特許 7604391 発光基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-13

(45)【発行日】2024-12-23

(54)【発明の名称】発光基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20241216BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20241216BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 502A

H01L33/62

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2021559775

(86)(22)【出願日】2021-09-23

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-26

(86)【国際出願番号】 CN2021119741

(87)【国際公開番号】W WO2023035323

(87)【国際公開日】2023-03-16

【審査請求日】2021-11-19

【審判番号】

【審判請求日】2024-07-01

(31)【優先権主張番号】202111051467.5

(32)【優先日】2021-09-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】515203228

【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＴＣＬ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．９－２，Ｔａｎｇｍｉｎｇ Ｒｄ，Ｇｕａｎｇｍｉｎｇ Ｎｅｗ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ ５１８１３２

(74)【代理人】

【識別番号】110002468

【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】陸 ▲カ▼俊

(72)【発明者】

【氏名】趙 斌

(72)【発明者】

【氏名】肖 軍城

【合議体】

【審判長】馬場 慎

【審判官】丸山 高政

【審判官】衣鳩 文彦

(56)【参考文献】

【文献】特開平１０－２０９６１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６１－１１０４９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１５６３８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－６２０６４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

H05K

H01L

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

発光基板の製造方法であって、
底板と、前記底板の取付面に取り付けられるパッドアセンブリとを含む第１基板を提供するステップと、
前記パッドアセンブリの外側に位置するように前記底板の前記取付面に溝を形成するステップと、
前記底板の前記取付面における前記溝の外側に位置する箇所にソルダーレジストインキを塗布することにより、前記溝の外側に位置する第１インキ層と前記溝内に位置する第２インキ層とが含まれるソルダーレジストインキ層を形成するステップと、
ＬＥＤチップを提供し、前記ＬＥＤチップと前記パッドアセンブリとを接続するステップと、
を含み、
前記溝の幅は、３０μｍ～６０μｍであり、前記溝の深さは、１５μｍ～４５μｍである発光基板の製造方法。

【請求項2】

前記底板の前記取付面に前記溝を形成するステップは、前記底板の前記取付面に前記溝が形成されるように、前記底板の前記取付面にレーザを照射するステップを含む、請求項１に記載の発光基板の製造方法。

【請求項3】

前記第１基板は、前記底板の前記取付面に設けられる導線をさらに含み、
前記導線は、前記パッドアセンブリに接続され、
前記溝は、前記導線の位置で遮断される、請求項１に記載の発光基板の製造方法。

【請求項4】

前記パッドアセンブリは、間隔をあけて設けられる第１パッドと第２パッドとを含み、
前記溝の内縁と前記第１パッドの外縁との間の距離は、５μｍ～１５μｍであり、
前記溝の内縁と前記第２パッドの外縁との間の距離は、５μｍ～１５μｍである、請求項１に記載の発光基板の製造方法。

【請求項5】

前記底板の前記取付面における前記溝の外側に位置する箇所に前記ソルダーレジストインキを塗布するステップは、前記取付面における前記溝の外縁から０を超えかつ５μｍ未満の範囲内に位置する箇所に前記ソルダーレジストインキを塗布するステップを含む、請求項１に記載の発光基板の製造方法。

【請求項6】

前記ＬＥＤチップと前記パッドアセンブリとを接続するステップは、溶接により前記ＬＥＤチップと前記パッドアセンブリとを接続するステップを含む、請求項１に記載の発光基板の製造方法。

【請求項7】

前記底板の前記取付面における前記溝の外側に位置する箇所にソルダーレジストインキを塗布するステップは、インクジェット印刷又はスクリーン印刷により前記溝の外側から前記ソルダーレジストインキを塗布するステップを含む、請求項１に記載の発光基板の製造方法。

【請求項8】

前記第１パッド及び前記第２パッドの材料は、いずれも金属である、請求項４に記載の発光基板の製造方法。

【請求項9】

取付面を有する底板と、
前記底板の前記取付面に取り付けられるパッドアセンブリと、
前記底板の前記取付面に設けられるソルダーレジストインキ層と、
前記パッドアセンブリの外側に位置するように前記底板の前記取付面に形成される溝と、
前記パッドアセンブリに接続されるＬＥＤチップと、
を含み、
前記ソルダーレジストインキ層は、前記溝の外側に位置する第１インキ層と、前記溝内に位置する第２インキ層とを含み、
前記溝の幅は、３０μｍ～６０μｍであり、前記溝の深さは、１５μｍ～４５μｍである、発光基板。

【請求項10】

前記発光基板は、前記底板の前記取付面に設けられる導線をさらに含み、
前記導線は、前記パッドアセンブリに接続され、
前記溝は、前記導線の位置で遮断される、請求項９に記載の発光基板。

【請求項11】

前記パッドアセンブリは、間隔をあけて設けられる第１パッドと第２パッドとを含み、
前記溝の内縁と前記第１パッドの外縁との間の距離は、５μｍ～１５μｍであり、
前記溝の内縁と前記第２パッドの外縁との間の距離は、５μｍ～１５μｍである、請求項９に記載の発光基板。

【請求項12】

前記第１インキ層の厚さは、１５μｍ～４５μｍである、請求項９に記載の発光基板。

【請求項13】

前記第２インキ層の厚さは、１５μｍ～４５μｍである、請求項９に記載の発光基板。

【請求項14】

前記ＬＥＤチップと前記パッドアセンブリとは、溶接により接続される、請求項９に記載の発光基板。

【請求項15】

前記第１パッド及び前記第２パッドの材料は、いずれも金属である、請求項１１に記載の発光基板。

【請求項16】

前記底板の材料は、樹脂又はガラスである、請求項９に記載の発光基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ディスプレイ技術分野に関し、特に発光基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＭＬＥＤ（Ｍｉｎｉ－ＬＥＤ）技術の主な発展方向は、バックライト及びダイレクト表示の２つの部分に分けられている。ダイレクト表示製品又はバックライト製品にもかかわらず、ＭＬＥＤパッケージ構造の表面はソルダーレジストインキで被覆される必要がある。

【0003】

現在、ＭＬＥＤ製品は、ソルダーレジストインキの塗布精度に対する要求がますます高くなっており、即ち、ソルダーレジストインキとパッドとの間の距離を小さくする必要がある。しかし、従来のインキ塗布プロセスによりソルダーレジストインキの塗布精度を向上してみたところ、ソルダーレジストインキがパッドに溢れる現象、即ち、パッドの表面の一部又は全部にソルダーレジストインキが被覆される現象が発生することが多い。パッドにソルダーレジストインキが被覆されると、ＬＥＤチップと溶接する過程中に溶接不良又は溶接不能が発生する場合が多い。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施例によれば、ソルダーレジストインキがパッドに溢れることによる溶接不良又は溶接失効を回避できる発光基板及びその製造方法が提供される。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の第１態様によれば、
底板と、前記底板の取付面に取り付けられるパッドアセンブリとを含む第１基板を提供するステップと、
前記パッドアセンブリの外側に位置するように前記底板の前記取付面に溝を形成するステップと、
前記底板の前記取付面における前記溝の外側に位置する箇所にソルダーレジストインキを塗布することにより、前記溝外側に位置する第１インキ層と前記溝内に位置する第２インキ層とが含まれるソルダーレジストインキ層を形成するステップと、
ＬＥＤチップを提供し、前記ＬＥＤチップと前記パッドアセンブリとを接続するステップと、
を含む発光基板の製造方法が提供される。

【0006】

本発明の第２態様によれば、
取付面を有する底板と、
前記底板の前記取付面に取り付けられるパッドアセンブリと、
前記底板の前記取付面に設けられるソルダーレジストインキ層と、
前記パッドアセンブリの外側に位置するように前記底板の前記取付面に形成される溝と、
前記パッドアセンブリに接続されるＬＥＤチップと、
を含み、
前記ソルダーレジストインキ層は、前記溝の外側に位置する第１インキ層と、前記溝内に位置する第２インキ層とを含む発光基板が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本発明の実施例に係るＴＦＴバックプレーンは、感圧トランジスタを設けることにより、第１感圧材料層が圧力を受けると、第１感圧材料層の片側に位置する第２導電層に低電位が形成され、第１感圧材料層の他側に位置する第２グリッドに高電位が形成され、感圧トランジスタがオンにされて電流が産生され、圧力信号が電気信号に変換され、電気信号の大きさを監視することで、ＬＥＤ転移圧着過程でＴＦＴバックプレーンが受ける圧力変化をリアルタイムで監視することができ、バックプレーンが受かる圧力が高すぎることによる内部回路の短絡が回避され、転移効率が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

本発明の実施例における技術的手段をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に必要な図面を簡単に説明する。以下に示される図面は本発明のいくつかの実施例に過ぎず、当業者は、これらの図面に基づいて創造的努力なしに他の図面を得ることができる。

【0009】

本発明及びその有益な効果をより完全に理解するために、以下、図面を参照しながら説明する。以下の説明において、同じ符号で同じ部分を表す。

【0010】

【図1】本発明の実施例に係る発光基板の製造方法のフローチャートである。

【図2】図１の製造方法のステップ１００の模式図である。

【図3】図２における構造のＡ－Ａ方向に沿う断面模式図である。

【図4】図１の製造方法のステップ２００の模式図である。

【図5】図４における構造のＢ－Ｂ方向に沿う断面模式図である。

【図6】図１の製造方法のステップ３００の模式図である。

【図7】図６における構造のＣ－Ｃ方向に沿う断面模式図である。

【図8】図１の製造方法のステップ４００の模式図、及び本発明の実施例に係る発光基板の模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の実施例に関する図面により本発明の実施例における技術的手段を明確かつ完全に説明する。以下の実施例は本発明の実施例の一部に過ぎず、全ての実施例ではない。本発明の実施例に基づいて、当業者が創造的努力なしに得られる他の実施例は、全て本発明の保護範囲に含まれる。

【0012】

図１は、本発明の実施例に係る発光基板の製造方法のフローチャートである。本発明の実施例によれば、以下のステップ１００からステップ４００を含む発光基板の製造方法が提供される。

【0013】

ステップ１００において、底板と、底板の取付面に取り付けられるパッドアセンブリとを含む第１基板を提供する。

【0014】

図２及び図３を参照されたい。図２は、図１の製造方法のステップ１００の模式図である。図３は、図２における構造のＡ－Ａ方向に沿う断面模式図である。パッドアセンブリ１２は、間隔をあけて設けられる第１パッド１２１と第２パッド１２２とを含んでもよい。理解できるように、第１パッド１２１及び第２パッド１２２のうちの一方は、ＬＥＤチップ３０の正極に溶接することができ、第１パッド１２１及び第２パッド１２２のうちの他方は、ＬＥＤチップ３０の負極に溶接することができる。

【0015】

図２に示すように、第１基板２０は、底板１１の取付面に設けられる導線１４をさらに含んでもよい。導線１４はパッドアセンブリ１２に接続される。具体的には、パッドアセンブリ１２における第１パッド１２１及び第２パッド１２２は、それぞれ異なる２本の導線１４に接続される。

【0016】

例示的には、底板１１の材料は、樹脂又はガラスなどであってもよい。第１パッド１２１及び第２パッド１２２の材料はいずれも金属、例えば、銅（Ｃｕ）であってもよい。

【0017】

ステップ２００において、パッドアセンブリの外側に位置するように底板の取付面に溝を形成する。

【0018】

例示的には、「底板１１の取付面に溝１１５を形成するステップ」は、具体的には、底板１１の取付面に溝１１５が形成されるように底板１１の取付面にレーザを照射するステップを含んでもよい。

【0019】

図４及び図５を参照されたい。図４は、図１の製造方法のステップ２００の模式図である。図５は、図４における構造のＢ－Ｂ方向に沿う断面模式図である。パッドアセンブリ１２が間隔をあけて設けられる第１パッド１２１と第２パッド１２２とを含む場合、溝１１５の内縁と第１パッド１２１の外縁との間の距離ａは５μｍ～１５μｍ（例えば、５μｍ、７μｍ、９μｍ、１０μｍ、１２μｍ、１４μｍ、１５μｍなど）に設定され、溝１１５の内縁と第２パッド１２２の外縁との間の距離ｂは５μｍ～１５μｍ（例えば、５μｍ、７μｍ、９μｍ、１０μｍ、１２μｍ、１４μｍ、１５μｍなど）に設定されてもよい。理解できるように、レーザ加工の精度が高いため、溝１１５をパッドアセンブリ１２から近い位置に形成することができる。

【0020】

図４から分かるように、溝１１５は、導線１４を逃げるために導線１４の位置で遮断される。つまり、溝１１５は非閉鎖構造である。

【0021】

例示的には、溝１１５は全体として矩形であってもよい。

【0022】

例示的には、導線１４の材料は金属、例えば、銅（Ｃｕ）であってもよい。

【0023】

ステップ３００において、底板の取付面における溝の外側に位置する箇所にソルダーレジストインキを塗布することにより、溝の外側に位置する第１インキ層と溝内に位置する第２インキ層とが含まれるソルダーレジストインキ層を形成する。

【0024】

図６及び図７を参照されたい。図６は、図１の製造方法のステップ３００の模式図である。図７は、図６における構造のＣ－Ｃ方向に沿う断面模式図である。「底板の取付面における溝の外側に位置する箇所にソルダーレジストインキを塗布するステップ」は、具体的には取付面における溝１１５の外縁から０を超えかつ５μｍ未満の範囲内（例えば、０．５μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍなど）に位置する箇所にソルダーレジストインキを塗布するステップを含んでもよい。理解できるように、インキが流動性を有するため、溝１１５の外側に塗布されるソルダーレジストインキは、溝１１５が位置する方向へ自動的に流動し、溝１１５内に入り、硬化して溝１１５内に位置する第２インキ層１３２を形成し、溝１１５の外側における底板１１の表面に位置するソルダーレジストインキは硬化して第１インキ層１３１を形成する。

【0025】

理解できるように、第２インキ層１３２によって溝１１５が完全に満たされてもよい。即ち、第２インキ層１３２の厚さは溝１１５の深さと等しい（図７）。或いは、第２インキ層１３２によって溝１１５が完全に充填されなくてもよい。即ち、第２インキ層１３２の厚さは溝１１５の深さよりも小さい。

【0026】

例示的には、インクジェット印刷又はスクリーン印刷により溝１１５の外側からソルダーレジストインキを塗布することができる。

【0027】

理解できるように、ソルダーレジストインキの作用は以下の通りである。
１、ソルダーレジスト層として溶接プロセスにおけるブリッジングによる短絡を防止する。
２、保護層として底板１１における回路を保護するとともに絶縁の作用を奏する。
３、ソルダーレジストインキ層１３に顔料を添加してもよい。異なる顔料の添加による作用が異なる。例えば、ソルダーレジストインキ層１３に白色顔料を添加することにより、ソルダーレジストインキ層１３に白色インキ層が形成される。白色インキ層は、反射能力が高いため、バックライト製品に適用されることで液晶表示装置の光源利用率が向上される。或いは、ソルダーレジストインキ層１３に黒色顔料を添加することにより、ソルダーレジストインキ層１３に黒色インキ層が形成される。黒色インキ層は、コントラストが高いため、ダイレクト表示製品に適用されることでＬＥＤ表示製品のコントラストと表示効果が向上される。

【0028】

現在、ＬＥＤバックライト製品は、反射率に対する要求がますます高くなっている。ＬＥＤバックライト製品では、外側の白色ソルダーレジストインキ層１３の反射率を９０％以上に確保するために、白色ソルダーレジストインキ層１３の内縁とパッドの外縁との距離を５０μｍ未満にする必要がある。つまり、白色ソルダーレジストインキ層１３がパッドの周りの全ての領域をできるだけカバーするようにパッドの位置に近いほどよい。しかしながら、従来のインキ印刷プロセスの制限によって、現在達成可能な最大インキ塗布精度は７５μｍであり、ソルダーレジストインキ層の内縁とパッドの外縁との距離を７５μｍ未満にすると、パッド表面へのインキの溢出（即ち、ソルダーレジストインキがパッドに溢れる）現象が発生し、その結果、パッドとＬＥＤチップとを溶接する際に溶接不良又は溶接困難が発生し、現在のインキ塗布精度に対するＬＥＤバックライト製品の要求が満たされない。理解できるように、インキ塗布精度が高いほど、インキの内縁とパッドの外縁との間の距離は小さくなり、白色ソルダーレジストインキ層１３を有するＬＥＤバックライト製品の反射率は高くなり、ハイエンド製品の仕様設計のニーズを満たすことができる。本発明の実施例では、パッドアセンブリ１２の外側に位置する底板１１の箇所に溝１１５を形成することによって、溝１１５の外側に塗布されるソルダーレジストインキが溝１１５によりガイドされて自動的に溝１１５内に流れ込むことでパッドアセンブリ１２に近い第２インキ層１３２が形成される。レーザ加工などのプロセスの製造精度が高いため、溝１１５をできるだけパッドアセンブリ１２に近く形成することは可能である。現在、溝１１５の内縁とパッドアセンブリ１２の外縁との間の距離を５μｍ～１５μｍにすることができる。溝１１５内に第２インキ層１３２が設けられているため、溝１１５の内縁はソルダーレジストインキ層１３の内縁となり、つまり、ソルダーレジストインキ層１３の内縁とパッドアセンブリ１２の外縁との間の距離（インキ塗布精度）は５μｍ～１５μｍになる。これによって、ＬＥＤバックライト製品のインキ塗布精度は大幅に高くなり、ＬＥＤバックライト製品の反射率を９０％以上にすることは可能となる。また、溝１１５は高い収容能力を有し、塗布位置からパッドアセンブリ１２へ流れるソルダーレジストインキを受けることができるため、ソルダーレジストインキがパッドアセンブリ１２に溢れることによる溶接不良又は溶接失効の発生は回避される。

【0029】

さらに、目前ＬＥＤダイレクト表示製品のピッチ（Ｐｉｔｃｈ；画素間の距離）は小さくなっている。これは、ソルダーレジストインキの塗布精度に対する要求は高くなり、ソルダーレジストインキとパッドとの距離は近くなることを意味する。ＬＥＤダイレクト表示製品のピッチが０．６ｍｍ以下である場合、現在の黒色ソルダーレジストインキの印刷プロセスは精度の要求を満たすことができないため、その代わりにＢＭ（ブラックマトリックス）を使用するしかない。本発明の実施例に係る発光基板の製造方法では、パッドアセンブリ１２の外側に位置する底板１１の箇所に溝１１５を形成することによって、ソルダーレジストインキに対する溝１１５のガイド効果、及び溝１１５を形成するプロセス自体の精度が高いという利点を利用してソルダーレジストインキ層１３の内縁とパッドアセンブリ１２の外縁との間の距離を大幅に短縮することができ（５μｍ～１５μｍにすることができ）、高いインキ塗布精度を実現することができる。黒色ソルダーレジストインキ層１３を有するＬＥＤダイレクト表示製品では、ＬＥＤダイレクト表示製品のコントラストは大幅に向上するため、その表示効果は向上する。また、溝１１５により溢出したソルダーレジストインキを収容することにより、ソルダーレジストインキがパッドアセンブリ１２に溢れることによる溶接不良又は溶接失効は回避される。

【0030】

例示的には、溝１１５の幅ｗは、３０μｍ～６０μｍ（例えば、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍ、５０μｍ、５５μｍ、６０μｍなど）であってもよく、溝１１５の深さｈは、１５μｍ～４５μｍ（例えば、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍなど）であってもよい。

【0031】

例示的には、第１インキ層１３１の厚さは、１５μｍ～４５μｍ（例えば、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍなど）であってもよく、第２インキ層１３２の厚さは、１５μｍ～４５μｍ（例えば、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍなど）であってもよい。

【0032】

ステップ４００において、ＬＥＤチップを提供し、ＬＥＤチップとパッドアセンブリとを接続する。

【0033】

図８は、図１の製造方法のステップ４００の模式図及び本発明の実施例に係る発光基板の模式図である。ＬＥＤチップ３０とパッドアセンブリ１２とは溶接により接続することができる。

【0034】

例示的には、ＬＥＤチップ３０は正極と負極を有し、正極は第１パッド１２１に接続され、負極は第２パッド１２２に接続されてもよい。

【0035】

以上より、本発明の実施例に係る発光基板の製造方法では、底板１１に溝１１５を形成することにより、溝１１５の外側に塗布されるソルダーレジストインキは溝１１５によってガイドされて自動的に溝１１５内に流れ込むことでソルダーレジストインキ層１３とパッドアセンブリ１２との間の距離が短縮され、ソルダーレジストインキ層の塗布精度が向上する。また、ソルダーレジストインキ層１３が高い塗布精度を有することが保証されるとともに、溝１１５が溢出するインキを収容する能力を有するため、ソルダーレジストインキがパッドアセンブリ１２に溢れることによる溶接不良又は溶接失効の発生が回避される。さらに、本発明の製造方法は簡単で、実現されやすく、生産コストが低い。

【0036】

図６から８を参照されたい。本発明の実施例によれば、発光基板１００がさらに提供される。発光基板１００は、上記のいずれかの実施例に係る発光基板１００の製造方法により製造することができる。発光基板１００は、底板１１と、パッドアセンブリ１２と、ソルダーレジストインキ層１３と、ＬＥＤチップ３０とを含んでもよい。底板１１は、取付面を有し、パッドアセンブリ１２は、底板１１の取付面に取り付けられ、ソルダーレジストインキ層１３は、底板１１の取付面に設けられ、パッドアセンブリ１２の外側に位置するように底板１１の取付面に溝１１５が形成される。ソルダーレジストインキ層１３は、溝１１５の外側に位置する第１インキ層１３１と溝１１５内に位置する第２インキ層１３２とを含む。ＬＥＤチップ３０とパッドアセンブリ１２とは接続される。

【0037】

図６及び図７に示すように、パッドアセンブリ１２は、間隔をあけて設けられる第１パッド１２１と第２パッド１２２とを含んでもよい。溝１１５の内縁と第１パッド１２１の外縁との間の距離ａは５μｍ～１５μｍ（例えば、５μｍ、７μｍ、９μｍ、１０μｍ、１２μｍ、１４μｍ、１５μｍなど）であり、溝１１５の内縁と第２パッド１２２の外縁との間の距離ｂは５μｍ～１５μｍ（例えば、５μｍ、７μｍ、９μｍ、１０μｍ、１２μｍ、１４μｍ、１５μｍなど）である。

【0038】

図４及び図６に示すように、発光基板１００は、底板１１の取付面に取り付けられる導線１４をさらに含んでもよい。導線１４とパッドアセンブリ１２とは接続される。溝１１５は導線１４を逃げるために導線１４の位置で遮断される。具体的には、パッドアセンブリ１２における第１パッド１２１及び第２パッド１２２は、それぞれ異なる２本の導線１４に接続される。

【0039】

例示的には、溝１１５の幅ｗは３０μｍ～６０μｍ（例えば、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍ、５０μｍ、５５μｍ、６０μｍなど）、溝１１５の深さｈは１５μｍ～４５μｍ（例えば、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍなど）であってもよい。

【0040】

例示的には、第１インキ層１３１の厚さは１５μｍ～４５μｍ（例えば、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍなど）、第２インキ層１３２の厚さは１５μｍ～４５μｍ（例えば、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍなど）であってもよい。

【0041】

理解できるように、溝１１５は第２インキ層１３２によって完全に満たされてもよい。即ち、第２インキ層１３２の厚さは溝１１５の深さと等しい（図７）。或いは、溝１１５は第２インキ層１３２によって完全に満たされなくてもよい。即ち、第２インキ層１３２の厚さは溝１１５の深さよりも小さい。

【0042】

例示的には、底板１１の材料は樹脂又はガラスなどであってもよい。第１パッド１２１及び第２パッド１２２の材料はいずれも金属、例えば、銅（Ｃｕ）であってもよい。導線１４の材料は金属、例えば、銅（Ｃｕ）であってもよい。

【0043】

例示的には、溝１１５は全体として矩形であってもよい。

【0044】

例示的には、ＬＥＤチップ３０とパッドアセンブリ１２とは溶接により接続されてもよい。

【0045】

例示的には、ＬＥＤチップ３０は正極と負極とを有し、正極は第１パッド１２１に接続され、負極は第２パッド１２２に接続されてもよい。

【0046】

発光基板１００は、バックライト製品であってもよく、即ち、液晶表示装置に適用されて液晶パネルに光源を提供することができる。

【0047】

発光基板１００は、ダイレクト表示製品であってもよく、即ち、表示装置として直接使用することができる。

【0048】

本発明の実施例に係る発光基板１００では、パッドアセンブリ１２の外側に位置する底板１１の箇所に溝１１５を形成することによって、ソルダーレジストインキ層１３の内縁は溝１１５の内縁まで延在することができる。溝１１５を形成するプロセスの精度が高く、即ち、溝１１５の内縁をできるだけパッドアセンブリ１２に近くすることができるため、ソルダーレジストインキ層１３の内縁とパッドアセンブリ１２の外縁との間の距離は短縮され、ソルダーレジストインキ層１３の塗布精度は向上する。さらに、ソルダーレジストインキ層１３が高い塗布精度を有することが保証されるとともに、溝１１５が溢出するインキを収容する能力を有するため、ソルダーレジストインキがパッドアセンブリ１２に溢れることによる溶接不良又は溶接失効の発生が回避される。また、この発光基板１００は、構造が簡単で、製造が容易で、生産コストが低い。さらに、発光基板１００におけるソルダーレジストインキ層１３の塗布精度が高いため、発光基板１００は、バックライト製品として使用される場合（即ち、ソルダーレジストインキ層１３が白色インキである場合）、バックライト製品の反射率を向上させることができる。発光基板１００は、ダイレクト表示製品として使用される場合（即ち、ソルダーレジストインキ層１３が黒色インキである場合）、ダイレクト表示製品のコントラストを向上させ、その表示効果を向上させることができる。したがって、この発光基板１００は、様々なハイエンド製品の仕様設計のニーズを満たすことができる。

【0049】

以上、本発明の実施例に係る発光基板及びその製造方法を詳しく説明した。本明細書では、具体的な例により本発明の原理及び実施形態を述べたが、以上の実施例の説明は、本発明の理解を助けるためのものに過ぎない。また、当業者は、本発明の思想に基づいて具体的な実施形態及び使用範囲を変更することができる。したがって、本明細書の内容は、本発明に対する制限として理解されるべきではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】