層３は副画素ＳＰと、それと隣り合う別の副画素ＳＰと、の間に配置されており、第１絶縁層３によって各副画素ＳＰが画定されている。また、第１絶縁層３は基板１の第１の面に対して傾斜した傾斜部３１を有している。第１絶縁層３は画素分離膜、隔壁、バンクなどとも呼ばれる。
【0025】
図２に示すように、第１副画素ＳＰＲと第２副画素ＳＰＧとの間に配置されている第１絶縁層３は、第１副画素ＳＰＲに近い側の端部に傾斜部３１Ｒを有し、第２副画素ＳＰＧに近い側の端部に傾斜部３１Ｇを有する。同様に、第２副画素ＳＰＧと第３副画素ＳＰＢとの間に配置されている第１絶縁層３は、第２副画素ＳＰＧに近い側の端部に傾斜部３１Ｇを有し、第３副画素ＳＰＢに近い側の端部に傾斜部３１Ｂを有する。また、図２には示されていないが、第３副画素ＳＰＢと第１副画素ＳＰＲとの間に配置されている第１絶縁層３は、第３副画素ＳＰＢに近い側の端部に傾斜部３１Ｂを有し、第１副画素ＳＰＲに近い側の端部に傾斜部３１Ｒを有する。また、第１絶縁層３は、２つの傾斜部３１の間には平坦部３２を有する。なお、第１副画素ＳＰＲ、第２副画素ＳＰＧ、第３副画素ＳＰＢは、それぞれ、第１発光素子１０Ｒ、第２発光素子１０Ｇ、第３発光素子１０Ｂ、と読み替えてよい。
【0026】
第１絶縁層３は、例えば、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）や物理蒸着法（ＰＶＤ法）などで形成してよい。第１絶縁層３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などで構成されてよい。また、第１絶縁層３は、それらの積層膜でもよい。第１絶縁層３の傾斜部３１の傾斜角は、異方性エッチングや等方性エッチングの条件によって制御可能である。また、第１絶縁層３の下に配置される層の傾斜角を制御することで、第１絶縁層３の傾斜部３１の傾斜角を制御してもよい。第１絶縁層３は、エッチングなどによる加工や、層の積み増しなどによって、上面に凹凸を有してもよい。
【0027】
下部電極２は、アノード（陽極）であり、それぞれの発光素子１０ごとに電気的に分離して配置される。換言すれば、下部電極２は、副画素ごとに電気して分離して配置される。複数の発光素子１０が、下部電極２をそれぞれ独立に有する、ということもできる。下部電極２は、画素電極や個別電極などとも呼ばれる。本実施形態では、下部電極２はアノードとしての機能の他に、有機層４から発生した光を反射して発光素子１０の発光効率を高める反射層としての機能も兼ねている。下部電極２は、反射層としての機能を高めるために、有機層４の発光波長に対する反射率が８０％以上の金属材料が用いられてもよい。ここで、有機層４の発光波長は、有機層４から発せられる光の最大強度の波長である。下部電極２の材質としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）などの金属や、これらの金属にＳｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｄなどを添加した合金を使用することができる。あるいは、下部電極２は、可視光領域における光の反射率が８０％以上の金属材料が用いられてもよい。下部電極２は、バリア層を含む積層構造としてもよい。バリア層の材料としては、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕなどの金属やその合金を用いてよい。バリア層は、下部電極２の上面に配置される金属層であってよい。
【0028】
下部電極２は、第１絶縁層３の有する傾斜部３１の上に配置される第１部分２１と、基板１の上に基板１と接するように配置される第２部分２２と、を有する。さらに、下部電極は、第１絶縁層３の有する平坦部３１の上に配置される第４部分２４をさらに有する。下部電極２は直下の層の形状に沿うように配置されている。そのため、傾斜部３１の上に配置されている第１部分２１は、その上面および下面が、傾斜部３１と同様に基板１の第１の面に対して傾斜している。一方、基板１の上に配置される第２部分２２は、その上面および下面が、基板１の第１の面と略平行である。第２部分２２は、基板１とは反対側の面（すなわち上面）の基板１に対する傾斜角が第１部分２１よりも小さい部分であるともいえる。また、平坦部３２の上面は、基板１の第１の面と略平行である。そのため、平坦部３２の上に配置される第４部分２４は、その上面および下面が、基板１の第１の面と略平行である。第４部分２４は、基板１とは反対側の面（すなわち上面）の基板１に対する傾斜角が第１部分２１よりも小さい部分であるともいえる。また、第１部分２１は平面視で第２部分２２を取り囲むように配置されているともいえる。さらに、第４部分２４は平面視で第１部分２１を取り囲むように配置されているともいえる。
【0029】
有機層４は、下部電極２と上部電極５との間に配置されている。有機層４は、下部電極２および第１絶縁層３の上に、複数の発光素子１０に共通に、連続して配置されている。１つの有機層４を複数の発光素子１０で共有しているともいえる。有機層４は、１つの画素ＰＸを構成する複数の副画素ＳＰにわたって共通に配置されていてもよい。有機層４は、隣り合う画素ＰＸと画素ＰＸとの間では分離されていてもよいし、複数の画素ＰＸにわたって共通に配置されていてもよい。有機層４は、有機発光装置１００の画像を表示する表示領域１１０の全面わたって、一体的に形成されていてもよい。有機層４が複数の層から構成される場合には、その少なくとも一部の層が、複数の発光素子１０にわたって連続して配置されていてもよい。副画素ＳＰのサイズが微細な場合には、特に、有機層４を複数の副画素ＳＰにわたって共通に配置することが有効である。
【0030】
有機発光装置１００が含む複数の画素ＰＸが、第１下部電極２Ｒを有する第１副画素ＳＰＲと、第２下部電極２Ｇを有する第２副画素ＳＰＧと、をそれぞれ含む場合を考える。このとき、有機層４の少なくとも一部は、第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上までの間において連続して配置されていてもよい。なお、「連続して配置される」とは、途中で途切れることなく配置されることを意味する。また、「第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上までの間において連続して配置される」とは、第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上まで途切れることなく配置されていることを意味する。
【0031】
有機発光装置１００が含む複数の画素ＰＸが、第１下部電極２Ｒを有する第１副画素ＳＰＲ、第２下部電極２Ｇを有する第２副画素ＳＰＧ、第３下部電極２Ｂを有する第３副画素ＳＰＢと、をそれぞれ含む場合を考える。このとき、有機層４の少なくとも一部は、下記を満たしてもよい。第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上までの間、第２下部電極２Ｇの上から第３下部電極２Ｂの上までの間、および、第３下部電極２Ｂの上から第１下部電極２Ｒの上までの間、のうちの少なくとも２つにおいて連続して配置されていてもよい。また、第１下部電極２Ｒの上から第２下部電極２Ｇの上までの間、第２下部電極２Ｇの上から第３下部電極２Ｂの上までの間、および、第３下部電極２Ｂの上から第１下部電極２Ｒの上までの間、のすべてにおいて連続して配置されていてもよい。
【0032】
有機層４は、下部電極２から供給された正孔と上部電極２から供給された電子とが再結合して発光する発光層を含む。有機層４は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含んでよい。有機層４は、発光効率、駆動寿命、光学干渉といった観点からそれぞれ適切な材料を選択することができる。正孔輸送層は、電子ブロック層や正孔注入層として機能してもよく、正孔注入層や正孔輸送層や電子ブロック層などの積層構造としてもよい。発光層は、異なる色を発光する発光層の積層構造でもよく、異なる色を発光する発光ドーパントを混合した混合層でもよい。発光層は、第１色の光を発光する第１色発光材料、第２色の光を発光する第２色発光材料、第３色を発光する第３色発光材料を含んでいてもよく、各発光色を混合することによって白色光を得られるように構成されていてもよい。第１色、第２色、および第３色は、例えばそれぞれ赤色、緑色、および青色であってもよい。発光層は、青色発光材料と黄色発光材料などの補色の関係の発光材料を含有していてもよい。また、電子輸送層は、正孔ブロック層や電子注入層として機能してもよく、電子注入層や電子輸送層や正孔ブロック層の積層構造としてもよい。
【0033】
また、有機層４は複数の発光層と、複数の機能層間に配置される中間層と、を有していてもよく、有機発光装置１００は、中間層が電荷発生層であるタンデム構造の発光装置であってもよい。タンデム構造は、電荷発生層と発光層との間に正孔輸送層や電子輸送層などの電荷輸送層を有していてもよい。
【0034】
電荷発生層は、電子供与性の材料と電子受容性の材料を含み電荷を発生する層である。電子供与性の材料と電子受容性の材料とは、それぞれ、電子を与える材料およびその電子を受け取る材料である。これによって、電荷発生層には正および負の電荷が発生するため、電荷発生層よりも上方および下方の層に、正または負の電荷を供給することができる。電子供与性の材料は、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属であってもよい。また、電子供与性の材料は、例えば、フッ化リチウム、リチウム錯体、炭酸セシウム、セシウム錯体などであってもよい。この場合、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムのような還元性の材料と共に含まれることで、電子供与性を発現してもよい。電子受容性の材料は、例えば、酸化モリブデンのような無機物であってもよく、［ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル］（ＨＡＴ－ＣＮ）のような有機物であってもよい。電子受容性の材料と電子供与性の材料は混合されていてもよいし、積層されていてもよい。
【0035】
上部電極５は、カソード（陰極）であり、有機層４の上に配置される。上部電極５は、複数の発光素子１０にわたって連続的に形成され、複数の発光素子１０によって共有されている。有機層４と同様に、上部電極５は、有機発光装置１００の画像を表示する表示領域１１０の全面にわたって、一体的に形成されていてもよい。上部電極５は、上部電極５の下面に到達した光の少なくとも一部を透過する電極であってよい。上部電極は、一部の光を透過するとともに、他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を有する半透過反射層として機能してもよい。上部電極５は、例えばマグネシウムや銀などの金属、または、マグネシウムや銀を主成分とする合金、もしくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含んだ合金材料から形成されうる。また、上部電極５としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯなどの酸化物導電体などが用いられてもよい。また、上部電極５は、適当な透過率を有するならば、積層構造であってもよい。
【0036】
保護層６は、上部電極５の上に、複数の発光素子１０にわたって連続的に形成され、複数の発光素子１０によって共有されている。保護層６は、透光性を有し、外部からの酸素や水分の透過性が低い無機材料を含んでいてもよい。保護層６は、防湿層や封止層などとも呼ばれる。保護層６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）および酸化チタン（例えば、ＴｉＯ２）などを含んでいてもよい。窒化シリコン、酸窒化シリコンは、例えば、ＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて形成されてよい。一方、酸化アルミニウム、酸化シリコンおよび酸化チタンは、原子層堆積法（ＡＬＤ法）を用いて形成されてよい。保護層６の構成材料と製造方法の組み合わせは、上記の例示に限定されないが、形成する層厚、それに要する時間など、を考慮して製造されてよい。保護層６は、上部電極５を透過した光を透過し、十分な水分遮断性能があれば、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
【0037】
カラーフィルタ層７０は、保護層６の上に形成される。上述のように、カラーフィルタ層７０は、第１カラーフィルタ７Ｒと、第２カラーフィルタ７Ｇと、第３カラーフィルタ７Ｂと、を含んでもよい。図２に示される第１カラーフィルタ７Ｒと第２カラーフィルタ７Ｇとのように、カラーフィルタ層７０に含まれるカラーフィルタ７は、隙間なく接してもよい。また、カラーフィルタ７の端部が他の色のカラーフィルタ７の端部の上に重なるように配置されてもよい。
【0038】
平坦化層８は、保護層６とカラーフィルタ層７０の間に形成され、平坦化層９は、カラーフィルタ層７０の上に形成される。平坦化層８及び９は、例えば樹脂で形成される。
【0039】
（第１絶縁層の傾斜部の上に配置される各層の構成）
次に、第１絶縁層３の傾斜部３１の上に配置される各層の構成について説明する。
次に、第１絶縁層３の傾斜部３１の上に配置される各層の構成について説明する。
【0040】
図２に示すように、本実施形態に係る有機発光装置１００は、第１絶縁層３が傾斜部３１を有し、傾斜部３１の上には下部電極２、有機層４、および上部電極５が積層されている。そして、有機層４の、下部電極２の第１部分２１の上に配置されている部分は、下部電極２の第２部分２２の上に配置されている部分よりも層厚が薄くなっている。ここで、本明細書において、層Ａの「層厚」は、層Ａの下地となる層Ｂの上面（すなわち、層Ｂの、層Ａと接する面）に対する法線方向の厚さである。すなわち、有機層４の下部電極２の第１部分２１の上に配置されている部分の層厚は、第１部分２１の上面に対する法線方向の厚さということもできる。また、有機層４の下部電極２の第２部分２２の上に配置されている部分の層厚は、第２部分２２の上面に対する法線方向の厚さということもできる。
【0041】
これによって、有機層４のうち、第１部分２１の上に配置された部分の層厚方向の抵抗を、第２部分２２の上に配置された部分の層厚方向の抵抗よりも小さくすることができる。これにより、下部電極２から注入された電荷が横方向、すなわち隣の副画素ＳＰの方へと流れてしまったとしても、隣の副画素ＳＰに到達する前に、第１部分２１の上の有機層４が薄くなっている部分で電荷再結合を生じさせることができる。この結果、副画素ＳＰ間での電荷のクロストークを抑制することができ、副画素ＳＰ間での電流リークを抑制することができる。
【0042】
さらに、本実施形態では、傾斜部３１の上に配置されて薄くなっている有機層４は、下部電極２と上部電極５に挟まれるように配置されている。これにより、有機発光装置１００を駆動し、副画素ＳＰを構成する発光素子１０を発光させている間は、下部電極２と上部電極５との間に電界が印加された状態となる。そのため、下部電極２を設けずに傾斜部３１の上に有機層４を薄く配置した場合よりも、傾斜部３１の上の有機層４における電荷再結合をより一層生じやすくすることができる。この結果、副画素ＳＰ間での電流リークをより一層抑制することができる。
【0043】
図３は、図２の点線部Ｃを拡大した図である。上述のとおり、下部電極２は、傾斜部３１の上に配置された第１部分２１と、基板１と接する第２部分２２と、平坦部３２の上に配置された第４部分２４と、を有する。また、有機層４は下部電極２および第１絶縁層３を覆って配置されており、第１部分２１の上に配置され層厚が薄くなっている第１領域４１と、第２部分２２の上に配置された第２領域４２と、を有している。第１領域４１は下層の傾斜部３１および第１部分２１と同様に基板１の第１の面に対して傾斜しているため、有機層４の傾斜領域とも呼ぶことができる。また、第２領域４２は下層の第２部分２２と同様にその上面および下面が基板１の第１の面と略平行に配置されているため、有機層４の平坦領域とも呼ぶことができる。
【0044】
有機発光装置１００の各副画素ＳＰが図１に示すような平面構造を有する場合には、傾斜部３１は下部電極２の周縁部に沿って、六角形の各辺を一周してまたがって形成される。換言すれば、傾斜部３１は、下部電極２の有機層４と接する第２部分２２を取り囲むように配置されている。
【0045】
有機層４の第１領域４１は、第１部分２１の上に配置されて層厚が薄くなっている部分であるが、図３に示すように、その両端には層厚が薄くなっていない部分も存在している。すなわち、第１領域４１のうち、下部電極２と上部電極５とが互いに平行に対向し合っている領域に含まれる部分については層厚が薄くなっているが、それ以外の部分についてはこの限りではない。第１領域４１の第２領域４２と隣接する部分については、層厚の大きな第２領域４２によって第１領域４１が埋められてしまっているため、層厚は大きくなっている。第１領域４１の第２領域４２とは反対側の端部についても同様である。したがって、第１領域４１の層厚は、下部電極２と上部電極５とが互いに平行に対向し合っている領域において測定することが好ましい。また、第２領域４２についても同様に、下部電極２と上部電極５とが互いに平行に対向し合っている領域において測定することが好ましい。図３に示すように、本実施形態では、第１領域４１の層厚Ｔ１は、第２領域４２の層厚Ｔ２よりも小さい。
【0046】
また、図３に示すように、第２領域４２の有機層４の上面の高さＨ１が、傾斜部３１の上端３３の高さＨ２より低いことが好ましい。これによって、下部電極２上に形成される有機層４が、傾斜部３１に沿って形成される有機層４を全て埋めることがなくなる。そのため、下部電極２および第１絶縁層３の上に有機層４を配置した際に、傾斜部３１の上に配置される第１領域４１の層厚を薄くしやすい。よって、副画素ＳＰ間の電流リークを抑制しやすくなる。
【0047】
（主発光領域間の間隔と第１領域の層厚）
上述のように、有機発光装置１００は、複数の副画素ＳＰごとにそれぞれ下部電極２が配置されている。ここで、図２に示すように、ある下部電極２の第２部分２２と、それと隣り合う下部電極２の第２部分２２と、の間の最短距離をｄとする。換言すれば、距離ｄは、隣り合う２つの第２領域４２の間の最短距離ということもできる。
上述のように、有機発光装置１００は、複数の副画素ＳＰごとにそれぞれ下部電極２が配置されている。ここで、図２に示すように、ある下部電極２の第２部分２２と、それと隣り合う下部電極２の第２部分２２と、の間の最短距離をｄとする。換言すれば、距離ｄは、隣り合う２つの第２領域４２の間の最短距離ということもできる。
【0048】
有機発光装置１００において、下部電極２の第２部分２２上における有機層４（すなわち第２領域４２）の層厚Ｔ２に対する、隣り合う２つの下部電極２の第２部分２２の間の距離ｄの比（ｄ／Ｔ２）が、５０未満であってよい。ここで、下部電極２の第２部分２２上に配置された有機層４（すなわち第２領域４２）は、各副画素ＳＰの発光領域のうち、最も大きく発光に寄与する部分であり、主発光領域ともいうことができる。層厚Ｔ２に対する距離ｄの比（ｄ／Ｔ２）が小さいほど、有機層４の主発光領域同士の間隔が小さいことを意味し、副画素ＳＰを構成する発光素子１０が高密度に配置されていることを意味する。そして、従来の有機発光装置などの電子デバイスにおいては、層厚Ｔ２に対する距離ｄの比（ｄ／Ｔ２）が５０未満である場合には、副画素ＳＰ間での電流リークが特に大きな課題となっていた。その根拠を以下に説明する。
【0049】
図４は、比較例の有機発光装置９００の構成を示す模式図である。有機発光装置９００が有機発光装置１００と異なる点は、有機発光装置９００が、第１絶縁層３の傾斜部３１と、傾斜部３１の上に配置された下部電極２の第１部分２１を有さない点である。換言すれば、有機発光装置９００は、本実施形態に係る有機発光装置１００が有する電流リーク抑制構造を有さない、ということもできる。図４では、発光素子１０Ｒの等価回路を重ねて示している。なおこの等価回路は、図４の有機層４の抵抗値を模式的に示すものであり、電子回路が組み込まれることを意味するものではない。また、発光素子１０間の電流リークを説明するために、発光素子１０Ｇの等価回路も示している。有機発光装置９００の有する発光素子１０Ｒは赤色の光を出射する赤色発光素子であり、発光素子１０Ｇは緑色の光を出射する緑色発光素子である。
【0050】
下部電極２Ｒ上の有機層４の層厚をＴ２、下部電極２Ｒと下部電極２Ｇの開口部の間の距離をｄ、有機層４の厚さ方向における単位面積あたりの抵抗をｒとする。なお、本比較例においては、下部電極２は平坦な基板１上に形成された平坦な部分のみから構成されている。そのため、下部電極２はその全体が第２部分２２であるともいえる。したがって、下部電極２Ｒと下部電極２Ｇの開口部の間の距離は、隣り合う２つの下部電極２の第２部分２の間の距離、ともいえる。
【0051】
このとき、有機層４の水平方向における単位面積あたりの抵抗は、ｒ（ｄ／Ｔ２）となる。ここから、発光素子１０Ｒの下部電極２と上部電極５との間に流れる電流をＩＲ、発光素子１０Ｇの下部電極２と上部電極５との間に流れる電流をＩＧとすると、以下の関係が成り立つ。
ＩＧ／ＩＲ＝１／（１＋ｄ／Ｔ２）・・・式（１）
ＩＧ／ＩＲ＝１／（１＋ｄ／Ｔ２）・・・式（１）
【0052】
式（１）は、発光素子１０Ｒのみを発光させようとしても、発光素子１０Ｇにも電流が流れて発光素子１０Ｇも発光してしまうことを意味している。そして、隣の発光素子１０Ｇに流れる電流の大きさはｄ／Ｔ２に依存しており、ｄ／Ｔ２が小さいほど、隣の発光素子１０Ｇに電流が流れやすいことを意味している。
【0053】
同じ電流量で発光させた際の、発光素子１０Ｒのみの発光スペクトルをＳＲ、発光素子１０Ｇのみの発光スペクトルをＳＧ、とする。このとき、発光素子１０間のリーク電流を考慮した発光スペクトルＳＲ＋Ｇは、以下の式（２）にて示される。
ＳＲ＋Ｇ＝ＳＲ＋ＳＧ（ＩＧ／ＩＲ）・・・式（２）
ＳＲ＋Ｇ＝ＳＲ＋ＳＧ（ＩＧ／ＩＲ）・・・式（２）
【0054】
ＳＲ＋ＧのＣＩＥｘｙ空間における色度座標を算出し、色度座標のｘ座標の値（ＣＩＥ＿ｘ）を縦軸にとり、ｄ／Ｔ２を横軸にとったグラフを図５に示す。図５は、ｄ／Ｔ２と色度座標のｘ値との関係を表している。図５において色度座標のｘ座標が変化するということは、赤色の発光を意図しているにも関わらず、緑色も発光されていることを意味する。すなわち、図５において、ｘ座標の値が小さいことは、隣の画素へのリーク電流が発生していることを示している。
【0055】
図５に示されるように、ｄ／Ｔ２が５０以上の場合、ｘ座標の値が高いまま、ほとんど変化しない。一方、ｄ／Ｔ２が５０未満の場合には、ｘ座標の値が大きく低下しており、赤色の色純度低下が顕著となることがわかる。このように、層厚Ｔ２に対する距離ｄの比（ｄ／Ｔ２）が５０未満である場合には、副画素ＳＰ間での電流リークが特に大きな課題となりうることがわかる。
【0056】
一方、本実施形態の場合には、第１絶縁層３の傾斜部３１と、傾斜部３１の上に配置された下部電極２の第１部分２１を設けることで、副画素ＳＰ間での電流リークを抑制する電流リーク抑制構造を実現している。このような構成とすることで、層厚Ｔ２に対する距離ｄの比（ｄ／Ｔ２）が５０未満であって副画素ＳＰ間での電流リークが生じやすい場合であっても、電流リークを抑制することができる。
【0057】
（絶縁層の傾斜部の傾斜角）
図３に示すように、傾斜部３１の傾斜角をθｉ、下部電極２の第１部分２１の上面の傾斜角をθｊとする。θｊは、有機層４の形成される下地となる層の上面の傾斜角、すなわち、第１の領域４１の下面が接する層の上面の傾斜角であるともいえる。このとき、下部電極２の第１部分２１の下面の傾斜角はθｉ、有機層４の第１の領域４１の下面の傾斜角はθｊとなる。下部電極２が傾斜部３１の上に一定の層厚で形成されている場合には、θｉとθｊは略等しくなる。
図３に示すように、傾斜部３１の傾斜角をθｉ、下部電極２の第１部分２１の上面の傾斜角をθｊとする。θｊは、有機層４の形成される下地となる層の上面の傾斜角、すなわち、第１の領域４１の下面が接する層の上面の傾斜角であるともいえる。このとき、下部電極２の第１部分２１の下面の傾斜角はθｉ、有機層４の第１の領域４１の下面の傾斜角はθｊとなる。下部電極２が傾斜部３１の上に一定の層厚で形成されている場合には、θｉとθｊは略等しくなる。
【0058】
このとき、傾斜角θｊは、３０°以上であることが好ましく、より好ましくは５０°以上である。θｉとθｊは略等しい場合には、傾斜角θｉも３０°以上であることが好ましく、より好ましくは５０°以上である。これによって第１の領域４１の有機層４の層厚Ｔ１を薄くしやすく、副画素ＳＰ間での電流リークを抑制する効果が大きくできる。その根拠を以下に示す。
【0059】
本実施形態における好ましい傾斜部３１の傾斜角についての知見を得るために、蒸着法による成膜シミュレーション（蒸着シミュレーション）を実施した。図６は、成膜シミュレーションの前提となる、成膜源（蒸着源）と成膜対象（基板）の位置関係を示す配置図である。蒸着源２０１、基板２０２、基板に配された有機デバイス２０３の位置を図６のように設定し、Ｒ＝２００ｍｍ、ｒ＝９５ｍｍ、ｈ＝３４０ｍｍとした。
【0060】
以下の式（３）で表す、蒸着分布のｎ＝２とした。
φ＝φ０ｃｏｓｎα・・・式（３）
φ＝φ０ｃｏｓｎα・・・式（３）
【0061】
ここで、式（３）において、αは角度、φは角度αにおける蒸気流密度、φ０はα＝０における蒸気流密度である。また、基板２０２は基板の中心で回転することを前提とした。
【0062】
基板上の有機デバイス２０３の位置に傾斜角０°～９０°の傾斜部がある場合を仮定し、傾斜角０°における有機層の層厚を７６ｎｍとした際の、各傾斜角における、傾斜部に沿った有機層の領域の層厚を計算した。
【0063】
図７に、成膜シミュレーションの結果を示す。ここから、傾斜角が３０°以上である場合、傾斜部３１に沿った有機層４の第１の領域４１における有機層４の層厚Ｔ１が薄くなりやすいことがわかる。また、傾斜角が５０°以上である場合、傾斜部３１に沿った有機層４の第１の領域４１における有機層４の層厚Ｔ１がより一層薄くなりやすいことがわかる。
【0064】
一方、有機層４の第１の領域４１の下面と接する層の傾斜面の、傾斜角θｊは、７０°未満が好ましく、より好ましくは６０°未満である。これによって、領域４１の有機層の厚さが薄くなり過ぎず、下部電極２と上部電極５間の電流リークを抑制することができる。
【0065】
傾斜部３１の上に配置される有機層４の層厚Ｔ１は、２０ｎｍ以上であってよい。傾斜部３１の上に配置される有機層４の層厚Ｔ１は、好ましくは２５ｎｍ以上であり、特に好ましくは３３ｎｍ以上である。これによって、上部電極２と下部電極５間の電流リークをより一層抑制することができる。
【0066】
［第２の実施形態］
図８を参照して、本発明の第２の実施形態に係る有機発光装置について説明する。以下の説明では、主に第１の実施形態と異なる部分について説明する。
図８を参照して、本発明の第２の実施形態に係る有機発光装置について説明する。以下の説明では、主に第１の実施形態と異なる部分について説明する。
【0067】
図８は、第２の実施形態に係る有機発光装置２００の構成を示す断面図である。有機発光装置２００は、有機発光装置１００の構成に加えて、下部電極２の端部を覆う第２絶縁層１４を有する。これ以外の構成については、第１の実施形態に係る有機発光装置１００と同じである。
【0068】
本実施形態においては、第２絶縁層１４は、下部電極２の第１絶縁層３の平坦部３２の上に配置された部分である第４部分２４から、下部電極２の基板１上に配置された平坦な部分までを覆っている。ここで、下部電極２のうち、第１部分２１と第２部分２２との間に配置され、第１部分２１よりも基板に対する傾斜角が小さな部分を第３部分２３とする。第３部分２３は、第２部分２２と同様に、その上面が基板１の第１の面と平行な部分であってよい。第３部分２３と第４部分２４はともにその上面が基板１の第１の面と平行な部分であってよいが、第３部分２３は第４部分２４よりも基板１に近い位置に配置されている。すなわち、第２絶縁層１４は、第３部分２３、第１部分２１、および、第４部分２４の上に配置されている。第２絶縁層１４は、傾斜部３１の上に配置された第１部分２１の上に配置されているので、傾斜部３１の上に配置されている、ということもできる。さらに、隣り合う副画素ＳＰの下部電極２の端部まで連続して配置されている。
【0069】
下部電極２は、第２絶縁層１４に覆われていない部分、すなわち、第２絶縁層１４の開口部において、有機層４と接している。本実施形態においては、下部電極２は、基板１の上に配置された部分の中央領域（第２部分２２）において、有機層４と接している。したがって、本実施形態においては、この領域が発光領域となる。換言すれば、発光領域は、第２絶縁層１４の開口部によって規定されている。
【0070】
本実施形態においても、傾斜部３１の上に下部電極２および有機層４を配置することにより、有機層４の層厚を薄くするとともに、下部電極２および上部電極５の間に電界を印加することで、副画素ＳＰ間での電流リークを抑制することができる。さらに、本実施形態においては、第１絶縁層３に乗り上げている下部電極２を覆うように、第２絶縁層１４が配置されているため、傾斜部３１上の第１部分２１が有機層４と接しないように構成される。これにより、傾斜部３１の上に配置された下部電極２からは有機層４に電荷が注入されなくなるため、第１の実施形態に比べて、有機層４の第１領域４１における発光が抑制される。
【0071】
第１の実施形態においては、傾斜部３１上の有機層４（第１の領域４１）の抵抗が低いため、傾斜部３１上の下部電極２から注入される電荷による再結合発光量も大きくなりやすい。しかし、下部電極２が平坦な部分（第２部分２２）上の有機層４（第２の領域４２）に比べて、下部電極２が傾斜した部分（第１部分２１）上の有機層４（第１の領域４１）での発光は、光が発光素子１０の正面方向に取り出されにくい。換言すれば、第１の領域４１における発光は、第２の領域４２における発光よりも、発光素子１０の発光効率に寄与しにくい。したがって、第１の実施形態のように第１の領域４１も下部電極２と接触させて電荷の注入を行うようにすると、発光効率が低くなってしまう場合がある。
【0072】
一方、本実施形態では、第１の領域４１は下部電極２と接しておらず、第２の領域４２のみが、下部電極２と接するように構成されている。そのため、第２の領域４２に集中的に電荷を注入するため、発光効率を高めることができる。そして、第２の領域４２に注入されたものの、隣接する副画素ＳＰの方へと流れてしまった電荷については、第１の領域４１で再結合させて発光させるようにしているので、副画素ＳＰ間での電流リークは抑制される。さらに本実施形態では、第３部分２３の上にも第２絶縁層１４が配置されているため、第３部分２３の上に配置された有機層４（第３の領域（不図示））についても、下部電極２からの電荷の注入がされずに電界が印加されるように構成されている。そのため、第３の領域においても電荷再結合が促進されている。これにより、第１の領域４１から第２の領域４２の方へと流れた電荷を途中で再結合させ、当該電荷が第２の領域４２まで到達しにくくなっている。この結果、発光効率をさらに高めることができる。
【0073】
［第３の実施形態］
図９を参照して、本発明の第３の実施形態に係る有機発光装置について説明する。以下の説明では、主に第２の実施形態と異なる部分について説明する。
図９を参照して、本発明の第３の実施形態に係る有機発光装置について説明する。以下の説明では、主に第２の実施形態と異なる部分について説明する。
【0074】
第３の実施形態に係る有機発光装置３００は、第２の実施形態に係る有機発光装置２００に加えて、基板１と下部電極２との間に、反射層１２を有する。そして、反射層１２の上には、反射層１２を覆うように第１絶縁層３が配置されている。有機発光装置２００においては下部電極２の第２部分２２は基板１の上に基板１に接して形成されていたが、有機発光装置３００においては下部電極２の第２部分２２は第１絶縁層３の第２平坦部３５上に形成されている。
【0075】
反射層１２は、有機層４で発光し、基板１の方向に進む光を反射する層である。反射層１２は、副画素ＳＰごとに分離されていてもよい。図９には、反射層１２が副画素ＳＰごとに分離されている例が示されており、第１副画素ＳＰＲは第１反射層１２Ｒを有し、第２副画素ＳＰＧは第２反射層１２Ｇを有し、第３副画素ＳＰＢは第３反射層１２Ｂを有している。
【0076】
有機発光装置３００の発光効率の観点から、反射層１２には、可視光の反射率が５０％以上の材料が用いられてもよい。具体的には、ＡｌやＡｇなどの金属や、それら金属にＳｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｔｉなどを添加した合金が、反射層１２として用いられてもよい。また、反射層１２は、光を反射する表面にバリア層を備えていてもよい。反射層１２のバリア層の材料として、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕなどの金属や、それら金属の合金、また、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電酸化物が用いられてもよい。
【0077】
反射層１２は、反射層１２の周辺領域の上に導電層１３を有してよい。導電層１３は、例えば、ＴｉやＴｉＮなどで構成され、上記のバリア層であってもよい。反射層１２の上に導電層１３を設けておくことによって、反射層１２と下部電極２とを電気的に接続させる際の抵抗を低減することができる。例えば、それぞれの下部電極２は、第１絶縁層３に設けられた開口（コンタクトホール）上まで延在し、開口の下に配置された反射層１２の周辺部の導電層１３と、開口を介して電気的に接続されてよい。
【0078】
本実施形態では、基板１の第１の面の上に反射層１２が形成されているため、反射層１２の下面は第１の面と一致する。そのため、反射層１２の下面を第１の面とみなしてもよい。
【0079】
第１絶縁層３は、反射層１２と下部電極２との間に配置される、透光性を有する絶縁層である。有機発光装置３００の有する第１絶縁層３は、複数の副画素ＳＰにわたって連続して配置されているが、副画素ＳＰごとに、その厚さが異なるように設けられている。これにより、反射層１２と有機層４の発光層の発光位置との間の光学距離をそれぞれの色で最適化する構成（共振構造）となっていてもよい。したがって、第１絶縁層３は、光学調整層ということもできる。
【0080】
第１絶縁層３は、単層で構成されていてもよいし、複数層で構成されてよい。第１絶縁層３は、複数層で構成されており、副画素ＳＰごとに、積層されている層の数が異なっていてもよい。第１絶縁層３を構成する材料は特に限定はされないが、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を用いることができる。
【0081】
第１絶縁層３の上には、下部電極２が配置される。上述のとおり、下部電極２は副画素ＳＰごとに電気的に分離して配置される。下部電極２は、透明材料、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯなどの酸化物導電体で構成されうる。第１絶縁層３および下部電極２は、光透過性を有する。
【0082】
本実施形態に係る有機発光装置３００の上部電極５と反射層１２との間の光学距離は、強め合わせの干渉構造となってよい。強め合わせの干渉構造は、共振構造ということもできる。
【0083】
強め合わせの光学干渉条件を満たすように有機層４や第１絶縁層３を形成することで、光学干渉により有機発光装置からの取り出し光を強めることができる。正面方向の取り出し光を強める光学条件とすれば、より高効率に正面方向に光が放射される。また、光学干渉により強められた光は、発光スペクトルの半値幅が、干渉前の発光スペクトルに比べて小さくなることが知られている。すなわち、色純度を高くすることができる。
【0084】
波長λの光に対して設計した場合、有機層４の発光層の発光位置から反射層１２の反射面までの距離ｄ０をｄ０＝ｉλ／４ｎ０（ｉ＝１，３，５，・・・）に調整することで強め合わせの干渉とすることができる。
【0085】
その結果、波長λの光の放射分布に正面方向の成分が多くなり、正面輝度が向上する。なお、ｎ０は、発光位置から反射面までの層の波長λにおける屈折率である。
【0086】
本実施形態では、有機層４の発光層の発光位置から反射層１２との間の光学距離を各色で最適化するために、有機層４の発光層の発光位置から反射層１２の反射面（例えば、上面）までの間の光学距離Ｌｒは、以下の式（４）をおおよそ満足するようにする。なお、光学距離Ｌは、有機層の各層の屈折率ｎｊと各層の厚さｄｊの積の総和である。つまり、Ｌは、Σｎｊ×ｄｊと表せ、またｎ０×ｄ０とも表せられる。なお、φは負の値である。
Ｌｒ＝（２ｍ－（φｒ／π））×（λ／４）・・・式（４）
Ｌｒ＝（２ｍ－（φｒ／π））×（λ／４）・・・式（４）
【0087】
ここで、上記式（４）において、ｍは０以上の整数（非負整数）であり、φｒは反射面で波長λの光が反射する際の位相シフト量の和［ｒａｄ］である。なお、φ＝－πでｍ＝０ではＬ＝λ／４、ｍ＝１ではＬ＝３λ／４となる。以後、上記式（４）のｍ＝０の条件をλ／４の干渉条件と記載し、上記式（４）のｍ＝１の条件を３λ／４干渉条件と記載する。
【0088】
また、有機層４の発光層の発光位置と上部電極５の反射面（例えば、下面）との間の光学距離Ｌｓは、以下の式（５）をおおよそ満足するようにする。
Ｌｓ＝（２ｍ’－（φｓ／π））×（λ／４）＝－（φｓ／π）×（λ／４）・・・式（５）
Ｌｓ＝（２ｍ’－（φｓ／π））×（λ／４）＝－（φｓ／π）×（λ／４）・・・式（５）
【0089】
ここで、上記式（５）において、ｍ’は０以上の整数（非負整数）であり、φｓは反射面で波長λの光が反射する際の位相シフトの和［ｒａｄ］である。
【0090】
よって、反射層１２から上部電極５までの全層干渉Ｌは、以下の式（６）をおおよそ満足するようにする。
Ｌ＝（Ｌｒ＋Ｌｓ）＝（２ｍ－（φ／π））×（λ／４）・・・式（６）
Ｌ＝（Ｌｒ＋Ｌｓ）＝（２ｍ－（φ／π））×（λ／４）・・・式（６）
【0091】
ここで、上記式（１６において、φは波長λの光が反射層１２と上部電極５で反射する際の位相シフトの和（φｒ＋φｓ）である。
【0092】
このとき、実際の有機発光装置においては、正面の取り出し効率とトレードオフの関係にある視野角特性等を考慮すると、上記式と厳密に一致させなくてもよい。具体的には、全層干渉Ｌは、式（６）を満たす値から±λ／８の値の範囲内の誤差があってもよい全層干渉Ｌの値が干渉条件から離れてもよい許容値は、５０ｎｍ以上７５ｎｍ以下であってよい。
【0093】
よって、本実施形態に係る有機発光装置３００においては、下記式（７）を満たすことが好ましい。さらに好ましくは、全層干渉Ｌが式（６）を満たす値から±λ／１６の値の範囲内であればよく、下記式（７’）を満たすことが好ましい。
（λ／８）×（４ｍ－（２φ／π）－１）＜Ｌ＜（λ／８）×（４ｍ－（２φ／π）＋１）・・・式（７）
（λ／１６）×（８ｍ－（４φ／π）－１）＜Ｌ＜（λ／１６）×（８ｍ－（４φ／π）＋１）・・・式（７’）
（λ／８）×（４ｍ－（２φ／π）－１）＜Ｌ＜（λ／８）×（４ｍ－（２φ／π）＋１）・・・式（７）
（λ／１６）×（８ｍ－（４φ／π）－１）＜Ｌ＜（λ／１６）×（８ｍ－（４φ／π）＋１）・・・式（７’）
【0094】
ここで、発光波長λは、発光強度が最大のピークの発光波長であってよい。有機化合物の発光においては、発光スペクトルに複数のピークが含まれる場合にはそれら複数のピークのうち、波長が最も短いピークが最大発光であることが一般的なので、波長が最も短いピークの波長であってもよい。発光スペクトルは、各発光素子のＣＦ透過後の発光スペクトルを指す。
【0095】
以下、本実施形態に係る有機発光装置３００の好ましい例について説明する。
【0096】
図９に示すように、第１発光素子１０Ｒの第１反射層１２Ｒの上面から第１下部電極２Ｒの上面までの距離ｄ１と、第２発光素子１０Ｇの第２反射層１２Ｇ上面から第２下部電極２Ｇの上面までの距離ｄ２と、は互いに異なっていることが好ましい。なお、距離ｄ１は、第１発光素子１０Ｒの第１反射層１２Ｒの上面から第１下部電極２Ｒの上面までの最短距離である。また、距離ｄ２は、第２発光素子１０Ｇの第２反射層１２Ｇ上面から第２下部電極２Ｇの上面までの最短距離である。また、距離ｄ１と、距離ｄ２と、第３発光素子１０Ｂの第３反射層１２Ｂの上面から第３下部電極２Ｂの上面までの距離ｄ３と、は全て互いに異なっていることが好ましい。なお、距離ｄ３は、第３発光素子１０Ｂの第３反射層１２Ｂの上面から第３下部電極２Ｂの上面までの最短距離である。
【0097】
【0098】
本実施形態において、各発光素子１０の下部電極２の端部は、同じ高さにあってよい。これによって、下部電極２をフォトリソグラフィーでパターニングして形成する際に、露光のフォーカス高さが発光素子１０ごとに変わらないため、下部電極２を高い精度でパターニングをすることができる。本実施形態の場合には、第１絶縁層３の平坦部３２の高さが、副画素ＳＰごとに一定の高さとなるようにしている。換言すれば、それぞれの副画素ＳＰの有する第１絶縁層３の平坦部３２の上面が、同一平面上に存在するようにしている。第１絶縁層３の第２平坦部３５は光学調整層として機能させるために副画素ＳＰごとに厚さが異なるようにしている。換言すれば、第２平坦部３５の上面は、副画素ＳＰごとに異なる平面上に存在するようにしている。これは、副画素ＳＰごとに、第２平坦部３５を構成する層の数を変えることで実現してもよい。一方、第１絶縁層３の平坦部３２については厚さが一定となるようにしている。これは、副画素ＳＰごとに、平坦部３２を構成する層の数を揃えることで実現してもよい。このようにして高さを揃えた平坦部３２の上に下部電極２の端部を配置することで、各副画素ＳＰの下部電極２の端部の高さを揃えることができる。
【0099】
一方、第２平坦部３５上に下部電極２の端部を形成するようにパターニングする場合は、第２平坦部３５の高さは副画素ＳＰごとに異なるため、下部電極２の端部の高さが異なってしまう。そのため、副画素ＳＰごとにパターニング時の露光のフォーカス高さが異なってしまう。
【0100】
図１０は、図９の拡大図である。第２絶縁層１４は、第１絶縁層３に乗り上げている下部電極２を覆うように配置されており、その端部１４１は下部電極２の第３部分２３上に配置されている。第２絶縁層１４は隣接する副画素ＳＰの間にまたがって配置されているが、その間に２つの頂上部を有している。なお、ここでいう頂上部は、第２絶縁層１４の一方の端部１４１から他方の端部１４１へとその上面を辿ったときに、第２絶縁層１４の傾斜が、上り斜面から下り斜面に変化する部分をいう。なお、頂上部は平坦部を含んでいてもよく、上り斜面から平坦部を挟んで下り斜面に変化する部分も、頂上部ととらえることができる。このとき、一方の端部１４１に近い頂上部の端部を上端１４２とすると、第２絶縁層１４は、端部１４１と上端１４２との間に、基板１の第１の面と略平行な平行部１４３を有する。また、第２絶縁層１４は、平行部１４３と上端１４２との間に上側傾斜部１４４と、端部１４１と平行部１４３との間に下側傾斜部１４５とを有する。
【0101】
このとき、上側傾斜部１４４の高さ方向の長さＨ３は、下側傾斜部１４５の高さ方向の長さＨ４よりも、大きいことが好ましい。上側傾斜部１４４は、第２絶縁層１４が第１絶縁層３の傾斜部３１と下部電極２上に配置されて形成された傾斜であり、下側傾斜部１４５は第２絶縁層１４の端部側面のことである。上側傾斜部１４４の上には有機層４の第１領域４１が配置されており、この部分に下部電極２と上部電極５との間の電界が印加されることで、副画素ＳＰ間での電流リークが抑制される。したがって、上側傾斜部１４４を長くすることによって、副画素ＳＰ間での電流リークをより一層抑制することができる。
【0102】
下側傾斜部１４５の高さ方向の長さＨ４は、下部電極２に接する部分の電荷輸送層４０１（典型的には正孔輸送層）の高さ方向の長さ（厚さ）Ｔ３より大きいことが好ましい。これによって、電荷輸送層４０１が下側傾斜部１４５に沿って薄くなりやすい。これにより、副画素ＳＰ間の電荷のクロストーク（すなわち、電流リーク）を抑制できる。
【0103】
さらに、下側傾斜部１４５の高さ方向の長さＨ４は、下部電極２に接する部分の有機層４の高さ方向の長さ（厚さ）Ｔ２より短いことが好ましい。これによって、下側傾斜部１４５に沿った有機層４が、基板１と平行な部分に形成される有機層４に埋もれるため、有機層４が薄くなりすぎる部分ができにくい。よって、上部電極５と下部電極２間の電流リークを抑制することができる。
【0104】
さらに、下側傾斜部１４５の高さ方向の長さＨ４は、上側傾斜部１４４の高さ方向の長さＨ３よりも短いことに加え、下側傾斜部１４５は、上側傾斜部１４４よりも、最も急な部分の傾斜角が大きい傾斜部であることが好ましい。換言すれば、下側傾斜部１４５のほうが、上側傾斜部１４４よりも傾斜が急な傾斜部であることが好ましい。これによって、下側傾斜部１４５はその大きな傾斜角により、上に配置される電荷輸送層４０１を薄くしやすい。一方で、下側傾斜部１４５の高さ方向の長さを短くすることで、その上に配置される有機層４が薄くなりすぎることを抑制できる。これにより、副画素ＳＰ間での電流リーク（電荷のクロストーク）の抑制と、上部電極５と下部電極２間の電流リークの抑制を両立することができる。また、上側傾斜部１４４は、傾斜角が小さい傾斜部であるため、その上に配置される有機層４が薄くなりすぎることを抑制できる。そしてさらに、上側傾斜部１４４の高さ方向の長さを長くすることでその上に配置される有機層４に電界が印加される部分を長くすることができるので、副画素ＳＰ間での電流リークの抑制と、上下電極２間の電流リークの抑制を両立することができる。
【0105】
本実施形態において、反射層１２の中央部は外周部よりも厚みが薄いことが好ましい。換言すれば、反射層１２は下部電極２の第２部分２２の下に配置される部分と第１絶縁層３の平坦部３２の下に配置される部分とで厚さが異なり、第１絶縁層３の平坦部３２の下に配置される部分のほうが厚さが大きいことが好ましい。そして、第１絶縁層３は、この厚さが異なる２つの部分の間に形成される段差をまたぐように配置されていることが好ましい。これによって、反射層１２の形状を反映して、反射層１２上の第１絶縁層３の傾斜部３１を容易に形成することができる。これによって、副画素ＳＰ間での電荷のクロストークを抑制することができる。
【0106】
［第４の実施形態］
図１１を参照して、本発明の第４の実施形態に係る有機発光装置４００について説明する。以下の説明では、主に第３の実施形態と異なる部分について説明する。
図１１を参照して、本発明の第４の実施形態に係る有機発光装置４００について説明する。以下の説明では、主に第３の実施形態と異なる部分について説明する。
【0107】
図１１は、第４の実施形態に係る有機発光装置４００の構成を示す断面図である。有機発光装置４００は、有機発光装置３００の構成に加えて、第２平坦化層９の上に、マイクロレンズアレイＭＬＡを有する。これ以外の構成については、第３の実施形態に係る有機発光装置３００と同じである。
【0108】
マイクロレンズアレイＭＬＡは、第１発光素子１０Ｒに対応する第１マイクロレンズ１１Ｒと、第２発光素子１０Ｇに対応する第２マイクロレンズ１１Ｇと、第３発光素子１０Ｂに対応する第３マイクロレンズ１１Ｂと、を含む。各マイクロレンズ１１は、対応する発光素子１０の発光領域の中心と平面視で重なるように配置されている。なお、発光素子１０の発光領域は第２絶縁層１４の開口で規定されるが、発光領域の中心は、その第２絶縁層１４の開口の重心としてもよい。
【0109】
マイクロレンズアレイＭＬＡを構成するマイクロレンズ１１としては、従来公知ものを用いることができる。マイクロレンズ１１の材質は、樹脂であってよい。マイクロレンズアレイＭＬＡは、例えば、マイクロレンズ１１を形成するための材料による膜（フォトレジスト膜）を形成し、連続的な諧調変化を有するマスクを用いて、フォトレジスト膜を露光および現像することで形成することができる。このようなマスクとしては、グレーマスクや面積階調マスクを用いることが可能である。また、露光および現像プロセスで形成したマイクロレンズ１１に対して、エッチバックを行うことにより、レンズ形状を調整してもよい。マイクロレンズ１１の形状は、放射光を屈折させることができる形状であればよく、球面であっても非球面であってもよく、断面形状が非対称であってもよい。
【0110】
マイクロレンズ１１の出射面側、換言すればカラーフィルタ７とは反対側は、マイクロレンズ１１よりも屈折率が低い材料、典型的には空気で満たされていることが好ましい。これにより、マイクロレンズ１１の集光効果を大きくすることができる。
【0111】
傾斜部３１に沿った有機層４の第１領域４１では、上部電極５と下部電極２と間に印加される電界の効果によって、電荷再結合が促進される。本実施形態では、傾斜部３１に沿った下部電極２は第２絶縁層１４で覆われているが、第２部分２２の上に配置された有機層４に含まれる電荷輸送層４０１に沿って電荷が移動し、傾斜部３１に沿った有機層４の第１領域４１に到達しうる。この電荷は第１領域４１で再結合し、有機層４の第１領域４１は発光する。
【0112】
本実施形態では、上述のように、発光素子１０から出射される光の色に応じて光学距離を調整し、出射される光が強まるようにしている。しかし、傾斜部３１に沿った有機層４の第１領域４１の下には第１絶縁層３の傾斜部３１があるために、第２領域４２を基準にして調整された光学距離からのずれが生じる。そのため、傾斜部３１に沿った有機層４の第１領域４１で、電荷再結合、発光して出射される光Ｌ１Ｇは、所望の波長からずれた波長が強められた光となる。そこで本実施形態では、傾斜部３１に沿った有機層４の第１領域４１とマイクロレンズ１１の傾斜部とが平面視で重なるように、マイクロレンズ１１を配置している。これにより、第１領域４１から発光素子１０の正面方向に放出された光が、マイクロレンズ１１で屈折して正面方向からずれた方向に出射する光Ｌ２Ｇとなるため、正面方向に取り出されにくくすることができる。
【0113】
このため、マイクロレンズアレイＭＬＡを設けることで、発光素子１０から出射される光の色純度を向上することができる。
【0114】
［第５の実施形態］
図１２を参照して、本発明の第５の実施形態に係る有機発光装置５００について説明する。以下の説明では、主に第３の実施形態と異なる部分について説明する。
図１２を参照して、本発明の第５の実施形態に係る有機発光装置５００について説明する。以下の説明では、主に第３の実施形態と異なる部分について説明する。
【0115】
図１２は、第５の実施形態に係る有機発光装置５００の構成を示す断面図である。有機発光装置５００は、カラーフィルタ層７０に含まれる複数のカラーフィルタ７のうちの異なる色のカラーフィルタ７同士が重なり合う重なり部分を有すること以外、第３の実施形態と同じである。
【0116】
有機発光装置５００は、第２カラーフィルタ７Ｇの端部の上に第１カラーフィルタ７Ｒの端部が乗り上げるように重なり合う重なり領域７１を有している。また、有機発光装置５００は、第２カラーフィルタ７Ｇの端部の上に第３カラーフィルタ７Ｂの端部が乗り上げるように重なり合う重なり領域７２を有している。
【0117】
本実施形態では、カラーフィルタ７同士が重なる重なり領域（７１，７２）と平面視で重畳する位置に、傾斜部３１に沿った有機層４の第１領域４１が配置されるようにしている。これにより、傾斜部３１に沿った有機層４の第１領域４１で発光した光Ｌ１Ｇを２種類のカラーフィルタ７によって吸収することができる。上述のとおり、第１領域４１で発光した光は色純度が低い光となるため、このような光をカラーフィルタ７の重なり領域によって減光あるいは遮光し、外部に取り出されにくくしている。これにより、発光素子１０から出射される光の色純度をさらに高めることができる。
【0118】
また、封止層６は、平面視で見て隣接する２つの発光素子１０の下部電極２の第２部分２２の間に、低密度領域（不図示）を有してよい。低密度領域は、第１領域４１と平面視で重畳する位置に配置されていることが好ましい。上述のとおり、第１領域４１で発光して出射される光は、所望の波長からずれた波長が強められた光となり、色純度の低下の要因となる。また、傾斜部３１に沿った有機層４の第１領域４１で発光した光は隣接する発光素子１０のカラーフィルタ７の方向へ放出される可能性があり、隣接する発光素子１０のカラーフィルタ７を透過して出射されると混色が生じてしまう。上述のように封止層６が低密度領域を有することで、低密度領域によって光が散乱されることにより、外部に取り出されにくくしている。これにより、発光素子１０から出射される光の色純度をさらに高めることができる。ここでいう密度は、原子密度［ａｔｏｍ／ｃｍ３］であってもよいし、重量密度［ｇ／ｃｍ３］であってもよい。
【0119】
［その他の実施形態］
以上の実施形態では、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢがそれぞれカラーフィルタ７Ｒ，７Ｇ，７Ｂを有し、有機層４から発せられた白色光を、それぞれのカラーフィルタ７を透過させることで、第１～第３の光を出射させる構成について説明した。しかし本発明はこれに限定はされず、副画素ＳＰがカラーフィルタ７を有さない構成であってもよい。すなわち、上記各実施形態において、有機層４を構成する複数の層のうちの少なくとも発光層が副画素ごとに分離して形成されている構成も、本発明に含まれる。このとき、第１副画素ＳＰＲは第１の色の光を発光する第１発光層を有し、第２副画素ＳＰＧは第２の色の光を発光する第２発光層を有し、第３副画素ＳＰＢは第３の色の光を発光する第３発光層を有していてもよい。そして、有機層４を構成する複数の層のうちの発光層以外の層の少なくとも一部は、各副画素ＳＰにわたって共通に配置されていてもよい。このような実施形態においても、画素間の電流リークを抑制しつつ、光取り出し効率を向上させるという効果が発揮される。
以上の実施形態では、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢがそれぞれカラーフィルタ７Ｒ，７Ｇ，７Ｂを有し、有機層４から発せられた白色光を、それぞれのカラーフィルタ７を透過させることで、第１～第３の光を出射させる構成について説明した。しかし本発明はこれに限定はされず、副画素ＳＰがカラーフィルタ７を有さない構成であってもよい。すなわち、上記各実施形態において、有機層４を構成する複数の層のうちの少なくとも発光層が副画素ごとに分離して形成されている構成も、本発明に含まれる。このとき、第１副画素ＳＰＲは第１の色の光を発光する第１発光層を有し、第２副画素ＳＰＧは第２の色の光を発光する第２発光層を有し、第３副画素ＳＰＢは第３の色の光を発光する第３発光層を有していてもよい。そして、有機層４を構成する複数の層のうちの発光層以外の層の少なくとも一部は、各副画素ＳＰにわたって共通に配置されていてもよい。このような実施形態においても、画素間の電流リークを抑制しつつ、光取り出し効率を向上させるという効果が発揮される。
【0120】
また、以上の実施形態では、電子デバイスの素子が有機発光素子である場合、換言すれば電子デバイスが有機発光装置である場合について説明した。このとき、電子デバイスの機能層は、発光層を含む有機層であってもよい。一方、電子デバイスの素子は光電変換素子であってもよく、電子デバイスは光電変換装置であってもよい。このとき、電子デバイスの機能層は、光電変換層を含む有機層であってもよい。
【0121】
図１３は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８、を有してよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタがプリントされている。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。
【0122】
本実施形態に係る表示装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。
【0123】
本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。
【0124】
本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。
【0125】
図１４（ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。ビューファインダ１１０１は、本実施形態に係る表示装置を有してよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。
【0126】
撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、本発明の有機発光素子を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機発光素子は応答速度が速いからである。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が求められる、これらの装置、液晶表示装置よりも好適に用いることができる。
【0127】
撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。撮像装置は光電変換装置と呼ばれてもよい。光電変換装置は逐次撮像するのではなく、前画像からの差分を検出する方法、常に記録されている画像から切り出す方法等を撮像の方法として含むことができる。
【0128】
図１４（ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器は、レンズと、撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部に映される。電子機器としては、スマートフォン、ノートパソコン等があげられる。
【0129】
図１５は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図１５（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２には、本実施形態に係る発光装置が用いられてよい。
【0130】
額縁１３０１と、表示部１３０２を支える土台１３０３を有している。土台１３０３は、図１５（ａ）の形態に限られない。額縁１３０１の下辺が土台を兼ねてもよい。
【0131】
また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。
【0132】
図１５（ｂ）は本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図１５（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第一表示部１３１１、第二表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、本実施形態に係る発光装置を有してよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第一表示部１３１１、第二表示部１３１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第一および第二表示部とで一つの画像を表示してもよい。
【0133】
図１６（ａ）は、本実施形態に係る照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有してよい。光源は、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。光学フィルタは光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部は、ライトアップ等、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルタ、光拡散部は、照明の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。
【0134】
照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置は本発明の有機発光素子とそれに接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。照明装置はカラーフィルタを有してもよい。
【0135】
また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。
【0136】
図１６（ｂ）は、本実施形態に係る移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。
【0137】
テールランプ１５０１は、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。テールランプは、有機ＥＬ素子を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。
【0138】
自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。この場合、有機発光素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。
【0139】
本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は本実施形態に係る有機発光素子を有する。
【0140】
図１７を参照して、上述の各実施形態の表示装置の適用例について説明する。表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。
【0141】
図１７（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、上述した各実施形態の表示装置が設けられている。
【0142】
眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。
【0143】
図１７（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、表示装置が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および表示装置の動作を制御する。制御装置は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。
【0144】
赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。
【0145】
より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。
【0146】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置から提供されるユーザーの視線情報に基づいて表示装置の表示画像を制御してよい。
【0147】
具体的には、表示装置は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第一の視界領域と、第一の視界領域以外の第二の視界領域とを決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。表示装置の表示領域において、第一の視界領域の表示解像度を第二の視界領域の表示解像度よりも高く制御してよい。つまり、第二の視界領域の解像度を第一の視界領域よりも低くしてよい。
【0148】
また、表示領域は、第一の表示領域、第一の表示領域とは異なる第二の表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第一の表示領域および第二の表示領域から優先度が高い領域を決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。
【0149】
なお、第一の視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、表示装置に伝えられる。
【0150】
視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。
【0151】
以上説明した通り、本実施形態に係る有機発光素子を用いた装置を用いることにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【符号の説明】
【0152】
１ 基板
２ 下部電極（第１電極）
２１ 第１部分
２２ 第２部分
３ 第１絶縁層
３１ 傾斜部
４ 有機層（機能層）
４１ 第１領域
４２ 第２領域
５ 上部電極（第２電極）
１０ 発光素子（素子）
２ 下部電極（第１電極）
２１ 第１部分
２２ 第２部分
３ 第１絶縁層
３１ 傾斜部
４ 有機層（機能層）
４１ 第１領域
４２ 第２領域
５ 上部電極（第２電極）
１０ 発光素子（素子）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】