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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-13
(45)【発行日】2024-12-23
(54)【発明の名称】磁性コア、インダクター及びこれを含むＥＭＩフィルター
(51)【国際特許分類】
H01F 17/06 20060101AFI20241216BHJP
H01F 27/00 20060101ALI20241216BHJP
H01F 27/24 20060101ALI20241216BHJP
【ＦＩ】
H01F17/06 F
H01F17/06 K
H01F27/00 S
H01F27/24 J
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2022199960
(22)【出願日】2022-12-15
(62)【分割の表示】P 2020534607の分割
【原出願日】2018-12-20
(65)【公開番号】P2023030029
(43)【公開日】2023-03-07
【審査請求日】2023-01-13
(31)【優先権主張番号】10-2017-0183905
(32)【優先日】2017-12-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】517099982
【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114188
【弁理士】
【氏名又は名称】小野 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100119253
【弁理士】
【氏名又は名称】金山 賢教
(74)【代理人】
【識別番号】100129713
【弁理士】
【氏名又は名称】重森 一輝
(74)【代理人】
【識別番号】100137213
【弁理士】
【氏名又は名称】安藤 健司
(74)【代理人】
【識別番号】100143823
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 英彦
(74)【代理人】
【識別番号】100183519
【弁理士】
【氏名又は名称】櫻田 芳恵
(74)【代理人】
【識別番号】100196483
【弁理士】
【氏名又は名称】川嵜 洋祐
(74)【代理人】
【識別番号】100160749
【弁理士】
【氏名又は名称】飯野 陽一
(74)【代理人】
【識別番号】100160255
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 祐輔
(74)【代理人】
【識別番号】100146318
【弁理士】
【氏名又は名称】岩瀬 吉和
(72)【発明者】
【氏名】ナ，ヒョンミン
(72)【発明者】
【氏名】ナム，テクフン
(72)【発明者】
【氏名】キム，スンサン
【審査官】秋山 直人
(56)【参考文献】
【文献】特開平０５－０５５０６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０２－０９６３１５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－０４２６７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開昭６１－０４２８１４（ＪＰ，Ｕ）
【文献】特開平１１－１７６６５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－１００４６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１９５５８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－２０８３４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－０８１２３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－１５３６１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６１－１８３９０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－３２０８５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－１６２７４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０２１－５０９２２４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １７／０６
Ｈ０１Ｆ ２７／００
Ｈ０１Ｆ ２７／２４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
遠心方向に沿って最内側に配置される第１内周面、及び遠心方向に沿って最外側に配置される第１外周面を含むトロイダル状の第１磁性体と、前記第１磁性体の第１内周面に配置された第２内側磁性体と、
前記第１磁性体の前記第１外周面に配置された第２外側磁性体と、を含み、
前記遠心方向に垂直な垂直方向において前記第１磁性体の長さが前記第２内側磁性体の長さよりも長く、
前記遠心方向に垂直な垂直方向において前記第１磁性体の長さが前記第２外側磁性体の長さよりも長い、磁気結合装置。
【請求項2】
前記第２内側磁性体及び第２外側磁性体のうち少なくとも一つは、前記遠心方向に沿って複数の層で配置された金属リボンを含み、前記金属リボンの複数の層の間に、前記遠心方向に沿って互いに離隔して配置された第１樹脂部及び第２樹脂部を含む、請求項１に記載の磁気結合装置。
【請求項3】
前記第１樹脂部と前記第２樹脂部の前記垂直方向の長さが互いに異なっている、請求項２に記載の磁気結合装置。
【請求項4】
遠心方向に沿って最内側に配置される第１内周面、及び遠心方向に沿って最外側に配置される第１外周面を含むトロイダル状の第１磁性体と、
前記第１磁性体の第１内周面及び前記第１外周面のうち少なくとも一面に配置された第２磁性体と、を含み、
前記遠心方向に垂直な垂直方向において前記第１磁性体の長さが前記第２磁性体の長さよりも長く、
前記第２磁性体は、前記遠心方向に沿って複数の層で配置された金属リボンを含み、
前記金属リボンの複数の層の間に、前記遠心方向に沿って互いに離隔して配置された第１樹脂部及び第２樹脂部を含み、
前記第１樹脂部と前記第２樹脂部の前記垂直方向の長さが互いに異なっている、磁気結合装置。
【請求項5】
前記金属リボンは、前記遠心方向の最外側に配置された最外側面を含み、前記最外側面に配置された第３樹脂部をさらに含む、請求項２又は４に記載の磁気結合装置。
【請求項6】
前記金属リボンは、前記垂直方向に沿って互いに向かい合う上面及び下面を含み、前記上面に配置された第４樹脂部、及び前記下面に配置された第５樹脂部をさらに含む、請求項５に記載の磁気結合装置。
【請求項7】
前記第３樹脂部、前記第４樹脂部、及び前記第５樹脂部が互いに連結されている、請求項６に記載の磁気結合装置。
【請求項8】
前記第１磁性体は、Ｍｎ－Ｚｎ系物質を含む、請求項１又は４に記載の磁気結合装置。
【請求項9】
前記金属リボンは、円周方向に沿って延長され、Ｆｅ－Ｓｉ系物質を含む、請求項２又は４に記載の磁気結合装置。
【請求項10】
遠心方向に沿って最内側に配置される第１内周面、及び遠心方向に沿って最外側に配置される第１外周面を含むトロイダル状の第１磁性体と、前記第１磁性体の第１内周面に配置された第２内側磁性体と、
前記第１磁性体の前記第１外周面に配置された第２外側磁性体と、を含み、
前記第１磁性体は、前記第２内側磁性体と前記遠心方向に重なる第１重複領域、前記第１重複領域から前記遠心方向に垂直な方向に突出している第１突出領域、前記第２外側磁性体と前記遠心方向に重なる第２重複領域、及び前記第２重複領域から前記遠心方向に垂直な方向に突出している第２突出領域を含む、磁気結合装置。
【請求項11】
前記第１突出領域は、上部に突出している上部第１突出領域、及び下部に突出している下部第１突出領域を含み、
前記第２突出領域は、上部に突出している上部第２突出領域、及び下部に突出している下部第２突出領域を含む、請求項１０に記載の磁気結合装置。
【請求項12】
遠心方向に沿って最内側に配置される第１内周面、及び遠心方向に沿って最外側に配置される第１外周面を含むトロイダル状の第１磁性体と、
前記第１磁性体の第１内周面及び前記第１外周面のうち少なくとも一面に配置された第２磁性体と、を含み、
前記第１磁性体は、前記第２磁性体と前記遠心方向に重なる重複領域、及び前記重複領域から前記遠心方向に垂直な方向に突出している突出領域を含み、
前記第２磁性体は、前記遠心方向に沿って複数の層で配置された金属リボンを含み、
前記金属リボンの複数の層の間に、前記遠心方向に沿って互いに離隔して配置された第１樹脂部及び第２樹脂部を含み、
前記第１樹脂部と前記第２樹脂部の前記垂直方向の長さが互いに異なっている、磁気結合装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁性コア、インダクター及びこれを含むＥＭＩフィルターに関する。
【背景技術】
【0002】
インダクターは印刷回路基板上に適用される電子部品の一つであり、電磁気的特性によ
って共振回路、フィルター回路、パワー回路などに適用され得る。
って共振回路、フィルター回路、パワー回路などに適用され得る。
【0003】
一方、パワーボード内に適用されるＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎ
ｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルターは、回路動作に必要な信号は通過させ、雑音は除去す
る役割を担う。
ｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルターは、回路動作に必要な信号は通過させ、雑音は除去す
る役割を担う。
【0004】
図１は、ＥＭＩフィルターが適用された一般のパワーボードが電源と負荷に連結されて
いるブロック図である。
いるブロック図である。
【0005】
図１に示すＥＭＩフィルターのパワーボードから伝達される雑音の種類は、大きく、パ
ワーボードから放射される３０ＭＨｚ～１ＧＨｚの放射性雑音と、電源ラインを通じて伝
導される１５０ｋＨｚ～３０ＭＨｚの伝導性雑音とに区分できる。
ワーボードから放射される３０ＭＨｚ～１ＧＨｚの放射性雑音と、電源ラインを通じて伝
導される１５０ｋＨｚ～３０ＭＨｚの伝導性雑音とに区分できる。
【0006】
伝導性雑音の伝達方式は、差動モード（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｍｏｄｅ）と共通
モード（ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ）とに区分できる。このうち、共通モード雑音は、少な
い量であっても、大きいループを描きながら戻ってくるため、遠く離れている電子機器に
も影響を及ぼすことがある。このような共通モード雑音は配線系のインピーダンス不平衡
によって発生することもあり、高周波環境であるほど著しくなる。
モード（ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ）とに区分できる。このうち、共通モード雑音は、少な
い量であっても、大きいループを描きながら戻ってくるため、遠く離れている電子機器に
も影響を及ぼすことがある。このような共通モード雑音は配線系のインピーダンス不平衡
によって発生することもあり、高周波環境であるほど著しくなる。
【0007】
共通モード雑音を除去するために、図１に示すＥＭＩフィルターに適用されるインダク
ターは、一般に、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライト（Ｆｅｒｒｉｔｅ）素材を含むトロイダル（ｔ
ｏｒｏｉｄａｌ）状の磁性コアを使用する。Ｍｎ－Ｚｎ系フェライトは１００ｋＨｚ～１
ＭＨｚで透磁率が高いので、共通モード雑音を効果的に除去することができる。
ターは、一般に、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライト（Ｆｅｒｒｉｔｅ）素材を含むトロイダル（ｔ
ｏｒｏｉｄａｌ）状の磁性コアを使用する。Ｍｎ－Ｚｎ系フェライトは１００ｋＨｚ～１
ＭＨｚで透磁率が高いので、共通モード雑音を効果的に除去することができる。
【0008】
図２は、一般のインダクター１００を示す斜視図である。
【0009】
図２を参照すると、インダクター１００は、磁性コア１１０、及び磁性コア１１０上に
巻線されたコイル１２０を含むことができる。
巻線されたコイル１２０を含むことができる。
【0010】
磁性コア１１０はトロイダル（ｔｏｒｏｉｄａｌ）形状であり得、コイル１２０は、磁
性コア１１０上に巻線された第１コイル１２２、及び第１コイル１２２に対向して巻線さ
れた第２コイル１２４を含むことができる。第１コイル１２２及び第２コイル１２４はそ
れぞれ、トロイダル状の磁性コア１１０の上面Ｓ１、側面Ｓ２及び下面Ｓ３に巻線され得
る。
性コア１１０上に巻線された第１コイル１２２、及び第１コイル１２２に対向して巻線さ
れた第２コイル１２４を含むことができる。第１コイル１２２及び第２コイル１２４はそ
れぞれ、トロイダル状の磁性コア１１０の上面Ｓ１、側面Ｓ２及び下面Ｓ３に巻線され得
る。
【0011】
磁性コア１１０は、コイル１２０と絶縁するためのボビン（図示せず）をさらに含むこ
とができ、コイル１２０は、表面が絶縁素材で被覆された導線からなり得る。
とができ、コイル１２０は、表面が絶縁素材で被覆された導線からなり得る。
【0012】
【0013】
図３を参照すると、磁性コア１１０はボビン１３０に収容され得る。ボビン１３０は、
上部ボビン１３２及び下部ボビン１３４を含むことができる。
上部ボビン１３２及び下部ボビン１３４を含むことができる。
【0014】
次に、図４の（ａ）を参照すると、図３のように上部ボビン１３２、磁性コア１１０及
び下部ボビン１３２が備えられた状態で下部ボビン１３２の底面に磁性コア１１０が配置
され得る。その後、図４の（ｂ）に示すように、図４の（ａ）に示した結果物に上部ボビ
ン１３１が結合され得る。このとき、各構成要素は接着物質で互いに接着され得る。
び下部ボビン１３２が備えられた状態で下部ボビン１３２の底面に磁性コア１１０が配置
され得る。その後、図４の（ｂ）に示すように、図４の（ａ）に示した結果物に上部ボビ
ン１３１が結合され得る。このとき、各構成要素は接着物質で互いに接着され得る。
【0015】
上述したインダクターの性能改善のために、磁性コア１１０を異種物質で構成するなど
の様々な努力が行われてきた。一例として、前述したようなＭｎ－Ｚｎ系フェライト（Ｆ
ｅｒｒｉｔｅ）素材を含むトロイダル（ｔｏｒｏｉｄａｌ）状の磁性コアの表面の少なく
とも一部にＦｅ－Ｓｉ系の金属リボンが配置され得る。ところが、金属リボンは高い磁性
特性（すなわち、高い透磁率）を得るために高温（例えば、５００℃～６００℃）の熱処
理を伴うのが一般的である。しかしながら、高温の熱処理を経た金属リボンは、磁性特性
は向上するが、強度が弱くなりすぎるため、小さい衝撃にも砕けやすい（Ｂｒｉｔｔｌｅ
）状態となり、製作工程において運送及び取扱が非常に難しく、結果として作業性の低下
及び完成品の収率低下につながる問題点があった。
の様々な努力が行われてきた。一例として、前述したようなＭｎ－Ｚｎ系フェライト（Ｆ
ｅｒｒｉｔｅ）素材を含むトロイダル（ｔｏｒｏｉｄａｌ）状の磁性コアの表面の少なく
とも一部にＦｅ－Ｓｉ系の金属リボンが配置され得る。ところが、金属リボンは高い磁性
特性（すなわち、高い透磁率）を得るために高温（例えば、５００℃～６００℃）の熱処
理を伴うのが一般的である。しかしながら、高温の熱処理を経た金属リボンは、磁性特性
は向上するが、強度が弱くなりすぎるため、小さい衝撃にも砕けやすい（Ｂｒｉｔｔｌｅ
）状態となり、製作工程において運送及び取扱が非常に難しく、結果として作業性の低下
及び完成品の収率低下につながる問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0016】
本発明が遂げようとする技術的課題は、磁性特性及び強度に優れた磁性コア部品とそれ
を含むインダクター及びＥＭＩフィルターを提供することである。
を含むインダクター及びＥＭＩフィルターを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0017】
一実施例によるインダクターは、トロイダル形状を有し、フェライトを含む第１磁性体
と、第１磁性体の外周面又は内周面に配置される第２磁性体と、を含み、第２磁性体は、
第１磁性体の円周方向に沿って巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含み、樹
脂物質は、複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第１樹脂物質と、複数層
の層間空間のうち少なくとも一部に配置された第２樹脂物質とを含む。
と、第１磁性体の外周面又は内周面に配置される第２磁性体と、を含み、第２磁性体は、
第１磁性体の円周方向に沿って巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含み、樹
脂物質は、複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第１樹脂物質と、複数層
の層間空間のうち少なくとも一部に配置された第２樹脂物質とを含む。
【0018】
例えば、第１磁性体はＭｎ－Ｚｎ系フェライトを含み、第２磁性体はＦｅ－Ｓｉ系金属
リボンを含み、第２樹脂物質は、第２磁性体の全体高さに対して下面から上面への方向に
０％～５％の領域及び９５％～１００％の領域に配置され得る。
リボンを含み、第２樹脂物質は、第２磁性体の全体高さに対して下面から上面への方向に
０％～５％の領域及び９５％～１００％の領域に配置され得る。
【0019】
例えば、第１磁性体の直径方向の厚さは第２磁性体の直径方向の厚さよりも厚く、第２
磁性体の直径方向の厚さは第１樹脂物質の直径方向の厚さよりも厚くてよい。
磁性体の直径方向の厚さは第１樹脂物質の直径方向の厚さよりも厚くてよい。
【0020】
例えば、第１樹脂物質の厚さは２０μｍ～３０μｍであり得る。
【0021】
例えば、第１樹脂物質層の高さは第２磁性体の高さよりも高くてよい。
【0022】
例えば、第２樹脂物質は、複数層の層間空間に対して１５％～３０％配置され得る。
【0023】
例えば、第２樹脂物質は、複数層の層間空間に対して２０％～２５％配置され得る。
【0024】
実施例によるＥＭＩフィルターは、インダクター及びキャパシターを含み、インダクタ
ーはトロイダル形状を有し、フェライトを含む第１磁性体と、第１磁性体の外周面又は内
周面に配置される第２磁性体と、を含み、第２磁性体は、第１磁性体の円周方向に沿って
巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含むことができる。ここで、樹脂物質は
、複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第１樹脂物質と、複数層の層間空
間のうち少なくとも一部に配置された第２樹脂物質とを含むことができる。
ーはトロイダル形状を有し、フェライトを含む第１磁性体と、第１磁性体の外周面又は内
周面に配置される第２磁性体と、を含み、第２磁性体は、第１磁性体の円周方向に沿って
巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含むことができる。ここで、樹脂物質は
、複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第１樹脂物質と、複数層の層間空
間のうち少なくとも一部に配置された第２樹脂物質とを含むことができる。
【0025】
例えば、第１磁性体はＭｎ－Ｚｎ系フェライトを含み、第２磁性体はＦｅ－Ｓｉ系金属
リボンを含み、第２樹脂物質は、第２磁性体の全体高さに対して下面から上面への方向に
０％～５％の範囲及び９５％～１００％の範囲に配置され得る。
リボンを含み、第２樹脂物質は、第２磁性体の全体高さに対して下面から上面への方向に
０％～５％の範囲及び９５％～１００％の範囲に配置され得る。
【0026】
例えば、第２樹脂物質の一部は、複数層の層間空間に対して１５％～３０％配置され得
る。
る。
【発明の効果】
【0027】
実施例によるインダクター及びそれを含むＥＭＩフィルターは、巻き取られた複数層の
金属リボン状の磁性コアが樹脂物質でコーティングされるので、強度が向上しながらも優
れた磁性特性を有する。
金属リボン状の磁性コアが樹脂物質でコーティングされるので、強度が向上しながらも優
れた磁性特性を有する。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】ＥＭＩフィルターが適用された一般のパワーボードが電源と負荷に連結されたブロック図である。
【図2】一般のインダクターを示す斜視図である。
【図5】本発明の一実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。
【図7】本発明のさらに他の実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。
【図8】本発明のさらに他の実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。
【図9】本発明のさらに他の実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。
【図10】フェライト素材及び金属リボン素材の透磁率及びインダクタンスを示すグラフである。
【図11】実施例によるエポキシコーティング液の希釈比率による層間空間のエポキシ比率を示す断面イメージである。
【図14】実施例によるインダクターを含むＥＭＩフィルターの一例である。
【発明を実施するための形態】
【0029】
本発明は様々な変更を加えることができ、様々な実施例を有することができるところ、
特定の実施例を図面に例示して説明するものとする。しかし、これは本発明を特定の実施
形態に対して限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全て
の変更、均等物或いは代替物を含むものとして理解されるべきである。
特定の実施例を図面に例示して説明するものとする。しかし、これは本発明を特定の実施
形態に対して限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全て
の変更、均等物或いは代替物を含むものとして理解されるべきである。
【0030】
第２、第１などのように序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するために用いるこ
とができるが、これらの用語によって前記構成要素が限定されるわけではない。これらの
用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ用いられる。例えば、本発
明の権利範囲を逸脱することなく第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよく、同様
に第１構成要素も第２構成要素と命名されてもよい。及び／又はという用語は、複数の関
連した記載項目の組合せ又は複数の関連した記載項目のいずれかを含む。
とができるが、これらの用語によって前記構成要素が限定されるわけではない。これらの
用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ用いられる。例えば、本発
明の権利範囲を逸脱することなく第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよく、同様
に第１構成要素も第２構成要素と命名されてもよい。及び／又はという用語は、複数の関
連した記載項目の組合せ又は複数の関連した記載項目のいずれかを含む。
【0031】
一つの構成要素が他の構成要素に“連結され”ているか“接続され”ていると言及され
たときには、他の構成要素に直接連結されていたり又は直接接続されていてもよいが、中
間にさらに他の構成要素が存在してもよいと理解されるべきであろう。一方、一つの構成
要素が他の構成要素に“直接連結され”ているか“直接接続され”ていると言及されたと
きには、中間にさらに他の構成要素が存在しないと理解されるべきであろう。
たときには、他の構成要素に直接連結されていたり又は直接接続されていてもよいが、中
間にさらに他の構成要素が存在してもよいと理解されるべきであろう。一方、一つの構成
要素が他の構成要素に“直接連結され”ているか“直接接続され”ていると言及されたと
きには、中間にさらに他の構成要素が存在しないと理解されるべきであろう。
【0032】
実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターン又は構造が基板、各層（膜）、領
域、パッド又はパターンの“上／上部（ｏｎ）”に又は“下／下部（ｕｎｄｅｒ）”に形
成されるという記載は、直接に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）又は他の層を介在して形成される、
いずれの場合をも含む。各層の上／上部又は下／下部に対する基準は、図面を基準に説明
する。また、図面において各層（膜）、領域、パターン又は構造物の厚さや大きさは、説
明の明確性及び便宜のために変形され得るので、実際の大きさを全的に反映するものでは
ない。
域、パッド又はパターンの“上／上部（ｏｎ）”に又は“下／下部（ｕｎｄｅｒ）”に形
成されるという記載は、直接に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）又は他の層を介在して形成される、
いずれの場合をも含む。各層の上／上部又は下／下部に対する基準は、図面を基準に説明
する。また、図面において各層（膜）、領域、パターン又は構造物の厚さや大きさは、説
明の明確性及び便宜のために変形され得るので、実際の大きさを全的に反映するものでは
ない。
【0033】
本出願で使用した用語は単に特定の実施例を説明するために用いられたもので、本発明
を限定しようとする意図のものではない。単数の表現は、文脈上で明白に言及しない限り
、複数の表現も含む。本出願において、“含む”又は“有する”などの用語は、明細書上
に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが
存在することを指定しようとするもので、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動
作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加の可能性を前もって排
除しないものではないと理解されるべきである。
を限定しようとする意図のものではない。単数の表現は、文脈上で明白に言及しない限り
、複数の表現も含む。本出願において、“含む”又は“有する”などの用語は、明細書上
に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが
存在することを指定しようとするもので、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動
作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加の可能性を前もって排
除しないものではないと理解されるべきである。
【0034】
特に定義されない限り、技術的又は科学的な用語を含めてここに使われる全ての用語は
、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者にとって一般的に理解される
のと同じ意味を有する。一般的に使われる辞書に定義されているような用語は、関連技術
の文脈上における意味と一致する意味を有するものと解釈されなければならず、本出願で
明白に定義しない限り、理想的な又は過度に形式的な意味で解釈されない。
、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者にとって一般的に理解される
のと同じ意味を有する。一般的に使われる辞書に定義されているような用語は、関連技術
の文脈上における意味と一致する意味を有するものと解釈されなければならず、本出願で
明白に定義しない限り、理想的な又は過度に形式的な意味で解釈されない。
【0035】
以下、添付の図面を参照して実施例を詳細に説明するが、図面中、同一であるか或いは
対応する構成要素には同一の参照番号を付与し、それに対する重複説明は省略するものと
する。
対応する構成要素には同一の参照番号を付与し、それに対する重複説明は省略するものと
する。
【0036】
本発明の一実施例によれば、磁性コアは、互いに異なる物質で構成された第１磁性体と
第２磁性体を含むことができる。ここで、第２磁性体は第１磁性体の少なくとも一部の表
面に配置されてよく、巻き取られた複数層の金属リボンを含むことができる。本実施例に
よる第２磁性体は、巻き取られた複数層の金属リボンの熱処理後の強度弱化の問題を解消
するために樹脂物質を含むことができる。樹脂物質は、巻き取られた複数層の金属リボン
の外表面を覆う樹脂物質と、複数層の層間空間の少なくとも一部に配置された樹脂物質を
含むことができる。ここで、層間空間とは、金属リボンが巻き取られることによって遠心
方向に互いに隣接する２つのリボン層において、相対的に遠心から近い層の外周面と相対
的に遠心から遠い層の内周面との間に形成された空間を意味できる。樹脂物質の形成方法
と特性の詳細は後述するものとし、まず、図５～図８を参照して本発明の実施例による異
種の磁性体が磁性コアを構成する様々な形態を説明する。説明の便宜のために、図５～図
７で樹脂物質の図示は省略されている。
第２磁性体を含むことができる。ここで、第２磁性体は第１磁性体の少なくとも一部の表
面に配置されてよく、巻き取られた複数層の金属リボンを含むことができる。本実施例に
よる第２磁性体は、巻き取られた複数層の金属リボンの熱処理後の強度弱化の問題を解消
するために樹脂物質を含むことができる。樹脂物質は、巻き取られた複数層の金属リボン
の外表面を覆う樹脂物質と、複数層の層間空間の少なくとも一部に配置された樹脂物質を
含むことができる。ここで、層間空間とは、金属リボンが巻き取られることによって遠心
方向に互いに隣接する２つのリボン層において、相対的に遠心から近い層の外周面と相対
的に遠心から遠い層の内周面との間に形成された空間を意味できる。樹脂物質の形成方法
と特性の詳細は後述するものとし、まず、図５～図８を参照して本発明の実施例による異
種の磁性体が磁性コアを構成する様々な形態を説明する。説明の便宜のために、図５～図
７で樹脂物質の図示は省略されている。
【0037】
【0038】
図５を参照すると、磁性コア８００は、第１磁性体８１０及び第２磁性体８２０を含み
、第１磁性体８１０及び第２磁性体８２０は異種であり、第２磁性体８２０は第１磁性体
８１０の少なくとも一部の表面に配置され得る。このとき、第２磁性体８２０は第１磁性
体８１０に比べて高い飽和磁束密度を有し得る。
、第１磁性体８１０及び第２磁性体８２０は異種であり、第２磁性体８２０は第１磁性体
８１０の少なくとも一部の表面に配置され得る。このとき、第２磁性体８２０は第１磁性
体８１０に比べて高い飽和磁束密度を有し得る。
【0039】
ここで、第１磁性体８１０はフェライトを含み、第２磁性体８２０は金属リボンを含む
ことができる。ここで、フェライトの透磁率（μ）は２，０００～１５，０００であり得
、金属リボンの透磁率（μ）は１００，０００～１５０，０００であり得る。例えば、フ
ェライトはＭｎ－Ｚｎ系フェライトであり得、金属リボンはＦｅ系ナノ結晶質金属リボン
であり得る。Ｆｅ系ナノ結晶質金属リボンは、Ｆｅ及びＳｉを含むナノ結晶質金属リボン
であり得る。金属リボンの厚さは１５μｍ～２０μｍであり得るが、必ずしもこれに限定
されない。
ことができる。ここで、フェライトの透磁率（μ）は２，０００～１５，０００であり得
、金属リボンの透磁率（μ）は１００，０００～１５０，０００であり得る。例えば、フ
ェライトはＭｎ－Ｚｎ系フェライトであり得、金属リボンはＦｅ系ナノ結晶質金属リボン
であり得る。Ｆｅ系ナノ結晶質金属リボンは、Ｆｅ及びＳｉを含むナノ結晶質金属リボン
であり得る。金属リボンの厚さは１５μｍ～２０μｍであり得るが、必ずしもこれに限定
されない。
【0040】
このとき、第１磁性体８１０及び第２磁性体８２０はそれぞれトロイダル状であり、第
２磁性体８２０は、第１磁性体８１０の外周面Ｓ２に配置される第２外側磁性体８２２、
及び第１磁性体８１０の内周面Ｓ４に配置される第２内側磁性体８２４を含むことができ
る。
２磁性体８２０は、第１磁性体８１０の外周面Ｓ２に配置される第２外側磁性体８２２、
及び第１磁性体８１０の内周面Ｓ４に配置される第２内側磁性体８２４を含むことができ
る。
【0041】
このとき、第２外側磁性体８２２及び第２内側磁性体８２４の厚さはそれぞれ第１磁性
体８１０の厚さよりも薄い。第２外側磁性体８２２の厚さと第１磁性体８１０の厚さ間の
比率及び第２内側磁性体８２４の厚さと第１磁性体８１０の厚さ間の比率の少なくとも一
つを調節すれば、磁性コア８００の透磁率を調節することができる。
体８１０の厚さよりも薄い。第２外側磁性体８２２の厚さと第１磁性体８１０の厚さ間の
比率及び第２内側磁性体８２４の厚さと第１磁性体８１０の厚さ間の比率の少なくとも一
つを調節すれば、磁性コア８００の透磁率を調節することができる。
【0042】
このような磁性コアを製作するために、図６に示すように、２つの第２磁性体８２２，
８２４をそれぞれ用意する。各第２磁性体８２２，８２４は複数層に巻き取られた金属リ
ボンに樹脂物質が形成されたものであり得る。用意した第２磁性体８２２，８２４のうち
、トロイダル状の第１磁性体８１０の内周面Ｓ４に対応する第２内側磁性体８２４は、第
１磁性体８１０の中空に挿入され、第１磁性体８１０も外周面Ｓ２に対応する第２外側磁
性体８２２の中空に挿入され得る。勿論、各第２磁性体の第１磁性体８１０への相対的な
結合順序は変更されても構わない。
８２４をそれぞれ用意する。各第２磁性体８２２，８２４は複数層に巻き取られた金属リ
ボンに樹脂物質が形成されたものであり得る。用意した第２磁性体８２２，８２４のうち
、トロイダル状の第１磁性体８１０の内周面Ｓ４に対応する第２内側磁性体８２４は、第
１磁性体８１０の中空に挿入され、第１磁性体８１０も外周面Ｓ２に対応する第２外側磁
性体８２２の中空に挿入され得る。勿論、各第２磁性体の第１磁性体８１０への相対的な
結合順序は変更されても構わない。
【0043】
このとき、第１磁性体８１０の外周面Ｓ２と第２外側磁性体８２２、及び第１磁性体８
１０の内周面Ｓ４と第２内側磁性体８２４は、接着剤によって接着され得る。このとき、
接着剤は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂及びニスのうち少なくとも
一つを含む接着剤であり得る。このように、接着剤を用いて異種の磁性体を接合させると
、物理的な振動時にも性能低下が発生しなくなる。
１０の内周面Ｓ４と第２内側磁性体８２４は、接着剤によって接着され得る。このとき、
接着剤は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂及びニスのうち少なくとも
一つを含む接着剤であり得る。このように、接着剤を用いて異種の磁性体を接合させると
、物理的な振動時にも性能低下が発生しなくなる。
【0044】
ここで、第２磁性体８２２，８２４のそれぞれは、図５に示すように、複数回ワインデ
ィングされて複数層に積層された金属リボンを含むことができる。積層された金属リボン
の層数によって第２磁性体８２２，８２４の厚さ及び透磁率が変わり、これによって磁性
コア８００の透磁率が変わり、磁性コア８００が適用されたＥＭＩフィルターのノイズ除
去性能が変わり得る。
ィングされて複数層に積層された金属リボンを含むことができる。積層された金属リボン
の層数によって第２磁性体８２２，８２４の厚さ及び透磁率が変わり、これによって磁性
コア８００の透磁率が変わり、磁性コア８００が適用されたＥＭＩフィルターのノイズ除
去性能が変わり得る。
【0045】
すなわち、第２磁性体８２２，８２４の厚さが大きいほどノイズ除去性能が高くなり得
る。このような原理を用いて、コイルが巻線される領域に配置される第２磁性体８２２，
８２４の厚さが、コイルが巻線されない領域に配置される第２磁性体８２２，８２４の厚
さよりも厚くなるように、積層された金属リボンの層数を調節することができる。
る。このような原理を用いて、コイルが巻線される領域に配置される第２磁性体８２２，
８２４の厚さが、コイルが巻線されない領域に配置される第２磁性体８２２，８２４の厚
さよりも厚くなるように、積層された金属リボンの層数を調節することができる。
【0046】
金属リボンの層数はワインディング回数、ワインディング開始地点及びワインディング
終了地点によって調節され得る。図５の（ａ）に示すように、第１磁性体８１０の外周面
Ｓ２に配置された第２外側磁性体８２２を基準にワインディングの開始点と終了地点の関
係を説明すると、次の通りである。勿論、第２外側磁性体８２２は、第１磁性体８１０と
結合される前にワインディングの他に樹脂物質（図示せず）の形成も完了した状態である
ことは前述した通りであるが、説明の便宜のために、第１磁性体８１０の外周面の一地点
を基準にワインディングが始まると仮定する。
終了地点によって調節され得る。図５の（ａ）に示すように、第１磁性体８１０の外周面
Ｓ２に配置された第２外側磁性体８２２を基準にワインディングの開始点と終了地点の関
係を説明すると、次の通りである。勿論、第２外側磁性体８２２は、第１磁性体８１０と
結合される前にワインディングの他に樹脂物質（図示せず）の形成も完了した状態である
ことは前述した通りであるが、説明の便宜のために、第１磁性体８１０の外周面の一地点
を基準にワインディングが始まると仮定する。
【0047】
金属リボンである第２外側磁性体８２２をワインディングする場合、ワインディング開
始地点から１回ワインディングする場合、第２外側磁性体８２２は１層の金属リボンを含
むことができ、ワインディング開始地点から２回ワインディングする場合、第２外側磁性
体８２２は２層の金属リボンを含むことができる。一方、ワインディング開始地点とワイ
ンディング終了地点が互いに異なる場合、例えばワインディング開始地点から１．５回ワ
インディングする場合、第２外側磁性体８２２は、１層に金属リボンが積層された領域と
２層に金属リボンが積層された領域を含むことになる。あるいは、ワインディング開始地
点から２．５回ワインディングする場合、第２外側磁性体８２２は、２層に金属リボンが
積層された領域と３層に金属リボンが積層された領域を含むことになる。この場合、積層
された層数がより多い領域にコイルを配置すれば、本発明の実施例による磁性コア８００
が適用されたＥＭＩフィルターのノイズ除去性能をより高めることができる。
始地点から１回ワインディングする場合、第２外側磁性体８２２は１層の金属リボンを含
むことができ、ワインディング開始地点から２回ワインディングする場合、第２外側磁性
体８２２は２層の金属リボンを含むことができる。一方、ワインディング開始地点とワイ
ンディング終了地点が互いに異なる場合、例えばワインディング開始地点から１．５回ワ
インディングする場合、第２外側磁性体８２２は、１層に金属リボンが積層された領域と
２層に金属リボンが積層された領域を含むことになる。あるいは、ワインディング開始地
点から２．５回ワインディングする場合、第２外側磁性体８２２は、２層に金属リボンが
積層された領域と３層に金属リボンが積層された領域を含むことになる。この場合、積層
された層数がより多い領域にコイルを配置すれば、本発明の実施例による磁性コア８００
が適用されたＥＭＩフィルターのノイズ除去性能をより高めることができる。
【0048】
例えば、磁性コア８００がトロイダル状であり、磁性コア８００上に第１コイル１２２
及び第２コイル１２４が互いに対称に巻線される場合、第１磁性体８１０の外周面に配置
される第２外側磁性体８２２の積層された層数が多い領域に第１コイル１２２を配置し、
第１磁性体８１０の内周面に配置される第２内側磁性体８２４の積層された層数が多い領
域に第２コイル１２４を配置することができる。これによって、第１コイル１２２及び第
２コイル１２４はいずれも、第２磁性体８２２，８２４において積層された層数が多い領
域に配置され、積層された層数が少ない領域には第１コイル１２２及び第２コイル１２４
が配置されないので、高いノイズ除去性能を得ることができる。
及び第２コイル１２４が互いに対称に巻線される場合、第１磁性体８１０の外周面に配置
される第２外側磁性体８２２の積層された層数が多い領域に第１コイル１２２を配置し、
第１磁性体８１０の内周面に配置される第２内側磁性体８２４の積層された層数が多い領
域に第２コイル１２４を配置することができる。これによって、第１コイル１２２及び第
２コイル１２４はいずれも、第２磁性体８２２，８２４において積層された層数が多い領
域に配置され、積層された層数が少ない領域には第１コイル１２２及び第２コイル１２４
が配置されないので、高いノイズ除去性能を得ることができる。
【0049】
第２外側磁性体８２２及び第２内側磁性体８２４が同一の素材及び厚さを有するとして
いるが、これに制限されるものではない。第２外側磁性体８２２及び第２内側磁性体８２
４は互いに異なる素材又は互いに異なる透磁率を有してもよく、互いに異なる厚さを有し
てもよい。これによって、磁性コア８００の透磁率は様々な範囲を有することができる。
いるが、これに制限されるものではない。第２外側磁性体８２２及び第２内側磁性体８２
４は互いに異なる素材又は互いに異なる透磁率を有してもよく、互いに異なる厚さを有し
てもよい。これによって、磁性コア８００の透磁率は様々な範囲を有することができる。
【0050】
一方、図７に示すように、第１磁性体８１０の高さｈ１が第２磁性体８２０の高さｈ２
より高くてもよい。このために、第２磁性体８２０の製造工程で、第１磁性体８１０の高
さｈ１よりも幅の短い金属リボンを巻き取ればいい。これによれば、第２外側磁性体８２
２は第１磁性体８１０の上面Ｓ１と外周面Ｓ２間の境界及び第１磁性体８１０の下面Ｓ３
と外周面Ｓ２間の境界に配置されなく、第２内側磁性体８２４は第１磁性体８１０の上面
Ｓ１と内周面Ｓ４間の境界及び第１磁性体８１０の下面Ｓ３と内周面Ｓ４間の境界に配置
されなくてすむ。これによって、第１磁性体８１０の上面Ｓ１と外周面Ｓ２間の境界、第
１磁性体８１０の下面Ｓ３と外周面Ｓ２間の境界、第１磁性体８１０の上面Ｓ１と内周面
Ｓ４間の境界、及び第１磁性体８１０の下面Ｓ３と内周面Ｓ４間の境界などで第２外側磁
性体８２２のクラックを防止することができる。
より高くてもよい。このために、第２磁性体８２０の製造工程で、第１磁性体８１０の高
さｈ１よりも幅の短い金属リボンを巻き取ればいい。これによれば、第２外側磁性体８２
２は第１磁性体８１０の上面Ｓ１と外周面Ｓ２間の境界及び第１磁性体８１０の下面Ｓ３
と外周面Ｓ２間の境界に配置されなく、第２内側磁性体８２４は第１磁性体８１０の上面
Ｓ１と内周面Ｓ４間の境界及び第１磁性体８１０の下面Ｓ３と内周面Ｓ４間の境界に配置
されなくてすむ。これによって、第１磁性体８１０の上面Ｓ１と外周面Ｓ２間の境界、第
１磁性体８１０の下面Ｓ３と外周面Ｓ２間の境界、第１磁性体８１０の上面Ｓ１と内周面
Ｓ４間の境界、及び第１磁性体８１０の下面Ｓ３と内周面Ｓ４間の境界などで第２外側磁
性体８２２のクラックを防止することができる。
【0051】
【0052】
このように、磁性コア８００が透磁率の異なる異種の磁性体を含めば、広範囲な周波数
帯域のノイズ除去が可能である。特に、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライトのみからなるトロイダル
状の磁性コアに比べて、表面に磁束が集まる現象が防止されるので、高周波ノイズ除去効
果が大きく、内部飽和度が低くなるので、高電力製品への適用が可能である。また、第１
磁性体８１０及び第２磁性体８２０の透磁率、体積比などを調節すれば、磁性コア８００
の性能調節が可能である。
帯域のノイズ除去が可能である。特に、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライトのみからなるトロイダル
状の磁性コアに比べて、表面に磁束が集まる現象が防止されるので、高周波ノイズ除去効
果が大きく、内部飽和度が低くなるので、高電力製品への適用が可能である。また、第１
磁性体８１０及び第２磁性体８２０の透磁率、体積比などを調節すれば、磁性コア８００
の性能調節が可能である。
【0053】
一方、図１０を参照すると、周波数別透磁率が異なるフェライト素材と金属リボン素材
を全て含む磁性コアは、所定の周波数領域でインダクタンスが高く現れ、これによって高
いノイズ除去性能が得られることが分かる。
を全て含む磁性コアは、所定の周波数領域でインダクタンスが高く現れ、これによって高
いノイズ除去性能が得られることが分かる。
【0054】
以上、実施例による第１磁性体と第２磁性体の相互配置関係について説明した。以下で
は、本発明の一実施例による第２磁性体の樹脂物質についてより詳細に説明する。
は、本発明の一実施例による第２磁性体の樹脂物質についてより詳細に説明する。
【0055】
一実施例によれば、樹脂物質は、複数の層に巻き取られた金属リボンを熱処理し、熱処
理結果物をコーティング液に含浸（ｄｉｐｐｉｎｇ）後に乾燥させる方法で形成され得る
。実施例によって、乾燥過程は、６０°～１５０°の環境で熱乾燥過程を含むことができ
る。
理結果物をコーティング液に含浸（ｄｉｐｐｉｎｇ）後に乾燥させる方法で形成され得る
。実施例によって、乾燥過程は、６０°～１５０°の環境で熱乾燥過程を含むことができ
る。
【0056】
図８の（ｃ）に示すように、第２磁性体８２０において樹脂物質Ｒは、巻き取られた金
属リボンＭＲの外表面（上面、下面、内周面、外周面）に配置され、巻き取られた金属リ
ボン同士間（図示せず）にも配置され得る。
属リボンＭＲの外表面（上面、下面、内周面、外周面）に配置され、巻き取られた金属リ
ボン同士間（図示せず）にも配置され得る。
【0057】
一実施例によれば、コーティング液は、エポキシ樹脂と希釈剤が所定の比率に混合され
た混合液であり得る。希釈剤はエポキシ樹脂を溶解させ得るものであれば、特定成分に限
定されない。次の表１～表４に、エポキシ樹脂と希釈剤との比率を異ならせてインダクタ
ンス減少率を測定した結果の一例を示す。
た混合液であり得る。希釈剤はエポキシ樹脂を溶解させ得るものであれば、特定成分に限
定されない。次の表１～表４に、エポキシ樹脂と希釈剤との比率を異ならせてインダクタ
ンス減少率を測定した結果の一例を示す。
【0058】
【表1】
【0059】
【表2】
【0060】
【表3】
【0061】
【表4】
【0062】
表１～表４を参照すると、エポシ樹脂の比率が高いほどインダクタンス減少率が高く、
希釈剤の比率が高いほどインダクタンス減少率が少ないことが分かる。具体的に、エポキ
シ樹脂と希釈剤の比率が５：５の場合、３０％に近いインダクタンス減少率を示し、エポ
キシ樹脂と希釈剤の比率が３：７の場合、約１５％に近いインダクタンス減少率を示した
。ただし、エポキシ樹脂と希釈剤の比率が２：８の場合と１：９の場合のインダクタンス
減少率はそれぞれ５．７２％と４．７％であり、その差は大きくないが、比較的良好なイ
ンダクタンス減少率を示した。
希釈剤の比率が高いほどインダクタンス減少率が少ないことが分かる。具体的に、エポキ
シ樹脂と希釈剤の比率が５：５の場合、３０％に近いインダクタンス減少率を示し、エポ
キシ樹脂と希釈剤の比率が３：７の場合、約１５％に近いインダクタンス減少率を示した
。ただし、エポキシ樹脂と希釈剤の比率が２：８の場合と１：９の場合のインダクタンス
減少率はそれぞれ５．７２％と４．７％であり、その差は大きくないが、比較的良好なイ
ンダクタンス減少率を示した。
【0063】
次に、表５を参照して各希釈剤別強度を比較する。
【0064】
【表5】
【0065】
表５は、１５層（ｔｕｒｎ）に巻き取られた金属リボンを熱処理後に、外周面の一地点
を直径方向に加圧する時に破損が発生する外力をｇ単位で示したものである。表５を参照
すると、コーティング液に含浸する前の金属リボンは、約７０ｇの外力が加えられる時に
破損するが、エポキシ樹脂と希釈液の比率によって約３倍から１０倍以上の強度向上があ
ることが分かる。
を直径方向に加圧する時に破損が発生する外力をｇ単位で示したものである。表５を参照
すると、コーティング液に含浸する前の金属リボンは、約７０ｇの外力が加えられる時に
破損するが、エポキシ樹脂と希釈液の比率によって約３倍から１０倍以上の強度向上があ
ることが分かる。
【0066】
このような希釈比率別の強度向上の相異は、コーティング液（すなわち、含浸液）の希
釈比率によるエポキシ樹脂の粘性差によって、含浸後に金属リボンを取り上げる際に金属
リボンの外周に相対的に多量のエポキシが残る理由もあるが、含浸液中で巻き取られた金
属リボンの複数層の層間空間に侵入したエポキシ樹脂の量も増加することに起因する。ま
た、巻き取られた金属リボンの複数層の層間空間において乾燥過程でエポキシ樹脂の体積
が膨脹して金属リボンに微細クラックが増加し、インダクタンス減少効果が発生すること
がある。これを、図１１～図１３を参照して説明する。図示してはいないが、図１１～図
１３において、巻き取られたリボンの層間空間において樹脂物質が配置される位置は、第
２磁性体８２０の全体高さを下面から上面までと定義するとき、下面から上面への方向に
全体高さの０％～５％の領域及び９５％～１００％の領域に配置され得る。好ましくは、
下面から上面への方向に全体高さの０％～１５％及び８５％～１００％の領域に配置され
得る。より好ましくは、下面から上面への方向に全体高さの０％～３０％及び７０％～１
００％の領域に配置され得る。下面から上面への方向に全体高さの３１％～６９％の領域
に配置される場合、強度向上及びインダクタンス減少率はわずかであり得る。
釈比率によるエポキシ樹脂の粘性差によって、含浸後に金属リボンを取り上げる際に金属
リボンの外周に相対的に多量のエポキシが残る理由もあるが、含浸液中で巻き取られた金
属リボンの複数層の層間空間に侵入したエポキシ樹脂の量も増加することに起因する。ま
た、巻き取られた金属リボンの複数層の層間空間において乾燥過程でエポキシ樹脂の体積
が膨脹して金属リボンに微細クラックが増加し、インダクタンス減少効果が発生すること
がある。これを、図１１～図１３を参照して説明する。図示してはいないが、図１１～図
１３において、巻き取られたリボンの層間空間において樹脂物質が配置される位置は、第
２磁性体８２０の全体高さを下面から上面までと定義するとき、下面から上面への方向に
全体高さの０％～５％の領域及び９５％～１００％の領域に配置され得る。好ましくは、
下面から上面への方向に全体高さの０％～１５％及び８５％～１００％の領域に配置され
得る。より好ましくは、下面から上面への方向に全体高さの０％～３０％及び７０％～１
００％の領域に配置され得る。下面から上面への方向に全体高さの３１％～６９％の領域
に配置される場合、強度向上及びインダクタンス減少率はわずかであり得る。
【0067】
図１１は、実施例によるエポキシコーティング液の希釈比率による層間空間のエポキシ
比率を示す断面イメージである。図１１では、１５層（ｔｕｒｎ）に巻き取られた金属リ
ボンを、希釈比率を個別にしたエポキシコーティング液に含浸した第２磁性体を円周方向
に切断した後、断面を拡大したイメージである。また、図１１で各イメージはいずれも下
端が遠心方向であり、各希釈比率別に上段イメージは１５層の金属リボンが全て示された
イメージであり、下段イメージは、５層の金属リボンだけが見られるようにさらに拡大し
たイメージであり、各下段イメージ中の円は、エポキシ樹脂が位置している領域を意味す
る。
比率を示す断面イメージである。図１１では、１５層（ｔｕｒｎ）に巻き取られた金属リ
ボンを、希釈比率を個別にしたエポキシコーティング液に含浸した第２磁性体を円周方向
に切断した後、断面を拡大したイメージである。また、図１１で各イメージはいずれも下
端が遠心方向であり、各希釈比率別に上段イメージは１５層の金属リボンが全て示された
イメージであり、下段イメージは、５層の金属リボンだけが見られるようにさらに拡大し
たイメージであり、各下段イメージ中の円は、エポキシ樹脂が位置している領域を意味す
る。
【0068】
図１１を参照すると、エポキシと希釈剤の比率が１：９の場合、遠心方向に隣接したリ
ボン層間の空間、すなわち、層間空間全体に対して約１０％の割合でエポキシ樹脂が位置
し、エポキシと希釈剤の比率が２：８の場合、約２５％の割合でエポキシ樹脂が位置する
。また、エポキシと希釈剤の比率が３：７の場合、層間空間全体に対して約３０％の割合
でエポキシ樹脂が位置し、エポキシと希釈剤の比率が５：５の場合、約５０％の割合でエ
ポキシ樹脂が位置する。
ボン層間の空間、すなわち、層間空間全体に対して約１０％の割合でエポキシ樹脂が位置
し、エポキシと希釈剤の比率が２：８の場合、約２５％の割合でエポキシ樹脂が位置する
。また、エポキシと希釈剤の比率が３：７の場合、層間空間全体に対して約３０％の割合
でエポキシ樹脂が位置し、エポキシと希釈剤の比率が５：５の場合、約５０％の割合でエ
ポキシ樹脂が位置する。
【0069】
図１１に見られるように、層間空間にエポキシ樹脂が占める比率によって強度が変わる
ことが分かる。
ことが分かる。
【0070】
以下では、表１～表４のインダクタンス減少量と、表５の強度向上を総合的に比較する
。
。
【0071】
エポキシと希釈液の比率が５：５の場合、強度は最も高くなるが、インダクタンス減少
率が高すぎ、また、エポキシと希釈液の比率が１：９の場合、インダクタンス減少率が最
も低いが、強度の向上幅が低かった。
率が高すぎ、また、エポキシと希釈液の比率が１：９の場合、インダクタンス減少率が最
も低いが、強度の向上幅が低かった。
【0072】
また、エポキシと希釈液の比率がそれぞれ２：８の場合と１：９の場合、インダクタン
ス減少率の面では類似の優秀性を示し、強度向上の面では、エポキシと希釈液の比率がそ
れぞれ２：８及び３：７の場合に、類似の優秀性を示した。
ス減少率の面では類似の優秀性を示し、強度向上の面では、エポキシと希釈液の比率がそ
れぞれ２：８及び３：７の場合に、類似の優秀性を示した。
【0073】
要するに、エポキシと希釈液の比率が２：８である場合、インダクタンス減少率は１：
９である場合と類似な程度の優秀性を示し、強度は３：７の場合と類似な程度の優秀性を
示したところ、最も好ましい比率であるといえる。
９である場合と類似な程度の優秀性を示し、強度は３：７の場合と類似な程度の優秀性を
示したところ、最も好ましい比率であるといえる。
【0074】
【0075】
【0076】
図１２には、実施例による２：８の希釈比を有するコーティング液に含浸された後に乾
燥した第２磁性体８２０の平面図を示す。層間空間のエポキシ比率を測定するために、１
つの第２磁性体８２０がＡｒｅａ＿１～Ａｒｅａ＿４の４つの領域に分割され、それぞれ
の円周方向に切断された断面映像が撮影される。したがって、１つの第２磁性体サンプル
に対して層間空間のエポキシ比率が４回測定され、５個のサンプルを用いて総２０回の測
定が行われた。
燥した第２磁性体８２０の平面図を示す。層間空間のエポキシ比率を測定するために、１
つの第２磁性体８２０がＡｒｅａ＿１～Ａｒｅａ＿４の４つの領域に分割され、それぞれ
の円周方向に切断された断面映像が撮影される。したがって、１つの第２磁性体サンプル
に対して層間空間のエポキシ比率が４回測定され、５個のサンプルを用いて総２０回の測
定が行われた。
【0077】
図１３には、このような測定過程で撮影された一部サンプルのイメージを示す。図１３
は、１５層（ｔｕｒｎ）に巻き取られた金属リボンを、２：８の希釈比率を有するエポキ
シコーティング液に含浸した第２磁性体を円周方向に切断した後、断面を拡大したイメー
ジを示している。また、図１３で、各イメージはいずれも下端が遠心方向であり、各上段
イメージは下段のイメージが断面のどの部分に該当するかを示し、下段イメージは５層の
金属リボンだけが見られるようにさらに拡大したイメージであり、各下段イメージ中の円
は、エポキシ樹脂が位置している領域を意味する。
は、１５層（ｔｕｒｎ）に巻き取られた金属リボンを、２：８の希釈比率を有するエポキ
シコーティング液に含浸した第２磁性体を円周方向に切断した後、断面を拡大したイメー
ジを示している。また、図１３で、各イメージはいずれも下端が遠心方向であり、各上段
イメージは下段のイメージが断面のどの部分に該当するかを示し、下段イメージは５層の
金属リボンだけが見られるようにさらに拡大したイメージであり、各下段イメージ中の円
は、エポキシ樹脂が位置している領域を意味する。
【0078】
【0079】
要するに、希釈比が２：８の場合、層間空間のエポキシ比率は１５％～３０％であるが
、これは最大値と最小値を含む範囲であり、２０回の測定結果は下表６の通りである。
、これは最大値と最小値を含む範囲であり、２０回の測定結果は下表６の通りである。
【0080】
【表6】
【0081】
表６を参照すると、総２０回の実験において、１５％の場合が２回、２０％の場合が４
回、２５％の場合が７回、３０％の場合が３回とそれぞれ現れた。したがって、希釈比が
２：８である場合、層間空間のエポキシ比率は１５％～３０％、好ましくは２０％～２５
％、より好ましくは２３％～２５％であり得る。また、図示してはいないが、第２磁性体
の外側コーティング層の厚さは１０μｍ～４０μｍであり得、好ましくは２０μｍ～３０
μｍであり得る。厚さが１０μｍよりも小さい場合、強度が低くなって金属リボンが破損
することがあり、４０μｍよりも大きい場合、インダクタンス減少率が大きくなって性能
が減少することがある。
回、２５％の場合が７回、３０％の場合が３回とそれぞれ現れた。したがって、希釈比が
２：８である場合、層間空間のエポキシ比率は１５％～３０％、好ましくは２０％～２５
％、より好ましくは２３％～２５％であり得る。また、図示してはいないが、第２磁性体
の外側コーティング層の厚さは１０μｍ～４０μｍであり得、好ましくは２０μｍ～３０
μｍであり得る。厚さが１０μｍよりも小さい場合、強度が低くなって金属リボンが破損
することがあり、４０μｍよりも大きい場合、インダクタンス減少率が大きくなって性能
が減少することがある。
【0082】
一方、前述した実施例によるインダクターは、ラインフィルターに含まれ得る。例えば
、ラインフィルターは交流／直流変換機（ＡＣ－ｔｏ－ＤＣ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）に適
用される雑音低減用ラインフィルターであり得る。図１４は、実施例によるインダクター
を含むＥＭＩフィルターの一例である。
、ラインフィルターは交流／直流変換機（ＡＣ－ｔｏ－ＤＣ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）に適
用される雑音低減用ラインフィルターであり得る。図１４は、実施例によるインダクター
を含むＥＭＩフィルターの一例である。
【0083】
図１４を参照すると、ＥＭＩフィルター２０００は、複数のＸ－キャパシタＣｘ、複数
のＹ－キャパシタＣｙ及びインダクターＬを含むことができる。
のＹ－キャパシタＣｙ及びインダクターＬを含むことができる。
【0084】
Ｘ－キャパシタＣｘは、ライブラインＬＩＶＥの第１端子Ｐ１とニュートラルラインＮ
ＥＵＴＲＡＬの第３端子Ｐ３との間、及びライブラインＬＩＶＥの第２端子Ｐ２とニュー
トラルラインＮＥＵＴＲＡＬの第４端子Ｐ４との間にそれぞれ配置される。
ＥＵＴＲＡＬの第３端子Ｐ３との間、及びライブラインＬＩＶＥの第２端子Ｐ２とニュー
トラルラインＮＥＵＴＲＡＬの第４端子Ｐ４との間にそれぞれ配置される。
【0085】
複数のＹ－キャパシタＣｙは、ライブラインＬＩＶＥの第２端子Ｐ２とニュートラルラ
インＮＥＵＴＲＡＬの第４端子Ｐ４との間に直列に配置され得る。
インＮＥＵＴＲＡＬの第４端子Ｐ４との間に直列に配置され得る。
【0086】
インダクターＬは、ライブラインＬＩＶＥの第１端子Ｐ１と第２端子Ｐ２との間、及び
ニュートラルラインＮＥＵＴＲＡＬの第３端子Ｐ３と第４端子Ｐ４との間に配置され得る
。ここで、インダクターＬは、前述した実施例によるインダクター１００であり得る。
ニュートラルラインＮＥＵＴＲＡＬの第３端子Ｐ３と第４端子Ｐ４との間に配置され得る
。ここで、インダクターＬは、前述した実施例によるインダクター１００であり得る。
【0087】
ＥＭＩフィルター２０００は共通モード雑音が流入する時、一次側インダクタンス（Ｐ
ｒｉｍａｒｙ Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）とＹ－キャパシタＣｙの合成インピーダンス特性
によって共通モード雑音を除去する。ここで、ライブラインＬＩＶＥの一次側インダクタ
ンスは、第３及び第４端子Ｐ３，Ｐ４をオープン（Ｏｐｅｎ）させた状態で第１及び第２
端子Ｐ１，Ｐ２間のインダクタンスを測定して得ることができ、ニュートラルラインＮＥ
ＵＴＲＡＬの一次側インダクタンスは、第１及び第２端子Ｐ１，Ｐ２をオープン（Ｏｐｅ
ｎ）させた状態で第３及び第４端子Ｐ３，Ｐ４間のインダクタンスを測定して得ることが
できる。
ｒｉｍａｒｙ Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）とＹ－キャパシタＣｙの合成インピーダンス特性
によって共通モード雑音を除去する。ここで、ライブラインＬＩＶＥの一次側インダクタ
ンスは、第３及び第４端子Ｐ３，Ｐ４をオープン（Ｏｐｅｎ）させた状態で第１及び第２
端子Ｐ１，Ｐ２間のインダクタンスを測定して得ることができ、ニュートラルラインＮＥ
ＵＴＲＡＬの一次側インダクタンスは、第１及び第２端子Ｐ１，Ｐ２をオープン（Ｏｐｅ
ｎ）させた状態で第３及び第４端子Ｐ３，Ｐ４間のインダクタンスを測定して得ることが
できる。
【0088】
ＥＭＩフィルター２０００は、差動モード雑音が流入する時、漏れインダクタンス（ｌ
ｅａｋａｇｅ Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）とＸ－キャパシタＣｘの合成インピーダンス特性
によって差動モード雑音を除去する。ここで、ライブラインＬＩＶＥの漏れインダクタン
スは、第３及び第４端子Ｐ３，Ｐ４を短絡（ｓｈｏｒｔ）させた状態で第１及び第２端子
Ｐ１，Ｐ２間のインダクタンスを測定して得ることができ、ニュートラルラインＮＥＵＴ
ＲＡＬの漏れインダクタンスは、第１及び第２端子Ｐ１，Ｐ２を短絡させた状態で第３及
び第４端子Ｐ３，Ｐ４間のインダクタンスを測定して得ることができる。
ｅａｋａｇｅ Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）とＸ－キャパシタＣｘの合成インピーダンス特性
によって差動モード雑音を除去する。ここで、ライブラインＬＩＶＥの漏れインダクタン
スは、第３及び第４端子Ｐ３，Ｐ４を短絡（ｓｈｏｒｔ）させた状態で第１及び第２端子
Ｐ１，Ｐ２間のインダクタンスを測定して得ることができ、ニュートラルラインＮＥＵＴ
ＲＡＬの漏れインダクタンスは、第１及び第２端子Ｐ１，Ｐ２を短絡させた状態で第３及
び第４端子Ｐ３，Ｐ４間のインダクタンスを測定して得ることができる。
【0089】
実施例によるＥＭＩフィルター２０００のインダクターが前述した実施例によるインダ
クターに該当する。
クターに該当する。
【0090】
前述した実施例のそれぞれに対する説明は、互いに内容が相反しない限り、他の実施例
に対しても適用可能である。
に対しても適用可能である。
【0091】
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示で、本発明を限定するものではな
く、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特
性を逸脱しない範囲で以上に例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解
できよう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形して実施できるものである
。そして、このような変形及び応用に関係する差異点は、添付する特許請求の範囲で規定
する本発明の範囲に含まれるものとして解釈されるべきであろう。
く、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特
性を逸脱しない範囲で以上に例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解
できよう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形して実施できるものである
。そして、このような変形及び応用に関係する差異点は、添付する特許請求の範囲で規定
する本発明の範囲に含まれるものとして解釈されるべきであろう。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】